Objetivos

Determinar los parmetros elctricos de conductividad de un transistor.

Determinar las caractersticas fsicas y elctricas de un transistor BJT
Analizar las caractersticas de transistores BJT
Calcular la curva de los transistores BJT

Marco Terico
El transistor
Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulacin de una
corriente grande mediante una seal muy pequea. Existe una gran variedad
de transistores. En principio, se explicarn los bipolares. Los smbolos que
corresponden a este tipo de transistor son los siguientes:

Transistor NPN

Transistor PNP
un transistor PNP

Estructura de un transistor NPN

Estructura de

Veremos ms adelante como un circuito con un transistor NPN se puede

adaptar a PNP. El nombre de estos hace referencia a su construccin como
semiconductor.
1. FUNCIONAMIENTO BASICO
Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula intensidad por la Base del
transistor por lo que la lmpara no se encender, ya que, toda la tensin se
encuentra entre Colector y Emisor. (Figura 1).

Figura 1

Figura 2

Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequea circular por
la Base. As el transistor disminuir su resistencia entre Colector y Emisor por lo
que pasar una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la lmpara.
(Figura 2).
En general: IE < IC < IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE
2. POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR
Una polarizacin correcta permite el funcionamiento de este componente. No
es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP.

Polarizacin de un transistor NPN

Polarizacin de un transistor PNP

Generalmente podemos decir que la unin base - emisor se polariza

directamente y la unin base - colector inversamente.

Equipos y materiales
-

Protoboard
Resistencias
Transistor BC548
Miliampermetro DC
Voltmetro DC
Fuente DC

Procedimiento
Identificacin del transistor
Identifique las terminales del transistor BJT

1. Emisor
2. Base
3. Colector

Selecciones la escala de la
prueba de Diodos en el DMM

2
1

Conectar los terminales del DMM con el transistor de acuerdo a la tabla

1. Registrar la lectura del DMM.
Tabla 1
Terminal Rojo (+)
1
2
1
3
2
3

Terminal Negro (-)

2
1
3
1
3
2

Lectura del DMM

0.894
0.882
-

Indicar las caractersticas del transistor en al siguiente tabla.

Tabla 2

Terminal Base
Terminal Colector
Terminal Emisor
Tipo del transistor
Material del transistor

2
3
1
NPN
Silicio
Vref +V

Rc1
Rb1
Rc2

Rb2

1. Mediante el multmetro, obtenga las siguientes caractersticas del

transistor: deduccin del tipo de transistor (NPN o PNP en los BJT),
configuracin de cada patilla y B (hFE).
2. Para ello, encontrar cul es la situacin de los diodos y su polaridad. Una
vez conocida la correspondencia de cada plantilla, colocar
adecuadamente en el multmetro para medir B en el caso de un BJT. De
esta forma se puede deducir si se trata de un PNP, de un NPN si son BJTs.
3. Utilizando la hoja de datos analizar las siguientes caractersticas del
transistor: tipo de transistor, configuracin de cada patilla, potencia
mxima Vce Mxima, Ic mxima, B (hFE) y frecuencia de corte.
4. En el circuito, T1 = BC548B; Vref= 15V; Rb1= 4.7kOhm; Rb2= 5MOhm;
Rc1= 100 y Rc2 = 10 KOhm. Se requiere ajustar Rb2 de tal manera que
Ib alcance los 25uA. A continuacin se vara Rc 2 de forma de Vce sea 0
V, 0.5V, 1V Y 1.5V midiendo en los distintos casos corriente Ic.

Ib = 25 uA

Ic =

Vce = 0V
2.77 uA

Vce = 0.5V
5.65 uA

Vce = 1V
5.58 uA

Vce = 1.5V
5.99 uA

Ib = 50 uA
Ib = 75 uA
Ib = 125
uA

Ic =
Ic =
Ic =

2.72 uA
2.16 uA
2.90 uA

10.61 uA
14.69 uA
21.6 uA

11.44 uA
15.86 uA
25.6 uA

5. Grafique Vce vs Ic.

Vce vs Ic(25 uA)

7
6
5

Vce vs Ic(25 uA)

4
3
2
1
0
0V

0.5V

1V

1.5V

Vce vs Ic(50 uA)

14
12
10
Vce vs Ic(50 uA)

8
6
4
2
0
0V

0.5V

1V

1.5V

11.57 uA
16.23 uA
26.6 uA

Vce vs Ic(75 uA)

20
15

Vce vs Ic(75 uA)

10
5
0
0V

0.5V

1V

1.5V

Vce vs Ic(125 uA)

30
25
20

Vce vs Ic(125 uA)

