CORPORACIN UNIVERSITARIA DE LA COSTA, CUC

DEPARTAMENTO DE CIENCIAS BSICAS

FACULTAD DE INGENIERA

EL DIODO
Jose Corzo, Claudia Pico, Edgar Martnez.
Profesora Brenda Rodrguez. Grupo LDL Mesa 1. 24-03-2015.
Laboratorio de Fsica de Campos, Universidad de la Costa, Barranquilla.

Resumen
En el presente informe, se realiz el desarrollo experimental de la prctica de laboratorio N6
(El diodo) donde se hizo utilidad de un circuito bsico conformado por una resistencia de 220,
una fuente DC variable y un diodo rectificador que acta como semiconductor de corriente
elctrica, con la finalidad de estudiar el comportamiento de ste, polarizado de manera directa
e inversa, y conocer todo lo referido al tema de los diodos, su denotacin, estructura,
caractersticas y aplicacin en los circuitos elctricos de corriente continua y alterna. Con el
objetivo de identificar y graficar las curvas caractersticas presentadas por el diodo, calcular la
corriente, voltaje y resistencia cuando su polarizacin es directa e inversa.
Palabras claves
Diodo, semiconductor, resistencia, voltaje, corriente, polarizacin directa, polarizacin inversa.

Abstract
In this report , experimental development of the lab No. 6 ( Diode ) where utility of a basic circuit
consists of a 220 resistor , a variable DC source and a rectifier diode, with the aim of was
performed study the behavior of the latter, forward and reverse biased way , and know
everything related to the topic of the diodes , its denotation , structure, characteristics and
application in electrical circuits and alternating current . In order to identify and plot the curves
presented by the diode , calculate the current, voltage and resistance when its polarization is
forward and reverse.
Key words
Diode , semiconductor, resistance , voltage, current , forward bias , reverse bias.

1. Introduccin
Los diodos rectificadores son los
dispositivos capaces de suprimir la parte
negativa de cualquier seal, como paso
inicial para convertir una corriente alterna
en corriente continua. Su principio de
funcionamiento est basado en los
experimentos de Lee De Forest.

inversamente, y la grfica de su curva

caracterstica. En el desarrollo de la
experiencia se hace uso de un diodo
rectificador, y se busca mediante

As mismo en este informe se estudiaran

los diferentes comportamientos que
presenta un diodo rectificador cuando se
encuentra
polarizado
directa
e

Figura1. Grafica conductores hmicos y no

hmicos

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las impurezas se unen se llama la "unin
pn". Los diodos de silicio tienen un voltaje
de polarizacin directa de 0,7 voltios. Una
vez que el diferencial de voltaje entre el
nodo y el ctodo alcanza los 0,7 voltios, el
diodo empezar a conducir la corriente
elctrica a travs de su unin pn. Cuando
el diferencial de voltaje cae a menos de 0,7
voltios, la unin pn detendr la conduccin
de la corriente elctrica, y el diodo dejar
de funcionar como una va elctrica.
Debido a que el silicio es relativamente fcil
y barato de obtener y procesar, los diodos
de silicio son ms frecuentes que los
diodos de germanio.

un
circuito
bsico
estudiar
el
comportamiento de ste, para lo cual se
realizan algunas mediciones en el diodo a
medida que variamos el voltaje al que lo
sometemos, con el fin de hallar el voltaje en la
resistencia y el voltaje en el diodo, la corriente del
diodo directo e invertido y analizar el
comportamiento de ste.
2. Fundamentos Tericos
2.1 Conductores no hmicos
Son conductores hmicos los que siguen la
ley de Ohm, y por contraste son
conductores no hmicos los que no siguen
esta ley, es decir los conductores para los
cuales la cada de voltaje no es
proporcional
a
la
corriente.
Un ejemplo de conductor no hmico es el
diodo rectificador que hasta cierto voltaje
no conduce y a partir de un valor umbral
conduce con una curva caracterstica
fuertemente no-lineal.

2.4 Tipos de Diodos

Figura 3. Simbologa de diodos

2.2 El Diodo

Diodos de unin (rectificador): Los

diodos de unin o rectificadores, son los
que constan de cristal de germanio o de
silicio, debidamente dopado, y tiene una
forma cilndrica. Son diodos para baja
potencia que se usan mucho como
rectificadores de pequeos aparatos. A esta
clase de diodo tambin se le conoce con el
nombre de diodos de juntura. Es muy
conveniente aprenderse de memoria cada
uno de los smbolos electrnicos de los
diodos, ello nos facilitar la comprensin de
los esquemas, , sino tambin cualquier
esquema que necesiten entender.

