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Para audio e imagen

En este lib ro se estu dia n todos aque llo s

i ecmco en electrnica

COMPONENTES ELECTRNICOS

com ponentes electrnicos que son com unes a

cualquier aparato de consum o. Cada uno de los


componentes se estudia de manera monogrfica,
tanto desde el punto de vista de su diseo y

fabricacin com o desde el de sus caractersticas


t cn ica s, las cuales se d e sarro llan con gran

dados por los fabricantes.


M erecen especial atencin las referencias
a los p e q u e o s c o m p o n e n te s de m o n ta je
superficial (SMD), tan empleados en los modernos
aparatos electrnicos com pactos.

mm

&

in te rp re ta r c o rre c ta m e n te los datos y curvas

detenim iento, con el fin de que el lector pueda

ediciones

ceac*

r i r in n p n i a

Tcnico en electrnica

COMPONENTES
ELECTRNICOS
Para audio e imagen

Francisco

Ruiz

ediciones

ceac

Vassailo

A unque se han tom ado todas las precauciones n ecesarias para asegurar la exactitud de las inform aciones proporcionados en este libro, ni el autor ni el
ed ito r pueden se r considerados responsables d e las consecuencias derivadas de inform aciones incorrectas o m al presentadas, asi co m o ta m p o c o d e o m i
siones o errores q u e se hubieran p o dido producir en la realizacin de este libro.

N o se perm ite la reproduccin total o parcial d e este libro, ni el registro en un sistem a inform tico, ni la transm isin bajo c u a lq u ie r form a o u travs de
cualquier m edio, ya sea electrnico, m ecnico, p o r fotocopia, p o r grabacin o p o r otros m todos, sin el perm iso previo y por escrito de los titulares del

copyright

Diseo de cubierta: Singular S.L.


M aquetacin y diseo: RBA Realizaciones S.A.
Ilustraciones: Luis Bogajo y Santiago Boix
Francisco Kuiz Vassallo
Grupo Editorial Ceac, S.A., 2 000
Para la presente versin y edicin en lengua castellana
Ediciones Ceac es marca registrada por Grupo Editorial Ceac, S.A.

Grupo Editorial Ceac, S.A. Per, 164 - 0 8 0 2 0 Barcelona


Internet: http://www.ceacedit.com

Contenido

Conductores y circuitos impresos

Conectores

31

Resistencias

45

Resistencias ajustables y potencimetros

67

Condensadores

81

Bobinas y ferritas

115

Transformadores y autotransformadores

135

Resistencias no lineales

159

Diodos rectificadores

191

10

Diodos Zener

213

11

Diodos varicap y conmutadores de banda

225

12

Diodos emisores de luz

235

13

Transistores bipolares

249

14

Transistores unipolares

287

15

Circuitos integrados

313

16

Radiadores de calor

349

17

Cristales y cermicas piezoelctricas

365

18

Displays de cristal lquido

379

Abreviaturas

393

ndice

395

Conductores y circuitos
impresos

Captulo 1

INTRODUCCIN
La conexin elctrica entre los componentes de un circuito electrnico se realiza mediante hilos y
cables de cobre, o mediante circuitos impresos.
Los circuitos impresos son lminas de material aislante, ms o menos rgidas, sobre las que se
disponen unas tiras de cobre -e n una o en ambas caras- por las que circulan las seales elctri
cas de unos componentes a otros.
El hecho de utilizar como elemento preferente de Interconexin el circuito impreso no quiere de
cir que no se utilicen hilos y cables conductores, empleados sobre todo para la interconexin entre
placas de circuitos impresos y entre stas y otros componentes externos tales como, por ejemplo,
Interruptores, altavoces, antenas, etc.

CLASIFICACIN DE LOS CONDUCTORES


En una primera clasificacin se pueden dividir los conductores en dos grandes grupos:

conductores para bajas frecuencias


conductores para altas frecuencias

Para las corrientes de baja frecuencia se utilizan hilos y cables conductores, aislados o no, as como
circuitos Impresos. Para las lneas transmisoras de radiofrecuencia se emplean cables especiales,
como, por ejemplo, los cables coaxiales, y los circuitos impresos.
Veamos las caractersticas tcnicas que deben presentar todos estos elementos de intercone
xin, empezando el estudio por los hilos y cables.

HILOS Y CABLES CONDUCTORES


Se denomina conductor todo material que permita el paso continuo de una corriente elctrica cuan
do es sometido a una diferencia de potencial elctrico.
Todos los materiales en estado slido y lquido tienen propiedades conductoras, pero ciertos ma
teriales son relativamente mejores conductores que otros, y algunos estn casi totalmente despro
vistos de esta propiedad. Por ejemplo, los metales son los mejores conductores, mientras que los
xidos y sales metlicas, minerales, materias fibrosas, etc., tienen conductividad relativamente baja
que, no obstante, queda afectada favorablemente por la absorcin de la humedad.
Aunque todos los metales son buenos conductores de la electricidad, la comparacin entre unos
y otros demuestra que la plata, el cobre y el aluminio, son los que presentan menor resistividad, por
lo que son los ms idneos para la fabricacin de hilos y cables para la conduccin de la corriente
elctrica. En la prctica, y salvo casos muy especiales, la plata, a pesar de ser el mejor conductor,
queda descartada por su elevado precio, por lo que la fabricacin de conductores queda limitada
a la utilizacin del cobre y el aluminio.

ELECTRNICOS

Comparando el cobre con el aluminio el primero resulta ser mejor conductor, pero su precio es
ms elevado. Sin embargo, y debido a que la cantidad de cobre que se utiliza en un circuito elec
trnico es pequea, apenas si se encarece por la utilizacin de este metal, proporcionando a cam
bio unas mejores caractersticas, por lo que el cobre es el metal ms utilizado en la fabricacin de
todo tipo de conductores para circuitos electrnicos.
Los conductores utilizados en electrnica para interconectar componentes que trabajan en baja
frecuencia se fabrican en forma de hilos o de cables de cobre.
Recibe el nombre de hilo conductor aqul que est formado por un nico conductor, cilindrico o
plano, de seccin muy pequea en comparacin con su longitud, con y sin aislamiento (figura 1.1),
y cuya principal caracterstica, desde el punto de vista mecnico, es la de presentar una cierta rigi
dez, tanto mayor cuanto mayor sea su seccin.

~ i it

ir
a)

1.1 a) Hilo conductor desnudo


b) Hilo conductor aislado.
c) Hilo conductor plano sobre
soporte flexible.

Este tipo de conductor no debe someterse a esfuerzos mecnicos de torsin ni dobladura,


pues se rompe con facilidad. Su principal aplicacin se encuentra en la realizacin de puentes en
tre pistas de circuitos impresos, pues debido a su rigidez resulta fcil introducirlo por los orificios del
circuito impreso.
Otra aplicacin importante es la fabricacin de bobinas, tanto de alta como de baja frecuencia,
y la de transformadores de baja frecuencia.
Los cables estn formados por un nmero ms o menos elevado de hilos conductores trenza
dos entre s (figura 1.2), lo que proporciona una gran flexibilidad y una gran resistencia mecnica a
la rotura por torsin o dobladura.

1.2 Forma constructiva


de un cable conductor.

Su principal aplicacin se encuentra en la conexin entre componentes y circuitos que, por su


especial disposicin, pueden modificar su posicin entre ellos. As, por ejemplo, todas las conexio
nes entre componentes de un televisor, como el tubo de rayos catdicos, altavoz, potencimetros,
etc. (que estn dispuestos de forma fija en el mueble) y los circuitos impresos a ellos conectados
(que se deslizan mediante guas para extraerlos del mueble en caso de reparacin) se realizan me
diante cables.
Tambin est obligado por norma el uso de cables en la conexin de los aparatos a la red elc
trica de alimentacin, ya que el continuo uso de stos por parte del usuario dara lugar a la rotura
del conductor si fuese un hilo rgido.
Dado que en electrnica el sistema de conexin es normalmente la soldadura, la mayor parte
de los conductores de cobre estn estaados, tanto si son hilos como cables, facilitndose con ello
la soldadura.
Com o la mayor parte de los circuitos electrnicos se alimentan con tensiones y corrientes de
pequeo valor, la seccin de los conductores es muy reducida, aunque siempre conviene cono
cer la intensidad de corriente que ha de circular por ellos para evitar calentamientos y averas
inesperadas.

CONDUCTORES Y CIRCUITOS IMPRESOS

En algunos oasos, cuando no existe posibilidad alguna de contacto elctrico entre conductores,
o entre stos y otras partes del circuito -lo que dara lugar a cortocircuitos-, se emplean conduc
tores desnudos, es decir, sin aislamiento elctrico. Por el contrario, cuando se sospecha un posi
ble contacto elctrico es imprescindible utilizar conductores recubiertos con material aislante.
Tambin se utilizan conductores aislados en aquellos casos en los que, aun sin existir posibili
dad de cortocircuitos, interese distinguir unos cables de otros mediante recubrimientos de distintos
colores.
Para el recubrimiento de los conductores se emplean materiales aislantes muy diversos, depen
diendo el tipo utilizado de la tensin elctrica, temperatura, humedad y otras condiciones ambienta
les. Actualmente est generalizado el uso de lacas y materiales plsticos, tales como el cloruro de
polivinilo y el tefln, en distintos grosores de recubrimiento. En muchos casos se aade una cubier
ta de fibra de vidrio o de nailon.
En la industria electrnica se emplean gran variedad de conductores aislados, por lo que resul
ta prcticamente imposible researlos todos. As, adems de una amplia gama de secciones, los
conductores (figura 1.3) pueden ser unifilares, bifilares, trifilares, etc., puesto que en muchos casos
se precisan mltiples lneas de interconexin entre los circuitos.

d)
1.3 a) Cable conductor aislado unifilar. b) Cable conductor aislado bifilarcon cubierta, c) Cable conductor
aislado trifilar con cubierta, d) Cable conductor aislado multitilar con cubierta.

Otra particularidad de los conductores aislados utilizados en electrnica es el color de su aisla


miento, el cual adopta diferentes colores con el fin de facilitar el montaje y seguimiento de los cir
cuitos. Este sistema de identificacin, mediante colores, es esencial en las mangueras de conduc
tores, pues elimina la necesidad de marcar los extremos de cada uno de ellos.
El grupo de conductores de la figura 1.4 recibe el nombre de conductor plano.

1.4 Conductor plano formado


por cables aislados
Individualmente con PVC,
y codificados por colores.

Consiste en una serie de cables conductores aislados individualmente, dispuestos en un mismo


plano (uno al lado de otro) y recubiertos en su conjunto por un plstico transparente que los man
tiene unidos y permite, al mismo tiempo, distinguir el color de cada uno. Estos conductores susti-

COMPONENTES ELECTRNICOS

tuyen a las mangueras formadas por varios conductores sueltos, que deben mantenerse unidos me
diante cintas aislantes u otros elementos de sujecin.
El plstico transparente que recubre los conductores posee escasa resistencia mecnica, por lo
que resulta fcil separar los conductores cuando el nmero que se precise de ellos sea inferior al
nmero de conductores que contiene el conductor plano, o cuando se deba efectuar la desviacin
de uno de ellos en el curso de la trayectoria del conjunto.
Estos conductores resultan idneos cuando deben nterconectarse dos circuitos electrnicos
mediante conexiones enchufables, como ocurre, por ejemplo, entre dos mdulos de un televisor.
Cada uno de los cables que forman el conductor plano est formado por varios hilos trenzados de
pequea seccin; por ejemplo, siete hilos de 0,2 mm de dimetro.
Aunque la primera impresin es que los conductores de este tipo no soportarn intensidades o
tensiones altas, se puede afirmar que conductores planos como los de la figura 1.4 son capaces
de soportar 250 V de tensin alterna entre cables adyacentes, y dejar pasar corrientes elctricas de
hasta 1,4 A a una temperatura ambiente de 70 "C.
Se fabrican en versiones de 10 y 20 vas (cables). Los colores utilizados para identificar cada
uno de los cables siguen la misma norma del cdigo de identificacin de resistencias y condensa
dores, tal y como se comprueba en la tabla 1.1.

Tabla 1.1 Cdigo


de colores para la
identificacin de
cables planos.

cable n,

color

cable n.

marrn

rojo

color

color

cable n.iJ

cok

cable n.

azul

11

marrn

16

azul

violeta

12

rojo

17

violeta

naranja

gris

13

naranja

18

gris

amarillo

blanco

14

amarillo

19

blanco

verde

10

negro

15

verde

20

negro

Un dato que debe tenerse presente cuando se utilizan cables planos es la capacidad que se fo r
ma entre ncleos adyacentes, ya que dos conductores elctricos separados por un aislante forman
una capacidad parsita que puede afectar al buen funcionamiento del circuito, sobre todo si se tra
baja con seales de radiofrecuencia. En el caso de los cables de la figura 1.4 la capacidad entre
conductores adyacentes es de 50 pF por metro de longitud del cable.
El cable plano de la figura 1.4 no es adecuado para ser utilizado en un sistema de conectores de cin
ta. Para eso se fabrican cables planos de tipo IDC, codificados o no por colores, como el de la figura 1.5.

1.5 Cable plano IDC.

El cable plano de la figura 1.5 presenta grandes ventajas en lo que respecta a la reduccin de
espacio y peso, y se utilizan en ordenadores y equipos de audio o digitales. Est formado por con
ductores de hilo de cobre estaado trenzado, colocados en paralelo y laminados entre capas de
PVC (pollcloruro de vinilo) gris para formar el cable plano.
El paso entre conductores est normalizado en 1,27 mm y la capacidad parsita entre ellos es
de unos 50 pF por metro de longitud. Soportan tensiones continuas entre cables adyacentes de
300 V y la corriente nominal que puede soportar cada uno de los cables es de 1 A.

10

CONDUCTORES Y CIRCUITOS IMPRESOS

Todos los conductores citados son dneos para la circulacin de corriente continua o alterna
de baja frecuencia, pero si la seal a transportar es de alta frecuencia se produce una radiacin de
energa electromagntica que puede afectar a otros componentes y circuitos prximos (e incluso
alejados, si la energa transportada es elevada), es decir, el aislamiento plstico no evita la radiacin
ni la captacin de seales de radiofrecuencia por parte del cable.

1.6

Cables apantallados para el transporte de seales de radiofrecuencia.

Para evitar esto, en las etapas de radiofrecuencia se utilizan cables apantallados, como los de
la figura 1.6. Estos cables son idnticos a los anteriores, pero se les aade en fbrica una malla
de cobre flexible tejida sobre el aislante, que hace de pantalla para las seales de alta frecuencia.
La malla de cobre se recubre, en ocasiones, con una cubierta protectora aislante. El blindaje debe
conectarse siempre a masa del circuito para que sea eficaz.

CARACTERSTICAS TCNICAS DE LOS CONDUCTORES


Las caractersticas tcnicas de los conductores definen sus propiedades elctricas, mecnicas y fi
sicoqumicas.
Dado que en electrnica los conductores no estn sometidos a elevados esfuerzos mecnicos
ni a agentes qumicos, slo estudiaremos las propiedades elctricas, tanto del material conductor
como del aislante que lo recubre, aadiendo para este ltimo sus propiedades qumicas.
En lo que respecta al material conductor, las caractersticas elctricas principales son:

Resistencia elctrica.
Resistividad elctrica.
Conductividad elctrica.
Densidad de corriente.
Resistencia al paso de corrientes de alta frecuencia.

Respecto al aislamiento, las caractersticas tcnicas que debemos considerar son las siguientes:

Resistencia de aislamiento.
Rigidez dielctrica.
Constante dielctrica.
Inflamabilidad.
Temperatura de seguridad.
Resistencia al ozono.
Resistencia a la luz solar.

Resistencia elctrica
Por bueno que sea un material conductor siempre ofrece una cierta oposicin al paso de la corrien
te elctrica, que debe tenerse presente en algunas aplicaciones.
Para un material conductor la resistencia u oposicin al paso de la corriente elctrica (R) es, en
general, independiente de la tensin a l aplicada (V) y de la corriente que por l circula (7); es, en rea
lidad, un parmetro que depende de la naturaleza y dimensiones del material.

11

ELECTRNICOS

En conductores de seccin uniforme la resistencia es directamente proporcional a la longitud (/)


e inversamente proporcional a la seccin (S):

Siendo p un coeficiente de proporcionalidad distinto para cada material conductor, denominado re


sistividad.

Resistividad elctrica
La resistividad elctrica, o resistencia especfica, es la medida de la resistencia elctrica de una cantidad
de material dado, que permite su comparacin con la de otro material con las mismas dimensiones.
La frmula para el clculo de la resistividad es:
RS
P=^
Si R se mide en ohmios, S en milmetros cuadrados y / en metros, la resistividad queda expresada
en ohmios por milmetro cuadrado y metro, es decir:
x mm2

Como en electrnica slo se utiliza el cobre en la fabricacin de hilos y cables, el nico valor de re
sistividad que interesa es el de este material, cuyos valores ms corrientes se indican en la tabla 1.2:

Case de cobre

Tabla 1.2 Resistividad a 20 C de


cobres utilizados en electrnica.

Resistividad a 20 G
(Q mm2/m)

Puro

0,0167

Recocido

0,0172

Duro

0,0176

Duro telefnico

0,0246

Conductividad elctrica
La conductividad elctrica es la inversa de la resistividad, definida en el pargrafo anterior, y est
expresada por:
, - 1- 1
7 ~ p " RS
La conductividad se expresa normalmente en Siemens p o r metro y milmetro cuadrado de seccin,
es decir:
Sx m
Y= n r f
Siendo el Siemens (S) la inversa de la unidad de resistencia elctrica (Q).

CONDUCTORES Y CIRCUITOS IMPRESOS

Densidad de corriente
Recibe la denominacin de densidad de corriente elctrica (J) el cociente de la intensidad de c o
rriente que circula por el conductor por su seccin.
Si se utiliza, como es normal, la seccin expresada en mm2, la densidad de corriente viene dada
en amperios por milmetro cuadrado de seccin (A/mm2).
La frmula para el clculo de la densidad de corriente es:

As, una densidad de corriente de 2 A/m m 2 significa que por el conductor circulan 2 A por cada mi
lmetro cuadrado que posea su seccin.
Los conductores elctricos presentan un lmite de densidad de corriente que no debe ser sobrepa
sado con el fin de evitar sobrecalentamientos excesivos y cadas de tensin anormales. Como orienta
cin, diremos que la densidad de corriente mxima admitida por un hilo conductor est comprendi
da entre 2 y 3 A por mm2 de seccin, lo que quiere decir que, considerando como valor medio el de
2,5 A/mm2, un conductor de 0,159 mm2 de seccin slo admite una intensidad de corriente mxima de:

I = JS =

x o,159 mm2 = 0,4 A


1 mm

As, si se considera como lmite el de 2,5 A/m m 2, y si por el conductor ha de circular una corriente
superior a 400 mA, la seccin de 0,159 mm2 es insuficiente y deber tomarse otra mayor.

Resistencia en alta frecuencia


En electrnica es normal que se trabaje con corrientes elctricas de alta frecuencia, las cuales afec
tan a los conductores (desde el punto de vista de su resistencia) debido a que se producen fen
menos de induccin electromagntica en el interior del conductor, y cuyo efecto es una modifica
cin de la distribucin de la corriente elctrica por su seccin.
Efectivamente, trabajando en alta frecuencia la densidad de corriente es mayor en la periferia del
conductor y va disminuyendo hacia el centro, donde puede llegar a ser prcticamente nula. Este fe
nmeno se conoce con el nombre de efecto Kelvin o, tambin, efecto pelicular.
Por causa del efecto pelicular la resistencia elctrica de un conductor es mayor en corriente al
terna que en corriente continua y, adems, resulta proporcional a la frecuencia de la corriente, es
decir, con seales de muy alta frecuencia la resistencia del conductor alcanza valores muy superio
res a los que posee cuando por l circula corriente continua.

Resistencia de aislamiento
Se denomina resistencia de aislamiento de un material aislante a la resistencia que opone al paso
de la corriente elctrica, medida en la direccin en que deba asegurarse el aislamiento.
Como la corriente de fuga de un material aislante sigue dos caminos posibles, uno sobre la su
perficie del material y el otro a travs del cuerpo del material, se distingue entre resistencia de ais
lamiento superficial y resistencia de aislamiento transversal o volumtrica.
La resistencia de aislamiento superficial es la resistencia que ofrece la superficie del material al
paso de la corriente elctrica cuando se aplica una tensin entre dos puntos de ella (figura 1.7).
o +

o
Electrodos

Material aislante

1.7 Resistencia de aislamiento


superficial de un material aislante.

13

ELECTRNICOS

El valor de esta resistencia se refiere a la superficie comprendida entre las dos zonas sometidas
a tensin, las cuales estn en contacto con los electrodos, y suele medirse en megaohmios por
centmetro cuadrado (M2/cm2). A esta magnitud se la denomina tambin resistividad superficial.
La resistencia de aislamiento transversal corresponde a la resistencia que opone el material ais
lante a ser atravesado por la corriente elctrica, cuando se aplica una tensin entre dos caras
opuestas del mismo (figura 1.8). Se denomina tambin resistividad transversal o volumtrica, y se
expresa en Mf cm 2/cm .

1.8 Resistencia de aislamiento


transversal de un material aislante

En un mismo material aislante la resistividad transversal no posee un valor constante, como sue
le ocurrir con los materiales conductores, sino que vara con la temperatura, la tensin aplicada, el
tiempo, la humedad, el espesor del material, etc., destacando los efectos debidos a la variacin de
temperatura, cuyo aumento produce una disminucin de la resistividad transversal. Por consi
guiente, la resistencia de aislamiento se indica a la temperatura mxima que se prev tendr que
soportar el material.
Cuanto mayor sea la resistividad del aislamiento de un conductor, tanto mejor acta como tal.
No obstante, este dato no basta por si solo para juzgar la calidad de un aislante, ya que deben con
siderarse tambin otras propiedades elctricas, mxime si se tiene en cuenta que en electrnica
(salvo circuitos especales como, por ejemplo, los de la etapa de MAT de un televisor) las tensiones
con las que se trabaja no son ni mucho menos elevadas y, por lo tanto, no se exigen grandes ais
lamientos.

Rigidez dielctrica
El material aislante perfecto no se conoce todava, lo cual quiere decir que, por bueno que sea el ais
lamiento de un conductor, siempre se produce una pequea corriente de fuga. Con ella el material
aislante se calienta localmente y el calentamiento permite el paso de ms corriente (ya que disminu
ye la resistividad transversal). Este efecto es acumulativo, y si la tensin alcanza un valor suficiente
mente elevado puede producirse la perforacin del aislante.
El fallo se manifiesta por una superficie quemada o por una perforacin del material que, en
ocasiones, pasa desapercibida y resulta difcil de localizar.
Se denomina rigidez dielctrica a la propiedad de un material aislante de oponerse a ser perfo
rado por la corriente elctrica. Su valor se expresa por la relacin entre la tensin mxima que pue
de aplicarse sin que el aislante se perfore (llamada tensin de perforacin) y el espesor de la pieza
aislante. Se expresa en kV/mm.
Debe tenerse presente que la rigidez dielctrica no es directamente proporcional al espesor del
aislante.
Es muy frecuente utilizar errneamente el concepto de rigidez dielctrica por no prestar la debida
atencin a este importante concepto. As, por ejemplo, si un aislamiento de 2 mm de espesor se per
fora a 20 kV, un aislamiento del mismo material de 1 mm de espesor no se perfora a 10 kV. sino antes.
Tambin los aumentos de temperatura hacen disminuir la rigidez dielctrica. Otros factores que
influyen sobre ella son la humedad y el envejecimiento del aislante.

CONDUCTORES Y CIRCUITOS IMPRESOS

Todo ello tiene especial importancia en los conductores aislados sometidos a tensiones eleva
das, como el conductor de MAT de un televisor, el cual soporta tensiones superiores, en muchos
casos, a los 18 kV con respecto a masa. El calentamiento y el envejecimiento del aislamiento del ca
ble, acompaados de una posible proximidad del potencial negativo, hacen que sea muy frecuen
te la perforacin del aislante despus de unos aos de trabajo.

Constante dielctrica
Se llama constante dielctrica de una materia aislante a la relacin entre la capacidad de un con
densador que utilice como dielctrico el material considerado, y ia capacidad del mismo conden
sador utilizando corno dielctrico el aire.
En el caso de los conductores elctricos utilizados en electrnica, pueden producirse capaci
dades parsitas entre dos de distinta polaridad, o entre uno y masa. El aislante acta com o dielc
trico que favorece el aumento del valor de la capacidad parsita, la cual es generadora de muchas
anomalas de difcil localizacin.
Es conveniente realizar siempre conexiones lo ms cortas posibles, perpendiculares entre po
tenciales distintos, alejadas entre s, y utilizar aislamientos cuya constante dielctrica sea lo ms p e
quea posible. Siguiendo estos consejos se evita la creacin de capacidades parsitas, tan perju
diciales en los circuitos electrnicos que trabajan en radiofrecuencia, y en el supuesto de que stas
se produzcan (por no poder llevar a cabo algunos de los consejos expuestos), su valor ser muy
pequeo.

Inflamabilidad
Es la facilidad que tiene un material para inflamarse. Algunos aislantes son muy inflamables mien
tras que otros slo lo son ligeramente, y otros son completamente ininflamables.
Siempre que sea posible se deben preferir los hilos conductores cuyo aislante sea menos infla
mable, el cual ofrecer, en todo momento, una mayor seguridad de funcionamiento, sobre todo si
est prximo a puntos donde la temperatura es elevada, o en lugares con peligro de produccin de
arcos o chispas.

Temperatura de seguridad
En ocasiones los conductores estn situados en zonas generadoras de calor (como sucede en las
etapas de potencia de baja frecuencia, o en las fuentes de alimentacin) y, por lo tanto, han de so
portar temperaturas superiores a la del medio ambiente.
El sometimiento de un aislante a una temperatura elevada altera sus caractersticas, dism inu
yendo su resistencia de aislamiento, su rigidez dielctrica y, tambin, su resistencia mecnica, ade
ms de aumentar su facilidad para ser atacado por agentes qumicos.
Por consiguiente, es muy importante conocer su capacidad de resistencia a la accin del calor,
es decir, la temperatura lmite a que puede estar sometido el aislante de un conductor sin que se
produzca la degradacin de sus caractersticas. Debe tenerse en cuenta que la perforacin del ais
lante no se presenta inmediatamente al llegar a cierta temperatura crtica, sino que se produce por
la accin prolongada de dicha temperatura.
Antes de su destruccin, muchos aislantes al alcanzar cierta temperatura se ablandan y defor
man; se dice entonces que han alcanzado su punto de reblandecimiento. En consecuencia, la tem
peratura de segundad antes citada, y que es la mxima a que puede trabajar el aislante, ha de ser
inferior a la temperatura en que se alcanza su punto de reblandecimiento.
Finalmente diremos que muchos aislantes tienen un punto de reblandecimiento bajo, inferior a
90 C, por lo que siempre resulta conveniente evitar su contacto directo con componentes que ra
dien excesivo calor.

Resistencia al ozono
El ozono es una forma alotrpica del oxgeno, y su frmula quimica es 0 3, es decir, que tiene una
molcula constituida por tres tomos de oxgeno.
El ozono se produce al ionizarse el aire por la accin de un campo elctrico. Es m ucho ms oxi
dante que el oxigeno ordinario y fcilmente reconocible por su olor a marisco.

15

COMPONENTES ELECTRNICOS

Los materiales aislantes estn a veces sometidos a la accin del ozono desprendido; sobre
todo cuando las tensiones son elevadas. Al ser el ozono un poderoso oxidante, es la causa de que
se produzcan deterioros en los materiales aislantes.

Resistencia a la luz solar


Aunque la circuitera de un aparato electrnico no est normalmente sometida a la luz solar, s que
lo estn los cables de transmisin de la antena al receptor, por lo que estos cables han de sopor
tar bien la accin de la luz solar.
Efectivamente, la luz solar posee en su composicin radiaciones ultravioletas que provocan reac
ciones qumicas, especialmente en verano. Las quemaduras producidas por el sol son uno de sus
efectos, y otro son los cambios qumicos provocados en muchos materiales aislantes.
Los efectos de la luz solar sobre los aislantes son su decoloracin y transformacin en un ma
terial frgil, que acaba por ser inadecuado para la misin que deba cumplir.

MATERIALES UTILIZADOS EN LA FABRICACIN DE HILOS


Y CABLES PARA ELECTRNICA
Una vez efectuado el estudio de las caractersticas tcnicas que deben exigirse a los materiales uti
lizados en la fabricacin de hilos y cables, a continuacin se exponen los materiales conductores y
aislantes ms utilizados, con indicacin de sus principales aplicaciones cuando se preste a ello.

Cobre electroltico
Las caractersticas tcnicas del cobre electroltico coinciden, casi exactamente, con las del cobre
puro, ya que su contenido mnimo de cobre ha de ser del 99,9 %.
La resistividad del cobre electroltico es la ms baja de todos los tipos de cobre utilizados en la
fabricacin de conductores, pues a 20 "C es de tan slo 0,01673.

Cobre recocido
El cobre recocido, llamado tambin cobre blando, tiene una resistencia a la rotura de 22 a 28 kg/mm2.
El cobre recocido es dctil y maleable, se maquina fcilmente y se utiliza, sobre todo, en la
fabricacin de conductores elctricos que no tengan que estar sometidos a grandes esfuerzos
m ecnicos (por ejemplo, en instalaciones elctricas interiores de viviendas y cables para circui
tos electrnicos).

Cobre duro telefnico


Tiene una gran resistencia mecnica (de 50 a 70 kg/m m 2) y su principal campo de aplicacin lo
constituyen las lneas de telecomunicacin.
El cobre duro telefnico contiene estao y cierta cantidad de fsforo, por lo que su denomina
cin correcta debera ser bronce fosforoso.
De los diferentes tipos de cobre existentes, es el que posee mayor resistividad (0,0246 C2 mm2/m
a 20 C), por lo que no es muy adecuado para el circuito de un aparato electrnico.

Polietileno
Desde el punto de vista de sus cualidades elctricas, el polietileno es uno de ios ms importantes
materiales termoplsticos. Actualmente es el material plstico ms utilizado para el recubrimiento
de conductores.
Es un material slido, incoloro, traslcido, graso al tacto, blando en pequeos espesores, siem
pre flexible, inodoro y no txico. Tiene un aspecto similar al de la parafina.
Se descompone a unos 300 C. Sin plastificantes se reblandece a 115 C; es importante sea
lar que su punto de fusin est muy prximo al de reblandecimiento, por lo que se recomienda no
utilizarlo con temperaturas superiores a 80 C.
Cuando se utiliza como aislante de cables sometidos a la intemperie, deben aadrsele estabili
zadores, especialmente antioxidantes, que le proporcionan mayor resistencia frente al oxgeno y la

16

CONDUCTORES Y CIRCUITOS IMPRESOS

conocida accin destructiva de los rayos ultravioletas de la luz solar, que provocan el endureci
miento del material y una disminucin de sus cualidades elctricas y mecnicas.
Es muy resistente a la humedad, de la que absorbe menos del 0,005 %. Es uno de los plsti
cos ms resistentes a los agentes qumicos que se conocen actualmente. Presenta excelentes pro
piedades elctricas, especialmente a altas frecuencias.
Mediante la adicin de cargas de negro de carbono, puede mejorarse su resistencia al calor y a la
luz. Posee adems la gran ventaja, ya indicada, de ser siempre flexible, sin necesidad de plastificantes.
Arde entre fcil y moderadamente, con ligero resplandor, con llama azul en la parte baja y ama
rilla en la parte alta. Funde y gotea mientras arde. Huele a parafina quemada.

Polietileno reticulado
El polietileno reticulado es un material resultante de las tentativas de eliminar la condicin termoplstica del polietileno, aumentando as las temperaturas de trabajo y de fusin del material.
Aunque no sea lo mismo, podemos comparar la reticulacin con la vulcanizacin de un elastmero, ya que se proporciona al producto tratado la propiedad de fundirse a alta temperatura sin re
blandecimiento previo; por esta razn, al polietileno reticulado se le conoce tambin con el nombre
(inapropiado) de polietileno vulcanizado.
Cabe distinguir el polietileno reticulado sin carga, de caractersticas dielctricas semejantes a las
del polietileno term oplstico, del polietileno reticulado cargado con negro de carbono, en el que
las propiedades dielctricas quedan ligeramente disminuidas, pero en el que sus propiedades me
cnicas y de estabilidad a la intemperie quedan notablemente reforzadas.
El polietileno reticulado admite perfectamente temperaturas de trabajo de unos 90 C, pudiendo alcanzar, en casos de emergencia y durante corto tiempo, hasta 130 C sin que la estructura del
aislamiento quede afectada. Alrededor de los 300 C se carboniza sin previa fusin.
Estas excelentes caractersticas trmicas, junto con sus propiedades elctricas, superiores a las
que poseen la mayor parte de los materiales aislantes, convierten al polietileno reticulado en el ma
terial idneo para constituir el aislamiento de cables expuestos a fuertes puntos de carga, o utili
zarlo en circuitos expuestos a temperaturas ambientales elevadas o con escasa refrigeracin.

Policloruro de vinilo
El policloruro de vinilo (PVC) se denomina tambin cloruro de polivinilo. Es un material plstico cu
yas excelentes cualidades hacen que sea el aislante ms utilizado, es decir, es el ms importante
de todos los materiales plsticos, a lo cual ha contribuido tambin su mdico precio.
Como aislante elctrico, el policloruro de vinilo es ampliamente utilizado para el recubrimiento
de cables elctricos que han de trabajar a la frecuencia industrial de 50 Hz (cables de conexin a
la red elctrica), no siendo adecuado su uso en alta frecuencia debido a que sus prdidas dielc
tricas resultan elevadas en esas condiciones, por lo que a elevadas frecuencias es preferible utilizar
cables aislados con polietileno.
A pesar de ello, es muy utilizado com o aislante de conductores en el alambrado de aparatos
electrnicos, debido, entre otras cosas, a la facilidad de diferenciar los diversos conductores gracias
al gran nmero de colores que pueden obtenerse por mezcla de colorantes y pigmentos.
El policloruro de vinilo es inodoro, inspido y no txico. Es insoluble en agua. Resulta excepcio
nalmente resistente a los agentes qumicos, tales com o cidos, lcalis, aceites, alcoholes, etc. Po
see una gran resistencia al ozono y al oxgeno atmosfrico.
Arde con dificultad y su llama se extingue por s sola; la llama es de color amarillento, con tono
grisceo en el borde. Sin llegar a arder, se ablanda por la accin del calor y despide olor a cloro.
Sus propiedades mecnicas son solamente medianas.

Politetrafluoretileno
El politetrafluoretileno, conocido con el nombre comercial de tefln, fue descubierto en 1941 por los
laboratorios Du P o n t .
Se trata de un material aislante que conserva las mismas propiedades fsicas y qumicas que el
polietileno, con la particularidad de que la presencia de flor en su composicin le proporciona una
excepcional resistencia a los agentes qumicos.

17

COMPONENTES ELECTRNICOS

Es traslcido, blanco o grisceo, e inalterable a la luz solar y a los agentes atmosfricos. Posee
nula absorcin de la humedad; y gran resistencia al envejecimiento por oxidacin, especialmente a
altas temperaturas.
En funcionamiento permanente abarca una gama de temperaturas comprendida entre -5 5 C
y +325 C sin perder ninguna de sus propiedades. Se descom pone a una temperatura de 450 a
500 C. No arde, pero se pone incandescente.
Presenta excelentes propiedades elctricas, incluso a altas temperaturas y altas frecuencias. No
le atacan los cidos ni los disolventes, ni siquiera a temperaturas elevadas; en cambio, s pueden
atacarlo los lcalis concentrados.
Su precio es muy elevado (unas diez veces mayor que el del polietileno), lo que lo hace prohibitivo
como aislante de conductores elctricos. Sin embargo, se emplea como aislamiento de conductores
sometidos a condiciones de funcionamiento muy exigentes, y en el cam po de las altas frecuencias.

IDENTIFICACIN DE LOS CONDUCTORES


La cubierta aislante de los conductores utilizados en electrnica se tie de diversos colores con el
fin de facilitar el montaje y seguimiento del circuito, sobre todo si ste es muy complejo.
El cdigo utilizado depende en gran parte de la complejidad de los circuitos, por lo que en oca
siones es necesario recurrir a conductores con varias bandas de color para su identificacin. A ttu
lo de ejemplo, exponemos un cdigo muy utilizado en el alambrado de circuitos electrnicos:

Conexiones a masa: negro


Positivo de alimentacin: rojo
Emisores de transistores: amarillo
Bases de transistores: verde
Negativo de alimentacin: violeta (prpura)

En el caso de los conductores de alimentacin de red, el cdigo est normalizado segn los si
guientes colores: azul para una fase y negro para la otra; para el conductor de puesta a tierra: fran
jas amarillas y verdes.

CIRCUITOS IMPRESOS
Bsicamente un circuito impreso es una placa de material aislante, a una de cuyas caras se han ad
herido tiras de cobre desnudo, niqueladas o plateadas, que hacen las funciones de conductores. En
la otra cara de la placa aislante se sitan los componentes del circuito (resistencias, condensadores,
transistores, circuitos integrados, etc.), los cuales,
a travs de unas perforaciones existentes en la
placa y unos puntos de soldadura, se ponen elc
tricamente en contacto con las tiras de cobre de la
otra cara, siendo stas las que sirven de conduc
tores elctricos entre los distintos componentes,
formando de esta manera un circuito de dimen
siones reducidas.
La denominacin de circuito impreso procede
del hecho de que en su fabricacin se utilizan pro
cesos de imprenta.
En la figura 1.9 se puede ver parte de una pla
ca de circuito impreso. Las pistas de cobre se han
dibujado en negro, y cada una de ellas termina en
un topo con orificio para introducir y soldar los ter
1.9 Dibujo de un fragmento
minales de los componentes.
de un circuito impreso.

18

CONDUCTORES Y CIRCUITOS IMPRESOS

Tipos de placa base para circuitos impresos


Para la fabricacin de un circuito impreso se parte de una placa de material aislante, la cual debe
poseer una serie de cualidades tales como la de ser ligera, resistente y no atacable por cidos c o
rrosivos.
Los materiales de uso ms frecuente en la fabricacin de placas de circuitos impresos son los
siguientes:

Baquelitas.
Fibra de vidrio,
Poliamidas de vidrio.
Keviar.
Compuestos de cuarzo.
Alminas (cermicas).
Invar-cobre.

La baquelita (laminado de papel y compuestos fenlicos) se utilizaba mucho en la fabricacin de


circuitos impresos para equipos de gran consumo (radio, televisin, amplificadores de audio, etc.).
La razn de ello era su precio, mucho ms barato que el de otros materiales.
La fibra de vidrio ha sustituido prcticamente a las placas de baquelita. Se emplea en la fabri
cacin de circuitos impresos profesionales y en los equipos de gran consumo, debido a que ya no
es tanta la diferencia de precio con las de baquelita y a que resulta de fcil mecanizado y poco
peso. Com o desventaja hay que citar su mala conductividad trmica. Su coeficiente trmico de ex
pansin es del orden de 13 a 17 x 10 '6/K.
Las poliamidas de vidrio tienen, aproximadamente, el mismo coeficiente de expansin trmico
que la fibra de vidrio, pero su conductividad trmica es muy superior. Como desventaja cabe citar
su precio, que es unas cuatro veces el de la fibra de vidrio.
El keviar tiene la ventaja de ser el material ms ligero, no tiene problemas de dimensiones y su
coeficiente trmico de expansin es del orden de 4 a 8 x 10 ^/K . Como desventaja podemos des
tacar su difcil mecanizado y que es propenso a la absorcin de agua.
Los compuestos de cuarzo tienen un coeficiente de expansin trmica comprendido entre 6 y
12 x 1CTb/K; su conductividad trmica es buena y sus propiedades dielctricas son excelentes.
Como inconveniente diremos que son muy difciles de mecanizar.
Las alminas (cermicas) son muy utilizadas en la fabricacin de circuitos hbridos y en aplica
ciones militares de alta fiabilidad. Es un material muy frgil, pesado y difcil de mecanizar. Otro in
conveniente radica en que el proceso de implantacin de pistas es muy laborioso.
El invar-cobre posee un coeficiente de dilatacin que puede elegirse, ya que slo es necesario
variar la proporcin de cobre e invar. Es un material difcil de fabricar y, por lo tanto, caro.
Todas estas placas de circuitos impresos se fabrican en dos versiones, denominadas e y e, y
cuyas dimensiones se indican en la tabla 1.3.

2,54 mm

1,3 0,05 mm

1,7 mm

0,635 mm

0,8 0,03 mm

1,1 mm

Tabla 1.3 Dimensiones de


las placas de circuito impreso.

De todo lo expuesto se deduce que, en el campo del gran consumo (radio, televisin, etc.), la
fabricacin de los circuitos impresos se realiza actualmente utilizando como soporte la fibra de vi
drio, de la cual existen diferentes versiones y calidades que resumimos en la tabla 1.4, con el fin de
poder compararlas y as elegir, entre las diferentes opciones, aquella que ms se acomode a las ne
cesidades concretas.

19

COMPONENTES ELECTRNICOS

Tipo de placa de fibra de vidrio


Caractersticas
G10

11

FR4

FRS

T
FIA
Tefln

epoxi

epoxi

epoxi

epoxi

tefln

1,8

1,8

1.8

1.8

1,7

2 x 1012

2 x 10 2

2 x 1012

2 x 1012

1 x 10

30

30

30

30

30

5,2

2,6

Absorcin de agua (%)

0,3

0,3

0,3

0,3

0,01

Temperatura mxima
de servicio (C)

145

145

145

145

250

10/250

10/250

20/260

20/260

20/260

2 $ $ $ i ! i'jfn ii i ;

Resina
Densidad
Resistencia superficial
( ti cm)
Rigidez dielctrica (kV/mm)
Constante dielctrica

Resistencia en el bao
de soldadura (s/C)

Tabla 1.4 Caractersticas tcnicas de tas planchas de libra de vidrie utilizadas en ia fabricacin de circuitos
impresos.

FABRICACIN DE CIRCUITOS IMPRESOS


A las placas base se les adhiere, en una de sus caras, una lmina de cobre extremadamente puro.
Es conveniente que la cara de la lmina de cobre que est en contacto con la placa aislante sea ru
gosa, con la finalidad de lograr una mejor adherencia.
El pegado de la lmina de cobre sobre la placa base suele hacerse mediante prensa y a eleva
da temperatura, utilizando pegamento de caractersticas dielctricas semejantes a ia placa aislan
te. El espesor de la lmina de cobre oscila entre 0.025 y 0,070 mm.
Una vez efectuado el pegado de la lmina de cobre sobre la placa aislante, se imprime sobre la pri
mera el cableado del circuito. A continuacin, se procede a proteger toda la parte impresa contra la ac
cin del cido en el que posteriormente se sumergir la placa. De esta forma el cido ataca el cobre
no protegido (destruyndolo) y deja en la placa aislante nicamente el cobre perteneciente al circuito.
Una vez realizada esta operacin se procede a retirar la capa protectora que se haba coloca
do, con lo que el circuito ya impreso puede pasar a su mecanizado.
El mecanizado consiste en la realizacin de las perforaciones que deben servir para la introduc
cin de los terminales de los componentes y la tornillera, y su posterior soldadura a las pistas del
circuito impreso.
Veamos ahora distintos procedimientos de impresin de circuitos impresos.

Mtodo offset
Este procedimiento se basa en el sistema offset de imprenta. Se prepara una plancha de aluminio
o de cinc, en la que se graba el circuito a imprimir, quedando ste en relieve. Esta plancha se en
tinta y se imprime sobre la cara de cobre de las placas de los futuros circuitos impresos.
Se procede luego a proyectar un haz pulverizado de betn o resina que se adhiere slo a las
partes entintadas. Mediante un procedimiento trmico se calienta la placa, con lo que el betn ad
herido y la tinta forman una sustancia protectora que cubre parte de la lmina de cobre (la que c o
rresponder a las pistas).

20

CONDUCTORES Y CIRCUITOS IMPRESOS

La placa as dispuesta se sumerge en cido corrosivo, atacando ste las partes de la placa no
protegidas. Posteriormente se procede al lavado de la placa, normalmente con agua, procurando
que quede desprovista por completo de cido, grasa o cualquier otra materia molesta para el p os
terior montaje de los componentes (figura 1.10).

d)

1.10 Fabricacin de un circuito


impreso mediante el mtodo offset,
a) Unin de la placa base (1) con la
de cobre (2). b) Impresin del
circuito, c) Aadido de betn o
resina (3). d) Inmersin en cido
(4). e) Lavado del circuito con
chorro de agua (5).

Mtodo de serigrafa
En este procedimiento el entintado de la placa se efecta mediante una plantilla, en la cual se re
corta el circuito a imprimir.
Se superpone luego la plantilla a la plancha de cobre del futuro circuito impreso y se entinta el
conjunto, quedando el circuito dibujado sobre la plancha de cobre cuando se retira la plantilla.
Segn el tipo de tinta empleada, sta puede ser ya suficiente para proteger al circuito de la
accin del cido. En caso de que no sea as, se puede seguir el procedim iento utilizado en el
m todo offset de adherir a la tinta betn o resina. El resto del procedim iento a seguir es el m is
mo (figura 1.10).

21

COMPONENTES ELECTRNICOS

Mtodo fotomecnico
Bsicamente, consiste en realizar en tinta negra el dibujo del circuito impreso, sobre un papel que no
modifique sus dimensiones con la humedad o temperatura (por ejemplo, en polister), y a mayor ta
mao del definitivo. Actualmente da mejores resultados dibujar el circuito con pistas adhesivas, espe
cialmente diseadas para este menester, ya que cubren mejor el papel que el trazado con tinta china.
Una vez realizado el dibujo, se fotografa para obtener un clich o negativo, en el que los trazos
correspondientes al dibujo (pistas del circuito impreso) son transparentes y el resto completamen
te opaco.
Mediante una copiadora se coloca el clich sobre cada una de las placas del circuito, que han
sido previamente cubiertas con material fotosensible, por ejemplo, un lquido que se torna viscoso,
o incluso slido, al recibir luz ultravioleta.
Al proyectar la luz requerida sobre el conjunto formado por el clich y la placa, en sta queda
endurecido el material fotosensible expuesto a la luz, que corresponde nicamente a las partes
transparentes del clich, es decir, al circuito a imprimir. La plancha queda as preparada para ser
atacada con cido, de forma igual a la descrita en los apartados anteriores.
El m todo fotomecnico es el que ofrece ms precisin en las pistas, por lo que es el ms uti
lizado.

Mtodo artesano
Este m todo se utiliza slo para la realizacin de prototipos, ya que resulta caro desde el punto de
vista industrial; adems de que los resultados no son tan limpios com o los anteriores.
Para fabricar un circuito impreso de forma artesanal, primero se dibuja sobre la lmina de cobre
las diferentes pistas del circuito que se desea fabricar, para lo cual se utiliza un rotulador de tinta
grasa especial, o bien pistas y crculos de transferencia por presin.
Una vez dibujado el circuito sobre la placa de cobre, se introduce en un bao de cido, el cual
elimina todas aquellas partes no protegidas por la tinta. La sustancia ms utilizada es el percloruro
frrico (CI3Fe). Para un buen ataque al cobre es conveniente que se trabaje con temperaturas com
prendidas entre 25 y 30 C.
Advertimos que este caso conlleva los riesgos propios del trabajo con cidos, por lo que se debe
operar con la mxima atencin y cuidado, con el fin de evitar accidentes que, en ocasiones, pueden
ser muy peligrosos, como ocurre, por ejemplo, con las salpicaduras de cido sobre los ojos.
Una vez atacada la placa, se extrae sta de la cubeta con unas pinzas de plstico (sin tocar con
los dedos el cido) y se introduce en otra cubeta con agua, en donde se agita y limpia a fondo, de
forma que no quede el menor rastro de cido. Finalmente, con un disolvente para grasas se quitan
las protecciones de las pistas, se pulen ligeramente y se pasa a su mecanizado mediante minitala
dradoras.
Destacamos que las pistas de circuitos impresos son fcilmente oxidables, por lo que es con
veniente que una vez realizados se protejan con un barniz protector, dejando slo sin cubrir los
puntos donde deban efectuarse las soldaduras.

CLCULO DE LAS PISTAS DE COBRE


En lo que atae al diseo de los conductores y a la colocacin de los componentes en el circuito
impreso, se busca la mxima reduccin de volumen y, al propio tiempo, una cierta facilidad en el
seguimiento prctico del circuito para casos de posibles averas.
Uno de los cuidados a tener en cuenta a la hora de realizar el diseo de un circuito impreso es
evitar que los elementos semiconductores se encuentren cerca de posibles fuentes calorficas, que
como se sabe los perjudican extraordinariamente.
Otro detalle a tener presente es calcular si las superficies y las secciones de las tiras de cobre
son suficientes para las intensidades de corriente que por ellas circularn, ya que en caso contra
rio se produce calentamiento en las tiras de cobre, lo cual puede ser perjudicial. Este problema, sin
embargo, lo han resuelto fcilmente los fabricantes de circuitos impresos, ya que poseen tablas en
las que se reflejan las intensidades y las secciones necesarias para cada pista.

22

CONDUCTORES Y CIRCUITOS IMPRESOS

A ttulo orientativo, diremos que con planchas de cobre para circuitos impresos de 35 pm de es
pesor, la resistencia de la pista, medida en ohmios por metro, es de:

Donde L es el ancho de la pista en milmetros.


La intensidad de corriente mxima admisible por una pista de estas caractersticas es de:

De esta frmula se deduce que el ancho de la pista puede calcularse a partir de la expresin:

Asi, si por una pista de 35 am de espesor debe circular una intensidad de corriente de 1,5 A, el an
cho de la pista debe ser de:

CIRCUITOS IMPRESOS MULTICAPA


El constante aumento de la complejidad de los circuitos electrnicos, as com o la necesidad de re
ducir el volumen ocupado por los mismos, ha exigido una nueva solucin al alambrado.
Esta solucin son los denominados circuiios impresos mutticapa, en los cuales se aplican dos
tcnicas bsicas. En la primera, se unen los circuitos de una o dos caras convencionales para fo r
mar placas multicapa. La segunda consiste en ir formando capas sucesivas de material aislante y
conductores, siguiendo el trazado de los originales correspondientes.
La primera solucin presenta el inconveniente de la conexin entre capas, para cuya solucin
existen varios mtodos: agujeros metalizados (pasadores metlicos, que se hacen fundir en su po
sicin entre capas) y ojetes (los cuales tambin se hacen fundir en las mismas condiciones).
La segunda tcnica en la fabricacin de circuitos impresos multicapa no presenta problema al
guno en la conexin entre capas, ya que los conductores estn metalizados sobre los puntos de
conexin de las capas precedentes. Esta solucin, sin embargo, resulta cara.
Una gran ventaja de los circuitos impresos multicapa es la de ofrecer la posibilidad de un blin
daje integral, en forma de planos de masa entre capas, que eliminen la ntermodulacin o interfe
rencia entre stas. El blindaje acta asimismo com o disipador de calor.

CABLES PARA RADIOFRECUENCIA


En la transmisin de energa elctrica de radiofrecuencia a travs de cables e hilos conductores se
presentan fenmenos fsicos que hacen intil la utilizacin de cables o hilos convencionales. Por este
motivo en la tcnica de la radiofrecuencia se utilizan cables especiales, los cuales pueden ser sim
tricos o asimtricos.
La caracterstica simtrica o asimtrica de un cable de radiofrecuencia es muy importante para
efectuar correctamente las adaptaciones generador-cable y cable-receptor.
Se dice que un cable es simtrico cuando los dos conductores que constituyen la lnea son igua
les, al margen de que estn o no apantallados. En las figuras 1.11 y 1.12 se han dibujado un par de

23

COMPONENTES ELECTRNICOS

cables simtricos, ambos de 240 Q (el de la figura 1.11 sin cubierta y el de la figura 1.12 con ella).
Tanto en uno como en otro, los dos conductores que forman el cable son guales y, por lo tanto,
existe simetra.

1.12 Cable simtrico de 240 W


de impedancia, con cubierta.

1.11 Cable simtrico de 240 W


de mpedancia.

Se dice que una lnea es asimtrica cuando la forma constructiva de los conductores no es la
misma. En la figura 1.13 se muestran cuatro cables asimtricos de 75 Ll. En este caso existe un
nico conductor central y el segundo (coaxial) lo rodea, actuando, adems, como pantalla.

1.13 Cables asimtricos de 75 W de impedancia.

A continuacin se dan a conocer las caractersticas tcnicas de estos cables.

Velocidad de propagacin
Cuando una onda de radiofrecuencia se propaga por una lnea de transmisin, su velocidad no es
de 300.000 km /s sino bastante menor, dependiendo del dielctrico de la lnea, de tal forma que
cuanto menos dielctrico posea mayor es la velocidad de propagacin.
La velocidad de propagacin se expresa en %, y oscila entre un 66 % para las lneas coaxiales
y un 98 % para las lneas planas con hilos desnudos.
Conociendo el factor de velocidad de propagacin del cable, es posible determinar la longitud
de onda de la seal que por l circula, lo cual resulta necesario para ciertas aplicaciones. En este
caso la frmula a aplicar es la del clculo de la longitud de onda de las ondas radioelctricas, m ul
tiplicado el resultado por el factor de velocidad V.
As, supongamos que se desea conocer la longitud de onda de una seal de radiofrecuencia de
100 MHz que se transmite por una lnea coaxial con dielctrico de polietileno, cuyo factor de pro
pagacin es del 69,5 %. La longitud de onda vale, en este caso,
v ,, 300 Mm/s _

X = - V =- - x 0.695 = 2,09 m
/
100 MHz
Lo cual significa que en cada 2,09 metros de la lnea se repite el valor instantneo de la amplitud
de onda de la seal que por ella circula. La longitud de onda en la lnea tiene por tanto un valor ms
pequeo que en el espacio libre, que en ese caso sera de 3 metros.

24

CONDUCTORES Y CIRCUITOS IMPRESOS

Resistencia hmica
Como en cualquier cable, tambin los de radiofrecuencia ofrecen una resistencia hmica al paso de
la corriente elctrica, lo cual provoca una prdida de potencia que se disipa en forma de calor, se
gn la frmula:
P = R I2
Las prdidas resistivas dependen de la pureza del cobre, y son independientes de la frecuencia de
la seal elctrica que circula por la lnea.

Prdidas en el dielctrico
Dado que no existe el dielctrico perfecto, siempre se tienen unas prdidas en el dielctrico, las cua
les dependen de su espesor, tipo y del valor de la frecuencia de la seal que por el cable circule.
Cuanto ms fino sea el dielctrico y ms alta la frecuencia de la seal, mayores sern las prdidas.
Las prdidas se expresan en dB por metro, aunque algunos fabricantes lo expresan en dB por
cada 100 metros. Las prdidas en el dielctrico suponen una atenuacin de la seal que debe ser
tenida muy en cuenta.
Al comparar dos cables debe tenerse presente que uno ser tanto mejor con respecto al otro
cuanto ms baja sea su atenuacin. Si no se conocen los datos tcnicos de los cables comparados,
se deber tener presente que cuanto mayor sea el dimetro de una lnea coaxial menores sern sus
prdidas, ya. que el dielctrico ser ms grueso. Asimismo, cuanto mejor sea el dielctrico, m eno
res sern las prdidas. Un cable aislado con espuma de poliuretano es mejor que uno aislado con
polietileno, siendo el aire el mejor aislante.
Las lneas simtricas tienen una atenuacin muchsimo ms baja que cualquiera de las coaxiales.

Impedancia caracterstica
La impedancia de un cable es la oposicin que ofrece ste al paso de la corriente alterna.
Depende de las caractersticas constructivas del cable. Sin embargo, y dado que los cables de
radiofrecuencia deben adaptarse en impedancia tanto al generador de seal como al receptor de se
al a que se conectan, los fabricantes de cables normalizan las impedancias siendo valores norma
lizados los de 50 2, 75 2, 240 i y 300 O a 200 MHz.

Capacidad nominal
Los dos hilos que forman el cable, tanto si ste es simtrico como asimtrico, forman las placas de
un condensador parsito, cuyo dielctrico es el aislante existente entre ellos.
Esta capacidad es muy pequea, del orden de 50 a 100 pF por cada metro de cable, pero debe
tenerse presente en segn qu aplicaciones, sobre todo cuando se trabaja en las gamas de frecuen
cias de UHF y SFIF.

Tensin mxima de servicio


Es el valor mximo de tensin que se puede aplicar entre los dos conductores del cable sin que el
dielctrico sufra dao alguno.
Depende, lgicamente, del material con el que est construido el aislante y su espesor. Actual
mente la tensin mxima que puede soportar un cable, con los buenos materiales aislantes que se
fabrican, oscila entre unos 750 V y 11 kV.

Temperatura lmite de cubierta


La temperatura lmite de la cubierta depende exclusivamente del material con que est fabricada.
Como orientacin, en la tabla 1.5 se indican las temperaturas lmite de los diversos tipos de cu
bierta para cables.

25

COMPONENTES ELECTRNICOS

Tabla 1.5 Temperaturas


limite de los materiales
utilizados para cubiertas
de cables.

Designacin
militar

Tipo de cubierta

Limite de
temperatura (C)

Tipo I

Cloruro de polivinilo negro

-40 a +80

Tipo II

Cloruro de polivinilo gris

-25 a +80

Tipo lia

Cloruro de polivinilo negro o gris

-40 a +90

Tipo Illa

Polietileno negro

-55 a +85

Tipo V

Fibras de vidrio trenzadas

-55 a +250

Tipo VII

Tefln (politetrafluoruro de etileno)

-55 a +250

Tipo IX

Tefln (fluorato etlico proplico)

-55 a +200

CABLES SIMETRICOS
El cable simtrico est compuesto por dos conductores paralelos, separados por una distancia de
terminada, siempre constante.
Se fabrican cables simtricos de 75 2, 150 2, 240 2 y 300 2 .
Entre los cables simtricos ms utilizados caben citar los siguientes:

Cinta plana bifilar.


Cinta oval bifilar.
Tubo bifilar.
Cable bifilar apantallado.

A continuacin estudiaremos las caractersticas ms importantes de cada uno de estos cables.

Cinta plana bifilar


Este cable (figura 1.14) se fabrica con 75 2, 150 2, 240 2 o 300 2 de impedancia caracterstica,
siendo el ms utilizado el de 300 2.

Aislamiento de polielileno
Conductor de cobre

A
1.14 Constitucin de una cinta
plana bifilar.

Su atenuacin, a 100 MHz, es de unos 8 dB por cada 100 metros en elcable de 150 2, y de
unos 4,5 dB por cada 100 metros en el de 300 2.
La cinta plana bifilar se encuentra en el comercio en los colores transparente, blanco, marfil, gris
y negro. Las tres primeras son de aplicacin en interiores, las de color gris se utilizan tanto en inte
riores como en exteriores, y las de color negro se emplean en exteriores.
Las inclemencias de tiempo agrietan estos cables, y la humedad y el polvo provocan cortocir
cuitos o cambios de impedancia, que hacen variar sus caractersticas. Por tanto, las cintas planas

26

CONDUCTORES Y CIRCUITOS IMPRESOS

bifilares para exteriores, de eolor negro, tienen el aislamiento de polietileno mezclado con negro de
carbono, lo cual las hace ms resistentes a la intemperie.
En general se aconseja que las instalaciones con este tipo de cable se renueven peridicamen
te, por ejemplo, cada ao, lo cual ha sido la causa de que su uso quede limitado a interiores.
Es totalmente desaconsejable su empleo en UHF, debido a las variaciones de caractersticas
que sufren.

Cinta oval bifilar


Este cable (figura 1.15) se fabrica con una impedancia caracterstica de 300 Q, y su atenuacin a
100 MHz es de tan slo unos 3 dB por cada 100 metros.
Proteccin de policloruro de vinilo

Aislamiento de polietileno celular

Conductor de cobre

1.15 Constitucin de una cinta


oval bifilar.

Su aislamiento es de polietileno celular o expanso, protegido por una capa de PVC. Su forma
oval permite que el agua y el polvo resbalen por su superficie, lo que le confiere una mayor dura
cin que la cinta plana bifilar. Se fabrican en los colores blanco o gris, que son los colores de aca
bado del policloruro de vinilo.

Tubo bifilar
El tubo bifilar (figura 1.16) se fabrica con una impedancia de 300 O y una atenuacin, a 100 MHz,
de unos 3 dB por cada 100 metros.
Tubo de polietileno
Conductor de cobre

1.16 Constitucin
de un tubo bifilar.

Su duracin es superior a la de la cinta plana bifilar, aunque debe evitarse la entrada de agua o
humedad en el interior del tubo, la cual puede condensarse en su interior y cambiar, por tanto, la
constante dielctrica de la lnea; en este caso, puede considerarse que el dielctrico es el aire. Este
inconveniente lo hace menos utilizado que el cable oval bifilar, anteriormente descrito.
Se presenta en el comercio con los colores blanco o gris.

Cable bifilar apantallado


Existen en el comercio varios tipos constructivos de cables bifilares apantallados, todos basados en
una misma idea: la de evitar la captacin de interferencias y disturbios industriales en la lnea, as

27

COMPONENTES ELECTRNICOS

como la influencia de las paredes y objetos metlicos inmediatos al recorrido de la lnea. A ttulo de
ejemplo, describiremos el cable bifilar apantallado de la figura 1.17, ya que son pequeas las dife
rencias con otros fabricados.

Proteccin de policloruro de vinilo


Trenza pantalla de cobre
Aislamiento de polietileno
Conductor de cobre

1.17 Constitucin de un cable


apantallado.

Se fabrica con las siguientes impedancias caractersticas: 75 O, 150 2 y 300 2. La atenuacin


de estos cables es ms elevada que la de los anteriormente descritos; as, el de 75 2 tiene una ate
nuacin de unos 10 dB por cada 100 metros, y el de 300 2 unos 6,5 dB por cada 100 metros (me
didas tomadas a 100 MHz).
La presencia de la pantalla de cobre en estos cables aumenta su capacidad parsita, la cual in
fluye en las prdidas. As, el cable bifilar apantallado de 75 2 tiene una capacidad de unos 57 pF/m,
el de 150 2 unos 30 pF/m y el de 300 2 unos 18 pF/m. Este Inconveniente lo hace inadecuado
para lneas de ms de 20 metros, ya que las prdidas seran muy elevadas.
Los cables simtricos tienen como principal desventaja el que siempre presentan una cierta ra
diacin a lo largo de la lnea, lo que puede causar interferencias en otros aparatos y, por los mis
mos motivos, son perfectos captadores de interferencias.

Cables coaxiales
Los cables coaxiales pertenecen al grupo de los asimtricos, ya que estn constituidos por un con
ductor central de cobre y otro conductor concntrico al anterior, que acta, adems, como panta
lla. Am bos conductores estn aislados entre s por un dielctrico de polietileno slido o polietileno
celular.
La principal ventaja de los cables coaxiales radica en que no son influidos por seales parsitas,
ni por paredes, masas metlicas u otras lneas elctricas, razn por la cual pueden colocarse direc
tamente sobre cualquier estructura.

Conductor de cobre
Aislamiento de polietileno
Conductor pantalla de cobre
Cubierta de PVC

1.18 Constitucin de un cable


coaxial.

En la figura 1.18 se muestra la forma constructiva de uno de estos cables, el cual se fabrica con
impedancias de 50 a 150 2, aunque las ms usuales sean las de 50 2, 72,5 2 y 75 2, ya que son las
que poseen menores prdidas y se adaptan mejor a las antenas dipolos de radio y televisin.
Su atenuacin es algo ms elevada que la de los cables bifilares no apantallados, pero tiene la
ventaja de que permanece constante e invariable en el transcurso del tiempo, con lo que, a la larga,
resultan ms econmicos, ya que no se renuevan tan a menudo.

28

CONDUCTORES Y CIRCUITOS IMPRESOS

Una variante de los cables coaxiales es la que se muestra en la figura 1.19, en el cual el dielc
trico es el aire.

Conductor de cobre
Espiral de hilo de polietileno
Tubo de polietileno
Conductor pantalla de cobre

!
j

Cubierta de PVC

\
\

1.19 Constitucin de un cable


coaxial con dielctrico de aire.

El conductor central se mantiene en su lugar gracias a un espaciador en espiral, de hilo de p o


lietileno. Este cable tiene muy pocas prdidas, pero debido a su constitucin algo difcil y poca
adaptabilidad a las instalaciones en edificios, no es muy utilizado, limitndose su empleo a grandes
lneas de transmisin de alta frecuencia.
De los tres tipos fundamentales de cables coaxiales (con aislamiento de polietileno slido, con
aislamiento de polietileno celular y con asilamiento de aire), el segundo es el ms utilizado, ya que es
el que presenta ms ventajas si consideramos las caractersticas tcnicas y econmicas de ia ins
talacin. La nica precaucin a tomar con los cables aislados con polietileno celular consiste en evi
tar recodos muy pronunciados en el tendido de la lnea y el apriete excesivo de las abrazaderas de
sujecin, ya que el aislamiento de espuma podra quedar aplastado.

29

Conectores

INTRODUCCIN
Recibe el nombre de co ne ctor (o conectador) todo dispositivo com pleto de conexin elctrica,
formado por una clavija de contacto y una hembrilla donde se aloja. Mediante estos dos ele
mentos es posible establecer o interrumpir una continuidad elctrica entre dos circuitos o entre
dos aparatos.
Los conectores siempre se disponen en el extremo de un cable o grupo de cables, efectun
dose la unin mecnica y elctrica entre cable y conector por diferentes procedimientos, tales
como soldadura, tornillo, presin, etc.
Actualmente hay una enorme variedad de conectores, por lo que resulta imposible la descrip
cin de todos ellos; pero s es posible, y esto ser lo que veremos en este captulo, la descripcin
de los modelos ms importantes y algunas de sus variantes.

TERMINALES
En los aparatos electrnicos con dos o ms cir
cuitos impresos resulta muy ventajosa la cone
xin elctrica entre ellos mediante terminales y
clips, como los que se muestran en las figuras
2.1 y 2.2, ya que permiten la desconexin rpida
de un circuito impreso y su sustitucin por otro
en caso de avera. Esta forma de conexin est
diseada para ser manipulada slo por personal
cualificado, no siendo accesible al usuario del
aparato.
Los term inales de la figura 2.1 son unas
pequeas lengetas metlicas, terminadas en
punta por uno de sus extremos, y con un pe
queo orificio en el otro que permite la intro
duccin y soldadura del extremo de un cable si
se prefiere la conexin permanente. El extremo
en punta de flecha perm ite su fcil intro du c
cin en los orificios de un circuito impreso, has
ta la muesca.
Una vez introducido el terminal en el orificio del
circuito impreso, se efecta un punto de soldadu
ra para garantizar el perfecto contacto elctrico
entre la pista del circuito impreso y el terminal.
En la figura 2.3a puede verse el dibujo de uno
de estos terminales con un cable soldado a l, y
en la figura 2.3b el mismo terminal, pero al que

2.1 Terminales para conexin


a placa de circuito impreso.

fo t

2.2 Clips tipo faston para conexin


de un cable a una lengeta o terminal
como los de la figura anterior.

31

COMPONENTES ELECTRNICOS

se ha enchufado un clip (tipo faston) como los de la figura 2.2. El hilo conductor se une al clip fesfon mediante presin y punto de soldadura.

a)

b)

2.3 a) Conexin fija de un cable a un terminal como el de la figura 2.1. b) Conexin de un cable dotado de clip
tipo faston a un terminal como el de la figura 2.1.

Para finalizar diremos que los terminales y clips tipo faston se fabrican en una amplia gama de
medidas, lo que permite su utilizacin con todo tipo de cables, aunque en electrnica se utilicen
para secciones de cables comprendidas entre 0,25 y 1,64 mm2.
Otro tipo de terminal, muy utilizado, es el que se muestra en la figura 2.4, consistente en una
pequea lmina metlica en forma de U que permite su fcil introduccin en un borne con tornillo
y tuerca. Este tipo de terminal es muy utilizado para la conexin de lneas de 300 Q simtricas a la
entrada de antena de receptores de radio fabricados en Estados Unidos y Japn.

2.4 Terminal de cable para


conexin mediante bornes con
tornillo y tuerca.

CLAVIJA BANANA
Las denominadas clavijas banana no son otra cosa que simples clavijas de enchufe unipolares. Se
fabrican en infinidad de modelos y tamaos, con manguitos flexibles o rgidos, con sistema de fija
cin del cable medante tornillo o por soldadura, etc., as como en una amplia gama de colores, lo
cual permite adaptar el color de la clavija al del cable y evitar conexiones errneas. En la figura 2.5
se muestra una clavija banana as como la hembrilla unipolar empotrable utilizada con ella.

2.5 Clavija tipo banana con


su correspondiente hembrilla.

Actualmente se emplea mucho un grupo de tres bananas, com o las que se muestran en la fi
gura 2.6, que permiten conectar cmaras de vdeo a magnetoscopios y televisores, bien sea direc
tamente (mediante las correspondientes hembrillas) o mediante un adaptador de 21 contactos a
euroconector.
Estas bananas son bipolares, es decir, poseen cada una de ellas dos conexiones elctricas de
forma coaxial. Una de ellas es un esprrago central, conectado al alma del cable, rodeado de un tubo
cilindrico, metlico, que se conecta a la malla del cable (masa).

32

CONECTORES

2.6 Bananas tipo S para


conexin entre aparatos
de audio y vdeo.

Est normalizado que la banana amarilla corresponda a la seal de vdeo, y la roja y blanca a las
dos seales de audio (estereofona).

Jack
Una variante de la clavija banana es el jack, consistente en una clavija capaz de establecer una c o
nexin bipolar o tripolar sobre un nico esprrago (figura 2.7).

14.5r
-Ii
00>-- :3i f c j t
1V

34. 5-

La hembrilla de una clavija jack debe ser adecuada a las especiales caractersticas de conexin
de sta. En la figura 2.7 se muestra tambin una hembrilla para clavija jack.
Los jacks se utilizan en aparatos de radio, televisin y alta fidelidad, siendo su aplicacin la de
conectar un circuito a la vez que desconecta otro. Este proceso de conmutacin se muestra grfi
camente en la figura 2.8.

-v a :
3)
2.8 Conmutacin de dos
circuitos mediante clavija
tipo jack. a) Cuando el jack
est fuera de su hembrilla,
el circuito A alimenta al B.
b) Cuando el jack est
introducido en su hembra,
el circuito A alimenta al C
y desconecta el B.

33

COMPONENTES ELECTRNICOS

En la disposicin de la figura 2.8a, el circuito A alimenta al componente o circuito B; por ejem


plo, un amplificador (A) que alimenta a su altavoz (B).
En la disposicin de la figura 2.8b el circuito A (amplificador) pasa a alimentar al componente C
(un auricular por ejemplo), y al mismo tiempo se desconecta el altavoz B, ya que la introduccin de
la clavija jack en la hembrilla abre los contactos cerrados de esta ltima.
El anillo de la hembrilla conecta con el manguito de la clavija y el muelle con la punta. Al intro
ducir la clavija jack, la punta deforma el muelle de la hembrilla, abrindose los contactos de ruptu
ra. Al extraer la clavija jack de la hembrilla, el muelle vuelve a su posicin de reposo y se restable
ce de nuevo el contacto elctrico en el contacto de ruptura.
Se fabrican clavijas jack con dos o tres contactos (figura 2.9). La de dos contactos se utiliza
para circuitos bipolares, como los de las fuentes de alimentacin exteriores en receptores de radio,
preparados mediante este sistema para ser alimentados por pilas o por red.

L",V
(u

jl

-w -

2.9 Clavijas tipo jack de


dos y tres contactos
respectivamente.

a
a

Las de tres contactos son muy utilizadas en la conmutacin de altavoces a auriculares, en equi
pos de alta fidelidad estereofnicos, ya que en ellos se precisan tres cables (uno para cada canal y
un tercero comn que sirve de retorno y de blindaje a los otros dos).
Las clavijas y hembrillas tipo jack se fabrican en diferentes longitudes y dimetros, siendo las
ms corrientes las de 5,25 mm y 6,35 mm (1/4 de pulgada).
Para finalizar, en la figura 2.10 se muestran los smbolos mediante los cuales se representan las
clavijas y hembrillas tipo jack en los esquemas electrnicos.

a)
2.10 Smbolos de bases y clavijas
jack. a) Clavija bipolar. El trazo
largo representa la punta y el corto
el manguito de la clavija, b) Base
jack bipolar. El anillo conecta con
el manguito de la clavija y el
muelle con la punta, c) Base jack
bipolar con contacto de ruptura,
d) Base jack tripolar con contactos
de ruptura.

V
b)

V K
V K

C)

A3Z!

-o
-o
-o
-o

d)

CONECTORES PARA ALTAVOCES DIN 41529


Para la conexin de los bailes a los amplificadores se utilizan, entre otros, los conectores segn
norma DIN 41529, uno de los cuales se puede ver en la figura 2.11. En la figura 2.12 se muestran
dos bases de enchufe para estos conectores.

34

CONECTORES

19 mm

2.11 Conector para altavoces segn norma DIN 41529y forma de conectarlo.

Los conectores para altavoces DIN 41529 son idneos para cumplir esta funcin, sobre todo
en equipos estreo, en donde deben conectarse dos bafles, ya que el especial diseo de sus te r
minales {uno central plano y el otro lateral cilindrico) evita errores de conexin, permitiendo que am
bos bafles queden siempre conectados con todos los altavoces en fase.

2.12 Bases de enchufe para conectores de altavoces segn la norma DIN 41529.

CONECTORES BIPOLARES PARA CONEXIN A LA RED


Para la conexin de los aparatos a la red elctrica pueden utilizarse cables que partan directamen
te de stos; sin embargo, en el caso de aparatos porttiles, esto no es aconsejable, ya que el ca
ble de conexin a la red supone una molestia durante el traslado y el funcionamiento con pilas o
acumuladores.
En ese caso se recomienda la utilizacin de conectores bipolares como los que se muestran en
la figura 2.13, los cuales forman parte del receptor, y consisten en dos clavijas macho de conexin
elctrica, ms una toma de tierra para seguridad, convenientemente protegidas de posibles golpes
que pudieran doblarlas o romperlas.

2.13 Conectores bipolares


ms tierra para conexin a
la red elctrica.

El cable de conexin a la red dispone en uno de sus extremos de la clsica clavija macho, y en
el otro del conector hembra que se muestra en la figura 2.14, el cual se introduce en el conector
macho de la figura 2.13 por simple presin, desconectando al mismo tiempo el circuito de alimen
tacin por pilas.

2.14 Conector hembra acoplable


a los conectores machos de la
figura anterior.

35

COMPONENTES ELECTRNICOS

La idea de que la hembra forme parte del cable de conexin a la red y el macho se disponga en
el receptor se debe a motivos de seguridad, ya que con este diseo resulta imposible un acciden
tal contacto elctrico entre la persona que conecta el cable al aparato y cualquier parte activa con
ductora de la corriente.

CONECTORES MULTIPOLARES CIRCULARES (DIN)


Existe una gran variedad de conectores multipolares, con el fin de satisfacer exigencias muy diver
sas: espacio, intensidad de corriente, nmero de conexiones, etc.
Los conectores multipolares son muy utilizados en equipos de audio, tanto para la conexin de mi
crfonos como de altavoces, auriculares, sintonizadores, etc., asi como en algunos equipos de vdeo.

2.15 Conector macho multipolar


circular, a) Conector montado,
b) Conector desmontado.

El conector multipolar circular de la figura 2.15 es de dimensiones reducidas, con tres a ocho
contactos dispuestos tal y como se muestra en la figura 2.16.

2.16 Disposicin de los contactos en los conectores multipolares circulares.

En la figura 2.15b puede verse el despiece de uno de estos conectores, y en la figura 2.17 una
hembra para prolongador y otra hembra para montaje sobre chasis. Observe que todos estos ele
mentos disponen de una gua que evita cometer errores al enchufar el conector en la hembrilla.

2.17 Conectores hembra


multipolares circulares.
a) Hembra para prolongador
montada y desmontada.
b) Hembra para montaje
sobre panel.

a)

La conexin de los diferentes cables al conector se efecta mediante soldadura, y para evitar
que el cable se desprenda, a causa de un tirn, se presiona ste mediante un ojete.

36

CONECTORES

Todos estos conectores poseen un blindaje, consistente en dos semiaros metlicos que rodean
la pastilla aislante contenedora de las clavijas. En la figura 2.15b puede apreciarse con todo deta
lle este blindaje.
Se fabrican en diferentes versiones, de las cuales destacamos por su importancia la de la figu
ra 2.18 (acodada) y las de la figura 2.19. que incorporan un aro de seguridad roscable que evita la
desconexin accidental del conector.

2.18 Conector multipolar


circular acodado.
2.19 Conectores multipolares
con aro de segundad roscable.

CONECTORES PARA CIRCUITOS IMPRESOS


Los conectores para circuitos impresos se fabrican rectos o en forma angular.
La conexin puede realizarse directamente sobre el circuito impreso (figura 2.20) o mediante un
adaptador (figura 2.21). En los tipos de insercin directa la localizacin se hace normalmente m e
diante una ranura extra en la parte hembra del conector.

2.20 Conector para circuito impreso.


Conexin directa.

2.21 Conector para circuito impreso.


Conexin mediante adaptador.

En los de insercin mediante adaptador es usual disponer un vstago o vstagos de alineacin,


engarzados a las patas del conector para conseguir el mnimo error de desalineacin (figura 2.22).

2.22 Vstagos de alineacin


del conector al circuito impreso.

37

COMPONENTES ELECTRNICOS

En ambos tipos de conectores es importante que los contactos tengan una pelcula de oro de
espesor razonable (como mnimo 0,05 mm). El paso entre contactos suele ser de 2,54 mm (0,1),
aunque tambin se fabrican con pasos de 3,81 mm, 3,96 mm y 5,08 mm.
Para finalizar, en la figura 2.23 se indica la forma de establecer contacto entre los conectores
macho y hembra de un conector bilateral, el cual puede soldarse a la placa del circuito impreso por
inmersin o mediante conexiones arrolladas (wirewrap).

2.23 Corte en seccin


mostrando la forma de efectuar
la conexin elctrica entre el
contacto macho y la hembra
de un conector bilateral.

EUROCONECTOR (SCART)
ESCART es el nombre por el que se conoce el sistema europeo de conexin audio/vdeo, segn la
norma EN50-049.
El euroconector es por tanto un conector normalizado, adoptado - o incluso de uso obligatorioen algunos pases europeos, cuya finalidad es la de ser utilizado por usuarios de televisores a los
que se conecten perifricos tales como grabadores de vdeo, juegos electrnicos, ordenadores
personales, equipos de Hl F|, etc.
El euroconector fue una idea del S yndicat F ranqais des C o n structeurs D 'A pareils de R adio et
T elevisin , por lo que en Francia se le conoce con la abreviatura SCART, siendo ste el primer pas
que oblig a su uso en todos los aparatos de televisin.
El euroconector o conector SCART es un conector hembra
mltiple, con un total de 20 contactos ms uno de masa, los
cuales estn dispuestos alternndose en dos filas, tal y como se
J
ha dibujado en la figura 2.24. A esta parte se acopla un conec+ |
2Q
tor macho, dotado igualmente de 20 contactos (figura 2.25).
Los contactos, tanto los machos como las hembras, estn
= 1 f
fabricados con plancha de latn estaado, de forma que se
establezca una buena conexin elctrica y permita, al mismo
tiempo, que su coste sea reducido.
La forma asimtrica del euroconector (figura 2.24) evita todo
posible error de conexin por parte del usuario. Todos los televiso
res, grabadoras de vdeo, ordenadores personales, etc., han de
llevar obligatoriamente el conector hembra, por lo que la conexin
entre uno y otro aparato se realiza mediante cables de conexin en
4="
cuyos extremos se disponen sendos conectores machos.

4*
4 =

'4 >
4 =

4?
2.24 Disposicin
de los 21 contactos
de un euroconector.

38

4=2
*4 =

2.25 Conector macho


de un euroconector.

CONECTORES

Lo ms importante del euroconector es su normalizacin en el orden de utilizacin de cada con


tacto, de forma que una entrada de vdeo tiene el mismo nmero de contacto en el emisor que en el
receptor, lo cual significa que en los cables de unin (acabados con contactos macho) los cables es
tn cruzados; as, por ejemplo, una salida de audio de canal derecho, cuyo borne es el1, est co
nectado al borne 2 del otro conector, en el cual se encuentra la entrada de audio del canal derecho.

Contactos del euroconector


Por su especial importancia, a continuacin se relacionan cada una de las funciones de los 21 con
tactos del euroconector:
1.
2.
3.
4.
5.
6.

7.
8.

9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.

17.
18.
19.
20.
21.

Salida de seal de audio (canal derecho). En este borne se obtiene una seal de audio con
una amplitud de 0,5 V eficaces y una impedancia de salida de, por lo menos, 1 kO.
Entrada de seal de audio (canal derecho). En este borne se podr aplicar una seal de
audio con una amplitud de 0,2 a 2 V eficaces, y una impedancia de entrada de 10 k i l
Salida de seal de audio (canal izquierdo). La amplitud de la seal de audio obtenida en
este borne es de 0,5 V y su impedancia de, por lo menos, 1 k2.
En este borne se encuentra la masa comn de los dos canales de audio.
En este borne se encuentra la masa de la componente de croma azul (B).
Entrada de la seal de audio (canal Izquierdo o monofnico). La seal aplicable a esta en
trada deber tener una amplitud comprendida entre 0,2 y 2 V eficaces, con una impedan
cia de entrada de 10 k l
Entrada de la componente de croma azul (B). La seal de croma aplicable a este borne de
ber tener un valor eficaz de 0,7 V, con una Impedancia de entrada de 75 Q.
Entrada de conmutacin lenta. A travs de esta entrada se puede pasar de la imagen del
televisor a la proporcionada por una grabadora de vdeo. Con una tensin de entrada de 0 a
1 V se est en posicin TV, y aplicando de 10 a 12 V se conmuta a vdeo. La impedancia
de esta carga es, como mnimo, de 47 kl.
En este borne se encuentra la masa de la componente de croma verde (G).
Lnea de intercomunicacin.
Entrada de la componente de croma verde (G). La seal de croma aplicable a este borne
deber tener un valor eficaz de 0,7 V, con una impedancia de entrada de 75 O.
Lnea de intercomunicacin.
Masa de la componente de croma roja (R).
Masa de intercomunicacin.
Entrada de la componente de croma roja (R). La seal de croma aplicable a este borne de
ber tener un valor eficaz de 0,7 V, con una impedancia de entrada de 75 Q.
Entrada de conmutacin rpida (RGB). Este borne es utilizado para la conmutacin rpida,
necesaria para la insercin de una imagen a otra, por ejemplo caracteres. Con una tensin
de 0 a 0,4 V la imagen ser la del televisor, mientras que con una tensin de 1 a 3 V la se
al ser de vdeo, procedente del cable de conexin. La impedancia es de 75 Q.
Masa de la salida de vdeo compuesta (CVBS).
Masa de conmutacin rpida.
Salida de la seal compuesta de vdeo (CVBS). La tensin eficaz de salida en este borne
es de 1 V y su impedancia de 75 Q.
Entrada de la seal compuesta de vdeo (CVBS). La tensin eficaz aplicable a este borne
es de 1 V y su impedancia de 75 Q.
Masa de blindaje del euroconector.

CONECTORES PARA RADIOFRECUENCIA


En el caso de lneas de transporte de seales de radiofrecuencia superiores a 1 MHz deben em
plearse conectores especiales, todos ellos coaxiales, especialmente diseados para ser utilizados
como terminales de cables coaxiales.

39

ELECTRNICOS

Dado que existe una gran diversidad de modelos, hemos elegido aquellos conectores para ra
diofrecuencia que consideramos de mayor inters para ser utilizados en radio y televisin.
Las figuras 2.26 y 2.27 corresponden a unos conectores (macho y hembra respectivamente)
segn normas USA. En estos conectores, la malla del cable coaxial debe estaarse y soldarse en
la cara interior del collarn estaado. El aislante del conductor debe tocar la espiga central.

2.26 Conectar coaxial macho,


segn norma USA.
2.27 Bases hembra de
conectores coaxiales, segn
norma USA

En el conector coaxial segn normas DIN (figura 2.28). el montaje es muy simple. El conductor
central hace contacto en una base de resorte, mientras que el conductor externo queda apretado
al cono por un manguito (figura 2.29).

2.29 Forma de efectuar


la conexin del cable
coaxial a un conector
como el de la figura
anterior.

2.28 Conectores macho y


hembra para cables coaxiales,
segn normas Dll\l.

En la figura 2.30 se muestran unos conectores de la serie N; el de la figura 2.30a es una hem
bra para panel, el de la figura 2.30b una hembra area, y el de la figura 2.30c un macho areo.

a)

b)

c)

2.30 Conectores de la serie N para radiofrecuencia, a) Hembra para panel, b) Hembra area, c) Macho areo.

CONECTORES

Los conectores de la serie N son completamente estancos, con acoplamiento por rosca, y son
los ms populares.
De impedancia constante, para cables coaxiales RG8/U, RG9/U y RG10/U, pueden ser utiliza
dos en lneas por las que circulen frecuencias de microondas {10 GHz), con mnimo desequilibrio
en la lnea o incremento de la relacin de onda estacionaria.
Se fabrican en versiones de 50 Q y 70 Q y, aunque los de 50 O no se acoplan con los de 70 2,
si que puede emplearse cable de 75 Q con un conector de 50 O cuando la impedancia no es crtica.
Soportan tensiones de pico de 500 V, o eficaces de 1.500 V durante un minuto. El tamao de
estos conectores es mediano.

2.31 Manguitos de
acoplamiento para conectores
de la serie N. a) Manguito recto
hembra, b) Manguito recto
macho, c) Manguito acodado,
d) Manguito en T.
En la figura 2.31 se muestran varios manguitos de acoplamiento entre conectores de la serie N,
utilizables para prolongar lneas.
Los conectores de la figura 2.32 son de la serie BNC; los modelos a y son hembras para pa
nel, de los cuales el b posee un anclaje para cable, el c es una hembra area, y el d un macho areo.

b)

a)

c)

2.32 Conectores de la serie BNC


para radiofrecuencia, a) Hembra
para panel, b) Hembra para panel
con anclaje de cable, c) Hembra
area, d) Macho areo.

Los conectores de la serie BNC son pequeos, estancos y de conexin y desconexin rpida
por bayoneta.
La conexin se efecta introduciendo el macho en la hembra, de forma que los dos pequeos
pivotes que posee sta se introduzcan en las ranuras que a tal efecto lleva el macho, .y a continua
cin se hace girar el macho un cuarto de vuelta en el sentido de la agujas del reloj, quedando as
un acoplamiento estanco y robusto.
Los conectores de la serie BNC se emplean con cables coaxiales finos (RG55/U, RG59/U,
RG62/U y RG71/U), con impedancia de 50 1 Operan satisfactoriamente hasta 10 GHz con ten
siones de 500 V de pico.

41

COMPONENTES ELECTRNICOS

Al igual que en la serie N, tambin se fabrican manguitos de acoplamiento para conectores de


la serie BNC, de los cuales mostramos algunos modelos en la figura 2.33.

2.33 Manguitos de acoplamiento


para conectores de la serie BNC.
a) Manguito hembra areo.
b) Manguito recto macho.
c) Manguito acodado.
d) Manguito en T.

C)

Los conectores de la figura 2.34 son de la serie C. Los de las figuras 2.34a, 2.34b y 2.34c son
hembras para panel. El de la figura 2.34d es una hembra area, y el de la figura 2.34e un macho
areo.

b)
2.34 Conectores de la serie
C para radiofrecuencia,
a), b) y c) Hembras para
panel, d) Hembra area,
e) Macho areo.

Los conectores de la serie C son de tamao mediano, estancos y de impedancia constante de


50 2, por lo que se utilizan con cables coaxiales de 50 2, aunque pueden ser utilizados con cables
de 70 2 cuando la impedancia no sea crtica.
Operan satisfactoriamente a 1,5 kV en un margen de frecuencias de 0 a 10 GHz y a 4 kV en el
margen de 0 a 2 GHz.
El sistema de conexin es por bayoneta, al igual que los de la serie BNC. Los cables coaxiales
utilizables con estos conectores son los RG8/U, RG9/U, RG55/U y RG58/U, todos ellos de 50 2.
La figura 2.35 corresponde a un manguito recto, uno acodado y otro en T para el acoplamien
to de conectores de la serie C.

a)

b)

c)

2.35 Manguitos de acoplamiento para conectores de la serie C. a) Manguito recto, b) Manguito acodado,
c) Manguito en T.

42

CONECTORES

En la figura 2.36 se muestran una hembra para panel, una hembra recta area y un macho rec
to areo de conectores de la serle HN. Estos conectores son estancos, de impedancia constante
de 50 12, y estn diseados para aplicaciones de alta tensin hasta 1.500 V de pico a 5.000 V efi
caces durante un minuto.

3)

c)

2.36 Conectores de la serie HN para radiofrecuencia, a) Hembra para panel, b) Hembra recta area, c) Macho
recto areo.

El margen de frecuencia est comprendido entre 0 y 10 GHz y su acoplamiento es por rosca.


Los cables coaxiales que deben utilizarse con estos conectores son los RG8/U, RG9/U y RG10/U,
todos ellos de 50 .
El manguito de la figura 2.37 es acodado, para conectores de la serie HN.

2.37 Manguito acodado para


acoplamiento de conectores
de la serie HN.

La figura 2.38 muestra un conector hembra para panel y un conector macho, recto, areo de la
serie UHF. Los conectores de esta serie se fabrican en dos tamaos diferentes, con uno o dos con
tactos. Es una serie econmica, de aplicacin general y de impedancia no constante.

2.38 Conectores de la serie UHF.


a) Hembra para panel, b) Macho
areo.

Trabajan satisfactoriamente hasta 200 MHz con tensiones de pico hasta 500 V, aunque pueden
utilizarse con precaucin hasta 500 MHz.
Los conectores de la serie UHF se fabrican para cables coaxiales RG8/U, RG9/U, RG19/U,
RG11/U y RG12/U, mientras que los de la serie BI-UHF se fabrican para cables RG22/U. Tanto en
una como en otra serie las dos piezas del contacto se conectan mediante rosca.
Las fotografas de la figura 2.39 corresponden a algunos manguitos de la serie UHF, y la de la
figura 2.40 a un reductor para pasar de uno a otro tipo de cable.

2.39 Manguitos
para conectores
de la serie UHF.
a) Manguito recto.
b) Manguito para
paso de paneles.
c) Manguito
acodado.
d) Manguito en T.

43

COMPONENTES ELECTRNICOS

2.40 Adaptador para reduccin


de cable.

Para finalizar diremos que, en ocasiones, es preciso conectar entre s dos lneas cuyos conec
tores pertenecen a distintas series. En estos casos se utilizan adaptadores especiales, uno de c u
yos extremos est diseado segn una serie y el otro segn la otra. As, existen adaptadores de la
serie N a la UHF, de la l\ a la BNC, de la BNC a la UHF, etc. En la figura 2.41 se muestran tres de
estos adaptadores.

2.41 Algunos modelos de


adaptadores para unir
conectores de distinta serie.

44

Resistencias

INTRODUCCIN
Las resistencias, tambin denominadas resistores, son el componente ms utilizado en los circui
tos electrnicos.
Se trata de un componente de enorme importancia, a pesar de su sencillez, y al que debe pres
tarse tanta o ms atencin que a los componentes activos (transistores, circuitos integrados, etc.).
Es muy corriente, sobre todo en principiantes, que las resistencias se elijan por sus valores
hmicos y se descuiden factores tan importantes com o sus tolerancias, potencias de disipacin,
o incluso el tipo de resistencia ms adecuado para cada caso. Un buen profesional es conscien
te de la Importancia que este componente tiene en un circuito electrnico, hasta tal punto que una
resistencia mal elegida puede ser la causa de serlos y repetidos defectos en un sofisticado apa
rato electrnico.
Dentro de un circuito las resistencias cumplen diversas funciones, tales como polarizacin, car
ga, filtrado, atenuacin, divisor de tensin, limitador de corriente, etc.
Sea cual sea la misin que cumpla una resistencia en un circuito, su funcionamiento es siempre
el mismo: oponer una cierta dificultad al paso de la corriente elctrica. Esta dificultad se traduce en
una generacin de calor, es decir, en una prdida de la energa, puesto que dicho calor no es apro
vechable, al menos en los circuitos electrnicos.

CLASIFICACIN DE LAS RESISTENCIAS


Las resistencias se clasifican, segn su construccin, en fijas, variables y ajustables.
Su denominacin bsica es, adems, consecuencia del elemento resistivo en s, que puede ser
una composicin de carbn, una pelcula depositada o un bobinado. De acuerdo con esto las re
sistencias se clasifican en:

resistencias de carbn aglomerado


resistencias de pelcula de carbn
resistencias de pelcula metlica
resistencias de pelcula de cermet
resistencias bobinadas
resistencia bobinadas vitrificadas
resistencias sobre circuitos impresos
resistencias SMD miniatura de pelcula metlica
resistencias SMD miniatura de pelcula gruesa.

Resistencias de carbn aglomerado


En las resistencias de carbn aglomerado, el elemento resistivo es una masa homognea de grafi
to o negro de humo finamente pulverizado y mezclado con una resina que acta como aglomeran
te. Esta mezcla es luego fuertemente prensada en forma cilindrica y encapsulada en un manguito
de material aislante (como el plstico) o revestida con un barniz protector sobre el que se imprimen

45

ELECTRNICOS

las bandas de color que indican su valor hmlco (figura 3.1). Los extremos del elemento resistivo es
tn unidos a sendos terminales metlicos que facilitan la conexin del componente al circuito.

Manguito
Elemento resistivo

3.1 Constitucin de una


resistencia de carbn aglomerado.

Terminal de conexin

El valor hmico de la resistencia de carbn aglomerado depende de las proporciones de grafi


to y aglutinante empleadas en su fabricacin. Para pequeos valores de resistencia la cantidad de
grafito (que es conductor) ser mayor.
El principal inconveniente de este tipo de resistencia es que no es de precisin, ya que segn
se efecta la mezcla de los materiales que la forman puede haber una gran disparidad de valores,
incluso dentro de la misma fase de fabricacin. Como resultado de ello, no suelen fabricarse resis
tencias de carbn aglomerado con tolerancias por debajo del 5 %. Se fabrican con tolerancias del
5, 10 y 20 %.
Otro inconveniente que presentan es la oxidacin del carbn, lo cual da lugar a una variacin
importante del valor nominal de la resistencia, e incluso a su descomposicin. Esto ltimo es el m o
tivo de que sea un componente muy propenso a averas, o causndolas asimismo en otros com
ponentes del circuito al que pertenecen, tales como transistores, circuitos integrados, etc.
Un tercer inconveniente de estas resistencias es su elevada tensin de ruido, lo que las hace
poco idneas para ser utilizadas en etapas preamplificadoras, donde una alta tensin de ruido ser
muy amplificada por las etapas siguientes, dando lugar a un fuerte ruido en el altavoz.
Como virtud cabe citar su bajo precio, debido a lo barato de la materia prima utilizada, siendo
el tipo de resistencia ms econmica.

Resistencias de pelcula de carbn


En las resistencias en capa o pelcula de carbn el elemento resistivo es una finsima capa de gra
fito cristalizado sobre un cuerpo aislante de forma cilindrica.
La composicin y el grosor de la capa vara segn el valor de la resistencia. La capa es conti
nua para resistencias de hasta unos 10 kW (figura 3.2) y en forma de espiral para valores ms al
tos (figura 3.3).

3.2 Resistencia de pelcula de


carbn en forma de manguito.

3.3 Resistencia de pelcula


de carbn en forma de espiral.

El cuerpo aislante central es, en algunos casos, un minsculo tubo de cristal con los terminales
de conexin insertados en cada extremo (figura 3.4). Una vez depositada la capa de grafito sobre
el tubo de cristal, sta se recubre con una capa de resina aislante.
En otros casos el soporte aislante es una barrita de material cermico sobre el que se deposita
la capa resistiva. Una vez depositada la capa, se aplican a presin, en cada extremo de la barrita,

RESISTENCIAS

3.4 Corte en seccin de una


resistencia de pelcula de carbn.

unas cazoletas metlicas sobre las que se sueldan los terminales de conexin. El conjunto se pro
tege finalmente con varias capas de barniz que protege el carbn de posibles roces y facilita la d i
sipacin del calor.
Sobre el barniz se pintan luego las tres o cuatro bandas de color que hacen referencia a su va
lor hmico y tolerancia.
Este tipo de resistencia es muy utilizado debido a su excelente estabilidad frente a cambios en
las condiciones de carga o en los niveles de humedad, junto con un nivel de ruido muy reducido y
bajo precio (poco ms que el de las de carbn aglomerado).
Son capaces de resistir temperaturas de 70 C al aire libre en montaje horizontal. La temperatu
ra superficial mxima permitida en el punto ms caliente del cuerpo de la resistencia es de 155 C.

Resistencias de pelcula metlica


Las resistencias de pelcula metlica son una variante de las de carbn estudiadas en el apartado
anterior. Consisten en sustituir la capa de grafito cristalizado por una aleacin metlica de alta cons
tante resistiva (nquel y cromo, o bien oro y platino) o por un xido metlico (xido de estao).
La capa metlica ha de ser inoxidable para que mantenga su valor hmico constante durante
toda su vida. A pesar de ello, se las recubre con barnices que impiden la accin del oxgeno atmos
frico sobre ellas.
Al igual que en las de pelcula de carbn, se efecta un espiralado en la capa metlica para au
mentar su resistencia y conseguir as resistencias de elevado valor.
Aunque el proceso de fabricacin de estas resistencias es complejo, ya que conlleva una serie
de severos controles de calidad y la materia prima utilizada es ms cara que el grafito, el precio de las
resistencias de pelcula metlica es relativamente bajo (de tres a seis veces superior al de las de car
bn aglomerado), lo cual justifica su utilizacin en aparatos de gran precisin y fiabilidad.
Efectivamente, un coste tres veces superior en la partida dedicada a las resistencias no afecta
en gran medida al precio total del producto acabado y, sin embargo, la fiabilidad y precisin de ste
aumenta considerablemente, pues mientras las resistencias de carbn no se pueden fabricar con
tolerancias por debajo del 5 %, en las de pelcula se obtienen tolerancias del 0,1, 0,5, 1 y 2 %.
Como inconveniente de estas resistencias cabe citar su baja potencia de disipacin, ya que so
portan mal el calor. Tngase en cuenta que el sobrecalentamiento da lugar a una deformacin de la
capa superficial, alterndose con ello el valor hmico nominal de la resistencia. Esto ltimo hace que
su uso quede limitado a potencias de hasta unos pocos vatios.

Resistencias de pelcula de cerm et


El cermet es un material refractario formado por una mezcla ntima de productos cermicos y me
tales en polvo. La presencia de los productos cermicos en la capa resistiva hace que sta ad
quiera un alto valor hmico, razn por la cual las resistencias fabricadas con este material poseen
elevados valores de resistencia hmica (por encima de los 10 ML).
Los cermets presentan una gran resistencia a la corrosin, soportan muy bien altas temperatu
ras, as como cambios bruscos de sta, y poseen notable resistencia mecnica.
En la figura 3.5 se puede ver una resistencia de pelcula de cermet de alto valor hmico. Cons
ta de un sustrato cermico sobre el que se deposita una fina capa de cermet. sta se protege con
un revestimiento de resina ignfuga.

3.5 Resistencia de pelcula


de cermet.

47

COMPONENTES ELECTRNICOS

Son resistencias apropiadas para circuitos con gran mpedancia de entrada, redes de temporizacin y circuitos osciladores de cuarzo.
La resistencia de la figura 3.5 puede disipar hasta 0,4 W a una temperatura de 70 C; su tole
rancia es de 5 %; el coeficiente de temperatura es de 300 ppm/C; la tensin continua mxima
de trabajo es de 1 kV y pueden operar en el intervalo de temperaturas ambientes comprendidas en
tre 0 C y +130 C.

Resistencias bobinadas
Para la fabricacin de las resistencias bobinadas se utiliza hilo conductor que posea una resistivi
dad elevada.
Como material resistivo se utilizan aleaciones metlicas en las que no slo la resistividad es alta,
sino que la variacin de la resistencia por cambio de temperatura sea el menor posible. Un ejem
plo tpico es el constantn, que se compone de un 54 % de cobre, un 45 % de nquel y un 1 % de
manganeso. En comparacin con el cobre, su resistencia especfica es 30 veces ms alta, mien
tras que la alteracin de la resistencia por causa de la temperatura es 400 veces menor.
El hilo conductor, de elevada resistencia especfica, se arrolla sobre un cuerpo aislante, gene
ralmente un tubo de cermica (figura 3.6).

3.6 Corte en seccin de


una resistencia bobinada.

Los extremos del hilo generalmente se fijan con abrazaderas que, a su vez, pueden servir como
conexiones para el montaje. Si las abrazaderas son desplazables se pueden obtener resistencias
parciales (figura 3.7).

3.7 Aspecto externo de dos


resistencias bobinadas con
abrazaderas desplazables.

Otros materiales utilizados en la fabricacin del bobinado de estas resistencias son el nicromo,
el aluminio y el hierro.
La base aislante (de cermica, esteatita, mica u otro aislante adecuado) ha de ser hueca (vase la
figura 3.7) ya que estas resistencias se utilizan en partes del circuito donde el paso de corriente es ele
vado y, por tanto, su potencia de disipacin ser tambin alta. Con un diseo hueco de la base ais
lante se favorece la refrigeracin de la resistencia y, en consecuencia, sus condiciones de trabajo.
Para evitar posibles cortocircuitos entre espiras del arrollamiento (o entre ste y otras partes del
circuito en donde se dispongan) el cuerpo de la resistencia se recubre con una capa de esmalte vi
trificado, el cual permite, adems, soportar elevadas temperaturas de trabajo.
Las dimensiones de estas resistencias son considerables, ya que han de soportar potencias de
disipacin que en ocasiones alcanzan los 1.000 W.
Las resistencias bobinadas slo se fabrican hasta, aproximadamente, 220 kQ, ya que el valor
hmico de las mismas viene dado por la igualdad:

48

RESISTENCIAS

donde r es la resistividad del hilo utilizado en Q-mm2/m , / la longitud del hilo en metros y S su sec
cin en mm2, por lo que, incluso utilizando hilos de slo 0,03 mm de dimetro, las dimensiones de
la resistencia alcanzan valores excesivos.
Cuando la resistencia bobinada deba soportar cambios bruscos de temperatura se recurre a
tropicalizarla, lo cual consiste en recubrir la resistencia con algn aislante y disponer el conjunto
dentro de un tubo cermico o de vidrio cerrado, del cual slo salen al exterior los terminales de c o
nexin.

Resistencias bobinadas vitrificadas


Las resistencias vitrificadas son una variante de las estudiadas en el apartado anterior.
En esencia son de constitucin idntica, pero con la particularidad de que el bobinado est re
cubierto por un prisma cermico vitrificado, de seccin cuadrada, y de gran espesor comparado
con el tamao de la resistencia, permitiendo con ello un mejor aislamiento trmico de la resistencia
respecto de componentes cercanos que disipen gran cantidad de calor. Esto ltimo hace que sean
idneas para disponerlas en fuentes de alimentacin, cerca del transformador o de los radiadores
de calor de transistores de potencia. En la figura 3.8 se puede ver el aspecto externo de un par de
resistencias bobinadas vitrificadas.

3.8 Aspecto externo de dos


resistencias bobinadas vitrificadas.

Resistencias sobre circuitos impresos


Otra forma constructiva de resistencia, mucho menos utilizada que todas las anteriores, es la que
emplea una base de circuito impreso (figura 3.9).

3.9 Resistencia sobre base


de circuito impreso.

Se trata de depositar sobre un material aislante (fibra de vidrio, baquelita, etc.) una capa muy
fina de material resistivo, cuyo espesor y superficie sea adecuado al valor hmico que se desea o b
tener. El material utilizado puede ser oro, platino o el mismo cobre, pero de espesor muy pequeo,
lo cual hace que el proceso sea muy delicado ya que es fcil que se cometan interrupciones en l.
En estas resistencias la longitud del material resistivo ha de ser grande, por lo que para reducir
superficie la resistencia se disea en forma de greca (figura 3.9). Los valores obtenidos con este
tipo de resistencias son bajos y no estn normalizados, ya que es un proceso de fabricacin sobre
el propio circuito impreso.

49

ELECTRNICOS

Para obtener resistencias de valores ms elevados se utiliza com o material resistivo la fibra de
vidrio metalizada, o bien pequeas plaquetas de dimensiones variables de material cermico con
los extremos baados en oro, para efectuar en ellos las conexiones.

Resistencias SMD miniatura de pelcula metlica


Se trata de resistencias para montaje superficial (SMD), es decir, resistencias de dimensiones muy
pequeas, sin terminales de conexin, cuya conexin a las pistas de los circuitos impresos se rea
liza mediante procesos robotizados.
Las ventajas de esta tecnologa se pueden resumir en los siguientes puntos:
-

Gran densidad de componentes sobre la placa y una elevada miniaturizacin de los m du


los electrnicos, gracias a las reducidas dimensiones de los componentes.
No es necesario doblar ni cortar terminales.
Mejores cualidades elctricas en circuitos de radiofrecuencia, pues se reducen las capaci
dades e inductancias parsitas.
No se necesita mecanizar la placa de circuito impreso (taladrado).
Se pueden utilizar placas de circuito impreso flexibles.
Se reduce el nmero de pistas en los circuitos impresos.
La robotizacin permite disponer simultneamente un elevado nmero de componentes so
bre la placa del circuito impreso.
Reduccin del trabajo posterior de revisin de las placas, pues disminuye el nmero de erro
res en el montaje.

Todas estas ventajas se resumen en una: menor coste en la fabricacin y, por lo tanto, un aba
ratamiento del producto final.
Existen dos tipos de resistencias para montaje superficial: las miniatura de pelcula metlica (fi
gura 3.10) y las de chip basado en la tecnologa de pelcula gruesa (figura 3.11).

mmm
3.10 Resistencia miniatura de
pelcula metlica para montaje
superficial.

3.11 Resistencia
miniatura de pelcula
gruesa para montaje
superficial.

Las resistencias miniatura de pelcula metlica, tambin llamadas MELF (Metal Electrode Face
Bonding), se obtienen por disposicin de una fina pelcula metlica sobre un ncleo cilindrico de ce
rmica, aislado por un encapsulado con resina epoxdica. Sus terminales son dos cpsulas metli
cas, una en cada extremo, que reemplazan a los terminales de las resistencias convencionales (fi
gura 3.10).
Las dimensiones de estas resistencias son de 3,6 mm de largo y 1,4 mm de dimetro. Se fa
brican con valores comprendidos entre 0,22 Q y 10 MQ y tolerancias del 0,2, 0,25, 0,5, 1, 2 y 5 %.
La potencia mxima de disipacin a 70 C es de 250 mW.

Resistencias SMD miniatura de pelcula gruesa


Las resistencias chip de pelcula gruesa se fabrican mediante la serigrafa de una pasta resistiva so
bre un sustrato cermico (almina). El valor de la resistencia se obtiene por sinterizado.

Los terminales de conexin de estas resistencias son dos pequeas lminas metlicas, en for
ma de U, que se disponen firmemente en cada uno de sus extremos (figura 3.11).
Estas resistencias, con forma de paraleleppedo rectangular, se fabrican en dos tamaos: 2 x
1,25 x 0,5 mm y 3,2 x 1,6 x 0,6 mm.
Se fabrican con valores comprendidos entre 10 O y 10 MS2 y tolerancias del 2, 5 y 10 %.
La potencia mxima de disipacin a 70 C es de 63 mW para las ms pequeas, y de 250 mW
para las de dimensiones mayores.

REDES DE RESISTENCIAS
Se fabrican tambin redes de resistencias dispuestas en encapsulado cermico Dual In Une (DIL), en
encapsulado moldeado Single In Une (SIL) y en encapsulado DIL para montaje superficial (SMD),
com o las que se muestran en las figuras 3.12, 3.13 y 3.14 respectivamente.

3.12 Resistencias
dispuestas en encapsulado
cermico Dual In Une (DIL).

en encapsulado moldeado
Single In Une (SIL).

Vista superior.

Cada cpsula contiene siete u ocho resistencias individuales, o trece o quince resistencias c o
nectadas, cada una de ellas de idntico valor.
Son muy tiles en el diseo de circuitos digitales, donde se requieren muchas resistencias igua
les de elevacin (pull-up) o de cada (pull-down).
Otra de las ventajas de estas cpsulas con resistencias es el ahorro de espacio y tiempo re
querido para el montaje.
Se fabrican siguiendo los valores normalizados de la EIA y con potencias de disipacin de 0,125 W
y 0,25 W (por resistencia individual).

