COURS Exposé

UNIVERSITE HASSAN II CASABLANCA FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES MOHAMMEDIA
DEUST - MIP MODULE : E 141 CIRCUITS LECTRIQUES ET LECTRONIQUES

PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE
Cours expos
email : nasser_baghdad @ yahoo.fr
FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits lectriques et lectroniques
Pr . A. BAGHDAD

Contenu du programme
Chapitre I : Gnralits
Chapitre II : Rgime continu
Chapitre III : Rgime alternatif sinusodal
Partie A
Circuits lectriques
Chapitre IV : Les quadriples

Chapitre V : Les filtres passifs
Chapitre VI : Les diodes

Chapitre VII : Le transistor bipolaire
Partie B
Circuits lectroniques
Chapitre VIII : Lamplificateur oprationnel
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Chapitre VI
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Sommaire
I. Gnralits sur les diodes
II. Fonctionnement dune diode jonction
III. Applications de la diode jonction
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Pr . A. BAGHDAD
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1) Dfinition de la diode jonction

2) Lanode et la cathode
3) Fonctionnement
4) Le seuil de la jonction
5) Tension de claquage
6) Les diffrents type de diode
7) Utilisation des diodes
8) Conclusion
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1) Dfinition de la diode jonction

Une diode est le plus simple des composants dit actif, qui fait partie de la famille
des semi-conducteurs.
Les diodes standards sont essentiellement fabriquer soit du silicium, ou le
germanium qui est dsormais bien moins utilis.
Le silicium : Le silicium, est un lment qui se trouve abandonnement dans la
nature,
On le trouve, principalement, associer loxygne pour former la silice,
constituant de certaines roches, et des innombrables grains de sable de nos plages
et de nos rivires.
Le silicium est connu pour tre un bon conducteur de llectricit ainsi il offre des
caractristiques lectriques exceptionnelle entre celles des autre conducteurs,
comme les mtaux, et celles des isolants : on lappelle un semi-conducteur.
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En incorporant, au silicium pur, de trs faibles proportions dautres lments

convenablement choisis (phosphore, gallium, etc.) on modifie ses proprits.
Par cette mthode, on sait fabriquer deux types de semi-conducteurs : le type P
pour positif , et le type N pour ngatif .
Une diode est un petit cristal rassemblant cote cote, une zone P et une zone N, la
mince rgion de transition, de quelques micromtres dpaisseur, constitue la
jonction PN.
Une diode fait rfrence tout composant lectronique dot de deux lectrodes.
Il s'agit d'un composant polaris qui possde donc deux lectrodes, une anode et
une cathode.
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2) Lanode et la cathode
La connexion du cristal qui sort de la zone P, appele lanode, elle est symbolise
par la lettre A ; lautre est la cathode, quon reprsente par la lettre K.
Pour les distinguer sur la diode, on imprime, sur le boitier, un anneau situ
proximit de la cathode.
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3) Fonctionnement
Une diode permet de contrler la circulation du courant.
On peut dire quune diode laisse passer le courant lorsquelle est branche en
polarisation directe et bloque le passage du courant lorsque la polarisation est
inverse, une tension donne.
Cette caractristique permet de redresser un courant alternatif, pour ne laisser
passer que l'alternance positive ou que l'alternance ngative (selon l'orientation de la
diode).
Symbole :
La diode est reprsente par son symbole normalis :
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4) Le seuil de la jonction
Il correspond la tension de seuil ou la diode commence conduire dans le sens
passant, cest dire quil faut un minimum de tension directe pour rendre la diode
conductrice : cest le seuil de la jonction.
Pour une diode au silicium, ce seuil est de lordre de 0,6 V.

Tant que la diode reste passante, la tension ses bornes garde une valeur voisine
de 0,6 0,7V.
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5) Tension de claquage
En polarisation inverse, on constate que si lon dpasse une certaine valeur de
tension, il apparait galement un courant : cest le claquage de la jonction (tension de
claquage).
Ce phnomne est du soit leffet davalanche, soit leffet Zner. le claquage
nest pas destructif condition que le courant soit limit une valeur raisonnable par
une rsistance.
polarisation inverse
Polarisation directe
Vclaquage
La valeur Vclaquage pour une diode jonction est de lordre de 150 300 V
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6) Diffrents type de diodes

