MATERIAY PPRZEWODNIKOWE

Pprzewodniki to materiay powszechnie stosowane do produkcji

elementw i ukadw elektronicznych.
Kady materia ma pewn warto rezystywnoci. W zalenoci od tej
wartoci dzielimy je na metale i niemetale (dielektryk, pprzewodnik),
rnice si waciwociami fizykochemicznymi.
Pprzewodniki obejmuj obszern grup materiaw, ktre ze wzgldu na
przewodnictwo elektryczne zajmuj porednie miejsce pomidzy metalami a
izolatorami. Pprzewodniki stanowi oddzieln klas substancji, gdy ich
przewodnictwo ma szereg charakterystycznych cech. Naley podkreli
odwrotn ni dla metali zaleno przewodnictwa elektrycznego od temperatury.
W dostatecznie niskich temperaturach pprzewodnik staje si izolatorem. W
szerokim zakresie temperatur przewodnictwo przewodnikw szybko ronie wraz
ze wzrostem temperatur. Drug wan cech pprzewodnikw jest zmiana
przewodnictwa elektrycznego w wyniku niewielkich zmian ich skadu.
2.1. MODEL PASMOWY
Teoria pasmowa jest to teoria kwantowa opisujca stany energetyczne
elektronw w krysztale. W odrnieniu od atomw, w ktrych dozwolone stany
energetyczne elektronw stanowi zbir poziomw dyskretnych, dozwolone
elektronowe stany energetyczne w krysztaach maj charakter pasm o szerokoci
kilku elektronowoltw.
Elektronowolt (eV) jest to energia, jak uzyskuje elektron w wyniku
zmiany swojego potencjau o 1 V.
W

Pasmo przewodnictwa
Pasmo zabronione

Wg

Pasmo podstawowe
X
Rys. 2.1. Model energetyczny pasmowy pprzewodnika.

W temperaturze zera bezwzgldnego (T = 0K) najmniejsz energi maj

elektrony walencyjne. Pasmo odpowiadajce temu stanowi energetycznemu nosi
nazw pasma walencyjnego lub podstawowego i jest najniej pooonym
pasmem energetycznym (rys. 2.1). Powyej tego pasma ley pasmo
przewodnictwa, w ktrym znajduj si swobodne elektrony wyrwane z sieci
krystalicznej. Pomidzy tymi pasmami jest odstp, ktry nazwany jest pasmem
zabronionym lub przerw zabronion i oznacza si przez Wg. Warto Wg
okrela minimaln warto energii, ktra musi by dostarczona elektronom, aby
zostay one wyrwane z wiza atomowych sieci krystalicznej. Szeroko t
mierzy si w elektronowoltach (eV).
2.2. PPRZEWODNIK SAMOISTNY
Pprzewodnik samoistny jest to monokryszta pprzewodnika
pozbawionego defektw sieci krystalicznej i domieszek, czyli nie zawieraj
obcych atomw w sieci krystalicznej.
W pprzewodnikach ju w temperaturze 300 K (a nawet niszej) pewna
cz elektronw przechodzi do pasma przewodnictwa, pozostawiajc miejsca
nie obsadzone w pamie podstawowym. Miejsca te mog by zajmowane przez
elektrony usytuowane na niszych poziomach w tym pamie (po otrzymaniu z
zewntrz odpowiedniej energii).
Proces pojawiania si elektronw w pamie przewodnictwa i wolnych
miejsc (dziur) w pamie podstawowym pod wpywem wzrostu temperatury nosi
nazw generacji termicznej par dziur-elektron (rys. 2.2).
Dziur nazywa si dodatni nonik adunku, bdcy brakiem elektronu. W
pprzewodnikach o maych szerokociach pasma zabronionego generacja
termiczna par dziura-elektron jest uatwiona. Liczb nonikw w ciaach staych
wyraa si za pomoc gstoci lub koncentracji (liczba nonikw na jednostk
objtoci.
Liczba generowanych par, czyli ich koncentracja, jest tym wiksza, im
jest wsze pasmo zabronione danego pprzewodnika oraz im temperatura
monokrysztau jest wysza. Po pewnym czasie pobudzony elektron powraca do
stanu podstawowego z wyemitowaniem kwantu promieniowania. Taki proces
nazywamy rekombinacj (rys. 2.2).
redni czas jaki upywa midzy procesem generacji a procesem
rekombinacji nazywamy czasem ycia danego nonika (elektronu, dziury).

T >0 K

Generacja

Wpr

Foton

Wc
Rekombinacja

Foton

Wv
0

Rys. 2.2. Proces generacji i rekombinacji pary elektron dziura.

WV wierzchoek pasma podstawowego, Wc dno pasma przewodnictwa, Wpr energia
wyjcia elektronu z pprzewodnika.

W pprzewodniku samoistnym mamy do czynienia z generacj par

elektron-dziura, w zwizku z czym koncentracja elektronw i dziur jest taka
sama i nosi nazw koncentracji samoistnej. Zaleno koncentracji samoistnej
od temperatury przedstawiona jest na rysunku 2.3. Na tej charakterystyce
zaznaczono rwnie szeroko przerwy zabronionej danego pprzewodnika.

1025
1023
1021
1019
ni
1017
1015
1013
0,5

1,5

2,5

1/K

3,5

1000/T
Rys. 2.3. Zaleno koncentracji samoistnej pprzewodnika od temperatury.

