Professional Documents
Culture Documents
Miniaturyzacja
zwiększenie skali integracji us
zmniejszenie kosztów wytwarzania
wzrost częstotliwości
wzrost niezawodności
zmniejszenie szumów (słabe sygnały)
zmniejszenie wydzielanej mocy w us
zmniejszenie iloczynu Pmax * f
zwiększenie pojemności tanich pamięci elektronicznych
wzrost efektywności źródeł zasilania (baterie i ogniwa słoneczne)
wzrost temperatury pracy us
dalsza globalizacja produkcji masowej
wprowadzenie na szeroką skalę technik cyfrowych
elektronizacja istniejących produktów
powstawanie nowych produktów (w kierunku elektroniki osobistej)
2 Sygnał i pojęcia
Sygnał (łac.), umowny znak (np. rysunek, litery, cyfra) lub przebieg dowolnej wielkości fizycznej,
będący nośnikiem informacji (ostrzeżenia) bądź bodźca wywołującego reakcję, umożliwiający
przesyłanie informacji na odległość bądź jej rejestrację.
W elektronice sygnały występują jako:
• elektryczne (np. przebieg natężenia prądu lub napięcia elektrycznego),
• optyczne,
• akustyczne.
Odbiornikiem tych sygnałów są odpowiednio:
układy elektroniczne, optoelektroniczne bądź mechaniczne
Sygnały analogowe stanowią funkcje (zdeterminowane lub zmienne losowo) wyrażające w
sposób ciągły przebieg określonej wielkości w czasie. Zbiór wartości sygnału analogowego jest
nieprzeliczalny
Funkcje zdeterminowane określają jednoznacznie wartość danej wielkości w każdym momencie
obserwacji.
Typowym przedstawicielem funkcji zmiennych losowo są w elektronice szumy - sygnały
zakłócające pochodzące ze źródeł zewnętrznych ( wyładowania atmosferyczne) bądź mogą to być
tzw. szumy wewnętrzne wynikające z natury elementów elektronicznych.
Sygnał analogowy - sygnał, który może przyjmować dowolną wartość z ciągłego przedziału
(nieskończonego lub ograniczonego zakresem zmienności). Jego wartości mogą zostać
określone w każdej chwili czasu dzięki funkcji matematycznej opisującej dany sygnał.
W przypadku sygnału cyfrowego zmiana wartości sygnału odbywa się skokowo w
określonych momentach czasowych. Zmiana następuje od wysokiego poziomu napięcia
oznaczonego jako VH do poziomu niskiego VL i odwrotnie.
Sygnały zdeterminowane – są to sygnały, które mogą być opisane za pomocą ścisłych zależności
matematycznych, czyli dowolnych rzeczywistych lub zespolonych funkcji czasu.
5. Wyjaśnij, dlaczego sygnały sinusoidalne znajdują powszechne zastosowanie we
współczesnej energoelektryce i elektronice.
Wartości chwilowe można zastąpić równoważnymi wartościami prądu stałego jeśli obliczenia
dotyczą:
- Ładunku elektrycznego związanego z przepływem prądu sinusoidalnego to posługujemy się
wartością średnią definiowaną dla połowy okresu
- Rozważań energetycznych to prąd sinusoidalny zastępuję się równoważonym pradem
stałym i nazywanym wartościa skuteczną I danego prądu sinusoidalnego
Wartość średnia sygnału x oznaczana jest symbolem i dla odpowiedniej klasy sygnału wyraża się
następującymi zależnościami:
Wartość średnia sygnału x jest granicą dla sygnałów o nieskończonym czasie trwania (2s)
Wartość średnia dla sygnałów okresowych wyraża się zależnością 3s
1
x lim x(t ) dt 2s
2
t0 T
1
x x (t )dt 3s
T t0
t0 dowolny punkt na osi czasu. Wartość średnia dla sygnałów impulsowych wyraża się zależnością 4s
t2
1
x x (t )dt 4s
t2 t1 t1
7. Zdefiniuj pojęcie wartości skutecznej sygnału zmiennego w czasie (i(t); u(t)). Określ w
jakim przypadku wartość chwilową sygnału zastępuje się równoważną wartością
skuteczną prądu ( I ) bądź napięcia ( U ).
