APELLIDOS Y NOMBRES:

ROMERO VELIZ, JOSEPH

CURSO:
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
TEMA:
RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO
DIAC
TRIAC
TRANSISTOR MONOUNION (UJT)
GRUPO:
SABADO 5-7PM
PROFESOR: ING JUAN TISZA

El Rectificador Controlado de Silicio, o SCR (siglas en ingls), es uno de los varios

dispositivos semiconductores capaces de reaccionar como rpidos interruptores para
conmutar corrientes de gran intensidad. El nombre que se le asigna a estos dispositivos
es de tiristores.
La operacin bsica del SCR es distinta a la de la operacin del diodo semiconductor
natural de dos capas , en el hecho de que una tercera terminal, denominada compuerta,
determina el momento en que el rectificador cambia de estado de circuito abierto al de
circuito cerrado.

figura1
Si se busca establecer una conduccin directa el nodo deber ser positivo con respecto
al ctodo, adems deber aplicarse un pulso de magnitud suficiente a la compuerta para
establecer una corriente de compuerta de encendido , representada simblicamente por
IGT.
El SCR se asemeja a un diodo rectificador pero si el nodo es positivo en relacin al
ctodo no circular la corriente hasta que una corriente positiva se inyecte en la puerta.
Luego el diodo se enciende y no se apagar hasta que no se remueva la tensin en el
nodo-ctodo, de all el nombre rectificador controlado.

Fig2.Circuito aproximadamente equivalente de un SCR con 2 transistores.

Este es un transistor que al funcionar se lo puede considerar como dos transistores
interconectados y de doble juntura, uno PNP y el otro NPN.
Si A es positiva en relacin a K, y G se deja sin conectar, no circular ninguna corriente
porque cada transistor obtiene su corriente base-emisor desde la corriente del otro
colector-emisor.
Entonces, nada ocurrir hasta que a uno de los transistores se le entregue la corriente
base.
Si se le inyecta corriente en la base del transistor '2', la corriente resultante en el colector
circular en la base del transistor '1'. Esto a su vez, provoca que la corriente colectora en
'1' incremente la corriente base en '2' y as sucesivamente.
Muy rpidamente los dos transistores circulan corriente hasta la saturacin; la
intensidad de la corriente est limitada solamente por una resistencia de un circuito
externo.
Si se reduce la tensin en el nodo-ctodo tambin se reduce la intensidad de la
corriente hasta llegar por debajo de un valor crtico, y el transistor se apaga
rpidamente.
Si se alimenta el SCR con una tensin inversa (nodo negativo a ctodo), ste se
comporta como un diodo comn, y no circula la corriente hasta que en una tensin muy
elevada, se destruya completamente.
CONSIDERACIONES
Son varias las maneras en que se puede accionar involuntariamente el SCR por lo que
debe prestar atencin ya que pueden existir errores en la operacin.. En la Fig.3 se ven
estas causas.

Fig3. Mecanismos Falsos de Disparo

En (a) la temperatura alta aumenta la prdida de corriente en los dos transistores del
SCR.
Esta es la corriente del emisor-colector que circula cuando la corriente base tiene un
valor cero; si sta es de gran intensidad iniciar el proceso de disparo.
Si se alimenta el transistor con una tensin muy elevada, como en (b), este puede
destruirse y entonces la corriente se dispara.
En la Fig. 3(c) se ve una tensin en el nodo-ctodo que aumenta muy rpidamente.
Cada transistor tiene cierta capacidad desde el colector al emisor como se ve en la Fig.

12. Una alimentacin rpida en el nodo-ctodo produce corrientes de poca intensidad

en estos capacitores y pueden provocar el disparo de la corriente.

Fig.Capacitancia Parsita.
En la prctica, se deben tomar precauciones para evitar cada uno de estos mecanismos
falsos de disparo.
APLICACIONES
Los SCR pueden hacer circular corrientes menores que 1 A y hasta 1000 A o ms, por lo
tanto son muy tiles para actuar como interruptores en equipamientos elctricos pesados
cuando reemplazan a los contactotes.
Las siguientes son las ventajas:
No poseen partes mviles.

No producen arcos de contacto.

No se producen contactos deficientes debido a la corrosin o a la suciedad.

