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Arquitectura Funcional
El MESFET difiere de la FET de puerta aislada comn o MOSFET en que no hay
aislante debajo de la puerta sobre la regin de conmutacin activo. Esto
implica que la puerta debe MESFET , en el modo de transistor , estar sesgada
de tal manera que uno no tiene un diodo de metal -semiconductor -forward
llevar a cabo en lugar de una zona de agotamiento invertido sesgada controlar
el canal subyacente. Mientras que esta restriccin inhibe ciertas posibilidades
de circuito analgico , MESFET y dispositivos digitales funcionan
razonablemente bien si se mantiene dentro de los confines de los lmites de
diseo . El aspecto ms crtico del diseo es la medida de metal de puerta
sobre la regin de conmutacin. En general, el ms estrecho de la puerta
modulada canal portador el mejor manejo de la frecuencia de las capacidades ,
en general. El espaciamiento de la fuente y el drenaje con respecto a la puerta,
y la extensin lateral de la puerta son importantes aunque los parmetros de
diseo algo menos crticos . MESFET capacidad de manejo de corriente mejora
a medida que la puerta se alarga lateralmente , manteniendo la regin
constante activa , sin embargo est limitado por desplazamiento de fase a lo
largo de la puerta debido al efecto de lnea de transmisin. Como resultado la
mayora de los MESFET de produccin utilizan una construido capa superior de
metal de baja resistencia en la puerta , a menudo produciendo un perfil en
forma de hongo en seccin transversal.
7.1
La mayora de los transistores de efecto campo estn fabricados de silicio por las excelentes
propiedades de este material y por su abundancia en la naturaleza. Sin embargo, tambin se utilizan materiales
compuestos en su fabricacin para utilizarlos en ciertas aplicaciones como alta velocidad, alta frecuencia, o en
situaciones donde se someten a los circuitos a condiciones de operacin extremas, como alta y bajas
temperaturas y exposicin a la radiacin.
La tecnologa de materiales compuestos est menos desarrollada que la del silicio por lo que se
prefiere este material en la mayora de las aplicaciones. Sin embargo, el GaAs y otros materiales compuestos
presentan ciertas ventajas sobre el silicio. Entre las ventajas hay que citar (a) que es un material de ancho de
banda prohibida directo, con lo que es preferible en aplicaciones optoelectrnicas, (b) los electrones en este
material tienen mayor movilidad, con lo que se obtienen resistencias parsitas menores, proporciona una
mayor velocidad al funcionamiento del dispositivo y un aumento de las frecuencias de operacin, (c) la
posibilidad de utilizar sustratos semiaislantes permite a este material usarlo como base de los circuitos
integrados monolticos de microondas y ondas milimtricas. Entre las desventajas que presenta este material
frente al silicio hay que mencionar (a) una conductividad trmica menor, con los problemas que esto conlleva
a la hora de eliminar la potencia disipada en los circuitos, (b) ausencia de unxido de calidad y (c) los
mayores costes de produccin.
7.2
tipo P, sin embargo, son menos frecuentes puesto que la movilidad de los huecos
es inferior a la de los electrones. Entre fuente y drenador se har circular una
corriente mediante una tensin aplicada entre estos terminales. Esta corriente se
puede controlar a su vez mediante una tensin aplicada al terminal de puerta. El
control de esta corriente se realiza gracias a la variacin de la zona de carga
espacial que aparece en el canal debajo de la puerta. Esta regin de vaciamiento
aumenta con el incremento de la tensin aplicada entre puerta y fuente, VGS .
Puede ocurrir que al ir aumentando esta tensin se agote por completo el canal, anulndose
la corriente entre drenador y fuente para tensiones superiores. A la tensin VGS que agota el
canal se le conoce con el nombre de tensin umbral Vt , al igual que se defini en el
MOSFET. Para calcularla basta con igualar el espesor de la zona de carga espacial h, que
viene dado por
,
(7.1)
con el espesor del canal a (Figura 7.2.2). Despejando de esa igualdad la tensin umbral se obtiene:
,
(7.2)
(7.4)
La unin metal semiconductor est polarizada en inverso para aislar el terminal de puerta de los
otros terminales. Al modificar la zona de carga espacial con variaciones de la tensin VGS aparecen
efectos capacitivos entre la puerta y el canal, comportamiento anlogo al resto de los transistores de
efecto campo. Las diferencias con el resto de transistores de efecto campo estriban en (i) la
localizacin del canal, (ii) cmo se consigue el aislamiento de puerta y (iii) el tipo de material
utilizado.
canal
El arseniuro de galio
7-2
7-3
Principio de operacin
7-4
Objetivos
Presentar distintos modelos que tienen como fin el llegar a una expresin analtica para la
corriente de drenador.