Wartość skuteczna sygnału przemiennego jest równa wartości sygnału stałego, który
powoduje takie same skutki energetyczne jak sygnał przemienny
9. Kiedy stosuje się względną miarę logarytmiczną (tzw. skalę decybelową [ dB ]). Jeżeli
liniowy stosunek napięć U2/U1 = 1/√ 2 to odpowiada to w skali decybelowej …. [dB].
Jeżeli liniowy stosunek napięć U2/U1 = 1/√ 2 to odpowiada to w skali decybelowej -3 [dB].
Bit (z ang. binary digit) – najmniejsza ilość informacji potrzebna do określenia, który z
dwóch równie prawdopodobnych stanów przyjął układ. Bit przyjmuje jedną z dwóch
wartości, które zwykle określa się jako 0 (zero) i 1 (jeden), choć można przyjąć dowolną inną
parę wartości, np. prawda i fałsz, tak lub nie czy -1 i +1.
Bajt (ang. byte) - najmniejsza adresowalna jednostka informacji pamięci komputerowej,
składająca się z bitów (ang. również bit od binary digit).W praktyce przyjmuje się, że jeden
bajt to 8 bitów, choć to nie wynika z powyższej definicji. Aby uniknąć niejednoznaczności,
jednostka składająca się z ośmiu bitów zwana jest również oktetem. Bywa też że "bajt"
definiuje się jako 8 bitów, najmniejszą adresowalną jednostkę pamięci nazywając znakiem.
Słowo maszynowe lub po prostu słowo to podstawowa porcja informacji, na której operuje
system komputerowy. Jest to przeważnie wielokrotność bitu, jako że obecne komputery
posługują się arytmetyką dwójkową. Wielkość słowa określa rozmiar szyny danych oraz
rejestrów procesora.
14. Przedstaw sposób przeliczania z systemu dziesiętnego na system binarny np. 125(10);
Rezystor jest to element elektroniczny, którego właściwością użytkową jest rezystancja, stała
dla danego obwodu elektrycznego. Całkowita moc pobierana przez rezystor zamieniana jest w
inną postać energii (ciepło, promieniowanie elektromagnetyczne). Spadek napięcia u(t) na
rezystorze zachowuje zgodność faz z przepływającym prądem i(t).
Parametry opisujące (charakteryzujące) rezystor:
Rezystancja znamionowa: Rn [Ω] znormalizowane szeregi E6, E12, E24… w
których stosunek kolejno następujących po sobie wartości rezystancji
wzrastających z postępem geometrycznym wynosi ⁿ√10, gdzie n liczba
wartości mieszczących się w dekadzie
Moc znamionowa Pn [W]
Napięcie graniczne Ugr [V]
Temperaturowy współczynnik rezystancji TWR=∆R/R*∆T [10-6/0]
Połączenie szeregowe
Rezystancja równoległa
R2 30
U wy U we 100 60[ ]
R1 R2 50
gdzie:
C - pojemność, w faradach
Q - ładunek zgromadzony na jednej okładce, w kulombach
U - napięcie elektryczne między okładkami, w woltach.
24. C1 = 20 pF, C2 = 30 pF. Ile wynosić będzie pojemność zastępcza C, gdy kondensatory
te połączymy szeregowo a ile, gdy połączymy je równolegle. Wymień podstawowe
parametry kondensatorów.
Przy połączeniu szeregowym kondensatorów, odwrotność pojemności wypadkowej jest równa sumie
odwrotności wszystkich pojemności składowych:
1 1 1 1
...
Cz C1 C2 C3
gdzie:
Cz - pojemność zastępcza (wypadkowa)
C1, C2, C3 - pojemności składowe
C1=20pF, C2=30pF
C1 C 2 600
Cz 12[ pF ]
C1 C 2 12
Przy połączeniu równoległym kondensatorów, pojemność wypadkowa jest równa sumie pojemności
składowych:
Cz = C1 + C2 + C3 ...
gdzie:
Cz - pojemność zastępcza (wypadkowa)
C1, C2, C3 - pojemności składowe
Cz=20+30=50[pF]
Parametry kondensatorów:
Pojemność znamionowa
Napięcie znamionowa
Stratność kondensatora
zastępcza rezystancja szeregowa
25.) Zdefiniuj pojęcia: półprzewodnik (wymień znane ci materiały, rodzaje), defekty
strukturalne ( opisz ich naturę).
a) PÓŁPRZEWODNIKI
- > są to materiały nieorganiczne lub organiczne najczęściej krystaliczne
o rezystywności (10-6 ÷ 106 Ωm), co plasuje je między przewodnikami a izolatorami.