7.62

1,27

0.44

0,61

3.14 Resistencias
dispuestas en encapsulado
DIL para montaje
superficial (SMD).

ELECTRNICOS

CARACTERSTICAS TCNICAS DE LAS RESISTENCIAS


No resulta econmico la fabricacin de todos los valores posibles de resistencias, ya que ello su
pondra un proceso artesanal que las encarecera notablemente. Por este motivo, las resistencias
se fabrican con unos valores normalizados en todas sus caractersticas, que cubran toda una serie
de necesidades tcnicas y econmicas.
Con el fin de que el diseador de un circuito electrnico pueda elegir la resistencia ms ade
cuada a las necesidades del circuito, los fabricantes de resistencias suministran toda clase de da
tos sobre sus caractersticas de funcionamiento, dimensiones, etc. Estas caractersticas tcnicas
son las siguientes:

Potencia de disipacin.
Valor hmico.
Tolerancia.
Estabilidad.
Tensin mxima de trabajo.
Coeficiente de tensin.
Resistencia crtica.
Tensin de ruido.
Temperatura mxima de trabajo.
Limites de frecuencia.
Coeficiente de temperatura.
Sotdabitidad.
Almacenamiento.

Veamos por separado, y con todo detalle, el significado de cada uno de estos conceptos.

Potencia de disipacin
Siempre que una corriente elctrica circula por una resistencia se genera calor en ella.
En la resistencia, como elemento constructivo, el calor es sumamente inoportuno por tres razones:
1. El calor producido no es aprovechable, por lo que supone una prdida de energa.
2. El calor aumenta la temperatura, con lo cual se modifica el valor de la resistencia. Despus de
cierto tiempo se establece un estado de equilibrio entre el calor producido y el calor irradia
do, con lo que la temperatura ya no sigue aumentando.
3. El calor producido por las resistencias puede afectar el correcto funcionamiento de otros
componentes vecinos, tales como los semiconductores, cuya corriente de fuga aumenta con
la temperatura.
De ninguna manera debe acumularse tanto calor que la resistencia resulte perjudicada, por lo
que hay que eliminar este problema. En los equipos de radio, televisin y de alta fidelidad las resis
tencias se refrigeran por conveccin.
Efectivamente, dado que el aire caliente pesa menos que el aire fro y que, por tanto, tiende a su
bir hacia arriba, la resistencia al calentarse calienta al mismo tiempo el aire que la rodea, el cual sube
hacia arriba y su lugar es ocupado por el aire fresco existente debajo de la resistencia o del circuito.
Esto es fcil de comprobar, por ejemplo, en un televisor en marcha, en el cual la superficie superior
del mueble est ms caliente que la superficie inferior del mismo. Existe pues una continua circu
lacin de aire fro ascendente que refrigera todos los componentes en los que se produce calor,
como es el caso de las resistencias. Lgicamente, para que una refrigeracin de ese tipo sea eficaz
el mueble ha de disponer de los suficientes orificios de ventilacin que permitan la libre circulacin
natural del aire desde la parte inferior a la superior.
De todas formas, por muy bien ventilado que est el aparato, las resistencias siempre se calien
tan; pero lo importante es que ese calor no las dae. Por este motivo las resistencias se fabrican
para un determinado lmite de carga, lo que evita que el calor generado las perjudique.

RESISTENCIAS

El lmite de carga se indica en vatios. Por ejemplo, una resistencia de 2 W tiene como lmite de
carga esos 2 W, es decir, que la potencia elctrica que se le suministre no debe sobrepasar los 2 W,
pues si los sobrepasa se destruir.
Es muy importante no confundir la potencia mxima de disipacin, o capacidad de carga de
una resistencia, con la potencia realmente radiada por ella, la cual debe ser menor.
La potencia disipada por una resistencia viene dada por la frmula:
P = VI
Donde V es la tensin aplicada a sus bornes e I la corriente que por ella circula.
As, supongamos una resistencia de 47 2 a la que se le aplica una tensin de 10 V. En estas cir
cunstancias de funcionamiento, la intensidad de corriente que por ella circula es de:

y la potencia disipada en ella ser:


P = V I = 10 V x 0,213 A = 2,13 W
Si la resistencia es capaz de disipar esta potencia no ocurrir nada, pero si la potencia mxima
de disipacin de la resistencia fuese de tan slo 1 W, sta se calentara excesivamente y acabara
por destruirse.
La potencia disipada por una resistencia puede tambin calcularse con la frmula:
P = I 2R
La potencia mxima de disipacin de las resistencias vara con su tamao. Cuanto mayor sea
el tamao, mayor ser la superficie de la resistencia en contacto con el aire circundante y mayor
ser su poder de disipacin de calor.
Las resistencias de carbn aglom erado se fabrican para 1/8 W, 1/4 W, 1/2 W, 1 W y 2 W de
disipacin.
Las resistencias de pelcula de carbn se fabrican para 1/10 W (o 1/8 W), 1/4 W, 1/3 W, 1/2 W,
1 W, 1,5 W y 2 W.
Las resistencias de pelcula metlica se fabrican normalmente para 1/4 W y 1/2 W.
Finalmente, en las resistencias bobinadas existe una amplia gama de formatos y potencias de
disipacin que van desde 1 W a 130 W.
Pero no es suficiente conocer el valor de la potencia de disipacin de una resistencia y sus con
diciones de trabajo para que sta funcione correctamente en un circuito electrnico dado; adems,
debe conocerse la temperatura ambiente en la que ha de trabajar.
Efectivamente, la potencia de disipacin de una resistencia queda seriamente afectada por la tempera
tura ambiente, puesto que resulta ms fcil disipar
calor con una temperatura baja que alta. Por
esta razn, los fabricantes dan el valor de la po
a 40 X
Tamao natural
a 70 C
tencia mxima de disipacin para una tempera
tura ambiente dada, la cual suele ser de 70 C.

--------0.25 W
0,125 W
As, la capacidad de carga de una resisten
cia de pelcula de carbn es, por ejemplo, de
0.5 W
0.25 W
0,5 W trabajando a una temperatura ambiente
de 40 C, y de slo 0,25 W si la temperatura
1.0 W
0.5 W

ambiente es de 70 C.
En la figura 3.15 se puede ver el tamao de
1.0 W
1,5 W
algunas resistencias de pelcula de carbn a ta
mao natural y, al lado, la capacidad de carga
3.15 Potencias de disipacin mxima a 40 y 70 C
admisible a 40 C y a 70 C.
de algunas resistencias de pelcula de carbn.

mm

53

COMPONENTES ELECTRNICOS

Ante la duda de cul debe ser la potencia de disipacin que debe tener una resistencia, lo me
jor es elegir una resistencia con elevada potencia de disipacin; sin embargo, han de considerarse
dos importantes factores que influyen en la eleccin:
1.
2.

Elegir todas las resistencias con elevada potencia de disipacin presupone aumentar consi
derablemente el volumen ocupado por el circuito.
Las resistencias de mayor potencia de disipacin son ms caras y, por lo tanto, se encare
ce el producto.

Por estos motivos deben realizarse clculos sobre las condiciones de funcionamiento del cir
cuito, de forma que cada resistencia tenga su potencia de disipacin adecuada.
Para elegir una resistencia sin temor a que sea destruida por un exceso de temperatura, se pro
cede de la siguiente forma:
1. Se calcula la potencia que disipar multiplicando la tensin que se le aplica por la intensidad
de corriente que por ella circula.
2. Se determina bajo qu condiciones de temperatura trabajar y qu influencia ejercer sta
sobre la potencia de disipacin.
Veamos un ejemplo de clculo: Para ello supondremos una resistencia de 200 l a la que se le
aplica una tensin de 10 V. La corriente que por ella circular ser:

y su potencia disipada:
P = V I = 10 V x 0,05 A = 0,5 W
Supongamos que se trata de una resistencia de pelcula de xido metlico de alta estabilidad,
cuya variacin de la potencia mxima de disipacin en funcin de la temperatura ambiente viene
determinada por la curva de la figura 3.16.

3.16 Porcentaje de la potencia


de disipacin en funcin de la
temperatura ambiente, en una
resistencia de pelcula de xido
metlico.

25

50

100

150

200

235

Temperatura ambiente (C)

Si la resistencia ha de trabajar con una temperatura ambiente inferior a 25 C, no existe, terica


mente, inconveniente alguno en utilizar una resistencia con una potencia mxima de disipacin de
0,5 W; ahora bien, si la citada resistencia ha de trabajar con una temperatura ambiente de 100 C, la
potencia de disipacin admisible queda reducida en un 35 %, es decir, al 65% de su valor nominal:
p
.
' max

54

RESISTENCIAS

Por lo que la resistencia se destruir.


A la temperatura ambiente de 100 C se deber: por tanto utilizar una resistencia con una po
tencia nominal de disipacin de:

1 00 P mx
100 x 0,5 W
P = ----- max = ----------------65
65

=0,77 W

Como no se fabrican resistencias de este valor, se utilizar su inmediato superior, es decir, 1 W.


La temperatura ambiente es aquella en la que el circuito trabaja a pleno funcionamiento, la cual
en ocasiones es superior a la temperatura del local en donde se encuentre el aparato debido al ca
lor desprendido por los componentes.
As, por ejemplo, en un pequeo aparato de radio porttil el circuito no se calentar en exceso,
ya que trabaja con pequeas intensidades de corriente, por lo que en este caso se toma como
orientacin la mxima temperatura ambiente a la que ha de trabajar, aunque a veces pueda ser ex
cedida (por ejemplo, cuando el usuario se lo lleva a la playa y lo expone al sol directo).
En los televisores no sucede este caso, ya que siempre trabajan en locales protegidos de la luz
directa solar (para una mejor visin), por lo que la temperatura ambiente de estos locales no suele
sobrepasar las propias del verano de cada lugar geogrfico, pero el receptor s trabaja con intensi
dades de corriente ms elevadas, con etapas de potencia que generan mucho calor (el cual se con
centra en el interior del mueble, aunque est bien ventilado), superndose en varios grados la tem
peratura ambiente del local.
Se ha comprobado que, aun conociendo el valor de la potencia mxima suministrada a la re
sistencia, este valor no coincide con el valor mximo que es capaz de disipar cuando cambian las
condiciones ambientales de funcionamiento.
Como regla general de seguridad se elegirn las resistencias de forma que la disipacin nom i
nal sea, como mximo, el doble de la real.
Finalmente, diremos que algunos fabricantes eligen la pintura protectora exterior de tal forma que
adquiera un marcado color tostado cuando la temperatura de la resistencia puede ser causa de al
teraciones en sus caractersticas, aconsejndose en este caso la sustitucin por otra de ms p o
tencia de disipacin nominal.

Valor hmico y tolerancia de las resistencias


El valor hmico de las resistencias, es decir, la oposicin que ofrecen al paso de la corriente elc
trica, no tiene ninguna relacin con su tamao, sino con las materias constituyentes de las mismas.
Asi, una resistencia de 47 2 puede tener el mismo tamao que otra de 47 k2, por la simple ra
zn de poseer la misma potencia de disipacin nominal, o bien incluso ser ms grande de tamao
(siendo ms pequea de valor), debido a poseer una potencia de disipacin nominal mayor.
Lgicamente, en la prctica resulta imposible fabricar resistencias cuyos valores hmicos abarquen
todos los posibles. Por esta razn los fabricantes han adoptado una serie de valores determinados,
los cuales siguen una progresin definida matemticamente. Esta serie de valores fue confeccio
nada durante los aos 40 por la E.I.A. (A sociaci n de In dustrias E lectrnicas de EE UU).
Para su confeccin se tuvieron en cuenta las inevitables tolerancias de fabricacin de los com
ponentes, de tal forma que coincidiera la mxima tolerancia de un determinado valor con la mnima
del siguiente. Ello es debido a que en todo proceso de fabricacin debe preverse un determinado
margen de tolerancia en las caractersticas del producto acabado.
Veamos un ejemplo de lo que acabamos de exponer: supongamos que se estn fabricando re
sistencias de 150 2, pero debido a las tolerancias del proceso de fabricacin, se obtienen resis
tencias cuyos valores no son exactamente de 150 2, sino valores prximos a ste.
Nos encontramos as con dos valores: uno terico de 150 2 y otros reales que oscilan alrede
dor de los 150 2. La diferencia entre ambos valores se llama desviacin absoluta.
Si una resistencia mide 147 2 y su valor terico, es decir, el que se quiere obtener, es de 150 O,
la desviacin absoluta ser:
150 2 - 1 4 7 2 = 3 2

55

COMPONENTES ELECTRNICOS

Normalmente, en lugar de la desviacin absoluta es preferible utilizar el concepto de desviacin


relativa, la cual se obtiene con la frmula:
valor real - valor t e r ic o __
. ,terico
x -------------100 %
valor
La tolerancia de una resistencia es la mxima desviacin, normalmente relativa, admisible en
ella. Como consecuencia, si una resistencia tiene una desviacin relativa que sobrepasa el valor de
la tolerancia, esa resistencia no se considera aceptable.
As, supongamos que al medir el valor de una resistencia obtenemos 154,5 2, siendo su valor
terico de 150 2. En esta circunstancia la desviacin relativa ser:
154,5

2 - 150 2

4,5 2

T1 Q

n/

450 2 n

1 50 1 , 0 0 % = , 5 0 % = 3 %

Si la tolerancia de fabricacin admitida es del 5 %, la resistencia en cuestin es vlida, puesto


que el 3 % de desviacin es inferior al 5 %. Pero si la tolerancia de fabricacin admitida es de tan
slo un 1 %, entonces la resistencia debe desecharse por mala.
La tolerancia puede dar un valor real de la resistencia superior o inferior al valor terico, por este
motivo se indica siempre con los signos .
As, si se tiene una resistencia de 560 2 con una tolerancia de 5 %, el valor real de dicha re
sistencia estar comprendido entre:
5 x 560 2
560 2 + --------------

560 2

5 x 560 2

Too _

2.800 2
=560 2+ = 560 2 + 28 2 = 588 2

560 2 -

2.800 2

100

560 2 - 28 2 = 532 2

Es decir, que si la resistencia posee un valor real comprendido entre 532 2 y 588 2, se puede dar
por buena, pero nunca si ese valor es superior o inferior a estos valores lmites.
Las resistencias no se construyen, por tanto, en todos los valores posibles, sino en ciertos va
lores normalizados. Esto simplifica la fabricacin, abarata sus costes de fabricacin y facilita el al
macenaje. Adems, hay una razn obvia: una resistencia con un valor terico de 150 2 y una tole
rancia de 5 % puede tener cualquier valor real comprendido entre 142,5 2 y 157,5 2, por lo que
sera ilgico introducir otros valores tericos en este campo, ya que entonces podran aparecer dos
resistencias con diferente valor terico pero con el mismo valor real. Por esto, los valores tericos
se fijan de manera que sus lmites de tolerancia se solapen un poco entre s.
En la tabla 3.1 puede ver los valores normalizados segn E.I.A.
En la parte superior de cada columna de la tabla 3.1 se ha puesto la letra E y un nmero. Esta
letra y su nmero definen la tolerancia de todos los valores indicados debajo de ella. Las toleran
cias correspondientes a cada columna son las siguientes:
COLUMNA
E192
E96
E48
E24
E12
E6 .
E3

.
.
.
.
.

...

.
.
.
.
.
.

TOLERANCIA
0,5 %
1 %

2 %
5 %
1 0 %

20 %
-2 0 % +80 %

-0 % +100 %
56

RESISTENCIAS

E192

E96

E48

1,00
1,01
1,02
1,04
1,05
1,06
1,07
1,09
1,10
1.11
1,13
1.14
1,15
1.17
1,18
1,20
1,21
1,23
1,24
1.26
1.27
1.29
1,30
1,32
1,33
1,35
1,37
1,38
1,40
1,42
1,43
1,45
1,47
1,49
1,50
1,52
1,54
1,56
1,58
1,60
1,62
1,64
1,65
1,67
1.69
1,72
1.74
1,76

1,00

1,00

1,02
1,05

1,05

1,07
1,10

1,10

1,13
1,15

1,15

1,18
1,21

1,21

1,24
1,27

1,27

1,30
1,33

1,33

1,37
1,40

1,40

1,43
1,47

1,47

1,50
1,54

1,54

1,58
1,62

1,62

1,65
1,69
1,74

1,69

E ,9 2 E96

1,78
1,80
1,82
1,84
1,87
1,89
1,91
1,93
1,96
1,98
2,00
2,03
2,05
2,08
2,10
2,13
2,15
2,18
2,21
2,23
2,26
2,29
2,32
2,34
2,37
2,40
2,43
2,46
2,49
2,52
2,55
2,58
2,61
2,64
2,67
2,71
2,74
2,77
2,80
2,84
2,87
2,91
2,94
2,98
3,01
3,05
3,09
3,12

1,78

E48

1,78

1,87

1,91
1,96

1.96

2,00
2,05 2,05
2,10
2,15 2,15
2,21
2,26 2,26
2,32
2,37

2,37

2,43
2,49 2,49
2,55
2,61

2,61

2,67
2,74

2,74

2,80
2,87

2,87

2,94
3,01
3,09

E192

E96

:
E48

5,62
5,69
5,76
5,83
5,90
5,97
6,04
6,12
6,19
6,26
6,34
6,42
6,49
6,57
6,65
6,73
6,81
6,90
6,98
7,06
7,15
7,23
7,32
7,41
7,50
7,59
7,68
7,77
7,87
7,96
8,06
8,16
8,25
8,35
8,45
8,56
8,66
8,76
8,87
8,98
9.09
9,20
9,31
9,42
9,53
9,65
9,76
9,88

5,62

5,62

'
E24

E12

E6

1,0
1,1
,2
1,3
1,5
1,6
1,8
2,0
2,2
2,4
2,7
3,0
3,3
3,6
3,9
4,3
4,7
5,1
5,6
6,2
6,8
7.5
8,2
9,1

1,0

1,0

1,82
1,87

E192

3,01

3,16
3,20
3,24
3,28
3,32
3,36
3,40
3,44
3,48
3,52
3,57
3,61
3,65
3,70
3,74
3,79
3,83
3,88
3,92
3,97
4,02
4,07
4,12
4,17
4,22
4,27
4,32
4,37
4,42
4,48
4,53
4,59
4,64
4,70
4,75
4,81
4,87
4,93
4,99
5,05
5,11
5,17
5,23
5,30
5,36
5,42
5,49
5,56

3,16 3,16
3,24
3,32

3,32

3,40
3,48 3,48
3,57
3,65 3,65
3,74
3,83 3,83
3,92
4,02 4,02
4,12
4,22

4,22

4,32
4,42 4,42
4,53
4,64 4,64
4,75
4,87 4,87
4,99
5,11

5,11

5,23
5,36
5,49

5,36

5,76
5,90

5,90

6,04
6,19 6,19
6,34
6,49 6,49
6,65
6,81

6,81

6,98
7,15 7,15
7,32
7,50

1,2
1,5

1,5

1,8
2,2

2,2

2,7
3,3

3,3

3,9
4,7

4,7

5,6
6,8

6,8

8,2

7,50

7,68
7,87 7,87
8,06
8,25 8,25
8,45
8,66 8,66
8,87
9,09 9,09
9,31
9,53 9,53
9,76

Tabla 3.1 Serie


de valores
normalizados segn
E.I.A.

57

ELECTRNICOS

As, en la columna E24 de la tabla 3.1 todos los valores de esta columna corresponden a una relacin
de tolerancia de 5 %. Si las necesidades del circuito admiten una tolerancia del 10 %, se puede pasar
con menos valores: partiendo de la columna E24, se deja uno de cada dos valores y as resulta la colum
na E12. De igual forma se obtiene la columna E6 (dejando uno de cada dos valores de la columna E12).
Tambin se observa en la tabla 3.1 que los valores obtenidos se solapan debido a las toleran
cias de fabricacin.
Sin duda el lector se preguntar qu ocurre con los valores de resistencias elevadas, ya que las
columnas E de la tabla 3.1 estn compuestas de nmeros formados por una unidad y uno o dos
decimales. Pues bien, la obtencin de los dems valores de resistencias se realiza multiplicando es
tos valores bsicos por 10, 100, 1.000, etc. As, del valor bsico 6,8 O resultan los valores deriva
dos: 68 2, 680 2, 6,8 k2 , 68 k2, 680 k2, etc.
Finalmente, cabe decir que en los circuitos electrnicos para radio y televisin se utilizan resis
tencias de las columnas E12 y E24, debido a que corresponden a tolerancias bastante aceptables
(10 % y 5 % respectivamente) y as no se encarecen en exceso los aparatos. En circuitos de pre
cisin, como en los aparatos de medida, donde lo ms importante no es el precio sino la calidad,
se utilizan resistencias de precisin con tolerancias del 1%, e incluso menos.

Estabilidad
La estabilidad y la precisin son trminos que a veces pueden crear confusiones.
La estabilidad es el cambio de valor de la resistencia en condiciones de almacenamiento o de
trabajo, mientras que la precisin es la tolerancia de la resistencia al ser fabricada o seleccionada.
As, se puede definir la estabilidad com o el grado de independencia del valor hmico de la re
sistencia frente a la temperatura, humedad, envejecimiento, etc.
Est demostrado que la variacin de temperatura (bien sea del medio ambiente, bien sea por el calor
generado en las resistencias), origina incrementos permanentes en el valor hmico de las resistencias,
mientras que altos ndices de humedad aumentan transitoriamente el valor hmico de las resistencias.
En general, las resistencias ms estables son las bobinadas (del orden del 1 al 2 %), seguidas,
en este orden, por las de pelcula metlica, las de pelcula de carbn y las aglomeradas.

Tensin mxima de trabajo


La tensin mxima de trabajo es la tensin mxima que puede aplicarse a una resistencia en fun
cin del valor hmico, con el fin de no sobrepasar la potencia mxima de disipacin.
As, para una resistencia de 2.000 2 y 2 W, la tensin mxima aplicable es de 20 V, puesto que:
r

20 V

" f " 200 2 "

P = V I = 20Vx0,1 A = 2W
Tambin la longitud de la resistencia influye sobre la tensin mxima que debe aplicrsele. Pue
de admitirse que para una resistencia de 5 cm de longitud la tensin mxima aplicable es de unos
1.000 V, mientras que para resistencias de longitud 1/4 de la anterior, es decir, 1,25 cm, la tensin
mxima de trabajo es inferior a 50 V.
De todas formas este parmetro difiere de uno a otro tipo de resistencia, por lo que los fabri
cantes especifican este dato en sus catlogos.

Coeficiente de tensin
Cuando a una resistencia se le aplica una tensin entre sus terminales, el valor de sta sufre una
variacin, la cual es proporcional a la calidad de la resistencia. Esta variacin del valor de la resis
tencia es, a su vez, tanto mayor cuanto mayor sea el valor hmico de la resistencia, siendo por tan
to acusable para valores elevados, por encima de los 100 k2.
En las resistencias de carbn la variacin que sufre el valor hmico de la resistencia es del orden
del 0,02 % por cada voltio aplicado; en las resistencias de pelcula metlica esta variacin es de tan
slo el 0,0001 % por voltio aplicado; y en las bobinadas la variacin es prcticamente nula.

RESISTENCIAS

En los catlogos de los fabricantes este valor suele expresarse en partes por milln (ppm). As,
por ejemplo, una resistencia de pelcula de carbn que tenga un coeficiente de tensin inferior a
5 ppm, significa que su valor hmico varia en 5 ohmios por cada milln de ohmios y por voltio apli
cado. Si la resistencia es de 100 kQ y la tensin a ella aplicada es de 10 V, la variacin que sufrir
el valor de dicha resistencia ser inferior a:

100.000 O x - nr^ ^
1.000.000

x 10 V = 5

Valor que es totalmente despreciable.

Resistencia crtica
Se denomina resistencia crtica aquel valor de resistencia que para su potencia nominal de disipa
cin provoca una caida de tensin igual al mximo admisible por el tipo de resistencia.
As, si 1/ es la tensin mxima admisible por la resistencia y P la potencia de disipacin nominal
de sta, el valor de resistencia crtica Rc ser:

R c = 'p
C

Dado que la tensin mxima de trabajo es del orden de 200 a 800 V y la potencia de disipacin
no sobrepasa los 2 W (por el tamao de la resistencia), la resistencia crtica variar de una a otra.

Tensin de ruido
La tensin de ruido o ruido de fondo de una resistencia es un factor muy importante a la hora de
elegir un tipo determinado de resistencia, pues afecta a la calidad del aparato fabricado.
Efectivamente, en toda resistencia se generan dos tipos de ruido:
1. Ruidos de agitacin trmica.
2. Ruidos debidos a los cambios internos en la resistencia cuando la corriente circula a travs
de ella.
El primero es debido a la agitacin molecular que se genera en cualquier conductor sometido a
temperaturas superiores al cero absoluto.
El segundo se debe a que, cuando una corriente circula por una resistencia, aparece en ella una
cada de tensin que no es absolutamente constante, variando continuamente dentro de unos l
mites. A esto se le da el nombre de ruido de fondo, y es independiente del primero.
La tensin de ruido depende del tipo de resistencia y se expresa en |V por voltio de cada de
tensin.
A mayor resistencia ms tensin de ruido se genera, as como a menor potencia de disipacin, tal y
como se puede apreciar en la figura 3.17, donde se muestran las curvas de tensin de ruido, en funcin
dei valor hmico, de diferentes resistencias de pelcula de carbn de potencias de disipacin distintas.

3.17 Curvas caractersticas


de la tensin de ruido en
funcin de la resistencia
hmica y de la potencia
de disipacin, en varias
resistencias de pelcula
de carbn.

59

COMPONENTES ELECTRNICOS

As, por ejemplo, una resistencia de pelcula de carbn, de 0,33 W de potencia de disipacin a
40 C y 20 Q de valor nominal, genera una tensin de ruido de unos 0,6 p.V por voltio aplicado,
mientras que una resistencia de 2 MQ y 2 W de potencia de disipacin a 40 C genera ms de 1 pV
por voltio aplicado.
De estas curvas se deduce que son preferibles las resistencias de elevada potencia de disipa
cin y bajo valor hmico para las etapas de preamplificacin, ya que de lo contrario la tensin de
ruido ser elevada y, como ser amplificada en etapas siguientes, se reproducir en el altavoz con
intensidad apreciable.
Las resistencias de pelcula de metal y las de pelcula de xido generan una tensin de ruido
muy baja, siendo por tanto idneas para ser utilizadas en etapas preamplificadoras.
La experiencia demuestra que en las resistencias de composicin (compuestas por diversos
materiales) el ruido de fondo crece linealmente con la corriente, mientras no se pase de unos 15 mA.
Para comentes ms elevadas el ruido de fondo presenta un curso parablico.
Como se ha dicho, y lo repetimos por su importancia a veces olvidada, la tensin de ruido afec
ta en gran medida a las etapas preamplificadoras de baja frecuencia, puesto que se amplifica en
sucesivas etapas y puede llegar a aparecer con gran amplitud a la salida de la etapa final; por esta
razn en los equipos de cierta categora es imprescindible utilizar resistencias de elevada calidad en
las etapas preamplificadoras.

Temperatura mxima de trabajo


La temperatura ambiente afecta en gran medida a las resistencias. As, las resistencias aglomera
das de carbn soportan temperaturas de hasta unos 100 C; sobrepasada sta, se producen cam
bios en la estructura de la envolvente usada para la amalgama de la resistencia.
La temperatura mxima recomendada en la superficie es de unos 110 a 115 C.
Las resistencias pirolticas pueden funcionar con temperaturas superficiales mximas de 150 C,
las de pelcula metlica a 200 C y las de pelcula de xido a 300 C.
Para las resistencias bobinadas recubiertas de barniz, o con esmalte vitreo protector del arrolla
miento, la temperatura mxima de trabajo depende de la cubierta protectora. Con cubierta de barniz
la temperatura mxima recomendable es de 130 C, mientras que para los tipos de cubierta vitrea
el lmite es muy superior, por encima de 320 C (algunas pueden trabajar a 450 C).

Lmites de frecuencia
En corriente alterna, las resistencias aglomeradas de carbn con valores hmicos alrededor de los 10 kQ
se comportan como resistencias puras hasta frecuencias de varios MHz. Para frecuencias ms altas
la capacidad de derivacin de la resistencia llega a ser predominante y la impedancia desciende.
La inductancia de las resistencias aglomeradas de carbn no es causa, generalmente, de per
turbaciones con frecuencias inferiores a los 100 MHz.
En los circuitos atenuadores, de carga, o divisores de tensin utilizados en VHF y UHF, debe te
nerse en cuenta que las resistencias de capa espiralada y, sobre todo, las bobinadas presentan una
autoinduccin nada despreciable. Por ello, en estos circuitos es aconsejable utilizar las resistencias
aglomeradas o las de capa sin espiralar.
En las resistencias de pelcula sin espiralar, el valor hmico sufre menos alteracin a elevadsimas frecuencias, debido al efecto pelicular de la corriente alterna, pues el elemento resistivo es pre
cisamente una pelcula.
Los fabricantes de resistencias indican en sus catlogos la influencia de la frecuencia sobre la
resistencia.
En la figura 3.18 se han dibujado las curvas caractersticas del cociente Z/Rn de tres resisten
cias de 10 kQ, 100 kQ y 1 MQ en funcin de la frecuencia. Se observa que cuanto mayor es el va
lor de la resistencia menor es el cociente Z/R, es decir, ofrece menor impedancia al paso de la alta
frecuencia.
Veamos un ejemplo de lectura de las curvas de la figura 3.18: supongamos una resistencia de
10 kQ y otra de 100 kQ trabajando en un circuito por el que circula una corriente de 10 MHz; en
esta circunstancia, el cociente Z/R v de la resistencia de 10 kQ es de 1, es decir, que ofrece una im
pedancia de 10 kQ al paso de la corriente alterna.

60

RESISTENCIAS

101

10

3.18 Curvas caractersticas


del cociente Z/R en funcin
de la frecuencia, en tres
resistencias de pelcula de
carbn espiralado.

103 /(MHz)

Sin embargo, la resistencia de 100 kQ presenta un cociente Z /fn de, aproximadamente, 0,68, lo
que quiere decir que, aunque su resistencia hmica sea de 100 k2, su impedancia al paso de la co
rriente alterna es de slo 68 kQ, lo cual influye, sin duda, en el correcto funcionamiento del circuito.
Como consecuencia de lo expuesto se puede afirmar que, en los circuitos que han de trabajar
con altas frecuencias, las resistencias han de tener las siguientes caractersticas generales:

Dimensiones lo ms pequeas que sea posible.


Resistencia reducida.
Ser del tipo de pelcula.
Son preferibles las resistencias largas y finas que las cortas y gruesas.
Las conexiones deben ser tan cortas como sea posible.
No deben presentar deformaciones geomtricas bruscas a lo largo de su longitud.

Coeficiente de tem peratura


El valor hmico de cualquier resistencia difiere de una temperatura a otra. La variacin del valor hmico de la resistencia con la temperatura puede calcularse por medio del denominado coeficiente
de temperatura.
En la tabla 3.2 se indican los coeficientes de temperatura aproximados para cada clase de re
sistencia.

Tipo de resistencia

Temperaturas
lmites de
medida en C

Aglomeradas de carbn

+20 a +70

0,12

oro platino

-4 0 a +150

+0,025 a + 0,06
segn composicin

nquel cromo

-4 0 a +150

+0,015 a +0,02
segn composicin

-4 0 a +300

-0,05 a +0,05

de uso general

+20 a +130

+0,02

de precisin

+20 a +130

+0,0005

Pelcula metlica

Pelcula de xido
Bobinadas

Coeficiente de
temperatura
(% por C)

Tabla 3.2
Coeficientes de
temperatura de las
resistencias.

61

COMPONENTES ELECTRNICOS

De la tabla 3.2 se deduce que para instrumentos de precisin las mejores resistencias son las
bobinadas de precisin, ya que son las menos afectadas por el coeficiente de temperatura. Las re
sistencias aglomeradas de carbn son las ms susceptibles a la temperatura, ya que su valor h
mico vara un 0.12% por cada grado centgrado de variacin de la temperatura.
Los fabricantes de resistencias suelen indicar en sus catlogos el coeficiente de temperatura
mediante datos numricos o mediante curvas caractersticas, como la de la figura 3.19, referida a
resistencias de pelcula de carbn.

p.p.m.

Intervalo de confiama del 90 %

3.19 Coeficiente
de temperatura en
partes por milln
y grado centgrado
en funcin del valor
nominal, en una
resistencia de
pelcula de carbn.

Valor
medio

En las curvas caractersticas de la figura 3.19 se comprueba que el coeficiente de temperatura


se expresa en partes por milln por grado centgrado, en funcin del valor hmico.
A partir de cierto valor hmico (unos 10 kQ) el coeficiente de temperatura desciende rpida
mente, mientras que permanece constante entre 10 Q y 10 kQ. Por debajo de 10 Q el coeficiente
de temperatura puede ser positivo e inferior a 150 ppm/C.
En la curva de la figura 3.19 se ha indicado un intervalo de confianza del 90 % (lneas a trazos)
ya que el valor medio (lnea continua) est tom ado de una muestra de resistencias bajo prueba, cu
yos coeficientes de temperatura oscilan por encima y por debajo de dicha lnea continua hasta los
lmites dados por las lneas discontinuas.
Veamos finalmente un ejemplo de utilizacin de esta curva; para ello, tomaremos com o referen
cia la lnea continua de valores medios y supondremos que a 25 C el valor hmico de una resis
tencia es de 100 kQ.
De la figura 3.19 se obtiene un coeficiente de temperatura de, aproximadamente, 210 ppm/C,
el cual es negativo por ser de carbn.
Si en esta circunstancia, y debido al funcionamiento del aparato, la temperatura ambiente sube
a, por ejemplo, 45 C, el valor hmico de la resistencia bajar a:

= " [ - T ^ o 145 ^ - 25
= 100.000 Q (1 - 0,00021 x 20 C) = 99.580 Q
Es decir, el valor hmico de la resistencia ha disminuido en 420 Q.
Para finalizar, diremos que si bien en las resistencias de carbn el coeficiente de temperatura es
negativo, como en el ejemplo expuesto, en las metlicas el coeficiente es positivo. As, una resis
tencia de pelcula metlica suele tener un coeficiente de temperatura de 100 ppm /C, valor ste
muy bajo y que la hace muy estable ante cambios de temperatura.
Bajo pedido especial los fabricantes de resistencias de pelcula metlica pueden suministrar re
sistencias con coeficientes de temperatura de tan slo 50 ppm/C.

62

RESISTENCIAS

Soldabilidad
El sobrecalentamiento a que es sometida cualquier resistencia ai ser soldada a un circuito puede
provocar alteraciones en la misma, sobre todo en las aglomeradas de carbn y, en menor exten
sin, en las pirolticas.
Este cambio, debido al sobrecalentamiento, puede llegar a ser bastante importante (del orden
de un 25 %, de forma permanente) al soldar conexiones excesivamente cortas en equipos minia
tura. Para evitar estos cambios de valor es aconsejable no efectuar soldaduras a distancias inferio
res a 1,25 cm de la resistencia.
Estos efectos tambin pueden mitigarse efectuando soldaduras rpidas, uniendo el terminal de
conexin de la resistencia a un elemento metlico que absorba el exceso de calor (por ejemplo las
puntas de unos alicates) y el cual no deber separarse antes de 15 segundos despus de quitar el
soldador, consen/ando limpias todas las superficies de las soldaduras, estaando los terminales de
la resistencia antes de efectuar la soldadura y manteniendo un buen contacto trmico entre el sol
dador y el punto de unin.

Almacenamiento
Durante el almacenamiento las resistencias sufren cambios en su valor hmico, ms o menos im
portantes segn el tipo.
Las resistencias aglomeradas pueden cambiar en un 5 %, las bobinadas en un 0,5 % y las de
pelcula metlica en slo un 0,1 % (e incluso menos).

INDICACIN DEL VALOR DE UNA RESISTENCIA


El valor hmico de una resistencia se indica por medio de cifras (en las bobinadas, por ejemplo) o
por anillos de color grabados sobre el cuerpo de la resistencia (en las aglomeradas de carbn y en
las de pelcula metlica o de carbn).
El sistema de indicacin del valor hmico mediante anillos de color presenta las siguientes ven
tajas:

En resistencias muy pequeas es ms perceptible el color que unas cifras impresas.


Los anillos de color son bien legibles desde cualquier punto de vista, lo que es especial
mente ventajoso si las resistencias estn en lugares poco accesibles.

A las ventajas expuestas se contraponen las siguientes desventajas:

La impresin en color del valor de las resistencias es ms cara que la impresin en cifras.
Es necesario aprender de memoria el cdigo para no tener que mirarlo constantemente.

Existen dos mtodos de indicar el valor hmico de una resistencia mediante anillos de color. El
primero se utiliza para las resistencias de las series E6, E12 y E24, y consiste en cuatro anillos de
color (tres para el valor hm ico y uno para la tolerancia); el segundo se utiliza para resistencias
de las series E48 y E96, y consiste en cinco anillos de color (cuatro para el valor hmico y uno para
la tolerancia).
En la tabla 3.3 se indican los valores de la clave de colores internacional, o cdigo de colores,
para las resistencias de las series E6, E12 y E24, puesto que com o se puede com probar en la ta
bla 3.1 los valores normalizados de estas tres series estn constituidos por dos cifras significativas
y un factor por el que se multiplican.
El cuarto anillo corresponde a la tolerancia, la cual es de 20 % para la serie E6, 10 % para la
serie E12 y 5 % para la serie E24.
Los anillos se leen desde un extremo hacia el centro de la resistencia, tal y com o se indica en la
figura 3.20, aunque en ocasiones los anillos en vez de estar dispuestos a un lado estn pintados
en el centro, en cuyo caso se deber disponer el anillo correspondiente a la tolerancia en el lado
derecho.

63

COMPONENTES ELECTRNICOS

.......... ,
COLOR

::

1.er anillo
-------------- -------------

>:L;'0 ' 1 3.a' anillo


oi:colc
Factor

2.a cifra

1.a cifra

Tabla 3.3
Cdigo de colores
internacional para
identificacin de
resistencias de las
series E6. E12
y E24.

2. anillo

4. anillo

----------------------Tolerancia

Negro

10

Marrn

101

Rojo

102

Naranja

103

Amarillo

10"

Verde

10f>

Azul

106

Violeta

107

Gris

10

Blanco

10

Plata

0,01

10%

Oro

0,1

5%

Ninguno

20 %

El anillo correspondiente a la tolerancia, que normalmente es dorado o plateado, se lee en uno


y otro caso en ltimo lugar.

1." anillo (V1cifra)


2.5anillo (2? cifra)
3.e' anillo (Factor multiplicador)
Tolerancia

3.20 Orden de lectura de los


anillos de una resistencia de las
seres E6, E12 o E24.

El primer anillo indica la primera cifra del valor de la resistencia y el segundo anillo la segunda ci
fra. Ambos anillos indican un nmero de dos cifras, que ha de estar incluido en las columnas nor
malizadas E6, E12 o E24 de la tabla 3.1.
El tercer anillo indica el factor por el cual se tienen que multiplicar las dos primeras cifras para
obtener el valor definitivo de la resistencia en ohmios. El cuarto anillo indica la tolerancia.

64

RESISTENCIAS

En la tabla 3.4 se puede ver el cdigo de colores de identificacin de resistencias de las series
E48y E96.
Consta de un total de cinco anillos, puesto que las columnas E48 y E96 poseen tres cifras sig
nificativas. Se trata de resistencias de precisin, menos utilizadas que las anteriores.

COLOR

4. anillo
%w,mt!j

1 er anillo

2. anillo

3 o anillo

1.Hcifra

2.a cifra

3.a cifra

10

Negro

Factor

^/, iv?

5.a anillo
Tolerancia.

Marrn

101

1 %

Rojo

10s

2 %

Naranja

103

Amarillo

10"

Verde

105

0,5 %

Azul

10fi

Violeta

107

Gris

108

Blanco

10!

Plata

0,01

Oro

0,1

Tabla 3.4
Cdigo de colores
internacional para
identificacin de
resistencias de las
seres E48 y E96.

En la figura 3.21 se puede ver la forma de leer los anillos de estas resistencias, muy similar a la
indicada para la figura 3.20, pero con la particularidad de que el tercer anillo corresponde ahora a
la tercera cifra significativa en lugar del factor multiplicador.

I.61" anillo (1.3 cifra)


2.- anillo (2.3cifra)
3.e: anillo (3 3 cifra)
4.s anillo (Factor multiplicador)
Tolerancia

-< w >

3.21 Orden de lectura de los


anillos de una resistencia de
las series E48 o E96.

65

COMPONENTES ELECTRNICOS

ELECCIN DE LA RESISTENCIA ADECUADA


En este captulo hemos visto las resistencias utilizadas en electrnica y sus caractersticas tcnicas.
Tambin hemos subrayado, en repetidas ocasiones, que no todas las resistencias son utilizables en cualquier circuito electrnico, ya que es fcil que no le proporcionen la calidad final que de
ellos se espera, como ocurre por ejemplo con las resistencias aglomeradas de carbn, las cuales
generan mucho ruido y, por lo tanto, no son utilizables en etapas preamplificadoras.
Mediante la tabla 3.5 se puede elegir la mejor resistencia para un determinado circuito, pues en
ella se resumen las caractersticas generales de los diversos tipos de resistencias, en aquellos pun
tos que ms influyen en la eleccin.
, ,
Tipo
l i l i !
,

Gama de
potencias
m

, ,, ,
Gama de

Gama de

Coeficiente
de
temperatura
% a aC;

ndice
de precio
respecto
a las de
carbn
aglomerado

<20

150
250
500
500

-0,4 a -2

<2

300
450

-0,2 a -0,5

1,31

-0,2 a -0,5

1,54

.
0,25
0,5
1
2

10 - 10 m
3,3 - 22 M
10 - 22 M
220 - 22 M}

5-10-20
5-10-20
5-10-20
5-10-20

sin espiralado

0,5
1

3,3 - 22 M
10 f - 22 M

5 - 10
5 -1 0

con espiralado

1/8
0,25
0,5
1
2

10 - 330 k
1 - 1 M}
1 - 22 M
3,3 - 22 M}
1 0 -2 2 M

normal:
2-5-10
envejecida:
0,5 - 1 - 2

Pelcula de nquel
y cromo aleados

0,25
0,5
1

1 - 1 M}
0,47 - 1,5 M
1 - 4,7

0,1 - 0,5 - 1 - 2

<0,3

200
300
500

-0,1 a + 0,1

3a6

Pelcula de oro
y platino aleados

0,25
0,5
1

0,33 - 220 k
0,33 - 220 k
0,33 - 220 k

0,5 - 1

<0,1

0,25 a 0,35

7,7

10 - 10 M

1-2-5

0,5-2

-0,4 a +0,4

1 a 1000

0,1 - 220 k

2-5-10

-0.1 a +0.1

muy variable

Carbn aglomerado

Pelcula de
carbn

Pelcula de xido de estao


Bobinadas

Tabla 3.5 Caractersticas generales de las resistencias.

66

<2

125
250
500
750
750

Resistencias ajustables
y potencimetros

INTRODUCCIN
Todas las resistencias estudiadas en el captulo precedente poseen un valor nominal fijo, no variable.
No obstante, se fabrican tambin resistencias cuyo valor hmico puede modificarse entre un valor
mnimo (generalmente cero ohmios) y un valor mximo. Para ello se les aaden unos dispositivos m
viles. Estas resistencias reciben el nombre de resistencias ajustables (o restatos) y potencimetros.
Las resistencias ajustables estn dotadas de un dispositivo mvil, con el que se tom a parte de
su valor total y ste se fija despus permanentemente.
Estas resistencias se utilizan para ajustar el valor total de una cadena de resistencias a un valor
fijo, bien determinado, que permita el funcionamiento en unas determinadas condiciones. Normal
mente el dispositivo de ajuste no es accesible directamente desde el exterior del aparato, con el fin
de evitar su manipulacin por profanos.
Como ejemplo de aplicacin de estas resistencias podemos citar la utilizada para equilibrar una
etapa de potencia en contrafase.
Los potencimetros son resistencias dotadas de un dispositivo mvil mediante el cual se toma
parte del valor total (al Igual que las ajustables), pero con la importante diferencia de que forman un
divisor de tensin, es decir, en todo momento circula corriente por la totalidad del elemento resisti
vo, y una conexin central, variable en posicin, tom a parte del valor total de la resistencia.
Al igual que las ajustables, tambin se utilizan para hacer funcionar un circuito bajo unas condi
ciones dadas, pero permitiendo su modificacin. El dispositivo mvil es normalmente accesible
desde el exterior del aparato, pudiendo ser manejado por cualquier persona.
Como ejemplos de estos potencimetros podemos citar el de regulacin de volumen de un am
plificador de audio, o el de regulacin de brillo de un televisor.

RESISTENCIAS AJUSTABLES
Las resistencias ajustables estn constituidas por una lmina de carbn aglomerado, con una co
nexin fija al exterior por uno de sus extremos. Sobre la lmina de carbn aglomerado se desliza
un segundo contacto (figura 4.1).

Lmina de carbn

Curs

Terminales de la resistencia

4.1 Constitucin de una


resistencia ajustable de carbn
aglomerado.

67

COMPONENTES ELECTRNICOS

Segn sea la posicin del cursor sobre la capa de carbn, as ser el valor de la resistencia.
Otro tipo de resistencias ajustables son las bobinadas, las cuales estn dotadas de una abra
zadera deslizante por el cuerpo de la resistencia, y que segn sea su posicin tomar uno u otro
valor del total (figura 4.2).

4.2 Constitucin de una


resistencia ajustable bobinada.

Anillo deslizante

Tanto en uno com o en otro caso estas resistencias poseen slo dos elementos de conexin, lo
cual las diferencia de los potencimetros (dotados de tres elementos de conexin).
El valor hmico de la resistencia est comprendido entre un valor nulo (cuando el cursor est
junto al contacto fijo) y un valor mximo que depende del valor hmico total del elemento resistivo
(cuando el cursor se encuentra en el extremo opuesto de la resistencia).
Cuando el cursor est junto al contacto fijo, o prximo a l, la resistencia es nula (o casi nula), por
lo que la intensidad de corriente que por ella circula es muy elevada, dando lugar a un calentamiento
excesivo del elemento resistivo y, por lo tanto, se corre el riesgo de su destruccin. Por este motivo,
las resistencias de ajuste se utilizan siempre en asociacin con una resistencia en serie, de valor fijo,
que limita la intensidad de corriente, evitando que se produzca un cortocircuito directo (figura 4.3).

4.3 La resistencia f, en serie con


la resistencia ajustable fA, limita la
intensidad de corriente que circula
por esta ltima cuando su
resistencia es muy baja.

A
f>

/
T

De todas formas, es absurdo utilizar una resistencia ajustable entre los dos polos de una fuen
te de alimentacin, ya que su misin, como ya se ha indicado, es ajustar el valor hmico de una ca
dena de resistencias a su valor correcto. As, en el caso de la figura 4.3, la resistencia R forma con
fA un divisor de tensin que, por exigencias del circuito, deber ser de valor exacto o variable en
tre dos lmites muy estrechos. Si, por ejemplo, la tensin en bornes del conjunto ha de ser dividida
exactamente por dos, se pueden utilizar dos resistencias iguales pero, debido a las tolerancias de
fabricacin de las resistencias, esto es difcil de obtener. Sustituyendo una de ellas por una resis
tencia ajustable resulta mucho ms fcil obtener el valor de tensin deseado.
Para finalizar, en la figura 4.4 se muestra el aspecto externo de algunas resistencias ajustables.

4.4 Fotografas de cuatro


resistencias ajustables
(dos de ellas miniatura),
para disposicin vertical
y horizontal sobre circuito
impreso.

68

RESISTENCIAS AJUSTABLES Y POTENCIMETROS

POTENCIMETROS
Los potencimetros son muy similares a las resistencias ajustables, aunque en ellos se aade un
tercer terminal que hace que su funcionamiento sea totalmente distinto.
Adems de la resistencia variable, existe una resistencia fija formada por toda la capa de car
bn. Por la totalidad de la capa de carbn siempre circula corriente.
En la figura 4.5 se puede ver la constitucin de un potencimetro de carbn.Comparndola
con la figura 4.1 se aprecia la existencia del tercer terminal.

4.5 Constitucin de un
potencimetro de carbn
aglomerado.

Entre los terminales extremos existe siempre una resistencia de valor fijo. Entre el terminal cen
tral (el del cursor) y cada uno de los extremos el valor hmico es variable entre un valor nulo y el
mximo propio del elemento resistivo, segn sea la posicin del cursor.
Se puede comparar el potencimetro con un divisor de tensin formado por dos resistencias en
serie cuyos valores individuales cambian de valor segn la posicin del cursor, pero cuyo valor h
mico total es siempre el mismo; es decir, un divisor de tensin en el cual el aumento de valor de una
de sus resistencias supone una disminucin del mismo valor en la otra.

Clasificacin de los potencimetros


Existe gran variedad de potencimetros, cada uno de ellos diseado para fines concretos. En un
principio se pueden clasificar en dos grandes grupos:

Potencimetros ajustables
Potencimetros variables

Los potencimetros ajustables son aquellos cuyo cursor se desplaza, durante el ajuste del apa
rato, a una posicin bien determinada, permaneciendo en ella de forma fija durante prcticamente
toda la vida del aparato al que pertenece, a menos que el envejecimiento o reparacin del mismo
aconseje un nuevo ajuste.
Los potencimetros variables son aquellos que pueden accionarse en cualquier momento para
variar las condiciones de funcionamiento del aparato, para lo cual se disponen de forma que sean
fcilmente accesibles por el usuario.
Adems de esta primera clasificacin, los potencimetros tambin pueden clasificarse en po
tencimetros de uso general y en potencimetros de precisin.
Los de uso general pueden subdividirse en potencimetros de hilo bobinado y en potencime
tros de carbn. Normalmente siguen leyes lineales y logartmicas.
Los potencimetros de precisin son siempre de hilo bobinado y, generalmente, siguen leyes li
neales, senoidales, cosenoidales u otras funciones matemticas.
Ya se ha dicho que los potencimetros, tanto los de ajuste como los variables, se fabrican de
numerosas formas constructivas. Dado que exponerlas todas resulta de difcil y larga exposicin, a
ttulo de ejemplo, exponemos a continuacin algunas de ellas.

69

COMPONENTES ELECTRNICOS

4.6 Fotografas de ocho


potencimetros de ajuste
(cuatro de ellos miniatura)
para disposicin vertical y
horizontal sobre circuitos
impresos.

En la figura 4.6 se muestran varios potencimetros de ajuste. En todos ellos se observa la pre
sencia de tres terminales de conexin (en lugar de los dos que tienen las resistencias ajustables de
la figura 4.4).
Observando con atencin la figura 4.6, en la cual todos los potencimetros estn fotografiados
con la misma ampliacin, se puede observar que los cuatro primeros (a, b. c y d) son miniatura.
Los potencimetros b, c, f y g de la figura 4.6 tienen el terminal del cursor dispuesto entre los
terminales extremos, mientras que los potencimetros a, d, e y h lo tienen dispuesto en el centro,
pero en el extremo opuesto del cuerpo del componente.
Tambin se puede observar en la figura 4.6 que unos modelos son para conexin vertical y
otros para conexin horizontal sobre circuito impreso.
Con todo ello queremos hacer patente que son innumerables los diseos que el fabricante pone
en manos del profesional, de forma que siempre se puede encontrar el modelo que mejor se ajus
te a las necesidades del montaje.
Todos los potencimetros de ajuste de la figura 4.6 estn dotados de una ranura en su rgano
mvil. En dicha ranura se introduce la punta de un destornillador para girar a derecha o izquierda el
elemento deslizante de ajuste. De esta forma slo los entendidos procedern al ajuste del poten
cimetro, evitando que manos inexpertas manipulen el interior del aparato y provoquen el desajus
te del circuito. Como ejemplo de aplicacin de estos potencimetros citamos el control automtico
de ganancia de receptores de radio y televisin.
En la figura 4.7 se muestran varios potencimetros de ajuste dotados de un pequeo botn de
plstico, mediante el cual se acciona el cursor del potencimetro, haciendo innecesario el uso del

4.7 Fotografa de varios


potencimetros de ajuste,
dotados de un botn de
plstico que facilita la
labor de ajuste.

70

RESISTENCIAS AJUSTABLES Y POTENCIMETROS

destornillador. Estos potencimetros suelen utilizarse en aquellas partes de un aparato en las que
el accionamiento de los mismos no presupone un grave desajuste del circuito. Al igual que los an
teriores, se fabrican en unidades independientes o con varios en un mismo cuerpo, para montaje
horizontal o vertical, etc.
En la figura 4.8 se muestran varios potencimetros de carbn, de los denominados de mando,
los cuales se utilizan en aquellas partes del conjunto de circuitos que han de ser controladas por el
usuario, por ejemplo, los controles de tono, volumen, brillo, contraste, etc., de un televisor.

4.8 Fotografa de varios potencimetros de carbn para mando.

Se fabrican con ejes de diferente longitud, lo que permite su salida al exterior del mueble por los
orificios preparados para ello, aunque en ocasiones es preciso cortar parte del extremo del eje para
adaptarlo a las dimensiones que exija el botn de mando. Los ejes suelen ser cilindricos, aunque
tambin se fabrican con un pequeo rebaje lateral que evite el deslizamiento del botn de mando,
ya sea mediante un tornillo de presin o mediante un botn de mando cuyo orificio se adapte a la
forma del esprrago del potencimetro.
Se observa, en la figura 4.8, que los terminales de conexin de estos potencimetros se dispo
nen en la parte lateral o en la posterior de sus cuerpos, con terminales rectos o doblados, lo cual
facilita la conexin al circuito segn el diseo de ste.
Si bien los potencimetros de ajuste estudiados anteriormente se sujetan por soldadura de los
terminales, los de mando se sujetan mediante tuerca y contratuerca (figura 4.8), ya que estn so
metidos a mayores esfuerzos mecnicos.
Tambin se fabrican grupos de dos o tres potencimetros de carbn dispuestos en un mismo
cuerpo y gobernados por un nico eje, o bien con dos ejes coaxiales que permiten el gobierno por
separado de cada uno de los potencimetros. Mediante estos potencimetros es posible regular
simultneamente dos etapas electrnicas, o bien regularlas por separado, con un botn especial
cuya parte posterior gobierna un potencimetro y la parte anterior el otro.
En aparatos de radio porttiles de pequeo tamao alimentados por pilas, en los que la inten
sidad de corriente es pequea, se utilizan potencimetros miniatura dotados de interruptor, como
los de la figura 4.9. En estos potencimetros los dos'term inales extremos (ms anchos) corres
ponden al interruptor y los tres centrales al potencimetro. Al inicio del recorrido se abre o se cie
rra el circuito de alimentacin, de forma que la puesta en marcha y apagado de! aparato siempre
se realiza con volumen sonoro a cero.

4.9 Pequeos
potencimetros de
carbn dotados de
interruptor, muy
utilizados en receptores
de radio porttiles.

71

COMPONENTES ELECTRNICOS

4.10 Potencimetro de
accionamiento longitudinal
dotado de terminales con ojete
para conexin a cableado.

En la actualidad, suelen utilizarse bastante los potencimetros de control de volumen, brillo,


contraste, etc., de accionamiento longitudinal en vez de rotacional (figura 4.10). Este tipo de poten
cimetros tiene la ventaja, respecto a los giratorios, de ofrecer una mejor visualizacin de la posicin
del cursor por parte del usuario, mediante la colocacin de una escala longitudinal.
Son muy utilizados en aquellos circuitos donde existe una gran concentracin de componentes,
pues admiten su montaje en batera aprovechando de forma ptima el espacio disponible.

Trimmers potenciomtricos SMD


La creciente miniaturizacin de los circuitos electrnicos afecta a todos los componentes y, natu
ralmente, los potencimetros no son una excepcin.
En la figura 4.11 se muestran varios potencimetros para montaje superficial (SMD).

1.75
| 1. 5
iO.65

4.11 Trimmers potenciomtricos


para montaje superficial (SMD),
con las respectivas plantillas
de los contactos para el
diseo del circuito impreso.

fo.9
fu,

+-

r
-

iT

12

08 J .

l
i

1. 2
T

14J

3. 2

Se fabrican en estructura abierta y cerrada, con dimensiones de 2 a 12 mm2 segn modelo. Es


tos potencimetros soportan muy bien la soldadura de reflujo y la manual, siendo ideales para el
montaje automtico.
El ajuste del valor hmico se realiza mediante una huella en cruz en la parte superior del poten
cimetro. Pueden soportar potencias de 150 y 250 mW a 70 C. El elemento resistivo es el cermet,
que posee unas buenas caractersticas de temperatura.

Potencimetros multivuelta
En aplicaciones donde se requiere una gran precisin en el ajuste de los circuitos resulta interesan
te que los potencimetros utilizados en ellos sean del tipo multivuelta, es decir, que para obtener el
valor mximo se deba girar el cursor (tornillo) varias vueltas, que pueden superar las veinte.
En la figura 4.12 se muestran varios potencimetros de esta clase. Las diferencias que se pue
den observar entre unos y otros se encuentran en el acceso al cursor de ajuste, que puede reali
zarse por la parte superior o por una de las caras laterales, y en la disposicin de las patitas de co-

72

RESISTENCIAS AJUSTABLES Y POTENCIMETROS

4.12 Potencimetros
multivuelta.
1. 0 2 :

123
O

O
6.35

TX TV

i sl i . 5i
1 -------------- L
1
1

3 o
i

1
r
LnJ

nexin. Esto permite al diseador elegir aquel modelo que mejor se adapte al circuito, tanto por su
volumen como por la forma de acceso al ajuste.
Las dimensiones de estos potencimetros son muy pequeas, tal y com o se indica en los aco
tados de la figura 4.12.
En todos estos potencimetros el cursor queda inoperante en los extremos del recorrido.

CARACTERSTICAS TCNICAS DE LOS POTENCIMETROS


Al igual que las resistencias, los potencimetros se fabrican de forma que cubran toda una serie de
necesidades tcnicas y econmicas. Con este fin, los fabricantes suministran datos tcnicos sobre
sus caractersticas de funcionamiento, dimensiones, etc. Entre las caractersticas tcnicas de ma
yor inters para el profesional electrnico caben citar las siguientes:

Valor hmico.
Disipacin mxima.
Linealidad.
Resolucin.
Coeficiente de temperatura.
Tensin mxima admisible.
Tolerancia.
Resistencia efectiva mnima.
Resistencia a la humedad.
ngulo de rotacin.
Variacin del valor hmico en funcin del ngulo de rotacin.
Nivel de ruido.
Estabilidad.
Resistencia de aislamiento.
Par de accionamiento.
Par extremo.

73

ELECTRNICOS

Velocidad de accionamiento para potencimetros de servicio continuo.


Comportamiento ante las vibraciones.

A continuacin analizaremos cada uno de los parmetros citados.

Valor hmico
Los potencimetros de hilo bobinado para uso general se fabrican con valores superiores a los 500 Q,
y los de carbn hasta 5 MQ. El lmite inferior es, aproximadamente, de 1 O para los potencime
tros de hilo bobinado y de 10 Q para los de carbn, aunque resulta difcil mantener la estabilidad
de la resistencia por debajo de los 250 Q.
Los potencimetros de precisin se fabrican con una resistencia en el lmite superior de, apro
ximadamente, 100 kQ; por encima de este valor el tamao del potencimetro excede de los 13 cm
de dimetro.
Los potencimetros SMD se fabrican con resistencias de 100 Q a 1 MQ, segn modelo, y los
multivuelta se fabrican con valores de hasta 5 MQ.
Los valores citados pueden hacerse variar, del mnimo al mximo, de forma lineal, logartmica,
antilogartmica, etc., segn las necesidades y aplicaciones del potencimetro. En radio y televisin
slo se utilizan los potencimetros que siguen leyes lineales y logartmicas.
El valor hmico de un potencimetro viene indicado mediante cifras y letras en su propio cuerpo.
As, la indicacin 4K7 lin advierte que se trata de unpotencimetro cuyo valor mximo de resistencia
es de 4.700 Q siguiendo una ley lineal, y laindicacin 10K log,advierte que el potencimetro en cues
tin tiene una resistencia mxima de 10 kQ y sigue una ley logartmica.

Potencia de disipacin mxima


La disipacin mxima, o potencia mxima de trabajo de un potencimetro, depende de la seguri
dad requerida por lo que respecta a la elevacin de temperatura del mismo. Los fabricantes espe
cifican en sus catlogos la potencia mxima de trabajo para una o dos temperaturas ambientes
dadas, las cuales suelen ser de 40 C y 70 C. As, por ejemplo, la potencia mxima de disipacin
de un pequeo potencimetro lineal puede venir expresada de la siguiente forma:

Potencia nominal a 40 C: 0,25 W


Potencia nominal a 70 C: 0,10 W

En otras ocasiones la potencia mxima de trabajo se representa en funcin de la temperatura


mediante una curva caracterstica como la de la figura 4.13. La ordenada se ha dividido en por
centajes de la potencia mxima admisible, mientras que la abscisa se divide en C. De su lectura se
deduce que entre 0 y 40 C el potencimetro admite una potencia de disipacin mxima del 100 % de
su valor, mientras que a partir de 40 C el porcentaje de la potencia de disipacin mxima decre
ce rpidamente, de forma que a 70 C el potencimetro puede resultar daado.

p,(% W)
100%

40 %

4.13 Potencia nominal


de un potencimetro en
funcin de la temperatura.

40

70

T(C)

RESISTENCIAS AJUSTABLES Y POTENCIMETROS

As, un potencimetro cuya potencia nominal sea de 400 mW a 40 G, slo admite 320 mW a
50 C (un 80 % de la nominal), 240 mW a 60 C (un 60 % de la nominal) y 160 mW a 70 C (un 40 %
de la nominal).
A ttulo orientativo, se puede decir que las potencias mximas de trabajo en los potencimetros
de hilo bobinado oscilan entre 0,5 W y 120 W (segn modelo) a 70 C, y entre 1 W y 150 W a 40 C.
En los potencimetros de carbn, las potencias mximas de trabajo son bastante inferiores, varian
do segn el modelo entre 40 mW y 1 W a 70 C, y entre 0,1 W y 2 W a 40 C. En lo que respecta
a los potencimetros SMD las potencias de disipacin no superan los 250 mW a 70 C.
Finalmente cabe decir que los potencimetros que siguen una ley logartmica soportan, a igual
dad de las dems condiciones, una potencia mxima de disipacin algo inferior a los lineales.

Linealidad
Se dice que un potencimetro posee una linealidad ideal cuando a cada incremento igual del n
gulo de rotacin (o del movimiento longitudinal) del contacto deslizante, corresponde un cambio
constante de resistencia.
En la prctica esto nunca se logra, por lo que la linealidad, o la precisin lineal, es la cantidad que
vara la resistencia real, en cualquier punto del contacto deslizante sobre la pastilla de carbn o del hilo,
de la esperada lnea recta que se obtendra en un grfico de coordenadas resistencia-ngulo de giro o
resistencia-recorrido. Por ejemplo, si un potencimetro de 100 k2 proporciona una linealidad de 0,1 %,
ello quiere decir que su valor no debe variar en ms de 100 2 a cada lado de la lnea de error nulo.

Resolucin
Recibe la denominacin de resolucin la variacin de resistencia producida por un cierto cambio de
la posicin del contacto deslizante (generalmente la resistencia por vuelta del hilo resistivo). As, la re
solucin es funcin del nmero de espiras del potencimetro.
Por ejemplo, un potencimetro de 200 2, conteniendo 50 espiras de hilo, tiene una resolucin
de 4 O, es decir, 4 Q por espira.
La resolucin puede definirse ms especficamente com o resolucin en resistencia (ohmios por
vuelta), resolucin en tensin (cada de tensin por vuelta) o resolucin angular (cambio mnimo en
el ngulo del contacto, necesario para producir una variacin de resistencia).
En general la resolucin en resistencia es la mitad de la linealidad. As, si la linealidad es de
0,1%, la resolucin en resistencia ser del 0,05% o incluso menos.

Coeficiente de temperatura
Para obtener el coeficiente de temperatura de un potencimetro se procede com o sigue:
1. Se mide la resistencia del potencimetro, despreciando la resistencia del contacto deslizan
te, a la temperatura ambiente y se anota el valor obtenido.
2. Se eleva la temperatura ambiente y se mantiene hasta que el valor de la resistencia se esta
biliza de nuevo, anotndose tanto la temperatura com o el valor hmico del potencimetro.
3. Las operaciones citadas se repiten tres o cuatro veces.
El coeficiente de temperatura para cada una de las operaciones se calcula mediante la frmula:
( 2 - ^ ) 1 06
fl i f o - r , )
donde:
a = coeficiente de temperatura en partes por milln,
f?, = resistencia a la temperatura inferior, Tv en ohmios.
R2 = resistencia a la temperatura superior, T2, en ohmios.
7", = temperatura inferior en C.
T2 = temperatura superior en C.

75

COMPONENTES ELECTRNICOS

El coeficiente de temperatura medio de las tres o cuatro operaciones efectuadas no debe ex


ceder de 250 partes por milln por grado centgrado (es decir, 0,025 %/C) para los potenci
metros de hilo bobinado de uso general, o de 1.200 partes por milln por grado centgrado en los
potencimetros de carbn (0,12 %/C).
Normalmente, los fabricantes de potencimetros suministran este dato en sus catlogos me
diante cutvas caractersticas como las de la figura 4.14, referida a un potencimetro de carbn. En
esta curva la ordenada se ha dividido en partes por milln y C de temperatura, mientras que la
abscisa se ha dividido en valores hmlcos siguiendo una ley logartmica.

p.p.m./0C

2.500
2.000
1.500

4.14 Curva caracterstica del


coeficiente de temperatura
en partes por milln y C de
temperatura, en funcin del
valor nominal de un
potencimetro de carbn.

10 k

100 k

(Lmite de confianza 95 %)

En la figura 4.14 se ha Indicado tam bin, mediante lnea recta discontinua, el valor aceptable se
gn norma CEI-190, la cual es fcilmente superable por la tecnologa actual.
La lnea continua corresponde a los coeficientes de temperatura, obtenida con valores medios y
con un lmite de confianza del 95 % sobre el valor dado. Se obsen/a que el coeficiente de tempera
tura oscila entre poco ms de 500 ppm /C para los potencimetros por debajo de 200 l y por en
cima de 600 k2, y algo menos de 500 ppm /"C para los que poseen una resistencia comprendida
entre estos dos valores. Por encima de 1 MQ el coeficiente de temperatura se eleva rpidamente.
La lectura de la curva de la figura 4.14 se efecta de la siguiente forma. Supongamos que se
tiene un potencimetro de carbn de 10 k2. Segn la citada curva, el coeficiente de temperatura
de este potencimetro es de, aproximadamente, 300 p pm /cC, es decir, que su resistencia dismi
nuir un 0,030 % por cada grado centgrado que aumente la temperatura, puesto que se trata de
un potencimetro de carbn y este material posee un coeficiente de temperatura negativo (dismi
nuye su valor hmico al aumentar la temperatura). De acuerdo con este dato, y si el potencimetro
posee una resistencia de 10 k i a 40 C, su resistencia a 70 C ser:

f 70. = R40, [ i - .,-q q q o o o ( 70 C - 4 0 C)] = 10 k f l (1 - 0,009) = 9.910 Q

(90 ohmios inferior al valor nominal).

Tensin mxima admisible


En los potencimetros cabe distinguir entre tensin mxima de trabajo a travs del elemento resis
tivo y tensin mxima de trabajo entre el eje y el elemento resistivo. Tanto uno como otro dato vie
nen dados por el fabricante.
Por lo general la tensin mxima de trabajo oscila entre unos 250 V para los potencimetros de
tamao pequeo y 1 kV para los de mayor tamao.
El valor de tensin mxima admisible tambin es variable segn sea el potencimetro lineal o no
lineal. As, si un potencimetro lineal admite una tensin mxima de, por ejemplo, 500 V, un poten
cimetro logartmico de igual resistencia hmica slo admite 350 V.

76

RESISTENCIAS AJUSTABLES Y POTENCIMETROS

Tolerancia
Al igual que en el caso de las resistencias, en los potencimetros la tolerancia determina la preci
sin con la que ha sido fabricado.
Para los potencimetros de carbn de uso general, incluidos los de montaje superficial SMD, la
tolerancia suele ser de 20 %, mientras que para los de hilo bobinado de uso general la tolerancia
es, aproximadamente, de 10 %.

Resistencia efectiva mnima


Todo potencimetro posee algn sistema de terminales del elemento resistivo, lo cual produce
unas zonas muertas en las que el contacto deslizante gira unos pocos grados sin originar cambio
en el valor de la resistencia.
Hay un pequeo intervalo (que se conoce con el nombre de resistencia de despegue) hasta que
el contacto deslizante hace contacto elctrico con el elemento resistivo.
Para los potencimetros de carbn de uso general la resistencia de despegue ha de ser Inferior
al 5 % del valor nominal, y para los potencimetros de hilo bobinado slo del 3 %.

Resistencia a la humedad
La causa ms frecuente de avera en los potencimetros es la humedad. Para evitar los daos pro
vocados por ella (tales como corrosin de las partes metlicas, deformaciones de las partes pls
ticas, etc.), los potencimetros se fabrican en su parte metlica con materiales no corrosivos, o
bien disponen de anillos de estanqueldad entre la caja y el eje de giro.
Para determinar la resistencia a la humedad de un potencimetro el fabricante lo somete a una
prueba, consistente en mantenerlo un gran nmero de horas (por ejemplo, 500 h) en un recinto con
un 95 % de humedad relativa y midiendo despus el valor nominal del potencimetro, el cual ha de
variar lo menos posible.
En un potencimetro de carbn de uso general la prueba antes citada provocara una variacin
del valor resistivo nominal inferior al 10 %,
En la figura 4.15 puede verse la curva caracterstica de incremento porcentual de resistencia en
funcin del valor hmico de potencimetros de carbn, sometidos a la prueba de calor hmedo es
tablecida por la norma DIN 41450, consistente en someter el potencimetro a un preacondicionamiento de 23 2 C y 50 5 % de humedad relativa durante 24 horas, despus de las cuales se mide
su resistencia y, a continuacin, se almacena durante 250 horas a 40 C con una humedad relativa
del 90 al 95 %. Pasada esta prueba el potencimetro se extrae del almacn y se mide su resistencia
pasadas 24 horas y a temperatura y humedad relativa normal (25 5 C y 45 a 70 % de humedad
relativa).
En la figura 4.15 se observa que los incrementos de resistencia despus de esta prueba se en
cuentran por debajo del 5 %, siendo aceptables segn la norma DIN 41450 incrementos del 15 %
hasta valores de 100 k , y del 20 % para valores por encima de 100 kQ (lnea a trazos).

AR

30

(%)

20
Valor aceptable Dll\l: 41450^

10

100

1k

10 k

100 k

(Lmite de confianza 95%)

1M

10 M
R (Q)

4.15 Curva caracterstica del


incremento porcentual de
resistencia en funcin del valor
hmico de unos potencimetros
de carbn sometidos a calor
hmedo durante 250 h.

77

ELECTRNICOS

ngulo efectivo de rotacin


Al tratar el concepto de resistencia efectiva nominal se mencionaba que en todo potencimetro
existen unas zonas muertas que se corresponden con dos ngulos de giro ineficaces. Estos ngu
los generalmente no exceden del 10 % del ngulo total de rotacin en los potencimetros de hilo
bobinado de uso general, y del 30 % en los potencimetros de carbn.
El ngulo efectivo de rotacin ser por tanto igual a:
360 - (2 x ngulo muerto + espacio ocupado p o r los terminales)

Variacin del valor hmico en funcin del ngulo de rotacin


Como hemos visto, para cada ngulo de giro del cursor se tiene un valor hmico diferente.
Los fabricantes proporcionan las denominadas curvas de variacin del valor hmico en funcin
del ngulo de rotacin (figura 4.16), que permiten conocer el valor hmico del potencimetro para
cada ngulo de rotacin.

4.16 Variacin del valor hmico


de un potencimetro en funcin
del ngulo de rotacin.
A, potencimetro lineal;
B, potencimetro logartmico;
C, potencimetro antilogartmico.

Rotacin del cursor

En esta figura se han dibujado, sobre un mismo sistema de coordenadas cartesianas, tres cur
vas pertenecientes a otros tantos potencimetros; la curva A corresponde a un potencimetro li
neal, la 6 a un potencimetro logartmico, y la C a un potencimetro antilogartmico.
En el caso de potencimetros con eje deslizante longitudinal, las curvas citadas no se repre
sentan, naturalmente, en funcin del ngulo de rotacin, sino en funcin del % de deslizamiento
longitudinal del cursor (figura 4.17).

4.17 Variacin del valor hmico


de un potencimetro en funcin
del porcentaje de deslizamiento
lineal. A, potencimetro lineal;
B, potencimetro logartmico;
C, potencimetro antilogartmico.

25
50
75
100%
Desplazamiento del cursor

RESISTENCIAS AJUSTABLES Y POTENCIMETROS

En el caso de los potencimetros lineales, el valor hmico de su resistencia vara de forma d i


rectamente proporcional al ngulo de giro o de desplazamiento del cursor. As, en el caso de la figu
ra 4.17, cuando el cursor se encuentra al 50 % de su recorrido, la resistencia del potencimetro en
tre el cursor y cada uno de los terminales extremos es tambin del 50 %.
Los potencimetros lineales ideales son aquellos cuya curva caracterstica es una lnea recta perfec
ta, lo cual se cumple salvo en las zonas extremas, debido a la resistencia de despegue ya estudiada.
En los potencimetros logartmicos, el valor hmico existente entre el cursor y cada uno de los
extremos sigue una ley logartmica; es decir, que por cada ngulo de giro a el valor hmico se m ul
tiplica por 10.
As, un potencimetro logartmico de 10 kQ tendr una resistencia entre el cursor y uno de sus
terminales extremos de 10 kQ cuando el cursor est situado en un ngulo de 360, de 3 kQ a 270,
de 1 kQ a 180, de 300 Q a 90, y de 0 Q a 0.
El potencimetro antliogartmico (curva C de las figuras 4.16 y 4.17) es, lgicamente, de com
portamiento opuesto al logartmico, es decir, aumenta logartmicamente su resistencia al aumentar
el ngulo de giro o de desplazamiento del cursor.

Nivel de ruido
El nivel de ruido se obtiene aplicando una tensin continua de valor conocido (normalmente 10 V)
a los terminales extremos del elemento resistivo y midiendo la tensin parsita de ruido en mV. La
relacin entre ambas magnitudes se expresa en dB.
A ttulo orientativo diremos que un potencimetro lineal de carbn para uso general suele tener
un nivel de ruido inferior a 20 dB (nivel 0 dB = 0,1 mV a 1 kHz), y en los modelos logartmicos el
nivel de ruido es inferior a 5 dB hasta el 5 % aproximadamente de la resistencia total y menor de
25 dB para valores mayores del citado 5 %.

Estabilidad
Mediante el dato estabilidad es posible conocer los cambios que sufrir la resistencia del poten
cimetro en el transcurso del tiempo o bajo condiciones severas de funcionamiento.
Como dato orientativo diremos que en los potencimetros de carbn de uso general la tolerancia
de la estabilidad es del 15 %, y para los de hilo de uso general del 26 %.

Resistencia de aislamiento
La resistencia hmica entre el eje de accionamiento y el elemento resistivo se denomina resistencia
de aislamiento.
Esta resistencia ha de ser de valor muy elevado (generalmente no inferior a 1.000 MQ), con el fin
de evitar prdidas de corriente y eliminar peligros al operador cuando acciona el eje.
Para medir la resistencia de aislamiento se aplican 500 V (corriente continua) entre el eje y los
terminales del elemento resistivo. Dichos terminales se cortocircuitan para efectuar la prueba, la
cual se lleva a cabo durante un minuto.

Par de accionamiento
Se denomina par de accionamiento la fuerza necesaria para que el contacto deslizante comience a
moverse. Se mide en g-cm, y su valor aumenta con el tamao del potencimetro.
Como ejemplo diremos que un potencimetro SMD suele tener un par de accionamiento de 10
a 150 g-cm.
Durante el accionamiento el par es ligeramente inferior al del momento de arranque.
Actualmente la tendencia es expresar en los catlogos la fuerza de accionamiento en Newton.
As, a un potencimetro de carbn, del tipo de accionamiento longitudinal, es preciso aplicarle una
fuerza de 1 a 3,5 N para que el cursor se desplace.

Par extremo
El cursor del potencimetro puede deteriorarse si se fuerza al llegar a los extremos de su recorrido;
para evitarlo, el potencimetro debe estar dotado de unos slidos topes, los cuales no deben su
frir deterioro alguno al recibir el impacto del contacto deslizante en su uso normal.

79

COMPONENTES ELECTRNICOS

Las normas establecen una prueba, segn la cual, colocando el contacto deslizante en uno de los
extremos de su recorrido y aplicando un par al eje com prendido entre 5,7 y 11,4 kg-cm, no debe
producirse dao alguno.
En la actualidad los fabricantes de potencimetros indican en sus catlogos el esfuerzo en el
tope en Newton. As, un potencimetro de carbn de accionamiento longitudinal es capaz de so
portar una fuerza de 50 N a 10 mm de la base de la corredera.

Velocidad de accionamiento
El desgaste y, por lo tanto, la vida del potencimetro, dependen de la velocidad de rotacin y de la
presin de contacto. sta debe ser, por lo tanto, lo ms baja posible.

Comportam iento ante las vibraciones


En un potencimetro pueden presentarse serios problemas si el contacto deslizante vibra.
Entre stos, podemos destacar contactos intermitentes y cambio de la resistencia por desliza
miento del cursor al ser sometido a una vibracin como, por ejemplo, en los receptores de radio
utilizados en automviles.
En consecuencia, es necesario evitar, o al menos disminuir, las vibraciones, situando incluso el
potencimetro en otro lugar si fuera necesario.

80

Condensadores

INTRODUCCIN
Los condensadores son dispositivos capaces de almacenar una determinada cantidad de electrici
dad. Estn com puestos por dos superficies conductoras enfrentadas, llamadas placas o armadu
ras, aisladas entre s por un material dielctrico.
La capacidad de un condensador para almacenar electricidad es directamente proporcional a la
superficie de las placas conductoras enfrentadas e inversamente proporcional a la distancia de se
paracin entre ellas, y depende de la constante dielctrica del aislante existente entre las placas.
Si el dielctrico es el aire la constante dielctrica es 1. Si entre las armaduras se interpone una
lmina de papel impregnado, cuya constante dielctrica es 3,5, se obtiene un condensador con 3,5
veces ms capacidad que el que utiliza el dielctrico de aire.

CLASIFICACION DE LOS CONDENSADORES


El dato ms importante de un condensador es su capacidad, la cual puede ser fija o variable.
Esto los divide en dos grandes grupos:

Condensadores fijos.
Condensadores variables.

Segn el tipo de dielctrico utilizado los condensadores fijos se clasifican en:


Condensadores
Condensadores
Condensadores
Condensadores
Condensadores
Condensadores
Condensadores
Condensadores
Condensadores
Condensadores
Condensadores

de mica.
de papel.
de poliestireno (styroflex).
de polipropileno.
de polister.
de policarbonato.
de pelcula plstica metalizada.
cermicos.
de sulfuro de polifenileno (SMD).
electrolticos de aluminio.
electrolticos de tantalio.

Se fabrican condensadores con otros tipos de dielctrico, pero que por su poca aplicacin no
hemos credo necesario citarlos en esta obra.

Condensadores de mica
La mica es un silicato de aluminio con una mezcla variada de sales cuya resistividad es muy eleva
da, del orden de 1015 a 1017 2 cm, lo que la hace un excelente dielctrico para la fabricacin de
condensadores.

ELECTRNICOS

5.1 Corte en seccin


de un condensador con
dielctrico de mica.

Armadura metlica
Cuerpo de plstico moldeado
Dielctrico de mica
Terminal
de conexin

Los condensadores de mica consisten en un conjunto formado por una o ms hojas de mica y
otras ms pequeas de aluminio colocadas alternativamente (figura 5.1).
Las hojas de aluminio de nmero par se desplazan ligeramente en un sentido y las Impares en
sentido contrario, de forma que unas bridas metlicas -q u e mantienen apretado el paquete- unan
elctricamente las hojas pares con uno de los terminales y las Impares con el otro (figura 5.2).

Placas
Cuerpo de plstico
moldeado

5.2 Forma de establecer conexin


entre todas las placas pares por
un lado y las impares por otro,
en un condensador de mica.

Terminal
Dielctrico

metlica

Finalmente, el conjunto se protege con un plstico moldeado sobre el que se Imprime el valor
del condensador.
Una variante ms reciente en la fabricacin de esta clase de condensadores consiste en la sus
titucin de las hojas de aluminio por un metalizado superficial de la lmina de mica con plata.
Dado que la mica es un dielctrico muy estable y de elevada resistividad, estos condensadores
resultan dneos para ser utilizados en circuitos que trabajan en alta frecuencia, tales com o las eta
pas osciladoras de radiofrecuencia, que admiten tensiones entre placas de varios miles de voltios
con espesores de mica de unas pocas mieras.
Se fabrican con capacidades que oscilan entre 5 pF y 100 nF.
Los condensadores de mica metalizada no admiten frecuencias de trabajo tan elevadas como
los de lmina. Para obtener elevadas capacidades debe utilizarse un mayor nmero de placas y au
mentar la cantidad de plata depositada sobre la mica durante el proceso de fabricacin.
Los condensadores de mica resultan en la actualidad de elevado precio, razn por la cual se li
mita su empleo a aparatos profesionales.

Condensadores de papel
Los condensadores con dielctrico de papel son de uso general. Se fabrican enrollando una hoja
de papel entre dos hojas metlicas y aadiendo al conjunto una sustancia impregnada (figura 5.3).
Las hojas metlicas, que normalmente son de aluminio, se disponen desplazadas hacia uno y otro
lado, de forma que al enrollar las lminas sobresalgan cada una de ellas por un extremo del dielctrico.
Cada lmina queda conectada a un terminal de conexin, y todo el conjunto se encierra en una
resina termoplstlca moldeada, saliendo al exterior slo los terminales de conexin.

CONDENSADORES

Dielctrico de papel
(Dos o ms hojas)

Disco de baquelita

Disco de cermica
odeneopreno
_

Disco metlico prensado


contra los extremos de /
las hojas

Zonas extremas no metalizadas

Caja tubular metlica


rebordeada

Terminales de
cobre estaados

5.3 Constitucin
de un condensador
con dielctrico de
papel.

Cubierta de cartulina
baquelizada
Hojas de papel
metalizado
Disco de neopreno

Terminal
Elemento de retencin soldado
en el extremo del cuerpo central

5.4 Constitucin de
un condensador de
papel metalizado.

Una variante de los condensadores de papel son los de papel metalizado. En stos un lado del
papel est metalizado (figura 5.4). Este procedimiento de fabricacin evita los posibles huecos en
tre dielctrico y armadura.
Como principales caractersticas de estos condensadores cabe destacar su pequeo tamao y su
poder autorregenerante despus de aplicarle una sobretensin. Cuando el dielctrico se perfora, debi
do a una sobretensin, el metal en la zona perforada se evapora, evitando el cortocircuito entre placas.
Esta forma constructiva es la ms usual en este tipo de condensadores, aunque para capaci
dades elevadas se adopta el modo tubular, en forma de botes cilindricos o paraleleppedos. En este
caso es usual que los dos terminales del condensador salgan al exterior por una de las bases.
Tambin se fabrican condensadores con dielctrico de papel impregnado en aceite. Se hacen
as para mejorar la rigidez dielctrica del papel, ya que el aceite la aumenta y, por tanto, permite
que puedan aplicarse tensiones mayores entre las placas del
condensador.
Adems, el aceite es un material refrigerante que aumen
ta los mrgenes de temperatura en los que puede trabajar el
condensador, mantiene estable la capacidad y asla del me
dio ambiente a todo el conjunto.
Los condensadores de papel impregnado en aceite son
muy utilizados en las emisoras de radio, ya que son idneos
para trabajar en circuitos donde las tensiones de funciona
miento permanentes alcanzan varios miles de voltios.
Debido a las elevadas tensiones y corrientes a las que son
som etidos estos condensadores, sus terminales tienen bor
nes de conexin de gran seccin y, en ocasiones, roscados
con tuerca de sujecin (figura 5.5).
5' 5 Condensador con dielctrico de papel metalizado.
de elevada capacidad.
83

COMPONENTES ELECTRNICOS

Condensadores styroflex (poliestireno)


Los condensadores styroflex (o estiroflex) fueron uno
de los primeros condensadores con dielctrico de
plstico.
Su dielctrico es el poliestireno, nombre con el que
tambin se les conoce aunque sea ms extendida la
denominacin comercial de styroflex.
El poliestireno tiene una constante dielctrica ms
baja que la de otros materiales plsticos, pero tiene la
ventaja de no desintegrarse con las ondas ultracortas
ni con las frecuencias de televisin. Adems, resiste la
humedad, el cido sulfrico concentrado y la acetona.
En la figura 5.6 se muestra la fotografa de un con5 . 6 condensador styroflex de
densador styroflex. Tambin se fabrican en forma de
configuracin cilindrica.
paraleleppedo.
En estos condensadores el dielctrico es bastante
ms ancho que las hojas de aluminio o estao que forman sus placas. Las hojas de poliestireno y
las de aluminio se enrollan y, a continuacin, se colocan sendos alambres de conexin en cada uno
de los extremos, los cuales se sueldan a las armaduras (figura 5.7).

Hojas de
dielctrico

Hojas de aluminio
o estao

Terminales soldados
a las hojas metlicas

5.7 Constitucin de un
condensador styroflex
(poliestireno).

El conjunto de lminas de aluminio y dielctrico se calienta luego, con el fin de que se contrai
ga el exceso de plstico y el condensador se cierre.
Los condensadores styroflex son muy populares ya que presentan una serie de ventajas desde
el punto de vista de su utilizacin, entre las que cabe citar:

Reducido factor de prdidas.


Gran resistencia de aislamiento.
Coeficiente de temperatura negativo con respuesta lineal.

Se fabrican con tensiones de trabajo comprendidas entre 30 y 600 V, dependiendo su tamao


de la tensin (a mayor tensin mayor tamao).
Su precio es ms elevado que los de papel y los de mica, pero su coeficiente de temperatura
negativo, que compensa en parte las variaciones que sufren las inductancias con ncleo de ferrita,
hace que sean muy utilizados en las etapas de radiofrecuencia.
La tolerancia de estos condensadores puede alcanzar valores muy bajos, del orden del 0,25 %,
por lo que son muy adecuados para circuitos de radiofrecuencia de gran precisin.
Slo en los casos en que no deba extremarse la fiabilidad del circuito, pueden ser sustituidos
por los de polister, al ser estos ltimos de precio ms bajo.

84

CONDENSADORES

Condensadores de polipropileno
El polipropileno es un plstico que posee propiedades anlogas a las del polietileno, pero tiene ma
yor resistencia al calor, a los disolventes orgnicos y a la radiacin nuclear.
Los condensadores de polipropileno se fabrican igual que los de poliestlreno, pero sustituyen
do, lgicamente, un dielctrico por el otro.
Son dneos y muy efectivos para ser utilizados en circuitos resonantes, en particular cuando
stos han de trabajar a temperaturas cercanas a los 85 C.
Al igual que los styroflex, su coeficiente de temperatura es negativo, por lo que pueden sustituir
y ser sustituidos por ellos. El aspecto externo de estos condensadores es muy similar a los de sty
roflex.

Condensadores de polister
Los condensadores de polister han sustituido a los de papel. Su construccin es idntica, con la
nica diferencia de sustituir el dielctrico de papel por uno de polister y metalizar los extremos sa
lientes de las cintas de aluminio de forma que las espiras de dichas cintas queden cortocircuitadas,
reducindose as la inductancia parsita creada por las espiras. A dichos condensadores se les de
nomina, por tal motivo, condensadores inductivamente pobres.
El conjunto as fabricado se recubre luego con una cera sinttica, o sustancia similar, sobre la
que se imprime el valor del condensador. En algunas ocasiones la cubierta externa es transparen
te, lo que permite apreciar su configuracin.
Se fabrican en forma cilindrica o plana, de tamao normal o miniatura. Presentan varias ventajas
sobre los de papel, entre las que cabe citar su mayor resistencia mecnica, no ser higroscpicos
y soportar un amplio margen de temperaturas que va desde -5 5 C a +150 C, con gran rigidez
dielctrica.
El dielctrico de polister carece de poros y su espesor es ms pequeo que el dielctrico de
papel (inferior a 1 gm). En el caso de los condensadores miniatura de pelcula ultradelgada de po
lister el espesor del dielctrico est comprendido entre 1,5 y 2 pm (de 15 a 20 veces ms fino que
un cabello humano normal).
La capacidad de estos condensadores tiende a aumentar ligeramente cuando aumenta la tem
peratura, mientras que disminuye al aumentar la frecuencia. Como dato orientativo diremos que su
capacidad disminuye un 3 % cuando se le aplica una frecuencia de 100 kHz. A partir de este valor
de frecuencia el porcentaje de disminucin de capacidad aumenta mucho, por lo que no es acon
sejable su utilizacin a frecuencias por encima del algunos megahercios.
Se fabrican con capacidades comprendidas entre 2 pF y 10 uF segn tipo y modelo, con ten
siones de servicio comprendidas entre 30 y 1.000 V.

Condensadores de policarbonato
Los condensadores de policarbonato se fabrican en una gama de capacidades que va desde 1 nF
hasta 10 pF, es decir, con valores de capacidad bastante grandes.
Su margen de temperatura es similar a los de polister y su tensin de trabajo es muy supe
rior a la de los anteriores, ya que abarca desde los 60 a los 1.200 V con un bajo coeficiente de
prdidas.
Se fabrican normalmente con cuerpo cilindrico, y terminales de conexin por ambos lados o
con salida por una sola de las bases.

Condensadores de pelcula plstica m etalizada


Con el fin de reducir las dimensiones de los condensadores de polister, policarbonato, polipropi
leno, etc., se ha desarrollado una nueva tcnica de fabricacin en la cual las lminas de aluminio se
sustituyen por un metalizado superficial del dielctrico. Estos condensadores reciben la denomina
cin de condensadores de pelcula plstica metalizada.
Al igual que los de papel metalizado antes citados, tienen propiedades autorregenerantes si se
perforan por sobretensin.
Los condensadores de plstico metalizado estn diseados para ser utilizados en circuitos Im
presos. Por esta razn, acostumbran a devanarse las cintas metalizadas en forma plana en lugar de

85

COMPONENTES ELECTRNICOS

5.8 Corte en seccin de un


condensador con dielctrico
de plstico metalizado.

cilindrica, y los terminales suelen salir paralelamente en lugar de axialmente, tal y como se muestra
en la figura 5.8.
El condensador se presenta recubierto de laca, en forma de paraleleppedo y, muy raramente,
en forma cilindrica.
Existen dentro de este grupo los condensadores de polister metalizado, los de acetato de ce
lulosa metalizada, los de policarbonato metalizado y los de polipropileno metalizado.

Condensadores cermicos
Los condensadores cermicos son los que ms
se acercan al condensador ideal, pues su inductancia, factor de potencia y tangente de prdidas
son prcticamente nulas.
Se fabrican en forma tubular, paraleleppeda y
en disco (figura 5.9).
Los condensadores cermicos tubulares con
sisten en un tubito de cermica obtenida por extru
sin. El tubito se metaliza interiormente, de forma
que uno de los extremos del metalizado sobresal
ga y cubra una estrecha faja en la parte exterior (fi
gura 5.10).
El resto de la superficie exterior se metaliza de
forma que deje una faja libre para que no haga con
tacto elctrico con la anterior.

5.9 Condensadores cermicos.

Tubo cermico
Laca protectora

Armadura
interior

5.10 Corte esquematizado de un


condensador cermico tubular.

86

CONDENSADORES

Las armaduras del condensador quedan as formadas por las dos capas metlicas que cubren
Interior y exteriormente al tubo cermico.
Los terminales de conexin estn formados por dos espiras de alambre, soldadas sobre la ar
madura exterior y la prolongacin de la armadura interior.
El conjunto se recubre de una laca protectora, sobre la que se Imprime con cifras o franjas de
color el valor capacitivo del condensador u otros datos que en su momento veremos.
El terminal correspondiente a la armadura exterior se sita de forma que quede ms alejado del
extremo del tubo que el otro terminal (figura 5.10).
De los dos terminales, el de la armadura exterior es el que debe conectarse a masa por razo
nes de seguridad y de radiacin de la armadura viva (la Interior, no conectada a masa).
Los condensadores cermicos de disco estn constituidos por un disco cermico cuyas dos
caras han sido metalizadas y sobre las cuales se sueldan los terminales de conexin (figura 5.11).

5.11 Corte esquematizado de un


condensador cermico de disco.

Se fabrican tambin condensadores cermicos multicapa, consistentes en varias capas de ce


rmica metalizada, de modo que estn conectadas entre s, por un lado, todas las capas pares y,
por el otro, todas las impares. El resultado de esta disposicin es la suma de todas las superficies,
con lo cual se aumenta la capacidad del conjunto. En las figuras 5.12 y 5.13 se muestra el corte
esquematizado de dos condensadores cermicos multicapa con indicacin de sus partes consti
tuyentes.
El modelo de la figura 5.12 no posee patitas de conexin, sino unas terminaciones longitudina
les a ambos lados, cuyo fin es la de servir como puntos de soldadura sobre circuito impreso en ca
denas de montaje automatizadas (condensador SMD). Su tamao es minsculo: tan slo 3,45 mm
de largo por 1,85 mm de ancho en el formato industrial estndar 1206; o de 2 mm de largo, por
1,25 mm de ancho y 0,7 mm de espesor en el formato industrial estndar 0805.

Dielctrico cermico

Terminaciones de
paladium-plata
Capas de metal

5.12
Corte esquematizado
de un condensador
cermico multicapa. del tipo
chip, para montaje
automtico sobre circuito
impreso (SMD).

87

ELECTRNICOS

Dielctrico cermico

Terminaciones de
paladium-plata

Cubierta

Capas de metal

5.13 Corte esquematizado de un


condensador cermico multicapa
con terminales para montaje
manual sobre circuito impreso.

Patitas de
conexin

El modelo de la figura 5.13 posee patitas de conexin y, por lo tanto, es el utilizado para m on
taje por soldadura manual sobre circuito impreso.
El titanato de bario es una cermica especial cuya utilizacin en la fabricacin de condensado
res hace que stos sean muy eficaces en el acoplamiento, filtrado y supresin de interferencias. Se
fabrican con capacidades de 10 a 220 nF y tensiones nominales de hasta 63 V.
Una clase especial de condensadores cermicos son los denominados pasantes o pasamuros
(figura 5.14).

Casquillo roscado (metlico)

5.14 Corte esquematizado


de un condensador
cermico pasamuros.

Estos condensadores se emplean all donde la corriente continua o la corriente alterna de baja
frecuencia debe atravesar una pared apantalladora, mientras que la corriente alterna de alta fre
cuencia debe derivarse a masa.
El condensador pasante consta de un manguito, roscado o no, que se atornilla o se suelda en
el apantallamiento, y que est unido a la armadura externa del condensador.
Una particularidad de los condensadores cermicos es la gran variedad de propiedades dielc
tricas que pueden conseguirse aadiendo determinados aditivos a la masa cermica. Por este m o
tivo la E.I.A. ha dividido los materiales cermicos en dos grandes grupos.
Los del grupo I poseen unas prdidas muy pequeas, del orden de 0,3 x 10"3, y su capacidad
est afectada por un coeficiente de temperatura perfectamente determinado. Se fabrican segn ta
blas E12, e incluso E24 (vase la tabla 3.1 del captulo 3), desde unas fracciones de picofaradio
hasta 1 nanofaradio.
Los coeficientes de temperatura normalizados ms corrientes en este grupo son: +100, 0, -33 ,
-15 0, -33 0, -7 5 0 y -1 .5 0 0 partes por milln del valor nominal.

CONDENSADORES

De todas estas caractersticas se deduce que los condensadores cermicos del grupo I son
idneos para ser utilizados en circuitos sintonizadores, funcionando perfectamente con frecuencias
de varios miles de MHz debido a sus reducidas prdidas e inductanca parsita prcticamente nula.
Los materiales cermicos del grupo II poseen una constante dielctrica muy elevada, de 1.000
a 10.000 veces superior a la del aire, lo que permite obtener unos condensadores muy pequeos
pero con elevadas capacidades (hasta 10 nF). El coeficiente de temperatura en este grupo es ele
vado e irregular, y las prdidas elevadas (de 10 a 30 x 10~3).
Por todos estos motivos no son utilizables en circuitos sintonizadores, pero s resultan ideales
para ser utilizados en etapas de alta frecuencia para desacoplo o paso.
La tolerancia en la capacidad de los condensadores cermicos del grupo II es elevada, debido
a inconstancias del dielctrico. Para garantizar un valor mnimo se fabrican con tolerancias asim
tricas, es decir, que el valor de la capacidad del condensador tiende ms al lmite alto que al bajo.
Los condensadores cermicos del grupo II se fabrican segn las tablas E12, E6 y E3, siendo la
ms normal la E6.
Los condensadores cermicos miniatura tienen unas dimensiones que pueden llegar a ser de
tan slo 3,7 mm de ancho por 5,2 mm de alto. Estos condensadores son muy utilizados en circui
tos de sintona transistorizados, y se fabrican con capacidades de 1 a 150 pF.

Condensadores de pelcula de sulfuro de polifenileno (PPS) para montaje


superficial
Los condensadores de pelcula de sulfuro de polifenileno constan de varios dielctricos, apilables y
metalizados, de este material aislante.
Se fabrican para montaje superficial (SMD), por lo que su aspecto externo es el que se muestra
en la figura 5.15.

5.15 Condensadores de pelcula


de sulfuro de polifenileno (PPS)
para montaje superficial (SMD).
Soportan tensiones continuas entre placas de hasta 50 V, perforndose si se les aplica durante
un tiempo de 1 a 5 segundos una tensin del 175 % del valor nominal.
Se fabrican con valores comprendidos entre 100 pF y 100 nF. Las dimensiones de estos dim i
nutos condensadores dependen de su capacidad, segn se indica en la tabla 5.1.

Longitud

Ancho

de 100 pF a 2,2 nF

2,0

1,25

0,8

4,7 nF

3,2

1,6

0,8

10 nF

3,2

1,6

1,0

22 nF

3,2

2,5

1,4

47 nF

4,8

3,3

1,4

100 nF

4,8

3,3

2,0

Capacidad

Tabla 5.1
Dimensiones en mm de los
condensadores de pelcula
de sulfuro de polifenileno
para montaje superficial.

89

COMPONENTES ELECTRNICOS

Condensadores electrolticos de aluminio


Para grandes capacidades (desde 1 pF hasta 20.000 pF) se ha desarrollado una clase especial de
condensadores: los electrolticos.
El condensador electroltico generalmente es un condensador formado por dos folios de alumi
nio arrollado, que estn separados por un papel absorbente. El papel est impregnado de un elec
trlito, es decir, un lquido conductor de la corriente elctrica.
El papel no es el dielctrico en s, por la sencilla razn de que un dielctrico no puede ser nun
ca conductor. El dielctrico lo constituye una pelcula finsima de xido de aluminio (ALOJ que se
forma sobre el folio positivo cuando al condensador se le aplica una tensin continua.
Bajo la accin de esta tensin circula una fuerte corriente, que luego va decreciendo a medida
que aumenta el espesor de la pelcula no conductora de xido de aluminio. La corriente residual que
finalmente aparece es tan slo de. aproximadamente, 50 mA en un condensador de 1 pF cuando se
le aplica una tensin continua de 100 V. Esto corresponde a una resistencia de carga superior a 2 M2.
La elevada capacidad del condensador electroltico no se consigue con la extensa superficie de
las armaduras, sino mediante la clase de dielctrico.
En efecto, la constante dielctrica del xido de aluminio es slo de 6,87, pero el espesor de la
pelcula de xido de aluminio es sumamente pequeo, aproximadamente 0,1 mm. A mayores ten
siones de servicio el espesor de la pelcula de xido crece algo, pero este crecimiento tiene tambin
sus lmites, ya que la mxima tensin admisible es de unos 550 V. Por encima de este valor se pro
ducen chispas en el electrlito.
La misin del electrlito estriba en proporcionar el oxgeno necesario para la formacin del xi
do de aluminio y en establecer una unin conductora entre el folio negativo y la superficie oxidada
aislante del folio positivo. El folio negativo no es, por tanto, ninguna armadura del condensador, sino
que tan slo sirve para la conduccin de la corriente.
Existen dos tipos de condensadores electrolticos: los de superficie lisa y los de superficie ru
gosa. El funcionamiento en ambos es exactamente el descrito en las lneas anteriores, diferencin
dose nicamente por la capacidad obtenida.
Efectivamente, al objeto de ampliar la superficie til del folio positivo, ste se hace rugoso en
la parte que est en contacto con el electrlito, y sobre la cual se formar el xido de aluminio
que har de dielctrico. Esta rugosidad se obtiene mediante la accin de un cido o por proce
dimientos mecnicos. En la figura 5.16 se ha dibujado la constitucin de un condensador elec
troltico de superficie rugosa; se puede observar que la superficie de las armaduras enfrentadas
(folio positivo y electrlito) aumenta considerablemente en comparacin con la superficie lisa del folio
positivo.

Folio positivo de superficie corroda


Pelcula de xido (dielctrico)
i

5.16 Principio de funcionamiento


de un condensador electroltico
de superficie rugosa.

Electrlito
Folio negativo

Los condensadores electrolticos de superficie no rugosa son, a igualdad de capacidad, ms vo


luminosos que los de superficie rugosa, pero generalmente ofrecen mejores parmetros elctricos,
de modo que son imprescindibles para aplicaciones especiales, como por ejemplo en las etapas de
audio de receptores de radio y televisin o de equipos de alta fidelidad.
En la figura 5.17 se muestra la fotografa de un condensador electroltico de aluminio. Consta de
un tubo de aluminio cerrado en el que se aloja el condensador propiamente dicho, con un tapn

90

CONDENSADORES

de caucho que asegura una buena estanqueidad con


tra la evaporacin del electrlito y que acta como vl
vula de seguridad que se abre en caso de ebullicin del
electrlito, evitando as el riesgo de explosin.
Los terminales pueden ser paralelos, saliendo am
bos a travs del tapn de caucho, o axiales, cuando uno
de ellos est soldado al tubo de aluminio. Otros mode
los poseen una rosca en el tubo de aluminio que per
mite la unin mecnica del condensador a un chasis
metlico que, al mismo tiempo, sin/e como terminal de
conexin elctrica (polo negativo).
Los condensadores electrolticos de aluminio des
critos son componentes polarizados, por lo que sus
5 1 7 condensador electroltico
terminales no deben ser cambiados. Por tal motivo, en
je aluminio.
estos condensadores se indica por lo menos el polo
positivo con un signo <+, El terminal positivo tambin
se reconoce por salir aislado de la cubeta, mientras que el terminal negativo generalmente est dis
puesto sobre la misma cubeta. Tambin es frecuente encontrar el terminal negativo designado por
un signo -, una lnea o un aro negro.
Como consecuencia de la polaridad de los condensadores electrolticos, no deben aplicarse a
ellos tensiones de polaridad cambiante. Solamente se pueden aplicar tensiones continuas o ten
siones alternas superpuestas a tensiones continuas mayores que no modifiquen la polaridad,
Efectivamente, si se comete un error en la conexin de estos condensadores, de forma que se
aplique un potencial negativo al folio positivo con respecto al electrlito, se produce continuamen
te la formacin de una capa de xido sobre la hoja del ctodo) simultneamente con la disipacin
excesiva de calor interno y la produccin de gas, lo cul conduce finalmente a la destruccin del
condensador, el cual puede llegar a explotar si no se desprende a tiempo el tapn de caucho que
lo cierra. Por lo tanto debe respetarse la polaridad del condensador, aunque se puede, admitir una
polarizacin inversa de hasta unos 2 V, ya que el ctodo posee una capa de xido que se forma
automticamente al contacto con el aire. Lgicamente, en todos aquellos esquemas en los que fi
guren condensadores electrolticos deber indicarse la polaridad del mismo con objeto de evitar
errores.
En el caso de aplicar una tensin alterna superpuesta a una continua a un condensador elec
troltico polarizado, deber tenerse presente el valor de cresta o pico negativo de la componente al
terna t/M, ya que sta, restada de la componente continua positiva, no debe sobrepasar la lnea
cero (figura 5.18).

5.18 La cresta o pico negativo


de la componente alterna,
superpuesta a una tensin
continua y aplicada a un
condensador electroltico, no debe
sobrepasar nunca la linea cero.

-Ve

As, si a un condensador electroltico se le debe aplicar una tensin alterna de 6 V eficaces, esta
tensin corresponde a una tensin mxima de:

Vm = Vrm s ^

= 6 V x 1,41 = 8,46 V

91

COMPONENTES ELECTRNICOS

es decir, la tensin alterna citada de 6 V eficaces es la mxima que puede ser superpuesta a una
tensin continua de 8,46 V para que el pico negativo de la componente alterna no sobrepase el va
lor 0 V y el condensador quede polarizado en sentido correcto.
Existen otros tipos de condensadores electrolticos, los cuales no estn polarizados (bipolarzados). En estos condensadores el ctodo y el nodo tienen las mismas dimensiones (en volumen y
tamao), por lo que ambos poseen la misma capacidad de carga. Con este diseo el condensador
puede trabajar con tensin continua en cualquier sentido, as com o con tensin alterna pura.
Dado que la tensin alterna produce autocalentamiento, debe permanecer muy por debajo de
la tensin nominal continua.
Como consecuencia de la conexin en serie de las dos capacidades parciales, la capacidad to
tal es en estos condensadores la mitad de una capacidad simple, razn por la cual, a Igualdad de
capacidad, un condensador no polarizado posee doble volumen que uno polarizado.
Los condensadores electrolticos tienen elevadas capacidades y reducido volumen. A esta ven
taja se le oponen algunos Inconvenientes, tales como:

No se puede despreciar su resistencia de carga. En un condensador de 500 ,uF circula, por


ejemplo, una corriente de 1 mA al serle aplicada una tensin de servicio de 500 V. Esto c o
rresponde a una resistencia de carga de 0,5 MQ. En comparacin con l, un condensador
arrollado con dielctrico de plstico de alta calidad presenta una resistencia de carga de,
aproximadamente, 10 MQ.
La tolerancia de capacidad de los condensadores electrolticos es mucho mayor que en otras
clases de condensadores. La capacidad puede llegar a ser el 100 % mayor que el valor no
minal impreso. La tolerancia en sentido negativo es ms pequea, aproximadamente -1 0 %.
La temperatura ejerce una gran influencia, tanto sobre la capacidad com o sobre la resisten
cia de carga.

Por todos los motivos apuntados los condensadores electrolticos slo se emplean en electr
nica en aquellos casos en que se precise una gran capacidad, pero que no exijan un valor exacto
de ella. Entre las aplicaciones ms destacadas estn los circuitos de filtrado y desacoplo de las eta
pas de audio y de filtrado de la tensin rectificada de las fuentes de alimentacin.
Tambin se fabrican condensadores electrolticos de aluminio para montaje superficial (SMD),
los cuales pueden trabajar con temperaturas de hasta 85 C y son ideales para aplicaciones de
PCB con elevada densidad de componentes.
Se fabrican con capacidades que cubren una gama comprendida entre 0,1 y 100 pF y tensio
nes de perforacin de 6,3, 10, 16, 25, 36 y 50 V.
Sus dimensiones son extremadamente pequeas, tal y como corresponde a los componentes
para montaje en superficie (de 4,3 x 4,3 mm2, 5,3 x 5,3 mm2 y 6,6 x 6,6 mm2, siendo la altura en
todos ellos de 5,4 mm).

Condensadores electrolticos de tantalio

5.19 Dibujo esquematizado


de la constitucin interna de
un condensador electroltico
de tantalio.

