Circuits Analogiques - Problemes Et Corriges PDF

Enseignements E.E.A.
Electronique analogique
P r o b l m e s
e t c o r r ig s
anne 2010
par Sylvain Gronimi
Universit Paul Sabatier
Electronique analogique Problmes et corrigs
TABLE DES PROBLEMES
Partie 1
Rappel sur la thorie des circuits
Mise en quations et thormes fondamentaux
Rponse dun circuit RL
Corrlation entre temps de monte et frquence de coupure dun circuit RC
Sonde passive doscilloscope
Caractrisation dun quadriple
Sensibilit dun pont de Wheatstone
3-4
5-8
9-10
11-12
13-15
16-17
Polarisation dun transistor

Dispersion des caractristiques dun JFET
Polarisation dun JBT par diverses topologies
Stabilisation par rsistance dmetteur
18-20
21-22
23-26
Caractrisation dun tage

Etage dphaseur JBT
Etage source commune
Etage collecteur commun charg par un miroir de courant
Etage diffrentiel JBT
Etage diffrentiel JFET
27-30
31-33
34-36
37-39
40-42
Rponse en frquence
Rponse en frquence dun tage metteur commun
Rponse en frquence dun tage base commune
Rponse en frquence dun tage collecteur commun
Comparaison des performances des montages fondamentaux JBT
Rponse en frquence dun tage pseudo metteur commun
Rponse en frquence dun tage source commune
Rponse en frquence dun tage pseudo-source commune
Rponse en frquence dun montage cascode
Rponse en frquence dun montage metteur commun collecteur commun
43-50
51-55
56-59
60
61-64
65-70
71-74
75-78
80-86
Elments de circuits intgrs

Miroir de courant lmentaire pour polarisation dtage
Miroir de courant lmentaire pour transfert dynamique
Source de courant simple JFET pour polarisation dtage
Source de courant gain pour polarisation dtage
Source de Wilson pour transfert dynamique
Source de Widlar en rptiteur de courant pour polarisation dtages
Multiplicateur de VBE
Ralisation dune opration arithmtique complexe (1 et 2)
Conception dun buffer
Etage diffrentiel charges asymtriques
Etage diffrentiel charges actives (partie 1)
Etage de tension (partie 2)
Etage diffrentiel cascode charges actives (miroir)
87-88
89-90
91
92-93
94-96
97-98
99-100
101-102
103-109
110-112
113-119
120-124
125-133
Partie 2
Amplificateurs idaux
Intgrateur de tension diffrentielle
Convertisseurs dimpdance
Amplificateur dinstrumentation amlior
Amplificateur dinstrumentation INA 114
Amplificateurs logarithmiques et exponentiels
Multiplicateur / diviseur
Amplificateurs conductance de transfert
Voir aussi Le filtrage analogique
Sylvain Gronimi
Page 1
134
135-136
137-139
140
141-142
143-144
145-148
Tables des problmes
Filtrage analogique
Filtre passe-bas deux suiveurs de tension
Filtre passe-bas contre-raction multiple (structure de Rauch)
Filtre passe-bas source contrle (structure Sallen-Key)
Conception dun filtre passe-haut Butterworth dordre 4
Filtre passe-bande contre-raction multiple (structure de Rauch) sensibilit amliore
Filtre passe-bande INIC
Filtre passe-tout (dphaseur pur) du premier ordre
Filtre passe-tout (dphaseur pur) du second ordre
Filtre rjecteur deux amplificateurs de tension
Filtre rjecteur variable dtat
Filtre universel
149-151
152-156
157-162
163-166
167-169
170-172
173-174
175-177
178-180
181-183
184-187
Oscillateurs sinusodaux
Oscillateur triphas
Oscillateur pont RLC
Oscillateur pont RLC avec potentiomtre
Oscillateur pont de Wien
Oscillateur Colpitts
Oscillateur Colpitts (variante)
Oscillateur Clapp
VCO JFET source commune
VCO JFET drain commun
188
189-190
191-192
193-196
197-201
202
203
204-207
208-210
Rgulateurs de tension
Principe de stabilisation par diode zener
Circuits de stabilisation dune tension par rfrence zener
Rgulateur de tension 15 V / 2 A
211-213
214-221
222-223
Amplificateurs de puissance
Etage de puissance push-pull srie avec sources de Widlar
Etage suiveur pilot par un amplificateur de tension intgr et contre-raction
Etage de puissance push-pull srie en pont
224-229
230-235
236-240
Partie 3
Quelques structures de circuits intgrs
Amplificateur de tension LM 741 simplifi
Amplificateur de tension TL071 (technologie BiFet)
Amplificateur Norton LM 359 et applications
Amplificateur conductance de transfert LM 13600 et application
Buffer et amplificateur conductance de transfert OPA 660 et applications
Amplificateur contre raction de courant LT1223 et application
Comparateur LM 139
PLL analogique NE 565 et applications
241-257
258-264
265-276
277-284
285-395
296-306
307-312
313-337
Modles de composants associs aux diffrents rgimes (diode, JBT, JFET)

Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun tage diffrentiel symtrique
Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun circuit complexe
Mthode de travail pour lanalyse en frquence (approximation du ple dominant)
Transformation de schma par application du thorme de Miller
Bibliographie, symboles, notations
338-342
343-344
344-345
346-347
348-349
350
Annexes
Sylvain Gronimi
Page 2
Tables des problmes
Mise en quations et thormes fondamentaux

Diviseur de tension
R1
VE
R2
VS
R3
Exprimez la tension VS en fonction de VE , R1, R2 , R3 .
Diviseur de courant
I
I2
R1
R2
R3
Exprimez le courant I 2 en fonction de I, R1, R 2 , R3 .
Application du thorme de Millman

R1
V1
10
V
R2
10 V
30
Evaluez le courant I.
Application du thorme de Thvenin et de superposition

R1
R3
I
V
R2
Donnez le gnrateur de Thvenin quivalent au diple.
Sylvain Gronimi
Page 3
Corrig
Diviseur de tension
VE = (R1 + R2 + R3 )I
VS = R 2 I
VS =
R2
VE
R1 + R2 + R3
Diviseur de courant
V
V
V
I = R + R + R
1
2
3
V
I =
2 R2
1
R2
I2 =
I
1
1
1
+
+
R1 R2 R3
Application du thorme de Millman

V
R1
Calcul du potentiel de nud : V1 =
1
1
1
+
+
R1 R2 R3
1
V1
R
=
V ( I = 0 .6 A )
I=
1
1
1
R
+
+
R1 R2 R
Application du thorme de Thvenin et de superposition
La prsence des deux sources indpendantes V et I invite utiliser le thorme de superposition

pour le calcul de la tension de Thvenin VTh (tension vide du diple). Ce calcul seffectue donc
en deux tapes :
1re tape : extinction de la source de courant ( I = 0 , circuit ouvert) VTh1 =
R2
V.
R1 + R2
2me tape : extinction de la source de tension ( V = 0 , court-circuit) VTh2 =
R1 R2
I.
R1 + R2
do la superposition VTh = VTh1 + VTh2 =
R2
R R
V+ 1 2 I.
R1 + R2
R1 + R2
La rsistance du diple se calcule en teignant les deux sources indpendantes, ce qui donne
R R
RTh = 1 2 + R3 .
R1 + R2
Sylvain Gronimi
Page 4
Rponse temporelle dun circuit RL

Soit le circuit RL avec condition initiale nulle.
R
L
100
vE
100mH
Une excitation sinusodale damplitude crte VE est applique au circuit. Le but du problme est
dobtenir les rponses du courant i (t ) circulant dans la maille et de la tension aux bornes de
linductance v L (t ) par les trois techniques suivantes :
Rponse temporelle (variable t)
1. Ecrivez lexpression analytique du courant.
2. Ecrivez lexpression analytique de la tension.
3. Dmontrez que la tension est en avance de /2 par rapport au courant en rgime permanent.
Rgime sinusodal tabli (variable j)
4. Ecrivez les expressions du module et de largument du courant et de la tension.
5. Comparez ces rsultats ceux obtenus prcdemment en rgime permanent.
Transformes de Laplace (variable p)
6. Ecrivez la fonction de transfert en tension VL ( p) VE ( p) .
7. Par transformes de Laplace, donnez lexpression de la tension.
Corrig
Rponse temporelle
d
v E (t ) = R i (t ) + L dt i (t )
v (t ) = L d i (t )
L
dt
(posons =
L
)
R
1. Expression analytique du courant

Rsolvons lquation diffrentielle du premier ordre
c
quation homogne
d
1
di
dt
i (t ) + i (t ) = 0
=
dt
v (t )
1
d
i (t ) + i ( t ) = E
en quatre tapes :
dt
Log
do i H (t ) = e
variation de la constante
' (t ) e
Sylvain Gronimi
VE sin( t ) VE
=
m e j t
L
L
[ ]
Page 5
t
1 + j t
e j t
VE
VE
m e
dt =
(t ) =
e m
1
L
L
+
j
cos( t ) + j sin( t )
1
1
car m
=
sin( t ) cos( t ) = sin( t )
1
1
2
+ j
+
en posant cos =
et sin =
+ 2 = 1 avec = arctg ( ) et = 1 + 2 2
solution particulire de lquation complte

i P (t ) = (t ) e
do
VE
i P (t ) =
R + L2 2
2
sin( t )
solution globale
i (t ) = e
do i (t ) =
avec i (0) = 0 =
+ i P (t )
VE
R +L
2
sin e
VE
R + L2 2
2
VE
R + L2 2
2
sin
sin( t )
Le premier terme correspond au rgime transitoire et le second terme au rgime tabli ou

permanent.
2. Expression analytique de la tension

t
t
1
v L (t ) = VE sin e + cos( t ) = VE sin cos e + cos( t )
3. Dphasage
cos( t ) = sin t +
2
( ) = +
2
2
L I =
Rgime transitoire (VE =1 V et f = 1 kHz)

rgime transitoire
1.0V
0V
-1.0V
0s
Sylvain Gronimi
V(L)
0.5ms
V(E)
1.0ms
1.5ms
2.0ms
2.5ms
3.0ms
3.5ms
4.0ms
Time
Page 6
Rgime permanent
2 2.0mA
1
1.0V
1.0mA
tension
d'entre
(0)
0V
0A
tension
en avance
de 9
courant
en retard
de 81
-1.0mA
-1.0V
>>
-2.0mA
18.0ms
1
V(L)
V(E)
18.5ms
I
19.0ms
19.5ms
20.0ms
Time
Rgime sinusodal tabli

VE = (R + jL ) I
VL = jL I
VE
I=
R + jL
et VL =
jL
VE
R + jL
4. Modules et arguments
I =
VL =
VE
R +L
L
2
et
VE
R 2 + L2 2
I = E arctg
et
L = E +
L
R
( VE = VE e jE )
arctg
L
R
5. Comparaison du rgime tabli

i (t ) =
sin( t + I )
VE
R +L
2
L
=
R
R + L2 2
I m e j ( t +I )
v L (t ) = VE sin sin( t + L ) avec sin = =
L
2
VL m e j ( t +L )
Transformes de Laplace
VE ( p ) = (R + Lp ) I ( p )
VL ( p ) = Lp I ( p )
6. Fonction de transfert
p
V ( p)
H ( p) = L
=
VE ( p )
Sylvain Gronimi
n
1+
avec n =
R 1
=
L
Page 7
7. Expression de la tension aux bornes de linductance

Tableau des transformes : sin( t )
p +
2
VL ( p ) =
2
1 2
p + p +
VE
Dcomposition en lments simples :

p
a
bp + c
=
+
=
1 p2 + 2
1 2
2
+
p
p + p +
b=a=
(a + b )p 2 + b + c p + c + a 2
1 2
2
p + p +
2 2
c
=
,
1 + 2 2
1 + 2 2
1 1
1
+
+ 2
VL ( p ) = VE
2
2
2
2
1
p +
p +
1 p +
2
+
p
Tableau des transformes :
e at , 2
sin( t ) , 2
cos( t )
2
p+a
p +
p + 2
Posons cos =
et sin =
1
2 + = 1 et cos cos( t ) + sin sin( t ) = cos( t )

do v L (t ) = VE sin cos e + cos( t )
La technique dans le domaine temporel est dune grande complexit, puisquelle fait apparatre des
quations intgro-diffrentielles dont la rsolution mathmatique est rapidement limite (utilisation du
calcul numrique). La technique du calcul complexe est aise, mais limite uniquement une
excitation sinusodale fournissant le rgime permanent (pas de transitoire). Ltude par les
transformes de Laplace est la mthode la plus gnraliste, pouvant fournir la rponse du circuit
une excitation quelconque.
Sylvain Gronimi
Page 8
Corrlation entre temps de monte et frquence de coupure dun circuit RC

Soit le circuit RC avec condition initiale nulle.
R
vE
Un chelon unit de tension damplitude VE est appliqu au circuit. Le but du problme est dcrire la
relation exprimant la corrlation entre temps de monte et frquence de coupure du circuit.
1. Ecrivez la fonction de transfert en tension VC ( p ) VE ( p ) et tracez les courbes de rponse dans le
plan de Bode (module et argument).
2. Par transformes de Laplace, donnez lexpression de la tension v C (t ) .
3. Ecrivez lexpression du temps de monte t r dfini par la diffrence des temps pour atteindre
respectivement 90% et 10% de la valeur finale en fonction de la constante de temps du circuit.
4. Ecrivez la relation entre la frquence de coupure fh du circuit passe-bas et le temps de monte.
Corrig
A partir de lquation dans le domaine temporel, on crit
v (t )
1
d
1
1
v C (t ) + v C (t ) = E
p VC ( p ) + VC ( p ) = VE ( p)
dt
1
I ( p)
VE ( p ) = R +
C
p
V ( p)
1
=
H ( p) = C
ou directement
V
(
p
)
1
+
p
E
V ( p ) = 1 I ( p )
C
Cp
En rgime sinusodal, H ( j ) =
1
1 + j
avec = RC
2
H dB = 20 log 1 + ( ) , = arctg ( )
2 0d
(159.436,-3.0185)
-10
-20
-50d
(159.652,-45.089)
-30
filtre du premier ordre

= 1 ms
-40
Sylvain Gronimi
-100d
1.0Hz
1
DB(VC)
10Hz
P(VC)
100Hz
1.0KHz
10KHz
Frequency
Page 9
2. Rponse lchelon de tension

VC ( p ) =
VE
V
V
= E E
1
p (1 + p )
p
p+
avec VE ( p ) =
Tableau des transformes F ( p ) =
VE
(chelon de tension damplitude VE )
p
1
f (t ) = e t u(t ) , do
p +
v C (t ) = VE 1 e
Lapplication des thormes de la valeur initiale et de la valeur finale donne immdiatement la

valeur de cette fonction lorigine et au temps infini sans quil soit ncessaire de calculer vC(t) :
VE
pVC ( p ) =
lim pVC ( p ) = lim v C (t ) = 0 et lim pVC ( p ) = lim v C (t ) = VE

p
t 0
p0
t
1+ p
1.2V
vE(t)
vC(t)
0.8V
t = 3 ms
VC = 95 %
de VE
t = 1 ms
0.4V
VC = 63.2 %
de VE
0V
0s
1.0ms
2.0ms
3.0ms
4.0ms
Temps
V
d
VE = 1V , = 1 ms , pente lorigine v C (t )
= E , v C ( ) 0.632 V , v C (3 ) 0.95 V
dt
t =0
3. Expression de t r ( )
v C (t1 ) = 0.1VE
v (t ) = 0.9V
E
C 2
10
9
t 2 = Ln 10
t1 = Ln
t r = t 2 t1 = Ln 9
soit t r 2.2
Lchelon est la combinaison de la variation de la tension la plus abrupte et de la plus lente

variation possible de tension.
4. Expression de t r (fh )
1
H ( p) =
1+
avec h =
tr
2 .2
ou t r
0.35
fh
fh tant la frquence de coupure haute du passe-bas du 1 ordre.
Si le systme est un passe-bas plusieurs ples, cette relation est une approximation dautant
meilleure que la valeur de fh est faible devant celles des autres ples (ple dominant).
Sylvain Gronimi
Page 10
Sonde passive doscilloscope

Soit le schma de principe dune sonde passive attnuatrice.
embout de sonde
CS
cble de mesure
entre de l'oscilloscope
RS
vE
capacit
CC
du cble
100p
v0
CP
R0
13p
1Meg
Lamplificateur vertical de loscilloscope est reprsent par le schma quivalent parallle R0 - C p aux
bornes duquel existe la tension v 0 (t ) .
1. Ecrivez la fonction de transfert V0 ( p) VE ( p) .
2. Donnez la condition pour que la fonction de transfert soit indpendante de la frquence. Evaluez
la rsistance RS pour avoir une attnuation de rapport 1/10 et dduisez la valeur de la capacit
CS0 dcoulant de la condition.
3. Dterminez limpdance dentre de la sonde branche sur loscilloscope, sous forme dun
schma R-C parallle la condition prcdente.
4. Calculez et tracez les rponses temporelles de v 0 (t ) un chelon de tension unit pour une
capacit de sonde rgle aux valeurs CS0 CS (on supposera que CS >> CS 10 et que les
bandes passantes de la sonde et de loscilloscope sont trs larges).
Le temps de monte lu sur lcran dun oscilloscope est donn par t rlu t r2signal + t r2oscillo + t r2sonde . Pour
effectuer cette mesure, on dispose dun oscilloscope associ une sonde dont les bandes passantes
sont respectivement de 100 MHz et de 500 MHz.
5. Calculez lerreur commise sur la mesure de signaux carrs dont le temps de monte serait de 5
ns et 50 ns.
Formulaire : t r
0.35
, t r lu = t r2signal + t r2oscillo + t r2sonde .
fh
Corrig
Posons C0 = CC + CP = 113 pF , 0 = R0C0 et S = RSCS .
H ( p) =
V0 ( p )
Z0 ( p )
=
VE ( p ) Z0 ( p ) + ZS ( p )
avec Z ( p ) =
R0
R
H ( p) =
R0 + RS
1 + RCp
2. Condition pour un rgime apriodique

La fonction de transfert est indpendante de la frquence si S =
Sylvain Gronimi
Page 11
1 + S p
R0 S + RS 0
1+
p
R0 + RS
R0 S + RS 0
soit S = 0 .
R0 + RS
R0
1
=
R0 + RS 10
Sonde attnuatrice de rapport 1/10 H =
RS = 9R0 = 9 M
C0
= 12.56 pF
CSO =
9
3. Impdance dentre de la sonde

Z E ( p ) = ZS ( p ) + Z 0 ( p )
Au rglage optimal de la sonde ZE ( p ) =
10 R0
RE
=
1 + R0C0 p 1 + RE CE p
soit RE = 10 R0 = 10 M en
parallle avec CE = C0 10 = 11.3 pF .
4. Rponses temporelles
CS = CS 0 CS
S = 0
1 1
1
do V0 ( p )
10 p 0 1
+p
p
1 1 + ( 0 )p
1
1
H ( p) =

10
10 1 + 0 p
1 + 0
p
10
v 0 (t )
Transformation inverse de Laplace
CS 0
1
1
e
10
CS0
Trois cas de rglage de la sonde apparaissent au sein de la simulation ci-dessous, savoir la

compensation optimale (CS = 0), la surcompensation (CS > 0), la sous compensation (CS < 0).
200mV
surcompensation
Rponse un signal carr damplitude 2 Vpp
100mV
vO(t)
sous compensation
0V
compensation
optimale
-100mV
Rglage de la sonde Cs/Cs

-200mV
0s
0.2ms
0.4ms
0.6ms
0.8ms
1.0ms
Time
5. Erreur commise sur la mesure

Instrumentation :
t r oscillo =
t rsonde =
Signal :
t rlu
0.35
10 8
0.35
= 3.5 ns (bande passante 100 MHz)
= 0.7 ns (bande passante 500 MHz)

5 10 8
t rsignal ( 1 % prs) pour t r signal = 50 ns
t rlu 6.14 ns , soit une erreur de 1.14 ns (23%) pour t rsignal = 5 ns .
Pour ltude de circuits numriques, nous constatons que linstrumentation nest pas assez
performante.
Sylvain Gronimi
Page 12
Caractrisation dun quadriple

Le but de ce problme est de caractriser un quadriple, cest--dire dvaluer ses rsistance dentre
et de sortie et son transfert, en prsence dune source contrle.
i1
Rg
is
R1
k i1
ve
R2
Rch
vs
vg
1. Dterminez la rsistance dentre Re du quadriple charg par Rch .

2. Dterminez les lments RTh et vTh de Thvenin formant le diple de sortie du quadriple non
charg par Rch .
3. Dessinez le nouveau schma quivalent du quadriple, puis dessinez ce schma sous la forme
modlise dun amplificateur de tension.
Corrig
La difficult de la mise en quations du systme linaire et de sa rsolution vient de la prsence de la
source de courant k i1 contrle par le courant i1 de la branche supportant la rsistance R1 . Ce type
de source, symbolise par un losange, reprsente une modlisation de comportement correspondant
un transfert dun courant de branche (branche contrlante) vers une autre branche (branche
contrle) un coefficient constant prs (k). La source est donc dpendante dune autre branche et,
de ce fait, na rien de commun avec une source fournissant une excitation au circuit tel que le
gnrateur indpendant de tension symbolis par un cercle ( v g ).
1. Expression de la rsistance dentre
Le quadriple, charg par la rsistance de charge Rch , constitue un diple dont la rsistance
quivalente Re est obtenue par lapplication du thorme de Thvenin/Norton.
Par dfinition, la rsistance dentre scrit Re =
v0
daprs le schma droite ci-dessous.
i1
i1
i1
i2
R1
v0
k i1
R2
Rch
Re
v0
La topologie du circuit se simplifie en posant Req = R2 // Rch , ce qui conduit lcriture dune
maille et dun nud.
v 0 = R1 i1 + Req i 2
(k + 1)i1 = i 2
Sylvain Gronimi
v 0 = R1 i1 + Req (k + 1)i1 , do Re = R1 + (k + 1)(R2 // Rch )
Page 13
2. Expressions des lments de Thvenin

La tension de Thvenin tant une tension vide, la rsistance de charge est donc dbranche. La
topologie prsente une maille et un nud, soit deux quations auxquelles il faut ajouter la tension
aux bornes de la rsistance R 2 afin de dfinir vTh .
i1
Rg
i2
R1
k i1
R2
vth
vg
(k + 1)i1 = i 2
v g = Rg + R1 i1 + R2 i 2
vTh =R2 i 2
Rg + R1
+ R2 i 2
v g =

+
1
k
=
v
R
i
2 2
Th
do vTh =
(k + 1)R2
vg
Rg + R1 + (k + 1)R2
Le diple devant tre passif, la source indpendante de tension v g est teinte, mais la source de
courant contrle par le courant i1 est prsente. La rsistance du diple scrit RTh =
i1
Rg
i0
i0
i2
R1
k i1
v0
.
i0
R2
v0
RTh
v0
vg = 0
La topologie prsente deux mailles et un nud, donc un systme de trois quations rsoudre
i 0 + (k + 1)i1 = i 2
v 0 =R2 i 2
v = R + R i
g
1 1
0
do
i0 =
v0
v0
+ (k + 1)
R2
Rg + R1
Rg + R1
1
1
k +1
=
+
(conductance) ou encore RTh = R2 //
(rsistance).
RTh R2 Rg + R1
k +1
3. Schmas quivalents du quadriple

Le gnrateur ( v g , Rg ) voit ses bornes la rsistance dentre du quadriple et la charge voit
ses bornes le diple quivalent sous forme Thvenin.
RTh
Rg
Re
vg
Sylvain Gronimi
vs
Rch
vTh
Page 14
La modlisation du quadriple sous la forme dun amplificateur de tension utilise une source de
tension contrle par la tension v e aux bornes de la branche contrlante supportant Re . Dautre
part, la rsistance de sortie Rs du quadriple sidentifie RTh .
Rs
Rg
ve
vg
Sylvain Gronimi
Re
vs
Rch
Av ve
Page 15
Sensibilit dun pont de Wheatstone

Le schma du pont de Wheatstone est le suivant.
R1
R3
VE
1Vdc
VM
R2
R4
Le but de ce problme est de dfinir les conditions sur les quatre rsistances afin dobtenir une
sensibilit maximale du pont.
1. Ecrivez lexpression analytique de la tension diffrentielle VM aux points de mesure 1 et 2 et
dduisez la condition pour que cette tension soit nulle.
2. Dterminez la sensibilit du pont et crivez la condition sur les rsistances pour que cette
sensibilit soit maximale.
3. Pour des rsistances tolrance 1%, valuez lerreur maximale sur la tension VM dans le cas
dune sensibilit maximale du pont.
Corrig
1. Condition dquilibre du pont
R2
V1 = R + R VE
1
2
R
4
V =
V
2 R3 + R4 E
R2
R4
VE
VM =
R
+
R
R
2
3 + R4
1
La condition pour que la tension diffrentielle VM soit nulle est R1R 4 = R2R3 .
2. Sensibilit du pont
La tension diffrentielle est fonction de cinq paramtres VM (R1, R2 , R3 , R 4 , VE ) et lapproche au
premier ordre donne dVM =
VM
V
V
V
V
dR1 + M dR2 + M dR3 + M dR4 + M dVE avec
R1
R2
R3
R4
VE
VM
R2
1
a
R1
VM
a
1
=
VE =
VE ,
VE =
VE ,
=
2
2
2
2
R2 (R1 + R2 )
R1
(a + 1) R2
(R1 + R2 )
(a + 1) R1
R3
R4
VM
VM
a
a
1
1
V =
VE ,
V =
VE ,
=
=
2 E
2 R
2 E
2 R
R
R3
(R3 + R4 )
(a + 1) 3
(R3 + R4 )
(a + 1) 4
4
R
VM
R2
R4
R
=
= 0 en posant 1 = 3 = a .
VE R1 + R2 R3 + R4
R2 R 4
dR1 dR2 dR3 dR 4
VE
+
+
do dVM = S
R2
R3
R4
R1
Sylvain Gronimi
avec S =
Page 16
(a + 1)2
dS
=0
da
et R3 = R 4 .
La sensibilit devient maximale si

do la condition R1 = R2
a = 1 , Smax =
1
4
3. Erreur maximale sur la tension diffrentielle

VM = S 4
R
VE et pour Smax , VM max = 10 mV
R
La sensibilit du dtecteur de zro doit tre meilleure que lerreur maximale. Ainsi, pour mesurer
des rsistances avec une prcision de 1% partir dune source fournissant 1 V, il faut que le
dtecteur ait une sensibilit meilleure que 10 mV.
Sylvain Gronimi
Page 17
Dispersion de caractristiques dun JFET

Ltude porte sur la comparaison de la dispersion, en rgime continu, obtenue partir de deux
topologies de schma (figures 1 et 2). Le constructeur donne les dispersions suivantes pour le
transistor effet de champ de type 2N4416A :
dispersions maximales
dispersions minimales
I DSS = 15 mA, VP = 6 V
I DSS = 5 mA, VP = 2.5 V
RD
2k
RG1
J2N4416A
RD
2k
J2N4416A
J1
VCC
J1
30 V
VCC
30 V
RS
RG2
RS1
1Meg
figure 1
figure 2
Polarisation automatique (figure 1)

La polarisation du transistor est obtenue automatiquement par la tension continue produite aux bornes
de la rsistance de source. Le transistor dispersion maximale est dabord mont dans ce circuit, puis
remplac par le transistor dispersion minimale.
1. Calculez la rsistance de source RS pour avoir le point de fonctionnement VGSo = 2 V dans le
cas de dispersion maximale.
2. Evaluez la dispersion sur I Do , VDSo , VGSo .
Polarisation mixte (figure 2)
Une autre faon de polariser le transistor est employe, mettant en oeuvre la polarisation automatique
utilise prcdemment associe un pont de grille. Dans le cas o la rsistance RG1 est de valeur
infinie, le montage redevient polarisation automatique. Les dmarches analytiques restent
identiques, si ce nest dintroduire la nouvelle valeur de la rsistance de source.
3. En prenant la rsistance de source RS1 = 3 RS , calculez la rsistance de pont de grille RG1 pour
avoir le point de fonctionnement VGSo = 2 V dans le cas de dispersion maximale.
4. Evaluez la dispersion sur I Do , VDSo , VGSo .
Comparaison des deux topologies
5. Concluez sur le choix de la topologie du circuit.
Sylvain Gronimi
Page 18
Corrig
Polarisation automatique
1. Evaluation de la rsistance RS
+VCC
V
I D = I DSS 1 GS
VP
(
)
I
I
D
S
RD
ID
IG=0
VDS
(transistor)
VCC (RD + RS )I D + VDS
VGS RS I D
VGS
RS
(circuit)
systme de 3 quations 3 inconnues ( I D , VDS , RS )
I Do
VGSo
= I DSS 1
VP
VGSo
6.67 mA , RS
300 , VDSo VCC (RD + RS )I Do 14.7 V
I Do
2. Evaluation des dispersions

Le transistor dispersion minimale est mont en place du transistor prcdent. Les quations du
systme rsoudre demeurent inchanges, mais les inconnues sont maintenant I D , VGS , VDS , ce
qui conduit la rsolution dune quation du second degr.
1
2
VGS + 1 = 0 VGS 0.74 V telle que VP < VGS < 0 (JFET canal N)
+
o
0
I DSS RS VP
VGSo
et I Do =
2.48 mA , VDSo = VCC (RD + RS )I Do 24.3 V
RS
2
VGS
VP2
Les dispersions extrmes donnent des carts de position du point de repos dans le plan de sortie
I D 4.2 mA , VDS 9.6 V pour cette structure de circuit.
Polarisation mixte
3. Evaluation de la rsistance de pont de grille RG1
Une maille dentre unique apparat aprs application du thorme de Thvenin.
+VCC
RD
ID
RG
IG=0
VDS
VGS
VG
V
I D = I DSS 1 GS
VP
(transistor)
VCC RD + RS1 I D + VDS
VGS VG RS1 I D
RS1
avec VG =
Sylvain Gronimi
Page 19
RG2
RG1 + RG2
(circuit)
VCC , RG = RG1 // RG2
I Do 6.67 mA , VG 4 V , RG1 6.5 M , VDSo 10.7 V
4. Evaluation des dispersions

Le transistor dispersion minimale est mont en place du transistor prcdent.
2
VGS
VP2
VG
1
2
+
= 0 VGSo 0.11V , I Do 4.57 mA , VDSo 16.7 V

V + 1
I DSS RS VP GS
I
DSS RS1
1
Les dispersions extrmes donnent des carts de position du point de repos dans le plan de sortie
I D 2.1 mA , VDS 6 V pour cette structure de circuit.
5. Conclusion
La polarisation mixte diminue le phnomne de dispersion. En effet dans le plan de sortie, les
plages des coordonnes du point de repos sont rduites de I D = 4.2 mA 2.1 mA et
VDS = 9.6 V 6 V .
Sylvain Gronimi
Page 20
Polarisation dun transistor bipolaire

Ltude porte sur diverses topologies permettant de polariser un transistor bipolaire avec un courant
de collecteur donn et se placer sensiblement au milieu de la droite de charge statique dans les
caractristiques de sortie.
Le transistor est de type 2N1711 ( typique = 150 ).
RB
RC
RB
VCC
RC
VCC
20 V
20 V
Q1
Q1
figure 2
figure 1
RB
RC
RB1
RC
100k
VCC
VCC
Q1
Q1
20 V
RE
RB2
180
20 V
RE
180
figure 3
figure 4
Dterminez les rsistances au sein des topologies suivantes, pour un courant ICo = 10 mA et en
prenant VBEo 0.6 V .
1.
2.
3.
4.
Polarisation simple (figure 1).

Polarisation par rsistance entre collecteur et base (figure 2).
Polarisation avec rsistance dmetteur (figure 3).
Polarisation avec rsistance dmetteur et pont de base (figure 4).
Corrig
Le point de repos tant plac sensiblement au milieu de la droite de charge statique dans les
caractristiques de sortie, la tension VCEo VCC 2 = 10 V
1. Polarisation simple
+VCC
RC
RB
IC
VCC = RC IC + VCE
VCC = RB I B + VBE
I = I
B
C
IB
VCE
VBE
Sylvain Gronimi
RC =
VCC VCEo
IC o
Page 21
= 1 k , RB =
VCC VBEo
IC o
= 291 k
2. Polarisation par rsistance entre collecteur et base

+VCC
RC
RB
VCC = RC (IC + I B ) + VCE
VCE VBE = RB I B
I = I
B
C
IC
IB
VCE
VBE
RC =
VCC VCEo
IC o
+1
1 k , R B =
VCEo VBEo
IC o
= 141 k
3. Polarisation avec rsistance dmetteur

+VCC
RC
RB
IC
IB
VCC = VCE + RC IC + RE I E
VCC VCEo
VCC = RB I B + VBE + RE I E
RC
RE = 820 ,
IC o
I E = I B + IC
I = I
B
C
VCE
VCC VBEo
RB
RE 264 k
IC o
VBE
RE
4. Polarisation avec rsistance dmetteur et pont de base

+VCC
VB = RB I B + VBE + RE I E
VCC = RC IC + VCE + RE I E
RB2
RB1 + RB2
VCC , RB = RB1 // RB2
RC
RB1
IC
VB
VB =
IB
VCE
RC
VCC VCEo
IC o
RE = 820 , RB
VBE
RB2
Sylvain Gronimi
RE
VBEo + RE ICo
VCC ICo
RB1
18 k ,
RB2 22 k
Page 22
Stabilit du point de repos par rsistance dmetteur

Ltude porte sur le comportement du montage de la figure ci-dessous en fonction de la temprature.
RB1
100k
RC
1.5k
VCC
Q1
RB2
20 V
RE
470
Le transistor, de type 2N1711 ( typique = 150 ), possde les caractristiques constructeur
Ptot (TA 25 C )max = 0.8 W , TJmax = 200 C , RthJA = 220 C /W , RthJB = 58 C /W
Etude du rgime continu

1. En supposant IB << IC et VBE << VCE , crivez que la puissance Pd dissipe dans le transistor,
satisfait la condition dPd dIC = 0 et dduisez le point de repos correspondant et la valeur de la
rsistance RB 2 ncessaire pour polariser correctement le transistor ( VBE0 0.6 V ).
2. En prenant comme valeur de temprature ambiante TA = 25 C , calculez la temprature TJ de la
jonction.
Stabilit en temprature
3. Dans le cas gnral, crivez IC = [ (T ),VBE (T ),ICBO (T )] .
4. Dduisez les facteurs de stabilit SI = IC ICBO , SV = IC VBE , S = IC .
5. Evaluez dans le cas du montage dIC dT et dVCE dT sachant que, pour le silicium, le fabricant
indique
dVBE dT 2.5 mV / C ,
d ( dT ) 0.5 % / C ,
dICBO (ICBO dT ) 11 % / C
et
ICBO = 1 nA 25 C .
Corrig
1. Expression de la puissance dissipe
+VCC
RC
RB1
IC
VB
IB
VCE
VBE
RB2
Sylvain Gronimi
RE
I E = I B + IC
IC = I E + ICBO
RB2
VCC , RB = RB1 // RB2
avec VB =
RB1 + RB2
Page 23
et ICBO courant de fuite de la jonction base-collecteur polarise en inverse (drive thermique).
Les deux jonctions prsentes par le transistor produisent une rsistance au passage des
courants, do une puissance dissipe en chaleur. La traverse du courant IC travers la jonction
base-collecteur, aux bornes de laquelle existe la tension VCB , produit une dissipation de
puissance gale VCB IC . De la mme faon, la puissance dissipe dans la jonction basemetteur vaut VBE I E . La puissance dissipe dans le transistor scrit
Pd = VBE I E + VCB IC = VBE I B + (VCB + VBE )IC = VBE I B + VCE IC VCE IC car IB << IC et VBE << VCE .
La puissance transforme en chaleur dans le transistor est presque intgralement dissipe par la
jonction base-collecteur dont le courant de fuite ICBO varie en fonction de la temprature.
En considrant que I E IC ( >> 1 ) dans lquation de la maille de sortie,
Pd IC [VCC (RC + RE )IC ] do
dPd
= 0 VCC = 2 (RC + RE )IC
dIC
cinquime quation du systme linaire dont les cinq inconnues sont I B , IC , I E , VCE , RB2 .
La puissance dissipe passe par un maximum au point de repos (fonction parabolique)
VCC
V
IC o
5 mA et VCEo VCC (RC + RE ) ICo = CC = 10 V .
2 (RC + RE )
2
Ces expressions, respectivement ordonne et abscisse du point de repos dans le plan de sortie
du transistor, montrent une polarisation en classe A (au milieu de la droite de charge statique). En
ce point, il y a le meilleur effet de stabilisation possible du courant collecteur en fonction de la
temprature. En effet, une variation de IC correspond une variation minimale de Pd (sommet
de la parabole). Il parat donc souhaitable de polariser le transistor au milieu de la droite de
charge condition, bien sur, de pouvoir dissiper la puissance maximale
2
VCC
Pdmax =
50 mW (<< 800 mW).
4 (RC + RE )
En considrant I E IC , la maille dentre scrit
VBE o + RE ICo
I
RB
VCC RB C + VBE + RE IC RB
18 k et RB2 22 k .
RB1
VCC ICo
RB1
2. Calcul de la temprature TJ
La puissance maximale que peut dissiper un transistor, pour une temprature ambiante
dtermine, est une constante qui dpend des dimensions gomtriques du transistor
Pd =
TJ TA
RthJA
(approche linaire)
avec TJ temprature de la jonction ( TJmax = 200 C ), TA temprature ambiante ( TA = 25 C ),

RthJA rsistance thermique jonction-ambiant ( RthJA = 220 C /W ).
A remarquer que la formule satisfait les donnes constructeur Ptotmax =
TJmax TA
RthJA
0 .8 W .
La temprature de la jonction vaut TJ = T A + RthJA Pd = 36 C .
Sylvain Gronimi
Page 24
Il est possible davoir une approche de la temprature du botier TB en considrant la rsistance

thermique jonction-botier ( RthJB = 58 C /W ), soit TB = TJ RthJB Pd 33 C .
Lutilisation dun radiateur permettrait daugmenter le pouvoir de dissipation du transistor,
Pd =
RthJB
TJ TA
+ RthBR + RthRA
avec RthBR rsistance thermique botier-radiateur, RthRA rsistance thermique radiateur-ambiant.

La somme des rsistances thermiques serait alors de valeur plus faible que la rsistance
thermique RthJA du transistor seul.
Stabilit en temprature
3. Expression de IC ( ,VBE , ICBO )
VB = (RB + RE )I E + VBE RB IC

I E + ICBO
IC =
+1
IC = + 1 I E + ICBO
I E = I B + IC
IC =
(RE + RB )( + 1)ICBO + (VB VBE )

RB + ( + 1)RE
Le courant collecteur est fonction dun ensemble de variables physiques dpendantes de la

temprature
4. Calcul des facteurs de stabilit

Ces facteurs sont les mesures de la stabilit de la polarisation du transistor. Ils sont dfinis
comme le rapport dune variation IC du courant collecteur due une variation de temprature,
la variation correspondante dune des fonctions suivantes ICBO (T ) , VBE (T ) , (T ) , les autres
variations tant nulles, do IC = SI ICBO + SV VBE + S .
Pour des variations suffisamment faibles des variables fonctions de la temprature, la relation au
IC
I
I
dICBO + C dVBE + C d .
premier ordre est utilise dIC =
ICBO
VBE
Il faut souligner que cette approche mathmatique par les drives partielles est une approche
linaire de phnomnes fortement non linaires. Les facteurs scrivent alors :
I
( + 1)(RB + RE ) , S = IC
dIC
dIC
,
=
=
SI = C
=
=
V
dICBO
RB + ( + 1)RE
dVBE
RB + ( + 1)RE
= cte
=cte
VBE ICBO
ICBO VBE
=cte
=cte
I
dI
(RB + RE ) ICo ICBO SI I
S = C
= C =
C
cte
( + 1) o
d
RB + ( + 1)RE
VICBO==cte
BE
Ces trois facteurs de stabilit du montage doivent simultanment avoir des valeurs les plus faibles
possibles. Les trois expressions ayant mme dnominateur, on se contentera de rendre possible
lingalit suivante RB << ( + 1)RE o RB reprsente le pont de base et ( + 1)RE limpdance
ramene lentre par la contre-raction.
Sylvain Gronimi
Page 25
Deux cas extrmes peuvent tre envisags :

IC
1
, S 2o
RE
montage base commune RB = 0 SI = 1 , SV
montage metteur commun RE = 0 SI = + 1 , SV =
, S
IC o
RB
Le pire cas correspond au montage metteur commun qui est le plus souvent employ.
5. Drive du point de repos

Ces facteurs de stabilit permettent de calculer les variations du point de polarisation quand la
temprature varie.
dICBO
dICBO
dVBE
dVBE
d
d
dIC
+ SV
+ S
dT = SI dT + SV dT + S dT = SI ICBO I
dT
dT
CBO dT
dI
dV
CE (R + R ) C
C
E
dT
dT
dIC
9
6
6
dT 3.45 10 + 4.24 10 + 5.16 10 9.4 A
do
dVCE (R + R ) dIC 19 mV / C
C
E
dT
dT
Lapplication numrique montre que linfluence du courant de fuite ICBO est ngligeable une
temprature raisonnable et que les variations sur VBE et jouent un rle fondamental. Sans
rsistance dmetteur, la drive aurait t cinq fois plus importante.
En conclusion, la prsence dune rsistance dmetteur diminue la fluctuation du point de repos
dans le plan de sortie IC (VCE ) du transistor.
Sylvain Gronimi
Page 26
Etage dphaseur
Ltude porte sur la caractrisation du circuit de la figure ci-dessous. Le transistor est de type 2N1711
( typique = 150 ). Le composant CG est un condensateur de liaison.
RB
rg
RC
1k
VCC
CG
Q1
20 V
50
vG
RE
1k
vS1
vS2

1. Calculez la valeur de la rsistance RB ncessaire pour que la tension VCE 0 soit de 10 V
( VBE0 0.6 V ).
Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences moyennes
2. Dessinez le schma et valuez le paramtre rbe du modle du transistor ( rce = ).
3. Calculez les gains en tension A v1 = v s1 v g et A v 2 = v s2 v g .
4. Calculez la rsistance dentre Z e du montage.
5. Calculez les rsistances de sortie Z s1 et Z s2 correspondant respectivement aux signaux de sortie
v s1 et v s2 .
6. Concluez sur la dnomination du montage.
Sylvain Gronimi
Page 27
Caractrisation dun amplificateur linaire
Corrig
1. Evaluation de la rsistance RB
+VCC
RB
VCC = RB I B + VBE + RE I E
I E = I B + IC
I = I
B
C
RC
IC
IB
Q1
VCE
VBE
RE
systme de 4 quations 4 inconnues ( I B , IC , I E , RB )
En considrant I E IC ( >> 1 ), le systme se rduit 2 quations 2 inconnues ( IC , RB )

IC
VCC VBE o RE ICo

VCC VCEo
+ VBE + RE IC
VCC RB
IC o
= 432 k
= 5 mA et RB
RC + RE
IC o
V (R + R )I + V
C
E C
CE
CC

2. Schma et valuation du paramtre rbe
Aux frquences moyennes, le condensateur de liaison est quivalent un court-circuit.
rg
rbe
i
RB
rbe
i
RC
vg
RE
vs1
UT
= 750
IC o
rce =
vs2
3. Calcul des gains en tension

En constatant que rg << RB dans lapplication du thorme de Thvenin, le systme scrit :
v g rg + rbe + ( + 1)RE i
v s1 = RC i
v s2 = ( + 1)RE i
vs
vs
( + 1)RE
RC
A v1 = 1
et A v 2 = 2
vg
rg + rbe + ( + 1)RE
vg
rg + rbe + ( + 1)RE
soit A v1
Sylvain Gronimi
RC
1 et A v 2 + 1 , car ( + 1)RE >> rg + rbe .
RE
Page 28
4. Calcul de la rsistance dentre

Le diple reprsent est quivalent une rsistance par application du thorme de Thvenin.
Les courants dynamiques existant dans le diple sont gnrs par le courant dexcitation entrant
i 0 , issu de la source de tension v 0 .
i0
i0
i1
v0
rbe
i
RB
v0
RC
ze
RE
i 0 = i1 + i
v
v0
i0 = 0 +
v 0 = RB i1
(
R
r
+
+ 1)RB
B
be
v = r i + ( + 1)R i
be
B
0
do Z e =
v0
= RB // [rbe + ( + 1)RE ] 112 k
i0
Remarquons ici que la topologie du circuit prsente des branches en parallle, ce qui conduit
crire lexpression de la conductance du diple et non de sa rsistance (topologie srie). A la vue
du schma, cela se vrifie par la prsence de la rsistance RB en parallle sur la rsistance du
transistor vue de sa base.
5. Calcul des rsistances de sortie
Pour le calcul de la rsistance vue entre collecteur et masse, le courant dexcitation i 0 ne peut
traverser la branche de rsistance infinie que reprsente la source lie. Le circuit en amont ne
peut tre excit et i = 0 i = 0 . La rsistance du diple est donc Z s1 = RC .
i0
i=0
i=0
rbe
RE
RG
RC
v0
RB
Pour le calcul de la rsistance vue entre lmetteur et la masse, la topologie du circuit prsente
une mise en parallle des branches. Trouver RE en parallle aux autres branches apparat
vident. De plus, RC est en srie avec la rsistance infinie de la source lie et, de ce fait, ne doit
pas figurer dans lexpression de Z s2 . La source indpendante v g tant teinte dans le diple, le
courant dexcitation entrant i 0 peut atteindre la branche qui supporte rbe et la fraction de courant i
commande la source i .
i0
i
i1
i
rbe
RE
rg
Sylvain Gronimi
RB
v0
RC
Page 29
i 0 = i1 ( + 1)i
rbe + rg // RB
i
+1
1
0 =
do Z s2 = RE //
5 .3
+
v 0 = RE i1
v 0 RE rbe + rg // RB
+1
v = r + r // R i
be
g
B
0
6. Conclusion
Les diples quivalents du montage sous forme Thvenin sont, dune part en sortie collecteur,
une source de tension indpendante damplitude v g et de phase oppose celle de lentre en
srie avec une rsistance Z s1 = 1 k (pseudo-metteur commun) et, dautre part en sortie
metteur, une source de tension indpendante damplitude v g et de mme phase que celle de
lentre en srie avec une rsistance Z s2 5.3 (metteur suiveur). Le montage dphaseur de
tension propose deux diples pour attaquer un ventuel montage suivant.
collecteur
metteur
Zs1
Zs2
vs1
vg
vs2
vg
Lamplificateur de tension peut tre reprsent sous la forme dun quadriple faisant apparatre un
modle utilisant une source contrle de tension, associe une branche contrlante supportant
la rsistance dentre (voir cours La caractrisation dun amplificateur linaire .
collecteur
Zs1
1k
rg
50
ve
Ze
112k
metteur
rg
50
vs1
ve
vg
ze
112k
vs2
vg
A v1 ve
avec v e =
zs2
5.3
A v2 ve
Ze
v g v g car Ze >> rg
Z e + rg
v s1 = A v 1v g A v 1v e v e et v s2 = A v 2 v g A v 2 v e + v e
Sylvain Gronimi
Page 30
Etage source commune

Ltude porte sur la caractrisation du circuit de la figure ci-dessous sous la forme dun diple et dun
quadriple. Le transistor effet de champ possde les caractristiques I DSS = 15 mA, VP = 6 V .
La rsistance Rch reprsente la charge extrieure de ltage. Les condensateurs ont une fonction de
liaison (couplage).
RD
2k
rg
CG
CL
J1
VCC
50
R
vG
100k
RS
300
Rch
8k
30 V
CS

1. Dterminez les points de fonctionnement du transistor.
2. Dessinez le schma et valuez le paramtre g m du modle du transistor ( rds = ).
3. Calculez la rsistance dentre Z e vue par le diple dattaque ( v g , rg ).
4. Ecrivez les expressions des lments du diple de Thvenin ( v s0 , Z s ) du montage attaquant la
charge Rch .
5. Identifiez les lments du quadriple reprsentatif de lamplificateur de tension, attaqu par le
diple dattaque et charg par Rch .
6. Evaluez le transfert en tension v s v g .
Corrig
1. Calcul des points de fonctionnement
En continu ( = 0 ), les condensateurs de liaison sont quivalents des circuits ouverts
1
= ).
(
C
+VCC
RD
ID
IG=0
VDS
VGS
R
VGS
I
I
1
=
D
DSS
VP
V R I
S D
GS
RS
systme de 3 quations 3 inconnues ( I D , VDS , VGS )
Sylvain Gronimi
Page 31
2
VGS
VP2
1
2
VGS + 1 = 0 VGS 2 V et I D 6.67 mA , VDS 14.7 V .
+
o
o
o
I
R
V
P
DSS S

2. Schma et valuation du paramtre g m
Aux frquences moyennes, les condensateurs de liaison sont quivalents des courts-circuits.
rg
vgs
gm vgs
vs
RD
2
VP
(canal N)
gm =
Rch
vg
I DSS I Do 3.33 mA / V
3. Calcul de la rsistance dentre vue par lattaque

i0
Le diple contient tout le circuit (y compris la

charge). La rsistance dentre vue de la grille
du JFET tant de valeur norme (jonction en
inverse), le courant dexcitation i 0 du diple se
dirige entirement dans la rsistance R.
Z e = R = 100 k
v0
4. Diple de Thvenin
Calcul de Z s vue par la charge Rch
Le courant i 0 , issu de la source de tension v 0
extrieure applique au diple, est lunique
courant dexcitation du circuit puisque v g = 0
i0
rg
vgs = 0
gm vgs
=0
RD
v0
vg = 0
(source teinte). Il ny a donc aucune possibilit

datteindre la partie amont du circuit et v gs = 0 .
ZS = RD = 2 k
La tension vide, appele v s0 , se calcule en dconnectant la charge.

R
R
v gs = R + r v g
vg
v s0 = g m RD
g
R + rg
v = g v R
m gs D
s0
La tension de sortie en charge est
RD
vs
vs0
Sylvain Gronimi
Rch
vs =
Rch
R
v s0 = g m (RD // Rch )
vg
Rch + RD
R + rg
Page 32
5. Quadriple reprsentatif de lamplificateur de tension

Lamplificateur de tension peut tre reprsent sous la forme dun quadriple faisant apparatre un
modle utilisant une source contrle de tension, associe une branche contrlante supportant
la rsistance dentre (voir cours La caractrisation dun amplificateur linaire .
RD
rg
ve
Rch
vs
vg
A v ve
La branche dentre sidentifie Z e = R . Le diple de sortie sidentifie au diple de Thvenin

attaquant la charge dont les lments sont ZS = RD et A v v e . Le transfert en tension A v est le
coefficient de proportionnalit de la variable de commande v e tel que
Av v e = Av
R
v g = v s0 A v = g m R D
R + rg
6. Evaluation du transfert en tension

Lexpression analytique de la tension de sortie en charge est :
Rch
v
R
vs =
A v v e = g m (RD // Rch )
v g s 5.33
Rch + RD
R + rg
vg
(mme expression que pour le diple, videmment).
Sylvain Gronimi
Page 33
Etage collecteur commun charg par un miroir de courant

Ltude porte sur la caractrisation du circuit de la figure ci-dessous (rsistance dentre, rsistance
de sortie, transfert en tension, frquence de coupure basse).
Les transistors sont tous identiques tels que = 100 ( >> 1), VBE0 = 0.6 V , rce = 100 k . Le
composant C est un condensateur de liaison.
RB
C
Q1
R
VCC
ve
10 V
Q2
Q3
vs

1. Evaluez la rsistance R pour que la source de courant produise I E1 = 1 mA . ainsi que la rsistance
RB pour avoir VCE2 = 0.6 V .

2. Dessinez le schma et valuez le paramtre rbe du modle du transistor Q1 .
3. Calculez le transfert en tension A V = v s v e . la rsistance dentre Z e et la rsistance de sortie
Zs .
Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences basses

4. Evaluez la capacit de liaison afin dobtenir une frquence de coupure de lordre du hertz.
Sylvain Gronimi
Page 34
Corrig
IR
RB
Q1
VCC
IB1
IE1
Q2
Q3
1. Evaluation des rsistances

Les composants Q2 , Q3 et R constituent un miroir lmentaire qui reconduit le courant I R en
sortie de Q2 .
VCC = R I R + VBE3
I R I E1
VCC VBEo
I E1
= 9 .4 k
Evaluation de la rsistance RB
VCC = RB I B1 + VBE1 + VCE2
I E1 IC1 = I B1 ( >> 1)
RB
VCC VBEo VCE2

I E1
= 880 k

2. Schma et valuation du paramtre du modle
Aux frquences moyennes, le condensateur de liaison est quivalent un court-circuit.
ie
i
rbe1
i
RB
rbe1
req
vs
ve
UT
= 2 .5 k
IC1
req = rce1 // rce2 =
rce
= 50 k .
2
3. Caractrisation de ltage
Calcul du gain en tension
v e rbe1 + ( + 1)req i
v s = ( + 1)req i
Sylvain Gronimi
Av =
( + 1)req
vs
=
1.
v e rbe1 + ( + 1)req
Page 35
Calcul de la rsistance dentre

Le diple reprsent est quivalent une rsistance par application du thorme de Thvenin.
Les courants dynamiques existant dans le diple sont gnrs par le courant dexcitation entrant
i 0 , issu de la source de tension v 0 .
i0
i0
rbe1
i1
RB
v0
req
ze
v0
i 0 = i1 + i
v
v0
i0 = 0 +
v 0 = RB i1
(
R
r
+
+ 1)req
B
be1
v = r i + ( + 1)r i
be1
eq
0
do Z e =
v0
= RB // rbe + ( + 1)req 750 k
i0
Calcul de la rsistance de sortie

i
i0
i1
rbe1
RB
ve = 0
req
v0
La source indpendante v e tant teinte dans le diple, le courant dexcitation entrant i 0 peut
atteindre la branche qui supporte rbe1 et la fraction de courant i commande la source i .
i 0 = i1 ( + 1)i
rbe1
rbe
i
1
+1
0 =
+
do Z s = req //
1 = 25 .
v 0 = req i1
v 0 req
rbe1
+1
v 0 = rbe1 i
Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences basses

4. Calcul de la capacit
Constatons que le montage reprsente une simple rsistance sidentifiant la rsistance dentre.
C
ve
Sylvain Gronimi
Ze
fb =
1
C 212 nF avec fb = 1 Hz .
2 Z e C
Page 36
Etage diffrentiel JBT

Ltude porte sur la caractrisation de ltage diffrentiel de la figure ci-dessous. Les deux transistors
sont supposs technologiquement identiques avec = 200, VA trs grand .
RC
RC
VCC
15 V
S1
Q1
Q2
V1
V2
VCC
15 V
RE

1. Dmontrez que les courants collecteurs des transistors sont gaux.
2. En prenant I 0 = 200 A , valuez la rsistance RE .
3. Evaluez les paramtres rbe1 et rbe2 des modles des transistors.
4. Exprimez la tension de sortie sous la forme v s1 = Ad (v 1 v 2 ) + Ac (v 1 + v 2 ) 2 .

5. Evaluer RC pour avoir Ad = 100 , puis calculez le taux de rjection de mode commun TRMC .
6. Calculez la valeur de limpdance dentre diffrentielle Z d .
7. Calculez la valeur de limpdance dentre de mode commun Z c .
La rsistance RE est remplace par un miroir de courant lmentaire Q3 - Q4 avec VA = 100 V (voir
problme miroir lmentaire pour polarisation dtage , la polarisation tant directement
compatible.
8. Evaluez le nouveau taux de rjection de mode commun.
Sylvain Gronimi
Page 37
Corrig
RC
RC
IC1
IC2
Q1
Q2
VCC
15 V
VBE1
VBE2
VCC
15 V
RE
I0
1. Relation des courants collecteurs

Equations technologiques
Equation de la maille dentre
VBE1
I I e UT
BS
B
Q1 Q2 1
VBE2
I B2 I BS e UT
VBE1 = VBE 2 IC1 IC2
2. Evaluation de la rsistance RE
IC1 = IC1 = ICo
o
VCC VBE1
I0
o
= 100 A et RE =
72 k
2
I0
vs1
RC
RC
Q1
Q2
v1
v2
RE
ie1 + ie2
3. Evaluation des paramtres des modles rbe1 et rbe2

rbe = rbe1 = rbe2 =
UT
= 50 k
IC0
4. Expression de la tension de sortie

Mthode classique
(voir cours Montages plusieurs transistors )
Sylvain Gronimi
Page 38
Mthode du demi-schma (voir annexe sur Mthode de travail pour la caractrisation linaire
dun tage diffrentiel )
vs1
vs1
RC
RC
RC
RC
ie1 = ie2
ie1 = - ie2
Q1
Q1
Q2
vd / 2
RE
masse
virtuelle
Q2
vc
- vd / 2
vc
vd
+ vc
2
v
v2 = d + vc
2
v1 =
RE
ie1 + ie2 = 2 ie
Pour le rgime diffrentiel, le montage (parfaitement symtrique) se rduit au montage metteur

commun de gauche, les tensions dmetteur et de masse tant quipotentielles puisque la
rsistance RE est traverse par un courant nul. La tension de sortie v s1 est gauche :
v s1 =
RC v d
2
rbe1
Pour le rgime de mode commun, le montage se rduit au montage pseudo-metteur commun,

lmetteur de Q1 voyant une rsistance quivalente 2 RE traverse par son courant dmetteur :
v s1 =
rbe1
RC
vc
+ 2 ( + 1)RE
Le thorme de superposition donne v s1 =

On identifie Ad =
v s1
vd
RC
2 rbe1
et Ac =
v s1
vc
RC
RC
vd
vc
2 rbe1
rbe1 + 2 ( + 1)RE
RC
rbe1 + 2 ( + 1)RE
5. Evaluation de la rsistance RC et du taux de rjection TRMC

RC =
2 rbe Ad
= 50 k , TRMC =
Ad
R
1
= + ( + 1) E 289 (49.2 dB)
2
Ac
rbe1
6. Evaluation de la rsistance diffrentielle Z d

(rsistance inter-bases, vue par la tension diffrentielle dentre)
Z d = rbe1 + rbe2 = 100 k
7. Evaluation de la rsistance de mode commun Z c

(rsistance entre base et masse, vue par la tension de mode
Z c = rbe1 + 2 ( + 1)RE 29 M
commun dentre pour le demi-schma)
La source v c voit ses bornes une rsistance Z c 2
8. Evaluation du nouveau taux de rjection TRMC
La charge dynamique du miroir rce3,4
VA
= 500 k remplace la rsistance RE = 72 k , ce qui
I0
amliore les performances de ltage diffrentiel ( TRMC 66 dB , Z c 201 M )
Sylvain Gronimi
Page 39
Etage diffrentiel JFET

Ltude porte sur la caractrisation de ltage diffrentiel de la figure ci-dessous. Les deux transistors
sont supposs technologiquement identiques avec I DSS = 2 mA, VP = 2 V .
+VCC
+VCC
RD
10k
vs
J1
RD
10k
J2
v1
v2
I0
J3
RS
500
-VCC
Etude en rgime continu

1. Evaluez les courants de drain des transistors.
2. Dduisez de ltude du rgime continu, les valeurs des paramtres g mi des transistors J i .
3. Ecrivez lexpression de la rsistance dynamique z0 de la source de courant I 0 vue entre le drain
et la masse. Evaluez cette dernire, le paramtre rds3 tant estim 100 k.
4. Les paramtres rds des transistors J1 et J 2 tant ngligs, crivez puis valuez les gains en
tension Ad =
vs
v
et Ac = s .
vd
vc
5. Dduisez le TRMC en dB.

6. Evaluez les rsistances diffrentielle Z d , de mode commun Z c et de sortie Z s du montage.
Sylvain Gronimi
Page 40
Corrig
+VCC
+VCC
RD
RD
10k
10k
ID2
ID1
J1
J2
VGS1
VGS2
I0
J3
VGS3
RS
500
-VCC
1. Evaluation des courants de drain des transistors
Equations technologiques ( J1 J 2 J 3 )
VGS1
I = I
DSS 1
D1
Vp
VGS2
(mmes I DSS , VP )
I D2 = I DSS 1
Vp
2
VGS3
I D3 = I DSS 1
Vp
I 0 I D = I D + I D
3
1
2
Equations du circuit VGS1 VGS2 = 0
VGS3 = RS I 0
I0
I D1 = I D2 = 2
2 RS
R2
1
do
2
S2 I 02 +
I DSS
Vp
I = I
Vp
RS I 0
DSS 1 +
0
V
p
I0 + 1 = 0
soit I 0 1.07 mA, I D1 = I D2 536 A

o
2. Evaluation des paramtres g mi

gm =
2
Vp
Sylvain Gronimi
I Do I DSS , g m1 = g m2 1.035 mA / V , g m3 1.46 mA / V
Page 41
3. Calcul de la charge dynamique

i0
v 0 = rds3 (i 0 g m3 v gs ) + RS i 0
v gs = RS i 0
rds3
gm vgs
i0 - gm vgs
RS
z0 =
vgs
v0
= RS + 1 + g m3 RS rds3 173 k
i0

La mthode du demi-schma est mise en uvre (voir annexe sur Mthode de travail pour la
caractrisation linaire dun tage diffrentiel symtrique).
G1
vgs2
vgs1
gm vgs1
vd / 2
vc
G2
S2
S1
z0
vd / 2
gm vgs2
D2
D1
RD
RD
vc
vs
Pour le rgime diffrentiel, le montage se rduit au montage source commune, car la charge z0
est traverse par un courant nul et la tension de sortie v s est droite, do
v
g R
v
v s = g m RD d do le gain diffrentiel Ad = s = m D 5.18 .
2
2
v
d
Pour le rgime de mode commun, le montage se rduit au montage pseudo-source commune, la
source de J 2 voyant une charge quivalente 2 z0 traverse par son courant de source, do
vs =
g m RD
vc
1+ 2 g m z0
do le gain de mode commun Ac =
vs
g m RD
=
29 10 3 .
vc
1 + 2 g m z0
Le thorme de superposition donne v s = Ad v d + Ac v c .

5. Evaluation du TRMC
TRMC =
Ad
1
= + g m z0 180 (45 dB)
Ac
2
6. Calcul des rsistances diffrentielle, de mode commun et de sortie du montage

Z d = , Z c = , Z s = RD = 10 k
Sylvain Gronimi
Page 42
Rponse en frquence dun tage metteur commun

Ltude propose porte sur le comportement en frquence du montage de la figure ci-dessous. Le
transistor possde les caractristiques suivantes
= 150, ft = 70 MHz,Cbc = 20 pF , VA =
Les composants CG et CE sont respectivement des condensateurs de liaison et de dcouplage.
rg
CG
50
10u
RB1
RC
100k
1.5k
Q1
VCC
20 V
vG
RB2
RE
22k
470
CE
100u

1. Dterminez le point de repos du transistor.
Etude du rgime dynamique aux faibles signaux
2. Dduisez la valeur du paramtre rbe de ltude prcdente.
3. Aux frquences moyennes, calculez le gain en tension Av o = v s v g , les rsistances dentre et
de sortie.
4. Evaluez la frquence de coupure basse du montage.
5. Evaluez la frquence de coupure haute du montage.
Sylvain Gronimi
Page 43
Rponse en frquence
Corrig
RC
RB1
IC
VCC
IB
VCE
VBE
RE
RB2
IE
1. Point de repos du transistor

VCC (RC + RE )IC + VCE
avec VB =
RB2
RB1 + RB2
VCC et RB = RB1 // RB2
RB 18 k , IC0 5.07 mA
Etude du rgime dynamique

2. Rsistance dynamique de la jonction base-metteur
rbe
UT
740
IC 0
3. Gain en tension aux frquences moyennes
ib
rg
rbe
RB
vg
RC
vs
ib
Ce schma peut tre simplifi au regard des valeurs numriques, car RB >> rg par Thvenin.
v g rg + rbe i b
RC
v
285
Av o = s
vg
rg + rbe
v s = i b RC
soit un gain damplitude de 285 avec dphasage de ou encore gain de 49 dB.

Les rsistances dentre et de sortie scrivent : Z e = RB // rbe 711 et Z s = RC 1.5 k .
Sylvain Gronimi
Page 44
Rponse en frquence
4. Frquence de coupure basse

Schma aux frquences basses
CG
rbe
rg
ib
RB
ib
RC
vg
RE
CE
La fonction de transfert en tension est du type passe-haut du second ordre par la prsence des
deux condensateurs indpendants au sein du montage.
Mthode classique de mise en quations
p P
1 +
3 4
Av ( p ) = Av o
2
p2
p+
1+
avec
n2
3 = R C
E E
RB + rbe + ( + 1)RE
4 =
R
B rg + rbe RB + rg CG
2 = r + R // [r + ( + 1)R ] C + R // rbe + RB
g
B
be
E
G
E
n
+1
RB rg + rbe RB + rg CG RE CE
1
1
2 = =
RB + rbe + ( + 1)RE
3 4
n
[
{
)]
}
)]
CE
Le calcul du coefficient damortissement et de la pulsation naturelle n du systme non amorti

permet lvaluation de la frquence de coupure 3 dB (voir cours Le filtrage analogique ).
c = n 2 2 1 +
( 2 2 1)2 + 1
soit fc 327 Hz (filtre passe-haut du second ordre).
Mthode par lapproximation du ple dominant

Calcul du premier ple :
Rsistance RG du diple vu par CG lorsque CE est assimil un court-circuit.
RG
rg
RB
rbe
RC
RG = rg + RB // rbe 761
Sylvain Gronimi
Page 45
Rponse en frquence
Rsistance RE du diple vu par CE lorsque CG est assimil un court-circuit.

i0
rbe
rg
//RB
i1
i
rbe
RC
RE
RE
RE
v0
i1 =
R
E
i 0 = i1 ( + 1)i
v0
i =
rbe + rg // RB
RC
i0
+1
1
=
+
v 0 RE rbe + rg // RB
rg //RB
do RE =
v0
rg // RB + rbe
+1
// RE 5.21
ce qui donne la frquence de coupure 3 dB, fb
1
2
1
1
R C + R C
E E
G G
326 Hz .
Calcul du deuxime ple :

Rsistance RE0 du diple vu par CE lorsque CG est assimil un circuit ouvert.
Rsistance RG0 du diple vu par CG lorsque CE est assimil un circuit ouvert.
RG0
rbe
rg
RB
RC
RE
RG0 = rg + RB // [rbe + ( + 1)RE ] 14440 , RE0 = RE //
do f3
RE0
RB + rbe
95.8
+1
1
1 Hz
2 (RG0 CG + RE0 CE )
Calcul du zro :
Le zro est produit par la liaison entre metteur et masse, couplage d CE . En effet, si
lmetteur du transistor est en lair, le courant dans la charge est nul, donc
RE
1
1
= p=
3.39 Hz .
et f2 =
2 RE CE
1 + RE C E p
R E CE
Les rsultats sont valables avec une excellente prcision car les deux ples sont spars de plus
de deux dcades et le zro est deux dcades en dessous du ple dominant. La simulation sur
Spice confirme ces chiffres.
Sylvain Gronimi
Page 46
Rponse en frquence
5. Frquence de coupure haute

Estimation de la capacit de diffusion Cbe + Cbc =
IC 0
Cbc = 20 pF , Cbe 440 pF
2 UT ft
Schma aux frquences hautes

Cbc
rg
Cbe
RB
gm v
rbe
Rc
vs
vg
La fonction de transfert en tension est du type passe-bas du second ordre par la prsence des
deux capacits indpendantes au sein du montage.
Mthode classique de mise en quations
Lcriture de la fonction de transfert en tension est la suivante :
gm
z =
C
p
bc
2
Z
AV ( p ) = AVo
avec
= rg // RB // rbe Cbe + RC + (1 + g m RC ) rg // RB // rbe Cb 'c
2
p2
n
1+
p+
1
n
n2
2 = rg // RB // rbe RC Cbe Cbc
n
)]
Le calcul du coefficient damortissement et de la pulsation naturelle n du systme non amorti

permet lvaluation de la frquence de coupure 3 dB (voir cours Le filtrage analogique ).
c = n 1 2 2 +
( 2 2 1)2 + 1
soit fc 477 kHz
(filtre passe-bas du second ordre).