Adems de alimentar y cortar la corriente, los SCR se utilizan para controlar el valor
medio de una corriente de carga sin disipar grandes potencias. En este ltimo uso
pueden reemplazar a los restatos de gran tamao y gran potencia, y a la vez, ahorrar
energa elctrica. Un buen ejemplo de esta aplicacin es el control del sistema de
iluminacin en los teatros.
En la introduccin a los Dispositivos de Disparo se explica cmo se realiza este control.
Las aplicaciones de los tiristores se extiende desde la rectificacin de corrientes
alternas, en lugar de los diodos convencionales hasta la realizacin de determinadas
conmutaciones de baja potencia en circuitos electrnicos, pasando por los onduladores o
inversores que transforman la corriente continua en alterna.La principal ventaja que
presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como rectificadores es que su entrada
en conduccin estar controlada por la seal de puerta. De esta forma se podr variar la
tensin continua de salida si se hace variar el momento del disparo ya que se obtendrn
diferentes ngulos de conduccin del ciclo de la tensin o corriente alterna de entrada.
Adems el tiristor se bloquear automticamente al cambiar la alternancia de positiva a
negativa ya que en este momento empezar a recibir tensin inversa. Por lo
anteriormente sealado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones, entre ellas estn
las siguientes:
Controles de relevador.
Circuitos de retardo de tiempo.

 Fuentes de alimentacin reguladas.

Interruptores estticos.
Controles de motores.
Recortadores.
Inversores.
Ciclo conversores.
Cargadores de bateras.
Circuitos de proteccin.
Controles de calefaccin.
Controles de fase.

VENTAJAS

Requiere poca corriente de gate para disparar una gran corriente directa

Puede bloquear ambas polaridades de una seal de A.C.

Bloquea altas tensiones y tiene cadas en directa pequeas

DESVENTAJAS

El dispositivo no se apaga con Igt=0

No pueden operar a altas frecuencias

Pueden dispararse por ruidos de tensin

Tienen un rango limitado de operacin con respecto a la temperatura.

Efectos con cargas inductivas

Cuando la carga del SCR es una carga inductiva, (se comporta como un inductor), es
importante tomar en cuenta el tiempo que tarda la corriente en aumentar en una bobina.
El pulso que se aplica a la compuerta debe ser lo suficientemente duradero para que la
corriente de la carga iguale a la corriente de enganche y as el tiristor se mantenga en
conduccin.

En este tipo de cargas, la corriente puede, en principio, cambiar tan sbitamente como lo
haga la tensin. Pero si el circuito es inductivo, como es el caso de los
Motores elctricos, entonces la corriente no puede sufrir cambios bruscos, pudiendo llegar
atener un retraso considerable respecto a la tensin.
Si la inductancia es alta pueden aparecer dos problemas:
1). Puede ocurrir que el tiristor no llegue ni siquiera a encenderse, si resultara que al crecer
muy lentamente la corriente en el momento de la activacin de la compuerta, al cesar el
pulso de activacin, la corriente an no hubiera ni siquiera alcanzado el mnimo IH
necesario para mantener encendido al tiristor. La solucin a este problema consiste en
hacer que los pulsos de encendido sean ms largos.
2). Si el retraso de la corriente es muy grande, puede que cuando sta llegue a ser inferior a
la corriente de mantenimiento IH, la tensin sea ya tan grande que el tiristor siga
encendido, con lo cual, no se apaga nunca. Para evitar este problema se monta en paralelo
con la carga un diodo para derivar por l el exceso de corriente que hace que el tiristor no se
cierre a su tiempo.
Grafica de la corriente y voltaje
Con carga inductiva

El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos

conexiones. Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente slo tras
haberse superado su tensin de disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior
al valor caracterstico para ese dispositivo. El comportamiento es fundamentalmente el
mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayora de los DIAC tienen una
tensin de disparo de alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar
a una lmpara de nen.
Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los triac, otra
clase de tiristor.
Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados nodo y ctodo. Acta
como un interruptor bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre sus terminales
alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts segn la
referencia.
Existen dos tipos de DIAC:

DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base y

con las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo
permanece bloqueado hasta que se alcanza la tensin de avalancha en la unin
del colector. Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor,
producindose un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo simtrico, funciona
igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y colector sus funciones.

DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en

antiparalelo, lo que le da la caracterstica bidireccional

Figura1
El DIAC Tiene dos terminales: MT1 y MT2. Ver el diagrama.

El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados
en formas opuesta. La conduccin se da cuando se ha superado el valor de
tensin del zener que est conectado en sentido opuesto.
El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga.
La conduccin aparece cuando la tensin de disparo se alcanza.
Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra
en conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o
TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante
control de fase.
La curva caracterstica del DIAC se muestra a continuacin

En la curva caracterstica se observa que cuando

- +V o - V es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un
circuito abierto
- +V o - V es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un
cortocircuito
Sus principales caractersticas son:
- Tensin de disparo
- Corriente de disparo
- Tensin de simetra (ver grafico anterior)
- Tensin de recuperacin
- Disipacin de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia
de 0.5 a 1 watt.)

El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para

controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de
que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la
tensin o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El
triac puede ser disparado independientemente de la polarizacin de puerta, es
decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa.

Cuando el triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja
resistenciade una terminal a la otra, dependiendo la direccin de flujo de la
polaridad del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es mas positivo en
MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. En
ambos casos el triac se comporta como un interruptor cerrado. Cuando el triac
deja de conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales sin
importar la polaridad del voltaje externo aplicado por tanto acta como un
interruptor abierto.
Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin importante al
triac (dv/dt) an sin conduccin previa, el triac puede entrar en conduccin
directa.
CONSTRUCCION BASICA, SIMBOLO, DIAGRAMA EQUIVALENTE

FIG. 1 FIG. 2
La estructuracontiene seis capas como
se indica en la FIG. 1, aunque funciona
siempre como un tiristor de cuatro capas.
En sentido MT2-MT1 conduce a travs de P1N1P2N2 y en sentido MT1-MT2 a travs de
P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta negativa. La
complicacin de su estructura lo hace mas delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt
y capacidad para soportar sobre intensidades. Se fabrican para intensidades de algunos
amperios hasta unos 200 A eficaces y desde 400 a 1000 V de tensin de pico repetitivo. Los
triac son fabricados para funcionar a frecuencias bajas, los fabricados para trabajar a

frecuencias medias son denominados alternistores En la FIG. 2 se muestra el smbolo

esquemtico e identificacin de las terminales de un triac, la nomenclatura nodo 2 (A2) y
nodo 1 (A1) pueden ser reemplazados por Terminal Principal 2 (MT2) y Terminal
Principal 1 (MT1) respectivamente.
El Triac acta como dos rectificadores controlados de silicio (SCR) en paralelo Fig. 3 , este
dispositivo es equivalente a dos latchs

FIG. 3
CARACTERISTICA TENSION CORRIENTE

FIG. 4

La FIG. 4 describe la caracterstica tensin corriente del Triac. Muestra la corriente a

travs del Triac como una funcin de la tensin entre los nodos MT2 y MT1.
El punto VBD ( tensin de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa de una
resistencia alta a una resistencia baja y la corriente, a travs del Triac, crece con un pequeo
cambio en la tensin entre los nodos.
El Triac permanece en estadoON hasta que la corriente disminuye por debajo de la
corriente de mantenimiento IH. Esto se realiza por medio de la disminucin de la tensin
de la fuente. Una vez que el Triac entra en conduccin, la compuerta no controla mas la
conduccin, por esta razn se acostumbra dar un pulso de corriente corto y de esta manera
se impide la disipacin de energa sobrante en la compuerta.
El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la tensin en el nodo
MT2 es negativa con respecto al nodo MT1 y obtenemos la caracterstica invertida. Por
esto es un componente simtrico en cuanto a conduccin y estado de bloqueo se refiere,
pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva es igual a la del III .

