191

Solidification of Metais and Alloys

Krupniecie Metali i Stopw, 16
PL ISSN 0208 - 9386

Hipoteza wzrostu krysztaw supkowych przy

odleww w polu elektromagnetycznym

krzepni_ciu

l)

Jan Szajnar
Instytut Odlewnictwa, Politechnika lqska, Gliwice, Polska
STRESZCZENIE
Artyku

przedstawia prb opisu procesu ksztatowania si struktury krysztaw

odchylanych (falistych) przy krzepniciu odleww w polu magnetycznym. Krysztay te
powstaj przy krystalizacji metalu z fazy cieklej bdcej w wymuszonym ruchu
wywoanym przez pole magnetyczne.

Hypothesis of Colurnnar Crystals Growth during Castings Solidification

in Electromagnetic Field
ABSTRACT
In the paper a trial-description of the process of creating the wavy crystals structure
during metais solidification in magnetic field is presented. The wavy crystals (diverted)
are created during crystallization from liquid being in the forced movement caused by
magnetic field.
WPROWADZENIE
Podczas krzepnicia cieklego metalu powstaje jego struktura pierwotna. W
tradycyjnie krzepncym odlewie, ti bez wymuszonej konwekcji fazy cieklej wzrost
krysztaw supkowych nastepuje po utworzeniu sie warstwy wierzchniej zoonej
z krysztaw zamroonych powstajcych na powierzchni wnki formierskiej. Strefa
krysztaw supkowych jest wynikiem cigego konkurencyjnego wzrostu poszczeglnych
krysztaw, a o charakterze struktury decyduj te ziarna, ktrych kierunek gwnej osi
krystalograficznej jest najbardziej zbliony do kierunku przepywu ciepa (rys. lb).
Proces wzrostu mona rozpatrywa w skali mikroskopowej i atomowej. W skali
mikroskopowej tworzenie sie strefy krysztaw kolumnowych w odlewie moe by
wynikiem wzrostu komrkowego, komrkowo-dendrytycznego lub dendrytycznego.
n Niniejszy artyku jest czci grantu Nr 3 0862 91 Ol.

192

Wzrost komrkowy i
e

tym,

komrkowo-dendrytyczny charakteryzuje

rozwj bocznych

oddziaywania ssiednich

gazi

jest

cigle

komrek. Odprowadzenie

lizacji do otoczenia odbywa

si

poprzez

si

hamowany w wyniku
ciepa

faz sta

krysta-

przy dodat-

nim gradiencie temperatury . Kierunek wzrostu tych krysztaw

jest przeciwny do zwrotu strumienia ciepa w odlewie. Wzrost
dendrytyczny przebiega przy ujemnym gradiencie temperatury,
gdy

ciepo

przez

faz

krystalizacji odprowadzane. jest do otoczenia pociek.

Wzrc;>st dendrytyczny jest bardziej "swobod-

ny" we wszystkich kierunkach i odbywa si przy wolniejszym odprowadzaniu

ciepa

ni

przy

wzrocie

komrkowym

lub

ciepa

tu

komrkowo-dendrytycznym. Zwolnienie odprowadzania

maczy si zw i kszonym zuyciem energii cieplnej

na tworzenie
rozbudowanych dendrytw. Rnica pomidzy komrk dendrytyczn a dendrytem polega na tym, e gazie
dendrytu rozrastaj
si we wszystkich kierunkach krystalegraficznie dogodnych, a
komrka dendrytyczna rozwija si przede wszystkim w k i erunku
przepywu

ciepa.
Dendryty tworz najczciej tzw. ziarna
rwnoosiowe, a komrki tworz wyduone krysztay, ktre nazywane s krysztaami supkowymi lub kolumnowymi [3,7,8).
Podstawowym parametrem kontrolujcym warunki wzrostu krysztalu
jest stosunek gradientu temperatury przed frontem krystalizacji do prdkoc i wzrostu ( Gl /V ) . Dane literaturowe na temat
wzrostu kryszataw nie zawieraj opisu dotyczcego kierunku
wzrostu, gdy kadorazowo przyjmuje si, .~e jest on zgodny z
kierunkiem odpywu ciepa z odlewu . . W ujciu mikroskopowym
stwierdza si, e o kierunku wzrostu decyduje rownie struktu-

