Asignatura: ELECTRONICA INDUSTRIAL

Titulacin: Ingeniera Tcnica Industria

Curso 2008/2009

3.1.- Introduccin
3.2.- Estructura y smbolo de transistor
3.3.- Funcionamiento del transistor polarizado
3.4.- Corrientes en un transistor
3.5.- Configuraciones bsicas del transistor
3.6.- Curvas caractersticas del transistor
3.7.- Modos de trabajo del transistor
3.8.- Punto de trabajo del transistor.
3.9.- Recta de carga
3.10.- Polarizacin del transistor
3.11.- Modelo de pequea seal
3.12.- Circuitos tpicos con transistores
3.13.- El transistor en amplificacin
3.14.- El transistor en conmutacin

3.1.- INTRODUCCION
Dispositivo inventado pos Shockley en 1951 para amplificar seales de radio y televisin
Sustituto de las vlvulas
Origen de los circuitos integrados.
Los circuitos basados en transistores se usan como:
Amplificadores(Electr. Analgica) o
Interruptores (Electr. Digital)

3.2.- ESTRUCTURA Y SIMBOLO DE TRANSISTOR

Semiconductor con tres zona de dopado NPN o PNP ---- Emisor, Base Colector
Dos Uniones (Emisor-Base y Colector-base)
Equivalente a dos diodos: Diodo Emisor
Diodo Colector
Unin Bipolar ---- Bipolar Junction Transistor

DISTINTOS TIPOS DE ENCAPSULADO DE LOS TRANSISTOR.

3.3.- FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR POLARIZADO

Emisor: Muy dopado Base: Poco dopada, estrecha

Colector: Dopaje intermedio

Trt sin polarizar equivale a dos uniones pn----Barreras de potencial de 0,7 V a 25 C

Polarizacin del transistor (npn):

BE polarizada en directa
BC polarizada en inversa

Los e del Emisor se dirigen hacia la base (muy pocos salen a travs de la base)
pasando la mayora de los electrones al colector (debido a que base esta poco dopada
y es estrecha con lo que la atraviesan los e)

Polarizacin pnp

+
_

(n)
(p)

+
_

(n)

3.4.- CORRIENTES EN UN TRANSISTOR

Corrientes en un transistor (npn)

1.-

I E = IC + I B

2.-

Ganancia en corriente

I C = I B
Sup.

I E = ( + 1)I B

IC
IB

= hFE
(20 300)

IE =

+1
IC

I E I B = I C

>>

Corrientes en un transistor (pnp)

I E = IC + I B

IC
IB

I E = ( + 1)I B

NOTA: POTENCIA DISIPADA en el transistor se puede aproximar mediante:

PD = VCE I C

OBSERVACIN.- VARIACIONES DE LA GANANCIA DE CORRIENTE ( )

1.- Motivadas por las tolerancias de los fabricantes.

Por ejemplo, la hoja de caractersticas del 2N3904 indica que la varia entre 100 y 300

2.- Motivadas por las variaciones de la temperatura y la corriente del colector

NOTA:
Se supondr un valor de : conocido, fijo e independiente de la temperatura y del valor de las corrientes

RESUMEN.- PARAMETROS DEL TRANSISTOR

VCE

VCB

VBE

1.- Las tensiones en el transistor son:

VCB : Tensin entre colector y base
VBE : Tensin entre base y emisor
VCE : Tensin entre colector y emisor
2.- Las corrientes que circulan por un el transistor son:
IB : Corriente de base
IE : Corriente de emisor
IC : Corriente de colector
3.- Ganancia en corriente

VCE = VCB + VBE

I E = IC + I B
=

IC
IB

3.5.- CONFIGURACIONES BASICAS DEL TRANSISTOR

3.6.- CURVAS CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR

C

IB

IB

0,7
CE

CURVA DE ENTRADA

CE

CURVA DE SALIDA

FAMILIA DE CURVAS DE SALIDA

3.7.- MODOS DE TRABAJO DEL TRANSISTOR






ZONA
ZONA
ZONA
ZONA

ACTIVA
DE CORTE
DE SATURACION
RUPTURA

IC

Zonas de Funcionamiento del transistor

+
IC

Zona activa (Ic,Vce)