0
Rbc
rg
v
RB
0
R be
rbe
RC
gm v
Rsistance du diple vu par C be lorsque Cbc est assimil un circuit ouvert :

0
Rbe
= rg // RB // rbe 46.7
Sylvain Gronimi
Page 47
Rponse en frquence
Rsistance du diple vu par C bc lorsque Cbe est assimil un circuit ouvert :

0
Rbe
i0
gm v
RC
v0
0 i + R (i + g v )
v 0 = R be
0
C 0
m
0 i
v = R be
0
0
0
Rbc
= (1 + g m RC )Rbe
+ RC 15730
0
0
a1 = Rbe
Cbe + Rbc
Cbc 3.35 10 7 s , fh
1
475 kHz ce qui donne la frquence de coupure
2 a1
- 3 dB.
be du diple vu par C
Rsistance Rbc
bc lorsque C be est assimil un court-circuit :
be
Rbc
be = R = 1.5 k
Rbc
C
RC
v=0
gm v = 0
0 C R be C
16 s 2 , do f
a2 = Rbe
be bc
bc 6.17 10
2
a1
86.5 MHz .
2 a2
Calcul du zro :
Le zro est produit de manire telle que le courant circulant dans la charge RC est nul, couplage
d Cbc . En effet, le courant circulant dans la branche supportant Cbc est gal au courant fourni
par la source lie, donc
g
gm
Cbc p V ( p ) = g m V ( p ) p = m et f3 =
1.6 GHz .
C bc
2 Cbc
Malgr que les calculs, conduisant lvaluation de f2 , outrepasse le domaine de validit du
modle de comportement en frquence du transistor ( f2 et f3 > ft ), la frquence de coupure haute
demeure valable avec une bonne prcision, car les deux ples sont spars de plus de deux
dcades. Lhypothse du ple dominant est donc vrifie une prcision infrieure 1%.
Sur un plan purement analytique, une meilleure prcision peut tre atteinte en valuant une
frquence de coupure corrige telle que
1 1 1
1
1 1
do f1 = fhcorrige 478 kHz en prenant la valeur trouve de
2 a1 = +

fh
f1 f 2
f1 fh f2
f2 (valeur approche).
Sylvain Gronimi
Page 48
Rponse en frquence
Mthode par transformation de schma par application du thorme de Miller

Le schma H.F. fait apparatre un quadriple pont par la branche capacitive C bc . Le thorme
de Miller (voir Annexes ) conduit au schma suivant (rappelons que le circuit de sortie ne sert
que pour exprimer le transfert en tension).
rg
Cbe
RB
avec C1 = (1 + g m RC )Cbc
C1
et R1 =
rbe
R1
vg
RC
1 + g m RC

0
Rsistance du diple vu par C be lorsque C1 est assimil un circuit ouvert : Rbe
= rg // RB // rbe .
0
+ R1 .
Rsistance du diple vu par C1 lorsque Cbe est assimil un circuit ouvert : R10 = R be
0
0
Cbe + Cbc (1 + g m RC )Rbe
+ RC (mme rsultat que prcdemment).
soit a1 = Rbe

Rsistance R1be du diple vu par C1 lorsque Cbe est assimil un court-circuit : R1be = R1
0
0
Cbe R1be C1 = Rbe
Cbe RC Cbc (mme rsultat que prcdemment).
soit a2 = Rbe
La simulation sur Spice illustre ces rsultats. De plus, si la position du deuxime ple est accepte
( f2 > ft ), la marge de phase de lordre de 40 dmontre une bonne stabilit de lamplificateur.
80
(327.975, 46.058)
40
(16.853K, 49.051)
(477.173K, 46.049)
(3.4146, 12.023)
(92.289M, 20.262m)
(1.1307, 7.1713)
marge de phase 40
0 dB
-40
-80
10mHz
DB(V(S))
Sylvain Gronimi
1.0Hz
100Hz
10KHz
1.0MHz
100MHz
10GHz
Frequency
Page 49
Rponse en frquence
0d
(12.430K, -180.004)
(473.028K, -225.027)
-200d
(321.990, -135.004)
(80.309M, -315.194)
-400d
-600d
10mHz
P(V(S))
Sylvain Gronimi
(92.350M, -320.013)
1.0Hz
100Hz
10KHz
1.0MHz
100MHz
10GHz
Frequency
Page 50
Rponse en frquence
Rponse en frquence dun tage base commune

Le sujet propos porte sur ltude en rgime dynamique du montage base commune de la figure cidessous. Les paramtres du modle en comportement linaire du transistor sont :
= 150, rbe = 740 ,Cbe = 440 pF ,Cbc = 20 pF ,VA =

Les composants CG et CB sont respectivement des condensateurs de liaison et de dcouplage.
RB1
100k
RC
1.5k
VCC
Q
CB
10u
RB2
RE
22k
470
CG
rg
10u
50
20 V
vs
vg
Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes

1. Dessinez le schma.
2. Calculez le gain en tension Av 0 = v s v g , les rsistances dentre et de sortie.
Etude du rgime dynamique aux frquences basses
4. Evaluez linfluence de chacun des condensateurs CG et CB sur la frquence de coupure, lautre
tant quivalent un court-circuit. Concluez sur la frquence fb de coupure basse du montage.
5. Evaluer la frquence fb par la mthode de lapproximation du ple dominant.
Etude du rgime dynamique aux frquences hautes
7. En se plaant dans lhypothse dun ple dominant, calculez la frquence fh de coupure haute du
montage.
8. Validez lhypothse du ple dominant.
Sylvain Gronimi
Page 51
Rponse en frquence
Corrig
1. Schma
rg
i
RE
RC
rbe
vs
vg
2. Caractrisation du montage
Ce schma peut tre simplifi par Thvenin v g' =
R E rg
RE
v g et rg' =
.
R E + rg
R E + rg
'
v g' = ( + 1)rg' + rbe i
vs vs vg
RC
RE
=
=
=
26.9 (+28.6 dB)
A
v0
' v
+
+
(
1
)
//
v
r
R
r
R
v
v s = i RC
g
E
be
E + rg
g
g g
Les rsistances dentre et de sortie scrivent : Ze = RE //
rbe
4.9 et Z s = RC 1.5 k .
+1

3. Schma
CB
RB
rbe
RC
i
RE
CG
rg
vg
deux condensateurs indpendants au sein du montage. La recherche de la frquence de coupure
basse peut tre alors entreprise de deux manires :
-
constater linfluence dun des condensateurs pris de manire indpendante, les autres tant
assimils des court-circuits et interprter globalement les rsultats obtenus,
appliquer la mthode dapproximation du ple dominant, en noubliant pas de valider
lhypothse.
4. Influence de chaque condensateur pris indpendamment

Frquence de coupure due linfluence du condensateur CB
Sylvain Gronimi
Page 52
Rponse en frquence
Le composant CG tant quivalent un court-circuit ( f = ), le but est de calculer la constante de

temps de coupure de la maille, cest--dire dcrire lexpression de la rsistance RB du diple vu
par CB (thorme de Thvenin / Norton).
i0
RB
v0
rbe
RC
i
RE // rg
v0
i 0 = R + i
RB = RB // rbe + ( + 1) RE // rg 5326
B
v = r + ( + 1) R // r i
be
E
g
0
)]
soit une frquence de coupure fb1 =
)]
1
3 Hz .
2 RB CB
Frquence de coupure due linfluence du condensateur CG

Le composant CB tant quivalent un court-circuit ( f = ), on recherche lexpression de la
rsistance RG du diple vu par CG .
i0
i
i1
i
rbe
RE
v0
RC
rg
i1 = i 0 + ( + 1)i
RE
(
)
+
+
=
1
1
i
i
RE
1 0
rbe
v0 =
+ rg i 0
v 0 = RE i1 + rg i 0
1 + ( + 1) RE
v = R i + r i
E 1
g 0
rbe i = RE i1
0
r
be
RG =
rbe
+1
// RE + rg 54.8 , soit une frquence de coupure fb2 =
1
290 Hz .
2 RG CG
Linfluence de CG apparat prpondrante vis--vis de CB car deux dcades sparent les ples,
ce qui entrane une frquence de coupure basse fb 290 Hz .
5. Mthode par lapproximation du ple dominant
1 1
1
fb
+
2 RG CG RE CE
Sylvain Gronimi
= fb + fb 293 Hz ce qui donne la frquence de coupure 3 dB.

1
2
Page 53
Rponse en frquence

Rsistance R B0 du diple vu par CB lorsque CG est assimil un circuit ouvert.
Rsistance RG0 du diple vu par CG lorsque CB est assimil un circuit ouvert.
RB
RB0
rbe
RC
i
RE
RB0 = RB // [rbe + ( + 1)RE ] 14388 , RG0 = RE //
do f3
RG0
rg
RB + rbe
+ rg 148
+1
1
1.1 Hz
2 (RG0 CG + RB0 CB )
Calcul du zro :
Le zro est obtenu par le couplage d CB . En effet, si la base du transistor est en lair, le
courant dans la charge est nul, donc
RB
1
1
et f2 =
= p=
0.88 Hz .
1 + RBCB
RBCB
2 RB CB
Les rsultats sont valables avec une excellente prcision car les deux ples sont spars de plus
de deux dcades et le zro est deux dcades en dessous du ple dominant. La simulation sur
Spice confirme ces chiffres.
6. Schma
Cbc
Cbe
rbe
RC
i
RE
rg
vg
deux capacits indpendantes au sein du montage. La mthode par lapproximation du ple
dominant est applique.
Sylvain Gronimi
Page 54
Rponse en frquence
i0
i
i
i1
rbe
rg //RE
v0
RC
i 0 + ( + 1)i = i1
v0
v
r
0
i0 =
+ ( + 1) 0 Rbe
= rg // RE // be 4.42
v 0 = rbe i
+1
r
R
r
//
g
E
be
v = r // R i
g
E 1
0

0 = R = 1.5 k car i = 0 .
Rbc
C
0 C
0
8 s , f
a1 = Rbe
be + R bc C bc 3.195 10
h
1
4.98 MHz
2 a1
(frquence de coupure 3 dB).

bc = R 0 .
Rsistance du diple vu par Cbe lorsque Cbc est assimil un court-circuit : Rbe
be
be
= RC .
Rsistance du diple vu par C bc lorsque Cbe est assimil un court-circuit : Rbc
0 C
0
be
bc
17 s 2 , do f
a2 = Rbe
be R bc C bc = R be C be R bc C bc 5.834 10
2
a1
87.2 MHz
2 a2
Malgr que le calcul conduisant lvaluation de f2 outrepasse le domaine de validit du modle

de comportement en frquence du transistor ( f2 > ft ), la frquence de coupure haute demeure
valable avec une bonne prcision, car les deux ples sont spars de plus dune dcade.
Lhypothse du ple dominant est donc vrifie une prcision denviron 5%. Sur un plan
purement analytique, une meilleure prcision peut tre atteinte en valuant une frquence de
coupure corrige telle que
1 1 1
1
1 1
2 a1 = +
do

et f1 = fhcorrige 5.28 MHz (avec f2 valeur approche).
fh
f1 f 2
f1 fh f2
La simulation sur Spice illustre les rsultats.
40
(45.243K, 28.588)
20 dB / decade
20
(5.2867M, 25.575)
(291.838, 25.575)
0
(77.787M, 2.4421)
-20
40 dB / decade
-40
10Hz
100Hz
1.0KHz
10KHz
100KHz
1.0MHz
10MHz
100MHz
1.0GHz
DB(V(S))
Frequency
Sylvain Gronimi
Page 55
Rponse en frquence
Rponse en frquence dun tage collecteur commun

Le sujet propos porte sur ltude en rgime dynamique du montage collecteur commun de la figure
ci-dessous. Les paramtres du modle en comportement linaire du transistor sont :
= 150, rbe = 755 ,Cbe = 432 pF ,Cbc = 20 pF ,VA =

Le composant CG est un condensateur de liaison.
RB
284k
rg
VCC
CG
Q
3k
vg
10n
20 V
RE
2k
vs

2. Calculez le gain en tension Av 0 = v s v g , les rsistances dentre et de sortie.
4. Evaluez la frquence fb de coupure basse du montage.
6. En se plaant dans lhypothse dun ple dominant, calculez la frquence fh de coupure haute du
montage.
Sylvain Gronimi
Page 56
Rponse en frquence
Corrig
1. Schma
i
rbe
rg
RB
RE
vs
vg
2. Gain en tension
Ce schma peut tre simplifi par Thvenin v g' =
RB rg
RB
v g et rg' =
2969 .
RB + rg
R B + rg
v g' = rg' + rbe + ( + 1)RE i

v
( + 1)RE
RB
Av 0 = s =
0.977 (- 0.2 dB)
v g rg // RB + rbe + ( + 1) RE RB + rg
v s = ( + 1)i RE
Les rsistances dentre et de sortie scrivent :
rg // RB + rbe
Z e = RB //[rbe + ( + 1)RE ] 146.5 k et Z s =
// RE 24.4 .
+1
3. Schma
CG
rbe
rg
ib
RB
ib
vg
RE
La fonction de transfert en tension est du type passe-haut du premier ordre par la prsence dun
seul condensateur au sein du montage.
La constante de temps de coupure est obtenue par le calcul de la rsistance Req du diple
(thorme de Thvenin ou Norton) vu par le condensateur.
i
i0
i1
rbe
i
RB
v0
RE
rg
Sylvain Gronimi
Page 57
i 0 = i1 + i
v 0 = RB i1 + rg i 0
RB i1 = [rbe + ( + 1)RE ]i
Rponse en frquence
RB
i 0 = 1 +
rbe + ( + 1)RE

v = R i + r i
B 1
g 0
0
i1
Req = rg + RB // [rbe + ( + 1)RE ]
do la frquence de coupure 3 dB fb
1
106 Hz avec Req 149.5 k .
2 Req CG

5. Schma
Cbe
rbe
i
v
rg
RB
i
gm v
Cbc
RE
vg
deux capacits indpendantes au sein du montage.
La mthode par lapproximation du ple dominant est applique
i0
i1
v 0 = v
+ i1
i 0 =
r
be
v = r // R i + R (i g v )
g
B 1
E 1
m
0
rg//RB
v
v0
rbe
RE
gm v
v0
i 0 = r + i1

be
v (1 + g R ) = r // R + R i
m E
g
B
E 1
0
0
= rbe //
do Rbe
rg // RB + RE
1 + g m RE
i0 =
(1 + g m RE )v 0
rg // RB + RE
v0
rbe
12.3

rbe
i0
i1
0
Rbc
= rg // RB // [rbe + ( + 1)RE ] 2940 .
i
v0
Sylvain Gronimi
rg//RB
RE
Page 58
Rponse en frquence
0 C
0
8 s , f
a1 = Rbe
be + R bc C bc 6.41 10
h
1
2.48 MHz
2 a1
ce qui donne la frquence de
coupure 3 dB.
Rsistance du diple vu par C bc lorsque Cbe est assimil un circuit-circuit :
be
be
0 C
16 s 2
Rbc
= rg // RB // RE 1195 a2 = Rbe
be R bc C bc 1.27
ou encore, rsistance du diple vu par Cbe lorsque C bc est assimil un circuit-circuit :

i0
v0
rbe
bc =
Rbe
RE
rbe
+1
// RE 4.99
gm v
bc C R 0 C
16 s 2 , do f
a2 = Rbe
2
be bc bc 1.27 10
a1
80 MHz
2 a2
Malgr que le calcul conduisant lvaluation de f2 outrepasse le domaine de validit du modle

de comportement en frquence du transistor ( f2 > ft ), la frquence de coupure haute demeure
valable avec une bonne prcision, car les deux ples sont spars de plus dune dcade.
Lhypothse du ple dominant est donc vrifie une prcision denviron 3%.
1 1 1
1
1 1
et f1 = fhcorrige 2.56 MHz (avec f2 valeur approche).
do
2 a1 = +

fh
f1 f 2
f1 fh f2
La simulation sur Spice illustre ces rsultats. Un zro, situ fz =
+1
74 MHz , contre
2 rbe Cbe
leffet du ple f2 80 MHz , do comportement du premier ordre.

10
(15.719K, -216.125m)
-0
-10
(107.303, -3.1986)
(2.5746M, -3.2344)
-20
-30
-40
1.0Hz
10Hz
100Hz
1.0KHz
10KHz
100KHz
1.0MHz
10MHz
100MHz
1.0GHz
DB(V(S))
Frequency
Sylvain Gronimi
Page 59
Rponse en frquence
Comparaison des montages fondamentaux JBT

A partir des rsultats des problmes sur les rponses en frquence des tages metteur commun,
base commune et collecteur commun, effectuez une comparaison des performances tudies.
Corrig
Report des performances dans le tableau suivant :
performances
metteur commun
base commune
collecteur commun
polarisation ICo
5.07
5.07
rsistance dentre Ze ()
711
4.9
146500
Rsistance de sortie Zs ( )
1500
1500
24.4
gain en tension A v
- 285
26.9
0.977
coupure basse fb (Hz )
326
297
106
coupure haute fh (kHz )
475
4980
2480
deuxime ple f2 (MHz )
86.5
87.2
80
fh (kHz ) corrige
478
5280
2560
Commentaires :
Les trois montages utilisent le mme transistor ( , ft ,VA ) parcouru par le mme courant de
polarisation ICo , cest--dire utilisant les mmes valeurs des paramtres dynamiques du
modle aux faibles signaux ( rbe , Cbe ,Cbc ), permettant ainsi une bonne comparaison des
performances.
Les valeurs de la rsistance dentre montrent quun tage base commune doit tre attaqu
en courant et quun tage collecteur commun en tension.
La valeur de la rsistance de sortie de ltage collecteur commun fait apparatre son rle
dabaisseur dimpdance (adaptateur basse impdance).
Les tages metteur commun et base commune sont des amplificateurs de tension, alors que
ltage collecteur commun recopie la tension dentre en sortie (suiveur de tension). Ici, le
gain de ltage base commune est faible cause dun problme dadaptation sur lentre
(attaque en courant).
La frquence de coupure basse est fonction du choix des valeurs de condensateurs de liaison
et de dcouplage, donc indpendante du type dtage.
Les valeurs des frquences de coupure haute mettent en exergue le principal problme de
ltage metteur commun, savoir une faible bande passante. Cette frquence de coupure
sera dautant plus faible que la charge sera plus importante (gain en tension demand plus
important). La solution est lutilisation du montage cascode.
Le deuxime ple se situe aux environs de la frquence de transition ft , extrme limite du
modle de comportement du transistor en frquence.
La frquence de coupure haute corrige dmontre lefficacit de la mthode du ple
dominant.
Sylvain Gronimi
Page 60
Rponse en frquence
Rponse en frquence dun tage pseudo-metteur commun

Ltude propose porte sur le comportement en frquence du montage de la figure ci-dessous. Le
transistor possde les caractristiques :
= 200, ft = 400 MHz,Cbc = 0.2 pF , VA =

Les composants CG et CE sont respectivement des condensateurs de liaison et de dcouplage.
RB1
79.8k
rg
RC
VCC
1k
Q1
CG
5V
vS
50
vG
RE1
30
RB2
VCC
5V
24k
RE2
CE
220

1. Calculez la valeur du courant IC 0 ( VBE0 0.6 V ).
2. Evaluez le paramtre rbe du transistor.
3. Calculez le gain en tension Av 0 = v s v g .
4. Evaluez la rsistance dentre Z e et la rsistance de sortie Z s .
5. Evaluez la capacit Cbe du transistor.
On se place dans lhypothse o la fonction de transfert admet deux ples rels espacs de plus
dune dcade (approximation du ple dominant).
6. Calculez la frquence de coupure du montage.
Sylvain Gronimi
Page 61
Rponse en frquence
Corrig
RB1
RC
VCC
IC
IB
VCE
VBE
RB2
RE1
VCC
IE
RE2
1. Evaluation du courant de collecteur

RB2
I
2VCC
= RB C + VBE + RE1 + RE 2 I E
RB1 + RB2
avec RB = RB1 // RB2
RB 18450 , IC0 5 mA
rg
rbe
RB
i
RC
vg
vs
RE1
2. Evaluation des paramtres

U
rbe = T 1 k , rce = car VA =
IC 0
3. Gain en tension
Av 0
RC
28.25 ( + 29 dB )
rg + rbe + ( + 1)RE1
( RB >> rg par thorme de Thvenin)
4. Impdances dentre et de sortie

Z e = RB // rbe + ( + 1)RE1 5090 (vue par le gnrateur dattaque), Z s = RC = 1 k

5. Estimation de la capacit de diffusion
IC 0
Cbc = 0.2 pF , Cbe 79.6 pF
Cbe + Cbc =
2 UT ft
Sylvain Gronimi
Page 62
Rponse en frquence
6. Calcul de la frquence de coupure (mthode par lapproximation du ple dominant)

0
R bc
0
R be
rbe
gm v
RC
rg
RB
RE1
0
Rsistance R be
du diple vu par Cbe lorsque Cbc est assimil un circuit ouvert
i0
i1
rg // RB
rbe
v0
i2
RC
RE1
gm v
Le circuit prsente deux nuds et deux mailles indpendantes, soit un systme de 4 quations
4 inconnues i1, i 2 , v et le couple recherch (v 0 , i 0 ) .
v
i 0 = i1 + r
be
i = i + g v
m
1 2
v = v
0
v 0 rg i1 + RE1 i 2
v0
i1 = i 0 r
be
i 2 = i1 g m v 0
v r i + R i
g 1
E1 2
0
i0
1 1 + g m RE1
=
+
v 0 rbe
rg + RE1
0
= rbe //
do Rbe
RE1
rg
v 0 1 +
+
+ g m RE1 rg + RE1 i 0
r
r
be
be
rg + RE1
1 + g m RE1
0
( Rbe
11.3 )
0
du diple vu par Cbc lorsque Cbe est assimil un circuit ouvert
Rsistance R bc
v0
i0
i1
i2
rbe
i
rg // RB
RC
(+1) i
RE1
Sylvain Gronimi
Page 63
Rponse en frquence
i 0 = i + i1
i 0 + i + i 2 = 0
v r i R i
g 1
C 2
0
rg i1 rbe i + ( + 1)RE i
1
0
= RC + rg
do Rbc
v 0 rg (i 0 i ) + RC ( i 0 + i )

rg (i 0 i ) rbe i + ( + 1)RE1 i
rbe + ( + 1)RE1 + RC
rg + rbe + ( + 1)RE1
2462
0 C
0
9 s f
a1 = Rbe
be + R bc C bc 1.392 10
h
1
114 MHz (frquence de coupure)
2 a1
7. Validation de lapproximation du ple dominant

a1
0
0
avec a2 = Rbe
f2
Cbe Rbc
Cbc ou a2 = Rbe
Cbe Rbc
Cbc
2 a2
bc ) : rsistance du diple vu par C

Rbe
(ou Rbe
be lorsque C bc est assimil un court-circuit
be ) : rsistance du diple vu par C

Rbc
(ou Rbc
bc lorsque C be est assimil un court-circuit.
i0
RE1
rg // RB
v0
RC
be apparat plus judicieux au vu du schma prcdent, puisque la

Le choix du calcul de Rbc
rsistance r be est court-circuite et la source lie ne dbite aucun courant. Le rsultat est alors
= rg // RB // RE1 + RC 1020 .
immdiat, savoir Rbc
do a2 1.835 10 19 s 2 et la frquence de coupure est f2 1.2 GHz ( f2 > ft ).

La frquence de coupure haute value par lapproximation du ple dominant est dune prcision
de lordre de 10%, car les frquences calcules sont spares dune dcade. Il ne faut pas oublier
que le modle de Giacoletto est tolr jusqu' la frquence de transition (400 MHz), ce qui signifie
que les calculs du deuxime ple et des deux zros ne sont pas acceptables. Cependant ces
frquences sont, en ralit, trs au-dela de la frquence de coupure 3 dB.
1 1 1
1
1 1
et f1 = fhcorrige 127 MHz
do
2 a1 = +

fh
f1 f 2
f1 fh f2
La simulation sur Spice illustre ce rsultat.
Sylvain Gronimi
Page 64
Rponse en frquence
Rponse en frquence dun tage source commune

Ltude porte sur la caractrisation du circuit de la figure ci-dessous. Le transistor effet de champ
possde les caractristiques statiques I DSS = 15 mA, VP = 6 V et les paramtres de son modle
dynamique aux faibles signaux sont rds = , Cgs = 4 pF ,Cgd = 2 pF .
Les composants CG et CS sont respectivement des condensateurs de liaison et de dcouplage.
RD
2k
rg
50
vG
CG
J1
VCC
30 V
10n
R
100k
RS
300
vS
CS
100u

1. Dterminez le point de repos du transistor.
2. Evaluez le paramtre g m du modle du transistor de ltude prcdente.
3. Aux frquences moyennes, calculez le gain en tension Av 0 = v s v g , les rsistances dentre Ze
et de sortie Z s .
5. Evaluez la frquence de coupure haute du montage.
Sylvain Gronimi
Page 65
Rponse en frquence
Corrig
1. Point de repos du transistor
En continu ( = 0 ), les condensateurs de liaison sont quivalents des circuits ouverts
1
= ).
(
C
+VCC
VGS
I D = I DSS 1
VP
V R I
S D
GS
RD
ID
IG=0
VDS
VGS
R
RS
systme de 3 quations 3 inconnues ( I D , VDS , VGS )
2
VGS
VP2
1
2
VGS + 1 = 0 VGS 2 V et I D 6.67 mA , VDS 14.7 V .
+
o
o
o
I
R
V
P
DSS S

2. Evaluation du paramtre g m
gm =
2
VP
I DSS I Do 3.33 mA / V
3. Caractrisation aux frquences moyennes
rg
vgs
gm vgs
RD
vs
vg
Dans ce domaine de frquences, les condensateurs de liaison et de dcouplage sont quivalents

des courts-circuits.
Calcul du gain
R
v
R
v gs = R + r v g
v s = g m RD
v g soit Av 0 = s g m RD 6.66 (16.48 dB)
g
R
+
r
v
g
g
v = g v R
m gs D
s
La rsistance dentre (vue par le circuit dattaque sous forme Thvenin vaut Z e = R = 100 k et
la rsistance de sortie ZS = RD = 2 k .
Sylvain Gronimi
Page 66
Rponse en frquence

Schma aux frquences basses
CG
rg
vgs
R
RD
gm vgs
vg
RS
CS
deux condensateurs indpendants au sein du montage. La mthode par lapproximation du ple
dominant permet la dtermination rapide de la frquence de coupure basse (voir Annexes ).
Rsistance RG du diple vu par CG lorsque CE est assimil un court-circuit.
RG
rg
vgs
gm vgs
RD
RG = rg + R 100 k
Rsistance RS du diple vu par CS lorsque CG est assimil un court-circuit.

i0
gm vgs
vgs
RS
0
RD
rg // R
v0
v 0 = v gs
i
1
+ gm
v gs 0 =
v 0 RS
i 0 + g m v gs +
RS
1
150
do RS = RS //
gm
ce qui donne la frquence de coupure 3 dB fb
1
2
1
1
R C + R C
S S
G G
170 Hz .

Rsistance RS0 du diple vu par CS lorsque CG est assimil un circuit ouvert.
Rsistance RG0 du diple vu par CG lorsque CS est assimil un circuit ouvert.
Sylvain Gronimi
Page 67
Rponse en frquence
RG0
vgs
gm vgs
rg
RD
RS0
RS
RG0 = rg + R 100 k , RS0 = RS //
do f2
1
150
gm
1
9.95 Hz
2 (RG0 CG + RS0 CS )
Calcul du zro :
Le zro est produit par la liaison entre source et masse, couplage d CS . En effet, si la source
du transistor est en lair, le courant dans la charge est nul, donc
RS
1
1
= p=
et f3 =
5.3 Hz .
2 RS CS
1 + RSCS p
RS CS
Les rsultats sont valables avec une prcision satisfaisante car les deux ples sont spars dun
peu plus dune dcade et le zro est situ lgrement en dessous du ple le plus bas (voir la
simulation sur Spice).
Schma aux frquences hautes
Cgd
rg
Cgs
vgs
RD
gm vgs
vs
vg
deux capacits indpendantes au sein du montage. La mthode par lapproximation du ple
dominant est mise en uvre.
0
Rgd
rg
Sylvain Gronimi
0
R gs
vgs
Page 68
RD
gm vgs
Rponse en frquence
Rsistance du diple vu par Cgs lorsque Cgd est assimil un circuit ouvert :
0
Rgs
= rg // R 50
Rsistance du diple vu par Cgd lorsque Cgs est assimil un circuit ouvert :
0
Rgs
i0
vgs
0 i +R i +g v
v 0 = Rgs
0
D 0
m gs
0
v gs = Rgs i 0
gm vgs
RD
v0
0 C
0
9 s , f
a1 = Rgs
gs + R gd C gd 4.97 10
h
0 = (1 + g R )R 0 + R 2383
Rgd
m D
gs
D
1
32 MHz ce qui donne la frquence de coupure
2 a1
3 dB.
gs
du diple vu par Cgd lorsque Cgs est assimil un court-circuit :
Rsistance Rgd
gs
Rgd
RC
v=0
gs
Rgd
= R D = 2 k
gm v = 0
0 C R gs C
19 s 2 , do f
a2 = Rgs
gs gd gd 8 10
2
a1
989 MHz
2 a2
Calcul du zro :
Le zro est produit de manire telle que le courant circulant dans la charge RD est nul, couplage
d Cgd . En effet, le courant circulant dans la branche supportant Cgd est gal au courant fourni
par la source lie, donc
Cgd p Vgs ( p ) = g m Vgs ( p ) p =
gm
gm
265 MHz
et f3 =
Cgd
2 Cgd
La frquence de coupure haute demeure valable avec une bonne prcision, malgr la prsence
du zro qui sintercale entre les deux ples. Notons que le domaine de validit du modle de
comportement en frquence du transistor est acceptable puisquil nexiste pas de phnomne de
diffusion pour un JFET (modlisation de deux diodes en inverse).
Sylvain Gronimi
Page 69
Rponse en frquence
La simulation sur Spice illustre ces rsultats.

20
(173.235, 13.788)
(33.283M, 13.501)
(58.434K, 16.448)
pente
20 dB/dcade
pente
- 20 dB/dcade
(271.227M, 923.737m)
(13.335, -6.7119)
(949.014M, -4.2491737m)
pente
40 dB/dcade
pente
- 20 dB/dcade
-20
(5.1989, -17.281)
pente
20 dB/dcade
-40
1.0Hz
10Hz
DB(V(S))
Sylvain Gronimi
100Hz
1.0KHz
10KHz
100KHz
1.0MHz
10MHz
100MHz
1.0GHz
10GHz
Frequency
Page 70
Rponse en frquence
Rponse en frquence dun tage pseudo-source commune

Le sujet propos porte sur ltude du montage de la figure ci-dessous, reprsent dans son rgime
dynamique aux faibles signaux. Le paramtre rds du modle en comportement linaire du transistor
JFET est suppos de valeur trs importante.
Le composant CG est un condensateur de liaison et la valeur de la rsistance du diple dattaque est
telle que rg << R .
RD
rg
CG
vS
J1
vg
RS

2. Ecrivez les expressions du gain en tension Av 0 = v s v g et des rsistances dentre ze et de
sortie zs du montage.
4. Ecrivez la frquence fb de coupure basse du montage.
On se place dans lhypothse o la fonction de transfert admet deux ples rels espacs de plus
dune dcade (approximation du ple dominant) et zros trs loigns.
0 , rsistance dynamique vue par C
6. Donnez lexpression analytique de Rgs
gs frquence nulle.
0 , rsistance dynamique vue par C
7. Donnez lexpression analytique de Rgd
gd frquence nulle.
gd
(ou Rgs
), rsistance du diple vu par Cgs lorsque
8. Donnez les expressions analytiques de Rgs
gs
), rsistance du diple vu par Cgd lorsque Cgs
Cgd est assimil un court-circuit et Rgd
(ou Rgd
est assimil un court-circuit qui permettent de valider lhypothse du ple dominant en

dterminant la position du deuxime ple.
Sylvain Gronimi
Page 71
Rponse en frquence
Corrig
1. Schma
rg
vgs
gm vgs
R
RD
vg
vs
RS
2. Gain en tension et rsistance dentre

v s = g m v gs RD
( R >> rg par thorme de Thvenin)
v g v gs + g m v gs RS
v
g R
Av 0 = s m D
et ze = R (vue par le gnrateur dattaque), zs = RD .
vg
1 + g m RS

3. Schma
rg
CG
ze = R

Le condensateur voit ses bornes un diple passif ( v g teint) de rsistance ze + rg , ce qui fournit
la constante de temps de coupure, donc la frquence de coupure basse fb =
1
.
2 ( rg + ze )CG

5. Schma
0
Rgd
vgs
rg
0
R gs
gm vgs
RD
R
RS
Sylvain Gronimi
Page 72
Rponse en frquence

La frquence de coupure 3 dB scrit f1
1
2 a1
0
0
avec a1 = Rgs
Cgs + Rgd
Cgd (sous condition
dun ple dominant).

0
: rsistance du diple vu par Cgs lorsque Cgd est assimil un circuit ouvert.
Rgs
0
: rsistance du diple vu par Cgd lorsque Cgs est assimil un circuit ouvert.
Rgd
0
6. Ecriture analytique de la rsistance R gs
i0
rg // R
vgs
i1
RD
v0
RS
gm vgs
i 0 = i1 + g m v gs
i 0 = i1 + g m v 0

v 0 = v gs
v 0 rg i 0 + RS i1
v 0 rg i 0 + RS i1
r g + RS
v
0
do Rgs
.
= 0
i 0 1 + g m RS
v 0 rg i 0 + RS (i 0 g m v 0 )
0
7. Ecriture analytique de la rsistance Rgd
i0
v0
i1
vgs
gm vgs
RD
rg // R
RS
i 0 + g m v gs + i1 = 0
v 0 rg i 0 RD i1
rg i 0 v gs + g m v gs RS
v 0 rg i 0 + RD (i 0 + g m v gs )

rg i 0 v gs (1 + g m RS )
g m rg
0
rg + RD 1 +
do Rgd
+
g m RS
1
Sylvain Gronimi
v 0 ( rg + R D ) i 0 +
rg g m RD
1 + g m RS
i0
Page 73
Rponse en frquence
8. Pour la validation de lapproximation du ple dominant

a1
0
0
avec a2 = Rgs
f2
Cgs Rgd
Cgd ou a2 = Rgs
Cgs Rgd
Cgd
2 a2
gd
Rgs
(ou Rgs
) : rsistance du diple vu par Cgs lorsque Cgd est assimil un court-circuit.
gs
Rgd
(ou Rgd
) : rsistance du diple vu par Cgd lorsque Cgs est assimil un court-circuit.
Ecriture analytique de la rsistance Rgd
i0
rg // R
RS
v0
RD
apparat plus judicieux au vu du schma prcdent, puisque la tension

Le choix du calcul de Rgd
v gs est nullee et la source lie ne dbite aucun courant. Le rsultat est alors immdiat, savoir
Rgd
rg // RS + RD .
Ecriture analytique de la rsistance Rgs
i0
rg // R
RD
v0
vgs
gm vgs
RS
v 0 = v gs
v 0 (RD // rg + RS ) i1 v 0 = (RD // rg + RS ) (i 0 g m v 0 )
i 0 = i1 + g m v gs
v
1
do Rgs
//(RD // rg + RS ) .
= 0 =
i0
gm
Dans les deux cas, nous devons retrouver la mme criture analytique de a2 .
Sylvain Gronimi
Page 74
Rponse en frquence
Rponse en frquence dun tage cascode

Ltude propose porte sur le comportement en frquence du montage de la figure ci-dessous. Les
deux transistors sont supposs identiques :
= 100, ft = 100 MHz, Cbc = 4 pF , VA =

Les composants CG , CB , CE sont respectivement des condensateurs de liaison et un condensateur de
dcouplage.
RB1
2.2k
RB2
Q2
1.2k
rg
vG
CG
RC
560
Q1
50
VCC
20 V
vS
RB3
560
RE
220
CE
CB

1. Dans lhypothse o lon suppose les courants de base des transistors ngligeables devant le
courant circulant dans la maille dfinie par RB1 , RB2 , RB3 et VCC , dterminez les points de
fonctionnement des deux transistors. Validez cette hypothse.
2. Dduisez les paramtres rbe des transistors de ltude prcdente.
3. Aux frquences moyennes, calculez les valeurs de la rsistance dentre ze , de la rsistance de
sortie zs et du gain en tension Av 0 = v s v g du montage.
4. Dterminez la frquence de coupure haute.
5. Donnez les spcificits dun tel amplificateur.
Sylvain Gronimi
Page 75
Rponse en frquence
Corrig
RB1
RC
IB2
RB2
VCE2
IC2
IC1
Q1
IB1
VCE1
VBE2
Q2
VCC
VBE1
RB3
RE
1. Points de repos
Daprs lhypothse formule, le courant de maille est I
VCC
RB1 + RB2 + RB3
Lhypothse de dpart fait ngliger deux fois 100 A devant 5.05 mA ( 4%)
VCE1 VCE2 6.1V , IC1 IC2 IC o = 10 mA
o

2. Rsistances dynamiques des jonctions base-metteur
U
rbe = rbe1 = rbe2 = T 250 donc g m = g m1 = g m2 0.4 A / V
IC 0
3. Caractrisation aux frquences moyennes
i2
rg
i2
RB
vg
rbe2
rbe1
RC
vs
gm v
ze = RB // rbe 151 avec RB = RB2 // RB3 , zs = RC = 560
g m v = ( + 1)i 2
v
ze
ze
v g Av 0 = s =
v =
v
z
z
r
+
g
e + rg
e
g
v = R i
C
2
s
Sylvain Gronimi
RC

+ 1 rbe
Page 76
168 (+ 44.4 dB)
Rponse en frquence

Cbe1 = Cbe2 = Cbe car Cbc1 = Cbc 2 = Cbc et mme frquence de transition
Cbe + Cbc =
IC 0
( Cbc = 4 pF , Cbe 633 pF )
2 UT ft

0
Rbc
1
RG
RB
gm v2
gm v1
v1
v2
rbe1
0
R be
1
0
Rbe
2
rbe2
RC
0
Rbc
2
Ce circuit prsente trois lments capacitifs indpendants, puisquune maille nest compose que
de ce type dlments. Le systme est donc dordre 3.
1
0
0
0
0
fh
avec a1 = Rbe
C + Rbc
C bc1 + Rbe
C be2 + Rbc
Cbc 2
1 be1
1
2
2
2 a1
Rsistance du diple vu par Cbe1 lorsque les autres lments capacitifs sont assimils des
0
= rg // RB // rbe1 37.6 .
circuits ouverts : Rbe
1
0
=
2
rbe2
+1
2.48 .
gm v2
v2
v0
rbe2
RC
Rsistance du diple vu par Cbc1 lorsque les autres lments capacitifs sont assimils des
0 = R 0 (1 + ) + R 0
circuits ouverts : Rbc
be
be 77.24 .
1
i0
v1
0
Rbe
1
v0
i1
gm v1
0
Rbe
2
Sylvain Gronimi
Page 77
Rponse en frquence
Rsistance du diple vu par Cbc 2 lorsque les autres lments capacitifs sont assimils des
0
= RC = 560 .
2
a1 2.79 10 8 s , fh 5.7 MHz ce qui donne la frquence de coupure 3 dB par lapproximation

du ple dominant.

Les lments capacitifs sont pris par paire (6 combinaisons) pour lvaluation du coefficient a 2 .
f2
a1
2 a2
avec
be1
be1
= Rbc
=
Rbe
2
a2 9.53 10
rbe1
+1
17
be1
be1
be1
0
0
0
a2 = Rbe
C Rbc
Cbc1 + Rbe
C be1 Rbe
Cbe2 + Rbe
C Rbc
Cbc 2
1 be1
1
1 be1
2
bc1
0
+ Rbc
C bc1 Rbe
Cbe2
1
2
bc1
0
+ Rbc
C Rbc
Cbc 2
1 bc1
2
be2
0
+ R be
C be2 Rbc
Cbc 2
2
2
bc1
be1
be2
bc1
0 //
2.48 , Rbc
= Rbc
= Rbc
= RC = 560 , Rbe
= Rbe
2
rbe2
1
//
1 .2
g m1 + 1
s 2 , f2 46.6 MHz
Ce rsultat montre que lhypothse du ple dominant donne une frquence de coupure plus de
10% prs, puisque un peu moins dune dcade spare les deux ples, le troisime ple tant
suppos plus haut en frquence. Les frquences de coupure des aux zros sont trs hautes.
frquence de coupure corrige (ngligeant la prsence du troisime ple) telle que
1 1 1
1
1 1
2 a1 = +
do

et f1 = fhcorrige 6.5 MHz
fh
f1 f 2
f1 fh f2
La simulation sur Spice prsente le mme rsultat.
5. Spcificits de lamplificateur
Lamplificateur cascode est compos de deux tages (systme du 3 ordre) :
-
un tage metteur commun damplification en courant gale et damplification en

tension infrieure lunit puisque la charge dynamique de cet tage est la rsistance
dynamique de la jonction base-metteur dun transistor mont en base commune (2.5 ).
Cette trs faible amplification en tension permet de minimiser la valeur de la capacit Cbc
ramene lentre de ltage par lapplication du thorme de Miller et, par consquent,
dobtenir la bande passante la plus large possible,
un tage base commune damplification en courant et possdant une frquence de
coupure de lordre de la frquence de transition. Cet tage apporte une amplification en
tension importante.
Lensemble des deux tages forme alors un amplificateur de puissance possdant une bande
passante leve.
Sylvain Gronimi
Page 78
Rponse en frquence
Rponse en frquence dun montage metteur commun-collecteur commun

Ltude propose porte sur le comportement en frquence du montage de la figure ci-dessous. Les
transistors possdent les caractristiques suivantes
= 150, ft = 70 MHz,Cbc = 13.6 pF , VA = 100 V

Les composants C1 , C2 et C3 sont respectivement des condensateurs de liaison et de dcouplage.
RC
RB1
R1
ie
2.2k
vg
Q2
10k
VCC
Q1
C1
C3
47
ve
25Vdc
10
RB2
82k
RE
1k
C2
100
R2
R3
2.2k
22k
vs
RP

1. Dterminez la valeur de la rsistance de polarisation RB1 pour que le potentiel dmetteur de Q2
soit VCC 2 ( VBEo 0.6 V ).
Etude du rgime dynamique aux faibles signaux sans contre-raction ( RP = )
2. Dduisez, partir des courants de polarisation, les paramtres dynamiques des modles faibles
signaux rbe , rce , Cbe de Q1 et Q2 .
3. Aux frquences moyennes, valuez le gain en tension A v o = v s v g , puis caractrisez le montage
en labsence de R1 ( A v = v s v e , Ze , Zs ).
5. Evaluez la frquence de coupure haute du montage et dmontrez que la marge de phase M est
suprieure 45.
Etude du rgime dynamique aux faibles signaux avec contre-raction
6. Constatez que les variables de polarisation ne sont pas modifies par la prsence de RP .
7. Aux frquences moyennes, valuez la rsistance de transfert Rt = v s i e de la chane directe et
dessinez le schma quivalent du montage. Prcisez le type de contre-raction.
8. Aux frquences moyennes, caractrisez le montage en boucle ferme et valuez les paramtres
Rt' , Ze' , Zs' et Av' o = v s v g pour RP = 150 k et 27 k.
9. Dterminez la bande passante du montage pour les deux valeurs de contre-raction.
Sylvain Gronimi
Page 79
Rponse en frquence
Corrig
25 V
1.19 mA
10k
RB1
37.6 A
1.76 V
Q2
13.1 V
29.14 A
7.68 A
0.6 V
Q1
5.68 mA
1.16 V
0.6 V
82k
12.5 V
1k
21.46 A
2.2k
1.16 mA
1. Evaluation de la rsistance RB1

IC1 1.15 mA , IC2 5.64 mA , RB1 798 k do le pont de base RB = RB1 // RB2 74.36 k .
o

2. Paramtres dynamiques des modles JBT
Q1 rbe1 3260 , rce1 87 k , Cbe1 91 pF , Cbe1 = 13.6 pF
Q2 rbe2 664 , rce2 17.7 k , Cbe2 500 pF , Cbe2 = 13.6 pF
3. Caractrisation du montage aux frquences moyennes

Suivant la mthode de la caractrisation dtages en cascade, nous dterminons lquivalent de
Thvenin vide du premier tage ( v s1 , Z s1 ).
R1
v1
RB
rce1
rbe1
RC
vs1
gm1 v1
Z s1
vg
RB // rbe1
vg
v 1 =
R1 + RB // rbe1
v = g v R // r
m1 1
C
ce1
s1
A1 =
v s1
vg
rbe1
(RC // rce ) R R+BR// r//ber
242
be1
zs1 = RC // rce1 8969
Le circuit quivalent de Thvenin obtenu attaque ltage collecteur commun.
Sylvain Gronimi
Page 80
Rponse en frquence
rbe2
i2
zs1
rce2
i2
vs2
zs 2
R2 // R3
vs1
Posons R = rce2 // R2 // R3 1797
v s1 = zs1 + rbe2 + ( + 1)R i 2

vs
( + 1)R
A2 = 2 =
0.966
(
)
=
+
v
1
R
i
v
z
r
+
s2
2
s1
s1
be2 + ( + 1)R
ze2 = rbe2 + ( + 1)R 272 k , zs2 = R //
zs1 + rbe2
Ainsi, le transfert du montage vaut Av o =
vs
= A1 A2 234 soit 47.4 dB
vg
+1
61.6
La caractrisation demande en labsence de R1 est la suivante :

Z e = RB // rbe1 3123 , Z s = zs2 62 , A v =
vs
=
RC // rce1 A2 399 .
ve
rbe1

Schma
C1
C3
i2
rbe2
rbe1
R1
RB
rce1
i1
i2
i1
RC
rce2
R2
R3
vg
RE
C2
La fonction de transfert en tension est du type passe-haut du troisime ordre par la prsence des
trois condensateurs indpendants au sein du montage. La mthode par lapproximation du ple
dominant est utilise pour le calcul de la frquence de coupure.
Rsistance R1 du diple vu par C1 lorsque C2 et C3 sont assimils des courts-circuits.
R1
R1
RB
rbe1
i1
Sylvain Gronimi
rce1
RC
ze2
R1 = R1 + RB // rbe1 5323
i1
Page 81
Rponse en frquence

i0
rbe1
R1
rbe1
ze2
RC
RE
R2
RE
i1
rce1
i1
i1
//RB
i i1
rce1
ze2 //RC
v0
R1 //RB
Afin de simplifier le calcul analytique, nous crivons lexpression de la rsistance du diple en

labsence de RE , cette dernire tant branche en parallle sur ce diple.
i + ( + 1)i + i = 0
1
0
v
=
r
0
be1 + R1 // RB i1
v 0 = rce1 i ze2 // RC ( i1 + i )
+1
i 0 = r + R // R v 0 i
be1
B
1

v = r + z // R i + ze2 // RC v
ce1
e2
C
0
0
rbe1 + R1 // RB
ze2 // RC
i0
1
+1
=
+ 1
v 0 rbe1 + R1 // RB rbe1 + R1 // RB rce1 + ze2 // RC
do R2 =
v0
// RE 38.14
i0

R3
i2
rbe2
rce1
0
i2
RC
rce2
R2
R3
La rsistance R du diple de gauche est en srie avec la rsistance R3 .

rce // RC + rbe2
R= 1
// rce2 // R2 do R3 = R + R3 22078
+1
ce qui donne la frquence de coupure 3 dB, fb
1
2
1
1
1
+
+
R C
1 1 R 2 C 2 R3 C 3
43 Hz
Calcul du zro :
Le zro est produit par la liaison entre metteur et masse, couplage d C2 . En effet, si
lmetteur du transistor est en lair, le courant dans la charge est nul, donc
RE
1
1
et f2 =
= p=
1.6 Hz
2 RE C2
1 + RE C 2 p
RE C 2
Cette frquence est relativement proche de la frquence de coupure (environ une dcade et
demi), mais interfre trs peu sur la frquence de coupure basse du montage.
Sylvain Gronimi
Page 82
Rponse en frquence

Schma
0
Rbe
0
Rbc
1
i2
rbe2
v1
R1
i2
gm1 v1
zs1
Ze
0
Rbe
1
0
Rbc
Ce circuit prsente trois lments capacitifs indpendants, puisquune maille nest compose que
de ce type dlments. Le systme est donc dordre 3. La mthode par lapproximation du ple
dominant est utilise.
1
0
0
0
0
avec a1 = Rbe
C + Rbc
Cbc1 + Rbe
Cbe2 + Rbc
Cbc 2
fh
1 be1
1
2
2
2 a1
0
= R1 // Z e 1291 .
1
Rsistance du diple vu par Cbc1 lorsque les autres lments capacitifs sont assimils des
circuits ouverts :
v0
i0
i2
rbe2
gm1 v1
v1
i2
zs1
0
Rbe
)(
0
v 0 = Rbe
i + zs1 // ze2 i 0 + g m1 v 1
1 0
0
v 1 = R be1 i 0
)(
0
0
0
Rbc
= Rbe
+ zs1 // ze2 1 + g m1 Rbe
525.7 k
1
1
1
circuits ouverts :
i0
v = v
0
v
+i
i 0 =
rbe2
v = z i + R i g v
s1
m2
0
zs1
v
v0
rbe2
gm2 v
v0
+i
i 0 = r

be2
v 1 + g R = z + R i
m2
s1
0
Sylvain Gronimi
) (
i0 =
(1 + g m R )v 0 + v 0
2
zs1 + R
Page 83
rbe2
0
Rbe
= rbe2 //
2
zs1 + R
1 + g m2 R
25.44
Rponse en frquence
Rsistance du diple vu par Cbc 2 lorsque les autres lments capacitifs sont assimils des
0
= zs1 // ze2 8683 .
2
do a1 7.40 10 6 s , fh
1
21.5 kHz ce qui donne la frquence de coupure 3 dB.
2 a1

Les lments capacitifs sont pris par paire (6 combinaisons) pour lvaluation du coefficient a2 .
a1
f2
2 a2
avec
be1
be1
be1
0
0
0
a2 = Rbe
C Rbc
Cbc1 + Rbe
C be1 Rbe
Cbe2 + Rbe
Cbe1 Rbc
Cbc 2
1 be1
1
1
1
bc1
bc1
be2
0
0
0
+ Rbc
C bc1 Rbe
Cbe2 + Rbc
Cbc1 Rbc
Cbc 2 + R be
C be2 Rbc
Cbc 2
1
1
2
2
be1
be1
be1
be2
0
Rbc
= Rbc
= zs1 // ze2 8683 , Rbe
= Rbe
25.44 , Rbc
= zs1 // R 1497 ,
1
bc1
0
Rbc
= Rbe
//
1
2
1
bc1
// zs1 // ze2 21.32 , Rbe
= rbe2 //
2
g m1
0
Rbe
1
1
//
// zs1 + R
g m1
1 + g m2 R
4.44
do a2 4.744 10 14 s 2 , f2 24.8 MHz

Calcul du zro :
Le zro du montage metteur commun est produit de manire telle que le courant circulant dans
la capacit de couplage Cbc1 soit entirement absorb par la source lie (tension nulle sur la
charge)
Cbc1 p V1( p ) = g m1 V1( p ) p =
g m1
Cbc1
et f z =
g m1
2 Cbc1
540 Mhz
Malgr que ce calcul outrepasse le domaine de validit du modle de comportement en frquence

des transistors ( ft = 70 Mhz ), les frquences issues des ples sont valables et spares de trois
dcades. Lhypothse du ple dominant est donc vrifie une prcision de 0.1 % pour ce type
de calcul analytique.
Le produit gain
frquence de coupure haute reste constant
Av o fh 5 MHz puisque le
deuxime ple apparat au dessous de laxe des 0 dB, la frquence de 25 MHz. Le

comportement du systme est donc du premier ordre et la marge de phase est nettement
suprieure 45, ce qui dmontre une bonne stabilit de lamplificateur.
La simulation sur Spice illustre ces rsultats.
80
(42.258, 44.376)
40
(1.0000K, 47.376)
(21.527K, 44.376)
(1.2589, 19.750)
(5.0119M, -38.642m)
produit gain x bande

constant
-40
-80
100mHz
1.0Hz
DB(V(S))
Sylvain Gronimi
(30.824M, -17.990)
marge de phase
82
10Hz
100Hz
1.0KHz
10KHz
100KHz
1.0MHz
10MHz
100MHz 1.0GHz
Frequency
Page 84
Rponse en frquence
0d
(40.596,-135.018)
(1.0000K,-180.285)
(21.559K,-225.007)
-200d
(5.0119M,-277.848)
-400d
(34.133M,-315.031)
-600d
100mHz
1.0Hz
P(V(S))
10Hz
100Hz
1.0KHz
10KHz
100KHz
1.0MHz
10MHz
100MHz 1.0GHz
Frequency
6. Polarisation du montage en contre-raction

Les condensateurs de liaison C1 et C2 isolent la rsistance RP du continu. les paramtres des
modles des transistors restent donc inchangs.
7. Rsistance de transfert aux frquences moyennes
RP
is
ig
R1
2.2k
ve
v e = Z e i e
vs
Av = v
e
v
R t = s = A v Z e 1246 k (121.9 dB)
ie
(contre-raction tension courant)
27k
ie
Zs
62
Ze
3123
vs
vg
R t ie
8. Caractrisation du montage aux frquences moyennes

La contre-raction fait apparatre une topologie parallle en entre et en sortie. De ce fait, les
nouveaux paramtres diminuent dans un rapport 1 + Y Rt (voir cours La contre-raction ).
ig
R1
2.2k
Zs
ve
Ze
vs
vg
R t ig
'
Rt
Rt =
1
+
Y Rt
'
Ze
Ze =
Y Rt
1
+
'
Zs
Zs =
1 + Y Rt
v
ve vs
v v
v
1
= s 1 e s
car e =
2.5 10 3 << 1
RP
RP v s
RP
vs
Av
quadriple de retour est attaqu en tension ( Z s << RP ).
is =
Sylvain Gronimi
Page 85
Y =
is
1
vs
RP
et le
Rponse en frquence
Pour RP = 150 k , Rt' 133.8 k , Ze' 336 , Zs' 6.6 avec 1 + Y Rt 9.307
v s = Rt' i g
Rt'
Av' =
52.8 (34.45 dB)
'
R1 + Z e'
v g = R1 + Z e i g
Pour RP = 27 k , Rt' 26.43 k , Z e' 66.2 , Z s' 1.3 avec 1 + Y Rt 47.15

Av' =
Rt'
R1 + Ze'
11.66 (21.3 dB)
La rsistance dentre du montage est augmente de la valeur de la rsistance srie R1 = 2.2 k .

9. Bande passante du montage
Le produit gain frquence de coupure haute se conserve car le circuit se comporte comme un
systme du premier ordre cause du ple dominant.
A v o fh = A v' fh' 5.03 MHz fh' 95.4 kHz , fh' 432 kHz respectivement pour RP = 150 k et
27 k.
La valeur de la frquence de coupure basse du systme contre-ractionn peut tre approche
en considrant que son comportement asymptotique est proche du premier ordre (zro et
deuxime ple trs voisins). Le rapport gain frquence de coupure basse est alors peu prs
conserv.
Av o
5.44 Hz 1 fb' 9.7 Hz , fb' 2.2 Hz respectivement pour RP = 150 k et 27 k.
fb
Tableau rcapitulatif :
RP (k )
Rt' (k )
Z e' ()
Z s' ( )
Av'
fh' (kHz )
fb' (Hz )
- 1246
5323
62
- 234
21.5
43
150
- 133.8
2536
6.6
- 52.8
95.4
9.7
27
- 26.43
2266.2
1.3
- 11.7
432
2.2
Simulation
80
(42.242, 44.375)
(1.0000K,47.376)
(10.098, 31.434)
(21.534K, 44.376)
(1.0000K,34.433)
40
(95.499K, 31.434)
(436.237K, 18.312)
(1.0000K,21.313)
(2.2179, 18.315)
(5.0119M, -38.643m)
-40
100mHz
Sylvain Gronimi
1.0Hz
DB(V(S))
10Hz
100Hz
1.0KHz
10KHz
100KHz
1.0MHz
10MHz
100MHz
Frequency
Page 86
Rponse en frquence
Miroir de courant lmentaire pour polarisation dtage

On considre ltage de polarisation de la figure ci-dessous dans lequel les transistors sont supposs
technologiquement identiques ( = 200, V A = 100 V ) et les tensions dalimentation VCC = 15 V .
+VCC
Ipol
R
IC2
Q1
Q2
-VCC

1. Sans ngliger le moindre terme sur les courants, crivez lexpression de IC 2 en fonction de I pol .
2. Donnez la prcision du miroir par lvaluation de lerreur dfinie comme tant = I pol IC2
IC2 .
3. Evaluez la rsistance R pour obtenir IC2 = 200 A , VBE de lordre de 0.6 V.

Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)
4. Evaluez les paramtres dynamiques rbe1 , rbe2 , rce1 , rce2 des modles des transistors.
5. Prouvez que la source est reprsente par une simple rsistance z0 et valuez celle-ci.
Sylvain Gronimi
Page 87
Corrig
1. Expression de IC2 (I pol )
Equations technologiques :
VBEi
ICi = I Bi = I BS e
Q1 Q2
UT
VCEi
1 +
VA
I BS1 = I BS2
VBEi
I BS e UT
en ngligeant leffet Early (VCEi << VA )
VBE1
I I e UT
BS
C1
= I BS , 1 = 2 =
VBE2
IC2 I BS e UT
Equations du circuit :
VBE1 = VBE2
I B1 = I B2 et IC1 = IC2
I pol = I B1 + I B2 + IC2
IC2 =
I pol
+2
2. Prcision du miroir
I pol
IC 2
1=
= 1%
3. Evaluation de la rsistance R
R=
2VCC VBE1 + 2
148 k
IC 2
(quation non linaire car VBE1 est fonction de I BS )
La valeur de VBE1 sera approche par une tension de 0.6 V.

4. Evaluation des paramtres dynamiques des transistors
rbe = rbe1 = rbe2
UT
V
et rce = rce1 = rce2 A
IC 2
IC 2
o
(VCE i << VA ) , soit rbe 25 k , rce 500 k
5. Caractrisation de la charge dynamique

i0
rce
rbe
gm v
rbe
rce
gm v
v0
Labsence de source dexcitation dynamique lentre du montage fait quaucun courant nexiste
dans la partie gauche du circuit, en particulier v = 0 entrane g m v = 0 , do z0 = v 0 i 0 = rce .
Cette charge dynamique est de valeur relativement importante ( z0 500 k ).
Sylvain Gronimi
Page 88
Miroir de courant lmentaire pour transfert dynamique

On considre le transfert du courant i E (t ) = I E + i e (t ) vers la sortie, effectu par le montage de la
figure ci-dessous. Les transistors sont supposs technologiquement identiques ( = 200, VA = 100 V ).
iS (t)
iE (t)
vE (t)
Q1
Q2
vS (t)

1. Ecrivez lexpression de IS en fonction de I E .
2. Evaluez les paramtres dynamiques rbe1 , rbe2 , rce1 , rce2
des modles des transistors pour
IS = 200 A .
3. Prcisez les conditions dattaque et de charge de ce quadriple. Donnez les conditions idales.
4. Caractrisez la source de courant dynamique telle que
v
v
i
, Z e = e
, Z s = s
et dessinez le quadriple quivalent.
Ai = s
i
i
e v s =0
e v s =0
i s i e =0
Sylvain Gronimi
Page 89
Corrig
1. Expression de IS (I E )
IS =
I E I E (voir le mme problme en tage de polarisation)

+2

2. Evaluation des paramtres dynamiques des transistors
rbe = rbe1 = rbe2
UT
V
et rce = rce1 = rce2 A , soit rbe 25 k , rce 500 k
IC 2
IC 2
o
3. Conditions dattaque et de charge

On a affaire un amplificateur de courant de gain unit. Lattaque en courant lentre ncessite
une rsistance de gnrateur trs importante devant la rsistance dentre du quadriple et
lattaque en courant la sortie impose une rsistance de sortie du quadriple trs importante
devant la rsistance de charge. Les conditions idales sont de considrer la sortie en court-circuit
et lentre attaque par un gnrateur de courant de rsistance infinie.
4. Caractrisation de la source de courant
is
ie
rce
ve
rbe
rbe
gm v
rce
gm v
vs
i
v
v
r
=
1 , Z e = e
= be 124 , Z s = s
= rce 500 k
A i = s
i e v s =0 + 2
i e v s =0 + 2
i s i e =0
Le calcul de la rsistance de sortie seffectue en teignant la source de courant indpendante

(application du thorme de Thvenin / Norton).
Schma du quadriple quivalent
ie
is
Ai ie
ve
Ze
Zs
vs
On peut vrifier que si le courant dynamique dentre i e est nul, la source lie est telle que
Ai i e = 0 (pas de transfert de courant) et le diple de sortie se rduit la prsence de Z s
uniquement. On retrouve le cas dune source pour polarisation dtage prsentant sa charge
dynamique Z s (diple).
Sylvain Gronimi
Page 90
Source de courant simple JFET pour polarisation dtage

Considrons le sous-circuit reprsent ci-dessous. Le transistor possde les caractristiques
constructeur I DSS = 2 mA, VP = 2 V . Lalimentation a le ple +VCC reli la masse.
I0
J3
D
S
RS
500
-VCC

1. Evaluez le courant I 0 .
2. Evaluez le paramtre dynamique g m3 du modle du transistor.
3. Ecrivez lexpression de la rsistance dynamique z0 vue entre le drain et la masse. Evaluez cette
dernire, le paramtre rds3 tant estim 100 k.
Corrig
1. Evaluation de I 0
VGS = RS I 0
VGS
I 0 = I DSS 1
Vp
R I
2 RS
R
I
1
2
0 = 1 + S 0 S I 02 +
Vp
I DSS
Vp
V
I
p
DSS
En retenant la racine du polynme de plus faible valeur, I 0 1.072 mA .
I0 + 1 = 0

2. Evaluation de la pente du transistor g m =
2
VP
I D I DSS 1.46 mA / V
3. Evaluation de la rsistance dynamique z0

i0
rds
v0
gm vgs
vgs
z0 =
RS
Sylvain Gronimi
v 0 = rds i 0 g m v gs + RS i 0
v gs = RS i 0
v0
= (1 + g m RS )rds + RS (1 + g m RS )rds 173 k
i0
Page 91
Source de courant gain pour polarisation dtage

Considrons ltage de polarisation de la figure ci-dessous dans lequel les transistors sont supposs
technologiquement identiques ( = 200, V A = 100 V ) et les tensions dalimentation VCC = 15 V .
+VCC
Ipol
R
Q3
138k
IC2
Q1
Q2

1. Sans ngliger le moindre terme sur les courants, crivez lexpression de IC 2 en fonction de I pol .
2. Donnez la prcision du miroir par lvaluation de lerreur dfinie comme tant = I pol IC2
IC2 .
3. Evaluez les courants de collecteur des transistors.

4. Prouvez que la source est reprsente par une simple rsistance z0 et valuez celle-ci.
Sylvain Gronimi
Page 92
Corrig
1. Expression de IC2 (I pol )
VBEi
ICi = I Bi = I BS e
Q1 Q2
UT
VCEi
1 +
VA
I BS1 = I BS2
VBEi
I BS e UT
en ngligeant leffet Early (VCEi << VA )
VBE1
I I e UT
BS
C1
= I BS , 1 = 2 =
VBE2
IC2 I BS e UT
VBE1 = VBE2
IC1 IC2
I pol = IC2 1 +
=
+
I
I
I
I B1 + I B2
pol
C1
B3
(
1
)
do I pol =

+ IC2
+1
VCC 2VBE
I E3 = I B1 + I B2
VCC = R I pol + VBE + VBE

V = R I + V
I pol
R
3
1
pol
BE 3 + VBE1
CC
I pol
IC 2
1=
( + 1)
5 10 5
3. Evaluation des courants de collecteur
I pol 100 A
(valeur des VBE approche par une tension de 0.6 V), IC2 100 A , IC3 1 A .

4. Caractrisation de la charge dynamique
i3
rbe3
ic2
i3
rce1
rbe/2
rce3
gm v
avec rbe1 = rbe2 = rbe , rce1 = rce2 = rce et
rce2
gm v
rbe
<< rce3
2
Labsence de source dexcitation dynamique lentre du montage fait quaucun courant nexiste
dans la partie gauche du circuit, en particulier v = 0 entrane g m v = 0 , do z0 = v 0 i 0 = rce2 .
Cette charge dynamique est de valeur relativement importante ( z0
VA
= 1 M ).
IC 2
o
Sylvain Gronimi
Page 93
Source de Wilson pour transfert dynamique

On considre le transfert du courant i E (t ) = I E + i e (t ) vers la sortie, effectu par le montage de la
figure ci-dessous. Les transistors sont supposs technologiquement identiques ( = 200, VA = 100 V ).
iE (t)
Q3
Q1
iS (t)
Q2
-VCC

1. Sans ngliger le moindre terme sur les courants, crivez lexpression du courant dentre I E en
fonction de IS .
2. Donnez la prcision du miroir par lvaluation de lerreur dfinie comme tant = I IC 3 / IC 3 .

3. Evaluez les paramtres des modles des transistors pour IS = 100 A .
4. Dessinez le schma quivalent.
5. Caractrisez la source sous la forme dun amplificateur de courant de paramtres Z e , Z s , Ai .
Corrig
1. Expression de IS (I E )
Q1 Q2
(I BS1 = I BS2
VBE1
I = I e UT
BS
C1
= I BS , 1 = 2 = )
VBE2
IC2 = I BS e UT
( VCEi << VA )
VBE = VBE
2
1
I
I
I
=
+
E3
B1
B2 + IC2
I E = I B3 + IC1
d'o IS =
Sylvain Gronimi
2
I E3 = IC2 1 +
I
E3
I E = + 1 + IC2
car IC1 = IC2
+2
( + 2)
IE =
IC =
IE
+ 1 3 + 1 2 2 + 2 + 2
Page 94
IE
2
1=
50 10 6
IS
( + 1)
Etude dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

3. Evaluation des paramtres du modle des transistors
rbe =
UT
V
, rce A
IC o
IC o
avec IC1 = IC2 IC3 = 100 A

o
rbe 50 k , rce 1 M
4. Schma quivalent aux frquences moyennes

is - i3
i3
rce
rbe
is
i3
ie - i3 - (is + i3) /(+2)
ie
ve
rce
(is + i3) /(+2)
rbe/(+2)
Rch
vs
5. Caractristiques dynamiques de la source

i
Calcul du transfert en courant Ai = s
i e v s = 0
Ce calcul correspond lapplication du thorme de Norton (courant de court-circuit en sortie du
diple valu avec une source de courant indpendante parfaite en entre).