92

La tendencia a la miniaturizacin de los aparatos electrnicos exige,


cada vez ms, condensadores electrolticos de tam ao ms peque
o para una determinada capacidad. Un gran paso en este sentido
se ha conseguido sustituyendo el xido de aluminio por el xido de
tantalio (Ta2Os).
En estos condensadores la constante dielctrica alcanza el 27,3 (fren
te al 6,87 del xido de aluminio), logrndose adems mejores tole
rancias de valor (20 %), menor corriente de fuga y, sobre todo, una
reducidsima nductancia que los hace adecuados para ciertos desa
coplos en circuitos de alta frecuencia. En la figura 5.19 se muestra el
corte esquematizado de un condensador electroltico de tantalio.
El tantalio es un metal refractario no maleable ni dctil, que puede
trabajarse solamente por sinterizacln. La sinterizacin consiste en so
meter a elevada compresin y temperatura el polvo de tantalio mez-

CONDENSADORES

ciado con una sustancia aglomerante. Con ello se obtiene un prensado del material y, de esta for
ma, la configuracin deseada.
Los cuerpos slnterlzados ofrecen una superficie til mucho mayor que los folios corrodos de xido
de aluminio, aumentando con ello la capacidad del condensador a igualdad de superficie de sus placas.
Existen dos tipos de condensadores de tantalio: los de electrlito lquido y los de electrlito slido.
Los de electrlito lquido son similares a los de aluminio, con la diferencia de que el lquido va
dentro de una capa absorbente de bixido de manganeso.
En el caso de que el bixido de manganeso venga en forma de pastilla, se obtiene el conden
sador de tantalio con electrlito slido.
Todo el conjunto se recubre de una capa de grafito que hace de ctodo, y de un revestimiento
de resina sobre la que se imprime el valor del condensador as como la indicacin de su polaridad,
ya que son condensadores polarizados.
Los condensadores de tantalio de electrlito slido se caracterizan por la escasa dependencia a
la temperatura de su capacidad y resistencia de carga. Por otro lado, presentan la ventaja de no po
der perder electrlito, el cual puede destruir en algunas ocasiones otros componentes del circuito.
Algo desventajosa resulta la circunstancia de que los de electrlito slido no puedan emplearse
para tensiones de servicio superiores a 80 V (corriente continua), y a 125 V (corriente continua) los
de electrlito lquido.
Existen muchas formas de presentacin de estos condensadores, destacando como ms usua
les las de forma cilindrica con encapsulado metlico y las de forma de perla.
El principal inconveniente de estos condensadores es su elevado precio, muy superior al de los
de xido de aluminio, por lo que se procura prescindir de ellos siempre que sea posible.
Para finalizar diremos que en los condensadores electrolticos, tanto los de aluminio como los de
tantalio, se ha generalizado o extendido an menos la normalizacin de los valores de capacidad y
de las tensiones de servicio. Sin embargo, debido a que casi nunca se exige de ellos un valor de
capacidad determinado, esto no resulta ser un gran inconveniente y se emplea, sencillamente, aquel
condensador que ofrezca el mercado, de valor inmediato superior al calculado o nominal. El hecho
de emplear un condensador electroltico de 100 o 125 uF no tiene importancia, ya que la toleran
cia es superior a la diferencia entre ambos valores citados.

Condensadores ajustables (trim m ers)


Los condensadores ajustables, tambin denominados trimmers y padders segn su tamao, son
pequeos condensadores de hasta, aproximadamente, 500 pF, los cuales se utilizan para ajustar a
un valor correcto la capacidad total de un circuito.
Para variar la capacidad se recurre a tres procedimientos:

Variando la superficie de las armaduras.


Variando la separacin entre armaduras.
Variando el dielctrico.

En la prctica se utilizan los tres (figura 5.20).


En los trimmers el ajuste de la capacidad se realiza una sola vez, con el fin de conseguir un va
lor determinado de capacidad. Si este valor de capacidad se altera con el tiempo (envejecimiento),
el valor puede reajustarse.

a)

b)

c)

5.20 Tres posibilidades para


el ajuste de la capacidad de
un condensador: a) miando
la superficie enfrentada de las
armaduras: b) miando la
separacin entre armaduras:
c) variando el dielctrico.

93

COMPONENTES ELECTRNICOS

5.21 Diferentes tipos de trimmers: a) trimmer de


presin; b) trimmer de disco; c) trimmer de placas;
d) trimmer tubular o cilindrico.

Para ei ajuste se utiliza generalmente un destornillador de plstico, ya que si se utiliza uno m e


tlico se alterara la capacidad del condensador cuando la punta del destornillador entrase en con
tacto con el tornillo de ajuste del trimmer.
En la figura 5.21 pueden verse diferentes formas de trim m ers, denominados respectivamen
te como:

trimmer de presin (figura 5.21a).


trimmer de disco (figura 5.21b).
trimmer de placas (fig u ra 5.21 c).
trimmer tubular o cilindrico (figura 5.21af).

La capacidad de un trimmer puede variar de 1,4 pF a 50 pF, segn el modelo; en los trimmers
de disco con dielctrico cermico pueden conseguirse mayores capacidades. Generalmente la re
lacin entre la mayor y la menor capacidad ajustable es de 1:10.
En la actualidad se fabrican trimmers de dimensiones reducidsimas para montaje superficial
(SMD), com o los de la figura 5.22.

6.6
P to t 6 6

01.4

/P to t 6,5

g il
1
0.2
1,45

r
i

3.0

5.22 Trimmers para montaje superficial (SMD).


94

CONDENSADORES

Los trimmers de la figura 5.22 son cermicos para montaje superficial, de 2, 3 y 4 mm, disea
dos para su empleo en aparatos muy compactos de telecomunicacin, audio y vdeo.
En todo trimmer cabe distinguir entre la armadura fija o estator y la armadura desplazadle o ro
tor. Esta ltima se ajusta mediante un tornillo que ejerce ms o menos presin sobre dicha arma
dura segn el ngulo de giro, o bien la hace desplazar de forma que una mayor o menor superficie
de ella queda enfrentada con el estator.

CARACTERSTICAS TCNICAS DE LOS CONDENSADORES


Corno cualquier otro componente electrnico, los condensadores poseen una serie de caracters
ticas tcnicas mediante las cuales es posible seleccionar aquel que resulte ms adecuado para un
circuito determinado.
Las principales caractersticas tcnicas de los condensadores son las siguientes:

Valor capacitivo.
Tolerancia.
Tensin mxima de trabajo.
Tensin de prueba.
Corriente de carga.
Tangente de delta.
Coeficiente de temperatura.
Resistencia de aislamiento.
Inductancia parsita.
Frecuencia de resonancia propia.
Factor de potencia.

A continuacin se estudian cada uno de los citados parmetros.

Valor capacitivo
La capacidad de almacenamiento de electricidad de un condensador se expresa en faradios (F). Sin
embargo, dado que esta unidad resulta excesivamente grande, en la prctica se utilizan los sub
mltiplos pF, nF y piF.
La unidad de capacidad, el faradio, corresponde a la capacidad de almacenar unacantidad de
electricidad de 1 culombio en un condensador alque se le aplica una tensin de 1voltio, es decir:

Al igual que en las resistencias, en la fabricacin de condensadores se recurre a las tablas E (va
se la tabla 3.1 del capitulo 3), mediante las cuales es posible disponer de toda una gama de valo
res capacitivos sin que las tolerancias de los mismos se interfieran y, por lo tanto, se repitan valores de
capacidades reales en condensadores de distinta capacidad terica.
Dado que uno de los factores que ms influye en la capacidad de un condensador es su die
lctrico, resulta lgico pensar que no todos los tipos de condensadores estudiados a lo largo de
este captulo cubren toda la gama de capacidades necesarias en el diseo de un aparato electr
nico, es decir, que cada tipo de condensador tiene unos lmites de capacidad determinados.
En la tabla 5.2 se resean la gama de valores disponibles en el comercio para cada tipo de con
densador, segn la tensin mxima de trabajo admisible por cada uno de ellos.

Tolerancia
El valor real de la capacidad de un condensador discrepa, dentro de ciertos lmites, del valor teri
co o nominal indicado en el condensador. Estas discrepancias son debidas al proceso de fabrica
cin y se designan por tolerancias.

95

COMPONENTES ELECTRNICOS

..........
Tipo

Condensador
Dielctrico

Gama
de valores

Gama de tensiones
mximas de trabajo

Armadura

Mica

Mica

Aluminio o depsito
de plata

2 pF a 22 nF

250 a 4.000 V

Papel

Papel
parafinado

Aluminio

1 nF a 10 |iF

250 a 1.000 V

Styroflex

Poliestireno

Aluminio

10 pF a 4,7 nF
4,7 pF a 22 nF

25 a 63 V
160 a 6 3 0 V

Polister

Polister

Aluminio

4,7 nF a 1,5 |iF


1 nF a 470 nF

100 a 160 V
400 a 1.000 V

Polister
metalizado

Polister

Aluminio depositado
al vaco

47 nF a 10 |iF
10 nF a 2,2 ^F
10 nF a 470 nF

63 a 100 V
250 a 400 V
630 a 1.000 V

Policarbonato
metalizado

Policarbonato

Aluminio depositado
al vaco

47 nF a 10 rF
10 nF a 2,2 jiF
10 nF a 470 nF

63 a 100 V
250 a 400 V
630 a 1.000 V

Cermico
(Grupo I)

Cermica

Depsito de plata

0,56 pF a 560 pF
0,47 pF a 330 pF

63 a 100 V
250 a 500 V

Cermico
(Grupo II)

Titanato
de bario

Depsito de plata

4,7 nF a 470 nF
220 pF a 22 nF
100 pF a 10 nF
470 pF a 0 nF

15 a 50 V
63 a 100 V
250 a 500 V
1.000 V

Electroltico
de aluminio

xido de
aluminio

Aluminio

100 uF a 10 mF
2.2 (J.F a 4,7 mF
470 nF a 2,2 mF
2.2 |uF a 22 |uF

4
16
63
200

Electroltico
de tantalio

xido de
tantalio

Positivo: Tantalio
Negativo: Metalizado

2,2 jaF a 100 |.rF


220 nF a 22 pF

a 10 V
a 40 V
a 160 V
a 450 V

3 a 10V
16 a 40 V

Tabla 5.2 Valores de capacidad y tensiones mximas de trabajo segn ei tipo de condensador.

Las tolerancias para cada tipo de condensador se resumen en la tabla 5.3.


En algunos casos la tolerancia negativa no es igual a la positiva, es decir, que en un condensa
dor, por ejemplo, electroltico, de 125 mF con una tolerancia de -1 0 % +50 %, el valor real del con
densador est comprendido entre:

Cmn = 125 ,uF - 125 ^

10 = 125 nF - 12,5 nF = 112,5 pF

y
_
125uFx50
Cmax = 125 jaF +
^
- - = 125 J1F + 62,5 n F = 187,5 nF

96

CONDENSADORES

r
Gama de tolerancias
v'..."':..'." :

Tipo de condensador
Mica

0,5 % a 20 %

Papel

5 %, 10 %, 20 %

Styroflex (Poliestireno)

1 pF (< 50 pF), 2,5 %, 5 %, 10 %

Pelcula de polister

5 %, 10 %, 20 %

Polister metalizado

5 %, 10 %, 20 %

Policarbonato metalizado

5 %, 10 %, 20 %

Cermicos (grupo 1)

2 %, 5 %, 10 %

Cermicos (grupo II)

(-20 +50 %)
(-20 +80 %)
20 %

Electroltico de aluminio

(-10 +50 %)
(-10 +100 %)
(-20 +30 %)

Electroltico de tantalio

20 %
(-20 +50 %)

Tabla 5.3 Gama de tolerancias


para los condensadores.

Tensin mxima de trabajo


Otra magnitud importante de los condensadores es su tensin mxima de trabajo, tambin llama
da tensin nominal o tensin de servicio. Corresponde al valor mximo de tensin admisible entre
las placas del condensador.
Cuando se aplica una tensin alterna a los terminales del condensador, hay que cuidar que su
valor de pico o cresta no sobrepase el valor nominal Indicado.
En muchos casos la tensin nominal desciende al aumentar la frecuencia, por lo que se debe
asegurar que el condensador trabaje en las condiciones ptimas de tensin y frecuencia. Este dato
suele ser suministrado por los fabricantes mediante las curvas caractersticas de variacin de la
tensin nominal en funcin de la frecuencia.
En la figura 5.23 se muestran cuatro curvas de variacin de la tensin nominal (\/eff) en funcin
de la frecuencia, en diferentes condensadores de polipropileno con distintas tensiones nominales y
capacidades.

5.23 Curvas
caractersticas de
variacin de la
tensin nominal
en fundn de la
frecuencia en
diferentes
condensadores
de polipropileno.
(Contina en la
pgina siguiente)

97

COMPONENTES ELECTRNICOS

5.23
(Continuacin)

La primera de ellas hace referencia a condensadores de polipropileno de 0,022 pF, 0,1 ,uF y
0,47 pF, con una tensin nominal continua de 100 V y alterna de 63 V eficaces. Entre 100 Flz y 20 kFIz
el condensador de 0,47 pF admite una tensin alterna entre sus placas de 63 V eficaces, pero a
partir de dicha frecuencia la tensin nominal desciende rpidamente, de forma que si se le aplica
una corriente alterna de 100 kFIz, slo admite unos 25 V eficaces entre placas.
Esto es particularmente importante al elegir un condensador para un determinado circuito, ya
que si ha de trabajar con frecuencias y tensiones elevadas deber comprobarse que el condensa
dor soporte dicha tensin, aunque en su cuerpo se indique un valor de tensin nominal suficiente.

Tensin de prueba
Otro dato que indican los fabricantes de condensadores es la tensin de prueba, cuyo valor es
siempre superior al de la tensin nominal de servicio.
Si la tensin aplicada al condensador sobrepasa la tensin de prueba, puede ocurrir que se per
fore el dielctrico. En la mayora de los condensadores ocurre entonces que esta perforacin con
duce a un cortocircuito permanente en el interior del condensador, que lo inutiliza completamente.
En la tabla 5.2. se indican las tensiones mximas de trabajo para cada tipo de condensador.

Corriente de carga
Al conectar un condensador descargado a una fuente de alimentacin de corriente continua, o en
tre dos puntos de un circuito bajo tensin, circula una corriente que tiende a disminuir a medida
que el condensador se carga, hasta desaparecer al quedar totalmente cargado. A esta corriente se
la conoce con el nombre de corriente de carga.
Si la fuente de alimentacin es alterna, el condensador sufre sucesivas cargas y descargas al
ritmo de los cambios de sentido de la corriente alterna, por lo que circula una corriente de carga en
ambos sentidos. Esta corriente de carga tiene la particularidad de estar desfasada 90 en adelan
to con respecto a la tensin aplicada al condensador.
Efectivamente, en la figura 5.24 se aprecia cmo en el instante f0, es decir, cuando el conden
sador queda conectado a la fuente de alimentacin, la corriente es mxima, siendo la tensin nula.
+

5.24 Desfase entre


la corriente de carga
y la tensin aplicada
a un condensador.

--------- tensin
corriente

CONDENSADORES

A medida que avanza el tiempo, es decir, en los instantes f,, t2,


la corriente de carga va dis
minuyendo progresivamente de valor, puesto que las armaduras del condensador van asimilando la
carga elctrica y, por lo tanto, se van saturando.
Como consecuencia de este aumento de la cantidad de electricidad almacenada en el conden
sador la tensin va aumentando hasta que la corriente alcanza el valor cero amperios (corriente
nula e inicio del cambio de sentido), en cuyo instante el condensador comienza la carga en senti
do opuesto y la tensin entre placas disminuye.
Se demuestra as que la corriente de carga se presenta con un cuarto de onda (90) de ade
lanto con respecto a la tensin.
Esta circunstancia slo se da en un condensador ideal, ya que en la prctica este ngulo es li
geramente inferior a 90, tal y com o se ver a continuacin.

Tangente de delta
En todo condensador, adems de la corriente de carga, circula una pequea corriente de fuga en
fase con la tensin aplicada. Esta corriente de fuga se debe a que el dielctrico no es perfecto, y
por lo tanto deja pasar a travs de l la citada corriente.
El hecho de que un dielctrico no sea perfecto equivale a poner en paralelo con el condensa
dor ideal una resistencia de elevado valor, tal y como se muestra en la figura 5.25.
La corriente de fuga queda en fase con la tensin aplicada al condensador ( I R en fase con V en
la figura 5.26), mientras que la corriente de carga ideal I c queda desfasada 90 en adelanto con
respecto a la tensin t/.

5.25 Un condensador real, cuyo dielctrico


no es perfecto, equivale a la conexin en
paralelo de un condensador ideal, de igual
capacidad que el real, con una resistencia
cuyo valor hmico es el del dielctrico.

5.26 La intensidad de corriente que circula


por un condensador real ( I CreJ es igual a
la suma vectorial de la corriente de fuga
a travs del dielctrico I Ry la corriente
de carga y descarga del condensador I c.

El ngulo que forma en realidad la corriente que circula por el condensador con respecto a la
tensin a l aplicada es igual a la suma vectorial de la corriente de fuga I R ms la corriente ideal
I c, es decir, el ngulo del vector resultante / Creai de la figura 5.26 con respecto al vector V, y cuyo
valor es igual a:

El ngulo que forman la corriente de carga ideal I c con la corriente de carga real /Crea, se deno
mina ngulo delta (8).
Dado que la tangente trigonomtrica es la relacin entre las intensidades de las corrientes de
fuga e ideal, el coeficiente de prdidas de un condensador se expresa como tangente de delta (tg 8),
es decir:

99

COMPONENTES ELECTRNICOS

5.27 Cuanto mayor


sea el dielctrico
menor ser la
corriente de fuga I f
y ms se acercar el
valor de la corriente
real I Creal al de la
corriente ideal I c,
disminuyendo el
ngulo 8 y como
consecuencia,
la tg 8.

Cuanto ms bajo sea el valor de tg 8 menor ser el ngulo de prdidas 8 y, en consecuencia,


ms perfecto ser el condensador.
Efectivamente, de la figura 5.27 se deduce que cuanto menor sea el valor de I R (mejor dielc
trico), ms se acerca el valor de 7Creal al valor de la corriente ideal I c, disminuyendo el valor del n
gulo 8, es decir, reducindose el cociente I R/ I c que corresponde a la tangente de 8.
El ngulo de prdidas 8 viene dado por los fabricantes para una frecuencia y una temperatura
dadas. Ello se justifica por los siguientes motivos:

La corriente de carga y descarga de un condensador ideal viene dada por la frmula:

donde Xc es la reactancia capacitiva del condensador, cuyo valor viene dado por la igualdad:

X,.

2n f C

De esta ltima igualdad se deduce que el nico parmetro que puede hacer variar la reac
tancia de un condensador dado es f, por lo que si f influye sobre Xc es lgico deducir que
tambin lo har sobre la corriente I c.
La temperatura influye sobre el valor hmico del dielctrico y, como consecuencia, sobre la
intensidad de corriente de fuga I f a travs de l.

De todo lo expuesto se deduce que la frecuencia y la temperatura influyen sobre el cociente


I R/ Jc, es decir, sobre la tg 8, por lo que es preciso conocer en qu condiciones se han realizado
las pruebas para poder comparar un condensador con otro.
En la figura 5.28 se muestra, a ttulo de ejemplo, la curva caracterstica tg 8 en funcin de la tem
peratura para un condensador de papel impregnado. Se lee en ella que la tg 8 disminuye de valor
tg 8 10~
160

120

80

5.28 Curva caracterstica del


valor de tg 8 en funcin de la
temperatura de un condensador
de papel impregnado, para una
frecuencia constante.

100

40

-3 0 ~20-1 5

+15

+30

+45

+60

+75 f85+90

+105 +120 C

CONDENSADORES

tg 5 1(T3

5.29 Curva caracterstica


del valor de tg 8 en
funcin de la frecuencia
de un condensador de
polister metalizado.

desde -2 0 C hasta unos 50 C; es decir, que aproximadamente a 50 C el condensador presenta


la menor corriente de fuga JR. A partir de 50 C la tg 8 vuelve a incrementar su valor, aumentando
con ello la corriente de fuga I R.
En la figura 5.29 puede verse la curva caracterstica de la variacin del ngulo de prdidas 8 en
funcin de la frecuencia, a temperatura constante, de un condensador de polister metalizado.
En esta curva caracterstica cuanto mayor es la frecuencia de la corriente alterna aplicada ma
yor es la tg 8, puesto que aumenta el cociente R/Xc, ya que Xc disminuye de valor.

Coeficiente de tem peratura


Como se sabe, la conductividad de muchos conductores elctricos vara con la temperatura. El valor
en ohmios de los hilos y las resistencias viene por ello afectado ms o menos por la temperatura.
Este fenmeno se presenta tambin en los condensadores, slo que aqu sta es una propie
dad del dielctrico.
La influencia de la temperatura sobre la capacidad se expresa a travs del llamado coeficiente
de temperatura TK.
La variacin de capacidad AC, se calcula con la frmula:
AC = TK C AT
en la que C es la capacidad del condensador, en pF y a 20 C.
El coeficiente de temperatura tiene un valor muy pequeo, por ejemplo, del orden de 100 10"6.
Escribindolo de esta forma, el coeficiente de temperatura es igual a la variacin de capacidad en pF
que se presenta al variar la temperatura en 1 C por cada pF de capacidad del condensador.
A continuacin, y a ttulo de ejemplo, se calcula la variacin de capacidad de un condensador de
4,7 nF al subir la temperatura de 20 a 50 C, siendo su coeficiente de temperatura TK = 100 x 106.
En este caso la variacin de temperatura ser:
AT = 50 C - 20 C = 30 C
y la variacin de capacidad resulta con ello ser de:
A C = T K x C x A T = 100 x 1 0 ^ x (4,7 x 103 pF) x 30 C = 14,1 pF
es decir, la capacidad pasa a valer:
C = 4,7 nF + 0,0141 nF = 4,7141 nF
Los materiales dielctricos pueden poseer un coeficiente de temperatura positivo o negativo. En
el primer caso, la capacidad aumenta con la temperatura, y en el segundo disminuye alaumentar
la temperatura.

101

COMPONENTES ELECTRNICOS

Conectando un condensador con coeficiente de temperatura positivo con otro de coeficiente


negativo, es posible compensar las variaciones de capacidad debidas a los cambios de tempera
tura, eligiendo convenientemente los valores de capacidad de cada uno de ellos para que el con
junto d el valor de capacidad que se necesite.
En la tabla 5.4 se relacionan los coeficientes de temperatura de los diferentes tipos de conden
sadores, excepto los cermicos, los cuales se relacionan en la tabla 5.5, ya que en ellos se ha
adoptado universalmente la anotacin ppm (partes por milln). P significa coeficiente positivo, N
negativo y PNO nulo.
Algunos fabricantes indican en sus catlogos la variacin de la capacidad en funcin de la tem
peratura mediante curvas caractersticas, de las cuales se muestra un ejemplo en la figura 5.30, re
ferida a un condensador de polister metalizado.
En la figura 5.30 se lee que entre unos 15 y 35 C la capacidad del condensador es la nominal
(AC/C = 0). Por debajo de los 15 C el condensador pierde capacidad y por encima de los 35 C
adquiere ms capacidad.

Tipo

Coeficiente de temperatura
entre 20 y 35 C (% C)

Mica

0,1 %

Papel

+0,5 %

Styroflex (poliestireno)
Pelcula de polister

+0,3 %

Polister metalizado

+0,3 %

Policarbonato metalizado

+0,3 %

Electroltico de aluminio

+1 %
+5 %

Electroltico de tantalio

+1 %

Designacin

Coeficiente
de temperatura

Designacin

P100

+100 10

N150

-150 10 6

P33

+33 10"6

N220

-220 10'6

N330

-330 10'6

Tabla 5.5 Coeficientes


de temperatura de los
condensadores
cermicos.

102

N33

-33 10-

N470

-470 10^

N47

-47 10

N750

-750 10-6

N75

I
>sl
o

PNO

o
O)

Tabla 5.4 Coeficientes


de temperatura de los
condensadores.

-0,15 %

N1500

-1.500 10-

CONDENSADORES

-50 40 -20

+25

+50

+7585 +100

+125 (C)

5.30
de la variacin de la
capacidad en funcin de
la temperatura de un
condensador de pollster
metalizado.

As, a -4 0 C el condensador pierde aproximadamente un 4 % de su capacidad nominal, mien


tras que a 85 C su capacidad llega a ser un 4 % ms alta.

Resistencia de aislamiento
Normalmente, la corriente de fuga a travs del dielctrico se incrementa con el aumento de la fre
cuencia de la corriente aplicada ai condensador. Por este motivo, en la fabricacin de condensa
dores deben utilizarse materiales de alta calidad.
Las prdidas que se presentan cuando se aplica corriente continua a un condensador se de
nominan resistencia de aislamiento.
En la tabla 5.6 se indica la resistencia de aislamiento para diferentes tipos de condensadores.
La resistencia de aislamiento disminuye al aum entar la temperatura, por lo que algunos fa
bricantes suelen indicar en sus catlogos la curva caracterstica de la resistencia de aislamiento en
MQ (iF en funcin de la temperatura, tal y como se muestra en la figura 5.31 referida en este caso
a un condensador de polister metalizado.

Resistencia de aislamiento en MQ

T'po

Mica

> 50.000

Papel

> 10.000

Styroflex (Poliestireno)

> 100 y > 100.000 segn tipo

Pelcula de polister

> 100.000

Polister metalizado

> 20.000

Cermicos (grupo I)

> 5.000 y > 10.000 segn tipo

Cermicos (grupo II)

> 1, > 5.000 y > 10.000 segn tipo

Electroltico de aluminio

Corriente de fuga; < 0,05 |uA x V x

Electroltico de tantalio

Corriente de fuga: > 0,02 nA x V x |uF y siempre > 4 |uA

y siempre > 4 pA

Tabla 5.6 Resistencia de aislamiento de los condensadores.

103

COMPONENTES ELECTRNICOS

Mi2 x p f

5.31 Curva caracterstica de


la resistencia de aislamiento
en funcin de la temperatura
de un condensador de polister
metalizado.

Asi, para un condensador cuya capacidad es de 0,22 pF y su resistencia de aislamiento de


230.000 MQ, entre 0 y 25 C se tiene un producto RC de:
RC = 230.000 MQ x 0,22 pF = 50,600 MQ pF
tal y com o se deduce en la curva caracterstica de la figura 5.31.
SI en esta circunstancia la tem peratura sube a 75 C y suponiendo que la capacidad se
mantenga en 0,22 pF, de la figura 5.31 se deduce que a 75 C el producto RC ha descendido a
7.000 MQ pF, lo que quiere decir que su resistencia de aislamiento ha disminuido a:

R=

7.000

MQ pF

0,22 pF

30.000

MQ

es decir, casi la octava parte que a 25 C.

Inductancia parsita
Todo condensador presenta una cierta Inductancia parsita, muy variable, segn la forma cons
tructiva del mismo. Por ejemplo, un condensador de lminas enrolladas presenta una Inductancia
parsita muy superior a uno plano.
Dicha inductancia parsita puede suponerse conectada en serie con el condensador y, como
toda Inductancia, resulta despreciable a bajas frecuencias.
Sin embargo, si la frecuencia aplicada al condensador es muy elevada, la inductancia parsita
se pone de manifiesto, aumentando con ello la reactancia del condensador, es decir la oposicin al
paso de la corriente alterna.

Frecuencia de resonancia propia


Se denomina frecuencia de resonancia propia de un condensador aquella frecuencia con la cual se
igualan las reactancias capacitiva y de inductancia parsita.
Por debajo de la frecuencia de resonancia propia el condensador se com porta com o tal, mien
tras que por encima de dicha frecuencia de resonancia el condensador se com porta com o una
bobina.
Este fenmeno es la causa de que muchos condensadores, de tipo no adecuado al circuito en
los que se conectan, no den los resultados que de ellos cabra esperar.

Factor de potencia
A lo largo de este captulo se ha visto que todo condensador real puede asimilarse a un conden
sador ideal que posea:

104

CONDENSADORES

a) una resistencia en derivacin (debida a la resistencia de aislamiento en corriente continua y


a las prdidas por tg 5 en corriente alterna);
b) una inductancia en serie (debida a la inductancia parsita del condensador).
Adems de lo expuesto, un condensador real posee unas resistencias hmicas en sus termina
les y armaduras que en ciertos casos no deben despreciarse, y a las que podemos considerar
como una resistencia en serie con nuestro hipottico condensador ideal.
Si al condensador se le aplica una comente alterna, ste presenta una impedancia Z constitui
da por la suma geomtrica de la reactancia capacitiva Xc y la resistencia hmica R que considera
mos en serie con l, es decir:
Z = yxcz + R2
Se denomina factor de potencia o coseno k de un condensador al cociente de dividir la resis
tencia parsita R por la impedancia total Z. es decir:
R
eos <p =
Si R es igual a cero (caso imposible en los condensadores reales), el factor de potencia ser
nulo y, por lo tanto, el condensador no consume energa.

INDICACIN DEL VALOR DE LOS CONDENSADORES


Los valores de la capacidad de los condensadores vienen impresos sobre el mismo componente, o es
tn indicados mediante puntos o aros coloreados, de forma anloga a como se hace con las resistencias.
Desgraciadamente, hoy en dia an persisten varios sistemas o cdigos de colores para los con
densadores, lo que dificulta en cierto modo su identificacin. Por esta razn, en las tablas que se
incluyen a partir de la pgina siguiente, se indican los cdigos ms utilizados en la actualidad.
En las tablas anteriores, en las que la identificacin del valor capacitivo se efecta por cifras, s
tas se imprimen sobre la superficie del condensador de muy diversas maneras, pero siempre ha
ciendo referencia a la unidad picofaradio.
As, un condensador de 4.700 pF puede identificarse por cualquiera de las siguientes anotaciones:
4700 p
4700
4.7 k
4.7 n
4 n 7
0,0047 pF
,0047 pF
472

Se suprime la F de Faradio.
Se suprime la p de pico y la F de Faradio.
La k de kilo representa que 4,7 se multiplica por 1.000 pF.
Se sustituye pF por la n de nanofaradio, puesto que 4,7 nF = 4.700 pF.
La n de nanofaradio se utiliza como coma decimal.
Indicacin en pF, puesto que 4.700 pF = 4,7 nF = 0,0047 pF.
La misma indicacin anterior, pero suprimiendo el cero de la unidad microfaradio.
La cifra 2 indica que detrs de 47 deben aadirse dos ceros.

ELECCIN DEL CONDENSADOR ADECUADO


Como hemos visto, se fabrican numerosos tipos de condensadores, lo cual dificulta a veces la
eleccin del ms adecuado para un determinado circuito.
Dentro del grupo de los condensadores con dielctrico de plstico tambin se tienen diferentes
tipos, con caractersticas similares pero no iguales, por lo que en este caso la dificultad de elegir el
ms adecuado es, si cabe, mayor.
Por estas razones, a continuacin se resume en pocas lneas cul es el condensador idneo
para utilizar en cada circuito de radio, televisin y alta fidelidad, as como las curvas comparativas

105

Tolera nc
V +*
O

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(0,01)

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V io le ta
( 7)

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- 20
+ 80

- 20
+ 50

( 7)

V io le ta

Azul
(0)

S-l
Oo

+ 20
- 30

Azul
(6)

V erde
(5)

A m a r illo
(10000)

A m a r illo

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COMPONENTES ELECTRNICOS

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COMPONENTES ELECTRNICOS

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110

CONDENSADORES

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(4)

(4)

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(0.01)

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B lanco
(O.D

(8)
B lan co
(9 )

G ris

(9)

B lan co

40

6.3

16

25

2.5

Tabla 5.18 Cdigo


de identificacin de
condensadores
electrolticos de tantalio.

de caractersticas tpicas de los condensadores con dielctrico plstico, de forma que el lector pueda
escoger con seguridad aqul que resulte ms eficaz en cada aplicacin.
Circuitos de sintona hasta 200 kHz:

Cermicos del grupo I.


Styroflex.
Pelcula de polister.

Circuitos de sintona hasta 30 MHz:

Cermicos del grupo I.


Styroflex.

Circuitos de sintona hasta 1.000 MHz:

Cermicos del grupo I.

Desacoplo de radiofrecuencia:

Cermicos del grupo II (16 - 50 V).


Cermicos del grupo II (63 -500 V).
Cermicos del grupo II (1 kV).

111

COMPONENTES ELECTRNICOS

Paso de radiofrecuencia:

Cermicos del grupo I.

Cermicos del grupo II (16 - 50 V).


Cermicos del grupo II (63 - 500 V).
Cermicos del grupo II (1 kV).

Desacoplo de audiofrecuencia:
Cermicos del grupo II (16 - 50 V).
Cermicos del grupo II (63 - 500 V).
Pelcula de polister.
Polister metalizado.
Electrolticos de aluminio.
Electrolticos de tantalio.
Paso de audiofrecuencia de alta impedancia:
Cermicos del grupo I.
Cermicos del grupo II (63 - 500 V).
Cermicos del grupo II (1 kV).

Styroflex.
Pelcula de polister.
Polister metalizado.
Paso de audiofrecuencia de baja impedancia:

Electrolticos de aluminio.
Electrolticos de tantalio.

Desacoplo toda banda:

Electroltico de tantalio.
Electroltico de aluminio en paralelo con cermico.

Filtros de altavoz:

Polister metalizado.

Filtros de audiofrecuencia para control de tono:

Cermicos del grupo I.


Styroflex.
Pelcula de polister.
Polister metalizado.

Filtros de corriente continua rectificada:

Electrolticos de aluminio.

Antiparasitado de red:

112

Cermicos del grupo I (1 kV).


Cermicos del grupo II (1 kV).
Polister metalizado (1 kV).
Electrolticos de aluminio (1 kV).

CONDENSADORES

Circuitos en rgimen de impulsos :

Styroflex.
Pelcula de polister.

Para finalizar, en la figura 5.32 se han dibuja


do las curvas caractersticas comparativas de los
condensadores con dielctrico plstico, lo cual
facilitar la eleccin de esta clase de condensa
dores. Dichas cun/as hacen referencia a:

Incremento porcentual de capacidad en fun


cin de la temperatura (figura 5.32a).
Incremento porcentual de capacidad en
funcin de la frecuencia (figura 5.32b).
Factor de disipacin (tg 8) en funcin de la
temperatura y a 1.000 Hz (figura 5.32c).
Factor de disipacin (tg 8) en funcin de la
frecuencia (figura 5.32d).
Resistencia de aislamiento en funcin de
la temperatura (figura 5.32e).
3)

c)

b)
M i) x \xF

5.32 Curvas
caractersticas
tpicas
comparativas de los
condensadores con
dielctrico de
plstico.
d)

e)

113

Bobinas y ferritas

INTRODUCCIN
Las bobinas, tambin llamadas inductancias o solenoides, son probablemente los componentes
electrnicos que ms varan en su diseo.
Cuanto ms alta sea la frecuencia de la corriente alterna que circula por una bobina, menor ser
el nmero de espiras que se necesitan para obtener una determinada reactancia al paso de la c o
rriente.
Como consecuencia, se fabrican bobinas de reducido nmero de espiras y tamao para fun
cionar en aparatos que trabajan en las gamas de frecuencia de VHF, UHF y SHF, y voluminosas bo
binas, con muchas espiras, como elementos de filtro de la corriente alterna industrial de hasta unas
decenas de hercios.
Una importante caracterstica de estos componentes, en lo que respecta a su fabricacin, es
que en muchas ocasiones su construccin es artesanal, es decir, hecha por el propio profesional
en su taller, utilizando hilo conductor de seccin adecuada. Esta caracterstica no se da en las re
sistencias y condensadores, cuya fabricacin corre a cargo de empresas especializadas.

CLASIFICACIN DE LAS BOBINAS


Segn la frecuencia de la corriente alterna las bobinas se clasifican en dos grandes grupos:

Bobinas para altas frecuencias (o de radiofrecuencia).


Bobinas para bajas frecuencias.

Segn el ncleo o soporte donde va arrollada la bobina, stas se clasifican en:

Bobinas
Bobinas
Bobinas
Bobinas

con
con
con
con

ncleo de
ncleo de
ncleo de
ncleo de

aire.
hierro.
pulvimetal.
ferrita.

Adems, las bobinas pueden estar apantalladas, es decir, situadas dentro de un recipiente me
tlico que evita la transferencia de energa entre la bobina y los elementos del circuito situados fuera
del apantallamiento.

FORMULAS PARA EL CALCULO DE UNA BOBINA


En una bobina con ncleo de aire, su coeficiente de autoinduccin L viene dado por la frmula:
N2S
L = 1,257

10a/
115

COMPONENTES ELECTRNICOS

Donde L se expresa en henrios (H), N es el nmero de espiras de la bobina, S es la seccin abar


cada por una espira en cm 2, y I la longitud del solenoide en cm.
Si a la bobina se le aade un ncleo ferromagntico, la frmula anterior se escribe:

L = 1,257

A/2S

10 /

Donde ju es el coeficiente de permeabilidad del ncleo.


As, en una bobina para radiofrecuencia de 5 mm de longitud, formada por dos espiras de 7 mm
de dimetro interior bobinadas al aire, se obtiene que la seccin abarcada por una espira vale:
S = Tir2 = 3,1416 x (3,5 mm)2 = 38,48 mm2 = 0,3848 cm 2
Con este dato se calcula el coeficiente de autoinduccin de la bobina:
i = 1,257
10/

~
10 x 0,5 cm

,1 ,257 X 2 * 0 .3W 8 mm* _

x 10"8 x H = 3

Si esta bobina trabaja en un circuito por el que circulan corrientes del orden de los100 MHz (por
ejemplo, en la etapa de radiofrecuencia de un receptor de radio para FM), la reactancia al paso de
estas seales ser:
XL = 2nfL = 2 x 3,1416 x 100 x 106 Hz x 38,7 x 10~9 H 24 Q
En las frmulas expuestas no se tiene en cuenta el dimetro del hilo, el cual depende de la in
tensidad de corriente que circula por la bobina.
Con el fin de facilitar el clculo de las bobinas, en la tabla 6.1 se relacionan los dimetros de hilo
esmaltado ms utilizados en la fabricacin de stas, con indicacin de la seccin correspondiente,
el nmero de espiras por centmetro que ocupara el devanado (estando las espiras juntas) y las in
tensidades de corriente admisibles.
Si las espiras han de ir juntas, el hilo utilizado en la fabricacin de la bobina deber estar reves
tido con un barniz aislante que evite cortocircuitos entre espiras; y en aquellos casos en los que el
devanado est sometido a elevadas tensiones, se aconseja que el hilo est recubierto de aisla
miento plstico como, por ejemplo, el policloruro de vinilo.

Bobinas con ncleo de aire


Las bobinas con ncleo de are constan de un arrollamiento de hilo conductor devanado sobre un
soporte de fibra, plstico u otro material no m agntico y sin hierro alguno en sus Inmediaciones
(figura 6.1).

Soporte aislante no magntico

6.1 Constitucin de una


bobina con ncleo de aire.

116

Hilo conductor

BOBINAS Y FERRITAS

i amperios para ma densidad


de corriente de
----------------- i
..........
3 A/mrrE
,2,5 A /m tif

Nmero de.
espiras
por cm

Dimetro
(mm)

0,08
0,10

0,0050
0,0078

86
72

0,010
0,016

0,013
0,020

0,015
0,024

0,12
0,15
0,18
0,20

0,0113
0,0177
0,0254
0,0314

61
50
42,2
38,6

0,022
0,035
0,051
0,063

0,028
0,045
0,063
0,080

0,034
0,053
0,076
0,094

0,22
0,25
0,28
0,30

0,0380
0,0491
0,0616
0,0707

35,4
31,6
28,5
26,7

0,076
0,098
0,123
0,141

0,095
0,120
0,154
0,175

0.114
0,147
0.184
0,212

0,32
0,35
0,38
0,40

0,0884
0,0962
0,1134
0,1257

25,2
23,2
21,7
20,5

0,161
0,190
0,227
0,251

0,201
0,240
0,283
0,310

0.241
0,289
0,340
0,377

0,45
0,50

0,159
0,196

18,5
16,7

0,318
0,390

0,400
0,490

0,477
0,588

0,55
0,60
0,65
0,70
0,75

0,238
0,283
0,332
0,385
0,442

15,38
14,28
13,3
12,34
11,62

0,476
0,566
0,664
0,770
0,884

0,600
0,700
0,830
0,960
1,100

0,714
0,849
1,000
1,160
1,330

0.80
0.90
1.00
1.20
1,30

0,503
0,636
1,785
1,131
1,327

10,86
9,7
8,84
7,46
6,94

1,01
1,27
1,57
2,26
2,65

1,250
1,600
1,960
2,830
3,320

1,510
1,910
2.360
3,390
3.980

Tabla 6.1 Caractersticas de los hilos esmaltados para la fabricacin de bobinas.

6.2 Bobina para radiofrecuencia


con ncleo de aire.

En numerosas ocasiones la bobina no tiene soporte, siendo suficiente la propia rigidez mecni
ca del hilo para que sta quede conformada (figura 6.2).
Se trata de la forma ms simple de construccin de una bobina, que en ocasiones consta de
una sola espira o incluso de una fraccin de sta.
En la fabricacin de estas bobinas se utiliza generalmente hilo de cobre, cuando la frecuencia
de la seal que ha de circular por la bobina es de hasta 50 MHz. Para frecuencias superiores se
emplea el cobre plateado, con el fin de evitar prdidas.

117

COMPONENTES ELECTRNICOS

En RF se utiliza hilo de Litz, consistente en un determinado nmero de hilos finos aislados indivi
dualmente, o bien hilos trenzados en grupos de tres. Cada grupo de tres hilos pasa desde la super
ficie exterior al interior del cable, con lo cual se distribuye la corriente superficial a travs de la sec
cin recta total; de esta forma se incrementa la seccin efectiva y se reducen las prdidas en alta
frecuencia debidas al efecto pelicular.
El efecto pelicular consiste en la tendencia de la corriente alterna a circular por la superficie de
los conductores. Este fenmeno aumenta con la frecuencia y hace que, al disminuir la seccin til,
aumente la resistencia efectiva del conductor.
Las bobinas con ncleo de aire se construyen desde una fraccin de espira hasta varios cien
tos de espiras superpuestas en varias capas.
Normalmente las bobinas se impregnan, con el fin de hacerlas resistentes a la humedad y para
mejorar su comportamiento ante las fuerzas mecnicas que puedan soportar.
La bobina que se muestra en la figura 6.2 es simple, pero tambin puede estar dotada de una
toma intermedia.
Es muy importante que todas las espiras de la bobina tengan la misma separacin, aunque en
ocasiones es necesario acercar entre s algunas de ellas para ajustar el valor del coeficiente de
autoinduccin de la bobina, puesto que acercando o alejando las espiras entre s la autoinduccin
admite un margen de variacin en su valor.
La conexin de la bobina al circuito impreso se realiza directamente, es decir, que el propio hilo
de la bobina hace en sus extremos la funcin de terminal.
Al conectar la bobina, debe tenerse muy en cuenta que la mayora de ellas utilizan hilo de cobre
recubierto de un barniz aislante, por lo que deben rascarse suavemente los extremos de la bobina
con un papel de lija antes de efectuar su soldadura. De lo contrario no se establece el contacto elc
trico necesario entre el hilo de cobre y el estao.
Cuando la bobina est arrollada sobre un tubo de fibra, plstico u otro material, se disponen unos
terminales de conexin en los que ya van soldados los extremos de la bobina. Esto es muy usual en
las bobinas cuyo hilo, por ser muy flexible (como el hilo de Litz), no adquiere por s solo la conforma
cin adecuada, siendo imposible arrollarlo al aire (sin soporte). Un ejemplo de esta forma de devanado
son las bobinas de sintona de los receptores de radio, las cuales, aunque despus se introduzca un
ncleo de ferria, estn devanadas sobre un soporte y disponen de terminales de conexin (figura 6.3).

6.3 Forma constructiva tpica


de una bobina de sintona para
receptor de radio.

En el caso de las bobinas con ncleo de aire, utilizadas en etapas de RF de las bandas de VHF y
superiores, el efecto pelicular reduce la seccin til del hilo empleado en la fabricacin de la bobina, por
lo que en estos casos debe utilizarse hilo de seccin bastante superior a la indicada en la tabla 6.1.
Una forma constructiva muy especial de las bobinas con ncleo de aire son las denominadas
nido de abeja.
La configuracin en nido de abeja consiste en arrollar varias capas de hilo de Litz, desplazando
las espiras en uno y otro sentido de forma que se obtenga una posicin cruzada de las espiras (fi
gura 6.4).

6.4 Forma constructiva de una


bobina con ncleo de aire y
devanado en nido de abeja.

118

BOBINAS Y FERRITAS

Esta forma de devanado proporciona una gran autoinduccin y una resistencia mecnica con
siderable, puesto que en la forma expuesta se favorece la inmovilizacin del hilo.
Las bobinas en nido de abeja se utilizan en las etapas de sintona de los radiorreceptores de OM
y en algunas bobinas de choque de RF.

Bobinas con ncleo de plancha de hierro


El ncleo magntico se utiliza para incrementar la inductancia sin aumentar el nmero de espiras
de la bobina.
Consiste en insertar dentro del bobinado un ncleo de material ferromagntico.
La inductividad L de una bobina con ncleo ferrom agntico se puede definir por medio de la
frmula:

Donde N es el nmero de espiras de la bobina, y f m la reluctancia o resistencia magntica del tra


yecto de las lneas de fuerza expresada en AAA/b (amperio-vuelta por weber).
Para obtener altas inductividades se puede aumentar el nmero de espiras, pero esto tiene la
desventaja de que aumenta la resistencia hmica del bobinado e incrementa considerablemente el
volumen de la bobina; por estos motivos es preferible disminuir la reluctancia, lo cual se consigue
con un ncleo de hierro cerrado, sin interrupcin, puesto que un entrehierro presenta una reluctan
cia considerable.
A causa del constante cambio de magnetizacin y de las corrientes parsitas, llamadas tambin
corrientes de Foucault, se originan dentro del ncleo de hierro prdidas que producen calor.
Se reducen considerablemente las prdidas ocasionadas por las corrientes parsitas constru
yendo un ncleo de hierro a base de planchas aisladas entre s que, segn la aplicacin de la bo
bina, tienen un grosor comprendido entre 0,05 y 0,5 mm (figura 6.5).

6.5 Corrientes parsitas en


un ncleo magntico. a) ncleo
magntico macizo, b) ncleo
magntico laminado.

Las prdidas por cambio de magnetizacin se reducen tambin utilizando ncleos de aleacio
nes ferromagnticas especiales, tales como el ferrosilicio y el ferronque!. Este ltimo proporciona
altas permeabilidades, que pueden alcanzar valores de hasta 32.000 en lminas de hierro silicio de
grano orientado, es decir, que con un ncleo de estas caractersticas el coeficiente de autoinduc
cin puede multiplicarse por 32.000.
De todas formas, dichas prdidas no desaparecen por completo.
En la figura 6.6 se muestra una bobina con ncleo de planchas de hierro, y en la figura 6.7 tres
formas distintas de ncleos de plancha de hierro, las cuales se denominan, segn su forma, como
corte de Ul, de El y de M respectivamente.
Las bobinas con ncleo de hierro (o cualquiera de sus aleaciones) se utilizan slo en circuitos
de baja frecuencia, tales como fuentes de alimentacin y amplificadores de audio.
Con frecuencias ms elevadas las prdidas por corrientes parsitas en el hierro aumentan. Ya
no resulta suficiente que se construya el ncleo con un paquete de planchas delgadas, sino que
debe hacerse otra subdivisin en islas magnticas, elctricamente aisladas entre s. Un progreso
esencial en este sentido se alcanz utilizando hierro en polvo fino, mezclado con una materia sin-

119

COMPONENTES ELECTRNICOS

6.6 Aspecto externo de


una bobina con ncleo
de planchas de hierro.

a)

b)

6.7 Formas constructivas de ncleos de planchas de hierro, a) corte en Ul. b) corte en El. c) corte en M.

ttica aislante y comprimido todo para formar el ncleo de la bobina. La materia bsica de estos
ncleos de hierro para alta frecuencia es un polvo de hierro que se extrae del pentacarbonito de hie
rro. El dimetro de estas partculas de hierro es de 1 a 10 jim . Tales materias magnticas se hallan
en el mercado bajo diversas denominaciones comerciales.

Bobinas con ncleo de ferrita


Las ferritas son xidos de metales magnticos con caractersticas de dielctrico, es decir, materia
les magnticos aislantes al paso de la corriente elctrica (figura 6.8).

120

BOBINAS Y FERRITAS

Como ejemplo de ferritas podemos citar:

Ferrta
Ferrta
Ferrta
Ferrta

de
de
de
de

nquel (Ni Fe20 4).


cobalto (Co Fe20 4).
manganeso (Mn Fe20 4).
magnesio (Mg Fe20 4).

Todos estos compuestos tienen estructura parecida: son cristales mixtos, ioque en la frmula
qumica est indicado por el punto. Estos cristales mixtos no son conductores y por esto no hace
falta pulverizarlos.
Para su elaboracin se utiliza el procedimiento de la tcnica cermica: ncleos construidos por
medio de inyeccin, a presin, o bien en fundicin, que se cuecen a temperaturas de 1.300 C.
Estos ncleos son muy duros y tienen el tacto de la porcelana. Si se los deja caer se rompen con
facilidad. Como denominacin comercial de las ferritas podemos citar el Ferroxcube, de P hilips .
Los ncleos de ferrita fabricados com o se ha indicado slo se pueden trabajar tallndolos. Para
componerlos se unen dos caras talladas planas por medio de pegamento. Si se hace con sumo
cuidado, el espacio que queda en la unin de las caras es inferior a 10 ^irn, con lo que la disper
sin del flujo magntico es muy reducida.
Una forma de ncleo especialmente pobre en dispersin es el de campana, que se compone
de dos moldes pegados y completamente cerrados (figura 6.9a). Tambin existen los ncleos m e
dio abiertos (figura 6.9b) y los abiertos (figura 6.9c).

illf e
X < ^ y v X /s
>V;<A'- XX ' X

b)
a)

6.9 Ncleos de ferrta pobres


en dispersin (zona tramada),
a) ncleo de campana, b) ncleo
medio abierto, c) ncleo abierto.

Cuando se necesita obtener un valor exacto de la inductividad, sta deber ser graduable, pues
to que siempre hay que contar con las tolerancias propias de fabricacin. Esto se consigue fcil
mente por medio de un entrehierro variable.
Por ejemplo, se modifica el ncleo del molde de tal manera que el pivote central sea ms corto
que el molde. Uno o ambos pivotes centrales se construyen vacos y se proveen de rosca, en la que
se aplica un tornillo que es del mismo material que el ncleo del molde. Enroscando ms o menos
el tornillo varia el entrehierro, y con ello la inductividad, en un 10 %.
Este procedimiento de ajuste se denomina nivelacin o sintonizacin, y se efecta primero tras
el montaje de las conexiones y, eventualmente, deber repetirse ms adelante.
En la figura 6.10 se han dibujado las partes constituyentes de una bobina con ncleo de ferrita,
con indicacin de sus dimensiones principales. Las letras designan las siguientes partes de la bobina:

121

COMPONENTES ELECTRNICOS

7x 7

5,5
15

10 x 10
b)

c)

3)
6.10 Partes constituyentes de una
bobina apantallada con ncleo de
ferrita: a) pantalla de latn niquelado;
b) campana de ajuste de ferrita;
c) ncleo de ferrita con rosca;
d) carrete; e) base de la bobina.

7x 7

d)

a)

Blindaje o pantalla de latn niquelado. Esta pantalla se conecta a masa y con ella se evita
que las seales de RF generadas en la bobina salgan al exterior interfiriendo a otros apara
tos o partes del circuito.
b) Campana de ajuste con roscado exterior, constituida por una ferrita adecuada a la gama de
frecuencias de trabajo.
c) Ncleo de ferrita adecuada a la gama de frecuencias de trabajo.
d) Carrete soporte de la bobina.
e) Base.

CARACTERISTICAS TCNICAS DE LAS BOBINAS


Las caractersticas tcnicas ms importantes de las bobinas son las siguientes:

Valor inductivo.
Tolerancia.
Variacin de la inductancia.
Margen de frecuencias.
Resistencia de aislamiento.
Coeficiente de temperatura p o r grado centgrado.
Factor de calidad.

Todos estos factores son dependientes en mayor o menor grado de las caractersticas tcnicas
del ncleo y del hilo, utilizado en el devanado.

Valor inductivo
El coeficiente de autoinduccin (L) de una bobina se expresa en henrios (H).
Una bobina tiene una inductancia de 1 H cuando una variacin de corriente de 1 A/s da lugar a
una fuerza electromotriz de 1 V, es decir:
Et
K I =

1Vx 1s
1 A ^ = 1H

Dado que esta unidad es, en muchos casos, excesivamente grande, se utilizan los submltiplos
mH, |iH y nH.
En las bobinas con ncleo de aire el coeficiente de autoinduccin depende exclusivamente de
sus caractersticas constructivas, es decir, del nmero de espiras, seccin de la espira y longitud del

122

BOBINAS Y FERRITAS

arrollamiento, mientras que en el caso de una bobina con ncleo ferromagntico el coeficiente de
autoinduccin depende tambin del coeficiente de permeabilidad del ncleo, como ha quedado re
flejado en las frmulas expuestas al comienzo de este captulo.
Un gran porcentaje de las bobinas utilizadas en electrnica son diseadas por el propio profe
sional, aunque tambin se fabrican normalizadas siguiendo los valores establecidos por las tablas
E, igual que las resistencias y condensadores.

Tolerancia
El valor del coeficiente de autoinduccin discrepa, dentro de unos ciertos lmites, del valor nominal
o valor terico de la bobina.
Estas discrepancias son debidas al proceso de fabricacin, y se designan, como en el caso de
las resistencias y condensadores, por tolerancias.

Variacin de la inductancia
En las bobinas con ncleo ajustable, la variacin que sufre el coeficiente de autoinduccin al ajus
tar el ncleo se Indica de forma porcentual. As, en una bobina de 260 ptH, cuyo valor inductivo
pueda variarse en 10 %, podemos ajustar su valor entre 234 pH a 286 pH.
En ciertos casos los fabricantes indican el tanto por ciento de la variacin de la Inductancia en
funcin de la carrera del ncleo, tal y com o se puede apreciar en la figura 6.11.

M%

6.11 Curva caracterstica


del tanto por ciento de
variacin de la Inductancia
en funcin de la carrera
del ncleo.

As, en el caso de la figura 6.11, el valor nominal de la inductancia queda incrementado en un


15 % cuando el ncleo est ajustado a tope. Al desplazarlo unos 0,23 mm el valor de la inductan
cia es el nominal. Y al desplazarlo 0,75 mm el valor de la inductancia desciende a un 15%.

Margen de frecuencias
Un dato muy importante a tener presente es el margen de frecuencias en que puede trabajar una
bobina.
No todos los ncleos son adecuados para trabajar en alta frecuencia, ya que los hilos del bobi
nado pueden resultar inadecuados:cuando se produce en ellos el efecto pelicular al trabajar en RF.
Otro parmetro de gran influencia al trabajar en RF son las capacidades parsitas que se for
man entre espiras de la bobina, que pueden llegar a producir cortocircuitos para las seales.
Los fabricantes de bobinas suelen indicar en sus catlogos tanto la frecuencia central de traba
jo de la bobina com o la capacidad parsita entre sus terminales.

Resistencia de aislamiento
Los hilos utilizados en la fabricacin de bobinas estn recubiertos de un barniz o aislante que evita
el cortocircuito directo entre espiras adyacentes. Este aislante puede, sin embargo, perforarse si la
tensin aplicada a la bobina sobrepasa un cierto valor.
Aqu cabe hacer una distincin entre tensin aplicada a los terminales de la bobina y tensin so
portada entre dos espiras contiguas, puesto que la tensin se reparte por igual entre ellas.

123

COMPONENTES ELECTRNICOS

En el caso de una bobina de una sola capa, la tensin entre espiras es igual a la tensin aplica
da entre los terminales de la bobina dividida por el nmero de espiras. As, si la bobina consta de
100 espiras y se le aplican 35 V, la tensin entre espiras contiguas ser de:
35 V
"^ qq - = 0,35 V (entre espiras contiguas)

La resistencia de aislamiento entre terminales se indica en MQ, para una tensin continua dada.
Cuando la bobina est formada por dos o ms capas de hilo conductor, debe tenerse en cuen
ta, adems, la tensin entre capas contiguas. Esta tensin es igual a la tensin aplicada a la bobi
na dividida por el nmero de capas, con lo cual el valor obtenido es mayor que el de la tensin en
tre espiras, pudlendo ser en muchos casos peligrosa para la integridad de la bobina, ya que el
barniz aislante puede no soportarla.
Para aumentar el aislamiento entre capas se recurre entonces a disponer un material aislante
entre capa y capa del bobinado, como el papel impregnado o cinta de material plstico.

Coeficiente de temperatura
La conductividad de muchos conductores elctricos vara con la temperatura. El valor hmico de
los hilos con los que se fabrican las bobinas viene por ello afectado, ms o menos, por la tem
peratura.
La influencia de la tem peratura sobre la bobina se expresa en partes p o r milln de variacin
por C.

Factor de calidad
Toda bobina puede realizar tanto mejor su cometido cuanto ms pequea sea su resistencia hmica. Por esta razn es de gran inters el concepto factor de calidad (Q) de la bobina.
La calidad de una bobina se define com o la relacin entre su reactancia inductiva (XL) y su re
sistencia hmica (f), y viene expresada por la frmula:
^

XL

27i f L

Con frecuencias elevadas se empeora la calidad de la bobina, a pesar de que, segn la frm u
la anterior, cabe suponer lo contrario. Ello se debe a que con frecuencias elevadas la resistencia h
mica aumenta debido al efecto pelicular.
Para que la calidad de una bobina sea grande, su resistencia hmica debe tener un valor bajo
y su inductividad ha de ser elevada.
Por ejemplo, en bobinas sin previa magnetizacin que no precisan de entrehierro, el aumento
de la Inductividad se consigue mediante la formacin especial del trayecto de lneas de fuerza. Para
ello, el ncleo de la bobina se cierra quedando en forma de anillo o toro y la bobina se reparte por
toda la longitud del ncleo. La construccin de tales bobinas con ncleo anular es muy cara, ya
que se precisa maquinaria especial de bobinar.
Los fabricantes de bobinas indican en sus catlogos la calidad de las mismas a una frecuencia
dada. Por ejemplo, mediante la Indicacin:
Q(6<x>khz) = 125
o bien mediante curvas caractersticas com o las de la figura 6.12, en la que se lee el factor de
calidad Q en funcin de la frecuencia de cuatro bobinas, de inductancia diferente e igual dime
tro de hilo. Se observa en dichas curvas que existe un pico de calidad en el cual la relacin XL/f
es mxima. Por encima y por debajo de dicho pico la curva desciende, debido a los motivos ya
apuntados.
El factor de calidad de una bobina para etapas de RF oscila entre 50 y 200, aunque puede ser
diferente segn la aplicacin del circuito.

124

BOBINAS Y FERRITAS

6.12 Factor de calidad en funcin


de la frecuencia, de cuatro bobinas
para receptor de televisin:
a) bobina de 2,13 n H. b) bobina
de 0,56 u H. c) bobina de 0,26 .i H.
d) bobina de 90 pH. (Dimetro
del hilo 0,15 mm.)

CARACTERSTICAS CONSTRUCTIVAS DE LAS FERRITAS


Las ferritas son componentes qumicos de frmula general:
M Fe2 0 4
Donde M representa un metal bivalente com o el cobre (Cu), magnesio (Mg), manganeso (Mn), n
quel (Ni), cinc (Zn) o el propio hierro (Fe). En este ltimo caso se obtiene la frmula Fe30 4, que es la
de la magnetita.
La particularidad de estos compuestos es la de aumentar la resistividad, de forma que sustitu
yendo un tomo de hierro por cualquiera de los metales bivalentes citados se aumenta la resistivi
dad de 10"? S2/cm (ferrita de hierro) hasta unos 10e Q/cm.
Todas las ferritas as fabricadas se denominan ferritas simples, ya que forman un aglomerado
cristalino que contiene una sola clase de cristal:
Cu Fe50 4; Mg Fe20 4; Mn Fe2 0 4; NI Fe2 0 4; Zn Fe2 0 4
Existe otro tipo de ferrita, que es el actualmente utilizado,en el que se mezclan dos o ms cia
ses de cristal, denominndose por ello ferritas mixtas.
Son cuatro los tipos fundamentales de ferritas mixtas:

Ferritas
Ferritas
Ferritas
Ferritas

de
de
de
de

manganeso-cinc (Mn Zn Fe2 0 4).


nquel-cinc (Ni Zn Fe2 0 4).
magnesio-manganeso (Mg Mn Fe2 0 4).
nquel-cobre (Ni Cu Fe2 0 4).

De todas ellas, las dos primeras son las utilizadas en los aparatos de radio, televisin y alta fide
lidad, por lo que se estudiarn con mayor detalle; la tercera es utilizada en dispositivos de memoria
y registradores magnticos, y la cuarta se emplea para la realizacin de transductores piezomagnticos de potencia para generadores de ultrasonidos.
En el comercio las ferritas reciben diferentes denominaciones comerciales, tales com o Ferroxcube.

Ferritas de manganeso-cinc
Las ferritas de manganeso-cinc, cuya denominacin comercial por P hilips es la de Ferroxcube 3,
se subdivlden a su vez en diversos grados.

125

COMPONENTES ELECTRNICOS

Ferroxcube 3A
Ferrita con elevado valor de permeabilidad inicial, idnea para ser utilizada en transformadores de
pequea potencia y banda de paso ancha, para equipos de comunicaciones.
Es til en la fabricacin de pequeos transformadores de Impulsos.
Su uso se extiende desde las audiofrecuencias ms altas hasta cerca de los 100 kHz.
Puede ser empleada en condiciones de polarizacin con corriente continua.

Ferroxcube 3B
Ferrita con bajas prdidas, muy recomendada para la fabricacin de bobinas con alto factor de ca
lidad Q, coeficiente de temperatura bajo y elevada estabilidad.
Las principales variedades del Ferroxcube 3B son las siguientes:
3B2:
3B3:
3B4:
3B5:

para frecuencias de 300 Hz a 100 kHz.


para frecuencias de 100 a 700 kHz.
para frecuencias bajas, cuando se exijan prdidas muy pequeas por hlstresis.
presenta prdidas por hlstresis todava menores, y permeabilidad inicial algo ms elevada.

Ferroxcube 3C
Ferrita muy adecuada
ntica (superiores a 50
horizontal y vertical de
Esta ferrita es muy
ma de anillo.

para dispositivos que exigen valores relativamente altos de induccin mag


mT), como los transformadores de salida de lnea y las bobinas de desviacin
las pantallas de televisin.
apropiada para la produccin en masa de ncleos en forma de U o en for

Ferroxcube 3D2
Ferrita utllizable cuando se requieran altos valores de Induccin magntica.
Su induccin mxima es mayor que la del grado 3C, y vara menos con la temperatura. Presen
ta, sin embargo, menor permeabilidad inicial y mayores prdidas que el Ferroxcube 3C.

Ferroxcube 3E
Es el grado de Ferroxcube 3 que presenta mayor permeabilidad inicial.
Es una ferrita apropiada para transformadores de banda de paso ancho en equipos de com u
nicaciones.
En ncleos envolventes se emplea el Ferroxcube 3D3, 3B7, 3H1, etctera.

Ferritas de nquel-cinc
Estas ferritas difieren considerablemente de las anteriores, ya que presentan menor permeabilidad
inicial y menor induccin mxima de saturacin, pero mayor fuerza coercitiva y elevados valores de
resistividad, gracias a lo cual resultan idneas para ser utilizadas en RF.
Se conocen comercialmente con diferentes denominaciones, como la de Ferroxcube 4 de P hilips .

Ferroxcube 4A
Ferrita muy similar a la del grado 3B, excepto por su resistividad, que es mucho mayor.

Ferroxcube 4B
Ferrita muy adecuada para circuitos de sintona, en frecuencias comprendidas entre 1 y 2 MHz. Es
la ms utilizada en la fabricacin de varillas de Ferroxcube para antenas.

Ferroxcube 4C
Ferrita idnea para ser utilizada en circuitos que trabajan con frecuencias comprendidas entre 2 y
5 MHz.

Ferroxcube 4D
Ferrita idnea para trabajar con frecuencias comprendidas entre 5 y 20 MHz.

126

BOBINAS Y FERRITAS

Ferroxcube 4E
Para frecuencias comprendidas entre 20 y 50 MHz.

Ferroxcube 4F
Para frecuencias comprendidas entre 50 y 100 MHz.

Ferroxcube 4H
Ferrita especialmente desarrollada para su empleo en aceleradores de partculas y en atenuadores
de microondas. No utilizable por tanto en radio y televisin.

CARACTERSTICAS TCNICAS DE LAS FERRITAS


En las ferritas caben distinguir dos grupos de caractersticas tcnicas: las referidas a las propieda
des mecnicas y las referidas a las propiedades elctricas y magnticas.
Las caractersticas mecnicas de una ferrita son las siguientes:

Peso especifico.
M dulo de Young.
Coeficiente de dilatacin lineal.
Resistencia a la traccin.
Resistencia a la compresin.
Calor especfico.
Conductividad trmica.

Las caractersticas elctricas y magnticas principales son las siguientes:

Resistividad.
Constante dielctrica.
Permeabilidad inicial.
Temperatura de Curie.
Coeficiente de temperatura.
Frecuencia de trabajo.
Induccin magntica.

A continuacin se estudia el significado de todos estos parmetros, prestando mayor atencin


a los elctricos y magnticos.

Peso especfico
El peso especfico es el peso por unidad de volumen de la ferrita. Se expresa en gramos por cen
tmetro cbico de material (g/cm 3) y depende delos materiales constituyentes de la ferrita.
Como ejemplo diremos que el Ferroxcube 3 posee un peso especfico de unos 4,7 a 4,8 g/cm 3,
mientras que el Ferroxcube 4 posee un peso especfico comprendido entre 3,5 y 5 g/cm 3.

Mdulo de Young
El m dulo de Young o m dulo de elasticidad [M] se expresa en kg/m m 2, y es la relacin entre el es
fuerzo de traccin y el alargamiento producido por este esfuerzo en la ferrita. Es una caracterstica
propia del material y se calcula con la frmula:

donde F es la fuerza de traccin en kg, s la seccin transversal inicial de la ferrita en mm 2, / la lon


gitud inicial de la ferrita en mm, y Al el alargamiento en mm.
Como dato diremos que el mdulo de Young en el Ferroxcube es de 15.000 kg/m m 2.

127

COMPONENTES ELECTRNICOS

Coeficiente de dilatacin lineal


Cuando una ferrita se calienta aumentan sus dimensiones en todos los sentidos, aumentando por
tanto su superficie y volumen. Se dice entonces que el material se dilata.
El coeficiente de dilatacin linea! expresa el aumento de dimensiones de la ferrita por cada C
de aumento de temperatura.
En el Ferroxcube el coeficiente de dilatacin lineal es de, aproximadamente, 1 0 '5/C.

Resistencia a la traccin
La resistencia a ia traccin (at) se expresa por la relacin entre la fuerza aplicada F (expresada en kg)
y la seccin s de la ferrita (expresada en mm2); es decir, por:

ot = (kg/mm2)
s
Para obtener esta magnitud se sujeta la barra de ferrita por un extremo y por el otro se aplica
una fuerza de traccin hasta que la ferrita se rompe.
Como dato informativo diremos que la resistencia a la traccin del Ferroxcube es de, aproxima
damente, 1,8 kg/m m 2.

Resistencia a la compresin
Para la realizacin del ensayo de compresin, se coloca la barra de ferrita entre las dos placas de
compresin de una prensa, de forma que el eje de la ferrita coincida exactamente con el eje de la
prensa, y se aplica el esfuerzo de compresin.
Antes de romperse la ferrita se deforma, reducindose su altura y ensanchndose su seccin
transversal.
La resistencia a la compresin ( o j se expresa en kg/m m 2, es decir:

oc = -j - (k9/m m 2)
donde Fc es la fuerza de compresin (en kg fuerza) y s es la seccin de la ferrita (en mm 2).
El Ferroxcube posee una resistencia a la compresin de 7,3 kg/m m 2 aproximadamente, sobre
pasada la cual se rompe.

Calor especfico
El calor especfico de un material (entre dos lmites de temperatura f, y t2) es la relacin que existe
entre la cantidad de calor (Q) necesario para elevar la unidad de masa del cuerpo (un gramo) de la
temperatura f, a la temperatura t2. Viene dado por la expresin:

donde C es el calor especfico en cal/g/C y Q es la cantidad de calor en caloras/gramo.


El Ferroxcube posee un calor especfico de 0,17 cal/g/C, es decir, que si a un gramo de Fe
rroxcube se le aplican 0,17 caloras, su temperatura aumenta un grado centgrado.

Conductividad trmica
Recibe el nombre de conductividad trmica de un material la facilidad que presenta al paso del
calor.
La conductividad trmica se produce cuando todos los puntos del material no estn a la misma
temperatura; entonces, el calor se propaga de molcula a molcula, desde los puntos ms calientes
a los ms fros en un tiempo determinado. Se expresa en cal/(cm s C).
En el caso del Ferroxcube, la conductividad trmica es menor de 14 x 1CT3 cal/(cm s C).

128

BOBINAS Y FERRITAS

Resistividad
Las ferritas poseen una elevada resistividad, lo que reduce al mnimo las prdidas por corrientes
parsitas. Por este motivo el material puede ser empleado en la fabricacin de ncleos compactos,
tanto para bobinas como para transformadores.
La resistividad se expresa en 2/cm y disminuye con la frecuencia.
Las ferritas de nquel-cinc poseen una resistividad mucho mayor que las de manganeso-cinc,
razn por la cual se utilizan para frecuencias ms elevadas.
En la tabla 6.2 se indican los datos de resistividad de los Ferroxcube 3 y 4 para frecuencias de
1 kHz y 10 MHz.

;
Tipo de ferrita

Resistividad (W/cm)

iiif V.

a 10 MHz

1 kHz
Ai -AV. A>A$i '#*$>1+,!.

Ferroxcube 3

100

10

Ferroxcube 4

5 x 106

0,2 x 106

Tabla 6.2 Resistividad


del Ferroxcube.

Constante dielctrica
Se llama constante dielctrica de un material aislante a la relacin entre la capacidad de un con
densador que emplea como dielctrico el material considerado, y la capacidad del mismo conden
sador empleando como dielctrico el vaco.
La constante dielctrica de las ferritas disminuye al aumentar la frecuencia.
En la tabla 6.3 se indican las constantes dielctricas de los Ferroxcube 3 y 4 para frecuencias
de 1 kHz y 10 MHz.

Tipo de ferrita t ta 10 MHz


Ferroxcube 3

150.000

50.000

Ferroxcube 4

400

15

Tabla 6.3 Constante


dielctrica del Ferroxcube.

Permeabilidad inicial
Como en todo material ferromagntico el valor de la permeabilidad normal (|i) de las ferritas se
aparta del valor de la permeabilidad inicial (g0) a medida que aumenta la intensidad del campo m ag
ntico (H) y, por lo tanto, la induccin magntica.
La permeabilidad de un material ferromagntico viene dada por la expresin:
B

donde B es la induccin magntica (en mT) y H es la intensidad de campo magntico a la que se


somete el material (en A/m).
As, en la figura 6.13 se muestran las curvas caractersticas de la induccin en funcin de la Inten
sidad de campo de una ferrita. Se observa que este parmetro tambin depende de la temperatura,

129

COMPONENTES ELECTRNICOS

6.13 Curvas caractersticas de la


induccin magntica en funcin de
ta intensidad de campo magntico
de una ferrita, para cuatro
temperaturas distintas.

(mT)

de forma que a igualdad de intensidad de campo magntico el valor de la induccin magntica es


menor cuanto mayor sea la temperatura.
De las curvas de la figura 6.13 se deduce tambin que la permeabilidad no tiene un valor cons
tante, sino que disminuye al aumentar la intensidad de campo magntico H, es decir, al aumentar
el valor de la intensidad de corriente elctrica (/) y/o el nmero de espiras (A/) de la bobina, y/o al
disminuir su longitud (/), puesto que:

acercndose el ncleo a la saturacin, segn la curva de histresis.


Recibe el nombre de permeabilidad inicial de un material ferromagntico aquel valor mximo de
permeabilidad p0 cuando la intensidad de campo magntico H tiende a cero.
La permeabilidad p depende tambin de la frecuencia en rgimen de elevada induccin mag
ntica. La diferencia entre la permeabilidad normal y la inicial disminuye al disminuir la frecuencia.
Asi, para el Ferroxcube 3 el valor p se aproxima al de p0 para frecuencias menores de 600 Hz.
En la tabla 6.4 se indican los valores de permeabilidades iniciales de los Ferroxcube.

Tabla 6.4 Permeabilidad


inicial de los Ferroxcube.

130

Ferritas de
manganesocinc

Permeabilidad
inicial p0
a 20 C

Ferritas de
nquel-cinc

Permeabilidad
inicial p()
a 20 C

3A

1.400 15 %

4A

600 20 %

3B

900 20 %

4B

250 20 %

3B2

900 20 %

4C

125 20 %

3B3

900 20 %

4D

50 20 %

3B4

900 20 %

4E

15 2 0 %

3B5

1.200 20 %

4F

7 20 %

3C2

1.100 20 %

3D2

750 20 %

3E

2.500 15 %

BOBINAS Y FERRITAS

~c

"

11

20 C

+
Punto
de Curie
Curie
de

6.14 Curva caracterstica


de variacin de ia
permeabilidad inicial |ifl en
funcin de ia temperatura.

Temperatura de Curie
El valor de la permeabilidad inicial depende considerablemente de la temperatura, ya que aumenta
con la temperatura hasta alcanzar un valor mximo y disminuye despus rpidamente a partir de
ste, tal y como se aprecia en la figura 6.14.
Esta disminucin de la permeabilidad se produce entre 150 y 190 C para las ferritas de m an
ganeso-cinc, y entre 120 y 550 C para las ferritas de nquel-cinc.
Aquel valor de temperatura en el cual la ferrita adquiere el mismo valor de permeabilidad inicial
que tena a 20 C, se conoce con el nombre de punto de Curie.
Por encima del punto de Curie el ncleo de ferrita queda perjudicado de forma permanente.
Como consecuencia, nunca se debe hacer trabajar una bobina con ncleo de ferrita a una tem
peratura prxima al punto de Curie, cuyo valor es proporcionado por el fabricante.
En la tabla 6.5 se relacionan los puntos de Curie de los Ferroxcube.
................ ...........
Punto de
Curie en C

Ferritas de
nquel-cinc

Punto de
Curie en "C

Ferroxcube 3A

100

Ferroxcube 4A

125

Ferroxcube 3B

150

Ferroxcube 4B

250

Ferroxcube 3B2

150

Ferroxcube 4C

350

Ferroxcube 3B3

150

Ferroxcube 4D

400

Ferroxcube 3B4

150

Ferroxcube 4E

500

Ferroxcube 3B5

150

Ferroxcube 4F

600

Ferroxcube 3C2

150

Ferroxcube 3D2

210

Ferroxcube 3E

100

Ferritas de
manganesocinc

Tabla 6.5 Punto de Curie


de las ferritas.
131

COMPONENTES ELECTRNICOS

Coeficiente de tem peratura


El grfico de la figura 6.14 muestra que a temperaturas normales la permeabilidad inicial posee un
coeficiente de temperatura positivo, es decir, que la permeabilidad aumenta con el aumento de
temperatura.
El coeficiente de temperatura en este caso es igual a:

o, = - %
m0 a 7
donde AT representa el incremento de temperatura.
En el caso de que el ncleo posea un entrehierro, la frmula anterior no es vlida, ya que el entrehierro reduce la permeabilidad del circuito a un cierto valor eficaz |_i , y el coeficiente de tempera
tura se reduce en la proporcin:

= ^
Mo2 * r

La permeabilidad eficaz (i) representa la permeabilidad de un material hipottico que, si se uti


lizara en el circuito magntico (sin entrehierro), dara la misma reluctancia que la del circuito real con
entrehierro.
Esta permeabilidad eficaz no debe confundirse con la relacin L J L n entre las inductancias del
devanado con y sin ncleo ferromagntico, pues en este caso la distribucin del ncleo sera con
siderablemente distinta.
En la tabla 6 .6 se indica los coeficientes de temperatura ccT de los ferroxcube de P h iu ps . Estos coe
ficientes de temperatura son los obtenidos a temperaturas normales comprendidas entre 20 y 50 C.

Frecuencia de trabajo
Cada ferrita est especialmente fabricada para trabajar a una frecuencia dada.
La frecuencia de trabajo es pues la ms idnea para la ferrita en cuestin, y se ha indicado en
pginas anteriores al describir cada una de ellas.

Ferritas de
manganeso
-cinc

Tabla 6.6 Coeficientes de


temperatura de los Ferroxcube.

132

Ferritas de
nquel-cinc

Factor de
temperatura
aT

3A

4,5 x 10-6

4A

6 x 10"

3B

3 x 10"6

4B

8 x 10"6

3B2

2 x 10

4C

12 x 10"

3B3

2 x 10~

4D

15 x 10"6

3B4

4 x 10"

4E

15 x 10"

3B5

4 x 10"6

4F

35 x 10"6

3C2

4,5 x 10-

3D2

4,5 x 10 6

3E

4 x 10"

BOBINAS Y FERRITAS

Induccin magntica
El valor de la induccin magntica viene dado por los fabricantes mediante curvas caractersticas
como la de la figura 6.13, o bien mediante tablas caractersticas referidas a una intensidad de cam
po magntico determinado.

BOBINAS IMPRESAS
En la figura 6.15 puede verse parte de un circuito impreso sobre el que se ha grabado una bobina.
sta es una forma de diseo de bobinas muy utilizada en algunos aparatos electrnicos.

6.15 Bobina grabada


sobre circuito impreso.

En el diseo de estas bobinas debe tenerse en cuenta la longitud de la pista de cobre, seccin
de la misma y distancia entre espiras. De acuerdo con estas magnitudes, as ser la inductancia de
la bobina obtenida.
Resulta un sistema muy adecuado para aprovechar espacios vacos de un circuito Impreso, ya que
sobre ellos pueden disponerse componentes de cierto volumen y reducir as el tamao del circuito.

133

Transformadores y
autotransformadores

INTRODUCCIN
El transformador est basado en el principio de que la energa elctrica se puede transportar efi
cazmente por induccin magntica desde una bobina hasta otra (u otras) por medio de un flujo
magntico variable, siempre que las bobinas estn situadas en el mismo circuito magntico.
Aunque en electricidad existen transformadores monofsicos, trifsicos y exafsicos, en radio y
televisin slo se utilizan los transformadores monofsicos, ya que nicamente se trabaja con se
ales alternas monofsicas, por lo que en este captulo estudiaremos exclusivamente esta clase de
transformadores.

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSFORMADOR MONOFSICO


Supngase un circuito magntico formado por planchas de material ferromagntico (o de ferrita),
sobre el que se arrolla una bobina a la que se aplica una tensin alterna senoidal (figura 7.1).

7.1 Fenmenos que se


producen en un circuito
magntico con una bobina
arrollada sobre l y sometida
a una tensin alterna senoidal.

I
o-

En esta circunstancia, siempre que no se llegue a la saturacin del ncleo magntico, es decir,
siempre que la permeabilidad magntica p se mantenga constante, la corriente que circula por la
bobina y el flujo magntico creado por esta corriente sern senoidales.
Por autoinduccin, en cada una de las espiras se crea una fuerza electromotriz:
Ad>

Si llamamos np al nmero total de espiras de la bobina, entre los extremos de stas se engendra
una fuerza electromotriz de autoinduccin igual a:
AO

135

COMPONENTES ELECTRNICOS

Si se considera nula la resistencia hmica de la bobina (caso terico que no se da en la prctica


pero que sirve para obtener las conclusiones que siguen), para compensar esta f.e.m. de autoin
duccin es necesaria una tensin entre terminales de:
A

Es decir, que:

^ + ep = 0
Si al ncleo anterior se arrolla una segunda bobina, se habr constituido un transformador m o
nofsico (figura 7.2).

o
o1
7.2 Fenmenos que se
producen en un circuito
magntico con dos bobinas
arrolladas sobre l y sometida
una de ellas a una tensin
alterna senoidal (transformador
monofsico en vaco).

?
o-

La primera bobina (a la que se le aplica la tensin vp) recibe el nombre de primario, y la segun
da bobina (en la que se obtiene la tensin vs) se denomina secundario.
Efectivamente, si se aplica una tensin vp al primario circular una corriente /p por el devanado
primario, de np espiras, la cual genera un flujo magntico en el ncleo.
Dicho flujo magntico aumenta y disminuye de valor, cambiando de sentido al ritmo de la c o
rriente alterna, por lo que engendra en el devanado ns una f.e.m. es de valor:
A
" n* ~ a T
En el caso de la figura 7.2 el secundario est abierto, es decir, el transformador funciona en va
co, por lo que la corriente en el secundario es nula y se tiene que:
es =
Se llama relacin de transformacin a la igualdad:
f

Vn vaco

___________________

Vs vaco

(Recurdese que es norma que las letras maysculas representen valores eficaces de las tensiones
y corrientes alternas, y las letras minsculas valores instantneos.)
Como puede deducirse fcilmente, la relacin de transformacin tambin se expresa por:

136

TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFORMADORES

<t>

np

Ve~

ns

7.3 Transformador
monofsico en carga.

Si ahora se conecta al secundario una carga f L (figura 7.3), por el primario circular una c o
rriente ip, que no tiene por que ser la misma que en el caso anterior.
Si se aplica la misma tensin primaria (t/p) que en el caso anterior, en el secundario aparece una
tensin (vg) sensiblemente igual a la tensin secundaria en vaco; o sea, que tendremos:
Vi vaco

Vr

Vs vaco

Vs

r,

r,=

Prescindiendo de las prdidas por dispersin de flujo (parte del flujo magntico engendrado en
el primario, que no pasa por el ncleo del secundario) y de las prdidas debidas a las resistencias
y a las reactancias en los arrollamientos, la energa suministrada al primario ser igual a la energa
suministrada por el secundario, es decir, que:
V I

=V5 IS

De esta ltima igualdad se deduce que:


^s _
'

n&

J p

Estas relaciones son las correspondientes a un transformador ideal, y son importantsimas para
el diseo de cualquier transformador. De ellas se deduce que:

La corriente en el secundario es tanto mayor cuanto menor sea el nmero de espiras de este
devanado.
La tensin en el secundario es tanto mayor cuanto mayor sea el nmero de espiras del secundario.

As, en un transformador ideal, formado por un devanado primario de 200 espiras y un secun
dario de 50 espiras, la relacin de transformacin ser:

np

200 espiras _ 4

ns

50 espiras

Si al primario de este transformador se le aplica una tensin de 220 V, la tensin en el secun


dario ser:
V
ya= -le=
s

rt

220 V
4

= 55 v

Si al secundario se le conecta una carga de 10 kO, la corriente que circula por ste ser:
Vs
L =~
s
Rl

55 V
^0k.

^
= 5,5 mA

137

COMPONENTES ELECTRNICOS

Mientras que por el primario circula una corriente de:


.
Is
5,5 mA
L = =
= 1,375 mA
p
r,
4
En el ejemplo expuesto se confirma que la tensin en el secundario es menor que en el primario
y la corriente en el secundarlo mayor que la del primario.
El ejemplo desarrollado se refiere a un transformador reductor de tensin, en el cual el nmero
de espiras del secundario es ms pequeo que el del primario.
Se fabrican tambin transformadores en los cuales el nmero de espiras del secundario es ma
yor que el del primario; se trata de un transformador elevador de tensin, en el cual, y aplicando la
misma relacin expuesta, la corriente en el secundario es ahora menor que la del primario.
En electrnica se utilizan tanto transformadores elevadores com o reductores de tensin.
Los transformadores reductores de tensin se utilizan, por ejemplo, en la mayora de las fuen
tes de alimentacin, en las cuales debe reducirse la tensin de 125 o 220 V de la red a otra de va
lor ms bajo, adecuada para la alimentacin de los circuitos transistorizados o con integrados.
Como ejemplo de transformador elevador de tensin se puede citar el de salida de lneas de los
receptores de televisin, en el cual se obtiene una MAT de varios miles de voltios.
En resumen, para que un transformador reduzca la tensin es preciso que el secundario tenga
menos espiras que el primario, mientras que si lo que se desea es un aumento de tensin el se
cundario debe tener mayor nmero de espiras que el primario.

FUERZA ELECTROMOTRIZ INDUCIDA


En una bobina atravesada por un flujo magntico variable el valor eficaz de la fuerza electromotriz
inducida es:

donde E es la f.e.m. inducida (en voltios), f la frecuencia de las variaciones de flujo magntico
(en hercios), n el nmero de espiras de la bobina y <t>m< el valor mximo del flujo m agntico (en
webers).
Veamos un ejemplo: supongamos un transformador cuyo secundario posee 100 espiras y cuyo
flujo mximo en una seccin recta del ncleo es de 3 mWb. Si la variacin del flujo se produce con
una frecuencia de 50 Hz (caso de la c.a. de la red), la fuerza electromotriz inducida en el secunda
rio valdr:
Es

2tt /ns&mx
V2

= =- x 2 x 3,14 x 50 Hz x 100 espiras x 3 x 10"3 Wb = 66,64 V


{2

Suponiendo despreciables las prdidas de flujo por dispersin, el flujo magntico en las dos b o
binas, primaria y secundaria, ser el mismo, luego se puede admitir que la f.e.m. en cada una de
ellas es proporcional al nmero de espiras de la bobina, es decir:

Efectivamente, los parmetros f y <t>mx son idnticos en el primario y en el secundario, variando


slo el nmero de espiras.

138

TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFORMADORES

Si el primario posee 330 espiras, la fuerza electromotriz en el primario ser:


Ep =

27cfrp<>mx

x 2 x 3,14 x 50 Hz x 330 espiras x 3 x 10~3 Wb = 220 V

{ i
Valor ste que tambin se obtiene a partir de la relacin de transformacin:
330 espiras
'p - *-s

100 espiras

FORMA CONSTRUCTIVA DE LOS TRANSFORMADORES


En su diseo ms simple un transformador est constituido por un devanado primario y un deva
nado secundario, cada uno de los cuales con n espiras, pudindose obtener un transformador re
ductor o un transformador elevador de tensin.
En electrnica, sin embargo, es muy usual que los transformadores estn dotados de dos o ms
devanados secundarios, independientes o no entre s, de form a que puedan obtenerse dos o
ms tensiones secundarias. En la figura 7.4 se muestran los smbolos de varios transformadores,
seleccionados entre los muchos que pueden darse, dotados con ms de dos devanados.

1/2 m.

1/2 n.
1/2 n.,

1/2 n.

c)

b)
a)

-O A
6,5/10 ns

-O B

1/2 n .

1/2 n
1/2 n.t

2/10 n.

-o c
1/2 n.

-O D
0,5/10 n.

-O E
d)

b)

7.4 Representacin de los


smbolos de transformadores
monofsicos con dos o ms
devanados secundarios.

139

COMPONENTES ELECTRNICOS

El smbolo de la figura 7.4a corresponde al de un transformador con dos devanados secunda


rlos ns1 y ns2 independientes, los cuales pueden tener o no el mismo nmero de espiras y ser re
ductores o elevadores de tensin.
La figura 7.4> corresponde al smbolo de un transformador cuyo secundario ns posee una toma
central, con lo cual se obtienen dos tensiones guales y opuestas en fase entre cada terminal extre
mo y la toma media del secundario, y/o una tensin total entre terminales extremos igual al doble de
las tensiones Individuales. Al igual que el de la figura 7.4a, puede ser reductor o elevador de tensin.
El smbolo de la figura 7.4c corresponde al de un transformador con dos devanados secunda
rios independientes (nsl y ns2), uno de loscuales posee una toma central como el de la figura 7.46.
El transformador de la figura 7.4d posee un nico devanado secundario pero con tomas Inter
medias en diferentes puntos de su arrollamiento. Con este transformador se obtiene un sinnmero
de tensiones, segn los terminales utilizados. As, suponiendo que entre los terminales extremos
del secundarlo (puntos A y de la figura 7Ad) se tengan 10 V, las tensiones que pueden obtener
se de este transformador sern:
0,5 V entre D y
1 V entre C y D
1,5 V entre C y
2 V entre B y C
3 V entre B y D

3.5
6.5
8.5
9.5
10

V
V
V
V
V

entre 6
entre A
entre A
entre A
entre A

y
yB
yC
yD
y

En total, 10 tensiones distintas.


Finalmente, en la figura 7.4e se muestra el smbolo de un transform ador com o el de la figu
ra 7.4c pero en el cual se ha hecho una toma Intermedia en el devanado primario, de forma que
entre sta y cada uno de los terminales extremos se pueda aplicar una tensin de red de 110 V, y
entre terminales extremos de 220 V. Estetipo de transformador es muy utilizado en aparatos de ra
dio y televisin preparados para trabajar Indistintamente a 125 o 220 V.
Los devanados de los transformadores se realizan con hilo de cobre esmaltado de seccin ade
cuada a la intensidad de corriente que ha de circular por ellos, es decir, su seccin ser tanto ma
yor cuanto mayor sea la intensidad de corriente que por l circule.
Los conductores se arrollan sobre un carrete de material aislante (plstico, cartn baquelizado
o similar) como el que se muestra en la figura 7.5.

Estos carretes disponen de unos orificios en sus extremos, por donde salen al exterior los con
ductores de los devanados para su posterior conexin al circuito en que se aplican.
Los devanados se disponen en el carrete de diferentes formas, tal y como se Indica en la figu
ra 7.6, es decir, uno encima del otro, superpuestos o en columnas distintas. La disposicin en una
u otra forma constructiva depende nicamente de las dimensiones finales del transformador y del
tipo de ncleo utilizado.

140

TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFORMADORES

X>>

Primario

Secundario

Primario

Secundario

3)
b)

Secundario

Primario

c)
7.6 Disposicin de los devanados sobre el carrete: a) uno encima del otro: b) superpuestos: c) en columnas
diferentes.

Entre capa y capa se dispone, cuando las tensiones son elevadas, papel impregnado o cinta de
material plstico aislante que evite cortocircuitos entre capas.
Una vez realizados los arrollamientos, se introduce en su interior un ncleo de planchas de ma
terial ferromagntico (transformadores para baja frecuencia) o un ncleo de ferrita (transformadores
de alta frecuencia).

Autotransformadores
El autotransformador es una variante especial de los transformadores. La nica diferencia que dis
tingue a un autotransformador de un transformador est en la forma constructiva de los devanados.
En los transformadores, el devanado primario est aislado elctricamente de los devanados se
cundarios, siendo el nico contacto entre ellos el flujo magntico a travs del ncleo comn.
Los autotransformadores poseen un devanado nico, del cual se derivan las conexiones del pri
mario y del secundario, tal y como se aprecia en la figura 7.7.

<i>

7.7 Constitucin de un
autotransformador.

141

COMPONENTES ELECTRNICOS

Los autotransformadores se utilizan slo cuando la potencia con la que se trabaja es pequea,
porque las tensiones elevadas en una u otra parte del devanado podran dar lugar a cortocircuitos.
Al igual que el transformador, el autotransformador puede ser elevador o reductor de tensin.
Un transformador como el de la figura 7.7, dotado de tres terminales de conexin, trabaja como
reductor de tensin cuando la tensin primaria se aplica entre los terminales A y C, y la tensin se
cundaria se obtiene entre los terminales B y C. El terminal C es pues comn a ambos circuitos (pri
mario y secundario), as como la parte del arrollamiento existente entre B y C.
Como consecuencia de lo expuesto, por la parte del arrollamiento existente entre los puntos B
y C circula tanto la corriente primaria com o la secundaria.
Se puede afirmar que el autotransformador reductor de tensin es un divisor de tensin induc
tivo, en el cual la tensin primaria se reparte por igual entre el total de espiras del devanado, y en
el que la tensin secundaria tendr un valor proporcional al nmero de espiras existente entre cada
terminal extremo y la toma central.
As, si el autotransformador de la figura 7.7 posee un devanado con un total de 300 espiras,
efectundose una toma intermedia en la espira nmero 100 (correspondiente al terminal B de la fi
gura), al aplicar una tensin alterna de, por ejemplo, 15 V entre los terminales A y C, esta tensir
se reparte por igual entre las espiras, es decir, que entre espira y espira habr una tensin de:
15 V
300 espiras

0,05 V por espira

Teniendo en cuenta que se ha efectuado una toma en la espira 100, la tensin entre los terminales
B y C ser de:
100 espiras x 0,05 V/espira = 5 V
y entre los terminales A y B de:
200 espiras x 0,05 V/espira = 10 V
De todo ello se deduce que en todo autotransformador reductor de tensin, con una sola bobi
na y una toma intermedia, encontramos una tensin total entre terminales extremos igual a la ten
sin primaria, y dos tensiones parciales entre la toma intermedia y cada uno de los terminales ex
tremos cuya suma es igual a la tensin total del primario.
Se observa asimismo que por cada terminal del autotransformador circula una corriente cuyo va
lor es inversamente proporcional al nmero de espiras; es decir, que por el terminal comn C de la
figura 7.7 circula una intensidad de corriente igual a la diferencia de las corrientes parciales I p e I s.
Un autotransformador puede utilizarse tambin como elevador de tensin. En este caso la ten
sin primaria se aplica entre los terminales B y C de la figura 7.7, obtenindose la tensin secun
daria entre los terminales extremos C y A.
Efectivamente, supongamos que al autotransformador del ejemplo anterior se le aplica una ten
sin primaria entre los terminales B y C de 5 V. Como entre B y C hay un total de 100 espiras, la
tensin de 5 V se reparte por igual entre ellas, es decir:
5V
100 espiras

= 0,05 V por espira

Al ser el nmero total de espiras de 300, entre los terminales A y C se obtiene una tensin de:
300 espiras x 0,05 V/espira = 15 V
En resumen, todas las frmulas referentes a las relaciones de transformacin expuestas para el
caso de los transformadores son vlidas para los autotransformadores, teniendo slo en cuenta
que el nmero de espiras del secundario corresponde a las existentes entre la toma intermedia y el

142

TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFORMADORES

terminal extremo del que se obtenga la tensin secundaria (en el caso de autotransformadores re
ductores de tensin), o al total de espiras si se trata de autotransformadores elevadores de tensin.
Es decir, en los autotransformadores se cumplen tambin las igualdades:

En la figura 7.8 se han dibujado los smbolos utilizados para la representacin de autotransfor
madores, tanto elevadores como reductores de tensin.

a)

7.8 Smbolos de
autotransformadores
reductores de
tensin (a) y
elevadores de
tensin (b).

b)

En definitiva, salvo la particularidad mencionada, todo lo que se expone en este captulo referi
do a los transformadores es igualmente vlido para los autotransformadores, por lo que no cree
mos necesario ampliar el tema.

NCLEOS PARA TRANSFORMADORES


En la actualidad, se utilizan ncleos de chapa magntica para los transformadores que han de tra
bajar con seales de baja frecuencia, y ncleos de ferrita para los transformadores que han de traba
jar con seales de alta frecuencia; aunque dadas las grandes ventajas de estas ferritas, tambin son
utllizables en los transformadores de baja frecuencia de audjo.
El lector interesado en la utilizacin de las ferritas como ncleos de transformadores de radio
frecuencia puede consultar el captulo anterior, dedicado a las bobinas; en las lneas que siguen, nos
limitamos a exponer las caractersticas tcnicas de las chapas de material ferromagntlco.
Los ncleos de transformadores, tanto de chapa como de ferrita, se disean en diferentes for
mas (figura 7.9).

a)

c)

7.9 Diferentes formas


constructivas de
ncleos para
transformadores de
chapa magntica o
de ferrita: a) de tres
columnas: b) toroidal:
c) de dos columnas.

143

COMPONENTES ELECTRNICOS

En el caso de ncleos de ferrita, al ser stos macizos, los ncleos estn formados por dos pie
zas separadas (figura 7.9a y c) para permitir la introduccin en su interior del o de los carretes.
Los ncleos toroidales estn formados por una sola pieza, lo cual dificulta el devanado, el cual
deber hacerse manualmente o con mquinas de bobinar especiales.
En el caso de ncleos de chapa magntica, stas se disponen alternadas, de forma que el con
junto quede slidamente unido formando un bloque compacto. En las cuatro esquinas de las chapas
se realizan unos orificios por los que se hace pasar unos esprragos roscados, y en los que se dis
ponen unas tuercas que, fuertemente apretadas, permiten una unin firme y slida de todas las cha
pas (figura 7.10).

7.10 Disposicin de las chapas del


ncleo de un transformador de baja
frecuencia.

La chapa que se emplea en los ncleos de los transformadores es una plancha especial de ace
ro al silicio, el cual presenta ciertas ventajas sobre otros materiales frreos, tales como una menor
prdida de energa, lo cual representa, aparte de un menor consumo, menos produccin de calor
en el transformador. El silicio hace que la chapa se vuelva quebradiza, tanto ms cuanto ms silicio
contenga la aleacin.
Por otra parte, el contenido de silicio de una chapa magntica es inversamente proporcional a
sus prdidas por kilo. As, una chapa cuyo contenido de silicio es del 1 %, presenta 3,6 W de prdi
das por kilo, mientras que si el contenido de silicio es del 2,2 % las prdidas pasan a ser de 2,4 W
por kilo.
La eleccin del contenido de silicio de la chapa magntica es pues un compromiso entre las
prdidas elctricas y las propiedades mecnicas del material, ya que si el contenido de silicio es
elevado se hace difcil el mecanizado y manipulacin de la chapa.
Sobre la superficie de la chapa magntica se forma una pequea capa natural de calamina, que
es suficiente para actuar como aislante de las pequeas corrientes parsitas de Foucault que se
produzcan.
Es importante que las chapas que se empleen en la fabricacin de transformadores tengan el
corte limpio y sin rebabas, ya que de lo contrario podran producirse cortocircuitos francos entre
chapas y aumentar con ello las prdidas por corrientes parsitas. Sobre todo es muy importante no
proceder a un limado de las chapas una vez m ontado el paquete, pues aumentaran los cortocir
cuitos entre ellas.
Otro punto importante es que todas las chapas tengan el mismo grosor, sobre todo en el caso,
bastante frecuente, de que estn compuestas de dos partes.
No vamos a entrar en el clculo de transformadores, ya que ello es toda una especialidad cuyo
desarrollo tcnico exigira una obra completa, pero s queremos poner en conocimiento del lector
que cada transformador exige un cierto nmero de centmetros cuadrados de seccin de ncleo, en

144

TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFORMADORES

funcin del flujo magntico que por l ha de pasar, pues si la seccin no es suficiente se producira
saturacin del ncleo y, com o consecuencia, un mal paso de la energa del primario al secundario.
Por esta causa, y una vez conocida la seccin del ncleo, se elige el carrete adecuado a dicha sec
cin y se van introduciendo en l chapas hasta llenar por completo el interior del carrete.
Las chapas han de quedar muy apretadas entre s, ya que de lo contrario vibran y hacen ruidos
desagradables. Para evitar las vibraciones es muy til que la primera y ltima chapas tengan 1 o 2 mm
de espesor, y apretar el conjunto fuertemente con esprragos y tuercas.
Aunque actualmente lo ms usual es que el transformador venga montado por una firma espe
cializada en estos trabajos, creemos interesante dar a conocer las dimensiones ms usuales de al
gunas chapas de hierro-silicio, las cuales se indican en las tablas 7.1 y 7,2.
Como se puede ver en las figuras 7.11 y 7.12, la dimensin C del ncleo central suele ser el do
ble que la de las columnas laterales. Ello se hace as porque el flujo magntico presente en cada
una de las ramas laterales es la mitad del presente en la rama central (figura 7.14).
..........
Dmer sienes r

Figura

........ .

r mm

7.11

7.12

____

31
42
48
54,8
57
62
68
72
86
96
113
124
154

29
34
40
42,5
47
49
56
60
72
80
94
103
128

9
14
16
13
19
16
22
24
28
32
37
40
51

6,5
7
8
8
9,5
8,5
14,5
12
14
16
20
21
26

19
20
24
40
28
55
35
36
43
48
58,5
61
76

43
48
57
72
84
96

35
40
47
64
70
80

14,5
16
19
24
28
32

7
8
9
12
14
16

21,5
21
28
36
42
48

Tabla 7.1 Dimensiones de las chapas para ncleos


de tres columnas.

Tabla 7.2 Dimensiones de las chapas para ncleos


de dos columnas.

7.11 Dimensiones de las Chapas para ncleos


de tres columnas y corte en forma de doble F
(vase la tabla 7.1).
A

7.12 Dimensiones de las chapas para ncleos de tres


columnas y corte en forma El (vase la tabla 7.1).

7.13 Dimensiones de las chapas para ncleos de dos


columnas y corte en forma ill (vase la tabla 7.2).

145

COMPONENTES ELECTRNICOS

7.14 El flujo magntico presente


en la columna central es el doble
que el de las columnas laterales.

A! elegir una chapa magntica se deben tener en cuenta sus prdidas. Como dato de inters d i
remos que, para una induccin magntica de 1 T por cm 2, la prdida por kilo en la chapa de hie
rro-silicio es de 2,2 W con una frecuencia de 50 Hz, mientras que en una chapa de hierro dulce con
las mismas condiciones es de 3 W, es decir, un 27 % superior (figura 7.15).

7.15 Curvas caractersticas de


las prdidas en funcin de la
induccin, para una frecuencia
de 50 Hz, de las chapas de hierro
dulce ( I) y de hierro-silicio ( I I ) .

En la figura 7.15 se observa que a medida que aumenta la induccin en el hierro aumentan las pr
didas por kilo de chapa; es decir, que en una chapa de silicio y para una induccin de 0,5 T la prdi
da es slo de 0,66 W/kg aproximadamente, aumentando a 3 W /kg cuando la induccin es de unos
1,5 T (las prdidas se multiplican casi por cinco mientras que la induccin slo se ha triplicado).
Pero las prdidas no slo aumentan con el aumento de induccin, tambin lo hacen, y esto es
muy importante en electrnica, con la frecuencia.
Efectivamente, en la figura 7.16 se han dibujado las curvas caractersticas de las prdidas en
funcin de la induccin para varias frecuencias de trabajo de las chapas de hierro-silicio utilizadas
en los transformadores.
As, por ejemplo, trabajando a 50 Hz y con 1 T de induccin, las prdidas son de, aproximada
mente, 1,5 W /kg, mientras que con la misma induccin y trabajando a 2 kHz las prdidas alcan
zan casi los 300 W/kg, lo cual supone un bajo rendimiento del transformador. Por esta razn, a partir
de unos 300 Hz es preferible la utilizacin de ferritas.
Otro dato a tener en cuenta es la curva de magnetizacin de la chapa, ya que a partir de un cier
to valor de la intensidad de campo el ncleo se satura y apenas si aumenta la induccin.
En la figura 7.17 puede verse la curva caracterstica de magnetizacin de una aleacin de hie
rro-silicio, con 4 a 5 % de silicio (chapa de transformador), y en la que se observa cmo a partir de
800 A/m el ncleo comienza a saturarse.

146

TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFORMADORES

7.16 Curvas de prdidas


totales, en funcin de la
induccin y de la frecuencia,
de las chapas de hierro-silicio.

H (kA/m)

B (T)

2.0

1.6 3.2

4.6

6.4 8.0 9.6 11.2 12.8 14.4 16.0

1.8
16
14
1.2
1.0

0.8

0.6

0.4
0.2

-320 -160 o 320 480 640 800 960 1.120 1.280 1.4401.600
H (A/m)

7.17 Curva de magnetizacin


de la aleacin hierro-silicio,
con 4 a 5 % de silicio (chapa
de transformador).

Efectivamente, con 0,8 kA/rn de intensidad de campo la induccin es de 1,3 T aproximadamen


te, mientras que con 16 kA/m (20 veces mayor), la induccin slo sube 0,4 T (alcanza los 1,8 T).
Una mejora en la fabricacin de chapas para transformadores son las denominadas aleaciones
hierro-silicio de grano orientado, consistentes en un laminado en fri en lugar de la laminacin en
caliente.
Al igual que en la mayora de materiales magnticos, los cristales estructurales de estas alea
ciones se magnetizan ms rpidamente segn unos ejes cristalogrficos, por lo que la laminacin
en fro y el proceso trmico subsiguiente se efectan de forma que la direccin de ms fcil m ag
netizacin de los cristales coincida en lo posible con la direccin de la laminacin.
Los materiales ferromagnticos de grano orientado tienen mayor permeabilidad y menores prdi
das por histresis. No obstante, hay que tener en cuenta que el aumento de permeabilidad solamen
te es efectivo cuando la chapa se magnetiza en la direccin en que est laminada, mientras que en
las dems direcciones la permeabilidad queda disminuida, com o se com prueba en la figura 7.18.

147

COMPONENTES ELECTRNICOS

7.18 Curvas de
permeabilidad en funcin
de la induccin de una
chapa de hierro-silicio de
grano orientado. Lneas
continuas: chapa de
hierro-silicio con 3 % de
silicio y grano orientado.
Lneas a trazos: chapa de
hierro-silicio con 3,5 %
de silicio y laminada en
caliente.
0 0,1 0,2 0,3 0.4 0,5 0,6 0.7 0,8 0,9 1,0 1,1 1.2 1,3 1.4 1,5 1.6 1,7
BU)

En dicha figura se observa cmo las permeabilidades longitudinal y transversal de una chapa de
hierro-silicio al 3 % y de grano orientado, comparadas con las permeabilidades de una chapa de las
mismas caractersticas pero laminada en caliente, a igualdad de induccin magntica, toma valo
res mayores en sentido longitudinal, mientras que en sentido transversal es algo menor.
Las chapas de hierro-silicio de grano orientado se utilizan en la fabricacin de ncleos de trans
formadores para aplicaciones en electrnica y telecomunicacin, ya que en RF las prdidas son
menores que las de hierro-silicio laminadas en caliente.
Otras aleaciones utilizadas como chapas para ncleos de transformadores son las de hierro-n
quel, con un contenido de nquel de hasta el 79 %.
Son muchos los porcentajes de nquel que pueden utilizarse en la fabricacin de estas chapas,
variando con ello las caractersticas magnticas de las mismas. Su estudio sera excesivo para in
cluirlo aqu, por lo que nos limitamos a exponer, de forma resumida, las de mayor inters para el
tcnico electrnico.
El Permalloy es el nombre comercial con el que se conoce a las aleaciones de hierro-nquel. Se
gn el contenido de nquel podemos diferenciar los Permalloy A, B y C.
El Permalloy A contiene un 21,5 % de nquel, el B contiene un 50 % de nquel, y el C un 78,5 %
de nquel, un 3 % de molibdeno y un 0,5 % de manganeso.
El Supermalloy o Permalloy al cromo est constituido por un 16,5 % de hierro, 78,1 % de nquel
y 2,9 % de cromo, o bien por un 15 % de hierro, 79 % de nquel, 5 % de molibdeno y menos de 1 %
de manganeso.
En la tabla 7.3 se dan las caractersticas tcnicas de cada una de las citadas aleaciones.
Otra aleacin de hierro-nquel que merece citarse es el Isoperm, cuya permeabilidad es cons
tante. Esta aleacin est constituida por un 50 % de hierro, 35 % de nquel y 15 % de cobre.
....

Denominacin
comercial

Permeabilidad
Inicial Ho

Permeabilidad
mxima
|$

Induccin
de saturacin
m

Resistividad
elctrica
(Q, mm2/rn)
........ ........................

Permalloy A

12.000

95.000

1,05

3,00

0,21

Permalloy 8

2.800

75.000

1,6

3,84

0,46

Permalloy C

20.000

120.000

0,8

2,40

0,60

1.600

50.000

0,8

3,00

0,26

>150.000

>1.250.000

0,8

2,40

0,65

Permalloy al cromo
Supermalloy

Tabla 7.3 Caractersticas tcnicas de las aleaciones hierro-nquel.

148

Fuerza

TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFORMADORES

Su permeabilidad es aproximadamente constante e igual a 100, para valores de intensidad de


campo magntico de hasta 8 kA/m. Este material se emplea en la fabricacin de los ncleos de las
bobinas y transformadores de alta frecuencia.
El Megaperm 4510 (45 % de hierro, 45 % de nquel, 10 % de molibdeno) es una aleacin con ele
vada resistividad elctrica (0,97 Q mm2/m) que lo hace idneo para el trabajo en altas frecuencias, ya
que cuanto mayor sea la resistividad elctrica menores sern las prdidas por corrientes de Foucault.

HILO DE COBRE
El hilo de cobre es otro de los elementos importantes en la fabricacin de transformadores. En este
caso no podemos hablar de distintas calidades, pues se sobreentiende que el cobre para hilos de
conduccin elctrica es prcticamente puro, es decir, cobre electroltico.
El cobre es un excelente conductor de la corriente elctrica, pero si contiene impurezas, aun
que sea en pequeas cantidades, su resistividad se altera, lo cual, por lo general,casi siempre in
fluye en el sentido de aumentar su resistencia.
En la tabla 7.4 se relacionan los hilos de cobre ms utilizados para ia fabricacin de pequeos
transformadores, con indicacin de sus caractersticas principales.

