Professional Documents
Culture Documents
ELEKTROTECHNIKI
Rok akad.
2015/2016
Rodzaj
studiw:
MT_SI
I NAPDW
Temat wiczenia:
Badanie zjawisk rezonansowych
w obwodach elektrycznych
Skad sekcji:
Kierunek: AiR
Semestr: V
Grupa: 1
Sekcja: 1
1.Martyna Kolarczyk
2.Mateusz Kosior
3.Elbieta Kamierczak
4.Oriana Gramatyka
5.Pawe Kaszuba
Prowadzcy:
dr in. Anna Piwowar
Data wykonania:
Data oddania:
Ocena:
Podpis:
19.10.2015
str.
str.
XL[Ohm]
XC[Ohm]
R[Ohm]
Z[Ohm]
XL[Ohm]
XC[Ohm]
R[Ohm]
Z[Ohm]
4000
1500
4000
1500
1250
375
1250
375
300
900
150
300
800
150
400
866,667
100
384,615
769,231
115,385
538,462
589,744
25,641
38,462
565,217
608,696
86,957
65,217
536,585
560,976
48,78
36,585
565,217
608,696
130,435
65,217
523,81
547,619
47,619
35,714
541,667
583,333
125
62,5
534,884
534,884
46,512
34,884
541,667
583,333
125
62,5
522,727
522,727
45,455
34,091
541,667
583,333
125
62,5
522,727
522,727
45,455
34,091
583,333
583,333
125
62,5
522,727
522,727
45,455
34,091
583,333
583,333
125
62,5
522,727
522,727
45,455
34,091
583,333
583,333
125
62,5
545,455
522,727
45,455
34,091
583,333
583,333
125
62,5
551,724
517,241
45,977
34,483
583,333
583,333
125
62,5
551,724
505,747
45,977
34,483
583,333
583,333
125
62,5
534,884
500
46,512
34,884
583,333
541,667
125
62,5
541,176
494,118
23,529
35,294
595,745
531,915
127,66
63,83
517,647
470,588
23,529
35,294
636,364
522,727
90,909
68,182
552,632
460,526
26,316
39,474
666,667
476,19
95,238
71,429
571,429
428,571
42,857
684,211
473,684
105,263
78,947
640
400
60
685,714
457,143
57,143
85,714
1000
300
150
800
300
150
1200
300
1200
300
R1=26 [Ohm]
R2=85 [Ohm]
str.
R2
str.
R2 -
str.
R2
str.
Wnioski z wykresw
Mona zaobserwowa e wraz ze zwikszaniem si czstotliwoci, a do wartoci
krytycznej f0 = 2500 [Hz] zwiksza si warto prdu, a nastpnie maleje do wartoci
zerowej. Porwnujc wykresy wida, e mniejsza rezystancja, pozwala na uzyskanie blisko
dwukrotnie wyszych wartoci (8,7) prdu ni w przypadku jej podwojenia czyli dla 2R
(wynosi ona 4,8). Natomiast czstotliwo rezonansowa nie zmienia si i pozostaje przy
wartoci 2500 [Hz].
Obserwujc wykresy, zauway mona e reaktancja pojemnoci(X C) i reaktancja
indukcyjnoci (XL) przecinaj si dokadnie w miejscu czstotliwoci rezonansowej czyli w
punkcie = 2500 [kHz]. Warto parametru XC wraz ze wzrostem czstotliwoci cigle maleje,
a niewielki skok jaki zaobserwowano przy f = 2750 [kHz] musi by bdem pomiarowym
wynikajcym z maej dokadnoci dziaek pomiarowych. Warto Reaktancji indukcyjnoci
wraz ze wzrostem czstotliwoci cigle ronie. Jeeli chodzi o modu impedancji (Z) to
mona go opisa funkcj zblion do 1/x.
Jeli chodzi o wykresy napi od razu mona zauway , e rezystancja mocno
wpywa na napicia. Przy dwukrotnie wikszej rezystancji obserwujemy spadki napi o
blisko poow , w przypadku napicia na oporniku jest to stosunek 2/3 , dla napicia na
kondensatorze i cewce ten stosunek jest zbliony i wynosi okoo 3/5.
Mona zauway e napicia na cewce i kondensatorze s bardzo podobne, oba maj
tak sam amplitud , dla R1 = R wynosi ona 4,8 [V], a dla R2=2*R wynosi 2,8[V]. Jedyn
rnic jest fakt, e Uc jest zauwaalne przy mniejszej czstotliwoci, ale rwnie szybciej
dy do 0 po uzyskaniu progu krytycznego (czstotliwoci rezonansowej). Wzrost napicia na
oporniku, zaobserwowa mona dopiero przy okoo czstotliwoci wynoszcej 2000 [Hz]. A
spadem do 0 [V] , ju przy 2800 [ Hz].
Zaleno
midzy napiciem
a impedancj (rezystancja
+ reaktancje) stanowi
str.