Il existe plusieurs catgories de diodes semi-condutrices, parmi elles, on y trouve :
la diode jonction PN
la diode Zener
Diode jonction
Diode Zener
DEL ou LED
Photodiode
Diode Tunnel
Diode Varicap
la diode DEL (ou LED)

la photodiode
la diode Tunnel
la diode schottky
la diode varicap
la diode Impatt,
la diode PIN
la diode Gunn, etc
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Diode Schottky
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Semi-conducteurs composites.
Remarque :
Les composants lectroniques sont fabriqus avec des matriaux semi-conducteurs
purs du groupe IV tels que le silicium, germanium ou de semi-conducteurs
composites combinant un ou plusieurs lments du groupe : III-V ou II-VI ou I-VII ou
IV-VI ou V-VI ou II-V
Les semi-conducteurs composites prsentent un grand intrt en raison de leurs
proprits : meilleurs mobilits, robustesse, conductivits thermiques leves, bruit,
puissance, la
Exemple : groupe III-V

La colonne III (bore, gallium, aluminium, indium, etc.)
La colonne V (arsenic, antimoine, phosphore, etc.)
Alliages binaires tels que : AsGa, AsIn
Alliages ternaires tels que : InGaAs, AlGaAs
Alliages quaternaires tels que : AlGaInP, InGaAsP
Alliages quinaires tels que : GaInNAsSb, GaInAsSbP
Le cours se limitera ltude du fonctionnement de la diode jonction.

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7) Utilisation des diodes

Avec tous ces types de diodes, on constate que la diode plusieurs domaines
dutilisation :
le redressement et le filtrage des signaux, cette fonction rencontr surtout dans les
alimentations.
dtecte les amplitudes des tensions pour aider au rfrencement de la tension.
elle peut servir de protection contre les surtensions.
la rgulations des tensions simples pour les diffrant montages.
peut gnrer de signaux haute frquence.
elle permet dmettre de la lumire (LED) pour laffichageetc.
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8) Conclusion
La diode se prsente comme un composant lectronique trs imposant et en mme

temps trs utile pour les diffrents montages car son domaine dutilisation est trs
vari et plus pratique.
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1) Symbole et convention
2) Linarit
3) Caractristique I(V) relle
4) quation lectrique de la diode
5) Polarisation de la diode
6) Montage pratique
7) Association de diodes
8) Influence de la temprature
9) Linarisation de la caractristique I(V)
10) Point de fonctionnement
11) Diffrents classes de fonctionnement

12) Diffrents modles linaires
13) Modle idal
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1) Symbole et convention
Symbole
Convention de signe
K
2 bornes ou 2 lectrodes :
A : Anode
K : Cathode
Tension :
K
V = VA VK = VAK
Lextrmit de la flche est au potentiel VA de lAnode.

Lorigine de la flche est au potentiel VK de la Cathode.
V est la tension aux bornes de la diode (ou d.d.p.), signifie V = VA VK
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Sens du Courant et signe de tension

Tension V positive
VA VK
Tension V ngative
V 0
VA VK
Les deux flches, de

tension et du courant,
sont dans le sens
contraire
V 0
V = VA - VK
V = VA - VK
I circule de A vers K
I circule de K vers A
Les deux flches, de tension
et du courant, sont dans le
mme sens
V 0
V 0
Cest la convention rcepteur : la diode est un rcepteur actif

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2) Linarit
Diple linaire : rsistance
Diple non linaire : diode
B
V = VA - VB
V = VA - VK
I = f(V) ce que lon veut
sauf une droite
I = f(V) est une droite
I
1/R
V
V
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V = VA - VB
I=-V/ R
V = VA - VK
I~0
V<0
V<0
I = f(V) ce que lon veut

sauf une droite
I = f(V) est une droite
V
1/R
La diode est un diple non linaire et non symtrique

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3) Caractristique I(V) relle
V<0
En inverse
V0
K
V>0
En direct
Grandeurs Caractristiques de la diode :
V0 : tension de seuil de la diode

V
Rd
: rsis tan ce dynamique
I
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V0 0,5 0,7
Si
V0 0,2 0,4
Ge
rd de qcq qcq10
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4) quation lectrique de la diode
V
I I s exp q
1
KT
Is : courant de saturation ~ (qcq nA) ngligeable
q = e-charge lmentaire de llectron = 1,6 10-19 C
K : constante de Boltzmann = 1,38 10-23 J/K
T : temprature (K)
T ( K ) T (C ) 275
20C
295K
et
77 K azote liquide ?
4 K Helium liquide ?
On pose uT
kT
q
et
25C
300 K
la valeur de uT 25C tan t 25mV
V
I I s exp
U
T
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5) Polarisation de la diode
Polarisation directe ou positive
VA > VK
+
Polarisation inverse ou ngative
VA < VK
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+
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6) Montage de polarisation de la diode

