TRANSISTOR UNIN

BIPOLAR
Docente:: Nicolas Diestra Snchez

Construccin de un transistor

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que

consta de dos capas de material tipo n y una de material tipo p
o de dos capas de material tipo p y una de material tipo n.
El primero se llama transistor npn y el segundo transistor pnp.

Operacin del Transistor

Describiremos la operacin bsica del transistor utilizando

el transistor pnp.
El ancho de la regin de
empobrecimiento se redujo a
causa de la polarizacin
aplicada y el resultado fue un
intenso flujo de portadores
mayoritarios del material
tipo p al material tipo n.

Considere las semejanzas entre

esta situacin y la del diodo
polarizado en inversa. Recuerde
que el flujo de portadores
mayoritarios es cero, y el
resultado es slo un flujo de
portadores minoritario.

Operacin del Transistor

Una gran cantidad de portadores

mayoritarios se difundir a
travs de la unin pn polarizada
en directa hacia el material tipo n.
Como el material tipo n
emparedado es muy delgado y
su conductividad es baja, un
nmero muy pequeo de estos
portadores tomarn esta ruta de
alta resistencia hacia la base.
El mayor nmero de estos
portadores mayoritarios se
difundir a travs de la unin
polarizada en inversa hacia el
material tipo n conectado al
colector.

Flujo de portadores mayoritarios y

minoritarios de un transistor pnp.

Configuracin en Base Comn

La terminologa en
base comn se deriva
del hecho de que la
base es comn tanto
para la entrada como
para la salida de la
configuracin.
Adems, la base por
lo general es la
terminal ms cercana a
un potencial de tierra.

La flecha en el smbolo grfico define la direccin de la corriente del

emisor (flujo convencional) a travs del dispositivo.

Materiales Semiconductores
Notacin y smbolos utilizados con la
configuracin en base comn: Configuracin
en base comn transistor npn.

Caractersticas
de entrada
para un
amplificador
de transistor de
silicio en
configuracin
en base comn.

Configuracin en Base Comn

El conjunto de salida relaciona una corriente de entrada (IC) con un voltaje de

salida (VCB) para varios niveles de corriente de entrada (IE).
La salida o conjunto de caractersticas del colector ofrece tres regiones bsicas
de inters: las regiones activa, de corte y saturacin. La primera es la regin que
normalmente se emplea para amplificadores lineales (sin distorsin).

Si ignoramos la pendiente de la curva y, la resistencia asociada con la unin

polarizada en directa, se obtienen las caractersticas de la figura c. Para todos
los anlisis de cd de redes con transistores emplearemos el modelo de la figura
c. Es decir, una vez que un transistor se enciende, supondremos que el voltaje
base-emisor ser :

Prueba de un Transistor
Ohmmetro (Posicin Diodo)
Verificacin de la unin base
a emisor polarizada en
directa de un transistor npn.

Verificacin de la unin base

a colector polarizada en
inversa de un transistor npn.

Encapsulado e Identificacin
de las Terminales de un Transistor
Varios tipos de
transistores de uso
general o de
conmutacin:
(a) baja potencia;
(b) mediana potencia;
(c) mediana a alta
potencia.

POLARIZACIN DE CD DE LOS BJT

El nivel de potencia de ca de salida mejorada es el resultado de una
transferencia de energa de las fuentes de cd aplicadas.

Hay una similitud subyacente en el anlisis de cada

configuracin, debido al uso recurrente de las siguientes
relaciones bsicas de un transistor:

Punto de Operacin Q

Es un trmino de la
aplicacin de voltajes
de cd para establecer
un nivel fijo de
corriente y voltaje.
Para amplificadores
con transistores, la
corriente y voltaje de
cd resultantes
establecen un punto de
operacin en las
caractersticas que
definen la regin que se
emplear para
amplificar la seal
aplicada.