ra sieci krystalograficznej, np. dla Al orientacja

przewaaj

ca to kierunek <100> na paszczynie {100}. Struktura slupkowa

w odlewie nie jest struktur podan ze wzgldu na anizotropi waciwoci wytrzymaociowych i szkodliw segregacj zanieczyszcze oraz skadnikw stopowych. Nie zapewnia rwnie
dobrych waciwoci uytkowych odlewom struktura skadajca
si

wych

ze zbyt

rozwinitych

powodujca

dendrytw w postaci ziarn rwnoosionp. mikro- i makroporowato, niskie waciwo

ci wytrzymaociowe,

segregacj midzydendrytyczn,

skonno

193

do

pkni

itd. z tych

te wzgldw

inynierii

rozwoju technik odlewniczych i

proc~sami

kierowanie i sterowanie

bardzo istotnym kierunkiem

materialowej

jest

krystalizacji pierwotnej od-

lewu.Jednym ze sposobw otrzymywania

podanej

struktury meta-

li jest prowadzenie

krystalizacji kierunkowej wynikiem, ktrej

jest uzyskanie monokrysztaw lub quasimonokrysztalw. W tym
przypadku w technice wykorzystuje si anizotropowe waciwoci
monokrysztaw.

Kolejnym sposobem oddzialywania na

jest

takie

prowadzenie

struktur pierwotn

krystalizacji

aby

otrzyma

metali

odlew

strukturze bardziej jednorodnej i drobnokrystalicznej ni to

ma miejsce w odlewach wykonanych . tradycyjnie. Do tych metod
zalicza si odlewanie w zmiennych polach magnetycznych. cech
szczegln tych metod jest przebieg procesu krystalizacji przy
wymuszonym ruchu cieklej fazy [1,4,5,6) . Jest to wic krystalizacja dynamiczna nie podlegajca w peni znanym zasadom zarodkowania i krystalizacji statyczne.j. Dotychczasowe wyniki
bada

nad

lizacj

okreleniem wpywu

pierwotn,

pozwalaj

ruchu cieklego metalu na krystawyodrbni trzy zasadnicze zjawi-

ska towarzyszce procesowi:

l)
zjawiska zwizane z dynamicznym pobudzaniem tworzenia
zarodkw,
2) zjawiska cieplne zmieniajce pole temperatury i .. kinetyk
krzepnicia odlewu,
3)
zjawiska mechaniczne, ksztatujce w inny sposb ni
tradycyjnie front k~zepnicia i rosnce krysztay.
Zjawiska

te

mechanizmw

rozwaane

powodujcych

przede

wszystkim

pod

ktem

rozdrobnienie i ujednorodnienie stru-

warunkw tworzenia si krysztaw supkowych powstajcych z cieklej

fazy bdcej w ruchu.
Kierunek wzrostu tych krysztaw nie jest zgodny z kierunkiem
przepywu ciepa w odlewie.
Tak np. przy odlewaniu wlewkw

ktury odlewu i

nie

analizuj

walcowych z Al99,7 w

wirujcym

rewersyjnym polu magnetycznym

wzrost krysztaw supkowych zmienia si zgodnie ze

zmian kierunku wirowania pola i jest do niego styczny, w wyniku czego powstaj krysztay, ktre nazwano falistymi lub od(WRPM)

194

chylanymi
krysztaw

ciepa

(rys. la)
falistych

z odlewu,

(1,4,6).
nie s
s

Kierunek wzrostu tych

ruchu strumienia

Gwne

osie krystalograficzne
do kierunku odpywu

rwnolege

ktem .

do niego nachylone pod pewnym

krysztaw

ciekej

jest pr_zeciwny do kierunku

fazy. Podobnie przebiega wzrost kry-

sztaw

z ciekego Al99,7 i AlMnl, bdcych w jednokierunkowym

ruchu, przy odlewaniu w wirujcym polu magnetycznym (rys.lc,d)