Presentar otro modelo empleado en diseo asistido por ordenador que proporciona una
relacin I-V vlida para cualquier valor de la tensin.
Proponer un mtodo para extraer los parmetros que aparecen en las caractersticas I-V a
partir de medidas experimentales.
Presentar un modelo de pequea seal vlido para muy altas frecuencias, rango donde es
especialmente til este dispositivo.
Palabras Clave
GaAs.
Tensin de agotamiento.
Modelo de Curtice.
Resistencias parsitas.
7.1
Corriente de puerta.
Extraccin de parmetros.
7.2
(7.1)
,
con el espesor del canal a (Figura 7.2.2). Despejando de esa igualdad la tensin umbral
se obtiene:
(7.2)
,
donde ND es la concentracin de impurezas donadoras. Se suele definir tambin la
tensin de agotamiento o pinch-off, Vp, como:
(7.3)
El espesor de la zona de carga espacial se puede rescribir:
(7.4)
.
La unin metal semiconductor est polarizada en inverso para aislar el terminal
de puerta de los otros terminales. Al modificar la zona de carga espacial con
variaciones de la tensin VGS aparecen efectos capacitivos entre la puerta y el canal,
comportamiento anlogo al resto de los transistores de efecto campo. Las diferencias
con el resto de transistores de efecto campo estriban en (i) la localizacin del canal, (ii)
cmo se consigue el aislamiento de puerta y (iii) el tipo de material utilizado.
7.3
Principio de operacin
(7.5)
(7.6)
.
Cuando la zona de carga espacial ocupe todo el canal
har nula.
la conductividad se
(7.7)
,
donde
es el potencial del canal en ese punto referido al terminal de fuente. Este
procedimiento se conoce como aproximacin de canal gradual, y es el que se ha venido
Figura 7.3.1 Variacin del espesor del canal a-h en un MESFET por efecto de la tensin VDS .
La resistencia de ese elemento de canal se puede escribir como:
(7.8)
(7.9)
(7.10)
.
Esta aproximacin es slo vlida mientras no aparezca el agotamiento del canal
en la regin de drenador, es decir, mientras no se cumpla
. A partir de ese
punto la corriente tomara un valor constante que se obtiene imponiendo la condicin
de agotamiento
(7.11)
.
Si quisiramos mantener una corriente finita en un canal de espesor nulo
obligara a trabajar con una velocidad de los electrones infinita o con un campo
elctrico infinito. Para solucionar este problema se puede hacer uso del hecho que la
velocidad de deriva de los electrones se satura para campos elevados, como se
observa en la Figura 7.3.2.
Figura 7.3.2 Relacin entre la velocidad de los electrones en GaAs y el campo electrico
aplicado al semiconductor.
7.3.1
(7.12)
se iguala al
(7.13)
se
(7.14)
(7.15)
,
de donde se puede extraer el valor de VDSsat.
Para >>1 la solucin de esta ecuacin se puede aproximar por
idntico al modelo de canal gradual.
Para
se puede aproximar
(7.16)
.
La corriente de saturacin vendr dada por:
(7.17)
En el caso lmite
(dispositivo largo con pequea tensin de
estrangulamiento) la corriente de saturacin se reduce a la obtenida con el modelo de
canal gradual (7.11). En el otro extremo, <<1 (puerta corta o gran tensin de
estrangulamiento), se puede aproximar la corriente de saturacin (7.17) por:
(7.18)
(7.19)
,
(7.20)
donde
(7.21)
Ejemplo 7.1
Considerar un MESFET de GaAs con los siguientes parmetros: 0 = 0.6 V, ND =
31017 cm-3, W = 20 m, L = 1 m, VGS = 0 V. Considerar que la movilidad de los electrones en
este material es 4000 cm2/(Vs) y la velocidad de saturacin 10 7 cm/s. Calcular la
curva IDS VDS empleando el modelo de canal gradual y el modelo de dos tramos para la
velocidad. Evaluar en este segundo caso la anchura del canal en la regin de saturacin.
Solucin.
Con estos datos se puede calcular la tensin de agotamiento Vp, que toma el valor de
2.069 V, y el campo crtico 2.5103 V/cm. Con el modelo de canal gradual la regin de
saturacin comenzara para
para Ec L >>Vp se cumple VDSsat =Vt y en el caso Ec L <<Vp se cumple que VDSsat Ec L. En
la Figura 7.3.3 se representa la curva IDVDS para este transistor admitiendo (a) que la
velocidad de los electrones crece de manera indefinida y (b) que la velocidad de los electrones
se satura a partir del campo crtico (modelo de dos tramos para la velocidad).