'

Dimetro de hilo
desnudo
(mm)

Dimetro de hilo : Seccin del cobre


esmaltado
M
;
(mm)

Resistencia por
1.000 m a 20 C
(O)
;

Espiras por cms


de ventana
del ncleo

0,10

0,150

0,008

2.270

5.500

0.12

0,140

0,011

1.580

4.000

0,15

0,170

0,018

1.000

2.800

0,18

0,200

0,025

700

2.070

0,20

0,220

0,031

565

1.720

0,25

0,275

0,049

360

1.140

0,30

0,325

0,071

250

810

0,35

0,380

0,096

185

590

0,40

0,430

0.126

142

470

0,50

0,535

0,196

91

305

0,60

0,640

0,283

63

215

0,70

0,740

0,385

46

160

0,80

0,840

0,503

35

125

0.90

0,950

0,636

28

100

1,00

1,050

0,785

28

82

1,10

1,160

0,950

19

68

1,20

1,260

1,131

16

58

1,30

1,360

1,327

13,5

50

1,40

1,460

1,539

11,6

44

1,50

1,560

1,767

10,1

39

1,60

1,660

2,011

8,88

33

1,80

1,870

2,515

7,03

26

2,00

2,070

3,141

5,68

20

Tabla 7.4 Hilos de


cobre utilizados en
la fabricacin de
transformadores.

149

COMPONENTES ELECTRNICOS

En lo que respecta a los hilos esmaltados, cabe decir que el dimetro de stos es aproximado,
ya que puede variar de uno a otro fabricante.
El nmero de espiras por cm 2 (indicado en la quinta columna de la tabla 7.4) es muy til para
saber de antemano si un determinado devanado puede ser alojado en la ventana del ncleo.
Un detalle importante, a la hora de elegir un hilo para ser bobinado en un carrete de transfor
mador, es el recocido del mismo. Efectivamente, para que un hilo se adapte bien al carrete es ne
cesario que sea blando, pues de lo contrario no se somete fcilmente a la forma del carrete. Para
ello es preciso que el hilo de cobre sea sometido a un recocido antes de esmaltarlo, pues de lo
contrario sera bastante rgido y su manipulacin resultara dificultosa.

AISLAMIENTOS
Los aislantes elctricos que se utilizan normalmente en la fabricacin de pequeos transform ado
res no son muchos, pero constituyen uno de los elementos a los que se debe prestar ms aten
cin. Basta con decir que el 95 % de las averas que se producen en los transformadores son de
bidas a fallos de aislamiento, aparte de las averas debidas a sobrecargas, las cuales modifican las
caractersticas del aislamiento que, al no poder soportar el aumento de temperatura, provoca su
perforacin.
Un aislante falla cuando, por las razones que sean, la diferencia de tensin existente entre los
dos elementos que el aislante separa logra perforarlo, poniendo en contacto directo ambos ele
mentos.
Esta perforacin del aislante puede ser debida a diferentes causas, entre las que destacamos
las siguientes:

Presencia de partculas metlicas en el interior del aislante, las cuales pueden vibrar bajo el
efecto del campo magntico alterno y perforar con ello el aislante en el que se alojan.
Presencia de elevadas tensiones que ionizan posibles burbujas de aire ocluidas en la masa
aislante.
Presencia de humedad en el aislante, por ser higroscpico y tomar por ello agua del aire a t
mosfrico.
Temperatura excesiva. Se ha observado que todo aislante disminuye su resistividad al au
mentar la temperatura, por lo que es necesario que el transformador no se caliente en ex
ceso.

De todo lo expuesto se deduce que es totalmente imprescindible la utilizacin de buenos ais


lantes, con gran rigidez dielctrica, que no absorban humedad y que sean insensibles a las tem
peraturas normales de funcionamiento que se les designe. Adems, han de poseer buenas propie
dades mecnicas para que no se rompan o se agrieten al manipularlos.
El dato ms importante a la hora de escoger un dielctrico es su tensin de perforacin, es de
cir, el valor de tensin bajo el cual un aislante de grueso determinado se perfora. En la tabla 7.5 se
relacionan los materiales aislantes ms utilizados en la fabricacin de transformadores y su tensin
de perforacin.
Los materiales aislantes tales como papel, cartn, tela, etc., se impregnan por lo general de al
guna sustancia aislante, com o barniz, parafina, cera, etc.
Segn el producto de impregnacin el aislante queda ms o menos rgido, especialmente si son
sometidos a prensado, como ocurre en la mayora de los casos. En este caso debern tratarse con
sumo cuidado, pues es fcil producir en ellos pequeas grietas que disminuyen en buena parte sus
propiedades aislantes.
Los materiales aislantes citados en la tabla 7.5 se utilizan para el aislamiento entre capas, pues
el aislamiento entre espiras se lleva a cabo mediante el barniz aislante de que est dotado el hilo
conductor, por ser la tensin existente entre espira y espira de pequeo valor.
El estudio de los materiales aislantes es toda una especialidad, tan amplia que por s sola ex
cedera sobradamente la extensin de este libro, sobre todo con la inclusin de los nuevos aislan-

150

TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFORMADORES

Tabla 7.5 Tensin de


perforacin de los aislantes
utilizados en transformadores.

Aislante

Papel vidrio

0,03

650

Papel vidrio

0,04

800

Papel aceitado

0,05

1.000

Tela aceitada

0,05

3.100

Cartn presphan

0,05

3.200

Cartn presphan

0,10

6.000

Cartn presphan

0,12

7.700

Mica

0,05

8.000

Mica pura

0,05

12.500

tes plsticos. Aconsejamos al lector Interesado en esta materia que solicite de los fabricantes de
materiales aislantes catlogos de sus productos, con datos tcnicos de sus cualidades elctricas,
qumicas y mecnicas.

CARACTERSTICAS TCNICAS DE LOS TRANSFORMADORES


Al construir o adquirir un transformador han de tenerse en cuenta una serie de caractersticas t c
nicas, para que sean las adecuadas a las prestaciones que de ellos se esperan. Estas caracters
ticas tcnicas son las siguientes:

Potencia nominal.
Prdidas de potencia.
Rendimiento.
Tensin primaria y secundaria.
Calentamiento.

Potencia nominal
Recibe el nombre de potencia nominal aquella que puede obtenerse en el secundario sin sobreca
lentamientos peligrosos y en servicio continuo.
En un transformador monofsico, la potencia nominal es igual al producto de la tensin en el se
cundario por la intensidad de corriente que circula por l. Se expresa en voltamperios (VA).
As, por ejemplo, si en los terminales del secundario de un transformador se obtienen 12 V y la
intensidad mxima de corriente que por l puede circular es de 5 A, y a una temperatura no supe
rior a 50 C, la potencia nominal de dicho transformador ser:
Pn = VsI s = 1 2 V x 5 A = 6 0VA
Si un transformador no llega a su temperatura normal de rgimen, significa que no trabaja a ple
na carga.

151

COMPONENTES ELECTRNICOS

En el caso de transformadores con ms de un secundario, la potencia nominal ser igual a la


suma aritmtica de las potencias individuales de cada secundario;

Pn = PS1 + P s2 + P83 = V.1 ; S1 + K2 I& + Vs3Js3


No debe confundirse VA con W, ya que los primeros indican potencia aparente y los segundos
potencia activa.
En los transformadores utilizados en electrnica se indica siempre la potencia aparente. Ello se
hace as porque segn la clase de carga que alimenta el transformador vara la potencia activa (es
decir, los vatios que suministra).
Si la carga es inductiva o capacitiva puede haber muchos voltamperios y pocos vatios. En cam
bio, si la carga es resistiva, los vatios se aproximan ms a los voltamperios, aunque nunca llegan a
ser iguales ya que siempre queda la inductancia del propio transformador.
A la relacin entre la potencia activa y la potencia aparente se le da el nombre de factor de p o
tencia o coseno (p:
potencia activa
W
eos <p = ------------------------------ =
potencia aparente
VA
Dicho coseno (p es siempre menor que 1, puesto que el valor absoluto de la potencia aparente
siempre es superior al de la potencia activa.
De todo ello se deduce por qu los fabricantes de transformadores indican siempre en sus
catlogos la potencia mxima que pueden suministrar en VA, es decir, la potencia aparente, ya
que desconocen cules son las caractersticas tcnicas del aparato que el transform ador ha de
alimentar.
Al elegir un transformador debe prestarse una muy especial atencin a esta magnitud, recha
zando valores de potencia nominal inferiores a la demandada por el aparato consumidor, pues en
caso contrario el transformador corre serio peligro de destruccin. Ante la duda, es siempre prefe
rible elegir un transformador capaz de suministrar una potencia nominal por encima de las necesi
dades del aparato consumidor.

Prdidas de potencia
En los transformadores, como en cualquier otro dispositivo elctrico, se producen prdidas de p o
tencia.
Una parte de estas prdidas se producen ya en vaco y se conservan inalterables en carga, por
lo que se las conoce con el nombre de prdidas en vaco-, otra parte de las prdidas solamente
aparecen cuando el transformador est en carga y dependen, esencialmente, de la carga, siendo
aproximadamente proporcionales a sta: se denominan prdidas debidas a la carga.
Las prdidas en vaco son las que se producen en el circuito magntico a causa de la histresis y de las corrientes de Foucault; por lo tanto son esencialmente prdidas en el hierro. Aunque
con el transformador en vaco tambin aparecen prdidas por efecto Joule en el arrollamiento pri
mario, debidas a la corriente en vaco I 0. Como esta corriente es muy pequea, pueden despre
ciarse estas prdidas y tener en cuenta slo las prdidas en el hierro.
Las prdidas debidas a la carga se producen en los circuitos elctricos del primario y secunda
rio del transformador; se denominan tambin prdidas en el cobre.
Se deben al efecto Joule, por efecto del paso de la corriente primaria y secundaria por los res
pectivos arrollamientos y valen:
Pc = I p2Rp + I s%
Donde I p e I s son las intensidades de corriente en primario y secundario respectivamente, y Fp y
Rs son las resistencias hmicas propias de dichos devanados.
Estas prdidas son por tanto proporcionales a la corriente de carga, ya que cuanto mayor sea
dicha corriente mayor sern los valores de I p e I s.

152

TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFORMADORES

Durante el funcionamiento en carga del transformador aparecen simultneamente las prdidas


en vaco y las prdidas debidas a la carga, de forma que las prdidas totales valen:
P
= 'Pv T+ *P0
' p

Rendimiento
El rendimiento de un transformador, com o el de cualquier dispositivo elctrico, est definido por la
Igualdad:

ti

potencia cedida

------------
potencia absorbida

Si llamamos:
P = potencia til o cedida en W
PA = potencia absorbida en W
P0 = potencia perdida en W
podemos expresar el rendimiento como sigue:
P
a

~~ p * ~ ~

P
p

Ahora bien, el transformador es un dispositivo elctrico cuyo rendimiento es particularmente


elevado, debido a la pequea reluctancia de su circuito magntico, desprovisto de entrehierros, por
lo que un pequeo consumo de energa es suficiente para crear una induccin elevada. El rendi
miento de un transformador est pues cercano a la unidad, por lo que en aparatos de pequeo
consumo, como es el caso de receptores de radio, televisin y alta fidelidad, apenas si influyen so
bre el consumo total del aparato.
El rendimiento de todo transformador es mximo cuando se cumple la relacin:
Prdidas en el hierro = Prdidas en el cobre
Esta Igualdad nunca se da en la prctica, ya que las prdidas en el cobre siempre son varias ve
ces superiores a las prdidas en el hierro.
De todas formas, y debido al pequeo consumo de los aparatos electrnicos, el rendimiento de
un transformador no merece ser tenido en cuenta, ya que, como se ha dicho, siempre suele ser alto
incluso en los transformadores peor diseados.

Tensin primaria y secundaria


Sabemos que tensin primaria es aquella que se aplica a los terminales del arrollamiento primario y
tensin secundaria la que se obtiene en el arrollamiento secundario.
La tensin primaria es, por ejemplo, la que proporciona el enchufe de la red de alimentacin (caso
de transformadores de fuentes de alimentacin) o la salida de una etapa amplificadora que se c o
necte al arrollamiento primario.
El arrollamiento primario debe estar previsto para esta tensin y frecuencia, a la vez que debe
poder alimentar los voltamperios necesarios para el secundarlo o secundarios, ms las prdidas d i
sipadas por calor en los arrollamientos y por corrientes parsitas en el ncleo.
La tensin secundaria es la que debe obtenerse en los terminales del arrollamiento secundario
cuando ste trabaja a plena carga y a la temperatura de rgimen.
En los pequeos transformadores utilizados en electrnica, cuando trabajan con poca carga o
sin ella, existe ms tensin en los terminales del secundario o, lo que es lo mismo, al conectar la car
ga disminuye la tensin en los terminales de este arrollamiento. Esto es fcil de comprobar midiendo
con un voltmetro la tensin en terminales del secundarlo estando ste sin la carga conectada, y

153

COMPONENTES ELECTRNICOS

despus efectuando la misma medida con la carga conectada. Se observar que al conectar la
carga la tensin en terminales del secundarlo disminuye algo. Esta disminucin de tensin es debi
da a las fugas magnticas por una parte y a la resistencia que poseen los arrollamientos por otra.
Por tanto, al elegir un transformador, debe tenerse presente la tensin que se aplicar en su pri
mario y la tensin que suministrar su secundario a plena carga, pues si slo se tiene en cuenta la
tensin secundaria en vaco es muy posible que la carga reciba una tensin insuficiente.

Calentamiento
La capacidad de carga de un transformador est limitada por la temperatura mxima admisible en
el Interior de los arrollamientos.
Un valor excesivo de la temperatura de los arrollamientos provoca la carbonizacin lenta de los
aislamientos que estn en contacto con el cobre. Es por tanto el aislante utilizado en la fabricacin
del transformador el que condiciona su lmite de temperatura.
As, por ejemplo, el algodn se carboniza a unos 220 C, y el papel aislante a unos 170 C. Sin
embargo, antes de alcanzar esas temperaturas, los papeles y cartones se vuelven quebradizos y,
por consiguiente, su estructura fsica o mecnica se modifica.
Por otra parte, y dado que los transformadores son componentes estticos, es decir, que no
poseen piezas en movimiento, tienen mas dificultades en enfriarse.
De todo ello se deduce que el transformador ha de instalarse en una zona bien aireada, a me
nos que por su pequea potencia no precise de refrigeracin, com o ocurre con los transforma
dores de Fl.
Dado que se producen prdidas en el ncleo cuando ste se somete a la Influencia de un cam
po magntico alterno (los circuitos magnticos excitados por corriente continua no presentan estas
prdidas), y prdidas en el cobre debidas a la resistencia hmica propia de los arrollamientos, es
tas prdidas se transforman en calor que debe ser radiado, pues de lo contrario las bobinas aumen
taran progresivamente de temperatura hasta producirse la destruccin del aislamiento y con ello el
cortocircuito directo entre espiras.
Para la eliminacin del calor generado en un transformador se recurre a la radiacin, la con
duccin y la conveccin.
Por radiacin, toda la superficie del transformador irradia calor, calentando a su vez los cuerpos
que reciben dichas radiaciones directamente, sin intervencin del aire.
Por conduccin se aprovecha la diferencia de temperatura entre la superficie del transformador y
el aire ambiente que lo rodea. Siempre que entran en contacto dos cuerpos, uno caliente y otro fro,
hay un transporte de calor por conduccin del cuerpo caliente hacia el fro, a expensas, como es
lgico, del cuerpo caliente, que va cediendo su temperatura.
Por conveccin se aprovecha el fenmeno del calentamiento del aire que rodea al transforma
dor, el cual al aumentar de volumen pesa menos que el aire fro; esto hace que se establezca una
corriente ascendente de aire caliente que va siendo sustituido por aire fro. De esta forma el trans
formador va perdiendo parte de su calor.
De todo ello se deduce que cuanto ms caliente est el transformador ms activa ser la pr
dida de calor, por el hecho de existir ms diferencia de temperatura entre el transformador y los
cuerpos que lo rodean, Incluyendo el aire.
Sin embargo, y com o es lgico, llega un momento en el que el calor producido es igual al per
dido, y a partir del cual la temperatura del transformador se estaciona y no vara; se dice entonces
que se ha llegado al punto de equilibrio.
La temperatura alcanzada en el punto de equilibrio no debe rebasar la que se considera como
mxima de seguridad para los aislamientos del transformador.
En la tabla 7.6 se Indican los lmites de calentamiento en C para diferentes aislantes utilizados
en los arrollamientos de pequeos transformadores.
Los calentamientos citados en la tabla 7.6 se entienden com o mximos, o sea que si se supo
ne que un transformador est trabajando a una temperatura ambiente de 25 C, y su aislante es de
papel Impregnado, el incremento admitido de temperatura ser de:
70 C - 25 C = 45 C

154

TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFORMADORES

Aislante

Limite de calentamiento f'JC)


'

Hilo esmaltado

80

Algodn, seda o papel no Impregnado

50

Algodn, seda o papel impregnado

70

Tabla 7.6 Lmites de


calentamiento de los aislantes
utilizados en transformadores.

En la actualidad se fabrican hilos aislados con resinas sintticas que admiten temperaturas del
orden de los 100 C'C. En este caso, los dems aislantes entre capa y capa tambin han de ser espe
ciales, com o los derivados del vidrio, pues los papeles y cartones normales ya no serian tiles.
Existe otra clase de hilo aislado con siliconas que puede llegar a soportar 180 C.
En resumen, el calor es el principal enemigo de los transformadores, y para evacuarlo eficaz
mente el mejor sistema es aumentar la superficie de enfriamiento.
Tratndose de los pequeos transformadores utilizados en electrnica, su superficie de enfria
miento es toda la parte exterior, por lo que a igualdad de potencia un transformador de grandes di
mensiones queda mejor refrigerado que otro de pequeas dimensiones, lo cual siempre supone un
inconveniente dada la tendencia a miniaturizar los circuitos electrnicos.

EJEMPLOS DE TRANSFORMADORES UTILIZADOS


EN ELECTRNICA
Para completar este estudio sobre los transformadores, en las lneas que siguen se exponen algu
nos de los modelos utilizados en electrnica.
En la figura 7.19 se muestran las fotografas y dimensiones en mm de un par de transformado
res encapsulados para alimentacin, protegidos contra cortocircuitos.
Constan de un devanado primario y dos secundarios, con potencias de 0,75 y 1,6 VA en cada
devanado secundario. La tensin del primario es de 220 V a 50 Hz.

32

Z > C2

SEC 1

7.19 Forma constructiva


y dimensiones de algunos
transformadores de alimentacin
protegidos contra cortocircuitos.

155

COMPONENTES ELECTRNICOS

Los dos devanados secundarios, que proporcionan tensiones de 6, 9, 12, 15 o 18 V, segn mo


delo, se pueden conectar en serie o en paralelo, lo que proporciona una amplia gama de opciones
de tensiones y corrientes de salida.
Merece la pena destacar las reducidas dimensiones de los mismos y su conexin a circuito im
preso mediante soldadura.
La ilustracin de la figura 7.20 corresponde a un transformador de alimentacin con ncleo toroidal. Este tipo de transformador presenta la ventaja, frente a los convencionales, de poseer una
menor dispersin de flujo magntico y, por lo tanto, se aprovecha mejor el mismo con menor peso
y volumen. Es muy utilizado en fuentes de alimentacin para amplificadores de alta fidelidad, sobre
todo si la fuente es de gran potencia.

I
e vo

110/120 V O

e vo
7.20 Transformador de
alimentacin toroidal con
doble primario para conexin
a 110 o 220 V

Marrn
110/120 V o

Como inconveniente cabe resaltar la tendencia que tienen sus planchas de hierro a vibrar, por
lo que tienen un mayor coste de fabricacin debido a que se deben eliminar estas vibraciones.
El modelo de la figura 7,20 posee dos devanados primarios independientes, que pueden co
nectarse en serie para el funcionamiento a 220/240 V, o en paralelo para el funcionamiento a
110/120 V.
El devanado secundario posee toma central, con lo que se obtienen tensiones desde 2 x 6 V
hasta 2 x 35 V y potencias de 30 a 330 VA segn modelo.
En la figura 7.21 se puede ver un transformador de aislamiento de audio. Se trata de un trans
formador con relacin 1:1, es decir, con igual nmero de espiras en primario y secundario, cuya mi
sin es aislar altavoces de 3 a 15 2.

Transformador

7.21 Aspecto externo de un


transformador para aislamiento
de altavoces.

156

Carcasa de apantaltamiento

Pantalla

TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFORMADORES

7.22 Transformador de
audiofrecuencia miniatura
para montaje sobre PCB.

Los transformadores de audiofrecuencia de la figura 7.22, en modelos abiertos o encapsulados,


son del tipo miniatura para montaje sobre placa de circuito impreso. Son transformadores para apli
caciones de aislamiento y adaptacin de impedancias en etapas de audio.
Sus dimensiones son muy reducidas. El ms pequeo slo tiene 18 mm de longitud, 18 mm de
ancho y 15 mm de alto.
En el caso de utilizarse con relacin 1:1 (transformador de aislamiento), las impedancias de en
trada y salida son de 800 y pueden trabajar con seales comprendidas dentro de la banda de
audio (entre 60 Hz y 25 kHz) y potencias de 2 mW.
Cuando se trata de transformadores adaptadores de impedancias, se han de tener muy en
cuenta sus impedancias de entrada y salida, las cuales deben ser respectivamente las mismas que
la de salida de la etapa que se conecta a su primario y la de entrada de la etapa a la que se c o
necta su secundario.
Para el clculo de esta adaptacin de impedancias, con la que se obtiene la mxima transfe
rencia de energa de una a otra etapa, se parte de la frmula:

Donde n es la relacin de transformacin. As, en el caso de un transformador cuya impedancia de


primario sea de 3 k2 y de secundario de 250 , se obtiene una relacin de transformacin de:

Es decir, que dicho transformador posee una espira en el secundario por cada 3,5 del primario.
La figura 7.23 corresponde a un transformador de Fl para receptor de radio.

7
3

-o

-o
4
6

7.23 Transformador
para Fl de radio.

157

COMPONENTES ELECTRNICOS

Estos transformadores poseen un blindaje conectable a masa para evitar interferencias de RF


con otros receptores. Adems, incorporan en su circuito primario un pequeo condensador cer
mico conectado a los terminales de este devanado, mediante el cual el circuito primario queda sin
tonizado a la Fl del receptor.
Los transformadores de Fl poseen un ncleo ajustable de ferrita, para sintonizarlo a los valores
de la Fl con los que hay que trabajar.

158

..

Resistencias no lineales

INTRODUCCIN
Las resistencias estudiadas en ei captulo 3 son tocias lineales, es decir, que su curva caractersti
ca / - !{V es una lnea recta: cuanto mayor sea la tensin aplicada mayor ser la intensidad de co
rriente que por ellas circula, permaneciendo su valor hmico inalterable.
Existen resistencias cuyo valor hmico no es constante, sino que depende de una magnitud no
mecnica externa a ellas, como la temperatura, la tensin o la intensidad de la luz. Estas resisten
cias reciben el nombre de resistencias no lineales, puesto que su vaior hmico es alterable y su cur
va caracterstica 1 = f(V) no es una recta. Hay cuatro tipos de resistencias no lineales:

Resistencias
Resistencias
Resisteiicias
Resistencias

VDR.
NTC.
PTC.
LDR.

Todas estas resistencias pertenecen al grupo de ios semiconductores, si bien su forma de ac


tuacin en los circuitos electrnicos depende de magnitudes diferentes; as, las resistencias NTC y
PTC dependen de la temperatura, mientras que las VDR dependen de la tensin aplicada y las LDR
de la intensidad luminosa que sobre eilas incida.

}: RESISTENCIAS VDR DE CARBURO DE SILICIO


Las VDR (Voltage Dependent Resistor), tambin llamadas varistores, son resistencias dependientes
de la tensin, es decir, variables con la tensin.
Se trata de un componente que vara su resistencia de acuerdo con el valor de la tensin que
. e le aplica. El material semiconductor utilizado en la fabricacin de ras VDR es, principalmente, el
carburo de silicio. La dependencia de la tensin es debida a la resistencia de contacto entre los
cristales de carburo.
<
Las propiedades elctricas de las resistencias VDR dependen del carburo de silicio, y el con| ; 9Omerado prensado est formado por una complicadsima red de resistencias conectadas en sem - .fie y en paralelo mediante contactos en la estructura cristalina.
^ . La forma definitiva se consigue prensando los granos de carburo de silicio junto con un com' f f t poneri'e cermico, en forma de discos o de varillas (figuras 8.1 a 8.3).
r

aaractersticas ^ cnicas de as VD^

rBsisenc'a hmca de una VDR vara con la tensin, de ello se deduce que la corriente que
Una
no eSl en mocio alQcino, proporcional a ia tensin aplicada. La curva caracietensin en funcin de la corriente es, pues, lo ms importante de una VDR.
V o embargo, tambin han de tenerse en cuenta otras caractersticas que influyen sobre su fun-

8 k fc iento' ,ales 00010 la potencia dispela, el coeficiente de temperatura, la tolerancia, etc., las
s*2 studian a continuacin.

S lif f iB I I

m
41
2;'>A'
1g

COMPONENTES ELECTRNICOS

4 ,5 m )i

r ...
:
4
j...
\
i

6 mx

0
j 50 2

mx 5

j 5 mx
tan

i.

54 ntx

8.1 Resistencia dependiente


de la tensin en iorma de disco.

0,6
74 5
2 3 m

Ir

5,2 mix t

I...

1612

23 mn

0,6 b

-Jrfz
j

j_5 max

8.3 Resistencia dependiente de la tensin


de disco pequeo.

8.2 Resistencia dependiente de la


tensin en forma de varilla.

Curva caracterstica d e una VDR


En la figura 8.4 se ha dibujado la curva caracterstica de la tensin en funcin de la corriente 1/ = f{!)
de una VDR, en escala lineal. En la figura se observa que con ei aumento de la tensin aplicada a
la VDR su valor hmico disminuye rpidamente.

8.4 Curva caracterstica tensin-corriente


de una VDR. trazada en escala lineal.

En ia figura 8.5 se ha dibujado la misma curva caracterstica, pero trazada con escala logartmi
ca doble, con lo cual la relacin tensin-corriente se representa esta vez por una lnea recta, aunque
los cocientes V/1 (es decir, la resistencia) son diferentes en cada punto de la curva caracterstica.

160

RESISTENCIAS NO LINEALES

Asi, cuando a la resistencia se le aplica una tensin de 10 V, la comente que por ella circla es
de 3 mA, siendo el valor hmico de la VDR:

fivrjn = = ~ 3,33 k2

;
3 mA
Si en esta circunstancia se aumenta la tensin aplicada a la VDR hasta 20 V, la intensidad de
corriente que por ella circula ser de unos 75 mA, con lo que su valor hmico pasa a ser de:

y/

20 v

^VDR = r ' =
7T ~ 267 2
VDR
I
75 mA
Es decir, que al aumentar el valor de la tensin aplicada a la resistencia de 10 a 20 V (el doble), el va
lor hmico de la VDR pasa de 3.333 2 a 267 2 (disminuye a ms de la doceava parte de su valor inicial).
La relacin entre la corriente y la tensin en una VDR puede expresarse, de manera aproxima
da, por:
log V = log C + 3 log I
Es decir:
l/ = C 7 p
Donde:
V
C
I
(1

=
=
=
=

Tensin aplicada a la resistencia en voltios.


Tensin en la que I es igual a 1 A.
Corriente que circula por la resistencia, en amperios.
tg rp (pendiente de la recta de la figura 8.5, es decir, tg (p = AV/AI).

Los valores prcticos de (5 se hallan situados entre 0,16 y 0,40, y los de C entre 14 y algunos miles.
Para determinar con exactitud los valores de las constantes C y (3, es preciso medir tres puntos
de la cun/a caracterstica, pudiendo efectuarse una interpolacin slo en el caso de que dichos tres
puntos estn en lnea recta sobre una escala logartmica doble.
Efectivamente, la ecuacin expuesta no es vlida para valores pequeos de tensin y corriente,
como sucede en los puntos P y Q de la figura 8.5, ya que la interpolacin dara valores muy altos
de (3 y C.
Las VDR no presentan sntomas de polarizacin cuando la tensin cambia de polaridad (por
ejemplo, en corriente alterna), de lo que se deduce que la corriente cambia de direccin pero no de
valor y, por tanto, la ecuacin dada anteriormente es vlida nicamente cuando se toman los valo
res absolutos de V e I.

Valor hmico de una VDR


Resulta evidente que, por las especiales caractersticas de las VDR, no es posible establecer un va
lor hmico para ellas, ya que ste vara con la tensin. Por este motivo, ios fabricantes de VDR in
dican en sus catlogos la tensin presente en ellas cuando por la VDR circula una intensidad de c o
rriente que suele ser de 1 mA.
Por ejemplo, en la VDR modelo 2322 592 1406 de la firma P hilips se obtiene una tensin entre
sus termnales de 22 V cuando por ella circula una corriente de 1 mA, lo que quiere decir que el va
lor hmico de esta resistencia, cuando circula por ella 1 mA, es de 22 k2.

Tensin mxima aplicable a una VDR


En otros casos, se indican tambin las tensiones mximas aplicables a las VDR, tanto en tensin
continua (V c) com o en valor eficaz de tensin alterna {Vrm s).

161

COMPONENTES ELECTRNICOS

Asi, por ejemplo, a las VDR de P hilips se les puede aplicar tensiones continuas comprendidas entre
38 y 745 V, o tensiones alternas de valores eficaces comprendidos entre 30 y 550 V (segn modelo).
Superar la tensin mxima que se puede aplicar a un determinado tipo de VDR supone la des
truccin de la misma, pues la potencia disipada en ella aumenta considerablemente, tal y como se
demuestra en el siguiente apartado.

Potencia de disipacin de una VDR


En las VDR la potencia disipada es igual al producto de la tensin por la corriente que por ella circula.
Como la corriente es igual a:
I = KVa
donde a es igual al cociente 1/(3 y K al cociente 1/C, se tiene que:
P = KV * 1
Si a = 5, la potencia disipada en la VDR es proporcional a la sexta potencia de la tensin, por lo
que deber tenerse sumo cuidado en que la tensin aplicada no exceda de un determinado valor
mximo, pues de lo contrario se sobrepasara el rgimen tolerable por la resistencia.
As, si a una VDR con un valor de C igual a 14 y un cociente 1/(3 igual a 5, se le aplica una ten
sin de 8 V, se tiene:

K = c W = - r = l ^5- = 1.8 5 9 x 1 0 - 6
siendo la potencia disipada igual a:
P = K V a*' = 1,859 x 1CT6 x (8 V)6 = 0,487 W
Si en esta circunstancia la tensin se eleva tan slo un 12 %, es decir,
8 V x 12
V = 8 V + - - = 8,96 V

100

La potencia disipada pasa a ser:


P = K V a ' = 1,859 x 10' x (8,96 V)6 = 0,962 W
De estos clculos se deduce que un aumento de tensin de slo un 12 % provoca un aumento
de la potencia disipada del doble, por lo que es muy importante que la tensin aplicada a la VDR no
sobrepase un determinado valor mximo, pues en caso contrario se rebasara el rgimen admisible.
Tngase tambin en cuenta que, puesto que las VDR poseen un coeficiente de temperatura ne
gativo, con disipacin elevada, el valor hmico de la resistencia disminuye y, como consecuencia,
an aumenta ms la potencia disipada en ella.
Los fabricantes de VDR indican en sus catlogos las potencias mximas de disipacin a d
mitidas por sus modelos, las cuales no estn normalizadas como en el caso de las resistencias li
neales. As, potencias mximas de disipacin usuales en VDR son: 0,25 W, 0,4 W, 0,7 W, 0,8 W,
1 W, 2 W y 3 W.
Finalmente, cabe decir que en ningn caso deben conectarse resistencias VDR en derivacin
con el propsito de obtener una mayor disipacin de potencia.

Mxima intensidad de corriente no repetitiva


Otro importante parmetro dado por los fabricantes de varstores es el de la mxima intensidad de
corriente transitoria, no repetitiva (Jnrp), que puede soportar el componente.

162

RESISTENCIAS NO LINEALES

Como resulta lgico, cuanto mayor sea el tiempo de duracin del impulso menor ser el valor
de la intensidad de corriente que puede soportar la VDR, por lo que los fabricantes indican este va
lor bajo unas condiciones de duracin del Impulso establecidas por norma.
Esta duracin se establece entre 8 y 10 ,us dentro de un lapso de tiempo de 20 as.
Asi, la VDR modelo 2322 592.6006 de P hilips es capaz de soportar un impulso de corriente de
400 A, cuya duracin total (subida y bajada) no supere los 20 jas.

8.6 Curva caracterstica del pico


de corriente en funcin del ancho
del impulso.

En la figura 8.6 puede verse la curva caracterstica del pico de corriente en funcin del ancho de im
pulso. En esta curva caracterstica la intensidad de corriente se indica en porcentaje del valor numri
co /. indicado por el fabricante; el tiempo f, es el de subida del impulso, y las normas establecen
que sea el tiempo comprendido entre el 10 y el 90 % del valor de / p; finalmente, t2 es la duracin
total del impulso, y comprende el tiempo transcurrido desde que la intensidad de corriente tiene un
10 % de su valor mximo hasta que alcanza el 50 % del valor mximo en el proceso de descenso.
Aplicando esta curva caracterstica al varstor que hemos puesto de ejemplo, el 10 % del valor
mximo indicado por el fabricante ser 4 A (inicio de los tiempos f, y f2>), al alcanzar el 90 % del va
lor total (360 A) el tiempo t, concluye, luego se alcanza el valor mximo de 400 A y se inicia el des
censo del impulso, que se da por finalizado cuando la intensidad de corriente alcanza un valor de
200 A (final del tiempo t2).

Mxima energa
La mxima energa soportada por una VDR se indica en julios, y se establece por norma que sea la
correspondiente a un impulso de energa cuya duracin sea de 10 |.is, dentro de un tiem po total
de 1.000 | s .
La maxima energa que puede soportar la VDR se determina mediante la frmula:
W = KvQI Dt2
donde K es un coeficiente que depende del valor de t2 cuando t, est comprendido entre 8 y 10 ps
(vase la tabla que acompaa a la figura 8.6).
Cuanto mayor sea el valor de K, es decir, cuanto mayor sea t2 con respecto a t v mayor ser la
energa que podr soportar la VDR, lo cual resulta lgico ya que la energa aplicada se disipa en
ms tiempo.
A ttulo informativo, diremos que la mxima energa que puede soportar el varstor que se ha
puesto de ejemplo a lo largo de este captulo es de 2,9 J.

Coeficiente de temperatura
Hasta aqu no se han tenido en cuenta los efectos debidos a la temperatura. Sin embargo, no siem
pre pueden ser despreciados, puesto que el valor de C tiene un apreciable coeficiente de tempera

163

COMPONENTES ELECTRNICOS

tura negativo. El valor de p es, sin embargo, prcticamente independiente de la temperatura, por lo
que con cierta aproximacin se puede establecer la igualdad:
= C 0 (1 + a t)
Siendo
C, = valor de C de la VDR, a la temperatura t C.
C0 = valor de C de la VDR, a 0 C.
a = coeficiente de temperatura.
Para distintos materiales el valor de a vara entre -0 ,0 0 1 0 y -0,0018.
En circuitos donde la corriente es constante, el coeficiente de temperatura para la tensin vara
e n tre - 0 , 1 0 y -0, 18 % C r'.
En circuitos en los que la tensin es constante, el coeficiente de temperatura para la corriente
vara entre +0,4 y +0,8 % C \ segn el valor de p.
Los fabricantes de VDR indican en sus catlogos las curvas caractersticas del coeficiente de
temperatura en funcin de la corriente (figura 8.7).
rx (%/C)
0,25

0,2

0,15

8.7 Curva caracterstica del


coeficiente de temperatura en
funcin de la corriente de una
VDR, para temperaturas
comprendidas entre 25 y 125 C.

o, 1

05
'

10'

10?

103

I (\iA)

1(f

En esta curva se observa cmo, para una intensidad de corriente de 10 aA, el coeficiente de
temperatura es de, aproximadamente, 0,25 % C 'i , mientras que con 10 mA el coeficiente de tem
peratura es de tan slo 0,1 % C 1. Esta curva es vlida para temperaturas comprendidas entre 25
y 125 C.

Capacitancia tpica
Debido a sus caractersticas constructivas las VDR presentan una capacidad parsita, que se con
sidera en paralelo con ellas, y cuyo valor puede afectar al correcto funcionamiento de los circuitos
de RF.
Esta capacidad vara con la frecuencia, por lo que los fabricantes de VDR indican el valor con
referencia a 1 kHz.
Trabajando con seales de 1 kHz la capacidad parsita tpica de las VDR suele oscilar entre
30 pF y 15 nF, segn modelo.
En el caso de que la VDR trabaje con corriente alterna de BF (limitada entre 0,5 y 5 kHz) se pue
de despreciar la influencia de su pequea capacidad parsita, no afectando a la dependencia entre
la resistencia y la tensin. No sucede lo mismo con corrientes que superen los valores de las fre
cuencias citadas.
Si la tensin aplicada a la resistencia tiene forma senoidal, la caracterstica tensin-corriente no
lineal hace que la corriente sea no senoidal, pero por razones de simetra incluir slo los armni
cos impares.

164

RESISTENCIAS NO LINEALES

Por los mismos motivos, cuando la corriente que circula por la VDR sea senoidal, la tensin en
ella ser entonces no senoidal.
En corriente alterna de RF, el efecto de capacidad provoca un aumento aparente de (3 y, por lo
tanto, la caracterstica tensin-corriente en escala logartmica deja de ser una lnea recta, tal y como
puede observarse en la figura 8.8.

i (mA)

8.8 Curva
caracterstica
tensin-corriente
de una VDR para
distintas frecuencias.

Es de destacar que con tensiones y corrientes elevadas la influencia de la capacidad parsita


de la VDR es menos importante, ya que disminuye el valor de la resistencia sobre la que acta en
derivacin esta capacidad.

Varistores con xidos metlicos


Las VDR de carburo de silicio tienen su principal aplicacin en circuitos en los que la tensin se ex
tiende de 10 V a 25 kV. Por debajo de 10 V es prcticamente imposible fabricar VDR de carburo de
silicio con buenas caractersticas.
Para aplicaciones de 1 a 15 V se ha desarrollado una gama de VDR a partir de otro sistema: el
xido de titanio.
Existe otro tipo de varistor, a base de xido de cinc, el cual, al contrario de las VDR de carburo
de silicio, se destina principalmente a aquellas aplicaciones en las que se disipa potencia intermiten
te, por ejemplo, en la supresin de transitorios, y para evitar la formacin de arcos en contactos.
En la figura 8.9 se comparan los diversos tipos de varistores con una resistencia lineal.
Las VDR de xido de titanio y de xido de cinc pertenecen al grupo de las denominadas VDR
de xidos metlicos o varistores con xidos metlicos.

10.000

$
c:
-S
c:

1.000

.C

c
;c

100

U
10 |iA 100 nA

1 mA 70 mA 100 mA
Corriente instantnea

7A

70 A

R Q Cnm ,naranin
----------- entre las

caractersticas de diversos tipos


de VDR y una resistencia lineal.

165

COMPONENTES ELECTRNICOS

VDR de xido de titanio


Las VDR de xido de titanio (T02) se fabrican en forma de discos, gracias a la posibilidad de obte
ner cristales de xido de titanio de grandes dimensiones, lo que permite elaborar VDR para tensiones
muy bajas (2,7 V a 15 V).
El valor de (3 en este tipo de resistencias est comprendido entre 0,1 y 0,2, siendo 0,15 un va
lor tpico. Esto significa que, si la corriente que circula a travs de la VDR aumenta en un factor igual
a 10, dentro de la parte recta de su caracterstica, la tensin en sus extremos aumenta en un fac
tor igual a 1,4.
Otra ventaja de las VDR de xido de titanio es la elevada constante dielctrica del xido de ti
tanio (86 a 170), por lo que su capacidad parsita es tambin bastante elevada, favoreciendo la uti
lizacin de ia resistencia como limitador.

VDR de xido de cinc


Para un gran nmero de aplicaciones, tales como la supresin de sobretensiones transitorias, pro
teccin contra chispas, etc., se requiere que el valor de p sea inferior a 0,05. Por este motivo ha sido
necesario hacer un sistema de base que permita elaborar VDR cuyo valor p, correspondiente a una
tensin infinita, sea inferior a 0,01. Esto se ha conseguido con el sistema de xido de cinc.
En la fabricacin de este tipo de VDR se selecciona, con gran cuidado, y se controla desde el
punto de vista de su pureza y de su granulado, el xido de cinc que ha de ser utilizado. ste se
mezcla ntimamente con un componente aislante formado por xidos metlicos que servir de se
gunda fase.
A la mezcla as constituida se le da forma, generalmente por prensado, y a continuacin se cue
ce a alta temperatura durante el tiempo necesario para que los granos de xido de cinc queden se
parados unos de otros por una capa de xido aislante.
Despus de este tratamiento, se metalizan las superficies, se sueldan las patillas y el conjunto
se reviste con una pintura protectora o se coloca en una caja de plstico, segn sea la aplicacin
a la que se destine el componente.

VDR asimtricas
Con el fin de obtener VDR con valores muy pequeos de C, los fabricantes de este tipo de resis
tencias han desarrollado una basada en el efecto de capa de barrera.
Dado que estas VDR presentan caractersticas distintas segn sea el sentido de la corriente que
circule por ellas, han sido llamadas VDR asimtricas.
En las VDR asimtricas se marca el ctodo, por ejemplo con un punto blanco, es decir, la pati
lla a la cual deber conectarse el negativo para que la resistencia trabaje en sentido directo.
En el sentido de conduccin la VDR presenta un bajo valor de C y un muy bajo valor de (3 (del
orden de 0,07), tal y como se deduce del anlisis de la curva caracterstica de tensin-corriente en
sentido directo de la figura 8.10 superior.

I (mA)
8.10 Curvas caractersticas de la tensin en funcin de la corriente en sentido directo (a la izquierda) y en
sentido inverso (a la derecha) de una resistencia VDR asimtrica.

166

RESISTENCIAS NO LINEALES

En dicha figura se observa que pequeas variaciones de tensin provocan fuertes cambios en
la intensidad de corriente que por ella circula, del orden de mA, es decir, que el cociente:

es muy pequeo.
En el sentido inverso, el valor de la resistencia, as com o el de C, es considerablemente mayor.
Esto queda confirmado en la curva caracterstica de tensin-corriente en sentido inverso de la fi
gura 8.10 inferior, en la que se observa que grandes variaciones de tensin en sentido inverso dan
lugar a pequeas variaciones en la intensidad de corriente que circula por la VDR asimtrica, es de
cir que el cociente anterior (tg <p) es aqu elevado.
Aunque estas resistencias muestran cierta correspondencia con las caractersticas de un diodo,
tienen diferencias notables, tales como:

La VDR asimtrica posee una elevada capacidad (unos 0,15 iF en sentido inverso).
Las tolerancias de las VDR asimtricas son pequeas.
El coeficiente de temperatura de las VDR asimtricas es muy pequeo.
Las caractersticas de las VDR asimtricas son ms inclinadas (pequeo valor de (5).
Las VDR asimtricas se fabrican para tensiones de 1 a 1,35 V y 1 mA, valores por encima
de los utilizados en la mayor parte de los diodos semiconductores.

Los varistores asimtricos tienen aplicacin en numerosos circuitos de radio y televisin.

Cdigo de identificacin de las VDR


Las VDR se identifican medante tres o cuatro anillos de color y, en ocasiones, mediante un punto
de color cuando su aplicacin es especial.
Dado que el valor hmico de los varistores es variable en funcin de la tensin que se les apli
que, los anillos de color no hacen referencia al valor hmico, sino al valor de tensin cuando por el
varistor circula una corriente de 100, 10 o 1 mA.
En cierto modo existe relacin con el valor hmico, ya que si se conoce la tensin y la corrien
te aplicada a la VDR resulta fcil calcular su valor hmico en dichas condiciones, pero slo en di
chas condiciones, ya que com o se ha dicho en repetidas ocasiones el valor hmico vara con el va
lor de la tensin aplicada.
En la figura 8.11 se han dibujado cuatro tipos diferentes de VDR (de disco, tubular y pequeo
disco), con el orden de lectura de sus tres primeros anillos.

8.11 Orden de lectura de los


anillos en las resistencias VDR.

167

ELECTRNICOS

El primer anillo Indica la corriente que circula por la resistencia a la tensin nominal, y que pue
de ser de 1 mA, 10 mA o 100 mA.
El cdigo de colores de este primer anillo se indica en la tabla 8.1.

naranja
Tabla 8.1 Relacin entre el
cdigo de identificacin de las
VDR y la corriente que circula
por ellas a la tensin nominal.

marrn

Este cdigo est vinculado con el de las resistencias lineales. Efectivamente, supnganse tres
VDR que. a igual tensin nominal de 18 V, dejan pasar 1, 10 y 100 mA respectivamente.
En estas condiciones, el valor hmico de la primera resistencia es de 18 V : 1 mA = 18 kQ, es
decir, que si fuese una resistencia lineal su tercer anillo sera naranja, de ah que 1 mA se represen
te con el color naranja.
El valor hmico de la segunda resistencia es de 18 V : 10 mA = 1,8 kQ, de ah que el primer ani
llo indicativo de la VDR sea en este caso rojo.
Finalmente, la tercera resistencia tiene un valor hmico de 18 V : 100 mA = 180 Q, por lo que
100 mA se representa mediante el color marrn.
El cdigo de identificacin del segundo y tercer anillos hace referencia a la tensin nominal de
la resistencia, la cual est normalizada segn tablas E12 internacionales (vase la tabla 3.1. en el
captulo 3), pero codificando cada valor de dos en dos, tal y com o se indica en la tabla 8.2.
Si la VDR no posee un cuarto anillo, ello indica que su tolerancia sobre el valor de la tensin no
minal es de 20 %, mientras que si posee un cuarto anillo, de color plateado, indica que su tole
rancia es de 10 %.
La potencia de disipacin de los varistores viene dada por su tamao, siendo tanto mayor la po
tencia de disipacin cuanto mayor sea el dimetro del disco de la VDR.

RESISTENCIAS NTC
Las resistencias NTC (Negative Temperature Coefficient), tambin llamadas termistores NTC, son
resistencias cuyo coeficiente de temperatura es negativo, es decir, que el valor hmico de su resis
tencia depende de la temperatura.
Las resistencias NTC se fabrican a partir de xidos semiconductores, tales como el xido frri
co (Fe20 3) sustituyendo algunos de sus iones de hierro. En la prctica slo unos pocos com pues
tos pueden ser utilizados en la fabricacin de resistencias NTC, puesto que los dems poseen pro
piedades muy inestables.
Las resistencias NTC se fabrican con:
a) Soluciones slidas de Fe30,4 y materiales con estructura cristalina en forma de espinela (por
ejemplo, Zn2T i0 4 o M gC rjO J.
b) xido frrico con adicin de pequeas cantidades de xido de titanio (Ti02).
c) xido de nquel (N02) o de cobalto (CoO) o una combinacin de estos xidos con peque
as adiciones de Li20 .

RESISTENCIAS NO LINEALES

Tensin nominal
(V)

N. de orden

Cdigo de color en VDR


(2. y 3. anillos)

16

marrn - azul

10

18

marrn - gris

12

20

rojo - negro

15

22

rojo - rojo

18

24

rojo - amarillo

22

26

rojo - azul

27

28

rojo - gris

33

30

naranja - negro

39

32

naranja - rojo

47

34

naranja - amarillo

56

36

naranja - azul

68

38

naranja - gris

82

40

amarillo - negro

100

42

amarillo - rojo

120

44

amarillo - amarillo

150

46

amarillo - azul

180

48

amarillo - gris

220

50

verde - negro

270

52

verde - rojo

330

54

verde - amarillo

Tabla 8.2 Relacin entre el


cdigo de identificacin de las
VDR y su tensin nominal.

A veces se aaden xidos estabilizadores para conseguir una mejor reproduccin y estabilidad
te sus caractersticas.
En la fabricacin de estas resistencias se emplean slo materias primas cuidadosamente selec
cionadas. A continuacin, se lleva a cabo una mezcla intensa y se le adiciona una ligazn plstica
que d forma a la masa, bien sea en forma de varilla o de disco. Despus se someten estas vari
llas o discos a una temperatura suficientemente elevada para permitir que los xidos se disuelvan
y se mezclen entre s. El ltimo paso consiste en la colocacin de los contactos elctricos, soldn
dolos con pasta de plata o mediante otros mtodos.

169

COMPONENTES ELECTRONICOS

En la figura 8.12 se pueden ver varios modelos de resistencias NTC.

oTo~|

8.12 Resistencias NTC


en forma de disco.

Caractersticas tcnicas de las resistencias NTC


Cuando se elige una resistencia NTC han de tenerse en cuenta una serie de caractersticas tcni
cas, mediante las cuales es posible conocer el comportamiento de la resistencia en un circuito dado.
Estas caractersticas tcnicas son las siguientes:

Caracterstica resistencia-temperatura.
Caracterstica tensin-corriente.
Tiempo de recuperacin.
Estabilidad.
Valor rmico.
Tolerancia.
Constante de disipacin y potencia mxima de disipacin.
Margen de temperatura.

Caracterstica resistencia-temperatura
Sin duda la relacin entre resistencia y temperatura es la ms importante para conocer el compor
tamiento de una NTC en un circuito, puesto que con ella es posible determinar el valor hmico que
adquiere la resistencia al ser sometida a una temperatura dada.
La relacin resistencia-temperatura de una resistencia NTC se expresa, aproximadamente, con
la frmula:
R = Aem
donde R es el valor de la resistencia a temperatura absoluta T, A y B son constantes para una re
sistencia dada, y e es la base de los logaritmos neperianos (e = 2,718).
Esta ecuacin se muestra grficamente en la figura 8.13, donde se ha representado R en fun
cin de la temperatura en grados centgrados.

Kf

(O)

10'
1(f
10'

10P
8.13 Variacin que
experimenta la resistencia
de una NTC en funcin de
la temperatura.

170

10-:>
-50

50

150

250

T(C)

350

RESISTENCIAS NO LINEALES

En la figura 8.13 se observa que mientras la escala de valores de resistencia es logartmica la de


temperatura es lineal, es decir, que en una NTC la resistencia no aumenta proporcional mente con
la temperatura, como ocurre con los metales, sino que disminuye siguiendo una ley logartmica.
Para una resistencia NTC dada, el valor de B puede ser calculado de la siguiente forma:
1. Se mide el valor hmico de la resistencia a una temperatura T: ,
2. Se mide el valor hmico de la resistencia a una segunda temperatura T2.
3. Con los dos valores obtenidos, y teniendo en cuenta que:
R, = Aeen-

y
f2 = Ae Bn2
se puede establecer la igualdad:
- pB/R-B/Tj)
r2

donde:

log f, - log R2 = B

log e

Y despejando B se tiene:
B _

1__
log e

Jog f 1 - log f l 2
1

Cuando se calcula B con esta frmula, se puede considerar que B es una constante, ya que
con el aumento de temperatura slo se producen pequeas desviaciones.
El coeficiente de temperatura a de una resistencia NTC se obtiene a partir de la frmula:
B
a = ~-jT
Segn los materiales utilizados en la fabricacin de una resistencia NTC, la constante B puede
variar entre 2.000 y 5.500 K.
Si una resistencia NTC posee una constante B de 4.000 K, se tiene un coeficiente de tempera
tura a de -4 ,5 0 % por C a la temperatura de 298,15 K (25 C), es decir, que su valor hmico dis
minuye un 4,50 % por cada grado centgrado de aumento de temperatura.
Para facilitar el clculo del valor de una resistencia NTC a una temperatura dada, cuando se c o
noce el valor hmico a 25 C (dado normalmente por el fabricante) y el valor de la constante 6 , en la
figura 8.14 se muestra la relacin f 25 ,C/R r en funcin de la temperatura para distintos valores de B.
As, supngase una resistencia NTC cuyo valor hmico es de 15 kQ a 25 C y su valor de B es
3.000 K. Si la temperatura en la resistencia sube a 60 C, la relacin f25..c/fT ser, segn la figura 8.14,
de aproximadamente 3/1, es decir, que a 60 C el valor hmico de la resistencia desciende a 5 kQ.

Caracterstica tensin-corriente
Cuando, debido al paso de la corriente a travs de una resistencia NTC, sta se calienta a una tem
peratura muy por encima de la temperatura ambiente, resulta interesante conocer la relacin entre
corriente y calda de tensin en la resistencia.

171

COMPONENTES ELECTRNICOS

8.14 Relacin ^25 .(/Rj en


funcin de la temperatura,
para distintos valores de B.

r2.

En la figura 8.15 se puede ver esta curva caracterstica para una resistencia NTC imaginaria. En
ella V e I figuran en escala logartmica, pues de esta forma pueden incluirse las lneas de potencia
y resistencia.

8.15 Caracterstica
tensin-corriente de
una resistencia NTC.

0.2

0.5

10

20

50

100 200

500 f.,

La llamada caracterstica esttica se mide a una temperatura ambiente constante y las lecturas
de V se toman despus de establecer el equilibrio, es decir, cuando la potencia consumida es igual
a la potencia disipada.
Como se puede observar en la citada figura 8.15, para corrientes muy pequeas el consumo de
potencia es demasiado pequeo para registrar un aumento de temperatura y, como consecuencia,
un descenso del valor hmico de la resistencia. En esta parte de la curva caracterstica la relacin
entre tensin y corriente es lineal, es decir, cumple la ley de Ohm.
Para potencias por encima de, aproximadamente, 0,05 W, la caracterstica deja de ser lineal.
A un cierto valor de I la cada de tensin alcanza un valor mximo, despus disminuye al seguir
aumentando la corriente (zona de resistencia negativa) para aumentar de nuevo a partir de un cier
to valor de la intensidad de corriente I.
Veamos con algo ms de detalle todo lo que acabamos de exponer sobre la curva de la resis
tencia NTC imaginaria de la figura 8.15. En este caso se supone que la temperatura ambiente es
de 25 C durante toda la prueba.

172

REStSTENCIAS NO LINEALES

El valor hmico de la resistencia NTC a 25 C es de 20 kQ, tal y como se deduce de la parte li


neal de la curva caracterstica de la figura 8.15, en la que todos los cocientes V /I dan como resul
tado 20 kQ.
A medida que aumenta la tensin aplicada aumenta linealmente el valor de la intensidad de c o
rriente, puesto que la temperatura ambiente no vara y la potencia disipada en la resistencia es pe
quea.
Sin embargo, cuando la tensin aplicada alcanza unos 33 V y la corriente es de 3,3 mA, la p o
tencia de disipacin en la resistencia supera los 0,1 W, calentndose sta por la potencia disipada
(no por la temperatura ambiente que hemos considerado constante) y, como consecuencia, se ini
cia un descenso del valor hmico de la resistencia.
A algo ms de 0,1 W la temperatura en la resistencia alcanza los 50 C, con lo que el valor h
mico de la misma, en dicho punto, es de, aproximadamente:
V

33 V

3,3 mA

= 10 kQ

(la mitad de cuando la potencia disipada estaba por debajo de 0,1 W).

Tiempo de recuperacin
Toda resistencia NTC precisa un tiempo de enfriamiento, durante el cual sta va recuperando pro
gresivamente su valor hmico inicial a la temperatura ambiente. Este tiempo de enfriamiento recibe
el nombre de tiempo de recuperacin (x) o constante de tiempo de recuperacin, puesto que es
constante para cada tipo de resistencia.
El valor hmico de la resistencia durante el enfriamiento no sigue una ley lineal, sino exponen
cial, tal y como se puede comprobar en la figura 8.16, en la que se ha dibujado la curva caracte
rstica de variacin de la resistencia en funcin del tiempo de enfriamiento normal de una resisten
cia NTC de 1 kQ a 25 C.

R id

( )

5
2

Id
5
2

Id
5
2
10 '

40

80 1 2 0 16 0 2 0 0 2 4 0 2 8 0 320

T(s)

8.16 Curva de variacin del valor


hmico en funcin del tiempo,
en condiciones de enfriamiento
normal, de una resistencia NTC.
Temperatura ambiente, 25 C.

Inicialmente, el valor de la resistencia NTC es de unos 25 Q, a los 40 s alcanza los 85 Q, a los


80 s sube a 200 Q, etc., hasta alcanzar su valor nominal de 1 kQ a 25 C a los 300 s.
En la prctica, el tiempo de recuperacin no es aquel que transcurre entre el inicio del enfria
miento y el instante en que la resistencia alcanza su valor nomina! a 25 C, sino el tiempo que ha
de transcurrir entre el inicio del enfriamiento y el instante en el que la resistencia alcanza la m itad de

173

COMPONENTES ELECTRNICOS

su valor hmico a 25 C. En el caso de la figura 8.16 el tiempo de recuperacin t es, por tanto, de
150 segundos.
Los fabricantes de resistencias NTC indican en sus catlogos mediante curvas com o la de la fi
gura 8.16, o mediante datos numricos, los tiempos de recuperacin de sus productos. As, por
ejemplo, la constante de tiempo trmico de las resistencias NTC de la serie 2322 640 90106 de
P hilips es de 13 s; lo cual indica que, a partir del instante en que la NTC Inicia su enfriamiento des
pus de haber trabajado a su mxima potencia (es decir, a la mxima temperatura admisible), has
ta que alcanza la mitad de su valor hmico a 25 C, han de transcurrir 13 segundos.

Estabilidad
Cuando funciona en un circuito electrnico, toda resistencia NTC sufre, al igual que cualquier otro
componente electrnico, un envejecimiento que provoca una variacin de su valor hmico nominal
a 25 C.
Esta variacin del valor hmico es muy pequea, del orden del 1,2 % de su valor nominal como
mximo, lo cual no tiene importancia en los circuitos de radio y televisin pero s en los aparatos de
medida de precisin, por lo que es conveniente que las resistencias NTC utilizadas en instrumen
tos de medida hayan sido sometidas a un envejecimiento previo, consistente en someterlas durante
un gran nmero de horas a una temperatura elevada.
Una vez realizado este envejecimiento, el valor hmico de la resistencia NTC se mantiene cons
tante, es decir, ha alcanzado su estabilidad.

Valor hmico
Los valores hmicos de las resistencias NTC se refieren siempre a la temperatura ambiente de 25 C,
ya que dada su caracterstica de variacin de resistencia con la temperatura es preciso tomar una
como referencia.
Se fabrican en valores segn columnas E internacionales (vase el captulo 3), pero sin cubrir to
dos los valores posibles.
Los fabricantes indican en sus catlogos el
valor hmico de sus resistencias NTC a 25 C y, en
ocasiones, a otras temperaturas, tales como 40,
50, 96,5 y 100 C. Lgicamente, junto con este
dato suministran el valor de B (en grados Kelvin) a
la temperatura de 25 C, de forma que el profe
sional pueda calcular, segn se expuso anterior
mente, el valor hmico de la resistencia a cual
quier temperatura.

Tolerancia

rcc)
8.17 Influencia de la tolerancia del valor
de B sobre la curva caracterstica resistenciatemperatura de una resistencia NTC.

174

Los valores de la resistencia a 25 C y de B se


dan con cierta tolerancia.
La tolerancia de las resistencias NTC a 25 C
es normalmente de +20 %, aunque tambin se
fabrican con tolerancias de 10 %.
El valor de B tiene, en la mayora de los casos,
una tolerancia de 5 %. Debido a la tolerancia del
valor de 6 , la desviacin de la curva nominal a
temperaturas diferentes a 25 C puede ser mayor
que la tolerancia dada para 25 C.
En la figura 8.17 se muestra la desviacin pro
ducida por la tolerancia de B sobre el valor h
mico nominal de una resistencia NTC de 10 kQ.
A partir de 25 C, la curva superior proporciona
los valores lmites de resistencia para com bina
ciones de:

RESISTENCIAS NO LINEALES

a) tolerancia +B y + f25 desde 25 C a temperaturas ms bajas.


b) tolerancia - B y +R25 desde 25 C a temperaturas ms altas.
La curva inferior da los valores lmites de resistencia para combinaciones de:
c) tolerancia - B y -R 25 desde 25 C a temperaturas ms bajas.
d) tolerancia +B y - f 25 desde 25 C a temperaturas ms altas.
El valor hmico real de la resistencia est pues comprendido entre loslmites dados por las cur
vas superior e inferior de la figura 8.17, aunque en la prctica rara vez se presentarn los casos ms
desfavorables.

Constante de disipacin y potencia de disipacin mxima


La constante de disipacin indica el aumento de temperatura de 1 C por cada unidad de poten
cia disipada y viene dado en los catlogos en mW/C.
No debe confundirse este parmetro con el de mxima potencia de disipacin de la resistencia,
la cual se da en W, al igual que en las resistencias lineales.
As, una resistencia NTC cuya constante de disipacin sea de 5,5 mW /C aumenta su te m
peratura 1 C cada vez que aumente 5,5 mW la potencia disipada, por lo que si la resistencia NTC
est disipando 55 mW ello provoca un aumento de 10 C en ella.
La potencia mxima de disipacin indica la potencia mxima que puede soportar la resistencia
NTC sin que se destruya.
Am bos datos suelen ser facilitados por los fabricantes y han de tenerse en cuenta, en especial
el segundo, para evitar la destruccin de la resistencia.

Margen de temperaturas
Toda resistencia NTC posee unos lmites de temperatura, sobrepasados los cuales la NTC deja de
comportarse como tal.
Los fabricantes de resistencias NTC indican en sus catlogos los mrgenes de temperatura de
trabajo, o la temperatura mxima tolerable por la resistencia, a la potencia mxima y a 25 C de tem
peratura ambiente. As, una NTC puede tener unos mrgenes de temperatura de trabajo com pren
didos entre -2 5 y +155 C, o bien ser capaz de soportar +155 C cuando se alcanza su potencia
mxima de disipacin a la temperatura ambiente de 25 C.
Este parmetro est relacionado con la constante de disipacin y la potencia mxima de disi
pacin dadas en el apartado anterior.
Efectivamente, supongamos una resistencia NTC cuya constante de disipacin sea de 4,5 mW/C
a 25 C, y que pueda soportar una potencia mxima de 0,6 W. Con estos datos se puede calcular
qu incremento de temperatura o temperatura mxima de trabajo puede soportar la resistencia cuan
do se alcanza la potencia mxima de disipacin de 0,6 W. Para ello basta con efectuar la operacin:

0,6 W
= 133,33 C
0,0045 W/C
A estos 133,33 C se le suman los 25 C iniciales, dando un valor de temperatura mxima a plena
potencia de 0,6 W de:
133,33 C + 25 C = 158,33 C
Dado que esta temperatura es el lmite admisible, se considera que dicha resistencia puede so
portar, sin que se destruya, una temperatura de 150 C.

Cdigo de identificacin de las resistencias NTC


En las resistencias NTC se indica su valor mediante diferentes procedimientos, tales como el de
franjas de color o mediante un color nico.

175

COMPONENTES ELECTRNICOS

En la figura 8.18 se muestra una resistencia NTC identificable por tres o cuatro franjas de color
que se leen de abajo a arriba y no al revs, com o es usual en las VDR.
El cdigo es el mismo que se utiliza en las resistencias lineales, es decir, compuesto por tres
anillos cuando la tolerancia es de 20 % y por cuatro cuando es de 10 % (ltimo anillo de color
plata).
3
mx\

3,3 0.5
IV

ni
ii
i

5 mx
2 1

2,54
17 nin

8.18 Dimensiones de una


resistencia NTC y orden de lectura
de su cdigo de identificacin.

00,6

As, por ejemplo, una resistencia NTC que tenga los anillos rojo-rojo-oro posee una resistencia
hmica a 25 C de 2,2 ohmios, puesto que el color rojo indica 2 y el oro indica que debe multipli
carse por el factor 0,1:
22 x 0,1 = 2,2
En otros tipos, el valor hmico viene indicado por un nico punto de color, o bien estn pinta
das de un solo color, por lo que aconsejamos solicitar a las firmas fabricantes de resistencias NTC
catlogos de las mismas, con el fin de poder identificar aquellas resistencias de aplicacin especial
pintadas con un nico color.

Eleccin del tipo de resistencia NTC adecuada


Si se ha de seleccionar una resistencia NTC para un circuito dado, han de considerarse los si
guientes puntos:
1.
2.
3.
4.

Forma adecuada al circuito en cuestin: varilla, cilindrica, disco o perla.


Valor hmico de la resistencia a 25 C.
Coeficiente de temperatura que se precisa.
Cul es el cambio del valor hmico de la resistencia que se precisa dentro de un intervalo de
temperatura dado.
5. Potencia que deber disipar:
a) Sin cambio perceptible del valor hmico de la resistencia debido al calentamiento.
b) Con cambio mximo en el valor de resistencia.
6. Tiempo de recuperacin que se precisa.
ste es el orden con el que se debe trabajar para seleccionar la resistencia NTC.

RESISTENCIAS PTC
Las resistencias PTC (Positive Temperature Coefficient), tambin llamadas termistores PTC, son re
sistencias cuyo coeficiente de temperatura es positivo, es decir, que su valor hmico depende de la

176

RESISTENCIAS NO LINEALES

temperatura, al igual que las resistencias NTC estudiadas en los prrafos anteriores, pero con la
particularidad de que, mientras en las resistencias NTC disminuye su valor hmico al aumentar la tem
peratura, en las resistencias PTC aumenta su valor hmico al aumentar la temperatura.

4,5 mx

10

mx
1.6 mx

4.8
10.6

45
34
o 0.8

12 mx

7Z69154

8.19 Algunos tipos corrientes de


resistencias PTC con sus dimensiones.

En la figura 8.19 se puede ver el aspecto externo y dimensiones de algunas de estas resisten
cias, las cuales se fabrican normalmente en forma de discos o perlas.
El coeficiente de temperatura de una resistencia PTC es pues positivo, aunque esta particulari
dad slo se produce entre determinadas temperaturas, fuera de las cuales puede ser igual a cero
e incluso negativo.
Una particularidad de las resistencias PTC, que las diferencia de las NTC, es que el valor abso
luto del coeficiente de temperatura, en la mayor parte de los casos, es mucho mayor que el de las
resistencias NTC.
Las resistencias PTC se fabrican bsicamente con titanato de bario (BaTiO;j) o soluciones sli
das de titanatos de bario y de estroncio, mediante un procedimiento anlogo al seguido en la fa
bricacin de resistencias NTC.
Para su fabricacin se tritura y se da forma adecuada a una mezcla de carbonato de bario, xi
dos de estroncio y titanio, y otros materiales, de acuerdo con las caractersticas elctricas que se
desee obtener. Una vez desecadas, las resistencias PTC son sometidas a elevadas temperaturas
y, a continuacin, se les aplican con sumo cuidado los contactos sobre este semiconductor, que
es del tipo N. Finalmente, se sueldan los terminales sobre las superficies de contacto y se las re
cubre de una laca especial protectora.

Caractersticas tcnicas de las resistencias PTC


Para la correcta eleccin de una resistencia PTC han de tenerse en cuenta una serie de caracte
rsticas tcnicas, m ediante las cuales es posible conocer el com portam iento de la resistencia en
el circuito,

177

COMPONENTES ELECTRNICOS

Estas caractersticas tcnicas son las siguientes:

Caracterstica resistencia-temperatura.
Caracterstica tensin-corriente.
Factor de disipacin.
Temperatura de conmutacin.
Coeficiente de temperatura.
Margen de temperaturas de trabajo.
Constante de tiempo trmico.
Mxima tensin admisible.
Valor hmico.
Tolerancia.

Caracterstica resistencia-temperatura
En lneas anteriores se afirma que en las resistencias PTC aumenta su resistencia al aumentar la
temperatura; ello es cierto pero con algunas restricciones.
Efectivamente, en la figura 8.20 se ha representado las variaciones que sufre el valor hmico de
una resistencia PTC en funcin de la temperatura.

8.20 Variacin que experimenta


el valor hmico de una resistencia
PTC en funcin de la temperatura.

En principio, la resistencia no experimenta casi variacin alguna (zona I); cuando se aumen
ta la tem peratura ligeramente se llega a la zona II, en la cual un pequeo aum ento de sta ori
gina un considerable aumento de R Sin embargo, si se sigue aum entando la temperatura, se
entra en la zona III, en la cual cae de nuevo el valor hmico, con lo cual la resistencia PTC deja
de actuar com o tal, puesto que en lugar de aumentar disminuye su valor hm ico, permitiendo,
por tanto, el paso de una mayor corriente, lo que puede llegar a provocar la destruccin de la
resistencia.
Las zonas en las cuales es posible trabajar con las resistencias PTC son tan slo la I y la II. Debe
tenerse esto muy en cuenta para evitar que la temperatura pase a la zona III, en la cual se corre el
peligro de destruir el componente.
De todo lo expuesto se deduce que la zona III, al no ser zona de trabajo adecuada, no inte
resa, por lo que los fabricantes de resistencias PTC indican en sus curvas caractersticas slo las
zonas I y II.
Por otro lado, y dado que por la ley de Ohm la intensidad de corriente que circula por una PTC
es tanto mayor cuanto mayor sea la tensin a ella aplicada, y que todo aumento de corriente trae
com o consecuencia un aumento de temperatura en la resistencia PTC, resulta obligado indicar en
estas curvas caractersticas bajo qu condiciones de tensin aplicada se han realizado los ensayos.
As, en la figura 8.21 se muestran las curvas caractersticas resistencia-temperatura de una resis
tencia PTC para dos valores de tensin, uno de ellos igual o inferior a 1,5 V de corriente continua
(curva continua superior) y el otro un impulso de 60 V (curva discontinua inferior).

178

RESISTENCIAS NO LINEALES

8.21 Curva caracterstica de


la resistencia en funcin de la
temperatura de una
resistencia PTC.

T(C)

Se observa en las curvas de la figura 8.21 que por debajo de unos 125 C el valor hmico de la
resistencia es inferior al nominal de la misma, que hemos considerado de 50 i a 25 C.
A partir de esta temperatura crece el valor hmico de la resistencia con el aumento de temperatu
ra, hasta alcanzar unos 200 k a 235 C, con una tensin continua aplicada igual o inferior a 1,5 V.
Si en lugar de 1,5 V de tensin continua se le aplica un impulso de 60 V, la resistencia alcanza
un valor de unos 60 k l a 235 C, pero la corriente que por ella circula contina calentndola y, por
lo tanto, se inicia el descenso de la curva, es decir, se entra en la zona peligrosa III (figura 8.20).

Caracterstica tensin-corriente de una resistencia PTC


Las curvas caractersticas estticas de la tensin en funcin de la corriente de una resistencia PTC
son de gran inters para el profesional, ya que con ellas se muestran claramente los lmites de co
rriente de estos componentes.
Hasta cierto valor de tensin la caracterstica tensin-corriente es una lnea recta que sigue la
ley de Ohm, pero el valor de la resistencia aumenta tan pronto como la corriente ha calentado al
componente, de m odo que su temperatura llega a la temperatura de conmutacin, es decir, a la
temperatura a la cual el valor hmico de la resistencia PTC es igual al doble del que corresponde a
25 C (figura 8.22).

8.22 Caracterstica tensincorriente de una resistencia PTC,


para diferentes valores de
temperatura ambiente,
representada en escala lineal.

179

COMPONENTES ELECTRNICOS

La cun/a caracterstica tensin-corriente depende de la temperatura ambiente y del coeficiente


de transferencia de calor al medio ambiente.
Las curvas caractersticas tensin-corriente de la figura 8.22 se han representado en escala li
neal, sin embargo en la prctica son ms tiles las representadas en escala logartmica (figura 8.23).

8.23 Caracterstica tensincorriente de una resistencia PTC,


para dos valores de temperatura
ambiente, representadas en
escalas logartmicas.

Obsrvese en esta ltima figura cm o a 25 C la intensidad de corriente sube de valor al subir


la tensin aplicada, hasta que sta alcanza los 2,5 V.
Por encima de 2,5 V la intensidad de corriente desciende de valor, lo cual nos indica y confirma
que la resistencia aumenta su valor hmico.

Factor de disipacin
Hemos visto que las resistencias PTC dependen en cierto grado de la tensin. As, para tensiones
elevadas el valor hmico de la resistencia es menor que el esperado.
Por esta razn, no resulta difcil obtener la cun/a caracterstica tensin-corriente a partir de la
curva caracterstica resistencia-temperatura con una constante de disipacin dada.
As, en la figura 8.24 se ha dibujado una curva caracterstica tensin-corriente en la que, adems,
se han aadido las escalas de resistencia y potencia disipada en cada condicin de trabajo. En ella se
observa que, aun aumentando el valor hmico de la resistencia con el aumento de tensin, el des
censo de corriente no es suficiente y, por lo tanto, se alcanzan valores de potencia disipada peli
grosos para la integridad de la resistencia.

8.24 Curva caracterstica de


la tensin en funcin de la
corriente de una resistencia
PTC, representada en escalas
logartmicas y con indicacin
de los valores hmicos y
potencias disipadas en cada
circunstancia.

180

RESISTENCIAS NO LINEALES

A pesar de todo ello no resulta difcil calcular, con bastante aproximacin, el valor mximo de la
curva caracterstica tensin-corriente si se conoce la curva caracterstica resistencia-temperatura y
la constante o factor de disipacin. Veamos cmo se procede para efectuar este clculo.
La potencia de disipacin vale:
P = I 2 f
Por lo tanto, un pequeo aumento de potencia disipada valdr:
AP = 2 IR A l + I 2 AR
En el mximo de la curva caracterstica tensin-corriente el incremento de corriente ser nulo, ya
que la curva inicia en dicho punto su descenso, por lo tanto la frmula anterior queda como sigue:
^R m
El subndice M indica que los valores de la frmula corresponden al mximo de la curva caracters
tica tensin-corriente.
Por otro lado se tiene:
AP = D A T
siendo D la constante o factor de disipacin de la resistencia y AT el incremento de la temperatura.
El factor de disipacin D se expresa, al igual que en las resistencias NTC, en mW/C y corres
ponde a la potencia que determina un aumento de temperatura de 1 C.
En esta circunstancia se establece la igualdad:
APm = D A Tm
y como, segn se ha dicho anteriormente,

= I*/
se puede escribir la nueva igualdad:
D A7~m =

A fM

Y despejando el valor de I h
T

2 _

M
de donde:
D(Tm

^amb)

Ya que:
A

~ ^"amb

AP?m

R,M

Para finalizar, diremos que el coeficiente de disipacin de las resistencias PTC oscila entre 6 y
15 mW/C segn modelo. Tambin se indica en mW/K, siendo lgicamente el valor absoluto el mismo.

181

COMPONENTES ELECTRNICOS

Temperatura de conmutacin
Recibe el nombre de temperatura de conmutacin (TJ aquel valor de temperatura bajo el cual el va
lor hmico de la resistencia PTC es dos veces el valor de minima resistencia fmn a 25 C (figura 8.25).

8.25 A la temperatura de
conmutacin Ts el valor hmico
de la resistencia PTC es dos
veces su valor mnimo

Coeficiente de temperatura
El coeficiente de temperatura (a) de una resistencia PTC se define como el resultado de dividir el
incremento del valor hmico de la resistencia por el producto de su valor hmico nominal y el in
cremento de temperatura, es decir:
AR

y se expresa en % por C.
Si se traza la curva caracterstica de la resistencia en funcin de la temperatura, con valores de
f en escala logartmica y de T en escala lineal, com o es usual en la prctica, se puede escribir:
d In R

De donde se deduce:
1
= 0,4343

lo g f- lo g R ,
T. - T,

Como se puede comprobar sobre la figura 8.26, la tangente a un punto cualquiera de la curva
caracterstica resistencia-temperatura es proporcional al valor de a en dicho punto.

8.26 La tangente a un punto


de la curva caracterstica
resistencia-temperatura es
proporcional al coeficiente
de temperatura a.

182

RESISTENCIAS NO LINEALES

La frmula anterior se escribir:


100

tog R, - iog R

~ "04343
Dndose en este caso el resultado de %/C.
Lgicamente, el coeficiente de temperatura no es el mismo a lo largo de la curva caracterstica,
debido a la no linealidad de sta, por lo que los fabricantes indican en sus catlogos el valor c o
rrespondiente al punto en el que la resistencia multiplica su valor por 10, es decir, cuando 2 = 10 R ,,
en cuyo caso la frmula anterior queda reducida a la expresin:

a =

100
0,4343 (72 - 7",)

As, supongamos que una resistencia PTC posee, a 90 C, una resistencia de 1 kU, y que al au
mentar la temperatura hasta 100 C la resistencia alcanza los 10 k2. El coeficiente de temperatu
ra de esta resistencia ser:

a = ---------
= ------------------ - ---------------= 23 %/C
0,4343 {T2 - 7,)
0,4343 x (100 C - 90 C)

Margen de temperatura de trabajo


Se ha dicho en lneas anteriores que las resistencias PTC slo actan como tales dentro de unos
mrgenes de temperatura, ya que por debajo y por encima de stos la curva caracterstica no res
ponde a lo que se requiere del componente.
Es muy importante tener presente este dato a la hora de adquirir una resistencia PTC, el cual
suele ser facilitado por los fabricantes para una potencia cero y para la mxima tensin aplicable.
As, por ejemplo, el margen de temperatura en la que es operante la resistencia PTC m odelo
2322 622 91001 de P hilips est comprendido entre 0 y +155 C a potencia cero, y entre 0 y +55 C
a la tensin continua mxima de 180 V.

Constante de tiempo trmico


La constante de tiempo trmico (t) representa el tiempo requerido por una resistencia PTC para al
canzar un 63,2 % del total de la diferencia entre el valor inicial y el valor final de temperatura en su
cuerpo, cuando se la somete a un cambio de temperatura en condiciones de potencia cero.
Para obtener este valor se mide la temperatura 7, de la resistencia PTC a la tensin mxima y
a una temperatura ambiente 70 de 25 C. Conociendo el valor de la temperatura de conmutacin,
la constante de tiempo trmica viene dada por la expresin:

i =

In (7, - Tq)
Ts - T o

Donde t es el tiempo requerido para refrigerar la resistencia PTC y hacerla pasar de la temperatura
7, a la temperatura de conmutacin 7S, cuando est a una temperatura ambiente de 25 C.
La constante de tiempo trmico de las resistencias PTC suele estar comprendido entre 10 y 50 s.

Mxima tensin admisible


ste es otro de los parm etros im portantes a tener en cuenta a la hora de elegir una resisten
cia PTC.
Los fabricantes de resistencias PTC indican tambin en sus catlogos este parmetro, referido
siempre a corriente continua y en ocasiones a una temperatura ambiente dada.
Es importante no superar nunca en los extremos de la resistencia el valor mximo de tensin
que se indique.

183

COMPONENTES ELECTRNICOS

Cdigo de identificacin de las resistencias PTC


Las resistencias PTC se identifican por un punto de color segn el cdigo dado por el fabricante.
C o m o e je m p lo d e ello, en la ta b la 8 .3 se d a n los c d ig o s d e c o lo re s y c a ra c te rs tic a s t c n ic a s
d e las re s iste n cia s P T C d e la serle 2 3 2 2 6 6 0 d e P h ilip s .

Resistencia
PTC n.

Valor
a 25 C
(i)

Temperatura
conmutacin
C

Coeficiente
de temperatura
(%/C)

Constante
de tiempo
trmico
(x)

Factor de
disipacin
(mWAC)

(Veo)

Margen de
temperatura
de trabajo
de potencia cero
C5C)

Margen de
temperatura
mxima
tensin
(C)

Tensin
mxima

tw m m F w
91001
(sin color)

250
25 %

+6

+5

17

25

-2 5 a + 155

0 a 55

91002
amarillo

50
15 %

+80

+18

50

8,5

50

10 a + 125

0 a 55

91003
verde

40
15 %

+ 110

+75

50

8,5

50

10 a + 125

0 a 55

91004
naranja

30
15 %

+45

+16

50

8,5

50

10 a + 125

0 a 55

91005
rojo

50
15 %

+25

+9

40

40

10 a + 125

0 a 55

91006
rojo

60
30 %

+30

+7

20

25

10 a + 125

0 a 55

91007
naranja

50
30 %

+50

+16

18

25

10 a + 125

0 a 55

91008
amarillo

50
30 %

+80

+23

18

25

10a + 125

0 a 55

91009
verde

50
30%

+ 105

+40

25

10 a + 125

0 a 55

Tabla 8.3 Caractersticas tcnicas de las resistencias PTC de la serie 2322 660 de Philips.

RESISTENCIAS LDR
Las LDR (del ingls Light Dependent Resistor), tambin llamadas resistores LDR y fotorresistencias, son componentes semiconductores que varan su valor hmico al incidir sobre ellos una ra
diacin luminosa.
A medida que la intensidad luminosa que incide sobre una LDR aumenta, su resistencia al paso
de la electricidad disminuye de valor.
En la figura 8.27 se puede ver el aspecto y dimensiones de algunas de estas resistencias, que
difieren bastante de lo convencional.
Los materiales fotosensibles ms utilizados en la fabricacin de las LDR son el sulfuro de talio,
el sulfuro de cadmio, el seleniuro de cadmio y el sulfuro de plomo.
Su construccin se efecta disponiendo sobre una plaquita de material inerte gran cantidad de
electrodos a una distancia muy prxima y, entre ellos, se deposita el material fotosensible. Todo el

184

RESISTENCIAS NO LINEALES

1,5 m o x

433
1.7 0.3

8.27 Diferentes tipos de


fotorresistencias con sus
dimensiones.

conjunto se encierra luego hermticamente en una ampolla de vidrio, o mediante un recubrimiento


de laca o sustancia plstica transparente, con el fin de protegerlo contra la humedad, polvo, etc.,
y, al mismo tiempo, facilitar que sobre la fotorresistencia propiamente dicha incida la luz.
Cuando la LDR no est expuesta a radiaciones luminosas, la mayora de los electrones estn
firmemente unidos a los tomos que forman la red cristalina. Los electrones libres, com o los que
existen en los metales, se encuentran slo en cantidades muy pequeas, y su presencia se debe a
la energa trmica del material.
Cuando sobre la LDR inciden radiaciones luminosas, la energa de la radiacin es absorbida por la
red cristalina. En esta circunstancia se libera un cierto nmero de electrones a causa de esta energa
suplementaria absorbida por el material, por lo que la LDR se hace ms conductora, es decir, dismi
nuye su resistencia elctrica. Este efecto fotoconductor aumenta considerablemente si el sulfuro de
cadmio contiene pequeas cantidades de elementos activantes, com o el cobre, el galio o la plata.

Caractersticas tcnicas de las LDR


Las caractersticas tcnicas que han de tenerse en cuenta al elegir una fotorresistencia son pocas,
por lo que no resulta difcil su eleccin.
Son las siguientes:

Caracterstica de la resistencia en funcin de la iluminacin.


Respuesta espectral.
Dependencia de la temperatura.
Tiempo de recuperacin.
Tolerancia.
Tensin admisible.
Potencia de disipacin.
Ruido.
Capacidad parsita.

Curva caracterstica de la resistencia de una LDR en funcin de la iluminacin


Como se ha dicho, las LDR constituyen en esencia resistencias variables cuyo valor hmico est
determinado por la mayor o menor cantidad de flujo luminoso que reciben. Cuanto menor es la ilu
minacin, mayor es la resistencia elctrica de la fotorresistencia. De todo ello se deduce que una
de las caractersticas tcnicas ms importantes de una LDR es aquella que establece la relacin
entre resistencia hmica e iluminacin, es decir, la curva caracterstica resistencia-iluminacin. En la
figura 8.28 se muestra la curva caracterstica resistencia-iluminacin de una LDR.
Como se puede comprobar al leer la citada curva, la resistencia elctrica de una LDR es muy
elevada en la oscuridad (2.500 i a 50 lux), bajando a unos 25 cuando sobre ella Incide una ilu
minacin de 9.000 lux.

185

ELECTRONICOS

8.28 Curva caracterstica de


la resistencia en funcin de la
iluminacin de una LDR.

tff L

La relacin entre el valor de la resistencia y la iluminacin puede ser expresada con cierta apro
ximacin por medio de la frmula:
R = AL
Siendo R el valor de la resistencia en ohmios, L la iluminacin en lux, y A y a constantes.
El valor de a depende del material utilizado y del proceso de fabricacin. En general vara entre
0,7 y 0,9.
Para finalizar, diremos que los fabricantes suministran tres curvas caractersticas resistencia-ilu
minacin (figura 8.28).
La de trazo continuo corresponde a la denominada curva nominal, y representa el funciona
miento de la fotorresistencia al comienzo de su vida.
Las otras dos curvas, de trazo discontinuo, corresponden a la curva caracterstica tpica mxi
ma y a la curva caracterstica tpica mnima, y muestran los lmites tpicos de produccin.

Respuesta espectral de una LDR


La radiacin luminosa incidente sobre una LDR solamente produce efecto elctrico dentro de una
determinada banda de longitudes de onda. Esto quiere decir que no todas las longitudes de onda
de la energa luminosa ejercen el mismo efecto en una LDR.
As, en el extremo rojo del espectro se encuentra una longitud de onda umbral, por encima de
la cual no se produce efecto fotoelctrico. La energa de los fotones de las radiaciones luminosas
situadas ms all de esta longitud de onda es insuficiente para excitar los electrones y hacer que
pasen de la banda de valencia a la de conduccin.
Para longitudes de onda por debajo del valor umbral, la respuesta aumenta al principio, ya que
al aumentar la energa de los fotones se excitan cada vez ms los electrones. Existe, sin embargo,
una longitud de onda crtica, por debajo de la cual disminuye la respuesta.
Todo lo expuesto queda reflejado en la curva de respuesta espectral que se muestra en la figu
ra 8.29, y en la cual se puede ver la relacin existente entre la resistencia elctrica de una LDR y la
longitud de onda de la energa luminosa incidente sobre ella. Obsrvese que la respuesta mxima
de una LDR se obtiene con unas longitudes de onda de unos 6.000 .
Como consecuencia de todo ello los fabricantes de fotorresistencias indican en sus catlogos el
valor de estos componentes para una temperatura de color dada, la cual se establece en 2.700 K.
Esta iluminacin es aproximadamente el color dado por una lmpara de filamento de tungsteno bajo
condiciones normales de funcionamiento y con una iluminacin de 1.000 lux.

RESISTENCIAS NO LINEALES

8.29 Curva de respuesta


espectral de una LDR.

Dependencia de la temperatura de una LDR


Dado que en la oscuridad el valor hmico de una LDR no es infinito, cuando se aplica una diferencia
de potencial a una fotorresistencia circula por ella una corriente elctrica aunque no est iluminada.
Como consecuencia de la agitacin trmica, a temperaturas, ligeramente por encima de 0 K al
gunos electrones pasan de la banda de valencia a la de conduccin. La resistencia en la oscuridad
aumenta con la temperatura ambiente y puede disminuir enfriando el componente.
A los niveles prcticos de iluminacin, el coeficiente de temperatura es muy pequeo, por lo que
puede ser despreciado.

Tiempo de recuperacin de una LDR


Cuando una LDR pasa de un cierto valor de Ilumi
nacin a la oscuridad total, el valor de su resisten
cia elctrica no aumenta inmediatamente, es de
cir, que para alcanzar el valor de oscuridad debe
transcurrir cierto tiempo.
El tiempo o grado de recuperacin de una LDR
es una medida prctica del aumento del valor de la
resistencia con el tiempo, y se expresa en kQ/s.
Dado que esta magnitud vara segn el nivel
inicial de iluminacin incidente sobre la fotorreslstencia, los fabricantes en ocasiones Indican en
sus catlogos las curvas caractersticas de la re
sistencia en funcin del tiempo de subida del va
lor hmico con la iluminacin como parmetro,
tal y como se aprecia en la figura 8.30.
Veamos un ejemplo de utilizacin de dichas
curvas. Supongamos que una fotorresistencia ilu
minada con una lmpara Incandescente (2.700 K)
que le proporciona 100 lux pasa a la oscuridad.
En este caso se tiene que a 100 lux la resis
tencia es de 1 k2 y al pasar a la oscuridad se al
canzan los 4 M i l
El tiempo en alcanzarse los 4 MQ una vez
apagada la lmpara, es de 5 s, por lo que el tiem
po de recuperacin es de:
4 M 2 - 1 k2

itr 3

102

W'

1CP t (s) 101

8.30 Curvas caractersticas del tiempo de


subida del valor hmico de la resistencia,
con la iluminacin como parmetro.

= 8 0 0 k"2/s

5 s
187

COMPONENTES ELECTRNICOS

El tiempo de recuperacin varia pues segn el nivel previo de iluminacin, ya que se parte de un va
lor hmico ms o menos elevado y, por tanto, ms o menos cercano al valor hmico en la oscuridad.
En los tipos corrientes de fotorresistencias, el tiempo de recuperacin es mayor de 200 k i/s
(durante los primeros 20 segundos a partir de un nivel de iluminacin de 1.000 lux).
En sentido inverso, es decir, en el paso de la oscuridad a un cierto valor de Iluminacin, la velo
cidad del tiempo de recuperacin es mucho mayor.
As, por ejemplo, al pasar de la oscuridad a un nivel de iluminacin de 300 lux, se tarda menos
de 10 ms en alcanzar un valor de resistencia que corresponde a un nivel de iluminacin de 400 lux.

Tolerancias de una LDR


Las curvas caractersticas resistencia-iluminacin de las fotorresistencias se miden para dos valo
res de iluminacin: 1.000 lux y oscuridad total.
Para 1.000 lux se especifican los valores mximo y mnimo de la resistencia.
En oscuridad total se especifica slo el valor mnimo de la resistencia, que se alcanza despus
de transcurrido cierto intervalo de tiempo.
Dado que el valor de a no es absolutamente constante, sino que presenta cierta dispersin, la
dispersin para un nivel de iluminacin diferente a los 1.000 lux citados puede ser algo mayor que
la correspondiente a 1.000 lux (figura 8.28).

Tensin admisible en una LDR


La tensin admisible es aquella tensin de pico mxima que puede aplicarse a una LDR, supo
niendo, lgicamente, que no se supere la potencia mxima de disipacin.
Si se supera el valor de tensin mxima admisible la fotorresistencia se destruye.

Potencia de disipacin de una LDR


La potencia disipada en una LDR es igual al producto de la tensin a ella aplicada por la corriente
que por ella circula.
Ahora bien, dado que la intensidad que circula por una LDR no slo depende de la tensin aplicada,
sino del valor hmico que adquiera en cada instante segn la iluminacin que en ella incida, debern
tenerse presente todos estos parmetros para no superar la potencia mxima admisible por la LDR.
Todo ello se comprueba en la figura 8.31, en donde se puede ver la curva caracterstica de la
intensidad de corriente en funcin de la tensin aplicada a una LDR con la iluminacin como par
metro y con las curvas de potencia de disipacin a 25 y 70 C. Estas curvas se han realizado con
una lmpara incandescente de 2.700 K.
As, trabajando a 25 C, la potencia de disipacin nominal de la LDR es de 400 mW, por lo que
para no superar esta potencia mxima debe reducirse la tensin o la intensidad de corriente al au
mentar la Iluminacin. Es decir, con una iluminacin de, por ejemplo, 100 lux no puede aplicrsele
a la fotorresistencia una tensin superior a unos 20 V, pues el valor hmico alcanzado dejara pasar
demasiada corriente y, por lo tanto, se superaran los 400 mW de disipacin mxima.

8.31 Curva caracterstica de la


intensidad de corriente en funcin
de la tensin aplicada a una LDR.
con la iluminacin como
parmetro y con una potencia
mxima disipable de 400 mW
a una temperatura ambiente de
25 C y de 100 mW a 70 X.

188

RESISTENCIAS NO LINEALES

Obsrvese asimismo en la figura 8.31 que al aumentar la temperatura ambiente la potencia de


disipacin baja a 100 mW, por lo que sern ms estrechos los mrgenes de tensin y corriente apli
cables a la LDR.
Los fabricantes de LDR indican en sus catlogos la potencia mxima de disipacin de sus pro
ductos a 25 y 70 C, las cuales oscilan entre 70 mW y 2.5 W a 25 C, y entre 20 mW y 700 mW a
70 C, segn modelo.
Insistimos que, aunque se conozca el valor de potencia de disipacin mxima, debe com pro
barse si ste no se supera al quedar la fotorresistencia iluminada con el nivel mximo.

Ruido en una LDR


El valor hmico de una LDR no permanece constante debido a diferentes factores, por lo que en
tre sus terminales se producen unas variaciones de tensin que dan origen a ruido.
De todas formas, y com o las fotorresistencias generalmente slo se utilizan para ciertos con
troles en los que el ruido es un parmetro secundario, no suele tenerse en cuenta en el diseo de
los circuitos.

Capacidad parsita de una LDR


Por su especial forma constructiva las fotorresistencias presentan una capacidad parsita que limi
ta su funcionamiento a bajas frecuencias.
La capacidad parsita de las LDR es inferior a los 6 pF, cuando su respuesta de frecuencia est
comprendida entre 10 y 100 Hz.
Trabajando a 1 kHz y con una capacidad parsita de 6 pF la reactancia capacitiva de la LDR es
de unos 26,5 M2.
Si se le aplican frecuencias mayores, lgicamente la reactancia capacitiva disminuye y, por lo
tanto, afecta al correcto funcionamiento de la LDR.

Comparacin entre las diferentes LDR


Para finalizar con el tema de las fotorresistencias, en la tabla 8.4 se comparan algunas de ellas, con
indicacin de sus caractersticas ms importantes.

Tipo de fotorresistencia
.. .
P bS

C dS

Cd Se

10 2

10"3

medio

medio

10 a 1.000

10 a 1.000

media a grande

media a grande

5 x 10"2 a 2

5 x 10"2 a 2

500

500

300

Superficie sensible (mm2)

1 a 500

1 a 500

1 a 500

Respuesta espectral (|im)

Visible.
Mximo en el
rojo (0.65)

Visible.
Mximo en el
rojo (0,7)

Infrarrojo.
Mximo
hacia 2,5

Umbral de sensibilidad (lux)


Ruido de fondo
Respuesta de frecuencia (Hz)
Influencia de la temperatura
Disipacin mxima (W)
Tensin mxima (V)

fuerte

grande

Tabla 8.4 Comparacin de las caractersticas de algunas resistencias LDR.

189

Diodos rectificadores

INTRODUCCIN
Con la denominacin general de semiconductores se califican ciertos cuerpos simples (tales como
el silicio, germanio, etc.) cuya estructura cristalina hace que no dispongan de electrones libres ca
paces de establecer una corriente elctrica; sin embargo, bajo determinadas condiciones, sus elec
trones exteriores o de valencia pueden ser liberados y, como consecuencia, se convierten en cuer
pos conductores.
Para conseguir esto se recurre a diversos procedimientos, tales como el calor, la luz o, sin duda
el ms importante, introduciendo en la estructura cristalina del cuerpo ciertas sustancias de cons
titucin atmica determinada. Estas sustancias crean unas caractersticas especiales, las cuales lo
transforman en un cuerpo ms o menos conductor.
Entre los cuerpos ms utilizados en la fabricacin de diodos semiconductores destacan el ger
manio y el silicio.

El germanio
El germanio es un cuerpo simple que ocupa el nmero 32 en la tabla peridica de los elementos,
es decir, posee 32 protones en su ncleo atmico y 32 electrones que giran alrededor de dicho n
cleo, de los cuales cuatro son de valencia (cuatro electrones en la rbita exterior ms alejada del
ncleo).
Para que un cuerpo mantenga su estabilidad molecular precisa de ocho electrones de valencia,
por lo que parece que el germanio debera pertenecer al grupo de los cuerpos no estables; esto no
es as, y el motivo de que el germanio sea un cuerpo estable con slo cuatro electrones de valen
cia se debe a que mantiene por s solo la estabilidad a base de una reciprocidad mutua con cuatro
electrones de los tomos vecinos, complementndose y consiguiendo as los ocho electrones ne
cesarios para su estabilidad molecular. Vase en la figura 9.1, de forma grfica, lo que se acaba de
exponer.

9.1 Representacin grfica de la


estructura atmica del germanio o
del silicio. Cada tomo utiliza para
su estabilidad cuatro electrones de
los tomos adyacentes.

En realidad este fenmeno es bastante ms complejo, pero el efecto en s se comprende fcil


mente observando dicha figura.
Como consecuencia de ello, el germanio es un cuerpo completamente aislante, ya que no exis
ten en su seno electrones libres capaces de establecer una corriente elctrica.

191

COMPONENTES ELECTRNICOS

El silicio
Al principio slo se utiliz germanio en la fabricacin de semiconductores; sin embargo, durante la
Segunda Guerra Mundial, se descubri que existe otro cuerpo simple que posee, al igual que el
germanio, cuatro electrones de valencia y, por lo tanto, es capaz de comportarse como l.
Este cuerpo simple es el silicio, el cual ocupa el nmero 14 en la tabla peridica de los ele
mentos, ya que posee un total de 14 protones y 14 electrones, de los que cuatro son de valen
cia y, por lo tanto, tambin es susceptible de ser utilizado en la fabricacin de todo tipo de se
m iconductores.
Entre las ventajas que presentan los semiconductores de silicio con respecto a los de germa
nio, cabe destacar su correcto funcionamiento dentro de un amplio campo de temperaturas de tra
bajo (funcionamiento sensiblemente normal dentro del Intervalo de temperaturas entre -1 8 C y
+100 C).
Com o consecuencia de ello, el silicio se emplea normalmente en la fabricacin de diodos
rectificadores para grandes intensidades de paso de corriente, siendo muy utilizados en fuen
tes de alimentacin para la rectificacin de la corriente alterna de la red, mientras que los dio
dos de germanio se utilizan en circuitos de pequeas seales, com o las etapas detectoras de
la seal de audio en receptores de radio, debido a una ventaja que ofrecen sobre ios de silicio,
y es que precisan, com o ms adelante se ver, de menor tensin directa para pasar al estado
de conduccin.
Tanto el germanio com o el silicio, en estado puro, son cuerpos aislantes, por lo que parece un
contrasentido que dentro del apartado de semiconductores se citen dos cuerpos que en realidad
son aislantes. Sin embargo, lo que realmente se com porta com o un semiconductor no es el ger
manio o el silicio en estado puro, sino unos cuerpos compuestos cuya base principal es el germa
nio o el silicio, aunque se generaliza y se aplica el nombre de semiconductores a estos dos cuer
pos aislantes.

Cristal N
Supongamos una estructura cristalina, de germanio o de silicio, como la de la figura 9.1, en la que
se sustituyen algunos de los tomos de germanio o de silicio por otros tomos extraos cuya va
lencia sea 5, es decir, con cinco electrones en su rbita externa. tom os de este tipo son el ars
nico, el antimonio y el fsforo.
Esta operacin recibe el nombre de dopado. En ese caso la estructura cristalina queda altera
da, tal y como se indica en la figura 9.2, en la que se muestra cmo la estabilidad qumica del cris
tal se modifica como consecuencia de la impureza introducida.

Electrn
sobrante

9.2 Representacin grfica del


dopado de un cristal de silicio con
un tomo de antimonio. Al poseer
el tomo de antimonio cinco
electrones de valencia, en una de
las uniones queda un electrn libre
o carga negativa.

' i

- t e

"

'

' * -

Como la estabilidad qumica se produce cuando la suma de todos los electrones de valencia
es ocho, y la impureza (a causa de la covalencia de sus electrones con los de los tom os adya
centes) posee nueve electrones de valencia, se tiene un electrn sobrante, o carga negativa so
brante.

192

DIODOS RECTIFICADORES

)--------

9.3
Al aplicar una diferencia de
potencial elctrico entre dos caras
de un cristal tipo l\l. los electrones
se desplazan hacia el polo positivo
de la fuente de alimentacin.

En la figura 9.3 se ha dibujado un cristal de silicio dopado con un tomo de arsnico, siendo su
ficiente un solo tom o de arsnico en un conjunto de 100 millones de tomos de silicio.
Si entre dos caras de este cristal se aplica una diferencia de potencial elctrico, el electrn libre del
tomo de arsnico es atrado por el polo positivo de la fuente de alimentacin y repelido por el ne
gativo, puesto que cargas elctricas de signo opuesto se atraen y del mismo signo se repelen.
En la figura 9.3 el electrn se desplaza hacia la derecha, indicndose el recorrido mediante fle
chas. En su desplazamiento, el electrn puede pasar a formar parte de la capa de valencia de otro
tomo de silicio, siendo uno de los electrones de valencia de este ltimo tomo ei que prosigue el
recorrido hacia el polo positivo de la fuente de alimentacin.
Durante el transcurso de este fenmeno, el tomo de arsnico captura un electrn de uno de los
tomos adyacentes por su lado izquierdo que, adems, es repelido por el polo negativo de la fuen
te de alimentacin, provocando que en dicho tomo slo se tengan siete electrones de valencia y,
por lo tanto, haciendo que capture a su vez otro electrn.
En resumen, entre el polo negativo y el positivo de la fuente de alimentacin se establece, a tra
vs del cristal, una pequea corriente, por lo que el cristal recibe por ello el nombre de semicon
ductor tipo N, ya que son cargas negativas las que provocan la circulacin de corriente.
A los tom os con cinco electrones de valencia se les denomina tom os donadores.

Cristal P
En contraposicin a los cristales semiconductores tipo N se encuentran los semiconductores tipo
P, cuya conductividad se explica por los portadores de carga positiva o huecos.

Falta un
electrn
(hueco)

9.4 Representacin grfica de


la unin de tomos de silicio con
uno de indio. Al poseer el indio
tres electrones de valencia, en la
unin queda un hueco o laguna
por rellenar (pequeo crculo
blanco en la figura).

En la figura 9.4 se ha representado un cristal de germanlo o de silicio dopado con una impure
za, tal com o el aluminio, el indio o el galio, que poseen tres electrones de valencia.
A estos tom os se les conoce con el nombre de tomos aceptadores o simplemente acepta
dores, debido a que aportando slo tres electrones de valencia y compartiendo otros cuatro de los
tomos vecinos, en su rbita externa o de valencia falta un electrn para que se establezca la es
tabilidad qumica.

193

COMPONENTES ELECTRNICOS

9.5 Al aplicar una diferencia de


potencial elctrico entre dos caras
de un cristal tipo P, los huecos se
desplazan hacia el polo negativo
de la fuente de alimentacin.

,
\ I 3 .A
(

i {0 1 \ # H

..

7
# I )f # ? ?

En las figuras 9.4 y 9.5 se ha representado con un pequeo crculo blanco el lugar donde falta
un electrn, lugar que se conoce con el nombre de laguna o hueco.
El hueco no permanece mucho tiempo en el mismo lugar, debido a que un electrn de las In
mediaciones pronto lo ocupa.
Esto, que a primera vista parece sorprendente ya que todos los electrones estn ligados a sus
tomos y, por lo tanto, no hay electrones libres, es debido a los movimientos trmicos de los tomos.
En realidad los tomos oscilan alrededor de su posicin, lo cual produce choques entre ellos, por
lo que algunos electrones son extrados de sus rbitas y pasan fcilmente a ocupar huecos, apare
ciendo nuevos huecos en las rbitas donde se localizaban primitivamente dichos electrones. Tam
bin estos huecos quedan pronto ocupados por otros electrones, por lo que puede afirmarse que los
huecos viajan por todo el cristal.
Si se aplica una tensin elctrica entre dos caras opuestas de este cristal, tal y com o se indica
en la figura 9.5, los electrones buscadores de huecos son atrados por el polo positivo, pero los
huecos se desplazan hacia el polo negativo de la fuente de tensin.
Cuando los electrones llegan al extremo derecho del cristal (figura 9.5) y lo abandonan, surgen
nuevos huecos que se mueven hacia la izquierda.

Diodo de unin
En la figura 9.6 se ha representado un cristal de silicio cuya cara izquierda es un semiconductor tipo
P y la cara derecha un semiconductor tipo N. Hemos elegido el silicio com o elemento semicon
ductor por ser el ms utilizado en la tecnologa actual, pero para nuestro ejemplo sera igualmente
vlido el germanio.

9.6 Unin de dos cristales P y N


para la formacin de un diodo.

La pieza de silicio descrita no es la composicin de otras dos, sino que constituye un nico cris
tal que durante su fabricacin, y mediante procedimientos especiales, ha sido dopado en una de
sus dos mitades con tomos de impurezas aceptadoras, y con donadoras en la otra. A un cristal
dopado de esta forma se le llama unin PN.
A efectos de una mayor simplicidad en la figura, se han representado los huecos en gris claro y
los electrones en negro.
Entre las dos clases de silicio aparece una zona (Z) que contiene muy pocos portadores de car
ga, y que se ha representado mediante una superficie gris oscuro.

194

DIODOS RECTIFICADORES

sta aparece debido a que en la frontera de las zonas P y N los huecos del silicio P son ocupa
dos por los electrones libres del silicio N, por lo que no existen en dicha zona portadores de carga.
La zona Z posee, pues, una elevada resistencia especfica y, por lo tanto, es aislante al paso de
la corriente elctrica.

te te te
te te te

te *
<M

fe

i i

6
* *
te * *
te te *

9.7 Al aplicar una diferencia de


potencial elctrico a una unin PN,
con el positivo conectado al cristal
N y el negativo al cristal P. la zona
Z se ampla y el diodo acta como
un aislante.

En la figura 9.7 se ha dibujado una unin PN a la que se ha aplicado una tensin elctrica entre
sus caras opuestas, de forma que el polo negativo queda aplicado al cristal de silicio P y el polo p o
sitivo al cristal de silicio N.
Con esta disposicin los huecos se concentran hacia el polo negativo y los electrones libres ha
cia el polo positivo. El resultado de esto es la ampliacin de la zona Z, ya que an queda ms em
pobrecida de portadores de carga.
Al aplicar una tensin elctrica de la forma expuesta a una unin PN, la resistencia de la unin
aumenta todava ms. La corriente que circula de una a otra parte del cristal es, por tanto, muy pe
quea, del orden de algunos microamperios.
En la figura 9.8 se ha conectado la misma fuente de tensin elctrica, pero esta vez con la po
laridad invertida (positivo al cristal P y negativo al cristal N).

te te te te
te te te
te te te te
te te te te
te te te te
te te te te
te te te te te te te te

9.8 Al aplicar una diferencia de


potencial elctrico a una unin PN.
con el positivo conectado al cristal
P y el negativo al cristal N, la zona
Z se estrecha y el diodo se hace
conductor.

En esta circunstancia los huecos de silicio tipo P son repelidos hacia la zona Z por el polo posi
tivo de la batera, y los electrones libres del silicio tipo N son igualmente repelidos hacia la zona Z
por el polo negativo de la batera. La zona de resistencia resulta as muy estrecha y la resistencia
de la unin PN se reduce considerablemente, con lo que la intensidad de corriente que circula por
el cristal ser elevada.
El sentido del flujo de electrones de N a P se designa por sentido de paso, mientras que el sen
tido opuesto de P a N se le denomina sentido de bloqueo.
Es de destacar que en el sentido de bloqueo la corriente no es totalmente nula, es decir, siem
pre existe una pequea corriente de fuga que recibe el nombre de corriente inversa del diodo y que
se designa con el subndice R (del ingls reverse).
La intensidad de corriente en sentido directo se identifica con el subndice F (del Ingls forward).
El diodo semiconductor formado por un cristal dopado positivamente en una cara y negativa
mente en la otra, recibe el nombre de diodo de unin o de juntura, puesto que puede compararse
a la unin de dos cristales de silicio, uno P y otro N, aunque sea un nico cristal dopado de forma
diferente en sus dos mitades.

195

COMPONENTES ELECTRNICOS

Diodo de punta de contacto


Existe otro tipo de diodo semiconductor, denominado de punta de contacto (figura 9.9).
Las propiedades de estos diodos son las mismas que las de los de unin o juntura, con la dife
rencia de su forma constructiva, consistente en un cristal tipo N sobre el que se aplica una punta
muy fina en forma de muelle rodeada de cristal tipo P, el cual est en contacto con el cristal N o vi
ceversa.

9.9 Dibujo esquematizado de la


constitucin de un diodo de punta
de contacto. 1) Punta de contacto
en forma de muelle. 2) Cristal
tipo P. 3) Cristal tipo N.
4) Base metlica.

Cpsulas para diodos semiconductores


La unin PN que forma todo diodo semiconductor se introduce en una cpsula hermticamente
cerrada que la protege del medio ambiente y facilita su manipulacin, saliendo al exterior slo los ter
minales de conexin.
Existe una gran cantidad de variedades de cpsulas segn la potencia a la que debe trabajar el
diodo. En la figura 9.10 se muestran algunas de las ms usuales, con sus dimensiones y denomi
naciones.