Wartość rezystancji półprzewodnika maleje ze wzrostem temperatury. Półprzewodniki posiadają
pasmo wzbronione między pasmem walencyjnym a pasmem przewodzenia w zakresie 0 - 5 eV,
(np. Ge (german) 0,7 eV, Si (krzem) 1,1 eV , GaAs (arsenek galu) 1,4 eV, GaN 3,4 eV)
- > są to materiały, których własności elektryczne (rezystywność) silnie zależą od:
1. temperatury,
2. oświetlenia,
3. koncentracji domieszek (czystości),
Ze względu na skład chemiczny dzieli się je na:
1. pierwiastkowe (zbudowane z atomów jednego pierwiastka)
IV gr.- StIV, GeVI CIV, (BIII, SeVI, TeVI)
2. związki chemiczne (o składzie ilościowym zgodnym z wymaganiami wartościowości –
skład stechiometryczny
AIVBIV,- SiC, AIIIBv - GaAs, A IIBVI - ZnS, CdTe,HgTe, AIVBVI -
3. kryształy mieszane (dwa lub więcej pierwiastków lub związków, skład ilościowy może się
zmieniać w szerokich granicach, nie są idealnie jednorodne)
GexSi1-X (0< x <1), GaAs1-x PX - mieszanina GaAs i Gap -> LED
- luki węzłowe -> wakanse, węzły sieci krystalicznej przypadkowo nie obsadzone przez właściwe
atomy.
- atomy międzywęzłowe -> dodatkowe atomy własne znajdują się w położeniach, które w idealnej
sieci nie powinny być obsadzone.
- atomy obce -> w węzłach lub położeniach międzywęzłowych sieci.
- dyslokacje - zaburzenia ciągłości przesunięcie części sieci w stosunku do pozostałe)
- powierzchnia -> powierzchnia kryształu na której urywa się periodyczna struktura sieci
krystaliczną.
Domieszki ( zanieczyszczenia sieci) powodują pojawienie się dozwolonych poziomów
energetycznych w paśmie zabronionym, energia jonizacji domieszek jest bardzo mała w
porównaniu z szerokością pasma zabronionego, zatem nośniki z poziomów domieszkowych
mogą być łatwo dostarczane do odpowiednich pasm.
Defektami nazywa się półprzewodniki niesamoistne lub półprzewodniki domieszkowe.
26.) Dokonaj klasyfikacji materiałów z użyciem modelu pasmowego.
Klasyfikacja materiałów z użyciem modelu pasmowego ->
W powszechnie stosowanej klasyfikacji materiałów elektronicznych wyróżnia się :
przewodniki
półprzewodniki
dielektryki (izolatory)
W klasyfikacji tej jako kryterium podziału zwykle przyjmuje się umownie wartości graniczne
rezystywności p w temperaturze T = 300,
(Innym), często stosowanym kryterium, głębiej ujmującym istotę fizyczną tej klasyfikacji, jest
wartość szerokości pasma zabronionego Wg. Gdy szerokość pasma zabronionego jest większa niż
pewna umownie przyjęta wartość, najczęściej 2 eV, wówczas materiał jest dielektrykiem. Dla
przewodników Wg w przybliżeniu = 0, natomiast dla półprzewodników 0 < Wg < 2 eV
Półprzewodnik samoistny.
33.) Jak zmienia się położenie poziomu Fermiego półprzewodnika domieszkowanego gdy
rośnie T oraz gdy rośnie koncentracja domieszek ( odpowiednio dla półprzewodnika typu
n i półprzewodnika typu p
1 k BT Na
Ea ln 3/ 2
2 2 m k T
4 a B2
2
-Złącze p-n (homozłącze) – dwa obszary tego samego pp. Różniące się typem przewodnictwa.