Fuente de corriente

IB

IC

Interruptor cerrado

IC < IB

IB

Interruptor abierto

+
IC = 0

+
VCE=0

VBE

Zona de corte (Ic=0)

IC=0
IB

VCE
-

Zona de saturacin
(Vce=0)

VCE

VBE

IC = IB

VBE

IB

IC
IB4
IB3
IB2
IB1
VCE

+
VCE

VBE
-

Interpretacin de los datos de un catlogo

3.8.- PUNTO DE TRABAJO DEL TRANSISTOR

Definicin:

IB =

PUNTO DE TRABAJO

(I

CQ

VCEQ

VBB VBE
RB

I C = I B
VCE = VCC RC I C

Justificacin:
Para conocer las tensiones
y corrientes del circuito

IC =

VCE = VCC RC I C

3.9.- RECTA DE CARGA

VCC VCE
RC

IB

PUNTO DE SATURACION

VCE = 0

IC =

VCC
RC

PUNTO DE CORTE

VCE = VCC

IC = 0
CE

Primer Mtodo

Ejemplo 1:
Clculo del punto de trabajo

IB =

VBB VBE 3,7 0,7

=
= 300A
10 4
RB

I C = I B = 100 x 3 10 4 = 30 mA

VCE = VCC RC I C = 10 220 0,03 = 3,4 V

3,7

PUNTO DE TRABAJO

(I

CQ

VCEQ = (30mA 3,4V )

Segundo Mtodo
PUNTO DE SATURACION

VCE = 0

IC =

VCC
10
=
= 45mA
RC 220

PUNTO DE CORTE

IC = 0

VCE = VCC = 10V

PUNTO DE TRABAJO

(30mA

3,4V )

Ejemplo 2: Efecto de la variaci

variacin de Rc
Calcular el punto de trabajo y zona de trabajo

VBB VBE 5 0,7

=
= 430 A
RB
10 4

IB =

I C = I B = 150 x 4,3 10 4 = 65 mA

VCE = VCC RC I C = 10 10065mA = 3,5 V

PUNTO DE TRABAJO

(I

CQ

VCEQ = (65mA 3,5V )

Zona Activa

Repetir para Rc = 1K

IB =

VBB VBE 5 0,7

=
= 430 A
RB
10 4

VCE = VCC RC I C = 55V

( MAL )

PUNTO DE TRABAJO

I C = I B = 150 x 4,3 10 4 = 65 mA

(I

VCE = 0
CQ

IC =

10V
= 10 mA
1K

VCEQ = (10mA 0V )

Saturacin

Ejemplo 3: Efecto de la variaci

variacin de VBB
a.- Calcular el valor de VBB para que
el transistor trabaje en el punto Q
(3,4V 30mA)
b.- Calcular los valores de VBB para
que el transistor trabaje la Zona
Activa, de Saturacin y Corte

I C = I B

= 100

VBB = I B RB + VBE

VCE = VCC RC I C

a.-

I C = 30mA I B = 300A VBB = 300A 10k + 0,7V = 3,7V

b.- Zona de Corte (Q2):

Zona de Saturacin (Q1):

I C 0 I B 0 VBB < 0,7V

V CE < 0 , 5 V

IC >

10 0 , 5
220

I C > 43 mA

I B > 430A VBB > 430A 10k + 0,7V

Zona Activa:

VBB > 5V

0,7V < VBB < 5V

Ejemplo 4: Efecto de la variaci

variacin de
Calcular la zona de trabajo para
distintos valores de

IB =

VBB VBE
15

= 30 A
RB
500

= 100

3K

I C = I B = 100 30 = 3mA

VCE = VCC RC I C = 6V

500K

Zona ACTIVA

15V

= 150

15V

I C = I B = 150 30 = 4,5mA

VCE = VCC RC I C = 1,5V Casi Saturacin

C

IB

= 300

I C = I B = 300 30 = 9mA

VCE = VCC RC I C = 12V

0 1,5

15

VCE = 0

IC =

( MAL)