(i s + i 3 ) = rbe i 3 + rbe (i s + i 3 )
rce i e i 3
+
2
+2

rbe (i + i ) + r i r i = 0
ce s
ce 3
+ 2 s 3
Lcriture de ces quations de mailles se simplifie en constatant que
rbe
<< rce ( 0.025% prs)
+2
et rbe << 2rce ( 2.5% prs). Lapproximation donne
i 3 +
is
i e 1 +
+2
+2
i i
3
s
Ai =
is
( + 2)
1 ( comparer avec le transfert continu)

ie 2 + 2 + 2
v
Calcul de la rsistance de sortie Z s = s
is
i e =0
Ce calcul correspond la dtermination de la rsistance de Norton (ou Thvenin) du diple

prcdent, la source dexcitation de courant i e tant teinte (circuit ouvert en place de la source).
Sylvain Gronimi
Page 95
rbe
v s = rce (i s i 3 ) + + 2 (i 3 + i s )
rbe (i + i ) + r i + r i + i + i = 0
be 3
ce 3
3
s
+ 2 3 s
+2
+ 2
Par les mmes approximations prcdentes, on obtient

v s rce i s rce i 3
v
2
rce rce = 100 M

Z s = s 1 +

is
2( + 1)
2
1 + + 2 i 3 + 2 i s
v
Calcul de la rsistance dentre Z e = e
ie
v s =0
Ce calcul correspond une configuration de charge trs faible (court-circuit en sortie) par rapport
la rsistance de sortie Z s du quadriple. Il faut remarquer que la rsistance rce en entre est
en parallle avec le diple qui suit, ce qui conduit au calcul de la rsistance de ce dernier dans le
but dallger lanalytique.
(i 3 + i s )
i = i 3 +
+2
r be
(i 3 + i s )
v = r be i 3 +
+2
r
be (i 3 + i s ) + r ce (i s i 3 ) = 0
+ 2
Par les mmes approximations prcdentes, on obtient
2r
v
2 + 3
2r
v
avec i s i 3
Z e // rce be = 500
= rbe 2
be
i
i
+ 2 + 2 + 2
Une autre mthode danalyse plus directe peut tre employe, savoir lapplication de la thorie
de la contre-raction courant-courant (voir cours La contre-raction ). Cest une contre-raction
quasi totale puisque le miroir lmentaire, reprsentant le quadriple de retour, ramne le courant
de sortie lentre et en opposition de phase. La prcision de cette mthode dpendra des
hypothses de simplification.
La source de Wilson est un miroir de prcision trs importante. Les impdances dentre et de
sortie respectivement basse (configuration parallle en entre) et trs haute (configuration srie
en sortie) en fait une source adapte la conception des amplificateurs oprationnels
transconductance.
Sylvain Gronimi
Page 96
Source de Widlar en rptiteur de courant pour polarisation dtages

On considre ltage de polarisation de la figure ci-dessous dans lequel les transistors sont supposs
identiques ( = 200, VA = 100 V ) et les tensions dalimentation VCC = 10 V . Les courants de base
seront ngligs.
+VCC
R1
38.8k
IC3
IC2
Ipol
Q2
Q1
Q3
R2
200
R3
3k
-VCC

1. Evaluez les courants IC2 et IC3 .
2. Evaluez les paramtres dynamiques des modles des transistors.
3. Calculez les charges z2 et z3 vues respectivement entre collecteurs de Q2 et Q3 et la masse.
Corrig
1. Evaluation des courants IC2 et IC3
VBE1
IC I BS e UT
1
VBE2
Q1 Q2 Q3 IC2 I BS e UT
VBE3
UT
I
I
e
C3
BS
VBE2
R2 IC2
IC I BS e UT e UT
1
VBE3
R3 IC3
do IC1 I BS e UT e UT
I = 2VCC VBE1 I
C1
pol
R1
(technologie)
VBE1 VBE2 + R2 IC2
VBE1 VBE3 + R3 IC3

(circuit)
I pol = IC1 + I B1 + I B2 + I B3 IC1

2V = R I + V
1 pol
BE1
CC
IC
R 2 IC 2
Ln 1
IC 2
UT
avec deux quations transcendantes rsoudre
R3 IC3 Ln IC1
U
IC 3
T
IC1 500 A , IC2 150 A , IC3 25 A

o
Sylvain Gronimi
Page 97

2. Evaluation des paramtres des modles
rbe
UT
V
, rce A
IC o
IC o
rbe1 10 k, rce1 200 k , rbe2 33.3 k, rce2 667 k , rbe3 200 k, rce3 4 M
3. Calcul des charges z2 et z3

Le montage prsente entre le collecteur de Q1 et la masse, un transistor mont en diode en
parallle avec la rsistance de polarisation R1 , soit
rbe1
+1
// rce1 // R1 49.7 << rbe2 et rbe3 .
Les bases de Q2 et Q3 peuvent tre considres la masse au niveau dynamique, do

i0
z2 = R2 // rbe2 + rce2 1 + g m2 R2 // rbe2

rce2
v0
gm2 v2
v2
R2 // rbe2
R3
de mme z3 rce3 1 +
R3 + rbe
3
)] rce 1 + R +Rr2
2
be2
z2 1.46 M , z3 15.8 M
Les rsultats du miroir de courant lmentaire sont retrouvs en rendant nulles les valeurs des
rsistances dmetteur. Ici, la dissymtrie produit dune part, un courant continu plus faible que le
courant de rfrence I pol (effet lentille) ce qui permet dajuster les polarisations au sein dun
circuit intgr et dautre part, une charge dynamique qui peut tre trs leve selon la valeur de la
rsistance dmetteur.
Si lobtention dune charge dynamique importante est uniquement dsire, il y a intrt rendre
symtrique le montage (effet miroir) pour une meilleure stabilit des courants en fonction de la
temprature (voir problme stabilisation par rsistance dmetteur ).
Sylvain Gronimi
Page 98
Multiplicateur de VBE
Le montage de la figure qui suit prsente une source de courant alimentant un multiplicateur de VBE.
Tous les transistors sont supposs technologiquement identiques ( = 250, VA = 100 V ) et la tension
dalimentation VCC = 15 V .
+VCC
Q1
Q2
R1
28.8k
R2
4.5k
Q3
R3
7.5k

1. Evaluez le courant de collecteur de Q2 en prenant VEB1 et VEB2 de dordre de 0.6 V.
2. Dans lhypothse o lon suppose que le courant de base de Q3 est nglig, calculez la tension
VCE3 en prenant VBE3 de lordre de 0.6 V.
3. Evaluez tous les courants parcourant le montage afin de valider lhypothse prcdente.
4. Evaluez les paramtres rbe3 , rce3 , rce 2 des modles des transistors.
5. Calculez limpdance z 3 vue entre collecteur et metteur de Q3 .
6. Concluez sur la reprsentation dune source de tension au sein dtudes statique et dynamique
aux faibles signaux.
Sylvain Gronimi
Page 99
Corrig
1. Courant de collecteur de Q2
Q1 Q2
IC2 = IC1
I BS1 = I BS2 = I BS et 1 = 2 =
VCC VEB1 + 2
500 A
R1
2. Expression de la tension VCE 3

En supposant que I B3 << I , courant circulant dans R3
R
VCE3 VBE3 1 + 2 = 0.96 V
R3
3. Validation de lhypothse
VBE3
IC I
I=
= 80 A et I B3 2
1.67 A soit une prcision des calculs environ 2%.
R3
+1

4. Paramtres dynamiques des modles des transistors
U
V
rbe3 T 15 k, rce3 A 239 k
I B3
IC 3
o
5. Impdance vue entre collecteur et metteur de Q3

R2
R3
i1
rbe
i0
rce3
v0
gm v
i 0 = i1 + g m v
i 0 1 + g m3 R
(calcul sans la prsence de rce3 )

=
v 0 = (R2 + R )i1 avec R = R3 // rbe3
v
R2 + R
0
v = R i
1
z3 = rce3 //
R2 + R
113
1 + g m3 R
6. Le multiplicateur de VBE est un gnrateur de tension continue dont limpdance dynamique est
trs faible vis--vis de la charge en srie propose par le miroir ( rce2 200 k ). La translation de
tension produite pourra servir de polarisation dun tage push-pull srie complmentaire. Il faut
noter que ce montage utilise une diode en direct et prsente une meilleure stabilit en
temprature que n diodes mises en srie, sans compter la prcision de la tension continue
obtenue par le choix des deux rsistances.
Sylvain Gronimi
Page 100
Ralisation dune opration arithmtique complexe

On considre le circuit de la figure ci-dessous. Tous les transistors sont supposs technologiquement
identiques et trs grand (courants de base ngligs).
I1
I3
Q4
Q1
Q3
I2
Q2
Q5
Etude en rgime pseudo-continu

1. En considrant la maille forme par les transistors Q1 - Q2 - Q4 - Q5 , crivez la relation de leurs
courants collecteurs.
2. En considrant la maille forme par les transistors Q2 - Q3 , crivez la relation de leurs courants
collecteurs.
3. Ecrivez lexpression du courant I 3 en fonction des courants I1 et I 2 .
Corrig
Les transistors tant supposs technologiquement identiques, lquation gnrale utilise est la
IC
suivante, en ngligeant leffet Early ( VA >> VCE X ) : VBE x UT Ln x pour x = 1 5 .
I BS
1. Premire relation de maille
VBE1 + VBE2 = VBE 4 + VBE5 IC1 IC2 IC4 IC5
2. Deuxime relation de maille

VBE2 = VBE3 IC2 IC3
3. Expression de I 3
I1 IC + IC
1
3
I
I
I
2 C2 C1
I 3 = IC4 IC5
IC2 IC3
I I I I
C 4 C5
C1 C2
Sylvain Gronimi
I1 IC + IC
I1 + I 2 2 IC
1
2
2
I 2 IC2 IC1 I1 I 2 2 IC1 I 3 =
IC1 IC2 I 32
IC1 IC2 I 32
Page 101
I12 I 22
2
Ralisation dune opration arithmtique complexe

On considre le circuit de la figure ci-dessous. Tous les transistors sont supposs technologiquement
identiques et trs grand (courants de base ngligs).
I1
Q5
Q6
Q1
Q2
I2
I3
Q4
Q7
Q3

3. Ecrivez lexpression du courant I 3 en fonction des courants I1 et I 2 et concluez.
Corrig
Les transistors tant supposs technologiquement identiques, lquation gnrale utilise est la
IC
suivante, en ngligeant leffet Early ( VA >> VCE X ) : VBE x UT Ln x pour x = 1 7 .
I BS
1. Premire relation de maille VBE1 + VBE2 = VBE5 + VBE7 IC1 IC2 IC5 IC7
2. Deuxime relation de maille VBE 4 + VBE3 = VBE6 + VBE7 IC4 IC3 IC6 IC7
3. Expression de I 3
I 3 = IC + IC IC
5
6
7
I1 IC1 et I 2 IC4
IC1 = IC2 et IC3 = IC4
IC1 IC2 IC5 IC7

I I I I
C6 C7
C 4 C3
I 3 = IC + IC
5
6
I12 IC5 I 3
I 3 = I12 + I 22
2
I 2 IC6 I 3
Le circuit effectue le calcul du module dun nombre complexe partir de ses parties relles et
imaginaires.
Sylvain Gronimi
Page 102
Conception dun buffer

Ltude porte sur les performances dun buffer (circuit intgr) dont le circuit le plus simple est ltage
collecteur commun (suiveur). Ce dernier prsente des inconvnients quil est possible dviter en
modifiant la topologie de base. Cette volution vers lamlioration des performances en rgimes
statique et dynamique seffectuera en trois tapes.
Les transistors seront supposs technologiquement identiques ou parfaitement complmentaires et de
gain en courant = 200 , de tension dEarly VA = 100V . Lalimentation symtrique du montage est
telle que VCC = 5 V .
Lors des calculs, les courants de base seront ngligs ( grand ) et VA >> VCEo .
Ltage buffer
1. Rappelez les spcificits de ce circuit en rgimes continu et dynamique.
Etude de ltage suiveur classique
+VCC
2 mA
Q1
vE
vS
R1
Rch
200
-VCC

2. Le courant collecteur de Q1 tant gal 2 mA, prcisez le potentiel de sortie VS et valuez la
rsistance R1 .
3. Discutez des inconvnients inhrents ce montage.
4. Evaluez les paramtres rbe et rce du modle du transistor, puis dessinez le schma.
5. Ecrivez les expressions du transfert en tension Av = v s v e , des rsistances dentre Z e et de
sortie Z s vue de la charge. Evaluez ces paramtres.
Sylvain Gronimi
Page 103
Etude de ltage suiveur transistors complmentaires

+VCC
2 mA
R2
Q1
vE
Q2
vS
R1
Rch
200
-VCC

6. Le courant collecteur de Q1 tant gal 2 mA, prcisez le potentiel de sortie VS et valuez le
courant collecteur de Q2 dans le cas o les rsistances R1 et R2 ont la mme valeur.
7. Quelles amliorations apparaissent par rapport au montage prcdent ?
8. Evaluez les paramtres rbe et rce du modle des transistors et dessinez le schma.
Etude de ltage suiveur transistors complmentaires et sources de courant

+VCC
2 mA
Q5
Q6
Q1
vE
Q2
vS
Q3
Rch
200
Q4
-VCC
Sylvain Gronimi
Page 104

10. Le courant collecteur de Q1 tant gal 2 mA, prcisez le potentiel de sortie VS et valuez la
rsistance R.
11. Quelle amlioration apporte la prsence des sources de courant ?

12. Evaluez les paramtres rbe et rce du modle des transistors et dessinez le schma.
14. Dans le contexte dynamique, comparez les valeurs des paramtres calculs lors de ces trois
tudes et prcisez lamlioration obtenue.
Formulaire :
VBE
Modle en rgime continu pour des transistors appairs IC I BS e

(courants de saturation I BS
UT
ou VBE UT Ln
IC
I BS
des jonctions base-metteur et gains en courant supposs identiques,
effet Early nglig VCE << VA ).

Paramtres du modle du transistor en rgime dynamique aux faibles signaux rbe
Sylvain Gronimi
Page 105
UT
V
, rce A .
IC o
IC o
Corrig
1. Dfinition dun buffer
Un buffer (tage tampon) recopie la tension dentre en sortie et prsente une trs faible
rsistance de sortie et une rsistance dentre importante. Son rle est disoler deux tages mis
en cascade pour une adaptation en tension quasi idale.
Etude de ltage suiveur classique
2. Evaluation de VS et R1
+5V
VS = VBEo 0.6 V
2 mA
Q1
0V
VCE1 = VCC VS 5.6 V

o
5.6 V
0.6 V
- 0.6 V
3 mA
I E1 =
o
5 mA
VS + VCC VS
+
IC1
o
R1
Rch
200
880
R1 880
-5V
3. Discussion
Inconvnients du montage :
- prsence dune tension doffset en sortie due la jonction BE de Q1 (translation de - 0.6 V),
- jonction BE fonction de la temprature,
- courant de polarisation dpendant de la charge.

4. Evaluation des paramtres du modle du transistor et schma
i1
rbe1
rbe1
UT
V
2.5 k , rce1 A = 50 k
IC1
IC1
o
i1
ve
R1 //Rch
vs
R1 // Rch 163 et rce1 >> R1 // Rch .

Av =
( + 1)(R1 // Rch ) , Z = r + ( + 1)(R // R ) , Z = R // rbe1 .

vs
=
s
1
e
be1
1
ch
v e rbe1 + ( + 1)(R1 // Rch )
+1
do Av 0.929 , Z e 35.3 k , Z s 12.3 .
Sylvain Gronimi
Page 106
Etude de ltage suiveur transistors complmentaires

6. Evaluation de VS et IC2
+5V
VS = VEB2 VBE1 0 V
2 mA
2500
VCE1 = VCC VS 5 V
Q1
5V
0.6 V
0V
5.6 V
VS + VCC VS
V
+
CC IC1
o
R1
Rch
R1
I E1 =
0V
0A
Q2
200
R1 (= R2 )
2500
1.76 mA
VCC
= 2.5 k
IC1
o
-5V
7. Discussion
Lintroduction dun second metteur suiveur, de type complmentaire au premier, permet de
compenser le dcalage de tension doffset en sortie. Cependant, les courants de collecteur des
transistors ntant pas les mmes, les tensions aux bornes des jonctions BE ne sont pas tout fait
identiques daprs lexpression mathmatique du modle pour ces transistors appairs
I
VBE UT Ln C avec VCE << VA . Le potentiel de sortie VS est peu prs nul.
I BS
8. Evaluation des paramtres du modle des transistors et schma
i1
i2
rbe1 2500
rce1 50 k >> R1 // Rch
rbe2 2841
rbe1
rbe2
i1
i2
ve
R2
R1 //Rch
vs
rce2 57 k >> R 2
Les deux tages tant en cascade, nous caractrisons le premier tage vide (base de Q1
dconnecte) sous la forme dun diple quivalent de Thvenin ( v s1 , zs1 ) tel que
A1 =
v s1
ve
( + 1)R2 ,
rbe + ( + 1)R2
1
zs1 = R2 //
rbe2
+1
Ce diple attaque le second tage caractris sous la forme dun nouveau diple quivalent de
Thvenin ( v s2 , zs2 ) tel que
A2 =
v s2
v s1
Sylvain Gronimi
zs1
( + 1)(R1 // Rch )
,
+ rbe + ( + 1)(R1 // Rch )
zs2 = R1 //
zs1 + rbe1
Page 107
+1
La rsistance dentre du second tage charge le premier tage, ce qui donne

ze1 = rbe2 + ( + 1) R2 // ze2 avec ze2 = rbe1 + ( + 1)(R1 // Rch ) .
do Av = A1 A2 0.931 , Z e ze1 476 k , Z s zs2 12.4 .

Remarquons une augmentation de la rsistance dentre.
Etude de ltage suiveur transistors complmentaires et sources de courant

10. Evaluation de R
+5V
VBE3
I I e UT
BS
C
Q3 Q4 3
VBE4
IC4 I BS e UT
IC 3 IC 4
2 mA
Q6
Q5
Q1
0.6 V
R
0V
Q2
2 mA
Q3
0V
2 mA
2 mA
0A
200
Q4
VEB5
I I e UT
BS
C5
Q5 Q6
VEB6
IC6 I BS e UT
IC 5 IC 6
et VEB3 = VEB4
et VEB5 = VEB6
En ngligeant les courants de base, IC1 IC2 2 mA

-5V
IC1
VBE1 UT Ln
I BS
Q1 Q2
IC 2
V
EB2 UT Ln I
BS
R=
2VCC VEB5 VBE3
IR
VBE1 VEB2 et VS = VEB2 VBE1 0 .
4.4 k
11. Discussion
Lintroduction des sources de courant au sein du montage amliore la symtrie des courants
collecteur de Q1 et Q2 . Ce circuit intgr permet une tension doffset ngligeable en sortie et un
meilleur comportement en temprature.

12. Evaluation des paramtres du modle des transistors et schma
Tous les courant collecteur sont de lordre de 2 mA, donc
Sylvain Gronimi
Page 108
i1
i2
rbe rbei 2500
rbe1
rbe2
rce rcei 50 k
i1
i2
ve
vs
rce /2
Rch //rce/2

De la mme faon que prcdemment, nous oboutissons aux rsultats suivants.
A1 =
A2 =
v s1
ve
r
r
, zs1 = ce // be .
rce
2 +1
rbe + ( + 1)
2
( + 1) rce // Rch
zs + rbe
r
2
, zs2 = ce // 1
.
=
2
+1
rce
zs1 + rbe + ( + 1)
// Rch
2
v s2
v s1
( + 1) rce
2
r
r
ze1 = rbe + ( + 1) ce // ze2 avec ze2 = rbe + ( + 1) ce // Rch .
2
2
do Av = A1 A2 0.941 , Z e ze1 3.17 M , Z s zs2 12.5 .
14. Discussion
Tableau rcapitulatif
n tage
Offset en sortie (V)
Comportement en
temprature
Gain en tension
Rsistance dentre (k)
Rsistance de sortie ()
1
- 0.6
2
voisin de 0
3
0
mauvais
moyen
bon
0.929
35.3
12.3
0.931
476
12.4
0.941
3170
12.5
La rsistance dentre subit une nette augmentation due la prsence de charges dynamiques
sur les metteurs de Q1 et Q2 , le gain en tension et la rsistance de sortie restant du mme
ordre. Il ne faut pas oublier que les valeurs numriques trouves sont lies au choix dune charge
de 200 et dun courant de polarisation de 2 mA.
Sylvain Gronimi
Page 109
Etage diffrentiel charges asymtriques

Ltude porte sur la caractrisation de ltage diffrentiel de la figure ci-dessous. Les transistors sont
supposs technologiquement identiques ( = 200 , VA = , rce = ).
R3
R4
3.6k
1.8k
out
Q1
VCC
ref
Q2
6V
vd
R5
9.6k
R1
R2
1k
1k
VCC
Q3
Q4
6V

1. Evaluez les courants IC3 ainsi que les potentiels de nuds Vout et Vref .
2. Expliquez lintrt de disposer du potentiel de rfrence Vref .
Etude du rgime dynamique diffrentiel (faibles signaux aux frquences moyennes)
3. Evaluez le paramtre rbe des transistors Q1 et Q2 .
4. Calculez les valeurs du transfert Ad = v out v d , de limpdance dentre Zd et de limpdance de
sortie Zs .
Sylvain Gronimi
Page 110
Corrig
1. Evaluation des courants et potentiels de nuds
6V
500 A
1.8k
3.6k
500 A
4.2 V
Q1
Q2
1k
9.6k
4.2 V
1k
- 1.1 V
1 mA
Ipol
1 mA
- 5.4 V
Q4
Q3
-6V
Ltage diffrentiel Q1 - Q2 est polaris par le courant issu du miroir lmentaire Q3 - Q4 tel que
IC 3
o
2VCC VBE 4
R 4 + R5
= 1 mA .
IC 3
VBE1 + R1I E1 = VBE2 + R2 I E2
o
I E1 =I E2 =
500 A avec R1 = R 2 et VBE1 = VBE2 0.6 V .
o
o
2
IC3 =I E1 +I E2
Vref VCC R 4 IC3
Vref Vout 4.2 V .
Vout VCC R3 IC2
2. Intrt de disposer du potentiel Vref

Les deux bornes de sortie sont quipotentielles et permettent une attaque diffrentielle en tension
dun montage qui suit.
Etude du rgime dynamique diffrentiel (faibles signaux aux frquences moyennes)

Le fait de considrer la valeur du paramtre rce3 infinie, conduit un rgime purement diffrentiel. Le
rgime de mode commun est tel que Ac = 0 , Z c = car v c = .
3. Evaluation du paramtre rbe
rbe = rbe1 = rbe2 =
Sylvain Gronimi
UT
10 k
I Co
Page 111
Posons R = R1 = R2 .
R3
v d = [rbe + ( + 1)R ](i1 i 2 )
( + 1)i1 + ( + 1)i 2 = 0
v
out = R3 i1
vout
i2
i1
- vd /2
vd /2
rbe
Ad =
rbe
i2
i1
Zd =
R2
R1
v out
R3
=
1.71 ,
vd
2 [rbe + ( + 1)R ]
vd
= 2 [rbe + ( + 1)R ] = 422 k ,
i1
Z s = R3 = 3.6 k
Sylvain Gronimi
Page 112
Etage diffrentiel charges actives (partie 1)

Ltude porte sur la caractrisation de ltage diffrentiel de la figure ci-dessous. Les transistors sont
supposs technologiquement identiques avec = 200 , VA = 100 V .
Q5
Q6
VCC
15 V
Q1
v1
Q2
v2
R1
294k
iS
VCC
15 V
Q3
Q4
Comprhension du schma
1. Identifiez les parties du circuit et prcisez leurs fonctions.
2. Dessinez le montage et valuez les courants de collecteur, ainsi que le courant de sortie IS .
3. Afin dallger le calcul analytique, les paramtres rce des modles aux faibles signaux des
transistors Q1 et Q2 seront ngligs. Evaluez les autres paramtres rbe et rce des transistors et
caractrisez les quadriples forms par les sources de courant. Dessinez le schma rsultant.
4. Dessinez le schma quivalent du montage dans son rgime diffrentiel.
5. Ecrivez les expressions de la rsistance diffrentielle dentre Z d , de la rsistance de sortie Z s et
du transfert i s / v d et dessinez le quadriple issu de cette caractrisation en prcisant les
conditions dattaque et de charge pour obtenir un convertisseur tension-courant.
6. Dduisez la valeur du gain en tension Ad .
7. Dessinez le schma quivalent du montage dans son rgime de mode commun.
8. Evaluez le gain en tension Ac et dduisez la valeur du TRMC (en dB).
Etude du rgime pseudo-continu
9. Ecrivez la relation du transfert IS (VD ) et tracez cette courbe.
10. Donnez lexpression de la pente au point VD = 0 . Comparez ce rsultat lexpression du transfert
trouve en 5.
11. Evaluez la distorsion sur le courant de sortie i s (t ) pour une amplitude crte de v d (t ) gale 25
mV.
Sylvain Gronimi
Page 113
Corrig
1. Description
Le schma se compose dun tage de polarisation, dun tage diffrentiel dont la charge de
collecteur est un miroir de courant.
- Ltage de polarisation est un miroir de courant lmentaire Q5 - Q6 polarisant ltage
diffrentiel par le point commun des metteurs de Q1 - Q2 . Le courant de cette source, issu de
lalimentation totale de tension 2VCC , est rgl par la rsistance R1 .
-
Ltage diffrentiel Q1 - Q2 est comportement metteur commun, attaquant dynamiquement

en courant le miroir lmentaire Q3 - Q4 . Le transfert effectu par ce miroir double le courant
de sortie par comparaison avec une charge dynamique classique sur le collecteur de Q2 .
Cet tage est un amplificateur conductance de transfert.

2. Schma et valuation des courants
VEB5
VEB6
Q5
Q6
VCC
I0
15 V
VEB1
VEB2
Q1
Q2
R1
IC2
IS
VCC
IC4
Ipol
15 V
Q3
Q4
VBE3
VBE4
VBEi
Equation du modle dun transistor Qi
: ICi = I Bi = I BS e
UT
1 + VCEi
VA
I e
BS
VBEi
UT
en
ngligeant leffet Early ( VCEi << VA ) . Ici, tous les transistors ont mmes et I BS .
Etage de polarisation :
VEB5
I I e UT
BS
C5
Q5 Q6
VEB6
IC6 I BS e UT
Sylvain Gronimi
et VEB5 = VEB6
IC5 IC6 I0
Page 114
I pol = IC5 + I B5 + I B6 I 0
et
IC6 100 A avec VEB5 pris 0.6 V.
o
2VCC = R1 I pol + VEB5
Etage diffrentiel
VEB1
I I e UT
BS
C
et VEB1 = VEB2
Q1 Q2 1
VEB2
IC2 I BS e UT
et I 0 = I E1 + I E 2 IC1 IC2 50 A
o
IC1 IC2
Circuit de transfert
VBE3
I I e UT
BS
C
Q3 Q4 3
et VBE3 = VBE 4 IC3 IC4
VBE4
IC4 I BS e UT
IC = IC3 + I B3 + I B4 IC3
et 1
IC3 IC4 50 A , ISo 0 .
o
o
IC2 = IC4 + IS

3. Schma du montage
Evaluation des paramtres des transistors aux faibles signaux
rbe
UT
V
, rce A
IC 0
IC 0
rbe rbe1 rbe2 rbe3 rbe4 = 100 k , rce rce3 rce4 = 2 M , rce6 = 1 M .
Caractrisation des sources de courants et schma du montage
Une source de courant est modlise sous la forme gnrale dun quadriple.
ie
is
Ai ie
ve
i
avec A i = s
ie
Ze
=
1 , Z e = e
ie
v s =0 + 2
Zs
vs
= be , Zs = s
is
v s =0 + 2
= rce
i e =0
Dans le cas du miroir Q5 - Q6 , le circuit dattaque est reprsent par la rsistance R1 branche
entre lentre du quadriple et la masse. De ce fait, le courant dynamique dentre i e est nul
(absence de source dexcitation), la source lie est telle que Ai i e = 0 (pas de transfert) et le diple
de sortie se rduit la prsence de Z s uniquement. Le courant de sortie i s parcourt une
rsistance Z s = rce6 .
Sylvain Gronimi
Page 115
Dans le cas du miroir Q3 - Q4 , le courant dentre est le courant de collecteur de Q1 gnr par la
tension v 1 et un transfert de courant a lieu ( Ai i e 0 ). La rsistance de sortie Z s = rce4 est
parcourue par le courant i s Ai i e . La rsistance dentre vaut Ze 495 .
Le schma dynamique est alors le suivant.
rce6
v1 =
Q1
i1
Q2
i2
+
ic1
vd /2
v2
vc
Ze
v2 =
- vd /2
ic2
v1
v1 v 2 v1 + v 2 v d
+
=
+ vc
2
2
2
v
v1 v 2 v1 + v 2
+
= d + vc
2
2
2
vc
Ai ic1
vs
rce4
La mthode du demi-schma sera mise en oeuvre ici malgr la dissymtrie de charge des
collecteurs de Q1 - Q2 car rce1 = rce2 = , ce qui entrane i c1 = i1 et i c2 = i 2 (voir annexe
Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun tage diffrentiel ).
4. Schma en rgime diffrentiel
Q1
i1
Q2
+
vd /2
+
ic1
Ze
rce4
Ze
i2
Ai i1
- vd /2
ic2
vs
i1
i2
Ai ic1
vd /2
vs
- vd /2
rbe
rce4
rbe
i1
i2
Calcul du courant de court-circuit et de la rsistance de sortie (thorme de Norton)
vd
2 = rbe i 2
i = (Ai i1 i 2 )
v
d = rbe i1
2
i1 = i 2 =
vd
2 rbe
et i =
La conductance de transfert scrit Yt
Sylvain Gronimi
rbe
(Ai + 1)
2 rbe
vd
rbe
v d (car Ai 1 ).
= g m et la rsistance de sortie Z s = rce4 .
Page 116
La source de tension diffrentielle en entre voit une rsistance Z d = 2 rbe .

B1
is
Yt vd
Zd
vd
Rch
Zs
avec Z d = 200 k , Yt 2 mA / V , Z s = 2 M .
B2
Un amplificateur conductance de transfert doit tre attaqu en tension ( Z d >> rg ) et sa charge

en courant ( Z s >> Rch ), do i s Yt v d (condition de court-circuit en sortie).
6. Evaluation du gain en tension ( vide)
v s = Z s Yt v d
rce4
rbe
v d , do Ad =
rce4
vs
vd
rbe
(condition de circuit ouvert en sortie).
Ce gain est surestim par la non prise en compte de rce1 et rce2 .

B1
C2
Zs
Zd
vd
avec Z d = 200 k , Ad 4000 , Z s = 2 M .
vs
Ad vd
B2
7. Schma en rgime de mode commun
2 rce6
rce4
Ze
2 rce6
vs
Ai i1
i
Q1
i1
Q2
vc
ic1
vc
vc
ic2
i2
i1
i2
vc
rbe
rbe
i2
i1
Ze
Ai ic1
rce4
vs
2 rce6
2 rce6
Calcul du gain en tension
v s = rce (Ai i1 i 2 )
4
v
r
2 rce6 ( + 1) i1
=
+
c
be
v c = rbe + 2 rce6 ( + 1) i 2
[
[
Sylvain Gronimi
]
]
i1 = i 2 =
rbe
rce4 (Ai 1)
vc
et v s =
vc
+ 2 rce6 ( + 1)
rbe + 2 rce6 ( + 1)
Page 117
do Ac =
2 rce4
( + 2)[rbe + 2 rce ( + 1)]
= 0.01 avec rbe << 2 rce6 ( + 1) et 2 rce6 = rce4 .
Ce gain est surestim par la non prise en compte de rce1 et rce2 .

Le taux de rjection vaut donc TRMC = Ad Ac 400000 (112 dB) .

+ VCC
I0
VEB1
VEB2
Q1
Q2
VD
IC1
IC2
IS
IC3
IC4
Q3
Q4
VBE3
VBE4
- VCC
9. Ecriture du transfert IS (VD )

VEB1
I I e UT
BS
C
1
VEB2
IC2 I BS e UT
Etage diffrentiel Q1 Q2
IC1
IC2
VD
UT
et IC1
I0
1+ e
I0
, IC 2
VD
UT
1+ e
Circuit de transfert effet miroir
Q3 Q4
VD
UT
VD = VEB2 VEB1
et
I 0 = I E1 + I E 2
IC1 IC3
IC3 IC4 et
IC2 = IC4 + IS
linarisation
I0
1
1
IS I 0
VD
VD
UT
UT
1+ e
1+ e
ou encore IS I 0 th
VD
2UT
IS
- I0
-200mV
-100mV
0V
100mV
200mV
VD
Sylvain Gronimi
Page 118
10. Retour au rgime linaire

I0
(rgime continu). Le signal v d (t ) volue sur la zone linaire de la
2
caractristique IS (Vd ) autour de VD = 0 et lexpression de la conductance de transfert du circuit
linaire peut tre retrouve.
Pour VD = 0 , IC1 = IC2
dI S
dVD V
D =0
I0
UT
D
e UT
D
1 + e UT

VD
UT
VD
UT
e
1
+
I
= 0
2
2 UT

VD =0
is
= Yt
vd
rbe
UT
et I 0 2 IC1 .
o
IC1
car rbe
V
I
V
Autre dmonstration, th D D pour VD << 2 UT IS 0 VD pour de faibles variations
2UT
2 UT 2 UT
du pseudo-continu autour de VD = 0 , ce qui revient aussi dire que les variations de i s sont
proportionnelles aux variations de v d si ces dernires sont damplitude crte faible devant 50 mV.
11. Calcul de la distorsion

Par dfinition, d =
IS = I 0 th
A22 + A32 + A42 + ...

A1
avec An valeur efficace de lharmonique n.
V
VD
V3
VD5
I0 D D 3 +
2U
2 UT
24 UT 240 UT5
T
car le dveloppement limit de th x lordre 6 est th x = x

d
( )
x3 x5
+
+ o x6
3 15
VD2
A3
et pour VD = UT = 25 mV , d 8.33 % .
=
A1 12 UT2
Sylvain Gronimi
Page 119
Etage de tension intermdiaire (partie 2)

Ltude porte sur la caractrisation de ltage de tension de la figure ci-dessous. Cet tage fait suite
ltage diffrentiel tudi prcdemment et les transistors ont mmes et VA.
+VCC
Q9
Q10
R2
29.4k
vs
30p
Q7
Q8
ve
(VCC = 15 V)
R3
6.3k
-VCC

12. Dessinez le montage en rgime statique, puis valuez les courants de collecteur et justifiez la
valeur du courant de base de Q7 lorsque ltage est connect la sortie de ltage diffrentiel.
13. Dessinez le schma quivalent du montage attaqu par lquivalent de Thvenin de ltage
diffrentiel ( v g , rg = 2 M ) et valuez les paramtres rbe et rce des transistors.

14. Caractrisez ltage de gain en tension Q7 - Q8 ( A v' , Z e' , Z s' ), le
A v'
transfert tant dfini par
= v s / v e et la charge de ltage tant considre comme trs importante et dessinez le
quadriple issu de cette caractrisation.

15. Calculez la frquence de coupure haute de tage intermdiaire, les transistors tant sous leur
schma aux frquences moyennes. Justifiez ce rsultat, puis valuez le produit gain bande du
circuit incluant ltage diffrentiel.
Sylvain Gronimi
Page 120
Corrig
12. Polarisation
Mirroir Q9 - Q10
100 A
miroir
1 mA
IC10 IC9 =
15 V
Q7
500 nA
2VCC VEB9
R2
= 1 mA
IC8 = IC10 1 mA
o
95.2 A
I E7 =
15 V
VBE8
R3
Q8
5 A
VBE 8
R3
+ I B8 IC7 100 A
o
6.3k
Lorsque cet tage de tension est connect la sortie de ltage diffrentiel, le nud de sortie (
droite) de ltage diffrentiel laisse fuir un courant de 500 nA vers la base de Q7 et le nud
oppos ( gauche) laisse fuir le courant I B3 + I B4 = 2 IC3 500 nA . Ainsi, le choix de la
o
rsistance R3 , pour une valeur donne du courant issu du miroir, est conditionn pour symtriser
ltage diffrentiel dans son rgime de polarisation.
13. Schma et valeurs des paramtres des modles
C
rbe =
rce10
Q7
Q8
rg
do rbe7 50 k , rce7 1 M ,
vs
+
vg
UT
V
, rce A
IC o
IC o
rbe8 5 k , rce8,10 100 k .
R3

14. Caractrisation de ltage de gain
Etage collecteur commun Q7 non charg (quivalent de Thvenin)
rbe7
i7
rce7
rg
i7
R3
vs1
Z s1
vg
Sylvain Gronimi
Page 121
A1 =
v s1
vg
( + 1) (R3 // rce )
rg + rbe + ( + 1) (R3 // rce
7
) 0.38 , Zs
= rce7 // R3 //
rg + rbe7
+1
3.88 k
Etage metteur commun Q8

i8
Zs1
rce8
rbe8
rce10
Zs 2
vs2
i8
vs1
A2 =
v s2
v s1
rce8 // rce10
rbe8 + Z s1
) 1126 , Z
s2
= rce8 // rce10 50 k
Le gain en tension de la chane non charge ( Rch trs importante) scrit

v s2
vg
v s1 v s2
v g v s1
= A1 A2 428 .
Deuxime tape : calcul de la rsistance dentre

Lmetteur commun prsente la diode dentre de Q8 vue de sa base, soit Z e2 = rbe8
i8
Z e2
rbe8
rce8
rce10
Rch
i8
et le collecteur commun Z e1 = rbe7 + ( + 1) rce7 // R3 // Z e2 609 k .

i7
rbe7
Z e1
i7
rce7
R3
Ze2
do le schma rsum
rg
ve
vg
Sylvain Gronimi
Zs2
Zs1
Ze1
Ze2
vs
Rch
vs2 =
A2 vs1
vs1 =
A 1 vg
Page 122
Le gain de transfert en tension A 'v aux frquences moyennes (absence de C) doit tre exprim
en terme de source lie la tension v e de la branche contrlante supportant Z e1 afin de
respecter la modlisation du quadriple (voir cours La caractrisation dun amplificateur
linaire ). La caractrisation de ltage devient alors :
Z e' = Z e1 609 k , Z s' = Z s2 50 k << Rch ,
Zs
rg
Ze
ve
Rch
A 'v =
Av ve
vg
rg
v s
= 1+
ve
Z e1
A1 A2 1834 .
15. Evaluation de la frquence de coupure haute (frquences hautes)

La caractrisation de ltage de gain va permettre une approche rapide du comportement en
frquence du circuit. Sous lhypothse dobtenir la frquence de coupure -3 dB uniquement par
la prsence du condensateur C, le schma quivalent du systme est alors du premier ordre (un
seul condensateur).
C
i0
ve
Zs
rg
v0
Ze
ve
Rch
Av ve
Av ve
vg
Ze // rg
Zs
Le condensateur voit ses bornes une rsistance (diple de Thvenin/Norton)

1
RC0 = Z s' + rg // Z e' 1 A 'v 857 M
fh =
6.2 Hz .
2 RC0 C
)(
La constante de temps produisant la frquence trouve est de valeur norme devant la somme de
toutes les constantes de temps vide produites par les capacits parasites des transistors et
lapplication de la mthode du ple dominant donne (voir Annexes ) :
f1
1
fh
2 a1
avec a1 = RC0 C +
15
i =1
0
Rbe
Cbei +
i
15
R
i =1
0
bc i C bc i
RC0 C
Lamplificateur de tension complet (prsence dun tage diffrentiel en tte) se comporte comme
Av
un circuit du premier ordre de gain en boucle ouverte G( j f ) =
avec A v 125 dB .
1 + j f fh
La faible frquence de coupure haute permet datteindre un gain unit avec une pente de 20 dB
par dcade dans le plan de Bode. Cette compensation rend le circuit inconditionnellement stable.
Le produit gain en tension (en units et non en dB) frquence de coupure haute (proprit dun
systme du premier ordre) permet de chiffrer la frquence de transition ft A v fh 10 MHz .
Sylvain Gronimi
Page 123
Illustration par la simulation

150
632.631m, 124.205)
(98.658K, 121.209)
100
(6.2359, 121.204)
amplificateur
non
compens
amplificateur compens
(C = 30 pF)
50
- 40 dB / dcade
- 20 dB / dcade
0
(10.6510M, 8.2797m)
-50
1.0Hz
DB(V(s))
10Hz
100Hz
1.0KHz
10KHz
100KHz
1.0MHz
10MHz
100MHz
Frequency
Si la capacit C de compensation tait absente, linfluence conjugue du montage metteur

commun Q8 (voir le problme Rponse en frquence dun metteur commun ), et du montage
base commune Q4 cumulant sur sa forte charge de collecteur les capacits parasites du miroir et
de lentre de Q7 , produirait la frquence de coupure haute. La prsence de ces ples rend le
systme instable comme le montre la simulation.
Sylvain Gronimi
Page 124
Etage diffrentiel cascode charges actives (miroir)

Ltude porte sur la caractrisation du circuit intgr (CI) de la figure ci-dessous aliment sous
VCC = 15 V . Tous les transistors sont supposs technologiquement identiques de caractristiques
= 250 ( >> 1 ), VA = 100 V (effet Early nglig VA >> VCE ) et VBE 0.6 V .
+VCC
Q7
(+)
Q1
Q8
(-)
Q2
R1
39.2k
I2
Q3
Ipol
Q4
I1
I0
iS
Q5
Q9
Q6
Q10
R2
4.53k
-VCC
Comprhension du circuit
1. Donnez une description du circuit.
2. Evaluez le courant I 0 issu de la source.
3. Ecrivez les expressions analytiques I1 et I 2 en fonction de I 0 et du gain en courant des
transistors Q3 et Q4 .
4. Comparez linfluence de sur les courants de collecteur de Q3 et Q4 pour ce circuit de
polarisation et pour un circuit rduit la seule source de courant I 0 alimentant directement le
point commun des bases.
5. Evaluez les courants et potentiels des nuds.
Etude du rgime pseudo continu
6. Ecrivez les expressions des transferts IC3 (VD ) , IC4 (VD ) et IS (VD ) de ltage diffrentiel. Tracez
ces fonctions.
7. En considrant la zone linaire des courbes prcdentes, crivez lexpression de la conductance
de transfert i S (v d ) en rgime linaire.
Sylvain Gronimi
Page 125

8. Evaluez les paramtres rbe et rce des modles des transistors (prendre rce1,2,3,4 = ).
9. Evaluez la rsistance dynamique prsente par ltage de polarisation Q9 - Q10 - R1 - R 2 ( z9 ) et les
lments de la caractrisation des miroirs Q5 - Q6 et Q7 - Q8 ( ze , zs , Ai ). Dessinez le schma
rsultant.
10. Caractrisez lamplificateur en rgime purement diffrentiel ( Ad , Zd , Zs ).
11. Caractrisez lamplificateur en rgime de mode commun ( Ac , Zc ).
12. Dduisez le taux de rjection de mode commun.
13. Retrouvez lexpression de la conductance de transfert obtenue lors de ltude en pseudo continu.
Corrig
1. Description
Le schma se compose dun circuit de polarisation et dun tage diffrentiel charges actives.
- Le circuit de polarisation est une source de courant R2 - Q9 - Q10 , de type Widlar, dont le
courant de rfrence est ajust laide de la rsistance R1 . Cette source permet dalimenter
ltage diffrentiel par les points communs des bases de Q3 - Q4 et des collecteurs de Q1 - Q2 .
Vu la polarit de ces derniers transistors, un miroir de courant Q7 - Q8 est ncessaire pour
modifier le sens du courant. La comprhension de cette topologie apparatra lors de ltude du
rgime continu.
- Lassociation de collecteurs communs Q1 et Q2 suivis de bases communes Q3 et Q4
constitue un tage diffrentiel cascode, permettant dobtenir une bande passante plus leve
que le montage traditionnel comportement metteur commun. Les charges actives de Q3 et
Q4 composent un miroir de courant Q5 - Q6 qui permet de doubler le courant dynamique
traversant la rsistance interne de cette source, donc de doubler la valeur du gain diffrentiel
en tension (condition vide). Il est remarquer que la sortie de ltage est alors asymtrique.
Cet tage est un amplificateur conductance de transfert.

2. Evaluation du courant I 0
Courant de rfrence I pol =
Source de Widlar
2VCC VBE10
R1
I
R2
pol
IC9 Ln
o
UT
IC 9
o
750 A
(quation transcendante) I = I
0
C9 o 20 A
3. Expressions analytiques I1 et I 2
Puisque le gain en courant est important ( >> 1) et le montage symtrique (effet Early nglig),
IC1 = IC2 IC3 = IC4 .
Sylvain Gronimi
Page 126
I = I + I
0 1 2
I 2 IC3 + IC4
I1 = I B3 + I B4
I 0 = I1 + I 2
I

soit I 2
I 0 et I1 0 .
I
+1
1
2
4. Influence de sur IC3 et IC4 et comparaison

Pour le circuit propos, IC3 = IC4
I
S C3
I0
et la sensibilit de ces courants scrit
+1 2
d IC 3
1 d
d
d
1
car
=
.
+1
+1 +1
IC 3
Dans le cas dun circuit de polarisation rduit la source I 0 alimentant de point commun des
bases de Q3 et Q4 , la sensibilit scrit
IC 3 = IC 4 =
I0
2
S C3 = 1 (sensibilit + 1 plus importante que prcdemment).
Le circuit de polarisation propos permet donc dalimenter ltage diffrentiel par un courant
constant ( IC3 = IC4 I 0 2 ) dont la valeur nest pratiquement pas fonction du gain des PNP
latraux Q3 et Q4 , gain relativement difficile contrlable la fabrication.
5. Evaluation des courants et potentiels de noeuds
+VCC
15 V
Q7
+VCC
Q8
Q1
I2
Q2
20
14.4 V
Q1
Q2
10
10
I2 /2
Q3
Q4
I2
I2 /2
I0 /2
20
I0 /2
IS
- 1.2 V
Q3
Q4
Q5
I1
I1 /2
10
- 14.4 V
Q5
I1 /2
10
Q6
I0
80n
IS
80n
0
Q6
- 15 V
20
-VCC
I0
circuit de polarisation simple
-VCC
Remarquons que le nud de sortie nest pas connect ltage suivant ( vide). Pour obtenir une
polarisation quilibre de ltage diffrentiel, le potentiel de ce nud doit tre - 14.4 V et laisser
fuir vers ltage suivant un courant de 80 nA (symtrisation du schma).
Sylvain Gronimi
Page 127
6. Expressions des transferts
Q Q
2
1
Q3 Q4
Q5 Q6
VBE1
I E ( + 1) I BS e UT
1
VBE2
I E2 ( + 1) I BS e UT
VEB3
' e UT
I E ( '+1) I BS
3

VEB4
'
I E 4 ( '+1) I BS e UT
VBE5
IC I BS e UT
5

VBE6
IC6 I BS e UT
VD = VBE + VEB VEB VBE

1
3
4
2
I E1 = I E3
I E 2 = I E 4
(circuit)
I 0 IC3 + IC4
VBE5 = VBE6
I I
C5
C3
IS = IC IC
4
6
(technologie)
+VCC
Q7
Q8
I2
Q1
VD
Q2
VBE1
VBE2
I2
20
VEB3 VEB4
Q3
IB3
IB4
Q4
I1
IC3
IC4
IC5
IC6
Q5
Q6
VBE5
80n
IS
20
I0
VBE6
-VCC
A partir des quatre premires quations du circuit, on obtient :

I E1 = I E3
I0
VD
IC3
V
I
I E 2 = I E 4
I
D
E3
C
2 UT
= 3 e 2 UT
1+ e
I E1

I E I E 4 IC 4
I0
+ Ln 3
VD UT Ln
I
I E 4
VD
I 0 IC3 + IC4
C4
IE2
2 UT
I I + I
1+ e
0 C3 C 4
et laide des trois dernires
IC5 = IC6
I0
I0
V
IS
= I 0 th D
V
V
D
D
4 UT
IS IC4 IC3
1 + e 2 UT 1 + e 2 UT
Sylvain Gronimi
Page 128
avec I 0 = 20 A
linarisation
du transfert
20uA
Q4 satur
Q3 satur
10uA
(111.0E-18, 10.013u)
0A
Q3 bloqu
Q4 bloqu
(111.0E-18, -37.759n)
-10uA
linarisation
du transfert
-20uA
-400mV
IC(Q3)
-300mV
IC(Q4)
-200mV
IC(Q4) - IC(Q3)
-100mV
0V
100mV
200mV
300mV
400mV
VD
7. Expression du transfert
Pour une faible valeur de VD par rapport la masse,
th
I
I
VD
V
V
D et IS I 0 D , do le transfert Yt = S 0 .
4 UT
4 UT
4 UT
VD
4 UT
Cette expression correspond la conductance de transfert de ltage court-circuit en sortie

(adaptation en courant ralise) dans une tude dynamique aux faibles signaux. Dans ces
conditions de charge, i s = Yt v d reprsente la source quivalente de Norton du montage et sa
rsistance de diple est zs = rce6 telle que zs >> Rch avec rce3 = rce4 = .
Etude du rgime dynamique (faibles signaux)

8. Paramtres des modles
rbe =
UT
V
, rce A
IC o
IC o
do rbe1,2,3,4,5,6 = rbe 625 k , rce1,2,3,4 = , rce5,6 10 M ,
rbe7,8,9 312.5 k , rce7,8 2.5 M , rce9 5 M .
9. Schma et lments dynamiques demands
R2
La source de Widlar Q9 - Q10 est quivalente une rsistance z9 rce9 1 +
R2 + rbe
9
22.9 M .
Le miroir de courant est quivalent un quadriple de transfert en courant dont les paramtres
r
valent ze = be , zs = rce , Ai =
.
+2
+2
Pour le miroir Q5 - Q6 , z5 2480 , z6 = 10 M .
Pour le miroir Q7 - Q8 , z7 1240 , z8 = 2.5 M .
Sylvain Gronimi
Page 129
z7
Ai (ic1+ic2)
rce8
ic1+ic2
Q1
Q2
+
v2
v1
Q3
Q4
ib3+ib4
ic3
ic4
z5
Ai ic3
rce6
z9
Dans le rgime diffrentiel, nous avons i c2 = i c1 et i c 4 = i c3 . La rsistance z7 est donc

traverse par un courant nul et cette dernire disparat du schma. Le raisonnement est le mme
pour le courant traversant la rsistance quivalente rce8 // z9 .
Dans le rgime de mode commun, nous avons i c1 = i c2 = i c3 = i c 4 . La rsistance z7 est traverse
par un courant i c1 + i c 2 = 2 i c2 et le courant de collecteur de Q2 traverse une rsistance
quivalente 2 z7 . Par un mme raisonnement, le courant traversant la rsistance quivalente
rce8 // z9 est 2 i b4 + 2 Ai i c 4 = 2 (1 + Ai )i b4 et le courant de base de Q4 traverse une rsistance
quivalente z0 = 2 (1 + Ai ) rce8 // z9 2 rce8 // z9 1127 M .
2 z7
Q2
ic2
-vd/2
Q2
+
vc
Q4
ib4
Q4
ic4
ic4
z0
- Ai ic4
rce6
Ai ic3
vout1
rce6
(voir annexe Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun tage diffrentiel ).
Sylvain Gronimi
Page 130
10. Caractrisation en rgime diffrentiel

Premire tape : calcul du gain en tension et de la rsistance de sortie du circuit, lattaque tant
une source de tension v d / 2 .
Etage collecteur commun Q2
i2
A1' =
rbe2
i2
- vd /2
rce2
v's1
Z s' 1
v s' 1
vd 2
rce2 ( + 1)
rbe2 + rce2 ( + 1)
=1
( rce2 = )
i0
i2
i2
rbe2
v0
rbe2
i 0 + ( + 1)i 2 = 0
Z s' 1 =
2490
v
r
i
+1
0
be2 2
Etage base commune Q4

i4
Z's1
iC4
i4
z6
rbe4
Ai ic3
v's2
Z s' 2
v's1
v s' = rbe + ( + 1)Z s' i 4

1
4
1
'
v s2 = z6 i c 4 Ai i c3
A2' =
v s' 2
v s' 1
avec i c 4 = i c3 = i 4
2 z6
2 z6
z6
+1
=
= 4000 , Z s' 2 = z6 = 4 M
rbe
rbe4 + ( + 1)Z s' 1 + 2 rbe4 + rbe2
Pour valuer Z s' 2 , les deux sources de tensions indpendantes lintrieur du diple sont teintes
( v d / 2 ). Pour le demi-schma de droite reprsent ici, la source v s' 1 = A1' ( v d 2) tant gale
zro, le courant i 4 est inexistant et i c 4 = 0 . Un mme raisonnement sur le demi-schma de
gauche conduit i c3 = 0 . Les sources lies i 4 et Ai i c3 ne dbitant aucun courant, le courant
i 0 , produit par la source de tension v 0 applique lentre du diple, traverse intgralement la
rsistance z6 .

Le montage base commune prsente la diode dentre de Q4 vue de son metteur, soit
Z e' 2 =
rbe4
+1
Sylvain Gronimi
et le collecteur commun Z e' 1 = rbe2 + ( + 1)
Page 131
rbe4
+1
= 2 rbe 1.25 M .
i2
rbe2
Z e' 1
i2
rce2
=
Z'e2
La rsistance Z e' 1 tant vue par la source de tension v d / 2 , la rsistance diffrentielle dentre
vue par la source v d est Z d = 2 Z e' 1 4 rbe 2.5 M .
11. Caractrisation du rgime de mode commun

Premire tape : calcul du gain en tension et de la rsistance de sortie, lattaque tant une source
de tension v c .
Pour ltage collecteur commun, mmes rsultats avec les notations A1'' =
v s''1
vc
( A1' ) et Z s''1 Z s' 1 .
Pour ltage pseudo-base commune

i4
iC4
i4
Z''s1
rbe4
z6
Z s'' 2
v''s2
Ai ic3
z0
v''s1
v s'' = ( + 1)Z s'' + rbe + z0 i 4

1
1
4
''
v s1 = z6 i c 4 Ai i c3
A2'' =
v s'' 2
v s''1
rbe4
avec i c3 = i c 4 = i 4
z6
2z
2
6 17.7 10 3 , Z s''2 = z6 = 10 M
''
z0
+ ( + 1)Z s1 + z0 + 2

Le schma du montage base commune charges rparties est modifi par la prsence de la
rsistance z0 en srie avec la rsistance rbe4 , ce qui conduit remplacer rbe4 par rbe4 + z0 dans
les expressions analytiques,
rbe4 + z0
soit Z e'' 2 =
et Z e''1 = rbe2 + ( + 1)Z e'' 2 = 2 rbe + z0 .
+1
La rsistance de mode commun, vue par la source de tension v c dans le contexte du demischma, est donc Z c = Z e''1 1128 M , valeur surestime par labsence de rce2 .
Sylvain Gronimi
Page 132
12. Taux de rjection de mode commun

Les gains de transfert en tension valent
v s'
v s''
z6
2 z6
A' A'
Ad = 2 = 1 2 =
= 2000 , Ac = 2 = A1'' A2'' =
17.7 10 3 .
2
2 rbe
vd
vc
z0
La tension obtenue en fin de chane est la somme des tensions de sortie vide issues des deux
rgimes (thorme de superposition), soit v s2 = v s' 2 + v s'' 2 = Ad v d + Ac v c et la qualit de
lamplification diffrentielle par rapport lamplification du mode commun est exprime par la
A
valeur du taux de rjection de mode commun TRMC = d 112700 , soit environ 100 dB.
Ac
13. Conductance de transfert

En considrant le rgime purement diffrentiel, lamplificateur a t reprsent sous la forme dun
diple de Thvenin de tension v s' 2 = Ad v d et de rsistance z6 . La transformation Thvenin
Norton conduit
v s'
i
A v
A v
is = 2 = d d =
v d Yt = s = d d =
.
2 rbe
vd
z6
2 rbe
z6
z6
Or rbe =
UT
2 UT
=
IC4
I0
o
Yt =
I0
.
4 UT
Lexpression de la conductance de transfert est retrouve. Ltude dynamique fournit les

performances de ltage en rgime linaire (gain diffrentiel, taux de rjection de mode commun,
rsistances dentre et de sortie, bande passante) et ltude pseudo-continue montre lexcursion
maximale de la tension diffrentielle dentre ne pas dpasser afin de satisfaire un certain
niveau de distorsion de la tension de sortie.
Sylvain Gronimi
Page 133
Intgrateur de tension diffrentielle

Ltude propose concerne le montage de la figure ci-dessous au sein duquel lamplificateur de
tension, suppos idal ( AV = , Z E = , ZS = 0 ), fonctionne en rgime linaire.
C1
R1
v1
vs
R2
v2
+
C2
1. Ecrivez lexpression de la tension de sortie v s en fonction de v 1 et v 2 .

2. Si R1 = R2 = R et C1 = C2 = C , concluez sur la fonction du montage.
Corrig
1
C2 p
+
V ( p ) =
V ( p)
1 2
R2 +
C2 p
V ( p ) = V ( p )
R1
C1 p

V ( p) +
V ( p)
V ( p ) =
1 s
1 1
R1 +
R1 +
C1 p
C1 p
do Vs ( p ) =
R1C1p
1
1
V2 ( p ) =
Vs ( p ) +
V1( p )
R2C2 p + 1
R1C1p + 1
R1C1p + 1
1
1 R1C1p + 1
V1( p ) +
V2 ( p )
R1C1p
R1C1p R2C2 p + 1
2. Fonction du montage
Si R1 = R2 = R et C1 = C 2 = C , Vs ( p ) =
1
[V1( p) V2 ( p )]
RC p
Il sagit dun intgrateur de tension diffrentielle dexpression v s (t ) =
Sylvain Gronimi
Page 134
1
RC
[v (t ) v (t )]dt .
1
Convertisseurs dimpdance
Les circuits proposs sont capables de simuler des selfs et des capacits. Les amplificateurs de
tension utiliss, supposs idaux ( AV = , Z E = , ZS = 0 ), fonctionnent en rgime linaire.
La premire tude concerne un circuit simulateur dinductance.
R1
RS
i
C
RP
+
ve
R2
(a)
(b)
Ve ( p )
du montage de la figure a.
I ( p)
2. Ecrivez lexpression de limpdance du montage b telle que RP >> RS .
1. Ecrivez lexpression de limpdance dentre Z e ( p ) =
3. Identifiez L, RS , RP en fonction de R1 , R2 , C.
Cette tude concerne un circuit simulateur de capacit.
R2
U1
R1
-
U2
+
+
ve
C
4. Ecrivez lexpression de limpdance dentre Z e ( p ) =
Ve ( p )
du montage.
I ( p)
5. Interprtez ce rsultat.
Sylvain Gronimi
Page 135
Corrig
1. Expression de limpdance dentre
I ( p ) = I1( p ) + I 2 ( p )
I ( p ) = Ve ( p ) V ( p )
1
R1
I 2 ( p ) = Ve ( p ) V + ( p ) C p
R2
V + ( p ) = V ( p ) =
V ( p)
1 e
+
R
2
Cp
R1
i1
C
+
i2
ve
R2
+
+ C p
I ( p ) = Ve ( p ) V ( p )
R1

R
C
p
V + ( p ) =
2
Ve ( p )
1 + R2 C p
I( p) =
V ( p)
1 + R2 C p
1 1 + R1C p
= R1
Ve ( p ) do Z e ( p ) = e
I( p)
1 + R1C p
R1 1 + R2 C p
2. Expression de limpdance du montage b
L
L
p
1+
p
Rs
Rs
Z( p) =
=
Rs
L
L
R p + R s + L p R p + Rs
1+
p
1+
p
R p + Rs
Rp
R p (Rs + L p )
R p Rs
1+
car RP >> RS .
3. Identification
Z e ( p ) Z ( p ) R1 = Rs , R2 C =
L
L
, R1C =
Rp
Rs
do
R2 R p
=
R1 Rs
et R p = R2 , L = R1 R2 C .
4. Expression de limpdance dentre

Lamplificateur U1 , mont en suiveur, recopie la tension Ve ( p ) sa sortie. Lamplificateur U 2 ,
mont en inverseur, fournit la tension de sortie Vs ( p ) =
R2
Ve ( p ) . La loi dOhm aux bornes cu
R1
condensateur scrit alors

I ( p ) = [Ve ( p ) Vs ( p )]C p Z e ( p ) =
Ve ( p )
1
=
I( p)
R2
1 +
C p
R1
5. Interprtation
R
Le montage effectue une multiplication de la capacit C telle que Ceq = 1 + 2 C .
R1
Sylvain Gronimi
Page 136
Amplificateur dinstrumentation amlior

Ltude propose concerne le montage de la figure ci-dessous dans lequel lamplificateur de tension
est suppos idal.
R2
100k
R1
1k
R3
V1
S
+
1k
R4
V2
100k
1. Donnez lexpression de la tension de sortie en fonction des tensions dentre.

2. Ecrivez la condition que doivent satisfaire les rsistances pour que ce montage soit un tage
diffrentiel.
3. Donnez les expressions des rsistances dentre et dduisez la condition sur les rsistances du
circuit pour que ces rsistances dentre soient peu prs gales.
4. Si les rsistances du circuit sont prises dans la srie 1%, valuez le TRMC pour le pire cas.
Un tage diffrentiel ( U1 , U 2 ) est plac lentre du montage prcdent, comme le montre la figure
ci-dessous.
U2
+
V1
S1
R1
R2
1k
100k
R5
220k
R7
R6
2.2k
S
+
U1
220k
V2
S2
+
R3
R4
1k
100k
U3
5. Donnez lexpression du TRMC du premier tage et discutez de la dispersion des composants.

6. Donnez lexpression du TRMC du montage complet.
7. Comparez les performances ce montage celui du problme prcdent.
Sylvain Gronimi
Page 137
Corrig
vS =
R R4
R2
v2
v 1 + 1 + 2
R1 R3 + R 4
R1
2. Condition pour avoir un tage diffrentiel

R1 R3
=
R2 R 4
Ad =
vS
R
= 2
v1 v 2
R1
3. Expressions des impdances dentre

Z E1 =
R1
R
1 (R3 + R 4 )
v2
R4
R3
1
v 1 R3 + R 4
et
Z E 2 = R3 + R 4
En effet, la tension diffrentielle v 1 v 2 tant trs faible, v1 v 2 . On a donc intrt prendre

R1 = R3 pour galiser les impdances dentre. Cette condition entrane R2 = R 4 qui correspond
aussi la compensation doffset en sortie ( R1 // R2 = R3 // R 4 ).
4. Expression du taux de rjection de mode commun

Posons K =
R
R1
1
[v1 (1 + K ') v 2 (1 + K )]
et K ' = 3 v S =
K (1 + K ' )
R2
R4
v1 v 2 v1 + v 2
v v 2 v1 + v 2
, v2 = 1
+
+
2
2
2
2
1
2 + K + K'
(v1 v1 ) (K K ') v1 + v1
vS =
K (1 + K ' )
2
2
Or v 1 =
En considrant des rsistances de mme dispersion autour de la valeur nominale, le calcul

derreur donne
K R1 R2 K '
R
avec comme pire cas K = K 0 + K et K ' = K 0 K .
=
+
=
=2
K
R1
R2
K'
R
Lamplificateur tant suppos parfait, on trouve ainsi un TRMC produit uniquement par la
dispersion des composants passifs :
TRMC
1
+1
Ad
2 + K + K ' K0
=
=
K
R
2 (K K ')
2
4
K0
R
en supposant que Ad >> 1 , soit TRMC 68 dB .
Pour un amplificateur dinstrumentation, il est ncessaire de choisir un composant actif trs bon
TRMC . Cependant, le TRMC minimal calcul dmontre lutilisation de rsistances ultra prcises,
mais les valeurs des impdances dentre restent faibles.
Sylvain Gronimi
Page 138
Si un amplificateur prsentant un TRMC de 80 dB est utilis, lerreur additionnelle sera de 1% pour

un gain diffrentiel de 100 ( Ac = 10 2 ). La tolrances des rsistances tant ici de 1%, lerreur
totale de mode commun est donc de 5%.
5. Expression du taux de rjection de mode commun du premier tage

R5
v S1 = R (v 1 v 2 ) + v 1
v = R 6 (v v ) + v
1
2
2
S2
R7
Ad =
v S1 v S2
v1 v 2
= 1+
R5 + R 6
R7
et
R5 + R 6
(v 1 v 2 )
v S1 v S2 = 1 +
R7
v + v = R5 R6 (v v ) + (v + v )
S2
1
2
1
2
S1
R7
Ac =
v S1 + v S2
v1 + v 2
= 1+
R5 R 6 v 1 v 2
1
R7 v 1 + v 2
La tension diffrentielle tant trs faible devant celle du mode commun, ainsi que la diffrence
entre les deux rsistances, la dispersion des rsistances joue trs peu.
TRMC = 1 +
R5 + R 6
R7
6. Expression du taux de rjection de mode commun du montage complet
TRMC
R2
R1
=
R
4
R
2R
1 +
R7
avec R = R5 = R6
7. Performances
Cet amplificateur dinstrumentation prsente des impdances dentre normes, une impdance
de sortie trs faible (contre-raction tension-tension sur U 2 et U 3 ) et un gain en tension qui peut
tre rglable par un potentiomtre en place de R7 . Lerreur de mode commun est nettement
moindre que dans le premier montage diffrentiel.
Sylvain Gronimi
Page 139
Amplificateur dinstrumentation (INA 114 de Burr-Brown)

Le constructeur Burr-Brown propose le circuit intgr reprsent la figure suivante (rsistance RG
hors puce) dont le symbole est associ.
v in
vs1
RG
RG
vd
+
Ref
R
+
vs
vs2
symbole
in
Ref
+
1. Ecrivez lexpression de la tension de sortie v s en fonction de v d et v ref .
vd
R1
RG
+
Ref
+
i0
-
R0
2. Ecrivez lexpression du courant de sortie i 0 en fonction de v d et concluez sur la fonction du

montage.
Corrig
R
v S1 = R v in v in + v in
2R
G
v d + v ref
v s = v s1 + v s2 + v ref v s = 1 +
RG
R
+
+
v =
v in v in + v in
S2
RG
2. Expression du courant de sortie

v ref = R0 i 0
2R vd
i 0 = 1 +
R0
R
i
v
=
RG R1
0 0 R +R s
0
1
Il sagit dun convertisseur tension diffrentielle / courant (conductance de transfert) dexpression
2R 1
.
Yt = 1 +
RG R1
Sylvain Gronimi
Page 140
Amplificateurs logarithmique et exponentiel (antilogarithmique)

Ltude propose concerne les circuits prsents ci-dessous. Tous les transistors sont supposs
technologiquement identiques et leurs courants de base ngligeables ( trs grand, VA = ). Les
amplificateurs de tension sont supposs idaux.
Vref
Q1
R2
Q2
V
U2
+
R1
-
VS
R4
VE
U1
R3
Figure 1
R2
R1
Vref
R4
Q1
Q2
-
VE
U2
R3
+
VS
-
U1
Figure 2

1. Ecrivez la relation VS (VE ) pour les deux montages, en constatant que Vref >> V .
2. Concluez sur le type damplificateur et prcisez les avantages et dfauts.
Sylvain Gronimi
Page 141
Corrig
1. Expression de VS (VE )
Modles mathmatiques de JBT appairs :
VBEi
VCEi
ICi = I Bi = I BS e UT 1 +
VA
avec VA tension dEarly.
En considrant VA = , on a : (ici, VCB = 0 VCE = VBE << VA )
Q1 Q2
I BS1 = I BS2
VBE1
IC1
VBE1 UT Ln
I I e UT
I BS
BS
C1
ou
= I BS , 1 = 2 =
VBE2
IC 2
V
IC2 I BS e UT
BE 2 UT Ln I
BS
Equations du circuit de la figure 1 :

V = VBE 2 VBE1 (tension diffrentielle trs faible devant Vref )
Vref = R2 I B2 + IC2 + V R2 IC2 + V ( grand)
VE = R1IC1 (V = V = 0 pour U1 )
R4
VS = 1 + R V (V = V = V pour U 2 )
3
do
R
VS UT 1 + 4
R3
V
IC ref
R2
2
VE
IC1 =
R1
VS = 1 + R 4 UT Ln C2
R3
IC1
R2
Ln
R V VE (amplificateur logarithmique)
1 ref
Equations du circuit de la figure 2 :

V = VBE1 VBE2 (tension diffrentielle trs faible devant Vref )
I = Vref V
(V + = V = V pour U1 )
C1
R2
VS
(V + = V = 0 pour U 2 )
IC2 = R
1
R3
VE
V =
R3 + R 4
do
VS
R1 Vref UT
e
R2
R3
VE
R3 + R 4
V
IC ref (Vref >> V )
1
R2
S
IC2 =
R
1
IC1
R3
UT Ln
=
VE
IC 2 R 3 + R 4
(amplificateur exponentiel)
2. Conclusion
Les expressions trouves sont indpendantes de IBS grce la prsence des deux transistors
appairs. La drive due la temprature vient uniquement de la tension thermique UT , ce qui
pose problme.
Sylvain Gronimi
Page 142
Multiplicateur / diviseur
Ltude propose concerne le circuit de la figure ci-dessous. Tous les transistors sont supposs
technologiquement identiques et leurs courants de base ngligeables ( trs grand, VA = ). Les
amplificateurs de tension sont supposs idaux.
Q1
Q2
R2
1.8k
R1
100k
100k
v2
v1
100k
+
U1
U2
100k
R4
Q4
10k
Q3
R3
1.8k
100k
v3
100k
+
U4
+
U3
vs
10k

1. Ecrivez la relation VS (V1,V2 ,V3 ) .
2. Expliquez le fonctionnement du montage.
Sylvain Gronimi
Page 143
Corrig
1. Expression de VS
Pour le montage log, les quations sont les suivantes :
V1
IC1 = R
VBE1
UT
I
e
BS
V2
C
et Q1 Q2 1
IC2 =
VBE2
R2
V = VBE VBE
IC2 I BS e UT
2
1
R V
do V = UT Ln 2 1
R1 V2
De mme, pour le montage antilog :

V3
IC3 = R
VBE3
VS
IC I BS e T
et Q3 Q4 3
IC4 =
VBE4
R4
UT
I
e
V = VBE VBE
BS
C4
3
4
ce qui donne VS =
R V
do V = UT Ln 4 3
R3 VS
R2 R 4 V1V3 V1V3
=
R1 R3 V2
10V2
2. Fonctionnement du montage
Ce multiplieur/diviseur un quadrant est bas sur un montage log ( U1 , U 2 ) pilotant un montage
antilog ( U 3 , U 4 ). Le gnrateur log en sortie de U1 commande la base de Q3 par une tension
proportionnelle Ln (V1 V2 ) . Ce transistor additionne une tension proportionnelle Ln (V3 ) et
commande le transistor antilog Q4 . Le courant collecteur de Q4 est converti en une tension de
sortie par U 4 et R 4 avec un facteur dchelle dfini par cette rsistance en V1 V3 (10V2 ) pour
V1 , V2 , V3 0 .
R1 , R2 , R3 , R 4 sont des rsistances de prcision (< 1%) et la relation obtenue se vrifie pourvu
que les transistors soient ports la mme temprature.
Sylvain Gronimi
Page 144
Amplificateurs conductance de transfert

Ltude propose concerne quelques applications des amplificateurs conductance de transfert de
type LM 13600 en rgime linaire (voir problme Amplificateur conductance de transfert LM
13600).
Au sein des figures qui suivent, lamplificateur se reprsente par un amplificateur transconductance,
remarquable par la prsence dune flche marque I pol , suivi dun buffer mis sous la forme dun
amplificateur de tension mont en suiveur.
U1
is
vd
U2
+
Ipol
Lamplificateur transconductance prsente un transfert command par le courant I pol dfini par la
relation Yt = i s / v d = I pol / 2UT et des impdances dentre et de sortie idales ( Z E = , ZS = ).
Lamplificateur de tension est suppos idal ( AV = , Z E = , ZS = 0 ).
Application 1
R1
U1
is
vd
U2
+
+
R2
Ipol
R3
1. Ecrivez lexpression de la rsistance quivalente R.

2. Commentez ce rsultat.
Application 2
is1
vd1
ve
+
U1
is2
vd2
Ipol1
+
U2
vs
Ipol2
3. Ecrivez lexpression du gain en tension A v = v s / v e .

