ACCIONAMIENTOS ELCTRICOS

ELECTRNICA DE POTENCIA
1.0 INTRODUCCIN
La electrnica de potencia encuentra aplicacin en prcticamente todos los campos de la
tecnologa moderna. Son numerosos los campos de aplicacin industriales y
comerciales. Aplicaciones tales como en automocin, en traccin elctrica, en
iluminacin, en domtica, en calefaccin, refrigeracin y aire acondicionado, en los
electrodomsticos, en la generacin de energa elctrica, en las energas renovables, en
el transporte y la distribucin de la energa elctrica, en las telecomunicaciones, en
electromedicina, en robtica, en la metalurgia, en electroqumica, en la defensa militar,
en la tecnologa nuclear, en aeronutica, en la tecnologa espacial, son algunos de los
campos y el nmero de aplicaciones crece cada da. Sin embargo, dado que su papel no
es el ms llamativo, su importancia pasa desapercibida pero su funcin es primordial en
todos los sistemas, tanto que los mismos no funcionaran si no fuese gracias a la
electrnica de potencia.
El espectro de potencias que cubre es muy extenso desde varios miles de megavatios en
el transporte de energa elctrica hasta dcimas de vatio en equipos de electromedicina.
La electrnica de potencia es una materia que combina potencia elctrica, electrnica y
regulacin. Se trata de la aplicacin de la electrnica de estado slido a la conversin y
a la regulacin de la energa elctrica. La electrnica de potencia puede definirse como
el proceso mediante el cual se regula el flujo de energa elctrica suministrando las
tensiones y corrientes de una forma ptima y conveniente a las cargas del usuario.
La electrnica de potencia es una materia multidisciplinar que abarca muchos campos
de la ingeniera elctrica tales como sistemas elctricos de potencia, circuitos,
electrnica del estado slido, mquinas elctricas, control analgico y/o digital,
procesamiento de seal, campos electromagnticos, etc.
En los pasados aos ha experimentado un crecimiento muy grande debido a la
confluencia de varios factores. Desarrollo y aparicin de nuevos dispositivos de la
microelectrnica. Mejoras y avances en los procesos de fabricacin de los dispositivos
de potencia que permiten mejorar las velocidades de conmutacin y las caractersticas
de manejo de tensin e intensidad de los mismos. Las necesidades de los mercados en
expansin en todos los campos citados y en los nuevos que estn apareciendo.
Una caracterstica primordial de la electrnica de potencia es la del rendimiento de la
conversin reduciendo al mnimo las prdidas de energa en el proceso de conversin,
para ello los dispositivos deben trabajar en rgimen de conmutacin, es decir, los
dispositivos semiconductores tiene que trabajar en modo todo-nada.
2.0 HISTORIA DE LA ELECTRNICA DE POTENCIA
La electrnica de potencia comienza con la introduccin de la vlvula rectificadora de
mercurio en 1901 por P. Cooper y la vlvula rectificadora de vaco en 1904 por A.