Figura 2. Diodo rectificador

El diodo es conocido en circuitos como un

rectificador, es decir que la funcin que
cumple esta pieza en un circuito es
rectificar los ciclos de la corriente, pasa ser
de un circuito de corriente alterna a uno de
corriente directa.

Diodos emisores de luz: Los diodos

emisores tambin son conocidos con el
nombre de LED (iniciales de su
denominacin inglesa Light Emitter Diode)
que tienen la particularidad de emitir luz
cuando son atravesados por la corriente
elctrica. Como quiera que consiguen una
luz bastante viva y, adems, con una
mnima cantidad de corriente (del orden a
algunas
decenas
de
miliamperios).

2.3 Diodo de Silicio

En esta experiencia se utiliz un diodo
hecho de silicio.
La construccin de un diodo de silicio
comienza con silicio purificado. Cada lado
del diodo se implanta con impurezas (boro
en el lado del nodo y arsnico o fsforo en
el lado del ctodo), y la articulacin donde

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Los diodos emisores de luz funcionan por
un complicado proceso fsico en el que
desprenden fotones al volver a su rbita de
valencia. La energa luminosa radiada
puede ser de color verde si el elemento a
sido tratado con galio-fsforo, o roja si lo
sido con galio-arsenio. De hecho los galios
son muy conocidos por la gran variedad de
aplicaciones que se les a encontrado en
todo orden de aparatos electrnicos.

Diodo
Schottky:
Estos diodos se
caracterizan
por
su
velocidad
de
conmutacin, y una baja cada de voltaje
cuando
estn
polarizados
en directo (tpicamente
de
0.25
a
0.4 voltios).
Diodo Fotodiodo: El fotodiodo a diferencia
del diodo LED si se ilumina con luz visible o
infrarroja, la zona de contacto P-N de
dispositivo semiconductor se produce la
circulacin de corriente en sentido contrario
a la conduccin normal del diodo, es decir
conduce
en
ambas
direcciones.
Estos dispositivos estn basados en
el efecto fotoelctrico y siempre estn
dotados de alguna ventana por donde
pueda entrar la luz.

Diodo capacitivo (varicap): Este diodo,

tambin llamado diodo de capacidad
variable, es, en esencia, un diodo
semiconductor cuya caracterstica principal
es la de obtener una capacidad que
depende de la tensin inversa a l
aplicada.
Se usa especialmente en los circuitos
sintonizadores de televisin y los de
receptores de radio en FM.

Diodo Varistor: Este dispositivo equivale a

dos diodos Zener conectados en paralelo,
pero con sus polaridades invertidas y con
un valor de tensin de ruptura muy alto.
Los varistores son construidos para
diferentes valores de tensin de ruptura;
por ejemplo, un varistor con un voltaje de
ruptura de 150V conectado a la lnea
comercial de 110V, se mantendr como un
dispositivo inactivo hasta que en sus
extremos se presente un transitorio con un
voltaje igual o superior a los 150V;
entonces el dispositivo, disparndose,
conduce (su resistencia interna se hace
casi cero) y reduce el efecto daino del
transitorio en el circuito.

Diodo Zener: El diodo Zener, tambin

llamado diodo regulador de tensin,
podemos definirlo como un elemento
semiconductor de silicio que tiene la
caracterstica de un diodo normal cuando
trabaja en sentido directo, es decir, en
sentido de paso; pero en sentido inverso, y
para una corriente inversa superior a un
determinado valor, presenta una tensin de
valor constante. Este fenmeno de tensin
constante en el sentido inverso convierte a
los diodos de Zener en dispositivos
excepcionalmente tiles para obtener una
tensin relativamente invisible a las
variaciones de la tensin de alimentacin,
es decir, como dispositivos reguladores de
tensin.
Diodo Tunel: Este diodo presenta una
cualidad curiosa que se pone de manifiesto
rpidamente al observar su curva
caracterstica. En lo que respecta a la
corriente en sentido de bloqueo se
comporta como un diodo corriente, pero en
el sentido de paso ofrece unas variantes
segn la tensin que se le somete. La
intensidad de la corriente crece con rapidez
al principio con muy poco valor de tensin
hasta llegar a la cresta (C) desde donde, al
recibir mayor tensin, se produce una
prdida de intensidad hasta D que vuelve a
elevarse cuando se sobrepasa toda esta
zona del valor de la tensin..