15
10
5
0
0V

0.5V

1V

1.5V

Caractersticas del Colector:

a. Construya el circuito

Rc (medido) = 969
ohm

b. Fijar el voltaje Vrb a 3.3V variando el potencimetro de 1M. Esto fijara Ib

= Vrb/Rb a 10 uA como se indica en la tabla 3.
c. Luego fijar Vce a 2V variando el potencimetro de 5K como se indica en
la primera lnea de la tabla 3.
d. Registre el voltaje Vrc y Vbe en la tabla 3.
e. Variar el potencimetro de 5K para incrementar Vce de 2V hasta los
valores que aparecen en la tabla 3.
f. Para cada valor de Vce mida y registre Vrc y Vbe.
g. Repita los pasos B y F para todos los valores indicados en la tabla 3.
Cada valor de Vrb establecer un nivel diferente de Ib para la secuencia
de valores de Vce.
h. Despus de haber obtenido todos los datos, calcule el valor de Ic=Vrc/Rc
y el valor de Ie = Ic + Ib.
Vrb(V)
(medid
o)

Ib(uA)
(calcula
do)

Vce(V)
(medid
o)

Vrc(V)
(medid
o)

Ic(mA)
(calcula
do)

Vbe(V)
(medid
o)

Ie(mA)
(calcula
do)

(calcula
do)

(calcula
do)

3.3
3.3
3.3

10
10
10

2
4
6

5.4
11.8
20.5

5.6
12.2
21.1

0.75
0.76
0.77

5.7
12.3
21.2

0.98
0.99
0.99

56
122
211

6.6
6.6
6.6

20
20
20

2
4
6

6.9
14.73
20.4

7.1
15.2
21.03

0.77
0.78
0.78

7.3
15.4
21.23

0.97
0.98
0.99

35.5
76
105.15

9.9
9.9

30
30

2
4

6.59
20.3

6.8
20.9

0.77
0.78

7.1
21.2

0.95
0.98

22.7
69.7

13.2
13.2

40
40

2
4

9.4
20.4

9.7
21.0

0.80
0.81

10.1
21.4

0.96
0.98

24.25
52.5

16.5
16.5

50
50

2
4

10.5
20.4

10.8
21.0

0.79
0.80

11.3
21.5

0.955
0.976

21.6
42

i.

Usando los datos de la tabla 3, dibuje la curva caracterstica del

transistor en la fig. 3. La curva es Ic vs Vce para los diferentes valores de
Ib.

Vce vs Ic (Ib = 10)

30
Vce vs Ic (Ib = 10)

20
10
0
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5

Vce vs Ic (Ib = 20)

30
Vce vs Ic (Ib = 20)

20
10
0
1

Vce vs Ic (Ib = 30)

25
20

Vce vs Ic (Ib = 30)

15
10
5
0
1.5

2.5

3.5

4.5

Vce vs Ic (Ib = 40)

25
20

Vce vs Ic (Ib = 40)

15
10
5
0
1.5

2.5

3.5

4.5

Vce vs Ic (Ib = 50)

25
20
Vce vs Ic (Ib = 50)

15
10
5
0
1.5

2.5

3.5

4.5

CUESTIONARIO FINAL:
1. La grafica Vce vs Ic, Qu caractersticas tiene?, las
intersecciones con el eje x i y que representan?
A medida que la corriente en B incrementa, las medidas que se pueden
obtener para Vrc se hacen menores, empieza en un valor pequeo hasta
el valor de la fuente.
Las intersecciones representan el punto comn y similar que posee el
transistor con la corriente.
2. Qu diferencias encuentra entre las graficas para 25, 50, 75 y
125 uA?
Posee una parte que es semejante, luego varia a partir de 0.5 V para
todos los casos, las graficas tienen deformaciones, porque vencen la
conduccin del transistor.
3. Cundo se dice que un transistor esta en corte, se da este caso
en la prctica?
Cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar tampoco por sus
otros terminales, en la prctica no se dio este caso.
4. Cuando se dice que un transistor esta en saturacin, se logra
en la practica?

El transistor est en saturacin cuando la corriente en la base es muy

alta; en ese caso se permite la circulacin de corriente entre el colector y
el emisor y el transistor se comporta como si fuera un interruptor
cerrado. En la prctica realizada se supone que la corriente de la base es
muy grande, debido a que se considera la corriente del colector-emisor.
5. Indique la relacin entre Ic e Ib que encontr en la prctica.
Es la corriente que pasa por la base y por el colector del transistor,
segn se ve en la practica, la corriente de la base del transistor es
menor que la del colector, eso puede deberse a que en la base se usa
una resistencia mayor, esa resistencia ofrece una mayor oposicin al
paso de la corriente.

CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES:
-

En algunos caso, este caso la practica, no se llega a varias medidas de

colector-emisor, esto se debe a que el transistor esta en saturacin.