Polarisation directe ou positive
VA > VK ===> V > 0

A
R
+
-
E>0
E : f.e.m
V
I I s exp q
KT
K
Les flches de I et de V sont contraires VA > VK
E : tension dalimentation
R : Rsistance limitatrice du courant
D : diode jonction PN
E=RI+VV=ERIE
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V < E : Il y a de la chute de
tension dans la rsistance R
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27

Discussion :
Le + de E est de ct de A (lanode) et le de E et de ct de K (la cathode), VA > VK
V > 0 la diode est donc polarise positivement ou en direct.
La diode nest conductrice qu partir de V > V0 . Elle est dite galement passante
ou allume.
A partir de V > V0 , elle se comporte comme une trs faible rsistance : le semi
conducteur peut tre considr dans ce cas comme tant un conducteur.
En revanche, si 0 < V < V0 , la diode est bloque en direct, elle se comporte comme
une trs forte rsistance : le semi conducteur peut tre considr dans ce cas comme
tant un isolant.
I
DBD
DCD
V0
0 < V < V0
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V
I I s exp q
KT
V > Vs
* DBD si 0 < V < Vs

* DCD si V > Vs
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Polarisation inverse ou ngative
VA < VK ===> V < 0
A
R
E : f.e.m
E>0
I I s
I
K
Les flches de I et V ont le mme sens VA < VK
Il ny a aucune chute
de tension dans la
rsistance R
E = RI - V soit V = - E + RI = - E car I = 0 et V < 0 car E > 0

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Discussion :
Le - de E est de ct de A (lanode) et le + de E et de ct de K (la cathode), VA < VK
V < 0 la diode est donc polarise ngativement ou en inverse.
La diode est non conductrice ou non passante. Elle est dite galement bloque ou
teinte.
A partir de V < 0 , elle se comporte comme une trs forte rsistance ou rsistance
de fuite de forte valeur : le semi conducteur peut tre considr dans ce cas comme
tant un isolant.
I
I I s
qcqnA
I 0
DBI si V < 0
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30
VA < VK ===> V < 0
A
R
+
-

Variante :
E<0
E : f.e.m
I I s
I
K
Les flches de I et V ont le mme sens VA < VK

Il ny a aucune chute
de tension dans la
rsistance R
E = - R I + V soit V = E + R I = E car I = 0 et V < 0 car E < 0

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31

7) Association de diodes
Association en srie
Si
V > V01 + V02
+
-
V1
D1
D2
V2
D1
V01 V02
K2
ou
D2
Dq
V01 + V02
Les diodes ne sont conductrices

qu partir de V > V01 + V02
Vs = V01 + V02
A1
Association en parallle
+
-
V
D1
D2
K
Aucun intrt pratique car le courant I traverse la diode dont la tension de seuil est la
plus faible. Une diode en trop.
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8) Influence de la temprature
I
Pour une tension V fixe, le courant augmente
I(T)
I(T)
V0(T) V0(T)
La caractristique se rapproche de laxe des courants quand T augmente
T ' T
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I T ' I T
et
V0 T ' V0 T
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33

9) Linarisation de la caractristique I(V)

quation lectrique
quation dune droite
On nglige
leffet du
coude
linarisation
V0
V0
V
I I s exp q
KT
V ' ' Rd I
V ' V0
V
Echelle des abscisses :

V V 'V ' ' V0 rd I
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Circuit lectrique
V0
Circuit lectrique quivalent dune diode
I
Diode
Rd
Une diode est un rcepteur actif, elle est

symbolise par le circuit lectrique suivant :
V0 : f.c.e.m.
V V0 Rd I
rd : rsistance interne modlisant leffet joule
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+
-
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V0
35
La diode jonction PN est un rcepteur actif, la tension de seuil V0 dans le schma

lectrique quivalent doit tre obligatoirement une f.c.e.m.
Le courant I de conduction direct doit tre reu par la borne + de la V0 car cest une
f.c.e.m.
A
+
-
I
D
R
V
+
-