METODOS DE DISPARO
Como hemos dicho, el Triac posee dos nodos denominados ( MT1 y MT2) y
una compuerta G.
La polaridad de la compuerta G y la polaridad del nodo 2, se miden con
respecto al nodo 1.
El triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III
mediante la aplicacin entre los terminales de compuerta G y MT1 de un
impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y
simplifica mucho el circuito de disparo. Veamos cules son los fenmenos
internos que tienen lugar en los cuatro modos posibles de disparo.
1 El primer modo del primer cuadrante designado por I (+), es aquel en que
la tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son positivas con
respecto al nodo MT1 y este es el modo mas comn (Intensidad de compuerta
entrante).
La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1, en parte por la union P2N2 y en
parte a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2, que
es favorecida en el rea prxima a la compuerta por la caida de tensin que produce en P2
la circulacin lateral de corriente de compuerta. Esta cada de tensin se simboliza en la
figura por signos + y - .
Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1 que bloquea el
potencial exterior y son acelerados por ella inicindose la conduccin.
2 El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado por III(-) es aquel en que la
tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son negativos con respecto al nodo
MT1 (Intensidad de compuerta saliente).
Se dispara por el procedimiento de puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4.
La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin
positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la prxima
a la puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unin
N1P1 y la hacen pasar a conduccin.
3 El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por I(-) es aquel en que la tensin del
nodo MT2 es positiva con respecto al nodo MT1 y la tensin de disparo de la compuerta
es negativa con respecto al nodo MT1( Intensidad de compuerta saliente).
El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la
estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.
El disparo de la primera se produce como en un tiristor normal actuando T1 de puerta y P
de ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza
fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La
unin P2N1 de la estructura principal, que soporta la tensin exterior, es invadida por
electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conduccin.
4 El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en que la
tensin del nodo T2 es negativa con respecto al nodo MT1, y la tensin de disparo de la
compuerta es positiva con respecto al nodo MT1(Intensidad de compuerta entrante).
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin
la estructura P2N1P1N4.

La inyeccin de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+). Los que alcanzan por difusin
la unin P2N1 son absorbido por su potencial de unin, hacindose ms conductora. El
potencial positivo de puerta polariza ms positivamente el rea de unin P2N1 prxima a
ella que la prxima a T1, provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a N1 que alcanza
en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se produce la entrada en
conduccin.
El estado I(+), seguido de III(-) es aquel en que la corriente de compuerta necesaria para el
disparo es mnima. En el resto de los estados es necesaria una corriente de disparo mayor.
El modo III(+) es el de disparo ms difcil y debe evitarse su empleo en lo posible.
En general, la corriente de encendido de la compuerta, dada por el fabricante, asegura el
disparo en todos los estados.

FORMAS DE ONDA DE LOS TRIACS

La relacin en el circuito entre la fuente de voltaje, el triac y la carga se
representa en la FIG.7. La corriente promedio entregada a la carga puede
variarse alterando la cantidad de tiempo por ciclo que el triac permanece en el
estadoencendido. Si permanece una parte pequea del tiempo en el estado
encendido, el flujo de corriente promedio a travs de muchos ciclos ser
pequeo, en cambio si permanece durante una parte grande del ciclo de
tiempo encendido, la corriente promedio ser alta.

Un triac no esta limitado a 180 de conduccin por ciclo. Con un arreglo

adecuado del disparador, puede conducir durante el total de los 360 del ciclo.
Por tanto proporciona control de corriente de onda completa, en lugar del
control de media onda que se logra con un SCR.
Para ver el grfico seleccione la opcin "Descargar" del men superior
FIG.7
Las formas de onda de los triacs son muy parecidas a las formas de onda de
los SCR, a excepcin de que pueden dispararse durante el semiciclo negativo.
En la FIG.8 se muestran las formas de onda tanto para el voltaje de carga como
para el voltaje del triac ( a travs de los terminales principales) para dos
condiciones diferentes.
En la FIG.8 (a), las formas de onda muestran apagado el triac durante los
primeros 30 de cada semiciclo, durante estos 30 el triac se comporta como un
interruptor abierto, durante este tiempo el voltaje completo de lnea se cae a
travs de las terminales principales del triac, sin aplicar ningn voltaje a la
carga. Por tanto no hay flujo de corriente a travs del triac y la carga.
La parte del semiciclo durante la cual existe seta situacin se llama ngulo de
retardo de disparo.
Despus de transcurrido los 30 , el triac dispara y se vuelve como un
interruptor cerrado y comienza a conducir corriente a la carga, esto lo realiza
durante el resto del semiciclo. La parte del semiciclo durante la cual el triac
esta encendido se llama ngulo de conduccin.
La FIG.8 (b) muestran las mismas formas de ondas pero con ngulo de retardo
de disparo mayor.