2.3. PPRZEWODNIK TYPU n I TYPU p

(pprzewodniki niesamoistne)
Pprzewodnik niesamoistny jest wwczas, gdy w sieci krystalicznej
monokrysztau zamiast atomw pierwiastka materiau pprzewodnikowego
znajduje si inny atom (np. w sieci krystalicznej krzemu znajduje si fosfor).
Powstaje wwczas tzw. pprzewodnik domieszkowany, a ten inny atom
nazywamy domieszk. Rozrniamy dwa rodzaje domieszek: donorow i
akceptorow.
Jeli na skutek nieregularnoci sieci krystalicznej w pprzewodniku bd
przewaa noniki typu dziurowego, to pprzewodnik taki nazywa bdziemy
pprzewodnikiem typu p (niedomiarowy). A gdy bd przewaa noniki
elektronowe, bdziemy nazywa je pprzewodnikami typu n (nadmiarowy).
Pprzewodnik typu n uzyskuje si przez dodanie w procesie wzrostu
krysztau krzemu domieszki pierwiastka piciowartociowego (np. antymon,
fosfor). Niektre atomy krzemu zostan zastpione w sieci krystalicznej
atomami domieszki, zwanymi donorami (rys. 2.4).

Si
+4

Si
+4

Si
+4
Elektron
nadmiarowy

Si
+4

P
+5

Si
+4

Si
+4

Si
+4

Si
+4

Rys. 2.4. Model sieci krystalicznej z domieszk atomw fosforu.

Kady atom domieszki ma pi elektronw walencyjnych, z ktrych cztery s

zwizane z ssiednimi atomami krzemu. A pity elektron jest wolny i moe by
atwo oderwany od atomu domieszki jonizujc dodatnio. Elektron wwczas
przechodzi do pasma przewodnictwa pprzewodnika. Atomy domieszki w
modelu pasmowym pprzewodnika znajduj si na tzw. poziomie donorowym,
ktry wystpuje w pobliu dna pasma przewodnictwa pprzewodnika (rys. 2.5).

Pasmo przewodnictwa
(nadmiar elektronw)

Poziom donorowy
Elektrony

Pasmo podstawowe
X

Rys. 2.5. Model pasmowy pprzewodnika krzemowego z domieszkami donorowymi.

W temperaturze pokojowej prawie wszystkie atomy domieszkowe zostay

zjonizowane. Oznacza to, e na poziomach donorowych nie ma ju elektronw,
gdy wszystkie przeszy do pasma przewodnictwa. Liczba elektronw w pamie
przewodnictwa jest znacznie wiksza ni dziur w pamie podstawowym.
Dlatego te te pierwsze nosz nazw nonikw wikszociowych, a te drugie
nonikw mniejszociowych.
Pprzewodnik typu p uzyskuje si przez zastpienie niektrych atomw
krzemu atomami pierwiastkw trjwartociowych (np. glinu, galu). Na rysunku
2.6 przedstawiono model sieci krystalicznej krzemu z domieszk atomw indu.

Si
+4

Si
+4

Si
+4
Dziura

Si
+4

+3

Si
+4

Si
+4

Si
+4

Si
+4

In

Rys. 2.6. Model sieci krystalicznej krzemu z domieszk atomw indu.

Atom tej domieszki ma trzy elektrony walencyjne, zwizane z ssiednimi

atomami krzemu. Do wypenienia czwartego wizania ssiadujcego krzemu,
brakuje w sieci krystalicznej jednego elektronu i zostaje on uzupeniony przez

pobranie elektronu z jednego z ssiednich wiza, w ktrym powstaje dziura.

Atom pierwiastka trjwartociowego, zwanego akceptorem, po uzupenieniu
elektronu w nieprawidowym wizaniu (na skutek niedostatku adunkw
dodatnich w jdrze) staje si jonem ujemnym, wywoujc lokaln polaryzacj
krysztau.
Elektron ten przechodzi z pasma podstawowego pprzewodnika na poziom
akceptorowy, jonizujc tym samym ujemnie atom domieszki. Poziom
akceptorowy znajduje si w pobliu wierzchoka pasma podstawowego
pprzewodnika (rys.2.7).
W
Pasmo przewodnictwa
Dziury
Poziom akceptorowy

Pasmo podstawowe
(nadmiar dziur)
X
Rys. 2.7. Model pasmowy pprzewodnika krzemowego z domieszkami akceptorowymi.

W temperaturze pokojowej wszystkie poziomy akceptorowe s zapenione

elektronami, ktre przeszy z pasma podstawowego. Na skutek tego liczba dziur
w pamie podstawowym jest wielokrotnie wiksza ni elektronw w pamie
przewodnictwa. W pprzewodniku typu p dziury w pamie podstawowym s
nonikami wikszociowymi, a elektrony w pamie przewodnictwa nonikami
mniejszociowymi.
W kadym pprzewodniku (niezalenie od koncentracji domieszek) w
stanie rwnowagi termicznej jest speniony warunek neutralnoci, tzn. w
kadym punkcie pprzewodnika wypadkowy adunek elektryczny jest rwny
zeru. Wszelkie zaburzenia warunku neutralnoci powoduj powstanie pola
elektrycznego, ktre przywraca stan rwnowagi elektrycznej.
Ustalenie si koncentracji nonikw na odpowiednim poziomie zachodzi w
wyniku rekombinacji, ktry rwnoway te generacj termiczn nonikw.