TE2023.

MICROCONTROLADORES
Dr. Vctor Hugo Zrate

Cuernavaca

Campus

Jess Jurez Ortiz

A01127971
Tarea 1. Tipos de tecnologas de
memorias
Agosto 25, 2015

Existe una gran variedad en tecnologas de memoria, adems de

permitirnos guardar informacin, tambin podemos recuperarla,
procesarla o modificarla de una manera rpida y fcil. Entre las ventajas
ms remarcables se encuentra el ahorro de espacio fsico y disminucin
del riesgo de la perdida de informacin. Los datos almacenados se
mantienen intactos a travs del tiempo, pues no sufren deterioro fsico.
De acuerdo a sus caractersticas fsicas los podemos distinguir como se
muestra en el Diagrama 1.

Amacenamie
nto digital

Magnticos

Disquetes,
cintas y
discos rigidos

pticos

MiniDisc, CD,
DVD, Blue-ray

Estado slido
ROM,
EEPROM,
RAM, RDRAM,
etc.

Diagrama 1

Los medios magnticos usan un soporte fsico el cual se encuentra

recubierto por un material magntico. La superficie magntica se divide
en gran cantidad de regiones pequeas que permiten almacenar valores
binarios. Despus, con un sensor es posible obtener la lectura de estos
datos magnticos. Los medios pticos estn construidos alrededor de
discos de material plstico, en el cual se graban de manera
microscpica pequeos surcos que representan secuencias de datos
binarios. El sensor usado para recuperar la informacin es un haz lser
que explora la superficie. Por ltimo, los medios de estado slido son
componentes electrnicos basados en materiales semiconductores como

diodos o transistores. Estas almacenan datos organizados en un

conjunto de bits llamado palabra de datos o registro, que se transfiere
de forma simultnea desde y hacia la memoria. Cada palabra de datos
se ubica en una localizacin especifica (direccin).
CLASIFICACIN DE LOS SISTEMAS DE ALMACENAMIENTO
Segn su mtodo de acceso. Los datos almacenados en un dispositivo
de memoria podemos clasificarlos en dos grupos. Aleatorio se puede
acceder a cualquier dato, sin importar su posicin fsica, y con el mismo
tiempo de acceso para todas las direcciones. De acceso secuencial
obliga a leer o escribir todas las posiciones fsicas previas antes de
acceder al dato deseado.
Segn su volatilidad. De acuerdo a la capacidad de mantener los datos
almacenados, podemos delimitarlos por voltiles, estos pierden los
datos al interrumpirse la energa que los alimenta. No voltiles, la
informacin es contenida en la memoria a pesar de que el dispositivo no
cuente con energa de alimentacin.
Segn su mtodo de escritura. En esta clasificacin encontramos dos
grupos de memorias: de lectura y escritura.

Clasificacin de
los sistemas de
almacenamiento
Segn su
metodo de
acceso:
aleatorio y
secuencial

Segn su
volatilidad:
voltiles y no
voltiles

Segn su
metodo de
escritura: de
lectura y
escritura

En las memorias RAM (Random Access Memory) se puede acceder

directamente a cualquier posicin independientemente de cual sea la
ltima posicin leda. Todas las memorias semiconductoras son de
acceso aleatorio, pero la caracterstica fundamental de la memoria RAM
es que es voltil. Su uso est reservado exclusivamente para almacenar
datos temporales con los que se ejecutan clculos o procesos.
Memori
as de
lectura
y
escritur
a

RAM (Random Access

Memory)
SRAM (Static RAM)
DRAM (Dynamic RAM)

Encontramos las memorias RAM estticas o SRAM que estn basadas

en flip-flops, su principio de funcionamiento radica en los flip-flops. Por
otro lado, las memorias RAM dinmicas o DRAM estn construidas sobre
diminutos capacitores a modo de celdas.
Las memorias ROM se pueden interpretar como un bloque de formato
matricial formado por tantas filas como de direcciones disponga y tantas
columnas como la longitud de palabras de datos. Una memoria PROM
puede programarse una nica vez. Est construida con una especie de
fusibles que se queman de manera irreversible haciendo circular por
ellos una corriente excesiva. Adems, las celdas de memoria poseen
cada una un elemento semiconductor asociado (diodo), que es el
encargado de definir el valor almacenado segn se encuentre cerrado o
abierto.
Las memorias EPROM es una memoria no voltil que permite, como su
nombre lo indica, ser programable y borrada por completo. Por medio de
una luz ultravioleta todo su contenido es borrado, por eso llevan en su
encapsulado una pequea ventana de cuarzo por la cual atravesarn los
rayos ultravioletas. La memoria EEPROM, es idntica a la EPROM, con la
diferencia de que es posible borrar la memoria por medio elctricos. Por
lo general este tipo de memorias pueden ser accedidas a travs de un
bus de datos paralelo o serie. Las memorias FLASH son una evolucin
de las memorias EEPROM, su principal diferencia es que pueden
borrarse por completo en una sola operacin, lo cual las hace mucho
ms veloces que las EEPROM. Algunas memorias FLASH permiten borrar
por sectores llamados bloques, en lugar de borrar la matriz por
completo. Los bloques son grandes sectores en los cuales est dividida
toda la matriz por completo.
Memorias ROM (Read Only Memory)
no
PROM (Programmable ROM)
volatiles
EPROM (Erasable PROM)
OTP (One Time Programmable)
EEPROM (Electrically Erasable PROM)
FLASH

Bibliografa
Floyd, Thomas L.. (2006). Fundamentos de sistemas digitales. Madrid:
Pearson Education.
Tocci, Ronald J.. (2003). Sistemas digitales : principios y aplicaciones.
Mxico: Pearson Education.