00-7

2 mx

DO-14

2 mx

0 0.52 mx

h
1

2 mx

2 mx

0,56 mx

=1

_ 7,6 mx

25,4 min

00-35

DO-15 (SOD-40)

0,56 mx

k
i

25,4 mtn

7.6

4 mx

3.4 mx

1,05 mx

0.56 mx

196

25,4 mn

S0D-18

S0D-17

9.10 Distintas
cpsulas de diodos
semiconductores,
con indicacin de
sus dimensiones.

4,25 mx

11 ~~n~

25.4 min

6,35 mx

j 25,4 min
2.0 mx

4 mx

DIODOS RECTIFICADORES

9.10 Distintas
cpsulas de diodos
semiconductores,
con indicacin de
sus dimensiones.
(Continuacin)

SOD-28

SOD-22
2 mx

2 mx
5 mx

0,80 mi>r

(EZ)

i *
r

T~

8
^

x'

ool -<S

ca
OI

10.5 mx

' ~
i
28 mln

5,57 mx

28 mln

SOD-51

SOD-34 (2)
15 mn

11,5 mx

10

15 mln

4,5 mx

2 mx

2 mx

1,05 mx

0.56 mx

n>

i *L

2.8 mn

S mx

2,8 mn

18

Lgicamente las cpsulas para diodos que han de trabajar con elevadas potencias son ms
grandes, puesto que han de disipar ms calor.

nodo y ctodo de un diodo rectificador


Recibe el nombre de nodo el cristal P, y ctodo el N.
Al utilizar un diodo semiconductor es muy importante la correcta conexin del nodo y del c
todo, ya que de ella depende la polaridad de la seal rectificada a su salida. Tngase presente que
un diodo semiconductor deja pasar la corriente en un sentido y la bloquea en el otro.
El sentido de paso es de nodo a ctodo.
Efectivamente, cuando se le aplica un potencial positivo al nodo (cristal P) y negativo al ctodo
(cristal N), el diodo deja pasar la corriente elctrica, mientras que si se aplica un potencial negativo
al nodo (cristal P) y positivo al ctodo (cristal N) el diodo bloquea el paso de la corriente alterna.
En la figura 9.11 se muestra el smbolo con el que se representa a los diodos semiconductores,
con indicacin del sentido de paso (a) y de bloqueo (b). Conviene siempre recordar que el tringu
lo representa el cristal P (nodo) y el trazo lleno al cristal N (ctodo).

-a-----a)

b)

9.11 Smbolo de un diodo semiconductor, a) Aplicando un potencial positivo al nodo (a) con respecto al
ctodo (k) ei diodo se hace conductor, b) Aplicando un potencial negativo al nodo (a) con respecto al ctodo
(k) el diodo queda bloqueado.

Debe tenerse presente, ya que ello es motivo de confusiones, que al polarizar en sentido direc
to a un diodo, es decir, con el positivo aplicado al nodo, el diodo pasa a ser conductor y, por lo
tanto, el potencial positivo aparece en el ctodo, tal y como se deduce de la figura 9.12a.
En el esquema de la figura 9.12a aparece el positivo en el terminal de la resistencia conectado
al ctodo, ya que el diodo puede considerarse en este caso como un interruptor cerrado.
Cuando el diodo queda polarizado en sentido Inverso (figura 9.125), ste queda bloqueado, ac
tuando com o un Interruptor abierto, es decir, como una resistencia infinita, por lo que toda la ten-

197

COMPONENTES ELECTRNICOS

9.12 a) Cuando el diodo est


polarizado en sentido directo toda
la tensin de entrada aparece en la
resistencia de carga, con el
positivo en el lado del ctodo,
b) Cuando el diodo est polarizado
en sentido inverso, toda la tensin
de entrada aparece en ste, con
el negativo en el nodo.

sin aparece en la unin PN con negativo en nodo y positivo en ctodo y, como consecuencia, en
la resistencia no aparece tensin alguna.
De todo ello se deduce que los diodos sem iconductores han de llevar alguna indicacin en
la cpsula que permita al profesional distinguir el nodo del ctodo. Esta indicacin se realiza
imprim iendo en el cuerpo de la cpsula el smbolo del diodo en el sentido correcto, mediante un
pequeo aro de color o una forma redondeada de la cpsula en el lado correspondiente al c
todo, tal y com o sucede con los tipos de cpsula D O -14 y SOD-18 que se muestran en la figu
ra 9.10.
En radio y televisin los tipos de cpsulas ms utilizadas son las correspondientes a los diodos de
pequea potencia, en los cuales se identifica al ctodo mediante un aro de color (figura 9.13).

9.13 Identificacin del ctodo en un diodo rectificador, mediante un aro impreso sobre la cpsula en el lado
correspondiente al ctodo.

Puentes rectificadores
Los tipos de cpsulas expuestas en las lneas anteriores corresponden a unidades rectificadoras,
es decir, que en su interior slo existe una unin PN. Estos diodos sirven para formar circuitos rec
tificadores de media onda o de onda completa, utilizando dos o cuatro elementos adecuadamente
conectados.

9.14 Montaje en puente de


cuatro diodos rectificadores.

Se fabrican cpsulas en las que se disponen cuatro diodos rectificadores conectados en


puente (figura 9.14), lo que permite el diseo de un rectificador de onda com pleta en una sola
cpsula.
En la figura 9.15 puede verse una de estas cpsulas. En ellas se imprime las polaridades que
corresponden a cada terminal, de forma que no exista posibilidad alguna de error en su conexin.
As, las patitas con el signo ~ son a las que se debe aplicar la corriente alterna a rectificar, mientras

198

DIODOS RECTIFICADORES

9.15 Cpsula de puente


rectificador de silicio.

que la tensin continua positiva aparece en la patita marcada con el signo + y la negativa en la pa
tita marcada con el signo

CARACTERSTICAS TCNICAS DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES


En la actualidad se fabrican diodos semiconductores que cubren toda la gama de necesidades t c
nicas de los aparatos y equipos electrnicos. Para elegir correctamente el diodo rectificador ms
adecuado a un circuito deben conocerse sus caractersticas tcnicas, las cuales varan de uno a otro
diodo y dependen de las magnitudes de la seal alterna que deben rectificar.
Los fabricantes clasifican sus diodos en dos grandes grupos: diodos para pequea seal y dio
dos rectificadores.
Esta clasificacin es muy importante para una primera eleccin del diodo, como se ver ms
adelante.
Pero no slo es importante elegir el diodo de acuerdo con esta clasificacin, adems deben te
nerse presente una serie de caractersticas tcnicas que son proporcionadas por los fabricantes en
sus catlogos mediante datos numricos y curvas caractersticas.
Antes de entrar en el estudio de los parmetros de un diodo, conviene estudiar el cdigo de
smbolos literales utilizado internacionalmente para distinguir un parmetro de otro.

Smbolos literales para diodos semiconductores


Los smbolos literales utilizados para distinguir los diferentes parmetros de un diodo sem iconduc
tor estn formados por letras y subndices, segn la publicacin 148 de la IEC.
Las magnitudes elctricas principales son la intensidad, la tensin y la potencia.
Cuando se trata de valores instantneos se representan con letras minsculas:
i = Intensidad de corriente instantnea,
v = Tensin instantnea,
p = Potencia instantnea.
Cuando se hace referencia a valores de corriente continua, medios, eficaces y mximos, stos se
indican con una letra mayscula y un subndice, el cual procede de una abreviatura inglesa y que por
lo tanto es preciso aprender de memoria para evitar errores. Dichos subndices son los siguientes:
(AV), (av) = Valor medio (average valu)
F, f = Sentido directo (forward)
M, m = Valor mximo (mximum valu)
R, r = Sentido inverso (reverse)
(RMS), (rms) = valor eficaz (root-meam-square valu)
El subndice puede estar formado por ms de una indicacin. As, por ejemplo, / F(AV) indica el
valor medio de la intensidad de corriente en el sentido de paso.
Ahora bien, en toda corriente alterna se dan una serie de fenmenos, repetitivos o no, tales
como impulsos transitorios de tensin y corriente, que en muchas ocasiones han de ser tenidos en
cuenta ya que pueden perjudicar al diodo.

199

COMPONENTES ELECTRNICOS

fl. 16 Tensiones inversas


que se dan en una corriente
alterna.

m i /u

1 n / _ N
2

V ftN

11/

271/

O) t

En la figura 9.16 se ha dibujado una onda senoidal, en la que se han sealado valores de ten
sin que Influyen sobre el funcionamiento de un diodo. Dichas tensiones son:
^nrms = Tensin nominal eficaz.
f/RWM = Tensin de punta lmite.
\/RN = Tensin nominal inversa.
'/rsm = Mxima tensin inversa de pico admisible.
La curva 7 de la figura 9.16 corresponde a la tensin nominal eficaz de la fuente de alimenta
cin recomendada por el fabricante del diodo; la curva 2 corresponde al lmite de la tensin de pico
transitoria (l/RSM); y la curva 3, a la tpica forma de onda de tensin repetitiva transitoria.

Curva caracterstica de un diodo semiconductor


En la figura 9.17 se ha dibujado la curva caracterstica de un diodo semiconductor.
Obsrvese que en sentido directo, para tensiones directas (VF) por encima de unos 0,5 a 0,7 V,
la resistencia del diodo es pequea y, por lo tanto, la corriente en sentido directo ( F) es elevada.

9.17 Curva caracterstica de un


diodo semiconductor de silicio.

Cuando el diodo se opone al paso de la corriente elctrica, es decir, cuando est polarizado en
sentido inverso, su resistencia es elevada y por l circula una pequesima comente de fuga ( / R),
aunque la tensin inversa aplicada (t/R) sea elevada.

200

DIODOS RECTIFICADORES

Sobrepasado un cierto valor de l/R, que en el caso de la figura 9.17 hemos establecido en 70 V,
el diodo pasa a ser conductor y, como consecuencia de la enorme energa que se genera en l, se
destruye.
Como consecuencia de todo ello, la curva caracterstica del diodo semiconductor tiene una forma
semejante a la representada en la figura 9.17, en la que la caracterstica inversa de la corriente viene
expresada en pA y no en mA como ocurre con la caracterstica directa, y que la escala de tensin
directa est dividida en dcimas de voltio mientras que la de tensin inversa lo est en decavoltios.
Examinando el grfico se pueden observar las siguientes caractersticas:

La curva tiene forma exponencial en las proximidades del cero y se acerca rpidamente al
valor mximo admisible a medida que aumenta la tensin directa; es decir, la resistencia pro
pia del diodo que se opone al paso de la corriente directa es de muy bajo valor y disminuye
rpidamente al aumentar la tensin.
La corriente inversa aumenta muy lentamente, aun en el caso de tensiones algo elevadas.
Ntese que la resistencia disminuye ante tensiones inversas muy elevadas, pudiendo llegar a
resultar nula e incluso negativa. Este caso no puede considerarse, pues el recalentamiento
producido por la resistencia del diodo al paso de la corriente inversa puede llegar a destruir
lo. La tensin inversa correspondiente al codo de la curva caracterstica inversa, sobrepasa
da la cual el diodo pasa a conducir en sentido inverso, recibe la denominacin de tensin de
Zener, y es una cualidad que se aprovecha en un cierto tipo de diodos (diodos Zener).

La temperatura alcanzada en la unin de los cristales PN, com o consecuencia del paso de la co
rriente, influye sobre el comportamiento de ste, tanto en sentido directo como inverso, provocando
un aumento del paso de corriente. Este fenmeno apenas si tiene importancia en sentido directo,
pero s que es apreciable en sentido inverso.
As pues, cuanto mayor sea la temperatura en la unin mayor ser el paso de corriente en sen
tido inverso, razn por la cual en ciertas ocasiones es preciso dotar ai diodo de aletas disipadoras
de calor.
Los fabricantes de diodos suelen indicar en sus catlogos las curvas caractersticas directa e in
versa por separado, tal y com o se estudia a continuacin en un diodo para pequea seal y en un
diodo rectificador.

9.18 Curvas caractersticas


de la intensidad de corriente
en funcin de la tensin, en
un diodo para pequea seal
polarizado en sentido
directo.

201

COMPONENTES ELECTRNICOS

La figura 9.18 corresponde a la curva caracterstica I F = f(V,) del diodo para pequea seal de
germanio AA 119.
Como se puede comprobar este diodo no puede rectificar tensiones elevadas, por lo que su
uso queda limitado a la rectificacin de pequeas seales, tales com o la portadora modulada en
amplitud o en frecuencia de un receptor de radio, es decir, se trata de un diodo especialmente d i
seado para etapas detectoras.
Las curvas en lnea continua corresponden a los valores tpicos de este diodo, a temperaturas
ambiente de 25 y 60 C. Obsrvese que a 60 C la intensidad de corriente en sentido directo es
algo ms elevada.
Las curvas a trazos corresponden a los valores mximos garantizados por el fabricante, por lo
que por encima de dichos valores el diodo no puede ser considerado como bueno.
El diodo pasa a conducir en sentido directo cuando el potencial que se le aplica supera el p o
tencial que se genera en la zona aislante de la unin; en el caso del diodo AA119 ste comienza a
conducir en sentido directo cuando la tensin directa aplicada supera los 0,3 V a 25 C, lo cual
quiere decir que tensiones directas por debajo de dicho valor no son rectificadas.

9.19 Curvas caractersticas


de la intensidad de corriente
en funcin de la tensin, en
un diodo para pequea seal
polarizado en sentido inverso.

En la figura 9.19 se han dibujado las curvas caractersticas del mismo diodo en sentido Inverso.
En este caso, tal como se ha dicho en lneas anteriores, s que la temperatura Influye conside
rablemente sobre la Intensidad de corriente inversa.
Con elevadas tensiones inversas, del orden de 40 V, la intensidad de corriente en sentido inver
so es muy pequea, no alcanzndose los 100
a 25 C.
Como informacin complementaria a estas curvas diremos que los limites de este diodo son los
siguientes:
Tensin inversa mxima (14=): 30 V.
Tensin inversa de pico repetitivo mxima (t/RRM): 45 V.
Intensidad de corriente mxima en sentido directo (JF): 35 mA.
Intensidad de corriente de pico repetitivo mxima en sentido directo ( / FRM): 100 mA.
Temperatura ambiente mxima (7"amMu,): 60 C.
La fig u ra 9.20 c o rre s p o n d e a las c u rv a s c a ra c te rs tic a s I F = f(VF) d e un d io d o re c tific a d o r d e s i
licio, c o n c re ta m e n te las c o rre s p o n d ie n te s al m o d e lo BY 126 d e P h ilip s .

En este diodo se ponen en juego intensidades de corriente mucho ms elevadas, del orden de
los 10 A con tensiones directas de poco ms de 1 V.

202

DIODOS RECTIFICADORES

9.20 Curvas
caractersticas
l f = f( VF) de un
diodo rectificador
de silicio.

Al igual que en el caso anterior es preciso aplicar un mnimo de tensin directa para que el dio
do se haga conductor en sentido de paso.
La curva caracterstica de la figura 9.21 corresponde al mismo diodo pero en sentido inverso.
Con tensiones prximas a los 500 V en sentido inverso, la corriente de fuga inversa ( JR) apenas si
supera los 40 ^A, con una temperatura de unin (7) de 140 C.

9.21 Curva caracterstica


I R= f(VR) de un diodo
rectificador de silicio.

Del estudio de estas curvas caractersticas se desprende que ste no es un diodo utilizable en
etapas detectoras, siendo sin embargo idneo para el rectificado de la corriente alterna de la red.
Los valores mximos de tensiones, corrientes y temperaturas que puede soportar este diodo
son, segn el fabricante, los siguientes:
Tensin de punta inversa lmite (t/RWM); 450 vTensin inversa de punta peridica mxima admisible (VRRM): 650 V.
intensidad de corriente mxima en sentido directo ( I F(AV)): 1 A.
Intensidad de corriente de choque mxima admisible ( JFSM)): 40 A.
Temperatura mxima en la unin (T): 150 C.

203

COMPONENTES ELECTRNICOS

Para finalizar con el estudio de estas caractersticas, en la figura 9.22 se ha dibujado la curva
intensidad inversa-temperatura de la unin del diodo de silicio BY 126.
En dicha curva, se observa cmo al aumentar la temperatura de la unin (7) aumenta en forma
logartmica la intensidad de corriente de fuga inversa JR.

100
h
(nA)

10

9.22 Curva caracterstica


I R= f(T) de un diodo
rectificador de silicio.

As, a 70 C la corriente inversa es de tan slo 1 jaA, pero al doblarse la temperatura de la unin,
es decir, al alcanzarse los 140 C en la unin, la Intensidad de corriente inversa supera los 40 juA,
por lo que resulta cuarenta veces mayor que a 70 C.

Diodos de silicio de recuperacin rpida


Cuando se desea rectificar una corriente alterna de RF, es preciso recurrir a un tipo especial de dio
dos rectificadores cuya peculiaridad principal est en la conmutacin rpida del estado de con
duccin al de bloqueo, ya que los diodos rectificadores de uso comn tardan un cierto tiempo en
pasar de un estado a otro y, por lo tanto, no es posible efectuar adecuadamente la rectificacin.

o
9.23 Disposicin de un diodo
semiconductor y una resistencia
en serie con l, para obtener en la
pantalla de un osciloscopio la
imagen de la tensin rectificada.

al osciloscopio

o-

As, supongamos un circuito como el de la figura 9.23, compuesto por un diodo de silicio en se
rle con una resistencia de carga R. A los bornes de entrada del circuito se le aplica una onda cua
drada cuya frecuencia es de 50 Hz (figura 9.24).
Si en esta circunstancia se aplica la tensin presente en la resistencia a la entrada vertical de un
osciloscopio, en la pantalla de ste aparece una onda com o la que se muestra en la figura 9.25,
compuesta por los semiciclos positivos de la tensin de entrada (de amplitud V) y los semiciclos ne
gativos, de amplitud I nR (siendo I R la corriente de fuga que deja pasar el diodo mientras est po
larizado en sentido inverso).

204

DIODOS RECTIFICADORES

1
1
9.24

Tensin en forma de onda cuadrada aplicada a la entrada del circuito de la figura 9.23.

r
V

9.25

Tensin rectificada que aparece a lasalida del circuito de la figura 9.23.

En resumen, se puede afirmar que la corriente ha sido rectificada, puesto que el valor de Ip f
de los semiciclos negativos es muy Inferior al valor de V de los semiciclos positivos, hasta tal pun
to que la tensin I^R puede considerarse prcticamente nula.
Supongamos ahora que la frecuencia de la seal aplicada a la entrada del circuito de la figura
9.23 sea del orden de unos kilohercios.
En esta circunstancia la seal a la salida del rectificador, es decir, en la resistencia de carga R,
ya no ser la representada en la figura 9.25, sino que tomar la forma dibujada en la figura 9.26. en
la que se puede apreciar cm o los semiciclos positivos permanecen igual, mientras que los nega
tivos presentan unos picos de corriente I R0 en el m omento de la conmutacin, que posteriormen
te van atenundose hasta alcanzar el valor de la corriente de saturacin inversa I f.

9.26 Corriente rectificada a la salida del circuito de la figura 9.23, cuando la frecuencia de la tensin aplicada a
su entrada es muy elevada.

El fenmeno descrito recibe el nombre de fenmeno de recuperacin inversa, y consiste en


que, en el mom ento de ser polarizado el diodo en sentido inverso, ste no queda bloqueado ins
tantneamente. sino que permite el paso de la corriente com o si estuviese polarizado en sentido
directo, necesitando un cierto tiem po para alcanzar su estado de bloqueo. La rectificacin no es
perfecta.
Con el fin de estudiar ms a fondo este fenmeno, hemos representado en la figura 9.27, a ma
yor escala, uno de los semiciclos negativos de la corriente a travs de la resistencia R. En ella se
aprecia que la intensidad de corriente inversa ( / R0) permanece constante durante un tiempo f , , co
menzando despus a disminuir de forma progresiva.
El tiempo t? es el tiempo adicional necesario para que la corriente inversa / R0 alcance un valor
tolerable, y lo hemos fijado arbitrariamente en 0,1 JRO,

2 05

COMPONENTES ELECTRNICOS

9.27 Semiciclo negativo de la


corriente rectificada, cuando la
tensin aplicada a la entrada del
circuito de la figura 9.23 es muy
elevada. t = t, + 12 es el tiempo
de recuperacin inversa del
diodo.

La suma aritmtica de los tiempos f, y t2 recibe el nombre de tiempo de recuperacin inversa


de un diodo (f) que, com o se ha dicho, es el tiempo transcurrido desde el instante de la conm uta
cin hasta el m omento en que la corriente inversa alcanza el valor de 0,1 JR0.
Este fenmeno de recuperacin inversa limita la frecuencia de utilizacin del diodo, ya que si la
frecuencia aumenta de forma que el semiperodo se hace comparable con el tiempo de recupera
cin, el diodo deja de comportarse como rectificador y deja pasar la corriente en los dos sentidos.
El caso lmite se produce cuando el tiempo del semiperodo negativo es igual al tiempo f, de re
cuperacin.
Aparte de todo lo expuesto, durante el tiempo t> el diodo recibe un sobrecalentamiento adicio
nal debido al paso de corriente en sentido inverso, que es tanto mayor cuanto mayor sea la fre
cuencia, pudindose llegar a su destruccin.
De lo dicho se deduce que, cuando deba trabajarse con frecuencias elevadas, se necesita que
el tiempo de recuperacin en inversa sea lo suficientemente pequeo para que los efectos citados
sean despreciables.
Los diodos rectificadores pueden clasificarse, segn el tiempo de recuperacin inversa, en los
tres grupos siguientes:

Diodos normales: t = 50 ns.


Diodos rpidos: frr = 1 a 6 ns.
Diodos ultrarrpidos: t = 1 a 2 ns.

Sin embargo, diremos que para la rectificacin de la corriente alterna de la red son suficientes
los diodos rectificadores de silicio del tipo estndar (muy lentos), cuyos tiempos de recuperacin
son del orden de los 10 ps, mientras que para frecuencias del orden de los 100 kHz son necesa
rios diodos rectificadores con un tiempo de recuperacin de unos 5 ns.
Veamos ahora a qu se debe la existencia del tiempo de recuperacin inversa. Cuando un dio
do est polarizado en sentido directo existe una cierta cantidad de portadores minoritarios (impu
rezas) que atraviesan la unin PN. Una vez eliminada la polarizacin directa, estos portadores ne
cesitan un tiempo determinado para recombinarse, es decir, que la capacidad que tienen los
portadores minoritarios de fluir no cesa instantneamente al eliminar la polarizacin directa, sino
que dura un cierto tiempo. Esto significa que el diodo alcanza su estado de alta resistencia en sen
tido inverso al paso de corriente, cuando los portadores minoritarios se han recombinado.
SI se aplica una polarizacin inversa, el fenmeno anterior se acelera.
SI el tiempo de crecimiento de la tensin inversa es muy corto, com o sucede con la onda cua
drada de la figura 9.24, o con una frecuencia de valor muy elevado, los portadores minoritarios que
an no se hayan recombinado son atrados por la tensin inversa en forma de un pico de corrien
te de valor:
,
I fR
VR
if 0 ~ ~ R
~ R

206

DIODOS RECTIFICADORES

Donde Ip f = Vp es la tensin inversa de polarizacin aplicada al diodo y R es la resistencia exter


na de carga conectada al diodo.
Todo lo expuesto sucede durante el tiempo , de la figura 9.27.
Una vez que la cantidad de portadores minoritarios no recombinados sea incapaz de suminis
trar la corriente / R0 pedida por la carga, la corriente inversa dada por el diodo comienza a dism i
nuir de valor hasta alcanzar el valor I R de la corriente de saturacin inversa (final del tiempo t2 de la
figura 9.27).
Si aumenta la corriente J|; que circula por el diodo cuando est polarizado en sentido directo,
aumenta el nmero de portadores minoritarios que atraviesan la unin y, por lo tanto, aumenta el
tiempo necesario para recombinar dichos portadores.
Asi, en la figura 9.28 se ha dibujado la curva caracterstica del tiempo de recuperacin en in
versa. en funcin de la corriente directa del diodo BAV10 de P hilips , en la que se observa cmo con
una intensidad de corriente directa V de 250 mA el tiempo de recuperacin en inversa es de, aproxi
madamente, 2,9 ns, mientras que si la corriente directa aumenta a 600 mA el tiempo de recuperacin
en inversa sube a 5.8 ns. Esta curva se ha trazado para un diodo que trabaja con una resistencia
de carga de 100 l. una intensidad de corriente inversa mxima ( / RM) de 400 mA y una tem peratu
ra de unin (7) de 25 C.
En la figura 9.29 se ha dibujado la curva caracterstica de la tensin directa (\ZF) en funcin del
tiempo de recuperacin en inversa (?.), para varias intensidades directas (/F). Se observa cmo, a
igualdad de intensidad de corriente directa, los tiempos de recuperacin son ms altos cuanto me
nor es la tensin directa aplicada al diodo. Estas curvas corresponden a temperaturas de la unin
(T) de 25 C.

9.28 Curva caracterstica del tiempo


de recuperacin en inversa, en
funcin de la intensidad de corriente
en sentido de paso.

9.29 Curva caracterstica de la


tensin directa en funcin del
tiempo de recuperacin en inversa,

Es tiempo de destacar que. anlogamente, si aumenta el pico de corriente inversa dado por
el diodo en el mom ento de la conm utacin ( JRM), los portadores m inoritarios se recombinan con
ms rapidez y, com o consecuencia, disminuye el tiem po de recuperacin inversa. Esto ltimo se
muestra en la figura 9.30, donde se ha dibujado la curva caracterstica de la intensidad de c o
rriente mxima en sentido inverso en funcin del tiem po de recuperacin en inversa, para diver
sos valores de intensidad de corriente en sentido directo, con una carga de 100 2 y a 25 C de
temperatura de unin.

207

COMPONENTES ELECTRNICOS

As, por ejemplo, si por el diodo circula una intensidad directa de 400 mA y se produce una in
tensidad en sentido Inverso (al conmutar) de 300 mA, el tiempo de recuperacin en Inversa es de
5 ns, mientras que si I m es de 200 mA el tiempo de recuperacin en Inversa sube a 6 ns.
De todo lo expuesto se deduce que el tiempo de recuperacin en sentido inverso t es directa
mente proporcional a la corriente directa I F e Inversamente proporcional a la corriente inversa / R0.
El tiempo de recuperacin inversa de un diodo depende por tanto del circuito, puesto que I F e
JR0 dependen de l.
Finalmente diremos que tiempos largos de recuperacin en Inversa traen como consecuencia
un aumento de la temperatura de la unin y viceversa, puesto que durante el tiempo en que el dio
do debera estar bloqueado circula una corriente Inversa I R0 que generar calor en la unin. Por
este motivo los fabricantes de diodos suministran tambin, para aquellos diodos de aplicacin en
etapas de RF, la curva caracterstica del tiempo de recuperacin Inversa en funcin de la tem
peratura de unin (figura 9.31). En ella se puede observar que con una tem peratura de unin (7)
de 40 C, y unas Intensidades I F e JRM de 400 mA, el tiempo de recuperacin en Inversa es de
unos 4,5 ns, aumentando a 5,75 ns cuando la temperatura de la unin alcanza los 100 C.

i i r r

valores tpicos
fl, = 100Q
medido al
10% de I m

= 25 C

Rl = 100 O.
I r = 400 mA
JRM= 400 mA
medido al
10% de I m

9.30 Curva caracterstica de la


intensidad de corriente inversa
mxima, en funcin del tiempo
de recuperacin en inversa, para
diferentes intensidades directas.

9.31 Curva caracterstica


del tiempo de recuperacin
en inversa en funcin de la
temperatura de la unin.

Para disminuir el tiempo de recuperacin de un diodo debe aumentarse la razn de recombina


cin de los portadores minoritarios para que estos portadores desaparezcan. Esto se logra dismi
nuyendo la vida media de los portadores minoritarios.
Uno de los m todos empleados consiste en disminuir la resistividad del silicio de partida.
En efecto, si se tiene una unin PN lograda difundiendo una zona P en un cristal de silicio tipo
N, los portadores minoritarios estarn constituidos en su mayor parte por huecos que han pasado
de la zona P a la zona N.
Al disminuir la resistividad del silicio N de partida se produce un aumento de la concentracin
en dicha zona, y esto hace que los portadores minoritarios que lleguen a ella se recombinen con
ms facilidad. El sistema descrito tiene, sin embargo, el Inconveniente de presentar tensiones de
ruptura pequeas.
Un segundo mtodo, ms apropiado para disminuir la vida media de los portadores sin perjudi
car la tensin de ruptura, consiste en introducir en el silicio trampas o centros de recombinacin de

208

DIODOS RECTIFICADORES

los portadores; esto se consigue introduciendo niveles intermedios dentro de la zona prohibida (de
unin) del silicio. Estos niveles intermedios se obtienen produciendo dislocaciones en la red crista
lina del silicio, mediante un enfriamiento rpido despus de la difusin. Presenta, sin embargo, el in
conveniente de ser un proceso de difcil control y reproduccin.
El tercer mtodo, que es el ms usual, consiste en introducir en el silicio impurezas que pro
duzcan directamente estos niveles de energa Intermedios dentro de la zona prohibida. Como im
pureza se utiliza el oro, ya que presenta un nivel aceptador de 0,54 eV debajo de a banda de con
duccin y un nivel donador de 0,35 eV por encima de la banda de valencia. Teniendo en cuenta que
la banda prohibida del silicio tiene un ancho de 1,16 eV, la Introduccin de las impurezas de oro su
pone la existencia de dos niveles Intermedios prcticamente centrados en la banda prohibida del
silicio y que actuarn como centros de recombinacin.

Capacidad de un diodo
Hemos visto que todo diodo semiconductor est formado por la unin de dos cristales P y N. en
tre los que se forma una zona aislante que desaparece al aplicarle una tensin en sentido directo.
Cuando se aplica una tensin inversa al diodo dicha zona aislante aumenta, por lo que un diodo
polarizado en sentido inverso puede compararse perfectamente con un condensador cuyas placas
son los cnstales P y N y cuyo dielctrico es la zona central libre de portadores de carga (figura 9.7).
Debido a las pequeas dimensiones de los cristales, asi como de la zona de alta resistencia
central, la capacidad de este condensador parsito es muy pequea, pero debe tenerse presente
cuando se trabaja con frecuencias elevadas, del orden de los megahercios. ya que dejar pasar d i
chas seales.
Por este motivo los fabricantes de diodos semiconductores facilitan en sus catlogos el valor de
la capacidad parsita del diodo, en especial en aquellos modelos especialmente diseados para
trabajar en RF, as como la variacin de dicha capacidad al aumentar la tensin inversa aplicada al
diodo.
En la figura 9.32 se ha dibujado la curva caracterstica de la capacidad de un diodo de silicio en
funcin de la tensin inversa.

t = 1 MH2
T _ ok r

s .

tDica

10

20

VR(\I)

30

9.32 Curva caracterstica de la


capacidad de un diodo en funcin
de la tensin inversa a l aplicada.

Se puede comprobar en esta grfica que la capacidad del diodo es de 1,7 pF cuando no se le
aplica tensin alguna en sentido inverso.
Al aumentar la tensin inversa aumenta la zona central de aita resistencia, lo que equivale a un
aumento del espesor del dielctrico del condensador parsito y, por lo tanto, se produce una dismi
nucin de la capacidad que, aunque no es muy importante, puede afectar al comportamiento de
circuitos de afta precisin.

209

COMPONENTES ELECTRNICOS

As, en la curva de la figura 9.32, se tiene que al aplicar una tensin inversa de 20 V la capaci
dad parsita desciende a 1,4 pF.
La diferencia de capacidad no es demasiada, pero dado que su influencia es importante en de
terminados circuitos, los fabricantes indican en ocasiones en sus catlogos slo el valor mximo de
capacidad a una frecuencia de 1 MHz. Por ejemplo, la capacidad del diodo BA 2 2 2 de P hiu ps es
inferior a 2 pF con una tensin inversa l/R de 0 V.

Eleccin del diodo rectificador adecuado para un circuito


La eleccin del diodo rectificador ms correcto depende de las caractersticas de la carga, es decir,
de la tensin y corriente que exige la carga y de si sta ha de trabajar en baja o alta frecuencia.
Es muy importante recordar que los picos de tensin, tanto repetitivos como transitorios, influyen
considerablemente sobre el diodo, ya que ste puede recibir tensiones muy elevadas, aunque sean
de pequea duracin, que provoquen su destruccin.
Es pues imprescindible investigar si en el circuito donde se ha de disponer el diodo se produ
cen dichos impulsos, y si el diodo es capaz de soportarlos.
Finalmente, debe siempre tenerse presente que en los diodos de germanio debe aplicrsele una
tensin directa mnima de 0,35 V y en los de silicio de 0,7 V, a fin de que se supere el potencial de
barrera de la unin y el diodo pase a conducir.

Cdigos de designacin de los diodos rectificadores semiconductores


Para la designacin de los diodos rectificadores semiconductores se utilizan diversos cdigos. El
ms extendido en Europa consta de dos letras seguidas de un nmero de serie.
La primera letra indica el material semiconductor utilizado. La segunda letra indica la aplicacin
principal, o la aplicacin y construccin en el caso de que se requiera una mayor diferenciacin.
El nmero de serie est formado por tres cifras para los diodos diseados para su aplicacin en
aparatos de uso domstico (radio, televisin, etc.), o por una letra y dos cifras para los diodos d i
seados para equipos profesionales.
En la tabla 9.1 se indica el significado de cada una de las letras constituyentes de este cdigo.

Segunda letra

Primera letra

Letra

iP H Ij
m vm l

................................................ ....

Significado

utra

Significado

N.

Nmero de serie

...........................-...............
Significado

Dispositivo que utiliza


materiales con un margen
de banda de 0,6 a 1,0 eV,
tales como el germanio.

Diodo detector, diodo


de alta velocidad, diodo
mezclador.

Tres Aplicacin en aparatos


cifras de uso domstico.

Dispositivo que utiliza


materiales con un margen
de banda de 1,0 a 1,3 eV,
tales como el silicio.

Diodo rectificador, diodo


recuperador, diodo de
eficiencia.

Una Aplicacin en equipos


letra profesionales.
y dos
cifras

Tabla 9.1 Cdigo de designacin de diodos rectificadores semiconductores (sistema moderno).

As, sin tener en cuenta las tres ltimas cifras, sern cuatro las denominaciones posibles para
los diodos rectificadores semiconductores:
AA
AY
BA
BY

210

=
=
=
=

Diodo
Diodo
Diodo
Diodo

detector de germanio.
rectificador de germanio.
detector de silicio.
rectificador de silicio.

DIODOS RECTIFICADORES

Existe un cdigo, todava vigente, utilizado en los origenes de la fabricacin de diodos semi
conductores, que est tambin formado por dos letras y tres cifras aunque es mucho menos sig
nificativo que el anterior, ya que la primera letra, que siempre es una O, indica que se trata de un
elemento semiconductor (sin indicar material) y la segunda letra, que siempre es una A, indica que
se trata de un diodo (sin indicar aplicacin). Las tres cifras que siguen a continuacin hacen re
ferencia al tipo de diseo o desarrollo particular del fabricante.
En el sistema norteamericano, el cdigo consta del nmero 1, la letra N y un nmero de serie.
El nmero 1 indica que se trata de un elemento con una sola unin (diodo), la letra N indica que
es semiconductor, y las cifras finales las proporciona cada fabricante y corresponden a un m ode
lo dado.

211

Diodos Zener

INTRODUCCIN
Los diodos Zener, tambin denominados diodos reguladores de tensin (Voltage regulator diodes),
son elementos semiconductores de silicio que poseen en sentido directo o de paso una caracters
tica de diodo rectificador normal, mientras que en sentido inverso, y para una corriente inversa por
encima de un determinado valor, presentan una tensin constante cuyo valor depende de las ca
ractersticas tcnicas de cada diodo en particular.
Este fenmeno de tensin constante en el sentido de bloqueo convierte a los diodos Zener en
dispositivos excepcionalmente tiles, cuando se quiere obtener una tensin relativamente insensi
ble a las variaciones de la tensin de alimentacin o de la corriente de la carga, es decir, como dis
positivos reguladores del valor de la tensin.

CONSTITUCIN DE UN DIODO ZENER


Dependiendo de las caractersticas que se deseen obtener, los diodos Zener se fabrican por pro
cesos de aleacin o de difusin.
Los diodos Zener con tensiones de ruptura de hasta unos 9 V presentan mejores caractersticas
cuando se fabrican por aleacin, mientras que los que poseen tensiones de ruptura superiores a los
12 V tienen mejores caractersticas si se fabrican por el proceso de difusin. Para tensiones de rup
tura comprendidas entre 9 y 12 V, el m todo de fabricacin viene determinado por otros factores.
En la figura 10.1 se muestra el procedimiento de fabricacin de un diodo Zener por aleacin.

10.1 Procedimiento de
fabricacin de un diodo
Zener por aleacin.

Este m todo consiste en calentar en un horno apropiado, y a una temperatura de unos 650 C,
una pequea pastilla de cristal de silicio tipo N, a la que se coloca encima una minscula cantidad
de material tipo P. Al ser calentados en el horno se produce la aleacin entre ambos elementos en
una zona de forma circular.
Los diodos Zener fabricados por el procedimiento de difusin se obtienen depositando boro
(para la formacin del material tipo P) en una de las caras de una delgada lmina de cristal de sili
cio, y en la otra cara vapor de fsforo (para la formacin del material tipo N) (figura 10.2).
El conjunto se introduce en un horno a una temperatura superior a 1.200 C. El calor provoca
que en el cristal de silicio penetre el fsforo por un lado y el boro por el otro, difundindose ambos
materiales en el cristal.

213

COMPONENTES ELECTRNICOS

10.2 Procedimiento de fabricacin


de un diodo Zener por difusin.

Silicio

Fsforo

Una vez obtenido el diodo, se procede a la colocacin de los terminales y a protegerlo del me
dio ambiente mediante una cpsula como las que se muestran en la figura 10.3.
Las cpsulas a y de la figura 10.3 disponen de terminales de conexin, mientras que las otras
tres son para montaje superficial (SMD).

10.3 Algunas cpsulas utilizadas


para diodos Zener:
a) S0D68 (D034):
b) S0D66 (D041);
c) S0T23:
d) SOD80C:
e) S0D110.

Curva caracterstica I F = f(VF) de un diodo Zener


Si se aplica una tensin en sentido directo a un diodo Zener (f/F), ste acta como un diodo rectifi
cador normal, es decir, deja pasar la corriente elctrica; por lo tanto, en el sentido de paso o de p o
larizacin directa la corriente ( I F) aumenta rpidamente de valor, aun con pequeas tensiones.
En la figura 10.4 se ha dibujado la curva caracterstica VF = f { I F) de los diodos Zener de la serie
BZX84 de P
para una temperatura de unin (7j) de 25 C.
h il ip s

10.4 Curva caracterstica I F= f(VF)


de los diodos Zener de la serie
BZV85 de P h ilip s .

Como se puede comprobar es una curva idntica a a de los diodos rectificadores de silicio, en
la que se observa que el diodo pasa a conducir a partir de unos 0,5 a 0,7 V de tensin directa.
La resistencia del diodo Zener cuando est polarizado en sentido directo es, por consiguiente,
pequea.

214

DIODOS ZENER

Curva caracterstica I z = ffV^} de un diodo Zener


Al invertir la polaridad de la tensin aplicada, y si sta no sobrepasa un determinado valor, el diodo
tambin se comporta como un diodo normal, es decir, bloquea el paso de la corriente dejando pa
sar tan slo una pequea intensidad que, bajo el punto de vista prctico, no se tiene en cuenta.

10.5 Curvas caractersticas


inversas de los diodos Zener
de ia serie BZX79 de P h ilip s .

En las curvas caractersticas de la figura 10.5, correspondientes a ios diodos de la serie BZX79
de P
se puede comprobar que los diodos Zener no permiten el paso de la corriente en sentido
inverso mientras no se supere un cierto valor de la tensin inversa, denominado tensin de ruptu
ra, tensin de codo o tensin de Zener [Vz).
Cuando se alcanza el valor V la corriente en sentido inverso aumenta bruscamente de valor, es
decir, el diodo pasa a ser conductor en el sentido inverso.
El fenmeno de ruptura, es decir, el paso de bloqueo a conduccin en sentido inverso al sobre
pasar un determinado valor de tensin, recibi en un principio el nombre de efecto Zener, porque se
pens que era debido al mecanismo descrito por Zener en su teoria sobre los fenmenos de rup
tura en dielctricos (pinsese que un diodo polarizado en sentido inverso es comparable perfecta
mente a un condensador cuyas placas fuesen los cristales P y N y cuyo dielctrico fuese la zona de
unin de ambos cristales; por lo tanto, si dicha zona de unin o zona prohibida pasa a ser conduc
tora, ello equivale a la perforacin de un dielctrico).
Hoy en da se cree, sin embargo, que esta ruptura se debe a los efectos de campo, cuando se
produce para tensiones inferiores a 5 V, y se atribuye a un efecto de avalancha cuando tiene lugar
a tensiones por encima de los 7 V. Entre los 5 y 7 V la ruptura es producida por una combinacin
de ambos efectos.
Asi pues, para bajas tensiones es vlida la teora de ruptura de Zener y para altas tensiones se
acepta la teora de avalancha propuesta por Me Kay y Me Affee.
Sin embargo, y por los motivos apuntados, todos los diodos Zener se llaman as en honor a este
fsico, y el valor de tensin bajo el cual se produce la ruptura se le conoce tambin con el nombre
de tensin de Zener.
Para finalizar, diremos que las curvas de la figura 10.5 corresponden amueve diodos Zener di
ferentes (de la serie BZX79 de P
) , que abarcan desde los 4,7 V a los 10 V. En estas curvas las
cifras que siguen a la letra C corresponden a las tensiones de Zener, utilizndose la V como coma
decimal. As, la curva C7V5 pertenece a un diodo Zener de la serie BZX79 cuya tensin de Zener
es de 7,5 V; se puede observar en dicha curva que mientras no se alcanza este valor de tensin in
versa la intensidad de corriente en sentido de bloqueo es nula, pero que al alcanzarse los 7,5 V el
diodo pasa a conducir y aumenta considerablemente la corriente en sentido de bloqueo ( I 7), la cual
alcanza los 200 mA cuando la tensin inversa aplicada al diodo es de algo ms de 8 V.
Es importante destacar tambin que en las curvas caractersticas en sentido inverso de los dio
dos Zener no se utilizan los subndices R de reverse, sino la Z de Zener, ya que lo que se desea des
tacar son estos valores.
h il ip s

h il ip s

2 15

COMPONENTES ELECTRNICOS

Efecto Zener y efecto avalancha


En el apartado anterior se dice que el fenmeno de ruptura de un diodo Zener puede ser debido al
efecto Zener o al efecto de avalancha, segn la tensin inversa aplicada. A continuacin se expo
nen en pocas lneas la diferencia entre estos dos efectos.
Al aplicar una tensin inversa pequea a un diodo, circula una corriente cuyo valor es igual al de
la corriente de prdidas superficiales, ms la normal de saturacin, estando formada esta ltima por
huecos y electrones generados trmicamente.
Si se aumenta la tensin inversa, al principio no aumenta el nmero de portadores y, por lo tan
to, no aumenta la corriente.
Sin embargo, cuando se alcanza un cierto valor de la tensin inversa se produce una ruptura
espontnea de los enlaces covalentes de los tomos prximos a la unin PN. La ruptura de dichos
enlaces genera pares electrn-hueco y se produce as un notable aumento de la corriente. Esta ac
cin es el efecto Zener propiamente dicho.
La tensin a la cual se produce el efecto Zener depende del grado de dopado del silicio y puede
ser muy elevada, aunque a menudo se obtiene un aumento brusco de la corriente inversa, debido
a un efecto de avalancha, y por debajo del nivel de la tensin inversa que corresponde al efecto Ze
ner citado.
Al aumentar la tensin inversa aumenta la velocidad de los portadores. Esta velocidad puede
ser suficiente para provocar la ionizacin, si los tomos chocan con las molculas del semicon
ductor con suficiente energa.
Los portadores de carga resultantes de la ionizacin por colisin toman parte en nuevas coli
siones y producen a su vez nuevos portadores.
El rpido aumento del nmero de portadores y, por consiguiente, de la corriente, es lo que
constituye el denominado efecto avalancha.
Sin embargo, sea cual sea el mecanismo que produzca la ruptura (Zener o avalancha), la tensin
de ruptura de un diodo Zener se produce a un nivel bien definido y estable, prcticamente constante.
Procurando no sobrepasar la temperatura de unin mxima admisible por el diodo, la ruptura es
reversible y no destructiva, es decir, el diodo regresa a su estado de bloqueo al descender la tensin
inversa por debajo del valor de la tensin de ruptura. Esto diferencia a estos diodos de los rectifi
cadores, en los cuales si se alcanza la tensin de Zener el diodo resulta destruido.

Tensin de referencia
La tensin entre ctodo y nodo del diodo despus de la ruptura se denomina tensin de referen
cia. Su valor no puede ser mucho mayor que el de la tensin de ruptura, siendo casi constante.
Efectivamente, en la figura 10.5 se puede observar cmo la tensin inversa en los diodos Zener
de la serie BZX79 permanece casi constante una vez superada ia tensin de Zener (Vy.
La tensin de referencia es, para cada tipo de diodo, una tensin de valor prcticamente cons
tante y con ciertas tolerancias lgicas de fabricacin.
En los catlogos de los fabricantes se indica normalmente la tensin de Zener y su tolerancia.
As, el diodo Zener BZV85C3V6 posee una tensin de Zener de 3,6 V 5 %, lo que significa que este
diodo pasa a conducir en sentido inverso con una tensin inversa comprendida entre 3,42 y 3,78 V.

Resistencia Zener
Se denomina resistencia Zener la relacin entre la variacin de tensin A1/z y la variacin de inten
sidad A I z en el sector Zener, es decir, debajo del punto K de la figura 10.6, y se calcula mediante
la expresin:

A partir de esta expresin se deduce que la variacin de tensin en bornes de un diodo Zener es,
por debajo del punto K:
At/Z = rz A I z

216

DIODOS ZENER

4,7V
10

l/2 (V)

10.6 Curva caracterstica


inversa del diodo BZX79C4V7
con indicacin del punto K.
correspondiente a la tensin
de Zener de este diodo (4,7 /).

100

(mA)

200

Asi, si la intensidad I z vara en 15 mA, la tensin Vz en el diodo (con una r- de 1,2 Q), vara slo li
geramente.
Efectivamente, a partir de la frmula anterior y de los datos dados se obtiene:
Al/Z = rz A I Z = 1,2 2 x 15 mA = 18 mV
La tensin vara poco, Incluso con un cambio considerable de intensidad. Esta particularidad es
aprovechable para obtener tensiones estabilizadas.
El valor de r7 no es constante, sino que vara con el valor de I z, tal y com o se comprueba en la
curva caracterstica rz = f{ I7) de la figura 10.7.
En esta curva se lee que, para pequeos valores de I z, del orden de 1 mA, la resistencia de Ze
ner es de 500 2, mientras que a 10 mA la resistencia de Zener baja a 20 2. Se trata pues de una
resistencia dinmica, ya que pasa de un valor elevado a otro pequeo al aumentar la corriente de
Zener.

h
( fl)

10.7 Curva caracterstica


rz = f ( Iz) del diodo Zener
BZX79C4V7.

217

COMPONENTES ELECTRNICOS

Coeficiente de tem peratura de un diodo Zener


El coeficiente de temperatura (S2) de los diodos Zener se mide en mV/K, siendo negativo para los
de baja tensin y positivo para los de alta tensin.
Controlando la corriente inversa en la regin comprendida entre 5 y 6 V, el coeficiente de tem
peratura puede hacerse positivo o negativo.
En las figuras 10.8 y 10.9 se han dibujado las curvas caractersticas del coeficiente de tem
peratura S en funcin de la corriente de Zener I z, de los diodos Zener de la serie BZX84 de P
. En ellas se puede ver cmo por encima de unos 4,7 V el coeficiente de temperatura pasa a
ser positivo (figura 10.9).
h i

l i p s

I( mA)
10.8 Curvas caractersticas del
coeficiente de temperatura Sz en funcin
de la corriente de Zener I z para los
diodos Zener de la serie BZX84 de P h ilip s
(diodos con pequea tensin de Zener).

10.9 Curvas caractersticas del


coeficiente de temperatura Sz en funcin
de la corriente de Zener I z para los diodos
Zener de la serie BZX84 de P h ilip s
(diodos con alta tensin de Zener).

La lectura de estas curvas es como sigue:


Para un diodo determinado, por ejemplo el BZX84C4V3 (figura 10.8), el coeficiente de tem
peratura (S2) es de, por ejemplo, -2 ,4 mV/K cuando la corriente de Zener ( I z) es de 5 mA, y todo
ello a una temperatura ambiente de 25 C.
Esto significa que con esta intensidad de corriente la tensin de ruptura del diodo disminuye
-2 ,4 mV por cada grado Kelvin.
Si la corriente de Zener aumenta a, por ejemplo, 20 mA, el coeficiente de temperatura pasa a ser de
-1 ,2 mV/K, es decir, un aumento de la Intensidad de corriente de Zener supone una disminucin del
coeficiente de temperatura Sz y, por lo tanto, una menor disminucin de la tensin de ruptura del diodo.
Efectivamente, supongamos que el diodo Zener BZX84C4V3 que se ha tomado de ejemplo
pasa a trabajar a una temperatura ambiente de 75 C con una intensidad I de 5 mA, lo que su
pone un coeficiente de temperatura (S de -2 ,4 mV/C.
Con estos datos se puede calcular la tensin de Zener a 75 C (VZ75):
'/ Z7S'1 = ^ 225 + Sz (E^u - 25 C) =
= 4,3 V + [-2,4 mV/K (75 C - 25 C)] = 4,3 V - 0,12 V = 4,18 V
Si la corriente de Zener sube a 20 mA, el coeficiente de temperatura pasa a ser de -1 ,2 mV/K,
por lo que en este caso la tensin de Zener cuando el diodo trabaja a 75 C es de:
Vzrs* = ^Z25 + S2 (ramb - 25 CC) =
= 4,3 V + [-1,2 mV/K (75 C - 25 C)] = 4,3 V - 0,06 V = 4,24 V

2 18

DIODOS ZENER

Es decir, algo mayor que en el caso anterior.


Tambin la temperatura influye sobre el valor de la tensin de Zener, debido al coeficiente de
temperatura del componente.
Efectivamente, si el diodo que se ha puesto de ejemplo pasa a trabajar a una temperatura am
biente de 150 C y con una corriente de 20 mA (que corresponde a un Sz de -1 ,2 mV/K), la ten
sin de Zener alcanza un valor de:
V z iiy - ^ Z 2 5 + S z ( 7 " a r n b ~ 2 5 C) =
= 4,3 V + (-1,2 mV/K (150 C - 25 C)j = 4,3 V - 0,15 V = 4,15 V

En resumen, en este tipo de diodo, cuyo coeficiente de temperatura es negativo, un aumento


de la corriente I da lugar a un aumento de la tensin de Zener, mientras que un aumento de tem
peratura causa una disminucin de la misma.
Lgicamente, en los diodos Zener con coeficientes de temperatura positivos todo esto se invierte.

Sensibilidad trmica de un diodo Zener


En la figura 10.10 se han dibujado las curvas caractersticas I z = f(Vz) de los diodos Zener BZX70
de P
, para dos temperaturas de unin distintas.
h i l ip s

38

36

34

32
0,001

0.01

0,1

h
' '
m

10.10 Curvas caractersticas


I z = f(Vz) para temperaturas
de unin (T) de 150 Cy
25 C de los diodos Zener
de la serie BZV85 de P h ilip s .

La curva correspondiente a una temperatura de unin (7j) de 25 C es la de funcionamiento nor


mal del diodo, el cual entra en conduccin cuando se le aplica una tensin inversa de 33 V (tensin
de Zener).
Si la temperatura de la unin alcanza los 150 C, entonces el diodo entra a conducir con ten
siones inversas mayores (del orden de los 36,8 V).
El desplazamiento entre ambas curvas es ocasionado por la sensibilidad trmica del diodo, y es
igual a la tensin que corresponde a:
Sz(Tamb- 25 C)
Donde Sz es el coeficiente de temperatura del diodo y Tarib la temperatura ambiente a la que tra
baja el diodo.

219

COMPONENTES ELECTRNICOS

Corriente de funcionamiento de un diodo Zener


La corriente de funcionamiento de un diodo Zener ha de estar comprendida entre el 20 % de la co
rriente de Zener mxima y la corriente del codo de la caracterstica inversa; es decir, que para que un
diodo Zener trabaje cerca del codo de la curva caracterstica inversa, es necesario que la tensin de
ruptura posea un valor superior a los 7 V, ya que los diodos con esta tensin de ruptura poseen una
caracterstica de ruptura mucho ms pronunciada que la de los diodos con tensin Zener ms baja.
En la figura 10.6 se comprueba cmo los diodos con tensin de ruptura inferior a 7 V presen
tan un codo de la curva caracterstica Vz = f { I F) menos pronunciada.

Potencia de disipacin en rgimen estable de un diodo Zener


La potencia mxima que puede disipar un diodo Zener viene dada por la frmula:
o _
tot ~

^jm a x ~ 7*amb

r *thj-amb

Donde:
Ptot = disipacin mxima admisible en rgimen estable.
/mx = temperatura mxima admisible en la unin y en funcionamiento.
Tamb = temperatura ambiente.
f thj-amb = resistencia trmica total entre la unin y el ambiente.
El valor de R,h.amb lo dan los fabricantes en sus catlogos, y es vlido slo para elementos sin
disipadores de calor y montados al aire.
El factor fthl.am depende del tipo y tamao del disipador trmico utilizado y puede ser determi
nado a partir de la siguiente expresin:
^ th -a m b

C ? lh -m b

^ th m b -b

^ th b -a m b

Donde:
P,hl-mb = resistencia trmica entre unin y base de montaje.
^thmb-b = resistencia trmica entre base de montaje y radiador.
!hb.amb = resistencia trmica entre radiador y ambiente.
Veamos un ejemplo de utilizacin de ia frmula, aplicada a un diodo Zener de la serie BZY91, el
cual tiene una potencia mxima de 75 W y una tensin de Zener que va de 10 a 75 V segn modelo.
Si el diodo ha de disipar slo 30 W, la mxima temperatura ambiente admisible por ste, con
una resistencia trmica radiador-ambiente de 2 C/W, se calcula de la siguiente forma (datos obte
nidos del catlogo de fabricante):
n,,mb = 1,47 C/W
fthmb.b = 0,2 C/W
^ th b -a m b = 2
CAA/
f thj amb = 1,47 C/W + 0,2 C/W + 2 C/W = 3,67 C/W

La temperatura de unin admisible por el BZY91 es, segn fabricante, de 175 C, por lo que:

Ptot = T,nJ? ~ 7amb = 30 W


'thj-amb

Y despejando Tamb:
^am b

^"jmax

^ to t * ^thj-am b)

= 175 C - (30 W x 3,67 CAA/) = 64,90 C

220

DIODOS ZENER

Como resultado, en las condiciones expuestas, el diodo BZY91 puede ser utilizado a una tem
peratura ambiente (Tami) que no exceda de los 64 C.
De todos estos clculos se deduce que la potencia de disipacin mxima admisible por un dio
do Zener est influida por la temperatura ambiente, ya que cuanto mayor sea sta menos se refri
gerar el diodo y, por lo tanto, menor ser su capacidad de disipacin.

10.11 Curva caracterstica de


la potencia mxima de disipacin
de un diodo Zener en funcin de
la temperatura ambiente.

En la figura 10.11 se ha dibujado la curva caracterstica de Plot = f i T ^ ) de un diodo Zener de la


serie BZX61 de P
, cuya potencia mxima disipable es de 1 W hasta 25 C, y a partir de dicha
temperatura desciende progresivamente hasta ser totalmente nula a 175 C, es decir, cuando la tem
peratura ambiente iguala a la temperatura mxima de la unin y por lo tanto deja de disipar calor.
h i l ip s

Capacidad de un diodo Zener


Si a un diodo Zener se le aumenta la tensin inversa aplicada a sus terminales, se produce una mi
gracin de electrones y huecos, por lo que el espesor eficaz de la unin de los cristales P y N au
menta y, como consecuencia, la capacidad del diodo disminuye.
Efectivamente, la capacidad de un diodo Zener viene expresada por:
q

K
[V + 0,6)n

Siendo K una constante propia del diodo, V la tensin aplicada al diodo (de signo positivo para ten
siones inversas) y el exponente n tiene un valor aproximado de 0,5.
Si se aumenta la tensin aplicada al diodo hasta un valor igual a 2V, se tiene:

K
(2V + 0,6)n

Y, por lo tanto:

(21/ + 0,6)" < {V + 0,6)"


Por lo que, en definitiva, C, < C.
En la figura 10.12 se han dibujado las curvas de capacidad en funcin de la tensin inversa de
los diodos Zener de la serie BZX70. En ellas se puede leer cmo disminuye la capacidad al au
mentar la tensin inversa, hasta que sta alcanza el valor de Zener, en cuyo instante desaparece
esta capacidad, puesto que el diodo pasa a conducir en sentido inverso.

221

COMPONENTES ELECTRNICOS

10.12 Curvas caractersticas de la


capacidad en funcin de la tensin
inversa de los diodos reguladores
de tensin BZX70 de Philips.

Ruido
Cuando en un diodo Zener existen uniones imperfectas o cargas espaciales, se producen variacio
nes bruscas de la tensin de referencia que dan origen a ruidos.
Este ruido es generalmente bastante bajo, nunca superior a los 10 mV, por lo que apenas Influ
ye sobre la tensin en bornes del diodo. Sin embargo, puede reducirse a una dcima parte conec
tando un condensador de 10 a 100 nF en paralelo con el diodo. Este condensador no afecta al fun
cionamiento del diodo, ni tender a oscilar.

Eleccin del diodo Zener


Al igual que ocurre con la mayor parte de componentes electrnicos, los diodos Zener se fabrican
normalizados, es decir, con unos valores de tensin de Zener y potencia de disipacin determinados.
En lo que respecta a la tensin de Zener, los diodos Zener se fabrican siguiendo la tabla E24,
con tolerancias de dicha tensin del 5, 10 y 15 %.
Los valores de tensin de Zener normalizados son los indicados en la tabla 10.1.

Tabla 10.1 Tensiones Zener


normalizadas en la fabricacin
de diodos Zener.

222

2,4

5,6

13

33

75

2,7

6,2

15

36

82

3,0

6,8

16

39

91

3,3

7,5

18

43

100

3,6

8,2

20

47

110

3,9

9,1

22

51

120

4,3

10

24

56

130

4,7

11

27

62

160

5,1

12

30

68

180
200

DIODOS ZENER

En lo que respecta a la potencia de disipacin, los diodos de tensin se fabrican para 280 mW,
320 mW, 400 mW, 1,3 W, 1,5 W, 2 W, 2,5 W, 7,5 W, 10 W, 15 W, 20 W y 75 W.
Estos datos son, pues, los primeros que han de tenerse en cuenta a la hora de elegir un diodo
Zener para un circuito y, despus, si las exigencias del circuito as lo aconsejan, debern tenerse
presentes todos los dems expuestos en este captulo.

Cdigo de identificacin de los diodos Zener


Existen tres sistemas de identificacin de diodos Zener. El ms moderno consiste en tres letras se
guidas de un nmero de serie y el valor que hace referencia a la tensin de Zener.
La primera letra es siempre una B, indicativa de que se trata de un elemento semiconductor de
silicio. La segunda letra es una Z, indicativa de que se trata de un diodo Zener. A continuacin si
gue una letra (V, X o Y) y un nmero de serie dado por el fabricante.
Finalmente se aade la tensin de Zener utilizando la V como coma decimal. As, el diodo
BZV85C6V2 es un diodo Zener de la serie V85 cuya tensin Zener es de 6,2 V.
En ocasiones se aade a este cdigo otro complementario que hace referencia a la tolerancia
de la tensin de Zener segn el siguiente cdigo:
A
B
C
D
E

=
=
=
=
=

tolerancia
tolerancia
tolerancia
tolerancia
tolerancia

nominalde
nominalde
nominalde
nominalde
nominalde

la tensin
la tensin
la tensin
la tensin
la tensin

de
de
de
de
de

Zener
Zener
Zener
Zener
Zener

del 1 %.
del 2 %.
del 5 %.
del 10 %
del 15 %

El cdigo antiguo est formado por tres letras y un nmero de serie dado por el fabricante. La
primera letra siempre es una O, Indicativa de que se trata de un elemento semiconductor. Las otras
dos letras son AZ, y hacen referencia a que se trata de un diodo Zener.
El cdigo norteamericano consiste, al igual que en los diodos rectificadores, en la indicacin 1N
seguido de un nmero de serie.

Cpsulas para diodos Zener


En la figura 10.13 se han dibujado las cpsulas ms utilizadas para diodos Zener, con indicacin de
su denominacin y dimensiones.

O)

J 0.55
| mx

c
25,4 mfn

11.6 _

3,04
mx

mx

, 1,60
1.45

rm-----28min

2,6
mx

25,4 mn

l 0.81

1 -----------------------

r
-

mx

"

7
J

19

V .

0,95 |

2.10

1.90

1,6 mx

0,1
mx

10

0,3

4,8 mx ___ 28 mn
3.0
2.8

0.150
0,55
s 0,090
0.45 ~

0,3 3

1.4
1.2

10

2,5
mx

i
I . ! mx I y
30
mx

0.48 J
0.38

|
1,40
1.10

10.13

Tipos de cpsulas utilizadas en diodos Zener, con indicacin de sus dimensiones.

223

COMPONENTES ELECTRNICOS

Estos componentes destacan por sus reducidas dimensiones, en particular aquellos para m on
taje superficial (SMD).
Al igual que los diodos rectificadores semiconductores, el ctodo de los diodos Zener viene in
dicado por un aro impreso rodeando el cuerpo del componente o por cualquiera de los sistemas
ya expuestos en el captulo anterior. Debe pues respetarse dicha indicacin al conectar un diodo
Zener, y recuerde hacerlo en sentido inverso, es decir, con el ctodo conectado al positivo de la fuen
te de alimentacin que se desea estabilizar.

224

Diodos varicap
y conmutadores de banda

Captulo 11

INTRODUCCIN
Los diodos varicap (o de capacidad variable) son diodos semiconductores cuya caracterstica prin
cipal es la de presentar una capacidad en su unin PN que depende de la tensin inversa aplicada
entre ctodo y nodo del mismo.
Este efecto de capacidad en el sentido de bloqueo se presenta en todos los diodos, pero ape
nas si vara con el aumento de la tensin inversa; el diodo de capacidad variable est especialmen
te diseado para que su capacidad vare dentro de unos amplios mrgenes segn la tensin inver
sa aplicada, de forma que puede ser utilizado en circuitos sintonizadores y osciladores sustituyendo
a los antiguos condensadores variables.
La sustitucin de un condensador variable por un diodo varicap presenta, entre otras, las ven
tajas de eliminar elementos mecnicos mviles en las secciones de RF.
El diodo varicap forma parte de los circuitos oscilantes LC de RF, cuya frecuencia de resonan
cia se gobierna mediante una tensin de polarizacin inversa aplicada al diodo, de valor ajustable
por el usuario mediante un potencimetro, en lugar de hacerlo mediante el accionamiento del rotor
de un condensador variable.
Otras ventajas que se deben destacar (relacionadas siempre con los condensadores variables) son
la reduccin de volumen, su menor precio y la posibilidad del mando a distancia mediante conductores.

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DE UN DIODO VARICAP


Como se sabe, toda unin PN puede compararse con una capacidad cuando est polarizada en
sentido inverso. Esta capacidad depende del valor de la tensin aplicada a la unin.
Veamos esto que acabamos de exponer con algo ms de detalle; para ello supondremos una
unin PN en equilibrio, es decir, sin tensin alguna aplicada entre sus electrodos.
En esta circunstancia se forma en la zona de trnsito entre la regin P y la N un campo elctri
co, debido a la difusin de portadores de carga positivos a la regin N y viceversa, dejando por lo
tanto tomos aceptadores o donadores ionizados a ambos lados de la unin, pero no en sta, don
de todos sus tomos no poseen carga elctrica alguna.
La distribucin de densidad de carga es tal, que se produce en la unin en equilibrio un poten
cial de contacto que evita que ms portadores mayoritarios atraviesen la unin.
Supongamos que en ese estado de equilibrio el espesor de la zona Intermedia entre los dos
cristales sea Z (figura 11.1).
Si se aplica un potencial inverso al diodo (Vf), los portadores mayoritarios se alejan de la unin,
haciendo que la zona de transicin (Z) se haga ms ancha (figura 11.2).
Dado que la zona de transicin posee una cierta densidad, la carga total de la unin vara al va
riar la tensin inversa, es decir, se hace tanto ms ancha cuanto mayor sea el valor de la tensin in
versa Vf aplicada al diodo, por lo que ste se com porta como un condensador cuya capacidad
depende de la tensin aplicada.
Recurdese que uno de los factores que influyen sobre la capacidad de un condensador es el
espesor de su dielctrico, y en.este caso el dielctrico es la zona Z que se hace ms o menos an-

225

COMPONENTES ELECTRNICOS

11.1 Unin PN en estado


de equilibrio.

% % %

m %

11.2 Unin PN polarizada


en sentido inverso.

cha segn el valor de la tensin inversa aplicada. Cuanto mayor es el espesor del dielctrico menor
es su capacidad.
El espesor de la regin Z, tambin llamada regin de carga espacial, depende de la raz cua
drada o cbica de la tensin inversa aplicada al diodo varicap. Por tanto, la capacidad del diodo
varicap es inversamente proporcional a la raz cuadrada o cbica de la tensin \/R aplicada.
Esta tensin de polarizacin inversa debe estar perfectamente estabilizada y libre de oscilacio
nes, ya que de lo contrario se produciran variaciones continuas de la capacidad y, con ello, de la sin
tona del circuito oscilante al que pertenece el diodo.
El cambio de valor de la tensin VR para ajustar la capacidad del diodo se obtiene de un pe
queo potencimetro lineal.

11.3 Algunas cpsulas utilizadas


para diodos varicap: a) S0D27
(D035): b) SOD68 (D034);
c) S0T23: d) S0D323: e) SOD80:
(las cpsulas c.d. y e son para
montaje SMD).

En la figura 11.3 se han dibujado algunas de las cpsulas utilizadas en los diodos de capacidad
variable. Como se puede comprobar, la mayor parte son en apariencia iguales que las utilizadas para
otras clases de diodos, por lo que en ocasiones resulta difcil distinguir unos de otros si no se re
curre a los cdigos de identificacin que ms adelante se indican.

Circuito equivalente de un diodo varicap


En la figura 11.4 se ha dibujado el circuito equivalente, para pequeas seales, de un diodo varicap.
Consta de una capacidad Cd (correspondiente a la zona de bloqueo), en serie con una resis
tencia ra y una autoinduccin L (que viene dada por la construccin y dimensiones de la cpsula).
Tanto la autoinduccin L como la resistencia r0 son prcticamente independientes de la tensin
aplicada.
As, por ejemplo, la inductancia L del diodo varicap BA102 es de, aproximadamente, 6 mH, y el
de la resistencia r menor de 3 . Aunque estos valores son muy pequeos, en ciertos casos han de
tenerse presente, ya que pueden influir sobre las caractersticas del circuito oscilante del que forme
parte el diodo.

226

DIODOS VARICAP Y CONMUTADORES DE BANDA

11.4 Circuito equivalente de un


diodo varicap para pequeas seales.

El valor de la capacidad es, com o se ha dicho, ajustable segn el valor de la tensin inversa
aplicada.
La resistencia r influye sobre el factor de calidad de la capacidad, y viene dado por la ex
presin:

2jrfCdrd

La frecuencia a la cual el factor de calidad Q del diodo se hace uno es:

Q'

1
2rifC r

Esta frecuencia marca el lmite terico de utilizacin del diodo varicap como reactancia variable.
Dado que el diodo varicap puede compararse por s mismo con un circuito oscilante LC serie
(figura 11.4), la frecuencia de resonancia, o frecuencia propia, a la cual la reactancia del conjunto
es nula, viene dada por la frmula:

X = 2nf L -
= 0 2
r
27tfrCd
Donde se deduce que:

2 n f =

2n frC

Es decir:
(2f,)zLCd = 1
Y despejando fr se obtiene:

2?t ]LC(i
Para valores de frecuencia superiores a la obtenida con esta igualdad el diodo es inductivo, por
lo que tambin en este caso la utilizacin del diodo est limitada a las frecuencias inferiores a la de
resonancia.
En los diodos varicap las prdidas en RF obedecen, fundamentalmente, al paso de la corriente
por el material semiconductor y los elementos internos de conexin, los Cuales se encuentran en
serie con la unin PN en la que se localiza la capacidad.
En correspondencia con esto, se obsen/a, experimentalmente, que la parte real de la impedan
cia, o resistencia equivalente en serie, vara poco con la frecuencia, y que en particular los valores
medidos a 100 MHz y a 470 MHz coinciden con una aproximacin razonable.
Tambin es relativamente pequea la variacin de la misma resistencia en funcin de la ca
pacidad.

227

COMPONENTES ELECTRNICOS

CARACTERSTICAS TCNICAS DE LOS DIODOS VARICAP


Para la eleccin y correcto funcionamiento de un diodo varlcap han de tenerse presente una serie
de caractersticas tcnicas, que no son muchas pero deben ser respetadas.
Estas caractersticas tcnicas son las siguientes:

Tensin inversa mxima.


Intensidad de corriente directa mxima.
Intensidad de corriente inversa mxima.
Temperatura de la unin.

Estas tres magnitudes deben tenerse en cuenta para evitar que el diodo resulte destruido.
La tensin inversa mxima (VR) indica la mxima tensin que se puede aplicar permanentemen
te al diodo sin que ste se destruya. Por ejemplo, el diodo varicap BB134 soporta com o mximo
una tensin l/R de 30 V.
La intensidad de corriente directa mxima ( / F) es aqul valor de corriente en sentido directo que
puede circular por el diodo. Es un valor que debe considerarse ya que, aunque el diodo trabajar
en sentido inverso, puede suceder que un cambio de polaridad lo haga trabajar en sentido directo
y, en este caso, debe limitarse la corriente que por l circule. En el BB134 que se ha elegido como
ejemplo, esta corriente es de 20 mA como mximo.
La intensidad de corriente inversa mxima (/ R) indica el valor mximo de corriente que puede cir
cular por el diodo en sentido inverso. Normalmente el fabricante del diodo ndica este valor para la
mxima tensin inversa aplicada y una temperatura de unin dada; la intensidad de corriente en sen
tido inverso depende de ambos parmetros. Como ejemplo diremos que el diodo varicap BB134
soporta una corriente mxima de 200 nA cuando se le aplica una tensin VR de 30 V y trabaja con
una temperatura de unin de 85 C.
El parmetro 7, (temperatura de la unin) establece los lmites de temperatura en la unin durante
el funcionamiento del diodo. Por encima y por debajo de las temperaturas indicadas el diodo varicap
deja de funcionar. Temperaturas de unin normales son las comprendidas entre -5 5 C y +125 C.
Otras caractersticas, mediante las cuales podemos conocer el funcionamiento del diodo, son:

Curva caracterstica de la capacidad en funcin de la tensin inversa.


Curva caracterstica de la corriente inversa en funcin de la temperatura y de la tensin inversa.
Curva caracterstica del coeficiente de temperatura en funcin de la tensin inversa.

Curva caracterstica de la capacidad en funcin de la tensin inversa


Mediante un sistema de coordenadas cartesianas se puede representar la curva caracterstica de
un diodo varicap, Cd = f(Vf), que liga la tensin inversa aplicada al diodo con la carga elctrica al
macenada en la unin.
En la figura 11.5 se ha dibujado la curva caracterstica Cd = f{VR) del diodo varicap BB134 de
P
, el cual es muy utilizado en sintonizadores de UHF para televisin y en circuitos VCO.
h i l ip s

Cd
(pF)

11.5 Curva caracterstica


Cd = f(Vf) de un diodo varicap.

228

DIODOS VARICAP Y CONMUTADORES DE BANDA

Como puede comprobarse, en dicha figura la curva resultante no es una funcin lineal, ya que al
ser la capacidad Ca dependiente de la raz cuadrada o cbica de la tensin Vf, el resultado nunca
puede ser una lnea recta, aunque en algunos casos as se hace para facilitar la lectura de la misma.
Efectivamente, para un cierto valor de l/R, por ejemplo 8 V, la capacidad de la unin es de, apro
ximadamente, 5,5 pF, mientras que para una tensin inversa de 1 V la capacidad de la unin no es
ocho veces mayor, com o cabra suponer al ser la tensin inversa ocho veces inferior, sino aproxi
madamente el triple (unos 16,2 pF).
Puede demostrarse que la capacidad de la unin, en funcin de la tensin inversa aplicada, vie
ne dada por la expresin:

Donde K es una constante que depende del material de partida, l/R es la tensin inversa aplicada
a la unin, Vt es el potencial del contacto (-0,7 V para el silicio) y n es un exponente que depende
del gradiente de la tensin y, en consecuencia, del procedimiento de fabricacin.
Es importante destacar, en el diagrama de la figura 11.5, los lmites de la tensin l/R.
El lmite superior es el de 28 V, un poco por debajo de los 30 V (mxima tensin inversa que so
porta este diodo sin que se destruya).
El lmite inferior es de 0,5 V, indicando que no debe aplicarse al diodo varicap tensiones inver
sas por debajo de 0,5 V, ya que de ser as el diodo se convertira en un rectificador ante las sea
les de RF que llegaran a superar el valor de 1 V.
Efectivamente, si a la tensin inversa aplicada al diodo se suma una tensin de RF de 1 V de
pico, durante los semiciclos positivos de la seal de RF su tensin se resta de la inversa aplicada
al diodo, por lo que se tiene que ste pasa a trabajar polarizado con una tensin directa de 0,5 V y
deja de cumplir su funcin de capacidad.
Otro dato a tener en cuenta, y que se indica en la curva caracterstica del diodo, es la frecuencia
y la temperatura de la unin a la que se realiza la medicin, pues estos factores influyen igualmente
sobre ella. En la figura 11.5 la frecuencia de la seal con la que se hace la medicin es de 1 MHz, y
la temperatura de la unin de 25 C.

Curva caracterstica de la corriente inversa en funcin de la tem peratura


Como cualquier otro dispositivo semiconductor, los diodos varicap presentan en sentido de blo
queo una pequea corriente de fuga o corriente inversa I f, cuyo valor aumenta al aumentar la tem
peratura de la unin T.
Para comprobar el efecto que la temperatura de la
unin
ejerce sobre lacorriente inversa, el
diodo se polariza en sentido inverso a una tensin fija y,
en estas condiciones,se mide la corriente
inversa aumentando la temperatura de la unin entre 0 C y la mxima admisible por el diodo.
En la figura 11.6 se ha dibujado la curva caracterstica I R = f(T) mxima del diodo varicap
BB134, la cual se ha obtenido con una tensin inversa fija de 28 V. En ella se observa la trayecto-

11.6 Curva caracterstica


/ R= f(Tj de un diodo varicap.

229

COMPONENTES ELECTRNICOS

ra de la curva tpica, la cual acusa un paso de corriente inversa JR de 10 nA con una temperatura
de unin T] de 25 C, y crece de forma logartmica hasta 200 nA (20 veces mayor) cuando la tem
peratura de la unin alcanza los 85 C, que es la temperatura de unin mxima admisible por este
diodo cuando trabaja en estas condiciones.

Curva caracterstica de la corriente inversa en funcin de la tensin inversa


En la curva caracterstica expuesta en el prrafo anterior se comprueba cmo la corriente inversa
aumenta de valor al aumentar la temperatura de la unin, efectundose las medidas para una ten
sin inversa fija.
En la prctica, sin embargo, la tensin inversa que se aplica a un diodo varicap no es fija, sino
que vara entre ciertos lmites ya que con ello se vara la capacidad del diodo.
Dado que, al igual que en cualquier diodo, la intensidad de corriente inversa aumenta al incre
mentar la tensin inversa, se tiene una relacin entre tres magnitudes (JR, Vn y 71), por lo que los fa
bricantes de diodos varicap incluyen en sus catlogos curvas caractersticas JR = f(Vf) como las que
se muestran en la figura 11.7, y que estn referidas a dos temperaturas de unin, una de 25 C (o
temperatura normal de trabajo) y la otra a la temperatura mxima admisible en la unin, que en el
caso de la figura 11.7 es de 60 C.

11.7 Curva caracterstica


I R= f(Vf) de un diodo varicap,
para dos temperaturas de unin.

En la figura 11.7 se puede comprobar cmo aumenta la corriente inversa al aumentar la tensin
inversa, de forma que a una temperatura de unin de 25 C y a 2 V de Vf la corriente I f es de tan
slo 0,01 nA, alcanzndose los 0,4 nA cuando se le aplican 30 V en sentido de bloqueo.
Finalmente diremos que entre ambas curvas lmite existen infinidad de ellas, correspondientes a
todas las temperaturas comprendidas entre 25 y 60 C, pero carecen de inters prctico ya que lo
que interesa es conocer el comportamiento del diodo en rgimen de trabajo a la temperatura de
unin normal y a la temperatura mxima admitida por la unin.

Curva caracterstica del coeficiente de tem peratura en funcin


de la tensin inversa
La temperatura de la unin influye sobre el valor de la capacidad del diodo. Para conocer esta in
fluencia los fabricantes facilitan las curvas caractersticas del coeficiente de temperatura (TC0) en fun
cin de la tensin inversa (V/n), vlidas para temperaturas de unin (71) comprendidas entre 0 C y la
mxima admitida por el componente.

230

DIODOS VARICAP Y CONMUTADORES DE BANDA

11.8 Curva caracterstica del


coeficiente de temperatura en
funcin de la tensin inversa
de un diodo varicap.

En la figura 11.8 puede verse una de estas curvas, en la que TC0 es el coeficiente de tempera
tura que se mide en (pF/pF)/K.
As, el coeficiente de temperatura del diodo, con 3 V de tensin inversa, es de 2,8 x 10 apro
ximadamente, y con 7 V es de 1,9 x 10"4. Ello quiere decir que la capacidad del diodo vara en esos
factores por cada grado centgrado (o Kelvin) de temperatura de la unin, de lo que se deduce que
cuanto mayor sea la tensin inversa aplicada menor ser el coeficiente de temperatura y, por lo tan
to, menos variar la capacidad del diodo respecto a la nominal.

RELACIN DE CAPACIDAD
La relacin de capacidad es uno de los parmetros Importantes que deben ser considerados al elegir
un diodo varicap para un circuito, ya que mediante ella se conoce cuntas veces es mayor la capaci
dad del diodo ai aplicarle una tensin inversa de valor superior a otra tomada com o referencia.
Esto es muy importante, ya que conociendo esta relacin se puede disear correctamente un
circuito de sintona de forma que cubra toda una gama de frecuencias.
Efectivamente, supngase que debe disearse un sintonizador para la banda I de VHF de tele
visin, la cual cubre las frecuencias comprendidas entre 48,24 y 67,75 MHz.
Para disear correctamente el circuito es preciso que la capacidad del diodo vare en el interva
lo adecuado, pues si es corto no cubrira toda la. banda y si es muy amplio entrara en la banda II
de emisiones de radio en FM.
La relacin de capacidad se expresar pues medante la frmula:
-

Cd(VR1)
0 i(V R 2 )

Donde C(J(VR,j es la capacidad del diodo a la tensin inversa ms pequea y Cd(Vn2) es la capacidad
del diodo a la tensin inversa mayor.
As, por ejemplo, el diodo varicap BB105A presenta una capacidad de 11,5 pF cuando se le
aplican 3 V de tensin inversa, y de 2,5 pF cuando se le aplican 25 V de tensin inversa.
De acuerdo con estos datos, la relacin de capacidad de este diodo ser de:
. _

C d(VR1)

Qvr2)

H '5 PF

4 g

2,5 pF

Debido a las tolerancias propias de fabricacin, esta relacin no es exacta, por lo que los fabri
cantes indican en sus catlogos los valores mnimo y mximo admisibles a una frecuencia dada.
As, el diodo BB134 que se ha puesto de ejemplo anteriormente tiene una relacin de capacidad a
1 MHz comprendida entre 8,9 y 12.

231

COMPONENTES ELECTRNICOS

ELECCIN DE UN DIODO VARICAP


El diodo varicap se debe elegir de acuerdo con la gama de frecuencias con las que debe trabajar.
En lneas generales, se puede decir que diodos varicap con una capacidad mxima de 16 pF se
utilizan para sintonizadores de UHF (400 MHz a 900 MHz), los de hasta 70 pF se emplean en los
sintonizadores de VHF (30 MHz a 300 MHz); y los de hasta 500 pF en los sintonizadores de los re
ceptores de radio de onda larga, media y corta.
De todas formas, y a ttulo orientativo, a continuacin se resean algunos diodos varicap fabri
cados por la firma P
especialmente diseados para diferentes bandas, debido a los valores de
capacidad que poseen estos componentes:
h il ip s

Radio AM: BB112, BB130, BB212


Bandas I y III (TV): BB809, BB909A, BB909B
Banda II (radio en FM): BB204B
Bandas IV y V (TV): BB405B

DIODOS CONMUTADORES DE BANDA


Los diodos conmutadores de banda no son otra cosa que determinados modelos de diodos recti
ficadores de pequea seal en los que se aprovecha cierto grado de variacin de su capacidad,
por lo que tambin son considerados como diodos varicap, como por ejemplo el BA102, el cual
presenta una relacin de capacidad inferior a 0,7 para una tensin inversa entre 10 y 4 V, y puede
ser aprovechado para el CAF en receptores de televisin.
Se trata pues de diodos varicap cuya capacidad en sentido inverso es muy pequea, del orden
de 1,3 pF cuando se les aplica una tensin Vf de 0,1 V, y de unos 0,8 pF cuando la tensin Inver
sa aplicada es de 30 V.

11.9 Curvas caractersticas


Cd = f(VR) de varios diodos
conmutadores de banda para
sintonizadores de VHF de P h il ip s .

En la figura 11.9 se ha dibujado la curva caracterstica de la capacidad en funcin de la tensin


inversa de los diodos conmutadores de banda BA482, BA483 y BA484 de P
. Comparando
estas curvas caractersticas con la de la figura 11.5 se aprecia que la nica diferencia entre estos
diodos se encuentra en los valores de sus lmites de capacidad.
La funcin de estos diodos es la de conm utador de bandas; los que se han puesto de ejemplo
se utilizan para conmutar las bandas I y III de VHF de televisin.
Dado que las curvas caractersticas tcnicas de estos diodos son las mismas que las estudia
das para los diodos varicap, no creemos necesario repetirlas aqu.
h i l ip s

232

DIODOS VARICAP Y CONMUTADORES DE BANDA

CDIGO DE IDENTIFICACIN DE LOS DIODOS VARICAP


Los diodos varicap se identifican mediante las letras BB y un nmero de serie dado por el fabricante.
La primera B indica que se trata de un dispositivo semiconductor de silicio y la segunda B que
es un diodo de capacidad variable.
Adems, los diodos rectificadores de pequea seal, en los que se aprovecha cierto grado de
variacin de capacidad y, por lo tanto, se consideran diodos varicap, seidentifican con la letra A
como segunda letra de cdigo, como por ejemplo el BA682, por loque tambin sepuede consi
derar como un diodo de capacidad variable.
En ocasiones, al cdigo expuesto se le aade un punto de color que indica variantes sobre el
modelo principal.
Asi el diodo BA102 se fabrica en diferentes versiones segn su capacidad, con VR = 4 V y
f = 0,5 MHz, identificndose mediante puntos de color sobre su cuerpo segn el siguiente cdigo:
punto
punto
punto
punto

blanco: Cd = 20 a 24 pF
amarillo: Cd = 24 a 30 pF
azul: Cd = 30 a 37 pF
verde: Cd = 37 a 45 pF.

CPSULAS PARA DIODOS VARICAP Y CONMUTADORES DE BANDA


En la figura 11.10 se han dibujado las cpsulas ms utilizadas para los diodos varicap y conm uta
dores de banda, con indicacin de su denominacin y dimensiones.
Como se puede comprobar, tambin en el caso de los diodos varicap se tienen cpsulas para
montaje superficial (SMD), empleadas en circuitos electrnicos muy complejos y compactos, como,
por ejemplo, en cmaras de vdeo.
Para terminar, diremos que, al igual que cualquier otro diodo semiconductor, el ctodo de los
diodos varicap viene indicado mediante un aro (normalmente blanco) rodeando el cuerpo del com
ponente por la parte ms cercana al terminal del ctodo, y que debe prestarse sumo cuidado en
su conexin al circuito, ya que al ctodo se le debe aplicar tensin positiva para que el diodo que
de polarizado en sentido inverso.

28 min

2,6 _
mx

28 mn

4,8 mx

0,55
0.40

1,00
mx
I 0,55
I mx

3,04
mx

25,4 min

1,6 L
mx

1 0,81
i mx

0,05 '
mx i

25,4 min

3,0

2,8
0.55
' 0,45

0,150
. 0,090
/V

1,35 0,40
1,15 0.25

1,9
-

0.95

J 3

1,8
1.6

'R

-1

1,4 2,5
1,2 mx

~ mx
10 /

10

I mx

mxr1,1

jn x _

" R

/
30
mx

2.7
2,3

. . . l

1.60
1,45

0,48 _
0,38
3.7
0,3 g ^ 0,3

11.10 Tipos de cpsulas utilizadas en diodos varicap y


conmutadores de banda, con indicacin de sus dimensiones.

233

Diodos emisores de luz

INTRODUCCIN
Los diodos emisores de luz, conocidos popularmente como LED (abreviatura inglesa de Light Emitter Diode), son diodos semiconductores capaces de radiar luz cuando por ellos circula una co
rriente elctrica en sentido directo.
Son muy utilizados en los aparatos electrnicos como elementos indicadores luminosos: de
puesta en marcha de aparatos, de recepcin de emisiones de FM estreo, de sintona en vdeos,
del nivel de seal en aparatos de alta fidelidad, etc., por citar algunas de las ms conocidas apli
caciones.
La popularidad de los LED se debe a una serie de ventajas sobre las pequeas lmparas in
candescentes o de nen que se utilizaban en los orgenes de la electrnica, que se pueden resu
mir en:

M enor temperatura de trabajo.


M ayor estabilidad m ecnica.
Menores dimensiones.
Larga duracin.
Compatibilidad con los actuales circuitos electrnicos, ya que trabajan con bajas tensiones.
Facilidad de modulacin de la emisin luminosa.

Pero no slo por estas razones los modernos circuitos electrnicos se disean con estos dio
dos. existe otra importante ventaja consistente en la posibilidad de disponer varios pequeos diodos
en un nico chip, en un orden determ inado que luego se expone, que recibe el nombre ingls de
display, y con el que es posible (con ayuda de codificadores integrados adecuados) visualizar sig
nos alfanumricos.
Esto permite la realizacin de relojes digitales luminosos, por ejemplo para radiorreceptores y v
deos, indicacin de canales de televisin, etc., de pequeas dimensiones y gran claridad de lectu
ra tanto de da como de noche.

CONSTITUCIN DE UN LED
En los LED la radiacin luminosa no es consecuencia de una elevacin de temperatura en el mis
mo (como sucede con el filamento de una lmpara incandescente), sino en la conversin directa de
la energa elctrica en energa luminosa sin necesidad de desarrollar calor, por lo que se puede afir
mar que la luz generada por un LED es una /uz fra.
En la figura 12.1 se representa, de forma esquematizada, la constitucin de un diodo emisor de
luz de fosfoarseniuro de galio (GaAsP).
Consta de una capa epitaxial tipo N de fosfoarseniuro de galio, que se forma sobre un sustrato
de arseniuro de galio. Una regin P, muy delgada, se difunde en la capa epitaxial y en ella se cons
tituye un nodo en forma de peine o similar. Esta forma del nodo tiene por finalidad reducir el efec
to de enmascaramiento sobre la luz emitida.

COMPONENTES ELECTRNICOS

Todos los LED se fabrican con semiconductores compuestos con el gallo como elemento prin
cipal, es decir, no se fabrican diodos emisores de luz d germanio ni de silicio.
El motivo de ello es que el ojo humano slo es sensible a una reducida parte del espectro de ra
diaciones electromagnticas (frecuencias con longitudes de onda comprendidas entre 780 y 380 nm),
lo que corresponde a una energa de, aproximadamente, 1,8 a 3,1 eV entre las bandas de con
duccin y valencia. NI el germanio ni el silicio poseen una separacin entre la banda de valencia y
de conduccin con estos valores, por lo que no son materiales adecuados para generar radiacio
nes dentro del espectro visible.
Existen tambin LED fabricados con GaAs que generan radiaciones con longitudes de onda por
encima de los 780 nm (hasta los 930 nm), que entran dentro del espectro de frecuencias no visi
bles (infrarrojos), y que son muy utilizados en aparatos de mando y control a distancia.
En la tabla 12.1 se relacionan los materiales compuestos ms utilizados en la fabricacin de dio
dos emisores de luz, as com o las caractersticas principales de la luz que producen.
Se comprueba en la tabla 12.1 que en unos diodos emisores de luz se utiliza el GaAs y en otros
el GaP.
Los de GaAs reciben el nombre de semiconductores directos, y en ellos un electrn puede caer
directamente desde la banda de conduccin a la de valencia, en cuyo caso la energa desprendida
lo hace en forma de fotn.

Material

Tabla 12.1 Materiales


ms importantes utilizados
en la fabricacin de LED.

236

X
(mm)

Color de
la luz

GaAs

880

infrarrojo

GaP(ZnO)

700

ultrarrojo

GaAsP

660

rojo

GaAIAs

650

hlperrojo

GaAsP/GaP

630

superrojo

GaAs: N/GaP

610

naranja

GaPAs

590

amarillo

GaP

565

superverde

GaP: N/GaP

555

verde

DIODOS EMISORES DE LUZ

Los de GaP se denominan semiconductores indirectos, y en ellos la recombinacin slo puede


hacerse con la participacin de una impureza, como el nitrgeno (N) y el xido de cinc (ZnO).
Cuando a la unin PN de un LED se aplica una tensin en el sentido de conduccin, es decir,
una tensin directa VF, los electrones se introducen en la regin andica (cristal P) y los huecos en
la regin catdica (cristal N).
No obstante, muchos electrones, al no tener suficiente energa, no llegan a la banda de con
duccin, quedndose en la zona prohibida. Pero al no poder permanecer en la zona prohibida, y
careciendo de empuje energtico, vuelven a su banda de valencia.
Es precisamente al retornar cuando desprenden fotones (energa luminosa), dentro del espec
tro visible.
La energa luminosa radiada es de distinto color segn el material utilizado en la fabricacin del
diodo. Asi, por ejemplo, para obtener luz roja se emplea el galio-arsnico, para la luz verde el galio
fsforo, y para el color azul el carburo de silicio.
El chip que forma la unin PN de un LED es de dimensiones muy pequeas, formando un cua
drado de 0,2 a 0,4 mm de lado, lo que lo hace totalmente inmanejable, razn por la cual se dispo
ne en el interior de una cpsula epoxi que le proporciona estabilidad mecnica y mejora las carac
tersticas pticas gracias a una lente ampliadora. Por la parte inferior salen al exterior los terminales
que permiten su soldadura a las pistas del circuito impreso (figura 12.2).

Lente
ampliadora

Terminal
del nodo

Chip LED

Placa de reflexin
tallada en el
terminal del ctodo

12.2 Partes constituyentes


de un LED.

La forma constructiva de la figura 12.2 es la ms popular, aunque tambin se fabrican en otros


tipos de cpsulas de dimensiones ms o menos grandes (figura 12.3).
Dado que el LED funciona con polarizacin en sentido directo, puesto que en el inverso queda
bloqueado y no radia luz, es preciso indicar y tener en cuenta el terminal del ctodo.

12.3 Cpsulas tpicas de diodos emisores de luz.

237

COMPONENTES ELECTRNICOS

12.4 LED bicolor.

ste se identifica de diversas formas, tales como mediante un terminal de conexin ms corto
que ei del nodo; o disponiendo una pequea pestaa en el terminal del nodo o en el lado de la
cpsula correspondiente al mismo; o por cualquier otro sistema.
Se fabrican tambin cpsulas conteniendo dos LED de distinto color (por ejemplo rojo y verde).
Estos diodos estn conectados en antlparalelo, de forma que cuando por uno circula corriente el
otro queda bloqueado y viceversa. De esta forma es posible cambiar el color de la luz cuando cam
bia el sentido de la corriente, lo cual puede ser til en ciertas aplicaciones (figura 12.4).

Displays de LED
Los displays estn formados por diodos emisores de luz, dispuestos en el Interior de una cpsula
y en un orden determinado, de forma que al hacer pasar o no la corriente por cada uno de ellos, y
de acuerdo con un cdigo, formen caracteres numricos o alfabticos (figura 12.5).
Los displays numricos estn formados por siete segmentos y un punto (que corresponde al
punto decimal), sumando un total de ocho diodos emisores de luz.

12.5 Displays numrico


y alfanumrico con LED.

Los alfanumrlcos tienen un mayor nmero de diodos emisores de luz, con el fin de poder for
mar con ellos cualquier carcter alfabtico.
Los displays se fabrican en diferentes tamaos, y se construyen con segmentos emisores de luz
alargando pticamente la superficie emisora de luz de un nico chip LED. En la figura 12.6 se pue
de ver un detalle de la forma constructiva de uno de estos segmentos.

Cavidad difusora
del segmento

12.6 Dibujo esquematizado


en seccin transversal
de un segmento de display.

238

Encapsulado de
plstico LEXAM

Terminal
de sujecin
Terminal Pr opoxy
de nodo

conductor)

Terminal
de ctodo

DIODOS EMISORES DE LUZ

El chip de! LED se dispone en el fondo de una cavidad reflectora, que luego se rellena de resi
na epoxy con partculas difusoras de luz.
La luz emitida por el LED se distribuye as de forma uniforme por la totalidad del rea emisora,
obtenindose una intensidad de luz constante desde cualquier ngulo con el eje, es decir, el seg
mento queda Iluminado uniformemente aunque el origen de la radiacin luminosa sea el pequeo
chip situado en el fondo.
Con el fin de facilitar la conexin del display, se unen interiormente todos los nodos o todos los
ctodos, dando lugar a displays con nodo comn o a displays con ctodo comn. El empleo de uno
u otro tipo depende del tipo de seal del descodificador (positiva o negativa) que activar los diodos.
Se fabrican tambin displays en los que se Incorporan, dentro de la misma cpsula, resistencias
limitadoras de corriente, con lo cual se simplifica el montaje del display en el circuito impreso y, ade
ms, se ahorra espacio en ste.

Segmento del dgito


formado por una
cavidad difusora

Segmento
uniformemente
iluminado

Chip LED
Encapsulado
del display

12.7 Construccin tpica de


un display de siete segmentos.

Terminal
de sujecin

En la figura 12.7 se puede ver el corte en seccin de un display de siete segmentos, en la que
se observa perfectamente la disposicin de dos cavidades formando ngulo recto.
Los displays de gran tamao disponen de dos o ms chips de diodos emisores de luz por seg
mento, ya que uno solo es insuficiente para iluminar todo el segmento.
Cada uno de los segmentos que forman el carcter numrico se denomina con una letra (figu
ra 12.8).
_A_

El lc
I

12.8 Cada uno de ios


segmentos de un display
se identifica por una letra.

I mp

Combinando ordenadamente las tensiones directas aplicadas a los nodos puede formarse
cualquier carcter. En la figura 12.9 se muestra cmo se forman las cifras del 0 al 9. Para ello, debe
aplicarse polarizacin directa a los segmentos adecuados segn se Indica en la tabla 12.2.

n
/_/
12.9

i j j
IL J

uc

I J Ll

u u
IU J

Constitucin de las cifras 0 a 9 en un display con diodos emisores de luz.

239

COMPONENTES ELECTRNICOS

< .

Tabla 12.2 Segmentos que


se iluminan en un dispiay
aI aplicarle tensin directa.

Segmento encendido
'

. V'Y-''y'''
B
c
ftJ IJ i

.. ,'
. .

Cifra formada
G

f|
0
1

punto decimal

Finalmente en la figura 12.10 se ha dibujado el smbolo del circuito electrnico equivalente del
dispiay, que consta de ocho LED, con sus respectivas conexiones exteriores de los nodos y un
ctodo comn a todos ellos.

A o

12.10 Conexin de los LED de


un dispiay de siete segmentos y
punto decimal con ctodo comn.

Bo

Do

Fo

f i o POO

o
Ctodo
comn

Los displays citados son los ms corrientes, sin embargo se fabrican displays en los que se re
presentan otras figuras no alfanumricas, como por ejemplo una serie de segmentos verticales y
paralelos entre s, medante los cuales es posible realizar vmetros luminosos para equipos de alta
fidelidad.

CARACTERSTICAS TCNICAS DE LOS DIODOS EMISORES DE LUZ


Para el correcto funcionamiento de un LED es preciso tener en cuenta una serie de caractersticas
tcnicas que son facilitadas por los fabricantes, mediante valores numricos o mediante curvas ca
ractersticas.
Estas caractersticas hacen referencia tanto a la parte elctrica como a la radiacin luminosa
producida, siendo las ms importantes las siguientes:

240

DIODOS EMISORES DE LUZ

Intensidad de corriente en sentido directo ( I F).


Tensin inversa (\/F).
Potencia total (Ptot).
Potencia de radiacin de salida (FJ.
Intensidad luminosa ( IJ .

Curva caracterstica de la intensidad de corriente en funcin


de la tensin directa
En la figura 12.11 se han dibujado las curvas caractersticas I F = f(VF) de dos diodos emisores de
luz, uno de arseniuro de galio y el otro de fosfuro de galio.

(mA)

12.11 Curva caracterstica


I f = f(Vf) de un LED de
arseniuro de galio y otro
de fosfuro de galio.

Hasta que no se alcanza un determinado valor de tensin directa [Vf) no se inicia la circulacin
de corriente ( I F), al igual que en cualquier otro diodo semiconductor, y sobrepasado el codo de la
curva la corriente / F aumenta rpidamente de valor al aumentar ligeramente la tensin l/F.
Destaca en estas curvas, comparndolas con las de los diodos de silicio, que al ser el material
base el galio se precisa una mayor tensin directa para que pasen a conducir (unos 0,6 a 0,7 V en
los de silicio, y unos 1,3 V a 1,6 V en los de galio).
En las curvas de la figura 12.11 es necesario destacar:
1. Los LED de arseniuro de galio precisan de menor tensin en sentido directo para entrar en
conduccin.
2. La resistencia dinmica de los diodos de arseniuro de galio es ms pequea que la de los
de fosfuro de galio.
Efectivamente, cada LED precisa de un valor de tensin directa, y presenta una resistencia di
nmica que viene dada por los materiales utilizados en su fabricacin y por un conjunto de par
metros tales com o la geometra y rea de la unin.
La resistencia dinmica (fs) es igual al cociente de la variacin de tensin directa por la varia
cin de intensidad directa, es decir,

El diodo emite luz cuando la tensin directa a l aplicada supera el codo de su curva caracte
rstica I F = f(VF), es decir, cuando circula corriente por la unin. Este valor de intensidad en sentido

241

COMPONENTES ELECTRNICOS

de paso es del orden de 2 a 50 mA, segn modelo, para que el diodo comience a emitir radiacio
nes luminosas.
Lgicamente la corriente directa no puede superar ciertos valores sin que corra peligro el LED
ya que, al igual que cualquier otro componente, los LED soportan hasta un lmite de potencia de di
sipacin (dada por el producto l/F/ F).
Con este fin, los fabricantes indican en sus catlogos la mxima tensin directa que puede apli
carse a un LED para una intensidad de corriente dada. As, por ejemplo, el diodo emisor de luz
CQV70 soporta una tensin directa mxima de 2,1 V con una intensidad de corriente I F de 10 mA,
siendo la intensidad de corriente mxima en sentido directo de 30 mA.
Durante un breve instante, el diodo es capaz de soportar una elevada intensidad de corriente en
sentido directo, que en ocasiones puede alcanzar valores elevados. As, los LED de la serie MV5025
son capaces de soportar en sentido de paso una intensidad de pico de 2 A, siempre que este pico de
corriente sea un impulso de 1 |as y que no se produzcan ms de 300 impulsos por segundo.

Curva caracterstica de la intensidad luminosa en funcin de la intensidad


de corriente directa
La curva caracterstica de la figura 12.12 corresponde a la intensidad luminosa (en mcd) en funcin
de la corriente que circula por el diodo (en mA).

(mcd)

2
03 <
? E
<5 .
s
e
3c oe
c

12.12 Curva caracterstica


7V = f(If) de un LED.

2.0
1.8
1,6
1,4
1,2
1,0
0.8
U.b
0,4
0.2

10

15

20

25

30
If (mA)

Corno se ve en la figura 12.12, la intensidad luminosa aumenta al aumentar la corriente directa,


es decir, cuanto mayor sea la corriente a travs del diodo mayor ser la luz proporcionada por ste.
En ocasiones los fabricantes indican el valor de intensidad luminosa a la corriente directa nomi
nal. Por ejemplo: 0,25 mcd a 20 mA.
En la figura 12.13 se ha dibujado otra de las curvas caractersticas que suelen facilitar los fabri
cantes de LED, y que corresponde a la variacin tpica de la intensidad luminosa en funcin del va-

1,1

1,0

<
o
.2 >-

O 3
<s
Nj

12.13 Curva caracterstica de


la eficiencia relativa en funcin
de la corriente de pico.

242

40
60
80
100
Ipto corriente de pico (mA)

120

DIODOS EMISORES DE LUZ

lor de pico de la corriente directa, es decir, la eficiencia relativa (intensidad luminosa por unidad de
corriente) en funcin de la corriente de pico.
Esta curva se genera variando slo el valor de pico de la corriente directa, manteniendo cons
tante el valor medio de la comente directa. De ella se deduce que el funcionamiento de unLED es
ms eficaz si la corriente directa que por l circula es pulsante.

Tensin inversa
Como cualquier diodo semiconductor, los LED poseen un lmite de tensin inversa de salida, so
brepasada la cual el diodo puede quedar destruido.
Esta tensin oscila, normalmente, entre 1,6 y 3 V, por lo que deber evitarse sobrepasar estos
valores.

Potencia total de disipacin


ste es otro de los datos facilitados por los fabricantes que tam poco debe ser sobrepasado.
La mxima potencia de disipacin se especifica siempre a la temperatura ambiente de 25 C,
pues al aumentar la temperatura dicha potencia lmite es ms pequea.
En los diodos emisores de luz la potencia de disipacin oscila entre unos 50 mW y 150 mW se
gn modelo, mientras que en los displays se alcanzan valores de unos 400 mW.

Curva caracterstica de la corriente directa en funcin


de la tem peratura
Tambin los diodos emisores de luz estn afectados por la temperatura, de forma que cuanto m a
yor sea sta menor es el valor de la intensidad de corriente en sentido de paso.
En la figura 12.14 se ha dibujado la curva caracterstica de la corriente directa ( I F) en funcin de
la temperatura ambiente (Tamb).

C)

12.14 Curva caracterstica de


la intensidad de corriente directa
en funcin de la temperatura
ambiente.

En esta curva se lee que hasta unos 25 C la corriente directa permanece prcticamente cons
tante (en este caso en 25 mA). De 25 C a 85 C la corriente I F decrece rpidamente con el au
mento de temperatura, y a 85 C la corriente directa queda anulada.

Curva caracterstica de la intensidad luminosa en funcin


de la tem peratura ambiente
En un apartado anterior se ha dicho que la intensidad luminosa de un LED aumenta con la Intensi
dad de corriente directa (figura 12.12), y tambin se ha afirmado que la corriente directa disminuye
al aumentar la temperatura. Como consecuencia de estos dos fenmenos se puede deducir que la
intensidad luminosa de un LED disminuye al aumentar la temperatura.

243

COMPONENTES ELECTRNICOS

12.15 Curva caracterstica de la


intensidad luminosa relativa en
funcin de la temperatura
ambiente.

160
140
120
100
80
60
40
-55

-25

+25

+50

+75

+100

U ( C )

Efectivamente, en la figura 12.15 se ha dibujado la intensidad luminosa relativa de un LED en


funcin de la temperatura ambiente. En ella se puede leer que la mxima intensidad luminosa se al
canza a temperaturas por debajo de 0 C.
La ordenada de la curva caracterstica de la figura 12.15 se ha dividido en porcentajes de in
tensidad luminosa ( I v), correspondiendo la intensidad luminosa nominal del 100 % a 25 C, es de
cir, que a 25 C la intensidad luminosa es la facilitada por el fabricante.
As, supngase un diodo emisor de luz cuya intensidad luminosa Jv sea de 0,8 mcd a 25 C de
tem peratura ambiente y con 20 mA de I F. En esta circunstancia, y suponiendo que su curva ca
racterstica I v = f(Tamb) sea la de la figura 12.15, si disminuye la temperatura ambiente a 0 C la in
tensidad luminosa pasa a ser el 120 % de la nominal, es decir, sube a 0,96 mcd. Si, por el contra
rio, la temperatura ambiente sube a 50 C, la intensidad luminosa pasa a ser el 80 % de la nominal,
es decir, 0,46 mcd.
La abscisa de la figura 12.15 se ha dividido en todo el margen de temperatura a la que puede
trabajar el LED en cuestin, es decir, entre -5 5 C y +100 C, variando entre estos lmites la inten
sidad luminosa entre 1,52 mcd y 0,44 mcd aproximadamente.

Potencia de radiacin de salida


Otra curva caracterstica de inters es la de la potencia de radiacin de salida o ROP (Radiated Outp ut Power) en funcin de la intensidad de corriente directa, es decir, la curva caracterstica <t>e = f [ I F).
Este parmetro indica la potencia que se transforma en radiacin luminosa en el LED, la cual,
lgicamente, es inferior a la potencia disipada en el componente. Se expresa en pW.
Los fabricantes suelen facilitar este parmetro mediante valores numricos (por ejemplo 60 gW),
indicando con ello que es la mnima potencia de radiacin que se obtendr en el diodo, o bien m e
diante curvas caractersticas como la de la figura 12.16, ya que como es lgico suponer esta p o
tencia aumenta al aumentar la intensidad de corriente en sentido directo.

<r>
(mW)
80
70
60
50
40
30

12.16 Curva caracterstica de


la potencia de radiacin de salida
en funcin de la intensidad de
corriente directa.

244

20
10

10

20

30

40 J f (mA)

DIODOS EMISORES DE LUZ

En la figura 12.16 una intensidad directa de 20 mA da lugar a una potencia de radiacin de sa


lida de 35 (iW. Al doblar la Intensidad de corriente directa se dobla la potencia de radiacin de
salida, es decir, que esta curva caracterstica es lineal.

Curva caracterstica de la potencia de pico de salida en funcin


de la corriente directa en forma de impulsos
Dado que el funcionamiento de un LED es ms eficaz con impulsos de corriente directa, los fabri
cantes de estos componentes facilitan tambin la curva caracterstica de la potencia de pico de sa
lida en funcin de la corriente directa, cuando sta es de impulsos, tal y como se ha dibujado en la
figura 12.17.

5a

Xa
5

200

400

600

800

1.000

Impulsos de corriente directa (mA)

12.17 Curva caracterstica de


la potencia de pico de salida en
funcin de una corriente directa
en forma de impulsos.

En esta curva caracterstica se comprueba que, con impulsos de corriente de 200 mA, cuyo va
lor medio sea el nominal del diodo, la potencia de salida son picos de 0,4 mW. Sin embargo, la cur
va deja de ser lineal a partir de impulsos de corriente de 400 mA, puesto que los picos de la p o
tencia de salida apenas si crecen de valor al aumentar el valor de los impulsos de corriente.

Distribucin espacial
Si se observa un LED desde distintos ngulos y a la misma distancia, se comprueba que la mxima
luminosidad se obtiene cuando el ojo se encuentra en la vertical del diodo. Esto puede represen
tarse mediante la curva de la distribucin espacial de la figura 12.18.
En la curva caracterstica de la figura 12.18 se observa que, con un ngulo de incidencia de 0o, es
decir, con el ojo situado en el eje de simetra vertical del diodo, la intensidad luminosa percibida es del
100 %. A medida que el ojo se desplaza del citado eje de simetra, hacia un ngulo de 90 con res
pecto al mismo, la intensidad luminosa percibida desciende hasta anularse por completo a 90.

10

20

1.0
0.9
0.8
0.7

0.6

0.5 0.4 0.3 0.2 0.1

12.18 Distribucin espacial de


la radiacin luminosa de un LED.

245

ELECTRNICOS

As, por ejemplo, si el ojo forma con el eje de simetra del diodo un ngulo de 40 la intensidad
luminosa que percibe es de, aproximadamente, el 35 % del valor nominal, por lo que si el diodo ra
dia con una intensidad de 1,5 mcd, en dicho ngulo la intensidad luminosa ser de slo 0,53 mcd.
Estas curvas son muy importantes a la hora de elegir un LED, ya que si ste ha de disponerse
como elemento sealizador dentro de un ambiente luminoso y el observador no siempre se en
cuentra en la vertical del diodo, sino en un ngulo pronunciado con respecto a l, puede que no
perciba la iluminacin del mismo. En este caso debe elegirse un diodo cuya distribucin espacial
sea lo ms omnidireccional posible.
En ocasiones los fabricantes indican en sus catlogos este parmetro mediante valores num
ricos, en cuyo caso indican el ngulo en el cual la intensidad luminosa alcanza el 50 % de su valor

SOD

-63
SOO

-76

JS
,v

SOP-75

SOD

S G D -S

12.19

-75

Tipos de cpsulas utilizadas en LED, con indicacin de sus dimensiones.