10) Point de fonctionnement
V0 -
Circuit quivalent
rd
K
Gnrateur E : metteur actif
E : f.e.m
Diode V0 : rcepteur actif
+
V0 : f.c.e.m
rd
ri
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Caractris tique du gnrateur : E RI V
q
Caractris tique de la diode : I I s exp
V
kT
V
Circuit
quivalent
V0
+
-
- Point de fonctionnement
E
- Point de polarisation I R
- Point de repos
E V
E V
R
polarisati on en direct
E
I
R
car
R
+
-
V VAK E RI
I
V0 -

On utilise la droite de charge du gnrateur (ou du circuit).

Lintersection de cette droite avec la caractristique de la diode donne le point de
fonctionnement.
RD
V0
E V
Courbe relle
Modle linaire
La diode fonctionne en polarisation directe uniquement
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37

11) Diffrents classes de fonctionnement
Classe A
La diode conduit en permanence

V
Classe B
La diode conduit durant une demi

priode du signal dentre.
I
Classe C
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La diode conduit durant moins dune

demi priode du signal dentre.
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38

I
Caractristique directe
V0
Caractristique inverse
V0
En direct :
A
K A
V
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Rd
-
V = V0 + R d I
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39

En direct :
FSTM : DEUST - MIP
V0
A
K
A
K
Rd
V = V0 + Rd I
En inverse :
I=0
V = Vmax < 0
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40

12) Modles linaires
FSTM : DEUST - MIP
I
V0
En direct :
K A
VF
+
-
V0
Pr . A. BAGHDAD
V = V0
41

En direct :
FSTM : DEUST - MIP
V0
A
K
A
K
+
K
V = V0
En inverse :
I=0
V = Vmax < 0
Pr . A. BAGHDAD
42

I
En direct :
A
K A
V
FSTM : DEUST - MIP
Rd
K
V = V0 + R d I
Pr . A. BAGHDAD
43

En direct :
FSTM : DEUST - MIP
A
K
Rd
A
K
V = Rd I
En inverse :
I=0
V = Vmax < 0
Pr . A. BAGHDAD
44

13) Modle idal
I
FSTM : DEUST - MIP
K A
K
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45

En direct :
FSTM : DEUST - MIP
I = Imax
A
K
A
K
V=0
En inverse :
I=0
V = Vmax < 0
Pr . A. BAGHDAD
46

K A
K
interrupteur lectronique
En direct : V > 0
I max
I
A
K A
P=V.I =0
CC
V=0
En inverse : V < 0
I
A
CO
K A
P=V.I =0
I=0
K
V max
Une diode idale peut tre considre comme un interrupteur lectronique qui ne
dissipe aucune puissance.
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47
FSTM : DEUST - MIP

Pr . A. BAGHDAD
48


1) Redressement simple alternance

2) Redressement double alternance avec 2 diodes
4) Circuit dcrtage
5) Circuit limiteur
6) Caractristiques des signaux priodiques

7) Redressement et filtrage
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49

1) Redressement simple alternatif

et)
+Emax
st)
e(t) = E sint
temps
e(t)
mono
alternance
+Smax
s(t)
-Emax
temps
-Smax
2) Redressement double alternatif avec 2 diodes

et)
+Emax
st)
e(t) = E sint
temps
e(t)
-Emax
double
alternance
avec 2 diodes
+Smax
s(t)
temps
-Smax
3) Redressement double alternatif avec 4 diodes

et)
+Emax
-Emax
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st)
e(t) = E sint
temps
e(t)
double
alternance
avec 4 diodes
+Smax
s(t)
temps
-Smax
Pr . A. BAGHDAD
50

1) Redressement simple alternance

Principe
vet)
vst)
+E
temps v (t)
e
mono
alternance
+E
vs(t)
-E
temps
-E
ve(t) = E sint
Redressement simple alternance
Montage pratique
K
D
Secteur
230 V
eg
vet)
(1)
vst)
(2)
ve(t) = E sint
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51

Trac de Vs(t)
vs(t)
ve(t)
+E
ve > 0
ve(t) = E sint
ve < 0
-E
T
2
D : passante
si 0 t
alors
e 0
v A vK
CC
T
t T
2
D : bloque
si
v A vK
vst)
CO
CO
vst)
vet)
vs t ve t
FSTM : DEUST - MIP
e 0
alors
CC
vet)
temps
vs t 0
Pr . A. BAGHDAD
52

