TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIN

El primer transistor el 23 de diciembre de 1947,

desarrollado por William B. Shockley, Walter H.
Brattain y John Bardeen

Es un dispositivo semiconductor formado por dos

capas de material tipo n ( p) y una capa entre ellas de
material tipo p ( n), por lo que:
EXISTEN TRANSISTORES NPN PNP
Son dispositivos de 3 terminales (emisor, base y
colector):
La capa del emisor est fuertemente dopada
La del colector ligeramente dopada
Y la de la base muy poco dopada, adems ms
delgada.

B
Tiene dos uniones: Emisor-Base y Colector-Base
Tiene 3 modos de operacin: Corte, Saturacin y
Activo.
Modo

Unin E-B

Unin C-B

Corte

Inverso

Inverso

Activo

Directo

Inverso

Saturacin

Directo

Directo

PRUEBA DE
TRANSISTOR CON
MULTMETRO

Transistores BJT en modo activo

E n

p
B

IC=IS(eVBE/VT)

(1)

IB=IC/

(2)

IE=IC+IB

(3)

IE=IC/=IB (+1)
En este modo la corriente de colector es determinada por la
ecuacin (1).
La corriente de base (IB) es una fraccin de la corriente de
colector (IC); ecuacin (2).
El valor de es tpico de 100 a 200 en dispositivos de
pequea seal.
La corriente del emisor es la suma de las corrientes, ec (3).

C
E

Smbolo

Transistor BJT NPN

Transistor TBJ NPN

p
C

E
B

Transistor BJT PNP

Transistor TBJ PNP

Smbolo

Configuracin de BASE comn

La corriente de colector es
constante, por tanto el
colector se comporta como
una fuente de corriente
constante en la regin activa.

Caractersticas de
salida del transistor en
configuracin de base
comn.

Configuracin de EMISOR comn

A diferencia de la configuracin
anterior, el voltaje CE si tiene
influencia sobre la magnitud de
la corriente de colector.

Caractersticas de
salida del transistor en
configuracin de
emisor comn.

Configuracin de COLECTOR comn

Esta configuracin se utiliza para propsitos de acoplamiento de
impedancias. Pues tiene alta impedancia de entrada y baja de salida, al
contrario de las otras dos configuraciones.

Para todos los propsitos prcticos las caractersticas de salida de esta

configuracin son las mismas que se usan para EMISOR comn.

Punto de Operacin
1.

El anlisis de circuitos a transistores, requiere de conocimiento de la

operacin del mismo tanto en DC como en AC

2.

El teorema de la superposicin puede ser aplicado al circuito

3.

Una vez definidos los niveles de DC se debe establecer el punto de

operacin deseado.

4.

Cada diseo determinar la estabilidad del sistema

5.

El punto de operacin es un punto fijo sobre las caractersticas del

transistor que definen una regin para la amplificacin de la seal
aplicada.

Circuito de polarizacin fija (AUTOPOLARIZACIN).

Polarizacin por divisor de voltaje

Se
recomienda:

VE=(1/10)Vcc
* El punto Q o punto quiescente o punto
de operacin del transistor, en emisor
comn: (VCEQ, ICQ).

R2(1/10)RE
IcQ=(1/2)ICSat

Saturacin: Mximos niveles de operacin

VCE=0
RCE=0
ICSat=Vcc/Rc
ICSat=Vcc/(Rc+ RE)

Polarizacin por retroalimentacin de voltaje

10V

EJERCICIOS DE POLARIZACIN
4V

10V

4.7k

=100

1)
4)

2k

3.3k

=100
3)
1k

10V

5)

-10V

6V

2)

10V

4.7k

=100

=100
3.3k

5V

2k

10V

=100

6)
4.7k

100k

3.3k

=100

REFERENCIAS:

Transistores BJT.ppt,
URL:http://www.utm.mx/~mtello/Transistores%20BJT
.ppt
http://www.profesormolina.com.ar/electronica/compon
entes/prueba/prueba/image009.gif
http://www.empresas.mundor.com/cromavideo/IMA/transistores2.JPG