DIODOS EMISORES DE LUZ

nominal. As, por ejemplo, en el diodo CQY11C se percibe una intensidad luminosa del 50 % de su
valor nominal cuando el ngulo de visin es de 7o, mientras que en el CQY49B es de 80, de lo cual
se deduce que con el CQY49B se percibe mejor su luz desde cualquier ngulo.

CDIGO DE IDENTIFICACIN DE LOS DIODOS EMISORES DE LUZ Y DISPLAYS


Tanto los diodos emisores de luz como los displays se identifican mediante dos letras y un nmero
de serie formado por una letra y dos cifras.
La primera letra es una C, puesto que se trata de un dispositivo que utiliza materiales con un
margen de banda de menos de 0,6 eV, tales como el arseniuro de galio.
La segunda letra es una Q, ya que en el cdigo de designacin de elementos semiconductores
esta letra identifica a los elementos generadores de radiaciones; en este caso radiaciones luminosas.
El nmero de serie, precedido de una letra (Y o X) indica que se trata de un componente para
aplicaciones profesionales, aunque en la actualidad est muy extendida su utilizacin en aparatos
electrnicos de consumo (radio, televisin, vdeo, etc.).

CPSULAS PARA LED Y DISPLAYS LED


Para finalizar, en las figuras 12.19 y 12.20 se han dibujado las cpsulas ms comunes de diodos
emisores de luz y displays realizados con esta clase de diodos, con indicacin de su denominacin
y dimensiones en milmetros.

CQY81, 1B

CQY81, 81A

CQY61. 81A, 81B

1(7

1t?

lOt

19.05

10.16 mx

IM
A /

7.6

17.0
5.0

9.65

fI j 7 I b

i l

: U

:D

0.5 mln

I3

2.54
mx

9.65

5.7

1.40
0.90

12x2.54

0.50
0.30

4.0

CQY82A.82B

C0Y82B

CQY82. 82A
7.0

<9

1(7

12,7mx

15.0

n~i t
I

11.0

Q
llt

9.5
10,20

95

3,2
4.95 5. 151

12.20 Cpsulas para displays LED. con indicacin


de sus dimensiones.

247

COMPONENTES ELECTRNICOS

CQY84

CQY84

12____

29.6

28.32mx

8,0

6,0

0,51 mn

C0X85

CQX85
29,6

24,5 mx

8.0

0.32
0.23 j:

3,6 \
3.0 \

1524'

. .

5,0
mx

MT
1

16x2,54

1(7.57rom
025$,
0,38
5,08
mx

12.20 Cpsulas para displays LED, con indicacin


de sus dimensiones. (Continuacin)

248

Transistores bipolares

INTRODUCCIN
La palabra transistor est compuesta por la unin de las palabras transferencia y resistor, ya que el
funcionamiento de un transistor se basa en una transferencia de energa por medio de unas varia
ciones de resistencia.
En el estado actual de la tecnologa los transistores se dividen en dos grandes grupos:

Transistores bipolares.
Transistores unipolares.

En este captulo se trata la constitucin, funcionamiento y curvas caractersticas de los transis


tores bipolares, dejando el estudio de los unipolares para el siguiente captulo.

UNIONES NPN Y PNP


Sea una unin PN a la que se agrega un nuevo cristal tipo N que haga contacto con el cristal P (fi
gura 13.1a).
En esta circunstancia el cristal P queda entre dos cristales N (figura 13.1c). El mismo resultado
se obtiene si dos uniones PN se unen por el cristal P (figura 13.1 ).
Esta unin de tres cristales constituye el transistor, que en este caso es del tipo NPN, ya que el
cristal P es comn a las dos uniones PN.
Bajo el mismo principio constructivo, pero utilizando como cristal comn de las dos uniones PN
el cristal N, se forma el transistor PNP (figura 13.2).
El cristal comn a las dos uniones del transistor recibe el nombre de base. Los otros dos cris
tales extremos se denominan colector y emisor respectivamente.

y
p
c)
13.1 Constitucin de un transistor NPN.

c)
13.2 Constitucin de un transistor PNP.

249

COMPONENTES ELECTRNICOS

TEORA DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR


Supongamos un transistor NPN, al que se le aplica una tensin negativa a la base con respecto al
emisor (figura 13.3).
En esta circunstancia la zona Z de la unin emisor-base adquiere un valor de elevada resisten
cia hmica, puesto que los electrones libres dl cristal N son atrados por el potencial positivo de la
fuente de alimentacin, y los huecos del cristal P por el negativo de la misma fuente, desapare
ciendo de la zona Z, los portadores de carga. Se trata pues de un diodo polarizado en sentido in
verso, por lo que la corriente a travs de la unin ser prcticamente nula.

Z,

Zg

13.3 Si entre emisor y base


de un transistor NPN se aplica
una tensin en sentido inverso,
se forma una zona aislante en la
unin Z, que impide la circulacin
de la corriente elctrica.

Si se polariza dicha unin en sentido directo, es decir, con el positivo de la fuente de alimenta
cin aplicado al cristal P y el negativo al N, la unin Z, adquiere un valor de resistencia muy bajo,
ya que los electrones del cristal N y los huecos del cristal P son repelidos por el negativo y el posi
tivo de la fuente de alimentacin, respectivamente, hacia la zona Z,, en donde se recombinan. La
fuente de tensin contina suministrando electrones al cristal N, por lo que se establece un paso
continuo de corriente elctrica a travs de la unin (figura 13.4).

Z,
Emisor

Z,
Colector

13.4 Si entre emisor y base


de un transistor NPN (unin ZJ
se aplica una tensin en sentido
directo, circula una corriente
elctrica a travs de la unin.

El funcionamiento de la unin base-emisor de un transistor es por tanto idntica a la de cual


quier diodo rectificador, es decir, deja pasar la corriente cuando est polarizado en sentido directo
y la bloquea cuando se polariza en sentido inverso.
Los mismos resultados se obtienen en la unin Z 2 cuando se aplica un potencial elctrico entre
base y colector, tal y como se indica en las figuras 13.5 y 13.6.

Emisor

IL N

I Colector

p
i

N r

Emisor

Colector

Base

H
13.5 Si entre base y colector de un transistor
NPN se aplica una tensin en sentido inverso,
se forma una barrera en la unin Z2 que
impide la circulacin de la corriente elctrica.

250

13.6 Si entre base y colector de un transistor


NPN (unin Z2) se aplica una tensin en
sentido directo, circula una corriente elctrica
a travs de la unin.

TRANSISTORES BIPOLARES

Z,
Emisor

Colector

N
Base

13.7 Si entre emisor y colector


de un transistor NPN se aplica una
tensin elctrica con el positivo a
colector, se forman dos pequeas
barreras en las uniones Z ,y Z 2y
por el transistor slo circula una
pequesima corriente de fuga,
de valor despreciable.

Supngase ahora un transistor NPN al que se le aplica una tensin continua entre emisor y colec
tor, de forma que el polo positivo quede aplicado al colector y el negativo al emisor (figura 13.7).
Con esta polarizacin, los electrones libres del emisor (cristal N) los repele el polo negativo, mien
tras que los electrones libres del colector (cristal N) los atrae el polo positivo. De todo esto se deduce
que se produce un desplazamiento de las cargas en sentido emisor a colector.
A pesar de ello, los electrones del emisor no poseen la suficiente energa para atravesar las
uniones Z, y Z 2, las cuales, al ser zonas aislantes sin portadores de carga, entorpecen el paso de
la corriente. La corriente a travs de los cristales es, por tanto, muy pequea, considerndose a
efectos prcticos como una pequea corriente de fuga.
La principal barrera que se opone al paso de los electrones hacia el polo positivo la constituye la
unin Z,, ya que una vez atravesada sta los electrones se encontrarn bajo la Influencia del campo
elctrico del polo positivo de la fuente de alimentacin y atravesarn sin dificultad la unin Z 2.
Para eliminar la barrera Z, basta con polarizar en sentido directo la unin base-emisor (figura 13.4).
As pues, si se aplican los potenciales representados en la figura 13.8 a cada uno de los cristales
del transistor, queda eliminada la barrera Z v y los electrones libres del emisor la atraviesan, siendo
atrados por los potenciales positivos de la base y del colector.

Emisor

'i

)
i

| Colector

,
r

Base
I r

13.8 Si se polariza un transistor


NPN en la forma indicada en la
figura, ste pasa a ser conductor.

H illl

Dado que el potencial positivo del colector es mucho mayor que el de la base, ya que el de sta
slo sirve para eliminar la barrera Z, (unos 0,7 V en transistores de silicio), los electrones se sienten
ms atrados por el colector, por lo que se obtiene una elevada corriente de colector (Jc) y una pe
quea corriente de base ( B).
La corriente de emisor ( / E) es igual a la suma de las corrientes de colector y base, tal y como
se deduce de las leyes de Kirchhoff:

Naturalmente, la cuanta de electrones que se dirigen hacia el colector o hacia la base depende
de la proporcin en que el colector est polarizado ms positivamente con respecto a la base, de
forma que si las dos tensiones son iguales, prcticamente ningn electrn se dirige hacia el colec
tor por estar ste ms alejado.
Si en lugar de una tensin positiva con respecto al emisor se le aplica a la base una tensin ne
gativa con respecto al emisor, la unin Z. queda polarizada en sentido inverso y, como consecuen
cia, no circula corriente alguna por el transistor (figura 13.9).

251

COMPONENTES ELECTRNICOS

13.9 Si se polariza un transistor


NPN en la forma indicada en la
figura, es decir, con una tensin
negativa en la base con respecto
al emisor, por el transistor deja
de circular la corriente elctrica.

Z1
Emisor

J
I

~~L Colector

1
'

Base

- iiu

En resumen, en un transistor NPN se obtiene paso de corriente entre emisor y colector cuando
a la base se le aplica potencial positivo con respecto al emisor, y se consigue un bloqueo al paso
de la corriente cuando a la base se le aplica un potencial negativo con respecto al emisor.
Todo lo expuesto es vlido para los transistores PNP, con la diferencia de que en stos la con
duccin se produce cuando se aplica tensin negativa al colector con respecto al emisor y una ten
sin tambin negativa, aunque de inferior valor, a la base con respecto al emisor (figura 13.10).
En el caso de polarizar la base positivamente con respecto al emisor, la unin Z, se hace in
franqueable para los electrones libres del emisor, ya que la unin base-emisor del transistor PNP
queda polarizada en sentido inverso y, por lo tanto, la corriente de colector ser nula (figura 13.11).

Z,
Emisor

Z,
I Colector

N
Base

llll-

13.10 Si se polariza un transistor PNP


en ia forma indicada en la figura,
ste se hace conductor.

Emisor

< N
i

i P
i

lI Colector
1

Base

lilil

13.11 Si se polariza un transistor PNP en la


forma indicada en la figura, con una tensin
positiva en la base con respecto al emisor,
por el transistor deja de circular la corriente
elctrica.

En las figuras 13.12 y 13.13 se han dibujado los smbolos representativos de los transistores
NPN y PNP respectivamente. En ellos el emisor se simboliza con una punta de flecha, igual que el
nodo de un diodo. Si el transistor es un PNP la punta de flecha seala hacia la base, ya que, al igual
que los diodos, la punta de flecha indica que se trata de un cristal P. La punta de flecha en sentido
opuesto a la base nos indica que se trata de un cristal N.

Emisor

Emisor

Base

Base O

Colector

13.12 Smbolo de
los transistores NPN.

252

>
Colector

13.13 Smbolo de
los transistores PNP.

TRANSISTORES BIPOU\RES

Para la polarizacin correcta de un transistor debern tenerse presente los siguientes puntos:

A l emisor debe aplicrsele polaridad del mismo signo que el cristal que lo constituye. Si es
un cristal N se le aplica polaridad negativa, y si es un cristal P polaridad positiva.
A la base tambin se le aplica polaridad del mismo signo que el cristal que la constituye. Este
potencial debe ser menor que el aplicado entre colector y emisor.
Al colector se le aplica potencial opuesto al cristal que lo constituye. Si es un cristal N se le
aplica polaridad positiva, y si es un cristal P se le aplica polaridad negativa. Este potencial
debe ser mayor que el aplicado entre base y emisor.

Transistor de puntas de contacto


Los transistores de punta de contacto constan de una plaquita de material N o P (la base) sobre la
que estn aplicadas dos puntas metlicas que actan como emisor y colector (figura 13.14). Las dos
puntas metlicas estn a una distancia de unos 50 mm una de otra.

13.14 Transistor de puntas


de contacto. E: emisor.
B: base. C: colector.

El material del emisor y colector se obtiene al soldar las puntas con el material base mediante
un impulso de corriente, lo que tiene por efecto que stas introduzcan impurezas en el cristal de
base, creando zonas de unin alrededor de dichas puntas, de naturaleza opuesta a la de la base.
En la figura 13.15 se muestra un corte esquemtico de un transistor de puntas de contacto, in
dicando sus partes constituyentes.

1-

13.15 Corte esquemtico de un


transistor de puntas de contacto.
1) Cpsula metlica o de resina
epoxi. 2) Cristal tipo P o N. 3) Cierre
soporte de resina epoxi. 4) Puntas
de contacto de tungsteno, separadas
unos 50 pm, y en cuyos extremos se
forma el cristal de naturaleza opuesta
al de la base. 5) Soporte metlico
del semiconductor. 6) Terminal de
conexin del emisor. 7) Terminal de
conexin de la base. 8) Terminal
de conexin del colector.

Debido a las extremadamente pequeas zonas de cristal opuesto al de la base, y a la pequea


distancia existente entre colector y emisor, la capacidad interelectrdica que se crea es pequesi
ma, lo cual hace a este tipo de transistor idneo para trabajar en etapas de radiofrecuencia.
Por el contrario, y por los mismos motivos, no soportan intensidades de corriente elevadas, por
lo que no pueden ser utilizados en etapas de potencia.

Transistor de unin
Se denominan transistores de unin a todos los que estn formados por capas superpuestas de
material semiconductor.

253

COMPONENTES ELECTRNICOS

13.16 Transistor de unin.


E: emisor. B: base. C: colector.

En la figura 13.16 se muestra la forma constructiva de un transistor de unin, formado por una
placa de semiconductor tipo N de 0,2 mm de espesor, que constituye la base, sobre cuyas caras
se aplican el emisor y el colector en forma de dos bolitas de material P (generalmente aluminio en
los transistores de silicio).
La penetracin en el cristal de la citada Impureza se regula de forma precisa, de manera que la
separacin entre el emisor y el colector sea de tan slo 50 um.
Debido al grueso de la unin, las capacidades interelectrdicas de estos transistores son relati
vamente elevadas, lo cual limita su empleo a frecuencias Inferiores a 20 MHz.
Como ventaja cabe destacar que admiten mayores intensidades de corriente, lo que permite su
utilizacin en etapas amplificadoras de potencia.
El cristal de colector es mayor que el de emisor (figura 13.16), de forma que en la unin de c o
lector se recogen mejor los electrones que dan lugar a la corriente I c del transistor.
En la figura 13.17 se muestra el corte esquematizado de un transistor de unin, con Indicacin
de todas sus partes constituyentes.

h*
13.17 Corte esquemtico de un
transistor de unin. 1) Cpsula
metlica o de resina epoxi.
2) Grasa protectora de silicona.
3) Sujetador de plstico.
4) Tapn soporte de resina epoxi.
5) Transistor. 6) Terminal de
conexin del emisor. 7) Terminal
de conexin de la base.
8) Terminal de conexin
del colector.

l
w -

I
J

Para finalizar, diremos que se fabrican transistores de unin para pequeas y grandes poten
cias, dependiendo del refuerzo de las uniones y de la preparacin del conjunto para la evacuacin
del calor.
Los transistores de unin se fabrican con la tcnica de la difusin cuando han de ser utilizados
para trabajar en RF, ya que esta tcnica permite realizar uniones de reducido espesor. Sin embar
go, y debido a los avances tecnolgicos de los ltimos aos, es posible la fabricacin de transisto
res de silicio por la tcnica de la difusin tanto para alta como para baja frecuencia, pequea o gran
potencia, realizndose tipos capaces de trabajar perfectamente en etapas de potencia de RF.
La tcnica de la difusin en sus distintas variantes es, pues, la ms utilizada hoy en da en la fa
bricacin de transistores de silicio.

254

TRANSISTORES BIPOLARES

Transistor por difusin planar


El transistor por difusin planar, tambin llamado transistor planar, es un transistor de unin formado
por una plaqueta de silicio tipo P o tipo N la cual constituir ms tarde el futuro colector (figura 13.18).
Esta plaqueta se reviste por uno de sus lados de una capa de xido de silicio; sobre esta capa
se practican, mediante tcnicas fotoqumicas, unas ventanas a travs de las cuales se difunde ma
terial donador o aceptador, formndose la base del transistor. A continuacin se difunde el emisor
sobre la base mediante idntico procedimiento.

13.18 Transistor de unin por


difusin planar tipo PNP. B: base.
E: emisor. C: colector. 1) Conexiones
de aluminio. 2) Cristal tipo P del
emisor. 3) Cristal tipo N de la base.
4) Cristal tipo P del colector.
5) Capa aislante de xido de silicio.

Una vez realizadas todas las operaciones de difusin, se recubren las ventanas con un sustra
to de xido de silicio.
Sobre esta ltima capa se practican ventanas, que servirn para establecer los contactos exte
riores para los terminales de base y emisor. En la parte inferior de la plaqueta de silicio se conecta
el terminal de colector.
Segn el tamao y separacin entre los cristales que forman el transistor, se obtendrn transis
tores con mayores o menores capacidades interelectrdicas, y ms o menos capaces de soportar
elevadas intensidades de corriente elctrica.
Los transistores planares de potencia pueden fabricarse tanto en versin PNP como en versin
NPN, admitiendo tensiones de unos 100 V e intensidades mximas de corriente de unos 10 A.

Transistor homotaxial
El transistor homotaxial, denominado tambin de difusin nica, se fabrica a partir de una plaqueta
de material P homognea sobre la que, al contrario del planar, no se forma ninguna capa de xido.
Durante el proceso de difusin, el material donador penetra en el interior de la plaqueta por am
bos lados, formando as el emisor y el colector. El material P entre ambas capas constituye la base
del transistor.
Para reducir al mximo posible la cada de tensin en sentido directo del colector, se elimina,
mediante ataque qumico, una delgada capa de material de la parte del colector.
Estos transistores resultan extraordinariamente robustos y adecuados para trabajar con eleva
das intensidades de corriente, por lo que resultan idneos para trabajar en etapas amplificadoras de
potencia en BF.
Debido al gran espesor de la base, la frecuencia de transicin (producto de la ganancia por el an
cho de banda) no es muy elevada (del orden de 1 MHz), y las tensiones admisibles pueden llegar a ser
de hasta 100 V.
Los transistores homotaxiales slo se suministran en versin NPN.

Transistor con base epitaxial


Se denomina epitaxis el proceso tecnolgico de fabricacin de transistores, en el cual se origina el
crecimiento del material semiconductor en estado de cristal sobre otro material semiconductor
tambin en estado cristalino.
Los transistores as fabricados se denominan transistores mesa, y se obtienen haciendo crecer
una delgada capa de silicio poco dopado y, por lo tanto, de elevada resistencia, el cual constituye la
base, sobre un sustrato de silicio fuertemente dopado (baja resistencia) que constituye el colector.

255

COMPONENTES ELECTRNICOS

Una vez efectuado el proceso descrito, la capa base se recubre con xido de silicio.
El emisor se obtiene practicando una ventana, mediante proceso fotoqumico, sobre la capa de
xido de silicio y difundiendo el emisor sobre la base.
Las conexiones externas de la base y el emisor se realizan a travs de ventanas obtenidas me
diante operaciones de oxidacin y fotograbado.
Dado que el proceso de formacin de la base es, en este tipo de transistores, muy lento, el es
pesor de la misma puede ser controlado con gran precisin, por lo que pueden obtenerse bases
de espesores muy reducidos, permitiendo con ello que las capacidades interelectrdicas puedan
ajustarse y fabricar as transistores que trabajan a muy altas frecuencias.
Los transistores de base epitaxlal pueden trabajar con tensiones de hasta 200 V y con inten
sidades de corriente elevadas, lo que los hace especialmente Indicados para trabajar en etapas
de potencia.
La frecuencia de transicin mxima de los transistores de base epitaxial alcanza unos 5 MHz.
Se fabrican tanto en versin PNP como en versin NPN.

Transistores mesa semiplanares


En esta tecnologa se parte de una plaqueta de silicio no oxidado que se expone a un proceso de
difusin, es decir, se trata de un proceso similar al de la tcnica homotaxlal, con la diferencia de que
en el caso de la tcnica mesa semiplanar el material que permanece entre las dos capas difundidas
constituye el colector, mientras que en el caso de la tcnica homotaxial constituye la base.
A continuacin se elimina por completo la capa difundida inferior, despus de haber recubierto
toda la plaqulta con una capa de xido de silicio.
El proceso siguiente consiste en difundir en la capa superior (base) el emisor, mediante tcnica
planar.
La denominacin de estos transistores proviene por tanto del hecho de que la unin emisor-base
se obtiene mediante tecnologa planar, y la unin base-colector mediante tecnologa mesa.
Estos transistores son menos robustos que los de base epitaxial, pero poseen una frecuencia
de transicin muy elevada, que alcanza los 50 MHz y pueden trabajar con tensiones muy elevadas
(hasta unos 1.500 V).
Slo se fabrican en versin NPN.

CPSULAS PARA TRANSISTORES


Existe una gran variedad de cpsulas para transistores, tanto en plstico como en metal (figura 13.19).
El tamao de la cpsula y de los terminales es una orientacin que nos permite, a simple vista,
clasificar a un transistor dentro de los grupos de pequea o gran potencia. Cuanto mayor sea la in-

Colector

Base
Emisor
Colector
Colector

13.19 Dibujo de algunas de las


cpsulas utilizadas en transistores.

256

TRANSISTORES BIPOLARES

Colector
Emisor,
Base
Emisor

Emisor

Colector

13.19 Dibujo de algunas de las cpsulas utilizadas en transistores (continuacin). En este caso, se trata
de cpsulas para montaje superficial (SMD), de dimensiones muy reducidas.

tensidad de corriente admisible por el transistor, mayor deber ser la seccin de sus terminales y
mayor el tamao de la cpsula para una mejor refrigeracin. Adems, todos los transistores de po
tencia poseen cpsula metlica, ya que el metal es mejor conductor trmico.
En la figura 13.19 se puede ver el aspecto de diversas cpsulas para transistores y en la figu
ra 13.20 se Indican las denominaciones de cada una de ellas y la disposicin de los terminales de
colector, base y emisor, as como las dimensiones en milmetros.

SOT-25 (2)

SOT-25 (1)

._

s.

&4

.nxl

I_

2.5

1
f.f/nfr

J.VTVft

.C
ni
:u
1
I

O
T',' ril 1
154

_______

r ,6 iW

itu "f'i

264

_______ _

1.3 m ii

4.6.VU

6.4

.'ri
!,4

1,G
43

Ji?

SOT-37 (1)

SOT-37 (2)
3.9

G.6

13.20 Cpsulas para transistores con indicacin de sus dimensiones.

257

COMPONENTES ELECTRNICOS

S0T-37(3)

SOT-37 (4)

4$

4.8

Otx

144:

mxi

KK

>

0.24
irt/.

SOT-41

6.48mx_

SOT-42
0.26ota
0.6
0.6

1.8mx_

j6.4

L _\

SOT-48 (2)

3-32' 3.0

MCI 27j

----

120
11.2

13.20 Cpsulas para transistores con indicacin de sus dimensiones. (Continuacin)

258

)?m>x

TRANSISTORES BIPOLARES

SOT-48 (3)

3.0

2.7

8-32 Uf/C X{fj!


PtStiCO

9.75 n t

' ti

SOT-48 (4)

3.0
_ 2.7

Metal

l '
73]
7.0

SOT-55

0.27

6J2
53

s
35
i.5

2f
27.2

___

35
______ 7.2

0.2

13.20 Cpsulas para transistores con indicacin de sus dimensiones. (Continuacin)

259

COMPONENTES ELECTRNICOS

SOT-56

SOT-82

0.14/
0.107

10 -3 2 U W

2.o
2.3

9.55

-----------------

9.00

100

M.
tf.50
to n

U
5.75
5.25

I
|

sor-105

C X J 1
TO-1

j
646

5.9 >TW

0.}7

o.n

TO-1 (1)

~mx\ 3 1 \__

1. 08 m u __

45
4.0
Yo. 7

TO-3 (1)

__

_
7 2 iv*

9.5 nb

\4 2
14.0

20.3

mx

13.20 Cpsulas para transistores con indicacin de sus dimensiones. (Continuacin)

260

TRANSISTORES BIPOLARES

TO-5 (2)

TO-5 (1)

y * 5>~

d.SSfitir.

/ \/

6.3
irtt
i
S.XK^ J

ss.f/m

STTA

9 4:ns/

9.4 ctfx

ro-55 f /;

TO-18 (1)

ftgw* yy e n
3,5

C.V?

1
5.3.Tiv
9.4 vx

TO-126

TO-60

4.5 nx

19.3ftx

ro

5.1, |

/5.
I7SW

S G t rt*

!
S.1 I
.7MLV

7-72 ?;

ro-72 (1)

As *

<71(1

Y
.osi/

l:

52Ufo

ro-220 i' ;

TO-92 (2)

TO-92 (1)

4.2(MX

32
3.0rL

. ? :A
v
>65
.rrx
r a

TO-92 (3)

T
p
I

52nm
HO

4.3

uto

<?&

SC O
OM'rtK

132$

Tlv

13.20 Cpsulas para transistores con indicacin de sus dimensiones. (Continuacin)

261

COMPONENTES ELECTRNICOS

En muchas ocasiones los transistores han de trabajar con potencias superiores a la mxima ad
misible por ellos, en cuyo caso han de disponerse aletas de refrigeracin que se fijan al transistor
mediante un sistema de presin o tornillo.
En el supuesto de utilizar tornillos para sujetar el radiador al transistor, la cpsula de este ltimo
debe disponer de uno o dos orificios que permitan el paso del tornillo (figura 13.21).

13.21 Constitucin de un transistor


en cpsula SOT-93. 1) Cristal de vidrio
pasivado. 2) Unin eutctica oro/silicio.
3) Peine soporte de cobre rgido.
4) Terminales de conexin de aluminio.
5) Hilos de conexin soldados
ultrasnicamente. 6) Encapsulado
especial de plstico de silicona.
7) Terminales de cobre estaado.
8) Orificio para la sujecin del radiador
mediante tornillo.

Para finalizar con el estudio de las cpsulas utilizadas en los transistores, a continuacin se ha
cen algunas observaciones sobre los tipos ms corrientes.
Las cpsulas TO 18, TO 39 y TO 92 son de resina epoxi, y se utilizan en transistores para pe
quea seal y baja potencia.
Para medias potencias la cpsula es metlica y puede disponer de orificio para la sujecin de
un radiador (cpsulas TO 12 y TO 220).
Para grandes potencias el tipo de encapsulado es del tipo TO 3 y SOT 93A, en los que el c o
lector va acoplado trmicamente a un gran dispositivo radiador, es decir, que el propio cuerpo me
tlico de la cpsula, que est unido al radiador, hace las funciones de electrodo de colector y, por
lo tanto, el transistor slo dispone de dos terminales (el de base y el de colector).

CARACTERSTICAS TCNICAS DE LOS TRANSISTORES


El transistor es, sin duda, uno de los componentes electrnicos en los que deben tenerse presen
te ms parmetros, razn por la cual este captulo es algo ms extenso.
En un principio se han de considerar las magnitudes elctricas presentes en un transistor, tan
to en rgimen esttico como en rgimen dinmico.

o~?C

13.22 Tensiones y corrientes


presentes en un transistor PNP
en rgimen esttico.

En la figura 13.22 se representa el esquema de un transistor PNP montado en emisor comn


(emisor comn a la entrada y a la salida del circuito), en el cual estn representadas las principales
tensiones y corrientes que aparecen en l en rgimen esttico.
Estas tensiones y corrientes son las siguientes:

262

TRANSISTORES BIPOLARES

-Ic
-I8
7e
- \ / CE
-V BE
- '/ cc
-V BB

= corriente continua de colector (sin seal).


= corriente continua de base (sin seal).
corriente continua de emisor (sin seal).
= tensin continua entre colector y emisor.
= tensin continua entre base y emisor.
= tensin de la fuente de alimentacin del colector.
= tensin de la fuente de polarizacin de la base.

Como se puede apreciar, los smbolos utilizados para designar las tensiones y corrientes de base
y colector van precedidos del signo menos, ya que estos electrodos reciben una tensin negativa
con respecto al emisor (transistor PNP).
Las magnitudes se representan por letras maysculas, por tratarse de tensiones y corrientes
continuas, y los subndices estn en mayscula pr el mismo motivo.

h.

13.23 Tensiones y corrientes


presentes en un transistor NPN
en rgimen esttico.

Si en lugar de un transistor PNP, el transistor fuese NPN (figura 13.23), las tensiones y corrien
tes tomaran signo opuesto, es decir:

Jc
IB
-IE
VCB

=
=
=
=
=
^cc =
vBB =

corriente continua de colector (sin seal).


corriente continua de base (sin seal).
corriente continua de emisor (sin seal).
tensin continua entre colector y emisor.
tensin continua entre base y emisor.
tensin de la fuente de alimentacin del colector.
tensin de la fuente de polarizacin de la base.

Obsrvese, comparando las figuras 13.22 y 13.23, que siempre se toma como referencia de me
dida el colector o la base con respecto al emisor, por lo que si, como es lgico, las fuentes de alimen
tacin cambian de polaridad segn el tipo de transistor, resulta evidente que las tensiones cambia
rn de signo en un transistor NPN con respecto al PNP.
Por el mismo motivo, las corrientes de base y colector son siempre de signo opuesto a la co
rriente de emisor, tanto si el transistor es un PNP como si es un NPN, ya que, como se sabe, / E
siempre es igual a la suma de I B + I c y, por la ley de Kirchhoff, la suma de todas las corrientes que
llegan y salen de un punto de un circuito es igual a cero.
Se entiende por rgimen dinmico el estado de funcionamiento de un transistor al aplicarle una
seal alterna entre base y emisor (caso de un transistor m ontado en circuito emisor comn).
En las figuras 13.24 y 13.25 se han representado las principales corrientes y tensiones en rgi
men dinmico de un transistor PNP y otro NPN, respectivamente.
En ambos casos se trata de corrientes alternas eficaces, por lo que se representan por letras
maysculas y subndices en minscula. En ningn caso se indica polaridad, puesto que la corrien
te alterna cambia continuamente de sentido.

263

COMPONENTES ELECTRNICOS

I13.24 Tensiones y comentes


presentes en un transistor PNP
en rgimen dinmico.

-HI

13.25 Tensiones y corrientes


presentes en un transistor NPN
en rgimen dinmico.

Las tensiones y corrientes presentes en los circuitos de las figuras 13.24 y 13.25 son las siguientes:

I0
/b
IB
l/ce

= corriente alterna de
colector.
= corriente alterna de
base.
= corriente alterna de
emisor.
= tensin alterna entre colector y emisor.
tensin alterna entre base y emisor.

CURVAS CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR


En la figura 13.26 se representan, de forma simplificada, las curvas caractersticas de un transistor
PNP montado en circuito emisor comn. En estas curvas se puede apreciar la relacin existente
entre las diversas magnitudes elctricas del transistor.

13.26 Curvas caractersticas


de un transistor PNP.

As, la tensin entre colector y emisor (-VCE) depende de la corriente de colector (Jc); la co
rriente de colector (- I c) es, a su vez, funcin de la corriente de base (/ B); la corriente de base (JB)
depende de la tensin entre base y emisor (-\/BE) y, por ltimo, la tensin entre base y emisor
(-V BE) depende, en determinadas condiciones, de la tensin entre colector y emisor (-t/CE).
En resumen, la figura 13.26 se divide en las siguientes cuatro partes:
a) Cuadrante superior derecho: - I c = f(-VCE) para diferentes valores de - I B (caracterstica de
salida).
b) Cuadrante superior izquierdo: - I c = f { - I B) para un determinado valor de ^CE (caracterstica
de transferencia).

264

TRANSISTORES BIPOLARES

c) Cuadrante inferior izquierdo: - I B = f{-VBe) para un determinado valor de -V ce (caracterstica


de entrada).
d) Cuadrante inferior derecho: -V BE = f[-V CB) para diferentes valores de - I B (caracterstica de
reaccin).
En el caso de transistores NPN, se obtienen las mismas curvas caractersticas, con la nica di
ferencia del cambio de signo en todas ellas, como se puede apreciar comparando la figura 13.27
con la 13.26.

13.27
de un transistor NPN.

Curvas caractersticas

Adems de estas cuatro curvas caractersticas, los fabricantes de transistores proporcionan otras
que permiten estudiar el comportamiento de un determinado tipo de transistor bajo diversos esta
dos de funcionamiento. Todas ellas, as com o otros parmetros de inters para el profesional, se
estudian con detalle en los prrafos siguientes.

Curvas caractersticas de salida


En la figura 13.28 se han dibujado las curvas caractersticas de salida, o curvas de la intensidad de
colector en funcin de la tensin entre colector y emisor, I c = f{VCE), de un transistor de baja fre
cuencia PNP.
Curvas similares a la dibujada, con valores lgicamente distintos, se obtienen en cualquier tipo
de transistor bipolar PNP. Lgicamente, si es de tipo NPN los signos de polaridad estarn cambiados.
Mediante las curvas de la figura 13.28 el profesional puede conocer las variaciones que experi
menta la corriente de colector (Jc), en funcin de la tensin aplicada entre colector y emisor (\/CE),

13.28 Caracterstica de salida


de un transistor PNP.

265

COMPONENTES ELECTRNICOS

y para diferentes valores de la corriente de base ( Jg), trabajando el transistor con una temperatura
de unin (7") de 25 C.
Estas curvas se obtienen a temperatura ambiente constante de 25 C, puesto que, al igual que
cualquier otro dispositivo semiconductor, la temperatura ambiente influye sobre el funcionamiento
del transistor, com o ms adelante tendremos ocasin de comprobar.
De las curvas caractersticas de salida de la figura 13.28 se deducen los siguientes puntos de
terminantes del funcionamiento del transistor:
1. Para una corriente de base - I B pequea, por ejemplo de 50 pA (en el caso del transistor que
hemos tom ado de ejemplo), la corriente de c o le c to r- I c apenas si aumenta al aumentar la
tensin entre colector y emisor ' ' c e Efectivamente, en la figura 13.28 se puede leer que con una corriente de base de 50 pA, y
aplicando una tensin -V CE de 5 V, la corriente de colector es de aproximadamente 8 mA,
y con la misma corriente de base y una tensin -V CB de 15 V (tres veces superior), la c o
rriente de colector pasa a ser de unos 9 mA (slo 1 mA ms).
2. Para elevadas intensidades - I B, por ejemplo de 600 pA, la influencia de la tensin - \ / CE so
bre la corriente - I c de colector es algo ms elevada, lo cual puede com probarse en la fi
gura 13.28, ya que en ella - 7 C es de 70 mA para una -V CE de 5 V, y de 86 mA para - VCB de
15 V (siendo la corriente - I B constante en 600 pA).
3. Pequeas variaciones de la corriente de base se traducen en elevadas variaciones de la c o
rriente de colector, lo cual nos indica el poder amplificador de un transistor bipolar.

Resistencia de salida de un transistor


Se ha dicho que cuanto mayor sea la corriente de base mayor ser el valor de la variacin que se
obtiene en la corriente de colector, para iguales variaciones de tensin \/CE. Esto indica que la re
sistencia de salida de un transistor no es constante, sino que depende de la corriente de base.

13.29 Al aumentar la
corriente de base disminuye
la resistencia de salida del
transistor.

A Vrt

-t'cf(V)

Confirmemos esto que se acaba de exponer con ayuda de la figura 13.29, correspondiente a
un transistor NPN de baja frecuencia.
Para ello se supone, en principio, que el transistor recibe una tensin VCE de 5 V, y que la c o
rriente de base, en estado de reposo (sin componente alterna alguna), es de 50 pA.
Si desde el punto de la abscisa que corresponde a 5 V se traza una perpendicular que corte a
la curva I B = 50 pA, y desde este punto de interseccin se traza una perpendicular sobre la orde
nada, se obtienen los puntos A, A ' y A ", indicados en la parte inferior de la figura 13.29.

266

TRANSISTORES BIPOLARES

Si se aumenta la tensin ^CE hasta 15 V sin variar la corriente de base, y se procede de la misma
forma, se encuentran los nuevos puntos B, B y B" (asimismo en la parte inferior de la figura 13.29).
Si se prolonga el segmento A A, hasta que corte al segmento B'B, se obtiene el punto C de
corte de ambos segmentos (parte inferior de la figura 13.29).
Observando la figura se aprecia que los segmentos AB y AC forman el ngulo a.
La tangente de este ngulo a es igual a:
CB
lg a

CA

o, lo que es lo mismo:

tg a w

A "B '
AB

Como A B " representa una variacin de la corriente de colector (AI c) y A 'B ' una variacin de la
tensin entre colector y emisor (A\/CE), sustituyendo valores se tiene:

9 a

A "B

A lc

A 'B

AVCE

Rs

22

En esta frmula Bs es la resistencia de salida del transistor, y h22 la inversa de la misma,es decir, el
valor a pequea seal de la admitancia de salida en montaje emisor comn (entrada en circuito
abierto para la corriente alterna).
Veamos ahora, sobre la figura 13.29, el valor de la resistencia de salida (fg) del transistor cuan
do la corriente I B permanece constante en 50 pA, y la tensin ^CE sube de 5 a
15 V.
En este caso, y para ^CE = 5 V, la corriente de colector es de, aproximadamente, 12,5 mA,
mientras que cuando t7CE alcanza los 15 V la corriente de colector sube a 15 mA.
Con estos datos se obtiene una resistencia de salida de:

tg a =

A IC
c A/CE

1 5 m A - 1 2 ,5 m A

2,5 mA

15 V - 5 V

10 V

fs

De donde:
AVrc
Fts =

A lc

10 V
= ATT- * = 4 ^
2,5 mA

La admitancia de salida, que suele expresarse en pAA/, vale, en este caso:


A;c
=

2.500 pA
- iov
= 2 5 0 >lA A '

Los valores hallados corresponden a una corriente I B de 50 pA; para una corriente de base dis
tinta estos valores varan.
Efectivamente, supngase la parte superior de la figura 13.29, en la que se han obtenido los
mismos puntos que en la parte inferior pero para una corriente I B de 400 pA.
En esta circunstancia, las variaciones de tensin t/CE siguen siendo de 10 V, pero la corriente I c
vara ahora entre 75 y 88 mA, es decir, sufre un incremento de 13 mA.
La resistencia de salida vale ahora:
A\/ce
10 V
Bo = r - = - = 769 2
s
A Jc
13 mA

267

COMPONENTES ELECTRNICOS

y la admitancia de salida:

h22 -

AIq

13.000 gA

AV,CE

10 V ~~

= 1.300 \xAN

De todo lo expuesto se deduce que la resistencia de salida de un transistor disminuye ai au


mentar la intensidad de la corriente de base.

Ganancia de corriente
La ganancia de corriente de un transistor se define como la relacin entre la corriente de colector
(Jc) y la corriente de base ( B).
Existen dos parmetros indicativos de ia ganancia de corriente: uno hace referencia al funcio
namiento en corriente continua y el otro cuando el transistor trabaja com o amplificador de corrien
te alterna.
La ganancia en corriente continua se representa por hFB, y es igual al cociente de dividir la co
rriente continua obtenida en colector por la corriente continua aplicada a la base, es decir,

La ganancia en corriente alterna a pequea seal se representa por h.e, y es igual al cociente de
dividir la variacin de la corriente de colector (AI c) por la variacin de la corriente de base (A/g):

- -c
A /r

Veamos, mediante unos ejemplos, la diferencia entre ambos parmetros.


Para averiguar la ganancia en corriente continua y a pequea seal de un transistor se recurre
a las curvas caractersticas de salida (figura 13.30).
En el caso de la ganancia en corriente continua (FE) se traza una perpendicular sobre la absci
sa, que la corte en el punto que corresponda a la tensin ^CE del transistor. En nuestro ejemplo se
ha establecido una tensin VCE de 5 V (figura 13.30).
Esta perpendicular corta a todas las curvas caractersticas, por lo que si a partir de cada punto
de interseccin trazamos perpendiculares a la ordenada del sistema, se obtienen diferentes valo
res de I c para cada corriente I o de referencia.

13.30 Obtencin del valor de


la ganancia de corriente de un
transistor NPN a partir de las
curvas caractersticas de salida.

268

(V)

TRANSISTORES BIPOLARES

Asi, si se toma la curva correspondiente a una corriente de base de 50 pA, la intensidad de c o


rriente que se obtiene en colector es de unos 22 mA, y la ganancia en corriente continua ser:
Ic
22 mA

hf = ^ p - =
. =440
JB
50 pA
Para una corriente continua I B de 175 pA. la corriente de colector pasa a ser de 67 mA, y la ga
nancia en corriente continua ser ahora de:
FF=
Ig

SA
175 |iA

,,3

(un poco menos que para JB = 50 pA).


La ganancia en corriente continua vara para un mismo tipo de transistor segn la corriente I c
y la tensin t / ^ , por lo que los fabricantes suelen proporcionar en sus catlogos los valores mni
mo, tpico y mximo para una o dos corrientes de colector. As, por ejemplo, las ganancias tpicas
en corriente continua del transistor BC107B son, segn su fabricante, las siguientes:

Para una corriente


mnima es de 40 y
Para una corriente
mnima es de 200,

I c de 10 pA y una tensin ^C de 5 V, la ganancia en corriente continua


la tpica de 150.
I c de 2 mA y una tensin VCE de 5 V, la ganancia en corriente continua
la mxima de 450, y la tiplea de 290.

Para el estudio de la ganancia a pequea seal [hte) de un transistor utilizaremos las mismas
curvas caractersticas de salida de la figura 13.30.
En este caso tambin se supone una tensin colector-emisor de valor constante (VCE = 5 V),
pero la corriente de base varia entre dos limites, que en nuestro caso hemos establecido entre 50
y 200 pA.
La forma de clculo es muy similar a la anterior, ya que tambin se traza una perpendicular a la
abscisa en el punto correspondiente a la tensin t/ce que se toma com o referencia (5 V). Esta per
pendicular corta a las dos curvas extremas I B correspondientes a los valores mximo y mnimo de
la corriente de base (en nuestro ejemplo 50 y 200 pA).
A continuacin se trazan proyecciones desde las intersecciones obtenidas hasta la ordenada,
con lo cual se obtienen dos nuevos puntos que corresponden, respectivamente, a las siguientes
corrientes de colector (figura 13.30):
Para una / B de 50 pA: I c = 22 mA.
Para una I B de 200 pA: 7C = 75 mA.
Las variaciones de corriente en estos electrodos sern:
A I B = 200 pA - 50 pA = 150 pA
A / c = 75 mA - 22 mA = 53 mA
La ganancia de corriente a pequea seal tiene en este caso un valor de:

10

A/c_ = 53 mA
A /B
150 pA

Los fabricantes indican en sus catlogos los valores tpico, mnimo y mximo de te correspon
dientes a una frecuencia dada (que suele ser de 1 kHz), y para una corriente de colector y tensin
entre colector y emisor dadas.
As, los valores mnimo, mximo y tpico de ,e del transistor BC107B son, segn su fabricante,
los siguientes:

269

COMPONENTES ELECTRNICOS

Para una corriente I c de 2 mA, una tensin VCE de 5 V, y una frecuencia de 1 kHz, la ganancia
mnima en corriente alterna a pequea seal es de 240, la mxima de 500, y la tpica de 330.

En el caso de transistores de potencia, la ganancia de corriente en circuito emisor comn dis


minuye cuando aumenta la corriente de reposo de colector. Esto se debe a que las curvas carac
tersticas de salida I c = f(VCE) de un transistor de potencia difieren de las de un transistor de pe
quea potencia en que la separacin existente entre las curvas no es constante para una misma
variacin de corriente, tal y como se aprecia en la grfica de la figura 13.31.

13.31 En los transistores de


potencia, la ganancia de corriente
en montaje emisor comn
disminuye cuando aumenta la
corriente de reposo de colector.

2 4

6 8 10 12 14 16 18 20 -Vce (V)

En las curvas de la figura 13.31 se puede leer que, para una tensin ^CE de 10 V, al variar la co
rriente de base de 0,5 a 1 mA las variaciones de corriente de colector lo hacen desde unos 33 a
54 mA, por lo que en este caso la ganancia hie vale:
5 4 m A - 3 3 m A _______
21 mA _
h = A I ^r i _______________
le A I B1
1 m A -0,5m A
0,5 mA

40

Si las variaciones de la corriente de base se sitan entre 1 y 1,5 mA, las variaciones de corriente en
colector lo hacen entre 54 y 70 mA, siendo en este caso la ganancia de corriente a pequea seal de:
70 m A - 5 4 m A ________
16 mA 3 2
h A I C2
_______________
fe A I B2
1,5m A -1m A
0,5 mA
De esto se deduce que cuanto ms cerca est la seal de entrada del valor JB = 0, y a igual
dad de amplitud de la seal de entrada, mayor ser la ganancia del transistor.

Tensin de codo
La tensin de codo (VCEK) de un transistor se define como la tensin \/CE que corresponde a una va
riacin brusca de la resistencia de salida.
Para el estudio de este parmetro se recurre a las curvas caractersticas de salida del transistor.
Utilizaremos la c u rv a - I c = f{-VCE) que se muestra en la figura 13.32, correspondiente a un transis
tor PNP imaginario. En ella se aprecia que, para bajas tensiones VCE, existe un codo a partir del
cual la corriente I c decrece rpidamente.
Supongamos un transistor que funciona con una tensin colector-emisor de 5 V, y una corriente de
base de 60 |uA. En esta circunstancia la corriente de colector ser, segn la figura 13.32, de unos 4,4 mA.
La horizontal que pasa por el punto A forma con la curva caracterstica - JB = 60 gA un ngulo
a que define la resistencia de salida del transistor, es decir:
1

270

TRANSISTORES BIPOLARES

- I c (mA)
10

i =80 viA

8
1

13.32 La tensin de codo


es el valor 7V correspondiente
a un cambio brusco de la
resistencia de salida del transistor.

6
5

4
3

1 2 3 4 5 6 7 8 9

10 -l/f f (V)

Dado que en este punto el ngulo a es pequeo, tambin lo es la tangente del mismo, por lo
que el valor de la resistencia de salida f l s ser elevado.
Por el contrario, en el punto B. correspondiente a una tensin - l / CE igual a 0,2 V, una corriente
- I c de 3,5 mA, e idntica corriente - I B de 60 pA, la tangente del ngulo 3 es mucho mayor, sien
do por tanto de pequeo valor la resistencia de salida Rs del transistor.
La tensin de codo (t/CEK) se define as como la tensin colector-emisor que corresponde a una
variacin brusca de la resistencia de salida.
Para todos los valores de la tensin colector-emisor inferiores a la tensin de codo (~\/CEK) la re
sistencia de salida de! transistor es por tanto muy baja, y tambin lo ser la potencia disipada en l.

Corriente residual
La corriente residual o de fugas ( - / CE0) est causada por los aumentos de temperatura, y su c o
rrecta interpretacin y estudio evitar posibles distorsiones de la seal de salida del transistor.
Esta corriente vara considerablemente cuando aumenta la temperatura, por lo que es preciso
tenerla en cuenta al proyectar todo nuevo circuito.
En figura 13.33 se han dibujado con lnea continua las curvas caractersticas de salida de un
transistor cuando trabaja con una temperatura de unin (T de 25 C, y con lnea a trazos las mis
mas curvas cuando la temperatura de la unin sube a 35 C. Resulta evidente que, a igualdad de

150

T, = 2 5 C

- I rc

7>35C

(mA)

- ' - I e = 7 .0 0 0 p A

10

- l/ Cf(V)

20

13.33 Al aumentar la temperatura


aumenta la corriente residual del
transistor, por lo que el resultado
es como si las curvas
caractersticas de salida se
desplazasen hacia arriba.

271

COMPONENTES ELECTRNICOS

tensin -V CB y de corriente - I BE,


unin sube de 25 a 35 C, lo cual
La corriente residual se define
peratura de funcionamiento dada,

la corriente de colector es mayor cuando la temperatura de la


puede provocar distorsin en la seal que se est amplificando.
por tanto como la corriente de colector mnima para una tem
cuando la corriente de base es igual a 0 A.

Curvas caractersticas de transferencia


En la figura 13.34 se muestra la curva caracterstica I c = f ( I B) para una tensin VCZ = 4 V, o curva
caracterstica de transferencia de un transistor NPN.
Para obtener esta curva se aplica al transistor una tensin VCE de valor fijo, y se vara la corrien
te de base desde 0 hasta un valor determinado (0,6 mA en el caso de la figura 13.34).

13.34 Curva caracterstica de


transferencia de un transistor NPN.

0,4

0.6

I B(mA)

Para cada corriente JB se obtiene, lgicamente, un valor de corriente de colector (7C), por lo que
trasladando los valores obtenidos a un sistema de coordenadas cartesianas se obtiene una curva
igual o similar a la de la figura 13.34.
Con esta curva se aprecia perfectamente el curso de I c para diferentes valores de I B, con lo
cual resulta muy fcil deducir las ganancias de corriente hFE y hfe del transistor.
Finalmente diremos que la curva de la figura 13.34 corresponde
a untransistor NPN, y que en
el caso de transistores PNP la curva
sera la misma pero los valores
de I 0,I B y VCE tendran sig
negativo.
Veamos ahora cm o se obtienen las ganancias de corriente (hFE y he) de un transistor a partir
de las curvas caractersticas de transferencia. Para ello, en la figura 13.35 se ha trazado una curva
caracterstica- I c = f ( - I de un transistor PNP imaginario.
Para obtener la ganancia en corriente continua del transistor (rFE) basta con tomar un valor cual
quiera de la corriente de base, por ejemplo 50 |iA (punto A ' de la figura 13.35), y a partir de l se
traza una normal al eje de abscisas hasta que corte a la curva caracterstica en el punto A.
Desde el punto A se traza una perpendicular sobre el eje de ordenadas, leyndose en ste el
valor de la corriente I c que corresponde a la corriente JB antes citada (punto A de la figura 13.35),
y que en nuestro caso es de 3 mA.
Con estos datos se puede calcular la ganancia en corriente continua del transistor, que en nues
tro ejemplo es de:
Ic
hFE = ^ =
IB

272

3 mA

. = 60
50 (iA

TRANSISTORES BIPOLARES

13.35 Forma de obtener la


ganancia de corriente de un
transistor, a partir de la curva
caracterstica de transferencia.

~h

(mA)
10

B"
loT'v A
C\ 1
i

N.

A'

B'\

100 90 80 70 60 50 40 30 20 10

Para obtener la ganancia en corriente alterna (/?fe) debe tomarse otra corriente de base y de co
lector, por ejemplo las de los puntos B ' y B " de la figura 13.35, y que corresponden a una - J B de
70 l i A y una - I c de 4 mA.
Como la ganancia de corriente en alterna de un transistor vale:
A/c

h- = ,e
AU
se puede escribir con referencia a la figura 13.35:

tg a =

BC

B "A

jA/c

B A '

A/p

Sustituyendo ahora A / c y A JB por sus correspondientes valores se tiene:

Ir

4 mA - 3 mA

1 mA

AIB

70 pA - 50 pA

20 pA

= 50

De todo esto se deduce que la pendiente de la curva caracterstica de transferencia expresa las
ganancias de corriente del transistor, siendo tanto mayor la ganancia cuanto mayor sea la pen
diente.
El caso expuesto es siempre cierto en transistores de pequea potencia, ya que la pendiente de
la curva caracterstica de transferencia en estos transistores es lineal y, en consecuencia, la ganan
cia de corriente apenas vara al cambiar la corriente que circula por la base.
No sucede lo mismo con los transistores de gran potencia, cuya pendiente de la curva - / c = f ( - / B)
adopta la forma representada en la figura 13.36, es decir, una lnea ms o menos curva.
En el caso de la figura 13.36, cuando la corriente I B vara entre 0,8 y 1 mA, la corriente I c lo
hace entre 55 y 62 mA, mientras que cuando la corriente de base vara entre 1,8 y 2 mA, la de c o
lector lo hace entre 81 y 84 mA.
Por lo tanto, en el primer caso la ganancia de corriente en alterna vale:

K = tg a =

BC_

B "A "

A Ir

62 mA - 55 mA

7 mA

CA

B 'A

A/p

1 mA - 0,8 mA

a 2 m

= 35

En el segundo caso la ganancia de corriente en alterna vale:

fe =

tg

O. =

EF

ETD "

~FD

~EVr

A /c

84 mA - 81 mA

3 mA

A/

2 mA - 1,8 mA

0,2 mA

= 15

273

COMPONENTES ELECTRNICOS

- hC

13.36 En los transistores de


potencia, la curva caracterstica
de transferencia es menos lineal
que en los de pequea potencia,
lo cual indica que la ganancia vara
mucho ms segn la corriente
que circula por la base.

(mA)
100
90
80
70
60
50
40
30
20

10
- I B(mA) 2,0 1,8 1,6 1,4 1,2 1,0 0,8 0,6 0,4 0,2

En resumen: En los transistores de potencia, para iguales variaciones de la corriente de base, la


ganancia de corriente en alterna disminuye al aumentar la corriente de colector.

Curvas caractersticas de entrada


En la figura 13.37 se representan las curvas caractersticas de la variacin de la corriente de base
(7b), en funcin de la variacin de tensin entre base y emisor (-VBE), para dos valores de la ten
sin colector-emisor (-t/CE), de un transistor PNP, o curvas caractersticas de entrada del transistor.
En el caso de transistores NPN las curvas son idnticas pero con los signos de las magnitudes
cambiados.

-lg

(nA)

9 0 0 8 0 0 7 00 6 0 0 5 0 0 4 0 0 3 0 0 2 0 0 100

80
160
240
320
400
480
560
640
720
800

13.37 Curvas caractersticas de


entrada de un transistor PNP.

Para trazar estas curvas se aplica al transistor una tensin -V cs de valor fijo (en nuestro caso
4 V para la primera curva y 8 V para la segunda), y luego se vara la tensin aplicada a la base
entre 0 V y un valor determinado, que en nuestro ejemplo hemos fijado en 800 mV.
Para cada tensin - V BE se obtiene un valor de - I B, por lo que llevando estos valores a un sis
tema de coordenadas cartesianas se obtienen las curvas de la figura 13.37.
Se puede obtener una familia de curvas tan amplia como se desee, bastando para ello con apli
car tantas tensiones - t / CE como curvas se desee obtener.
En la figura 13.37 se puede leer que cuanto mayor sea la tensin -V CE mayor debe ser la ten
sin - V ' b e para obtener la misma intensidad de base - I B,

274

TRANSISTORES BIPOLARES

Resistencia de entrada del transistor


Con las curvas caractersticas de entrada de un transistor es posible determinar la resistencia de
entrada del transistor.
En la figura 13.38 se ha dibujado la curva caracterstica de entrada de un transistor PNP, para
una tensin -V CE fija.

- / s(nA)

1.500

1.000

500

13.38 Obtencin del valor


de las resistencias de
entrada de un transistor,
para dos variaciones de la
tensin l/BEy una tensin
invariable.

Se considera que la tensin de polarizacin de base, en condiciones de reposo, es -V BE = 520 mV.


En esta circunstancia, la corriente I B es de 200 nA (figura 13.38).
Desde el punto A de la figura 13.38 se traza una paralela al eje - I B, y una tangente a la curva
tambin en el punto A.
El ngulo a, formado por la horizontal y la tangente, es igual a la resistencia de entrada del tran
sistor para la tensin dada - V BE.
Si se aumenta la corriente I B a 500 joA (punto B en el eje - I B), y se traza desde este punto
una perpendicular al eje - I Bque corte ala horizontal y a la tangente en los puntos C y S respec
tivamente, se obtiene (proyectando B sobre el eje VBE), una tensin de 680 mV (punto B' de la fi
gura 13.38).
La resistencia de entrada de un transistor se define com o el resultado de dividir las variaciones
de la tensin base-emisor por las variaciones de la corriente de base, es decir,
_ ^ be
- t 7

r*

Y como:
AYbe
B 'A
BC
= ---------- = ------- = tq o.
A IB
B "A "
CA y
se confirma que:
Re = tg a
En nuestro ejemplo la resistencia de entrada del transistor vale:
-

AVbe = 680 mV - 520 mV = 160 mV


A IB
500 pA - 200 JliA
300 yA

275

COMPONENTES ELECTRNICOS

En resumen, y tal como se ha confirmado, la pendiente de la caracterstica - I B = f(-VBE) define


la resistencia de entrada de un transistor para una tensin - \ / BE dada.
Esta resistencia de entrada vara segn los valores de - \ / BE, ya que la curva caracterstica de en
trada no es lineal.
Veamos ahora qu variaciones sufre la resistencia de entrada de un transistor en funcin de la co
rriente I c. Para ello se utiliza la misma curva caracterstica - I B = f(-VBE) de la figura 13.38, pero to
mando un valor de 720 mV com o tensin de polarizacin
(punto D' de la figura 13.38), al cual
le corresponde una intensidad de base de 800 pA.
Si, en esta circunstancia, se hace subir la corriente de base el mismo valor que en el caso an
terior, es decir, 300 ,uA, de forma que se alcance u na - I B de 1.100 pA, la tensin -V BE sube a 760 mV
(punto E de la figura 13.38), por lo que la resistencia de entrada pasa a valer:
FE
R^

ED'

t 9 a = FD = F T T

At/pE

= A /b =

760 mV - 720 mV

40 mV

1.100 pA - 800 |iA

300 pA

130 Q

Es decir, dos veces y media menor que en el caso anterior.


De lo expuesto se deduce que la resistencia de entrada de un transistor disminuye cuando
aumenta la corriente de colector, ya que un aumento de I c es siempre consecuencia de un aumen
to de la corriente de base.
Inversamente, y com o es lgico suponer, la resistencia de entrada de un transistor aumenta
cuando disminuye la corriente de colector.
La mayor o menor curvatura de la caracterstica de entrada de un transistor marca, pues, el ma
yor o menor inconveniente para la utilizacin del mismo.

Curvas caractersticas de reaccin


La figura 13.39 corresponde a una familia de curvas caractersticas ^BE = f(VCE) para diferentes va
lores de I 3, o curvas caractersticas de reaccin, de un transistor NPN. En el caso de un transistor
PNP la familia de curvas sera la misma pero con los signos de las magnitudes cambiados.

Vce

80
160
240

iI *S = 200A

320
400

I s = 400\iN
ts

480
560
640
720

13.39 Curva caracterstica de


reaccin de un transistor NPN.

Ksf

v
-

... j a

' h

(mV)

Con estas curvas caractersticas, se determina la tensin VCE del transistor al aplicarle una de
terminada tensin VBE.
Debido a la poca inclinacin de las curvas, cualquier pequea variacin de la tensin VBE se tra
duce en elevadas variaciones de la tensin VCE.

276

TRANSISTORES BIPOLARES

13.40 Forma de determinar la


realimentacin interna de un
transistor con ayuda de las curvas
caractersticas de reaccin.

Mediante estas curvas tambin se puede determinar la realimentacin interna (h12e) del transis
tor, la cual viene definida por la igualdad (figura 13.40):

' 12b

At4B E
A t/

a V CE

es decir, como la relacin entre las variaciones de las tensiones base-emisor y colector-emisor.
El punto A " de la figura 13.40 corresponde a una tensin VCE de 5 V. Esta tensin es la de re
poso del transistor, es decir, cuando a su base slo se le aplica la tensin continua de polarizacin.
La perpendicular desde el punto A " (en el eje -V CE) corta la caracterstica - I B = 100 j.iA en el
punto A.
Trazando una paralela al eje -V CB que pase por el punto A, se obtiene en el eje - V^ el punto A ' ,
correspondiente a una tensin VBE (en reposo) de 600 mV.
Si la tensin VC sube a 10 V, y se procede de igual forma que com o se ha hecho con la tensin
- t / Cf: de 5 V, se encuentran los nuevos puntos f", B y B ' (figura 13.40), y que corresponden a una
tensin l/0E de 700 mV.
Prolongando la horizontal A'A hasta que corte la recta B"B, el punto de interseccin de las mis
mas es el punto C que se indica en la figura 13.40. La tangente del ngulo a vale:

CB
A'B'
g a ~ ~C = ^B"
Y c o m o / v e ' representa las variaciones de la tensin base-emisor, y A "B " las variaciones de la
tensin colector-emisor, se deduce que:

19 =
por lo que la realimentacin interna es igual a la tg n.
Cuanto mayor sea el ngulo que forma la horizontal con la curva caracterstica mayor ser el va
lor de la realimentacin interna del transistor.

Curva caracterstica Ptot = n r amb)


La curva caracterstica P,ol rnx = f(Tamb) de un transistor indica la potencia mxima admisible en el
colector en funcin de la temperatura ambiente.
En la figura 13.41 se ha dibujado la curva caracterstica P,0!mx = f(Tamb) correspondiente a los
transistores BC337, BC337A y BC338.

277

COMPONENTES ELECTRNICOS

13.41 Curva caracterstica de la


potencia mxima de disipacin de
colector de los transistores BC337,
BC337A y BC338 en funcin de
la temperatura ambiente.

De la lectura de esta curva caracterstica se deduce que los transistores BC337, BC337A y
BC338 admiten una potencia mxima de 800 mW, siempre y cuando trabajen a una temperatura
ambiente por debajo de 25 C. En cuanto la temperatura sobrepase los 25 C, cada vez ser me
nor la potencia que pueden disipar, so pena de estropearse. As, a 50 C la potencia mxima que
pueden soportar estos transistores es de 640 mW, y a 150 C la potencia que pueden soportar es
cero, es decir, a 150 C el transistor se destruye.
De esta curva se deduce tambin que todo transistor que trabaje a una Tamb de 25 C posee un
lmite de potencia que no debe nunca ser sobrepasado. En el caso de los transistores BC337,
BC337A y BC338, la potencia lmite es de 800 mW. En otros transistores esta potencia mxima
puede tener un valor distinto, por lo que al sustituir un transistor por otro siempre se debe com
probar si el nuevo tipo es capaz de soportar la potencia que proporcionaba el anterior.
Por los mismos motivos, y teniendo en cuenta que la potencia de disipacin mxima es igual al
producto:
P W mx = '/ c e

al disear un circuito o aparato se debe tener mucho cuidado que el producto de la tensin colec
tor-emisor que soporta el transistor, por la Intensidad de corriente de colector mxima que por l
deba circular, no sobrepase el valor de potencia mxima que indica el fabricante en su catlogo.
As, por ejemplo, el transistor BC107 es capaz de disipar una potencia mxima de tan slo 300 mW
a 25 C. Ello quiere decir que si al citado transistor se le aplica una VCE de 3 V, la corriente mxima
de colector que admitir sin destruirse (a 25 C) es de:

ic -

tot mx

v,CE

300 mW
3V

= 100 mA

por eso, las cun/as caractersticas de salida no suelen dibujarse ms all de los valores lmites que
puede soportar el transistor.
En to d o s los casos se ha considerado una tem peratura uniform e de la cpsula (7case) de
25 C, lo cual nos Indica que mientras la temperatura ambiente est por debajo de la tem pera
tura de la cpsula, el transistor podr radiar calor al medio ambiente y, por lo tanto, podr funcio
nar a la mxima potencia por l admitida. Al aumentar la tem peratura por encima de los 25 C,

278

TRANSISTORES BIPOLARES

cada vez resulta ms difcil la radiacin de calor y, por lo tanto, el transistor debe trabajar con me
nores potencias.
Como resumen de todo lo expuesto, la potencia mxima que puede suministrar un transistor es
tanto menor cuanto mayor sea la temperatura ambiente en la que trabaje.
La potencia mxima admitida por un transistor puede aumentarse dotndolo de radiadores de
calor, cuyo estudio se desarrolla en el captulo 16 de este libro.
Para establecer una relacin exacta entre la potencia disipada por el transistor y la temperatura
ambiente, es necesario tener en cuenta:
a)
b)
c)
d)

La temperatura ambiente del lugar donde ha de trabajar el transistor.


La capacidad trmica del transistor.
El coeficiente de conductividad trmica del transistor.
Las variaciones de la potencia elctrica en funcin dei tiempo.

Todos estos parmetros se estudian en el captulo 16, dedicado a los radiadores de calor.

Frecuencia de transicin
La frecuencia de transicin se define como el producto de la ganancia por el ancho de banda.
Esta frecuencia de transicin depende de las condiciones de funcionamiento del transistor, razn
por la cual los fabricantes suelen facilitar en sus catlogos las curvas caractersticas de ia frecuen
cia de transicin (fT) en funcin de la intensidad de corriente de colector ( I c) y de la temperatura de
la unin (T).

I c (mA)

13.42 Curva caracterstica de la


frecuencia de transicin en funcin
de la corriente de colector,
para tres tensiones
y una
temperatura de unin de 25 C.

En la figura 13.42 se han dibujado las curvas caractersticas fT = f( I c) del transistor 2N3553,
para una temperatura de unin (7j) de 25 C. En estas curvas se comprueba que el valor de la fre
cuencia de transicin aumenta ligeramente al aumentar la tensin \/CE aplicada al transistor.
Por otro lado, con una corriente de colector I c de 125 mA se obtiene el mximo valor de fT, el
cual desciende por encima y por debajo de dicho valor de corriente.
La curva de la figura 13.42 hace referencia a una temperatura de unin constante a 25 C, lo
cual no siempre es posible, por lo que los fabricantes facilitan tambin la curva caracterstica de la
frecuencia de transicin en funcin de la temperatura de la unin, para una l/CE y una I c constan
tes, tal y com o se muestra en la figura 13.43, correspondiente al mismo transistor 2N3553. En esta

279

COMPONENTES ELECTRNICOS

13.43 Curva caracterstica


h = f(T) para una Vct de 28 V
y una I c de 125 mA.

MC)
ltima grfica se comprueba que el valor de la frecuencia de transicin crece ligeramente ai aumen
tar la temperatura de la unin de 25 C a unos 65 C, y desciende despus para temperaturas por
encima de los 65 C.

Otras curvas caractersticas del transistor


Las curvas caractersticas estudiadas son las ms importantes para entender el comportamiento
de un transistor en un circuito; sin embargo, existen otras que pueden considerarse de menor in
ters, aunque han de tenerse en cuenta en determinados casos.
La exposicin detallada de todas ellas alargara innecesariamente este captulo, ya que consi
deramos al lector lo suficientemente preparado para efectuar la lectura de cualquier curva sobre un
sistema de coordenadas cartesianas.
Por esta razn, nos limitamos a mostrar, a ttulo de ejemplo, las curvas caractersticas de las fi
guras 13.44 a 13.56, correspondientes a un transistor de silicio planar epitaxial NPN para RF, indi
cando en el pie de cada figura la denominacin de la curva y las condiciones de trabajo del tran
sistor en las que se han efectuado las mediciones.

/.(mA)

13.44 Capacidad de entrada en funcin de la


intensidad de corriente de colector, para diversos
valores de la tensin l/CB (7= 10,7 MHz; Tmb - 2 5 C).

280

13.45 Conductancia de entrada en funcin de la


intensidad de corriente de colector, para diversos
valores de la tensin l/C8 (f= 10,7 MHz; Tam) = 25 C).

TRANSISTORES BIPOLARES

13.47 Admitancia de transferencia en montaje emisor


comn, en funcin de la intensidad de corriente de
colector (VCB= 3 a 10 V; f = 10.7 MHz; Tmb = 25 C).

13.46 Ganancia de potencia ptima, en montaje


emisor comn, en funcin de la intensidad de corriente
de colector para diversos valores de la tensin
Ifo (f = 10.7 MHz; Tmb = 25 C).

13.48 Conductancia de salida en montaje emisor


comn, en funcin de la intensidad de corriente
de colectores para diversos valores de la tensin
Vm (f = 10,7 MHz; Tamt = 25 C).

13.49 Capacidad de reaccin en montaje emisor


comn, en funcin de la tensin l/CB (1 = 10.7 MHz;
I c =1 a 10mA;T3mb=25C).

Se
(mS)

/.-(mA)

13.50 Capacidad de salida en montaje emisor


comn, en funcin de la intensidad de corriente
de colector para diversos valores de la tensin
Vm (f = 10.7 MHz; Tmb = 25 C).

13.51 Conductancia de entrada en montaje emisor


comn, en funcin de la intensidad de corriente
de colector para dos valores de l/,-B (f = 100 MHz;
Tm, = 25C).

281

COMPONENTES ELECTRNICOS

13.52 ngulo de admitancia de transferencia directa


en funcin de la intensidad de corriente de colector
(VCB = 3 a 10 V; f = 100 MHz; 7mt) = 25 C).

13.53 Mdulo de la admitancia de transferencia


directa en montaje emisor comn, en funcin de
la intensidad de corriente de colector para dos

13.54 Capacidad de entrada en montaje emisor


comn, en funcin de la intensidad de corriente
de colector para dos valores de l/CB (f =100 MHz;
7"amb = 25 C).

I c {mA)

(PF)
2.5

1.5

7 8

M mA)

13.55 Capacidad de salida en montaje emisor comn,


en funcin de la intensidad de corriente de colector para
diversos valores de l/CB (f =100 MHz; Tmb = 25 C).

282

7 8

I c(mA)
13.56 Conductancia de salida en montaje emisor comn,
en funcin de la intensidad de corriente de colector para
diversos valores de VCB (f = 100 MHz; Tmb = 25 C).

TRANSISTORES BIPOLARES

ELECCIN DEL TRANSISTOR ADECUADO


Son miles los transistores que, con caractersticas distintas, se fabrican actualmente, por lo que la
eleccin del ms adecuado para una determinada aplicacin depende de las caractersticas del cir
cuito en donde deba trabajar.
As, en la eleccin del transistor hay que tener presente los siguientes criterios relacionados con
el circuito donde se disponga:

Alta o baja frecuencia.


Alta, media o pequea potencia.

A continuacin, se debe seleccionar el transistor (germanio o silicio), teniendo presente que la


tensin base-emisor de los transistores de silicio, para bajas corrientes, es de 0,6 a 0,7 V, mientras
que en los de germanio es de 0,1 a 0,2 V (figura 13.57).

13.57 Caractersticas tpicas


de un transistor de germanio
y otro de silicio.

La diferente ^BE equivale a una diferencia de la tensin de partida, pero el grado de variacin de
la corriente en funcin de la tensin \/BE, por encima de este valor de partida, es igual para ambos
tipos de transistores.
La nica consecuencia de esta diferencia en l/Be es que, en el caso de un circuito con polariza
cin convencional, se precisa una mayor cada de tensin en la resistencia de emisor de los tran
sistores de silicio para que stos entren en zona de conduccin.
Una vez efectuada esta preseleccin, debe elegirse, de entre todos los transistores existentes
en el comercio, aquellos que responden a la ganancia que se desea obtener.
Finalmente, y teniendo en cuenta las condiciones de trabajo, se selecciona el transistor ms
adecuado, para lo cual resulta de sumo inters recurrir al estudio de las curvas caractersticas de
los transistores posibles.
En el caso de transistores de potencia, los fabricantes suministran las curvas SOAR (Safe Operating Area, o rea de funcionamiento de seguridad), de las que se ofrece un ejemplo en la figura 13.58.
Los grficos SOAR ofrecen al profesional los valores lmites de corriente, tensin, potencia y
temperatura, en los que puede funcionar un determinado transistor de potencia.
El rea formada por todos los parmetros citados, aadiendo una cuarta condicin lmite para
la segunda ruptura, constituye el rea de funcionamiento de seguridad del transistor.
As, en la figura 13.58 la corriente I c lmite es de 20 A, siempre y cuando la tensin t/C no so
brepase los 10 V.
Entre 10 y 20 V de VCE el rea de seguridad viene limitada por la potencia total de disipacin, la
cual es de 200 W en el caso de la figura 13.58.
Estos dos valores ( I c y P.oX) estn relacionados con el efecto de la temperatura en el chip y en
la cpsula.El tercer lmite es el de la segunda ruptura.

283

COMPONENTES ELECTRNICOS

13.58 Grfico SOAf de limites


de funcionamiento de un
transistor de potencia.

100
c
(A)
Limite de P,0,

10

Limte de segunda
ruptura

Limite de
( V c tO im tx )

0.1

Efectivamente, si la corriente de colector pudiera aumentar sin lmite, despus de la ruptura en


avalancha se producira una segunda ruptura, la cual se debe a una elevada densidad de corriente
en algn lugar dentro del chip del transistor y, com o consecuencia, una elevada temperatura que
puede provocar una modificacin de la distribucin de las Impurezas, e incluso una fusin local a
travs de la unin. Por consiguiente, y aunque el producto V0f: I c est por encima de los valores l
mites de la segunda ruptura, el transistor no debe trabajar sobrepasando esta lnea.
Finalmente, el cuarto lmite viene dado por la tensin VC. que en el caso de la figura 13.58 es
de unos 55 V como mximo.
En el caso de tener que sustituir un transistor por otro, deben tenerse presente los siguientes puntos:

Si el transistor est montado en circuito emisor comn, el nuevo transistor ha de poseer una
ganancia h.e de igual valor, con una tolerancia de 30 %. Si el montaje es en base comn,
no cabe preocuparse de este parmetro*.
La resistencia ha de ser igual o mayor.
El coeficiente de realimentacin negativa interna b ,2e deber ser igual o menor.
La conductancia de salida n22e ha de ser casi igual o inferior.

CDIGOS DE DESIGNACIN DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES


Existen varios cdigos de designacin de transistores: los ms importantes son el JEDEC (ameri
cano), el europeo antiguo, el Pro Electron (europeo actual) y el JIS (japons). A continuacin se ex
pone cada uno de ellos.

Cdigo JEDEC (norteamericano)


En el cdigo JEDEC, los transistores, sea cual sea la aplicacin de los mismos, se designan por el
prefijo 2N (dos uniones) seguido de un nmero de serie de cuatro o ms dgitos, que corresponde
a un modelo dado y es facilitado por el fabricante.

1. Se dice que un transistor est en montaje emisor comn cuando la seal que se desea amplificar se apli
ca entre base y emisor, y la seal amplificada se obtiene entre los electrodos de colector y emisor. De igual for
ma, un montaje en base comn es aqul en el cual la seal a amplificar se aplica entre emisor y base, y la se
al de salida se obtiene entre colector y base.

284

TRANSISTORES BIPOLARES

Cdigo europeo antiguo


En la nomenclatura europea antigua, se utilizan dos o tres letras seguidas de un nmero para desig
nar un tipo o modelo en particular, pero de forma que no se aclaran sus caractersticas generales.
La primera letra siempre es una O, indicativa de que se trata de un elemento semiconductor, La
segunda letra es una C, indicativa de que se trata de un transistor.

Cdigo Pro Electron


Esta nomenclatura es bastante ms acertada que las anteriores, pues no slo permite identificar un
determinado tipo de transistor sino que, adems, mediante ella se deducen sus aplicaciones.
Consta de dos letras seguidas de un nmero de serie. La primera letra distingue el material se
m iconductor utilizado, emplendose una A para los transistores de germanlo, una B para los de si
licio y una C para los de galio.
La segunda letra indica la aplicacin del transistor, segn el siguiente cdigo:
C = Transistor para baja frecuencia, con una resistencia trmica entre unin y fondo de cpsula ( f l th j. m b ) superior a 1 5 C/W.
D = Transistor de potencia para baja frecuencia, con una resistencia trmica entre unin y fon
do de cpsula (Rmj.mb) igual o inferior a 15 C/W.
F = Transistor para alta frecuencia, con una resistencia trmica entre unin y fondo de cpsula
(F?thj.mb) superior a 15 CAA/.
L = Transistor de potencia para alta frecuencia, con una resistencia trmica entre unin y fon
do de cpsula (F?m,.mb) igual o inferior a 15 CAA/.
S = Transistor para aplicaciones de conmutacin, con una resistencia trmica entre unin y fon
do de cpsula
superior a 15 CAA/.
U = Transistor de potencia para aplicaciones de conmutacin, con una resistencia trmica en
tre unin y fondo de cpsula (f?,h|.mb) igual o inferior a 15 CAA/.
El nmero de serie est formado por tres cifras para los transistores diseados para su aplica
cin en aparatos de consumo (radio, televisin, etc.); y por una letra y dos cifras para los transisto
res diseados para aplicaciones industriales y profesionales.

Cdigo JIS (japons)


El cdigo JIS est formado por dos letras y un nmero de serie de cuatro o ms dgitos.
La primera letra siempre es una S, Indicativa de que se trata de un dispositivo semiconductor
de silicio.
La segunda letra especifica el tipo de transistor, segn el siguiente cdigo:
A
B
C
D

= Transistor
= Transistor
= Transistor
= Transistor

PNP para alta frecuencia.


PNP para baja frecuencia.
NPN para alta frecuencia.
NPN para baja frecuencia.

Cdigo com plementario para indicar la ganancia del transistor


Adems, es muy usual aadir un cdigo complementario que indica la ganancia del transistor. Exis
ten cuatro tipos de cdigos complementarios de esta clase:
Literal:
A = 110 a 220.
B = 200 a 450.
C = 420 a 800.
Punto de color:
Rojo = 55 a 100.
Naranja = 90 a 180.

285

COMPONENTES ELECTRNICOS

Amarillo = 150 a 300.


Verde = 235 a 470.
Numrico:
6 = 40 a 100.
1 0 = 60 a 160.
1 6 = 100 a 250.
25 = 160 a 400.
40 = 250 a 600.
Nmeros romanos:
11 = 12,5 a 25.
III = 20 a 40.
IV = 30 a 60.
V = 50 a 100.
VI = 75 a 150.
VII = 125 a 250.
VIII = 180 a 310.
IX = 250 a 460.
X = 380 a 630.

286

Transistores unipolares

Captulo 14

INTRODUCCIN
Los transistores unipolares basan su funcionamiento en las propiedades de las uniones PN polariza
das en sentido inverso, por lo que se trata de un componente de portadores mayoritarios. Los tran
sistores bipolares, por el contrario, basan su funcionamiento en una combinacin de uniones PN
polarizadas en sentido directo o inverso, es decir, es un componente de portadores minoritarios.
Dentro del grupo de los transistores unipolares se distinguen dos subgrupos: los JFET y los
MOSFET, dado que presentan ligeras variantes en sus funcionamientos.
En cada uno de los subgrupos citados, una tercera divisin clasifica a los transistores unipola
res en dos tipos: de canal N y de canal P.
Finalmente, los MOSFET de canal N se subdividen a su vez en MOSFET de canal N de agota
miento, y en MOSFET de canal N de acrecentamiento, as com o los MOSFET de canal P se sub
dividen en los tipos de agotamiento y de acrecentamiento (figura 14.1).

JFET
El JFET (Junction Field Effect Transistor) o transistor uniunin de efecto de campo, es un dispositi
vo semiconductor controlado por tensin, es decir, que el paso de la corriente elctrica a travs de
l se controla mediante un campo elctrico, y no por una corriente elctrica, como sucede en los
transistores bipolares.
De lo expuesto se deduce que los transistores JFET poseen una impedancia de entrada muy
elevada, lo que permite com parar sus propiedades con las de las vlvulas electrnicas de vaco.
Por ello, los circuitos que utilizan vlvulas termoinicas pueden adaptarse fcilmente a transistores
JFET. En este caso resulta idneo el empleo de transistores JFET de canal N, ya que son controla
dos por tensiones negativas (Igual que las vlvulas).

287

COMPONENTES ELECTRNICOS

Como se ha dicho, existen dos tipos de transistores JFET: los de canal tipo P y los de canal tipo N.
Dado que la movilidad del electrn es superior a la del hueco, los transistores de canal N ofrecen
una mayor ganancia para una estructura dada. No obstante, la existencia de transistores JFET de
canal P da ms posibilidades de diseo, al poder utilizar tipos complementarios.
Al igual que los transistores bipolares, el JFET est dotado de tres terminales, pero aqu reci
ben las denominaciones de surtidor (S), puerta (G) y drenador (D), que corresponden a las iniciales
de las palabras inglesas source (fuente o admisin), gate (puerta) y drain (salida). En cierto modo,
estos electrodos equivalen al emisor, base y colector de los transistores bipolares, respectivamen
te (figura 14.1).
En la figura 14.2 se ha representado, de forma simplificada, un JFET de canal N.

14.2 Seccin de un JFET de


canal N en estado inactivo.

Consta de un cristal tipo N, en el que se han creado, por difusin de impurezas adecuadas, dos
zonas de tipo P con una fuerte densidad de tomos donadores. Entre dichas zonas existen dos unio
nes PN, desprovistas de portadores, que se han representado mediante una superficie gris.
Sin embargo, las dos zonas de tipo P estn elctricamente unidas entre s, por lo que se pue
de afirmar que slo existe una unin.
En este transistor de canal N, el cristal P corresponde a la puerta (G) y ser el que gobierne el
paso de corriente a travs del cristal N.
El funcionamiento del JFET se basa en la modulacin de la resistencia hmica de la zona tipo N
(icanal) que existe entre los electrodos de surtidor (S) y drenador (D), por medio de las dos zonas P
de la puerta.
Efectivamente, si se polarizan en sentido inverso las dos uniones PN que limitan el canal, los hue
cos del cristal P se sienten atrados por el potencial negativo de la fuente de alimentacin, y los elec
trones libres del cristal N son atrados por el polo positivo de la fuente de alimentacin. Como con
secuencia, se crean dos capas despobladas de portadores libres que se extienden, en su mayor
parte, por el cristal N (debido a la fuerte concentracin de impurezas en la zona P).
Estas dos capas despobladas de portadores libres, que se com portan tericam ente com o
aislantes, reducen la seccin del canal N, aum entando con ello la resistencia hm ica del canal
(figura 14.3).
La seccin del canal N con portadores de carga depende del valor de la tensin de polari
zacin inversa aplicada a las uniones PN. Cuanto estas tensiones de polarizacin son tan ele
vadas que hacen que las dos capas aislantes establezcan contacto entre s (figura 14.4), se dice
que el canal ha quedado contrado. En este caso la resistencia hm ica del canal (entre surtidor
y drenador) es tericam ente igual a infinito, y ninguna corriente elctrica puede circular a tra
vs de l.
En la figura 14.5 se ha dibujado el esquema de un JFET de canal N correctamente polarizado.
El surtidor se conecta a masa, al drenador se le aplica una tensin positiva con respecto al surtidor

288

TRANSISTORES UNIPOLARES

14.4 Seccin de un JFET de canal'N


funcionando en la regin de contraccin.

14.3 Seccin de un JFET de canal N


funcionando en la zona de regin
hmica.

14.5 Polarizacin de un JFET


de canal N.

(Vds)> y a 'a puerta una tensin negativa con relacin al surtidor (-1/ qs). Para cada combinacin dada
a estos valores de tensin, el ancho de las capas despobladas vara a lo largo del canal.
Haciendo variable la tensin ^GS' se controla el paso de la corriente elctrica a travs del
transistor y, por lo tanto, a travs de la resistencia R en serie con l, por lo que en sta se obtie
ne una tensin \/R variable, y com o la tensin l/R es mayor que - l / GS, se obtiene una amplificacin
de tensin.
El transistor puede ser de canal P y la pelcula de la puerta de canal N. En tal caso, las ten
siones de servicio ^DS y VQS tienen, naturalmente, polaridad opuesta, tal y com o se ha dibujado
en la figura 14.6, y tambin el sentido de circulacin de la corriente de drenador I n queda in
vertido.

-l

- V tos

14.6 Polarizacin de un JFET


de canal P.

289

COMPONENTES ELECTRNICOS

CURVAS CARACTERSTICAS DE UN JFET


Al igual que los transistores bipolares, los transistores JFET se disean con diferentes caracters
ticas, de forma que sea posible disponer del ms adecuado para cada funcin. Para determinar el
comportamiento de un JFET se recurre a sus curvas caractersticas:

Curva caracterstica de la corriente de drenador (JD) en funcin de la tensin drenador-surtidor (\/DS), para diferentes valores de la tensin puerta-surtidor (\/GS).
Curva caracterstica de la corriente de drenador (JD), en funcin de la tensin puerta-sur
tidor (t/GS).
Curva caracterstica de la corriente de drenador ( I 0), en funcin de la tem peratura de la
unin (T).

Estas curvas son las principales, a las cuales cabe aadir otras que tambin se exponen en este
captulo en lneas generales.

Curva caracterstica I D = f(l/DS) de un JFET


En la figura 14.7 se representan las curvas caractersticas de drenador de un JFET de canal N, tra
zadas para diferentes tensiones de puerta VGS.

(mA)

VP=2.5V

8.0

l/fs=0V

fss
6.0

Regin de
contraccin

Regin
hmica

4.0

l/GS= 0.5 V

2.0

14.7 Familia de curvas


caractersticas de drenador de
un JFET de canal N.

VGS= 1.5\l
1,0

2.0 l/ 3.0

4.0

5.0

l/pS(V)

El grfico consta, bsicamente, de dos regiones: la regin hmica y la regin de contraccin. La


separacin entre ambas zonas es el lugar geom trico de los puntos que cumplen la condicin:
Vqs + VGs = VP
Donde VP es la tensin de Pinchet off. o tensin a la cual la resistencia del canal es prcticamen
te infinita.
Con tensiones de drenador de pequeo valor, la caracterstica es lineal en la regin hmica y re
presenta la modulacin de la resistencia del canal desde su valor mnimo hasta (tericamente) infi
nito, cuando la tensin de puerta VGS alcanza el valor de la tensin de contraccin VP.
En la regin de contraccin el canal queda estrangulado, dado que t/os +
es mayor que VP,
por lo cual la corriente de drenador I D no vara aunque aumente la tensin de drenador VDS.
La tensin '/os mxima corresponde al valor de la tensin VP cuando la tensin VGS es nula, en
cuyo instante la corriente JD es constante, alcanza su valor mximo y se satura (valor I oss).
Dado que la temperatura influye sobre la curva caracterstica I D = f{VDS) de un JFET, puesto que
al aumentar la temperatura disminuye la corriente de drenador (como luego se ver), los fabrican
tes de estos transistores suministran las curvas para una temperatura de unin dada, la cual suele
ser de 25 C. Vase en la figura 14.8, y como ejemplo de ello, la familia de curvas caractersticas
I d = ^Vos> del JFET tipo BF256A, correspondiente a una temperatura de unin de 25 C.

290

TRANSISTORES UNIPOLARES

14.8 Familia de curvas


caractersticas de drenador del JFET
de canal N tipo BF256A, para una
temperatura en la unin de 25 C.

10

20 VDS(V)

Mediante estas curvas es posible determinar la impedancia de salida (rds) del transistor, la cual
se expresa mediante la frmula:

13

rds =

iQ

[para VGS = constante]

Dado que los transistores JFET funcionan como limitadores de corriente en la regin de con
traccin, la impedancia de salida rds es de elevado valor.

Curva caracterstica I D = f(-V GS) de un JFET


Para obtener la curva caracterstica de la intensidad de drenador en funcin de la tensin de puer
ta de un JFET, se le aplica entre drenador y surtidor una tensin constante y, a continuacin, se
hace variar la tensin de puerta entre cero voltios y un valor mximo para el cual la corriente de dre
nador es nula, es decir, hasta que el transistor entre en la zona de contraccin.
6
h
(mA)

14.9 Curva caracterstica I D= f(VGS) del JFET de canal N tipo BF256A.

291

COMPONENTES ELECTRNICOS

En la figura 14.9 se ha dibujado la curva caracterstica I D = f(-Vas) del JFET de canal N tipo
BF256A para una tensin \/DS de 15 V, y para una temperatura de la unin de 25 C. Se aprecia
perfectamente que la mxima corriente de drenador se obtiene cuando a la puerta no se le aplica
tensin alguna.
A medida que aumenta la tensin negativa aplicada entre puerta y drenador, y debido a que es
tos transistores son del tipo de canal N, se va estrangulando el canal y, como consecuencia, dis
minuye la corriente de drenador, hasta hacerse nula al aplicrsele, en el caso del BF256A, una ten
sin ^GS de unos 2,6 V.
Mediante esta curva caracterstica se obtiene otro importante parmetro de los transistores
JFET: la transconductancia g m.
La transconductancia se define como la inversa de la resistencia mnima del canal, y es igual al
resultado de dividir la variacin de la corriente de drenador ( I D) por la variacin de la tensin de
puerta {VGS), para una tensin drenador-surtidor (t/DS) constante, es decir,

A l/

a v G S

En las hojas caractersticas dadas por los fabricantes suele darse el valor g mCI, que corresponde
a la transconductancia del transistor para una tensin de puerta de cero voltios. Este valor tambin
se representa p o ry fs, es decir, por la admitancia del transistor montado en surtidor com n1.
As, el transistor BF256A posee una admitancia de transferencia directa, en montaje surtidor c o
mn, mayor de 4,5 mS, valor ste obtenido con una tensin VGS de cero voltios, una tensin l/DS de
15 V, una temperatura ambiente de 25 C, y una frecuencia de 1 kHz.
Conocido el valor de la transconductancia g m0 se puede conocer el valor de la resistencia mni
ma del canal (F?0) mediante la frmula:

1
9m
As, la resistencia mnima del canal de un JFET, cuya transconductancia g^ sea de 5 mS, ser de:
f0 =

1 = c 1 = 200 Q
SU
5 mS

sta es pues la resistencia ms pequea que presenta el transistor, la cual, como se ha dicho,
se produce cuando no se aplica tensin a la puerta.

Curva caracterstica I D = f(T) de un JFET


Resulta de gran inters para el profesional conocer cmo se com porta un JFET al aumentar la tem
peratura en su unin, puesto que en las curvas estudiadas en los prrafos anteriores se ha consi
derado constante la temperatura de la unin y, sin embargo, al Igual que en cualquier otro semi
conductor, la temperatura de la unin ejerce gran influencia sobre las curvas caractersticas.
Por los motivos apuntados, los fabricantes de transistores JFET proporcionan en sus catlogos
las curvas caractersticas de la corriente de drenador en funcin de la temperatura de la unin, para
diferentes tensiones de puerta y para una tensin drenador-surtidor constante. Un ejemplo de cur
va de estas caractersticas es la de la figura 14.10, correspondiente al JFET de canal N tipo
BF245A.
En la figura 14.10 se aprecia cmo al aumentar la temperatura de la unin la corriente I D dis
minuye, siendo tanto menor esta disminucin de corriente cuanto mayor sea la tensin aplicada a
la puerta.

1.

En el montaje surtidor comn la seal de entrada se aplica entre puerta y surtidor del JFET, y la seal

amplificada se obtiene entre drenador y surtidor.

292

TRANSISTORES UNIPOLARES

14.10 Familia de curvas


caractersticas I B = f(T) del JFET
de canal N tipo BF245A.

Id

(mA)
20

15

10

50

100

150

T;(X)

Efectivamente, para una tensin ^GS nula, si la temperatura de la unin sube de 25 C a 150 Q
(temperatura mxima de unin que puede soportar este transistor), la corriente I 0 baja de 17 mA a
10,5 mA, mientras que para una tensin ^ GS de -4 V, y con el mismo aumento de temperatura, la
corriente JD slo desciende de 3 a 1,75 mA.
Todo esto resulta lgico, ya que, cuanto menor sea la tensin aplicada a la puerta, ms eleva
da ser la corriente de drenador, y todo paso de corriente genera tanto ms calor cuanto mayor sea
su valor.

Corriente de puerta
Aunque los transistores JFET poseen una nica unin, y se polarizan en sentido inverso, siendo g o
bernados por variaciones de la tensin inversa de puerta con respecto al surtidor, ello no quiere de
cir que no se produzca en sentido inverso una corriente de fuga, al igual que en los diodos polari
zados en sentido inverso.
La corriente de puerta es. por tanto, una corriente de fuga en sentido inverso y, com o resulta l
gico, es tanto mayor cuanto mayor sea la tensin inversa aplicada a la puerta, aunque es del orden
de los nA y, por ello, totalmente despreciable.
Los fabricantes indican en sus catlogos la corriente de corte de puerta con el drenador cortocircuitado a surtidor, es decir, con una tensin '/ns nula, y una tensin mxima aplicada entre puer
ta y surtidor. Esta magnitud se representa por - J GSS en los transistores JFET de canal N. y me
diante Jqss en los transistores JFET de canal P.
Dado que la temperatura de la unin ejerce gran influencia sobre la comente de corte de puerta
- I GSS, los fabricantes proporcionan la curva caracterstica - / GSS = f(T), como la de la figura 14.11,
correspondiente al JFET de canal N tipo BF245A.
Destaca, en esta curva, que la tensin inversa aplicada a la puerta con respecto al surtidor es
de 20 V, mientras que la tensin drenador-surtidor es de cero voltios.
Mientras el aumento de temperatura en la unin sigue una ley aritmtica, la corriente de puerta
sigue una ley logartmica, es decir, aumenta considerablemente con el aumento de temperatura en
la unin.
As, a una temperatura de unin de 25 C, la corriente de puerta es de tan slo 6 pA: al doblarse
la temperatura en la unin la corriente de puerta sube a 25 pA (unas cuatro veces mayor), y al al
canzarse una temperatura de unin de 150 C (mxima admitida por este transistor), la corriente de
puerta alcanza un valor de 8 nA (unas 1.300 veces mayor que a 25 C).
Otro dato que suelen facilitar los fabricantes (aunque de escaso inters, ya que la puerta ha de
estar polarizada en sentido inverso) es la corriente de puerta mxima admisible por el transistor

293

COMPONENTES ELECTRNICOS

14.11 Curva caracterstica


- I GSS= f(T.) del JFET de canal N tipo
BF245A.

I GSS
(mA)

10

irr2

cuando entre puerta y surtidor se le aplica una tensin directa. Esta corriente se representa por I Q
en los transistores JFET de canal N, y p o r - I G en los transistores JFET de canal P, es decir, con sig
nos opuestos a los de la corriente en sentido inverso de puerta.
La corriente de puerta en sentido directo de un JFET vara de un tipo a otro, pero en lneas ge
nerales suele estar comprendida entre 5 y 50 mA.

Curva caracterstica rds = f(-V QS) de un JFET


En un apartado anterior se ha definido la impedancia de salida de un JFET como el resultado de d i
vidir las variaciones de la tensin drenador-surtidor por las variaciones de la corriente de drenador.
Esta impedancia de salida depende de la tensin inversa aplicada entre puerta y surtidor, ya que
cuanto mayor sea esta tensin menor ser la corriente que puede circular por el transistor.
Para determinar el valor de rds en funcin de la tensin - ^GS de un JFET, los fabricantes pro
porcionan curvas caractersticas, com o la dibujada en la figura 14.12, correspondiente al JFET
BC264D de canal N.

Valores tpicos

14.12 Curva caracterstica


rds - f(~Ks) Oet JFET de canal N tipo
BC264D.

294

1~'
0

~VGS(V)

TRANSISTORES UNIPOLARES

Se observa en esta curva caracterstica que la impedancia de salida ( p j sigue un curso logart
mico al aumentar la tensin l/GS.
As. cuando la tensin aplicada a la puerta es de 0 V la impedancia es de tan slo unos 150 2 ,
aumentando a 10 k 2 cuando se aplican 2.6 V a la puerta.
Para la obtencin de estas curvas se aplica una tensin de 0 V entre drenador y surtidor, y se
toman las medidas a una temperatura ambiente de 25 C, ya que tanto una como otra magnitud
influyen sobre el valor de r^ .

Curva caracterstica y (s = f ( I D) de un JFET


La admitancia de transferencia directa de un JFET. montado en surtidor comn (salida cortocircuitada para la corriente alterna), depende de la intensidad de corriente de drenador que circula por el
transistor.

(mAA/)
1

7.5

2.5

0
0

2.5

7.5

10

12,5

mA) 15

14.13 Curva caracterstica yfs = f( ID) del JFET de canal N tipo BC264D.

En la figura 14.13 se ha dibujado una curva caracterstica y,s = f ( I D), para una tensin VDS de
15 V y una temperatura ambiente de 25 C. Esta curva corresponde al JFET de canal N tipo
BC264D.
Se puede ver en la figura 14.13 cmo la admitancia aumenta al aumentar la intensidad de c o
rriente de drenador, siendo al principio de crecimiento elevado (con pequeas intensidades de dre
nador) y luego lineal a partir de unos 2,5 mA de J0.

Curva caracterstica Cis = f(- VGS) de un JFET


Todo JFET m ontado en surtidor comn presenta una capacidad de entrada (Cis), con salida cortocircuitada para la corriente alterna, cuyo valor depende de la tensin aplicada a su puerta (-t/GS).
Efectivamente, cuanto mayor sea la tensin inversa aplicada a la puerta, ms ancha ser la
zona sin portadores de carga presentes en la unin PN del transistor, por lo que disminuye la ca
pacidad existente en la unin. (Recurdese que toda unin PN forma un condensador, cuyas
placas son los cristales y cuyo dielctrico es la zona sin portadores de carga existente entre los
cristales, y que la capacidad de un condensador es inversamente proporcional al espesor del
dielctrico.)
Como consecuencia de todo ello, al aumentar la tensin inversa aplicada entre los cristales P y
N de un JFET, aumenta el espesor de la zona sin portadores de carga y, por lo tanto, disminuye la
capacidad de entrada.

295

COMPONENTES ELECTRNICOS

14.14 Curva caracterstica


C.v = f(-VBS) del JFET de canal
l\l tipo BC264.

6
C,
(PF)

0
5

-l/GS(V)

10

Todo lo expuesto queda reflejado en la figura 14.14, donde se puede observar cmo con una ten
sin de puerta nula la capacidad de entrada del transistor BC264 es de 6 pF, y al aplicar una tensin
-V GS de 7,5 V, la capacidad de entrada disminuye a 2 pF. Esta disminucin de capacidad no es li
neal, sino que lo hace de forma exponencial, disminuyendo bastante de valor con pequeas ten
siones de puerta y luego menos con tensiones de puerta elevadas.
Para la obtencin de esta curva se aplica al transistor una tensin \/os, por ejemplo 15 V, y se
toman las medidas en una temperatura ambiente de 25 C.

Curva caracterstica Crs = f[VDS) de un JFET


La capacidad de transferencia inversa en surtidor comn (Crs) de un JFET depende de la tensin
l/DS que se le aplique.
Efectivamente, para una tensin de puerta fija, que supondra una capacidad de entrada fija
(como se ha visto en el apartado anterior), la capacidad de transferencia inversa disminuye al au
mentar la tensin t/DS, ya que ello supone un aumento de la corriente a travs del transistor y, por
lo tanto, una disminucin de su capacidad.

3
C

(PF)

14.15 Curva caracterstica


C,, = f(VDS) del JFET de canal
N tipo BC264.

2 96

Valores tpicos

-Vbs = 2V
t = m Hz
= 25 C

TRANSISTORES UNIPOLARES

En la figura 14.15 se ha dibujado el curso de la capacidad de transferencia inversa en surtidor


comn (entrada cortocircuitada por la corriente alterna) en funcin de la tensin ^ ds- Esta curva se
ha obtenido con una temperatura ambiente de 25 C y una tensin continua - t / GS de 2 V.
En el cao expuesto la capacidad Crs es de unos 2,3 pF al aplicar al transistor una tensin t/DS
de 2 V, y desciende a 1 ,5 pF cuando '/ds sube a 20 V.

Curva caracterstica CGS = f[VDS) de un JFET


La capacidad de salida en surtidor comn (entrada cortocircuitada para la corriente alterna) de un
JFET depende tambin de la tensin aplicada entre drenador y surtidor, tal y como se puede apre
ciar en la curva caracterstica de la figura 14.16.

10

-vos (V)

20

14.16
Cos = f(VDS) del JFET de canal
N tipo BC264.

Curva cara

Para la obtencin de esta curva es necesario aplicar una tensin continua fija a la puerta (ten
sin - t / GS), ya que dicha tensin influye sobre la capacidad de salida, as como efectuar las m edi
das a una temperatura ambiente fija (normalmente de 25 C).

Curva caracterstica P tot = f(Tamb) de un JFET


La potencia total de disipacin de un JFET no es elevada, siendo normales valores que oscilan en
tre 300 y 1.800 mW a 25 C.
Al Igual que en los transistores bipolares, la potencia de disipacin viene limitada por la tempera
tura ambiente, de forma que disminuye al aumentar sta.

14.17 Curva caracterstica


P,o, = f(Tamb) de un JFET.

297

ELECTRNICOS

En la figura 14.17 se ha dibujado la curva de la potencia de disipacin en funcin de la tem


peratura ambiente de un JFET. Hasta 40 C la potencia de disipacin es de 300 mW, y a partir de
esta temperatura la potencia disminuye de forma lineal, hasta hacerse nula a 175 C.
Es pues muy importante conocer a qu temperatura ambiente operar el transistor para evitar
que ste quede destruido por trabajar fuera de los lmites establecidos.

Factor de ruido en un JFET


Para una frecuencia y ancho de banda determinado, el factor de ruido (F) es la relacin entre la p o
tencia total de ruido p, obtenida en drenador, y la parte de sta introducida por la potencia de en
trada p e, dada respecto a la fuente de seal en la que la temperatura de ruido es estndar a todas
las frecuencias.
El factor de ruido se expresa normalmente en dB, calculndose a partir de la igualdad:

donde \ZP es la tensin de pico de la seal de entrada.


El factor de ruido viene determinado, para un punto especfico de funcionamiento, por la resis
tencia del generador de alimentacin (RG) y por la frecuencia, o margen de frecuencias, dados.
Para conocer el factor de ruido de un JFET, trabajando en unas condiciones determinadas, los
fabricantes proporcionan en sus catlogos las curvas caractersticas del factor de ruido en funcin
de la resistencia del generador y de la frecuencia aplicada (figura 14.18).

14.18 Curva caracterstica F = f(Re) de un JFET.

Para la obtencin de esta curva se aplica, entre drenador y surtidor, una tensin fija de 15 V, con
una corriente de drenador de 1 mA. La frecuencia de la seal debe ser de 1 kHz y la temperatura
ambiente a la que se toman las medidas de 25 C.
Destacamos que el factor de ruido de un JFET disminuye al aumentar la resistencia del genera
dor. As, en el caso de la figura 14.18, el factor de ruido es de 11 dB, con una resistencia de gene
rador de 1 kQ, disminuyendo a casi cero cuando la resistencia del generador es de 1 MQ.
Dado que el factor de ruido queda influido por la frecuencia de la seal aplicada, siendo tanto
menor cuanto mayor sea sta, los fabricantes de JFET incluyen en sus catlogos curvas caracters
ticas como la de la figura 14.19, en la que se expresa el factor de ruido en funcin de la frecuencia
de la seal aplicada para tres resistencias de generador dadas (1 kQ, 10 kQ y 1 MQ).

TRANSISTORES UNIPOLARES

14.19 Curva caracterstica F= f(f) de un JFET.

Para obtener estas curvas se aplica una tensin '/ DS de 15 V y una tensin - t / GS de 1 V.
Con resistencias de generador de pequeo valor, el factor de ruido disminuye rpidamente al
aumentar el valor de la frecuencia aplicada, mientras que con resistencias de generador elevadas
el factor de ruido es muy bajo y prcticamente constante.
A este respecto cabe decir que, para etapas amplificadoras de pequeas seales, es preciso
que el factor de ruido sea el ms pequeo posible, del orden de 1 a 2 dB. Esto es particularmente
importante trabajando con frecuencias muy elevadas, del orden de los GHz. En este caso se acon
seja la utilizacin de transistores de efecto de campo de arseniuro de galio, los cuales ofrecen un
bajo factor de ruido y alta ganancia.
Como orientacin diremos que el factor de ruido de los JFET de arseniuro de galio oscila entre
1 dB a 2 GHz y 3,6 dB a 12 GHz, con una tensin \/DS de 4 V y una I D igual a 0,15 veces el valor
de la corriente de saturacin I DSS (60 mA).

MOSFET DE ACRECENTAMIENTO
Los transistores de efecto de campo con puerta aislada (insulated gate field effect transistor, IGFET)
ms conocidos por el nombre de transistores metal-xido semiconductor (metal-oxide-semicon
ductor transistor, M OST o MOSFET), se comportan en su funcionamiento de una forma anloga a
la de los JFET estudiados en los apartados anteriores.
Al igual que los JFET, el transistor MOS es un dispositivo controlado por tensin.
Su principal caracterstica es la elevada impedancia de entrada, la cual puede llegar a tom ar va
lores de 10 M2.
Esta elevada impedancia de entrada hace que la puerta sea muy sensible a los potenciales elec
trostticos, los cuales pueden llegar a alcanzar valores de 50 o ms voltios. El simple hecho de to
car con el dedo el terminal de la puerta provoca la aparicin de estos potenciales electrostticos,
con el consiguiente riesgo de destruir el transistor.
Con el fin de evitar este inconveniente, los transistores MOS se fabrican, generalmente, provis
tos en su interior de una serie de diodos Zener, los cuales hacen disminuir ligeramente la impedancia de entrada. De todas formas, siempre es aconsejable evitar tocar con los dedos el terminal de
puerta y, a lo sumo, tomar el transistor envuelto en un papel de estao.
La estructura fsica de un transistor MOS est constituida por un sustrato de semiconductor tipo
N de elevada resistividad, es decir, de un cristal muy dbilmente dopado (con pocas Impurezas). En
este sustrato se forman por difusin dos regiones semiconductoras de cristal tipo P de baja resis
tividad (con gran cantidad de sustancias aceptadoras), separadas entre ellas por una distancia

299

COMPONENTES ELECTRNICOS

que vara entre 5 x 1 0 ^ y 5 x 1 0 3 cm. Estas dos regiones de cristales P reciben el nombre de en
trada (o surtidor) y salida (o drenador), al Igual que los JFET antes descritos (figura 14.20).

14.20 Estructura fsica de un


MOSFET. 1) Metal; 2) Capa de
xido de silicio (Si02); S) Surtidor;
G) Puerta; D) Drenador.

Una capa aislante de S i0 2 (xido de silicio), de un espesor comprendido entre 800 y 2.000 f, cu
bre la superficie exterior del sustrato. Sobre esta capa de xido se efecta una metalizacin para la
conexin del electrodo de gobierno o puerta (figura 14.20).
Dos orificios practicados sobre el xido, sirven para realizar los contactos metlicos del surtidor
y el drenador.
La estructura descrita, sobre la cual desarrollamos el estudio del funcionamiento de los transis
tores MOS, corresponde a un transistor MOS de cana! P, existiendo tambin el transistor MOS de
canal N que, como se puede suponer, posee un sustrato de cristal tipo P y dos regiones de cristal
N para el surtidor y el drenador.
La puerta est, por tanto, aislada elctricamente del sustrato y, por supuesto, del drenador y
surtidor. De ah la gran impedancia de entrada de este componente.
Para el estudio del funcionamiento de estos transistores consideramos, en primer lugar, que los
electrodos de entrada y de salida, as com o el sustrato, se encuentran conectados a masa (figu
ra 14.21). En esta circunstancia el transistor se puede comparar a un condensador cuyas placas
son el sustrato y la puerta, y el dielctrico la capa de xido.

LI

o o o o
14.21 Al aplicar un potencial
negativo a la puerta con respecto
al sustrato, las cargas negativas de
ste son repelidas de su regin
superficial y en su lugar, aparece
una regin despoblada de cargas
mviles.

O O O;
O

0
o

0
o

o
o

o
o

o
o

Si se aplica una tensin negativa a la puerta con respecto al sustrato (-VG), este condensador
se carga y aparece una carga negativa que repele a los electrones que se encuentran en la regin
superficial del sustrato com prendida entre el surtidor y el drenador. Por lo tanto, esta regln su
perficial del sustrato queda totalmente despoblada de cargas mviles y en su lugar aparece una
carga positiva fija, semejante a la que se encuentra en las zonas de transicin de las uniones PN;
de tal forma, que si se aplica una tensin negativa al drenador, no habra circulacin de corriente
entre ste y la puerta.

300

TRANSISTORES UNIPOLARES

Si se hace an ms negativa la tensin de puerta con respecto al sustrato (figura 14.22), hasta
que alcance un cierto valor llamado tensin de umbral, aparece una carga positiva mvil en la re
gin superficial del sustrato, que recibe el nombre de canal. Es decir, que parte del cristal semi
conductor N pasa a ser del tipo P, formando un canal de circulacin de corriente entre surtidor y
drenador. De ah que este transistor se denomine transistor MOS de canal P.

14.22 Si el potencial negativo


aplicado a la puerta con respecto
al sustrato aumenta, aparece una
carga mvil en la regin
superficial del sustrato.