Trac de Vs = f(Ve)
vs
+E
+E
-E
ve
-E
ve < 0 vs = 0
ve > 0 vs = ve
Courbe de transfert direct en tension

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Pr . A. BAGHDAD
53


v2(t) = E sin(t+)
Principe
vet)
vst)
+E
temps v (t)
e
+E
double
alternance
temps
vs(t)
-E
-E
ve(t) = E sint
Montage pratique
Redressement double alternance 2 diodes
K1
A1
~ eg
Secteur
230 V
(1)
(2)
v1
D1
v2
D2
A2
K2
v1(t) = E sint
et
v2(t) = E sin(t+)
vs
v1 > 0 et v2 < 0
Transformateur point milieu
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Pr . A. BAGHDAD
54

Trac de Vs(t)
v1 > 0
et
v2 < 0
v1(t) v2(t)
vs(t)
+E
temps
-E
T
t T alors
v1 0 et v2 0
2
D1 : bloque CO et
D2 : passante CC
T
alors v1 0 et v2 0
2
D1 : passante CC et D2 : bloque CO
si 0 t
v1
CC
v2
CO
si
vs
v1
CO
v2
CC
vs t v1 t
FSTM : DEUST - MIP
vs t v2 t
Pr . A. BAGHDAD
55


Principe
e(t) = E sint
st)
et)
+E
temps
e(t)
+E
double
alternance
temps
s(t)
-E
-E
Montage pratique
Redressement double alternance 4 diodes

A
D1
Secteur eg
230 V
ve
(1)
(2)
D2
N
D4
D3
vs
B
Mono-transformateur
ve(t) = E sint
FSTM : DEUST - MIP
Pr . A. BAGHDAD
56

Trac de Vs(t)
ve(t)
vs(t)
+E
ve > 0
ve(t) = E sint
ve < 0
-E
T
alors e 0 et v A et vB
2
D2 et D4 : passantes
et
D1 et D3 : bloques
si 0 t
T
t T alors e 0 et v A et vB
2
D2 et D4 : bloques
et
D1 et D3 : passantes
si
A
CO
CO
ve
CC
ve
CC
CO
B
vs
vs t ve t
FSTM : DEUST - MIP
temps
CC
N
CC
C0
R
B
vs t ve t
Pr . A. BAGHDAD
57

Trac de Vs = f(Ve)
vs
+E
+E
-E
ve
-E
ve < 0 vs = - ve
ve > 0 vs = ve
Courbe de transfert direct en tension

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Pr . A. BAGHDAD
58

4) Circuit decrtage
Principe
vs(t)
vet)
+E
+E
temps v (t)
e
crteur
te
vs(t)
-E
-E
ve(t) = E sint
Montage pratique
ve(t)
ve(t) = E sint
FSTM : DEUST - MIP
E0
+
-
vs(t)
Pr . A. BAGHDAD
59

Si ve > E alors
Si ve < E0 alors vs = E0
vs = ve
CO
ve(t)
E0
+
-
vs(t)
ve(t)
vs t ve t
VA VK
DB
CO
Le + de ct de K
Le de ct de A
FSTM : DEUST - MIP
CC
E0
+
-
vs(t
vs t E0
VA VK
DP
CC
Le - de ct de K
Le + de ct de A
Pr . A. BAGHDAD
60

Trac de Vs(t)
Si e < E0 alors
ve(t)
+E
E0
FSTM : DEUST - MIP

s = E0
vs(t)
ve > E0
temps
ve < E0
-E
Pr . A. BAGHDAD
61

Trac de Vs = f(Ve)
FSTM : DEUST - MIP
Circuit crteur
vs
+E
E0
-E
E0
Si ve < E0 alors vs = E0
+E
Si ve > E alors
ve
-E
vs = ve
Pr . A. BAGHDAD
62

5) Circuit limiteur
Principe
vet)
+E
+E
temps v (t)
e
limiteur
vs(t)
vs(t)
E1
E2
tem
-E
ve(t) = E sint
-E
Montage pratique
ve(t)
E1
FSTM : DEUST - MIP
D2
D1
+
-
E2
vs(t)
Pr . A. BAGHDAD
63