4. Ecrivez lexpression de la rsistance de sortie du montage.
5. Commentez les rsultats obtenus.
Sylvain Gronimi
Page 145
Application 3
R2
R1
U1
is
vd
U2
R1
+
Ipol
R2
ve
vs
6. Ecrivez lexpression de la fonction de transfert H ( p ) = Vs ( p ) / Ve ( p ) et dduisez la pulsation de

coupure.
7. Concluez sur le rle de ce montage.
Application 4
R1
R2
R1
-
R2
U1
vd1
is1
+
R1
U2
R2
is2
vd2
R1
U4
+
ve
U3
Ipol
vs1
R2
Ipol
vs2
8. Ecrivez les expressions des fonctions de transfert H1( p ) = Vs1 ( p ) / Ve ( p ) et H 2 ( p ) = Vs2 ( p ) / Ve ( p )

dans le cas o R1 >> R 2 et I pol1 = I pol 2 = I pol .
9. Identifiez les paramtres et n .
10. Concluez sur le rle de ce montage.
Sylvain Gronimi
Page 146
Corrig
Application 1
1. Expression de la rsistance quivalente
La rsistance du diple est dfinie par R =
v0
avec v 0 tension applique lentre du diple et
i0
recopie en sortie du suiveur de tension U 2 , i 0 courant entrant dans le diple tel que i 0 = i s .
i s = Yt v d =
I pol
R 2 UT
R2
0
v 0 R = 1 + 1
2 UT
R1 + R2
R2 I pol
2. Commentaire
La rsistance est commande par le courant I pol et est influence par la temprature ( UT ).
Application 2
3. Expression du gain en tension
i s = Yt v e
1
1
i s2 = Yt2 v s
i s1 + i s2 = 0
Av =
Yt
I pol1
vs
= 1 =
ve
Yt 2
I pol 2
(amplificateur inverseur de tension)
4. Expression de la rsistance de sortie

Rs =
vs
i0
avec i 0 = i s1 + i s2
lintrieur du diple), do Rs =
(courant entrant dans le diple) et v e = 0 (source teinte
2UT
1
=
.
Yt 2
I pol
5. Commentaires
Lamplification de tension et la rsistance de sortie sont rglables par les courants de commande
I pol1 et I pol 2 sans utiliser de composants passifs, exceptes les rsistances de rglage des
courants de commande. Lamplificateur peut varier continment de 0 < A v min < 1 < A v max .
Application 3
6. Expression de la fonction de transfert et de la pulsation de coupure
Is ( p ) = Yt Vd ( p )
R2
[Ve ( p) Vs ( p)] C pVs ( p) = Yt R2 [Ve ( p) Vs ( p)]

Vd ( p ) =
R
R
+
R1 + R2
1
2
Is ( p ) = C p Vs ( p )
Sylvain Gronimi
Page 147
do
Vs ( p )
=
Ve ( p )
1
1
de la forme
p
R1 C
1+
p
1 + 1 +
c
R2 Yt
avec c =
I pol
R
2UT 1 + 1 C
R2
7. Conclusion
Il sagit dun filtre passe-bas du premier ordre dont la frquence de coupure est commande par
I pol .
Application 4
8. Expressions des fonctions de transfert
R2
R1 // R2
Ve ( p )
Vs1 ( p ) + Vs2 ( p )
I s1 ( p ) = Yt1
+
+
R
R
R
R
R
//
2
1
1
2
1
I ( p ) = C pV ( p )
s1
s1
R2
I ( p ) = Y
Vs ( p )
t2
s2
R1 + R2 1
I s2 ( p ) = C pVs2 ( p )
Yt1 = Yt 2 = Yt
avec R1 // R2
R2
R2
R + R // R R + R R
1
2
1
2
1
1
pVs1 ( p ) Ve ( p ) Vs1 ( p ) Vs2 ( p )

R

avec = Yt 2
R1C
pVs2 ( p ) Vs1 ( p )
p
Vs ( p )
Vs1 ( p )
1
et H 2 ( p ) = 2
do H1( p ) =
2
Ve ( p )
Ve ( p )
p p
p p2
1+ + 2
1+ + 2
9. Identification des paramtres

Dnominateur de la forme 1 +
p+
p2
n2
n Yt
R2
et 0.5 .
R1C
10. Conclusion
Il sagit respectivement de filtres passe-bande et passe-bas du second ordre.
Sylvain Gronimi
Page 148
Filtre passe-bas deux suiveurs de tension

Ltude porte sur le circuit de la figure ci-dessous. Les amplificateurs de tension sont supposs
idaux.
Z2
Z1
U1
+
Z3
U2
+
ve
Z4
vs
1. Ecrivez lexpression de la fonction de transfert en tension H ( p ) = Vs ( p ) Ve ( p ) .

2. A partir de la forme de lexpression trouve, dites quels types de filtres du second ordre sont
ralisables et prcisez le type des composants.
Le but est, maintenant, de raliser un filtre passe-bas de frquence de coupure de 300 Hz 3 dB

avec un coefficient de surtension = 1
2.
3. Les condensateurs tant choisis la valeur de 47 nF, valuez les rsistances du montage.
4. Ecrivez les expressions des sensibilits des paramtres n et en fonction des composants
passifs. Pourquoi les valeurs des sensibilits sont-elles constantes ?
5. Si tous les composants sont choisis la tolrance de 1%, donnez les variations relatives de ces
paramtres dans le pire cas.
Sylvain Gronimi
Page 149
Filtrage analogique
Corrig
1. Expression de la fonction de transfert
Z2 ( p)
Z1( p )
+
VU1 ( p ) = Z ( p ) + Z ( p ) Ve ( p ) + Z ( p ) + Z ( p ) Vs ( p )
1
2
1
2
( U1 et U 2 monts en suiveur de tension )
Z
(
p
)
4
+ ( p)
V ( p ) =
V
s
Z 3 ( p ) + Z 4 ( p ) U1
Vs ( p ) =
Z 2 ( p )Ve ( p ) + Z1( p )Vs ( p )

Z 4 ( p)
Z3 ( p) + Z 4 ( p )
Z1( p ) + Z 2 ( p )
do H ( p ) =
Vs ( p )
Z2 ( p) Z 4 ( p)
=
Ve ( p ) Z1( p ) Z 3 ( p ) + Z 2 ( p ) Z 3 ( p ) + Z 2 ( p ) Z 4 ( p )
2. Types de filtres du second ordre

A la vue du schma, si les lments des ponts dimpdances Z1( p ) - Z 2 ( p ) ou Z 3 ( p ) - Z 4 ( p ) sont
de mme nature (rsistif ou capacitif), le transfert en tension est indpendant de la frquence. Ces
ponts doivent tre de mme topologie RC pour obtenir une fonction de transfert du second ordre,
savoir Z1( p ) - Z 3 ( p ) des rsistances et Z 2 ( p ) - Z 4 ( p ) des condensateurs ou linverse, sinon la
fonction est du premier ordre.
Type
Z1
Z2
Z3
Z4
Passe-bas
R1
1 C2 p
R3
1 C4 p
Passe-haut
1 C1 p
R2
1 C3 p
R4
3. Calcul des rsistances

H ( p) =
1
de la forme H ( p ) = H 0
1 + R3 C 4 p + R1 R3 C 2 C 4 p 2
avec H 0 = 1 , n =
1
R1 R3 C2 C 4
, =
1
1+
p+
p2
n2
1 R3 C 4
et c = n 1 2 2 +
2 R1C2
( 2 2 1)2 + 1
Le conditionnement du problme demande de disposer dautant dquations que dinconnues. Un

bilan montre 3 quations ci-dessus ( H 0 connu) pour 7 inconnues R1, C2 , R3 , C 4 et n , , c . Il
est donc ncessaire dintroduire 4 donnes afin dvaluer tous les composants :
-
2 donnes issues du cahier des charges fc = 300 Hz , = 1 2

2 donnes issues de valeurs de composants passifs prises de faon arbitraire, ici
C2 = C 4 = 47 nF .
La rsolution du systme linaire conduit aux quations fc = fn =
1
2 C2 R1 R3
et R3 = 2R1 ,
donnant les valeurs R1 8 k , R3 16 k .
Sylvain Gronimi
Page 150
Filtrage analogique
4. Evaluation des sensibilits

d n
dR3 dC 2 dC 4
1 dR
= 1 +
+
+
2 R1
R3
C2
C4
SRn = SRn = SCn = SCn = 0.5
1
3
2
4
1 dR3 dC 4 dR1 dC 2
SR = SC = SR = SC = 0.5
+
3
4
1
2
2 R3
C4
R1
C2
Les amplificateurs monts en suiveur isolent les cellules du premier ordre et il ny a donc pas
dinteraction entre elles.
5. Etude du pire-cas
Avec des tolrances de composants identiques ( R R = C C = 1% ), les variations relatives
sont les suivantes (approche linaire) :
n
1 R
C
=
= 2
+2
= 2%
n
2 R
C
La simulation du pire cas pour la valeur maximale [fonction MAX] au-dessus de la valeur nominale
[direction Hi] donne les tracs suivants.
1.05V
1.00V
nominale
(299.214, 721.600m)
0.80V
(299.214, 707.241m)
0.65V
100Hz
(305.192,707.181m)
300Hz
V(S)
400Hz
Frequency
Lcart damplitude le plus important (valeur maximale), recherch dans lintervalle 290-310 Hz, se
situe 302 Hz pour les valeurs minimales des composants passifs (valeur nominale diminue de
1%). Les mesures donnent
f
305.2 299.2
- pour lordonne 3 dB (0.707), c
0.02 (frquence de coupure)
fc
299.2
pour labscisse fn 299 Hz , H ' ( jfn ) 0.722 .
En thorie, les valeurs des composants variant de - 1 %,

d
df
f' f
'
4
= 0 ' = et n = n n = ( 1 %) = 2 % fn' = 1.02 fn , do
fn
fn
2
fc' = fn' 1 2 ' 2 +
Sylvain Gronimi
( 2 ' 1)
2
+1
dfc fc' fc
=
= 2 % , H ' ( jfn ) =
fc
fc
Page 151
1
2
0.721
2
2
1 fn + 4 ' 2 fn
f '2
fn' 2
n
Filtrage analogique
Filtre passe-bas contre-raction multiple (structure de Rauch)

Le but du problme est de raliser une cellule du second ordre structure de Rauch, utilisant un
amplificateur de tension parfait en rgime linaire. Les caractristiques relles sont celles dun filtre
passe-bas de gain unit, de coefficient damortissement = 0.5 et de frquence de coupure fc 3
dB gale 1 kHz.
C2
R1
R3
10k
10k
ve
R4
vs
C5
1. Vrifiez par lexamen du comportement en frquence du circuit quil sagit bien dun filtre passebas. Prcisez le gain du filtre.
V ( p)
en fonction des composants passifs.
2. Ecrivez lexpression de la fonction de transfert H ( p) = s
Ve ( p)
3. Identifiez les paramtres qui caractrisent le filtre (gain H0 , pulsation propre n , coefficient de
surtension ).
4. Expliquez le fait que les valeurs de deux composants passifs soient donnes.
5. Evaluez les autres composants, y compris la rsistance R + qui permet de minimiser linfluence
des courants de polarisation sur la composante continue de sortie des amplificateurs.
6. Evaluez le maximum K res de la fonction de transfert et la frquence de rsonance fres
correspondante.
7. Ecrivez les expressions des sensibilits des paramtres K = H 0 , n et en fonction des
composants passifs.
8. Calculez les nouvelles valeurs de K, K res , fres et fc partir de lvaluation des sensibilits,
lorsque la rsistance R1 augmente de 10 %. Fates de mme pour R3 , puis pour R 4 .
Sylvain Gronimi
Page 152
Filtrage analogique
Corrig
1. Vrification du type de filtre
Aux trs basses frquences, les condensateurs sont assimils des circuits ouverts et aucun
courant ne parcourt la rsistance R3 . Le montage est alors un amplificateur inverseur de gain
R 4 R1 .
Aux trs hautes frquences, les condensateurs sont assimils des courts-circuits et lentre de
lamplificateur est amene la masse.
2. Ecriture de la fonction de transfert (voir cours Filtrage analogique )
H ( p) =
1 1
R1 R3
1
1
1 1 1
+
C5 p
+ C2 p +
+
R3 R 4 R3 R 4
R1
H ( p) =
R4
R1
1
1
1
R3 R 4 C5 p + R3 R 4 C2 C5 p 2
1 +
+
+
R
R
R
1
3
4
avec H 0 =
R4
1 R 3 R 4 C5
= K , =
2
C2
R1
et c = n 1 2 2 +
1
1
1
R + R + R , n =
3
4
1
1
1+
p+
p2
n2
1
R3 R 4 C 2 C5
( 2 2 1)2 + 1
4. Prsence de deux valeurs de composants

bilan montre quatre quations crites prcdemment pour neuf inconnues R1, C2 , R3 , R 4 , C5 et
K , n , , c .
Il est donc ncessaire dintroduire 5 donnes afin dvaluer tous les composants :
- 3 donnes issues du cahier des charges
c = 2 1000 rad / s , = 0.5 , K = 1 ,
- 2 donnes issues de valeurs de composants passifs prises de faon arbitraire, ici
R1 = R3 = 10 k .
5. Evaluation des composants du filtre
La rsolution du systme linaire fournit les valeurs R 4 = 10 k , C2 60.7 nF , C5 6.75 nF
avec fn 786 Hz .
Afin de minimiser linfluence des courants de polarisation sur la composante continue de sortie, il
faut quilibrer les entres par rapport la masse. La source dynamique tant teinte, les
condensateurs assimils des circuits ouverts et le potentiel de sortie souhait la masse, alors
la topologie montre que R + = R3 + R1 // R 4 = 15 k .
Sylvain Gronimi
Page 153
Filtrage analogique
6. Evaluation de K res et fres (voir cours Filtrage analogique )
fres = fn 1 2 2 556 Hz et K res dB = H ( jres ) dB = 20 log 2 1 2 1.25 dB
Simulation
20
rsonance
gain unit
(562.341,1.2482)
(15.020,1.4982m)
0
(1.0000K,-3.0272)
frquence de cassure
-20
-40
10Hz
DB(V(s))
30Hz
100Hz
300Hz
1.0KHz
3.0KHz
10KHz
Frequency

K=
R4
dK dR 4 dR1
log K = log R 4 log R1
SRK4 = SRK1 = 1
=
R1
K
R4
R1
n =
1
R3 R 4 C 2 C5
d n
dR 4 dC2 dC5
1 dR
= 3 +
+
+
2 R3
R4
C2
C5
3
4
2
5
1
1
1
R + R + R
3
4
1
1
1
1
R3
dR3 1
R1
dR1 1
R4
d
1 dC5 1 dC 2
dR 4
=
1
1 R1 2
1
1
1 R3 2
1
1
1 R4
2 C5
2 C2 1
+
+
+
+
+
+
R1 R3 R 4
R1 R3 R 4
R1 R3 R 4
1
1
SC = SC = 0.5 , SR = , SR = SR = .
5
2
1
3
4
3
6
1 R3 R 4 C5
2
C2
9. Modification des performances

Pour une variation dun composant passif donn, les nouvelles valeurs thoriques des fonctions
K res =
1
2
, fres = fn 1 2 2 et fc = fn 1 2 2 +
( 2
1 +1
2 1
seront obtenues par la connaissance des nouveaux paramtres issus des sensibilits.
df
d
dfn fn' fn
dK K 'K
d '
dK
,
=
K ' = 1 +
' = 1 +
fn' = 1 + n
=
=
K ,
K
K
K
fn
f
f
n
n
Sylvain Gronimi
Page 154
fn
Filtrage analogique
Pour une augmentation de 10 % de la rsistance R1 , nous obtenons

dR1
dR1
K = 0.9 , ' = 1
0.4833 , fn' = fn 786 Hz
K ' = 1
3
R
R
1
1
1.2V
(11.909, 1.0001)
1.0V
R1 = 10 k
(562.341, 1.1545)
(11.909, 909.192m)
R1 = 11 k
0.8V
(0.9991K, 706.897m)
(578.762, 1.0718)
(1.0136K, 641.379m)
0.6V
0.5V
10Hz
V(s)
30Hz
100Hz
300Hz
1.0KHz
3.0KHz
10KHz
Frequency
R1 +10%
thorie
mesure
K
0.9
0.909
fres (Hz)
574
579
Kres
1.082
1.072
fc (Hz)
1015
1014
Pour une augmentation de 10 % de la rsistance R3 , nous obtenons
dR3
dR3
0.5083 , fn' = 1
fn 747 Hz
K ' = K = 1 , ' = 1 +
6 R3
2 R3
1.2V
R3 = 10 k
(11.909, 1.0001)
(562.341, 1.1545)
1.0V
(520.795, 1.1419)
(0.9991K, 706.897m)
0.8V
(945.368, 706.897m)
0.6V
R3 = 11 k
0.5V
10Hz
V(s)
30Hz
300Hz
1.0KHz
3.0KHz
10KHz
Frequency
R3 +10%
thorie
mesure
Sylvain Gronimi
100Hz
K
1
1
Kres
1.142
1.142
Page 155
fres (Hz)
519
520
fc (Hz)
943
945
Filtrage analogique
Pour une augmentation de 10 % de la rsistance R 4 , nous obtenons

dR 4
dR 4
dR 4
K = 1.1 , ' = 1 +
0.5083 , fn' = 1
fn 747 Hz
K ' = 1 +
6 R4
R4
2 R4
1.25V
(11.923, 1.1001)
(519.132, 1.2561)
R4 = 11 k
(11.909, 1.0001)
(562.341, 1.1545)
1.00V
R4 = 10 k
(945.111, 777.833m)
(0.9991K, 706.897m)
0.75V
0.50V
10Hz
V(s)
30Hz
100Hz
300Hz
1.0KHz
3.0KHz
fres (Hz)
519
519
fc (Hz)
943
945
10KHz
Frequency
R4 +10%
thorie
mesure
K
1.1
1.1
Kres
1.242
1.256
Rappelons que les valeurs thoriques sont issues dune approche linaire.
Sylvain Gronimi
Page 156
Filtrage analogique
Filtre passe-bas source contrle (structure Sallen-Key)

Le but du problme est de comprendre la signification des facteurs de sensibilit sur le cas dun filtre
passe-bas du second ordre. Lemploi dun simulateur de circuits lectriques est ncessaire pour traiter
la partie exprimentale.
Le rseau source contrle avec gain K (structure de Sallen-Key) utilise un amplificateur parfait en
rgime linaire.
C1
47n
R4
1820
R3
-
1k
R1
R2
1703
1703
+
ve
C2
vs
47n
Etude thorique
1. Donnez lcriture de la fonction de transfert H ( p) =
Vs ( p)
en fonction des composants passifs,
Ve ( p)
puis identifiez les paramtres qui caractrisent le filtre (gain K, pulsation naturelle n , coefficient
de surtension ).
2. Ecrivez les expressions des sensibilits des paramtres K , n et en fonction des composants
passifs.
3. Evaluez les paramtres et les facteurs de sensibilit.
Etude exprimentale par simulateur
Lutilisation dun simulateur de circuits va permettre de mesurer linfluence des variations de
composants passifs sur la courbe de rponse en frquence du filtre. Deux rponses seront traces au
sein dune analyse paramtrique, lune issue des valeurs nominales des composants et lautre issue
de laugmentation de la valeur dun ou plusieurs composants. Le balayage des frquences stendra
de 10 Hz 10 kHz avec 1500 points par dcade pour une bonne prcision des mesures.
4. Pour la rsistance R1 variant de 1703 1788 , valuez les rapports K K , , fn fn
par la mesure et dduisez les facteurs de sensibilit fonction de R1 . Comparez la thorie.
5. Faites de mme lorsque les rsistances R1 et R2 varient simultanment de 1703 1788 .
6. Faites de mme lorsque la rsistance R 4 varie de 1820 1911 .
Formulaire :
1 1
1
K 02
Sylvain Gronimi
avec K 0 =
fres
K res
1
, fc = fn 1 2 2 +
, fn =
=
2
2
K
2 1
1 2
Page 157
(1 2 )
2 2
+1
Filtrage analogique
Corrig
Etude thorique
Les composants passifs Yi sont des admittances (conductances ou capacits).
Y2
R4
R3
Y3
Y1
vs
Y4
ve
La fonction de transfert en tension du filtre scrit :

VS ( p )
K Y1 Y3
=
VE ( p ) Y4 (Y1 + Y2 + Y3 ) + Y3 (Y1 + Y2 (1 K ))
avec K = 1 +
Lidentification des admittances telles que Y1( p ) =
R4
R3
1
1
, Y2 ( p ) = C1 p , Y3 ( p ) =
, Y4 ( p ) = C2 p
R1
R2
conduit aux expressions des paramtres n , , K .

H ( p) =
1 + [R1C1 (1 K ) + (R1 + R2 )C2 ] p + R1 R2 C1 C2 p 2

1
avec n =
R1R2C1C2
, =
R1C1(1 K ) + (R1 + R2 )C2

2 R1R2C1C2
H0
de la forme H ( p ) =
1+
p+
p2
n2
, H0 = K
2. Calcul des sensibilits

Les expressions prcdentes montrent que la pulsation naturelle n est influence par les
composants R1 , R2 , C1 , C2 , le coefficient damortissement par R1 , R2 , C1 , C2 , R3 , R 4
puisque ces deux derniers composants ont une action sur le gain K .
n =
1
R1R2C1C2
d n
dR2 dC1 dC 2
1 dR
= 1 +
+
+
2 R1
R2
C1
C2

1
R1C1(1 K ) + (R1 + R2 )C2

2 R1R2C1C2
log = log[R1C1(1 K ) + (R1 + R2 )C2 ] log 2
Sylvain Gronimi
1
[log R1 + log R2 + logC1 + logC2 ]
2
Page 158
Filtrage analogique
C1 (1 K ) + C2
R1 (1 K )
C2
dR1 +
dC1 +
dR 2
R1C1 (1 K ) + (R1 + R2 )C2
R1C1 (1 K ) + (R1 + R2 )C2
R1C1 (1 K ) + (R1 + R2 )C2
or
R1 + R2
R1C1
dR2 dC1 dC2
1 dR
dC2
dK 1 +
+
+
R1C1 (1 K ) + (R1 + R2 )C2
R1C1 (1 K ) + (R1 + R2 )C2
2 R1
R2
C1
C2
1
= n
R1C1(1 K ) + (R1 + R2 )C2 2
SR =
2
SR =
1
1 R1 [C1 (1 K ) + C2 ]n
+
,
2
2
RC K
1 R2 C2 n
1 R C (1 K )n
1 (R + R2 )C2 n
, SC = + 1 1
, SC = + 1
, SK = 1 1 n
+
1
2
2
2
2
2
2
2
2
Comme le gain K est fonction R3 et R 4 , nous pouvons calculer les sensibilits de ces rsistances
sur les paramtres K et .
R4
1
R
R32
R3
K 1
dK
dR3 SRK4 = SRK3 =
K = 1+ 4
=
dR 4
R4
R4
K
R3
K
1+
1+
R3
R3
et SR = SRK3 SK =
3
R1C1n (K 1)
= SR
4
2
3. Evaluation des paramtres et facteur de sensibilit

En posant R1 = R2 = R et C1 = C2 = C , les expressions scrivent
n =
R
1
3K
, =
, K = 1+ 4
R3
RC
2
SR =
1
1 2K
1
1
1 1 K
K 1
1 1
, SR = +
, SC = +
, SC = + , SR = SR =
+
2
1
2
3
4
2
2
2
2 2
2
2
2
SRfn = SRfn = SCfn = SCfn = 0.5 , SRK3 = SRK4 =

1
1 K
K
Lapplication numrique donne

fn 1988 Hz , 0.09 , K 2.82
n
K res 15.73 , fres 1972 Hz , fc 3071 Hz
SR 5.06 , SR = 0.5 , SR 5.06 , SRn = 0.5 , SC 10.6 , SCn = 0.5 , SC 10.6 ,
SC = 0.5 , SR 10.1 ,
3
SRK3
0.645 , SR 10.1 ,
4
SRK4
0.645
Etude par simulateur

4. Influence de la rsistance R1
La simulation prsente les tracs relatifs la valeur nominale (1703 ) de la rsistance et la
valeur augmente denviron 5 % (1788 ). Les frquences de rsonance et de coupure diminuent
(frquence naturelle diminue) faiblement ( SRfn = 0.5 ), la surtension augmente (coefficient
1
damortissement diminue) de faon importante ( SR = 5.056 ), le gain K du plateau demeure

1
inchang
Sylvain Gronimi
( SRK1
= 0 ) avec laugmentation de la valeur de la rsistance.
Page 159
Filtrage analogique
30V
(1.9292K, 20.855)
R1 = 1788
20V
(1.9709K, 15.752)
10V
(3.0023K, 1.9942)
(18.535, 2.8202)
(3.0685K, 1.9945)
R1 = 1703
0V
10Hz
V(S)
30Hz
100Hz
300Hz
1.0KHz
3.0KHz
10KHz
Frequency
Tableau des mesures :

R1 ()
K (Veff )
K res (Veff )
fres (Hz )
fc (Hz )
1703
2.820
15.75
1971
3069
1788
2.820
20.85
1929
3002
R1 ()
fn (Hz )
1703
0.08989
1987
1788
0.06777
1938
Traitement des mesures :
1 1
en utilisant les formules =
1
K 02
avec K 0 =
fres
K res
1
.
, fn =
=
2
K
2 1
1 2 2
R1 1788 1703
0.06777 0.08989
=
4.99 % ,
=
0.246 ,
0.08989
R1
1703
fn 1938 1987
=
0.0247
1987
fn
Comparaison :
sensibilit
thorique
pratique
SR
- 5.05
- 4.93
SRfn
- 0.5
- 0.49
SRK1
Sylvain Gronimi
Page 160
Filtrage analogique
5. Influence simultane des rsistances R1 et R2

La simulation prsente les tracs relatifs la valeur nominale (1703 ) des rsistances et la
valeur augmente denviron 5 % (1788 ). Les frquences de rsonance et de coupure diminuent
(frquence naturelle diminue deux fois plus que prcdemment) ( SRfn = SRfn = 0.5 ), la surtension
1
(coefficient damortissement) demeure inchang car les effets sannulent ( SR = SR ), le gain K

1
du plateau demeure inchang
( SRK1
SRK2
= 0 ) avec laugmentation de la valeur des rsistances.
20V
(1.8765K,15.751)
(1.9709K,15.752)
15V
R1 = 1788
R1 = 1703
10V
5V
0V
10Hz
(18.535,2.8202)
(3.0685K,1.9945)
(2.9230K,1.9940)
V(S)
30Hz
100Hz
300Hz
1.0KHz
3.0KHz
10KHz
Frequency

R1, R2 ( )
K (Veff )
K res (Veff )
fres (Hz )
fc (Hz )
1703
2.820
15.75
1971
3069
1788
2.820
15.75
1877
2923
R1, R2 ()
fn (Hz )
1703
0.08989
1987
1788
0.08989
1892
R1
f
K
1892 1987
4.99 % ,
= 0,
=0, n =
0.0478
R1
K
1987
fn
Comparaison :
sensibilit
thorique
pratique
SRfn + SRfn
-1
- 0.958
SRK1 + SRK2
SR + SR
1
Sylvain Gronimi
Page 161
Filtrage analogique
6. Influence de la rsistance R 4
La simulation prsente les tracs relatifs la valeur nominale (1820 ) de la rsistance et la
valeur augmente denviron 5 % (1911 ). Les frquences de rsonance et de coupure
augmentent trs lgrement (frquence naturelle inchange) ( SRfn = 0 ), la surtension (coefficient
4
damortissement diminue fortement) augmente fortement ( SR 10.1 ), le gain K du plateau

4
augmente lgrement
( SRK4
0.645 ) avec laugmentation de la valeur des rsistances.
40V
(1.9831K, 32.798)
R4 = 1911
30V
20V
(1.9709K, 15.752)
(10.798, 2.8201)
(3.0819K, 2.0582)
10V
(10.798, 2.9111)
(3.0685K, 1.9945)
R4 = 1820
0V
10Hz
V(S)
30Hz
100Hz
300Hz
1.0KHz
3.0KHz
10KHz
Frequency

R 4 ()
K (Veff )
K res (Veff )
fres (Hz )
fc (Hz )
1820
2.820
15.75
1971
3069
1911
2.911
32.80
1983
3082
R 4 ()
fn (Hz )
1820
0.08989
1987
1911
0.04442
1987
R1
f
K 2.911 2.82
0.04442 0.08989
4.99 % ,
=
0.0323 ,
=
0.5058 , n = 0
K
2.82
0.08989
R1
fn
Comparaison :
sensibilit
thorique
pratique
- 10.1
- 10.1
SRfn
SRK4
0.645
0.647
SR
Sylvain Gronimi
Page 162
Filtrage analogique
Conception dun filtre passe-haut Butterworth dordre 4

Le but du problme est de concevoir un filtre de Butterworth dordre 4. Les caractristiques relles
sont celles dun filtre passe-haut de gain unit et de bande passante 3 dB gale 300 Hz. La
structure contre-raction multiple (structure de Rauch) est choisie pour la ralisation des cellules
dordre 2.
Rponse de Butterworth
1. Trouvez lexpression du polynme de Butterworth partir du calcul des ples de la fonction de
transfert gnrale, ples vrifiant les conditions de stabilit.
2. Ecrivez la fonction de transfert dnormalise du filtre passe-bas de pulsation de coupure c .
Dduisez alors lexpression du filtre passe-haut par transformation conforme.
3. Identifiez les paramtres n et de chaque cellule la forme canonique.
Structure contre-raction multiple
C4
C1
R5
C3
-
ve
R2
+
R
vs
Vs ( p)
en fonction des composants passifs
Ve ( p)
pour la ralisation dune cellule passe-haut utilisant un amplificateur parfait en rgime linaire.
5. Identifiez les paramtres qui caractrisent le filtre (gain H0 , pulsation naturelle n , coefficient de
surtension ).
6. Ecrivez les expressions des sensibilits des paramtres K = H 0 , n et en fonction des
composants passifs.
7. En supposant que les condensateurs possdent la mme valeur et si tous les composants sont
choisis la tolrance de 1%, donnez les variations relatives de ces paramtres dans le pire cas.
Ralisation du circuit
8. Discutez de linteraction des cellules et de la stabilit du montage.
9. En considrant les donnes du problme, pouvez-vous valuer tous les composants passifs dune
cellule ?
10. Les condensateurs C1 et C3 tant choisis la valeur de 47 nF, valuez les composants restants,
y compris les rsistances R + qui permettent de minimiser linfluence des courants de polarisation
sur la composante continue de sortie des amplificateurs.
Sylvain Gronimi
Page 163
Filtrage analogique
Corrig
Rponse de Butterworth
1. Expression du polynme de Butterworth
La fonction de transfert en p scrit H ( p )
1 + ( 1) p 2n
n
.
k=2
Le carr du module tant pair ( H ( p ) = H ( p ) ), les ples le sont

aussi. Pour n = 4, les ples de la fonction sont issus de lquation
1
j +k
4
8
=
cos + k + j sin + k
4
4
8
8
rpartis sur le cercle de rayon unit (constellation).
1 + p 8 = 0 , soit p = ( 1) 8 = e
k=1
k=3
k=0
k=7
k=4
k=5
k=6
La stabilit impose de retenir les ples partie relle ngative, donc situs gauche de laxe
imaginaire, cest--dire
5
5
k = 2, 5 p = cos
j sin
0.383 j 0.924
8
8
do (p 2 + 0.766 p + 1)(p 2 + 1.848 p + 1)
7
7
k = 3, 4 p = cos
j sin
0.924 j 0.383
8
8
2. Ecriture du filtre passe-bas dnormalis
La dnormalisation seffectue par rapport la pulsation de coupure 3 dB du filtre du 4 ordre :
1
1
2
2
(p + 0.766 p + 1) (p + 1.848 p + 1)
Transformation passe-bas en passe-haut :
0.766
+
p + 1
2
c
c
p2
1.848
+
p + 1
2
c
c
p2
p2
p2
c2
c2
p 2 0.766
p + 1
+
2
p 2 1.848
p + 1
+
2

cellule 1 : n c ,
0.766
, soit n = 2 300 rad / s , = 0.383

n
c
2 1.848
cellule 2 : n c ,
, soit n = 2 300 rad / s , = 0.924

n
c
Structure contre-raction multiple

H ( p) =
C1 C3 p 2
1
R5
Sylvain Gronimi
1
C1 p +
+ C3 p + C 4 p + C3 C 4 p 2
R
2
Page 164
R2 R5 C1 C3 p 2
1 + R2 (C1 + C3 + C 4 ) p + R2 R5 C3 C 4 p 2
Filtrage analogique

p2
H ( p) =
p2
R 2 R5 C3 C 4
C1
C 4 1 + R2 (C1 + C3 + C 4 ) p + R2 R5 C3 C 4 p 2
avec H 0 =
C1
, n =
C4
1
R 2 R 5 C3 C 4
, =
n2
2
p2
1+
p+
n
n2
C1 + C3 + C 4
R2
2
R 5 C3 C 4

K=
C1
dK dC1 dC 4
log K = logC1 logC 4
SCK1 = SCK4 = 1
=
C4
K
C1
C4
1
n =
R 2 R5 C 3 C 4
d n
dR5 dC3 dC 4
1 dR
= 2 +
+
+
2 R2
R5
C3
C4
2
5
3
4
C1 + C3 + C 4
R2
2
R 5 C3 C 4
C3
C4
1 dC 4
1
C +C +C 2 + C C +C +C 2
3
4
4 1
3
4
1
C3
C4
1
1
=
, SC =
4
C1 + C3 + C 4 2
C1 + C3 + C 4 2
dC3
C1
1 dR 2 1 dR5 dC1
+
+
2 R 2 2 R5
C1 C1 + C3 + C 4
C3
SR = SR = 0.5 , SC =
2
C1
, SC
3
C1 + C3 + C 4
Les condensateurs C1 et C 4 sont les seuls composants passifs influencer le gain K. Les
sensibilits sur les paramtres n et sont infrieures lunit, ce qui est une bonne chose.
7. Etude du pire cas
Avec des condensateurs de mme valeur et des tolrances de composants identiques
R C
(
=
= 1% ), les variations relatives sont les suivantes (approche linaire) :
R
C
n 1 R
C
K C1 C 4
C
R 2 C
= 2
+2
=
+
=2
= 2% ,
=
+
= 1.67%
= 2% ,
R
3 C
2 R
K
C1
C4
C
n
C
Ralisation du circuit
8. Discussion
La fonction de transfert en tension du filtre du 4 ordre est gale au produit des fonctions de
transfert des cellules sous la condition dadaptation en tension (pas dattnuation de tension entre
cellules). Cette condition est ralise par la prsence, sur lamplificateur, dune contre-raction
tension courant qui rduit fortement la rsistance de sortie de la cellule (topologie parallle en
sortie de montage).
La stabilit est satisfaisante puisque les coefficients damortissement sont positifs. Cela avait dj
t conditionn par le choix des racines partie relle ngative du polynme de Butterworth,
racines complexes conjugues de la forme n jn 1 2 avec la normalisation n = 1 ,
do des valeurs de 0.383 et 0.924 pour .
Sylvain Gronimi
Page 165
Filtrage analogique
9. Conditionnement du problme
bilan montre 3 quations crites prcdemment pour 8 inconnues C1, R2 , C3 , C 4 , R5 et H 0 , n , .
Il est donc ncessaire dintroduire 5 donnes afin dvaluer tous les composants dune cellule :
- 3 donnes issues du cahier des charges
n = 2 300 rad / s , = 0.383 ou = 0.924 , K = H 0 = 1 ,
-
2 donnes issues de valeurs de composants passifs prises de faon arbitraire.
10. Calcul des rsistances

Ici, les valeurs de composants passifs prises de faon arbitraire sont C1 = C3 = 47 nF . La
rsolution du systme linaire fournit les valeurs
cellule 1 : C 4 = 47 nF , R2 = 2.88 k , R5 = 44.2 k
cellule 2 : C 4 = 47 nF , R2 = 6.95 k , R5 = 18.3 k
Afin de minimiser linfluence des courants de polarisation sur la composante continue de sortie, il
faut quilibrer les entres par rapport la masse. La source dynamique tant teinte, les
condensateurs assimils des circuits ouverts et le potentiel de sortie souhait la masse, alors
la topologie montre que R + = R5 .
Simulation
10
(300.454, -3.0038)
0
cellule 1 : = 0.383
gain unit
(215.444, -3.0547)
cellule 2 : = 0.924
(419.008, -2.9918)
-10
-20
filtre complet
-30
-40
100Hz
DB(V(S1))
DB(V(S2))
300Hz
DB(V(S))
1.0KHz
3.0KHz
10KHz
Frequency
Les deux cellules possdent le mme diagramme asymptotique car mmes pulsations naturelles
n et leurs frquences de coupure 3 dB est fournie par la relation
fc = f n 2 2 1 +
Sylvain Gronimi
( 2 2 1)2 + 1 , soit
fc1 216 Hz et fc2 417 Hz .
Page 166
Filtrage analogique
Filtre passe-bande contre-raction multiple (structure de Rauch) sensibilit

amliore
Ltude porte sur le filtre reprsent ci-dessous, utilisant deux amplificateurs de tension parfaits en
rgime linaire.
R3
1u
100k
R1
80k
1u
R2
ve
15.9
R4
U1
vs1
100k
135k
4.7k
+
R
10k
U2
vs2
1. Ecrivez lexpression de la fonction de transfert H1( p ) =
Vs1 ( p )
.
Ve ( p )
2. Vu lexpression trouve, prcisez le type de filtre. Vrifiez par lexamen du comportement en
frquence du circuit.
3. Ecrivez les expressions des paramtres qui caractrisent le filtre (gain H10 , pulsation naturelle
n , bande passante -3 dB , coefficient de qualit Q). Commentez ces rsultats.

4. Effectuez la mme dmarche pour la fonction de transfert H 2 ( p ) =
Vs2 ( p )
Ve ( p )
et commentez.
5. Discutez de la stabilit du montage suivant la valeur de .

6. Si lon prend = 1 et en constatant que la rsistance R 2 possde une valeur trs faible devant
celles des autres rsistances, valuez les paramtres du filtre.
7. Si R 4 , quelle topologie connue retrouvez-vous ? Comparez ses performances aux
performances gnrales prcdemment obtenues.
Sylvain Gronimi
Page 167
Filtrage analogique
Corrig
1. Expression de la fonction de transfert H1( p )
Soit A le nud commun R2 , R 4 , C.
Vs2 ( p ) = Vs1 ( p ) (inverseur U 2 )
Vs ( p )
Ve ( p )
+ CpVs1 ( p ) + 2
R1
R4
VA ( p ) =
Ve ( p )

1
1
1
Vs ( p )
+ Cp
+
+
+ 2Cp
Vs1 ( p )
R1
R 4 1
R1 R2 R 4
1
1
1
R3C p
Vs1 ( p )
+
+
+ 2Cp
CpVA ( p ) +
R
R
R
1
2
4
R3
V ( p ) =
1
Cp +
R3
V + ( p ) = V ( p ) = 0
Vs1 ( p )
Ve ( p )
R3C p
1
R1 1
R
1
1
+
+
+ 2 3 C p + R3C 2 p 2
R1 R2 R 4
R4
R
2 3 C
R4
p
1
1
1
+
+
R3
R1 R2 R 4
H1( p ) =
R
R
2 3 R1
2 3 C
R
R
R3C 2
4
4
1+
p+
p2
1
1
1
1
1
1
+
+
+
+
R1 R2 R 4
R1 R2 R 4
2. Identification du type de filtre

Le type de filtre est un passe-bande. Aux trs basses frquences, les condensateurs sont
assimils des circuits ouverts et v s1 = 0 . Aux trs hautes frquences, les condensateurs sont
assimils des courts-circuits et v s1 = v + = 0 .
3. Paramtres du filtre
H 01 =
R3
R
2 3 R1
R
4
, n =
C
R3
1
1
1
+
+
R1 R2 R 4
,Q= n =
1
1
1
R
R3
+
+
2 3
R
R
R
R4
2
4
1
, =
R3
R3 C
2
R4
La rsistance R2 rgle la frquence centrale fn indpendamment du gain H 01 et de la largeur de

bande f 3 dB.
Sylvain Gronimi
Page 168
Filtrage analogique
4. Fonction de transfert H 2 ( p )
H 2 ( p) =
Vs2 ( p )
Ve ( p )
Vs2 ( p ) Vs1 ( p )
Vs1 ( p ) Ve ( p )
= H1( p )
Le gain laccord est multipli par et il ny a pas dinversion de phase entre/sortie

R3
H 02 =
R
2 3 R1
R
4
5. Stabilit du montage
Stabilit pour 2
R3
2R 4
> 0 , soit <
= 2 .7
R4
R3

Pour = 1 et R2 << R1 et R 4 , alors n
1
C R 2 R3
fn 126 Hz , f 2 Hz , H 02 = H 01 1 , Q 63
7. Discussion sur les performances

Si R 4 , la topologie devient une structure de Rauch classique, suivie dun inverseur de gain
unit. La frquence centrale demeure inchange, mais les autres paramtres deviennent figs
alors que les performances prcdentes montrent, entre autre, une bande passante trs troite ou
une forte surtension suivant la valeur de , grce au bouclage du second amplificateur.
20
(125.512, 10.456)
(125.837, 7.4388)
(125.244, 7.4701)
(125.512, -83.762m)
0
(125.512, -4.0932)
(126.512, -2.9835)
(124.573, -2.9929)
= 2.2, K = 3.33, Q = 213

= 1, K = 1, Q = 65
R4 = , K = 0.624, Q = 40
-20
(127.124, -7.0963)
(123.981, -7.0837)
-30
100Hz
Sylvain Gronimi
DB(V(S1))
160Hz
Frequency
Page 169
Filtrage analogique
Filtre passe-bande INIC

Une premire tude porte sur le montage reprsent ci-dessous, utilisant un amplificateur de tension
parfait en rgime linaire.
R
i0
-
v0
+
R
1. Ecrivez lexpression de limpdance dentre Z 0 = v 0 / i 0 et concluez sur lintrt du montage.

Le montage prcdent est intgr au sein du circuit de la figure suivante.
R1
C1
+
ve
R2
C2
U2
vs
U1
Vs ( p)
.
Ve ( p)
Vu lexpression trouve, identifiez le type de filtre. Vrifiez par lexamen du comportement en
frquence du circuit.
Ecrivez les expressions des paramtres qui caractrisent le filtre (gain H0 , pulsation naturelle n ,
coefficient de qualit Q, bande passante -3 dB ). Commentez ces rsultats.
En choisissant R1 = R2 = R et C1 = C2 = C , discutez de la stabilit du montage suivant la valeur
de .
Expliquez la prsence de lamplificateur U 2 .
2. Ecrivez lexpression de la fonction de transfert H ( p) =

3.
4.
5.
6.
7. Evaluez les paramtres K = H 0 et Q pour = 1 et 1.95 .
Sylvain Gronimi
Page 170
Filtrage analogique
Corrig
1. Expression de limpdance dentre Z 0
V0 ( p ) Vs ( p )
I 0 ( p ) =
R
V ( p ) = V ( p ) = V0 ( p )
Z( p)
V + ( p ) =
Vs ( p )
Z( p) + R
I0 ( p) =
V0 ( p ) Z ( p ) + R
1
R
Z( p)
Z0 ( p) =
V0 ( p )
= Z( p)
I0 ( p)
Ce montage ramne limpdance Z en entre, change de signe et proportionnelle

(convertisseur dimpdance ngative).
2. Expression de la fonction de transfert H (p )
Lamplificateur U 2 , mont en suiveur, prsente une haute impdance dentre. Le transfert en
tension est produit par un pont dimpdances Z1( p ) = R1 +
R2
1
, Z2 ( p) =
.
C1 p
1 + R2 C2 p
Vs ( p )
Z2 ( p)
R2C1 p
=
=
Ve ( p ) Z1( p ) Z 2 ( p ) (1 + R1C1 p )(1 + R2C2 p ) R2C1 p
H ( p) =
R2C1 p
1 + (R1C1 + R2C2 R2C1 )p + R1R2C1C2 p 2

1 p
Q n
.
La fonction de transfert en tension est de la forme H (p ) = 2
p
1 p
+
+1
n2 Q n
Le type de filtre est un passe-bande. Aux trs basses frquences, les condensateurs sont
assimils des circuits ouverts et rien ne passe lentre de lamplificateur U1 . Aux trs hautes
frquences, les condensateurs sont assimils des courts-circuits et lentre de lamplificateur
U 2 est la masse.
4. Expressions des paramtres du filtre
H ( p) =
(R1C1 + R2C2 R2C1 )p

R2C1
R1C1 + R2C2 R2C1 1 + (R1C1 + R2C2 R2C1 )p + R1R2C1C2 p 2
H0 =
R1R2C1C2
R2C1
1
, n =
,Q=
,
R1C1 + R2C2 R2C1
R
C
+
R1R2C1C 2
1 1 R 2C 2 R 2C1
R1C1 + R2C2 R2C1

R1R2C1C2
Si la rsistance R est ajustable, celle-ci modifie tous les paramtres, except la pulsation
centrale n du filtre.
Sylvain Gronimi
Page 171
Filtrage analogique
5. Stabilit du montage
R1 = R2 = R , C1 = C2 = C H ( p ) =
1
RC p
avec 2 = = 2 ( 0)
Q
1 + (2 )RC p + R 2C 2 p 2
Le systme est stable pour > 0 , soit 0 < 2 ; oscillateur pour = 0 , soit = 2 ; instable
pour < 0 , soit > 2 .
6. Prsence de lamplificateur U 2
Lamplificateur U 2 , mont en suiveur, sert de buffer (rsistance dentre trs leve et rsistance
de sortie trs faible par la contre-raction tension-tension totale). Ainsi, la sortie du filtre est
adapte en tension et indpendante de la frquence.
7. Evaluation de paramtres du filtre
40
(1.0574K, 31.700)
(1.0841K, 28.748)
(1.0311K, 28.748)
R1 = R2 = 15 k
20
C1 = C2 = 10 nF
= 1.95, K = 39, f = 53 Hz
(1.0579K, 9.529)
K = /(2-)
= 1.5, K = 3, f = 531 Hz
0
(1.0539K, -9.868m)
(1.7120K, -3.0148)
(654.992, -3.0167)
-20
= 1, K = 1, f = 1057 Hz
-40
100Hz
Sylvain Gronimi
DB(V(s))
300Hz
1.0KHz
3.0KHz
10KHz
Frequency
Page 172
Filtrage analogique
Filtre passe-tout (dphaseur pur) du premier ordre

Le montage reprsent ci-dessous, utilise un amplificateur de tension parfait en rgime linaire.
R
10k
R
10k
R
ve
10k
vs
C
Vs ( p)
.
Ve ( p)
2. Tracez le module H ( j ) et largument = arg[H ( j )] en fonction de log( ) .

3. Ecrivez lexpression du retard (temps de propagation) de groupe =
d
et tracez sa variation
d
en fonction de log( ) .
4. Evaluez le composant C tel que = 1 ms et donnez la plage de frquences correspondante.
Formulaire :
d
f '(x)
arctg [f ( x )] =
dx
1 + f ( x )2
Corrig
1
+
V ( p ) = 1 + RCp Ve ( p )
V ( p ) = V ( p )
V ( p ) + Vs ( p )
V ( p ) = e
2
V ( p ) 1 RCp
=
s
Ve ( p ) 1 + RCp
do H ( p ) =
1+
n
p
avec n =
1
RC
2. Tracs du module et de largument ( p = j )
n
H ( j ) =
1+ j
n
1+
1 j
H ( j ) =
0 0 , = n =
1+
2
n2
2
n2

= 1 (0 dB ) et = arg[H ( j )] = 2 arctg
n
, (voir tracs)
3. Retard
Sylvain Gronimi
Page 173
Filtrage analogique
=2
arctg
d
n
2
1
=
2
n
1+ 2
, = n =
, 0
(voir trac)
4. Evaluation de C
= 2 R C C = 50 nF et fn 318 Hz
Le retard est peu prs constant pour f [0, 100 Hz ] (voir trac)
2.0
(318.339, -263.144u)
0
-2.0
0d
DB(V(s))
(318.339, -90.013)
-90d
-180d
2.0ms
arg (V(s))
(318.339, 500.078u)
1.0ms
0s
1.0Hz
(V(s))
Sylvain Gronimi
10Hz
100Hz
1.0KHz
10KHz
100KHz
Frequency
Page 174
Filtrage analogique
Filtre passe-tout (dphaseur pur) du second ordre

Le montage reprsent ci-dessous, utilise un amplificateur de tension parfait en rgime linaire.
R2
C2
10k
C1
R1
-
10k
Ra
vs
ve
Rb
10k
Vs ( p)
en posant K = Ra Rb .
Ve ( p)
2. Dterminez lexpression de K telle que le montage soit un dphaseur pur de fonction de transfert
2
p2
1
p+ 2
n
n
1
H ( p) =
.
1+ K
2
p2
1+
p+ 2
3. Ecrivez les expressions des paramtres n et .
4. Tracez le module H ( j ) et largument = arg[H ( j )] en fonction de log( ) .

5. Ecrivez lexpression du retard (temps de propagation) de groupe =
d
.
d
Un retard sensiblement constant est souhait sur une plage de frquences donne.
6. En prenant comme condition (n ) = (0) 2 , valuez le paramtre puis dduisez les valeurs
des composants passifs C1 , C2 et Ra tel que = 1 ms .
7. Tracez la variation du retard en fonction de log f et donnez la plage de frquences correspondant
un retard peu prs constant.
Formulaire :
d
f '(x)
arctg [f ( x )] =
dx
1 + f ( x )2
Sylvain Gronimi
Page 175
Filtrage analogique
Corrig
Soit A le nud commun R1 , R2 , C1
1
+
V ( p ) = 1 + K Ve ( p )
VA ( p )
+ C2 pVs ( p )

R1
V ( p ) =
1
+ C2 p
R1
V + ( p ) = V ( p )
V ( p) V ( p)
+
C1pVe ( p ) + s
R2
R1
VA ( p ) =
1
1
C1p +
+
R2 R1
Vs ( p )
1 1 + [(R1 + R2 )C2 K R2C1 ] p + R1R2C1C 2 p 2
=
Ve ( p ) 1 + K
1 + (R1 + R2 )C2 p + R1R2C1C2 p 2
2. Expression de K
Dphaseur pur si (R1 + R2 )C2 K R2C1 = (R1 + R2 )C2 K =
2 (R1 + R2 )C2
R2C1
3. Expression des paramtres
n =
1
R1 R2 C1C2
, =
C2
R1 + R2
R1 R2 C1
2
4. Tracs du module et de largument ( p = j )
H ( p) =
1
1+ K
1
1+
p+
p2
n2
2
2
p
p+ 2
n
n
n
1
H ( j ) =
(constant) et = arg[H ( j )] = 2 arctg
2
1+ K
1
n2
0 0 , = n = , 2 (voir tracs)
5. Retard
n
d
=2
arctg
2
d
n2
Sylvain Gronimi
4
=
n
1+
2
n2
2
2
1
+ 4 2
2
n2
n
, = n =
, 0
Page 176
(voir trac)
Filtrage analogique
6. Evaluation de et des composants

Condition (n ) =
(0 )
2
En posant R = R1 = R 2 , n =
2
C1C2 =
4 2R 2
do
C = C2
1
2
2 n
1
R C1C2
do 0.841 .
avec =
, =
C2
4 C 2 Ra
et K =
=
C1
C1
Rb
C1 35.4 nF , C2 = 25 nF
et K 2.83 (- 11.6 dB), Ra 28.3 k ( fn 535 Hz )
7. Trac du retard
-10
(534.963, -11.632)
-11
-12
-13
0d
DB (V(s))
(534.963, -180.001)
-180d
-360d
2.0ms
arg (V(s))
(301.834, 965.935u)
(534.963,706.750u)
1.0ms
0s
1.0Hz
(V(s))
10Hz
100Hz
1.0KHz
10KHz
100KHz
Frequency
Le retard est peu prs constant sur une plage de 0 300 Hz.
Sylvain Gronimi
Page 177
Filtrage analogique
Filtre coupe-bande (rjecteur) deux amplificateurs de tension

Ltude porte sur le filtre prsent ci-dessous, utilisant deux amplificateurs de tension idaux en
rgime linaire.
R3
100k
R2
-
100k
R1
ve
100k
C1
68n
Zeq
R4
33k
vs
U1
U2
C2
68n
R5
68k
1. Ecrivez lexpression de limpdance quivalente Z eq constitue par les lments C1, C2, R4, R5,
U2.
2. Montrez que limpdance trouve est de la forme Z eq = R + Lp +

3. Ecrivez lexpression de la fonction de transfert H ( p ) =
1
.
Cp
Vs ( p )
.
Ve ( p )
4. En constatant que R1 = R 2 = R3 R , identifiez le type de filtre et valuez ses caractristiques

principales.
5. Tracez la rponse en frquence de la fonction dans le plan de Bode (module et argument).
Sylvain Gronimi
Page 178
Filtrage analogique
Corrig
1. Expression de limpdance quivalente
Lamplificateur U 2 est mont en suiveur. Le condensateur C1 tant en srie avec lentre du
montage, le calcul porte sur limpdance dentre vue par la tension v + .
1
I ( p ) = R 4 I e ( p ) car V + ( p ) = V ( p )
C2 p
V + ( p ) = R I ( p ) + R [I ( p ) + I ( p )]
4 e
5 e
C1
ie
U2
R4
ve
C2
R5
V + ( p)
= R 4 + R5 + R 4 R5 C 2 p
Ie ( p)
do Z eq =
1
+ R 4 + R5 + R 4 R5 C 2 p
C1 p
2. Identification des lments

R = R 4 + R5 , L = R 4 R5 C2 et C = C1

R3
V ( p ) = V ( p )
Z eq ( p )
Ve ( p )
V + ( p ) =
Z
eq ( p ) + R1
R3
R2
V ( p ) =
Vs ( p )
Ve ( p ) +
R 2 + R3
R 2 + R3
100k
R2
-
100k
R1
ve
100k
vs
U1
Zeq
H ( p) =
Vs ( p )
=
Ve ( p )
R1 R3
R2
Z eq ( p ) + R1
Z eq ( p )
R R
LC1 p 2 + R 1 3 C1 p + 1
R2
do H ( p ) =
LC1 p 2 + (R + R1 )C1 p + 1
+j
02
1
H ( j ) =
2
1 2 + j
0
2
1
Sylvain Gronimi
avec 0 =
1
LC1
, 1 =
R R
R 1 3
R2
Page 179
C1
et 2 =
1
(R + R1 )C1
Filtrage analogique
R1 R3
R2
<1
R + R1
Pour << 0 et >> 0 , H ( j ) 1 , pour = 0 , H ( j0 ) =
Cest donc un filtre rjecteur symtrique de gain unit, centr sur rej = 0 et de largeur relative
de bande de rjection
C1
(R1 + R4 + R5 ) . Lvaluation des caractristiques donnent :
R 4 R5 C 2
frej = 49.4 Hz avec attnuation de 1 201 soit 46 dB, f = 209.6 Hz , Q = 0.236 .
5. Tracs dans le plan de Bode

2
H ( j ) =
2
2
1
2 + 2
0
1
2
2
1
2 + 2
0
2
2
2
arctg
et arg[H ( j )] = arctg
2
2
1 2
1 2
0
0
100d
(49.4 Hz,0 d)
f0 = 49.4 Hz
0d
-100d
Arg(V(s))
0
f = 209,6 Hz
-25
(11.1 Hz,-3 dB)
(220.7 Hz,-3 dB)
f0 = 49.4 Hz
(49.4 Hz,-46 dB)
Q = 0.236
-50
1.0Hz
DB(V(s))
3.0Hz
10Hz
30Hz
100Hz
300Hz
1.0KHz
Frequency
Sylvain Gronimi
Page 180
Filtrage analogique
Filtre rjecteur variable dtat

Ltude porte sur le filtre reprsent ci-dessous, utilisant trois amplificateurs de tension parfaits en
rgime linaire.
R
S2
C
+
U2
R
R
R1
R1
-
ve
R2
S1
+
U1
R3
S3
R2
+
U3
Ltude de ce filtre seffectuera en deux tapes : tude du sous-circuit encadr en pointill, puis tude
du circuit complet.
Etude du sous-circuit
1. Donnez lcriture de la fonction de transfert H1( p ) =
VS1 ( p )

VE ( p )
2. Vu lexpression trouve, prcisez le type de filtre et crivez les expressions des paramtres qui le
caractrisent.
Etude du circuit complet
3. Donnez lcriture de la fonction de transfert H ( p ) =
VS3 ( p )

VE ( p )
4. Prcisez le type de filtre obtenu et crivez les expressions des paramtres qui le caractrisent.
Commentez ces rsultats.
5. Citez les donnes manquantes que rclame le conditionnement du problme. Combien de valeurs
arbitraires de composants passifs faut-il prendre si les caractristiques relles du filtre sont
donnes (gain, ).
Sylvain Gronimi
Page 181
Filtrage analogique
Corrig
Etude du sous-circuit
1. Expression de la fonction de transfert H1( p )
Le thorme de Millman appliqu aux nuds A dentre des AOI donne :
Ve ( p )
1 Vs2 ( p )
+
+ Vs1 ( p ) Cp +
R
R
R
1
1
0 =
2
1
+ + Cp
R1 R
Vs1 ( p )
Vs ( p )Cp
2
R
=
1
1 + Cp
+ Cp
R
R
Vs1 ( p )
Ve ( p )
Ve ( p )
1 Vs2 ( p )
+
+ Vs1 ( p ) C p +
=0
R1
R
R1

Vs1 ( p )
Vs2 ( p ) = RC p
R 2C
p
R1
=
1+
R 2C
p + R 2C 2 p 2
R1
2. Type et paramtres du filtre

Le type de filtre est un passe-bande de la forme H1( p ) = H 01
avec H 01 = 1 , n =
2
p
n
2
p2
1+
p+ 2
n
n
R
1
1
1
,Q=
= n = 1 =
RC
2
R
R1C
Etude du circuit complet
3. Expression de la fonction de transfert H ( p ) =
VS3 ( p )
VE ( p )
Le montage sommateur inverseur donne : Vs3 ( p ) =

Vs3 ( p )
Ve ( p )
R3
R2
R3
R
Ve ( p ) + Vs1 ( p ) = 3 [1 + H1( p )]Ve ( p )
R2
R2
1 + R 2C 2 p 2
1+
R 2C
p + R 2C 2 p 2
R1
4. Type et paramtres du filtre

1+
Le type de filtre est un passe-bande coupe-bande de la forme H ( p ) = H 0

1+
Sylvain Gronimi
Page 182
p2
n2
p+
p2
n2
Filtrage analogique
avec H 0 =
R3
1
1
, n =
rej , =
R2
RC
R1C
Le rglage de la frquence de rjection et de la largeur de bande 3 dB peut tre ralis de

faon indpendante par laction sur lensemble des rsistances R et R1 respectivement., la valeur
du gain tant indpendante de ces paramtres.
5. Conditionnement du problme
bilan montre 3 quations crites prcdemment pour 8 inconnues R1, R2 , R3 , R, C et H 0 , n , .
Il est donc ncessaire dintroduire 5 donnes afin dvaluer tous les composants du filtre.
Si les caractristiques relles du filtre sont donnes ( H 0 , n , ), alors 2 valeurs de composants
passifs seront prises de faon arbitraire.
Simulation
20
(47.556, 16.999)
(52.565, 16.999)
(52.557, -3.0002)
(47.564, -3.0002)
-0
-20
-40
R2 = 10 k
(50.004, -32.100)
(77.545, -23.009)
C = 1 F
arbitraire
-60
10Hz
DB(V(S3))
Sylvain Gronimi
DB(V(S1))
30Hz
DB(V(S2))
100Hz
300Hz
Frequency
Page 183
Filtrage analogique
Filtre universel
A partir du schma de principe, on tudiera le filtre universel quatre sorties qui met en uvre un
additionneur soustracteur, un additionneur et deux intgrateurs.
Le but est de raliser un filtre rjecteur symtrique de gain unit, de frquence de rjection 50 Hz, de
largeur de bande 2.5 Hz -3 dB et un filtre passe-bande de gain unit.
Schma de principe
S1
-K1
-K4
+
K2
-K3
S4
-1/p
-K5
S2
-2/p
S3
1. Ecrivez les quations issues du schma.

2. Identifiez les fonctions de transfert crites sous la forme canonique du second ordre et donnez les
expressions de et n .
Ralisation du filtre
R6
R5
R7
U1
10k
R1
10k
U2
Ve
C1
R2
C2
100n
U3
S1
S3
S2
100n
R4
R9
R3
R10
R8
U4
-
10k
S4
+
3. Identifiez les lments du montage ceux du schma de principe.

4. Les deux intgrateurs tant identiques et linfluence des courants de polarisation sur la
composante continue du signal de sortie de U1 tant minimise, calculez les valeurs manquantes
de rsistances.
Sylvain Gronimi
Page 184
Filtrage analogique
Corrig
Schma de principe
1. Equations issues du schma
VS1 ( p ) = K1 VE ( p ) + K 2 VS2 ( p ) K 3 VS3 ( p ) , VS2 ( p ) =
1
p
VS1 ( p ) , VS3 ( p ) =
2
p
VS2 ( p ) ,
VS4 ( p ) = K 4 VS1 ( p ) K 5 VS3 ( p )
2. Identification des fonctions de transfert

2
p
VS2 ( p ) K1
n2
n
(filtre passe-haut),
(filtre passe-bande)
= K1 2
=
p
2
VE ( p )
VE ( p ) K 2 p 2 2
+
p +1
+
p +1
n2 n
n2 n
p2
VS1 ( p )
p2
VS3 ( p )
K
= 1 2
VE ( p )
K3 p
n2
1
2
avec n = K 3 1 2
(filtre passe-bas),
p +1
et
K2
2
VS4 ( p )
VE ( p )
= K1 K 4
K5
K3 K 4
(filtre rjecteur)
p2 2
+
p +1
n2
n2
K 3 2
Ralisation du filtre
3. Identification des lments
Intgrateurs : (montage inverseur)
R1
VS2 ( p )
C1
S1
VS1 ( p )
U2
VS2 ( p) =
S2
+
Z( p)
R1
1
VS ( p )
R1C1 p 1
Identification 1 =
(idem pour U 3 )
1
1
, 2 =
R1 C1
R2 C2
Additionneur : (montage inverseur et thorme de superposition)
R9
R10
VS4 ( p ) =
S3
R8
S1
R10
R
VS ( p ) 10 VS3 ( p )
R8 1
R9
U4
-
S4
Identification K 4 =
R10
R
, K 5 = 10
R8
R9
Sylvain Gronimi
Page 185
Filtrage analogique
Additionneur soustracteur : (thorme de superposition avec montage additionneur)

R6
R5
S3
R7
E
v S2 = 0 VS1 ( p ) =
U1
-
S1
+
R4
S2
R3
R
R
VS1 ( p ) = 1 + 5 + 5
R 6 R7
R5
R
VE ( p ) 5 VS3 ( p )
R7
R6
v S3 = v E = 0
R3
+
V ( p ) = R + R VS2 ( p )
3
4
+ ( p) = V ( p)
V
R 6 // R 7
V ( p ) =
VS ( p )
R 6 // R 7 + R 5 1
R3
R + R VS2 ( p )
4
3
R
R R3
R
R
VS2 ( p ) 5 VE ( p ) 5 VS3 ( p )
soit VS1 ( p ) = 1 + 5 + 5
R
R
R
R
R
+
R6
6
7 3
4
7
Identification K1 =
R
R
R5
, K 2 = 1 + 5 + 5
R7
R 6 R7
R3
R5
R + R , K3 = R
4
6
3
4. Calcul des composants

bilan montre 9 quations crites prcdemment pour 21 inconnues
R1, R2 , R3 , R 4 , R5 , R6 , R7 , R8 , R9 , R10 , C1, C2 et n , , 1, 2 , K1, K 2 , K 3 , K 4 , K 5 .
Il est donc ncessaire dintroduire 12 donnes.
a. 5 donnes sont issues du cahier des charges
filtre rjecteur symtrique K 5 = K 3 K 4 , de gain unit K1 K 4 = 1 , de frquence de rjection
rej = n = 100 rad/s et de largeur de bande relative 3 dB 2 = n = 0.05 ,
filtre passe-bande de gain unit K1 = K 2 ,
b. 2 donnes issues de relations entre composants passifs lors de la ralisation
intgrateurs identiques 1 = 2 ou R1C1 = R2 C2 ,
quilibrage statique de ladditionneur soustracteur R 5 // R 6 // R 7 = R 3 // R 4 ,
c. 5 donnes issues de valeurs de composants passifs prises de faon arbitraire
R5 = R6 = R8 = 10 k , C1 = C2 = 100 nF
La rsolution du systme linaire fournit les valeurs
R1 = R2 ( K 3 = 1 ), R7 = 20 R5 ( K1 = K 2 = 0.05 ), R3 // R 4 = 10 3 0.205 , 40 R3 = R 4 ,
R8 = R9 , R10 = 20 R8 ( K 4 = K 5 = 20 )
soit R1 = R2 = 31831 , R3 = 5 k , R 4 = R7 = R10 = 200 k , R9 = 10 k .
Ce filtre est utilis en rjecteur de la frquence parasite issue du secteur, mais la norme EDF donne
50 0.5 Hz (amene ici 1.25 Hz). Si ces fluctuations amnent une attnuation insuffisante
autour de la rjection, un filtre suiveur en frquence, intgrant une boucle verrouillage de phase,
asservira la frquence de rjection la variation de la frquence du secteur (voir cours Boucles
verrouillage de phase ).
Sylvain Gronimi
Page 186
Filtrage analogique
Pour une ralisation optimale, un circuit intgr quad (4 amplificateurs dans un mme botier) doit tre
utilis.
20
frej = 50 Hz, f = 2.5 Hz
(49.977, 37.030m)
-0
(48.781, -3.0535)
(51.337, -3.0113)
-20
-40
(50.004, -47.457)
-60
10Hz
DB(V(S1))
DB(V(S2))
DB(V(S3))
30Hz
DB(V(S4))
100Hz
260Hz
Frequency
Remarques :
-
Les filtres passe-bande et rjecteur possdent un gain unit, les filtres passe-haut et passe-bas
un gain de 0.05 (- 26 dB).
Les quatre cellules composant le filtre prsentent chacune une contre-raction tension-courant qui
justifie une trs faible rsistance de sortie (topologie parallle), assurant ainsi une adaptation en
tension (fonction de transfert globale gale au produit des fonctions de transfert lmentaires).
La lecture du schma lectrique peut seffectuer par le raisonnement suivant : les deux
intgrateurs multiplient la fonction de transfert VS1 ( p ) VE ( p ) (sortie de U1 ) par 1 p (sortie de U 2 ),
puis par 1 p (sortie de U 3 ), ce qui implique respectivement que S1 est un passe-haut, S2 passebande, S3 passe-bas ; la somme des passe-haut et passe-bas produit le coupe-bande (sortie de
U 4 ).
Sylvain Gronimi
Page 187
Filtrage analogique
Oscillateur sinusodal triphas

Ltude propose concerne le circuit de la figure ci-dessous, utilisant des amplificateurs de tension
supposs idaux en rgime dynamique faibles signaux.
C1
C1
10n
C1
10n
10n
R1
R2
R1
-
R2
R1
-
R2
S1
S2
S3
+
+
1. Ecrivez lexpression de la fonction de transfert en boucle ouverte.

2. En boucle ferme et en rgime sinusodal, dterminez la pulsation osc des oscillations et la
condition dentretien de celles-ci.
3. Evaluez les rsistances pour que le systme oscille la frquence de 1021 Hz.
Corrig
1. Expression de la fonction de transfert en boucle ouverte G( p ) B' ( p )
Les trois tages sont des montages inverseurs Gi ( p ) =
3
R
1
do G( p ) B' ( p ) = 1
R2
p
1 +
avec 0 =
R1
Z( p)
avec Z ( p ) =
1 + R1 C1 p
R2
1
et B' ( p ) = 1 (retour unitaire)
R1 C1
relation valable car les conditions dadaptation en tension entre blocs sont respectes. En effet, la
rsistance de sortie du montage inverseur est trs faible par rapport sa rsistance dentre
(contre-raction tension-courant).
2. Conditions doscillations
La boucle tant ferme et en rgime tabli, G( j )B' ( j ) = 1 .
R1

R2
1
1 3
2

2
+j
3 2
2
0
0
0
3. Evaluation des rsistances R1 =
Sylvain Gronimi
=1
Im[G ( j )B' ( j )] = 0
= 0 3

osc
[
(
)
(
)
]
Re
G
j
B
j
'
=
1
R1 = 2 R2
3
= 27 k , R 2 = 13.5 k .
2 fosc C1
Page 188
Oscillateur pont RLC

Ltude propose concerne le circuit de la figure ci-dessous, utilisant un amplificateur de tension
suppos idal en rgime dynamique faibles signaux.
R3
+
R
C
-
100n
R1
vs
R2
1. Ecrivez la fonction de transfert B ' ( p ) en tension du rseau passif.