Al99,7

Al99,7

AlMnl

Rys. l. Makrostruktura odleww wykonanych w : a) wirujcym

rewersyjnym polu magnetycznym, b)
odlew wzorcowy,
c,d) wirujcym polu magnetycznym
Aby

nakreli

przyblieniu

ze wzrostem krysztaw
wzrostu. Uwaa si, e w

cao

naley

wspomnie

ujciu

atomowym o

zag a dni e

zwizanych

atomowej

wzrocie

teo rii

kryszt aw

dwa procesy, tj. dyfuzja atomw do frontu

krystalizacji oraz wbudowanie si tych atomw w sie krystalicz n. Wanym uwarunkowaniem wzrostu krysztaw jest topogr afia
frontu krystalizacji, do ktrego przyczane s atomy przechod zce z ciekego metalu.
Weryfikacja wielu hipotez wzrostu
decydujconajmniej

z danymi dowiadczalnymi dowodzi, e technicznie

czyste metale zarodkuj heterogenicznie, a krystalizacja prze-

krysztaw

biega przy atomowoszorstkim froncie

[ 3, 7, 8) .

Rna

prdko

przemieszczania si frontu krystalizacji zmienia si pod

selektywnej adsorbcji rnych skadnikw kpieli meta-

wpywem

195

lowej lub wystpowania w niej strumieni konwekcyj~ych naturalnych i wymuszonych, co

ni

skomplikowany
-

moe powodowa,

ukadu

niem, ktre jest

wzrost jest bardziej

opisany w literaturze. W obu skalach wzrostu

atomowej i mikroskopowej -

energetyczne

przyczynami przemiany

ciecz-faza

sil pdn

staa

zwizane

zmiany

przechodze

reakcji przemiany.

WZROST KRYSZTAW SUPKOWYCH W WARUNKACH RUCHU FAZY CIEKEJ

Wzrost krysztalu to proces nadbudowy sieci krystalicznej

i jest definiowany jako proces przyczania atomw cieczy do
fazy stalej. Przejcie atomu do fazy stalej moliwe jest po
spenieniu nastpujcych warunkw, takich jak:
-pokonanie bariery potencjau (stanu aktywowanego),
- posiadanie odpowiednio duej skadowej szybkoci w kierunku
normalnym do powierzchni
znalezienie

w fazie

rozdziau

stalej

( czynnik geometryczny ) ,

pozycji

dogodnej

do

oddani a

nadmiaru energii ( wspczynnik akomodacji).

uproszczenie, e w warunkach ~tatycznych ciecz. na
froncie krystalizacji jest w bezruchu, to ilo atomw
stykajcych
si
z jednostkow powierzchni rozdziau fa z
wynosi Nz i jest w zaoeniu staa. Przy wymuszonym ruchu
ilo
atomw w jednostce czasu znajdujca si przy froncie
krystalizacji okrelana jest przez strumie dN jdt. Tworzy to
Przyjmujc

takie warunki, e w jednostce czasu, przy rosncyn zarodku a

pniej
krysztale, znajduje si wiksza liczba atomw fazy
cieklej,ktr

oznaczmy Nz

( r)

. Mona wic

Nz ( r)
gdzie: Nz!rl

zapisa

>> Nz

(l)

-liczba atomw cieklego metalu stykajcych si z

krysztalem w warunkach wymuszonego ruchu fazy
ciekej, zalena od parametrw tego ruchu,

Nz - liczba atomw fazy cieklej w warunkach statycznych

Zwikszona

stwarza

liczba

wiksze

atomw

cieczy

prawdopodobiestwo

zwizana

ze

przyczania

strumieniem
ich do frontu

196

krystalizacji
cieczy
kach

ni

przyczonych

statycznych
dNafdt

gdzie:
Nz
liczba

=-V

warunkach

Liczb

statycznych.

mona

okreli

rwnaniem [7):

p Nz exp(- AGafkT)

atomw

atomw

do krysztalu w jednostce czasu w warun-

cieczy

stykajcej

(2)

si

powierzchni

zarodka o wymiarze krytycznym (krysztau),

p

prawdopodobiestwo
okrelonym

v -

;'.lniany pooenia atomu

(przeskoku)

kierunku,

czstotliwo drga

atomowych,

AGa - energia aktywacji przejcia atomw.

