Professional Documents
Culture Documents
Objetivos
Transistores
El transistor de unin
Polarizacin
El amplificador
Modelos
Transistores
Emisor
Base
Colector
Colector
Base
--
Emisor
Emisor
Base
P
Colector
N
Colector
Base
Unin no polarizada
r
E
r
E
V0
IE
IB
r
E
r
E
V0
IC
IB + IC = IE
r
E
r
E
V
V0
IE = IC = IB = 0
r
E
(P) Emisor
r
E
(N) Base
(P) Colector
IpB
IE
IC
InB
InC
IBB
IB
IC = IB
(N) Base
(P) Colector
IpB
IE
IC
InB
InC
IBB
IB
IC = IB
factor de ganancia
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
(P) Emisor
(N) Base
(P) Colector
IC
InB
InC
IBB
IB
IE = IpB + InB
C
B
Variables:
VBE, VCB, IE, IC
Emisor comn
Variables:
VBE, VCE, IB, IC
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Base comn
Colector comn
Variables:
VCB, VCE, IB, IE
RC
C
IC
RC
VBB
IB
VBE
VCE
E
VCC
RB
99 %
B p
1%
100 %
VCC
IB = 1 mA
VBB
Ic
99
IE
n
E
IE = 100 mA
RC
C
RB
B
VBB
IB
IC
VCE
VBE
VCC
0,7 V
VBE = VBB - IB RB
VBE 0,7 V
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
VBE
IC
(mA)
RC
IB = 60 A
RB
B
VBB
IB
IC
VCE
VBE
IB = 40 A
VCC
IB = 20 A
VCE (V)
VCE = VCC - IC RC
RB
VBB
IC
IB
VBE
VCE
VBE = VBB - IB RB
+VCC
IC
IC = IB
RB
VCE = VCC - IC RC
Ventrada
IB
RC
Vsalida
VCC
IC ( mA)
Regin de saturacin
IB = 60 A
Regin activa
Regin de corte
IB = 40 A
Ruptura
IB = 20 A
RC
RB
IB = 0 A
VBB
VBE
VCE
VCE (V)
VCC
IB
VBE 0,7 V
VBE = -IB RB+ VBB
RB=16 k
VBB = 2 V
= 100
IC
VBE
IB =
VCE
VCC=10 V
Ic = IB = 8,125 mA
IC
IB4
VBB (V)
0,7
0,8
0,9
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
2,2
2,3
IB3
IB2
IB1
Q
VCE
V
=
10
V
CC
Presentacin
por Jos Quiles Hoyo
VCE (V)
10
9,375
8,75
8,125
6,875
5,625
4,375
3,125
1,875
0,625
0
Ic (mA)
0
0,625
1,25
1,875
3,125
4,375
5,625
6,875
8,125
9,375
10
IB (A)
0
6,25
12,5
18,75
31,25
43,75
56,25
68,75
81,25
93,75
100
Corte
Regin activa
VCC
RC
Saturacin
0,7 V
14
5,55 V
RB
RC
C
Ic (mA)
V BE
1000
100
150
B
VB
Ic (mA)
0
12
12,00
0,00
5,550
6,450
12
V CC
10
12 V
6,49 mA
5V
43,00 A
6,45 mA
43,000
6,450
6,493
5,550
4,850
IB
Ic
IE
VCE
VCB
43,00 A
6,45 mA
6,49 mA
5,55 V
4,85 V
30,1 PEB
35,7975 PCE
PT
30,10 W
35,80 mW
35,83 mW
0
0
10
12
14
Vcc (V)
IC
VBB
VCC
RC
VBE
VCE
VCC
IB4
IB3
Q
VCC VCE
IC =
RC
IB2
IB1
O
VCC
VCE
VCE
IC RC
Punto de funcionamiento: IB
IC
IB4
VCC
RC
RC
IB3
RB
IB2
VBB
IB1
VCC VCE
IB
IC
VBE
VCE
VCC
Punto de funcionamiento: RC
IC
IB4
VCC
RC1
IB3
VCC
RC 2
VCC
RC 3
RC
RB
IB2
VBB
IB1
VCC VCE
IB
IC
VBE
VCE
VCC
VCC 3
RC
IB4
IB3
VCC 2
RC
VCC1
RC
RC
IB2
RB
VBB
IB1
VCC1
VCC2
VCC3 VCE
IB
IC
VBE
VCE
VCC
IC
cortocircuito CE VCE = 0
C
B
VCC
VCE
Vsalida
Ventrada
VBB (V)
0,7
0,8
0,9
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
2,2
2,3
VCE (V)
10
9,375
8,75
8,125
6,875
5,625
4,375
3,125
1,875
0,625
0
INVERSOR
A
Ventrada
Vsalida
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Ic (mA)