2. Ecrivez le gain de lamplificateur G.
3. En boucle ferme et en rgime sinusodal, dterminez lexpression de la pulsation osc des
oscillations du signal de sortie, ainsi que la condition sur les rsistances.
4. La rsistance R reprsentant les imperfections de linductance ( R >> R3 ), donnez le type de
comportement du bloc amplificateur.
5. Donnez la valeur de linductance L pour obtenir un signal de sortie la frquence de 16 kHz.
6. Evaluez la rsistance R3 de telle manire que = 0.5 pour la fonction B ' ( p ) .
7. Comment devez-vous faire varier R1 pour dmarrer les oscillations ?
Corrig
1. Fonction de transfert B ' ( p ) en tension du rseau passif
Lensemble des lments mis en parallle conduit une impdance
1
Lp
Lp
Z ( p ) = R //
// Lp = R //
=
.
L
Cp
LCp 2 + 1
2
LCp + p + 1
R
La fonction de transfert en tension est fournie par le pont

L
p
R3
Z( p)
B' ( p ) =
=
Z ( p ) + R3
1
1
p + 1
LCp 2 + L +
R
R
3
Sylvain Gronimi
Page 189
2. Gain de lamplificateur
Lamplificateur de tension tant idal, sa bande passante est considre comme infinie.
G( p ) = 1 +
R1
= G (amplificateur non inverseur de gain rel)
R2
La boucle tant ferme et en rgime tabli, G B' ( j ) = 1 , relation valable car les conditions
dadaptation en tension entre blocs sont respectes. En effet, la rsistance dentre est infinie et
rsistance de sortie est nulle pour le bloc amplificateur idal. Si lamplificateur est rel, la contreraction tension-tension conduit des rsultats voisins.
L
R3
R1
G B' ( j ) = 1 +
=1
R2 L 1 + 1 + j LC 2 1
R R
3
osc =
Im[G B' ( j )] = 0
LC

Re[G B' ( j )] = 1
1 + R1 = 1 + R3
R2
R
4. Comportement du bloc amplificateur

Puisque R >> R3 G = 1 +
R1
1.
R2
Lamplificateur se comporte comme un suiveur de tension ( R 2 >> R1 ).
5. Evaluation de linductance
L=
(2 fosc )2 C
0.99 mH
6. Evaluation de la rsistance R3
L
p
R3
2
1
L
Pour R >> R3 , B' ( p )
est obtenue en
. La relation ncessaire
=
=
L
Q
R
n
n
3
LCp 2 +
p +1
R3
identifiant la forme canonique du filtre passe-bande du second ordre, do R3 99.5 .
7. Dmarrage des oscillations

Il faut tablir la condition G B' ( p ) > 1 avec G = 1 +
R1
= 1 + , cest--dire donner la rsistance
R2
R1 une valeur relativement plus leve que la valeur nominale, puis diminuer cette valeur jusqu
lobtention du rgime sinusodal tabli.
Ce montage est utilis pour dtecter la prsence de matriaux magntiques ou amagntiques.
Sylvain Gronimi
Page 190
Oscillateur pont RLC avec potentiomtre

Ltude propose concerne le circuit de la figure ci-dessous, utilisant un amplificateur de tension
suppos idal en rgime dynamique faibles signaux.
R2
100k
R1
5k
+
(1-)R
R
C
10n
R
10k
L
10mH

1. Ecrivez les fonctions de transfert en tension du rseau passif B' ( p ) et de lamplificateur G.
2. Ecrivez les conditions doscillation.
3. Calculez la frquence des oscillations et la position du potentiomtre pour laquelle le circuit
oscille.
Corrig
1. Fonction de transfert B' ( p ) en tension du rseau passif
Lensemble des lments mis en parallle conduit une impdance
Lp
Lp
1
Z ( p ) = R //
// Lp = R //
=
.
L
Cp
LCp 2 + 1
LCp 2 +
p +1
R
La fonction de transfert en tension est fournie par le pont

L
p
Z( p)
(
1 )R
B' ( p ) =
=
L
Z ( p ) + (1 )R
LCp 2 +
p +1
(1 )R
Lamplificateur de tension tant idal, sa bande passante est considre comme infinie.
G( p ) = 1 +
Sylvain Gronimi
R2
= G (amplificateur non inverseur de gain rel)
R1
Page 191
La boucle tant ferme et en rgime tabli, G B' ( j ) = 1 , relation valable car les conditions
dadaptation en tension entre blocs sont respectes. En effet, la rsistance dentre est infinie et
rsistance de sortie est nulle pour le bloc amplificateur idal. Si lamplificateur est rel, la contreraction tension-tension amne des rsultats voisins.
L
R
G B' ( j ) = 1 + 2
R1
fosc
(1 )R
L
+ j LC 2 1
(1 )R
R1
1
,=
=
R1 + R2
2 LC
=1
LC 2 1 = 0
Im[G B' ( j )] = 0

R2
=1
Re[G B' ( j )] = 1
1 +
R1

3. Application numrique
fosc 15.9 kHz , = 0.0476
Sylvain Gronimi
Page 192
Oscillateur pont de Wien

Ltude propose concerne le circuit de la figure suivante, utilisant un amplificateur linaire de tension
suppos idal.
R3
C1
10k
15n
R4
R2
10k
C2
15n
10k
R1
Condition dentretien des oscillations

1.
2.
3.
4.
Ecrivez la fonction de transfert en boucle ouverte.

En boucle ferme, exprimez les conditions dentretien doscillations sinusodales.
Donnez les rgles de dmarrage de loscillateur.
Calculez les valeurs de la frquence fosc des oscillations et de la rsistance R1 .
Stabilisation de lamplitude des oscillations par thermistance

La rsistance R2 sidentifie une thermistance coefficient de temprature ngatif telle que
2
2
R2 = R0 a v eff
avec R0 = 11 k, a = 10 3 / V 2 et v eff
la valeur quadratique moyenne de la tension
aux bornes de R2 .
5. Vrifiez que la condition de dmarrage est assure.

6. Evaluez lamplitude de la tension de sortie v s en Vpp .
Stabilisation de lamplitude des oscillations par rsistance variable

R3
U1
10k
C1
15n
uA741
R2
37.5k
R6
R4
10k
C2
15n
D1
J1
J2N4416A
R5
100k
C3
100u
D1N4148
La rsistance variable est constitue dun JFET travaillant dans sa zone ohmique et command en
tension par un dtecteur de crte, Dans ces conditions, la tension v ds ne peut dpasser quelques
Sylvain Gronimi
Page 193
dizaines de mVpp , ce qui explique la prsence de la rsistance srie R6 sur le schma lectrique. Le
transistor possde les caractristiques IDSS = 14 mA, VP = 4 V .
7. Donnez lexpression de la rsistance RDS du transistor.
8. Ecrivez lexpression de R2 en fonction de RDS , v s et v ds , puis lexpression de R6 .
9. La diode possdant une tension de seuil V0 , crivez lexpression de VGS en fonction de V0 , v ds
et R2 .
10. Evaluez RON , VGS , v s , RDS et R6 en prenant v ds = 80 mVpp et V0 = 0.6 V .
11. Vrifiez que la condition de dmarrage est assure.
Corrig
Condition dentretien des oscillations
1. Fonction de transfert en boucle ouverte
Amplificateur non inverseur : G (p ) = 1 +
Rseau slectif : B' (p ) =
R2
(gain constant car amplificateur idal)
R1
RC p
avec R = R3 = R 4 et C = C1 = C2
R 2 C 2 p 2 + 3 RC p + 1
2
p
filtre de type passe-bande de la forme B0' 2 n

et de caractristiques
p
2
+
p +1
n2 n
B0' =
R
1
1
1
, n =
,
=
= 2 = 3 , do G(p )B' (p ) = 1 + 2
R1
3
RC n Q
1
.
p n
3+
+
n
p
relation valable car les conditions dadaptation en tension entre blocs sont respectes. En effet, la
rsistance dentre est infinie et rsistance de sortie est nulle pour le bloc amplificateur idal. Si
lamplificateur est rel, la contre-raction tension-tension conduit des rsultats voisins.
Cependant, le gain peut ne plus tre considr comme constant si la frquence de loscillateur
nest pas faible par rapport la bande passante de lamplificateur.
R
1
En boucle ferme et en rgime tabli, G ( j )B' ( j ) = 1 + 2
R1
3 j n
(
)
(
)
[
]
Im G j B' j = 0
osc
n
Conditions de Barkhausen

[
(
)
(
)
]
=
=
Re
G
j
B
'
j
1
R
2R
1
2
=1
3. Condition de dmarrage
1+
R2
>3
R1
Sylvain Gronimi
soit R2 suprieure sa valeur nominale ou R1 infrieure sa valeur nominale.
Page 194
4. Application fosc =
1
1061 Hz , R1 = 5 k
2 RC
Stabilisation de lamplitude des oscillations par thermistance

R0
> 3 avec lalimentation teinte. Une fois lalimentation
R1
allume, la tension aux bornes de la thermistance augmente jusqu ce que sa valeur ohmique
diminue et se stabilise R 2 = 2R1 .
Le dmarrage est assur car 1 +
6. Amplitude de la tension de sortie

R0 R2
= 1Veff
a
v eff =
v s = 3 2 v eff 4.24 Vpp
Stabilisation de lamplitude des oscillations par rsistance variable

7. Expression de la rsistance dynamique du JFET
RDS
RON
V
1 GS
VP
avec RON
VP
( partir dune caractristique de transfert stylise du JFET)
I DSS
8. Expressions des rsistances R2 et R3

Condition doscillations : R 2 = 2 (R 6 + RDS ) car R 6 + R DS sidentifie R1 des tudes prcdentes
Pont de rsistances : v ds =
do R2 =
2 RDS v s
3 v ds
RDS
et R6 =
RDS
vs
+ R6 + R2
R2
RDS
2
9. Expression de la tension de grille

Le redressement de lalternance ngative du signal sinusodal de sortie seffectue en dtection
crte puisque R5 C3 >> Tosc , do v s pp = 2 (V0 VGS ) en tenant compte du seuil de conduction de
la diode.
VGS =
1 V0
1
VP
avec =
4 RON
3 R2 v ds
(tension continue ngative de commande du JFET canal N).
10. Application
RON 286 , VGS 2.45 V , v s 6.1Vpp , RDS 738 et R6 18 k .
Sylvain Gronimi
Page 195

R2
> 3 avec lalimentation teinte ( VGS = 0 ). A la mise
R6 + RON
sous tension du montage, la valeur de RDS augmente et se stabilise pour vrifier lgalit
R 2 = 2 (R 6 + RDS ) .
Le dmarrage est assur car 1 +
Simulation du circuit
Dmarrage de loscillateur
4.0V
0V
-4.0V
0s
0.5s
V(S)
1.0s
1.5s
V(G)
Time
Rgime permanent
4.0V
fosc = 1055 Hz
vs = 6 Vpp
v+ = 2 Vpp
v ds = 80 mVpp
0V
VGS = -2.39 V
-4.0V
1.3500s
V(S)
1.3505s
V(G)
V(U1:+)
1.3510s
V(J1:d)
1.3515s
1.3520s
1.3525s
Time
Sylvain Gronimi
Page 196
Oscillateur Colpitts
Ltude propose concerne le circuit de la figure ci-dessous, le transistor JFET possdant les
caractristiques constructeur I DSS = 8 mA, VP = 4 V .
VCC
20 V
RD
2.2k
+
-
CG
J1
J2N3819
100 n
R
68p
RS
10M
C1
C2
CS
480
100 n

1. Dterminez les variables de polarisation.

2. Dduisez le paramtre g m de ltude prcdente ( rds = , Cgs , Cgd ngliges).
3. En boucle ouverte, crivez lexpression de la fonction de transfert en tension.
4. En boucle ferme et en rgime sinusodal, crivez les quations donnant les conditions dentretien
des oscillations.
5. Calculez les valeurs manquantes des composants du filtre afin de gnrer un signal sinusodal
la frquence de 3 MHz.
6. Effectuez ltude de la fonction de transfert en tension du circuit en boucle ouverte. Tracez la
rponse en frquence dans le plan de Bode et interprtez les rsultats.
Corrig
1. Etude statique
VCC = (RD + RS )I D + VDS
V
et I D = I DSS 1 GS
VP
VGS = RS I D
VGS0 = 1.5 V ( VP < VGS0 < 0 ), I D0 =
VGS0
RS
2
VGS
VP2
1
2
VGS + 1 = 0
+
I DSS RS VP
= 3.125 mA , VDS0 = VCC (RD + RS )I D0 11.6 V

2
VP
3. Etude en boucle ouverte
2. Pente du JFET g m =
Sylvain Gronimi
I D0 I DSS 2.5 mA / V
Page 197
Les condensateurs de liaison et de dcouplage CG et CS sont assimils des court-circuits la

frquence de travail de loscillateur.
ZC2 Z L + ZC1
Vs ( p ) = g m Vgs ( p ) RD // ZC2 // Z L + ZC1 = g m Vgs ( p ) RD //
ZC2 + Z L + ZC1
1
1
avec ZC1 =
, ZC2 =
, Z L = Lp
C1 p
C2 p
)]
ZC2 Z L + ZC1
Vs ( p )
= g m RD
Vgs ( p )
RD ZC2 + Z L + ZC1 + ZC2 ZL + ZC1
ZC1 ZC2
V ( p)
= g m RD
Vgs ( p )
RD ZC2 + Z L + ZC1 + ZC2 ZL + ZC1
(
(
)
)
(
(
et
ZC1
V ( p)
=
Vs ( p ) Z L + ZC1
4. Etude en boucle ferme et en rgime tabli ( p = j )

En refermant la boucle, le filtre charge sur la rsistance R de valeur trs importante devant celle
1
de la ractance du condensateur C1 la frquence doscillation (
<< 10 M ). Ainsi,
C1 osc
V ( p ) = Vgs ( p ) et g m RD
ZC1 ZC2
RD ZC2 + Z L + ZC1 + ZC2 Z L + ZC1
) = 1.
Lquation complexe g m RD ZC1 ZC2 = RD ZC2 + Z L + ZC1 + ZC2 Z L + ZC1 prsentant des termes
imaginaires purs (ractances ZC1 =
1
1
, ZC2 =
, Z L = jL ), se dcompose en deux
jC1
jC2
quations
C1
g m RD
1
1
g m RD = C
2
(partie relle)
L
=
+
=
g
R
1
LC
2
2
1
m D
C2
C1
C1C 2
1
soit 2
ou
1
1
=
1
1

L = C + C
CC
1
2
RD L C C = 0 (partie imaginaire )
L 1 2
1
2

C1 + C2
5. Evaluation des composants de loscillateur

Le systme dquations deux inconnues conduit aux conditions doscillations. Dans le cas
prsent, les inconnues sont L et C1 .
C1 = g m RD C 2 374 pF et L =
1 1
1
49 H .
+
C2
2 C1
Notons que la frquence des oscillations scrit fosc =
1
2 LC
avec
1
1
1
(mise en srie).
=
+
C C1 C2
Ainsi, la self voit ses bornes un condensateur quivalent, ce qui conduit lexpression de la
frquence fosc .
A partir de linterprtation dun circuit LC parfait, initialement condensateur charg et courant dans
la boucle nul, la dcharge du condensateur induit un courant dans le circuit magntisant alors la
self. Lnergie lectrostatique du condensateur est convertie en nergie magntique dans la self.
Sylvain Gronimi
Page 198
La self magntise et le condensateur dcharg, le courant sinverse et lchange dnergie a lieu

dans lautre sens pour revenir ltat initial. La pulsation doscillation est osc = 1 LC .
L
i
v1
i
C2
C1
v2
Si la capacit C est quivalente deux capacits dont le point

commun est la masse, un mme courant circule alternativement de C1
vers C2 , chargeant un condensateur et dchargeant lautre, et
inversement. Les tensions aux bornes des condensateurs sont donc
en opposition de phase et le rapport des tensions est gal linverse
du rapport des capacits, soit
v
C
1
1
v1 =
i et v 2 =
i 2 = 2 .
josc C2
josc C1
v1
C1
En pratique, le rseau LC entre en rsonance sa frquence propre fosc , aliment par un

amplificateur inverseur de gain en tension Av = C1 C 2 pour satisfaire les conditions de
Barkhausen respectivement arg [G ( j )] + arg [B' ( j )] = 0 + 2k et G ( j )B' ( j ) = 1 .
6. Etude de tracs dans le diagramme de Bode en boucle ouverte

L
i
J1
ve
vs1
RD
C1
C2
vs2
Une tension sinusodale v e est applique la grille du JFET. Le transistor est une source de
courant commande par la tension dentre et dexpression i = g m v e . Il nest pas ncessaire de
charger la sortie du rseau LC par limpdance dentre de lamplificateur puisque cette dernire
est de valeur trs leve (R = 10 M).
60
(2.9969M, 14.819)
40
(2.9969M, 79.345m)
(10.000K, 14.792)
(1.1749M, -0.8643)
transfert en boucle ouverte

-40
(1.1749M, -58.469)
(2.9969M, -14.725)
-60
10KHz
30KHz
DB(V(S1)/V(E))
DB(V(S2)/V(E))
100KHz
DB(V(S2)/V(S1))
300KHz
1.0MHz
3.0MHz
10MHz
Frequency
Sylvain Gronimi
Page 199
Les tracs des modules montrent qu la frquence doscillation prvue (3 MHz), le gain de la
boucle ouverte est de 1 (0 dB), ce qui est prouv par le gain de lamplificateur et lattnuation du
rseau LC de valeurs respectives
v s1 v e = Av 5.5 (14.8 dB) et v s2 v s1 = C2 C1 = 1 Av 0.1818 (- 14.8 dB).
Le diagramme de Bode de la phase en boucle ouverte montre une phase nulle la frquence
doscillation prvue, puisque v s2 v e = 1 .
180d
(1.1749M, 90.012)
100d
0d
(2.9974M,-13.767f)
-100d
30KHz
10KHz
arg(V(S2)/V(E))
100KHz
300KHz
1.0MHz
3.0MHz
10MHz
Frequency
Une simulation avec un JFET 2N3819 montre lanalyse transitoire de loscillateur en rgime
permanent vrifiant que les deux tensions en entre et sortie du rseau LC sont en opposition de
phase et que lattnuation du pont est toujours 3.72 20.46 0.1818 .
10V
frquence
des oscillations
gain en tension
-5.5
20V
2.97 MHz
VDSo=13 V
v ds = 20.46 Vpp
v gs = 3.72 Vpp
0V
18.4u
18.6us
18.8us
19.0us
19.2us
Time
Le rseau slectif permet dobtenir un dphasage de 180. Si lamplificateur compense

lattnuation introduite par le rseau passif et induit lui-mme un dphasage de -180
(amplificateur inverseur), le gain en boucle ouverte vrifiera les conditions doscillations.
Sylvain Gronimi
Page 200
Interprtation analytique
Limpdance en parallle sur la rsistance RD et les transferts en tension scrivent
1 1
jL +
jC
1 jC 2
Z ( j ) =
1
1
jL +
+
jC1 jC 2
Vs1 ( j )
Ve ( j )
= g m (RD // Z ( j )) ,
Pour 0 , Z ( j ) ,
Pour =
Vs1 ( j )
Ve ( j )
LC1
=0,
Vs1 ( j )
Ve ( j )
Vs1 ( j )
Vs1 ( j )
Ve ( j )
1
jC1
jL +
1
jC1
g m RD ,
Vs2 ( j )
Ve ( j )
Vs2 ( j )
Vs1 ( j )
1,
Vs2 ( j ) Vs1 ( j )
Vs1 ( j ) Ve ( j )
Vs2 ( j )
Ve ( j )
g m RD ( + 14.8 dB, 180 )
( f 1.175 MHz ) Z ( j ) = 0 ,
Vs2 ( j )
Vs1 ( j )
Pour = osc =
Vs2 ( j )
Vs2 ( j )
Ve ( j )
= j gm
L
j 0.905 ( 0.864 dB, 90 )
C1
1 1
1
( f 3 MHz ) Z ( j ) ,
+
L C1 C2
= g m RD ,
Vs2 ( j )
Vs1 ( j )
C2 Vs2 ( j )
,
= 1 ( 0 dB, 0 )
C1 Ve ( j )
1
Vs2 ( j )
Vs1 ( j )
Vs ( j )
jC1
gm
1
,
Pour , Z ( j )
0,
0, 2
j
0
Vs1 ( j )
jL
jC2 Ve ( j )
Ve ( j )
LC1C2 3
( dB, 90 )
Dmarrage de loscillateur
25V
20V
V(J1:d)
10V
V(J1:g)
0V
-5V
0s
5us
10us
15us
20us
25us
Time
Sylvain Gronimi
Page 201
Oscillateur Colpitts (variante)

Une tude dynamique aux faibles signaux est propose ici, concernant le circuit de la figure cidessous. Les paramtres du modle transistor JFET sont g m = 2.5 mA / V , rds , Cgs et Cgd
ngligeables.
C3
RD
2.2k
VCC +
20 V -
CG
1n
J1
J2N3819
1u
RG
RS
10M
480
C2
22p
C1
CS
1u
1. Ecrivez les quations donnant les conditions dentretien des oscillations.

2. Evaluez les autres composants ( C1, L ) du filtre afin de gnrer un signal sinusodal la frquence
de 1 MHz.
3. Quel est lintrt de ce montage par rapport au montage Colpitts classique ?
Corrig
1. Conditions dentretien des oscillations
C1
g m RD = C
2
1
=
CC
L C3 + 1 2
C1 + C2
Ici aussi, la self voit ses bornes un condensateur quivalent de

capacit C gale C3 en parallle sur C1 en srie avec C2 , ce
qui conduit lexpression de la frquence fosc . Le rapport des
tensions sur le rseau LC est encore C2 C1 , ce qui ncessite un
gain de lamplificateur Av = C1 C2 pour satisfaire les conditions
de Barkhausen.

C1 = g m RD C2 121 pF et L =
2 C3 +
C1C2
C1 + C2
C3
2
25 H .
3. Intrt du montage
La relation donnant la pulsation des oscillations laisse apparatre au niveau numrique que
CC
C3 >> 1 2 , ce qui implique que osc peut varier uniquement en fonction de C3 .
C1 + C2
Sylvain Gronimi
Page 202
Oscillateur Clapp
Une tude dynamique aux faibles signaux est propose ici, concernant le circuit de la figure cidessous. Les paramtres du modle transistor JFET sont g m = 2.5 mA / V , rds , Cgs et Cgd
ngligeables.
RD
2.2k
VCC +
20 V -
CG
J1
RG
10M
10p
J2N3819
1u
RS
480
C3
C2
1n
C1
CS
1u
1. Ecrivez les quations donnant les conditions dentretien des oscillations.

2. Evaluez les autres composants ( C3 , L ) du filtre afin de gnrer un signal sinusodal la
frquence de 5 MHz.
3. Quel est lintrt de ce montage ?
Corrig
C1
g m RD = C
2
1
=
L
1
1
1
+
+
C
C
C
1
2
3
Ici aussi, la self voit ses bornes un condensateur quivalent de

capacit C gale C1 , C2 et C3 en srie, ce qui conduit
lexpression de la frquence fosc . Le rapport des tensions sur le
rseau LC est encore C2 C1 , ce qui ncessite un gain de
lamplificateur Av = C1 C2 pour satisfaire les conditions de
Barkhausen.

1
1
1
1
1
C1 = g m RD C2 5.5 nF et L 2
100 H car
et osc
+
+
C
C
C
C
C3
1
2
3
3
L C3
3. Intrt du montage
La relation donnant la pulsation des oscillations laisse apparatre au niveau numrique que C1 et
C2 >> C3 , ce qui implique que osc peut varier uniquement en fonction de C3 . De cette faon, la
frquence des oscillations est trs peu dpendante des impdances dentre (
de sortie (
Sylvain Gronimi
1
C2 osc
1
C1 osc
<< RG ) et
<< RD ) de lamplificateur, surtout avec un bipolaire.
Page 203
Oscillateur Colpitts contrl en tension (VCO) JFET source commune

La capacit CV de la diode varicap est comprise entre 2 et 10 pF pour une tension de polarisation de
0.5 5 V.
Vcc
B
RD
B
20V
2.2k
J1
B
CD
CL
Lchoc
10u
10u
C2
Vcom
68p
CV
B
22uH
R
10Meg
C1
B
RS
480
B
CS
10u
B
1. Donnez une description prcise du circuit.
Etude en rgime continu

2. Dessinez le schma et valuez les variables de polarisation. Expliquez le fonctionnement de la
commande de la diode varicap.

3. Dduisez la valeur du paramtre g m du modle du transistor ( rds , Cgs Cgd tant ngligs).
4. En boucle ouverte, crivez lexpression de la fonction de transfert en tension.
5. En boucle ferme et en rgime sinusodal, crivez les quations donnant les conditions dentretien
des oscillations.
6. Evaluez la capacit C1 du filtre, puis le domaine des frquences doscillation possibles par laction
de la tension continue Vcom .
7. Evaluez le facteur de conversion tension-frquence dfini par K 0 = f Vcom en supposant un
transfert linaire.
Sylvain Gronimi
Page 204
Corrig
1. Description du circuit
La rsistance RS fixe le courant de polarisation du JFET et la capacit CS dcouple sa source
(montage source commune pour les signaux HF). Limpdance de charge du transistor est
constitue par la rsistance RD (suppose de faible valeur par rapport la charge extrieure du
circuit). La capacit CD est une capacit de liaison permettant de sauvegarder le potentiel continu
de drain. Une diode varicap est utilise pour commander loscillateur. Connecte en parallle avec
le circuit L C1 C2 (topologie Colpitts) du point de vue dynamique, elle est polarise en inverse
par la tension continue Vcom de commande par le biais dune inductance de trs grande
impdance en HF (circuit ouvert en HF et court-circuit en continu). La connexion de la diode avec
le circuit L C1 C2 est ralise par une capacit de liaison CL (court-circuit en HF et circuit
ouvert en continu).
2. Schma et variables de polarisation
VCC
20 V
VCC = (RD + RS )I D + VDS

V
et I D = I DSS 1 GS
VP
VGS = RS I D
RD
2.2k
D1
B
2
VGS
VP2
Vcom
B
1
2
+
I DSS RS VP
VGS + 1 = 0
J1
B
R
10Meg
VGS0 = 1.5 V ( VP < VGS0 < 0 ), I D0 =
RS
480
B
VDS0 = VCC (RD + RS )I D0 11.6 V
VGS0
RS
= 3.125 mA ,
La diode varicap est traverse par un courant inverse trs faible et le courant de grille du JFET est
insignifiant (ordre du pA). La chute de tension aux bornes de la rsistance R peut tre nglige,
ce qui signifie que lanode de la diode est la masse. De ce fait, la tension de commande Vcom
est aux bornes de la diode varicap et modifie la valeur de sa capacit CV .
3. Paramtre g m =
2
VP
4. Etude en boucle ouverte

Les condensateurs de liaison CS , CD et CL sont assimils des courts-circuits la frquence de
travail de loscillateur.
CV
L
J1
R
Sylvain Gronimi
RD
vs
C2
C1
vgs
Page 205
)]
Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V
Vs ( p ) = g m Vgs ( p ) RD // ZC2 // Z L // ZC V + ZC1 = g m Vgs ( p ) RD // ZC2 //
Z L + ZC V
)]
(
Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V ZC2
Vs ( p ) = g m Vgs ( p ) RD //
Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V + ZC2 Z L + ZC V
1
1
1
avec ZC1 =
, ZC 2 =
, ZC V =
, Z L = Lp
C1 p
C2 p
CV p
)]
et
ZC1 Z L + ZC V
V ( p)
=
Vs ( p ) Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V
do
)]
Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V ZC2
Vs ( p )
= g m RD
Vgs ( p )
Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V ZC2 + RD Z L ZC V + ZC1 + ZC2 Z L + ZC V
)(
)]
)
(
ZC1 ZC2 Z L + ZC V
V ( p)
= g m RD
Vgs ( p )
Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V ZC2 + RD Z L ZC V + ZC1 + ZC2 Z L + ZC V
)]
)(
)]
5. Etude en boucle ferme et en rgime tabli ( p = j )

En refermant la boucle, le filtre charge sur la rsistance R de valeur trs importante devant celle
1
<< 10 M ). Ainsi,
de la ractance du condensateur C1 la frquence doscillation (
C1osc
ZC1 ZC2 Z L + ZC V
g m RD ZC1 ZC2
[Z Z + Z (Z + Z )]Z + R [Z Z + (Z + Z ) (Z + Z )] = 1 .
(Z + Z ) = [Z Z + Z (Z + Z )]Z + R [Z Z + (Z + Z ) (Z + Z )]
V ( p ) = Vgs ( p ) et g m RD
CV
CV
C1
CV
C1
CV
C2
CV
C2
CV
C1
CV
C2
C1
CV
C2
CV
quation prsentant des termes imaginaires purs qui se dcompose en deux quations avec
1
1
1
ZC1 =
, ZC 2 =
, ZC V =
, Z L = jL :
jC1
jC2
jCV
L
1 1
1
(partie relle)
0 = RD
+
+ L
2
CV C1 C 2
CV
g m RD
1
1 L
1 1
L
=
+ L
CV
C2 CV
CV 2 C1
C1C 2
2 1
1
1
1 1
1
=
+
+
+
L
CV C1 C2 CV C1 C2
soit
LC1 2
+
=
g
R
1
m
D
1 LCV 2
Sylvain Gronimi
ou
(partie imaginaire )
C1
g m RD = C
2
1
=
=
1
1
1
+
+
C
C1 C2
L V
1 1
1
C
C
C
2
V 1
Page 206
1
CC
L 1 2 + CV
C1 + C2
La self voit ses bornes un condensateur quivalent de capacit C gale CV en parallle sur
C1 en srie avec C2 , ce qui conduit lexpression de la frquence fosc . Le rapport des tensions
sur le rseau LC est encore C2 C1 , ce qui ncessite un gain de lamplificateur Av = C1 C2
(ou Av = g m RD ) pour satisfaire les conditions de Barkhausen.
6. Evaluation de C1 et du domaine des frquences doscillation

1
C1 = AV C2 = 374 pF et fosc =
CC
L CV + 1 2
C1 + C2
Pour CV = 2 pF , foscmax = 4397542 Hz et pour CV = 10 pF , foscmin = 4128889 Hz .
7. Evaluation de K 0
Lexcursion de frquence f est denviron 269 kHz pour une tension de commande passant de
0.5 5 V, ce qui donne un transfert (suppos linaire) du VCO
f
K0 =
59.7 kHz / V .
Vcom
Sylvain Gronimi
Page 207
Oscillateur Colpitts contrl en tension (VCO) JFET drain commun

La capacit CV de la diode Varicap est comprise entre 2 et 10 pF pour une tension de polarisation de
0.5 5 V.
Vcc
B
10V
CL
Lchoc
J1
B
10u
C1
Vcom
D1
B
22uH
C2
B
RS
B
100p
vs
B
480

2. Dessinez le schma et dterminez les variables de polarisation du JFET.

3. Dduisez la valeur du paramtre g m du modle du transistor ( rds , Cgs Cgd tant ngligs).
5. En rgime sinusodal tabli, crivez les quations donnant les conditions dentretien des
oscillations.
6. Evaluez la capacit C1 du filtre, puis les limites du domaine des frquences doscillation possibles
par laction de la tension continue Vcom .
7. Dduisez la valeur du facteur de conversion tension-frquence dfini par K 0 = f Vcom en
supposant un transfert linaire.
Sylvain Gronimi
Page 208
Corrig
1. Description du circuit
La rsistance RS fixe le courant de polarisation du JFET et constitue limpdance de charge du
transistor (suppose de faible valeur par rapport la charge extrieure du circuit). Une diode
varicap est utilise pour commander loscillateur. Connecte en parallle avec le circuit
L C1 C2 (topologie Colpitts) du point de vue dynamique, elle est polarise en inverse par la
tension continue Vcom de commande par le biais dune inductance de trs grande impdance en
HF (circuit ouvert en HF et court-circuit en continu). La connexion de la diode avec le circuit
L C1 C2 est ralise par une capacit de liaison CL (court-circuit en HF et circuit ouvert en
continu). Le systme est boucl entre source et grille (montage drain commun du JFET).
2. Schma et variables de polarisation

VCC = RS I D + VDS
V
et I D = I DSS 1 GS
VP
VGS = RS I D
VCC
2
VGS
VP2
J1
1
2
VGS + 1 = 0
+
I
R
V
P
DSS S
Vcom
B
D1
B
VGS0 = 1.5 V ( VP < VGS0 < 0 ), I D0 =
RS
480
B
VGS0
RS
= 3.125 mA ,
VDS0 = VCC RS I D0 8.5 V
La tension de commande Vcom est applique diectement aux bornes de la diode varicap car le
condensateur CL est quivalent un circuit ouvert. La self, quivalente un court-circuit, relie la
grille du JFET la masse.
3. Pente du JFET
gm =
2
VP
4. Schma
C1
B
avec Z1( p ) =
i
Z2
B
vgs
B
gm vgs
B
Z1
RS
Lp
et Z 2 ( p ) =
1 + RSC2 p
1 + LCV p 2
( CV : capacit de la diode Varicap)
Le condensateur de liaison CL est assimil un court-circuit la frquence de travail de

loscillateur.
Sylvain Gronimi
Page 209

g m Vgs ( p ) + C1 pVgs ( p ) + I ( p ) = 0
Z ( p)
1
gm +
+ 2
+ 1 C1 p = 0
Z1( p ) Z1( p )
Z1( p )I ( p ) = Vgs ( p ) + Z 2 ( p )C1 pVgs ( p )
soit 1 + g m RS + RS (C1 + C2 ) p +
En rgime sinusodal, p = j
do
LC1 p 2
1 + LCV p 2
(1 + RSC2 p ) = 0
1 + g m RS +
LC1C 2 2
+
+
+
=0
j
R
C
C
S 1
2
LCV 2 1
LCV 2 1
LC1 2
LC1 2
= 0 (partie relle)
1 + g m RS +
LCV 2 1
LC1C2 2
C1 + C2 + LC 2 1 = 0 (partie imaginaire )
V
C1
g m RS = C
2
1

=
osc
CC
L CV + 1 2
C
1 + C2
Ici aussi, la self voit ses bornes un condensateur quivalent de capacit C gale CV en
parallle sur C1 en srie avec C2 , ce qui conduit lexpression de la frquence fosc . Le rapport
des tensions sur le rseau LC est C2 C1 , ce qui ncessite un gain de lamplificateur Av = C1 C2
(ou Av = g m RS ) pour satisfaire les conditions de Barkhausen.
6. Evaluation de C1 et du domaine des frquences doscillation

C1 = g m RS C2 = 120 pF .
Frquences extrmes : foscmax = 4512424 Hz ( CV = 2 pF ), foscmin = 4223534 Hz ( CV = 10 pF ).
7. Evaluation de K 0
Lexcursion de frquence f est denviron 289 kHz pour une tension de commande passant de
0.5 5 V, ce qui donne un transfert (suppos linaire) du VCO
f
K0 =
64.2 kHz / V .
Vcom
Sylvain Gronimi
Page 210
Stabilisation dune tension par diode zener

Ltude porte sur le circuit diode zener suivant.
R
vE
Rch
vS
La tension v E (t ) = VEo + v e (t ) , v e (t ) tant londulation rsiduelle issue du filtrage, est applique

lentre du circuit. Une tension v S (t ) = VSo + v s (t ) est recueillie sur la charge.
Les rsistances statique RZ et dynamique rz de la diode zener sont de valeur ngligeable devant la
rsistance R.

1. Donnez lexpression de la tension VSo aux bornes de la charge.
2. Ecrivez la condition pour que la stabilisation ait bien lieu (polarisation de la diode dans sa zone
davalanche).
3. Ecrivez la condition pour que la puissance dissipe en rgime permanent soit infrieure la
puissance maximale (donnes constructeur).

4. Donnez lexpression de la tension v s (t ) aux bornes de la charge.
5. En supposant que Rch >> rz , discutez de la stabilit en dehors des problmes lis la
temprature et au vieillissement de la diode. On rappelle quune tension est stabilise (et non
rgule) quelle que soit la variation de la source (stabilisation amont) et quelle que soit la variation
de la charge (stabilisation aval).
Sylvain Gronimi
Page 211
Corrig
1. Expression de la tension aux bornes de la charge
Rth
RZ
VEo
Rch
Rch
VSo
Vth
VZo
avec
Vth = VEo
VSo = Vth
RZ
R
+ VZo
RZ + R
R + RZ
et Rth = R // R Z
Rch
Rch
R
VE Z + VZo
Rch + Rth Rch + RZ o R
avec R >> R Z
2. Condition sur la ralisation de la stabilit

Pour que la stabilisation ait bien lieu, le point de fonctionnement de la diode doit se situer
lintersection de la droite de charge et de la partie pratiquement verticale de sa caractristique. Le
circuit quivalent vu par la diode conduit lexpression de cette droite de charge.
ID
R
VEo
avec Vth' = VEo
Rth
Rch
Vth
VD
Rch
V'
V
' = R // R , do la droite de charge I = D th
et Rth
ch
D
'
'
Rch + R
Rth
Rth
La condition scrit Vth' > VZo ou encore VEo
Rch
> VZo .
Rch + R
3. Condition sur la puissance dissipe dans la diode

La puissance dissipe dans la diode doit tre nettement infrieure la puissance maximale en
rgime permanent, soit VSo I Z << PZmax = VSo I Zmax ( partir des donnes constructeur).

4. Expression de la tension aux bornes de la charge
Sylvain Gronimi
Page 212
R
ve
rth
rz
avec v th = v e
Puisque
Rch
vth
Rch
vs
Rch
rz
et rth = R // rz v s = v th
rz + R
Rch + rth
rz << R
vs
Rch rz
ve .
Rch + rz R
5. Stabilit de la tension
En considrant de trs faibles variations de v e et Rch par rapport aux valeurs nominales, on
dduit les variations de v s au premier ordre par
dv s =
v s
v s
dv e +
dRch
v e
Rch
avec
dv s v s
Rch rz
=
=
dv e v e R =cte Rch + rz R
ch
dv s
dRch
rz
r
dv e + z v s
R
Rch
Rch
Si dv e = 0 (stabilisation aval)
et
v
dv s
rz
rz
=
ve
= s
2
dRch Rch v =cte (Rch + rz ) R
e
( Rch >> rz ).
dv s
r dRch
z
vs
Rch Rch
Si dRch = 0 (stabilisation amont) dv s
rz
dv e
R
soit
dv s
dRch
<<
car rz << Rch
vs
Rch
soit dv s << dv e car rz << R
En conclusion, la stabilisation est dautant meilleure que la variation v e (t ) de la source v E (t ) est

faible (bon filtrage), la rsistance dynamique rz de la diode zener est faible (caractristique
verticale), la rsistance R de polarisation est grande (source de courant).
Remarquons que la tension zener est considre comme parfaite dans ce problme ( VZ = 0 ).
Toutefois, pour tre complet, il faudrait tenir compte du coefficient de temprature et de
vieillissement de la diode ( VZ relativement faible) (voir cours Les rgulateurs de tension ).
Sylvain Gronimi
Page 213
Circuits de stabilisation dune tension par rfrence zener

Dans ce problme, les variations dues la temprature et au vieillissement des composants ne seront
pas prises en compte. Le dispositif de stabilisation en tension est reprsent sous la forme du
quadriple suivant :
RE
iS (t)
Stabilisation
vS (t)
vE (t)
Rch
en tension
La tension de sortie VS dpend donc des variations de la tension VE et du courant continu soutir IS ,
soit VS = f (VE , IS ) et pour de faibles variations autour du point de fonctionnement, on peut crire
V
V
dVS = S
dVE + S
dI S
V
E IS =ISo
IS VE =VEo
avec v s (t ) = dVS , v e (t ) = dVE , i s (t ) = dI S les variations dans le rgime dynamique aux faibles signaux
respectivement aux points de fonctionnement VSo , VEo , ISo .
v
facteur de
Du rgime dynamique v s (t ) = SV v e (t ) R0 i s (t ) , on dfinit les performances SV = s
v e i s =0
v
rgulation (stabilit en amont), R0 = s
rsistance de sortie (stabilit en aval), partir du
i s v e =0
schma suivant
R0
is
vs
SV ve
Rch
Trois dispositifs de stabilisation en tension, utilisant une rfrence de tension dlivre par une diode
zener, sont proposs ici et conduisent trois problmes indpendants. Chacun des problmes
demande une tude du rgime continu et une tude du rgime dynamique aux faibles signaux en vue
de dterminer SV et R0 .
Sylvain Gronimi
Page 214
Stabilisation par diode zener

RE
R'
20
80
vE
Rch
D
Diode zener D
100
RZ 0 , VZo = 9 V
statique
, R = RE + R ' .
dynamique rZ = 5

2. Dterminez le point de fonctionnement ( I Zo , VZo ) de la diode en fonction de VE , R, VZo , Rch .
3. Evaluez I Zo pour VE = 20 V , ainsi que la puissance dissipe PZ dans la diode zener.
4. Expliquez en quelques mots la prsence de la rsistance R.

6. Ecrivez lexpression de la tension aux bornes de la rsistance Rch en fonction du courant qui la
traverse et de la tension dentre v e .
7. Dduisez les expressions des coefficients SV et R0 , puis valuez ces derniers.
Stabilisation par transistor

Q
RE
20
vE
Rch
100
D
Transistor Q
= 100, VBE 0.6 V
( >> 1 )

9. Le point de fonctionnement de la diode demeurant inchang, dterminez les valeurs de la tension
VS et du courant IS en sortie.
10. Donnez lexpression de la rsistance R et valuez cette dernire pour VE = 20 V .

12. Evaluez le paramtre rbe du modle du transistor.
Sylvain Gronimi
Page 215
Stabilisation par contre-raction

Q
RE
20
R
R1
10k
+
vE
100
D
Amplificateur oprationnel
Rch
R2
20k
Ad = 10 5 , Re = , Rs = 0

16. Le point de fonctionnement de la diode demeurant toujours inchang, calculez la tension de sortie
VS , le courant traversant le pont R1 R2 tant de valeur ngligeable devant IS .
17. Donnez lexpression de la rsistance R et valuez cette dernire pour VE = 20 V .

19. Evaluez le paramtre rbe du modle du transistor.
Sylvain Gronimi
Page 216
Corrig
Stabilisation par diode zener
1. Schma
R
RZ 0
VE
Rch
VS
( R = RE + R ' )
VZo
2. Dtermination du point de fonctionnement de la diode

Pour que la stabilisation ait bien lieu, le point de fonctionnement de la diode doit se situer
lintersection de la droite de charge et de la partie pratiquement verticale de sa caractristique. Le
circuit quivalent vu par la diode conduit lexpression de cette droite de charge.
ID
R
VE
avec Vth = VE
Rth
Rch
Vth
VD
Rch
V
V
et Rth = R // Rch , do la droite de charge I D = D th .
Rch + R
Rth Rth
Les coordonnes du point de repos sont alors VDo = VZo , I Do =
VZo Vth
Rth
3. Evaluation des variables statiques

I Zo = I Do = 20 mA et la puissance dissipe dans la diode est PZ = VZo I Zo = 180 mW .
4. Prsence de la rsistance R
En labsence de la rsistance R ( R = RE ), le courant I Zo traversant la diode serait de 460 mA et
la puissance dissipe de 4.14 W, valeur excessive conduisant la destruction du composant.
Sylvain Gronimi
Page 217

5. Schma
is
R
ve
rz
Rch
vs
6. Relation de v s (v e , i s )
is
avec v th = v e
rth
Rch
vth
rz
et rth = R // rz
rz + R
vs
vs =
rz
R rz
ve
is
R + rz
R + rz
7. Evaluation des coefficients SV et R0

SV =
rz
R rz
48 10 3 , R0 =
4.76 .
R + rz
R + rz
Stabilisation par transistor

8. Schma
RE
IB
VBE
R
IZo + IB
VE
IS
IB
Rch
VS
IZo
VZo
9. Evaluation de IS et VS
Le point de fonctionnement de la diode est inchang ( VZo = 9 V , I Zo = 20 mA ).
Sylvain Gronimi
Page 218
) (
VE = RE I B + I Zo + I B + R I Zo + I B + VZo
VZ = VBE + VS
Circuit o
(systme 4 inconnues I B , IS , VS , R)
VS = Rch IS
I = ( + 1)I
B
S
Des trois dernires quations, on tire

V
I
VS = VZo VBEo 8.4 V , IS = S 84 mA , I Bo S 0.84 mA .
Rch

La premire quation du systme donne R =
VE VZo RE I Zo + IS
I Zo + I Bo
) 428 .

11. Schma
ib
RE
R
iz + ib
rbe
ib
ve
is
Rch
vs
iz
rz

rbe =
UT
30 .
I Bo
v e = RE (i z + i s ) + R (i z + i b ) + rz i z
Circuit v s = rz i z rbe i b
(systme 3 inconnues i b , i z , v s ( i s ,v e ) )
i = ( + 1)i
b
s
En liminant successivement i b et i z , on obtient la relation souhaite.
R
is
v e = (RE + R + rz )i z + RE +
r
+ 1
rz
rz
R
vs
v e be + RE +
is
RE + R + rz
RE + R + r z

v = r i rbe i
z z
s
s
+1
Sylvain Gronimi
Page 219

SV =
r
rz
rz
R
0.57 .
11 10 3 , R0 be + RE +

RE + R + r z
RE + R + r z
Stabilisation par contre-raction

15. Schma
RE
IB
IS
IP
VBE
R1
IB
IZo
Rch
VE
VS
VS
VZo
R2
16. Evaluation de IS et VS
Le point de fonctionnement de la diode est inchang ( VZo = 9 V , I Zo = 20 mA ).
V + = VZ
o
R2

VE RE IS + I Zo + R I Zo + VZo
V = R + R VS
1
2
R2

Circuit VE = RE I B + I Zo + R I Zo + VZo Ad VZo

VS = VBE + VS
R1 + R2

'
+
V = R I
VS = Ad V V = VBE + VS
S
ch
S
V = R I
ch S
S
IS = ( + 1)I B + I P
La deuxime quation donne VS =
Le courant de polarisation I Bo
Ad VZo VBEo
R2
1 + Ad
R1 + R2
IS
1.35 mA .

La premire quation donne R
R
VZo 1 + 1 13.5 V .
R
2
VS
135 mA .
Rch
La troisime quation donne IS =
Sylvain Gronimi
VE VZo RE IS + I Zo
I Zo
Page 220
) 395 .

18. Schma
ib
RE
is
ib
ip
ve
R1
rbe
0
iz
rz
Rch
vs
vs
R2

rbe =
UT
18.5 .
I Bo
v e = RE (i z + i b ) + (R + rz ) i z
R2
v s
Circuit v s' = rbe i b + v s = Ad rz i z
R1 + R2
i ( + 1)i i
b
b
s
En liminant successivement i b et i z , on obtient la relation souhaite.

v e RE i s + (RE + R + rz ) i z
ou encore
R2
rbe
i s + v s Ad rz i z R + R v s
1
2
ve
RE
i z R + R + r R + R + r i s
E
z
E
z
r
R2
v 1 + A
Ad rz i z be i s
d
s
R
R
+
1
2
R2
rz
r z RE
Ad
v e be + Ad
v s 1 + Ad
R1 + R2
RE + R + r z
RE + R + r z

i s

SV =
R0 =
rz
R
rz
1 + 1
17.8 10 3
R2
RE + R + rz R2 RE + R + rz
1 + Ad
R1 + R2
Ad
rbe
r z RE
A +R + R + r
R2
d
E
z
1 + Ad
R1 + R2
Sylvain Gronimi
Ad

R
rz RE
1 + 1
R R + R + r 0.36 .
2 E
z

Page 221
Rgulateur de tension 15 V / 2 A
Lalimentation rgule de la figure ci-dessous doit rpondre au cahier des charges suivant :
VS = 15 V , IS 2 A
La tension dentre v E (t ) non rgule prsente une valeur moyenne VE = 25 V . Les transistors sont
caractriss par 1 = 100 , 2 = 50 , 3 = 20 . Lamplificateur diffrentiel de tension U1 est suppos
idal.
Q3
D1
R2
IS
Q2
IP << IS
R3
2mA
Q1
+
VE
U1
R4
VS
R1
D2
R5
2mA
Ltude de ce montage seffectue en rgime continu

1. Sachant que lamplificateur diffrentiel de tension peut fournir un courant de sortie maximum de
20 mA, dmontez lobligation dutiliser un ballast Darlington (on ne tiendra pas compte ici du
courant dans la rsistance R3 ).
2. Evaluez la puissance critique dissipe par Q3 (court-circuit en sortie).
3. Evaluez la rsistance R3 suivant le critre de dviation du 1/10me du courant maximum de base
de Q3 .
4. La tension de rfrence est obtenue par un montage utilisant deux diodes zener polarises
chacune par un courant de 2 mA et telles que VZ1 = 10 V et VZ2 = 5 V . Evaluez les rsistances
R1 et R 2 .
5. Dterminez les valeurs des rsistances R 4 et R5 du pont pour satisfaire le cahier des charges
(prendre I P = 1 mA ).
Sylvain Gronimi
Page 222
Corrig
1. Utilisation dun ballast Darlington
Il nest pas ncessaire de tenir compte du courant driv par la rsistance R3 puisquun ordre de
grandeur du courant de base de Q2 est recherch lorsque IS max est demand.
I B3 max
I B2 max
IS max
= 100 mA , valeur de courant que ne peut produire U1 (20 mA maximum)
3
I B3 max
= 2 mA , valeur infrieure 20 mA.
2. Puissance critique dissipe par Q3

Le transistor Q3 dissipe une puissance maximale PQ3 VCE3 IC3 (VE VS )ISmax = 20 W , sans
compter les conditions de court-circuit en sortie qui entrane VCE3
max
= 25 V . Si Q3 doit
fonctionner en toute scurit, la puissance dissipe en continu dans le pire cas doit tre faible
devant sa puissance totale maximale (donne constructeur), ce qui employer un transistor dont
le gain en courant min est de lordre de 20. Un montage Darlington est alors ncessaire.
3. Evaluation de la rsistance R3
VBE3 R3
I B3
max
10
R3 60
4. Evaluation des rsistances R1 et R2

R1 =
VE VZ1
I1
7.5 k ( IB1 << 2 mA ) et R2 =
VZ1 VEB1
I E1
4.7 k ( I + = 0, 1 >> 1 )
5. Evaluation des rsistances R 4 et R5

R5
VS
VZ2 =
R 4 + R5
V = (R + R )I
4
5 P
S
Sylvain Gronimi
(V
VZ2
= 5 k
R5 =
=V )
IP

R = VS VZ2 = 10 k
4
IP
Page 223
Etage de puissance push-pull srie avec sources de Widlar

Ltude porte sur le rgime pseudo-continu de ltage terminal de puissance de la figure ci-dessous, le
but tant dvaluer le rendement maximal. Une tude complmentaire dtermine les caractristiques
du montage aux faibles signaux.
Les paires Q1 - Q2 de gain en courant = 100 , et Q3 - Q4 de gain en courant ' = 250 , sont des
transistors supposs technologiquement parfaitement complmentaires dont leffet dEarly est nglig
( VA = ). Les diodes D1 - D2 et D3 - D4 - D5 - D6 sont identiques. La valeur de la tension aux bornes
dune diode ou dune jonction base-metteur de transistor sera de lordre de 0.6 V, quelque soit le
courant qui traverse le composant (mme si ce courant est trs faible). Lalimentation symtrique
fournit des tensions VCC = 15 V et le montage fonctionne en classe AB tel que IC1 = IC2 = 10 mA .
o
+VCC
D3
R1
400
D4
Q3
Q1
R3
120k
RE1
2.2
D1
iS(t)
vE(t)
RE2
2.2
D2
Rch
100
vS(t)
Q2
Q4
D5
R2
400
D6
-VCC
1. Donnez une brve description du circuit et expliquez, en quelques mots, son fonctionnement lors
dune attaque par un signal sinusodal.

3. Dterminez les potentiels de nuds et les courants circulant dans les branches du montage et
rapportez ces valeurs sur le schma.
4. Evaluez la puissance fournie par les alimentations.
Sylvain Gronimi
Page 224
Etude du rgime pseudo- continu

La tension dattaque du montage est augmente jusqu une valeur telle que la tension de sortie
approche la limite de lcrtage.
6. Evaluez la tension et le courant de sortie dans le cas o le transistor Q3 est voisin de la saturation
( VEC3 0.2 V ).
7. Dterminez les potentiels de nuds et les courants circulant dans les branches du montage.
8. Dans un contexte sinusodal de lattaque, tracez les variations en fonction du temps de la tension
VCE des transistors Q3 ou Q4 , du courant traversant les diodes D1 ou D2 , du courant de base
des transistors Q1 ou Q2 et du courant de sortie.
9. Evaluez le rendement maximum du montage.

10. Dessinez le schma dans le cas dune variation de tension positive de v e (t ) en tenant compte de
la prsence des rsistances rd des diodes et z0 des sources de courant.
Le montage est attaqu par un gnrateur de rsistance rg = 100 . Les influences des rsistances
des diodes et des sources sont ngliges ( rd = 0 , z0 = ) et le paramtre rbe1 est valu 80 .
11. Evaluez la rsistance dentre Re , le gain en tension A v = v s v e et la rsistance de sortie Rs
vue par la charge.
Corrig
1. Description
Le schma se compose dun circuit de polarisation qui alimente un tage push-pull srie dbitant un
courant dans la charge.
- Ltage push-pull, constitu des transistors complmentaires Q1 et Q2 monts chacun en
metteur suiveur, doit fournir une grande excursion de tension en sortie et avoir une faible
rsistance de sortie vis--vis de la charge Rch (attaque en tension). Les rsistances RE1 et RE 2
servent amliorer la stabilit thermique du montage et leur valeur doit rester faible par rapport
la valeur de la charge. La tension de polarisation entre les bases dterminera la classe de
fonctionnement.
La polarisation seffectue grce aux sources de courant de type Widlar rgles par les rsistances
R1 et R2 . Au repos, la majorit du courant issu de ces sources parcourt la paire de diodes D1 et
D2 connectes en srie, produisant une translation de tension continue denviron 1.2 V et le faible
courant restant constitue le courant de base de Q1 et Q2 (caractristiques des jonctions des
diodes et transistors diffrentes). La distorsion de croisement est pratiquement limine en
concdant une lgre conduction des transistors de sortie au repos. La classe de fonctionnement
est AB.
Lorsque le signal dentre devient positif, Q1 se comporte comme une source de courant alimentant la
charge et Q2 se bloque et inversement pour un signal dentre ngatif. Pour un signal sinusodal,
chaque transistor ne conduit donc que durant peu prs une demi priode.
Sylvain Gronimi
Page 225

2. Schma
+ 15 V
400
10 mA
1.5 mA
224 A
14.4 V
13.8 V
Q3
6 A
100 A
0.6 V
Q1
1.4 mA
120k
2.2
0A
0V
0V
230 A
VE
2.2
100
1.4 mA
100 A
- 0.6 V
Q2
6 A
-13.8 V
Q4
- 14.4 V
10 mA
1.5 mA
400
224 A
- 15 V
3. Calcul des courants et tensions

Aucune source dynamique ntant applique lentre du circuit, VE = 0 .
I R3 =
2VCC 4VD
230 A avec VD 0.6 V .
R3
I R1 =
VD
1.5 mA avec VEB 0.6 V (de mme I R2 1.5 mA ).
R1
Les sources de courant produisent I 0 1.5 mA car IC3 I R1 et IC4 I R2 .

o
I D3D4 I R3
IC 3
'
224 A
Les valeurs des potentiels et courants sont indiqus sur le schma ci-dessus.
4. Calcul de la puissance fournie

Par symtrie, chacune des alimentations fournit au montage le mme courant
+ =I
ICC
C1 + I R1 + I D3D4 11.7 mA (ou ICC = IC2 + I R2 + I D5D6 )
o
+ + I ) 352 mW
Pfournie = 2VCC (ICC
CC
Sylvain Gronimi
Page 226

En considrant la valeur crte Vemax de lalternance positive de la tension sinusodale v E (t ) , le
transistor Q2 est bloqu et la tension crte de sortie VS est maximale (limite de lcrtage).
5. Schma
+ 15 V
400
133 mA
1.5 mA
224 A
14.4 V
13.8 V
Q3
6 A
1.33 mA
14.2 V
Q1
170 A
120k
13.6 V
2.2
133 mA
13.6 V
13.3 V
230 A
VE
1.5 mA
100
13 V
6 A
-13.8 V
Q4
- 14.4 V
1.5 mA
400
224 A
- 15 V
6. Calcul des valeurs maximales des tension et courant de sortie

Le transistor Q3 est au voisin de la saturation,
VCC VD + VEC3 sat + VBE1 + RE1 + Rch ISmax

ISmax 133 mA et VSmax 13.3 V
VSmax = Rch ISmax

Il faut noter que Q3 ne dlivrera un courant I 0 constant (effet Early nglig) que si la tension
VEC3 est suprieure ou voisine de VECsat .
7. Calcul des courants et tensions
I B1 max
ISmax
1.33 mA , I D1 = I 0 I B1max 170 A .
Les valeurs des potentiels et courants sont indiqus ci-dessus.

Le courant traversant la diode D1 tant relativement faible, la tension ses bornes est surestime
par lhypothse du problme ( 0.5 V < VD1 < 0.6 V ). Il serait peut-tre concevable daugmenter la
valeur de I 0 afin dobtenir une polarisation plus correcte des diodes D1 et D2 au dtriment du
rendement.
Sylvain Gronimi
Page 227
Il est aussi remarquer que la tension VCC fournit uniquement les courants dalimentation de la
source de Wildar Q4 - R2 et quune tension de 0.3 V est perdue aux bornes de la rsistance RE1
( VEmax 13.6 V ). Le gain en tension du montage est donc VSmax VEmax 0.98 .
8. Dtermination des variations sinusodales

Ltude de la polarisation fournit les valeurs t = 0, T 2 , T . Ltude prcdente apporte les
valeurs maximales obtenues t = T 4 ainsi qu t = 3T 4 par la symtrie complmentaire du
montage, lorsque le signal sinusodal dattaque passe respectivement par les valeurs crte
maximale et minimale.
Au sein des chronogrammes, le signal sinusodal est de frquence 1 kHz (priode 1 ms).
30V
20V
(0, 13.8)
vEC3(t)
(745u, 27.4)
10V
(245u, 200m)
0V
20V
(245u, 13.6)
vE(t)
0V
(1.25m, 13.3)
(1.75m, -13.3)
vS(t)
(745u ,-13.6)
-20V
0s
0.2ms
0.4ms
0.6ms
0.8ms
1.0ms
1.2ms
1.4ms
1.6ms
1.8ms
2.0ms
Time
La tension v EC (t ) de Q3 varie de 0.2 V ( VECsat ) 27.4 V en valeurs extrmes, de valeur

moyenne VECo = 13.8 V et damplitude crte Vec = 13.6 V . Les tensions maximales dentre et de
sortie diffrent de 0.3 V (prsence des rsistances de stabilisation en temprature) puisque ces
calculs ont t obtenus en supposant que les jonctions de composants prsentaient 0.6 V malgr
des courants et caractristiques diffrentes. En continu, le potentiel de sortie est nul par le fait que
les composants du circuit sont parfaitement complmentaires et identiques.
2.0mA
I0(t)
(245u, 1.33m)
(1.36m, 1.5m)
iD1(t)
1.0mA
(245u, 170u)
iB1(t)
(1.5m, 100u)
(757u, 29n)
0A
200mA
(0, 10 m)
iC1(t)
(1.5m, 10m)
(245u, 133m)
0A
iC2(t)
(1.5m, -10m)
(745u, -133m)
-200mA
200mA
(245u, 133m)
0A
iS(t)
(745u, -133m)
(1.5m, 34n)
-200mA
0s
0.2ms
0.4ms
0.6ms
0.8ms
1.0ms
1.2ms
1.4ms
1.6ms
1.8ms
2.0ms
Time
Sylvain Gronimi
Page 228
Quant aux variations des courants, les courants collecteurs de Q1 ou Q2 , limage de leurs
courants de base, correspondent un signal monoaltern d la classe AB. Sur un faible temps
par rapport la priode, langle de conduction est suprieur et la distorsion de croisement
napparat aucunement dans lvolution de i S (t ) , les caractristiques non linaires de Q1 et Q2
tant identiques. Lvolution du courant dans la diode D1 est linverse de lvolution du courant
de base de Q1 puisque leur somme est pratiquement constante I 0 .
9. Calcul du rendement maximum

Le calcul seffectue pour une dynamique maximale aux bornes de la charge. La puissance utile
est alors Putile max
(V
=
s max
Rch
0.885 W (efficace).
Lalimentation + VCC fournit le faible courant parcourant les diodes D3 - D4 , le courant dmetteur
de Q3 (courants constants sur la priode) et la valeur moyenne du courant monoaltern de
collecteur de Q1 damplitude crte I s (courant variable existant uniquement sur la premire demipriode),
I
1
+
I s sin d = s ( = t , I s = ISmax )
= I D3D4 + I 0 + IC1moyen 44.06 mA avec IC1moyen
soit ICC
2 0
Vu la symtrie du montage, lalimentation VCC fournit la mme quantit de courant, soit
ICC
= I D5D6 + I 0 + IC2 moyen , do Pfournie max = VCC ICC
+ ICC
1.32 W max =
Putile max
Pfournie max
0.67 .
Ce rendement parait trs honorable pour cette structure. Il est noter un point de dtail dans le
calcul de la valeur moyenne des courants de collecteur des transistors de sortie, effectu plus
haut entre 0 et . En effet, ce calcul sous-estime trs lgrement la valeur moyenne du vrai signal
dangle de conduction suprieur (propre la classe AB).

10. Schma
rbe
rd
ve
rd + z0
RE1
Rch
vs
z0
11. Evaluation des caractristiques

Rsistance dentre
Re = rbe + ( + 1) RE1 + Rch 10.4 k
rbe
Rg
+
ve
RE1
vs
Rch
vg
Gain en tension
( + 1)Rch
v
Av = s =
0.97
v e rbe + ( + 1) RE1 + Rch
Rsistance de sortie vue par la charge

rg + rbe
Rs =
+ RE1 4 .
+1
(performances dun tage collecteur commun)
Sylvain Gronimi
Page 229
Push-pull srie pilot par amplificateur de tension intgr et contre-raction

Ltude porte sur lamplificateur de puissance reprsent la figure ci-dessous. Cette tude est
effectue en rgime dynamique aux faibles signaux en tenant compte des paramtres suivants :
R d = 1 M , Rs = 100 et fonction de transfert
U1
= 100 , rbe = 80 , rce = , Cbe , Cbc de valeurs ngligeables
Q1, Q2
D1, D2
rd 0
I1, I2
Ad
1
avec Ad = 10 5 et fh =
= 10 Hz
1+ p
2
z0 trs grand
R4
9k
+15V
I1
Q1
U1
D1
R1
2.2
V
vE
R2
D2
Rch
2.2
vS
100
R3
1k
I2
Q2
C1
10u
-15V
Comprhension du montage
1. Expliquez brivement ce montage et prciser le type de contre-raction et la classe de
fonctionnement.
2. Dessinez le montage sous forme de schmas-blocs faisant apparatre la chane directe G(p) et la
chane de retour B(p ) .

3. Caractrisez la chane directe ( Ze , Zs vue par la charge, Av ) et de la chane de retour.
4. Caractrisez le montage en boucle ferme ( Ze' , Zs' vue par la charge, A'v ) en vrifiant les
conditions dadaptation dimpdances.
5. Si un signal parasite v p de 1 Vpp sajoute au signal v issu de lamplificateur U1 , exprimez la
tension de sortie v s en fonction des tensions v e et v p . Interprtez ce rsultat.
Sylvain Gronimi
Page 230
Etude du rgime dynamique aux frquences hautes et basses

6. Calculez la frquence de coupure haute.
7. Dessinez le schma quivalent aux basses frquences et calculez la frquence de coupure
basse.
8. Tracez la rponse en frquence du gain en tension dans le plan de Bode.
9. Dterminez les expressions des impdances dentre et de sortie en fonction de la frquence et
interprtez les rsultats.
10. Pour un signal dentre en forme dchelon, dterminez le temps de monte du signal de sortie,
temps dfini entre 10 et 90 %.
Corrig
Comprhension du montage
1. Explication
Le circuit est un systme asservi tel que la chane directe se compose dun amplificateur diffrentiel
de tension U1 pilotant un tage push-pull srie et la chane de retour dun attnuateur rsistif. La
configuration tant srie/parallle, le circuit subit une contre-raction tension/tension.
- Ltage push-pull, suiveur de tension, prsente une translation de tension entre les bases des
transistors Q1 et Q2 , produite par deux diodes D1 et D2 montes en srie. Cette translation
dfinit un fonctionnement en classe B/AB. Les sources de courant doivent, potentiellement,
fournir les courants de polarisation des diodes et les courants de base permettant datteindre le
niveau de saturation de la tension de sortie. Les rsistances R1 et R2 amliore le comportement
thermique de ltage de puissance (stabilisation par rsistance dmetteur).
- Le circuit de retour fixe le gain en tension de lensemble contre-ractionn car la chane directe
possde un fort gain en tension par le biais de lamplificateur U1 .
-
La contre-raction est totale en rgime continu. En effet, le condensateur C1 tant assimil un

circuit ouvert et lentre du montage tant connecte la masse, lasservissement maintient le
potentiel continu de sortie 0 V. En rgime dynamique, la contre-raction est partielle, fixe par
le pont rsistif car le condensateur est assimil un court-circuit dans le domaine des
frquences de travail.
2. Schma
G(p)
tage suiveur
U1
vd
ve
Rch
vs
R4
R3
vr
C1
B(p)
Sylvain Gronimi
Page 231
Ladaptation sur la charge tant suppose ralise (ici condition de circuit ouvert en sortie ou encore
Rch ), nous caractrisons chaque bloc de faon indpendante, puis le montage contre-ractionn
en validant les conditions dadaptation des blocs (voir cours La contre-raction ).
3. Caractrisation des chanes directe et de retour
(+)
rbe
Rs
+
vd
Rd
Ad vd
R1
z0 / 2
vs
Rch
(-)
Pour la chane directe, lentre (-) de lamplificateur diffrentiel de tension U1 est la masse, les
deux sources de courant sont en parallle ( z0 2 >> Rs ) et Rch .
A d ( + 1)Rch
A d v d (Rs + rbe )i + ( + 1)(R1 + Rch )i
v
Av = s
A d = 10 5
v d Rs + rbe + ( + 1)(R1 + Rch )

v s = ( + 1)Rch i
Le calcul de la rsistance de sortie du diple se fait en teignant la tension dentre ( v d = 0 )
i 0 + ( + 1)i = 0
v
R +r
Z s = 0 R1 + s be 4 et Z e = Rd = 1 M
(
)
(
)
1
v
R
+
r
i
+
R
i
i
+1
s
be
1
0
0
La chane de retour est un quadriple rsistif suppos attaqu en tension v s , non charg, et de
tension de sortie v r , le condensateur C1 tant assimil un court-circuit, soit
R3
vr
=
=.
v s R3 + R 4
4. Caractrisation du montage en boucle ferme

La thorie de la contre-raction rclame la connaissance du facteur 1 + G( p ) B( p ) , soit, aux
frquences moyennes, 1 + Ad 10 4 avec G A v A d et B .
Le gain est alors A 'v = Ad (1 + Ad ) 10 , la rsistance dentre est Z e' = Z e (1 + Ad ) 1010
(topologie srie) et la rsistance de sortie Z 's = Z s (1 + Ad ) 0.4 m (topologie parallle).
+
ve
Zs
Ze
vd
Rch
vs
Av vd
R4
vr
ve
Zs
Ze
Rch
vs
Av ve
R3
Le quadriple de retour est attaqu tel que Z s << R3 + R 4 et Z e >> R3 // (R 4 + Z s ) ne charge pas
la sortie ( Z s << Rch ). Les conditions dadaptation en tension sont donc satisfaites.
Sylvain Gronimi
Page 232
Rch
A 'v v e A 'v v e puisque Z 's << Rch , ce qui
Rch + Z s'
correspond bien une attaque en tension de la charge (condition de circuit ouvert en sortie).
La tension de sortie en charge est alors v s =
5. Influence dun signal parasite

Le signal parasite v p sajoute au signal v issu de lamplificateur U1 .
vp
ve
Ad
vs
+1
vp
v s = v p + v
Ad
v
1
+ e
vs =
vp +
v e , mais Ad >> 1 v s
Ad
1 + Ad
1 + Ad
v = Ad (v e v s )
En sortie, la composante issue de la perturbation est divise par le gain Ad de lamplificateur
diffrentiel par rapport la composante du signal dentre. Pour v p = 1 Vpp , 100 V viennent
sajouter au transfert de tension.
Etude du rgime dynamique aux frquences hautes et basses

6. Calcul de la frquence de coupure haute
Le systme en boucle ferme scrit H ( j ) =
qui donne H ( j ) =
Ad
1 + Ad
1+ j
h'
G( j )
avec G( j ) =
1 + G( j ) B( j )
Ad
1+ j
h
et B = , ce
avec h' = (1 + Ad )h (voir cours La contre-raction ).
La contre-raction augmente la frquence de coupure haute fh' 100 kHz ( fh = 10 Hz ).
7. Calcul de la frquence de coupure basse

Zs
(+)
ve = 0
+
Ze
vd
Rch
vs
Av vd
(-)
R4
R3
C1
Sylvain Gronimi
Page 233
Le systme est du premier ordre puisque le circuit comporte un seul condensateur. Le ple de la
fonction de transfert est trouv partir de la constante de temps C1 Req , avec Req rsistance
quivalente du diple vue aux bornes du condensateur.
Pour ce calcul, remarquons que la branche compose de la source lie et de la rsistance R 4
possde la tension v d ses bornes aprs avoir constat que Z s << Rch (Thvenin).
R3
i0
v d Av v d + R 4 i
i
Ze
vd
v0
R4
+
do Req =
Av vd
La frquence de coupure basse est fb
vd
R4
i
1 + Av
v0
R4
R3 + Z e //
R3 .
i0
1 + Av
1
15.9 Hz , valeur trs acceptable puisque le
2 R3 C1
gain en tension de la chane directe, fonction de la frquence, na pratiquement pas vari ( 10 5 ).