-Heterozłącze – dwa obszary różnych pp. (np..Si i Ge)
-złącze metal – półprzewodnik, m-s
-złącze metal – izolator – półprzewodnik MIS
40. Przedstaw model pasmowy złącza p-n bez polaryzacji zewnętrznej.
41. Przedstaw model pasmowy złącza p-n dla polaryzacji przewodzenia.
43. Przedstaw mechanizm powstawania złącza p-n. Wyjaśnij pojęcia: bariera potencjału,
warstwa zaporowa, napięcie dyfuzyjne.
Przed połączeniem oba obszary „p” i „n” są elektrycznie neutralne. Po połączeniu (w skali
atomowej) nośniki większościowe z każdego obszaru dyfundują do drugiego i tam
rekombinują. W strefie granicznej pozostaje nieskompensowany ładunek
donorów/akceptorów, tworzy się warstwa dipolowa i odpowiadająca jej bariera potencjału
hamująca dalszą dyfuzję nośników większościowych. Pole bariery sprzyja przepływowi
nośników mniejszościowych o ile trafiają one w obszar warstwy ładunku przestrzennego
złącza (warstwy zubożonej)
Bariera potencjału - ograniczony obszar (zazwyczaj niewielki), w którym energia potencjalna
cząstki (punktu materialnego) przyjmuje wartości większe niż w otoczeniu tego punktu.
W mechanice klasycznej cząstka, której energia jest mniejsza od energii maksymalnej w
barierze potencjału nie przejdzie przez barierę potencjału.
44. Co to jest napięcie dyfuzyjne złącza p – n . Od czego zależy jego wartość (wzór).
wzór Shockley`a
Natężenie prądu płynącego przez idealne złącze p-n w funkcji napięcia polaryzacji złącza
definiuje wzór Shockley’a opisujący dyfuzyjny mechanizm przepływu nośników prądu:
qU qU
I I S exp 1 czyli I I S exp IS (1)
kT kT
Dn n p D p pn
gdzie: I S qS – tzw. prąd nasycenia złącza (2)
Ln Lp
U – napięcie polaryzacji, T – temperatura [K], S – powierzchnia złącza,
Dp, Dn – stałe dyfuzji dziur i elektronów, Ln, Lp – drogi dyfuzji elektronów i dziur,
np, pn – koncentracje nośników mniejszościowych,
k=8,62·10-5eV/K–stała Boltzmanna, q=1,6·10-19 C – ładunek elementarny.
Wartość współczynnika doskonałości złącza n zależy od udziału składowej dyfuzyjnej
i rekombinacyjnej w prądzie płynącym przez złącze. Teoretycznie n powinno się zawierać
między 1 (tylko prąd dyfuzji) i 2 (tylko prąd rekombinacji).
51. Określ warunki, w jakich występuje zjawisko przebicia Zenera. Zilustruj mechanizm tego
zjawiska na modelu pasmowym. Podaj praktyczny sposób wykorzystania tego zjawiska.
52. Określ warunki, w jakich występuje zjawisko przebicia lawinowego. Zilustruj
mechanizm tego zjawiska. Podaj wzór empiryczny określający współczynnik powielania.
53. Czym jest przebicie złącza p – n ? Wymień i opisz rodzaje przebić występujących w
przyrządach półprzewodnikowych.
Przy polaryzacji zaporowej złącza p-n prąd przez niepłynący daje opisać się wzorem
(9) tylko dla ograniczonych wartości napięcia polaryzacji złącza. Po przekroczeniu pewnego
napięcia krytycznego następuje przebicie, czyli gwałtowny wzrost natężenia płynącego prądu.
Dwa podstawowe mechanizmy przebicia to efekt Zenera i zjawisko powielania lawinowego.
Efekt Zenera polega na tunelowym przejściu elektronu (tzn. bez straty energii)
z pasma podstawowego do pasma przewodnictwa półprzewodnika. Występuje on przede
wszystkim w półprzewodnikach silnie domieszkowanych (cienkie złącze, a co za tym idzie
duże natężenie pola elektrycznego w jego obszarze (≈108 V/m)).
21, 28, 38 i od 54 do 60