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TRANSISTOR BC
MILTON
BALDERAS
BRUNO
KETTELS
CARMEN
OTONDO
548
Contenido
OBJETIVOS........................................................................................................... 2
LISTA DE MATERIALES......................................................................................... 2
DISEO DEL AMPLIFICADOR................................................................................ 2
RC ,
CALCULO DE
R 1 , R 2 ........................................................2
AI ,
AV
SIN
CE ..............................................................4
AI ,
AV
CON
CE ............................................................4
SIMULACION EN MULTISIM................................................................................... 5
MEDICIONES DE
CALCULO DE
Vi ,
Vi ,
Vo
Vo
AV
AV
SIN CE...................................................5
CON
CE .................................................6
MEDICIONES LABORATORIO................................................................................ 7
MEDIDAS DE
CALCULO DE
Vi ,
Vi ,
Vo
Vo
TABLA COMPARATIVA DE
y
y
AV
AV
AV ..........................................................................7
OBJETIVOS
LISTA DE MATERIALES
Transistor [BC548]
Resistencias [8k, 56k, 2.7k, 180, 10k, 330, 270]
Capacitores [10F, 22F]
Protoboard
Cables de conexin
Fuente de 12V
Osciloscopio
Multmetro
RE ,
RC ,
R1 , R2
CONSIDERACIONES:
V CC =12V;
I C =2 mA
V CE =5 V
V E=
V CC
10 = 1.2V;
V B =V BE +V E=1.9 V
R E=
1.2V
=600
2mA
V CC =I C RC +V CE +V E
V CC =I C RC +5+1.2
I C RC =126.2
126.2
=2.9 K
2mA
RC =
R2 R E
R2
200(600)
10
R2 12 K
V B=
V CCR2
R1 + R 2
R 1 + R 2=
V CCR 2
VB
R1=
V CCR2
R2
VB
R1=
12V 10 K
10 K=63.15 K
1.9V
I B=
V TH V BE
RTH +(+1) R E
RTH =R 1 / R 2=8.65 K
V TH =
R2V CC
=1,62V
R 1+ R 2
I B=3,82 A
4
hie =
26 mV
=6,8 k
iB
Ri=R1 / R2 / Z B
R1 / R 2=8.65 K
Z B=hie + ( hfe+1 ) R E
Z B=239 K
Ri=8,35 k
Ro=Rc=2,88 K
CALCULO DE
A I =hfe
AI ,
AV
SIN C E
R1 / R2
R1 / R2 +Z B
A I =13,48
AV =
Rc
=4,8
V TH V BE
RTH +(+1) R E
RTH =R 1 / R 2=8.65 K
V TH =
R2V CC
=1,62V
R 1+ R 2
I B=3,82 A
hie =
26 mV
=6,8 k
iB
Ri=R1 / R2 / hie
R1 / R 2=8.65 K
Ri=3,807 k
Ro=Rc=2,88 K
CALCULO DE
AI ,
AV
CON C E
A I =hfe
R 1 / R 2
R1 / R2 +hie
A I =216,11
A V =A I
Ro
=163,49
Ri
SIMULACION EN MULTISIM
MEDICIONES DE V i , V o y
AV
SIN CE
CALCULO DE V i , V o y
AV
CON C E
V i=54,551
(40mV RMS)
V o=3,8 V
A V =69,65
*En este caso vemos que la diferencia entre el valor terico y experimental es
significativa, esto se debe a que la seal de entrada de 40mV es muy grande
para esta configuracin y causa que el transistor caiga en zona de saturacin.
MEDICIONES LABORATORIO
MEDIDAS DE V i , V o y
AV
Vi=
Vo=
Av =
CALCULO DE
Vi ,
Vo
AV
Vo=
Av =
TABLA COMPARATIVA DE
AV
CLCULOS
AV
CAL. TERICO
SIMULACIN
CON
CE
-163,49
-69,65
SIN
CE
-4,8
-4,6
MEDICION EN
LABORATORIO
CONCLUSIONES
Cabe aclarar que todos los anlisis y conclusiones del presente laboratorio se
realizaron tomando en cuenta el sentido convencional de la corriente directa
utilizada para polarizar el transistor, y no as el sentido real de dicha corriente.
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