2.5 Dopaje de materiales

En la produccin de semiconductores, se
denomina dopaje al proceso intencional de
agregar impurezas en un semiconductor
extremadamente puro con el fin de cambiar
sus propiedades elctricas. Las impurezas
utilizadas
dependen
del
tipo
de
semiconductores
a
dopar.
A
los
semiconductores con dopajes ligeros y
moderados
se
los
conoce
como
extrnsecos. Un semiconductor altamente
dopado,
que
acta
ms
como
un conductor que como un semiconductor,
es llamado degenerado.

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2.6 Materiales tipo P y tipo N

En esta experiencia medimos el voltaje

aplicado en una resistencia de 220 Ohm y
un Diodo rectificador (hecho de silicio) con
diferentes voltajes en la fuente DC, y
obtuvimos diferentes medidas las cuales
analizaremos.

Se les llama semiconductores de tipo P a

los semiconductores contaminados con
impurezas aceptoras. Las impurezas
aceptoras son aquellas que agregan un
hueco en el material. Estas son impurezas
con 3 electrones en su rbita de valencia.
Al tener solo 3 electrones queda una unin
incompleta dejando un hueco para que un
electrn libre pueda tomar ese lugar. Este
material es de tipo P debido a que la
conduccin elctrica se produce debido a
su gran nmero de huecos (portadores
mayoritarios).
Comparados
con
los
electrones los huecos tienen polaridad
positiva.

Paso 1. Para poder empezar primero

debemos construir el circuito, en este caso
utilizaremos un diseo en serie para medir
el voltaje aplicado en el diodo y la
resistencia.

Los semiconductores tipo N son aquellos a

los que se le agregan impurezas donoras
(que donan un electrn). Estas impurezas
suelen tener 5 electrones. De estos 5
electrones 4 formaran una unin con los
tomos vecinos y 1 quedara libre. De esta
forma
este
material
contiene
un
mayor nmero
de
electrones
libres
comparados con los huecos libres. Este

Figura 4. Circuito utilizado

l
Paso 2. Usando la fuente DC aplicamos un
voltaje de 2v a 11v de forma ascendente a
partir de los 2v, para encontrar el valor
experimental de el voltaje aplicado en el
diodo y resistencia, utilizamos el multmetro
y colocamos sus medidores con sus
respectivos polos homogneos, es decir
positivo con positivo y negativo con
negativo, y el multmetro arroga el voltaje
aplicado en Voltios.

material es de tipo N debido a que la

conduccin elctrica se produce debido a
su gran nmero de electrones (Portadores
mayoritarios) de polaridad negativa.
2.7 Voltaje de ruptura
Cuando un diodo normal se polariza
inversamente, circula a travs de el la
corriente inversa de saturacin, cuyo valor
es prcticamente constante. V sin
embargo, cuando la tensin inversa
aplicada aumenta y alcanza cierto valor, la
curva del diodo presenta un cambio brusco
y entra en la zona de ruptura,
producindose un aumento de la corriente.
V en la zona de ruptura se dan
simultneamente grandes valores de
tensin y corriente, lo cual origina unas
potencias de valor elevado que aumentan
la temperatura de la unin pn V si el diodo
no est diseado para poder disipar esa
potencia, puede llegar a distribuirse o
degradarse sus propiedades.

Paso 3. Para saber cul fue la corriente en

el Diodo abrimos el circuito en el lado
positivo de este y con el lado positivo del
multmetro medimos los datos de este.
Paso 4. En el Diodo invertido seguimos con
la misma forma del circuito abierto lo nico
de diferente fue que el diodo fue utilizado
de forma contraria, es decir, invertimos su
posicin y el resto del circuito continuo
igual.

4 Datos Obtenidos del laboratorio

-Voltaje aplicado en la resistencia y el
Diodo

3. Desarrollo Experimental
Voltaje de

Voltaje en la

Voltaje en el

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R2=

1,403
=233,833
0,006

R3=

2,368
=215,277
0,011

R4 =

3,374
=224,933
0,015

R 5=

4,383
=219,15
0,020

R 6=

5,307
=212,28
0,025

R 7=

6,291
=216,896
0,029

Figura 5. Tabla de valores Voltaje en la resistencia y

el Diodo.

