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Rosa Menndez
Instituto Nacional del Carbn,
CSIC, Oviedo
Fullereno (C60)
Grafeno
Ovaleno
Grafito
Antraceno
H
C
H
C
H
C C C C H
H
H H
sp3
sp + 2
Propano
H H H
H C C C H
H C C C C H
H H H
H
H C C C H
H
C C C C
C
H
H
C C C H
H
C
H
sp2 +
Fluoreno
C C C C
H
C
Benceno
H
C C C C
H2
C
Coranuleno
Diamante
Adamantano
Materiales de carbono
Espumas
Fullerenos
Carbones activados
Coques
Grafito
Fibras
Nanotubos
Diamante
(sinttico)
Carbono vtreo
El grafeno
Descubierto en 2004
Premio Nobel de Fsica en 2010
Grafeno. Propiedades.I
* La alta conductividad trmica y elctrica del grafeno permite
una velocidad de procesamiento hasta 10 veces ms rpida que
el silicio.
* Cuenta con alta elasticidad y una dureza comparable a la del
diamante.
* Su resistencia es 200 veces mayor que la del acero.
* Puede reaccionar qumicamente con multitud de sustancias
para formar compuestos con diferentes y muy interesantes
propiedades.
Grafeno. Propiedades.II
*
Exfoliacin mecnica
Material de partida: Grafito HOPG.
Procedimiento: separacin de lminas con cinta
adhesiva (o similar).
Ventajas: Mtodo sencillo y econmico. Obtencin
de cristales grandes (100 nm) y de alta calidad.
Inconvenientes: Bajo rendimiento y largos tiempos de
operacin (3-4 h para detectar una lmina en el
SEM).
Oxidation
Graphite
Scalable,
versatile,
low cost
Graphite
oxide
Exfoliation
Graphene
oxide
Reduction
Graphene
From few nm to mm
Natural graphite
Synthetic graphite
PG
HOPG
Synthetic graphite
NO GRAFITIZABLE (Istropo)
PARCIALMENTE GRAFITIZABLE
GRAFITIZABLE (Anistropo)
Coke
Modified Hummers method
1. G + NaNO3 + H2SO4 + KMnO4 3h
2. H2O2 (3%) 1h
GO
Cokes as an alternative to
graphite for the production of
graphene derivatives
OGa
0,93
OGp
0,93
OGsp
0,87
TRGc
0,99
-1
1349
1353
1355
1354
1342
-1
ID/IG
W D(cm )
Raman
W G(cm )
1588
1589
1603
1594
1592
3,17
48,17
15,03
14,91
7,79
2,4
56,71
12,4
13,05
6
3,74
53,7
12,4
12,77
6,5
2,9
43,6
15,78
16,35
8,04
11,8
80,24
14,03
5,43
0,28
-
XPS
C/O
2
Csp (%)
3
Csp (%)
C-OH (%)
C-O-C (%)
C(O)OH
(%)
14,39
10,2
12,29
15,21
1.6
1.4
1.2
1
Z[nm]
OGc
0,93
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
X[m]
1- Grafito de partida
* Sntesis de grafitos de cristalinidad controlada
2- Mtodo de oxidacin
* Influencia de la estructura cristalina en
los procesos de exfoliacin/reduccin
3- Mtodo de reduccin
* Reduccin trmica
* Hidrogenacin
* Reduccin qumica con hidracina
Exfoliation (ultrasounds)
GO
50 m
GO1
0.2
C/s
Epoxy
Hidroxy
GO1
Csp2
Csp3
C-O
C-O-C
COOH
0.3
GO2
Csp2
Csp3
C-O
C-O-C
COOH
0.2
C/s
0.3
0.1
GO2
0.1
Carboxy
0
282
283
284
285
286
287
288
Binding energy (eV)
289
290
291
292
0
282
283
TGA
284
285
286
287
288
Binding energy (eV)
289
290
291
292
Different location:
GO1: at the interior
basal plane
GO2: at the edges
GO1
GO2
FTIR
600nm
0.00 nm
200nm
1.4
1.2
1.2
1
0.6
0.4
Z[nm]
Z[nm]
1
0.8
0.2
0
GO2
310-3 m2
0.8
0.6
0.4
0.5
1.5
2.5
3
0.2
X[m]
0
0
GO1
5710-3 m2
100
200
300
X[nm]
400
500
600
700
GO2
GO1-Ir
GO1
GO2-Ir
GO2
120 min to reach complete conversion
NT
NT-Ir
CONFINEMENT EFFECT
M. Blanco, P. Alvarez, C. Blanco, M.V. Jimnez, J. Fernndez-Tornos, J.J. Prez-Torrente, L.A. Oro, R.
Menndez, ACS Catalysis, in press
1- Grafito de partida
* Sntesis de grafitos de cristalinidad controlada
2- Mtodo de oxidacin
* Influencia de la estructura cristalina en
los procesos de exfoliacin/reduccin
3- Mtodo de reduccin
* Reduccin trmica
* Hidrogenacin
* Reduccin qumica con hidracina
Oxidation
Graphite
Graphite
oxide
Exfoliation
Graphene
oxide
Reduction
Graphene
0.3
Normal Counts
C-C,C-H
C-OH
C=O
O=C-OH
0.2
0.15
COC
0.1
0.05
0
282
283
C=C,
C-H..