La fonction de transfert en tension peut sannuler par la prsence du mme condensateur. En
effet, si la tension de sortie v s est nulle, C1 voit ses bornes les rsistances R3 et R 4 // Z e en
srie et la valeur de la frquence de coupure relative au zro est fz
La fonction de transfert est de la forme H (p ) =
Pour H ( j )
1+
1+
z
p
1
1.59 Hz .
2 (R3 + R 4 )C1
1 + (R3 + R 4 )C1 p
( p = j ).
1 + R3 C1 p
R3 + R 4
= 10 ( 20 dB )
R3
Pour 0 H ( j ) 1 ( 0 dB )
8. Trac du gain en tension

30
contre-raction dynamique
(15.849, 17.015)
20
(104.713K, 17.012)
ple
10
ple
(1.6046, 3.0025)
pente
20 dB/dcade
zro
contre-raction
statique
pente
- 20 dB/dcade
gain unit
-10
100mHz
10mHz
DB(V(S))
1.0Hz
10Hz
100Hz
1.0KHz
10KHz
100KHz
1.0MHz
Frequency
Sylvain Gronimi
Page 234
9. Expressions et tracs des impdances

En ngligeant leffet d au condensateur C1 (effet aux basses frquences),
Ad
Z e' ( j ) = Z e 1 +
1 + j
= Z e (1 + Ad )
1 + j
1 + Ad
= Z e'
1 + j
h'
1+ j
h
1+ j
0, Ze' 1010 (200 dB, boucle ferme), , Z e' 10 6 (120 dB, boucle ouverte)
1+ j
Zs
Zs
h
1 + j
'
'
Z s (p ) =
=
Zs
Ad
1 + Ad
1 + j
1+ j '
1+
1 + Ad
1 + j
h
0, Z s' 0.4 m (- 68 dB, boucle ferme), , Z e' 4 (12 dB, boucle ouverte)
Les ples et zros sont positionns aux valeurs 10 Hz et 100 kHz. Ces rsultats indiquent que les
impdances voluent rapidement partir de la frquence de coupure de la chane directe.
10. Evaluation du temps de monte

La rponse dun systme du premier ordre un chelon de tension damplitude V scrit
t

v S (t ) = V 1 e avec constante de temps du systme aux faibles signaux.
10
v S (t1 ) = 0.1 V t1 = Ln
t r = t 2 t1 = Ln 9
9
v (t ) = 0.9 V t = Ln 10
2
S 2
soit t r 2.2 ou t r
2 .2
ou encore t r
0.35
( fh frquence de coupure haute).
fh
Ici, le passe-bas du premier ordre prsente une frquence de coupure haute fh' 100 kHz et le
temps de monte scrit t r'
0.35
fh'
t
0.35
r et svalue 3.5 s ( t r temps de monte
(1 + Ad )fh Ad
de la chane directe).
Ainsi, en rponse un chelon de tension en entre, le temps de monte est amlior par la
contre-raction dautant mieux que est grand ou encore le gain en boucle ferme A 'v 1 est
faible.
Sylvain Gronimi
Page 235
Etage de puissance push-pull srie en pont

Ltude porte sur ltage amplificateur de puissance pont en pont dont le schma de principe est
reprsent la figure ci-dessous.
Les transistors de sortie ( Q1 , Q2 , Q5 , Q6 ) possdent un gain de 50 et les prcdents
( Q3 , Q4 , Q7 , Q8 ) un gain de 100. Les sources de courant I 0 sont constitues par des miroirs
lmentaires dont les transistors ont un gain en courant trs lev devant lunit. Dans chacune de
ces trois catgories, les transistors sont supposs technologiquement parfaitement identiques ou
complmentaires. Les amplificateurs de tension ( U1 , U 2 ) sont supposs idaux et les diodes
identiques.
La valeur de la tension aux bornes dune diode ou dune jonction base-metteur de transistor sera de
lordre de 0.6 V, quelque soit le courant qui traverse le composant (mme si ce courant est
relativement faible). Les courants traversant les rsistances de 100 seront ngligs dans les
calculs.
Lalimentation fournit une tension VCC = 12 V et la charge Rch est de valeur 4 .
+ 12 V
I0
10k
Q3
100
+
1 vF(t)
100k
100
vE(t)
200k
10k
0.33
0.33
vS(t)
100
-
Rch
Q2
Q4
Q5
0.33
vA(t)
100k
Q7
Q1
U1
100k
I0
vB(t)
0.33
U2
+
100
Q6
Q8
10
I0
I0

2. Dessinez le schma et indiquez les potentiels de nuds en considrant la polarisation des tages
de puissance en classe B.
Sylvain Gronimi
Page 236

Une tension sinusodale v E (t ) est applique en entre. Sa valeur crte est rgle de faon obtenir
une dynamique de sortie maximale correspondant la limite de lcrtage. Dans cette situation, le
courant minimum de polarisation des diodes est pris la valeur denviron 600 A et les transistors des
sources I 0 sont au voisinage de la saturation ( VCEsat 0.2 V ).
4. Calculez les valeurs crte des signaux v S (t ) , v A (t ) , v B (t ) , v E (t ) et tracez les chronogrammes.
5. Evaluez le rendement maximum du montage.

Chaque tage de puissance possde un gain en tension voisin de lunit, une rsistance dentre
importante devant la rsistance de sortie de lamplificateur intgr et une rsistance de sortie faible
devant la charge.
7. Evaluez le transfert en tension Av = v s v e du montage.
Corrig
1. Description
Le condensateur de liaison (1 F) isole lentre du continu et le condensateur de dcouplage (10
F) permet la connexion de lentre non inverseuse de U1 la masse dans le domaine des
frquences de travail (dcouplage du pont 10 k/10 k). Ainsi U1 est mont en amplificateur
inverseur et U 2 en amplificateur non inverseur. Ces amplificateurs pilotent chacun un tage
suiveur push-pull srie Darlington simples dont les sorties sont connectes la charge.
Lensemble constitue un montage de puissance mont en pont (structure en H) aliment par une
tension unique de 12 V. Le diviseur de tension 10 k/10 k impose un point de repos des
amplificateurs de tension et de puissance la moiti de la tension dalimentation de manire
profiter du maximum dexcursion de la tension de sortie sur la charge.
Quatre diodes compensent les seuils de conduction des jonctions des transistors et dfinissent
une classe B/AB. Les rsistances de 0.33 , valeur faible devant celle de la charge, servent la
stabilit en temprature des transistors de sortie. Les rsistances de 100 amliorent galement
cette stabilit par drivation du courant de fuite des Darlington. Les sources de courant I 0
fourniront le courant de polarisation des diodes et le courant maximum de base des Darlington
ncessaire lobtention de la dynamique maximale en sortie.

2. Schma avec valeurs des potentiels de noeuds
Les amplificateurs de tension tant supposs parfaits, aucun courant ne circule dans la rsistance
de 100 k connecte la borne non inverseuse de U 2 . De ce fait, les potentiels dentre des
deux amplificateurs sont au mme niveau. Aucun courant ne circule dans la rsistance de 100 k
connecte la borne non inverseuse de U1 puisque la diffrence de potentiels aux bornes de
celle-ci est nulle. Ainsi, il ny a pas de courant traversant les rsistances de retour de U1 (200 k)
Sylvain Gronimi
Page 237
et U 2 (100 k). Le pont de rsistances de 10 k fixe les potentiels dentre des amplificateurs de
tension la moiti de la tension dalimentation, soit 6 V. Les potentiels VA et VB tant aussi 6 V,
VS = 0 . Les diodes et les jonctions en direct des transistors produisent une translation de tension
de 0.6 V.
+ 12 V
I0
7.2 V
10k
Q3
U1
100k
-
0.33
200k
6V
6V
0V
6V
U2
+
0.33
Q2
Q6
Q4
4.8 V
100k
0.33
Rch
6V
10k
Q5
0.33
+
6V
7.2 V
Q7
Q1
6V
100k
I0
Q8
4.8 V
I0
I0

Considrons la demi priode pendant laquelle les transistors
Q1 , Q3 , Q6 , Q8
conduisent,
Q2 , Q5 , Q4 , Q7 tant ltat bloqu. Le schma est alors le suivant.
3. Schma
+ 12 V
I0
I0
Q3
11.8 V
ID min
100k
IB max
Q1
10.6 V
100k
VS
6V
U1
100k
VF
0.33
+
10.6 V
2.05 V
9.95 V
VA
Rch
IS max
6V
VB
U2
1.4 V
0.33
VF
1.4 V
200k
ID min
Q6
Q8
I0
Sylvain Gronimi
0.2 V
IB max
I0
Page 238
4. Calcul des valeurs crte maximales des tensions et tracs

Les transistors des miroirs de courant sont au voisinage de la saturation et dlivreront un courant
I 0 constant (effet Early nglig) tant que leur tension VCE > VCEsat .
VCC = VEC sat ( PNP ) + VBE3 + VBE1 + (2 RE + Rch )ISmax + VEB6 + VEB8 + VCE sat ( NPN ) ISmax 1.974 A .
VSmax = Rch ISmax 7.9 V valeur maximale autour de la tension au repos 0 V, soit Vs 7.9 Vcrte .
VAmax = VCC VEC sat ( PNP ) VBE3 VBE1 + RE ISmax 9.95 V ,
VBmax = VCE sat ( NPN ) + VEB6 VEB8 + RE ISmax 2.05 V

carts maximaux par rapport la tension au repos 6 V, soit Va = Vb 3.95 Vcrte .
Les courants circulant dans les branches de contre-raction des amplificateurs de tension sont de
valeurs ngligeables devant celui traversant la charge, mais importants compars aux courants
dentre de ces amplificateurs (supposs nuls).
2
1
Pour U1 , V + = V = VF + VA = 6 V VF = 4.025 V
3
3
1
Pour U 2 , VF = V = (VB + 6 ) = 4.025 V
2
cart maximum par rapport la tension au repos 6 V, soit Vf = 1.975 Vcrte .
La prsence du condensateur de liaison en entre translate ce signal autour de 0 V (isolation du

continu), soit VEmax = VF 6 = 1.975 V . Ve 1.975 Vcrte est donc la valeur de lamplitude de la
tension sinusodale dentre ne pas dpasser avant crtage du signal de sortie.
Ce montage en pont prsente un transfert en tension VSmax VEmax = 4 , ce qui quadruple la
puissance en sortie par rapport au montage traditionnel.
10V
(250u, 9.95)
(750u, 9.95)
(1m, 6.0)
(250u, 7.975)
5V
(750u, 4.025)
vA (t)
vF (t)
vB (t)
(250u, 2.05)
0V
10V
vS (t)
(250u, 1.975)
vE (t)
(750u, 7.9)
0V
(250u, - 7.9)
(750u, - 1.975)
-10V
0s
0.2ms
0.4ms
0.6ms
0.8ms
1.0ms
1.2ms
1.4ms
1.6ms
Time
Au sein des chronogrammes, le signal sinusodal est de frquence 1 kHz (priode 1 ms).
Sylvain Gronimi
Page 239
5. Calcul du rendement maximum
Puissance maximale en sortie
Putilemax
(V
=
Rch
7.8 W avec Vs amplitude crte maximale.
Puissance fournie par lalimentation sur une priode

Lalimentation fournit les courants de polarisation des miroirs du haut du schma (chacun des
transistors dun miroir consomme un courant constant I 0 ), ainsi que les courants de collecteur de
Q1 , Q3 , Q5 et Q7 , de forme sinusodale mono alterne dont les valeurs moyennes scrivent
IC1 moy = IC5 moy
Is
628 mA et IC3 moy = IC7 moy
Is
12.6 mA ( I s amplitude crte maximale),
do ICC = 2 I 0 ( miroir ) + 2 I 0 ( miroir ) + IC1 moy + IC3 moy + IC5 moy + IC7 moy .
Le courant constant I 0 doit tre suprieur au courant de base maximum de Q3 de faon
polariser les diodes dans ce cas extrme. Pour cela, lhypothse propose I Dmin 0.6 mA et donc
I0 = IDmin + I B3 max 1 mA avec I B3 max 0.4 mA .
Pfourniemax = ICC VCC 15.42 W , max 0.506 .
Ce calcul correspond au rendement de ltage terminal. Le montage propos montre une

consommation supplmentaire de courants due au pont de polarisation gnrale 10 k/10 k (0.6
mA) et aux amplificateurs de tension. La consommation est essentiellement dfinie par le courant
moyen des transistors de puissance Q1 , Q2 , Q5 , Q6 .
Rgime dynamique aux faibles signaux

6. Schma
+
va
U1
+1
100k
ve
Rch
+
vb
U2
+1
ve
-
vs
100k
200k
100k
7. Evaluation du gain en tension

Les adaptations en tension tant ralises, les tensions vide ( Rch = ), en sortie des montages
inverseur et non inverseur, sont respectivement v a 2 v e et v b 2 v e . Les contre-ractions
tension/courant et tension/tension produisent une trs faible rsistance de sortie (topologies
parallles), ce qui permet dcrire v s = v a v b 4 v e . Ce rsultat est videmment identique
celui trouv dans ltude du rgime pseudo-continu.
Sylvain Gronimi
Page 240
Amplificateur de tension (inspir du LM741 de National Semiconductor)

On considre le circuit intgr de la figure ci-dessous. Le but est de caractriser lamplificateur de
tension, puis dvaluer le produit gain bande passante au sein dune tude aux faibles signaux.
Tous les transistors de type NPN sont supposs identiques ( = 250 , VANPN = 100V ). Pour les
transistors de type PNP, Q3 , Q4 identiques ( ' = 5 , VAPNP trs grand), Q10 , Q11, Q15 identiques
( = 250 , VAPNP = 50V ). Lalimentation symtrique du montage est telle que VCC = 15 V
et la
rsistance de charge se situe hors puce.

+VCC
Q1
Q2
Q11
v1
Q10
v2
Q14
R4
Q3
Q4
R1
57.6k
4.5k
30p
Q7
Q9
R5
Rch
7.5k
Q6
Q13
Q8
Q12
vS
Q15
Q5
R3
R2
9.78k
20k
-VCC
2. Dterminez les courants de collecteur de Q10 et Q13 .
3. Evaluez la tension entre les bases de Q14 et Q15 , puis concluez sur la classe de fonctionnement
du dernier tage.
4. Dessinez le montage dans son rgime.
5. Calculez les courants de collecteur de Q1, Q2 ,Q3 , Q4 , Q5 , Q6 , Q7 , Q8 et Q9 .
6. Evaluez les paramtres rbe et rce des modles des transistors.
7. Evaluez les rsistances dynamiques prsentes par les tages de polarisation Q10 - Q11 - R1 - Q12 Q13 - R2 ( z10 , z13 ), par lensemble Q9 - R4 - R5 entre bases de Q14 - Q15 ( z9 ), ainsi que les
lments de la caractrisation de lensemble Q5 - Q6 ( ze , zs , Ai ).
8. Dessinez le montage dans son rgime.
9. Caractrisez le montage en rgime purement diffrentiel ( Ad , Zd , Zs ).
10. Caractrisez le montage en rgime de mode commun ( Ac , Zc ).
11. Dduisez le taux de rjection de mode commun.
12. Caractrisez ltage de gain en tension Q7 - Q8 ( A v , Z e' , Z s' ).
Sylvain Gronimi
Page 241
Circuits intgrs
Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences hautes)

13. Calculez la frquence de coupure haute du montage, les transistors tant sous leur schma aux
frquences moyennes. Justifiez ce rsultat, puis valuez le produit gain bande du circuit.
14. Ecrivez les expressions des transferts IC3 (VD ) , IC4 (VD ) et I (VD ) de ltage diffrentiel avec I
courant de court-circuit en sortie de ltage. Tracez ces fonctions.
15. Dmontrez quen considrant la zone linaire des transferts, on retrouve lexpression du transfert
en tension vide de ltage diffrentiel obtenu lors de ltude en rgime dynamique aux faibles
signaux. Ecrivez lexpression de la conductance de transfert i (v d ) .
Sylvain Gronimi
Page 242
Circuits intgrs
Corrig
1. Description
Le schma se compose dun circuit de polarisation, dun amplificateur diffrentiel, dun tage de gain
en tension et dun tage de sortie push-pull.
- Le circuit de polarisation est compos dune source de Widlar Q12 - Q13 - R2 et dun miroir de
courant lmentaire Q10 - Q11 polarisant respectivement ltage diffrentiel par le point commun
des bases de Q3 - Q4 et lmetteur commun Q8 . Les courants de ces sources sont rgls par la
rsistance R1 .
-
Ltage diffrentiel est un amplificateur cascode, permettant dobtenir une bande passante plus
leve que le montage traditionnel comportement metteur commun. Les collecteurs communs
Q1 et Q2 sont suivis de bases communes Q3 et Q4 dont la charge dynamique du point
commun des bases est la source de Widlar et la charge dynamique des collecteurs est un miroir
de courant Q5 - Q6 . Le choix de la source de Widlar est, dune part, de polariser ltage dentre
trs faible courant (effet lentille au lieu dun effet miroir) et, dautre part, de prsenter une
charge dynamique trs importante en vue de minimiser au mieux lamplification de mode
commun. La prsence du miroir permet de doubler le courant dynamique traversant la rsistance
interne de cette source, donc de doubler la valeur du gain diffrentiel en tension (condition
vide). Il est remarquer que la sortie de ltage est alors asymtrique.
Ltage de gain en tension, ncessaire pour obtenir un gain global de quelques centaines de
mille, est compos dun collecteur commun Q7 suivi par un metteur commun Q8 dont la forte
charge dynamique est le miroir de courant Q10 - Q11 . Le rle du collecteur commun est
damliorer le transfert en tension entre ltage diffrentiel de forte rsistance de sortie
(amplificateur conductance de transfert) et ltage metteur commun de relativement faible
rsistance dentre.
Ltage de sortie est un tage push-pull srie metteur suiveur complmentaire, car Q14 et
Q15 sont des transistors de type oppos et monts en collecteur commun. Le rle de cet tage
en rgime dynamique est dabaisser la rsistance dynamique en sortie du circuit afin de
satisfaire ladaptation en tension vis--vis de la charge, tout en produisant un courant notoire
dans cette dernire. De plus, cette structure permet une dynamique maximale en sortie par
rapport aux tensions dalimentation. En rgime continu, le point commun de sortie des metteurs
doit tre au potentiel 0 V en absence de dynamique, ainsi pas de courant traversant la charge,
donc dcalage de tension nul (ralisable par une contre-raction totale tension-tension statique).
La structure Q9 - R4 - R5 est un multiplicateur de VBE polaris par le courant du miroir Q10 - Q11 .
Son rle consiste produire une translation de tension continue entre les bases de Q14 et Q15
dont la valeur dfinit la classe de fonctionnement de ltage push-pull (A, AB, B). Pour ce type de
circuit intgr, la classe B est recommande afin de dissiper un minimum dnergie au repos
dune part, et dautre part, de minimiser la distorsion de croisement que produirait ltage de
sortie sans cette translation. La distorsion restante sera fortement rduite par leffet de contreraction d la prsence dlments extrieurs au circuit.
La capacit intgre C est une capacit de compensation par effet Miller sur ltage de gain,
requise pour rtrcir la bande passante de lamplificateur afin que ce dernier soit
inconditionnellement stable. De ce fait, les applications de ce circuit intgr appartiennent au
domaine de lamplification linaire basses frquences, donc non utilisable en fonctionnement en
commutation par manque de rapidit d au phnomne de triangulation (slew rate).
Sylvain Gronimi
Page 243
Circuits intgrs

2. Courants issus des sources
+VCC
VEB11
Q11
Q10
R1
IC10
Ipol
IC13
Q13
R2
I pol
Courant
de
2VCC VEB11 VBE12
o
o
=
500 A
R1
Miroir de courant IC10 I pol 500 A
o
I
R2
pol
IC13 Ln
o
UT
IC13
o
(quation transcendante)
Source de Widlar
Q12
VBE12
-VCC
rfrence
do IC13 10 A
o
3. Multiplicateur de VBE
R
VCE9 = VBE 9 1 + 4 0.96 V
R5
La valeur numrique trouve permet de prciser la classe du push-pull srie, ici classe B. En effet,
cette tension compense les seuils de conduction des deux jonctions base-metteur des transistors
Q14 et Q15 (deux fois 0.5 V) et les valeurs de leurs courants de base ne sont pas significatifs
(absence de ltage push-pull au sein du schma en rgime continu).
4. Schma
Q1
Q2
IC10o
500 A
30 A
30 A
Q3
Q4
25 A
25 A
32 A
VCE9
128 nA
Q7
Q5
Q6
IC13o
10 A
15 V
0A
translateur
de tension
0.96 V
2 A
miroir
Q8
0A
source de
30 A
Widlar
15 V
R3
20k
Les sources dynamiques sont teintes ( v 1 = v 2 = 0 ). Les tages de polarisation sont remplacs
par leur quivalent statique, savoir des sources de courant ( IC10 , IC13 ) et de tension VCE9 . Les
o
deux alimentations continues VCC sont videmment prsentes. Attention, le miroir de courant Q5 Q6 , reprsent sous sa forme originelle, reconduit le courant issu du collecteur de Q3 sa sortie,
Sylvain Gronimi
Page 244
Circuits intgrs
mais nest pas, pour autant, un tage de polarisation. Ltude du pseudo-continu permettra de
mieux saisir son rle.
5. Calcul des courants collecteurs
Pour ltage diffrentiel
VBE1 VBE 2 = VEB4 VEB3
I E = I E3
quations du circuit 1
I E2 = I E 4
I
C13 = I B3 + I B4
+VCC
Q1
Q2
VEB3 VEB4
VBE1
VBE2
Q3
Q Q
2
1
quations technologiques
Q3 Q4
Q4
IC13
I E1
I E2
IE4
I E3
I E1 = I E 2 et I E3 = I E 4 , do IC3 = IC4 =
o
Pour ltage de gain
IC8 = IC10 500 A et I E7 =

o
Pour le multiplicateur de VBE , IC10 = IC9 + I B9 +

o
VBE9
R5
VBE8
R3
'
2
I E1
IE2
I E3
IE4
VBE1 VBE2
UT
VEB3 VEB4
UT
IC13 = 25 A , IC1 = IC2 30 A

o
+ I B8 IC7 32 A
o
IC 9 =
o
+ 1
IC10
o
VBE9
o
418 A
R5
Pour la charge de ltage diffrentiel :

quations technologiques Q5 Q6 IC5 IC6 car VBE5 = VBE6 en ngligeant leffet Early.
IC3 = I B5 + I B6 + IC5
quations des nuds
IC4 = I B7 + IC6
I B5 + I B6 << IC5 et I B7 << IC6 IC5 = IC6 IC4 = 25 A
o
Un quilibrage de ltage peut tre ncessaire car I B5 + I B6 I B7 (voir la structure du 741).

o

6. Paramtres des modles
rbe =
UT
V
, rce A
IC o
IC o
do rbe1,2 209 k , rce1,2 3.34 M , rbe3,4 5 k , rce3,4 ,
rbe5,6 250 k , rce5,6 4 M , rbe7 196 k , rce7 3.14 M , rbe8 12.5 k , rce8 200 k ,
rbe9 15 k , rce9 239 k , rce10 100 k , rbe13 625 k , rce13 10 M
Sylvain Gronimi
Page 245
Circuits intgrs
7. Elments dynamiques demands

Les tages de polarisation sont quivalents des charges dynamiques
R2
z10 = rce10 = 100 k (miroir lmentaire), z13 rce13 1 +
48.5 M (Widlar)
R2 + rbe
13
Le miroir de courant, chargeant ltage diffrentiel, est quivalent un quadriple de transfert en

courant dont les paramtres valent
rbe5
992 , zs = rce6 = 4 M , Ai =
0.992
ze =
+2
+2
Le translateur de tension est quivalent une rsistance z9 de valeur ngligeable devant la
charge z10 mise en srie au niveau du collecteur de Q8 .
z9
R 4 + R5 // rbe9
1 + g m9 (R5 // rbe9 )
112
8. Schma en rgime dynamique
Q1
Q2
z10
v1
miroir
v2
Q3
Q4
Q14
z9
C
Q7
ic3
translateur
de tension
Rch
Q8
ze
zs
Ai ic3
z13
source de
Widlar
Q15
vs
R3
Les rsistances dynamiques des sources dalimentations sont ngligeables (voir cours Les
rgulateurs de tension ). La rsistance dynamique produite par le translateur de tension continu
est ngligeable devant la charge quivalente du miroir mise en srie z9 << z10 et les potentiels
des bases de Q14 , Q15 sont quasiment identiques. Le miroir de courant Q5 - Q6 sera reprsent
par un quadriple de transfert en courant, puisque le courant dynamique issu du collecteur de Q3
est reconduit en sortie la prcision du miroir. Le condensateur C aura un rle jouer
uniquement lors de ltude aux frquences hautes.

Ltude met en oeuvre deux tapes, savoir le calcul du transfert en tension vide et la
rsistance de sortie du circuit, puis le calcul de la rsistance dentre du circuit comprenant cinq
tages par lapplication du thorme de Thvenin (voir annexe Mthode de travail pour la
caractrisation dun circuit complexe ).
Sylvain Gronimi
Page 246
Circuits intgrs
RG
Zs5
Zs2
Zs1
Ze1
vs
Ze5
Ze2
Rch
vg
vs2=A2 vs1
vs1= A1 vg
vs5=A5 vs4
Ltage diffrentiel tant de structure relativement complexe, la mthode du demi-schma est

utilise (voir annexe Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun tage diffrentiel ).
Le circuit tant linaire, deux rgimes sont tudis sparment par application du thorme de
superposition en effectuant deux tapes :
c ltude du rgime diffrentiel issu dune attaque symtrique ( v d 2 ), les sources de mode
commun tant teintes ( v c = 0 ), permettant de caractriser les performances Ad , Zd , Zs ,
d ltude du rgime de mode commun issu dune attaque parallle ( +v c ), les sources
diffrentielles tant teintes ( v d = 0 ), permettant de caractriser les performances Ac , Zc .
ib1
ib2
Q1
Q2
+
- vd /2
vd /2
+
+
vc
vc
Q3
Q4
v
v1 v 2 v1 + v 2
+
= d + vc
2
2
2
ic4
Ai ic3
ze
v1 v 2 v1 + v 2 v d
+
=
+ vc
2
2
2
v2 =
ib3+ib4
ic3
v1 =
zs
vs2
z13
Les transistors Q1 , Q2 dune part et Q3 , Q4 dautre part, tant supposs technologiquement

identiques, les courants dentres se retrouvent, une mme proportionnalit prs, somms dans
la rsistance commune de base z13 . Si les courants sont issus dune attaque en tension
symtrique ( i b1 = i b2 ), il ne passe aucun courant dans z13 et les bases de Q3 et Q4 sont la
masse. Si les courants sont issus dune attaque en tension parallle ( i b1 = i b2 ), le courant dans
z13 est gal 2 i b , en posant i b3 = i b4 = i b , et la rsistance vue par le courant de base de Q3 ou
Q4 est 2 z13 .
Pour chacune des tudes, le choix du demi-schma de droite simpose, puisquil propose la sortie
vers ltage de gain.
Sylvain Gronimi
Page 247
Circuits intgrs
Q1
Q2
Q1
+
vd /2
vd /2
Q2
+
vc
vc
Q3
Q3
Q4
Q4
2 z13
ic3
2 z13
ic3
ic4
ic3 = - ic4
ic4
ic3 = ic4
ze
zs
ze
vs2
zs
Ai ic3
vs2
Ai ic3
9. Caractrisation en rgime diffrentiel

Premire tape : calcul du gain en tension et de la rsistance de sortie du circuit, lattaque tant
une source de tension v d / 2 .
i2
rbe2
i2
- vd /2
A1' =
v s' 1
vd 2
rce2 ( + 1)
rbe2 + rce2 ( + 1)
i0
i2
rbe2
i1
i2
rce2
v0
rce2
Z s' 1
v's1
i + ( + 1)i = i
2
1
0
rbe2
rbe2
v
r
i
Z s' 1 = rce2 //
833
=
0
be2 2
+1 +1
v 0 = rce2 i1

' i4
Z's1
iC4
i4
zs
rbe4
Ai ic3
v's2
Z s' 2
v's1
Sylvain Gronimi
Page 248
Circuits intgrs
v s' = rbe + ( '+1)Z s' i 4

1
4
1
'
v s2 = zs i c 4 Ai i c3 avec i c 4 = i c3 = ' i 4
A2' =
v s' 2
v s' 1
2 ' zs
2 ' zs
+1
3985 , Z s' 2 = zs = 4 M
'
+ ( '+1)Z s1 + 2 rbe4 + ( '+1)Z s' 1
rbe4
Pour valuer Z s' 2 , les deux sources de tensions indpendantes lintrieur du diple sont teintes
( v d / 2 ). Pour le demi-schma de droite reprsent ici, la source v s' 1 = A1' ( v d 2) tant gale
zro, le courant i 4 est inexistant et i c 4 = 0 . Un mme raisonnement sur le demi-schma de

gauche conduit i c3 = 0 . Les sources lies ' i 4 et Ai i c3 ne dbitant aucun courant, le courant
i 0 , produit par la source de tension v 0 applique lentre du diple, traverse intgralement la
rsistance zs .
Pour ltage de gain en tension, lattaque est produite par lquivalent de Thvenin de ltage
diffrentiel.
rbe7
i7
Z's2
rce7
R3
v's3
Z s' 3
i7
v's2
A3' =
v s' 3
v s' 2
( + 1) (R3 // rce )
+ rbe + ( + 1) (R3 // rce
7
Z s' 2
0.543 , Z s' 3 = rce7 // R3 //
Z s' 2 + rbe7
+1
9080

i8
Z's3
rce8
rbe8
z10
i8
v's4
Z s' 4
v's3
A4' =
v s' 4
v s' 3
rce8 // z10
rbe8 +
Z s' 3
) 772 , Z '
s4
= rce8 // z10 66.7 k
Pour ltage push-pull srie, les transistors, monts en collecteur commun, travaillent forts
signaux alternativement pendant une demi priode, Q14 amplifiant le signal positif pendant que
Q15 est bloqu, puis inversement. Pour ltude dynamique, on utilisera la caractristique linaire
par morceaux de la diode base-metteur la place de la fonction exponentielle afin dobtenir une
valeur approche de r be14 et rbe15 (valeur relativement faible). Chaque transistor produit un gain en
Sylvain Gronimi
Page 249
Circuits intgrs
courant gal -(+1) pendant sa dure de conduction. Le transfert en tension et la rsistance de

sortie sont valus sans la charge, toujours tage non charg.
( + 1)rce14
v s' 5
1
A5' = ' = '
v s4
Z s4 + rbe7 + ( + 1)rce14
(ou Q15 )
Z s' 4 + rbe7
Z s' 4
'
Z s5 = rce14 // + 1 + 1 266
Le gain en tension de la chane non charge par Rch scrit
v s' 5
vd 2
v s' 5 v s' 4 v s' 3 v s' 2
v s' 1
v s' 4 v s' 3 v s' 2 v s' 1 v d 2
= A5' A4' A3' A2' A1'
Le gain diffrentiel en tension et la rsistance de sortie du circuit intgr sont dfinis par
v s'
A' A' A' A' A'
Ad = 5 = 1 2 3 4 5 835000 (118.4 dB), Z s = Z s' 5 266 .
vd
2
Pour ltage push-pull srie, la rsistance dentre Z e' 5 Rch 2.5 M est trs importante.
i14
rbe14
i14
Z e' 5
rce14
Rcharge
Pour ltage de gain en tension, lmetteur commun prsente la diode dentre de Q8 vue de sa
base, soit Z e' 4 = rbe8
i8
Z e' 4
rbe8
rce8
z10
Z'e5
i8
et le collecteur commun Z e' 3 = rbe7 + ( + 1) rce7 // R3 // Z e' 4 2.12 M .

i7
rbe7
Z e' 3
Sylvain Gronimi
i7
Page 250
rce7
R3
Z'e4
Circuits intgrs
Pour ltage cascode, le base commune prsente la diode dentre de Q4 vue de son metteur,
soit Z e' 2 =
rbe4
'+1
833 .
iC4
' i4
i4
Z e' 2
zs
rbe4
Z'e3
Ai ic3 = 0
rbe4
r
rbe + ( + 1) be4 418 k .

et le collecteur commun Z e' 1 = rbe2 + ( + 1) rce2 //
2
' +1
'+1
i2
rbe2
Z e' 1
i2
rce2
Z'e2
La rsistance Z e' 1 tant vue par la source de tension v d / 2 , la rsistance diffrentielle dentre
vue par la source v d est
Z d = 2 Z e' 1 4 rbe2 836 k
car ( + 1)
rbe4
'+1
U
U
U
+ 1 UT
= ( + 1) T = ( + 1) T = T = rbe2
' +1 I B 4
IE4
I E2
I B2
0
La reprsentation de lamplificateur intgr de tension dans son rgime purement diffrentiel est
une source de tension contrle par la tension diffrentielle applique sur la branche contrlante
supportant Z d .
(+)
B1
Zs
Zd
vd
(-)
vs
Rch
Ad v d
B2
En constatant lorientation de la tension v d et la valeur algbrique du transfert ( Ad > 0 ), il en

dcoule que les entres en base de Q1 et de Q2 correspondent respectivement aux bornes non
inverseuse et inverseuse de lamplificateur. Enfin, la tension en charge v s dcoule de ladaptation
en tension, cest--dire
vs =
Rch
Ad v d Ad v d car Z s << Rch
Z s + Rch
10. Caractrisation en rgime de mode commun

Premire tape : calcul du gain en tension et de la rsistance de sortie, lattaque tant une source
de tension v c .
Sylvain Gronimi
Page 251
Circuits intgrs
Pour ltage collecteur commun, mmes rsultats avec les notations A1'' =
v s''1
vc
( A1' ) et Z s''1 Z s' 1
Pour ltage pseudo-base commune
' i4
Z''s1
iC4
i4
zs
rbe4
Ai ic3
v''s2
Z s'' 2
v''s1
2 z13
v s'' = ( '+1)Z s'' + rbe + 2 z13 i 4

1
1
4
''
v
z
i
A
i
i c3 = i c 4 = ' i 4
=
avec
s1
s c4
i c3
v s''
' zs
' zs
2
A2'' = 2 =
1.64 10 3 , Z s''2 = zs = 4 M
v s''1 rbe4 + ( '+1)Z s''1 + 2 z13 + 2 ( + 2) z13
Pour ltage de gain en tension et ltage push-pull, les rsultats analytiques sont identiques ceux
v s''
trouvs lors de ltude du rgime diffrentiel avec les notations Ai'' = '' i Ai' et Z s''i pour i =3 5.
v si 1
Le gain scrit
v s'' 5
vc
= A5'' A4'' A3'' A2'' A1'' = Ac 0.69 , gain en tension en rgime de mode commun et
la rsistance de sortie du montage est Z s = Z s''5 Z s' 5 .

Pour les tages push-pull et gain en tension, les rsistances dentre demeurent inchanges
Z e''5 Z e' 5 , Z e'' 4 Z e' 4 , Z e'' 3 Z e' 3 .
Pour ltage cascode, le schma du base commune charges rparties est modifi par la
prsence de la rsistance 2 z13 en srie avec la rsistance rbe4 , ce qui conduit remplacer rbe4
par rbe4 + 2 z13 dans les expressions analytiques
rbe4 + 2 z13
rbe + 2 z13
.
et Z e''1 = rbe2 + ( + 1) rce2 // 4
'+1
'+1
La rsistance de mode commun, vue par la source de tension v c dans le contexte du demischma, est donc Z c = Z e''1 688 M .
soit Z e'' 2 =
La reprsentation de lamplificateur intgr de tension dans son rgime de mode commun est une
source de tension contrle par la tension de mode commun applique sur la branche contrlante
supportant Z c , schma vu des bases de Q1 ou Q2 .
Sylvain Gronimi
Page 252
Circuits intgrs
B1 ou B2
Zs
Zc
vc
vs
Rch
Ac v c
11. Taux de rjection de mode commun

Les gains de transfert en tension sont Ad =
v s' 5
vd
v s''
A1' A2' A3' A4' A5'
et Ac = 5 = A1'' A2'' A3'' A4'' A5'' .
vc
2
La tension obtenue en fin de chane est la somme des tensions de sortie vide issues des deux
rgimes (thorme de superposition), soit v s5 = v s' 5 + v s'' 5 = Ad v d + Ac v c et la qualit de
lamplification diffrentielle par rapport lamplification du mode commun est exprime par la
valeur du taux de rjection de mode commun TRMC =
Ad
A2'
=
, soit 122 dB. Il est vident que
Ac
2 A2''
ce TRMC est produit par ltage diffrentiel, comme le prouve son expression analytique.
La valeur trouve est trop leve pour un amplificateur de ce type. Le fait davoir nglig le
paramtre rce des modles de Q3 et Q4 augmente la valeur de Ad et diminue celle de Ac , ce
qui explique cette performance.
12. Caractrisation de ltage de gain
On considre le quadriple caractrisant ltage de gain en tension Q7 ,Q8 , attaqu par
lquivalent de Thvenin de ltage diffrentiel et charg par la rsistance dentre de ltage
push-pull Z e' 5 tant trs importante devant Z s' 4 .
Zs2
vs2
Zs4
Zs3
Ze3
Ze5
Ze4
vs4=
A4 vs3
vs3=
A3 vs2
Le gain de transfert en tension Av aux frquences moyennes (absence de C) doit tre exprim en
terme de source lie la tension v de la branche contrlante supportant Z e' 3 afin de respecter la
modlisation du quadriple (voir cours La caractrisation dun amplificateur linaire ). La
caractrisation de ltage devient alors :
Zs'
Z e' = Z e' 3 2.12 M , Z s' = Z s' 4 66.7 k << Z e' 5 2.5 M , A v = 1 + ' 2 A3' A4' 1209
Z e3
13. Evaluation de la frquence de coupure haute (frquences hautes)

La caractrisation de ltage de gain va permettre une approche rapide du comportement en
frquence du circuit. Sous lhypothse dobtenir la frquence de coupure -3 dB uniquement par
la prsence du condensateur C, le schma quivalent du systme est alors du premier ordre (un
seul condensateur).
Sylvain Gronimi
Page 253
Circuits intgrs
i0
v
Zs
Zs2
v0
Ze
Ze5
Av v
Av v
vs2
Ze // Zs2
Zs
Le condensateur voit ses bornes une rsistance (diple de Thvenin)

1
fh =
3.16 Hz
RC0 = Z s' + Z s' 2 // Z e' 1 A v 1680 M
2 RC0 C
)(
La constante de temps produisant la frquence trouve est de valeur norme devant la somme de
toutes les constantes de temps vide produites par les capacits parasites des transistors et
lapplication de la mthode du ple dominant donne (voir Annexes ) :
f1
1
fh
2 a1
avec a1 = RC0 C +
15
i =1
0
Rbe
Cbei +
i
15
R
i =1
0
bc i C bc i
RC0 C
Lamplificateur de tension diffrentielle se comporte comme un circuit du premier ordre de gain en

Ad
boucle ouverte G( p ) =
avec Ad 118 dB et fh 3.16 Hz .
f
1+ j
fh
La faible frquence de coupure haute permet datteindre un gain unit avec une pente de 20 dB
par dcade dans le plan de Bode. Cette compensation rend le circuit inconditionnellement stable.
Le produit gain en tension (en units et non en dB) frquence de coupure haute (proprit dun
systme du premier ordre) permet de chiffrer la frquence de transition ft = Ad fh 2.64 MHz .
150
232.631m, 118.205)
(42.658K, 115.209)
100
(3.2359, 115.204)
amplificateur
non compens
amplificateur compens
(C = 30 pF)
50
- 40 dB / dcade
- 20 dB / dcade
0
(2.6510M, 8.2797m)
-50
100mHz
1.0Hz
DB(V(s))
10Hz
100Hz
1.0KHz
10KHz
100KHz
1.0MHz
10MHz
100MHz
Frequency
Si la capacit C de compensation tait absente, linfluence conjugue du montage metteur

commun Q8 (voir le problme Rponse en frquence dun metteur commun ), et du montage
base commune Q4 cumulant sur sa forte charge de collecteur les capacits parasites du miroir et
de lentre de Q7 , produirait la frquence de coupure haute. La prsence de ces ples rend le
systme instable comme le montre la simulation.
Sylvain Gronimi
Page 254
Circuits intgrs
Etude du rgime pseudo continu
+VCC
Q1
VD
Q2
VBE1
VBE2
VEB3 VEB4
Q3
IB4
IB3
Q4
IC4
IC3
I
IC5
IC6
Q5
Q6
VBE5
IC13o
10
VBE6
-VCC
14. Expressions des transferts courant / tension
Q Q
2
1
Q3 Q4
Q5 Q6
VBE1
I E ( + 1) I BS e UT
1
VBE2
UT
+
I
I
e
(
1
)
BS
E2
I E
3
I E 4
IC
5
IC6
' e
( '+1) I BS
' e
( '+1) I BS
I BS e
I BS e
VEB3
UT
VEB4
(technologie)
UT
VBE5
UT
VD = VBE + VEB VEB VBE

1
3
4
2
I E1 = I E3
I E 2 = I E 4
(circuit)
IC13o = I B3 + I B4
VBE5 = VBE6
IC3 IC5
I = I I
C4
C6
VBE6
UT
A partir des quatre premires quations du circuit, on obtient :

I E1 = I E3
I E 2 = I E 4
I E1
I E3
VD = UT Ln I + Ln I
E2
E4
' I
=
+
I
I
C3
C4
C13o
' IC13
o
IC3
VD
IE
VD
I
C
3
3
= e 2 UT =
1 + e 2 UT
I E 4
IC4
' IC13
' I
o
C13o = IC3 + IC4
IC4
VD
1 + e 2 UT
et laide des trois dernires
' IC13
' IC13
V
IC5 = IC6
o
o
I
= ' IC13 th D
VD
VD
o
I
I
I
4
UT
C4
C3
1 + e 2 UT 1 + e 2 UT
Sylvain Gronimi
Page 255
avec ' IC13 = 50 A

o
Circuits intgrs
linarisation
du transfert
50uA
Q4 satur
Q3 satur
25uA
(111.0E-18, 24.913u)
0A
Q3 bloqu
Q4 bloqu
(111.0E-18, -37.759n)
-25uA
linarisation
du transfert
-50uA
-400mV
IC(Q3)
-300mV
IC(Q4)
-200mV
-100mV
IC(Q4) - IC(Q3)
0V
100mV
200mV
300mV
400mV
VD
15. Retour ltude dynamique aux faibles signaux

Expression de v s' 2 v d (tension vide)
La polarisation est obtenue pour VD = 0 , soit IC3 = IC4 =
' IC13
o
.
2
Les pentes des transfert au point de polarisation sont telles que
V
e 2 UT
' IC13
' IC13
iC
iC4
dIC3
2
U
o
o
T
=
= 3 et
= ' IC13
=
.
2
o
8
U
v
v
8
U
V
dVD V =0
D
T
d
d
T
1 + e 2 UT
VD =0
i C3 = i C 4 =
' IC13
8UT
vd =
IC 4
4UT
vd =
'
gm
vd
4
Le transfert en tension de ltage diffrentiel v s' 2 v d vide scrit

iC4
rce6
v's2
v s' 2 = rce6 ( i c 4 Ai i c3 ) 2 rce6 i c 4
Ai ic3 ic3
v s' 2
vd
'
gm
rce6
La relation obtenue dans ltude du rgime dynamique purement diffrentiel aux faibles signaux
est rapporte ci-dessous
v s' 2
vd
A1' A2'
Sylvain Gronimi
' rce6
rbe4 + ( '+1)
rbe2
avec
rbe2
+1
+1
Page 256
rbe4
UT
U
U
UT
= T = T =
=
IE2
IE4
( + 1) I B2
( '+1) I B4
( '+1)
o
Circuits intgrs
ce qui conduit au mme rsultat.

Expression de i v d (courant de court-circuit)
I ' IC13 th
o
VD
pour v d (t ) << 4 UT
4 UT
i
rce6
Sylvain Gronimi
v's2
v
th d
4 UT
v
d
4 UT
' IC13
g'
i
o
=
= m (ou encore i iC4 iC3 )
4UT
2
vd
Page 257
Circuits intgrs
Amplificateur de tension TL071 (technologie BiFet)

La figure 1 reprsente le schma lectrique simplifi du circuit intgr TL071 de Texas Instruments.
Les tages de polarisation sont prsents sur la forme de sources de courant I1 et I 2 dont la
conception est dtaille la figure 2. Les types de transistors sont supposs technologiquement
identiques et possdent les caractristiques (effet Early nglig)
= 250 ( >> 1) , VBE0 0.6 V (JBT) et I DSS = 200 A , VP = 3 V (JFET).

Ltude porte ici sur le rgime continu.
Comprhension du schma (figure 1)
1. Donnez une description prcise du circuit. Prouvez que ce dernier est bien un amplificateur de
tension.
2. Montrez que les bornes in + et in - correspondent respectivement aux entres non
inverseuse et inverseuse du circuit.
Conception du circuit de polarisation (figure 2)
3. Evaluez les rsistances R6 et R7 afin dobtenir les courants I1 et I 2 de lordre de 160 A et de
250 A respectivement.
4. Trouvez la relation donnant la valeur minimale des tensions dalimentation VCC en fonction de la
tension de pincement VP du JFET et de la tension zener VZ de la diode D1 , ceci en maintenant le
courant de drain de J 3 inchang.
Le circuit est aliment par deux sources symtriques de tension VCC = 15 V et les entres sont
connectes la masse. Ltage push-pull consomme alors des courants IC8 = IC9 = 25 A .
5. Dessinez le schma et indiquez dessus toutes les variables de polarisation. Constatez que le
choix de la topologie du miroir chargeant valeur ltage diffrentiel, conduit un meilleur
quilibrage de la polarisation de ce dernier.
6. Evaluez le courant continu dalimentation ICC du circuit sans charge ( Vout = 0 ) et dduisez la
puissance dissipe.
Une tension continue est applique lentre de lamplificateur telle que Vin + = VD et Vin = 0
(masse), la sortie tant charge par une rsistance Rch = 2 k .
7. Dterminez le domaine des valeurs de VD produisant un courant maximal de drain pour ltage
diffrentiel.
8. Pour VD = 5 V , valuez les courants et potentiels de nuds du schma en prcisant ltat des
transistors.
Sylvain Gronimi
Page 258
Circuits intgrs
+ VCC
I2
I1
Q8
in -
J1
J2
R4
64
Q7
out
in +
Q6
R5
64
R3
10k
Q9
Q3
Q4
Q1
Q2
Q5
R2
50k
R1
50k
- VCC
Figure 1
+ VCC
R6
Q11
Q12
Q10
I1
I2
J3
Q13
D1
R7
5.6V
- VCC
Figure 2
Sylvain Gronimi
Page 259
Circuits intgrs
Corrig
1. Description
Le schma se compose dun circuit de polarisation, dun tage diffrentiel associ un transfert
dynamique de courant et dun tage de tension.
- Le circuit de polarisation doit produire les courants I1 et I 2 alimentant respectivement un
tage diffrentiel et un tage de tension. Sa conception (figure 2) fait apparatre un rptiteur
de courant, association dune source de Widlar Q10 - Q12 - R6 et dun miroir de courant
lmentaire Q11 - Q12 , dont le courant de rfrence est fourni par le circuit Q13 - R7 - D1 - J 3
(explication plus loin).
- Ltage diffrentiel J1 - J 2 est comportement source commune (canal P), attaquant en
courant un miroir Q1 - Q2 - Q3 - R1 transistors NPN. Leffet miroir a pour but de doubler le

transfert en courant de ltage en rgime dynamique aux faibles signaux.
Ltage de tension utilise un montage metteur commun Q5 , adapt par le montage
collecteur commun Q4 en amont pour un meilleur transfert de tension et par un tage pushpull srie Q8 - Q9 en aval pour une sortie amplitude optimale et
basse rsistance (montage suiveur complmentaire). Les
rsistances R 4 et R5 , de faible valeur, limitent le courant de
sortie.
- Ltage push-pull est polaris en classe B/AB par le translateur
Q7
de tension Q6 - Q7 - R3 . Ce translateur est constitu dune paire
VBE7
Q6
de Darlington avec le premier transistor mont en diode et dune
VBE6
rsistance dviant une partie du courant de base du second
R3
transistor. Lintrt par rapport deux transistors monts en
diode rside dans une occupation de surface moindre pour la
paire Darlington. Le dcalage en tension est de lordre de 2VBE .
Nous sommes donc en prsence dun amplificateur de tension de rsistance dentre diffrentielle
trs importante (JFET) et de faible rsistance de sortie.
2. Entres non inverseuse et inverseuse
Appliquons une tension alternative lentre de ltage diffrentiel, la grille de J1 tant la masse
et intressons-nous la phase du signal recueilli en sortie des tages successifs. Ltage source
commune J 2 inverse la phase, ltage collecteur commun Q4 la conserve, ltage metteur
commun Q5 inverse nouveau la phase et ltage push-pull suiveur Q8 - Q9 la conserve. La
tension de sortie est donc en phase avec la tension dentre et la borne non inverseuse est bien la
grille de J 2 .
Conception du circuit de polarisation

3. Evaluation des rsistances R6 et R7
Le rptiteur de courant utilise un effet miroir ( Q11 - Q12 ) tel que I 2 IC13 , ainsi quun effet lentille
( Q10 - Q12 - R 6 ) tel que IC13 I1 e
Sylvain Gronimi
R6 I1
UT
(voir cours).
Page 260
Circuits intgrs
Or I E13 =
VZ VBE13
R7
IC13 R7
VZ VBE13
I2
= 20 k et R6
UT
I
Ln 2 70 .
I1
I1
4. Valeur minimale de la tension VCC

V
Le modle de comportement des JFET canal P est donn par lquation I D = I DSS 1 GS
VP
les tensions VGS et VP > 0 et telles que 0 VGS VP .
avec
Puisque VGS3 = 0 , alors I D3 = I DSS , courant de polarisation de la diode zener. Le transistor J 3

fournit ce courant condition de se situer dans sa zone de saturation, cest--dire VDS3 VP . Or
2VCC = VZ VDS3
2VCC VZ VP do VCC
VP + VZ
.
2
Lintrt de ce systme est de proposer un choix de lalimentation symtrique VCC tout en

conservant la mme polarisation du circuit intgr condition que VCC 4.3 V .
+ 15 V
R6
70
25
Q11
14.4 V
Q10
13
160
Q12
250
100 n
Q8
- 1.1 V
J1
J2
R4
Q7
250
1.2 V
80
50 n
100 n
52 n
Q3
Q1
Q4
- 13.8 V
320 n 320 n
Q9
250
200
Q5
12
R1
R2
50k
50k
- 9.4 V
Q13
- 10 V
- 14.4 V
Q2
12
R5
R3
12.6
- 13.8 V
J3
Q6
80
+ 15 V
25
R7
D1
5.6 V
20k
- 15 V
5. Evaluation des variables de polarisation

Pour ltage diffrentiel ( J1 J 2 ),
Sylvain Gronimi
Page 261
Circuits intgrs
I D = I DSS 1 GS1
1
VP
J1 J 2
et VGS1 VGS2 = 0 (topologie)
2
VGS2
I D2 = I DSS 1
VP
I D1,2
I
I D1 = I D2 = 1 = 80 A et VGS1 = VGS2 = VP 1
1 .1 V .
I DSS
2
VBE1
I I e UT
BS
C
Q1 Q2 1
et VBE1 VBE 2 = 0 (topologie) I B1 = I B2 et IC1 = IC2 avec leurs
VBE2
IC2 I BS e UT
potentiels de collecteur 2VBE au dessus de VCC , soit 13.8 V.
Lquilibrage statique de ltage impose alors que I B3 = I B4 avec des transistors supposs
identiques ( >> 1 ), puisque I D1 = IC1 + I B3 et I D2 = IC2 + I B4 .
La topologie du miroir permet dapprocher cet quilibre puisque
VBE 5
VBE1 I1 VBE1
I
et I E 4 = 2 +
avec R = R1 = R2 .
I E3 = I B1 + I B2 +
+
R
R1
R
Comme
I1
et
I2
<<
VBE
12 A I E3 I E 4 , donc I B3 I B4 .
R
6. Calcul de la consommation du circuit

+
Lalimentation au dessus de la masse fournit ICC
= IE10 + IC4 + IC11 + IC8 + I E12 + I D1 898 A . De
mme, lalimentation sous la masse fournit ICC

= I E1 + I E 2 + I R1 + I R2 + I E5 + IC9 + I E13 + I Z 909 A .
+
+ ICC
1.8 mA et Pcontinue = 2VCC ICC 54 mW .
do ICC = ICC
7. Dtermination du domaine de VD
I1
VGS1
VD = VGS2 VGS1
I D1,2
VGS1,2 = VP 1
I DSS
I1 = I D1 + I D2
VGS2
J1
ID1
J2
ID2
VD
Le courant de drain dun transistor est maximal lorsque lautre transistor ne produit aucun courant.
I1
Si J1 est bloqu, I D1 = 0 pour VGS1 VP et I D2 = I1 avec VGS2 = VP 1
0.32 V tel que
I DSS
0 VGS2 < VP , do VD VP
Sylvain Gronimi
I1
I DSS
Page 262
Circuits intgrs
I1
Si J 2 est bloqu, I D2 = 0 pour VGS2 VP et I D1 = I1 avec VGS1 = VP 1
I DSS
I1
0 VGS1 < VP , do VD VP
I DSS
0.32 V tel que
Le domaine des tensions est donc VD 2.68 V .

8. Evaluation des courants et potentiels de nuds pour VD = 5 V
Comme VD > 2.68 V , ltage diffrentiel prsente un transistor JFET bloqu, lautre transistor
fournissant un courant de drain de 160 A associ une tension grille-source de 0.32 V (voir
ltude prcdente).
Premier cas : VD = 5 V
+ 15 V
R6
70
Q11
14.4 V
Q10
160
Q12
250
40 m
- 13.8 V
- 5.32 V
J1
250
J2
Q7
-5V
- 14.4 V
160
+ 15 V
Q6
- 13.4 V
Q3
0
Q1
28
160
Q4
Q9
278
R7
200
2k
Q5
16
R1
R2
50k
50k
- 9.4 V
Q13
- 10 V
40 m
- 14.2 V
Q2
-15 V
J3
R5
64
R3
0
7m
-14 V
7m
R7
D1
20k
40.3 m
- 15 V
J1 est bloqu ( I D1 = 0 ), J 2 conduit ( I D2 = 160 A , VGS2 0.32 V ) et VGS1 = VGS2 VD 5.32 V .
Le miroir Q1 - Q2 - Q3 - R1 renvoyant un courant nul, le courant de base de Q4 est gal 160 A et

son courant de collecteur est de lordre de 40 mA. En constatant que le courant circulant dans la
rsistance R 2 est de faible valeur devant le courant metteur de Q4 , I B5 40 mA et, de ce fait,
Q5 est satur ( VCE5 trs faible). Ltage push-pull est tel que Q8 est bloqu et Q9 conduit. La
maille de sortie scrit alors VCC = VCE5
sat
+ VEB9 + (R5 + R7 )I E9 et Vout = R7 I E9 , do IE9 7 mA
et Vout 14 V . La sortie est ltat de saturation ngative.

Puisque I B9 28 A , IC5 = IC11 + I B9 278 A . Constatons alors que le rapport IC5 I B5 7 10 3
est diffrent de . Cette trs faible valeur de forc conduit VCE5 0 V , ce qui corrobore ltat de
saturation de Q5 .
Sylvain Gronimi
Page 263
Circuits intgrs
Deuxime cas : VD = 5 V
+ 15 V
R6
7m
70
Q11
14.4 V
Q10
160
Q12
28
28
15 V
Q8
0
0
- 0.32 V
J1
J2
5V
160
14 V
+ 15 V
Q6
160
Q2
200
Q5
R1
R2
50k
50k
- 9.4 V
- 10 V
- 15 V
Q1
J3
R7
Q13
Q4
-14.4 V
7m
2k
R3
- 15 V
Q3
250
R4
64
Q7
R7
D1
20k
- 15 V
J 2 est bloqu ( I D2 = 0 ), J1 conduit ( I D1 = 160 A , VGS1 0.32 V ) et VGS2 = VGS1 + VD 5.32 V .
Or, la loi du nud de sortie de ltage diffrentiel impose que I B4 = I D2 IC2 IC2 . Le sens des
courants de Q2 et Q4 est incompatible pour des transistors de type NPN car I B4 doit se diriger
vers la base de Q4 , do I B4 0 et IC2 0 . Lensemble Q1 - Q2 - Q3 - R1 ne travaille plus en effet
miroir et Q4 est bloqu. Aucun courant ne circulant dans R2 , Q5 est aussi bloqu et le
translateur de tension nest plus aliment. Le courant de collecteur de Q11 sidentifie alors au
courant de base de Q8 . Ltage push-pull est tel que Q8 conduit et Q9 est bloqu. La maille de
sortie scrit alors VCC = VEC11 + VBE8 + (R 4 + R7 )I E8 et Vout = R7 I E8 , do I E8 7 mA et
sat
Vout 14 V . La sortie est ltat de saturation positive.

Constatons que I B8 28 A et IC11 I B8 . Q11 ne fournit plus le courant I 2 et son tat de
saturation conduit un forc = IC11 I B11 < , cest--dire un courant de base nettement plus
important. Le courant de rfrence du rptiteur distribue les courants suivant la loi du nud
IC13 = IC12 + I B12 + I B11 + I B10 = 250 A . Laugmentation de I B11 a pour consquence une diminution
des autres courants, en particulier celle du courant de polarisation I1 de ltage diffrentiel. Cette
modification ne change en rien le niveau de tension en sortie puisque Q4 est toujours bloqu.
Ainsi, la tension de sortie de lamplificateur en boucle ouverte est Vout = Vsat avec Vsat = 14 V
dans une condition de charge de 2 k et pour toute tension dentre telle que VD 2.68 V .
Sylvain Gronimi
Page 264
Circuits intgrs
Amplificateur intgr de type Norton (LM359 de National Semiconductor)

On considre le circuit intgr (CI) de la figure ci-dessous. Tous les transistors sont supposs
technologiquement identiques de caractristiques = 200, VA = 100 V , VBEo 0.6 V .
Au sein des calculs, le paramtre est considr comme grand (courants de base ngligs).
La notation suivante est utilise pour les variables entre/sortie (superposition des rgimes continu et
dynamique), savoir i + (t ) = I1 + i1(t ) , i (t ) = I 2 + i 2 (t ) , v out (t ) = VS + v s (t ) .
+VCC
12 V
Q10
Q12
Q11
R1
Q5
5.7k
Q6
Q4
out
Q7
i-
(-)
(+)
vout
+VCC
Q3
i
R2
Q8
19k
Q14
Q1
Q2
Q9
Q13
Q15
Comprhension du circuit
3. Calculez les valeurs des courants de collecteur de Q10 , Q11 , Q13 , Q14 , Q3 , Q4 , des potentiels de
nuds dentres (+), (-) de la base et de lmetteur de Q4 .
On modlise le CI limage du schma qui suit.
(-)
I2
IB3
VBE3
out
I1
VS
(+)
I1
VBE1
Sylvain Gronimi
Page 265
Circuits intgrs
4. Expliquez la prsence des lments de cette modlisation.

5. Evaluez les paramtres rbe , rce des modles des transistors Q3 , Q4 , Q5 , Q6 et rbe7 , rbe8 , rbe9 ,
rce10 , rce11 , rce13 , rce14 des transistors associs.
6. Prouvez par le calcul que la rsistance dynamique vue entre base de Q4 et la masse est de
valeur ngligeable devant rbe4 .
7. Dessinez le schma du circuit.
8. Ecrivez les expressions du transfert Rt = v s (i1 i 2 ) et de la rsistance de sortie du montage non
charg.
On modlise le CI limage du schma qui suit.
i2
(-)
out
Ze2
vi1
Zs
vs
Av v -
i1
(+)
v+
Ze1
9. Identifiez les lments Z e1, Z e2 , Z s , Av du modle et valuez Z e2 , Z s , Av .
Sylvain Gronimi
Page 266
Circuits intgrs
Corrig
1. Description
Le schma se compose de deux tages de polarisation, dun tage cascode attaqu par un courant
diffrentiel obtenu par un miroir de courant et dun tage darlington en sortie.
- Les circuits de polarisation, rptiteurs de courant, sont lassociation de deux miroirs de courant
lmentaires. Le rptiteur Q10 - Q11 - Q12 fournit deux courants sortants (transistors PNP) rgls
par la rsistance R1 . Le courant issu de Q10 impose les courants de collecteur des transistors
Q3 , Q4 et le courant issu de Q11 polarise trois transistors monts en diode ( Q7 , Q8 , Q9 ) et mis
en srie, produisant une translation des potentiels continus de la base de Q4 3VBE et du
collecteur de Q3 2VBE par rapport la masse. Le rptiteur Q13 - Q14 - Q15 fournit deux
courants entrants (transistors NPN) rgls par la rsistance R2 . Les courants issus de Q13 et
Q14 polarisent respectivement les tages collecteur commun Q5 et Q6 .
-
Le miroir de courant Q1 - Q2 , inversant le sens de son courant dentre, permet de constituer un

courant diffrentiel partir des courants issus des bornes dentre du CI.
Lassociation des tages metteur commun Q3 et base commune Q4 charg par la source de
courant ralise un montage cascode impdance de sortie leve. Les tages collecteur
commun Q5 et Q6 se comportent en suiveur par la prsence des charges dynamiques
dmetteur et en abaisseur dimpdance. La sortie du CI est alors adapte en tension.
La tension de sortie est proportionnelle la diffrence des courants des entres. Le CI est donc un
amplificateur rsistance de transfert, appel aussi amplificateur de Norton.
2. Schma
+VCC
2 mA
IC10
2 mA
IC11
Q5
Q6
1.8 V
Q4
out
1.2 V
2 mA
(-)
(+)
I2
Q7
0.6 V
Q3
VS
Q8
I1
IC13
Q1
Sylvain Gronimi
Q2
Q9
Page 267
0.6 mA
IC14
0.6 mA
Circuits intgrs
3. Evaluation des courants et potentiels de noeuds

Rptiteur de courant PNP (effet miroir) :
VCC VEB12
o
I R1 =
= 2 mA et IC10 IC11 = IC4 IC3 2 mA
o
o
o
o
R1
Rptiteur de courant NPN (effet miroir) :
VCC VBE15
o
I R2 =
= 0.6 mA et IC13 IC5 IC14 IC6 0.6 mA
o
o
o
o
R2
Potentiels de nuds :
V + = VBE1 0.6 V , V = VBE3 0.6 V , VB4 = 3VBE o 1.8 V , VC3 = 2VBEo 1.2 V
o
avec VBEo = VBE7 = VBE8 = VBE9 .

o
4. Explication des lments du modle

Lentre (+) prsente le transistor Q1 mont en diode en parallle sur la jonction base-metteur
de Q2 , ce qui est toujours lquivalent statique dune diode passante avec une tension de 0.6 V
ses bornes. Entre lentre (-) et la masse, la sortie du miroir de courant Q1 - Q2 est quivalente
une source de courant continue inversant le courant dentre I1 . Cette source est en parallle sur
la jonction base-metteur de Q3 . Notons que ce miroir est indpendant de leffet Early puisque
VBC2 0 V , donc VCE1 = VCE 2 0.6 V .
Le potentiel de sortie VS dpendra du montage externe et sera gnralement amen la moiti
de la tension dalimentation, cest--dire VS VCC 2 , permettant aussi une dynamique de sortie
optimale (voir applications de lamplificateur Norton ).

rbe
UT
V
, rce A
IC o
IC o
do r be3 r be4 2.5 k , rce3 rce4 50 k ,
' 2.5 k
rbe5 = rbe6 8.33 k , rce5 = rce6 167 k , rbe7 = rbe8 = rbe9 = rbe
et posons z10 = rce10 50 k , z11 = rce11 50 k , z13 = rce13 167 k , z14 = rce14 167 k .
6. Transistor Q4 en base commune

Les trois transistors Q7 , Q8 , Q9 , monts en diode et mis en srie, composent une rsistance
dynamique quivalente 3
'
U
rbe
37.5 (ou 3 T ). La rsistance vue entre base de Q4 et la
IC11
+1
o
r'
masse scrit z 4 = 3 be // rce11 , valeur trs faible devant la rsistance de jonction rbe4 situe en
+1
srie ( 2.5 k >> 37.5 ). La base du transistor Q4 tant, pour ainsi dire, connecte la masse,
ltage correspond un montage base commune.
Sylvain Gronimi
Page 268
Circuits intgrs
7. Schma
z10
Q5
Q4
Q6
i2
(-)
z13
Q3
z14
vs
i1
(+)
Q1
Q2
8. Expressions du transfert et de la rsistance de sortie

Afin de trouver lquivalent du diple de sortie du montage sous la forme Thvenin (ici rsistance
de transfert), rappelons quune mthode de travail consiste reprsenter la sortie dun tage
lmentaire non charg sous la forme quivalente dun diple de Thvenin ( v s , Z s ) ou de Norton
( i s , Z s ) suivant le cas, tude effectue du premier tage au dernier. A chaque tape, le diple
obtenu attaque ltage lmentaire suivant. Les tapes successives tudient un miroir de courant,
un tage metteur commun, un tage base commune et deux tages collecteur commun.
Miroir de courant lmentaire Q1 - Q2
i1
rce2
rbe / (+2)
i1
Zs1
Zs2
is1
Cest un amplificateur de courant de diple de sortie (Norton) caractris par le courant de courtcircuit i s1 = i1 et la rsistance de sortie Z s1 = rce2 . Lcriture de la rsistance dentre est donne
telle que r be1 = r be2 = r be .

i2
i3
Zs1
i1
Sylvain Gronimi
rce3
rbe3
i3
Page 269
vs2
Zs2
Circuits intgrs
v s2 = i 3 rce3
i 3 = i 2 i1
v s2 = rce3 (i1 i 2 ) et Z s2 = rce3
( rce2 >> rbe3 )

i4
(+1) i4
Zs2
i4
z10
Zs3
vs3
rbe4
vs2
z4
v s3 = i 4 z10
v s2 = ( + 1)Z s2 + rbe4 i 4
v s3
v s2
z
z
z10
10 = 10
( + 1)Z s2
Z s2
rce3
et Z s3 = z10 .
Si nous tenons compte de la prsence de rce4 dans ces calculs, les rsultats obtenus demeurent
toujours valables (erreur de lordre de 0.5%). En effet, un montage base commune prsente, en
sortie, une jonction polarise en inverse, donc une rsistance dynamique trs importante devant
la charge z10 .
Etages collecteur commun Q5 et Q6
rbe5
i5
Zs3
rce5
i5
z13
vs4
Zs4
vs3
(
[
v s4 = rce5 // z13 ( + 1)i 5

( + 1) rce5 // z13
v s4
+1
(
)
=
+
+
+
v
Z
r
r
//
z
1
i
v
Z
+
r
s3
s3
be5
ce5
13
5
s3
s3
be5 + ( + 1) rce5 // z13
Zs 4 = rce5 // z13 //
Z s3 + rbe5
( + 1)
Z s3 + rbe5
( + 1)
290
La topologie tant identiques pour les deux tages, on obtient

v s5
v s4
+1 , Z s5
Sylvain Gronimi
Z s 4 + rbe6
( + 1)
43
Page 270
Circuits intgrs
Lexpression de la rsistance de transfert est gale au produit des transferts lmentaires puisque
ces derniers tiennent compte de linteraction inter-tages par la prsence de la rsistance de
Thvenin / Norton.
Rt =
v s v s v s v s2
vs
= 5 4 3
z10 = 10 M (140 dB)
i 1 i 2 v s 4 v s3 v s 2 i 1 i 2
avec v s = v s5 et Z s = Z s5 .
9. Identification des lments du modle

Z e1 =
rbe
, Z e2 = rbe3 = 2.5 k , Z s 43
+2
v s = Rt (i1 i 2 ) = Av v

v = (i 2 i1 )Z e2
Sylvain Gronimi
Av =
Rt
= + 4000 (72 dB)
Z e2
Page 271
Circuits intgrs
Applications de lamplificateur Norton

Nous proposons deux applications de lamplificateur. Dans les schmas apparat le montage de
ltude prcdente sous limage symbolique suivante.
+ VCC
i
i+
symbole
de lamplificateur Norton
Application n1
R2
10k
C
R1
-
1k
ve
+
vs
R3
+VCC
12 V

2. Evaluez la rsistance R3 afin que le potentiel de sortie VS soit de lordre de VCC 2 ( VBE 0.6 V
et I B3 << I1 et I 2 ).
Etude dynamique aux frquences moyennes
4. Dterminez le gain en tension dfini par v s v e et concluez sur le type damplificateur.
Application n2
R2
10k
C
R1
+
1k
vs
R3
ve
+VCC
12 V
Sylvain Gronimi
Page 272
Circuits intgrs

6. Evaluez la rsistance R2 afin que le potentiel de sortie VS soit VCC 2 ( VBE 0.6 V et
I B3 << I1 et I 2 ), puis dduisez la valeur du courant I1 .
8. Dterminez le gain en tension dfini par v s v e et concluez sur le type damplificateur.
Sylvain Gronimi
Page 273
Circuits intgrs
Corrig
Application n1
1. Schma
R2
I2
IB3
VS
VBE
I1
R3
I1
+ VCC
VBE
2. Evaluation de la rsistance
I B3 << I1
VCC
= R2 I1 + I B3 + VBE
VS =
2
VCC = R3 I1 + VBE
R3 2R2
VCC VBE
21.1 k
VCC 2VBE

3. Schma
R1
Ze2
v-
ve
i2
R2
Zs 0
vs
Av v -
i1 = 0
R3
Ze1
4. Gain en tension
v s A v v
i ' = v e v
v s A v v
R1
v
ve vs 1
v
v
i = s
Z = R + R R + R v
1
2
2
1
e2
R2
'
v = (i + i )Z e2
Sylvain Gronimi
Page 274
1
vs
R1
9.965
ve
1 1
1 1
+
+
A v Z e2 R1 R2
Circuits intgrs
En acceptant une approche numrique quelques %,
vs
R
2 .
ve
R1
Cest un amplificateur inverseur de gain 20 dB. Lintrt du montage est labsence de mode
commun puisque les entres (+) et (-) voient de faibles impdances (rsistances de diode
passante).
Application n2
5. Schma
R2
I2
IB3
VBE
VS
I1
R3
+ VCC
I1
VBE
6. Evaluation de la rsistance et du courant

La topologie tant la mme que prcdemment, les rsultats sont identiques.
V
1
R3 21.1 k et I1 CC VBE
= 540 A .
2
R3
IC
Le courant de base de Q3 vaut IB3 = 3 = 10 A , courant ngligeable devant I1 , validant ainsi
lhypothse de dpart.