Como este canal une la entrada con la salida (surtidor con drenador), si se aplica una tensin
negativa al drenador con respecto al surtidor circula una corriente por este canal, la cual ser tan
to mayor cuanto mayor sea la tensin que se aplique al drenador.
Si a la tensin negativa aplicada a la puerta se aade una tensin alterna cuyo valor mximo po
sitivo no anule la tensin de umbral, se vara el nmero de cargas mviles en el canal, de acuerdo
con los valores instantneos de la tensin alterna aplicada a la puerta y, por consiguiente, se pro
duce la modulacin de la corriente continua que circula del surtidor al drenador, adquiriendo as la
misma forma que la seal alterna aplicada a la puerta.
La corriente I D produce una cada de tensin a lo largo del canal, de valor RDSI D (siendo f DS la
resistencia del canal).
Esta tensin posee una polaridad opuesta al efecto producido por la tensin aplicada a la puer
ta, lo cual provoca una contraccin del canal por el lado correspondiente al drenador.
Cuando esta cada de tensin es lo suficientemente elevada como para contraer totalmente el ca
nal, la corriente de drenador tiende a saturarse y no aumenta aunque aumente la tensin aplicada a
dicho electrodo. Cuando se da esta circunstancia se dice que el canal est contrado (figura 14.23).

-V

-v*

111

o
o

o _
0

14.23 Cuando la cada


de tensin en el canal es lo
suficientemente elevada, la
corriente de salida tiende a
saturarse. Se dice entonces
que el canal est contrado.

El funcionamiento de un transistor MOS de canal N es el mismo que el de un transistor MOS de


canal P, cambiando el signo de las tensiones y de la carga elctrica.

301

COMPONENTES ELECTRNICOS

Los transistores descritos se denominan del tipo de acrecentamiento, ya que mediante la ten
sin de puerta aumentamos el nmero de cargas mviles en el canal de conduccin.

MOSFET DE AGOTAMIENTO
Los MOSFET de canal P o de canal N, del tipo de agotamiento, poseen una estructura parecida a los
del tipo de acrecentamiento, pero en stos se crea una zona P para los de canal P (o N para los de
canal N) en la regin superficial del sustrato, entre surtidor y drenador (figura 14.24), con lo cual
se consigue que Incluso para tensiones de puerta de 0 V existan cargas mviles en la regin del
canal, del mismo signo que las de surtidor y drenador y, por lo tanto, la existencia de una corrien
te de drenador.

14.24 Estructura fsica de un


MOSFET de canal N del tipo
de agotamiento.

Si se aplica una tensin negativa a la puerta con respecto al sustrato, en el caso de canal N (o
positiva si el canal es P), la carga mvil situada en el canal disminuye hasta que desaparece por
completo para una tensin de umbral determinado. En ese Instante cesa por completo la corriente
de drenador.
En el caso de aplicar una tensin a la puerta de signo opuesto a los portadores de carga exis
tentes en el canal, el funcionamiento del transistor es idntico a los del tipo de acrecentamiento.

Curva caracterstica de salida de un MOSFET


En la figura 14.25 se han dibujado las curvas caractersticas de salida, o curvas caractersticas de
la corriente de drenador ( Jq) en funcin de la tensin de drenador ( t / ^ para diferentes valores de ten
sin de puerta (VGS), de un MOSFET.

14.25 Curvas caractersticas de


salida de un MOSFET.

302

TRANSISTORES UNIPOLARES

Como se puede apreciar en la citada figura, existen dos regiones, denominadas regin tridica
y regin pentdica, separadas entre s por una zona que cumple la condicin:
^ ds = K bs - K ,
donde Vu es la tensin de umbral.
En la regin tridica el canal an no est contrado, y la corriente de drenador es funcin de la
tensin de puerta y de la tensin de drenador, siendo su valor:

Jd = p [ V g s - ^ d s -

V
f]

donde p es un parmetro que depende de las caractersticas internas del transistor.


En la regin pentdica el canal est contrado, y la corriente de drenador es aqu funcin de la
tensin aplicada a la puerta y, como se sabe, independiente de la tensin aplicada al drenador. Su
valor es el siguiente:

La curva caracterstica expuesta se refiere a los MOSFET cuyo sustrato (o base) est conecta
do directamente al surtidor, es decir, con una tensin t/ss igual a 0 V.
En la figura 14.26 se pueden ver las curvas caractersticas I D = f(V0S), para diferentes valores
de \/GS y una tensin Vss = 0 V, del MOSFET tipo BSV81, y en la que se puede com probar todo lo
expuesto.

14.26 Curvas caractersticas


de salida del MOSFET de canal N
tipo BSV81, con una tensin Kss
nula.

En el caso de MOSFET con sustrato no conectado al surtidor, y a los que se le aplica una ten
sin Vss, la curva caracterstica queda influida por esta tensin, por lo que en este caso es preferible
recurrir a las curvas caractersticas de transferencia, es decir, las curvas I 0 = f(VGS) para diferentes
valores de ^ss-

Curvas caractersticas de transferencia de un MOSFET


La curva caracterstica de transferencia, o curva caracterstica de la corriente de drenador en funcin
de la tensin de puerta para una tensin de drenador constante, obtenida a lo largo de la lnea AB de
la figura 14.25, se muestra en la figura 14.27.

303

COMPONENTES ELECTRNICOS

14.27 Curva caracterstica


de transferencia del MOSFET de
canal N tipo BSV81, con una
tensin Kss nula.

Para el trazado de esta curva se aplica una tensin t/DS de 14 V, y luego se aplican tensiones
l/GS comprendidas entre -2 V y 0 V.
A medida que la tensin \/GS se hace menos negativa, la corriente de drenador aumenta, es de
cir, la corriente entre surtidor y drenador circula con ms facilidad.
Con una tensin l/GS de -2 V se produce el corte de la corriente de drenador, ya que se trata de
un MOSFET de canal N, cuyo funcionamiento es opuesto al de canal P descrito en las figuras 14.20
a 14.23.
El transistor BSV81 posee un terminal exterior para el sustrato, de forma que si a ste se le aplica
una tensin continua con respecto al surtidor, es posible modificar la curva caracterstica de trans
ferencia, tal y como se muestra en la figura 14.28.

-0

-1

o vGS(V) 0.5

14.28 Curvas caractersticas de transferencia del MOSFET de canaIN tipo BSV81, para diversas
tensiones Kss-

304

TRANSISTORES UNIPOLARES

En la figura 14.28 se aprecia cmo al aplicar una tensin t/ss de 2 V aumenta la corriente de dre
nador, lo cual resulta lgico ya que al ser el sustrato un cristal P y, por lo tanto, ser el transistor de
canal N, se evita, con esta tensin positiva aplicada al sustrato, que el canal quede despoblado
de cargas minoritarias.
Si se comparan las figuras 14.27 y 14.28, se observa que la curva l/ss = 0 V se ha repetido en
la figura 14.28, pero abarcando hasta valores positivos de 0,5 V de la tensin t/Gs.
Si la tensin aplicada al sustrato de cristal P es negativa, se recombinan las cargas minoritarias
de este cristal, con lo cual aumenta la resistencia en el canal N, que une el surtidor con el drena
dor, por lo que disminuye la corriente de drenador (figura 14.28).
Para obtener la misma intensidad de corriente de drenador es preciso hacer menos negativo el va
lor de la tensin -^GS' de forma que repela menos a las cargas negativas que circulan por el canal N.
De todo lo expuesto se deduce que, para obtener una corriente de drenador de valor determi
nado, puede modificarse la tensin ^GS o la tensin
Por ejemplo, supongamos que se desea obtener una corriente I D de 10 mA, con una tensin
1/ps de 14 V, utilizando e! transistor BSV81, cuyas curvas son las de la figura 14.28. Esta corriente
puede obtenerse con cualquiera de los pares de valores \/qS y l/gg siguientes:
^G S
''GS
^G S
^G S
^G S
^G S

= -0,92
= -0,6 7
= -0,4 0
= -0,0 6
= 0,2 V;
= 0,5 V;

V;
V;
V;
V;

^ss = 2 V
^ss = 1 V
V$s = 0 V
Vss = -1 V
Vss = - 2 V
^ s s = -3 V

C u r v a c a r a c t e r s t ic a I D = f(Ros) d e u n M O S F E T
La corriente de drenador de un MOSFET no depende, entre ciertos lmites, de la resistencia entre
drenador y surtidor (fDS), la cual es constante hasta ciertos valores de JD.
A partir de un valor determinado de I D la resistencia f os aumenta de valor, pudiendo doblarse
e, Incluso, triplicarse.

14.29 Curvas caractersticas


I 0 = f(fDS) de un MOSFET de
canal N del tipo de acrecentamiento
para dos tensiones Vgs-

En la figura 14.29 se han dibujado las curvas caracteristicas I D = /(fDS) de un MOSFET de canal N
del tipo de acrecentamiento, para dos tensiones de puerta VGS. Se observa que la resistencia fDS es muy
baja (del orden de 2 Q) para una tensin 1/GS de 10 V, y que permanece constante hasta valores de I D
de unos 400 mA. A partir de este valor de corriente la resistencia drenador-surtidor sube ligeramente.
Para valores de t/GS de 5 V, la resistencia drenador-surtidor es algo ms elevada, de unos 3,3 2
para corrientes de hasta 100 mA; para corrientes de drenador por encima de los 100 mA la resis -

305

COMPONENTES ELECTRNICOS

tencia aumenta hasta alcanzar los


te admitida por este transistor.

con una I D de 500 mA, que es el valor mximo de corrien

Potencia de disipacin de los MOSFET


Actualmente se fabrican transistores MOS capaces de soportar potencias elevadas, como por ejem
plo los transistores SIPMOS (Siemens-Power-MOS), que son capaces de trabajar con potencias de
60 W a 25 C, y que sin embargo pueden ser activados con un nivel de entrada de 1 mA y 5 V.
En radio y televisin no es usual utilizar MOSFET de potencia, dejando esta funcin a los transis
tores bipolares.
Al igual que cualquier otro componente, la potencia de disipacin de los transistores MOS vie
ne limitada por la temperatura de la cpsula, es decir, que cuanto mayor sea dicha temperatura
menos potencia es capaz de disipar el transistor.
En la figura 14.30 se ha dibujado la curva caracterstica de la potencia de disipacin en funcin
de la temperatura ambiente de un MOSFET, la cual es constante hasta 25 C y, a partir de esta
temperatura, disminuye progresivamente, hasta hacerse nula a la temperatura de 150 C (mxima
soportada por la unin).

P*

1.0

(W)
0,8
0.6
0,4

0,2

14.30 Curva caracterstica


P,0, = f( L J de un MOSFET.

0
0

100

200

Tm,( C)

Circuito equivalente de un MOSFET


Entre los electrodos de un MOSFET aparecen una serie de capacidades parsitas que, para cier
tas aplicaciones, han de tenerse presentes.
Se puede dibujar un MOSFET como se hace en la figura 14.31, en la que se pueden ver las
resistencias y capacidades parsitas que aparecen en l, y que son las siguientes:

] Pos

C as

14.31 Circuito equivalente


de un MOSFET.

306

TRANSISTORES UNIPOLARES

Ros = Resistencia drenador-surtidor.


Rg = Resistencia de puerta debida a la construccin interna del transistor.
CMl = Capacidad de Miller, denominada as por el efecto Miller que produce, es decir, un incre
mento de la capacidad efectiva puerta-surtidor debida a la carga inducida electrostti
camente por el drenador en la puerta, a travs de la capacidad puerta-drenador.
CDS = Capacidad drenador-surtidor, la cual depende de la tensin l/DS,
C gs = Capacidad puerta-surtidor, la cual es independiente de la tensin.
Los fabricantes de MOSFET indican, sin embargo, en sus catlogos las capacidades Cjss, Coss
y CliS, bien mediante valores numricos referidos a una tensin Vos fija, y una tensin VGS nula, bien
mediante curvas caractersticas com o las dibujadas en la figura 14.32, y en las que se indican los
valores de dichas capacidades para distintos valores de tensin t / ^ .

20

10

30

V0S(M)

14.32 Curvas caractersticas de


las capacidades C^. Ceis y Crss de un
MOSFET en funcin de la tensin V>S'
para una temperatura de la unin de
25 C. una frecuencia de
1 MHz y una tensin Vgs nula.

Las capacidades Ciss, Coss y Cr8S estn relacionadas con las capacidades dibujadas en la figu
ra 14.31 por las siguientes ecuaciones:
Clss = CGS + CM(
oss = C qs + CMl
^rsa O,,,
De estas tres igualdades se deduce que slo Ctss es igual a la capacidad CM y que las otras
dos dependen de la capacidad CMi, es decir, del efecto Miller.
As,teniendo en cuenta que. por ejemplo, la capacidad Crss de las curvas caractersticas de la
figura 14.32 es de 5 pF con una tensin V0Q de 10 V, las capacidades CGS y CDS valdrn:
C qs =
- C ,^ = 70 pF - 5 pF = 65 pF
^ ds = Coas - C,5S = 20 pF - 5 pF = 15 pF

MOSFET de doble puerta


Existe tambin un tipo de MOSFET en el que se disponen dos puertas, de forma que la corriente
de drenador pueda ser gobernada por dos seales distintas. Vase en la figura 14.33 el smbolo de
uno de estos transistores, en el que el sustrato est conectado al surtidor.
Estos transistores son muy utilizados en etapas conversoras, trabajando com o mezclador de la
seal de RF captada por la antena y aplicada a una de sus puertas, con la procedente del os
cilador local y que se aplica a la otra puerta. El doble control hace que en drenador aparezca la se
al de Fl.

307

COMPONENTES ELECTRNICOS

14.33 Smbolo de
un MOSFET de doble puerta.

G1
G2

Lgicamente, para com prender el funcionamiento de este tipo de transistor es preciso c o


nocer sus curvas caractersticas referidas a las dos seales de control, y de las cuales m ostra
mos, en la figura 14.34, las correspondientes al transistor MOST de doble puerta tipo BFR84 de
P h i l i p s .

14.34 Curvas caractersticas


1D = f(VB1.s), para diversas
tensiones VS2.S. de un MOSFET
de doble puerta.

- 3 - 2 - 1

3
Ys m (V)

Para el trazado de estas curvas caractersticas se aplica al transistor una tensin fija entre dre
nador y surtidor de. por ejemplo, 1 0 V; luego se aplica una tensin fija a una de las puertas y se
hace variar entre dos lmites la tensin aplicada a la otra puerta, de forma que se obtengan los va
lores de intensidad de drenador correspondientes a cada par de tensiones \/G1.s En la figura 14.34 se observa que la tensin aplicada entre la puerta G 7 y el surtidor (t/Gt_s) abar
ca desde - 3 V a +3 V, mientras que la aplicada entre las puerta G2 y surtidor (t/G2-s))lo hace entre
-1 ,5 V y +4 V.
De estas curvas se deduce que si se aplica una tensin alterna a la puerta G7, y otra tensin
tambin alterna pero de frecuencia distinta a la puerta G2, el valor de la intensidad de drenador
queda influida por ambas tensiones y, por lo tanto, vara con una frecuencia igual a la diferencia de
las dos frecuencias aplicadas a las puertas (proceso de mezcla).
Si se aplica una tensin continua de valor fijo a una de las puertas, las curvas caractersticas de
salida de este tipo de transistor sern similares a las de una sola puerta pero, lgicamente, con la
desviacin que en ellas produce la tensin constante aplicada a una de las puertas.

CPSULAS PARA JFET Y MOSFET


Los JFET y MOSFET se fabrican con encapsulados tipo TO y SOT, al igual que los transistores bi
polares, aunque en el caso de transistores de doble puerta, o de sustrato aislado, disponen de un
cuarto terminal de conexin.
En la figura 14.35 se han dibujado las principales cpsulas utilizadas para estos transistores,
con indicacin de cada uno de sus terminales.

308

TRANSISTORES UNIPOLARES

SOT-52
14,5 mx.
1,17 mx.

'4,5 5.3 mx.

12,7 mx.

0,48 mx.

S O T -103

4,8 mx.

0.75 mx.
1,05 mx.
2,7 mx.

TO
0,48 mx.

4.8
mx.

5,3 mx.

14.35

12,7 mm.

Dimensiones y terminales de las principales cpsulas utilizadas para los JFET y MOSFET.

309

COMPONENTES ELECTRNICOS

TO - 72 (4)
1.

0,48 mx.

11

4.8
mx.

5,3 mx.

12,7 mn.

5,8 mx.

TO - 72 (5)

TO - 72 (6)
0,48 mx.

12,7 mn.

5,2 mx.

12,7 mn.
0,48 mx.

O
0.85
0,55
2.5
max. i

mx.

5,2 mx.

__

12,7 mn.

__________

0,48 mx.

'

i
2.5 |
mx.

14.35

310

Dimensiones y terminales de las principales cpsulas utilizadas para los JFET y MOSFET. (Continuacin)

TRANSISTORES UNIPOLARES

Cdigo de identificacin de los JFET y MOSFET


En el cdigo Pro Electron (europeo) los JFET y MOSFET se identifican con las mismas letras utiliza
das para los transistores bipolares, por lo que, para no repetir conceptos, remitimos al lector al ca
ptulo precedente.
Cabe, sin embargo, aadir que existen transistores unipolares cuyo crista! no es de silicio sino
de arseniuro de galio, en cuyo caso la primera letra del cdigo de identificacin ser la C.
En el cdigo JEDEC (norteamericano) los JFET y MOSFET se identifican con 2N (aunque sean
componentes con una sola unin). En este cdigo los FET de doble puerta se identifican con 3N.
En el cdigo JIS (japons) s existen diferencias con respecto al cdigo utilizado para los tran
sistores bipolares: La primera letra del cdigo sigue siendo la S, pero la segunda es:
H = Transistor uniunin.
J = Transistor de efecto de campo de canal P, incluidos los de potencia.
K = Transistor de efecto de campo de canal N, incluidos los de potencia.

311

Circuitos integrados

Captulo 15

INTRODUCCIN
Todo circuito electrnico est compuesto por un conjunto, ms o menos grande segn la compleji
dad del circuito, de resistencias, condensadores, diodos, transistores, etc. Todos estos elementos,
adecuadamente conectados entre s, forman circuitos capaces de efectuar una funcin electrnica
(oscilacin, modulacin, amplificacin, etc.). Este tipo de circuitos, que an se utilizan, recibe el nom
bre de circuito electrnico discreto.
Desde hace bastantes aos, y gracias al gran desarrollo tecnolgico de los semiconductores,
se fabrican unos componentes en los que se logra la Incorporacin de todo un circuito electrnico
(con resistencias, diodos, transistores, etc.), en un nico cristal semiconductor, y en un espacio m
nimo de 10 mm 2 o incluso menos. Este tipo de circuito es lo que se conoce por circuito integrado.
El circuito integrado, tambin denominado IC (del ingls Integrated Circuit), se utiliza en, prcti
camente, todos los aparatos, bien solos, bien en compaa de circuitos discretos.
El IC permite reducir considerablemente el tamao de los aparatos electrnicos, de forma que
es posible disear circuitos complejsimos en muy poco volumen.
El gran desarrollo que se est produciendo en la tcnica de la integracin se debe al desarrollo de
la tcnica planar en la fabricacin de transistores, la cual abri las puertas a la integracin, es decir,
a la disposicin en un solo sustrato de varios transistores. Esta tcnica ha ido evolucionando es
pectacularmente, desde que en 1972 hiciera su aparicin el primer microprocesador en una sola
pieza de silicio, el muy conocido 8008 de la firma I
, de caracteristicas muy inferiores a los ac
tuales Pentium, de la misma firma.
Hasta esa fecha exista la conocida ley de cuatro, segn la cual la densidad de elementos ac
tivos integrables en un sustrato se multiplicaba por cuatro cada dos aos. Actualmente esta ley ha
empalidecido algo, ya que se produce cada tres aos; sin embargo, el hecho de que cada tres
aos se multiplique por cuatro la cantidad de elementos integrables supone un avance tecnolgico
de caracteristicas gigantescas, dadas las cifras de componentes que se integran (del orden de de
cenas de miles).
Cada vez que la tcnica parece tropezar con algn lmite fsico de integracin, aparece una nue
va tcnica que ampla el lmite. As, cuando la tcnica de la litografa fotogrfica encontr problemas
de nitidez para reproducir formas de dimensiones comparables a las de as ondas de luz, se pas
a la utilizacin de las ondas ultravioletas (de menor longitud de onda), y despus a la tcnica de la
litografa de rayos X y a la erosin en seco de las capas superficiales, siendo ste, por el m o
mento, el lmite tecnolgico actual en la fabricacin de circuitos integrados.
Imagnese el lector las dimensiones con que pueden realizarse componentes en circuitos inte
grados, en los que las longitudes y superficies se miden en longitudes de onda de rayos X, es decir,
del orden de 10 ~ 7 a ICT10 centmetros.
Como dato podem os decir que actualmente es posible Integrar, en un solo sustrato, ms de
250.000 componentes.
En la fotografa de la figura 15.1 se muestran unos circuitos integrados encapsulados y sin encapsular, con una regla que permite valorar sus dimensiones. Cada uno de los pequeos rectn
gulos que se aprecian en esa figura corresponde a un circuito integrado, con miles de com ponen
tes, formando complejas redes capaces de efectuar gran cantidad de funciones.
n t e l

313

COMPONENTES ELECTRNICOS

15.1 Circuitos integrados encapsulados


y sin encapsuiar. La regla permite apreciar
las reducidsimas dimensiones del chip.

El IC se ofrece al profesional encerrado en cpsulas cuyas dimensiones llegan a ser cientos de


veces mayores que el chip que lleva dentro (figura 15.2), de forma que permita una manipulacin
fcil del componente, as com o su soldadura a los circuitos impresos.

15.2 Las cpsulas de los circuitos


integrados son varios cientos de veces
mayores que el chip que llevan dentro.

L.as cpsulas para circuitos integrados tienen com o nico limite el nmero de conexiones, ya
que cuanto ms complejas sean las funciones que el IC realiza, ms patitas de conexin se preci
san para la entrada y salida de las seales que se tratan en l.
Indudablemente no puede darse nocin del funcionamiento de todos los circuitos Integrados, pues
to que existen miles de ellos, con aplicaciones muy diversas, y cada da aparecen nuevos circuitos in
tegrados que mejoran a sus predecesores. Por consiguiente, en este captulo nos limitaremos a es
tudiar los circuitos integrados desde el punto de vista de su tecnologa constructiva, ofreciendo amplia
informacin de algunos tipos utilizados en radio y televisin, descritos a lo largo de esta Enciclopedia.

CLASIFICACIN DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS SEGN SU TECNOLOGA


DE FABRICACIN
En una primera clasificacin los circuitos integrados se dividen en dos grandes grupos:

Circuitos integrados monolticos.


Circuitos integrados hbridos.

En los circuitos integrados monolticos (monoltico quiere decir un solo bloque) todos los ele
mentos constituyentes del circuito (resistencias, condensadores, diodos, transistores, etc.) estn
contenidos en una nica pastilla de silicio o chip.
Los circuitos integrados monolticos se subdividen a su vez en dos grupos:

314

Tecnologa bipolar (TTL, TTL-Schottky, ECL, I2).


Tecnologa unipolar (NMOS, PMOS. CMOS).

CIRCUITOS INTEGRADOS

En los circuitos integrados hbridos (hbrido quiere decir que est formado por dos o ms ele
mentos de distinta clase) se depositan los componentes pasivos (resistencias, bobinas y condensa
dores) en un sustrato y los elementos activos (diodos y transistores) se sueldan despus; es decir, en
un IC hbrido existe uno o ms componentes discretos en combinacin con un IC monoltico.
Los circuitos integrados hbridos se subdividen a su vez en circuitos integrados de pelcula grue
sa, y en circuitos integrados de pelcula fina.

CLASIFICACIN DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS POR SU APLICACIN


Por su aplicacin, los circuitos integrados se clasifican en dos grandes grupos:

Circuitos integrados analgicos.


Circuitos integrados digitales.

Los circuitos integrados analgicos (o lineales) son aquellos cuya magnitud de salida vara en el
tiempo de acuerdo con la seal aplicada a su entrada; es decir, la seal de salida puede tener infi
nidad de valores intermedios entre un mnimo y un mximo. Como ejemplo de circuitos integrados
analgicos citaremos los amplificadores operacionales.
Los circuitos integrados analgicos se utilizan en radio, televisin, equipos de alta fidelidad, etc.,
para el tratamiento de las seales de audio, vdeo, croma, etc.
Los circuitos integrados digitales son ms fciles de fabricar, ya que necesitan valores de capa
cidad ms pequeos que los analgicos. Estos circuitos funcionan bajo la condicin de todo o nada,
es decir, la seal de salida puede tener un valor mnimo (estado 0 ) o un valor mximo (estado 1 ),
pero nunca un valor intermedio entre ambos. Por estas especiales condiciones de funcionamiento
los circuitos integrados digitales se emplean en el diseo y construccin de circuitos lgicos, cuya
principal aplicacin se encuentra en los ordenadores electrnicos, aunque cada vez se utilizan ms
en radio, televisin y en reproductores de CD (C om pact Disc).
Los circuitos integrados digitales se clasifican a su vez en familias lgicas, las cuales son estu
diadas ms adelante en este mismo captulo.

CLASIFICACIN DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS SEGN EL GRADO


DE INTEGRACIN
Segn la cantidad de bloques funcionales integrados en un solo chip de silicio, los circuitos inte
grados reciben diferentes denominaciones. Estas denominaciones son las siguientes:

SSI (Small Scale Integration).


MSI (Mdium Scale Integration).
LSI (Large Scale Integration).
VSLI (Very Large Scale Integration).

La SSI es una integracin a pequea escala (menos de 100 transistores por chip). Son, por tan
to, los circuitos integrados de menor complejidad.
En la MSI, o integracin a escala media, el nmero de transistores integrados en un solo chip
est comprendido 1 0 0 y 1 .0 0 0 .
La LSI es una integracin a gran escala (entre 1.000 y 10.000 transistores integrados). En el gru
po LSI tambin se integran memorias que contienen los elementos de clculo y control de ordena
dores y las ordenaciones lgicas programables.
Finalmente, en la VLSI (o integracin a muy gran escala) se integran en un nico chip ms de
10.000 transistores. Se incluyen en este grupo los microprocesadores.

315

COMPONENTES ELECTRNICOS

CIRCUITOS INTEGRADOS MONOLTICOS


Un IC monoltico est formado por un solo cristal de silicio, en cuyo seno estn integrados todos
los componentes (activos y pasivos) del circuito.
A los componentes que forman el IC se les da el nombre de componentes integrados, con el fin
de diferenciarlos de los convencionales o componentes discretos.
El material de partida es una plaquita semiconductora de silicio que, debido a los diversos tra
tamientos que recibe, se divide en zonas o islas dopadas que reciben el nombre de bloques fun
cionales. Cada bloque funcional realiza una funcin anloga a la de un componente discreto, como
un transistor, un diodo, una resistencia, etc.

SiO,

Al

.1 .
nr
p
__

'

.1

w
p

T
3)

b)

15.3 Circuito integrado monoltico, a) Esquema del circuito, b) Configuracin representada por un corte en
seccin del chip.

La figura 15.3a muestra un circuito sencillo, formado por una resistencia, un transistor y un dio
do, y la figura 15.3b su construccin en forma integrada.
Cada una de las zonas indicadas en la figura 15.3b forma estratos circulares, unos dentro
de otros.
Por estar todos los componentes del circuito sobre la misma plaquita semiconductora de silicio,
han de quedar aislados entre s por uniones PN (diodos) que, una vez conectado el IC a una fuen
te de alimentacin, reciben polarizacin en sentido inverso (de bloqueo).
El paso de corriente de uno a otro componente del IC se establece a travs de pistas de alu
minio, que son depositadas sobre una pelcula aislante muy fina de dixido de silicio (S02).
Mediante una adecuada distribucin y conexin de los diferentes bloques funcionales en el seno
del cristal de silicio se forma el IC, el cual tiene un comportamiento anlogo al circuito equivalente
constituido por componentes discretos.
La razn de que el comportamiento sea solamente anlogo se debe a que los bloques funcio
nales, en el seno de un mismo cristal, presentan caractersticas peculiares que tienen com o con
secuencia el que un componente integrado presente un circuito equivalente, pero no igual, al de su
homlogo discreto.
Efectivamente, el simple hecho de aislar entre s los distintos bloques funcionales mediante diodos
polarizados en sentido inverso, hace que el nmero de diodos que contiene un IC sea muy supe
rior al de su homlogo discreto. Estos diodos aisladores son, por tanto, elementos parsitos del IC.
Los circuitos integrados monolticos resultan particularmente apropiados cuando contienen
com o componentes solamente transistores, diodos y resistencias, aunque tambin es posible inte
grar condensadores. No as las nductancias.

TRANSISTOR BIPOLAR INTEGRADO


Los transistores bipolares se realizan difundiendo tres capas que forman una estructura NPN o
PNP (figura 15.4).

316

CIRCUITOS INTEGRADOS

Destacamos, en el esquema de la figura 15.4a, que el smbolo del transistor no est rodeado
por la circunferencia representativa de la cpsula, puesto que sta no existe en estos transistores,
ya que estn integrados en un chip y la cpsula ser la de todo el IC.

BE

iU

M -A

lid
p

lid
N

p,

A
b)

3)

15.4 Transistor bipolar integrado,


a) Esquema, b) Configuracin
representada en corte.

El colector se asla elctricamente por medio de una zona P, (figura 15.4b), la cual forma, con
el cristal N del colector, un diodo parsito o diodo de aislamiento.
Cuando el diodo de aislamiento est polarizado en sentido inverso (lo cual se logra conectando
la zona P. al potencial ms bajo de todo el circuito integrado, es decir, aplicando al nodo, o pun
to A de la figura 15.4b, un potencial negativo con respecto al ctodo), el colector C queda elctri
camente aislado de los bloques funcionales contiguos.
El terminal de conexin del colector se dispone por la parte superior del sustrato, ya que el no
do del diodo de aislamiento cubre completamente el fondo. Como consecuencia, la resistencia de
colector aumenta y no pueden obtenerse tensiones de saturacin colector-emisor tan bajas como
en los transistores bipolares discretos.
Por el contrario, la estabilidad trmica es buena debido a la proximidad de los contactos de c o
lector, emisor y base.
Adems de lo expuesto, el diodo de aislamiento produce dos efectos perjudiciales sobre la ca
racterstica del transistor integrado: introduce una capacidad en paralelo con el colector y aumen
ta la corriente parsita del colector.
En transistores integrados se pueden realizar modelos particulares que no tienen equivalente en
el campo de los transistores discretos, y que resultan de especial inters en electrnica digital, ta
les como los transistores multiemisor, multicolector, etc. (figura 15.5).

.E l
E2

a)

Hf

C1
C2

b)

15.5 Mediante la integracin pueden obtenerse


modelos particulares de transistores que no
tienen equivalente en el campo de los
transistores discretos, a) Transistor multiemisor.
b) Transistor multicolector.

TRANSISTOR UNIPOLAR INTEGRADO


En la figura 15.6 se muestra el smbolo y la estructura de un transistor NMOS integrado.
Se trata de una lmina de silicio tipo P. en cuya parte superior se difunden dos zonas N muy d o
padas, y que constituyen el surtidor (S) y drenador (D) del transistor. Sobre todo ello se crea una
capa aislante de dixido de silicio.
Unos orificios o ventanas practicados en la capa de xido de silicio, a la altura de las zonas N,
permiten la conexin de los terminales de surtidor y drenador.
Una metalizacin de la capa de xido de silicio, entre las ventanas de conexin de drenador y
surtidor, constituir la puerta (G) del transistor.

317

COMPONENTES ELECTRNICOS

15.6 Transistor NMOS integrado,


a) Smbolo, b) Configuracin
representada por un corte en
seccin del chip.

S Dixido

D
|

NMOS

i '

J ^ B

a)

8
b)

El transistor PMOS se realiza de igual forma que el NMOS, pero sobre un cristal de silicio N y,
lgicamente, dopndolo con dos zonas P que formarn el drenador y surtidor del mismo.
En circuitos integrados de tcnica unipolar el transistor ms utilizado es el CMOS, que est
constituido por dos transistores: uno NMOS y el otro PMOS, ambos de enriquecimiento.
En la figura 15.7 se ha dibujado el smbolo y la estructura de un CMOS integrado.

15.7 Transistor CMOS integrado,


a) Smbolo, b) Configuracin
representada por un corte en
seccin del chip.

a)

b)

Para integrar un transistor CMOS se parte de un cristal de silicio tipo N que constituye el sustrato.
En este sustrato se practica una difusin profunda de tomos aceptadores, constituyendo as
un cristal tipo P (derecha de la figura 15.7b) que servir para realizar el transistor NMOS.
Para el transistor NMOS se difunden impurezas donadoras que constituyen los cristales N de
surtidor y drenador (derecha de la figura 15.7b).
El surtidor y drenador del transistor PMOS se realiza difundiendo impurezas aceptadoras en dos
zonas de la superficie del sustrato N (izquierda de la figura 15.7b).
Las puertas de uno y otro transistor se realizan de la forma ya explicada anteriormente para el
transistor NMOS.
Es necesario que en la integracin de transistores CMOS no se formen transistores bipolares
parsitos. Para ello se realizan dos difusiones N + en unos pozos alrededor del PMOS y dos difu
siones P+ en unos pozos alrededor.de NMOS (vase la figura 15.7b).
Aunque la densidad de integracin es menor con transistores CMOS que con los bipolares,
puesto que se necesitan dos transistores en lugar de uno, los circuitos integrados CMOS son muy
utilizados ya que ofrecen las siguientes ventajas:

318

Menor consumo de energa.


Los acoplamientos entre transistores son directos.
Una sola tensin de alimentacin comprendida entre 3 y 18 V.
Impedancia de entrada muy elevada y, por tanto, corriente de entrada muy pequea.

CIRCUITOS INTEGRADOS

DIODOS INTEGRADOS
Los diodos se integran de dos formas posibles: utilizando dos capas semiconductoras P y N super
puestas o conectando transistores en la debida forma, puesto que todo transistor puede com pa
rarse con un par de diodos conectados en oposicin, ya que estn formados por dos uniones PN,
Efectivamente, pueden utilizarse las uniones colector-base o emisor-base de un transistor inte
grado, ya que la base siempre es un cristal de tipo opuesto a los de colector y emisor.
Si se utiliza el diodo colector-base, la tensin de ruptura ser mayor que si se utiliza el diodo for
mado por el emisor y la base (mnimo 12 V).

A,
I

At

A,

----------- 4 f------- i >


L
I
0
- f
a

.I

i >---------- 1
l
j
/

Ao

15.8 Par de diodos integrados


con ctodo comn, a) Esquema,
b) Configuracin representada
en corte.

D
b)

2)

C,

4-

ij L i ljli

ct

i
\

UU

L i
N

-1
1

b)

15.9 Par de diodos integrados


con nodo comn, a) Esquema,
b) Configuracin representada
en corte.

En las figuras 15.8 y 15.9 se muestran dos configuraciones utilizadas en los circuitos integrados
para la formacin de diodos. La configuracin de la figura 15.8 corresponde a un par de diodos colec
tor-base con ctodo comn, y la de la figura 15.9 a un par de diodos colector-base con nodo comn.

RESISTENCIA INTEGRADA
Las resistencias integradas se obtienen mediante pistas de material semiconductor. Su valor hm i
co depende de la seccin y longitud de la pista, y de su resistencia especfica. De esta forma pue
den lograrse resistencias desde, aproximadamente, 10 Q hasta 30 k ll.
Las tolerancias que se obtienen son bastante elevadas, del orden del 10 %.
Otro inconveniente es, desde luego, la dependencia del valor de la resistencia respecto de la
temperatura. Sin embargo, debido a que todas las resistencias de un IC varan en la misma propor
cin, pues todas estn sometidas a la misma temperatura, la interdependencia de sus valores hmicos prevalece, es decir, unos compensan a los otros.
En la figura 15.10 se muestra la constitucin de una resistencia integrada y el esquema de
su circuito.
La resistencia consiste en una zona P larga y estrecha (marcada con [ 1 ] en la figura 15.10>),
dentro de una zona N (marcada con [2] en la misma figura).

319

COMPONENTES ELECTRNICOS

15.10 Resistencia integrada.


a) Esquema, b) Configuracin
representada en corte.

1:

x 3:

----------*--------------- <>
|
1
P(V
1 -------1
N(2)
P<3)

3)

b)

Estas dos zonas forman a su vez una unin PN distribuida a lo largo de la resistencia (figura 15.1 Oa).
La zona de cristal tipo N (2) y la zona de cristal tipo P (3) forman un diodo de aislamiento.

CONDENSADOR INTEGRADO
Para integrar un condensador hay dos procedimientos; en uno de ellos, la capacidad la constituye
la zona de bloqueo de una unin PN, que trabaja en sentido de bloqueo. En este mismo fenme
no se basa el funcionamiento de un diodo de capacidad variable.

u IF
P ' T"

15.11 Capacidades integradas,


a) Esquema, b) Configuracin
representada en corte.

0
b)
o
3)

En la figura 15.11 se muestra la forma constructiva de un condensador integrado y su esque


ma equivalente.
En el otro procedimiento, se emplea como dielctrico del condensador una pelcula de xido de
silicio (S i02), sobre la que se deposita una delgada capa de aluminio com o placa exterior. La pla
ca interna la forma la misma plaquita semiconductora. Con ello se alcanzan capacidades de unos
500 pF por mm2.

CONEXIONES ENTRE LOS COMPONENTES INTEGRADOS


Las conexiones entre los distintos bloques funcionales de un IC se realizan mediante metalizacio
nes obtenidas por evaporacin de aluminio en el vaco.
Estas metalizaciones se efectan sobre la capa de xido de silicio que protege la superficie de
los cristales P o N.
Como ejemplo vase en la figura 15.12 la seccin longitudinal de un IC monoltico, que consta
de un transistor, una resistencia y un condensador. En la misma figura puede verse una vista supe
rior en la que se aprecian las conexiones entre los tres bloques funcionales, efectuadas mediante
metalizaciones sobre la capa de xido de silicio.

320

CIRCUITOS INTEGRADOS

15.12 Circuito integrado monoltico


con transistor, resistencia y
condensador,
a) Esquema, b) Seccin
longitudinal, c) Vista desde la parte
superior.

b)

=3

&

3)
Metalizaciones

_.

c)

TRANSISTOR DARLINGTON
Antes de proseguir con el estudio de los circuitos integrados, hemos credo conveniente exponer la
constitucin de un IC muy simple, que se conoce con el nombre de transistor Darlington.

15.13 Esquema de un transistor


Darlington.

El transistor Darlington es, en realidad, un IC constituido por un transistor final, un transistor de


control y algunas resistencias (figura 15.13).
En la figura 15.14 se muestra la estructura de un transistor de potencia Darlington monoltico de
base epitaxial, en la que se pueden apreciar las secciones de emisor y base correspondientes al
transistor de excitacin (E, y B,) y las secciones de emisor y base correspondientes al transistor de
potencia (E2 y B2). Los colectores de ambos transistores son el sustrato comn de la plaquita de cris
tal, y se encuentran en la parte inferior (no se distinguen en la figura 15.14).

15.14 Estructura de un transistor


de potencia Darlington monoltico.

321

COMPONENTES ELECTRNICOS

La fabricacin se inicia con una plaquita de silicio muy dopada, sobre la que se hace crecer una
capa epitaxlal de resistividad ms elevada. Esta capa constituye el colector del componente.
A continuacin se aade una segunda capa sobre el colector, ligeramente dopada y homog
nea, que forma la base.
El emisor se difunde dentro del chip con ayuda de las tcnicas usuales de mscara fotogrfica.
Para terminar se aplica un ataque qumico de mesa, y se pasiva la unin colector-base para pro
teccin.
La ventaja esencial de un Darlington es la de alojar en un mismo cristal dos transistores, con lo
que se obtiene una mayor estabilidad de funcionamiento, al ser afectados ambos por la misma
temperatura.
Los transistores Darlington se fabrican tanto en versin PNP como en versin NPN, siendo su
aspecto externo el mismo que el de los transistores usuales, pues al igual que aquellos estn do
tados de tres terminales de conexin y utilizan los mismos tipos de cpsulas.

CIRCUITOS INTEGRADOS MONOLTICOS AISLADOS


Los circuitos integrados m onolticos aislados no se diferencian mucho de los circuitos integrados
monolticos estudiados en las lneas anteriores.
La diferencia se encuentra en la existencia de porciones del bloque semiconductor original (sus
trato) que estn aisladas entre ellas por medio de capas de xido de silicio, con lo que se reducen
las corrientes parsitas y, adems, permite fabricar transistores NPN y PNP en un mismo sustrato.

CIRCUITOS INTEGRADOS DE PELCULA FINA


Los circuitos integrados de pelcula fina se obtienen por evaporacin y deposicin, en el vaco, de
metales y dielctricos sobre una superficie lisa de cermica o de vidrio (sustrato), mediante el au
mento de la temperatura por encima del punto de ebullicin, en el vaco, del material que debe de
positarse.
El vapor del material que debe depositarse sobre el sustrato se condensa sobre ste en forma
de capas o pelculas muy finas, de ah el nombre de este tipo de IC.
El vapor del material a depositar se hace pasar a travs de mscaras de geometra adecuada.
Mediante el empleo de diversas mscaras se pueden obtener distintos com ponentes integrados.
Con la tcnica de pelcula fina se construyen, principalm ente, resistencias, condensadores y
alambrados o conexionados.
Los materiales ms utilizados para la fabricacin de resistencias en la tecnologa de pelcula fina
son el tantalio, el nitruro de tantalio, el cromonquel y compuestos metal-cermica, dependiendo el
valor hmico de la resistividad, longitud y seccin del depsito (figura 15.15).

15.15 Resistencia de pelcula fina.

Para los condensadores se utiliza una pelcula de aluminio (una placa), a continuacin una de
monxido de silicio (dielctrico) y, finalmente, otra de aluminio (la otra placa). Cada una de las pel
culas queda unida al circuito mediante pistas de oro o de aluminio (figura 15.16).

322

CIRCUITOS INTEGRADOS

15.16 Condensador de pelcula fina.

Aislante
Metal

Para la integracin de transistores se recurre a la tecnologa SOI (Silicon On Insulator), es decir,


silicio sobre aislante, que permite la fabricacin de circuitos integrados de pelcula fina de gran den
sidad de integracin.

0.4 nm

0.8 [im
Dixido de silicio Si0
Silicio Si sustrato

15.17 Sustrato para la integracin


de un transistor, con tecnologa
SOI, en un circuito integrado de
pelcula fina.

En la tecnologa SOI se utiliza la estructura que hemos representado en la figura 15.17, con
sistente en un sustrato de silicio, sobre el que se deposita una fina capa de unos 0 ,8 gm de dixi
do de silicio y, sobre sta, una finsima capa de silicio de unas 0,4 gm de espesor. Los transistores,
generalmente CMOS, se depositan sobre esta ltima capa, quedando aislados unos de otros y, por
tanto, no se necesitan casillas de aislamiento (figura 15.18).

Metalizaciones
Dielctricos

i
N

| V~1

\ \
I P I

IV ' I V

Dixido de silicio Si02

Sustrato de silicio

15.18 Transistor CMOS integrado


con tecnologa SOI.

La tolerancia obtenida en los componentes de un circuito integrado de pelcula fina es de 0,1 % e


incluso menor.
Los circuitos integrados de pelcula fina presentan ventajas e inconvenientes. Como ventajas cabe
citar la posibilidad de obtener altos valores en las resistencias, precisin de esios valores, independen
cia del valor de las capacidades con respecto a la tensin (recurdese que en los circuitos integra
dos monolticos los condensadores estn formados por uniones PN polarizadas en sentido inverso
y, por lo tanto, las capacidades varan segn el valor de la tensin inversa aplicada), obtencin de con
densadores de elevadas capacidades (alternando varias pelculas metalaslante) y mayor aislamien
to de los diferentes componentes integrados (puesto que el sustrato es un material aislante).

323

COMPONENTES ELECTRNICOS

Como inconvenientes podemos decir que el dielctrico de los condensadores es muy fino y, por
tanto, cualquier defecto puede hacer descender la tensin de ruptura a valores muy bajos y con ello
perforar fcilmente el dielctrico.

CIRCUITOS INTEGRADOS DE PELCULA GRUESA


La tecnologa de pelcula gruesa para fabricacin de circuitos integrados est basada en la impre
sin de ciertas pastas conductoras o tintas, sobre sustratos rugosos y por procedimientos serigrficos, a travs de mscaras que definen la forma de los elementos constituyentes del circuito.
En la figura 15.19 se representa grficamente lo que sera el proceso de fabricacin de un IC de
pelcula gruesa. Se trata de la Impresin, sobre el sustrato, de los componentes discretos (transis
tores) y de las resistencias, condensadores y elementos de conexin, utilizando diversas composi
ciones de pastas.
En los circuitos integrados de pelcula gruesa los sustratos ms utilizados son la almina (que es
un material cermico) y algunos plsticos (resinas fenlicas, poliestireno, poliamidas, etc).
En los circuitos integrados de pelcula gruesa pueden obtenerse condensadores de elevada ca
pacidad.
La tolerancia de los componentes de un IC de pelcula gruesa es de 1 %.
La principal diferencia entre los circuitos integrados de pelcula fina y los de pelcula gruesa se
encuentra en el espesor de las pelculas metlicas depositadas o impresas. As. en los circuitos in
tegrados de pelcula fina se utilizan films m et
licos depositados por evaporacin en vaco, u
otros m edios qum icos, hasta un espesor de
unos pocos ngstroms, mientras que los circui
Componentes discretos
tos integrados de pelcula gruesa son redes de
(transistores condensadores,
metales nobles impresas en un sustrato cermi
etc...)
co, hasta lograr un espesor de 0,5 a 2 milsimas
de pulgada.
Conductores y electrodo
superior del condensador

Resistencias

< r x > Dielctricos

Los circuitos integrados digitales se clasifican en


familias lgicas, que se distinguen por caracte
rsticas tcnicas diferenciales: tiempo de propa
gacin, potencia de disipacin, inmunidad al rui
do, etc.
Las familias lgicas ms importantes son las
siguientes:

Conductores y electrodo
inferior del condensador

Sustrato

15.19 Proceso de formacin de un IC de pelcula


gruesa.

324

FAMILIAS DE CIRCUITOS INTEGRADOS


DIGITALES

RTL = Resistor Transistor Logic.


DTL = Diode Transistor Logic.
TTL = Transistor Transistor Logic.
HILL = High LeveI Logic.
ECL = Emitter Coupled Logic.
CMOS = Complementary Metal Oxide Se
miconductor.
l2L = integrated Injection Logic.

Existen otras familias de circuitos integrados, y


sin duda irn apareciendo otras, pero las citadas
son de momento las ms populares.

CIRCUITOS INTEGRADOS

RTL (Resistor Transistor Logic)


Los primeros circuitos integrados digitales se disearon basndose en puertas lgicas realizadas
con componentes discretos (resistencias y transistores).
En la figura 15.20 se ha dibujado el esquema de una puerta lgica OR de la familia RTL. En
este circuito slo se utilizan resistencias y transistores, de ah el nombre de la familia.

+1/
?

o Q

15.20 Puerta lgica OR de la


familia RTL.

La funcin OR es la ms simple que puede disearse en esta tecnologa RTL. Otras puer
tas exigen mayor nmero de transistores y por lo tanto mayor coste y mayores tiem pos de pro
pagacin.
La mxima frecuencia de trabajo que se puede alcanzar con los integrados de la familia RTL es
de unos 5 MHz.

DTL (Diode Transistor Logic)


En la figura 15.21 se ha dibujado el esquema de una puerta NAND de dos entradas, para lgica
positiva, de la familia DTL.
La puerta NAND es la de ms sencilla realizacin dentro de esta familia de IC, aunque lgicamen
te es posible realizar cualquier otra puerta de diseo ms complejo.

+v

\R2

R1

01

15.21 Puerta lgica NAND de


la familia DTL.

La puerta NAND de la figura 15.21 est constituida por los diodos D i y D2 (en asociacin con
las resistencias R2 y f3) y un transistor T que hace las funciones de inversor de la seal.
La tensin de umbral que presenta D3 aumenta la inmunidad al ruido del circuito.
Con esta tecnologa se han logrado tiempos de propagacin por puerta de 25 ns y bsculas
(flip-flop) con una frecuencia tpica de trabajo de unos 10 MHz.

325

ELECTRNICOS

La familia DTL fue la primera que introdujo bsculas JK integradas, facilitando con ello enor
memente el diseo de equipos digitales que, hasta entonces, deban disearse a base de interconectar varias puertas elementales.
En la actualidad la familia DTL ha sido desplazada por la familia TTL.

TTL (Transistor Transistor Logic)


La tecnologa TTL ha sido, sin duda, la gran impulsora de la Electrnica digital ya que presenta
grandes ventajas sobre sus antecesoras RTL y DTL.
Esta familia se subdivide a su vez en las siguientes:

TTL Standard
En la figura 15.22 se ha dibujado el esquema de una puerta NAND, para lgica positiva, de dos en
tradas, perteneciente a la familia TTL Standard.
El transistor T I de la figura 15.22 posee dos emisores (transistor multiemisor). Este transistor
puede poseer tantos emisores como entradas tiene la puerta, siendo precisamente una de las pe
culiaridades de los circuitos TTL.

+51/

Di

\ ra

IS. [ I 130

_TL
A
Bo

T2

T3
rn

b TA
R3
1k
15.22 Puerta lgica NAND de la
familia TTL Standard.

En realidad la puerta NAND se limita, exclusivamente, a los transistores T1 y 72. El transistor T i,


realizando las funciones de los diodos de entrada de la tecnologa DTL, y el transistor T2 como in
versor. Los transistores T3 y T4 son una etapa adicional de salida, que se conoce con el nombre
de totempole, y cuya misin es la de proporcionar una fan-out mayor a la puerta, es decir, permite
que a la salida se pueda conectar una mayor cantidad de otras puertas lgicas.

TTL High Speed


En la figura 15.23 se puede ver el esquema de una puerta NAND perteneciente a la familia TTL High
Speed.
Es un circuito muy similar al de la figura 15.22, salvo en tres aspectos:
1. Las resistencias son de valores ms bajos, con lo cual las corrientes son ms elevadas y se
mejora el tiempo de propagacin.
2. La presencia de los diodos D1 y D2 en las entradas de la puerta. Estos diodos hacen las fun
ciones de descrestado, eliminando las tensiones negativas que puedan originarse en las en
tradas cuando se les aplican impulsos de tensin con pendientes muy pronunciadas que po
dran perjudicar la unin base-emisor del transistor multiemisor T1.
3. El circuito de la salida est constituido por tres transistores. El T4 de la figura 15.22 se des
glosa aqu en los transistores T3 y T4 en conexin Darlington.

CIRCUITOS INTEGRADOS

15.23 Puerta lgica NAND de la


familia TTL High Speed.

oQ

Todo lo expuesto proporciona a los integrados de esta familia un tiempo de propagacin mucho
ms pequeo que con la familia TTL Standard.
El tiempo medio de propagacin en la familia TTL HS es de, aproximadamente, 6 ns, lo que permi
te que bsculas diseadas con esta tecnologa puedan funcionar con frecuencias de hasta 50 MHz.
Como factor en contra cabe destacar que el trabajar con mayores intensidades de corriente
hace que la potencia de disipacin por puerta sea mayor (22 mW en la familia TTL HS por 12 mW de
la TTL Standard) y, como consecuencia, se produce un notable aumento de la energa consumida.

TTL Schottky
En esta familia de integrados se dispone un diodo Schottky entre base y colector de cada uno de
los transistores que componen el circuito (figura 15.24).

M
B o-

<

8o-

a)

b)

15.24 Un transistor Schottky est


constituido por un transistor
bipolar y un diodo Schottky
conectado entre colector y base
del transistor, a) Esquema del
circuito, b) Smbolo equivalente.

El diodo Schottky as conectado reduce considerablemente el tiempo de almacenamiento de


los portadores minoritarios del transistor, con lo cual aumenta la velocidad de conmutacin.
En la figura 15.25 se ha dibujado el esquema de una puerta NAND de la familia TTL Schottky,
de diseo muy similar a la puerta NAND de la figura 15.23, pero modificando la salida con la susti
tucin de la resistencia R. de la figura 15.23 por un transistor T4.
Las caractersticas tpicas de esta familia son unos tiempos de propagacin de 3 ns y una po
tencia de disipacin por puerta de unos 30 mW.

327

COMPONENTES ELECTRNICOS

15.25 Puerta lgica NAND de la


familia TTL Schottky.

R1
2 k8

1 R2

I R3
I 50

\ 900

J 3
A<

'

|V

\R4

D1

11 k

B<

T6

iR5
1500 U 250
D2
J4

TTL Low Power


La figura 15.26 corresponde al esquema de una puerta NAND de la familia TTL Low Power.
+ 5V

15.26 Puerta lgica NAND de la


familia TTL Low Power.

Es un circuito idntico al de la figura 15.22 (puerta NAND de la familia TTL Standard), pero con un
incremento en el valor de las resistencias utilizadas, con lo cual se reduce la potencia de disipacin a
tan slo 1 mW por puerta pero, al mismo tiempo, se aumenta el tiempo de propagacin a unos 33 ns.

TTL Low Power Schottky


Se trata de una familia de integrados en la que se busca un mnimo consumo de potencia, sin que
ello afecte al tiempo de propagacin.
Es un circuito idntico al de la familia TTL Low Power, pero utilizando transistores fabricados
con la tecnologa Schottky.
Con esta familia los tiempos de propagacin se reducen a unos 6 ns con potencias de disipa
cin de tan slo 2 mW por puerta.
Por sus ventajas es una de las familias de circuitos integrados digitales ms utilizadas. La fami
lia TTL Low Power Schottky tambin es conocida con las siglas TTL LS.

328

CIRCUITOS INTEGRADOS

TTL Advanced Low Power Schottky


Se trata de una mejora de la familia Low Power Schottky (figura 15.27).

>+5\l

DR2k

OS.

60

DS

]R3
1 15 k

T5

os i
T3

I R5
D6
T1

D3

r * ~

D4

di

T2\

D2

08

R4
4k

07

15.27 Puerta lgica NANO de la


familia TTL Advanced Low Power
Schottky.

Con esta familia, el tiempo de propagacin es prcticamente el mismo que con los integrados
de la familia Low Power Schottky (5 ns por puerta), pero se consigue reducir la potencia de disipa
cin a la mitad (1 mW por puerta).

TTL Fairchild Advanced Schottky


En la figura 15.28 se puede ver el esquema de la puerta bsica de esta familia.

329

COMPONENTES ELECTRNICOS

El tiempo de propagacin de las puertas de esta familia es de 3 ns, con una potencia de disi
pacin, por puerta, de 4 mW.

HILL (High Leve! Logic)


Esta familia de circuitos integrados est diseada para su utilizacin en Electrnica Industrial, en
donde se producen gran cantidad de perturbaciones elctricas transitorias que pueden afectar al
buen funcionamiento de los circuitos digitales de control.
Funciona con una tensin de alimentacin ms alta que las familias anteriormente expuestas
(entre 10 y 20 V).

15.29 Puerta lgica NAND de la


familia High LeveI Logic.

En la figura 15.29 se ha dibujado el esquema de una puerta NAND de la familia High Level Logic.
El circuito es muy similar al de las puertas de la familia DTL, pero sustituyendo el diodo D3 de
aquella por un diodo Zener (DZ de la figura 15.29).
El tiempo de propagacin de esta familia es bastante elevado (150 ns por puerta), as como la
potencia de disipacin por puerta (55 mW).

ECL (Em itter Coupled Logic)


La familia ECL (Emitter Coupled Logic), o lgica acoplada por emisor, es otro intento ms de redu
cir al mximo posible los tiempos de propagacin.
En la figura 15.30 se puede ver el esquema de una puerta OR/'NOR perteneciente a esta familia.
La tensin de alimentacin de esta puerta es de 5,2 V.
Con esta familia se consiguen tiempos de propagacin de 1 ns por puerta, que permiten traba
jar con frecuencias de 600 MHz.
La potencia de disipacin por puerta es bastante alta, del orden de los 60 mW.

CMOS (Com plem entary M etal Oxide Semiconductor)


En la figura 15.31 se puede ver el esquema de una puerta OR integrada con tecnologa CMOS,
en el cual llama la atencin la ausencia total de resistencias.
Los transistores 77 y T4 estn conectados a la entrada A y son complementarios.
Lo mismo sucede con los transistores T2 y T3, conectados a la entrada B.
La particularidad principal de la familia CMOS es su bajo consumo, del orden de 10 nW estti
camente y 10 mW dinmicamente.
Existen algunas variantes de la familia CMOS, por ejemplo la LOCMOS (Local Oxydation Com
plementary Metal Oxide Semiconductor) y la SOSMOS (Silicon On Sapphire Metal Oxide Semicon
ductor), pero todas ellas basadas en la tecnologa MOS. Se trata de diferencias tecnolgicas du
rante la fabricacin del Integrado, buscando siempre reducir el tiempo de propagacin y la potencia
disipada.

330

CIRCUITOS INTEGRADOS

15.30 Puerta lgica OR/NOR


de la familia Emitter Coupled Logic.

-Q

V00

771P "
1

ral I
rJ) K

~ \

P
n

- ^ jp
l h - j

l | p :

15.31 Puerta lgica OR de la familia


CMOS.

15.32 Caractersticas de transferencia,


comparando la familia de circuitos
integrados CMOS con la LOCMOS.

En la tecnologa LOCMOS se mejora la caracterstica de transferencia en comparacin con la


CMOS, tal y como se puede deducir de las curvas de transferencia de la figura 15.32, en las que
se compara la familia CMOS con la LOCMOS para tres tensiones VDD (5 V, 10 V y 15 V).

331

COMPONENTES ELECTRNICOS

l2L (Integrated Injection Logic)


Para finalizar con el estudio de las principales familias de circuitos integrados digitales, citaremos la
denominada l2L (lgica de inyeccin integrada, o Integrated Injection Logic).
Se trata de una de las ms recientes tecnologas bipolares y, curiosamente, estos IC son m u
cho ms lentos que los de la familia TTL, pero el consumo es extremadamente pequeo y con alta
escala de integracin, lo que hace que sea una familia adecuada para la fabricacin de equipos
porttiles, donde el consumo de energa es un punto muy importante.

+ 1 \la 1 5 \l

=C1 (Q)
C2

15.33 Puerta lgica OR de la


familia !2L.

En la figura 15.33 se ha dibujado el esquema de una puerta OR de la familia l2L. En esta tec
nologa se utilizan transistores multicolectores.
El tiempo de propagacin por puerta en la familia l2L es de 25 a 250 ns (muy superior a la de la
tecnologa TTL) pero la potencia de disipacin es de slo 6 nW a 70 pW. Todo ello, unido a la gran
cantidad de puertas que pueden integrarse en un solo chip (de 1 2 0 a 2 0 0 por m m 2, mientras que
en TTL es de slo 20 por mm 2), hace que sea una familia ideal para el diseo de pequeos equi
pos porttiles con bajo consumo de energa.

CARACTERSTICAS TECNICAS DE LOS CIRCUITOS


INTEGRADOS DIGITALES
Los parmetros de un IC digital pueden clasificarse en siete grupos:

Corrientes.
Potencia de disipacin.
Factores de carga.
Tiempo de propagacin.
Inmunidad al ruido.
Temperatura de trabajo.
Factor de calidad.

A continuacin se estudian por separado cada uno de estos parmetros.

Corrientes
Cualquier fuente de alimentacin utilizada para excitar un IC debe ser capaz de suministrar, y tam
bin de absorber, corrientes, ya que en los circuitos integrados pueden circular corrientes en los
dos sentidos: positivo y negativo.

332

CIRCUITOS INTEGRADOS

Por consiguiente, es importante conocer las corrientes necesarias en las entradas y salidas de
los circuitos integrados, con ambos niveles lgicos, alto y bajo (H y L).
Convencionalmente se han admitido las siguientes denominaciones para las comentes:
Corriente positiva: se define como una corriente que circula hacia la entrada de un IC.
Corriente negativa: se define como una corriente que circula desde la entrada de un IC. Co
rresponde a la corriente inversa del circuito integrado.
De acuerdo con estas convenciones, se definen las siguientes corrientes:

Corriente de alimentacin ( I cc)


Todo IC posee dos pins o terminales de alimentacin general, que se indican con las abreviaturas
Vcc Y GND. Es necesario consultar el catlogo del fabricante para conocer cules son, ya que pue
den variar de uno a otro tipo de IC.
Al terminal marcado con Vcc se le debe aplicar la tensin continua positiva de la fuente de ali
mentacin, mientras que el terminal marcado con GND (masa) se conecta a masa o negativo de la
fuente de alimentacin.
La corriente de alimentacin (Jcc) es por tanto la corriente continua que circula hacia el terminal
V'co del IC, y que alimenta al mismo.
Los fabricantes indican el valor de esta corriente con condiciones especificadas de entradas y
salidas del IC abiertas. Es un parmetro de gran importancia para el diseo de un circuito, ya que
fija los requisitos de la alimentacin de potencia del sistema.
Generalmente se especifican: corriente de alimentacin con las salidas a nivel lgico bajo ( I cCL),
y corriente de alimentacin con las salidas a nivel lgico alto (JCCH); ambas medidas con la tensin
nominal y mxima de alimentacin (Vcc) que puede aplicarse al IC y a una temperatura ambiente
que, normalmente, se fija en 25 C.
Veamos un ejemplo. El circuito integrado 7400 fabricado por S
(que incorpora cuatro
puertas NAND), tiene los siguientes valores de I cc:
i g n e t i c s

Con la tensin de alimentacin nominal (Vqc = 5 V), y una temperatura ambiente Tamb = 25 C:

^cch = 4 mA
JccL = 12 mA
Con la mxima tensin de alimentacin aplicable al circuito (Vcc = 5,25 V):
I CCH = 8 mA
^ccl = 22 mA

Como se puede comprobar, con tan slo 0,25 V ms de tensin que alimente el circuito la c o
rriente de alimentacin dobla su valor, lo cual supone un considerable aumento de la potencia disi
pada en el IC.

Corriente de entrada con nivel alto ( I !H)


Es la corriente que circula hacia una entrada cuando se le aplica a sta una tensin en nivel alto
(l/H) especificada por el propio fabricante.
Se trata de una corriente positiva, puesto que circula desde la fuente de alimentacin hacia la
entrada del IC.
En el IC 7400 que estamos utilizando como ejemplo, la corriente mxima de entrada a nivel alto
( I M) es de 40 pA, aplicando a la entrada una tensin (VH) de 2,4 V.

Corriente de entrada con nivel bajo ( I J


Es la corriente que circula desde una entrada cuando se le aplica una tensin en nivel bajo (t/,J es
pecificada por el fabricante.
Se trata de una corriente negativa, puesto que circula desde la entrada hacia el terminal GND del IC.
En el IC 7400, la corriente mxima de entrada con nivel bajo ( I [L) es de 1 ,6 mA, aplicando a la
entrada una tensin (VIL) de 0,4 V.

333

COMPONENTES ELECTRNICOS

Corriente de entrada con tensin de entrada mxima ( I ,)


Es la corriente que circula hacia una entrada cuando se le aplica a sta la mxima tensin de en
trada {Vj) admitida por el integrado, y trabajando ste con la mxima tensin de alimentacin {Vcc).
En el IC 7400 la mxima tensin de alimentacin (Vcc) es de 7 V (el fabricante recomienda no
pasar de 5,5 V), y la tensin de entrada mxima {V) es de 5,5 V. Trabajando con estas tensiones la
corriente de entrada mxima (I) es de 1 mA.

Corriente de salida con nivel alto ( I 0J


Es la corriente que circula desde una salida cerrada cuando en sta se obtiene una tensin de ni
vel alto (i/0H).
En el IC 7400, la corriente mxima de salida a nivel alto ( I 0H) es de 400 nA.

Corriente de salida con nivel bajo ( I 0L)


Es la corriente que circula hacia una salida cerrada cuando en sta se obtiene una tensin de nivel
bajo [V0l).
En el IC 7400, la corriente mxima de salida a nivel bajo (J0L) es de 16 mA.

Corriente de cortocircuito de salida ( I os)


Es la corriente que circula desde una salida que est a nivel lgico alto, cuando dicha salida est
cortocircuitada a masa (GND).
El valor de esta corriente define el valor de la resistencia limitadora de salida. Tngase en cuen
ta que un valor muy elevado de I os deteriora el IC, y que un valor demasiado pequeo degrada los
tiempos de conmutacin de salida a nivel lgico alto, ya que la capacidad de carga no se puede
conseguir con la suficiente rapidez para satisfacer las especificaciones de tiempo de conmutacin.
En el IC 7400, la corriente de cortocircuito de salida ( I os) mnima es de 18 mA y la mxima
de 55 mA.

Potencia disipada (PD)


La potencia disipada (PD) es la potencia absorbida por el IC.
La suma de las potencias disipadas en los elementos o puertas que constituyen un IC comple
to, determina el consumo de potencia total del sistema y, por lo tanto, la potencia que debe sumi
nistrar la fuente de alimentacin, definida por la expresin:

= '/ cc ^in [mW]


Vcc = Tensin continua de alimentacin en V.
I IU = Intensidad de la corriente de entrada en mA.
La potencia disipada en un IC difiere muchas veces, segn que el IC est en nivel alto (H) o en
nivel bajo (L). Por este motivo, y para fijar conceptos, los fabricantes de IC indican un solo valor, que
es la media aritmtica entre las potencias disipadas a nivel alto y a nivel bajo, o sea:
O

^DH + ^D l

En un circuito interesa que la potencia disipada sea la ms baja posible, por dos razones:
1. A menor potencia disipada, menor intensidad de corriente y, por tanto, menor consumo de
energa elctrica. Esta circunstancia resulta especialmente Importante en los IC con cente
nares o millares de puertas lgicas, en donde la corriente total puede llegar a ser muy ele
vada, con gran consumo de energa y la necesidad de voluminosas fuentes de alimentacin.
2. El calor generado por la potencia disipada en un IC determina cuntas puertas pueden inte
grarse en un chip. Si se integran muchas puertas de elevado consumo en una zona muy re
ducida, el calor generado puede ocasionar daos al IC.

334

CIRCUITOS INTEGRADOS

En principio, un IC tiene tanta ms calidad cuanto menor es la potencia disipada, pero esta cir
cunstancia queda limitada por otro parmetro del IC: el tiempo de propagacin.

Factores de carga (fan-in y fan-out)


El trmino factor de carga, cargabilidad o capacidad de carga seutiliza para indicar elnmero de
entradas a otras puertas lgicas que un IC puede controlar desde su salida, ascom o al nmero
de salidas de otras puertas lgicas que pueden controlar las entradas de este IC,
Efectivamente, la salida de un circuito lgico integrado puede conectarse a varias cargas que,
por lo general, son entradas a circuitos integrados similares. Como la salida de un circuito debe
proporcionar corriente a otros circuitos, existe un lmite en el nmero de estos circuitos que un solo
IC puede controlar.
De igual forma, se puede decir que un circuito integrado digital constituye la carga de otro u
otros circuitos integrados semejantes, por lo que la corriente de entrada nominal limita el nmero
de circuitos integrados que pueden alimentar la entrada de un determinado IC.
En ambos casos, el factor de carga queda determinado por un nmero entero, que representa
el numero de circuitos que controla o que puede controlar un IC.
De lo expuesto se deduce que existen dos factores de carga:

Factor de carga de entrada o fan-in.


Factor de carga de salida o fan-out.

El factor de carga de entrada, llamado tambin capacidad de carga de entrada o cargabilidad


de entrada (muchas veces se emplea la expresin inglesa fanin), es un nmero entero que expresa
el nmero de salidas de otros circuitos integrados que pueden conectarse a la entrada de un d e
terminado IC.
El factor de carga de salida, llamado tambin capacidad de carga de salida o cargabilidad de
salida (tambin se emplea la expresin inglesa fan-out), es un nmero entero que expresa el n
mero de entradas de otros circuitos integrados que pueden conectarse a la salida del IC.
En los circuitos integrados, el valor usual del factor de carga de entrada es 1 (algunas veces 2
o 3). Los valores usuales de los factores de carga de salida varian entre 6 y 10 para IC clsicos, y
puede llegar hasta 30 en IC especiales.

Tiempo de propagacin
La velocidad de funcionamiento de una puerta lgica est definida por su tiempo de propagacin
(propagation delay time), es decir, por el tiempo que necesita la seal (generalmente en forma de
impulso rectangular) para atravesar la puerta.
El tiempo de propagacin caracteriza la aptitud de un IC digital para realizar ms o menos rpi
damente la funcin para la que ha sido proyectado.
La velocidad de propagacin es un factor de calidad de un IC; cuanto ms elevada sea esta ve
locidad ms operaciones aritmticas, lgicas, de manipulacin de datos, etc., podr realizar el IC
en un determinado perodo de tiempo.
La velocidad de funcionamiento es la caracterstica ms importante de cualquier IC. La mayor parte
de los circuitos integrados actuales poseen un tiempo de propagacin comprendido entre 2 y 0 0 ns.
La velocidad de propagacin se define generalmente (vase figura 15.34), midiendo el tiempo
que separa el flanco del impulso de entrada del flanco del impulso de salida, tomando los valores
de los Impulsos correspondientes a la mitad de su amplitud mxima (es decir, a los valores de las
semiamplitudes de los impulsos).
Las caractersticas disimtricas de conmutacin de los IC son tales que la transicin de un nivel
lgico L a un nivel lgico H (flanco ascendente del impulso) presenta un tiem po de transicin que
es diferente al tiempo de transicin que corresponde a un flanco descendente del impulso.
En principio, se define como tiempo de propagacin medio tm la media aritmtica entre los tiem
pos medios de propagacin del cambio de estado de la entrada a la salida, en los casos en que
sta pasa del nivel lgico alto al nivel lgico bajo (PHL) y del estado lgico bajo al nivel lgico alto
(fPu.|) (figura 15.34). Estos tiempos se miden sobre las semiamplitudes de los impulsos.

335

COMPONENTES ELECTRNICOS

15.34 Conceptos de los tiempos


de propagacin tPHL y tPl H.

Cuanto ms elevada sea la velocidad de funcionamiento de un IC (es decir, cuanto menor sea
su tiempo de propagacin), tanto ms deseable es este circuito.
No obstante, cuanto ms elevada es la velocidad mayor es la potencia disipada y viceversa.
Am bos parmetros (velocidad y potencia) son, aproximadamente, inversamente proporcionales,
de donde se deduce que la calidad de un IC depende de dos parmetros en cierto modo antag
nicos; la relacin entre ambos parmetros es el compromiso a que se debe llegar para disear y
elegir el IC ms apropiado para una determinada aplicacin.
En un IC cualquiera, constituido por varias puertas lgicas, los tiempos de propagacin son
acumulativos. As, por ejemplo, si se tiene un circuito en el que un impulso debe pasar sucesiva
mente por 14 puertas lgicas NAND (IC 7400), cuyo tiempo de propagacin es de 9 ns, tardar un
tiempo total en aparecer por la salida de la ltima puerta de:
t = n tPM = 14 puertas x 9 ns = 126 ns

Inmunidad al ruido
Cualquier tensin parsita superpuesta a la seal til se considera como un ruido.
La elevada velocidad de conm utacin de los IC provoca seales transitorias que pueden
afectar a la tensin de la fuente de alimentacin, interfiriendo en el funcionam iento normal del
circuito.
Una transicin rpida de los niveles lgicos puede tambin crear impulsos de ruido (rebotes) in
deseables, que se transmiten a travs de la capacidad distribuida entre los terminales de interco
nexin. Estas seales transitorias o rebotes pueden ser interpretadas como seales vlidas por las
puertas lgicas, provocando salidas errneas y, com o consecuencia, un falso funcionamiento del
circuito.
Los IC se disean para presentar cierta inmunidad al ruido y, por consiguiente, ignoran una par
te de l, pero no su totalidad.
La inmunidad al ruido se define com o la cantidad de ruido que puede superponerse a una se
al lgica aplicada a la entrada de un IC digital, sin que la salida de ste circuito cambie de estado
incorrectamente.
La inmunidad al ruido se expresa en voltios y en milivoltios.
El margen de ruido (noise margin) en el cual un IC es inmune al ruido es la diferencia entre el ni
vel de tensin lgico transmitido y el aceptado como entrada vlida.
Para ello, los niveles lgicos H y L de tensin no son tensiones de valores fijos, sino que estn
expresados por una banda de tensiones. Por ejemplo, el nivel L puede estar representado por cual
quier tensin comprendida entre 0 V (GND) y +0,8 V; de la misma forma, el nivel H puede estar re
presentado por cualquier tensin comprendida entre +2 V y + 5 V (figura 15.35).
Por lo general el margen de ruido, o banda de tensiones aceptable, de entrada de un IC es casi
siempre distinto del margen de ruido que corresponde a la salida (figura 15.35).
En lo que se refiere a la entrada, cualquier tensin por debajo de +0,8 V es interpretado como
nivel lgico L; cualquier tensin por encima de +2 V, pero inferior a la tensin de alimentacin (en
este caso +5 V), es interpretado como nivel lgico H. La banda de tensiones comprendida entre
+0,8 V y +2 V es una banda prohibida, porque en esta zona la puerta lgica no es capaz de inter
pretar el valor lgico de la seal de entrada (figura 15.35).

336

CIRCUITOS INTEGRADOS

15.35 Niveles lgicos de las


tensiones de entrada y de salida de
un IC digital.

Tensin de entrada

Tensin de salida

Para la salida, la menor tensin que expresa un nivel lgico H es de +2,4 V (figura 15.35). Como
para la entrada se ha cifrado en +2 V, la diferencia entre estas dos tensiones:
(+2,4) - (+2 V) = +0,4 V
es el valor de la inmunidad al ruido para el nivel lgico H, es decir, constituye el margen de ruido
aceptable para dicho nivel.
En lo que se refiere al nivel lgico L de la salida, ste es, en el caso de la figura 15,35, de +0,5 V.
Para la entrada, el nivel lgico L se ha cifrado en +0.8 V. La diferencia entre estas dos tensiones:
(+0,8 V) - (+ 0,5 V) = +0,3 V
es el valor de la inmunidad al ruido para el nivel lgico L, es decir, constituye el margen de ruido
aceptable para este nivel.
As pues, y considerando los datos que se indican en la figura 15.35, se puede decir:
1. Cualquier ruido parsito sobre una tensin de salida de +0,5 V (nivel lgico L) es ignorado en
la entrada mientras sea inferior a +0,3 V, ya que cualquier valor de tensin hasta +0,8 V es
interpretado como nivel lgico L. Por consiguiente, estos ruidos parsitos no perturban el
funcionamiento del circuito.
2. Cualquier ruido parsito sobre una tensin de salida de +2,4 V (nivel lgico H) es ignorado en la
entrada, porque cualquier valor de tensin hasta +2 V es interpretado como nivel lgico H. Por
lo tanto, estos ruidos parsitos no afectan tampoco al correcto funcionamiento del circuito.
Se puede afirmar que, cuanto mayor es la diferencia entre los valores de las tensiones de en
trada y salida, ms amplio es el margen de ruido y, por tanto, mayor es la inmunidad al ruido del
circuito. Es decir, que un IC tiene ms calidad cuanto ms amplio sea el margen de ruido o, dicho de
otro modo, cuanto mayor sea la diferencia entre los valores de las tensiones de entrada y de salida.
En la prctica, la determinacin de los mrgenes de ruido se realiza sobre la curva de transfe
rencia del IC correspondiente (figura 15.36), en la cual quedan definidos ios siguientes parmetros
de un IC digital (puerta inversora):

Tensiones de entrada V, (abscisa de la figura 15.36):


t/Hmax = Valor mximo de la tensin de entrada a nivel H (punto V5).
'//Hmn = Valor mnimo de la tensin de entrada a nivel H (punto V6).
V!H
= Gama de valores de la tensin de entrada que el elemento lgico
nivel lgico H (entre los puntos t/, y V2).
ViLniax = Valor mximo de la tensin de entrada a nivel L (punto V7).
t/jumin= Valor mnimo de la tensin de entrada a nivel L (punto V8).
VIL
= Gama de valores de la tensin de entrada que el elemento lgico
nivel lgico L (entre los puntos l/ 4 y \/3).

reconoce como

reconoce como

337

COMPONENTES ELECTRNICOS

15.36 Caractersticas tpicas


de transferencia de tensiones de
entrada-salida de un IC digital.

..
vOimx j ,,

%-----I ^fl.TOVl
V;Mmin

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M,
'I/,

Tensiones de salida V0 (ordenada de la figura 15.36):


^oHmx = Valor mximo de la tensin de salida a nivel H (punto l/,).
t/OHmfn - Valor mnimo de la tensin de salida a nivel H (punto V2).
t/0H
= Gama de valores de la tensin de salida que el elemento lgico reconoce com o ni
vel lgico H (entre los puntos I/, y V2).
Kxmax = Valor mximo de la tensin de salida a nivel L (punto V3).
VoLmin = Valor mnimo de la tensin de salida a nivel L (punto t/J.
VOL
= Gama de valores de la tensin de salida que el elemento lgico reconoce como ni
vel lgico L (entre los puntos VA y V3).

En la figura 15.36, se han sealado tambin las zonas de funcionamiento normales, las zonas
en que puede admitirse presencia de perturbaciones, las zonas prohibidas de funcionamiento y los
mrgenes de ruido definidos anteriormente. En esta figura se tiene:
A = Zona de funcionamiento normal de las tensiones de entrada-salida, para nivel H.
A ' = Zona de funcionamiento permisible en presencia de una perturbacin, para nivel H.
A + A = Zona de garanta para nivel H.
B = Zona de funcionamiento normal de las tensiones de entrada-salida, para nivel L.
B = Zona de funcionamiento permisible en presencia de una perturbacin, para nivel L.
B + B ' = Zona de garanta para nivel L.
C = Zona prohibida de funcionamiento.
M l = Margen de ruido de la entrada a nivel L.
M h = Margen de ruido de la entrada a nivel H.
Los valores prcticos de todas estas tensiones dependen de la tecnologa empleada para fa
bricar el IC y, normalmente, estn especificados en los catlogos de los fabricantes. Como ejem
plo, en la figura 15.37 se han dibujado las curvas de transferencia de tres circuitos integrados digi
tales, todos ellos TTL, pero de familias distintas (LS, ALS y FAST).

Temperatura de trabajo
La corriente elctrica que circula por un IC engendra calor en l. Por ello la temperatura en el IC es
siempre superior a la ambiental.

338

CIRCUITOS INTEGRADOS

15.37 Curvas caractersticas de las


familias de circuitos integrados LS,
FASTyALS.

Cada tipo de IC tiene unos mrgenes de temperatura en los que su correcto funcionamiento no
es afectado. Si la temperatura en el integrado est fuera de dichos mrgenes, el circuito trabaja de
ficientemente, e incluso puede resultar destruido.

Factor de calidad
Se ha dicho anteriormente que la calidad de un IC digital es tanto mejor cuanto menor es su p o
tencia de disipacin y menor su tiempo de propagacin.
Tambin se ha dicho que una elevada velocidad de funcionamiento implica una mayor potencia
disipada, es decir, que ambos parmetros son, aproximadamente, inversamente proporcionales.
La relacin entre el tiempo de propagacin y la potencia disipada se debe a las diversas capa
cidades parsitas presentes en el integrado. Estas capacidades se cargan y descargan cuando se
producen las transiciones de los niveles lgicos a travs de las resistencias, transistores y diodos
del integrado, formando constantes de tiempo RC.
Para que las cargas y descargas se realicen con rapidez deben emplearse resistencias de pe
queo valor, con lo cual son pequeos los productos RC, es decir, las constantes de tiempo.
Ahora bien, al reducir los valores de las resistencias del integrado se reducen los tiempos de carga
y descarga de las capacidades y se alcanzan con ms rapidez los estados lgicos correspondientes
(aumenta la rapidez de funcionamiento), pero se presenta el inconveniente de un aumento del valor
de la corriente que circula por el circuito, lo que implica un aumento de la potencia disipada en l.
Por otra parte, el producto de una potencia por un tiempo expresa una energa.
En el caso que se est estudiando, se puede expresar la relacin entre potencia disipada y ve
locidad de funcionamiento de un IC digital por el producto:

= PD^P
WP = Energa total disipada en pJ.
p D = Potencia disipada en mW.
tP = Tiempo de propagacin en ns.
El producto anterior puede considerarse como un factor de calidad de los circuitos integrados.
Un IC tiene tanta mejor calidad cuanto menor es el producto expresado.

CPSULAS PARA CIRCUITOS INTEGRADOS


El chip del IC debe protegerse contra la accin de los agentes externos: polvo, humedad, etc. Por
otro lado, resultan sumamente delicados de manejar y conectar dada su extrem ada pequeez.
Por todos estos motivos, los fabricantes suministran los circuitos integrados en cpsulas especia
les de diferentes tipos, que encierran los propios circuitos y las conexiones interiores entre los blo-

339

COMPONENTES ELECTRNICOS

ques funcionales, saliendo al exterior los terminales correspondientes para la conexin al circuito
impreso, en forma de patillas {pins).
Las cpsulas ms usuales para circuitos integrados tienen las siguientes formas:

Cilindrica.
Plana.
De doble linea.
Miniatura.
Cuadrada.

La cpsula cilindrica es una versin, con altura reducida, de la cpsula TO utilizada para los
transistores (figura 15.38).

0,48 m x

4 .6 7 /n x

12.7 m n

15.38 Cpsula cilindrica (TO) para IC.

El chip se aloja en un recinto metlico (la cpsula), hermticamente cerrado mediante sellado
metal/vidrio.
Estn disponibles variantes de 8 y de 10 pins. Estas cpsulas se montan en los circuitos im
presos de forma anloga a los transistores.
Las cpsulas planas (flatpack) estn diseadas para su soldadura sobre circuitos impresos,
respetando el paso internacional usual, sin necesidad de realizar soldaduras complementarias.
Adems, estas cpsulas permiten un mayor nmero de pins para conectar con el exterior (figu
ra 15.39).

1,40 (05S)

.52(060)

P M N V1

1,14(045)

02 (040)

/r

7.75 (305)
7.49 (295)

7 ,8 7 (310)

6 ,60 (2 50 )

7,24 (285)

5,9 7 (23 5)

0 ,4 8 (019)
21,84 (860)

14,22(560)

9 ,14(360)
8.38 (?30)

13,72(540)

4 -f
i

10.03 (395)
9,40(370)

0,38(015)

._ J

0.89(035)

21.34 (840)

0 ,3 8 (0 1 5 )

9.40(370)
0,15(006)

0,76 (030)
1.02(040)

0.38 (003)

0.51 (020)

8.38 (330)

9 (275)
d.22

(245)

0.48(019)

0.10(004)

0.38(015)

m n

24,38 (960)

2.1 6 (0 8 5 )

2 3,88(940)

1:40(055)

0 .76(030)

3)

15.39 Cpsulas planas (fiat-packs).


a) Flat-pack de 14 pins. b) Flat-pack
de 24 pins.

340

0 , 1 5 ( 006 )

1, 0 2 ( 040 )

0 . 0 8 ( 003 )

0.51 ( 020 )

b)

2 .1 6 ( 085 )
1. 4 0 ( 055 )

CIRCUITOS INTEGRADOS

Las medidas de las cpsulas de la figura 15.39 se han expresado en milmetros y en fracciones
decimales de pulgada (stas entre parntesis).
Generalmente estas cpsulas son cermicas, y estn hermticamente cerradas mediante sella
do metal/vidrio o metal/cermica. Se fabrican con 14, 16. 20 y 24 pins.
La cpsula de doble lnea o cpsula DIL (Dual In Une) es la ms conocida y de mayorempleo.
En el argot profesional se la conoce tambin con los nombres de cucaracha o ciempis .
Se ha desarrollado para responder a un criterio de economa constructiva y aumentar el nme
ro de pins de conexin.
La ms usual es la de 14 pins, dispuestos en doble lnea, aunque tambin se fabrican con 8 , 12,
16, 18, 20, 22, 24, 28, 40, 48, 50 y 64 pins, segn la complejidad del IC.
Los pins siempre guardan una distancia entre ellos de 2,54 mm (1/10 de pulgada), para permi
tir la insercin directa del IC en placas de circuito impreso normalizadas.

8.25

0.32mx

7.62

9.5

3)

1.7 m

24

23

22

21

26

19

<6

17

fff

15

14

(3

ti

>?

B
)

15.40

m
Cpsulas de doble lnea (DIL) con cuerpo de plstico, a) Cpsula DIL de 18 pins. b) Cpsula DIL de 24 pins.

341

COMPONENTES ELECTRNICOS

Existen dos versiones: la de plstico con sellado plstico/metal (figura 15.40), y la de cermica
con sellado de vidrio (figura 15.41). La ventaja de la cpsula cermica es su elevadsima resistencia
a temperaturas elevadas y a la humedad.

15.41 Cpsula de doble lnea DIL con cuerpo cermico, de 28 pins.

Con el fin de evitar errores en la conexin de estas cpsulas, se dispone de una hendidura en
uno de los lados de la misma (figuras 15.40 y 15.41).
Las cpsulas miniatura se conocen tambin con los nombres de minipacks o cpsulas SO
(Small Outline). Se trata de cpsulas DIL pero con dos diferencias respecto a las de doble lnea (fi
gura 15.42):
a) Son de tamao bastante menor, ya que los pins estn separados entre ellos 1,27 mm (1/20
de pulgada) y los elementos que constituyen el chip propiamente dicho estn miniaturizados.
b) Los pins tienen diferente inclinacin, ya que estn curvados hacia abajo y hacia fuera en for
ma de ala de gaviota.
5.2

10.0

JliLFLiLH-iLFLFL
8 / 6
15.42 Cpsula miniatura
(SO) de 16 pins, con
cuerpo de plstico.

342

19

77

12

13

J4

75

16

YYYW F

CIRCUITOS INTEGRADOS

Por lo dems, ambas cpsulas (DIL y SO) utilizan los mismos materiales y la misma tecnologa
de montaje.
Se fabrican con 8 , 14, 16, 18, 20, 24 y 28 pins de conexin.
Las cpsulas miniatura se emplean en la tecnologa de montaje en superficie (SMT).
Las cpsulas cuadradas (chip-carrers) son la consecuencia de la fabricacin de circuitos inte
grados cada vez ms complejos, con integraciones que pueden llegar a 1 0 0 .0 0 0 componentes en
un solo chip, lo cual requiere cada vez mayor nmero de pins de conexin; el empleo de cpsulas
DIL, cada vez ms largas y anchas, puede resultar inviable porque presentan problemas elctricos
y mecnicos de difcil solucin.
Para evitar estos problemas se ha ideado el chip-carrer en dos modalidades: cpsula de pls
tico PLCC (Plstic Leaded Chip Carrer) y cpsula cermica LCC (Ceramic Leadless Chip Carrier).
En la cpsula cuadrada se disponen los pins en sus cuatro lados, con un paso (distancia entre
pins) de 1,27 mm (1/20 de pulgada).
Se fabrican con 20. 28, 44, 52, 6 8 y 84 pins repartidos, como ya se ha dicho, por los cuatro la
dos de la cpsula.

a)

_Q.8frcx

15.43 Cpsulas cuadradas (PLCC) con cuerpo de plstico, a) Chip-carrier de 44 pins. b) Chip-carrer de 68 pins.

343

COMPONENTES ELECTRNICOS

En la figura 15.43 se han dibujado dos chip-carrier de plstico, uno de 44 pins y el otro de 6 8 pins.
Ntese en la parte superior de ambas cpsulas la seal en forma de crculo que indica el terminal
nmero 1 , a partir del cual se numeran los dems en sentido opuesto al giro de un reloj.

15.44 Cpsula cuadrada (LCC) con


cuerpo de cermica, de 20 pins.

En la figura 15.44 se puede ver un chip-carrier de cpsula cermica de 20 taladros. Ntese la


forma del taladro que sirve de ndice para el nmero 1 .

CDIGO DE DESIGNACIN PARA LOS CIRCUITOS INTEGRADOS


El cdigo pro-electron de designacin de circuitos integrados es aplicable a circuitos integrados
monolticos, multichip, de pelcula fina, pelcula gruesa e hbridos.
Est formado por tres letras y un nmero de cuatro cifras.
La primera y segunda letra identifican a una familia de circuitos integrados digitales cuando se
trata de las letras FA, FB
GA, G B
etc.
Estas familias de circuitos integrados digitales pueden ser interconectadas entre s, y vienen defi
nidas por sus caractersticas elctricas bsicas, tales como tensin de alimentacin, consumo de p o
tencia, velocidad de propagacin de las seales, e inmunidad al ruido.
Cuando se trata de circuitos integrados solitarios, tales como los utilizados en radio, televisin, v
deo, etc., es decir, de circuitos integrados analgicos, digitales o mezcla de digital y analgico, que
no forman parte de ninguna familia por realizar ellos solos una o varias funciones, la primera letra
indica el tipo de IC segn el siguiente cdigo:
S = IC digital.
T = IC analgico.
U = IC mezcla de digital y analgico.
La segunda letra es, en este caso, una letra de serie, sin significado alguno, excepto la H, que
se utiliza para designar los circuitos integrados hbridos.
En el caso de microprocesadores, las dos primeras letras identifican al microprocesador y cir
cuitos correlativos, segn el siguiente cdigo:
MA
MB
MD
ME

=
=
=
=

Microprocesador. Unidad central de proceso.


Parte de microprocesador.
Memorias correlativas.
Otros circuitos correlativos (reloj, controlador de perifrico, interface, etc.).

Los dispositivos de transferencia de carga se identifican, en sus dos primeras letras, por el si
guiente cdigo:
NH = Circuitos hbridos.
NL = Circuitos lgicos.

344

CIRCUITOS INTEGRADOS

NM
NS
NT
NX
NY

=
=
=
=
=

Memorias.
Procesadores de sealanalgica, utilizando condensadores conmutadores.
Procesadores de sealanalgica, utilizando dispositivos de transferencia de carga.
Dispositivos de imagen.
Otros circuitos.

En todos los circuitos integrados la tercera letra de su nomenclatura indica el margen de te m


peratura en la que pueden trabajar, segn el siguiente cdigo:
A
B
C
D
E
F
G

=
=
=
=
=
=
=

Gama de temperatura no especificada.


de 0 C a +70 C.
de 55 C a +125 C.
de 25 CC a +70 C.
de 25 C a +85 nC.
de 40 C a +85 C.
de 55 C a +85 C.

En el caso de circuitos integrados capaces de trabajar en otras gamas de temperatura, la ter


cera letra puede ser la correspondiente a la gama ms cercana o bien la letra A. As, por ejemplo,
si un IC puede trabajar dentro de una gama de temperaturas comprendidas entre 0 C y +75 C,
la tercera letra de su cdigo puede ser la B o la A.
El nmero de serie que sigue a las tres letras anteriores puede estar formado por tres o cuatro
cifras o por una combinacin de letras y cifras.
Al nmero de serie bsico puede aadrsele una letra para indicar una variante respecto a las ca
ractersticas elctricas y/o de la cpsula. Las letras que se relacionan a continuacin son las reco
mendadas para cada tipo de cpsula:
C
D
F
L
P
Q
T
U

=
=
=
=
=
=
=
=

Cpsula cilindrica.
Cpsula Dual In Une cermica.
Cpsula plana.
Chip sobre cinta.
Cpsula Dual In Une plstica.
Cpsula Quadruple In Une (QIL) (cuadrada y con terminales en sus cuatro lados).
Para cpsulas miniaturas en plstico.
Para chip sin cpsula.

Otra alternativa a este cdigo de cpsulas es la que utiliza dos letras; la primera de ellas para
indicar el tipo de cpsula y la segunda el material con la que est fabricada.
La primera letra corresponde al siguiente cdigo:
C =
D =
E =
F =
G =
K =
M=
Q =
R =
S =
T =

Cilindrico.
Dual In Une (DIL).
DIL de potencia (con radiador de calor incorporado).
Cpsula plana con patitas en dos de sus lados.
Cpsula plana con patitas en cuatro de sus lados.
Cpsula en forma de diamante (tipo T03).
Mltiple In Une (excepto Dual, Triple, Quadruple In Une).
Quadruple In Une (QIL).
QIL de potencia (con radiador de calor incorporado).
Single In Une (con patitas en uno solo de sus lados).
Triple In Une (con patitas en tres de sus lados).

La segunda letra, correspondiente al material de fabricacin de la cpsula, indica los siguientes


materiales:

345

COMPONENTES ELECTRNICOS

C
G
M
P

=
=
=
=

Cermica.
Cermica-vidrio.
Metal.
Plstico.

Otro cdigo, ajeno al pro-electron, y que se emplea mucho en los circuitos integrados digitales,
es el que est formado por unas letras que indican el fabricante y unos nmeros y letras que res
ponden a la familia y tipo de IC digital.
En lo que respecta al fabricante, a continuacin se relaciona los cdigos de algunos de los ms
importantes.
TL = AEG Telefunken.
F = Fairchild.
MIC = ITT.
MC = Motorola.
DM = National Semiconductors.
T = SGS/ATES.
N = Signetics.
SN = Texas Instruments.
TMS = Texas Instruments (tecnologa MOS).
A continuacin le sigue una cifra indicativa de la gama de temperatura de funcionamiento del in
tegrado. Segn esta gama de temperatura la cifra ser:
5 = de 55 a 125 C
7 = de 0 a 70 C
8 = de 25 a 85 CC
Sigue una segunda cifra, con la que se distingue el tipo de circuito, segn el siguiente cdigo:
2 = Amplificador operacional (circuitos lineales).
4 = Circuito digital.
5 = Circuito de interface.
6 = Circuito de telecomunicacin, radio y televisin.
A continuacin, se indica un nmero de dos o tres cifras, a veces precedidas de unas letras,
que define la familia y el tipo de circuito.
Respecto a las posibles letras que figuran precediendo a este cdigo citaremos algunas:
HC = Familia CMOS.
STD = Familia TTL Standard.
LS = Familia TTL Low-power Schottky.
S = Familia TTL Schottky.
F = Familia TTL FAST.
ALS = Familia Advanced Low-power Schottky.
y con referencia al nmero no existe una normativa al respecto, por lo que deber consultarse el
catlogo del fabricante para determinar de qu circuito digital se trata.
Despus del cdigo de la funcin del circuito sigue una letra, que indica el tipo de cpsula se
gn el siguiente cdigo:
J = Cpsula DIL cermica.
N = Cpsula DIL plstica.
W = Cpsula Fiatpack cermica.

346

CIRCUITOS INTEGRADOS

As, si un IC lleva la indicacin:


SN 74LS02N
se trata de un IC fabricado por Texas Instruments (SN). que puede trabajar con temperaturas am
bientes comprendidas entre 0 y 70 C (7). que es un circuito digital (4), que pertenece a la familia
TTL Low-power Schottky (LS), que posee cuatro puertas OR de dos entradas (esto se determina
consultando el catlogo) y, finalmente, que su cpsula es DIL plstica.

347

Radiadores de calor

INTRODUCCIN
El calor generado en las uniones y en los chips de los componentes semiconductores debe disiparse,
pues de lo contrario podran resultar destruidos debido a un aumento excesivo de su temperatura.
Por otra parte, la disipacin del calor generado favorece el funcionamiento estable del semi
conductor, ya que la corriente residual, o de fuga, depende m ucho de la temperatura.
Para la disipacin del calor generado en los semiconductores se recurre al empleo de radiado
res de calor.

Calor
El calor es una forma de energa que depende de la estructura interna de los cuerpos, y se debe al
movimiento desordenado de sus molculas.
Debido a que el calor aumenta la energa cintica de las molculas, se produce un aumento de
la temperatura.

Temperatura
Se puede definir la temperatura como el nivel de calor que tiene un cuerpo. En efecto, cuando un
cuerpo se somete a una fuente de calor ste aumenta su temperatura.
La temperatura se mide mediante termmetros o mediante pirmetros, utilizndose diversas es
calas, tales com o la de grados centgrados o Celsius (C), la de grados Fahrenheit (F) o la de gra
dos Kelvin (K o K).
Para medir la temperatura en semiconductores se utilizan las escalas Celsius y Kelvin indistin
tamente.

Transmisin del calor


Existen varias formas de transmisin del calor: radiacin, conveccin y conduccin.
La transmisin de calor por radiacin se debe a que todo cuerpo irradia calor cuando su tem
peratura absoluta es superior a 0 K (equivalente a -273.15 C).
El calor Irradiado es tanto mayor cuanto mayor es la temperatura del cuerpo.
El cuerpo con mayor poder de radiacin es el cuerpo negro ideal', por este motivo los fabrican
tes de radiadores trmicos utilizados en electrnica suelen ennegrecerlos.
La transmisin de calor por conveccin se debe a que el calor contenido en un cuerpo slido
se transmite al fluido que lo rodea. Debido a la variacin de la densidad con la temperatura, en la
transmisin de calor por conveccin se forman lneas de movimiento del fluido que rodea al cuer
po, las cuales evacan el calor contenido en este ltimo.
Existen dos formas de transmisin de calor por conveccin: la natural y la forzada.
En la conveccin natural, el movimiento del fluido que rodea al cuerpo (aire, agua,...) se debe a
la transmisin del calor de las capas ms calientes a las ms fras de dicho fluido.
En la conveccin forzada, la circulacin del fluido est provocada por un medio exterior, como
puede ser un ventilador o una bomba de agua.
En radio y televisin la transmisin de calor por conveccin es del tipo natural, ya que no es ex
cesiva la cantidad de calor que debe ser evacuado. En algunas aplicaciones de la electrnica, ta

ELECTRNICOS

les como la industrial o la informtica, s es necesaria una conveccin forzada. Aqu slo trataremos
la conveccin natural, que es la que se aplica en los circuitos electrnicos de audio y vdeo.
En la transmisin de calor por conduccin, el calor se transmite por el interior de un cuerpo (s
lido o lquido), establecindose en el mismo una circulacin de calor.
La cantidad de calor mxima que puede atravesar un cuerpo es aquella para la cual se consi
gue una estabilizacin de la temperatura en todos sus puntos.

Resistencia trmica
Para que la energa calorfica pueda transmitirse de un punto a otro de un cuerpo debe existir una
diferencia de temperatura entre dichos puntos; es decir, no existir transmisin de calor entre los
puntos de un cuerpo que tengan la misma temperatura.
El calor pasa del foco caliente al fro, por lo que cualquier factor que impida el paso del fluido
calorfico acta como un aislante. Este factor se denomina resistencia trmica.

TEMPERATURAS EN LOS SEMICONDUCTORES


En todo dispositivo semiconductor existen diversos niveles de temperatura que deben ser consi
derados.
Cada uno de estos niveles se representa por un smbolo, segn el siguiente cdigo interna
cional:
T
= Temperatura de la unin.
Tjb = Temperatura del fondo de la cpsula.
Tense = Temperatura de la cpsula.
T, = Temperatura del radiador trmico (si lo hubiera).
Tamb = Temperatura ambiente.
Tstg = Temperatura de almacenamiento.
De todas estas temperaturas la ms elevada es, sin duda, la de la unin, pues en ella se en
gendra el calor, y la ms baja la temperatura ambiente; es decir, el orden de niveles de temperatu
ra de mayor a menor es el mismo indicado en la anterior relacin, puesto que si bien puede suce
der que la temperatura ambiente est por debajo de la de almacenaje, no es el caso normal.
Este orden ha de ser respetado para que el calor pueda ser evacuado, pues si el orden se rompe
el calor pasar hacia la unin (ms fra), con el consiguiente peligro de destruccin de la misma.
Este caso es fcil que suceda, por ejemplo, al llevar a cabo una soldadura sin tomar las pre
cauciones adecuadas de rapidez, soldador de pequea potencia, y evacuacin del calor de la cp
sula mediante unos alicates en contacto con ella o con el terminal que se est soldando; en caso
de no tom ar estas precauciones, el calor de la punta del soldador se transmite a la cpsula y de
sta a la unin, pudiendo llegar a su destruccin.
En resumen, para que la transmisin de calor sea adecuada, es necesario que los niveles de tem
peratura desciendan de la unin al ambiente, siendo tanto mejor la evacuacin cuanto mayor sea
la diferencia de nivel entre una y otra temperaturas.

RESISTENCIA TRMICA EN LOS SEMICONDUCTORES


En todo dispositivo semiconductor se engendra calor en sus uniones, el cual es evacuado hacia el
exterior con ms o menos facilidad, segn los diferentes obstculos hallados. Estos obstculos son
las resistencias trmicas de los diferentes materiales constituyentes del dispositivo.
La resistencia trmica se representa por el smbolo literal fth para diferenciarla de la resistencia
elctrica, cuyo smbolo es f.
La unidad de medida de la resistencia trmica es el CAA/, e indica la cada trmica en funcin
de la potencia disipada por el foco calorfico.

RADIADORES DE CALOR

As, en un cuerpo que posea una resistencia trmica de


de 5 W, la caida trmica ser de:
T = PR.h = 5 W x

"CAA/, y cuya potencia disipada sea

= 40 C

As pues, s el calor se disipa rpidamente la resistencia trmica ser pequea, mientras que si
la conduccin del calor es deficiente la resistencia trmica ser elevada.
En los semiconductores cabe destacar tres resistencias trmicas, repartidas entre la unin y el
medio ambiente. Estas resistencias trmicas son:

La resistencia trmica entre la unin y el fondo de la cpsula, representada por RthHb. Esta
resistencia trmica se debe a que el calor engendrado en la unin del cristal semiconductor
debe pasar al fondo de la cpsula con cierta resistencia trmica u oposicin al paso del ca
lor.
La resistencia trmica entre el fondo de la cpsula y sta, representada por R\r>tb-cLa resistencia trmica entre la cpsula y el ambiente que la rodea. Su smbolo es R,|1c.gmb-

En el caso de utilizar radiador de calor aparece una cuarta resistencia trmica: la comprendida
entre la cpsula y el radiador, y que se representa por Rlhc.r, sustituyndose, en este caso, la resis
tencia trmica cpsula-ambiente por la de radiador-ambiente (RIhl mb).
Resumiendo, en un dispositivo dotado de radiador, a fines prcticos se consideran las siguien
tes resistencias trmicas:
R,n fb
=
fm(b,r =
^thr-amb =
fmn> amb =

Resistencia
Resistencia
Resistencia
Resistencia

trmica
trmica
trmica
trmica

entre
entre
entre
entre

unin y fondo de la cpsula.


fondo de cpsula y radiador.
radiador y medio ambiente.
fondo de la cpsula y medio ambiente.

Cuando se efecta el montaje de un radiador, ste podr ser directo (en intimo contacto con la
cpsula), o bien mediante arandelas aislantes de mica o silicona, por lo que estos materiales inter
medios tambin ofrecern una determinada resistencia trmica.
Asimismo, la resistencia trmica varia segn est trabajada la superficie de contacto: anodizada. sin anodizar, rectificada, etc.
De todas las resistencias trmicas expuestas, la existente entre radiador y medio ambiente es la
que suelen indicar los fabricantes de radiadores en sus catlogos, y es la que debe tenerse pre
sente para la correcta eleccin del mismo.

CURVAS CARACTERSTICAS TRMICAS


Los fabricantes de semiconductores proporcionan en sus catlogos curvas caractersticas tales
como las de la potencia total de disipacin en funcin de la intensidad de corriente, y las de la p o
tencia total de disipacin en funcin de la temperatura ambiente, que facilitan la eleccin del radia
dor ms adecuado en cada caso.
As, en la figura 1 6 .1 se ha dibujado la curva caracterstica de la potencia de disipacin en fun
cin de la corriente, en la que se aprecia que sigue un curso exponencial.
Las curvas de la figura 16.2 corresponden a la intensidad de corriente en funcin de la tem
peratura ambiente, de cuatro radiadores de calor (a, b. c y d).
De esta ltima figura se deduce que para una cierta intensidad de corriente J0, la temperatura
ambiente permitida es tanto mayor cuanto menor sea la resistencia trmica del radiador ftbf.amb, ya
que en la figura 16.2 se considera que,
a >b >c >d

351

COMPONENTES ELECTRNICOS

i
(W)

0
16.1 Curva caracterstica
Plot = f( l) de un semiconductor.

16.2 Curvas caracteristicas I = f(Tmb)


de cuatro radiadores con distinta
resistencia trmica.

Efectivamente, con una intensidad de corriente I 0 y un radiador con resistencia trmica d, el se


m iconductor puede trabajar a una temperatura ambiente T2 mayor que si se utiliza un radiador con
resistencia trmica b ms elevada.
Estas dos curvas pueden relacionarse entre s, tal como se muestra en la figura 16.3, en la que,
adems, se indica la temperatura en el fondo de la cpsula (7^).

16.3 Relacin entre las curvas


caractersticas de las figuras 16.
y 16.2.

Con estas curvas caractersticas el profesional puede efectuar la lectura directa de cualquier
magnitud que desconozca a partir del parmetro que disponga.
Se observa, asimismo, que el lmite de temperatura ambiente coincide con el de la temperatura
de la unin (7) soportada por el semiconductor, y a la cual van a parar todos los inicios de las rec
tas de los radiadores de calor.
Veamos un ejemplo de lectura de estos grficos. Para ello, supongamos que el dato conocido
es la intensidad de corriente que circula por el semiconductor (marcada con I 0 en la figura 16.3).
Se levanta una perpendicular a dicho punto hasta que corte a la curva Ptot = f(I) en el punto C,
y desde este ltimo se traza una perpendicular sobre el eje de potencia de disipacin, encontran
do el punto P de la figura 16.3, el cual indica la potencia que disipa el semiconductor.
Prolongando la recta PC hasta el eje de temperaturas de cpsula Ttb se halla el punto A. que
permite conocer la temperatura del fondo de la cpsula en dichas condiciones de funcionamiento
(figura 16.3).
La recta PCA corta en su trayectoria las rectas correspondientes a los cuatro radiadores, cuyas
resistencias trmicas (fthr_amb) se han representado por a, b, c y d.

352

RADIADORES DE CALOR

Si se elige, por ejemplo, el radiador b. se tendr el punto de Interseccin D, a partir del'cual se


traza una perpendicular sobre el eje
obtenindose el punto B correspondiente a la tempera
tura ambiente a la que puede trabajar el semiconductor con este radiador.
Si en lugar del radiador b se elige otro con menor resistencia trmica (como el c o el d), se o b
tiene una temperatura ambiente de trabajo ms elevada (figura 16.3).
La temperatura ambiente obtenida no debe ser nunca sobrepasada, pues si esto sucediera se
produciran daos irreparables en el semiconductor.
En la prctica, es mucho ms corriente partir de los datos Pt0, I y r amb, pues lo que se desea
conocer es el tipo de radiador que se ha de disponer en el semiconductor. En este caso se proce
de de forma similar a la descrita, pero en orden distinto.
Asi, supongamos que la temperatura ambiente a la que debe trabajar el semiconductor (dn
dole un margen de seguridad por posibles elevaciones imprevistas de la temperatura ambiente),
sea el correspondiente al punto B de la figura 16.3, y que se conocen los valores de Plot e I en r
gimen de funcionamiento normal.
En este caso se opera de igual forma a la anterior, pero en lugar de proyectar D sobre S, se pro
yecta B sobre D, obtenindose el radiador b com o el ms adecuado.
Si la temperatura ambiente fuese otra ms baja, o ms alta, lgicamente la vertical trazada so
bre el eje r,n1b dara como resultado otro tipo de radiador de mayor o menor resistencia trmica.

IMPEDANCIA TRMICA
Cuando un semiconductor trabaja en rgimen de impulsos, soporta una potencia bastante supe
rior a la P,olrnx en continua, por lo que el aumento de la temperatura de la unin que se deriva de
ello no slo depende de la resistencia trmica entre unin y fondo de la cpsula, sino tambin del
ancho del impulso tD y del perodo T (figura 16.4).

1 pICO

16.4 Un semiconductor
trabajando en rgimen de impulsos
soporta una potencia bastante
superior a la P,olrnix en continua,
provocando un aumento de
temperatura en la unin que
depende del ancho del impulso tp
y del perodo T.

Cuando se alcanza el rgimen permanente se tiene:


" ^ Ip ic o

^~ fb

'

p ic o ^ th j-fo

y
T
' |mx

T
- P
7
' ib ~ ' ptcorruix*-thj-fb

Donde Z.h|.to representa la impedancia trmica del fondo de la cpsula.

353

ELECTRNICOS

16.5 Curvas caractersticas de


la impedancia trmica entre unin
y base de montaje en funcin de
la duracin de los impulsos de
un transistor trabajando en
rgimen de impulsos.