15V
= 5 mA
3K
SATURACION

CE

3.10.- POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

Polarizar = Fijar el punto de trabajo
Circuito de polarizacin = Cto. encargado de fijar el punto de trabajo
3.10.1.- Polarizacin de base

3.10.2.- Polarizacin de emisor

Resistencia en base y colector

Resistencia en emisor y colector

Fija la corriente de base

Fija la corriente de emisor

VBB VBE
I E = ( + 1)I B
RB
Las variaciones de afectan a IC IE

VBB VBE
I E IC
RE
Las variaciones de no afectan a IC IE

Se usa para Conmutacin (Saturacin-Corte)

Se usa para Amplificacin (Zona activa)

IB =

IE =

3.10.3.- Polarizacin por divisor de tensin (Autopolarizado)

VBB = VCC

R2
R1 + R2

RB = ( R1 // R2 ) =

R1 R2
R1 + R2

Clculo del punto de trabajo

VBB = I B RB + VBE + I E RE

I C = I B

I E = ( + 1)I B

VCE = VCC RC I C RE I E

>>

Sup.

IE

VBB VBE
RE

IB =
( I CQ

VBB VBE
RB + ( + 1) RE
VCEQ )

I C I E y VCE VCC ( RC + RE ) I C

NOTA: Combina polarizacin de base y de emisor. Si es grande, equivale a polarizacin de emisor

3.10.4.- Otros tipos de polarizacin

Circuito de polarizacin fija

Circuito de polarizacin colector base

VCC = RC ( I C + I B ) + VCE
VCE = RB I B + VBE

IC =

IB =

VCC VBE
RB

I C = I B

VCE = VCC RC I C
Corriente de base es prcticamente constante
Corriente de emisor muy dependiente de

VCE

VRB
VRC

VCC VBE
V VBE
CC
RB + ( + 1) RC
RC

IB
VCE

IC
Realimentacin

Corriente de emisor poco dependiente de

10

3.11.- MODELO DEL TRANSISTOR PARA PEQUEA SEAL

Si el transistor est polarizado en zona activa (se comporta como una fuente de
corriente) se puede encontrar un equivalente lineal del transistor:
C

ic(t)

ib(t)

ic(t)

ib(t)

hie = re = (25mV/IE)

hfe ib

hie

hfe =

ie(t)

ie(t)

Donde:

Ejemplo:

Vg(t)

RC// RL

Rg
R1// R2

Vg(t)

Vo(t)

Rg

Vo(t)
R1// R2

RC// RL

3.12.- CIRCUITOS TIPICOS CON TRANSISTORES

Modos tpicos de funcionamiento:
Amplificador Zona Lineal (Analgica)

Conmutador Zona Corte-Saturacin (Digital)

CONTROL

11

3.13.- EL TRANSISTOR EN AMPLIFICACION

Procedimiento:

Amplificar: Aumentar la amplitud de la

seal de entrada, manteniendo la misma
forma de onda

1.
2.
3.

Ejemplos:

Polarizar en un punto de trabajo

el transistor (punto Q) mediante
fuentes continuas.
Aplicar en la base del transistor
una SEAL PEQUEA ALTERNA,
la cual variar entrono al punto Q
En el colector del transistor se
obtiene una seal como la de la
base pero de mayor amplitud

Circuito amplificador basado en transistor bipolar

Vcc
Rg

Vg(t)

Fuente

Rc

R1

R2

RE

Amplificador

RL

Vo(t)

Carga

12

Condesadores en los amplificadores

Funcin: Unir/diferenciar seales (tensiones) continuas y alternas

XC =

Condesador

1
2f C

Circuito abierto

para CC (Bajas frecuencias)

Cortocircuito

para CA (Altas frecuencias)

Condesadores de acoplo

Polarizacin (C.continua)

El condesador se comporta
como acoplo (casi-cortocircuito)
cuando:

Rg

1
f >
2 RC

RL

Rg

fC =

RL

Rg

Rg

RL

Condesadores de desacoplo

Pequea seal (C.alternas)

Polarizacin (C.continua)

1
2 RC

RL

Pequea seal (C.alternas)

Rg

Rg

RL

Anlisis de un amplificador

Ejemplo: Circuito amplificador basado en trt bipolar autopolarizado en emisor comn

Vcc

Vg(t)

Rc

R1

Rg

Vin(t)

Fuente
1.- Polarizacin del transistor.
2.- Pequea seal.

