Curva Caracteristica Del Diodo

Resumen
El objetivo de esta prctica es
Palabras claves: Diodo, no lineal.

1. Introduccin
En esta actividad experimental vamos tomar los datos que
nos permitirn trazar la curva caracterstica del diodo, de
manera experiemntal y teorica, tambin determinaremos de
manera experimental el voltaje umbral del diodo y el punto
Q.
2. Marco Teorico
Diodo pn o Unin pn
Los diodos pn son uniones de dos materiales
semiconductores extrnsecos tipos p y n, por lo que tambin
reciben la denominacin de unin pn. Hay que destacar que
ninguno de los dos cristales por separado tiene carga
elctrica, ya que en cada cristal, el nmero de electrones y
protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos
cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es
0).

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de

electrones del cristal n al p (Je).
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una
zona a ambos lados de la unin, zona que recibe diferentes
denominaciones como zona de carga espacial, de
agotamiento, de deplexin, de vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de
carga espacial va incrementando su anchura profundizando
en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la
acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones
negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que
actuar sobre los electrones libres de la zona n con una
determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la
1

Electrnica

corriente de electrones y terminar detenindolos.

Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una
diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia
de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si
los cristales son de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado
el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando
uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la
zona de carga espacial es mucho mayor.
Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que en un
caso como el descrito, tal que no se encuentra sometido a
una diferencia de potencial externa, se dice que no est
polarizado. Al extremo p, se le denomina nodo,
representndose por la letra A, mientras que la zona n, el
ctodo, se representa por la letra C (o K).

A (p)

la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la

corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el
diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos
que conectar el polo positivo de la batera al nodo del
diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones
podemos observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del
cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la
unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de
valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja
a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la
batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de
carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren
la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los
cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p
atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los
mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de
valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el
polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo
hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce
en el hilo conductor y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la
zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p,
aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante
hasta el final.

C K (n)

Representacin simblica del diodo pn

Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin
externa, se dice que el diodo est polarizado, pudiendo ser
la
polarizacin
directa
o
inversa.
Polarizacin directa

Polarizacin inversa

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de

2

Laboratorio de Electrnica, (2013)

de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose

as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de
carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la
batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente;
sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn
pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de
la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1
A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems,
existe tambin una denominada corriente superficial de
fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una
pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la
superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de
suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces
covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace
que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n
como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo
que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos.
No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin,
la corriente superficial de fugas es despreciable.

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la

zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar
la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta
que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como
se explica a continuacin:
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de
la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el
conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la
batera. A medida que los electrones libres abandonan la
zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al
verse desprendidos de su electrn en el orbital de
conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa
de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga
elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones
positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los
tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos
tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una
vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos
de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo
el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que
cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en
la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos
trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital

Curva caracterstica del diodo

Tensin umbral, de codo o de partida (V ).
La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de
polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la
zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar
directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va
reduciendo, incrementando la corriente ligeramente,
alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la
3

Electrnica

tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de

potencial desaparece, de forma que para pequeos
incrementos de tensin se producen grandes variaciones de
la intensidad.
Corriente mxima (Imax ).
Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el
diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin
de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende
sobre todo del diseo del mismo.
Corriente inversa de saturacin (Is ).
Es la pequea corriente que se establece al polarizar
inversamente el diodo por la formacin de pares electrnhueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica
por cada incremento de 10 en la temperatura.
Corriente superficial de fugas.
Es la pequea corriente que circula por la superficie del
diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin
de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la
tensin, aumenta la corriente superficial de fugas.
Tensin de ruptura (Vr ).
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar
antes de darse el efecto avalancha.
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este
conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad,
a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo
normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto
avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los
Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:
Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin
inversa se generan pares electrn-hueco que provocan la
corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es
elevada los electrones se aceleran incrementando su energa
cintica de forma que al chocar con electrones de valencia
pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos
electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la
tensin, chocando con ms electrones de valencia y
liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de
electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno
se produce para valores de la tensin superiores a 6 V.
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado
est el material, menor es la anchura de la zona de carga.
Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como
cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el
diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo
elctrico ser grande, del orden de 3105 V/cm. En estas
condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar
electrones de valencia incrementndose la corriente. Este
efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.

Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos

diodos especiales, como los Zener, se puede producir por
ambos
efectos.
Ampliacion de descripcion de Curva Caracteristica
Con la polarizacin directa los electrones portadores
aumentan su velocidad y al chocar con los tomos generan
calor que har umentar la temperatura del semiconductor.
Este aumento activa la conduccin en el diodo.

Caracterstica I/V de un diodo semiconductor

Vu Tensin umbral
Vs Tensin de saturacin
Vr Tensin de ruptura
OA Zona de baja polarizacin directa, pequea corriente
AB Zona de conduccin
OC Corriente inversa de saturacin
A partir de C, zona de avalancha
CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN DIODO IDEAL
Si el diodo est polarizado directamente, su circuito
4

Laboratorio de Electrnica, (2013)

equivalente es el de un conmutador cerrado, pequea

resistencia.

en la tabla 1 y se precede a graficar, figura 2. Al invertir la

batera como se muestra en la figura 3, se tomaron los datos
de la tabla n 2.