FIG.8
CIRCUITO PRACTICO PARA DISPARO

FIG.5

En la FIG. 5 se muestra un circuito practico de disparo de un triac utilizando un UJT. El

resistor RF es un resistor variable que se modifica a medida que las condiciones de carga
cambian. El transformador T1 es un transformador de aislamiento, y su propsito es aislar
elctricamente el circuito secundario y el primario, para este caso asla el circuito de
potencia ca del circuito de disparo.
La onda senoidal de ca del secundario de T1 es aplicada a un rectificador en puente y la
salida de este a una combinacin de resistor y diodo zener que suministran una forma de
onda de 24 v sincronizada con la lnea de ca. Esta forma de onda es mostrada en la FIG. 6
(a).
Cuando la alimentacin de 24 v se establece, C1 comienza a cargarse hasta la Vp del UJT, el
cual se dispara y crea un pulso de corriente en el devanado primario del transformador T2.
Este se acopla al devanado secundario, y el pulso del secundario es entregado a la
compuerta del triac, encendindolo durante el resto del semiciclo. Las formas de onda del
capacitor( Vc1), corriente del secundario de T2 ( Isec) y voltaje de carga (VLD), se muestran
en la FIG. 6 (b), (c),(d).
La razn de carga de C1 es determinada por la razn de RF a R1, que forman un divisor de
voltaje, entre ellos se dividen la fuente de cd de 24 v que alimenta al circuito de disparo. Si
RF es pequeo en relacin a R1, entonces R1 recibir una gran parte de la fuente de 24 v ,
esto origina que el transistorpnp Q1 conduzca, con una circulacin grande de corriente por
el colector pues el voltaje de R1 es aplicado al circuito de base, por lo tanto C1 se carga con
rapidez. Bajo estas condiciones el UJT se dispara pronto y la corriente de carga promedio es
alta.
Por otra parte se RF es grande en relacin a R1, entonces el voltaje a travs de R1 ser
menor que en el caso anterior, esto provoca la aparicin de un voltaje menor a travs del
circuito base-emisor de Q1 con la cual disminuye su corriente de colector y por consiguiente
la razn de carga de C1 se reduce, por lo que le lleva mayor tiempo acumular el Vp del UJT.
Por lo tanto el UJT y el triac se disparan despus en el semiciclo y la corriente de carga
promedio es menor que antes.

FIG.6
DISEO DEL CIRCUITO PRACTICO
Para el circuito de la FIG. 5, suponga las siguientes condiciones, R1 = 5 kW , Rf = 8 kW ,
R2=2,5kW , C1=0,5 m F, h = 0,58.

Supngase que R1 y Rf estn en serie,

, luego

, de la ecuacin

,
El capacitor debe cargarse hasta el Vp del UJT, que esta dado por,

El tiempo requerido para cargar hasta ese punto puede encontrarse en

, permite que

simbolice el ngulo de retardo de disparo. Dado

que
360 grados representan un periodo de un ciclo, y el periodo de una fuente de 60 HZ es de
16.67 ms, se puede establece la proporcin

, Para un ngulo de retardo de disparo de 120 grados, el tiempo

entre
el cruce por cero y el disparo seta dado por la proporcin

, El punto pico del UJT es aun 14.5 V, por lo que para retardar
el
disparo durante 5.55 ms, la razn de acumulacin de voltaje debe ser,

, luego

que nos da

, entonces podemos encontrar Rf

, trabajando con seta ecuacin y resolviendo Rf se

obtiene
, por tanto, si la resistencia de realimentacin fuera incrementada a 25K, el
Angulo
de retardo de disparo se incrementa a

y la corriente de carga se reducir

proporcionalmente
EJEMPLO PRACTICO DE APLICACION. DISEO
En la FIG.9 puede verse una aplicacin prctica de gobierno de un motorde c.a. mediante
un triac (TXAL228). La seal de control (pulso positivo) llega desde un circuito de mando
exterior a la puerta inversora de un ULN2803 que a su salida proporciona un 0 lgico por lo
que circular corriente a travs del diodo emisor perteneciente al MOC3041 (opto
acoplador). Dicho diodo emite un haz luminoso que hace conducir al fototriac a travs de
R2 tomando la tensin del nodo del triac de potencia. Este proceso produce una tensin de
puerta suficiente para excitar al triac principal que pasa al estado de conduccin
provocando el arranque del motor.
Debemos recordar que el triac se desactiva automticamente cada vez que la corriente pasa
por cero, es decir, en cada semiciclo, por lo que es necesario redisparar el triac en cada
semionda o bien mantenerlo con la seal de control activada durante el tiempo que
consideremos oportuno. Como podemos apreciar, entre los terminales de salida del triac se
sita una red RC cuya misin es proteger al semiconductor de potencia, de las posibles
sobrecargas que se puedan producir por las corrientes inductivas de la carga, evitando
adems cebados no deseados.
Es importante tener en cuenta que el triac debe ir montado sobre un disipador de calor
constituido a base de aletas de aluminio de forma que el semiconductor se refrigere
adecuadamente.