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Fleming, a los que sigui el tiratrn en 1914 por I. Langmuir. En 1930 aparece el
rectificador de selenio sin descubridor conocido. En 1940 se descubre el ignitrn por la
firma Westinhouse y posteriormente el ignitrn que ya permita controlar elevadas
intensidades y tensiones con lo cual la electrnica de potencia ya empez a mostrarse
como una tecnologa eficiente.
Sin embargo, no fue hasta 1948 con la invencin del diodo semiconductor de unin y el
transistor en los laboratorios de la Bell Telephone por W. B. Shocley, J. Bardeen, y W.
H. Brattain (todos ellos fueron premios Nobel por tal descubrimiento) cuando se
empieza a realizar la autntica revolucin de la electrnica. Posteriormente, tambin en
los laboratorios Bell, S. Darlington propuso la conexin en cascada de transistores lo
que mejoraba la ganancia en corriente del conjunto. La siguiente innovacin tuvo lugar
en 1956, igualmente en los laboratorios Bell, con la invencin del transistor PNPN de
cuatro capas que se defini como tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR).
La segunda revolucin de la electrnica de potencia empez en 1957 con el desarrollo
del tiristor comercial por General Electric Company. El tiristor fue el caballo de batalla
y lo sigue siendo de la electrnica de potencia, pero presentaba un inconveniente y que
era la necesidad de circuitos auxiliares para su bloqueo.
ste fue realmente el comienzo de la nueva era de la electrnica de potencia. Desde
entonces son muchos los tipos de dispositivos semiconductores de potencia y las
tcnicas de conversin que han ido apareciendo, as se pueden citar los transistores de
efecto de campo (FET) en 1970, los tiristores controlados por puerta (GTO) que ya no
requeran circuitos auxiliares para el bloqueo, los transistores bipolares de puerta aislada
(IGBT) a finales de 1970.
A partir de 1980 se desarrollaron semiconductores de potencia que integran en una
misma cpsula adems del elemento de potencia, circuitos auxiliares de proteccin,
disparo y bloqueo.
Sin embargo, el desarrollo de la electrnica de potencia no hubiese sido posible si
paralelamente no se hubiese desarrollado la microelectrnica, primeramente con la
aparicin de los primeros circuitos lgicos (puertas) con las diferentes tecnologas TTL
o la menos exigente CMOS y posteriormente con la aparicin de los microprocesadores
en 1971 por la firma Intel. A partir de entonces el desarrollo ha sido continuo con la
aparicin de numerosos tipos de microprocesadores, microcontroladores, procesadores
digitales de seal y dispositivos lgicos programables.
La evolucin actual de la electrnica de potencia se encuentra en los propios
componentes, en la capacidad de los fabricantes de mejorar los mismos bien de sus
caractersticas o incorporando elementos auxiliares que faciliten su aplicacin. No
obstante, conviene resaltar que casi todas las configuraciones o topologas de los
circuitos de potencia se disearon, incluso antes de disponer de los componentes
adecuados (se disearon los circuitos de potencia sin que existiesen los componentes y
no fue posible realizarlos prcticamente hasta que se tuvieron los componentes aos
despus), siguen siendo totalmente vlidas resultando muy difcil (nunca se puede decir
imposible) mejorar las mismas. En cambio, la evolucin actual, a parte de las mejoras
en la construccin de los dispositivos de potencia, va ms por el lado de la aparicin de

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nuevos y cada vez ms sofisticados dispositivos de control, lo cual permite incrementar
cada da el campo de aplicaciones.
3.0 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Desde que se descubri el tiristor a finales de 1957, se han producido notables avances
en el desarrollo de nuevos dispositivos semiconductores de potencia. Hasta 1970 se
usaron casi exclusivamente los tiristores convencionales en las aplicaciones industriales.
A partir de 1970 se desarrollaron nuevos tipos de semiconductores disponibles
comercialmente. Estos dispositivos se pueden dividir en:
Diodos de potencia
Tiristores (SCR)
Transistores de unin bipolares (BJT)
MOSFET de potencia
Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) y los transistores de induccin esttica
(SIT)

Figura 1.1 (Tomada de M. Rashid)

Los tiristores a su vez presentan muchas variedades, as entre otros estn los GTO
(tiristores de bloqueo por puerta), los SITH (tiristores de induccin esttica), los
LASCR (tiristores activados por luz), los MCT (tiristores controlados MOS), etc.