7. Schma
i2
Ze2
v-
R2
Zs 0
vs
i1
Av v R1
ve
Sylvain Gronimi
i1
R3
Ze1
Page 275
Circuits intgrs
8. Gain en tension
v s A v v
vs v
v s A v v
i 2 =
R2
ve
1 v s
ve
+
v =
Z
R
R
R
1
2
2
1 + Z e1
e2
R1 + Z e1
v = (i 2 i1 )Z e
2
avec Z e1 =
rbe1
+1
1
R1 + Z e1
vs
+ 9.55
ve
1 1
1 1
+
+
A v Z e2 R2 R2
UT UT
=
46.3 , valeur faible devant R3 ( R3 // Z e1 Z e1 ).
I E1
I1
En acceptant une approche numrique quelques %,
v s R2
= 10 .
v e R1
Cest un amplificateur non inverseur de gain 20 dB.
Sylvain Gronimi
Page 276
Circuits intgrs
Amplificateur conductance de transfert (LM13600 de National Semiconductor)

On considre le circuit intgr de la figure ci-dessous o R est un lment hors puce. Le but est de
caractriser la conductance de transfert en sortie de S1 sur une impdance de charge Z ch . Tous les
transistors sont supposs identiques ou parfaitement complmentaires ( >> 1 ).
+VCC
Q8
Q11
Q7
Q16
Q10
Q17
Q12
Q9
Q1
E2
S2
Q2
S1
(+)
Is
vD
(-)
Q15
Ipol
R
Q5
Q6
Q3
Q13
Q4
Q14
-VCC
2. Ecrivez lexpression du courant de sortie IS en fonction de la tension diffrentielle dentre VD et
tracez ce transfert.
3. Fates apparatre dans lexpression trouve les termes V et R . Commentez ce rsultat.

4. Donnez les courants de polarisation du montage.
Etude du rgime dynamique purement diffrentiel (faibles signaux aux frquences moyennes)
5. Rappelez la caractrisation du quadriple dfini par la source de Wilson ( ze , zs , A i ).
6. Ecrivez lexpression du courant i s en fonction de v d en discutant des conditions aux impdances
sur les divers transferts en courant.
7. Dmontrez quen considrant la zone linaire du transfert IS (VD ) obtenu lors de ltude en rgime
pseudo-continu, on retrouve le rsultat prcdent.
8. La sortie S1 tant charge par une impdance Z ch , caractrisez lamplificateur sous forme de
quadriple ( Y t , Z e , Z s1 ).
9. La sortie S1 , charge par Z ch , est relie la base de Q16 et une rsistance Rch est branche
entre S2 et la masse, prcisez le type damplificateur obtenu.
Sylvain Gronimi
Page 277
Circuits intgrs
Corrig
1. Description
Le schma se compose dun tage de polarisation, dun tage diffrentiel associ un transfert
dynamique de courant et dun tage darlington indpendant.
- Le circuit de polarisation, rptiteur de courant, est lassociation dune source de Wilson Q3 - Q4 -
Q5 et dun miroir de courant lmentaire Q4 - Q6 polarisant respectivement ltage diffrentiel par

le point commun des metteurs de Q1 - Q2 et ltage collecteur commun Q16 . Les courants de ces
sources sont rgls par la rsistance R et la tension de polarisation V (lments hors puce).
Ltage diffrentiel est comportement metteur commun, attaquant en courant des miroirs de
haute prcision de type Wilson transistors PNP. La prsence de la source de Wilson utilisant
des transistors NPN permet dinverser le sens du courant afin de reconduire la diffrence des
courants issus des collecteurs de ltage diffrentiel la sortie S1 . Ce point de sortie doit tre au
potentiel 0 V en absence de dynamique (dcalage de tension nul).
Une deuxime sortie S2 est propose par le biais des deux montages metteur suiveur Q16 - Q17 ,
constituant un buffer, isolant la charge au point S1 et recopiant la tension aux bornes de celle-ci
en sortie S2 . La charge dmetteur de Q17 peut alors tre attaque en tension. Au niveau du
continu, le potentiel de sortie est abaiss de 2VBE .
Ce circuit intgr peut donc tre utilis en amplificateur diffrentiel conductance de transfert, associ
un buffer.
Les transistors sont identiques et >> 1 . La source de Wilson tant un miroir de prcision, les
courants dentre de chacune delles sont reconduits en sortie et inverss, cest--dire
I pol IC5 (courant constant) et IC1 IC9 IC15 , IC2 IC12 .
o
quations du circuit
VD = VBE1 VBE 2
V = R I pol + VBE5 + VBE 4 VCC

IC5o = I E1 + I E2
I = I I
C15
C12
S
VBE1
I I e UT
BS
C1
quations technologiques Q1 Q2
VBE2
IC2 I BS e UT
VD
IC 5
IC 5
V
o
o
IC1 IC2 e UT do IC1
, IC 2
, IS IC1 IC2 I pol th D
VD
VD
2 UT
1 + e UT
1 + e UT
3. Commentaire
V VBE5 VBE 4 + VCC
I pol =
R
V 2VBE + VCC VD
th
R
2UT
Le transfert sera modifiable en retouchant la tension V et/ou la rsistance R extrieure.
Sylvain Gronimi
IS
Page 278
Circuits intgrs
Si VD >> 2 UT IS I pol
500uA
Ipol
tangente
au point
de polarisation
(VD = 0)
0A
zone
linaire
- Ipol
-500uA
-200mV
IS
-150mV
-100mV
-50mV
-0mV
50mV
100mV
150mV
200mV
VD

4. Courants de polarisation
Aucune source dynamique ntant applique lentre du circuit, les bases des transistors Q1 et
Q2 sont la masse. Dans ltude du rgime pseudo-continu, cela revient poser VD = 0 . Il sen
suit
I pol
, IS IC1 IC2 0
IC1 = IC2
o
o
o
o
2
Etude du rgime dynamique purement diffrentiel (faibles signaux aux frquences moyennes)
5. Caractrisation du miroir (voir problme Source de Wilson pour transfert dynamique )
is
ie
ig
ze
rg
ie
rce
, zs
, Ai 1
2
avec les conditions rg >> ze , zs >> Rch
ze
zs
Rch
2 rbe

IC1
I pol
vd
o
i c1
vd
=
vd
r
U
I pol
2 T
4 UT
be1 2
i s i c1 i c2
vd
2 UT
I pol
vd
vd
i c 2 r
4 UT
be2 2
car attaque en courant en sortie de ltage diffrentiel rce1 et rce2 >> ze et de mme entre miroirs
zs >> ze (pour la sortie sur Rch , voir plus loin).
Sylvain Gronimi
Page 279
Circuits intgrs
7. Linarisation du transfert
On peut calculer la pente lorigine telle que
dI S
dVD V
D =0
v d (t ) << 2 UT
v
th d
2 UT
v
d
2
UT
I pol
2 UT
is
vd
ou encore considrer
(voir le trac, excursion trs faible !)
8. Caractrisation du montage en sortie S1

La rsistance diffrentielle dentre, situe entre les bases des transistors Q1 et Q2 , scrit
rbe1 + rbe2 . La rsistance de sortie, vue entre le nud S1 et la masse, est produite par deux
miroirs en parallle, soit zs // zs =
rce
, haute impdance due lemploi de sources de Wilson

4
bien mieux adapt quun autre type de miroir. Ceci montre que si les conditions dadaptation
suivantes sont respectes, attaque en tension en entre ( rbe1 + rbe2 >> rg ) et attaque de la charge
en courant ( rce 4 >> Z ch ), le quadriple obtenu reprsente un amplificateur diffrentiel
conductance de transfert.
is
Ze
vd
Zs1
Zch
vs1
Yt vd
i
Yt = s
vd
I pol
, Z e = d
v s1 =0 2UT
ie
vs
= 2 rbe , Z s1 = 1
v s1 =0
is
rce
4
v d = 0
9. Caractrisation du montage en sortie S2

Les transistors, Q16 aliment par le miroir de courant Q6 - Q4 , et Q17 connect la charge, sont
monts en collecteur commun. Ltage darlington prsente une trs importante rsistance
dentre ( 2 Rch ) et une rsistance de sortie trs diminue ( ZS1 2 << Rch ) permettant
dattaquer la charge en tension. Cest alors un amplificateur de tension.
Zs2
vd
Ze
Rch
A v vd
Le constructeur permet lutilisateur de recopier la tension nodale S1 aux bornes de la charge par
le biais de ladaptation en tension, un dcalage doffset prs de 2VBE vers la masse. Le
darlington est donc un buffer.
Sylvain Gronimi
Page 280
Circuits intgrs
Application de lamplificateur conductance de transfert

Dans le schma apparat le montage de ltude prcdente sous limage symbolique suivante.
buffer
+VCC
OTA
+
-
-VCC
Ipol
Ltude porte sur lassociation en boucle de deux amplificateurs conductance de transfert (OTA)
avec leur buffer. Lalimentation symtrique du montage est VCC = 15 V et la tension Vcom est la
variable de commande du montage.
+VCC
+VCC
OTA1
OTA2
-VCC
Ipol1
R1
30k
Vcom
R2
10k
C
200p
-VCC
Ipol2
R3
25k
-VCC
+VCC
R4
5k
R5
10k
vOUT
-VCC
1. Expliquez le fonctionnement du montage sachant que les deux OTA travaillent ici forts signaux
dentre.
2. Tracez les volutions des potentiels nodaux des entres de lOTA2.
3. Ecrivez lexpression de la priode des oscillations.
4. Dans la considration dun oscillateur contrl par la tension de commande Vcom (VCO), crivez
les expressions de la frquence libre f0 et le facteur de sensibilit K 0 , rpondant la relation
fVCO = K 0 Vcom + f0 , en fonction des composants passifs et des tensions appliques au circuit.
Evaluez ces paramtres.
5. Discutez de linfluence des valeurs des composants passifs R1 , R3 , R 4 et C sur les
performances de loscillateur.
Sylvain Gronimi
Page 281
Circuits intgrs
Corrig
1. Fonctionnement de loscillateur
Les OTA travaillant forts signaux, le courant de sortie en fonction du temps est de la forme
v (t )
i S (t ) = I pol th D I pol , car v D (t ) >> 2 UT .
2 UT
En rgime permanent, le signal sur la rsistance de charge R 4 de OTA2 est un signal carr de
niveau R 4 I pol 2 par rapport la masse. Ce signal est appliqu lentre (+) de OTA1 et compar
la masse et le condensateur C en sortie, charg (ou dcharg) courant constant, produit ses
bornes un signal triangulaire. Ce signal est recopi la sortie du buffer de OTA1, la translation
2VBE prs, et compar au signal carr lentre de lOTA2. Il y a basculement lorsque les
niveaux des signaux sont quasiment gaux ( v D (t ) 0 ). Ainsi, la tension aux bornes du
condensateur crot ou dcrot linairement suivant que le signal carr est sur son front haut ou
son front bas et ceci de faon priodique.
Le circuit est donc un oscillateur produisant deux signaux synchrones de forme carre et
triangulaire. Le signal carr v OUT (t ) est disponible en sortie de buffer sous faible impdance pour
une attaque en tension. Si la tension Vcom est variable (modulation) , la frquence de loscillateur
est modifie (VCO).
2. Chronogrammes
+ R 4 I pol 2
+
v OTA
v OTA
2
0
t2
t1
R 4 I pol 2
+
(t ) v OTA
(t ) 0 , cest--dire que les tensions
Les basculements ont lieu lorsque v D (t ) = v OTA
2
2
= R 4 I pol 2 et v OTA
= v C (t ) 2VBE sont peu prs gales.
nodales v OTA
2
2
3. Priode des oscillations

En prenant pour origine des temps, le basculement R 4 I pol 2 + R 4 I pol 2 de la tension de sortie
de OTA2, calculons les instants t1 et t 2 des basculements suivants.
A partir de linstant t = 0 , v C (t ) =
do v C (t ) =
Sylvain Gronimi
I pol1
C
I pol1
C
t + cte avec cte = v C (0) = R 4 I pol 2 + 2VBE
t R 4 I pol 2 + 2VBE pour t [0, t1 ]
Page 282
Circuits intgrs
A linstant t1 du basculement suivant + R 4 I pol 2 R 4 I pol 2 ,

v C (t1 ) = R 4 I pol 2 + 2VBE =
I pol1
C
t1 R 4 I pol 2 + 2VBE t1 =
A partir de linstant t1 , VC (t ) =
do v C (t ) =
I pol1
C
I pol1
C
2 C R 4 I pol 2
I pol1
t + cte avec cte = VC (t1 ) +
I pol1
C
t1 = 3 R 4 I pol 2 + 2VBE
t + 3 R 4 I pol 2 + 2VBE pour t [t1,t 2 ]
A linstant t 2 du basculement suivant R 4 I pol 2 + R 4 I pol 2 ,

v C (t 2 ) = R 4 I pol 2 + 2VBE =
Ainsi, t 2 = 2 t1 =
4 C R 4 I pol 2
I pol1
I pol1
C
t 2 + 3 R 4 I pol 2 + 2VBE t 2 =
4 C R 4 I pol 2
I pol1
= T (priode des signaux)
4. Caractristique du VCO
fVCO
I pol1
avec I pol1 =
4 C R 4 I pol 2
de la forme fVCO = K 0 Vcom + f0
2VCC 2VBE
Vcom 2VBE + VCC
et I pol 2 =
R1
R3
avec f0
R3
VCC 2VBE
4 C R1 R 4 2VCC 2VBE
et K 0
VCC
f0
2VBE
Lapplication numrique donne f0 100 kHz et K 0 7.23 kHz / V .

5. Discussion
Les rsistances R3 et R 4 rglent lamplitude du signal carr. Le choix de la frquence centrale f0
du VCO est fixe par la valeur de C et R1 avec la condition Vcom = 0V , tension correspondant au
centrage de la plage des frquences possibles.
200K
150K
K0 6.89 kHz/V
(15.000, 195.371K)
(20.548m, 96.440K)
100K
(-12.000, 12.280K)
50K
0
-12
Sylvain Gronimi
1/ Period(V(OUT))
-8
-4
12
15
Vcom
Page 283
Circuits intgrs
Vcom = 0 V
10V
(32.318u, 5.6410)
fosc 96.8 kHz
2VBE
0
pente 2.21 V/s
-10V
28us
(36.671u, -7.2086)
30us
V(OTA2:+) - V(OTA2:-)
V(OTA2:+)
32us
V(OTA2-)
V(OUT)
V(C)
34us
36us
(37.706u, -5.8083)
38us
40us
Time
La simulation montre des rsultats en accord avec ltude la prcision prs des valeurs de VBE (0.6
0.7 V) et de la transition de IS = I pol en fonction de VD lors des basculements.
Pente du signal triangulaire
I pol1
C
2.3 V / s et amplitude crte du signal carr R 4 I pol 2 5.76 V avec
VBE = 0.6 V .
Sylvain Gronimi
Page 284
Circuits intgrs
Buffer et amplificateur conductance de transfert (OPA660 de Burr-Brown)

Le circuit tudier intgre deux fonctions, un buffer et un amplificateur conductance de transfert.
Tous les transistors sont supposs technologiquement identiques ou parfaitement complmentaires et
de gain en courant = 200 , de tension dEarly VA = 100V . Lalimentation symtrique du montage
est telle que VCC = 5 V . Les rsistances R pol et Rch sont hors puce et la tension VE est applique
lentre du circuit.
Etude du buffer de tension (Diamond Buffer)
+VCC
Q4
Q3
Q8
Q6
Rpol
17.6k
vE
Q7
Q5
Ipol
Q1
Rch
1k
vS
Q2
-VCC
2. Ecrivez la relation de la tension VS en fonction de VE et I pol , Rch .

4. Evaluez les paramtres rbe et rce des modles des transistors.
6. Ecrivez lexpression du transfert en tension Av = v s v e . Comparez au rsultat obtenu lors de
ltude en rgime pseudo-continu.
7. Ecrivez les expressions des rsistances dentre Z e et de sortie Z s vue de la charge.
8. Evaluez les paramtres Z e , Z s , A v qui caractrisent lamplificateur de tension en prcisant les
conditions dadaptation respecter.
Sylvain Gronimi
Page 285
Circuits intgrs
Etude de lamplificateur conductance de transfert (Diamond Transistor)

+VCC
Q4
Q3
Q11
Q12
Q8
Q6
iS
Rpol
17.6k
vE
Q7
Q5
vS
Ipol
Q1
Q2
Q9
Rch
1k
Q10
-VCC
10. Ecrivez la relation de la tension IS en fonction de VE et I pol .

12. Evaluez les paramtres rbe et rce des modles des transistors, ainsi que les lments de la
caractrisation des miroirs Q9 - Q10 et Q11 - Q12 ( ze , zs , Ai ).
14. Ecrivez lexpression du transfert en tension Yt = i s v e . Comparez au rsultat obtenu lors de
ltude en rgime pseudo-continu.
15. Ecrivez les expressions des rsistances dentre Z e et de sortie Z s du montage.
16. Evaluez les paramtres Z e , Z s , Y t qui caractrisent lamplificateur conductance de transfert en
prcisant les conditions dadaptation respecter.
Rappel de la notation : v E (t ) = VE + v e (t ) , (superposition des rgimes continu et dynamique).
Sylvain Gronimi
Page 286
Circuits intgrs
Corrig
1. Description
Le schma se compose dun tage de polarisation et de quatre tages collecteur commun. Une
symtrie par rapport la masse, due aux transistors complmentaires fait apparatre une topologie
parallle de lensemble.
- Le circuit de polarisation est compos de deux miroirs de courant lmentaire Q1 - Q2 et Q3 - Q4
polarisant respectivement les transistors Q6 et Q5 . Les courants de ces sources sont fixs par le
choix de la rsistance R pol . Nous dmontrerons que lassociation des transistors parfaitement
complmentaires Q5 - Q8 et Q6 - Q7 produit ici les mmes courants de polarisation.
-
Les tages collecteur commun Q5 et Q6 , chargs en partie par une source de courant,
prsentent un niveau de rsistance dentre relativement lev, permettant une attaque en
tension du montage. Les tages collecteur commun Q7 et Q8 assurent une faible rsistance de
sortie, permettant une attaque en tension de la charge. Lassociation de ces metteurs suiveurs
conduit un gain en tension unit. Ici, lintrt de cette topologie rside dans lassociation en
cascade de deux metteurs suiveurs complmentaires ( Q5 - Q8 ou Q6 - Q7 ) qui compensent leurs
tensions base-metteur en mode actif (ni saturs ou bloqus), donc pas de translation de tension
continue entre entre et sortie ( VS VE ) et amlioration de la stabilit thermique (structure
Diamond).
Cette partie du circuit intgr est appel Diamond Buffer.

Les courants de saturation I BS des jonctions base-metteur et les gains en courant des
transistors sont supposs identiques, leffet Early est nglig.
2. Relation VS (VE )
Pour les tages de polarisation :
VBE1
IC I BS e UT
Q1 Q2 1
(technologie)
VBE2
UT
IC2 I BS e
VEB3
IC I BS e UT
Q3 Q4 3
(technologie)
VEB4
IC4 I BS e UT
VBE1 = VBE 2 (circuit)
IC1 IC2 I pol
VEB3 = VEB4 (circuit)
IC3 IC4 I pol
Pour les tages metteurs suiveurs

VEB5
VE VS
IC I BS e UT
5
Q5 Q8
(technologie) VE = VEB5 + VBE8 + VS (circuit) IC8 I pol e UT
VBE8
IC8 I BS e UT
Sylvain Gronimi
Page 287
Circuits intgrs
VBE6
IC I BS e UT
6
Q6 Q7
(technologie)
VEB7
UT
IC7 I BS e
VE = VBE6 VEB7 + VS (circuit) IC7 I pol e
VE VS
UT
Pour dfinir la tension de sortie
VS Rch IC8 IC7
V V
VE VS
E S
VS Rch I pol e UT e UT
= 2 R I sh VE VS
ch pol
UT
Comme il a t dit lors de la discussion, VS VE ou VE VS << UT

do VS
V VS
sh E
UT
VE VS

UT
1
VE VE tant que les transistors travaillent en mode actif.
UT
1+
2 I pol Rch

Aucune source dynamique ntant applique lentre du circuit, les bases des transistors Q5 et
Q6 sont la masse. Dans ltude du rgime pseudo-continu, cela revient poser VE = 0 . Il sen
suit que tous les courants de collecteur sont gaux I pol et la tension de sortie VS 0 .
2VCC = VEB3 + R pol I pol + VBE1 (circuit) I pol 500 A avec VBEo 0.6 V .

4. Evaluation des paramtres des modles des transistors
rbe
UT
V
et rce A ( VCEi << VA ) , soit rbe 10 k , rce 200 k
I pol
I pol
5. Schma
rce
Q8
Q5
Q6
ve
vs
Rch
Q7
rce
Sylvain Gronimi
Page 288
Circuits intgrs
6. Expression du transfert en tension

Etages collecteur commun Q5 ou Q6
i
rbe
i
rce /2
ve
Z s1
vs1
rce
rce
( + 1)
v e = rbe i + 2 ( + 1)i
v s1
2
=
1
rce
ve
v = rce ( + 1)i
( + 1)
rbe +
s1 2
2
i0
i
i1
i
rbe
rce /2
v0
i 0 + ( + 1)i = i1
r
r
r
rce
Z s1 = ce // be be
i1
v 0 =
2 +1 +1
2
v 0 = rbe i

i
Zs1 + rbe
i
rce
rce
vs1
i
Zs1 + rbe
vs1
vs
v s1 = Zs1 + rbe i + 2 ( + 1)(rce // rce // Rch )i
1 1
vs
v s = 2 ( + 1)(rce // rce // Rch )i
Le transfert en tension global est donc
Rch
vs
Zs
(avec charge quivalente rce // rce // Rch )
v s1 v s
1 ou v s v e , ce qui est la mme expression que
v e v s1
pour le transfert en rgime pseudo-continu.

7. Rsistances dentre et de sortie du montage
Calcul de la rsistance dentre
Les tages collecteur commun Q7 ou Q8 prsentent chacun la rsistance dentre
Z e2 = rbe + 2 ( + 1)(rce // rce // Rch ) . La rsistance dentre du montage est donc celles des tages
collecteur commun Q5 ou Q6 mis en parallle, chargs chacun par Z e2 , soit
Sylvain Gronimi
Page 289
Circuits intgrs
Ze =
1
rce
r
// Ze2 ce
rbe + ( + 1)
2
2
2 2
r

// 2 ce // Rch

2

La rsistance de sortie, vue par la charge extrieure, est produite par les deux tages collecteur
rbe + Z s1 rbe
1
.
commun Q7 et Q8 en parallle, soit Z s = rce //
2
+ 1 2
Lassociation de cette rsistance Z s en srie avec une source de tension indpendante v s
constitue le diple quivalent de Thvenin pouvant attaquer la charge du montage.
8. Caractrisation du buffer
Les conditions dadaptation respecter pour ce type damplificateur en tension sont une attaque
en tension en entre ( Z e >> RG ) et en sortie ( Z s << Rch ).
Zs
RG
ve
Ze
Rch
A v ve
vg
avec les valeurs Av 1 , Ze 8 M , Zs 25 .
5.0V
pente de 0.983 V/V
VS (VE)
saturation
et blocage
des
transistors
0V
fonctionnement en mode actif

des transistors
saturation
et blocage
des
transistors
-5.0V
-5.0V
0V
5.0V
Nous constatons que le domaine de linarit est trs tendu, puisque la tension dentre maximale
possible est voisine de la tension dalimentation VCC .
Sylvain Gronimi
Page 290
Circuits intgrs
9. Description
Le schma est conu sur la mme ide que le buffer tudi prcdemment (structure Diamond). Il
vient sajouter un transfert statique et dynamique de courant vers la nouvelle sortie. La symtrie par
rapport la masse de lensemble, due aux transistors complmentaires, fait toujours apparatre une
topologie parallle.
- Les tages metteur suiveur Q7 et Q8 reconduisent leur courant de collecteur vers la sortie par le
biais des miroirs Q9 - Q10 et Q11 - Q12 . Cet ensemble tant complmentaire par rapport la masse,
le courant de sortie i S est la diffrence de leurs courants de collecteur.
-
Les deux miroirs en parallle produisent en sortie une rsistance dynamique relativement
importante pour attaquer une charge en courant.
Ce circuit intgr peut donc tre utilis en amplificateur conductance de transfert.

10. Relation IS (VE )
Pour dfinir la tension de sortie du buffer (metteurs suiveurs en mode actif)
Rch
VS Rch IC8 IC7 ou VS
VE VE .
U
Rch + T
2 I pol
Pour les tages de transfert de courant

VBE9
IC I BS e UT
9
Q9 Q10
(technologie)
VBE10
IC10 I BS e UT
Q11 Q12
VEB11
IC I BS e UT
11
(technologie)
VEB12
IC12 I BS e UT
VBE9 = VBE10 (circuit)
IC9 IC10
VEB11 = VEB12 (circuit)
IC11 IC12
Pour dfinir le courant de sortie

IS = IC IC
12
10
VS
VE
V
1
E
ou encore IS
IC12 IC11 IC8 IS IC8 IC7
U
Rch Rch
Rch
T
1+
IC10 IC9 IC7
2 I pol Rch
tant que les transistors travaillent en mode actif.

Tous les courants de collecteur sont gaux I pol et le courant de sortie IS 0 .
Sylvain Gronimi
Page 291
Circuits intgrs

12. Evaluation des paramtres des modles des transistors et des quadriples de transfert de courant
rbe 10 k , rce 200 k et ze =
rbe
50 , zs = rce 200 k , Ai =
1
+2
+2
13. Schma
i1
ze
rce
zs
i1
Q8
Q5
ve
is
in
Q6
vs
Rch
Q7
i2
rce
zs
ze
i2
14. Expression de la conductance de transfert

Etages collecteur commun Q5 ou Q6 (inchang)
Les schmas des deux tages tant identiques, chacun dbite un mme courant constituant le
courant i n traversant la charge.
i
in /2
in /2
Zs1 + rbe
i
rce
vs1
Rch
v s1 = Z s1 + rbe i + rce (i1 + i ) + ze i1
rce (i1 + i ) + ze i1 = Rch i n

i = 2 (i i )
1
n
vs
i + i1
i1
ze
v s = Z s1 + rbe + rce i + (rce + ze )i1

1
(rce + ze + 2 Rch )i1 = (2 Rch rce )i
soit
i1
1
v s1
2 Rch
r + ze + 2 Rch
+ rce + ze i1
v s1 = Z s1 + rbe + rce ce
R
r
ch
ce
avec rce >> ze , rce >> 2 Rch et Z s1 + rbe .
Etages de transfert en courant

i s (i1 + i 2 ) = 2 i1
i s (i1 + i 2 ) = 2 i1
ve
Rch
(courant de court-circuit limage du
thorme de Norton)
Sylvain Gronimi
Page 292
Circuits intgrs
soit Yt =
is
1
v e Rch
(mme expression que pour le transfert en rgime pseudo-continu).
15. Rsistances dentre et de sortie du montage

La rsistance dentre du montage est inchange (voir ltude du buffer).
rce
.
2
Lassociation de cette rsistance Z s en parallle avec une source de courant indpendante i s
constitue le diple quivalent de Norton pouvant attaquer la charge du montage.
La rsistance de sortie est produite par deux miroirs en parallle, soit Zs = rce10 // rce12 =
16. Caractrisation de lamplificateur conductance de transfert

Les conditions dadaptation respecter pour ce type damplificateur sont une attaque en tension
en entre ( Z e >> RG ) et une attaque de la charge en courant ( Z s >> Rch ).
is
ve
Ze
vs
Zs
Rch
Yt ve
avec les valeurs Yt 1 mA / V , Z e 8 M , Z s 100 k .

5.0mA
IS (VE)
saturation
et blocage
pente de 0.973 mA/V

0A
fonctionnement en mode actif

des transistors
saturation
et blocage
-5.0mA
-5.0V
0V
5.0V
Nous constatons que le domaine de linarit est trs tendu, puisque la tension dentre maximale
possible est voisine de la tension dalimentation VCC .
De plus, les transferts en tension et en courant ont mme expression en rgime pseudo-continu et en
rgime dynamique condition de rester dans le mode actif des transistors. Par contre, ltude du
rgime pseudo-continu est la seule tude dlimiter les domaines de linarit.
Sylvain Gronimi
Page 293
Circuits intgrs
Applications de lamplificateur conductance de transfert

Lamplificateur conductance de transfert peut tre vu comme un transistor auto-polaris , puisque
par dfinition, cest une source de courant commande par une tension. Ce quasi-transistor possde
trois bornes : une entre haute impdance (base), une entre/sortie basse impdance (metteur)
et une sortie de courant (collecteur).
Nous proposons trois applications de base de lamplificateur qui dmontrent une quivalence de
comportement avec les montages fondamentaux traditionnels. Dans les schmas apparat le montage
de ltude prcdente sous limage symbolique suivante.
C
B
E
Application n1
Application n2
Application n3
iS
iS
Rch
vOUT
vIN
vIN
vOUT
E
iS
iS
RE
Rch
vE
Rch
vOUT
RE
vIN
1. Dterminez le transfert en tension des montages suivants.

2. Comparez avec les caractristiques des montages fondamentaux.
Corrig
Application n1
1. Transfert en tension
Rgime pseudo-continu
V
R
VE
V
1
1
VE
VIN VIN , IS
E , VOUT = Rch IS OUT ch
UT
UT
RE RE
VIN
RE
1+
1+
2 I pol RE
2 I pol RE
Rgime continu
VE VIN = 0 (base la masse), IS 0 VOUT 0
v
R
r
v
v e v in , v out Rch i s Rch in out ch , Z s ce // Rch Rch
2
RE
v in
RE
Sylvain Gronimi
Page 294
Circuits intgrs
2. Comparaison
Le montage est un amplificateur non inverseur, comparable un montage pseudo-metteur
commun (inverseur) sans translation de lordre 0.6 V de la tension de sortie en rgime continu. Sa
rsistance de sortie est de valeur importante (source de courant).
Application n2
1
VOUT
VIN VIN
UT
1+
2 I pol Rch
Rgime continu
VIN = 0 (base la masse) VOUT 0
r
v out v in , Z s be
2
2. Comparaison
Le montage est un amplificateur suiveur (buffer), comparable un montage collecteur commun
sans translation de 0.6 V de la tension de sortie en rgime continu. Sa rsistance dentre est de
valeur importante et sa rsistance de sortie de valeur faible.
Application n3
V
R
V
IS IN , VOUT = Rch IS OUT ch
RE
VIN
RE
Rgime continu
VIN = 0 , IS 0 VOUT 0
v
R
v
i s in , v out Rch i s out ch , Z s Rch
RE
v in
RE
2. Comparaison
Le montage est un amplificateur inverseur, comparable un montage base commun (non
inverseur) sans translation de la tension de sortie en rgime continu. De plus, lamplificateur
travaille en convoyeur de courant de gain unit. Sa rsistance dentre est de valeur faible et sa
rsistance de sortie de valeur importante.
Sylvain Gronimi
Page 295
Circuits intgrs
Amplificateur contre raction de courant (LT1223 de Linear Technology)

Tous les transistors de ce circuit intgr sont supposs technologiquement identiques ou parfaitement
complmentaires et de gain en courant = 200 , de tension dEarly VA = 100V . La capacit C
correspond un effet parasite en H.F.. La rsistance R est hors puce et la tension VE est applique
lentre du circuit. Lalimentation symtrique du montage est telle que VCC = 15 V .
+VCC
Q5
Q6
Q12
Q9
Q10
Q11
Q3
Q19
Q17
Ipol
Q1
iN
C
R
57.6k
vE
Q2
vS
vN
Q18
Q4
Q15
Q20
Q14
Q7
Q8
Q16
Q13
-VCC
3. Evaluez les paramtres rbe et rce des modles des transistors, ainsi que les lments de la
caractrisation des sources de courant.
4. Dessinez le schma du circuit intgr en prenant en compte les lments prcdents.
Sylvain Gronimi
Page 296
Circuits intgrs
5. En considrant uniquement la partie de circuit compose des transistors Q1 - Q2 - Q3 - Q4 et leurs

charges, crivez les expressions des rsistances dentre Re1 et de sortie Rs1 , du gain de
transfert en tension 1 = v n v e dans des conditions idales dadaptation en tension lentre et
charg par une rsistante Rch1 la sortie. Evaluez ces paramtres.
6. En considrant uniquement la partie de circuit compose des transistors Q17 - Q18 - Q19 - Q20 et le
circuit dattaque, crivez les expressions de la rsistance de transfert Rt = v s i n vide (charge
infinie), et de sortie Rs2 . Evaluez ces paramtres.
Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences hautes
7. En ne considrant que leffet d la capacit parasite C, crivez les expressions des impdances
de transfert Z t (p ) et de sortie Z s2 ( p ) .
8. Dessinez le schma de lensemble du circuit en utilisant les paramtres de caractrisation
obtenus.
Sylvain Gronimi
Page 297
Circuits intgrs
Corrig
1. Description
Le schma se compose dun buffer en entre (tage tampon de gain en tension unit) dont le courant
de sortie, dpendant de sa charge, subit un transfert vers lentre dun second buffer. Un tage de
polarisation, prsent en amont, conditionne les courants du circuit intgr. La symtrie par rapport la
masse de lensemble, due aux transistors complmentaires, fait apparatre une topologie parallle.
-
Le circuit de polarisation est compos de deux miroirs de courant lmentaire Q5 - Q6 et Q7 - Q8

imposant respectivement les courants de collecteur des transistors Q1 et Q2 . Les courants de ces
sources sont fixs par le choix de la rsistance R. Lassociation des transistors parfaitement
complmentaires Q1 - Q3 et Q2 - Q4 reconduit ces courants de polarisation lentre des deux
rptiteurs de courant effet miroir (miroirs lmentaires et Wilson) pour polariser les transistors
Q17 et Q18 en association avec Q19 et Q20 .
Le buffer dentre est constitu de quatre transistors Q1 - Q2 - Q3 - Q4 monts en collecteur

commun. Q1 et Q2 , chargs en partie par une source de courant, prsentent un niveau de
rsistance dentre relativement lev, permettant une attaque en tension du montage. Q3 et Q4
assurent une faible rsistance de sortie au niveau de leurs metteurs, permettant une attaque en
tension de la charge. Lassociation de ces metteurs suiveurs conduit un gain en tension unit.
Ici, lintrt de cette topologie rside dans lassociation en cascade de deux metteurs suiveurs
complmentaires ( Q1 - Q3 ou Q2 - Q4 ) qui compensent leurs tensions base-metteur en mode actif
(ni saturs ou bloqus), donc pas de translation de tension continue entre entre et sortie
( VS VE ) et amlioration de la stabilit thermique (structure Diamond).
Le faible courant diffrentiel en sortie du buffer est reconduit par effet miroir (sources de Wilson
Q9 - Q10 - Q11 et Q13 - Q14 - Q15 ) de manire ce quil traverse une charge dynamique complexe de
valeur trs importante (rsistances de sortie des sources Wilson en parallle avec la capacit
parasite C).
Le buffer de sortie Q17 - Q18 - Q19 - Q20 possde une topologie limage du buffer dentre
lapport dun transfert en courant prs (miroirs lmentaires Q10 - Q12 et Q14 - Q16 ). La tension
dveloppe aux bornes de la charge lentre du buffer est recopie sa sortie. Les
caractristiques dynamiques des buffers sont fonctions des conditions dattaque et de charge.
En rsum, si un signal est appliqu lentre, il dsquilibre les entre de Q1 et Q2 en gnrant un

courant de dcalage. Ce faible courant est transmis une forte impdance dynamique dont la tension
rsultante est recopie en sortie ( ladaptation prs).
+ VCC
buffer
E
I1
transfert
de courant
I1
buffer
+1
+1
C
I2
transfert
de courant
I2
- VCC
Sylvain Gronimi
Page 298
Circuits intgrs

Aucune tension ntant applique lentre du circuit, les bases des transistors Q1 et Q2 sont la
masse. Il sen suit que tous les courants de collecteurs sont gaux I pol et les tensions de sortie
VN 0 et VS 0 (symtrie complmentaire).
VBE i
Les transistors tant technologiquement identiques, ICi I BS e
UT
Pour le buffer dentre,

VE = VEB1 + VBE3 + VN VEB1 = VBE3 IC1 = IC3 I pol et VBE 2 = VEB4 IC2 = IC4 I pol .
Pour le buffer de sortie, les courants de polarisation sont reconduits par les miroirs Q10 - Q12 et
Q14 - Q16 , IC17 = IC19 I pol et IC18 = IC20 I pol .
Le courant de polarisation est calcul partir de lcriture de la maille 2VCC = VEB5 + R I pol + VBE7
do I pol 500 A avec VBEo 0.6 V .

3. Evaluation des paramtres des modles des transistors et des quadriples de transfert de courant
U
V
rbe T et rce A ( VCEi << VA ) , soit rbe 10 k et rce 200 k
I pol
I pol
ze =
2 rbe
99 , zs rce 20 M , Ai 1 (sources de Wilson)

+2
2
zs' = rce12,16 = 200 k , Ai' 1 (miroirs lmentaires)
4. Schma
i1
i1
ze
rce
rce
zs
i1
Q3
Q1
ve
Q19
Q17
in
Q2
vn
Q18
Q4
vs
Q20
i2
rce
ze
buffer dentre
zs
i2
rce
i2
transfert en courant
buffer de sortie
La symtrie du schma conduit i1 = i 2 .
Sylvain Gronimi
Page 299
Circuits intgrs
5. Caractrisation du buffer dentre

i
rbe
i
rbe
rce /2
rce
2i
in /2
in
i1
ze
ve
in /2
i
rbe
vn
i
rbe
rce /2
rce
i1
ze
Evaluation du transfert en tension vide

i
rbe
i
rce /2
ve
i0
i
rbe
i 0 + ( + 1)i = i1
r
r
r
rce
zs1 = ce // be be
i1
v 0 =
2
+
1
+1
2
v 0 = rbe i
i1
i
rce /2
zs1
vs1
rce
v e = rbe i + 2 ( + 1)i
v = rce ( + 1)i
s1 2
vs
( + 1)rce 1
1 =
2 rbe + ( + 1)rce
ve
v0

i
zs1 + rbe
i
rce
vs1
vn
i1
v s1 = zs1 + rbe i '+ rce ( + 1)i '+ ze i1
v n = rce ( + 1)i '+ ze i1

i = i '
1
ze
rce ( + 1) + ze
v
v v s1
vn
1 ( vide)
=
1 do 1 = n = n
v s1 zs1 + rbe + rce ( + 1) + ze
v e v s1 v e
Sylvain Gronimi
Page 300
Circuits intgrs
Evaluation de la rsistance de sortie

i0
i
rce
i + ( + 1)i ' = i '+ i

0
1
v 0 = rbe + zs1 i '
rce ( i '+i1 ) + ze i1 + rbe + zs1 i ' = 0
v0
zs1 + rbe
i1
i = i i '
0 1
v 0 = rbe + zs1 i '
(ze + rce ) i1 + rbe + zs1 + rce i ' = 0
ze
v0
i 0 = i1 + r + z
be
s1

v0
(z + r ) i = r + z + r
be
s1
ce
e ce 1
r
be + zs1
do Rs1
rbe + zs1
2 ( + 1)
v0
=
i0
rbe + zs1
1+
rbe + zs1 + rce
rbe + zs1
+1
ze + rce
25 .
Evaluation de la rsistance dentre

Lvaluation de la rsistance dentre est fonction de la rsistance de charge Rch1 du buffer.
i
in /2
in /2
rbe
i
rce
v0
Rch1
vn
i + i1
i1
ze
v 0 = rbe i '+rce ( i '+ i1 ) + ze i1
Rch1 i n = rce ( i '+ i1 ) + ze i1
i n = 2 (i 'i1 )
ze2 = rbe + rce + (rce + ze )
v 0 = (rbe + rce ) i '+ (rce + ze )i1

rce + ze + 2 Rch1 i1 = 2 Rch1 rce i '
2 Rch1 rce
rce + ze + 2 Rch1
r
rbe + 2 ( + 1) ce // Rch1
La rsistance dentre du montage est donc celles des tages collecteur commun Q5 ou Q6 mis
en parallle, chargs chacun par ze2 , soit
Re1 =
1
rce
// ze2
rbe + ( + 1)
2
2
Les valeurs limites de cette rsistance sont 0.92 M Re1 10 M pour 0 Rch1 .
Sylvain Gronimi
Page 301
Circuits intgrs
Le buffer peut tre reprsent sous la forme du quadriple suivant :

in
Rs1
Re1
ve
vn =
Rch1
vn
R
1v e (en charge)
R + Rs1
1 ve
Les conditions dadaptation respecter pour ce type damplificateur en tension sont une attaque
en tension en entre ( Re1 >> RG ) et en sortie ( Rs1 << R ).
Expressions des courants i1 , i 2 , i n

Le schma du buffer tant symtrique, les tages suiveurs Q1 - Q3 et Q2 - Q4 dbitent un mme
courant ( i1 = i 2 ) constituant le courant i n traversant la rsistance de charge Rch1 .
Rch1 i n = rce ( i '+ i1 ) + ze i1
i n = 2 (i 'i1 )
2 i1 =
2 Rch1 rce
( + 1)rce + ze
in
in in
+1
avec ( + 1)rce >> ze et rce >> 2 Rch1

Rch1 i n =
Rch1
Rch1 + Rs1
1v e
do i1 = i 2
ve
in
et i n
.
2
Rch1 + Rs1
6. Caractrisation de ltage amplificateur rsistance de transfert

rbe
rbe
i
i
rce /2
2i
i
i
in /2
rce
i
in
Rn
rbe
vs
rbe i
i
i
rce /2
in /2
rce
Evaluation de la rsistance de transfert vide

La sortie des sources de Wilson (tages de transfert en courant) fait apparatre un circuit sous
forme de Norton, attaquant le second buffer, tel que
i n (i1 + i 2 ) = 2 i1 et Rn =
Sylvain Gronimi
zs
= 10 M .
2
Page 302
Circuits intgrs
in
''
'
( + 1)i + 2 = i + i
[r + r ( + 1)]i ' = rce i ''

be ce
2
rce ''
i
R n (i n 2 i ) = rbe i +
2
v s = rce ( + 1)i '
rce ' rce

( + 1)i + rce i n
i =
rbe + rce ( + 1) +
2
2
4
'
R n i n = (2 Rn + rbe ) i + [rbe + rce ( + 1)]i
'
v s = rce ( + 1)i
rce
rce
( + 1) v
2 ( + 1)Rn rce
rce
s
2
rbe + rce ( + 1) +
=
+
+ [rbe + rce ( + 1)]
in
2
2 Rn + rbe rce ( + 1) 2 Rn + rbe
4
rce
2 ( + 1)Rn rce
vs
rce ( + 1)
=
+
do Rt =
rce
in
2 Rn + rbe
4
( + 1) r
ce
[rbe + rce ( + 1)] 1 + 2
+
+
R
r
2
2
n
be
rce
rce
( + 1)( + 2)
( + 2)Rn
2
Rt
2
5.03 M avec rbe << 2 R n et rce ( + 1) .
rce
rce
(
)
R
2
1
+
+
(
)
+
1
2
2 ( + 1) 1 + 2
+1
R
2
n
Evaluation de la rsistance de sortie ( v e = 0 i n = 0 )

R s2 =
1
2
zs1 + rbe
zs1 + rbe
rce 2 Rn + rbe
+ 1 // rce 2 ( + 1) 149 avec zs1 = 2 // + 1 50 k
7. Etude aux frquences hautes

Lintroduction de la capacit parasite en parallle sur Rn conduit une charge complexe
Rn
, do limpdance de transfert vide et limpdance de sortie
1 + Rn C p
rce
rce
( + 2)Rn
( + 2)Rn
Rt
1
2
Zt ( p)
= 2
rce
rce
rce
1 + Rt C p
( + 1)(1 + Rn C p ) 2 Rn + ( + 1)
( + 1)Rn C
2 Rn +
2
2
1+ 2
p
r
2 Rn + ce ( + 1)
2
p
1+
Z s1 ( p ) + rbe
zs1 + rbe
rbe
1
1
Z s2 ( p )
= R s2
avec 1 =
et 2 =
1
p
z
z
2 ( + 1)
rbe + zs1
s
s
1+
(
(
+ 2) 1 rbe C
+ 1) 1 C
2
2
2
( f1 37.8 kHz et f2 6.3 kHz )
Zn ( p) =
r
r
1 + be C p
1 + be C p
rce 2 Z n ( p ) + rbe rce 2 Rn
2
2
zs
avec Z s1 ( p ) =
//
//
1
zs
+1
2
2 + 1 1 + Rn C p
1 + ( + 1) 1 C p
Sylvain Gronimi
Page 303
Circuits intgrs
Limpdance de sortie demeure constante au-del de la frquence du zro ( f >> f1 ) la valeur

Rs' 2 =
rbe
2
Rs2 25 .
Rs 2
1
rbe + zs1
Notons que linfluence des buffers en fonction de la frquence est nglige, les montages
collecteur commun prsentant une large bande importante. La stabilit ne peut tre tudie ici.
8. Caractrisation de lamplificateur contre-raction de courant
ve
+1
Zs2 (p)
in
Rs1
Zt (p) in
vs
vn
Sylvain Gronimi
Page 304
Circuits intgrs
Application de lamplificateur contre raction de courant

Le circuit intgr de lamplificateur contre raction de courant figure sous limage symbolique
suivante au sein des datasheets.
+
+
ve
R2
symbole
vs
R1
1. Dterminez le transfert en tension du montage aux frquences moyennes.

2. En ne considrant que leffet de la capacit parasite, dterminez la frquence de coupure haute.
3. Concluez sur loriginalit de ce type de circuit.
Corrig
1. Gain en tension aux frquences moyennes
v e Rs1 i n Rt i n v s
i n =
R1
R s2

v = v R i + Rt i n v s R
e
s1 n
2
s
Rs 2
ve
v
+ s
Rt R 2
R1 Rs2
R
vs = ve +
Rs1
2 vs
Rs
Rs1 Rt
R
s2
2
1+
+
R1 Rs2
i n = i1 i 2
v e Rs1 i n + R1 i1
v s = Rt i n Rs2 i 2
v = R i + R i
1 1
2 2
s
Rs
Rt
Rt
R Rs
R
+ 2 + 1 + 2 1 v s = 1 +
1 + 1 +
R1 Rs2 Rs2
R1 Rs2
Rs2
R s2
K 1 +
K
Rt
v
s =
R
ve
1+ x
Rt
en posant K = 1 +
R2
1 +
v e
R1
Rs
R2
et R x = 1 + 1 Rs2 + R 2 + K Rs1 .
R1
R1
2. Rponse aux frquences hautes
Rt
Zt ( p)
et Z s2 ( p ) Rs2
1 + Rt C p
1+
1+
1
p
( f1 37.8 kHz et f2 6.3 kHz )
Une approche directe de la frquence de coupure peut tre effectue en prenant Z s2 ( p ) Rs' 2
pour des frquences trs leves (>> 1 MHz).
Sylvain Gronimi
Page 305
Circuits intgrs
Rs' 2 C
K
p
1+
Rs' 2
Rs' C
1+
1+ 2 p
K Rt
K
K
1 + (R x // Rt )C p
1+ Rx C p
Rs' 2
Rs' 2
K 1 +
K 1 +
K Zt ( p)
K Rt
V ( p)
=
do s

Rx
R
Ve ( p )
1+
1+ x
Zt ( p )
Rt
Rs
car Rs' 2 << K Rt et R x << Rt avec R x = 1 + 1
R1
'
Rs + R 2 + K R s .
1
2
1
K
.
Les coupures dues aux ple et zro sont respectivement fc
et fz
2 Rx C
2 Rs' 2 C
Ce ple est videmment un ple dominant vis--vis des effets capacitifs des transistors en
montage collecteur commun et sa valeur fluctue lgrement en fonction des rsistances de contre
raction (voir tableau plus loin). Il y a intrt prendre des valeurs faibles pour ces dernires afin
dobtenir une large bande passante.
3. Originalit du circuit intgr
vs
R
1+ 2 = K .
ve
R1
Cette expression est identique celle obtenue avec un amplificateur de tension contre raction
tension-tension.
Aux hautes frquences, ce rapprochement nest plus faire puisque la frquence de coupure en
boucle ferme est uniquement fonction du paramtre R x . La notion de produit gain bande
passante na plus lieu. Cest loriginalit de ce type damplificateur de tension.
Aux frquences moyennes, le gain en tension en boucle ferme scrit donc
Application numrique : Rs1 25 , Rs' 2 25

R1 ()
R2 ()
750
187
83
750
750
750
750
K
1
2
5
10
R x ()
fc (MHz)
fz (GHz )
800
826
904
1033
39.8
38.5
35.2
30.8
1.27
2.55
6.37
12.7
Simulation :
30
R1 = 83
K = 10
R1 = 187
K=5
20
R1 = 750
R1 =
(30.406M ,16.923)
(34.656M ,10.863)
K=2
(37.486M ,2.9676)
K=1
(38.479M, -3.0174)
R2 = 750
-20
10KHz
Sylvain Gronimi
DB(V(S))
100KHz
1.0MHz
10MHz
100MHz
1.0GHz
Frequency
Page 306
Circuits intgrs
Comparateur (LM139 de Texas Instruments)

Considrons le circuit intgr de la figure ci-dessous o la rsistance Rch est un lment hors puce.
Le but est de dcrire le transfert en tension provoqu par un signal carr lentre du montage au
sein dune tude forts signaux.
Tous les transistors sont supposs identiques ou parfaitement complmentaires ( >> 1 ) et la tension
dEarly est nglige ( VA = ). Le modle mathmatique dEbers-Moll sera utilis cause du
comportement non linaire des transistors, avec les paramtres F 1 , R 0.5 et I ES = 1 fA .
VCC
5V
I1
I2
100A
100A
Rch
Q2
5k
Q3
(+)
(-)
Q1
Q4
VD
Q8
VS
Q7
Q5
Q6
2. Ecrivez lexpression des courants IC2 et IC3 en fonction de la tension diffrentielle dentre VD et
de la source de courant I1 . Tracez ce transfert.
3. Pour une valeur de VD >> 2 UT , expliquez les modes de fonctionnement des transistors Q5 , Q6 ,
Q7 et Q8 . Commentez ce rsultat.
4. Mme question pour une valeur de VD << 2 UT .
5. Tracez la rponse temporelle de VS et concluez.
6. Dessinez le circuit reprsentatif des sources de courant I1 et I 2 en employant des rsistances
dont les valeurs nexcdent pas 20 k.
Sylvain Gronimi
Page 307
Circuits intgrs
Corrig
1. Description
Le circuit intgr se compose dun tage de polarisation, dun tage diffrentiel associ un transfert
dynamique de courant et dun tage de sortie.
- Le circuit de polarisation est symbolis, dans son rgime continu, par deux sources de courant I1
et I 2 qui alimentent respectivement ltage diffrentiel et ltage de sortie. La vritable structure
de ce circuit peut tre un rptiteur de courant (source de Widlar par exemple) dont les valeurs de
rsistances demeurent raisonnables afin doccuper un minimum de place sur la puce.
- Ltage diffrentiel est comportement metteur commun. Les transistors Q1 et Q4 monts en
collecteur commun, qui prcdent les transistors Q2 et Q3 respectivement, proposent un faible
courant de polarisation en entre (quelques nA). Le circuit de charge est un miroir lmentaire
Q5 - Q6 qui commande en courant ltage terminal.
-
Ltage de sortie utilise deux montages metteur commun. Le transistor Q8 est collecteur
ouvert, permettant lutilisateur de choisir la valeur de la charge. Si la charge nest pas alimente
en courant, le circuit est faible consommation (1 mW). Lintrt de cette structure apparatra lors
de ltude en commutation de ces transistors.

Rappelons la modlisation du JBT en rgime continu (modle mathmatique dEbers-Moll)
VCB
VBE
I E = I ES e UT 1 R ICS e UT 1
I
I
I
B
E
C
VCB
VBE
U
IC = ICS e T 1 + F I ES e T 1
associes la condition de rciprocit F I ES = R ICS .
Par exemple, en mode actif direct ( VBE > 0 , VCB 0 ), les quations scrivent :
VBE
I E I ES e UT
VBE
IC F I ES e UT
VBE
I (1 )I e UT
F ES
B
IC
F
= F
IB 1 F
si le courant de fuite de la jonction en inverse est ngligeable devant le courant direct de la jonction
base-metteur et VBE >> UT .
Les transistors Q1 , Q2 , Q3 et Q4 sont identiques et travaillent en mode actif direct ( >> 1 ou
F 1).
Sylvain Gronimi
Page 308
Circuits intgrs
VD = VEB1 VEB2 + VEB3 + VEB4
I B2 = I E1
quations du circuit
I B3 = I E 4
I = I + I
1 E2 E3
VEB1
I E I ES e UT
1
quations technologiques Q1 Q2
VEB2
I E 2 I ES e UT
IE IE
VD = UT ln 3 4
IE IE
1 2
I1 = I E 2 + I E3
I E1 = I B2 = I E 2
I
I B3 I E3
E4
IE
VD = 2 UT ln 3
IE

2
I
I
I
=
+
1 E 2 E3
VEB3
I E I ES e UT
3
et Q3 Q4
VEB4
I E 4 I ES e UT
do I
E2
I1
1+ e
VD
2 UT
I1
IC 2 , I E 3
1+ e
VD
2 UT
IC 3
100uA
IC 3
IC2
50uA
0A
-300mV
-200mV
-100mV
0V
100mV
200mV
300mV
VD
3. Explication du fonctionnement des transistors pour VD >> 2 UT

Si VD >> 2 UT
IC2 0 et IC3 I1 = 100 A . Le transistor Q2 fournit un courant de collecteur
pratiquement nul et le transistor Q3 transfre la quasi intgralit du courant issu de la source I1 .

Le miroir reconduisant le courant dentre IC5 IC2 , amne sa sortie IC6 0 . La loi de nud
scrit IC3 = IC6 + I B7 , donc I B7 100 A . Si le courant collecteur de Q7 tait suprieur son
courant de base, la loi du nud serait telle que I B8 = I 2 IC7 < 0 , sens du courant de base de Q8
incompatible avec le type du transistor (NPN). Ainsi, I B7 IC7 = 100 A et le transistor Q8 est
bloqu. Aucun courant ne circule dans la charge et le potentiel de sortie est au niveau de
lalimentation VCC .
On peut vrifier que lensemble Q5 - Q6 fonctionne bien en miroir de courant. En effet,
VBE5 = VBE6 (tension faible), VCB5 = 0 V (transistor Q5 mont en diode) et VCB6 = VBE7 VBE6 > 0 ,
ce qui correspond un mode actif direct trs faible courant.
IC 5
VBE6
VBE5
U
T
= F I ES e
1 et IC6 ICS + F I ES e UT 1 IC5 (effet miroir)
Sylvain Gronimi
Page 309
Circuits intgrs
Pour le transistor Q7 ,
VCB7
VBE7
VBE7
VCB7
IC7 I B7 ICS e UT 1 + F I ES e UT 1 (1 F )I ES e UT 1 + (1 R )ICS e UT 1
soit (2 R )ICS e
VCB7
(2 F 1)I ES e
UT
VBE7
IC 7
1 R F
I ES e
2 R
IC 7
1 R F
ICS e
2 F 1
UT
VBE7
UT
car forts courants ( VCB7 et VBE7 >> UT ).
3 IC 7
VBE7 UT Ln
I ES
0.66 V
VCB7
et VCE7 = VCB7 VBE7
2 IC 7
VCB7 UT Ln
ICS
27 m V
UT
0.633 V
Le transistor Q7 est videmment satur et comme VBE8 = VCE7 , le transistor Q8 est bien bloqu.
La tension de sortie est VS = 5 V .
5V
Rch
0A
100 A
100 A
27 mV
0.66 V
5V
Q8
100 A
Q7
0A
Q5
0A
Q6
4. Explication du fonctionnement des transistors pour VD << 2 UT

Si VD << 2 UT IC2 I1 = 100 A et IC3 0 . Le transistor Q2 transfre la quasi intgralit du
courant issu de la source I1 et le transistor Q3 amne un courant de collecteur pratiquement nul
tel que IC3 = IC6 + I B7 0 , soit I B7 IC6 . Ainsi, lensemble Q5 - Q6 renvoie un courant IC6 dont le
sens est incompatible avec le courant de base de Q7 (type NPN) et I B7 sidentifie grossirement
au courant de fuite de la jonction collecteur-base du transistor Q7 (tension VBE7 0 ). La loi du
nud impose donc que IC6 0 et lensemble Q5 - Q6 ne travaille plus en miroir de courant.
Les quations du transistor Q6 scrivent
VBE6
VCB6
I = I e UT 1 + I e UT 1 0
C6
CS
F
ES
VBE6
U
(
)
I
1
B6
R F ES e T 1
VBE6
VCB6
I E 6 = I ES e UT 1 R ICS e UT 1 I B6
Sylvain Gronimi
Page 310
Circuits intgrs
et pour le transistor Q5 mont en diode IC5
VBE5
= F I ES e UT 1 .
VBE6
IC2 = I E5 + I B6 I1
De plus, la topologie impose
I1 ( F + 1 R F )I ES e UT 1
VBE5 = VBE 6
do I E5
F
1 R F
I1 67 A , I B6
I1 33 A ,
F + 1 R F
F + 1 R F
I1
et VBE5 = VBE 6 UT Ln
0.623 V
(
)
I
1
R F ES
F
VCB6
VBE6
VBE6
VCB6
ICS e UT 1 F I ES e UT 1 e UT 1 R e UT 1
do VCB6 VBE6 + UT Ln ( R ) 0.606 V et VBE7 = VCE6 = VBE 6 + VCB6 17 m V

Le transistor Q7 tant bloqu, le courant issu de la source I 2 constitue le courant de base de Q8 ,
fort courant qui sature le transistor.
Ainsi, I B8 100 A et IC8
VCC
1 mA
Rch
Les quations du transistor Q8 scrivent

VCB8
VBE8
IC ICS e UT + F I ES e UT
8
VBE8
VCB8
U
I B8 (1 F )I ES e T + (1 R )ICS e UT
I B + (1 R )IC8
VBE8 UT Ln 8
(1 R F )I ES
VCE8 = VBE8 + VCB8 62 m V
I B8 (1 R F )I ES e
VBE8
UT
(1 R )IC8
F I B8 + ( F 1)IC8
0.695 V , VCB8 UT Ln
(1 R F )ICS
0.633 V
La source de courant I 2 permet une faible tension de saturation en sortie puisque VS 62 mV .

5V
1mA
Rch
100A
0A
100A
100A
0.695 V
62 mV
Q8
0A
0.623 V
17 mV
Q7
0A
Q5
67 A
Sylvain Gronimi
33 A
Q6
Page 311
Circuits intgrs
5. Trac de VS (t )
La simulation confirme les rsultats obtenus.
6.0V
(124u, 5.00)
4.0V
2.0V
(24u, 300m)
(173u, 62m)
(73u ,-300m)
0V
frquence 10 kHz
-2.0V
0s
V(S)
V(in+)
50us
100us
150us
200us
250us
300us
Time
Le niveau du signal VS (t ) , issu du comparateur aliment sous 5 V, est directement compatible avec
des technologies TTL et CMOS. Comme rien nempche de brancher le CI sous une tension
dalimentation symtrique ( VCC ), la compatibilit demeure valable pour une technologie ECL.
6. Schma du circuit reprsentatif des sources de courant
VCC
R1
R2
200
200
Q11
Q9
Q10
I1
IC11
I2
R3
19.8 k
Le choix se porte sur un rptiteur sources de Widlar symtriques ( I1 = I 2 ) dont les quations de
circuit sont :
VEB11 = VEB9 + R1 I E9
VEB9
R1 I E9
R1 I1
R2 I 2
U
T
VEB11
I E11 F I ES e
e UT soit IC11 I1 e UT I 2 e UT ( F 1 )
I E F I ES e UT
11
En prenant R1 = R2 = 200 , IC11 222 A et R3
Sylvain Gronimi
Page 312
VCC VEB11
IC11
19.8 k ( 20 k ).
Circuits intgrs
Boucle verrouillage de phase analogique (NE565 de Motorola)

Ltude porte sur le circuit intgr de la figure ci-dessous. Le but est de retrouver les performances du
circuit fournies par le constructeur.
Tous les transistors sont supposs identiques ou parfaitement complmentaires, de gain en courant
important ( >> 1 ) et dont leffet Early est nglig ( VA = ).
Un transistor prsente VBE 0.6 V en mode actif direct, VBEsat 0.8 V et VCEsat 0.2 V en mode
satur. La diode zener D10 prsente une tension inverse VZ 2.7 V et les autres diodes VDi 0.6 V
en direct.
Une alimentation symtrique par rapport la masse ( VCC ) est branche entre les bornes 10 et 1.
Ce circuit se compose de deux parties, dune part la fonction oscillateur contrl en tension (VCO),
comprise entre les bornes 7 (entre) et 4 (sortie), dont la frquence libre des oscillations est ajuste
par deux composants passifs extrieurs que sont la rsistance R1 branche entre les bornes 8 et 10
et le condensateur C1 branch entre les bornes 9 et 1, dautre part la fonction comparateur de phase
(CDP), remarquable par ses deux entres, borne 5 et bornes 2 et 3, avec la sortie sur la borne 7. La
sortie du CDP est directement relie lentre du VCO.
Ltude entreprendre est en rgime pseudo-continu. Les caractristiques statiques valuer seront
- le facteur de sensibilit K D du CDP,
-
la frquence libre des oscillations fo et le facteur de sensibilit K 0 du VCO,
la plage de maintien 2 fM , centre autour de fo , de la PLL.
la plage de capture 2 f A , centre autour de fo , de la PLL associe un filtre RC.
Sylvain Gronimi
Page 313
Circuits intgrs
Fonction CDP
Le circuit du CDP est constitu dun multiplicateur quatre quadrants, suivi dun amplificateur
diffrentiel asymtrique fonctionnant en rgime linaire.
+VCC
R14
R16
3.3k
7.2k
D12
R18
R19
7.2k
1.75k
D13
R24
VC
VM1
VM2
VS
3.6k
Vref
Q26
Q27
D11
Q18
Q19
Q22
Q20
Q23
R20
R23
R25
3.8k
1k
1k
R21
Q24
8.1k
VE
Q25
Q21
R15
Q28
5.7k
R22
R26
R27
200
200
205
-VCC
Fonction VCO
Le VCO du circuit NE 565 est un oscillateur relaxation, constitu partir dune source de courant
commande et dun trigger de Schmitt.
+VCC
R1
D10
VF
R5
R8
R10
R12
6.5k
4.7k
16k
4.3k
Q1
Q2
Vo
R27
Q13
13.65k
Q4
Q3
VS
D3
D2
VT
D8
Q9
D6
Q5
C1
Q12
D7
R3
530
5.8k
Vi
Q7
R2
R11
R7
8.4k
-VCC
530
Q16
Q15
D9
Q11
Q6
Q14
Q17
Q25
Q10
D4
Icom
D5
Q8
R4
R13
2.4k
R6
2.6k
R9
4.8k
R17
200
R26
200
-VCC
Sylvain Gronimi
Page 314
Circuits intgrs
1. Donnez une description prcise du schma du constructeur.
Etude de la fonction CDP
2. Ecrivez lexpression de la tension diffrentielle de sortie VM = VM1 VM 2 du multiplicateur en
fonction des tensions VE et VS dentre.
3. Si les tensions dentre sont des signaux carrs de mme frquence et damplitude importante
devant 2UT , dcrivez le fonctionnement du multiplicateur.
4. En rgime continu, valuez les potentiels Vref et VCo . Concluez sur les rsultats obtenus.
5. En rgime dynamique aux faibles signaux, valuez le gain en tension Ad de lamplificateur
asymtrique ( = 200 ). Prcisez lamplitude du signal v C (t ) .
6. Calculez le facteur de sensibilit K D du CDP.
Etude de la fonction VCO
7. Ecrivez lexpression du courant I1 , issu des metteurs de Q3 et Q4 , en fonction du potentiel VF .
8. Ecrivez lexpression de la priode du signal VT en fonction de ses variations VT et du courant
I1 .
9. En ngligeant la prsence des diodes D6 D9 et de la rsistance R7 , valuez Vi et Vo ,
respectivement potentiels dentre et de sortie du trigger dans les cas Q11 bloqu et Q12 satur et
inversement. Dduisez les valeurs des potentiels VT+ , VT et VS .
10. Expliquez prcisment la commande de Q8 par le courant I com issu de ltage diffrentiel.
Etude de la fonction PLL
Le systme est boucl en connectant les bornes 4 et 5. Un condensateur C2 est connect entre les
bornes 7 et 10, introduisant ainsi un filtre passe-bas de constante de temps = R24 C2 .
11. Pour toute valeur des composants extrieurs R1 et C1 , crivez les relations donnant la frquence
libre fo du VCO, les gains de conversion K D et K 0 et les plages de maintien 2 fM et
dacquisition 2 f A .
Sylvain Gronimi
Page 315
Circuits intgrs
Corrig
1. Description
Le schma se compose dun tage de polarisation, dun comparateur de phase et dun oscillateur
contrl en tension.
- Le circuit de polarisation, rptiteur de courant, est lassociation de sources de type Widlar dont le
courant de rfrence est fourni par le transistor Q25 et les rsistances R19 , R 20 , R21 et R 26 . Les
sorties collecteurs Q10 , Q17 , Q21 et Q28 , associes leur rsistance dmetteur, polarisent
respectivement ltage collecteur commun Q9 , la diode zener D10 qui fixe le potentiel de base de
Q16 , ltage diffrentiel Q20 - Q24 , ltage diffrentiel Q26 - Q27 .
Le circuit VCO est un oscillateur relaxation comportant dune source de courant commande
chargeant et dchargeant un condensateur et dun trigger de Schmitt basculant en fonction du niveau
aux bornes du condensateur.
- Les transistors Q1 Q7 et les diodes D1 D3 forment la source de courant. Le signal de
commande est appliqu sur la base de Q1 . Les transistors Q1 Q4 constituent la source de
courant commande par v F (t ) , Q1 et Q2 permettant dappliquer indirectement v F (t ) aux bornes
de la rsistance R1 (composant extrieur) et Q3 et Q4 imposant des courants pratiquement
gaux dans Q1 et Q2 pour que les jonctions base-metteur de ces derniers soient polarises de
faon identiques. La tension v F (t ) est donc transfre la borne 8 et le courant I1 constitue le
courant de charge pour le VCO. Ce courant arrive sur les anodes des diodes D2 et D3 . Lorsque
le transistor Q8 , contrl par le trigger, est satur, D3 est polarise en inverse. Tout le courant
traverse D2 et commande le miroir de courant (type Wilson) constitu des transistors Q5 Q7 et
des rsistances R 2 et R3 . Il apparat alors un courant de dcharge du condensateur C1
(composant extrieur) sur le collecteur de Q5 gal I1 . Lorsque Q8 est bloqu, la source de
courant de type Wilson nest plus alimente et le condensateur C1 est charg par lintermdiaire
de D3 . Le signal triangulaire est disponible sur la borne 9.
-
Le trigger de Schmitt, form par les transistors Q11 et Q12 , est pilot par le signal triangulaire issu
de larmature positive du condensateur C1 par le biais de lmetteur suiveur Q9 charg par une
source de courant de type Widlar (tage buffer). Les diodes D6 D9 vitent la saturation de Q11
et Q12 , ce qui permet damliorer la vitesse de commutation. La sortie du trigger est suivie dun
transistor Q13 , mont en metteur suiveur, permettant une sortie sous faible impdance. Un
signal carr est alors disponible sur la borne 4. Cette sortie est galement connecte un
amplificateur diffrentiel Q14 - Q16 qui gnre un courant de commande vers la base de Q8 par le
biais de Q15 - R11 . Les diodes D4 et D5 vitent la saturation de Q8 pour amliorer la vitesse de
commutation.
Le circuit CDP est compos dun multiplicateur quatre quadrants et dun amplificateur diffrentiel de
tension.
- Les transistors Q20 et Q24 forment un circuit diffrentiel couplage par metteurs, aliment par le
courant issu du collecteur de Q21 et attaqu par le signal v E (t ) . Chacun des transistors Q20 et
Q24 constitue une source de courant pour les paires diffrentielles Q18 - Q19 et Q22 - Q23 . A ces
paires est applique la tension diffrentielle v S (t ) issue du VCO. La tension diffrentielle de sortie
du multiplicateur, issue des rsistances de charges R16 et R18 , est limite en amplitude par les
diodes D12 et D13 .
Sylvain Gronimi
Page 316
Circuits intgrs
La tension diffrentielle recueillie est applique lentre dun tage diffrentiel asymtrique Q26 Q27 (absence de charge sur le collecteur de Q26 ), prsentant une contre-raction locale
dmetteurs due aux rsistances R 23 et R 25 . Cette contre-raction permet un fonctionnement
linaire de lamplificateur de tension, relativement lamplitude de lattaque. La tension de sortie
du CDP est disponible sur la rsistance R 24 (borne 7).
Le CDP tant directement connecte lentre du VCO, le potentiel continu du collecteur de Q27 fixe
la frquence libre du VCO rgl par le choix des composants extrieurs R1 et C1 . Seul, un filtre
passe-bas passif est utilisable puisquun filtre actif ne peut tre intercal entre CDP et VCO. La boucle
est referme en reliant les bornes 4 et 5. Le signal lentre de la PLL est appliqu entre les bornes 2
et 3 tel que sa valeur moyenne soit nulle (attaque centre par rapport la masse).
Etude de la fonction CDP

2. Expression de la tension diffrentielle de sortie VM du multiplicateur quatre quadrants
Ce multiplieur analogique intgr dcoupage est bas sur le fonctionnement du montage diffrentiel
travaillant en saturation.
+VCC
R14
R16
3.3k
7.2k
D12
R18
R19
7.2k
1.75k
D13
vM
D14
Q18
Q19
Q22
Q23
R20
3.8k
vS
Q20
R21
Q24
vE
8.1k
Ipol
IE
R15
5.7k
Q21
Q25
R22
R26
200
200
-VCC
Sylvain Gronimi
Page 317
Circuits intgrs
Pour les transistors Q20 et Q24

VBE20
IC I BS e UT
20
VBE24
IC24 I BS e UT
(technologie) VE = VBE20 VBE 24 (circuit)
IC20
IC24
VE
e UT
Le gnrateur de courant I E impose I E = I E 20 + I E24 IC20 + IC24 IC20
IE
1+ e
VE
UT
et IC24
IE
VE
1 + e UT
De la mme faon, les expressions des courants collecteurs de Q18 , Q19 , Q22 et Q23 scrivent :
IC18
IC20
V
S
1 + e UT
do IC18
1+ e
VE
1 + e UT
et IC22
1 + e
IC20
et IC19
VE
UT
IE
VS
1 + e UT
IE
VS
1 + e UT
IC24
, IC22
VS
UT
1+ e
, IC19
VE
1 + e UT
, IC23
1 + e
VE
UT
IC24
et IC23
VS
UT
1+ e
IE
VS
1 + e UT
IE
VS
1 + e UT
VS
UT
La tension diffrentielle de sortie du multiplicateur VM est telle que :
(
(
VM1 = VCC R16 IC18 + IC22
VM 2 = VCC R18 IC19 + IC23

V
soit VM = R I E th E
2 UT
)
)
VM = VM1 VM 2 = IC18 + IC22 R16 + IC19 + IC23 R18
VS
th
2 UT
avec R = R16 = R18
e x e x
x
(car th =
)
2 (1 + e x )(1 + e x )
La tension de sortie VM est donc gale au produit des tangentes hyperboliques des tensions
diffrentielles dentre.
Dans un contexte gnral, selon les amplitudes des variations de v e (t ) et de v s (t ) devant 2UT , le
comportement du circuit peut tre class en trois catgories :
-
Si v e et v s << 2UT , le circuit se comporte comme un multiplicateur linaire gnrant une tension
de sortie v m (t ) =
R IE
v e (t ) v s (t ) .
4 UT2
Si v e ou v s << 2UT , imposant un fonctionnement en commutation des transistors considrs, le

circuit fonctionne en modulateur gnrant une tension de sortie v m (t ) =
v m (t ) =
R IE
v e (t ) ou
2 UT
R IE
v s (t ) . On multiplie donc un signal de faible amplitude par un signal carr.
2 UT
Si v e et v s >> 2UT , les six transistors fonctionnent comme un ou exclusif. Le circuit nest
sensible qu la diffrence de phase entre v e (t ) et v s (t ) , signaux synchrones et de mme
frquence. Cest le fonctionnement en modulateur quilibr qui gnre une tension de sortie
v m (t ) = R I E .
Sylvain Gronimi
Page 318
Circuits intgrs
3. Description du fonctionnement du multiplicateur

Dans le cas prsent, le circuit est sens fonctionner en commutation, v m (t ) = R I E signal
rectangulaire de forte amplitude et de valeur moyenne nulle. Cependant, cette tension de sortie est
limite par les tensions sur les diodes D12 et D13 et v M (t ) = VMo + v m (t ) avec v m (t ) 0.6 V et
VM o = 0 V .
4. Evaluation des potentiels Vcont et VCo

Amplificateur diffrentiel asymtrique
+VCC
Vref
R19
R24
1.75k
3.6k
VC
VM
Q26
Q27
R20
R23
R25
3.8k
1k
1k
R21
8.1k
Ipol
I0
Q25
Q28
R26
R27
205
200
-VCC
En rgime continu, ltage diffrentiel est polaris par un quasi miroir de courant, car R26 R27 .
2VCC VBE25 + (R19 + R 20 + R21 + R26 )I pol
2VCC VBE 25
R
I pol =
et I 0 26 I pol .
V
R
I
V
R
I
+
+
R
+
R
+
R
+
R
R27
BE25
26 pol
BE 26
27 0
19
20
21
26
Les expressions des potentiels disponibles en sortie du CDP en rgime continu scrivent :
I
R R
Vref = Vcc R19 I pol (borne 6) et VCo VCC R24 0 VCC 24 26 I pol (borne 7)
2
2 R27
R24 R26
), ces deux bornes sont quipotentielles
2 R27
et permettent une attaque diffrentielle issue de la sortie du filtre. La tension continue VCo , qui est
Les coefficients de I pol tant du mme ordre ( R19
applique lentre du VCO, dfinit en partie sa frquence libre doscillations (voir ltude du VCO).
Sylvain Gronimi
Page 319
Circuits intgrs
5. Evaluation du gain en tension Ad

Lamplificateur diffrentiel fonctionne en amplification linaire de tension cause de forte contreraction locale dmetteur R 23 et R 25 . Le calcul du gain de ltage se fait en rgime dynamique aux
faibles signaux. La mthode du demi schma est employe ici.
R18
rbe
R24
vm / 2
vc
R25
vm
= [R18 + rbe + ( + 1)R25 ]i
v
R24
Ad = c =
2
v m R18 + rbe + ( + 1)R25
v = R i
24
c
Or rbe =
2UT
UT

Ad =
IC
I0
R24
1.64
R18 2 UT
2
+
+ R25
I0
( = 200 ).
Le gain en tension Ad est fonction du courant I 0 , donc de la tension dalimentation du circuit.