Cuando comienza la saturacin del transistor el canal se agota en el extremo de
drenador. Sin embargo, para evitar hablar de espesores de canales nulos y de campos y
velocidades infinitas lo ms adecuado es hablar de un espesor del canal finito. Este
espesor, bsat, se puede estimar introduciendo la velocidad de saturacin de los electrones:
En este ejemplo IDSsat =3.547 mA con lo que bsat =0.037 m. Se puede comparar este
valor con el espesor del canal en la regin de fuente: 0.046 m (Figura 7.3.4).
Figura 7.3.3 Representacin de las curvas IDVDS con el modelo de canal gradual y admitiendo
la saturacin de la velocidad de los electrones en el canal.
Figura 7.3.4 Estimacin del espesor del canal en las regiones de fuente y drenador.
7.3.2
Modelo de Curtice
La conductancia del canal para valores bajos de la tensin VDS, se puede obtener
derivando la expresin de la corriente (7.10) con respecto a VDS manteniendo
constante VGS:
(7.22)
.
El modelo del dispositivo que se emplea en diseo asistido por ordenador debe
reproducir las curvas I-V en todo el rango de tensiones, no solo en saturacin. Curtice
[[4]] propuso una expresin que interpolaba la corriente en todo el rango de tensiones:
(7.23)
donde
(7.24)
(7.25)
(7.26)
y es un parmetro emprico que da idea de la conductancia de salida y refleja la
modulacin de la longitud del canal.
7.3.3
Efectos parsitos
(7.27)
Para valores VDS << VDSsat podemos escribir la corriente de drenador
(7.28)
,
donde gch es
la
conductancia
del
canal
ecuaciones (7.27) y (7.28) se encuentra la relacin:
extrnseca.
Combinando
las
(7.29)
(7.30)
.
Teniendo en cuenta estos elementos extrnsecos se puede rescribir la relacin
corriente tensin (7.23):
(7.31)
(7.32)
situaciones en las que puede ser til hacer circular corriente por la puerta, en particular
cuando se est interesado en extraer parmetros del dispositivo. Para tener en cuenta
estas situaciones se suele modelar la corriente de puerta mediante la combinacin de
dos diodos. Uno de ellos est conectado entre el contacto de puerta y el de fuente y el
otro entre el contacto de puerta y drenador (Figura 7.3.6). Ello dara lugar a una
corriente de puerta de valor:
(7.33)
).
(7.34)
,
donde Ri se relaciona con la tensin de puerta
7.4
(7.35)
Los transistores de efecto campo, en particular los MESFETs de GaAs, son tiles
como amplificadores de bajo ruido, como generadores de potencia con un alto
rendimiento, y en aplicaciones lgicas de alta velocidad. El modelo equivalente del
transistor se muestra en la Figura 7.4.1, donde se sita cada elemento en la estructura
real.
Figura 7.4.1 Localizacin de los elementos del modelo de pequea seal en el MESFET.
(7.36)
(7.37)
(7.38)
.
(7.39)
donde
(7.40)
.
(7.41)
.
(7.42)
Figura 7.4.3 Resistencia asociada a la regin neutra entre los contactos de fuente y puerta.
(7.43)
Figura 7.4.4 Capacidad asociada al acoplo entre los contactos de drenador y fuente a travs del
sustrato.
Un circuito simplificado que permite predecir de forma muy acertada el funcionamiento de los
transistores de efecto campo de GaAs en circuitos de microondas como amplificadores y osciladores se
muestra en la Figura 7.4.5. En l no aparecen las resistencias de los contactos de fuente, drenador y puerta as
como la capacidad drenador puerta.
los
siguientes
Figura 7.4.6 Modelo de pequea seal del MESFET excitado con una fuente de tensin a la
entrada y cargado en su puerta de salida con una carga Zo.
En primer lugar se calcula el valor de las impedancias Zs y Zo que permiten
adaptar la entrada y la salida:
(7.44)
Una vez conseguido esto se calculan las potencias entregadas a la entrada del
dispositivo y a la carga Zo:
(7.45)
(7.46)
1.
2.
a)
b)
La tensin de puerta que agota el canal. (Para poder aplicar la misma expresin que
se utiliza en el JFET admitir que el metal es como si fuera un semiconductor
fuertemente dopado).
c)
d)
El tiempo de trnsito a travs del canal para una tensin de drenador tal que se
alcance la saturacin con VG=0.5Vp.
e)
Figura P.1.
REFERENCIAS
[1] W. Shockley. "A unipolar field effect transistor", PROC. IRE, vol. 40, pp. 1365-1376, November 1952.
[2] M.S. Shur. Low field mobility, effective saturation velocity and performance of submicron GaAs
MESFETs Electron., Lett., Vol. 18 (21), pp. 909-911, Oct. 1982.
[3] M.S. Shur. Analitical model of GaAs MESFETs, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-25, pp. 612618, June 1978.