FIG.9

El transistor monounin (en ingls UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo de tiristor

que contiene dos zonas semiconductoras.
Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2). Est
formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2, en la que se
difunde una regin tipo P+, el emisor, en algn punto a lo largo de la barra, lo que
determina el valor del parmetro , standoff ratio, conocido como razn de resistencias
o factor intrnseco.
Cuando el voltaje Veb1 sobrepasa un valor vp de ruptura, el ujt presenta un fenmeno
de modulacin de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la
resistencia de esta baja y por ello, tambin baja el voltaje en el dispositivo, esta regin
se llama regin de resistencia negativa, este es un proceso reiterativo, por lo que esta
region no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo
de tiristores y en osciladores de relajacin.

Smbolo del UJT

El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un

dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un
dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unin PN
Fsicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones
elctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexin hecha con un
conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N.
En el lugar de unin el aluminio crea una regin tipo P en la barra, formando as
una unin PN. Ver el siguiente grfico
Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el
Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est dado
por la frmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1
Donde:
- n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)
- VB2B1 = Voltaje entre las dos bases
La frmula es aproximada porque el valor establecido en
variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la

0.7 puede
temperatura.

Dos ejemplos sencillos

1.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.63 y 24 voltios entre B2 y B1.
Cul es el voltaje de disparo aproximado?
Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.63 x 24) = 15.8 Voltios
2.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.68 y 12 voltios entre B2 y B1.
Cul es el voltaje de disparo aproximado?
Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.68 x 12) = 8.86 Voltios.
Nota:
- Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe
haber entre E y B1 para que el UJT se dispare = Ip.
- Es importante hacer notar que tambin se ha construido el UJT donde la barra es
de material tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o UJT complementario.
Este se comporta de igual forma que el UJT pero con las polaridades de las
tensiones al revs

Esta compuesto por una barra de silicio tipo N o P en cuyos extremos se tienen los
terminales Base 1 (B1) y Base 2 (B2). En un punto de la barra ms prximo a B2 se
incrusta un material de tipo P o N dando lugar al terminal de emisor.

Smbolo de un UJT

Circuito equivalente de un transistor uniunin tipo N

Cuando se polariza el transistor la barra acta como un divisor de tensin

apareciendo una VEB1 de 0,4 a 0,8v. Al conducir el valor de RB1 se reduce
notablemente. Observa el circuito equivalente.

Observando el circuito de polarizacin de la figura se advierte que al ir aumentando

la tensin Vee la unin E-B1 se comporta como un diodo polarizado directamente. Si
la tensin Vee es cero, con un valor determinado de Vbb, circular una corriente entre
bases que originar un potencial interno en el ctodo del diodo (V k). Si en este caso
aumentamos la tensin Vee y se superan los 0,7v en la unin E-B1 se produce un
aumento de la corriente de emisor (IE) y una importante disminucin de RB1, por lo
tanto un aumento de VBE1. En estas condiciones se dice que el dispositivo se ha
activado, pasando por la zona de resistencia negativa hacia la de conduccin,
alcanzando previamente la VEB1 la tensin de pico (Vp).
Para desactivar el transistor hay que reducir IE, hasta que descienda por debajo de
la intensidad de valle (Iv).De lo anterior se deduce que la tensin de activacin V p se
alcanza antes o despus dependiendo del menor o mayor valor que tengamos de
tensin entre bases VBB.

Se utiliza en circuitos de descarga en generadores de impulso, circuitos de bases de

tiempos y circuitos de control de ngulo de encendido de tiristores.
El encapsulado de este tipo de transistores son los mismos que los de unin.