Trac de Vs(t)
Si ve > E1 > E2
D1 P
D2 B
vs = E1
Si E2 < ve < E1
D1 B
D2 B
vs = ve
Si ve < E2 < E1
D1 B
D2 P
vs = E2
ve(t)
+E
E1
E2
vs(t)
ve > E1 > E2
E2 < ve < E1
temps
ve < E2 < E1
-E
Si e > E1 > E2 alors e = E1
Si e > E1 et e > E2 alors e = E1
FSTM : DEUST - MIP
Si e < E2 < E1 alors e = E2

Si e < E2 et e < E1 alors e = E2
Si E2 < e < E1 alors e = s

Si e < E1 et e > E2 alors e = s
Pr . A. BAGHDAD
64

Trac de Vs = f(Ve)
vs
+E
+ E1
+ E2
-E
+ E2
+ E1 + E
ve
-E
Si ve < E1 et ve < E2 vs = E2
FSTM : DEUST - MIP
Si ve < E1 et ve > E2 vs = ve
Si ve > E1 et ve > E2 vs = E1
Pr . A. BAGHDAD
65

6) Caractristiques des signaux priodiques

T
S moy
Valeur moyenne :
1
st s st dt
T0
S eff
Valeur efficace :
1
T
2
s
t dt
0
Cas particulier :
Si le signal est sinusodal, s(t) = Smax cos( t), on obtient : S moy 0
Facteur de forme :
Taux dondulation :
Seff
et
S max
2
S eff
S mo y
F 2 1
S ond
S moy
comme
Seff S moy Sond

2
Seff
S moy
Sond
2
S moy
F 2 1 2
FSTM : DEUST - MIP
Pr . A. BAGHDAD
66

7) Redressement et filtrage
Principe
vet)
+E
vst)
temps v (t)
e
redressement
et filtrage
vs(t)
temps
-E
ve(t) = E sint
vs(t) = V = cte
Entre
alternative
sinusodale
Sortie
continue
FSTM : DEUST - MIP
Pr . A. BAGHDAD
67

Principe dun chargeur de batterie
Secteur
230 V
ve
eg
(1)
(2)
Transformateur
abaisseur
R
C
12 V
vs
Ve(t) =VMax sint = 122 sint
= RC la constante de temps du circuit filtre passe bas

Signal alternatif
Ondulation =
Signal monoalternance
Ondulation = 1,21
Signal continu
Ondulation = 0
Le passage dune ondulation infinie nulle est impossible, le passage par un

redressement simple (1,21) ou double (0,48) est indispensable. Mieux avec le double.
FSTM : DEUST - MIP
Pr . A. BAGHDAD
68

RC ' RC ' ' ' RC ' '

vs(t)
V
temps
' ' '
car
C ' ' C ' C

Vond
RC
RC 0
FSTM : DEUST - MIP
Dch arg e trs lente

Dch arg e trs rapide
Pr . A. BAGHDAD
69

e1(t)
Signal alternatif sinusodal
+E
temps
T
-E
e2(t)
Signal redressement mono alternance
+E
temps
T
-E
e3(t)
+E
Signal redressement double alternance

temps
T
-E
FSTM : DEUST - MIP
Pr . A. BAGHDAD
70

Fin du chapitre VI
FSTM : DEUST - MIP

Pr . A. BAGHDAD
71

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DEUST - MIP MODULE : E 141 CIRCUITS LECTRIQUES ET LECTRONIQUES

email : nasser_baghdad @ yahoo.fr

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Chapitre IV : Les quadriples

Chapitre VI : Les diodes

Chapitre VIII : Lamplificateur oprationnel

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E141 : Circuits lectriques et lectroniques

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III. Applications de la diode jonction

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E141 : Circuits lectriques et lectroniques

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1) Dfinition de la diode jonction

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E141 : Circuits lectriques et lectroniques

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1) Dfinition de la diode jonction

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E141 : Circuits lectriques et lectroniques

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En incorporant, au silicium pur, de trs faibles proportions dautres lments

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La diode est reprsente par son symbole normalis :

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Pour une diode au silicium, ce seuil est de lordre de 0,6 V.

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6) Diffrents type de diodes

la diode DEL (ou LED)

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Exemple : groupe III-V

Le cours se limitera ltude du fonctionnement de la diode jonction.

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7) Utilisation des diodes

elle permet dmettre de la lumire (LED) pour laffichageetc.

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La diode se prsente comme un composant lectronique trs imposant et en mme

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