To samo wyraenie w warunkach wymuszonego ruchu fazy ciekej
przyjmuje posta:
dNaCr>/dt = v p NzCrl exp(- AGa/kT)

( 3)

gdzie:NzCr> -jak w rwnaniu (l); NzCr> >> Nz;

NzCr>
f( Vcteczy) =f( indukcji pola magnetycznego)
Mona dalej zapisa NaCrl >>Na, gdzie NaCrl jest liczb
atomw przyczonych na jednostk powierzchni krysztau w jednostce czasu w warunkach wymuszonego polem magnetycznym ruchu fazy ciekej, a Na jest liczb atomw w warunkach krystalizacji
tradycyjnej.
Ta zwikszona liczba atomw znajdowa si bdzie przy tej
czci krysztau,
ktra jest opywana pr.zez strumie. Zatem
prawdopodobiestwo przyczania atomw z tej strony krysztau
bdzie wiksze.
Skoro tak, to od tej _ strony wystpi wiksza
prdko wzrostu co spowoduje asymetryczny wzrost krysztaw
supkowych przedstawiony schematycznie na rys. 2.
Drugi aspekt zagadnienia to wzrost krysztaw traktowany
jako przyrost warstwy zakrzepej bdcy wynikiem odprowadzania
ciepa i przechodzenia na froncie krystalizacji.
W rozpatrywanych warunkach, wzrost krysztaw przy znacznych
uproszczeniach ksztatu i procesu,rozwaany bdzie jako wzrl)st
pojedynczych krysztaw na fronci'e krystalizacji. Analiza do-

197
tyczy komrkowego frontu krystalizacji, typowego dla czystego
Al,

ksztat

czoa

przyjto

krysztalu-komrki

za Kurzem i

Fisherem [11] i badaniami wasnymi [12] (rys.3).

Jak ju wczeniej stwierdzono, naturaln tendencj krysztalu
jest jego wzrost w kierunku
odchylenia od tego
krystalograficznej.

przepywu ciepa,

kierunku

spowodowane

pomijajc

czynnikami

pewne
natury

skala
mikroskopowa
I--

JOl' m

klerunek
ruchu
clekieco
metalu

wirowania
pola
macnetyczneco

/
l
l

'

U(r)'

\ ~
At=ls

At=ls

. //

----

tradycyjny klerunek
WUOSlU

krysztal

krysztal
skala atomowa
~

5 nm

Nz(r)

krystalizacja
przy ruchu

fazy

Nz

krystalizacja
statyczna

ciekej

Rys. 2. Schematyczny wzrost krysztaw supkowych bdcy

wynikiem przyczania atomw; f<rl -kt odchylenia wzrostu,
U <r l ,
U ,
u< r l - prdko wzrostu odpowiednio: od strony
1
2
strumienia fazy ciekej, za strumieniem i prdko wypadkowa.

198

kierunek

strumienia

strumienia
pow.80 x

pow.40x

powierzchnia zewntrzn a
odlewu walcowego

Rys. 3. Mikrostruktura Al99,7 w odlewie wykonanym w

rewersyjnym polu magnetycznym [12)

wirujcym

W statycznych warunkach krystalizacji strumie ciep a ma kierunek prostopady do powierzchni zewntrznej odlewu i taki te
jest kierunek wzrostu krysztaw supkowych (rys. lb). Wymuszony ruch fazy ciekej powoduje znaczn asymetri w wymianie
ciepa wok rosncych krysztaw. Wynika ona z lepszej wymiany ciepa na tej czsc1 powierzchni krysztaw tworzcych
fr ont krystalizacji, na ktre skierowany jest strumie cieke
go metalu . Szybsza wymiana na tych powierzchniach krysztaw
wynika ze zwikszenia wartoci wspczynnika wymiany
ciepa
a oraz zwizanego z nim, a wywoanego take ruchem cieczy,
zwikszonego

gradientu temperatury w fazie ciekej, bdcej

blisko frontu krystalizacji, a ponadto wikszego strumienia
ciepa

przekazywanego w kierunku do i od

~~ontu " krystalizacji.

199

Warunki cieplne wzrostu

schematycznie na rys. 4.

krysztaw

faza cieka

''

4~ Wymiana
krysztau):
a)

odchylanych przedstawiono

fazy cieklej

'

krysztalu ( na powierzchni czoa

w warunkach statycznych,
b)
w warunkach
wymuszonego ruchu fazy ciekej .
Q,Q!rl -wypadkowe strumienie ciepa w warunkach statycznych i
ruchu fazy ciekej,
U, U! r l
wektory prdkoci wzrostu odpowiednio: w warunkach
statycznych i ruchu fazy ciekej,
~!rl
kt
odchylenia strumienia ciepa od tradycyjnego
kierunku wzrostu,
a - powierzchnia krysztalu o intensywniejszej wymianie
ciepa spowodowanej ruchem cieczy.