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En los diodos de potencia se consideran tres grupos: de uso general, de recuperacin
rpida (alta velocidad de conmutacin) y Schottky. Los diodos de alta velocidad son
esenciales para los convertidores de alta frecuencia de conmutacin.
Para aplicaciones de baja potencia en corriente alterna se usan ampliamente los TRIAC
cuyas caractersticas son equivalentes a las de dos tiristores conectados en antiparalelo
con un slo terminal de puerta de control. La corriente que fluye por un TRIAC se
puede controlar en ambos sentidos de conduccin.
Los transistores BJT, normalmente NPN, se hacen funcionar con configuracin emisor
comn. Los IGBT se utilizan hasta frecuencias de conmutacin de hasta 20.000 Hz.
Los MOSFET de potencia se usan en convertidores de alta velocidad de conmutacin de
hasta varias decenas de kilohercios.
En la figura 1.1 se muestran las aplicaciones y rango de frecuencias de los dispositivos
de potencia.
4.0 APLICACIONES
Sin ser exhaustiva, a continuacin se citan algunas de las aplicaciones ms comunes de
la electrnica de potencia.
a) Residencial: Electrodomsticos: cocinas de induccin, hornos de microondas,
calefaccin elctrica, iluminacin (dimmers), frigorficos, lavadoras, aire
acondicionado, paneles fotovoltaicos, etc.
b) Comercial: Calefaccin, ventilacin, aire acondicionado, refrigeracin, iluminacin
(balastos), ordenadores y equipos de oficina, fuentes de alimentacin ininterrumpida
(SAI o UPS), ascensores, escaleras, motores, telefona, cargadores de bateras, paneles
fotovoltaicos, carteles anunciadores, amplificadores de audio, lseres comerciales, etc.
c) Industrial: Accionamientos, bombas, compresores, ventiladores, mquinas
herramientas, robots, hornos de induccin, hornos de arco, soldadura, iluminacin,
lseres industriales, calentamiento por induccin, generadores ultrasnicos,
electroqumica, procesos electrolticos, reactores qumicos, montacargas, gras,
molinos, cementeras, papeleras, industria textil, mquinas de impresin, regulacin de
motores, trenes de laminacin, cintas transportadoras, escaleras mecnicas, estaciones
depuradores, etc.
d) Transporte: Vehculos elctricos, carretillas elctricas, automviles elctricos,
cargadores de bateras, locomotoras elctricas, tren de alta velocidad (AVE),
ferrocarriles metropolitanos, tranvas, alimentacin de catenarias, control de trfico y
sealizacin, etc.
e) Telecomunicaciones: Telefona, TV, cargadores de bateras, fuentes de alimentacin
ininterrumpida (UPS o SAI), equipos de alimentacin de emergencia, etc.

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f) Aerospacial y nuclear: Sistemas de alimentacin para aviones, sistemas de
alimentacin para satlites, paneles solares, control de barras en reactores nucleares,
aceleradores de partculas, servosistemas, etc.
f) Industria elctrica: Contactores de estado slido, rels estticos, interruptores
estticos, arrancadores estticos, protecciones, compensacin de potencia reactiva,
fuentes de alimentacin, fuentes de alimentacin ininterrumpida, cargadores de bateras,
sistemas de almacenamiento de energa, regulacin de alternadores, variadores de
velocidad de motores, accionamientos de motores, acoplamiento dinmico de redes,
transporte de energa elctrica de corriente continua en alta tensin (HVDC),
compensadores estticos de impedancia, transmisin flexible de energa elctrica en
corriente alterna, generacin de energa fotovoltaica, generacin de energa elica,
imanacin de imanes, electroimanes, etc.
g) Electromedicina: Rayos X, equipos de resonancia nuclear magntica, equipos de
ciruga ocular, equipos de quirfano, equipos de litotricia, equipos de dilisis, corazn
artificial, equipos de respiracin asistida, bisturs elctricos, bisturs lser, marcapasos,
audfonos, equipos de cateterismo, microciruga y neurologa, equipos de radiacin,
exploracin y diagnstico, etc.
Bibliografa consultada:
-Dispositivos y circuitos electrnicos J. Millman, C. Halkias Ed. Anaya
-Microelectronics J. Millman, A. Grabel Ed. Mc Graw Hill
- Physics of semiconductor devices S. Sze Ed. Mc Graw Hill
- Solid state electronics B. Streetman Prentice Hall
- Power electronics M. Rashid Ed. Prentice Hall
- Power electronic control of AC motors J. Murphy, F. Turnbull Ed. Pergamon
- Power electronics N. Mohan, T. Undeland, W. Robbins Ed. John Wiley
- Power electronics B. Bird, K. King, D. Pedder Ed. John Wiley
- Modern power electronics and AC drives B. Bose Ed. Prentice Hall
- Electrnica industrial. Tcnicas de potencia. J.Gualda, S. Martnez, P. Martnez Ed.
Marcombo.
- Electrnica de potencia S. Martnez, J.A. Gualda Thomson-Paraninfo
- Electrnica industrial G. Herranz ETSIT
- Electrnica industrial. Electrnica de potencia - H. Bhler Ed. Gustavo Gili
- Fundamentos de la electrnica de potencia. K. Heumann Paraninfo
- Catlogos varios: Semikron, GE, IR, Westinghouse, Powerex

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