Cependant, le terme
2 UT
tant ngligeable devant la valeur de R25 , Ad est pratiquement constant.
I0
Le signal rectangulaire v M (t ) , de valeur moyenne nulle et damplitude crte 0.6 V est donc
amplifi. Le signal de sortie, image de v M (t ) est v C (t ) = VCo + v c (t ) = VCo + Ad v d (t ) , soit
v C (t ) = 4.56 1V .
8.0V
5.56 V
VC(t)
4.56 V
Vref
4.0V
3.56 V
0.6 V
VM(t)
0V
- 0.6 V
-2.0V
0s
0.2ms
0.4ms
0.6ms
0.8ms
1.0ms
1.2ms
Time
Le comportement ou exclusif du multiplicateur produit un signal de sortie rectangulaire de

frquence double par rapport la frquence des signaux dentre et de rapport cyclique fonction du
dcalage temporel entre ces signaux.
Sylvain Gronimi
Page 320
Circuits intgrs
6. Evaluation du facteur de sensibilit K D

Calcul de la valeur moyenne de v C (t ) v C (t ) =
1
T
T
0
v C (t ) dt = VCo +
2
T
T
2v
c (t ) dt
400mV
0V
VE(t)
-400mV
6.0V
4.0V
VS(t)
2.0V
0V
-2.0V
6.0V
VC(t)
5.0V
4.0V
3.0V
0s
0.2ms
0.4ms
0.6ms
0.8ms
1.0ms
1.2ms
1.6ms
1.4ms
Time
Pour illustration, les signaux carrs v E (t ) = VEo + v e (t ) et v S (t ) = VSo + v s (t ) , damplitudes >> 50 mV ,

sont tels que v e (t ) = 0.25 V , valeur moyenne VEo = 0 V et v s (t ) = 3.08 V , VSo 2.32 V (voir la
simulation dans ltude du VCO). Le dcalage temporel entre les deux signaux est t .
Pour 0 t
vC =
Pour
2
4 t
T
T
, v C (t ) = VCo + t t = VCo 1 +
T
2
T
2
d + 3.56 pour 0 d ( d = 2
t
)
T
2
4 t
T
T
t T , v C (t ) = VCo + t + (T t ) = VCo + 3
2
T
T
2
vC =
d + 7.56 pour d 2 ou encore v C = d + 3.56 pour d 0 .
Vc
5.56 V
moyen
point stable
5.0
4.56 V
point instable
4.0
pente = 2 / V / rad
3.56 V
3.0
- /2
d
/2
La sensibilit du CDP est donne par la pente de la caractristique , soit K D =
0.64 V / rad . Le
point stable retenu doit tre tel que le produit K D K 0 > 0 (voir plus loin le signe de K 0 ).
Sylvain Gronimi
Page 321
Circuits intgrs
Etude de la fonction VCO

Les courants de base sont ngligs par rapport aux courants de collecteur ou dmetteur. La borne 7
est directement relie lentre du VCO. En labsence de filtre passe-bas, les potentiels sont
identiques v F (t ) = v C (t ) et donc v F (t ) = VFo + v f (t ) avec VFo = 4.56 V .
7. Expression du courant I1
Source de courant commande
+VCC
I
R1
Q1
VF
VEB2
VBE1
Q2
Q3
Q4
I1
Pour le miroir de courant

VBE3
IC I BS e UT
Q3 Q4 3
VBE4
IC4 I BS e UT
(technologie) VBE3 = VBE 4 (circuit) IC3 IC4
Pour les transistors Q1 et Q2

VBE1
IC I BS e UT
1
VEB2
IC2 I BS e UT
(technologie)
IC3 IC1
(circuit) VBE1 VEB2
IC4 IC2
Pour le restant du circuit

I1 = I E + I E
3
4
I I1
V VF

I1 CC
I
I
I
=
+
C1
E2
V
R
I
V
+
R1
1 1
F
CC
VCC = R1I + VEB2 VBE1 + VF

Les potentiels de collecteur et de base de Q1 sont gaux ( VCB1 0 ). Le potentiel dentre VF est
reconduit au point bas de la rsistance R1 . Le choix de cette rsistance dfinit le courant I1 .
Sylvain Gronimi
Page 322
Circuits intgrs
8. Expression de la priode du signal VT

Gnrateur donde triangulaire
I1
D2
D3
VT
Q5
C1
68n
Q6
-VCC
Q7
R2
R3
530
530
Icom
Q8
-VCC
Le transistor Q8 est command par le courant I com et fonctionne en commutation (voir plus loin
ltude du trigger).
Supposons quau dpart, le transistor soit bloqu ( I com 0 ). Le point commun des rsistances R2 et
R3 nest plus connect, ce qui entrane le blocage des transistors Q5 , Q6 , Q7 et de la diode D2 . Le
courant I1 , passant par la diode D3 , charge alors le condensateur C1 et le potentiel de larmature
positive augmente jusqu atteindre le seuil de basculement VT+ du trigger. Ce dernier bascule et le
courant I com , de valeur relativement importante, rend le transistor Q8 satur. Le circuit du miroir de
courant est alors connect lalimentation. Le potentiel de lanode de la diode D3 est alors de
VD2 + VBE5 + VBE7 + R3 I1 + VCE8 sat VCC
avec R3 I1 R3
VCC VFo
R1
soit lgrement > 4 V .
A linstant du basculement, le potentiel de la cathode de la diode D2 tant gal VT+ , valeur

suprieure au potentiel danode, la diode est bloque. Le courant I1 passe par la diode D2 et le miroir
de courant permet la circulation de ce courant dans le transistor Q5 , ce qui va produire la dcharge
du condensateur travers ce dernier. La dcharge prend fin lorsque le potentiel dentre VT du
trigger est atteint, ce qui provoque le blocage de Q8 . La situation de dpart est retrouve et le cycle
recommence.
Sous le rgime de polarisation, le potentiel dentre est constant ( VF = VFo ). Le condensateur C1 se
charge et se dcharge courant I1 constant. Le circuit gnre un signal triangulaire sa sortie dont
lvolution temporelle est VT =
Sylvain Gronimi
I1
t.
C1
Page 323
Circuits intgrs
Pour une volution positive du potentiel VT , la variation VT = VT+ VT seffectue durant une demi
priode t = T 2 T =
2 C1 +
(VT VT ) .
I1
9. Evaluation des potentiels du trigger

Trigger
+VCC
R5
6.5k
R8
4.7k
Vo
Q12
R7
Q11
8.4k
Vi
R6
2.6k
-VCC
Le signal triangulaire de variation damplitude VT = VT+ VT , disponible sur la base du transistor Q9

(borne 9), subit une translation de tension denviron 0.6 V par ltage suiveur. La forte impdance
dentre de ltage, charg par une source de courant, impose que le courant I1 se dirige vers le
condensateur C1 . Le signal triangulaire dcal vers le bas, pilote le trigger de Schmitt, compos par
les transistors Q11 et Q12 . La sortie du trigger de Schmitt est suivie du transistor Q13 , mont en
metteur suiveur, permettant de sortir sous faible impdance (borne 4). Le potentiel Vi est donc
limage du potentiel de larmature positive du condensateur C1 la translation prs de VBE9 0.6 V .
Pour une approche analytique plus directe, le courant dans la rsistance R7 sera nglig par rapport
aux autres courants et les diodes D6 D9 , qui permettent damliorer la vitesse de commutation, ne
seront pas reprsentes.
+VCC
Cas 1 : Q11 bloqu et Q12 satur
2VCC = R5 I ' + VBEsat + R6 (I + I ' )
2VCC = R8 I + VCEsat + R6 (I + I ' )
R5
6.5k
2VCC VCEsat (R6 + R8 )I
I ' =
R6
R

2VCC VBEsat 1 + 5 2VCC VCEsat
R6
I =
R6 1 + 5 (R6 + R8 )
R6
R8
4.7k
I
Q12
Vo
I + I
R6
2.6k
-VCC
Sylvain Gronimi
Page 324
Circuits intgrs
Le potentiel de sortie Vo est ltat bas (Low) VoL = VCC R8 I . Ce potentiel subit une translation de
tension continue par la prsence de ltage suiveur Q13 , la borne 4 du circuit intgr prsente donc
VS = VoL VBE13 . Au moment du basculement du trigger, le transistor Q11 est conducteur et le
potentiel dentre vaut Vi = VBE11 + R6 (I + I ' ) VCC . Ce potentiel ayant subi une translation de tension
continue par la prsence de ltage suiveur Q9 , la borne 9 du circuit intgr prsente donc :
VT+
= VBE9 + VBE11 + 2VCC VCEsat R8
R5 + R 6
2VCC VCEsat
R6
VCC
R + R6
(R6 + R8 )
R6 5
R6
2VCC VBEsat
Cas 2 : Q11 satur et Q12 bloqu
+VCC
2VCC VCEsat + (R5 + R6 )I
Vi = VBE11 + R6 I VCC
Vi = VBE11 + R6
R5
6.5k
2VCC VCEsat
R5 + R 6
Q11
VCC
Vi
I
R6
2.6k
-VCC
Le transistor Q12 tant bloqu, le potentiel de sortie Vo est ltat haut (High) VoH VCC . La borne 4
prsente alors un potentiel de sortie VS VoH VBE13 . La borne 9 du circuit intgr prsente le
potentiel Vi translat
VT = VBE9 + VBE11 +
R6
2VCC VCEsat VCC
R5 + R 6
Ainsi, le signal sur la borne 4 est un signal carr v S (t ) de frquence fs tel que v S (t ) = VSo + v s (t )
avec une valeur moyenne VSo =
VoH + VoL
VBE13 et une variation v s (t ) VoH VoL autour de cette
2
valeur moyenne.
VoH VoL
R
2VCC VBEsat 1 + 5 2VCC VCEsat
R6
R8
R
R6 1 + 5 (R6 + R8 )
R6
Le signal sur la borne 9 est un signal triangulaire vT (t ) de mme frquence fs tel que
v T (t ) = VTo + v t (t ) avec une valeur moyenne VTo
VT+ + VT
et une variation v t (t ) VT+ VT autour de
2
cette valeur moyenne.
VT+
VT
= 2VCC VCEsat R8
Sylvain Gronimi
R5 + R 6
2VCC VCEsat
R6
R6
2VCC VCEsat
R5 + R 6
R5 + R 6
(R6 + R8 )
R6
R6
2VCC VBEsat
Page 325
Circuits intgrs
6.0V
4.0V
fs = 1413 Hz
5.40 V
VS(t)
R1 = 3.3
C1 = 68 nF
VS = 6.16 V
2.0V
0.84 V
VT(t)
0V
VT = 2.27 V
- 0.76 V
-2.0V
0s
0.2ms
- 1.43 V
0.4ms
0.6ms
0.8ms
1.0ms
1.2ms
1.4ms
1.6ms
Time
10. Explication de la commande de Q8

Amplificateur diffrentiel pour commande en courant
+VCC
D10
R10
R12
16k
4.3k
R27
13.65k
Q14
VS
Q16
Q15
R11
5.8k
Icom
Q17
Q25
R17
200
R26
200
-VCC
La sortie de ltage collecteur commun Q13 est connecte un amplificateur diffrentiel ( Q14 et Q16 )
qui commande en courant le transistor Q8 par le biais de Q15 .
Sylvain Gronimi
Page 326
Circuits intgrs
Le miroir de courant polarise la diode zener D10 qui fixe le potentiel de la base de Q16 la valeur
VB16 = VCC VZ 3.3 V . La diffrence de potentiel de lattaque de ltage diffrentiel est VS VB16 .
Sur le front bas du signal carr ( VS = VoL VBE13 ), le potentiel de base de Q14 est un niveau trs
infrieur VB16 . Le potentiel commun des metteurs tant plus bas que VB16 , Q16 est bloqu et Q14
satur. Le courant traversant la rsistance R11 tant ngligeable, le transistor Q15 est bloqu et
I com 0 . Le transistor Q8 est bloqu lors de la charge du condensateur C1 .
Sur le front haut du signal carr ( VS VoH VBE13 ), le point commun des metteurs est suprieur
VB16 . Q14 est bloqu et Q16 satur. La majorit du courant de collecteur de Q16 traverse la rsistance
R11 , produisant une tension telle que Q15 devient conducteur. Ainsi, le courant I com est suffisamment
important pour saturer Q8 lors de la dcharge du condensateur C1 .
Etude de la fonction PLL

11. Ecriture des relations gnrales
En posant la tension dalimentation totale applique au circuit VALIM = 2VCC , et en considrant que
VALIM >> VCEsat et VBEsat , les quations issues de ltude du VCO scrivent :
R5
(R5 + R6 )R8 2V V
R 6 R8
VT+ VT =
2VCC VBEsat
CC
CE sat +
(
)
(
+
+
R
R
R
+
R
R
+
R
R
R
R
6
5
6
8
5 6
5
6 )R 8 + R 5 R 6
5
R5
R5 R8
VT+ VT k VALIM avec k =
0.2023
R5 + R6 (R5 + R6 )R8 + R5 R6
VCC VFo
2VCC VBE25
R24 R26
R R
I pol = 24 26
2 R27
2 R27 R19 + R20 + R21 + R26
VCC VFo k 'VALIM avec k ' =
R24 R26
0.1268
2 R27 (R19 + R20 + R21 + R26 )
Daprs lexpression de la priode du signal carr v S (t ) issu du VCO (borne 4), la pulsation scrit
I1
2
.
=
T
C1 (VT+ VT )
Le courant I1 est obtenu partir, dune part de la rsistance extrieure R1 et, dautre part, de la
tension dentre VF = VFo + VF , do I1
s =
VCC VFo
VCC VFo
R1
VF
(composantes continue et variable).
R1
VF de la forme s = o + = o + K 0 VF
R1C1 (VT+ VT ) R1C1 (VT+ VT )
Par identification, les expressions de la pulsation libre et de la sensibilit du VCO scrivent :
o =
VCC VFo
R1C1 VT+
Sylvain Gronimi
VT
k'
) R C k
1 1
et K 0 =
.
R1C1 (VT+ VT ) R1C1 k VALIM
Page 327
Circuits intgrs
La PLL est associe un filtre passif de la forme F ( p ) =
1
avec = R24 C2 .
1+ p
Calcul de la plage de maintien

La variation maximale de la tension derreur gnre la sortie du CDP est v c max = K D d
En sortie du filtre, la tension est v f max = F (0) v c max = K D
max
puisque F (0) = 1.
2
En sortie du VCO, la variation de la pulsation du signal de sortie autour de la pulsation libre o est
s max = K 0 v f max = K D K 0
Par dfinition s max = 2 fM , ce qui donne la plage de maintien 2 fM =
KD K0
.
2
Calcul de la plage dacquisition

A K D K 0
F ( j A ) pour une capture rapide, avec F ( j A ) =
1
1 + A2 2
1
A
En supposant que la demi-largeur de capture A est, en pratique, trs suprieure la pulsation de

coupure du filtre 1 ,
A K D K 0
1
2 f A
2 A
2 f M
Dans le cas gnral, les donnes de la PLL NE565 sont les suivantes :
K D 0.64 V / rad , fo
f A
50 fo
8 fo
1
(Hz), K 0
(rad/s/V), fM
(Hz),
3.19 R1C1
VALIM
VALIM
5 fo
1
(Hz) avec = 3.6 10 3 C2 (pour un rseau RC).
2 VALIM
Le gain de conversion K D du CDP est peu sensible la valeur de la tension dalimentation totale. Si
le multiplicateur fonctionne en commutation (modulateur quilibr), sa valeur est quasi constante et
ngative car le gain K 0 du VCO est ngatif. Sur la caractristique triangulaire v C ( d ) , le point de
repos stable est donc labscisse d =
, centr entre - et 0 (voir cours technologie des

2
PLL ). Si le multiplicateur ne travaille pas en commutation, K D est fonction de lamplitude des
signaux v E (t ) et v S (t ) .
La frquence centrale libre des oscillations fo est ajuste par R1 et C1 . Les domaines de verrouillage
et de capture stendent respectivement de fM et f A de chaque ct de la frquence centrale.
Sylvain Gronimi
Page 328
Circuits intgrs
Applications de la PLL 565

Nous proposons deux applications de la PLL. Ltude prcdente permet de prsenter le composant
sous le schma suivant.
10
+VCC
R24
Multiplicateur
Amplificateur
3.6k
5
4
VCO
R1
C1
+VCC
-VCC
-VCC
Application n1 : Dmodulation FSK

+6V
R1
C2
47n
CE
10
8
2
1u
565
vE (t)
6
5
3
Ra
Ra
680
680
C1
6.8n
-6V
La boucle est ferme en reliant les bornes 4 et 5. La rsistance R24 intgre au sein du circuit et le
condensateur C2 compose le filtre passe-bas (FPB) du premier ordre. Les rsistances Ra de
polarisation du multiplicateur ont une influence ngligeable. Le composant CE est un condensateur
de liaison pour la source dattaque v E (t ) damplitude >> 50 mV .
Caractrisation des paramtres statiques de la boucle
En labsence du signal v E (t ) et du condensateur de filtrage C2 , la frquence libre des oscillations est
ajuste fo = 10 kHz laide de la rsistance R1 .
1. Dterminez les valeurs des paramtres K D , K 0 , 2 fM de la PLL. Evaluez la rsistance R1 qui
rgle la frquence fo la valeur souhaite.
2. Ecrivez la relation linaire fs (VF ) du transfert du VCO.
Sylvain Gronimi
Page 329
Circuits intgrs
Etude dynamique
Le filtre passe-bas est introduit dans la boucle en connectant C2 entre les bornes 7 et 10. Un signal
carr v E (t ) est appliqu lentre, damplitude v e (t ) = 0.25 V et de valeur moyenne nulle, de
frquence 9 kHz durant 3 ms , puis 11 kHz durant 3 ms et ceci priodiquement.
3. Evaluez la frquence de coupure du filtre et la plage de capture correspondante.
4. La PLL tant verrouille, tracez v F (t ) thorique. Discutez du type de dmodulation.
Vf ( p )
, puis crivez les expressions de n et ,
e ( p)
respectivement pulsation propre du systme non amorti et coefficient damortissement.
6. En appliquant le thorme de la valeur finale, valuez la variation damplitude de v f (t ) en rgime
permanent relative au saut de pulsation en entre, ainsi que la frquence des oscillations amorties
et le dpassement pendant le rgime transitoire.
7. Tracez v F (t ) relle en respectant les chelles sur le rgime transitoire.
8. Discutez de lefficacit du filtre sur les rsidus de porteuse et de la stabilit du systme.
5. Ecrivez la fonction de transfert en boucle ferme
Application n2 : Modem 300 bauds

+5V
R1
C2
3.94k
CE
220n
10
8
2
22n
22n
22n
10k
10k
10k
1u
+
TL082
R'
565
vE (t)
Ra
680
680
30k
3
Ra
C1
68n
-5V
La PLL 565 est destine dmoduler un signal FSK (lignes tlphoniques pour transmission de
signaux binaires). Le signal v E (t ) quelle reoit a une frquence de 1270 Hz lorsque linformation
correspond un 1 logique et une frquence de 1070 Hz lorsque linformation correspond un 0
logique. Le composant CE vite une composante continue indsirable.
La valeur du condensateur C2 du filtre de boucle est fixe par le choix du dpassement appropri sur
la tension dmodule v F (t ) .
Un filtre en chelle trois tages RC est utilis pour enlever les rsidus de porteuse ( 2 fe ) et sa bande
passante doit se situer approximativement mi-chemin entre la vitesse maximale du dbit binaire (ici
300 bits/s ou 150 Hz) et deux fois la frquence dentre (autour de 2340 Hz). La frquence libre du
VCO est ajuste avec R1 pour que le potentiel continu la sortie (signal rapport cyclique de 50 %
sur la borne 7) soit le mme que sur la borne 6.
Un comparateur de tension convertit le signal de sortie en logique compatible. La rsistance R ' = 3 R
quilibre les entres au niveau continu.
Dveloppez le problme limage de lapplication prcdente.
Sylvain Gronimi
Page 330
Circuits intgrs
Corrig
Application n1

1. Valeurs des paramtres
K D 0.64 V / rad (pour le multiplicateur fonctionnant en commutation)

K0
R1
50 fo
8 fo
41667 rad / s / V , fM
6667 Hz avec VALIM = 12 V
VALIM
VALIM
1
4610
3.19 C1 fo
2. Relation du transfert du VCO
s = aVF + b avec a = K 0 , b = o K 0 VF0 et VFo 4.56 V

s 41700 VF + 252833 rad / s ou encore fs 6632 VF + 40240 Hz
30K
fS (Hz)
K0 - 6632 Hz / V
(4.0, 13.71K)
20K
(4.56, 10K)
(5.0, 7.08K)
10K
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
VF (V)
Etude dynamique
3. Evaluation de la frquence de coupure du filtre et de la plage de capture
F ( p) =
f A
1
1
avec = R24 C2 ffpb =
941 Hz
1+ p
2
5 fo
1
2.48 kHz valeur majore par lhypothse A2 2 >> 1 .
2 VALIM
4. Trac de v F (t ) thorique
Pour fs = 9 kHz , VF 4.71V et pour fs = 11 kHz , VF 4.41V , ce qui donne un cart de tension
VF 0.3 V associ une valeur moyenne VFo = 4.56 V .
Sylvain Gronimi
Page 331
Circuits intgrs
4.71 V
4.7V
vF (t)
9 kHz
VF = 0.3 V
4.6V
VF moyen = 4.56 V
4.5V
11 kHz
4.4V
4.41 V
3.0ms
0s
6.0ms
9.0ms
Time
Le signal dmodul v F (t ) est limage du signal modulant de forme carr de frquence denviron
167 Hz, de valeur moyenne nulle et dont lamplitude est rgle pour produire un saut de
frquence de 2 kHz centr sur la frquence de 10 kHz de la porteuse. Le signal v E (t ) modul
lentre de la PLL subit un dcalage en frquence. Le circuit effectue une dmodulation FSK.
5. Ecriture de la fonction de transfert en boucle ferme
H ( p) =
( p)
K D K 0 F ( p)
K K F ( p)
G( p )
avec G( p ) = D 0
et B( p ) = 1 (retour unitaire ) s
=
1 + G( p )
p
e ( p) p + K D K 0 F ( p)
s ( p ) = K 0 Vf ( p )
Vf ( p )
1
=
e ( p) K 0
de la forme
1
K0
Vf ( p )
K D F ( p)
1
avec F ( p ) =
=
1+ p
e ( p) p + K D K 0 F ( p)
1
1
1+
p+
p2
KD K0
KD K0
1
1+
p+
p2
avec n =
KD K0
et =
n2
1
2 KD K0
6. Paramtres de v f (t )
En rgime permanent, la variation de lamplitude de la tension v F (t ) est obtenue par lapplication
du thorme de la valeur finale
e
e
, soit VF 0.3 V pour fe = 2 kHz .
v f ( ) =
lim v f (t ) = lim pVf ( p ) avec e (p ) =
p
K0
p0
t
En rgime transitoire, les paramtres 0.235 , fn =
1
2
KD K0
2 kHz du domaine frquentiel
se traduisent par les paramtres fosc = fn 1 2 1942 Hz , D = e
1 2
46.8 % (valeur
normalise du premier dpassement) dans le domaine temporel.
Sylvain Gronimi
Page 332
Circuits intgrs
7. Trac de v F (t ) relle
frquence des oscillations 1942 Hz
4.85 V
4.8V
dpassement 46.8 %
4.71 V
vF (t)
4.6V
V = 0.3 V
4.4V
4.41 V
4.27 V
4.2V
2ms
0s
4ms
6ms
8ms
10ms
Time
Les valeurs crte valent 4.41 + 0.3 1.468 4.85 V et 4.71 0.3 1.468 4.27 V .
8. Discussion sur le filtrage et la stabilit

Le filtre attnue ces frquences suivant la relation F ( j ) =
2
1+
c2
. Son rle est dliminer les
rsidus de porteuse issus du doublage de frquence du CDP comportement ou exclusif . Le

signal dmodul v F (t ) supporte sur ses fronts des rsidus aux frquences 18 kHz ( 2 9 kHz ) et
22 kHz ( 2 11 kHz ).
Dans le cas prsent ffpb 941 Hz pour C2 = 47 nF , les attnuations 18 kHz et 22 kHz valent
respectivement 0.052 et 0.043 (contexte sinusodal), soit des rsidus damplitude 104 mV et 85
mV issus du signal rectangulaire damplitude denviron 2 V ( v C (t ) = 4.56 1V ).
5.7V
sans C2
signaux la
frquence
de 22 kHz
5.0V
(fe = 11 kHz)
C2 = 4.7 nF
C2 = 47 nF
4.0V
C2 = 470 nF
3.6V
440us
460us
VF (t)
480us
500us
520us
540us
560us
580us
600us
Time
Sur cette simulation, nous pouvons observer lefficacit du filtrage lorsque la valeur du
condensateur C2 augmente. Le choix de C2 = 47 nF apparat relativement acceptable.
Sylvain Gronimi
Page 333
Circuits intgrs
La stabilit du systme laisse dsirer au regard des valeurs des paramtres = 0.235 ou
D 46.8 % . Ce type de filtre est incapable de satisfaire stabilit et filtrage simultanment.
Cependant, pour la variation maximale VF 0.29 V de la tension lentre du VCO autour de
la valeur moyenne VFo = 4.56 V correspond une variation dynamique de frquence
fdyn =
K 0 VF
1923 Hz autour de la frquence libre fo = 10 kHz . La demi plage de maintien,
2
centre autour de fo , valant fM 6.67 kHz pour ce type de filtre, la PLL est bien verrouille.
excursion maximale
de la frquence
3.3
7.5 8.1
10
11.9 12.5
fo-fM
fo-fA fo-fdyn
fo
fo+fdyn fo+fA
16.7
fo+fM f (kHz)
plage de verrouillage
5.0V
frquence amortie = 1942 Hz
rsidu issu du signal carr fe = 9 kHz
dpassement = 46.8 %
frquence 18 kHz
VF (t)
niveaux diffrents
des amplitudes
des rsidus
4.5V
amplitude 85 mV
frquence = 22 kHz
rsidu issu du signal carr fe = 11 kHz
frquence du signal modulant = 167 Hz

4.0V
0s
2ms
4ms
6ms
8ms
10ms
Time
Simulation de la PLL 565 en dmodulation FSK : le signal dattaque est un signal v e (t ) = 0.25 V
de valeur moyenne nulle et modul par un signal carr de frquence 167 Hz dont lamplitude est
rgle de faon obtenir un saut de frquence de 2 kHz.
Sylvain Gronimi
Page 334
Circuits intgrs
12ms
Application n2
La frquence libre du VCO a pour valeur fo
1
1170 Hz , centre par rapport au saut
3.19 R1C1
de frquence de 200Hz.
K D 0.64 V / rad (pour le multiplicateur fonctionnant en commutation)
K0
50 fo
8 fo
5850 rad / s / V , fM
936 Hz avec VALIM = 10 V
VALIM
VALIM
Evaluation de la frquence de coupure du filtre de boucle et de la plage de capture

F ( p) =
f A
1
1
avec = R24 C2 ffpb =
201 Hz
1+ p
2
5 fo
1
430 Hz valeur majore par lhypothse A2 2 >> 1 .
2 VALIM
Paramtres de v F (t )
fn =
1
2
KD K0
1
2 KD K0
346 Hz fosc = fn 1 2 331 Hz ,

0.29 , D = e
1 2
38.6 %
Variation en rgime permanent de v F (t ) autour de VFo = 3.81V (car VALIM = 10 V ) relative une
variation fe = 200 Hz v f ( ) =
e
215 mV .
K0
Filtres de lissage et comparateur de tension

Ce filtre du troisime ordre doit lisser les rsidus de porteuse du signal v F (t ) . Par une approche
ne tenant pas compte de linteraction entre cellules, y compris celle du FPB (adaptation en tension
1
ralise), la frquence de coupure est de lordre de flissage =
723 Hz avec une descente
2 RC
de 60 dB par dcade.
Les rsidus de porteuse de v F (t ) tant limins larrive dune entre du comparateur, ce
dernier bascule lorsque v + = v , soit pour v F (t ) = Vref avec Vref 3.81V . Les variations de
v f (t ) sont centres par rapport la masse (si ce nest pas le cas, retouchez la frquence libre
laide de la rsistance R1 ).
v + > v
+
v < v
v s = + Vsat
v s = Vsat
avec Vsat en accord avec la logique compatible.
La vitesse maximale de transmission est de lordre de <
Sylvain Gronimi
Page 335
fosc
165 Hz .
2
Circuits intgrs
Simulation
4.2V
vF(t)
4.0V
3.6V
3.4V
fe = 1270 Hz
fe = 1070 Hz
500mV
vE(t)
0V
-500mV
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
35ms
40ms
Time
La porteuse est un signal sinusodal damplitude 1 Vpp et de valeur moyenne nulle changeant de
frquence toutes les 10 ms de manire priodique. Le signal dmodul v F (t ) , image du signal
modulant (information), prsente dimportants rsidus de porteuse (2 fe).
4.0V
Vfiltre1(t)
Vref
Vfiltre2(t)
3.8V
basculement
Vfiltre3(t)
3.6V
5.0V
Vlogic(t)
dmodulation FSK
100 bits / s
0V
(f = 50 Hz)
-5.0V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
35ms
40ms
Time
Le signal dmodul v F (t ) , en sortie de filtre de boucle, subit un triple filtrage et le signal rsultant
v filtre3 (t ) est compar au potentiel Vref . A linstant de basculement, la tension de sortie du
comparateur change de niveau de saturation. La vitesse de transmission est de 100 bauds (100 bits
par seconde).
Si le signal dmodul nest pas centr par rapport Vref , le rapport cyclique de v logic (t ) est diffrent
de 50 % et le temps de bit nest pas respect (10 ms).
Sylvain Gronimi
Page 336
Circuits intgrs
4.2V
Vfiltre1(t)
vF(t)
4.0V
Vref
Vfiltre2(t)
Vfiltre3(t)
3.6V
3.4V
5.0V
Vlogic(t)
dmodulation FSK
200 bits / s
0V
(f = 100 Hz)
-5.0V
0s
2ms
4ms
6ms
8ms
10ms
12ms
14ms
16ms
18ms
20ms
14ms
16ms
18ms
20ms
Time
La vitesse de transmission est ici de 200 bauds.

4.2V
vF(t)
4.0V
Vref
3.6V
3.4V
5.0V
Vlogic(t)
0V
-5.0V
0s
2ms
4ms
6ms
8ms
10ms
12ms
Time
La ncessit de filtrer les rsidus apparat de faon vidente en reprenant le cas de la transmission
est 200 bauds o le triple rseau RC nest pas utilis. Linformation binaire est alors errone.
Sylvain Gronimi
Page 337
Circuits intgrs
Electronique analogique - Cours
Modles de composants associs aux diffrents rgimes
La diode
v D (t ) = VD + v d (t )
i D (t ) = ID + i d (t )
iD(t)
avec
vD(t)
Rgime continu
Modle mathmatique non linaire
UVD
I D = I S e T 1
en direct I D IS e
Modle linaris
VD
UT
en inverse ID IS 0
ID
RD
en direct
ID
en inverse
VD
VD = RD I D + V
VD

Modle linaris
en direct
rd
Cd
UT
rd = I
D0
C =
d rd
en inverse
Ct
Donnes du constructeur : V (tension dpendante du matriau), (dure de vie moyenne des

porteurs ou temps de recombinaison des porteurs minoritaires en excs ), Ct (capacit de
transition), UT =
kT
26 mV 27 C (tension thermique).
q
Le transistor effet de champ (JFET)
canal N
G
vGS(t)
Sylvain Gronimi
iD(t)
v GS (t ) = VGS + v gs (t )
avec
i D (t ) = ID + i d (t )
Page 338
Annexes
Rgime continu
Modle mathmatique non linaire

2
V
ID = IDSS 1 GS
VP
avec 0 VGS VP
pour canal N : VGS et VP < 0
pour canal P : VGS et VP > 0
Transistors technologiquement identiques : mmes I DSS et VP .

Cgd
Modle linaris
gm
I D0 I DSS
Cgs
vgs
2
=
VP
id
(pour VDS > VP : zone de saturation)
rds
vds
g m vgs
en A/V
(paramtre g m toujours >0)
Donnes du constructeur : I DSS (courant de saturation de drain pour VGS = 0 ), VP (tension de

pincement), C gs , C gd (capacits de transition), rds (rsistance dynamique de sortie).
Le transistor bipolaire jonction (JBT)

IC
IC
IB
IB
VEC
VCE
en mode actif
VBE
v BE (t ) = VBE + v be (t )
avec
i B (t ) = I B + i b (t )
VEB
IE
IE
NPN
PNP
Rgime continu
Modle mathmatique non linaire (quations dEbers-Molls en mode actif)

VBE
V
IC = I B = I BS e UT 1 + CE
VA
VEB
(NPN)
V
IC = I B = I BS e UT 1 + EC
VA
VBE
IC = I B = I BS e UT
(PNP)
VEB
(NPN)
IC = I B = I BS e UT
(PNP)
(effet Early nglig)
Transistors technologiquement identiques : mmes et I BS .
Sylvain Gronimi
Page 339
Annexes
Modle linaris
IB
I E = I B + IC
IC = I B
VBE 0.6 0.7 V
IC
+
V
IB
RD 0
VBE
IE

Cbc
Modle linaris
B
UT UT
rbe = I = I
g m = r
B0
C0
be
et
+
V
V
V
CE 0
C + C = IC0
r = A
A
bc
ce
be
2 UT ft
IC 0
IC 0
ib
ib1
rbe
vbe
ic
ib1
rce
Cbe
gm vbe
Donnes du constructeur : (valeur typique acceptable en rgimes statique et dynamique), Cbc

(capacit de transition), ft (frquence de transition), VA (tension dEarly suppose grande devant
VCE 0 ).
Tableau rcapitulatif sur le choix du modle du composant en fonction du rgime tudi
diode
Rgime
continu
Rgime
dynamique
Donnes
constructeur
Hypothses
simplificatrices
modle
linaire par
morceaux
VD = RD I D + V
modle
mathmatique
VD
I D IS e UT 1
modle faibles
signaux aux
frquences
basses et
moyennes
aux
frquences
hautes
JFET
JBT
VBE 0.6 V , IC = IB
V
ID = IDSS 1 GS
VP
gm =
U
rd = T , ri =
ID0
2
VP
VBE
IC I BS e UT
(mode actif direct)
gm =
I D I DSS
rds
Cd , Ct
Cgs , Cgd
Rd , V , Cd , Ct
I DSS , VP , rds , Cgs , Cgd
rbe =
rbe
UT
V
, rce A
IC 0
IC0
Cbe
IC0
2 UT ft
Cbc
, VA , Cbc , ft
VD VZ pour
VBE V , RD = 0
zener (R Z = 0)
VA >> VCE0
( Transistors technologiquement identiques : mmes , IBS pour les JBT ou mmes I DSS , VP pour
les JFET au sein du modle non linaire en rgime continu ; pour le JBT en mode actif direct du
modle Ebers-Moll, lexpression du transfert est simplifie
VBE
VBE
VCE0
UT
UT
IC = I BS e
avec VCE0 << VA (tension dEarly).
1 + V I BS e
A
Sylvain Gronimi
Page 340
Annexes
Modle de Giacoletto
En rgime dynamique faibles signaux, le transistor bipolaire se comporte comme un quadriple
linaire en hautes frquences. Le schma quivalent en montage metteur commun, appel encore
schma de Giacoletto, est reprsent sur la figure suivante.
rb'c
ib
rbb'
B'
ic
Cb'c
ib1
ib1
vbe
rb'e
vb'e
rce
Cb'e
Cce
vce
gm vb'e
En premier lieu, on remarque lintroduction du point B constituant le niveau de base vraie. On dfinit
ainsi :
rbb ' comme tant la rsistance extrinsque de base situe entre le foyer actif des porteurs B et la
connexion de base B ; sa valeur nest pratiquement pas influence par la temprature, ni par une
variation de courant.
rcc ' et ree ' reprsentation semblable au niveau des autres lectrodes.
Les jonctions du transistor sont reprsentes sous la forme dun schma R-C parallle. Une capacit
de jonction est la rsultante de
- une capacit de transition dominante dans une polarisation inverse telle que sa valeur est dautant
plus faible que la tension aux bornes est plus grande,
- une capacit de diffusion, reprsentant le phnomne de diffusion des porteurs lintrieur de la
jonction, caractris dune part, par le temps de transit (ou temps moyen mis par un porteur
command pour aller de lentre la sortie, et dautre part, par la dispersion du flux des
porteurs, dpendante du phnomne de recombinaison et des rpulsions mutuelles qui conduit,
tout compte fait, une dispersion sur le temps de transit moyen (il faut souligner ici que
lassimilation du mcanisme de diffusion une capacit nest admissible que pour des frquences
beaucoup plus faibles que linverse du temps moyen).
Ainsi, la jonction base vraie - metteur est une jonction polarise dans le sens passant et sa
modlisation est la suivante :
rb'e est la rsistance dynamique de la jonction vue de la base vraie ; sa valeur est inversement
proportionnelle au courant de polarisation, donc dpendante du point de repos choisi, et varie
U
U
avec la temprature rb 'e = T = T avec UT 25 mV ,
I B0
IC 0
Cb'e est la capacit de la jonction modlisant le phnomne de diffusion; sa valeur est

proportionnelle au courant de polarisation, donc dpendante du point de repos choisi, et varie
IC 0
C b 'c .
avec la temprature Cb 'e
2 f U
t
La jonction base vraie - collecteur est une jonction polarise dans le sens bloquant et sa modlisation
est la suivante :
rb 'c est la rsistance dynamique de la jonction polarise en inverse (valeur trs importante),
Cb'c est la capacit de la jonction modlisant le phnomne de transition.
Il est intressant de noter que ces lments constituent le circuit de couplage entre lentre et la sortie
du transistor.
Sylvain Gronimi
Page 341
Annexes
Il ne reste plus qu considrer ce qui se passe entre les lectrodes du collecteur et de lmetteur.
Ceci est plus dlicat modliser puisquil ny a pas de jonction :
rce est la rsistance dynamique qui dfinit grossirement la rsistance de sortie du transistor ; sa
valeur peut tre approche par la tension dEarly VA telle que rce VA IC0 si VA >> VCE0 ,
Cce est une capacit extrinsque que lon peut caractriser de type lectrostatique (trs faible).
La source de courant dpendante est lie aux variables de la branche supportant rb 'e illustre leffet
amplificateur du transistor. Dans cette reprsentation, le courant command est proportionnel la
tension vbe par le facteur g m (pente interne du transistor) ou au courant traversant la rsistance de
jonction par le facteur (gain en courant). Le relation liant les deux facteurs est g m = rb 'e .
De faon pratique, cette modlisation du transistor nest valable que pour des frquences infrieures
la frquence de transition, ceci cause de la reprsentation du mcanisme de diffusion sous la forme
dune simple capacit. Dautre part, on considre que lon peut ngliger les influences de rb'c et Cce
quon assimile des circuits ouverts et linfluence de rbb ' quon assimile un court-circuit. Les points
B et B tant confondus, les paramtres rb'e , Cb'e , Cb'c sidentifient rbe , Cbe , Cbc . Linfluence de la
rsistance rce peut tre nglige qu condition que la charge soit faible.
Evaluation du paramtre Cbe du modle

Soit le montage metteur commun excit en courant et charg par un court-circuit ( Rch << rce ).
Cbc
v
ib
rbe
ic
vs =0
Cbe
gm v
Il est ncessaire dcrire lexpression du paramtre hybride h21e (p ) =
Equations de nuds
(p ) = 0
1
1+
ic
= (p )
ib
+ Cbe p + Cbc p
i b = v
r b 'e
i c = v (g m Cbc p )
z
p
avec z =
gm
1
et =
Cbc
rbe (Cbe + Cbc )
( << z )
La frquence de transition ft est la frquence laquelle le gain en courant en court-circuit dun

metteur commun a une amplitude unit :
(p )
0
1+
pour t
( jt )
1+ t

1 0
car
<< t
soit 1 ft 0 f (produit gain en courant x frquence de coupure haute constant pour un systme
passe-bas du premier ordre), do lexpression de la capacit de diffusion :
g
Cbe m Cbc ( , ft , Cbc donnes constructeur).
2 ft
Sylvain Gronimi
Page 342
Annexes
Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun tage diffrentiel

Cette mthode de travail est valable pour un tage diffrentiel structure symtrique (charges
identiques). Si les charges sont diffrentes (rsistances ou miroir de courant), la mthode reste
valable condition que les transistors attaquent les charges en courant ( rce = ).
Les sources de tension lentre de ltage se dcomposent chacune en deux sources mises en
srie, faisant apparatre des composantes propres un rgime diffrentiel et un rgime de mode
v
v v 2 v1 + v 2 v d
v v 2 v1 + v 2
+
=
+ vc , v2 = 1
+
= d + vc .
commun : v 1 = 1
2
2
2
2
2
2
Le circuit tant linaire, ces deux rgimes sont tudis sparment par application du thorme de
superposition en effectuant deux tapes :
c ltude du rgime diffrentiel issu dune attaque symtrique ( v d 2 ), les sources de mode
commun tant teintes ( v c = 0 ), permettant de caractriser les performances Ad , Zd , Zs ,
d ltude du rgime de mode commun issu dune attaque parallle ( +v c ), les sources diffrentielles
tant teintes ( v d = 0 ), permettant de caractriser les performances Ac , Zc .
( Exemple dun amplificateur diffrentiel classique (rsistances de charge identiques)
vs1
RC
RC
Q1
Q2
ie1+ ie2
vs2
ib1
ib2
+
- vd /2
vd /2
+
vc
vc
z0
Les transistors Q1 , Q2 tant supposs technologiquement identiques, les courants dentres se

retrouvent, une mme proportionnalit prs, somms dans la rsistance commune dmetteur
z0 . Si les courants sont issus dune attaque en tension symtrique ( i b1 = i b2 ), il ne passe aucun
courant dans z0 et les metteurs des transistors sont la masse. Si les courants sont issus dune
attaque en tension parallle ( i b1 = i b2 ), le courant dans z0 est gal 2 i e , en posant i e1 = i e2 = i e ,
et la rsistance vue par le courant dmetteur de Q1 ou Q2 est 2 z0 .
Cela fait apparatre deux demi-schmas dans chacun des rgimes.
vs1
RC
RC
Q1
Q2
ib1
+
vd /2
vs1
vs2
ib2
+
+
- vd /2
RC
RC
Q1
Q2
Page 343
+
vc
vc
2 z0
Sylvain Gronimi
vs2
2 z0
Annexes
De faon gnrale, pour chacune des tudes, le choix du demi-schma simposera selon la sortie
envisage (sortie vers ltage suivant par exemple). Dans le cas prsent o les charges de
collecteurs sont gales, il napparat quune diffrence dans les performances, savoir le signe du
gain en tension sur le schma de gauche.
La reprsentation de lamplificateur dans son rgime purement diffrentiel est une source de
tension contrle par la tension diffrentielle applique sur la branche contrlante supportant Z d .
(+)
B1
Zs
Zd
vd
vs
Rch
Ad v d
(-)
B2
De mme, la reprsentation de lamplificateur dans son rgime de mode commun est une source
de tension contrle par la tension de mode commun applique sur la branche contrlante
supportant Z c , schma vu des bases de Q1 ou Q2 .
B1 ou B2
Zs
vc
Zc
vs
Rch
Ac v c
Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun circuit complexe

Dans le cadre dtude en rgime dynamique (faibles signaux), la mthode consiste dcouper le
circuit en tages lmentaires. Pour chaque tage en cascade, le diple de sortie, reprsent par son
schma quivalent de Thvenin ou Norton vide, est limage dun gnrateur dattaque pour ltage
suivant et ainsi de suite.
Deux tapes sont ncessaires :
c La premire tape permet lvaluation du transfert en tension vide, ou du courant de court-circuit
selon le cas, et la rsistance de sortie du circuit, fournissant ainsi un diple quivalent sous la
forme Thvenin ou Norton. La procdure commence par lobtention du diple quivalent relatif au
premier tage attaqu par lquivalent de Thvenin ou Norton, ltage suivant tant non connect.
Le diple obtenu attaque ltage suivant dans les mmes conditions de charge et la procdure se
poursuit jusquau dernier tage non charg.
d La deuxime tape permet lvaluation de la rsistance dentre du circuit. La procdure de calcul
considre le dernier tage charg dont on value la rsistance dentre (rsistance de Thvenin
ou Norton du diple). La rsistance obtenue servira de charge pour ltage prcdent dont on
value la rsistance dentre et la procdure se poursuit jusquau premier tage.
Ainsi, la rsistance dentre du premier tage est la rsistance dentre du circuit, la rsistance de
sortie du dernier tage est la rsistance de sortie du circuit non charg et le transfert vide ou en
court-circuit en sortie du montage est le produit des gains lmentaires puisque lattnuation intertages a t prise en compte par la prsence de la rsistance du diple dattaque.
Sylvain Gronimi
Page 344
Annexes
( Exemple dun amplificateur de tension cinq tages en cascade
RG
vg
Zs5
Zs2
Zs1
ve
Ze1
vs
Ze5
Ze2
vs1 =
A1 vg
vs2 =
A2 vs1
Rch
vs5 =
A5 vs4
Le circuit dattaque est reprsent sous la forme dun diple de Thvenin ( RG , v g ) et la rsistance
Rch est la charge terminale.
Nous aboutissons au schma suivant produisant une rsistance dentre fermant la maille du
circuit dattaque et un diple de Thvenin branch sur la charge.
RG
Zs5
Ze1
ve
vg
vs
Rch
vs5 =
A0 vg
Les impdances dentre et de sortie de lamplificateur sont respectivement Z e = Z e1 et Z s = Z s5 .

Le gain en tension est A 0 =
v s5
vg
vide et v s = A 0 v g
i =1
Rch
en charge.
Rch + Z s
La reprsentation dun amplificateur transfert quelconque (tension, courant, rsistance de transfert,

conductance de transfert) fait apparatre un modle utilisant une source contrle de tension ou de
courant, associe une branche contrlante supportant une impdance.
( Exemple de lamplificateur de tension prcdent
Dans ce cas, la source lie de tension est commande par v e , tension aux bornes de la branche
contrlante supportant la rsistance dentre Z e du quadriple.
RG
Zs
ve
Ze
vs
Rch
vg
Av ve
Le transfert en tension doit tre calcul nouveau en tenant compte du pont rsistif en entre.
A0 v g = A0
Sylvain Gronimi
R
Z e + RG
v e A v = A 0 1 + G
Ze
Ze
(non charg)
Page 345
Annexes
Mthode de travail pour la rponse en frquence (approximation du ple

dominant)
La mthode, dite par approximation du ple dominant propose ici, permet une dtermination plus
directe de la bande passante dun amplificateur large bande dans le cadre dune tude en rgime
dynamique aux faibles signaux. La stabilit du systme peut aussi tre discute dans le cadre de la
rponse aux frquences hautes (marge de phase).
Considrons un circuit linaire constitu de rsistances, de condensateurs et de sources lies. Le
nombre de ples de la fonction de transfert associe au circuit gale le nombre de condensateurs
indpendants (ordre du systme). Dans le cas dune fonction de transfert ples rels, celle-ci scrit
pour un ordre n :
N( p)
N( p)
H (p ) = H 0
= H0
1 + a1p + a2 p 2 + a3 p 3 + ...
p
p
p
...
1 +
1 +
1 +
1 2 3
avec a1 =
+ ... , a2 =
12
13
23
+ ... , etc et N (p ) polynme dordre n.
Nous ne nous intressons quaux coefficients a1 et a2 en vue de lapplication de la mthode dite de

l approximation du ple dominant dtaille plus bas. La forme analytique ci-dessus montre que
ces coefficients sont gaux respectivement une somme et un produit de constantes de temps qui
peuvent scrire de la manire suivante :
k
a1 =
R C
0
i
: somme de toutes les constantes de temps vide du circuit, avec k le nombre de tous
i =1
les condensateurs du schma et Ri0 la rsistance vue par Ci frquence nulle. La notation adopte
pour les rsistances Ri0 est la suivante : lindice donne la rfrence de la capacit Ci aux bornes de
laquelle la rsistance est calcule et lexposant indique que le calcul est effectu frquence nulle,
tous autres les condensateurs tant assimils des circuits ouverts.
a2 =
R C R C
0
i
i
j
avec Ri0Ci R ij C j = R 0j C j Rij Ci : somme pour toutes les paires possibles de
capacits avec R ij la rsistance vue par C j lorsque Ci est court-circuite, les autres condensateurs
tant assimils des circuits ouverts. La notation adopte pour les rsistances R ij est la suivante :
lindice donne la rfrence de la capacit C j aux bornes de laquelle la rsistance est calcule et
lexposant indique que le calcul est effectu frquence nulle, tous les autres condensateurs tant
assimils des circuits ouverts lexception du condensateur C j assimil un court-circuit. Quant au
choix de la constante de temps vide R 0j C j ou en court-circuit R ij C j , il rsulte de la topologie du
circuit prsentant le calcul le plus commode.
Notons enfin que les expressions analytiques de ces coefficients correspondent exactement celles
obtenues par la mthode traditionnelle de mise en quations. Ainsi, lcriture dune fonction de
transfert du second ordre est plus rapide par cette mthode des constantes de temps.
Approximation du ple dominant
Hypothse : la fonction de transfert est suppose ples rels et prsente une pulsation 1 , issue du
ple provoquant la coupure 3 dB, nettement loigne des pulsations issues des autres ples et
zros.
( Exemple dun systme passe-bas du second ordre (rponse aux frquences hautes)
Sylvain Gronimi
Page 346
Annexes
La fonction de transfert est de la forme

H0
H0
1
1
H (p ) =
=
avec a1 =
+
2
1
a
p
a
p
+
+
p
p
1
2
1
2
1 +
1 +
1
2
a1 = (1 + )
1
Posons = 1
, si 1 << 2 ( << 1)
2
a1
a =
2 2 (1 + )
et a2 =
1 2
1 a
1
.
a
1
2 a2
Notons que lhypothse 1 << 2 sous-estime la valeur du ple dominant 1 et surestime la

valeur de 2 . Lapproximation sera dautant plus prcise que 1 est distant des autres ples et
zros (les zros tant au-del de deux dcades du ple dominant).
Dans le cas prsent o le circuit prsente deux condensateurs indpendants C1 et C2 , les
coefficients scrivent a1 = R10C1 + R20C2 et a2 = R10C1 R21C2 = R12C1 R20C2 .
f1
1
2 (R10C1 + R20C2 )
( fh f1 ) et f2
1 R10C1 + R 20C2
1 R10C1 + R20C2
1
1
=
=
+
.
0
1
2
0
1
2 R1 C1R2C2
2 R1 C1R2 C2
2 R2C2 2 R12C1
Linverse de la frquence de coupure haute fh 3 dB est approch par la somme des inverses
des frquences de coupure produites par chaque capacit, les autres tant assimiles un circuit
ouvert.
( Exemple dun systme passe-haut du second ordre (rponse aux frquences basses)
La fonction de transfert est de la forme
p p
p p
1 +
1 +
1
1
1
3 4
3 4
H (p ) = H 0
avec a1 =
+
, a2 =
, 1 2 = 3 4 .
= H0
1 + a1p + a2 p 2
1 2
12
p
p
1 +
1 +
1 2
a
1
(sous-estim)
si 1 >> 2 1 1 (surestim), 2
a2
a1
Nous obtenons les expressions duales du cas prcdent :
1 R10C1 + R20C2
1
1
1
=
+
( fb f1 ) et f2
f1
0
0
1
1
2
2 R1 C1R2C2
2 (R1 C1 + R20C2 )
2 R2C2 2 R1 C1
La frquence de coupure basse fb 3 dB est approche par la somme des frquences de
coupure associes chaque condensateur, lautre tant assimil un court-circuit. En
gnralisant plus de deux condensateurs, nous pouvons crire lquation suivante :
n
fb
2 R
i =1
i Ci
f
i =1
bi
o Ri est la rsistance vue par Ci lorsque les autres condensateurs sont court-circuits (calcul
effectu frquence infinie). La frquence de coupure 3 dB est approche par simple addition
des frquences de coupure 3 dB produites indpendamment par chaque condensateur du
circuit.
Sylvain Gronimi
Page 347
Annexes
Transformation de schma par application du thorme de Miller

Le thorme de Miller sapplique sur une topologie trs spcifique reconnaissable par une impdance
branche entre lentre et la sortie dun amplificateur attaqu en tension. Lapplication du thorme
transforme le schma original en un schma plus simple traiter analytiquement grce la disparition
de la contre-raction. La mise en quations du circuit sera alors plus directe pour le calcul du transfert
et de limpdance dentre du circuit considr.
Z
Amplificateur
ve
vs
ve
Z1
Amplificateur
Z2
vs
Ve ( p ) Vs ( p ) = Z ( p ) I ( p )
V ( p)
Z( p)
=
Ve ( p ) 1 a v ( p ) = Z ( p ) I ( p ) Z1( p ) = e
Vs ( p )
=
(
)
a
p
I
(
p
)
1
a v ( p)
v
Ve ( p )
V ( p)
Z( p)
1
=
Vs ( p ) 1
= Z( p) I( p) Z2 ( p) = s
1
a
(
p
)
I
(
p
)
1
a v ( p)
Lattaque en tension ne peut correspondre qu un amplificateur de tension ou un amplificateur

admittance de transfert.
Si lamplificateur est caractris par ses paramtres dadmittance de transfert ( Z e , Z s , Yt ), nous

obtenons (en allgeant la notation de Laplace ne faisant pas apparatre le terme (p) des variables) :
ve
Z1
Ze
Zs
Z2
vs
Yt ve
av =
Vs = Yt Ve
Zs Z2
Zs + Z 2
Vs
Zs Z
Yt Z s Z + Z s
Zs
Z
Z
= Yt
av =
et Z1 =
=
+
Y
Z
Z
+
Z
Ve
1
+
Y
Z
1
+
Yt Z s
Z
+
Z
t s
s
t s
s
1
1 1 Z s + Z
Z
+
Z
av
s
Limpdance ramene lentre est lassociation en srie de deux impdances. Il est important de
constater que Z 2 , impdance de la branche ramene en sortie, na dutilit que pour dfinir le
transfert en tension a v . Le schma transform par le thorme de Miller ne conduit donc quaux
expressions du transfert en tension a v et de limpdance dentre Z1 // Z e . Limpdance de sortie du
circuit ne peut tre calcule qu partir du circuit original.
( Exemple dun metteur commun en H.F.
Identification : Z =
Sylvain Gronimi
1
1
, Yt = g m , Z s = rce // RC RC et Z e = rbe //
C bc p
Cbe p
Page 348
Annexes
Cbc
ve
rbe
rce
RC
Cbe
vs
gm ve
En rgime sinusodal ( p = j ),
2
g
1
a v ( j ) = g m RC
avec 1 =
(ple), 2 = m (zro) et 1 < 2
RC C bc
Cbc
1+ j
1
1 j
do Z1 ( j ) =
RC
1
, association srie dune capacit C1 = Cbc (1 + g m RC ) et
+
jCbc (1 + g m RC ) 1 + g m RC
dune rsistance R1 =
RC
, branche en parallle sur Z e ( j ) .
1 + g m RC
Pour des frquences telles que f < f1 , a v = g m RC (gain rel) et Z1 ( j )

dire que la capacit C1 = Cbc (1 + g m RC ) est uniquement ramene en entre.
1
, cest-jCbc (1 + g m RC )
Si lamplificateur est caractris par ses paramtres de tension ( Z e , Z s , A v ), nous obtenons
ve
Z1
Ze
Zs
Z2
Z2
avec A v = Yt Z s
Zs + Z 2
(transformation Thvenin/Norton).
Vs = A v Ve
vs
A v ve
Cette mme expression de dpart conduit videmment aux mmes rsultats qui scrivent
Av Z + Zs
Z + Zs
et Z1 =
.
av =
1 Av
Zs + Z
Ce dernier cas est plus explicite puisquil montre que limpdance ramene en entre est limpdance
de sortie Z s du quadriple en srie avec Z, divise chacune par le terme ( 1 A v ) o A v est le gain
en tension vide du quadriple non contre-ractionn.
( Exemple dun amplificateur diffrentiel de tension
R
ve
+
vs
Identification : Z = R , A v = Ad , Z s = Rs avec Rs << R et Ad >> 1

av =
R + Rs
Ad R + Rs
R
R
R
Ad , R1 =
et faible rsistance dentre
// Rd
Rs + R
1+ Ad
Ad
Ad
Ad
Sylvain Gronimi
Page 349
Annexes
Ouvrages spcialiss
Microlectronique , Tome 3 et 4, par J. Millman et A. Grabel (Mc Graw-Hill)
Principes et pratique de llectronique , Tome 1, par F. de Dieuleveult et H. Fanet (Dunod)
Composants actifs discrets , Tomes 1 et 2, par M. Girard (Mc Graw-Hill)
Amplificateurs oprationnels , Tomes 1 et 2, par M. Girard (Mc Graw-Hill)
Amplificateurs de puissance , par M. Girard (Mc Graw-Hill)
Filtres actifs , par P. Bildstein (Editions Radio)
Principaux symboles utiliss

Av
gain dun amplificateur de tension
Ai
gain dun amplificateur de courant
Zt
gain dun amplificateur rsistance (impdance) de transfert
Yt
gain dun amplificateur conductance (admittance) de transfert
Ze
rsistance (impdance) dentre dun amplificateur
Zs
rsistance (impdance) de sortie dun amplificateur
n
c
rip
coefficient damortissement
constante de temps de filtre
pulsation naturelle (pulsation propre non amortie)
pulsation de coupure 3 dB
pulsation dfinissant la bande dondulation dun filtre passe-bas
B(p )
G(p )
H (p )
fonction de transfert de la chane de retour

fonction de transfert de la chane directe
fonction de transfert en boucle ferme
RG
v G (t ) , i G (t )
v E (t ) , i E (t )
v S (t ) , i S (t )
rsistance de gnrateur
tension, courant du gnrateur
tension , courant dentre du montage
tension, courant de sortie du montage
Notations de variables
Superposition des rgimes continu et dynamique aux faibles signaux :
i E (t ) = I E 0 + i e (t ) ,
v E (t ) = VE0 + v e (t ) , . avec I E0 , VE0 , valeurs des variables en rgime continu (polarisation),
i e (t ), v e (t ) , variations (faibles signaux) des variables en rgime dynamique.

Etude du rgime pseudo-continu : I E , VE , VD , variations non linaires des variables en rgime
continu (forts signaux)
Etude frquentielle dans le plan de Bode ( p = j ) : I E ( p ), VE ( p ) ,
complexes et G( p ), B( p ), H ( p ) fonctions de transfert.
Sylvain Gronimi
Page 350
Z1( p ), Y1( p ) , variables
Annexes

Circuits Analogiques - Problemes Et Corriges PDF

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Circuits Analogiques - Problemes Et Corriges PDF

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Enseignements E.E.A.

Universit Paul Sabatier

Electronique analogique Problmes et corrigs

TABLE DES PROBLEMES

Polarisation dun transistor

Caractrisation dun tage

Elments de circuits intgrs

Tables des problmes

Universit Paul Sabatier

Electronique analogique Problmes et corrigs

Modles de composants associs aux diffrents rgimes (diode, JBT, JFET)

Tables des problmes

Universit Paul Sabatier

Electronique analogique Problmes et corrigs

Mise en quations et thormes fondamentaux

Exprimez la tension VS en fonction de VE , R1, R2 , R3 .

Exprimez le courant I 2 en fonction de I, R1, R 2 , R3 .

Application du thorme de Millman

Application du thorme de Thvenin et de superposition

Donnez le gnrateur de Thvenin quivalent au diple.

Rappel sur la thorie des circuits

Universit Paul Sabatier

Electronique analogique Problmes et corrigs

Application du thorme de Millman

Application du thorme de Thvenin et de superposition

La prsence des deux sources indpendantes V et I invite utiliser le thorme de superposition

2me tape : extinction de la source de tension ( V = 0 , court-circuit) VTh2 =

do la superposition VTh = VTh1 + VTh2 =

Rappel sur la thorie des circuits

Universit Paul Sabatier

Electronique analogique Problmes et corrigs

Rponse temporelle dun circuit RL

1. Expression analytique du courant

Rappel sur la thorie des circuits

Universit Paul Sabatier

Electronique analogique Problmes et corrigs

solution particulire de lquation complte

Le premier terme correspond au rgime transitoire et le second terme au rgime tabli ou

2. Expression analytique de la tension

Rgime transitoire (VE =1 V et f = 1 kHz)

Rappel sur la thorie des circuits

Universit Paul Sabatier

Electronique analogique Problmes et corrigs

Rgime sinusodal tabli

5. Comparaison du rgime tabli

v L (t ) = VE sin sin( t + L ) avec sin = =

Rappel sur la thorie des circuits

Universit Paul Sabatier

Electronique analogique Problmes et corrigs

7. Expression de la tension aux bornes de linductance

Dcomposition en lments simples :

do v L (t ) = VE sin cos e + cos( t )

Rappel sur la thorie des circuits

Universit Paul Sabatier

Electronique analogique Problmes et corrigs

Corrlation entre temps de monte et frquence de coupure dun circuit RC

filtre du premier ordre

Rappel sur la thorie des circuits

Universit Paul Sabatier

Electronique analogique Problmes et corrigs

2. Rponse lchelon de tension

Tableau des transformes F ( p ) =

Lapplication des thormes de la valeur initiale et de la valeur finale donne immdiatement la