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Transistor
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar una seal de
salida en respuesta a una seal de entrada.1 Cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer
resistor (resistor de transferencia). Actualmente se encuentran prcticamente en todos los
aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video,
relojes de cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares,
entre otros.
Tipos de transistor
Transistor de contacto puntual
Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener
ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de
germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de
cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y
el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve en el
colector, de ah el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco
conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe
poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W.
Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
Transistor de unin bipolar
El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus siglas del ingls bipolar junction transistor) se
fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el germanio, el silicio o el
arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre las de un conductor elctrico y las
de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy controlada tres
zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen contaminando
el sustrato con tomos de elementos donantes de electrones, como el arsnico o el fsforo;
mientras que las zonas P (donde se generan portadores de carga Positiva o huecos) se
logran contaminando con tomos aceptadores de electrones, como el indio, el aluminio o el
galio.
La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra
intermedia siempre corresponde a la regin de la base, y las otras dos al emisor y al colector
que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin
entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas
contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin
(difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.
Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo
en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los
terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto
de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de
material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos
contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el
drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la
que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de
puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en
funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.
Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla
del canal mediante un dielctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xidoSemiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal
semiconductor por una capa de xido.
Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a
la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz
incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que
puede trabajar de 2 maneras diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente
de base. (IP) (modo de iluminacin).
Transformador
Se denomina transformador a un dispositivo elctrico que permite aumentar o disminuir la
tensin en un circuito elctrico de corriente alterna, manteniendo la potencia. La potencia
que ingresa al equipo, en el caso de un transformador ideal (esto es, sin prdidas), es igual a
la que se obtiene a la salida. Las mquinas reales presentan un pequeo porcentaje de
prdidas, dependiendo de su diseo y tamao, entre otros factores.
El transformador es un dispositivo que convierte la energa elctrica alterna de un cierto nivel
de tensin, en energa alterna de otro nivel de tensin, basndose en el fenmeno de la
induccin electromagntica. Est constituido por dos bobinas de material conductor,
devanadas sobre un ncleo cerrado de material ferromagntico, pero aisladas entre s
elctricamente. La nica conexin entre las bobinas la constituye el flujo magntico comn
que se establece en el ncleo.
Tipos de transformadores.
Se denomina con este nombre al aparato elctrico cuya funcin es convertir la corriente
alterna de alta tensin y dbil intensidad en otra de baja tensin y gran intensidad, o
viceversa.
Segn sus aplicaciones, los tipos de transformadores son los siguientes:
corriente para las bobinas de deflexin horizontal. Entre otras propiedades, frecuentemente
proporciona otras tensiones para el tubo.
Transformador con diodo dividido: Su nombre se debe a que est constituido por
varios diodos menores en tamao, repartidos por el bobinado y conectados en serie, de
modo que cada diodo slo tiene que soportar una tensin inversa relativamente baja. La
salida del transformador va directamente al nodo del tubo, sin diodo ni triplicador.