IB (A)
0
0,625
1,25
1,875
3,125
4,375
5,625
6,875
8,125
9,375
10
Y = not A
Y
0
6,25
12,5
18,75
31,25
43,75
56,25
68,75
81,25
93,75
100
P
Emisor
N
Base
P
Colector
IC
B
IB
RL
D
VEB
V
VAD = RLIC
(-IC) = gm VEB
gm : transconductancia
VAD
= RL g m
VEB
Contactos hmicos
Drenador D
Regin de agotamiento
Puerta G
Fuente S
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
a)
b)
S
p
n
p
n
Drenador
Fuente
-VDD
+VDD
IG
G
VG
IG
VG
S
Canal n
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Canal p
ID
ID
p
VDD
G
ID
IDSS
VP
ID
p
p
VGS=0
D
ID
S n ID
VDD
G
ID
VDD
G
ID
ID
ID
Voltaje de estrechamiento, VP
VP
VDD
IDSS
VDS
ID
IDSS
IDSat3
VGS= 0 V
ID
ID
VDD
p
G
VGS< 0
VGS= -1 V
IDsat
IDSat2
VGS= -3 V
IDSat1
VGS= -VP
VDS
VGS
= IDSS 1
VP
G
S
ID (mA)
IDsat
V
= 7,81 GS
5
IDSS
VGS= 0 V
5
VGS= -1 V
VGS= -2 V
VP
1
VGS= -3 V
VGS (V) -5
-4 -3
-2
-1
5
VP = 5 V
10
15
VDS (V)
VGS= -VP
Metal
S
xido
Semiconductor
Metal
de enriquecimiento
de agotamiento
Formado por una placa de metal y un semiconductor, separados por una zona de xido del semiconductor por ejemplo SiO2 - de unos 100 nm de espesor. Posee cuatro electrodos:
Compuerta, gate en ingls, simbolizado con G; que se conecta a la placa metlica.
Fuente (Source) y drenador (Drain), ambos simtricos, que se internan en el sustrato.
Sustrato (Body), generalmente conectado elctricamente con la fuente.
D
G
D
sustrato
p
nMOS-FET
de enriquecimiento
D
sustrato
sustrato
pMOS-FET
S
de enriquecimiento
D
G
sustrato
p
nMOS-FET
de agotamiento
n
pMOS-FET
de agotamiento
MOSFET de enriquecimiento n
D
G
sustrato
Contactos metlicos
SiO2
n
p
D
G
sustrato
VGS>VT
ID
S
+++++++++++++
-----------------
D
n
VDS
Regin de agotamiento
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
D
G
sustrato
VGS>VT
G
ID
+++++++++++++
-----------------
D
n
VDS
Caracterstica MOSFET de
enriquecimiento de canal n
+ VD
G
S
n+
n+
n+
+ + + + +
-- -- -- -- -- -- -- -- -- n+
+ VG
+ VDS
+ VDS=VDsat
S
n+
+ + + + + +
-- -- -- -- -- -- -- -- - n+
p
ID (mA)
ID (mA)
VGS= 7 V
ID Sat = K (VGS VT )2
VGS= 6 V
VGS= 5 V
VT
VGS= 4 V
1
Presentacin
V (V) por Jos Quiles Hoyo
GS
VGS= VT
VDS
MOSFET de agotamiento n
D
G
sustrato
G
S
D
n
n
p
MOSFET de agotamiento n
sustrato
VGS = 0
ID
D
n
- - - - - - - - -n
--------
VDS
MOSFET de agotamiento n
sustrato
G-
VGS < 0
ID
S
n- - - - - - n -----------n
+ + + + + + + + + + + + + + +
p
VDS
- VG
+ VDS
n
+
sustrato
ID (mA)
ID (mA)
V
ID = 81 GS
4
- - - - - - - - - - - - - - n - - - - - - - - - n
V
ID = IDSS 1 GS
Vp
+ VDS=VDsat
VGS= 1 V
10
10
IDSS
VGS= 0 V
5
VGS= -1 V
VP
VGS= -2 V
VGS= -3 V
-4
-3
-2
-1
VGS (V)
10
15
VDS (V)
10 V
Vs
Vs
R
R
1N914
1N914
Inversor (NOT)
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
DRAM
D
FILA
SRAM
EPROM
MOSFET ROM
Aplicaciones: CCD
CMOS sensor
CCD
Aplicaciones: TFT
RGB