Punto de Operacin Q

La operacin en las regiones de corte, saturacin y

lineal de la caracterstica BJT se da como sigue:
1. Operacin en la regin lineal:
Unin base-emisor polarizada en directa.
Unin base-colector polarizada en inversa.
2. Operacin en la regin de corte:
Unin base-emisor polarizada en inversa.
Unin base-colector polarizada en inversa.
3. Operacin en la regin de saturacin:
Unin base-emisor polarizada en directa.
Unin base-colector polarizada en directa.

Configuracin de Polarizacin Fija

Es la configuracin de polarizacin de cd ms simple. Aun

cuando la red emplea un transistor npn, las ecuaciones y
clculos aplican igualmente bien para una configuracin del
transistor pnp.
Circuito equivalente

Polarizacin en directa de la unin

base-emisor

Considere primero la
malla del circuito baseemisor de la figura.
Al escribir la ley de
voltajes de Kirchhoff en
el sentido de las
manecillas del reloj para
la malla, obtenemos

Malla base-emisor

Polarizacin en directa
Malla colector-emisor

La seccin colector-emisor de
la red aparece con la
direccin de la corriente IC y la
polaridad resultante a travs de
RC. La magnitud de la IC est
relacionada con IB mediante

Al aplicar la ley de voltajes

de Kirchhoff alrededor de la
malla obtenemos:

Malla colector-emisor

Polarizacin en directa
Malla colector-emisor

la cual establece que el voltaje a travs de la regin

colector-emisor de un transistor en polarizacin fija es el
voltaje de alimentacin menos el voltaje de RC.
donde VCE es el voltaje del colector al emisor y VE son los
voltajes de colector y emisor a tierra. En este caso, como VE=0V,
tenemos

y VE = 0 V, entonces

Saturacin del transistor

Saturacin se aplica a cualquier

sistema donde los niveles han
alcanzado su valor mximo. Una
esponja saturada es aquella que
no puede contener otra gota de
lquido. Para un transistor que
opera en la regin de saturacin
la corriente es un valor mximo
para el diseo particular. Cambie
el diseo y el nivel de saturacin
correspondiente puede elevarse o
reducirse.
Por supuesto, la corriente de
colector mxima define el nivel
de saturacin mximo tal como
aparece en la hoja de
especificaciones.

Regiones de saturacin: (a) real);

(b) aproximada

Saturacin del transistor

Si aproximamos las curvas de la figura a con las que

aparecen en la figura b, aparece un mtodo rpido y directo
de determinar el nivel de saturacin.
En la figura b la corriente es relativamente alta y se supone
que el voltaje VCE es de 0 V.
Al aplicar la ley de Ohm podemos determinar la resistencia
entre el colector y el emisor como sigue:

Saturacin del transistor

Aplicando los resultados al esquema de la red obtenemos la configuracin

de la figura.

La corriente de saturacin resultante para la configuracin de

polarizacin fija es

Una vez que se conoce tenemos ICsat

una idea de la posible corriente
mxima del colector para el diseo
seleccionado y del nivel que debe
permanecer bajo si esperamos que
la amplificacin sea lineal.

Anlisis por medio de la recta de

carga

Las caractersticas del BJT se sobreponen en una grfica de la ecuacin

de la red definida por los mismos parmetros. El resistor de carga RC para
la configuracin de polarizacin fija definir la pendiente de la ecuacin de la
red y la interseccin resultante entre las dos grficas.
Anlisis de la recta de carga: (a) la red;
(b) las caractersticas del dispositivo

Anlisis por medio de la recta de

carga

La red de la figura establece una ecuacin de salida que

relaciona las variables IC y VCE de la siguiente manera:

Si seleccionamos IC como 0 mA, especificamos el eje horizontal

como la lnea donde se localiza un punto. Al sustituir IC = 0
mA en la ecuacin vemos que

Anlisis por medio de la recta de

carga

que define un punto para la lnea recta como se muestra en la figura

Si ahora seleccionamos VCE como 0 V, el cual establece el eje vertical como la

lnea donde se localiza el segundo punto, vemos que a IC la determina la
ecuacin