284
285
O=C-OH
0.5
0.3
286
287
288
289
290
291
292
NormalCounts
Counts
Normal
Peak-1
C-C,C-H
Peak-2
C-OH
Peak-3
C=O
Peak-4
O=C-OH
0.45
C-OH
0.25
0.4
Graphene
0.35
0.2
0.25
0.15
0.1
C=C, C-H..
0.3
0.25
0.2
C-OH/C-N
0.15
Partial sp2 C
0.05
atoms restoration
0.1
COC
0.05
O=C-OH
0
282
0
282
283
283
284
284
285
285
286
286
287
288
Binding energy
287
288(eV)
289
289
290
290
291
291
292
292
N2H4
GO1
100C, 24h
N2H4
GO2
100C, 24h
r-GO1
r-GO2
Elemental analysis
Sample
ID/IG
WD (cm-1)
WG (cm-1)
C (%)
H (%)
N (%)
r-GO1
1.05
1351
1589
81.4
1.9
3.6
r-GO2
1.16
1346
1593
61.2
3.2
8.6
GO2
310-3 m2
rGO2
7010-3 m2
S (%)
0.5
0.7
XPS
O (%)
12.6
C/O
8.6
26.2
3.1
C/O
4.0
2.8
More effective
reconstructions
(lower amount of
deffects, lower
residual oxygen
content)
Higher sheet size
due to inter-sheet
interactions (selfassembling)
Oxygen at the edges
GO1 y GO2
Similar oxygen content
Different mechanism
C. Botas, P. Alvarez, C. Blanco, M.D. Gutierrez, P. Ares, R. Zamani, J. Arbiol, J.R. Morante, R. Menndez,
RSC Adv. 2, 2012, 9643
Treatment with carbon monoxide reconstructs the C sp2hybridized bonds in the reduced graphene layers.
38
N<10
39
2-3
4-6
TRGO600
TRGO1000
TRGO2400
AE
XPS
Raman
O (%)
Csp2 (%)
ID/IG
TRGO1000
1.9
81.5
1.17
TRGO2400
0.1
85.8
0.14
40
43
APLICACIONES
GOGO
_ _ _TRG700
_ TRGO700
24
24
TRG1000
TRGO1000
<I>/ mA
-2
( mAcm
-2 ) )
j ( jmAcm
16
12
8
2
00
0
-2
-8
-12
-16
-24
-24
-32
0.60
0.60
0,60
0.40
0.40
0,40
0.20
0,20
0.20
0.80
0.80
0,80
1.00
1,00
1.00
1.20
1.20
1,20
Ewe /V
E vs Hg/Hg2SO4 (V)
Element. anal.
O (wt%)
XPS
O/C
BET
S (m 2g -1)
RAMAN
ID / IG
2 ()
XRD
Lc (nm )
d (nm)
33,40
0,44
33
0,91
9,46
0,826
TRG700
8,26
0,12
271
0,86
26,50
TRG1000
1,91
0,10
97
1,17
24,55
Sample
GO
La (nm)
Conductivity
-1
K (Scm )
0,40
0,21
0,56
0,336
0,22
0,14
1,05
0,362
0,16
0,50
2,12
4020
I/mA
j (mAcm-2)
15
2010
5
00
-5
-10-10
TRGO
-15
TRGrO
-20-20
-25
00
0.2
0.4
0.20
0.40
E vs Hg/Hg
SO
2vs.
4 (V)
E/VHg
/Hg
SO
0.6
0.60
0.8
0.80
2 4
(a)
(b)
24
j (mAcm-2)
16
(c)
(d)
-8
TRGO-1
TRGO-2
-16
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
50 nm
50 nm
E (V) vs Hg/Hg2SO4
Sample
BET
RAMAN
XPS
2
S (m2 g-1)
Csp
ID/IG
Conductivity
3
Csp
COH
C/O
-1
K (Scm )
(%)
(%)
(%)
TRGO-1
185
1.18
15.20
78.3
17.2
4.5
0.63
TRGO-2
215
1.31
9.70
73.2
20.8
6.0
0.56
Electrnica
Porttil transparente. Samsung
Fotovoltaica
Rosa Menndez
Marcos Granda
Ricardo Santamara
Clara Blanco
Patricia lvarez
Zoraida Gonzlez
Cristina Botas
Ana M. Prez
Uriel Sierra
Patricia Blanco
Matas Blanco
Natalia Garca
Daniel Barreda
Patricia Daz
CSIC, I-LINK0459
FICYT, COF11-34
MINECO, MAT2010-16194
CONSOLIDER INGENIO 2010, CSD2009-00050
INNPACTO, IPT-2011-0951-390000
EC, RFC-BR-12008