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Curso
Grupo
:5
Integrantes :
* Zanes La Torre ,Alejandro
1313220605
Objetivos
- Explicar la operacin de los JFET y de los MOSFET.
- Definir, analizar y aplicar parmetros importantes del JFET.
- Analizar y describir circuitos de polarizacin FET.
2. Marco Terico
El FET es un dispositivo de portadores mayoritarios. Su operacin depende del
uso de un voltaje aplicado para controlar los portadores mayoritarios
(electrones en material tipo n y huecos en tipo p) en un canal. Este voltaje
controla la corriente en el dispositivo mediante un campo elctrico.
Existen dos clases de FET que se exponen a detalle, siendo estas el FET de
unin (JFET) y el FET de semiconductor de xido metlico (MOSFET).
Ventajas y desventajas de los FET
Las ventajas de los FET relativas a los BJT se resumen a continuacin:
1. Los FET son dispositivos sensitivos al voltaje que tienen alta impedancia
de entrada (del orden 107 a 1012 ohm). Puesto que esta impedancia de
entrada es bastante ms alta que la de los BJT, los FET se prefieren
sobre lo BJT en su uso como la etapa de entrada para un amplificador
multietapa.
2. Una clase de FET (JFET) genera menos ruido que los BJT.
3. Los FET son ms estables respecto a la temperatura que los BJT.
4. Los FET son por lo general ms fciles de fabricar que os BJT. Un mayor
nmero de dispositivos se fabrican en un solo chip.
5. Los FET reaccionen como resistores variables controlados por voltaje
para valores pequeos del voltaje de drenaje a fuente.
6. La elevada impedancia de entrada de los FET permite que estos
almacenen carga por tiempo suficientemente largo para usarlos como
elementos de almacenamiento.
7. Los FET no son tan sensitivos a la radiacin como los BJT.
Hay varias ventajas que limitan el uso de los GET en algunas aplicaciones,
estas son:
1. Los FET usualmente exhiben una pobre respuesta de frecuencia debido a
una alta capacitancia de entrada.
2. Algunos tipos de FET exhiben una pobre linealidad.
3. Los FET se daan con el manejo debido a la electricidad esttica.
EL JFET
El JFET (transistor de efecto de campo de unin) es un tipo de FET que opera
con una unin pn polarizada en inversa para controlar corriente de un canal. El
JFET controla la conductancia de la corriente de portadores mayoritarios en un
canal existente entre dos contactos hmicos, mediante la variacin de la
capacitancia equivalente del dispositivo. Tiene dos categoras:
De canal n
De canal p
Recomendaciones:
Todos los dispositivos MOS son propensos a sufrir daos a consecuencia de
descargas electrostticas. Debido a que la compuerta de un MOSFET est
aislada del canal, la resistencia de salida es extremadamente alta (idealmente
infinita). La corriente de fuga en la compuerta, I GSS , para un MOSFET tpico, se
encuentra en el intervalo de los pA, en tanto que la corriente en inversa en la
compuerta para un JFET tpico se encuentra en el intervalo de los nA. La
capacitancia de entrada resulta de la estructura aislada de la compuerta. Se
puede acumular una carga esttica excesiva porque la capacitancia de entrada
se combina con la muy alta resistencia de entrada y puede daar el dispositivo.
Para evitar daos producidos por descargas electrostticas, se debern tomar
ciertas precauciones cuando se manejen los MOSFET.
a.- Saque con cuidado los dispositivos MOSFET de sus empaques.
3. Materiales
A. Transistores JFET y MOSFET (dependiendo de lo pedido)
B. Resistencias (datos)
C. Condensadores electrolticos (datos)
D. Voltmetro
E. Ampermetro
4. Circuito e implementacin
Forma experimental:
Forma teorica:
VD =
V DDV D
=
RD
12 V 7 V
5V
=
=1 .52 mA
3.3 k
3.3 k
V G=
Forma teorica:
I D =I DSS 1
I D RS
V GS (corte )
I D =1.91mA
Con esto, se obtiene:
Entonces:
gm 0=
2 I DSS
2(4.3 mA )
=
=3.18 mS
|V GS (corte)| 2.7 V
gm=g m0 1
Por lo tanto:
I D RS
0.9 V
=3.18 mS 1
=2.12 mS
V GS (corte )
2.7 V
3.
Determine V GS y V DS .Considere que este MOSFET tiene I D=200 mA con V GS =4 V y V GS (umbral )=2V
V GS=
15 k
24=3.13 V
( 115
k)
K=
I D ( encendido )
( V GS V GS (umbral ))
200 mA
=50 mA /V 2
2
( 4 V 2 V )
2
Conclusin:
Los valores tericos se aproximan a los valores
prcticos, teniendo un porcentaje de error de 5%,
la cual es un valor aceptable para este tipo de
mediciones y que nos indican un buen trabajo de
medicion.