R2

RE

Amplificador
Continua
Alterna

Vo(t)

RL

Carga
Clculo del punto de trabajo (Q)
Calcular ganancia tensin, Z, etc.

13

Anlisis de un amplificador
Cto de Polarizacin

Pequea seal
(Cond. Cortocircuito)

(Cond. Abiertos)
Vcc
Rc

R1

R2

Rc

R1

RE

Vg(t)

Rg
RL

R2

Vo(t)

Vcc
RC
RBB

RE

VBB

Rg
R2

Vg(t)

Ejemplo 5:
Para el amplificador en emisor comn de
la siguiente figura calcular:
a.- Punto de trabajo Q
b.- Ganancia Vo/Vin
c.- Ganancia Vo/Vg
e.- Ganancia Vo/Vin suponiendo que no hay
condensador de desacoplo de resistencia
de emisor

RC

R1

RL Vo(t)

Vcc=10v

=100

10K

3K6

2K2

1K

Rg=100
10K

a.- Punto de trabajo Q

VBB = VCC

RB = ( R1 // R2 ) =

IB =

Vcc=10v
Vcc

R2
2,2
= 10
= 1,8 V
R1 + R2
2,2 + 10
R1 R2 10 2,2
=
= 1K 8
R1 + R2 10 + 2,2

VBB VBE
1,8 0,7
=
= 0,0107mA
RB + ( + 1) RE 1,8 + 101 1

I C = I B = 1,07mA

RC

3K6

RBB

VBB

RE 1K

I E = ( + 1) I B = 1,08mA

VCE = VCC RC I C RE I E = 10 3,6 1,07 1 1,08 = 5,07V

Q = (1,07 mA 5,07V )

14

b.- Ganancia Vo/Vin

KT
25 10 3
= 100
= 2314 2 K 31
IE
1,08 10 3
v (t )
vin (t ) = ib (t ) hie

ib (t ) = in
hie
hie =

vo (t ) = ( RC // RL ) iC

vo (t ) = ( RC // RL ) h fe ib =

RC RL
v (t )
v (t )
3,6 10
in =
100 in = 114,59 vin (t )
RC + RL
hie
3,6 + 10
2,31

Av =

vo (t )
= 114,59
vin (t )

c.- Ganancia Vo/Vg

1,8 2,31
= 1,02 K
1,8 + 2,31
RX
1,02
vin (t ) = vg (t )
= v g (t )
= 0,63 v g (t )
Rg + R X
0,6 + 1,02
vo (t ) = 114,59 vin (t ) (Resultado del apartado anterior)

RX = ( R1 // R2 ) // hie = 1,8 // 2,31 =

vo (t ) = 114,59 0,63 v g (t ) = 72,19 vg (t )

Av =

vo (t )
= 72,19
v g (t )

15

e.- Ganancia Vo/Vin suponiendo que no hay condensador de desacoplo de resistencia de emisor
Cto pequea seal

Rg
R2

Vg(t)

R1

RE

RC

RL Vo(t)

vin (t ) = ib (t ) hie + ie (t ) RE = ib (t ) hie + ( + 1)ib (t ) RE

ib (t ) =

vin (t )
hie + ( + 1) RE

vo (t ) = ( RC // RL ) h fe ib =
vo (t ) =

RC RL
vin (t )

RC + RL hie + ( + 1) RE

vin (t )
3,6 10
100
= 2,56 vin (t )
3,6 + 10
2,31 + 1011

Av =

vo (t )
= 2,56
vin (t )

3.14.- EL TRANSISTOR EN COMUTACION

Igua para interruptor, sistema equivalente circuito y remarcar que con una pequea corriente controlamos una corriente muy elevada

16