R 8=

7,291
=220,909
0,,033

-Corriente del diodo directo e invertido

R 9=

8,33
=219,210
0,038

fuente Vf(V)

Resistencia
Vr(V)

Diodo Vd(V)

2.0V

1.403V

0.640V

3.0V

2.368V

0.668V

4.0V

3.374V

0.686V

5.0V

4.383V

0.700V

6.0V

5.307V

0.710V

7.0V

6.29V

0.719V

8.0V

7.29V

0.726V

9.0V

8.33V

0.733V

10.0V

9.29V

0-739V

11.0V

10.24V

0.745V

Voltaje de
fuente Vf(V)

Corriente
I(mA) Diodo
directo

Corriente
I(mA) Diodo
invertido

2.0V

0.006 mA

0.00

3.0V

0.011 mA

0.00

4.0V

0.015 mA

0.00

5.0V

0.020 mA

0.00

R
P():

6.0V

0.025 mA

0.00

Figura 5. Tabla de valores R.

7.0V

0.029 mA

0.00

8.0V

0.033 mA

0.00

9.0V

0.038 mA

0.00

10.0V

0.042 mA

0.00

0.04

11.0V

0.047 mA

0.00

0.03

R10=

9,29
=221,190
0,042

R11 =

10,24
=97.280
0,047

Se hizo el clculo Para R promedio:

220,146

R
Teo():

220

4.1 Clculos y anlisis De

Resultados
0.05

Figura 6. Tabla de valores corriente Diodo e Diodo

invertido.

0.02

Linear ()

Linear ()

0.01

Hayamos la resistencia con la Ley de Ohm:

0
0.620.640.660.68 0.7 0.720.740.76

V
R=
I

Figura 4. Curva linealizada.

R ex():

217,2

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I
0,641
0,668
0,686
0,701
0,713
0,719
0,726
0,733
0,739
0,745

rectificadores de ondas, tambin como

polarizador para evitar quemar algn
circuito que se le conecte voltaje al revs.
Comprobamos que es un dispositivo
semiconductor porque tiene una resistencia
apreciablemente ms alta que la de los
buenos conductores e inferior a la de los
aisladores, la cual decrece al aumentar la
temperatura.En la grfica que nos dio I vs V
para el diodo nos dimos cuenta que
efectivamente
dio
una
curva
y
comprobamos que esta es la caracterstica
del diodo rectificador. Vimos que el diodo
empez a conducir a partir de 0,6 V y luego
llego a 7.0 V y ah se mantuvo, esto
concuerda con el voltaje que manejan los
diodos de silicio que comienzan a conducir
aproximadamente de (6-7 V). Tambin
vimos que en diodo directo la corriente es
directamente proporcional al voltaje en la
fuente Vf(V) mientras que en el diodo
invertido la corriente es nula.
El porcentaje de error que arroj la
resistencia elctrica fue de 1,2% por lo que
concluimos que son mnimas las fallas.

V
0,006
0,011
0,015
0,019
0,025
0,029
0,033
0,038
0,042
0,047

Figura 5. Tabla de valores Para la grfica (figura 4).

Lo que pudimos notar al hacer la conexin

directa del diodo es que comienza a
conducir aproximadamente a 0,64(V),
luego, al ir aumentando el voltaje, el diodo
llega a tener una cada de tensin de 0,7(V)
la que se mantiene al seguir aumentando el
voltaje.
Tambin comprobamos que el diodo al ser
conectado de manera inversa se comporta
como un interruptor abierto, por lo que no
circula una corriente

6. Bibliografa

Clculo del error porcentual de la

resistencia elctrica. El error porcentual
para la resistencia elctrica est dado por:

h =

1.

Boylestad, R. y Nashelsky, L.
(2009). Electrnica:
teora
de
circuitos
y
dispositivos
electrnicos. (10 ed.). Mxico:
Prentice Hall.
2.
Malvino, A. (2007). Principios de
electrnica.
7
ed.
Espaa:
McGraw-Hill

( hteoricohexperimental
) x 100
hteorico

Por lo que:

h =

( 220217,2
) x 100
220

3. Savant,
C.
(2000). Diseo
electrnico: Circuitos y Sistemas.
3 ed. Espaa: Prentice Hall.

h =1,2
5. Conclusin
Como podemos observar en la experiencia
realizada se ve el comportamiento de la
resistencia y el Diodo en funcin del voltaje,
el Diodo interfiere mucho ms el flujo de
corriente que la resistencia de cermica, a
pesar de su gran cualidad el Diodo cambia
drstica mente el flujo. Nos dimos cuenta
que los diodos son importantes porque
pueden ser usados en fuentes como

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