Fig. 2. Montaje del diodo en directa.

Los datos obtenidos se encuentran el la siguiente grafica:

Tabla No.1 Datos Montaje del diodo en directa.

Vf
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1
1,53
1,98
2,5
3,1
3,47
4,03
5,09
6,07
7
8
9,02
10,06
11,07

Con polarizacin inversa, el circuito representa un

conmutador abierto, gran resistencia.

3. Parte experimental
Para este experimento, se monto el circuito mostrado en la
figura 1, se incremento el voltaje de la fuente desde 0 V
hasta 12 V en itntervalos pequeos, con un voltimetro se
midio el voltaje en el diodo y el voltaje en la resistencia.
Con estos datos se calculo la corriente el el diodo mostrados
5

Vd
0,1
0,2
0,3
0,38
0,43
0,46
0,48
0,5
0,51
0,52
0,55
0,57
0,58
0,59
0,6
0,6
0,62
0,63
0,63
0,64
0,64
0,65
0,65

Vr
0
0
0
0,02
0,07
0,14
0,22
0,3
0,39
0,48
0,98
1,41
1,92
2,51
2,87
3,43
4,47
5,44
6,37
7,36
8,38
9,41
10,42

Id
0
0
0
0,00002
0,00007
0,00014
0,00022
0,0003
0,00039
0,00048
0,00098
0,00141
0,00192
0,00251
0,00287
0,00343
0,00447
0,00544
0,00637
0,00736
0,00838
0,00941
0,01042

Electrnica

12,13

0,66

11,47

0,01147

Con esta formula se calculo el valor de Id.

Fig. 3. Grafica curva

directa(experimental).

caracterstica

del

diodo

en

-2,58

2,57

-0,01

-3,07

3,06

-0,01

-3,53

3,52

-0,01

-4,01

-0,01

-5,04

5,03

-0,01

-6,25

6,23

-0,02

-6,9

6,87

-0,03

0,00001
0
0,00001
0
0,00001
0
0,00001
0
0,00001
0
0,00001
0
0,00002
0
0,00003
0

Fig. 4. Montaje del diodo en inversa

Tabla No.2 Datos Montaje del diodo regin inversa.

Vf

Vd

Vr

-0,5

0,5

-0,99

0,99

-1,05
-1,97

1,042
1,96

-0,008
-0,01

Id
0,00000
0
0,00000
0
0,00000
8
-

Fig. 5. Curva
(experimental).

caractersticas

del

diodo

regin

4. Desarrollo
4.1 Curva Caractersticas Del Diodo Con Proteus.

inversa

Laboratorio de Electrnica, (2013)

Fig. 6. Montaje del diodo en directa.

En la figura 7 se representa la curva I-V del diodo, en la regin de
polarizacin directa, obtenida con el simulador Proteus.
Fig. 9. Curva caractersticas del diodo regin inversa (simulacin).

4.2 Grafique simultneamente la curva caracterstica y

la recta de carga y obtenga el punto Q.
El punto de funcionamiento del diodo se obtiene
grficamente de la interseccin de la curva caracterstica del
diodo con la "recta de carga".
La recta de carga est definida por V0 y la resistencia
externa R0. En la figura 10 se puede observar la curva I-V
del diodo y la recta de carga para V0 = 12 V y R0 =1000
ohms.
Fig. 7. Curva caractersticas del diodo region directa (simulacin).

Fig. 10. Grafica curva caracterstica y de la recta de carga, punto

Q.

Fig. 8. Montaje del diodo en inversa.

En la figura 8 se representa la curva I-V del diodo, en la regin de
polarizacin inversa, obtenida con el simulador Proteus

Esta grafica muestra que el punto Q, representa ua solucin

simultnea para la recta y la curva. En otras palabras, el
punto Q es el inico punto de la grafica que funciona tanto
para el diodo como para el circuito. Las coordenadas del
7

Electrnica

punto Q nos proporcionan una corriente de 3,91 mA y una

tensin de diodo de 8.09 V.
4.3 Determine a partir del grafico de la curva
caracteristica el voltaje umbral del diodo en directa.

Fig. 11. Grafica curva caracterstica, determinacin del voltaje

umbral.
En el experiemnto vemos que la tensin umbral del diodo, es decir
la tensin a partir de la cual la corriente empieza a incremenatrse
rapidamente es de aproxiamdamente 0,5 V. lo ubivamos en la tabla
N 1.

5. Conclusiones
El diodo,

Referencias
[1]

[2]

[3]
[4]

El diodo de juntura PN - Caracterstica I-V Jesus A. de

Alamo, Curso MIT "Microelectronic Devices and Circuits",
Traduccin a cargo de Docentes de la Facultad de Ingeniera,
UBA
Contribucin al Estudio Experimental de la Degradacin de
Materiales de Uso Espacial Producida por la Radiacin
Existente en rbitas de Baja Altura y por las condiciones
Ambientales en Vuelo, Tesis de Doctorado, Universidad
Nacional de General San Martn, Alejandro Vertanessian,
2008.
G, C. J. Fundamentos de electrnica. Pearson.
Electrnica Fcil. (s.f.). Recuperado el 29 de 02 de 2012, de
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Fuentesalimentacio
n.php