Rys.

ciepa wok

PODSUMOWANIE
Analiza warunkw wzrostu atomowego jak rwnie mikroskopowego wskazuje, e ruch fazy cieklej jest przyczyn do tworzenia si w czasie krystalizacji krysztaw odchylanych lub
falistych i to zarwno, jak wykazuj badania wasne (12], w
czystych metalach jak i stopach. Wpyw na warto kta odchylenia ~~ r l ma stopie zinian zjawisk cieplnych oraz w mniejsz,ym
stopniu dyfuzyjnych, ktrych zreszt w niniejszej pracy nie
rozwaano.

Mona

e wielko kta

rwnie

na podstawie bada (12] stwierdzi,

odchylenia ~!rl zaley od prdkoci ruchu fa-

200
zy

ciekej,

ale

tylko

do

pewnej

ktrej kt ten nie zmienia si.

Przyczyny odchylania krysztaw
ciekej

bdcej

atomw do

w ruchu

tkwi

czoa krysztau

na tyme czol.e.
Przeprowadzone
powstajcego

wartoci

supkow~ch

rnej

po

przekroczeniu

rosncych

oraz w asymetrycznej wymianie

rozwaania

obejmuj

fazy

prdkoci przyczania

tylko

ksztat

podczas krystalizacji komrkowej bez

ciepa

krysztau

uwzgldnia

nia wzrostu dendrytycznego. Niemniej jednak obserwacje metalograficzne mikrostruktury (rys.3)

potwierdzaj suszno

przy-

jtych zaoe.

Przeprowadzona w niniejszej pracy

supkowych

fazy

ciekej

wzrostu

krysztaw

bdcej

w ruchu, mimo znacznych

uproszcze i jakociowego charakteru wydaje si do przyjcia i
moe stanowi hipotez wzrostu tego typu krysztaw.
UWAGI

anali~a

KOCOWE

Autor zdaje sobie spraw z poczynionych uproszcze w niniejszej analizie, dotyczcych:

wpywu parametrw okrelajcych ruch cieczy,
a tym samym
wierniej precyzujcych warunki wymiany ciepa na froncie
krystalizacji i w caym odlewie,
- braku rozgraniczenia warunkw wzrostu komrkowego i dendrytycznego,
braku analizy zmia.ny warunkw wzrostu wyniklej z przycza
nia
do
frontu
krystalizacji
zdyspergowanych przez ruch
cieczy fragmentw krysztaw,
- braku analizy ste
i innych, ktre bd uwzgldnione w dalszych pracach.

REFERENCES
1. Szajnar J.:Praca doktorska.Politech. Slska, Gliwice, 1986
2. Fredriksson H i in.:The Scandinavian Journal of Metallurgy
15,1986, s.127
3. Kurz W.,Fischer D.:Fundamentals of Solidification. Trans.
Tech.,Pulic., switze~land, 1986

201
4.

J., Szajnar J.:Postpy Technologii Maszyn i

z.J-4, 1987, s.21
5. Gawroski J.,Szajnar J.:Krzep.Metali i Stop., z.l3,1988,s.5
6. Sakwa W.,Gawroski J.,Szajnar J.:Giessereifor.,z.l,l988,s.7
7. Fr~ E.:Kry~talizacja metali i stopw.PWN,Warszwa, 1992
8. Br<::. szczy>ki J. :Krystalizacja odleww .WNT,Warszawa,1991
9. Turnbull D. i in.:Transport Process and Fluid Flow.Semin.
AMS 11 Solidification 11 ,Metals Park, Ohio,1971, s.255
10. Lescult G i in.:Metallurgical Applications of Magnetohydrodynamics.The Metals Society, 1982, s. 264
.
11. Kurz W.,Fisher D.:Acta Metallurgica.Vol.29,1981,s.12
12. Szajnar J. :Kierowanie wzrostem krysztaw. Spr. z pracy
wasnej,FBB/RMTJ/90, Polit. l.,1990
Gawroski
Urzd~e,