En la figura 16.5 se ha dibujado la curva caracterstica


pulsos, para diferentes valores de 8 de un transistor, siendo

en funcin de la duracin de los im


igual al cociente:

Efectivamente, cuando fp = T, es decir, cuando 8 = 1, no existen impulsos, por lo que se puede


afirmar que el transistor trabaja en continua, y la impedancia trmica entre unin y fondo de cp
sula es igual a la resistencia trmica entre unin y fondo de cpsula.
Cuando fp es inferior al tiempo del perodo T, la impedancia trmica es inferior a la resistencia
trmica.
Veamos un ejemplo de ello: supongamos que el transistor trabaja con unos impulsos cuya d u
racin sea de 10 ns, siendo la duracin del perodo T (tiempo en el que se repiten los impulsos) de
100 ,us. Esto quiere decir que cada 100 ns se produce un impulso de 10 ns, durante el cual el tran
sistor pasa a ser conductor, y un tiempo de 90 ns durante el cual el transistor permanece bloquea
do, refrigerndose.
En estas condiciones se tiene un valor de 8 de:

= =
t

1 US
1 0 0 ns

0 ,1

Con este dato se busca en las curvas de la figura 16.5 la correspondiente a 8 = 0,1, trazando
desde ella una perpendicular al tiempo 10~2 ms del eje t0.
A continuacin, y desde la curva 8 = 0,1, se traza otra perpendicular sobre el eje Zthj..tb, dando
una impedancia trmica entre la unin y el fondo de la cpsula de 0,3 C/W, es decir, bastante in
ferior a la resistencia trmica unin-base de montaje que le corresponde en rgimen continuo, y
que como se puede averiguar en la figura 16.5 es, en este caso, de 2,5 C/W.
Todo esto resulta lgico, ya que cuanto ms pequea sea la duracin del impulso con respec
to al tiempo de bloqueo, mejor se refrigera el transistor.
En la figura 16.5 se observa que cuanto ms largos sean los impulsos mayor ser la impedan
cia trmica de la unin-base de cpsula del transistor, aunque el cociente f / T permanezca cons
tante.
Para finalizar, y a ttulo informativo, diremos que la potencia de pico mxima de un transistor en
rgimen de impulsos queda aumentada con respecto a la potencia mxima en rgimen continuo
en la proporcin:
p
' picomx

_ p
' otm x

f n j-fb
y
^ -th j-fb

RADIADORES DE CALOR

CLASIFICACIN DE LOS RADIADORES


En las pginas anteriores se han estudiado las resistencias trmicas presentes en todo dispositivo
semiconductor y la influencia que las mismas ejercen sobre una buena refrigeracin de los mismos.
Indudablemente no es posible modificar las resistencias trmicas propias de un semiconductor,
las cuales dependen exclusivamente de las caractersticas constructivas de las cpsulas utilizadas,
tal y como se indica en la tabla 16.1, en la que se puede observar que la resistencia trmica entre
unin y ambiente es bastante elevada.

.... ,
o .

..

cc S_

R
i C- VV)
' ' ''

Tipo de cpsula

45

TO 3

1a 5

TO 126

TO 220

2,1

SOT 9

4,5

SOT 3

1a5

45

SOT 32

SOT 78

2,1

SOT 82

2,1

100

10

10

100

100
Tabla 16.1 Resistencias
trmicas tpicas asociadas
a diversos tipos de cpsula
de transistor.

De lo expuesto se deduce que la nica forma de reducir la resistencia trmica entre unin y am
biente consiste en disponer un buen radiador de calor, el cual ha de tener la menor resistencia tr
mica posible.
Los radiadores de calor para semiconductores de potencia pueden clasificarse en tres grandes
grupos o categoras:

Radiadores planos.
Radiadores de aletas inyectadas.
Radiadores de perfiles extrusionados.

En la prctica los radiadores inyectados, y los de perfiles obtenidos por extrusin, son los ms
utilizados. Los radiadores planos slo se utilizan cuando los valores de las resistencias trmicas exi
gidas son de varios grados por vatio, y cuando las prdidas en los componentes semiconductores
no exceden de 50 o 60 W.
En efecto, com o se ver a continuacin, las superficies de los radiadores planos, por encima de
los valores indicados, se hacen rpidamente prohibitivas.

Radiadores planos
El radiador plano consiste en una placa de metal plana, donde se fija el com ponente sem icon
ductor.
Se ha comprobado que los de mayor rendimiento de disipacin son los de aluminio, con un
acabado anodizado negro mate, fabricndose tambin en aluminio pulido.
Veamos ahora el procedimiento para calcular rpidamente la superficie de estos radiadores.

355

ELECTRNICOS

En un radiador plano el calor se disipa por caminos distintos, cuyo conjunto constituye la resis
tencia trmica propia del radiador. Estos caminos son los siguientes:
a) Evacuacin por conduccin calorfica propia del material utilizado, y que depende de la su
perficie en contacto con el aire ambiente que lo rodea y de su estructura.
b) Evacuacin por radiacin.
c) Evacuacin por conveccin propia, de acuerdo con la diferencia de temperatura entre ra
diador y el aire ambiente que lo rodea.
El conjunto de todas estas vas de evacuacin de calor se denomina coeficiente de expansin
trmica, simbolizado por la letra 5.
El coeficiente de expansin trmica vale, para los materiales corrientes (cobre o aluminio), entre
1 y 3 m W /cm 2.
La resistencia trmica de un radiador plano es inversamente proporcional a su superficie, direc
tamente dependiente de su acabado (brillante o ennegrecido) y directamente proporcional a la di
ferencia de temperatura entre el medio ambiente y el radiador.
Todo esto queda reflejado en las curvas caractersticas de la resistencia trmica en funcin de
la superficie, mostradas en la figura 16.6.

8
fflUr-antb

(C/W)
6

16.6 Curvas caractersticas de la


resistencia trmica de un radiador
plano en funcin de su superficie.

300 S (cm2)

Las curvas caractersticas de la figura 16.6 corresponden a un radiador plano de cobre de 2 mm


de espesor, o de aluminio de 3 mm de espesor, montado verticalmente.
Para el clculo de un radiador plano se recurre a la frmula:

'thr-air.b^

Donde S es la superficie del radiador en cm 2, f l lhr.amb la resistencia trmica del radiador en C/W, y
5 el coeficiente de expansin trmica en W /cm 2.
As, por ejemplo, la superficie de un radiador con una resistencia trmica de 4 C/W (tomando
un valor medio para el coeficiente de expansin trmica de 2 m W /cm 2) ser:

S = ------- =
f th r .a m b

- --------- 1------t --------- = 125 cm 2


4 CA/V x 2 x 10 W /cm 2

Se ha obtenido una superficie para el radiador de dimensiones considerables, razn por la cual
se utilizan los radiadores de aletas y de perfiles extrusionados.
El clculo desarrollado es vlido con la condicin de que las dos caras del radiador contribuyan

RADIADORES DE CALOR

a la evacuacin calorfica, para lo cual ha de montarse vertlcalmente y no muy prximo a una pa


red que pueda impedir el intercambio trmico por conveccin natural.
En el caso de tomar como radiador un chasis horizontal, slo se tomar como elemento de re
frigeracin la cara superior del mismo. En este caso, para una misma resistencia trmica deseada,
se debe duplicar la superficie hallada segn la frmula anterior, es decir, en nuestro ejemplo la su
perficie del radiador plano horizontal sera de 250 cm 2.

Radiadores inyectados
En dispositivos de potencia, donde deben evacuarse prdidas que se cifran en centenares de va
tios, y en los dispositivos donde la colocacin de un radiador plano resulta prcticamente imposi
ble por razones de espacio, se recurre a los radiadores de aluminio inyectado, de los que se mues
tra un modelo en la figura 16.7.

67,6

100

16.7 Vistas principales y


dimensiones de un radiador
de aluminio inyectado.

Los radiadores de aluminio inyectado proporcionan un elevado rendimiento, gracias a la dispo


sicin de sus aletas y a la adicin de cobre en la aleacin empleada para su fabricacin.
Su diseo lo hace apto tanto para el trabajo por conveccin natural como para el trabajo por
conveccin forzada. Se suministran pintados en color negro.
La resistencia trmica se halla comprendida entre 1,1 y 1,2 C/W.

DISEOS CONSTRUCTIVOS DE RADIADORES DE CALOR


Existen dos puntos a considerar en un radiador desde el punto de vista de su diseo constructivo:
uno hace referencia a su forma y el otro a su acabado.
Desde el punto de vista del acabado, la resistencia trmica de un radiador es funcin del mis
mo. As, una superficie pintada tiene mayor emisin de calor que una brillante no pintada. Este
efecto es an ms marcado en los radiadores de placa plana, donde aproximadamente una terce
ra parte del calor se pierde por radiacin.
El color de la pintura no afecta en gran manera a la resistencia trmica, de forma que un radia
dor plano pintado de blanco brillante tiene slo un 3 % ms de resistencia trmica que otro de las
mismas caractersticas pero pintado de negro mate.
El pintado es menos efectivo en los radiadores con aletas, ya que el calor radiado por las aletas
pasa a las aletas adyacentes.
El anodizado y el grabado disminuyen la resistencia trmica.
Pinturas de tipo metlico (como la pintura de aluminio) tienen la menor radiacin, pero aun as
conducen diez veces ms que un acabado metlico brillante de aluminio.
Desde el punto de vista constructivo resulta prcticamente imposible describirlos todos, ya que
son infinidad los existentes en el comercio. Por esta razn, a continuacin se describen algunos m o
delos que, bien por su diseo, bien por su forma de unin al componente semiconductor, hemos
considerado de inters.

357

COMPONENTES ELECTRNICOS

A
13

16.8 Vistas principales y


dimensiones de un radiador
de calor para cpsula TO-126.

2,8

20

En la figura 16.8 se han dibujado las dos vistas principales (con sus dimensiones en milmetros)
de un radiador de calor para cpsula tipo TO 126, y que consiste en una horquilla de aluminio ne
gro mate.
La cpsula TO-126 se dispone dentro del radiador ejerciendo una ligera presin sobre el radia
dor para que se abra. La resistencia trmica de este radiador es de 54 C/W.
La ilustracin de la figura 16.9 corresponde a un radiador para una o dos cpsulas TO 126.

K.1

t
36

1
26

16.9 Vistas principales y


dimensiones de un radiador
de calor para una o dos
cpsulas TO-126.

Se fabrica en aluminio negro mate y con anodizado especial aislante. Su resistencia trmica es
de 17 C/W.
Se fabrica en dos modelos de dimensiones distintas, lo cual permite disponer los transistores
intercalados entre ambos radiadores, tal y como se aprecia en la figura 16.10; con ello se obtiene,
para una mxima e igual disipacin de los transistores, una disminucin de la temperatura en los
radiadores de unos 10 C, aproximadamente.

16.10 Los transistores pueden


disponerse entre dos radiadores de
dimensiones distintas para obtener
una disminucin de la temperatura
en los radiadores.

Para finalizar, vase en la figura 16.11 un diseo de radiador realizado nica y exclusivamente
para circuitos integrados.
El elevado rendimiento de este radiador permite reducir su tamao considerablemente, pudin
dose montar los circuitos integrados directamente sobre los circuitos impresos, sin necesidad de
sujetar el radiador a la placa del circuito impreso.
Es aconsejable disponer silicona entre el radiador y el circuito integrado, con el fin de reducir la
resistencia trmica de contacto.
El IC queda asociado al radiador mediante dos pinzas diseadas para tal efecto (figura 16.11).
Estas pinzas las suministra el mismo fabricante del radiador.

358

RADIADORES DE CALOR

CM

16.11 Dimensiones de un
radiador y de las pinzas de
sujecin del mismo, para
circuitos integrados. En la
parte inferior se ve la forma
de efectuar la sujecin.

641
24,3

La longitud del radiador de la figura 16.11 es de 19 mm, aunque se pueden suministrar en tiras
de 1 m que se cortan a la medida deseada. Estas tiras se suministran anodizadas o sin anodizar.
Los datos tcnicos, para 50 mm de longitud, son los siguientes:
Superficie radiante: 105 mm2.
Resistencia trmica: 9 C/W.
Peso: 28 g.
Para la longitud estndar de 19 mm la resistencia trmica es de 20 C/W.

CURVAS CARACTERSTICAS TRMICAS DE UN RADIADOR


Los datos trmicos de un radiador se suministran, normalmente, en forma de curvas caractersticas
que relacionan la resistencia trmica del radiador con su superficie y potencia total de disipacin.
As, la curva caracterstica de la figura 16.12 corresponde a la variacin de la resistencia trm i
ca f ;hr.OTb en funcin de la potencia P,0l que debe disiparse. Se observa que la resistencia trmica
del radiador disminuye ligeramente con el aumento de la potencia disipada por el semiconductor.
La figura 16.13 corresponde a las curvas de resistencia trmica de un radiador plano en funcin
de su superficie, y para dos potencias de disipacin (3 y 30 W). Obsrvese que las dos escalas de
la figura 16.13 son logartmicas, de forma que cubran una amplia gama de superficies, y que la di-

16.12 Curva caracterstica


de la resistencia trmica de
un radiador en funcin de la
potencia total disipada.

359

COMPONENTES ELECTRNICOS

16.13 Curvas caractersticas


generales de un disipador plano
cuadrado, vertical, con placas
negras de aluminio de 3 mm
de espesor.

100

___
o

.
c;
a

10

25
c~

c/>

1
10

100

1.000

rea de un lado (cm2)

ferencia entre resistencias trmicas con 3 y 30 W de disipacin no es excesiva, tal y como se ve en


la figura 16.12, es decir, que la resistencia trmica disminuye ligeramente con el aumento de la po
tencia de disipacin. As, un radiador plano cuadrado, de aluminio pintado en negro, y 3 mm de es
pesor y 10 cm 2 de superficie, posee una resistencia trmica de 20 CA/V con potencias de disipa
cin de 3 W, y de unos 15 CA/V para potencias de disipacin de 30 W. Entre 3 y 30 W la resistencia
trmica se situar, lgicamente, entre 20 y 15 C/W.
En la figura 16.13 se puede leer tambin que la resistencia trmica disminuye con el aumento
de la superficie del radiador, de forma que con 200 cm 2 y 3 W de disipacin la resistencia trmica
es tan slo de 2 CA/V. Lgicamente, ello no significa que se deba siempre disponer la mayor su
perficie de radiador posible, puesto que en el diseo influye el espacio disponible, por lo que se de
ber elegir la superficie adecuada segn el proceso expuesto anteriormente.
Las curvas de la figura 16.13 corresponden a una disposicin vertical del radiador, la cual, como
se ha dicho, facilita la radiacin de calor hacia el aire circundante por las dos caras, por lo que si el
radiador se dispone en posicin horizontal, se considerar una resistencia trmica doble que la o b
tenida de las curvas de la figura 16.13.

16.14 Curvas caractersticas


generales de un disipador
con aletas de aluminio pintadas
de negro.

o, 1
1

10

Itf

103

10*

Volumen total del disipador (espacio ocupado) (cm3)

Finalmente, en la figura 16.14 se han dibujado las curvas caractersticas generales de las resis
tencias trmicas en funcin del volumen, y para dos potencias de disipacin de radiadores, con
aletas de aluminio pintado en negro. El volumen considerado en este caso es el producto de las
tres dimensiones del radiador (figura 16.15) y expresado en cm 3.
C om parando las curvas caractersticas de la figura 16.14 con las de la figura 16.13 se apre
cia perfectam ente cm o las resistencias trm icas son ms pequeas en los radiadores con ale
tas, facilitando con ello m ucho mejor la evacuacin de calor. Tngase presente, a este respec
to, que la figura 16.14 trata de volmenes y la figura 16.13 de superficies, por lo que si no se
tiene en cuenta la altura de las aletas, la superficie ocupada por los radiadores con aletas es
m ucho menor.

360

RADIADORES DE CALOR

16.15 Dimensiones a tener en


cuenta para el clculo del volumen
ocupado por un radiador con
aletas.

ACCESORIOS PARA EL MONTAJE DE RADIADORES


Entre cpsula y radiador se ha de establecer un perfecto contacto fsico, de forma que la resisten
cia trmica entre cpsula y radiador (fltWb.r) sea lo ms pequea posible.
Sin embargo, resulta prcticamente imposible realizar superficies de cpsulas y radiadores per
fectamente planas, por lo que el contacto se realiza slo en tres puntos, quedando en el resto del
rea de contacto un espacio de aire que presenta una resistencia trmica que suele variar, segn
el tipo de cpsula, entre 0,5 C/W y 1,5 C/W.
Para mejorar el contacto, se rellena el espacio existente entre cpsula y radiador con una pas
ta o grasa de elevada conductividad trmica, reducindose con ello la resistencia trmica existente
entre la base de montaje y el radiador. Esta grasa suele ser silicona, que permanece perfectamen
te viscosa a las temperaturas normales de funcionamiento del semiconductor.
Por otro lado, en muchas ocasiones es necesario disponer un material aislante elctrico entre
base de montaje y radiador, el cual presenta un aislamiento trmico bastante elevado, que puede
llegar a ser de 6 C/W, entorpeciendo la evacuacin de calor de la cpsula hacia el radiador.
Para reducir, en parte, esta elevada resistencia trmica, se dispone, junto con la arandela, pasta de
silicona. De esta forma se reduce a la mitad la resistencia trmica entre base de montaje y radiador.
As pues, existen dos posibilidades de montaje de radiadores: uno directo, sin arandelas aislan
tes ni pasta de silicona, y cuyo esquema equivalente se ha dibujado en la figura 16.16a, y otro ais
lado, cuyo esquema equivalente es el de la figura 16.16b.

Rthlb-i

'thi-amb

16.16 Resistencias
trmicas equivalentes
de: a) montaje directo:
b) montaje aislado.

En el caso del montaje aislado, la resistencia trmica f?,h(b.r se desglosa en tres resistencias tr
micas parciales, denominadas resistencia trmica de contacto de interconexin entre base de mon
taje y aislador
resistencia trmica del aislador (f1hin3) y resistencia trmica de contacto de inter
conexin entre aislador y radiador (fm2).

361

COMPONENTES ELECTRNICOS

Todas estas resistencias han de poseer un valor lo ms pequeo posible, para una perfecta
transmisin de la energa calorfica de la cpsula al radiador.

Arandelas aislantes
Las arandelas son de mica y de espesores normalizados de 0,05, 1 y 1,5 mm, de forma que per
mitan un aislamiento elctrico perfecto segn las tensiones presentes en la cpsula.

Si

16.17 Dimensiones de dos


arandelas de mica para el
aislamiento de semiconductores
de radiadores.

Si

1____1

0,15

1.5

En la figura 16.17 se indican las dimensiones de dos arandelas laterales de mica para el aisla
miento de sem iconductores o radiadores, y en la figura 16.18 dos arandelas de mica para el ais
lamiento elctrico del colector de un transistor de potencia, con cpsula TO-3, del chasis o del radia
dor. Estas ltimas arandelas tienen un espesor de 0,05 mm, y su rigidez dielctrica es de 50 kV/mm
a una temperatura de 25 C.

16.18 Dimensiones de dos


arandelas de mica para aislamiento
de colector a chasis o radiadores.
La arandela de la derecha est
diseada para la cpsula T0-3.

Silicona
En lo que respecta a las siliconas, stas se suministran en botes o en tubos de diferentes tamaos.
Una buena silicona en pasta debe tener, aproximadamente, las siguientes caractersticas tcnicas:
Rigidez dielctrica
Conductividad trmica
Densidad a 25 C

9 kV/mm
21 x 10-4
2,6

La influencia que ejercen las arandelas aislantes y las siliconas sobre la resistencia trmica
existente entre la base de montaje y el radiador, se expone en la tabla 16.2 para diferentes tipos de

362

RADIADORES DE CALOR

cpsulas. De esta tabla se deduce que la menor resistencia trmica se da en los montajes que uti
lizan slo silicona, mejorando la resistencia trmica del montaje directo, siendo la peor resistencia
trmica la que utiliza aislante de mica sin silicona, aconsejndose en estos casos el uso de silicona
que reduzca la elevada resistencia trmica del conjunto.

por mtodo te montaje, en C/W

---------------con aislante
de mica

1
1

con silicona

con aislante de
mica y silicona

TO-3

0,5

1 ,0

0,25

0,5

TO-126

1 ,0

6 ,0

0,5

3,0

TO-220

1,5

2,5

0 ,8

1,3

SOT-3

0,5

1 ,0

0,25

0,5

SOT-9

0,5

1.5

0,25

0 ,8

SOT-32

1 ,0

6 ,0

0,5

3,0

SOT-78

1,5

2,5

0 ,8

1,3

SOT-82

0,42

2 ,0

Tabla 16.2 Resistencias trmicas presentes en los diferentes mtodos de montaje y accesorios.

363

Cristales y cermicas
piezoelctricas

INTRODUCCIN
Uno de los minerales ms abundante en la Naturaleza es el cuarzo o slice.
Forma parte de la composicin del granito y, en ocasiones, por s mismo, forma rocas cuarzo
sas de las que se obtienen excelentes cristales de cuarzo que, por lo general, presentan una forma
muy aproximada a un prisma hexagonal (figura 17.1), cuyos extremos terminan en sendas pirmides.

17.1 Aspecto del cristal de


cuarzo en su estado natural.

Se trata de un mineral de gran dureza, aunque bastante frgil, pero que presenta una propiedad
muy interesante y de gran utilidad en electrnica, para el control de las frecuencias de oscilacin de
determinados circuitos, y en la fabricacin de micrfonos, auriculares, filtros, etc., por citar algunas
de las aplicaciones ms importantes en radio y televisin.
La propiedad a que nos referimos se denomina efecto plezoelctrico, y consiste en que si se so
mete al cristal a unas fuerzas de compresin aparecen cargas elctricas en su superficie y, al con
trario, si se aplica al cristal una d.d.p. elctrica se originan en l fuerzas mecnicas.

CRISTAL DE CUARZO
Cristales tales como el titanato de bario, tartrato sdico potsico, turmalina y cuarzo o slice, pre
sentan la propiedad piezoelctrica, es decir, generan una tensin elctrica cuando son sometidos
a una fuerza de compresin, traccin o dobladura y, en sentido inverso, se originan en ellos fuerzas
mecnicas cuando se les aplica una d.d.p. elctrico.
Para comprender el efecto piezoelctrico consideramos un cristal de cuarzo (gris en la figura 17.2),
situado entre dos electrodos metlicos, los cuales se conectan a una de las entradas verticales de
un osciloscopio.
Una vez situados los controles del osciloscopio en las posiciones adecuadas, se aplica una
fuerza de compresin al cristal, indicada en la figura 17.2 con una flecha.
En esta circunstancia se observa un impulso de tensin en la pantalla del osciloscopio justo al
ejercer la fuerza sobre el cristal, lo cual demuestra que la presin mecnica ejercida sobre el cristal
queda transformada en una tensin elctrica.
Para la explicacin del porqu del fenmeno de la piezoelectricidad, en la figura 17.3a hemos
dibujado el corte del modelo cristalino de un cristal de cuarzo, dispuesto entre dos placas o elee-

365

COMPONENTES ELECTRNICOS

17.2 Al aplicar una fuerza de


compresin entre dos caras opuestas
de un cristal de cuarzo, aparece
en l una tensin elctrica en forma
de impulso que puede visualizarse
en la pantalla de un osclloscopio.

trodos metlicos unidos a sendos terminales que se pueden conectar a una de las entradas verti
cales de un osclloscopio.
El cuarzo est formado por Iones positivos de silicio (S+) y por iones negativos de oxigeno (O").
Estos iones estn repartidos uniformemente, de forma que sus efectos se neutralizan hacia el ex
terior, por lo que entre los electrodos metlicos no existir tensin elctrica alguna.
Si este cristal se somete a una compresin, tal y como muestra la figura 17.3b, en la placa su
perior surge un exceso de cargas negativas y en la inferior un exceso de cargas positivas. Dado
que ambas placas estn separadas por el grueso del cristal (aislante), entre ellas aparece una ten
sin elctrica.

17.3 a) Corte en el modelo


cristalino de un cristal de cuarzo,
b) Al comprimir el cristal entre dos
placas metlicas, en la superior
aparece un exceso de cargas
negativas y en la inferior un
exceso de positivas.

Si en lugar de comprimirse se tensa el cristal, las cargas que aparecen en las placas sern, na
turalmente, de polaridad opuesta.
Siguiendo el ritmo de las oscilaciones de presin, aparece entre los terminales de las placas una
tensin alterna.
El fenmeno descrito es, como ya se ha dicho, reversible.
Efectivamente, para poner de manifiesto esta afirmacin basta con recurrir al circuito de la figu
ra 17.4: el micrfono, como transductor de variaciones de presin acstica o mecnica en varia
ciones de Intensidad de corriente, acusa la deformacin mecnica del cristal cuando entre sus caras
se aplica una tensin elctrica.
Esta deform acin mecnica se transform a en una variacin de Intensidad de corriente elc
trica en el m icrfono y, com o consecuencia, en una variacin de tensin en bornes de la resis
tencia R.

Micrfono

17.4 Si entre dos caras opuestas


de un cristal de cuarzo se aplica
una tensin elctrica, el cristal se
deforma, lo cual es detectado por
un micrfono conectado a la entrada
vertical de un osciloscopio.

366

CRISTALES Y CERMICAS PIEZOELCTRICAS

17.5 Aspecto del encapsulado


de algunos cristales de cuarzo.

I.

KHZ
1650
i_

HC-6U

Mediante un osciloscopio, a cuya entrada vertical se aplica la tensin que aparece en la resis
tencia R, se visualiza el impulso mecnico generado por la tensin elctrica aplicada al cristal.
Los cristales de cuarzo se comercializan encapsulados en recipientes hermticos que los pro
tegen del medio ambiente y de accidentes mecnicos que puedan romperlos. En la figura 17.5
puede verse el aspecto de tres tipos de cpsulas, muy utilizadas en circuitos de radio y televisin.

Circuito equivalente de un cristal de cuarzo


Se ha visto cmo un cristal de cuarzo puede hacer dos cosas: deformarse o producir una tensin
elctrica. Es ms, una lmina de cristal de cuarzo puede incluso hacer las dos cosas a la vez: de
formarse bajo la influencia de un impulso de tensin elctrica, produciendo en consecuencia una
tensin elctrica, que se acumula entre sus capas, como en un condensador, y deformarse a conti
nuacin nuevamente bajo la influencia de su propia tensin. Este proceso contina hasta que se
consume la energa del impulso de tensin. Dicho con otras palabras, el cristal de cuarzo oscila como
un circuito oscilante.

17.6 Circuito equivalente


de un cristal de cuarzo.

En la figura 17.6 se ha dibujado el esquema del circuito equivalente de un cristal de cuarzo. Est
compuesto por un circuito LC serie, cuyas prdidas han sido reunidas en la resistencia R, en deri
vacin con una capacidad CH, representativa, principalmente, de la capacidad parsita producida
por los dos electrodos de soporte y el cristal, que acta de dielctrico entre ambos.
Esta capacidad parsita viene determinada por la siguiente expresin:
5
CH = 39 x 10 "2 x H
e
donde CH viene dado en ,uF; S es la superficie del cristal en cm 2 y e su espesor en cm.
367

COMPONENTES ELECTRNICOS

La serie RCL tambin se puede calcular en funcin de las dimensiones del cristal:
C = 22 x 1CT4 x
e
(C en

liF)

L = 130 x

1 0 x

6^

(L en mH)
R = 13 x 1CT4 x - |
O
(R en 2)
En cristales de cuarzo de precisin la capacidad CH queda considerablemente reducida, en ra
zn de que se suprimen las placas de contacto y los electrodos quedan aplicados directamente so
bre el mismo cristal, el cual previamente ha sido sometido a la operacin de atomizado, consistente
en depositar, por vaporizacin, una tenue pelcula metlica sobre el cuarzo, que puede ser de oro,
plata o platino, aunque lo ms generalizado es el uso del aluminio para estas operaciones.

17.7 Diagrama vectorial


correspondiente al circuito
de la figura 17.6.

El diagrama vectorial perteneciente al circuito equivalente (figura 17.6) est representado en la


figura 17.7.
Partiendo de la corriente I K que circula por el circuito oscilante, la tensin l/R (en la parte resis
tiva) est en fase con ella, mientras que la tensin VL (presente en la parte inductiva) la adelanta 90.
La suma vectorial de las tensiones l/R y VL da la tensin \/s (figura 17.7).
La tensin Vc (presente en la parte capacitiva) va atrasada 90 respecto a I K, siendo VT la suma
vectorial de t/s y Vc .
Como la corriente I H (en la capacidad parsita) adelanta a la tensin Vr en 90, puesto que esta
tensin queda tambin aplicada a la capacidad CH, la corriente total JT es el resultado de la adicin
de los vectores JK e I H.
El desfase entre VT e I T es menor de 90. El cristal tiene, por lo tanto, el efecto de una inductancia con prdidas.

Curva caracterstica de un cristal de cuarzo


Analizando el esquema de la figura 17.6 se deduce que todo cristal de cuarzo es la combinacin
de dos circuitos oscilantes: un circuito oscilante LC serie y otro circuito oscilante LC derivacin.
Como consecuencia de ello, todo cristal de cuarzo posee dos frecuencias de resonancia: una co
rrespondiente al circuito LC serie y otra del circuito LC derivacin.

368

CRISTALES Y CERMICAS PIEZOELCTRICAS

17.8 Curva caracterstica de la


intensidad de corriente en funcin
de la frecuencia de un cristal de
cuarzo.

'2

Esto queda demostrado si se aplica una seal de frecuencia variable a un cristal de cuarzo, y
sobre un sistema de coordenadas se traza la curva caracterstica I = 1{1) del cristal (figura 17.8).
A la frecuencia de resonancia 7, la intensidad de corriente a travs del cristal es mxima, y c o
rresponde al circuito equivalente LC serie, mientras que a la frecuencia de resonancia f2 la corrien
te a travs del cristal es mnima y corresponde a! circuito LC derivacin.
La frecuencia de resonancia f, del circuito LC serie del cristal de cuarzo viene dada por la fr
mula de Thomson:

2n

LC

y la frecuencia de resonancia f2 del circuito LC paralelo (algo mayor que 7,), responde a la siguien
te igualdad, en la que interviene la capacidad parsita CH:

Cortes X e Y en los cristales de cuarzo


La forma de prisma hexagonal con que el cuarzo se presenta en la Naturaleza no es, por lo gene
ral, simtrica (figura 17.1).
Ahora bien, dado que no es difcil de tallar ni de pulimentar, al cristal de cuarzo se le puede dar
la forma que mejor nos convenga.
En la exposicin que sigue, vamos a considerar el cristal en su forma ideal, es decir, com o un
prisma hexagonal de caras iguales (figura 17.9), en el que encontramos un eje ptico indicado me
diante una lnea que une los vrtices de las dos pirmides (eje O-O').

I O'

17.9 Cristal de cuarzo en su


forma ideal. El eje 0 -0 es el eje
ptico que une los vrtices
de las dos pirmides.

369

COMPONENTES ELECTRNICOS

17.10 Corte transversal


del cristal de cuarzo de
la figura 17.9.
EjeX

En estas condiciones, un corte transversal de este cristal no sera otra cosa que la seccin del
mismo. Seccin que sera perpendicular al eje ptico O-O', y que puede representarse por un he
xgono (figura 17.10).
Tomando como base el hexgono de la figura 17.10, los ejes de simetra que unen dos vrtices
opuestos del mismo determinan lo que se denominan ejes elctricos del cristal o ejes X.
En un cristal de cuarzo existen tres ejes elctricos, de los cuales, por motivos de claridad en el
dibujo, slo hemos dibujado en la figura 17.10 uno de ellos mediante lnea de trazos y puntos.
Los ejes de simetra que dividen al hexgono uniendo los centros de dos lados opuestos son
los ejes mecnicos o ejes Y.
El cristal de cuarzo posee asimismo tres ejes mecnicos, de los cuales en la figura 17.10 slo
hemos dibujado uno mediante linea de trazos y puntos.

O
71

17.11 a) Corte perpendicular


al eje X de un cristal de cuarzo
(corte X). b) El cristal as tallado
tendr forma rectangular.

Si se talla un cristal de cuarzo en la forma que se indica en la figura 17.11a, mediante dos cor
tes longitudinales y paralelos al eje ptico, de forma que las dos caras mayores que resulten de
este corte sean perpendiculares a uno de los ejes elctricos o aristas del prisma, se obtiene lo que
se conoce como corte en X. El cristal as tallado tiene forma rectangular (figura 17.11b).
Si el corte se efecta como indica la figura 17.12a, de modo que sus dos caras mayores resul
ten perpendiculares a los ejes mecnicos, o ejes / , se obtiene un corte en Y. El cristal as tallado
tambin es rectangular, pero orientado en la forma que se indica en la figura 17.12b.

17.12 a) Corte perpendicular


al eje Y de un cristal de cuarzo
(corte Y), b) El cristal as tallado
tiene forma rectangular: pero est
orientado en la forma que se
indica en la figura.

370

/
b)

CRISTALES Y CERMICAS PIEZOELCTRICAS

Tanto en uno com o en otro corte, el espesor (e) de la seccin cortada se tom a originalmente en
un grueso algo superior al espesor que realmente se necesita, y luego se pulen ambas caras has
ta conseguir el grosor preciso.
As tallado, cualquier tensin alterna aplicada sobre las caras del cristal es causa de que ste
entre en vibracin mecnica, y si la frecuencia de la tensin alterna aplicada se aproxima al valor de
la frecuencia propia de resonancia del cristal, la amplitud de sus vibraciones puede llegar a ser de tal
magnitud que, incluso, puede romperse.
La talla Y tiene el inconveniente de no mantener una estabilidad de frecuencia ante cambios de
temperatura, pues cualquier ligero aumento de sta eleva la frecuencia de resonancia del cristal.
En la talla X sucede lo contrario: la frecuencia de resonancia disminuye al elevarse la temperatura.
Como consecuencia de ello, ambos tipos de tallas presentan dificultades de ndole prctica, por
lo que slo son aplicables a circuitos osciladores en donde se lleve a cabo un control sobre la tem
peratura ambiente en la que trabajen. Para solventar este problema se recurre a cortes intermedios,
es decir, se vara el ngulo de corte con respecto al eje ptico, obtenindose as los tipos de corte
denominados AT, BT, CT, ET, FT, GT, etc.

Corte AT
Si se corta un cristal de cuarzo con un ngulo de 26o con respecto a uno de sus ejes X y al eje ptico,
se obtiene el corte AT (figura 17.13), que es el ms utilizado y cuyas frecuencias de oscilacin cubren
desde 550 kHz hasta 55 MHz, aunque se puede llegar a 200 MHz con un acabado ms perfecto.

17.13 Corte de un cristal de


cuarzo con ngulo de 26 con
respecto a uno de sus ejes X
y el eje ptico Y (corte AT).

La forma que resulte del tallado puede ser rectangular, en forma de disco, anillo, etc., pero en
todos los casos sus caras mayores no son paralelas al eje ptico, sino que forman con respecto a
ste un ngulo de 26.
Este tipo de corte confiere al cristal un coeficiente de temperatura totalmente nulo para tem
peraturas comprendidas entre los 40 y los 50 C, y de tan slo 3 x 1 0~'j Hz por grado centgrado
de variacin de la temperatura cuando trabaja fuera de los lmites anteriormente citados.
El corte AT se utiliza en cristales de cuarzo que han de trabajar con frecuencias comprendidas
entre los 300 y los 15.000 kHz.

Corte BT
Si en vez de cortar el cristal con un ngulo de 26 con respecto al eje ptico, se corta con un n
gulo de 49 (figura 17.14) se obtiene el denominado corte BT.

17.14 Corte de un cristal de


cuarzo con ngulo de 49 con
respecto a uno de sus ejes X
y el eje ptico Y (corte BT).

371

ELECTRNICOS

El coeficiente de temperatura de un corte B T es muy similar al del corte AT, pero se utiliza en
cristales que han de trabajar con frecuencias comprendidas entre los 3.000 y los 30.000 kHz.

Corte CT
El corte C T es de 38 con respecto al eje ptico (figura 17.15).
Con este corte se consigue un coeficiente de temperatura nulo entre los 20 y los 30 C. Una vez
rebasados los 30 C el coeficiente de temperatura tiene un valor de tan slo 2 x 10 ~6 Hz por grado
de variacin de temperatura.
El corte CT trabaja muy bien con frecuencias comprendidas entre 120 y 150 kHz.

17.15 Corte de un cristal de


cuarzo con ngulo de 380 con
respecto a uno de sus ejes X
y el eje ptico Y (corte CT).

Cortes DT, FT y ET
En la figura 17.16 se ha dibujado un corte de 52, que corresponde al corte DT.

17.16 Corte de un cristal de


cuarzo con ngulo de 52 con
respecto a uno de sus ejes X
y el eje ptico Y (corte DT).

El de la figura 17.17 es de 57, y se denomina corte FT. Finalmente, el de la figura 17.18 es un


corte con 6 6 de inclinacin, denominado ET.
Todos estos ngulos de corte presentan grandes ventajas con respecto a los cortes bsicos en
X o Y, ya que, por ejemplo, un cristal con corte en X tiene un coeficiente de temperatura muy alto
(30 x 10 ~6 Hz/C) y para obtener en l una estabilidad aceptable hay que mantener controlada su
temperatura, en tanto que el corte en Y, adems de estos o muy parecidos inconvenientes, es a

17.17 Corte de un cristal de cuarzo


con ngulo de 57 con respecto a uno
de sus ejes X y el eje ptico Y (corte FT).

17.18 Corte de un cristal de cuarzo


con ngulo de 66 con respecto a uno
de sus ejes X y e l eje ptico Y (corte ET).

CRISTALES Y CERMICAS PIEZOELCTRICAS

ciertas temperaturas totalmente inestable, inestabilidad que se traduce en saltos en el valor de la


frecuencia de oscilacin. Todo esto pone de manifiesto que las caractersticas de un cristal piezoelctrico quedan determinadas por el ngulo de corte en relacin al eje ptico.
En resumen, segn el ngulo de corte aplicado, se consiguen comportamientos distintos del
cristal ante cambios de temperatura y de frecuencias de funcionamiento, por lo que el ngulo de
corte depender de la aplicacin que haya de tener despus el cristal.

CERMICAS PIEZOELCTRICAS
Si un cristal se enfra por debajo de la temperatura de Curie, es decir, por debajo de la temperatu
ra a la cual el material pierde sus propiedades, y no se somete a campo elctrico alguno, el cristal
contendr numerosos dominios en cada uno de los cuales el dipolo elctrico est alineado en una
direccin y sentido dado.
Sumando todos los dipolos elementales, el dipolo elctrico resultante del cristal es igual a cero.
Ahora bien, si el cristal se enfra en presencia de un campo elctrico, los dipolos elctricos ele
mentales tienden a alinearse de acuerdo con la direccin y sentido del campo elctrico, resultando
que el cristal en su conjunto presenta un dipolo elctrico.
Si un cristal tratado como se ha expuesto se somete a una tensin mecnica, la red cristalina
se deforma y algunos dominios aumentan a expensas de otros, lo cual produce un cambio en el mo
mento total del cristal. Esta variacin del momento dipolar con la deformacin mecnica es, dentro
de cierto grado de deformacin mecnica, lineal y reversible.
Todo lo expuesto es el fundamento de la piezoelectricidad en los materiales ferroelctricos.
Las cermicas pueden considerarse como un conjunto de diminutos cristales orientados al azar,
tal y como se ha representado esquemticamente en la figura 17.19.

17.19 Las cermicas


piezoelctricas pueden
considerarse como un conjunto
de diminutos cristales orientados
al azar.

Si se calienta una pieza cermica, sta es istropa a escala microscpica, es decir, sus propie
dades son independientes respecto a la direccin en que se consideran los fenmenos fsicos, no
presentando efecto piezoelctrico a causa de la orientacin arbitraria de los cristales.
Ahora bien, si la pieza cermica se expone a un elevado campo elctrico, con una temperatura
no muy inferior al punto de Curie, ia cermica se convierte en piezoelctrca, orientndose sus cris
tales en el sentido de polarizacin (figura 17.20).
+

17.20 Cermica piezoelctrca


despus de la polarizacin.

3 73

COMPONENTES ELECTRNICOS

Para obtener una cermica piezoelctrica, generalmente se depositan electrodos metalizados en


superficies opuestas del material y se aplica una tensin de polarizacin VP entre ellas (figura 17.20),
lo cual provoca un alargamiento de la pieza.
Debido a la orientacin arbitraria de los diminutos cristales, y a que dentro del cristal los dipo
los slo pueden tener ciertas direcciones, no es posible obtener una perfecta alineacin de los dipoos con respecto al campo elctrico aplicado; sin embargo existen varias direcciones posibles de
cada pequeo cristal, y de esta forma se obtiene un grado aceptable de alineacin con el campo
elctrico.
Despus de enfriar el material y retirarlo del campo elctrico, los dipolos ya no pueden regresar
con facilidad a sus propiedades originales, por lo que se obtiene la denominada polarizacin rema
nente del material cermico. Se trata de un fenmeno similar al de imantacin de un material ferromagntico cuando se somete a un campo magntico externo.
Desde el punto de vista fsico, las cermicas piezoelctricas consisten en un disco delgado de
material cermico con un electrodo en cada cara (figura 17.21).

0,4 mm

u-j
(o
ii

Cl
17.21 Constitucin de
una cermica piezoelctrica.

El material cermico utilizado para la fabricacin de estos componentes es el titanato-circonato


de plomo, o el niobato de sodio-potasio.
Al igual que los cristales de cuarzo, al aplicar una tensin elctrica alterna entre dos caras
opuestas de una cermica piezoelctrica sta entra en vibracin mecnica y viceversa. Esta fre
cuencia de resonancia es inversamente proporcional al dimetro del disco cermico.
Con un disco de las dimensiones de la figura 17.21, es decir, de 5,6 mm de dimetro y 0,4 mm
de grueso, la frecuencia de resonancia en el modo radial o planar adquiere un valor comprendido
entre 452 y 480 kHz, lo cual la hace idnea para trabajar com o filtro en etapas de Fi en receptores
de radio de AM.
Para frecuencias ms elevadas el dimetro del disco debe ser ms pequeo.
Por ejemplo, si quisiramos utilizar un disco cermico com o filtro de FI en un receptor de radio
de FM, que trabaja con 10,7 MHz, el dimetro de la cermica piezoelctrica debera ser de tan
slo unos 2 0 0 |im , lo cual sobrepasa la capacidad de la tecnologa ms avanzada, por lo que es
necesario seleccionar otros m odos de vibracin para las cermicas que deban trabajar con estas
frecuencias.

Modos de vibracin de las cermicas piezoelctricas


Son dos los modos de vibracin de una cermica piezoelctrica: el modo espesor (figura 17.22) y
el modo radial (figura 17.23).

17.22 Modo de vibracin fundamental


de una cermica piezoelctrica ideal
en modo de espesor.

374

17.23 Para una estrecha banda


de frecuencia la cermica vibra
radialmente.

CRISTALES Y CERMICAS PIEZOELCTRICAS

En el modo de la figura 17.22, el espesor del disco cermico corresponde a media longitud de
onda de la frecuencia de resonancia. En este caso el disco debe fijarse en la direccin radial, debi
do a que la resonancia del modo radial se encuentra a una frecuencia mucho ms baja.
En la prctica las cosas no resultan tan sencillas, ya que el comportamiento resonante del disco
cermico piezoelctrico tambin depende del dimetro en la regln de resonancia en modo espesor.
SI no se toman precauciones en la eleccin de! dimetro del electrodo, una cermica piezoelctrica trabajando en modo espesor producir una serie completa de resonancias parsitas, las cua
les no son armnicos de la frecuencia fundamental.
Para un estrecho ancho de banda, alrededor de los 450 kHz, la cermica vibra radialmente (fi
gura 17.23), es decir, sometida a esta frecuencia el dimetro de la cermica aumenta y disminuye
de valor alternativamente. Se dice entonces que el material est polarizado en direccin axial.
Antes de que una cermica piezoelctrica pueda ser utilizada deben establecerse los contactos
elctricos con los electrodos, de forma que la vibracin mecnica del componente no resulte afectada.
El centro del disco es el mejor sitio para fijarlos, ya que constituye un punto nodal con respec
to a la excursin radial, es decir, es un punto donde la vibracin mecnica es nula y, por lo tanto, la
unin del contacto elctrico con la cermica piezoelctrica no est sometido a esfuerzos. En este
punto central puede soldarse un hilo muy delgado en el centro, perpendicular a la superficie.

17.24 Aspecto de una cermica


piezoelctrica.

El conjunto se dispone dentro de una pequea cpsula rectangular, provista de dos terminales
de conexin, adecuados para ser soldados a un circuito impreso o para conexin a zcalo en
aquellas aplicaciones donde se precise la sustitucin de una cermica por otra para cambiar la fre
cuencia de oscilacin del circuito (figura 17.24).

CARACTERSTICAS TCNICAS DE LAS CERMICAS PIEZOELCTRICAS


Los fabricantes de cermicas piezoelctricas proporcionan en sus catlogos todo tipo de datos tc
nicos sobre las caractersticas mecnicas, elctricas y trmicas de sus fabricados. De todas ellas
las caractersticas elctricas son las que poseen mayor inters para el profesional electrnico, sien
do las siguientes:

Frecuencia de resonancia.
Tolerancia sobre la frecuencia de resonancia.
Factor de calidad.
Inductancia y capacidad equivalente.
Tensin alterna eficaz mxima admisible a la frecuencia de resonancia.
Tensin continua mxima admisible.
Temperatura ambiente de trabajo.
Coeficiente de temperatura a la frecuencia de resonancia.

Frecuencia de resonancia
En la figura 17.25 se ha dibujado la curva de respuesta de una cermica piezoelctrica. Como pue
de observarse, la impedancia Z de la cermica adquiere un valor mnimo a una frecuencia fm y un
valor mximo a la frecuencia f.

375

COMPONENTES ELECTRNICOS

17.25 Respuesta de frecuencia


de una cermica piezoelctrica.

452

460

468

(kHz)

f.

La frecuencia a la cual la impedancia es mnima recibe el nombre de frecuencia de resonancia,


y la frecuencia a la cual la impedancia es mxima se denomina frecuencia de antirresonancia. A
este respecto es importante destacar que la escala de impedancias de la figura 17.25 est expre
sada en decibelios, correspondiendo 10 dB a cada divisin, lo cual quiere decir que a la frecuencia
de antirresonancia la impedancia es, aproximadamente,
70 dB - 10 dB = 60 dB
ms elevada que la impedancia a la frecuencia de resonancia, lo que equivale a un milln de ve
ces mayor.

17.26 Circuito equivalente


de una cermica piezoelctrica.

Estas frecuencias dependen ntimamente de las frecuencias de resonancia en serie fs y en pa


ralelo fp, en las que la impedancia adquiere el valor cero o Infinito respectivamente, si no existiesen
elementos disipadores (resistencias) en el circuito equivalente, el cual mostramos en la figura 17.26
y que es idntico al de un cristal de cuarzo.

Tolerancia sobre la frecuencia de resonancia


Debido a la Influencia que las dimensiones de la cermica piezoelctrica ejercen sobre la frecuencia de re
sonancia, y por motivos de fabricacin, existe una cierta tolerancia entre el valor de la frecuencia de reso
nancia dada por el fabricante y la frecuencia de resonancia real proporcionada por el componente.
Los fabricantes indican en sus catlogos la tolerancia admitida sobre el valor terico. As, por
ejemplo, una cermica piezoelctrica cuya frecuencia de resonancia sea de 460 kHz, con una to
lerancia de 1 kHz, en la prctica posee una frecuencia de resonancia que puede tener cualquier
valor comprendido entre 459 y 461 kHz.
Esta tolerancia est asegurada durante un cierto tiempo, tambin indicado por el fabricante, pa
sado el cual la tolerancia puede variar de valor.

Factor de calidad
Como se ha dicho, una cermica piezoelctrica equivale a un circuito resonante LC y, por lo tanto,
presenta un factor de calidad O que es tanto mejor cuanto mayor sea su valor.

376

CRISTALES Y CERMICAS PIEZOELCTRICAS

El factor de calidad de las cermicas piezoelctricas est comprendido entre 800 y 1.000.
Para el clculo del factor de calidad puede utilizarse cualquiera de las frmulas siguientes:
2nfmL |

1
2xfrrP \R \
donde fm es la frecuencia de resonancia y L,, C, y f, corresponden a los valores de inductancia,
capacidad y resistencia del circuito equivalente de la figura 17.26.
Veamos un ejemplo de clculo. Para ello, supongamos una cermica piezoelctrica cuya fre
cuencia de resonancia es de 452 kHz y cuyos valores de L, y f, son de 8,25 mH y 25 S2 respecti
vamente. Con estos datos, el factor de calidad O vale:
_
2nfmL,
2 x 3.14 x 452 x K ^ x 8,25 x K T 3 _ 23.430
O=
= ------------------------ 25
"
25
=

9 3 7 ,2 0

Inductancia y capacidad equivalente


De acuerdo con la figura 17.26, en toda cermica piezoelctrica se tienen una inductancia y unas
capacidades que equivalen a las de un circuito resonante LC.
Conociendo el valor de las frecuencias de resonancia y antirresonancia fm y fn, es posible calcu
lar el valor de las capacidades e inductancia equivalente.
Efectivamente, en un circuito como el de la figura 17.26 la frecuencia de resonancia fm es igual a:

y la frecuencia de antirresonancia:

1
2b'

C iCo
C, + C 0

De estas dos ecuaciones se deduce que:


C0
C, " f l - f l
donde se obtiene el valor de la capacidad C, de la figura 17.26:
C

r*
o , -

f 2- f 2
-
on n m
Ci

siendo:
C = Cq + c ,
y cuyo valor viene dado en los catlogos de los fabricantes.
Veamos un ejemplo de clculo de lo que acabamos de exponer, aplicado a una cermica pie
zoelctrica cuya frecuencia de resonancia sea de 452 kHz y cuya frecuencia de antirresonancia sea

377

COMPONENTES ELECTRNICOS

de 470 kHz, y de la cual el fabricante nos dice que la capacidad C, medida a 1 kHz, es de 190 pF.
Con estos datos el valor de la capacidad C, de la figura 17.26 valdr:
~
^ fn -f'i
^
(470 kHz)2 -(4 5 2 kHz)2
,,
C, = C n , m = 190 pF x
-
= 14,25 pF
fl
(470 kHz)2
El valor de C 0 resulta fcil de calcular a partir de la Igualdad:
C 0 = C - C , = 190 pF - 14,25 pF = 175,75 pF
El valor de L, nos lo proporciona igualmente el fabricante del componente, aunque puede cal
cularse conociendo el valor de fm y C, mediante la igualdad:

'

_________

4r ^ C ,

donde 0, viene dado en mH cuando fm se expresa en kHz y C, en pF. En nuestro ejemplo sera de:
/_i =

- 1
,
= 8,7 mH
4 x 3,14 x (452 kHz)2 x 14,25 pF

Tensin alterna eficaz mxima admisible a la frecuencia de resonancia


Dado que al aplicar una tensin elctrica alterna entre dos caras opuestas de una cermica piezoelctrica sta sufre una deformacin mecnica, y que esa deformacin es tanto mayor cuanto ma
yor sea la tensin aplicada, existe un lmite de tensin superado el cual la cermica se destruye.
Este valor de tensin se Indica a la frecuencia de resonancia de la cermica y suele ser de unos
100 mV.

Tensin continua mxima admisible


Al aplicar una tensin continua a una cermica piezoelctrica, sta sufre una deformacin que, al
igual que en el caso anterior, tiene un lmite que no debe ser superado para evitar su destruccin.
Dado que esta deformacin no es una vibracin, como sucede cuando se aplica una tensin al
terna, la cermica la soporta mejor y, por lo tanto, admite valores de tensin continua mucho mayo
res, que alcanzan los 30 V.

Temperatura am biente de trabajo


Las cermicas piezoelctricas admiten sin problemas temperaturas ambiente de trabajo comprendi
das entre ios -2 5 C y los +85 C, por lo que no existe problema alguno en su utilizacin en los cir
cuitos de radio y televisin, aunque s debe tenerse en cuenta la variacin del valor de la frecuencia
de oscilacin con la temperatura cuando se utilizan en circuitos osciladores de gran precisin.

Coeficiente de tem peratura a la frecuencia de resonancia


Al variar la temperatura ambiente a la que trabaja una cermica piezoelctrica se produce una va
riacin de la frecuencia de resonancia.
Esta variacin de la frecuencia de resonancia es pequesima, inferior a 85 Hz por milln de hercios y
grado centgrado de temperatura, por lo que apenas tiene influencia sobre el funcionamiento del cir
cuito en el que se utilice la cermica. As, suponiendo un coeficiente de temperatura de 80 ppm/C en
una cermica piezoelctrica cuya frecuencia de resonancia sea de 452 kHz a 25 C, la cual se hace
trabajar a una temperatura ambiente de 50 C, la variacin de la frecuencia de resonancia ser de:
80 Hz x (80 C 28 C")
A fm = 452.000 Hz + -------- 1 ooo ooo Hz
=

4 5 2 '0 0 0

Hz +

0 0 2

Hz =

4 5 2 -0 0 0 >0 0 2

Esto significa que se trata de un elemento muy estable y adecuado para ser utilizado c
en etanas osciladoras.

3 78

Hz

Displays de cristal lquido

INTRODUCCIN
Los displays de cristal lquido, tambin denominados LCD (del ingls Liquid Crystal Display), son unos
visualizadores alfanumricos y pictricos muy utilizados en relojes digitales, calculadoras, telfonos m
viles, cmaras de vdeo, Instrumentos electrnicos de medida, etc., y cuyas principales ventajas son;

Baja tensin de alimentacin (entre 1 y


Flexibilidad de diseo.
Posibilidad de multitud de colores.

V).

Una particularidad de los displays de cristal lquido es que no son elementos luminosos com o los
displays LED, sino pticos. Es decir, el cristal lquido no es productor de radiaciones luminosas, sino
que para su visualizacin es necesario que sobre l incida la luz, por lo que no es posible la lectu
ra del mismo en la oscuridad, siendo necesaria la ayuda de una fuente de luz externa, por ejemplo la
de una pequea bombilla que los ilumine.

18.1 Tipos de LCD. a) Versin reflectiva. b) Versin transmisiva, c) Versin transreflectiva.

De acuerdo con esto ltimo que se acaba de exponer, los displays de cristal lquido se pueden
agrupar en:

LCD reflectores, en los que los smbolos se hacen visibles por la incidencia sobre ellos de
los rayos luminosos procedentes de una fuente exterior como, por ejemplo, la luz solar du
rante el da y uno o varios LED en la oscuridad (figura 18.1a).
LCD transmisores, los cuales son transparentes y hacen visibles sus smbolos al ser ilumi
nados por la parte posterior, con ayuda de, por ejemplo, una pequea bombilla o unos LED
(figura 18.1b).
LCD transreflectores, en los que se aprovecha tanto la luz incidente frontal com o la proce
dente de una fuente luminosa posterior, es decir, se trata de una combinacin de los dos ti
pos anteriores (figura 18.1c).

379

COMPONENTES ELECTRNICOS

18.2 Con los LCD se pueden


obtener no slo caracteres
alfanumricos, sino tambin
indicadores de barras, figuras
pictricas, textos completos, etc.

En la figura 18.2 se han dibujado algunos de los m uchos displays alfanum ricos, p ict ri
cos, etc.
Los LCD son muy planos, lo que permite miniaturizar considerablemente los aparatos en los que
se dispongan. sta es otra gran ventaja de estos dispositivos en comparacin con los displays LED,
cuyos dados ocupan mayor volumen.

CRISTALES LQUIDOS
Los cristales lquidos son, en su mayora, compuestos orgnicos que tienen molculas alargadas.
Estas sustancias pueden tomar un estado en el cual presentan simultneamente propiedades de
slido y de lquido.
Como cualquier liquido, es un fluido cuyas molculas tienen gran libertad de movimiento; como
slido cristalino sus molculas retienen un cierto grado de ordenacin.
Generalmente permanecen orientados en una direccin preferida, pero tambin son libres de gi
rar alrededor de sus largos ejes e incluso de intercambiar posiciones.
Para que estas sustancias orgnicas se encuentren en ese estado cristal-lquido parcialmente
ordenado, han de trabajar entre unas temperaturas bien definidas: la temperatura de transicin s
lido-lquido (punto de fusin) y la temperatura a la cual el lquido se hace totalmente desordenado.
Entre estos dos lmites de temperatura los ejes de las molculas poseen una orientacin preferida,
conocida com o director del cristal lquido.
Segn la disposicin de las molculas del cristal lquido, stos se clasifican en nemtlcos, esmctlcos y colestricos.
En la estructura esm ctlca las m olculas de cristal lquido estn dispuestas en capas, con el
director u orientacin preferida perpendicular al plano de las capas (figura 18.3). En esta estruc
tura las molculas pueden moverse dentro del plano de las capas siempre que su orientacin siga
siendo la misma.

18.3 Estructura esmtica de las


molculas de un cristal lquido.
380

DISPLAYS DE CRISTAL LQUIDO

18.4 Estructura nemtica de las


molculas de un cristal lquido.

En la estructura nemtica las molculas estn dispuestas igualmente con los directores parale
los entre s, pero no posee capas (figura 18.4). En esta estructura las molculas pueden moverse
dentro de la masa del lquido y slo la orientacin est limitada.
En la estructura colestrica tambin existen las capas, pero el director es aqu paralelo a las ca
pas y ligeramente girado entre capas adyacentes, formando una imagen helicoidal normal a los pla
nos de las capas (figura 18.5). En esta estructura la orientacin tambin est limitada y las molculas
pueden moverse libremente por la masa del lquido.

i '

18.5 Estructura colestrica de


las molculas de un cristal lquido.

Debido a que las molculas de un cristal lquido son alargadas y poseen una estructura orde
nada, sus propiedades fsicas son anistropas, es decir, varan segn ia direccin en que son exa
minadas. Estas propiedades anistropas hacen referencia al factor dielctrico (que puede ser posi
tivo o negativo) y al ndice de refraccin (que siempre es positivo).
Dopando adecuadamente un cristal lquido, tambin se obtiene una conductancia anisotrpica. En
este ltimo caso, aplicando un campo elctrico a un cristal lquido, se inducen en l cargas espaciales.

Cristales lquidos de dispersin dinmica y giratoria


Sea un cristal lquido de estructura nemtica, com o el de la figura 18.4, el cual se ha dopado
para hacerlo ms conductor, y tiene anisotropa dielctrica negativa y anisotropa de conductan
cia positiva.
Si este cristal se coloca entre dos electrodos transparentes paralelos, cuyas superficies han sido
tratadas para determinar la alineacin del cristal lquido inmediatamente adyacente a ellas, la orien
tacin del director permanece uniforme a travs de la capa de cristal lquido, debido a las fuerzas
de alineacin entre las molculas (figura 18.6). El espesor de este cristal lquido es extremadamen
te pequeo, del orden de las 1 0 pm.
Los electrodos, de xido de Indio y estao, y las placas de vidrio han de ser transparentes, de
forma que tanto unos como otras permitan el paso de la luz a travs de la clula, en una direccin
paralela a la del campo elctrico aplicado entre electrodos.
La alineacin del director de las molculas del cristal liquido es pues paralela a la superficie de
los electrodos, tal y como se aprecia en la figura 18.6. Esta alineacin recibe el nombre de alinea
cin planar, y la perpendicular a la superficie de los electrodos se conoce como hemeotrpica.
Veamos ahora qu sucede si entre los electrodos de la figura 18.6 se aplica una tensin alterna
de BF, de valor eficaz V.

381

COMPONENTES ELECTRNICOS

18.6 Constitucin bsica


de una clula de LCD.

Placa de vidrio

Electrodo

Espaciador

Espaciador

Cristal lquido

Electrodo

Placa de vidrio

En este caso, se induce en ei cristal lquido un flujo peridico (o dominios de Williams) cuando
la tensin alcanza un cierto valor l/th, denominado de umbral ptico.
En la prctica la tensin aplicada entre los electrodos de un cristal lquido es alterna de BF, ya
que la tensin continua conduce siempre al deterioro del LCD.
Como consecuencia del campo elctrico aplicado, se inducen en las molculas unas cargas
elctricas que hacen modificar la posicin de stas, puesto que cargas del mismo signo se repelen
y de signo opuesto se atraen (figura 18.7). Esta perturbacin de la estructura nemtica de un cris
tal lquido es debida a su anisotropa de conductancia positiva.

18.7 Al aplicar una tensin Vm


entre los electrodos de un cristal
lquido, la estructura del cristal
sufre una deformacin debida
a la formacin de cargas elctricas
en sus molculas.

Si la tensin aplicada entre electrodos del cristal lquido aumenta por encima del nivel de umbral
ptico Vjh, las fuerzas estabilizadoras son debidas a la anisotropa de conductancia negativa, por lo
que el movimiento turbulento de las molculas queda establecido.
Aumentando la tensin an ms, la turbulencia produce grandes variaciones locales en el ndi
ce de refraccin, con lo que cualquier luz que incida sobre la superficie del cristal lquido queda d is
persada y, con ello, el aspecto de la capa adopta una transparencia lechosa, hacindose perceptible
al ojo humano.
Antes hemos dicho que la tensin de umbral ptico \/th ha de ser alterna para evitar deterioros
en ei cristal lquido. Ahora cabe aadir que la produccin de dominios de Williams depende de la
frecuencia de la tensin alterna aplicada.
Tericamente, a la frecuencia de corte fc, la tensin de umbral ptico l/,h aumenta a infinito. En
la prctica, sin embargo, fc (que es la frecuencia de relajacin de las cargas espaciales y es funcin
de la viscosidad y de la anisotropa dielctrica del cristal lquido) separa las regiones de conduccin y
las regiones dielctricas correspondientes a la caracterstica del cristal lquido.
En la figura 18.8 se ha dibujado la curva caracterstica t/,h = f ( f ) de un cristal lquido. En ella se
puede observar cmo, al aumentar la frecuencia, la tensin de umbral ptico ( l/J ha de ser mayor
para producir los dominios de Williams. Por encima de la frecuencia de corte fc se produce un tipo
diferente de turbulencia de dispersin de la luz.
En la figura 18.9 se ha dibujado la curva caracterstica que relaciona la tensin aplicada al cristal
lquido con la dispersin de la luz incidente sobre l. En ella se han sealado dos valores de tensin:

382

DISPLAYS DE CRISTAL QUIDO

fc (kHz)
18.8 Curva caracterstica Vlh = f(f),
para dispersin dinmica de un
cristal lquido.

18.9 Curva caracterstica del


porcentaje de dispersin de luz
incidente sobre un cristal lquido
en funcin de la tensin aplicada.

el ya expuesto de umbral ptico 1/ th y la tensin t/go% bajo cuyo valor la dispersin de la luz alcanza el
90 % de su valor mximo.
La modificacin de la posicin de las molculas de un cristal lquido no es, lgicamente, instan
tnea, sino que precisa de un cierto tiempo fon para alcanzar el 90 % de dispersin despus de apli
car una tensin algo superior a t/90%. Ello queda reflejado en la figura 18.10, donde se observa que
el tiempo fon se divide en dos partes: el tiempo de detencin td y el tiempo de subida tr.

18.10 Tiempos de subida tr


y de bajada tof de un cristai
lquido al aplicarle y eliminarle,
respectivamente, una tensin
elctrica.

El tiempo de detencin es el tiempo que transcurre para que la dispersin alcance el 10 % de


su valor mximo, mientras que el tiempo de subida es el que debe transcurrir para que la disper
sin suba del 10 al 90 %.
Al dejar de aplicar tensin entre los electrodos de un cristal lquido, sus molculas no regresan
Instantneamente a su posicin director, sino que lo hacen en un cierto tiempo toif o tiempo de b a
jada, definido como el tiempo que transcurre para que la dispersin descienda al 1 0 % de su valor
mximo. Como orientacin diremos que los valores tpicos de fr y fotf son de unos 100 ms.
Todo lo expuesto a lo largo de este apartado hace referencia a los cristales lquidos de disper
sin dinmica, existiendo otros cristales en los que la dispersin es giratoria, tal y como se expone
a continuacin.
En los displays nemticos giratorios, el cristal lquido tambin est situado entre electrodos para
reforzar la alineacin de las molculas segn el director. Sin embargo, ste puede girar 90 entre un
electrodo y otro.

383

COMPONENTES ELECTRNICOS

Haciendo incidir un flujo luminoso polarizado paralelamente a la alineacin del director en un


electrodo, el plano de polarizacin sigue la alineacin del director a travs del cristal lquido, y gira
hasta 90 cuando la luz pasa de un electrodo a otro.
Al igual que en el caso anterior, existe una tensin de umbral ptico Vjh, cuyo valor es de 1 V, y
una tensin l/90%, en el que se obtiene el 90 % de dispersin de la luz incidente, y cuyo valor es de
2 V.
Al aplicar una tensin superior a 1/th entre los electrodos de un cristal lquido nemtico giratorio,
el director gira hasta tomar una posicin paralela a la direccin del campo elctrico. En este caso
no hay rotacin y el plano de polarizacin de la luz que atraviesa la clula no queda afectado.
El tiempo de subida r en este tipo de cristal liquido es, aproximadamente, la mitad que en el de
dispersin dinmica, es decir, unos 50 ms; sin embargo, el tiempo de bajada es aproximadamente
el doble (unos 2 0 0 ms).
La principal diferencia entre un LCD de dispersin dinmica y otro giratorio, se encuentra en que
en los primeros el funcionamiento est basado en una combinacin de los efectos de campo y de
conduccin, mientras que en los segundos el funcionamiento se debe nicamente al efecto de cam
po; por lo que los visualizadores de cristal lquido nemticos giratorios trabajan con menores tensio
nes y mayores resistividades, siendo su consumo de energa menor.
Los displays de dispersin dinmica no necesitan filtros polarizadores de luz, mientras que los
giratorios s. Sin embargo, los de dispersin dinmica necesitan un espejo detrs de ellos.
En la tabla 18.1 se comparan las caractersticas principales de estos dos tipos de LCD.

Caracterstica
.

Tabla 18.1 Caractersticas


principales de los displays
de cristal lquido.

LCD de dispersin

LCD nemtico

Tensin de umbral

dinmica

giratorio

ptico (t/.h)

1V

Tensin 1/^%

15 V

2V

Rigor de umbral

razonable

bueno

Tiempo de subida fon

100

ms

50 ms

Tiempo de bajada otf

10 0

ms

200

Conductividad

Polarizador

no

x lO ^ S /c m 2

ms

2 x 10"7 S/cm 2
s

FORMA CONSTRUCTIVA DE UN LCD


En la figura 18.11 se ha dibujado el despiezo de un display de cristal lquido nemtico giratorio; el
de dispersin dinmica es similar aunque ms simple, ya que no precisa de polarizadores.
Consta de diferentes elementos, cuyas funciones se exponen a continuacin.
El primer elemento del LCD, situado en la parte frontal, es un polarizador. ste tiene varias fun
ciones que cumplir, tales como la de proporcionar a la clula una buena rigidez mecnica, proteger
al cristal lquido de contaminacin, evitar que se evapore y servir como elemento fiable y plano al
electrodo del visualizador que se dispone detrs.
Com o material para la fabricacin de este polarizador se utiliza el vidrio, ya que es un m ate
rial estable, rgido, inerte, insoluble, impermeable y transparente a la luz visible, reflejando o absor-

384

DISPLAYS DE CRISTAL LIQUIDO

18.11 Despiezo de un LCD


nemtico giratorio.

Espaciador

Superficies
alineadoras

Polarizador frontal
(analizador)
, Electrodo visuahzador
Superficie
reflectora

Placa frontal

biendo gran parte de la luz ultravioleta, la cual podra provocar la disociacin fotoqum ica del cris
tal liquido.
El espesor del polarizador de vidrio ha de estar comprendido entre 10 y 20 pin.
Detrs del polarizador se dispone una placa con uno de los electrodos del dispiay, el cual nor
malmente tiene forma de 8 para los displays numricos, y otras formas para los pictricos. La forma
de este electrodo puede ser cualquiera, capaz de representar nmeros y/o letras o figuras.
El electrodo debe ser transparente, de forma que permita la visualizacin de las molculas del
cristal lquido cuando cambien de posicin, para lo cual se utilizan capas de xido de indio y estao.
El electrodo se deposita en la cara posterior del polarizador de vidrio, mediante vaporizacin de
una capa de xido, y luego grabando la forma que se desee mediante resinas fotosensibles o ms
caras impresas.
El espesor del electrodo es de tan slo 20 .um, siendo su transparencia, con respecto al vidrio,
del 100 % a una longitud de onda de 550 nm, que es la longitud de onda de mxima sensibilidad
del ojo humano, por lo que apenas si se detecta su presencia por transparencia.
Al electrodo se le aplica luego una fina capa aislante, y la superficie interna de la capa frontal es
tratada para obtener la orientacin necesaria del director.
La capa aislante tiene por finalidad prolongar la vida del dispiay y simplificar su utilizacin en el
caso de LCD nemticos giratorios. Bloquea el paso de la corriente continua y evita con ello la des
composicin electroltica del cristal liquido.
Detrs de la placa frontal se disponen os espaciadores, los cuales forman las paredes superior,
inferior y laterales de la clula.
Este espaciador ha de ser muy delgado, por lo que se fabrican de un polmero termoplstico,
que tiene la particularidad de ser adhesivo por compresin en caliente. En otros casos se utilizan
espaciadores de vidrios termoestables cargados, de grosor adecuado, los cuales se adhieren a la
placa frontal mediante resinas.
Dado que el sellado ha de hacerse en caliente, y que el cristal lquido no soporta temperaturas
superiores a los 150 C, antes de disponer el cristal liquido se coloca la placa posterior, la cual con
tiene el electrodo posterior (figura 18.11).
El espaciador se adhiere a la placa posterior por los mismos procedimientos ya expuestos, for
mndose asi una caja cerrada, en la que slo existe un pequeo onficio por el que se efecta el lle
nado con cristal liquido mediante una combinacin de la accin de vaco y de capilaridad.
Una vez llenado el dispiay con cristal lquido, se cierra el pequeo orificio con un punto de sol
dadura de baja temperatura de fusin.
En el caso de LCD nemtico giratorio, el electrodo posterior se deposita en la cara de la placa
posterior que hace contacto con el cristal lquido, y que debe ser transparente, ya que si la clula
es observada con luz transmitida, sta debe pasar a travs del filtro polarizador y atravesar el elec
trodo posterior.
En el caso de LCD de dispersin dinmica, en los que su observacin es con luz reflejada, el
electrodo posterior puede estar fabricado con un material reflector. Un electrodo reflector se fabri-

385

COMPONENTES ELECTRNICOS

ca con una capa de aluminio, oro o nquel, depositada al vaco, o mediante tcnicas de rociado de
alta frecuencia, sobre la placa posterior.
Detrs de la placa posterior se dispone un polarizador, cuyas caractersticas son guales a las
del frontal.
Finalmente, detrs del polarizador posterior se dispone una superficie reflectora que distribuye
la luz uniformemente.
Algunos LCD disponen tambin de lentes y filtros de color.
Una posibilidad atractiva es la utilizacin de filtros de polarizacin coloreados, los cuales funcio
nan por transmisin de luz, obtenindose brillantes cambios de color.

ILUMINACIN DE UN LCD
Normalmente los LCD se iluminan mediante luz ambiente, ya sea luz solar o elctrica, la cual inci
de sobre la superficie frontal del dlsplay y es reflejada mediante una superficie difusa o un espejo si
tuado en la parte posterior de ste.
Una segunda alternativa, utilizada para la visualizacln de los caracteres del display en la oscu
ridad, consiste en disponer, en su parte posterior, una superficie parcialmente reflectora, la cual re
fleja la luz ambiente cuando sta se halla presente, y deja pasar la luz procedente de una pequea
lamparita incandescente o de uno o varios LED, que se aaden al display, los cuales se encienden
de forma permanente, o mediante un interruptor, siempre que se desee efectuar la lectura en la o s
curidad, tal y com o se hace en los telfonos mviles.
La iluminacin de un display de cristal lquido con LED Interno puede llevarse a cabo de cual
quiera de las formas que se indican en la figura 18.12.

o -

18.12 Diversos procedimientos


de iluminacin artificial de un
LCD. a) Con pantalla translcida,
b) Con LED oculto y caja de
superficie mate, c) Con pantalla
difusora enfrente del LCD.

a)

b)

c)

En la figura 18.12a la iluminacin se lleva a cabo mediante uno o varios LED situados detrs del
visualizados colocando entre ste y la lmpara una pantalla translcida que deje pasar los rayos lu
minosos.
En la figura 18.12b se ha dispuesto detrs del visuallzador una caja de superficie mate, y en una
de sus caras se sitan los LED, de forma que queden ocultos a la vista del observador. Los rayos
luminosos Iluminan la parte posterior del display, permitiendo la lectura de sus caracteres.
En la figura 18.12c se ha dibujado un tercer sistema, consistente en disponer los LED detrs del
vlsualizador, y en la parte anterior una pantalla difusora.

CARACTERSTICAS TCNICAS DE LOS LCD


Para la eleccin correcta de un LCD, es preciso conocer una serie de caractersticas tcnicas que
pueden dividirse en tres grandes grupos:

3 86

Elctricas.
Trmicas.
pticas.

DISPLAYS DE CRISTAL LQUIDO

Las caractersticas elctricas son, si duda, las ms importantes para el profesional electrnico.
Son las siguientes:

Tensin de umbral ptico.


Tensin de excitacin para un contraste del 90 %.
Componente de corriente continua de la tensin de excitacin.
Tensin de excitacin.
Consumo de corriente.
Tensin entre cualquier segmento y el electrodo posterior.
Frecuencia de funcionamiento.
Capacidad con todos los elementos conectados.

Las caractersticas trmicas son dos:

El margen de temperatura de funcionamiento.


El margen de temperatura de almacenamiento.

Respecto a las caractersticas pticas, deben ser consideradas las siguientes:

Relacin de contraste.
Tiempos de respuesta.
ngulo de observacin entre puntos de contraste del 50 %.

Veamos el significado de cada una de estas caractersticas, teniendo en cuenta que algunas de
ellas, las ms importantes, ya han sido tratadas en pginas anteriores.

Tensin de umbral ptico


La tensin de umbral ptico (l/m) es el valor eficaz de tensin bajo el cual se inicia la visualizacin
de los caracteres del display.
Dado que este inicio de visualizacin no depende nicamente de la tensin, sino tambin de la
frecuencia, los fabricantes de LCD indican en sus catlogos el valor eficaz de V.h a una frecuencia
de 50 Hz.
Como orientacin, diremos que en un LCD para reloj digital el valor de Vth es de 1 ,8 V eficaces
a 50 Hz.

Tensin de excitacin para un contraste del 90 %


Este parmetro ha sido definido con todo detalle en pginas anteriores, por lo que remitimos al lec
tor a ellas. En este apartado slo diremos que su valor es. lgicamente, superior al de VIh, y que, al
igual que aqul, se da en voltios eficaces.
Los fabricantes indican en sus catlogos el valor eficaz de tensin mnimo para obtener el 90 %
del contraste; as, por ejemplo, el LCD nemtico rotatorio modelo F331LX de P
alcanza un
contraste del 90 % con una tensin eficaz superior a 3 V.
h il ip s

Componente de corriente continua de la tensin de excitacin


La tensin que debe aplicarse a un LCD ha de ser alterna; sin embargo, es admisible la presencia
de una componente continua, cuyo valor no debe ser sobrepasado, y que es indicado por los fa
bricantes.
Este valor suele ser de, aproximadamente, 1 V.

Tensin de excitacin
Para un contraste del 90 % se necesita una tensin mnima entre electrodos de LCD.
El valor de la tensin de excitacin hace referencia a un contraste por encima del 90 %, a una
frecuencia determinada de onda cuadrada. Este valor suele ser facilitado por los fabricantes para
una frecuencia dada, e indican el valor de la tensin de excitacin mnima, tpica y mxima.

387

COMPONENTES ELECTRNICOS

As, el display del cristal lquido modelo F331LX de P hilips posee los siguientes valores de ten
sin de excitacin a 32 Hz con onda cuadrada: 3 V eficaces mnimo, 5 V eficaces tpico y 15 V efi
caces mximo.
Al disear un circuito con LCD se debe tener especial cuidado en no sobrepasar el valor mxi
mo, por lo que se toma como referencia el valor tpico.

Consumo de corriente
El consumo de corriente de un LCD es pequesimo, resultando un dispositivo idneo para su uso
en aparatos alimentados por pilas o acumuladores de pequea capacidad.
Los fabricantes de LCD indican el consumo de corriente para una tensin de excitacin tpica,
y a una frecuencia determinada. Por ejemplo, alimentado con 5 V eficaces de tensin de excitacin
y 50 Hz, el consumo de un LCD es de unos 5 iA.

Tensin entre cualquier segmento y el electrodo posterior


Los displays de cristal lquido tienen, com o cualquier componente, un lmite de tensin, sobrepa
sado el cual pueden resultar deteriorados. Resulta por ello importante conocer este valor, el cual
hace referencia al valor mximo entre pico y pico de la tensin alterna aplicada.
Tngase presente que los otros valores de tensin citados hacen referencia a valores eficaces,
por lo que el valor de pico a pico es superior.
Como ejemplo, diremos que el LCD modelo F331 LX de P
soporta una tensin mxima de
pico a pico de 30 V entre los electrodos de sus segmentos y el electrodo posterior.
h il ip s

Frecuencia de funcionamiento
La tensin que se aplica a un display debe ser alterna, normalmente con forma de onda cuadrada.
Sin embargo, existen dos problemas que deben considerarse: por debajo de 32 Hz se observa par
padeo, debido a que el ojo humano no retiene las Imgenes por debajo de esta frecuencia; por en
cima de 100 Hz el consumo de potencia aumenta considerablemente.
De todo esto se deduce que aunque un LCD puede trabajar entre 32 Hz y 10 kHz, se aconse
ja una frecuencia de funcionamiento de 50 Hz y no superar los 100 Hz.

Capacidad con todos los elementos conectados


Los electrodos de un LCD forman una capacidad entre ellos, la cual resulta conveniente conocer
en algunos casos, pues puede afectar a otras partes del circuito.
Como ejemplo, diremos que la capacidad del LCD modelo F331LX de P hilips es de 1 ,5 nF, es
tando todos los electrodos conectados.

Margen de tem peratura de funcionamiento


Dado que las molculas de un cristal lquido poseen propiedades de variacin de direccin entre
dos temperaturas extremas, una inferior y otra superior, stas no deben sobrepasarse durante el
funcionamiento.
Temperaturas normales de funcionamiento son las comprendidas entre -1 0 C y +60 C.

Margen de tem peratura de almacenamiento


Los LCD deben almacenarse en locales cuya temperatura ambiente no sobrepase ciertos valores
extremos, que suelen ser unos 10 C por debajo y por encima de las temperaturas lmites de fun
cionamiento, es decir, entre -2 0 C y +70 C.

Relacin de contraste
El contraste se define como la relacin entre la luminancla del elemento conectado y la del ele
mento desconectado. Sin embargo, esta medida debe ser considerada con precaucin, ya que el
ojo humano aprecia diferencias de contraste segn la luminancla de las superficies comparadas y
segn el ngulo de visualizacin.
Las relaciones de contraste normales son de 20:1.

388

DISPLAYS DE CRISTAL LQUIDO

ngulo de observacin entre puntos de contraste del 50 %


El contraste observado en un LCD depende, como se ha dicho, del ngulo de observacin con res
pecto a la superficie del display y a la orientacin del director.
De acuerdo con ello, son dos los planos de observacin (figura 18.13).

18.13 El ngulo de observacin


de un LCD depende de tres planos
con respecto al director.

Los fabricantes facilitan en sus catlogos unos diagramas polares que relacionan el contraste
con el ngulo de observacin, tal y como se muestra en las figuras 18.14 y 18.15.

ngulo de visin

ngulo de visin

100
contraste (%)

contraste

50

18.14 Variacin del contraste segn el ngulo


de observacin dentro del plano IX y para dos
tensiones dadas.

18.15 Variacin del contraste segn el ngulo


de observacin dentro del plano ZY y para dos
tensiones dadas.

Adems, y teniendo en cuenta que la relacin de contraste depende de la tensin aplicada, es


tos diagramas polares se dibujan con dos curvas: una a la tensin l/, (lnea continua) y otra a una
tensin menor V2 (lnea de trazos).
En las citadas figuras se observa la existencia de una asimetra, que se hace ms pronunciada
a tensiones bajas, y la cual no puede ser evitada por el diseo del display.
De las figuras 18.14 y 18.15 se desprende que el mximo contraste, del 100 %, se obtiene en
la vertical del display, reducindose a medida que nos acercamos a los ejes X e Y de la figura 18.13.
Con ngulos por encima de unos 50 el contraste es nulo.
En ocasiones, los fabricantes de LCD indican en sus catlogos el ngulo de observacin para
apreciar un contraste del 50 %.

Tiempos de respuesta
Los tiempos de respuesta de un LCD se han definido y estudiado en pginas anteriores y en la fi
gura 18.10, por lo que a ellas remitimos al lector interesado.

389

COMPONENTES ELECTRNICOS

CONEXIN DE LOS LCD


Los diferentes electrodos que forman los caracteres de un LCD se conectan a los terminales me
diante hilos de conexin dispuestos como se indica en la figufa 18.16. Esta disposicin de las
conexiones permite reducir el nmero de terminales.

aUaUoUoU

18.16 Forma de conectar


los segmentos de un LCD
con multiplexado de dos lneas.

flDQDnnopnnnnnnnd

Efectivamente, en la figura 18.16 se puede comprobar que cada dgito est formado por siete
segmentos, y com o el display consta de cuatro dgitos, se tiene un total de 28 segmentos ms cua
tro puntos decimales; sin embargo, el nmero de terminales es de tan slo 18, es decir, cuatro por
dgito ms dos para los electrodos posteriores.
El sistema, denominado de multiplexado de 2 lneas, consiste en disponer dos electrodos posterio
res en lugar de uno, cuyas conexiones son las que se han indicado en la figura 18.17 con BE1 y BE2.
Para que un segmento se haga visible es necesario aplicar una tensin entre l y el electrodo

BE1

HLf
Mt

t
a)

BE2

BE1

rUti
i_ i

I
b)

BE2

BE2

l
o)

18.17 Formacin de los dgitos en un LCD. a) Al aplicar tensin entre todos los electrodos anteriores y el
posterior de la parte superior, b) Al aplicar tensin entre todos los electrodos anteriores y el posterior de la parte
inferior, c) Al aplicar tensin entre algunos electrodos anteriores y los dos posteriores.

posterior a l, por lo que cada uno de los cuatro terminales correspondientes a los electrodos de
los segmentos gobierna a dos de ellos: un segmento de la parte superior y otro de la parte inferior,
pero slo se harn visibles ambos segmentos si se aplica tensin a los dos electrodos posteriores
simultneamente.
Veamos, con ayuda de la figura 18.17, todo esto que se acaba de exponer.
En la figura 18.17a se ha aplicado tensin entre el electrodo posterior superior BE1 y todos los
segmentos, por lo que se hacen visibles los cuatro segmentos superiores del dgito; los inferiores
no se hacen visibles ya que al electrodo posterior inferior BE2 no se le ha aplicado tensin alguna.
En la figura 18.17b se aplica tensin entre todos los segmentos y el electrodo posterior inferior
BE2, por lo que se hacen visibles los tres segmentos inferiores del dgito ms la coma decimal.
En la figura 18.17c se ha aplicado tensin entre algunos de los segmentos y los dos electrodos
posteriores, por lo que se hacen visibles aquellos segmentos a los que se aplica tensin, form an
do, en el ejemplo de la figura 18.17c, la cifra 3.
Teniendo en cuenta que cada segmento se identifica mediante una letra (figura 18.18) y que
cada par de segmentos est interconectado entre s a un nico terminal, numerando los terminales
de izquierda a derecha se tiene:

390

DISPLAYS DE CRISTAL LQUIDO

Terminal 1 =
Terminal 2 =
Terminal 3 =
Terminal 4 =
Terminal 5 =
Terminal 6 =

Electrodo posterior superior BE1


a- h
f- e
g - d
b - c
Electrodo posterior Inferior BE2

18.18 Cada segmento de un LCD


se identifica por una letra.

Este sistema de multiplexado exige, sin embargo, un excitador decodificador, de forma que los
electrodos BE1 y BE2 no reciban tensin simultneamente, sino alternndose, ya que de lo con
trario no es posible visualizar algunas cifras.
Efectivamente, supongamos que se desee visualizar el nmero 2. En este caso deben hacerse
visibles los segmentos a, b, g, e y d (figura 18.18), pero si se aplica tensin entre estos segmentos
y BE1 y B2, aparece el nmero 8 , por estar f conectado a e, y c conectado a b.
Si se aplica alternativamente tensin a BE1 y BE2 con respecto a ciertos segmentos, segn el
siguiente cdigo:

l . e: tiempo. Tensin entre BE1 y a, , y g (terminales 2, 4 y 5), visualizndose los segmentos


que se indican en la figura 18.19a.
2. tiempo. Tensin entre BE2 y e y d (terminales 3 y 4), visualizndose los segmentos que
se pueden ver en la figura 18.19b.

BE2

Ai
d

BE1

a)

BE2

BE1

BE2

b)

i
o

1
t

C)

18.19 Forma de visualizar el dgito 2 en un LCD.

y esta operacin se realiza con la suficiente velocidad, el poder de retencin de imgenes del ojo
humano permite que, aparentemente, quede visualizado el nmero 2 (figura 18.19c).
El sistema de excitacin-codificacin se realiza con un IC, siendo su estudio ajeno a los fines de
este tomo de la enciclopedia.
En el caso de LCD alfanumricos, capaces de visualizar cualquier letra del alfabeto y cualquier
nmero, se precisa un mayor nmero de terminales (figura 18.20).

391

COMPONENTES ELECTRNICOS

18.20 Forma de conectar


los segmentos de un LCD
alfanumrico con multiplexado
de dos lneas.

m I Elementos asociados con BE1


! Elementos asociados con BE2

En este caso son 14 los segmentos unidos por parejas, ms dos electrodos posteriores BE1 y
BE2, lo que hace un total de nueve terminales por dgito, que deben excitarse de forma similar a la
anteriormente expuesta.
Adems del sistema de multiplexado descrito, el cual reduce el nmero de conexiones, tambin
se fabrican LCD con excitacin esttica, en los que a cada segmento le corresponde un terminal y
slo se tiene un electrodo posterior.
El sistema de excitacin binario es en todo idntico al de los displays con LED, con la salvedad
de utilizar corrientes alternas para la excitacin en lugar de corriente continua.
Para finalizar diremos que la distancia entre terminales de conexin est normalizada en 2,54 mm
y 1,27 mm.

392

Abreviaturas

AV
BF
c.a.
CAF
CMOS

Average Valu. Valor medio.


Baja frecuencia.
Corriente alterna.
Control automtico de frecuencia.
Complementary Metal-Oxide-Semiconductor.
Sem iconductor complementario de xido
metlico.
D
Drain. Drenador (salida).
d.d.p.
Diferencia de potencial.
DIL
Dual In Une. En doble lnea.
DTL
Diode Transistor Logic. Lgica con diodo y
transistor.
ECL
Emitter Coupled Logic. Lgica acoplada por
emisor.
F
Forward. Sentido directo.
Fuerza electromotriz.
f.e.m.
Fl
Frecuencia intermedia.
FM
Frecuencia modulada.
G
Gafe. Puerta.
GND
Ground. Masa.
H
High. Alto (nivel alto).
HILL
High Level Logic. Lgica de alto nivel.
IC
Integrated Circuit. Circuito integrado.
IEC
International Electrotechnical Commission.
Comisin Electrotcnica Internacional.
IGFET
Insulated Gate Field Effect Transistor. Transistor
de efecto de campo con puerta aislada.
l2L
Integrated Injection Logic. Lgica de inyeccin
integrada.
JFET
Junction Field Effect Transistor. Transistor
uniunin de efecto de campo.
L
Low. Bajo (nivel bajo).
Ceramic Leadless Chip Carrier. Cpsula
LCC
cermica chip carrier.
LCD
Liquid Crystal Display. Display de cristal lquido.
LDR
Light Dependent Resistor. Resistencia
dependiente de la luz.
LED
Light Emitter Diode. Diodo emisor de luz.
Large Scale Integration. Integracin a gran
LSI
escala.
LOCMOS Local Oxydation Complementary Metal Oxide
Semiconductor.

MAT
MOS

Muy Alta Tensin


Metal- Oxide-Semiconductor. Metal -xido semiconductor.
MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect
Transistor. Transistor de efecto de campo de
metal-xido-semiconductor.
MSI
Mdium Scale Integration. Integracin a
escala media.
N
Cristal donador.
Nega tive Metal- Oxide-Semiconductor.
NMOS
NTC
Negative Temperature Coefficient. Coeficiente
de temperatura negativo.
OM
Onda Media.
Cristal aceptador.
P
PCB
Printed Circuit Board. Tarjeta de circuito
impreso.
Plstic Leaded Chip Carrier. Cpsula de
PLCC
plstico chip carrier.
PMOS
Positive Metal- Oxide-Semiconductor.
PTC
Positive Temperature Coefficient. Coeficiente
de temperatura positivo.
QIL
Ouadruple In Une. En cudruple lnea.
R
Reverse. Sentido inverso.
RF
Radiofrecuencia.
Root Mean Square Valu. Valor eficaz.
RMS
ROP
Radiated Output Power. Potencia de
radiacin de salida.
RTL
Resistor Transistor Logic. Lgica con
resistencia y transistor.
Source. Surtidor (fuente o admisin).
S
SMD
Surface M ount Device. Dispositivo para
montaje superficial.
SMT
Surface M ounted Technology. Tecnologa de
montaje en superficie.
SO
Small Outline. Pequeo perfil.
SOAR
Safe Operating Area. Area de funcionamiento
de seguridad.
SOI
Silicon On Insulator. Silicio sobre aislante.
SOSMOS Silicon On Sapphire Metal Oxide
Semiconductor.
SSI
Small Scale Integration. Integracin a
pequea escala.

393

COMPONENTES ELECTRNICOS

TTL
UHF

veo

394

Transistor Transistor Logic. Lgica con


transistor-transistor.
Ultra High Frecuency. Ultra alta frecuencia.
Voltage Control Oscilator. Oscilador
controlado por tensin.

VDR
VHF
VSLI

Voltage Dependent Resistor. Resistencia


dependiente de la tensin.
Very High Frecuency. Muy alta frecuencia.
Very Large Scale Integration. Integracin a
muy alta escala.

ndice

Captulo 1 Conductores y circuitos impresos


Introduccin
Clasificacin de los conductores
Hilos y cables conductores
Caractersticas tcnicas de los conductores
Resistencia elctrica
Resistividad elctrica
Conductividad elctrica
Densidad de corriente
Resistencia en alta frecuencia
Resistencia de aislamiento
Rigidez dielctrica
Constante dielctrica
Inflamabilidad
Temperatura de seguridad
Resistencia al ozono
Resistencia a la luz solar
Materiales utilizados en la fabricacin de hilos
y cables para electrnica
Cobre electroltico
Cobre recocido
Cobre duro telefnico
Polietileno
Polietileno reticulado
Policloruro de vinilo
Politetrafluoretileno
Identificacin de los conductores
Circuitos impresos
Tipos de placa base para circuitos impresos
Fabricacin de circuitos impresos
M todo offset
Mtodo de serigrafa
Mtodo fotomecnico
Mtodo artesano
Clculo de las pistas de cobre
Circuitos impresos multicapa
Cables para radiofrecuencia
Velocidad de propagacin
Resistencia hmica
Prdidas en el dielctrico
Impedancia caracterstica

7
7
7
11

11
12
12

13
13
13
14
15
15
15
15
16
16
16
16
16
16
17
17
17
18
18
19

20

20
21

22
22
22
23
23
24
25
25
25

Capacidad nominal
Tensin mxima de servicio
Temperatura lmite de cubierta
Cables simtricos
Cinta plana bifilar
Cinta oval bifilar
Tubo bifilar
Cable bifilar apantallado
Cables coaxiales

25
25
25
26
26
27
27
27
28

Captulo 2 Conectores
Introduccin
Termnales
Clavija banana
Jack
Conectores para altavoces DIN 41529
Conectores bipolares para conexin a la red
Conectores multipolares circulares (DIN)
Conectores para circuitos impresos
Euroconector (SCART)
Contactos del euroconector
Conectores para radiofrecuencia

31
31
32
33
34
35
36
37
38
39
39

Captulo 3 Resistencias
Introduccin
Clasificacin de las resistencias
Resistencias de carbn aglomerado
Resistencias de pelcula de carbn
Resistencias de pelcula metlica
Resistencias de pelcula de cermet
Resistencias bobinadas
Resistencias bobinadas vitrificadas
Resistencias sobre circuitos impresos
Resistencias SMD miniatura de pelcula metlica
Resistencias SMD miniatura de pelcula gruesa
Redes de resistencias
Caractersticas tcnicas de las resistencias
Potencia de disipacin

45
45
45
46
47
47
48
49
49
50
50
51
52
52

395

COMPONENTES ELECTRNICOS

Valor hmico y tolerancia de las resistencias


Estabilidad
Tensin mxima de trabajo
Coeficiente de tensin
Resistencia crtica
Tensin de ruido
Temperatura mxima de trabajo
Lmites de frecuencia
Coeficiente de temperatura
Soldabilidad
Almacenamiento
Indicacin del valor de una resistencia
Eleccin de la resistencia adecuada

55
58
58
58
59
59
60
60
61
63
63
63

66

Captulo 4 Resistencias ajustables y potencimetros


Introduccin
Resistencias ajustables
Potencimetros
Clasificacin de los potencimetros
Trimmers potenciomtricos SMD
Potencimetros multivuelta
Caractersticas tcnicas de los potencimetros
Valor hmico
Potencia de disipacin mxima
Linealidad
Resolucin
Coeficiente de temperatura
Tensin mxima admisible
Tolerancia
Resistencia efectiva mnima
Resistencia a la humedad
ngulo efectivo de rotacin
Variacin del valor hmico en funcin
del ngulo de rotacin
Nivel de ruido
Estabilidad
Resistencia de aislamiento
Par de accionamiento
Par extremo
Velocidad de accionamiento
Comportamiento ante las vibraciones

67
67
69
69
72
72
73
74
74
75
75
75
76
77
77
77
78
78
79
79
79
79
79
80
80

Captulo 5 Condensadores
Introduccin
Clasificacin de
Condensadores
Condensadores
Condensadores
Condensadores
Condensadores

396

los condensadores
de mica
de papel
styroflex (poliestireno)
de polipropileno
de polister

81
81
81
82
84
85
85

Condensadores de policarbonato
Condensadores de pelcula plstica metalizada
Condensadores cermicos
Condensadores de pelcula de sulfuro
de polifenileno (PPS) para montaje superficial
Condensadores electrolticos de aluminio
Condensadores electrolticos de tantalio
Condensadores ajustables (trimmers)
Caractersticas tcnicas de los condensadores
Valor capacitivo
Tolerancia
Tensin mxima de trabajo
Tensin de prueba
Corriente de carga
Tangente de delta
Coeficiente de temperatura
Resistencia de aislamiento
Inductancia parsita
Frecuencia de resonancia propia
Factor de potencia
Indicacin del valor de los condensadores
Eleccin del condensador adecuado

85
85

86
89
90
92
93
95
95
95
97
98
98
99
101
103
104
104
104
105
105

Captulo 6 Bobinas y ferritas


Introduccin
Clasificacin de las bobinas
Frmulas para el clculo de una bobina
Bobinas con ncleo de aire
Bobinas con ncleo de plancha de hierro
Bobinas con ncleo de ferrita
Caractersticas tcnicas de las bobinas
Valor inductivo
Tolerancia
Variacin de la inductancia
Margen de frecuencias
Resistencia de aislamiento
Coeficiente de temperatura
Factor de calidad
Caractersticas constructivas de las ferritas
Ferritas de manganeso-cinc
Ferroxcube 3A
Ferroxcube 3B
Ferroxcube 3C
Ferroxcube 3 D2
Ferroxcube 3E
Ferritas de nquel-cinc
Ferroxcube 4A
Ferroxcube 4B
Ferroxcube 4C
Ferroxcube 4D
Ferroxcube 4E
Ferroxcube 4F

115
115
115
116
119
120
122
122
123
123
123
123
124
124
125
125
126
126
126
126
126
126
126
126
126
126
127
127

NDICE

Ferroxcube 4H
Caractersticas tcnicas de las ferritas
Peso especfico
Mdulo de Young
Coeficiente de dilatacin lineal
Resistencia a la traccin
Resistencia a la compresin
Calor especfico
Conductividad trmica
Resistividad
Constante dielctrica
Permeabilidad inicial
Temperatura de Curie
Coeficiente de temperatura
Frecuencia de trabajo
Induccin magntica
Bobinas impresas

127
127
127
127
128
128
128
128
128
129
129
129
131
132
132
133
133

Captulo 7 Transformadores y autotransformadores


Introduccin
Principio de funcionamiento del transformador
monofsico
Fuerza electromotriz inducida
Forma constructiva de los transformadores
Autotransformadores
Ncleos para transformadores
Hilo de cobre
Aislamientos
Caractersticas tcnicas de los transformadores
Potencia nominal
Prdidas de potencia
Rendimiento
Tensin primaria y secundaria
Calentamiento
Ejemplos de transformadores utilizados
en electrnica

135
135
138
139
141
143
149
150
151
151
152
153
153
154
155

Captulo 8 Resistencias no lineales


Introduccin
Resistencias VDR de carburo de silicio
Caractersticas tcnicas de las VDR
Curva caracterstica de una VDR
Valor hmico de una VDR
Tensin mxima aplicable a una VDR
Potencia de disipacin de na VDR
Mxima intensidad de corriente no repetitiva
Mxima energa
Coeficiente de temperatura
Capacitancia tpica
Varistores con xidos metlicos

159
159
159
160
161
161
162
162
163
163
164
165

VDR de xido de titanio


VDR de xido de cinc
VDR asimtricas
Cdigo de identificacin de las VDR
Resistencias NTC
Caractersticas tcnicas de las resistencias NTC
Caracterstica resistencia-temperatura
Caracterstica tensin-corriente
Tiempo de recuperacin
Estabilidad
Valor hmico
Tolerancia
Constante de disipacin y potencia
de disipacin mxima
Margen de temperaturas
Cdigo de identificacin de las resistencias NTC
Eleccin del tipo de resistencia NTC adecuada
Resistencias PTC
Caractersticas tcnicas de las resistencias PTC
Caracterstica resistencia-temperatura
Caracterstica tensin-corriente de una
resistencia PTC
Factor de disipacin
Temperatura de conmutacin
Coeficiente de temperatura
Margen de temperatura de trabajo
Constante de tiempo trmico
Mxima tensin admisible
Cdigo de identificacin de las resistencias PTC
Resistencias LDR
Caractersticas tcnicas de las LDR
Curva caracterstica de la resistencia de
una LDR en funcin de la iluminacin
Respuesta espectral de una LDR
Dependencia de la temperatura de una LDR
Tiempo de recuperacin de una LDR
Tolerancias de una LDR
Tensin admisible en una LDR
Potencia d disipacin de una LDR
Ruido de una LDR
Capacidad parsita de una LDR
Comparacin entre las diferentes LDR

166
166
166
167
168
170
170
171
173
174
174
174
175
175
175
176
176
177
178
179
180
182
182
183
183
183
184
184
185
185
186
187
187
188
188
188
189
189
189

Captulo 9 Diodos rectificadores


Introduccin
El germanio
El silicio
Cristal N
Cristal P
Diodo de unin
Diodo de punta de contacto
Cpsulas para diodos semiconductores

191
191
192
192
193
194
196
196

397

COMPONENTES ELECTRNICOS

nodo y ctodo de un diodo rectificador


Puentes rectificadores
Caractersticas tcnicas de los diodos
semiconductores
Smbolos literales para diodos semiconductores
Curva caracterstica de un diodo semiconductor
Diodos de silicio de recuperacin rpida
Capacidad de un diodo
Eleccin del diodo rectificador adecuado
para un circuito
Cdigos de designacin de los diodos
rectificadores semiconductores

197
198

Cpsulas para diodos varicap y conmutadores


de banda

199
199

Captulo 12 Diodos emisores de luz

200
204
209
210
210

Captulo 10 Diodos Zener


Introduccin
Constitucin de un diodo Zener
Curva caracterstica / F = f(Vf) de un diodo Zener
Curva caracterstica I 7 = f{V?) de un diodo Zener
Efecto Zener y efecto avalancha
Tensin de referencia
Resistencia Zener
Coeficiente de temperatura de un diodo Zener
Sensibilidad trmica de un diodo Zener
Corriente de funcionamiento de un diodo Zener
Potencia de disipacin en rgimen estable
de un diodo Zener
Capacidad de un diodo Zener
Ruido
Eleccin del diodo Zener
Cdigo de identificacin de los diodos Zener
Cpsulas para diodos Zener

213
213
214
215
216
216
216
218
219
220

220
221

398

Introduccin
Constitucin de un LED
Displays de LED
Caractersticas tcnicas de los diodos emisores
de luz
Curva caracterstica de la intensidad de corriente
en funcin de la tensin directa
Curva caracterstica de la intensidad luminosa
en funcin de la Intensidad de corriente directa
Tensin inversa
Potencia total de disipacin
Curva caracterstica de la corriente directa
en funcin de la temperatura
Curva caracterstica de la Intensidad luminosa
en funcin de la temperatura ambiente
Potencia de radiacin de salida
Curva caracterstica de la potencia de pico
de salida en funcin de la corriente directa
en forma de impulsos
Distribucin espacial
Cdigo de identificacin de los diodos emisores
de luz y displays
Cpsulas para LED y displays LED

235
235
238
240
241
242
243
243
243
243
244

245
245
247
247

222
222
223
223

Captulo 11 Diodos varicap y conmutadores


de banda
Introduccin
Principio de funcionamiento de un diodo varicap
Circuito equivalente de un diodo varicap
Caractersticas tcnicas de los diodos varicap
Curva caracterstica de la capacidad en funcin
de la tensin inversa
Curva caracterstica de la corriente inversa
en funcin de la temperatura
Curva caracterstica de la corriente inversa
en funcin de la tensin inversa
Curva caracterstica del coeficiente de
temperatura en funcin de la tensin inversa
Relacin de capacidad
Eleccin de un diodo varicap
Diodos conmutadores de banda
Cdigo de identificacin de los diodos varicap

233

225
225
226
228
228
229
230
230
231
232
232
233

Captulo 13 Transistores bipolares


Introduccin
Uniones NPN y PNP
Teora de funcionamiento del transistor
Transistor de puntas de contacto
Transistor de unin
Transistor por difusin planar
Transistor homotaxial
Transistor con base epitaxial
Transistores mesa semiplanares
Cpsulas para transistores
Caractersticas tcnicas de los transistores
Curvas caractersticas de un transistor
Curvas caractersticas de salida
Resistencia de salida de un transistor
Ganancia de corriente
Tensin de codo
Corriente residual
Curvas caractersticas de transferencia
Curvas caractersticas de entrada
Resistencia de entrada del transistor
Curvas caractersticas de reaccin

249
249
250
253
253
255
255
255
256
256
262
264
265
266
268
270
271
272
274
275
276

NDICE

Curva caracterstica P,0, = f(Tgmb)


Frecuencia de transicin
Otras curvas caractersticas del transistor
Eleccin del transistor adecuado
Cdigos de designacin de los transistores
bipolares
Cdigo JEDEC (norteamericano)
Cdigo europeo antiguo
Cdigo Pro Electron
Cdigo JIS (japons)
Cdigo complementario para indicar
la ganancia del transistor

277
279
280
283
284
284
285
285
285
285

Captulo 14 Transistores unipolares


Introduccin
JFET
Curvas caractersticas de un JFET
Curva caracterstica I 0 = f(VD) de un JFET
Curva caracterstica I D = f(-i/GS) de un JFET
Curva caracterstica I D = f(T) de un JFET
Corriente de puerta
Curva caracterstica rs = f(-VGS) de un JFET
Curva caracterstica y fe = f { I D) de un JFET
Curva caracterstica Cs = /(-VQS) de un JFET
Curva caracterstica Crs = f(Vas) de un JFET
Curva caracterstica CGS = f(VDS) de un JFET
Curva caracterstica P,ol = f(ramb) de un JFET
Factor de ruido en un JFET
MOSFET de acrecentamiento
MOSFET de agotamiento
Curva caracterstica de salida de un MOSFET
Curvas caractersticas de transferencia
de un MOSFET
Curva caracterstica I D = f(RDS) de un MOSFET
Potencia de disipacin de los MOSFET
Circuito equivalente de un MOSFET
MOSFET de doble puerta
Cpsulas para JFET y MOSFET
Cdigo de identificacin de los JFET y MOSFET

287
287
290
290
291
292
293
294
295
295
296
297
297
298
299
302
302
303
305
306
306
307
308
311

Captulo 15 Circuitos integrados


Introduccin
Clasificacin de los circuitos integrados segn
su tecnologa de fabricacin
Clasificacin de los circuitos integrados
por su aplicacin
Clasificacin de los circuitos integrados segn
el grado de integracin
Circuitos integrados monolticos
Transistor bipolar integrado

Transistor unipolar integrado


Diodos integrados
Resistencia integrada
Condensador integrado
Conexiones entre los componentes Integrados
Transistor Darlington
Circuitos integrados monolticos aislados
Circuitos integrados de pelcula fina
Circuitos integrados de pelcula gruesa
Familias de circuitos integrados digitales
RTL (Resistor Transistor Logic)
DTL (Diode Transistor Logic)
TTL (Transistor Transistor Logic)
TTL Standard
TTL High Speed
TTL Schottky
TTL Low Power
TTL Low Power Schottky
TTL Advanced Low Power Schottky
TTL Fairchild Advanced Schottky
HILL (High Level Logic)
ECL (Emitter Coupled Logic)
CMOS (Complementary Metal Oxide
Semiconductor)
l2L (Integrated Injection Logic)
Caractersticas tcnicas de los circuitos
integrados digitales
Corrientes
Corriente de alimentacin (Jcc)
Corriente de entrada con nivel alto ( /H)
Corriente de entrada con nivel bajo (I
Corriente de entrada con tensin de entrada
mxima (I )
Corriente de salida con nivel alto (J0H)
Corriente de salida con nivel bajo (I OL)
Corriente de cortocircuito de salida (1 ^ )
Potencia disipada (PD)
Factores de carga (fan-in y fan-out)
Tiempo de propagacin
Inmunidad al ruido
Temperatura de trabajo
Factor de calidad
Cpsulas para circuitos integrados
Cdigo de designacin para los circuitos
integrados

317
319
319
320
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330
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330
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332
332
333
333
333
334
334
334
334
334
335
335
336
338
339
339
344

313
314

Captulo 16 Radiadores de calor

315

Introduccin
Calor
Temperatura
Transmisin del calor
Resistencia trmica

315
316
316

349
349
349
349
350

399

COMPONENTES ELECTRNICOS

Temperaturas en los semiconductores


Resistencia trmica en los-semiconductores
Curvas caractersticas trmicas
impedancia trmica
Clasificacin de los radiadores
Radiadores planos
Radiadores inyectados
Diseos constructivos de radiadores de calor
Curvas caractersticas trmicas de un radiador
Accesorios para el montaje de radiadores
Arandelas aislantes
Silicona

350
350
351
353
355
355
357
357
359
361
362
362

Captulo 17 Cristales y cermicas piezoelctricas


Introduccin
Cristal de cuarzo
Circuito equivalente de un cristal de cuarzo
Curva caracterstica de un cristal de cuarzo
Cortes X e Y en los cristales de cuarzo
Corte AT
Corte BT
Corte CT
Cortes DT, FT y ET
Cermicas piezoelctricas
Modos de vibracin de las cermicas
piezoelctricas
Caractersticas tcnicas de las cermicas
piezoelctricas
Frecuencia de resonancia
Tolerancia sobre la frecuencia de resonancia
Factor de calidad
Inductancia y capacidad equivalente

4 00

365
365
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368
369
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371
372
372
373
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375
375
376
376
377

Tensin alterna eficaz mxima admisible


a la frecuencia de resonancia
Tensin continua mxima admisible
Temperatura ambiente de trabajo
Coeficiente de temperatura a la frecuencia
de resonancia

378
378
378
378

C aptulo 18 D isplays de cristal lquido


Introduccin
Cristales lquidos
Cristales lquidos de dispersin dinmica
y giratoria
Forma constructiva de un LCD
Iluminacin de un LCD
Caractersticas tcnicas de los LCD
Tensin de umbral ptico
Tensin de excitacin para uncontraste del 90 %
Componente de corriente continua de la tensin
de excitacin
Tensin de excitacin
Consumo de corriente
Tensin entre cualquier segmento y elelectrodo
posterior
Frecuencia de funcionamiento
Capacidad con todos los elementos conectados
Margen de temperatura de funcionamiento
Margen de temperatura de almacenamiento
Relacin de contraste
ngulo de observacin entre puntos
de contraste del 50 %
Tiempos de respuesta
Conexin de los LCD

379
380
380
384
386
386
387
387
387
387
388
388
388
388
388
388
388
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389
390

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