Saber para ser

ESPOCH

ESCUELA SUPERIOR POLITCNICA DE

CHIMBORAZO
ESCUELA DE INGENIERIA INDUSTRIAL
FACULTAD MECNICA.
CUARTO SEMESTRE

MATERIALES
MUNDO DE LOS DEFECTOS
TRABAJO INDIVIDUAL.

DATOS INFORMATIVOS.
- NOMBRES Y APELLIDOS:
Omar David Estrada Apolo
- CURSO:
Cuarto 1
- DIRECCIN DOMICILIARIA: Riobamba
- TELFONO:
052907413
- MAIL:
davidoestrada@hotmail.es
- FECHA:
26/11/2015
Riobamba Ecuador

MUNDO DE LOS DEFECTOS

DEFECTOS EN LOS MATERIALES METLICOS
Las propiedades de los metales pueden ser afectadas profundamente por la
presencia de defectos. En consecuencia, es importante conocer los distintos
tipos de defectos y su posible efecto sobre este tipo de defectos y su posible
efecto sobre este tipo de materiales. Por ejemplo, las propiedades mecnicas
de los metales puros pueden variar significativamente cuando se aaden
tomos de otro tipo.
Los bronces suelen tener mejores mecnicas que el cobre, esto se debe a la
presencia, cierta cantidad de tomos de Zn en la red.
Los defectos primordiales en los materiales son: la imperfeccin qumica,
defectos puntuales, defectos lineales y defectos plantares.
Los materiales cristalinos siempre tienen defectos, el efecto de la
imperfeccin de los slidos cristalinos no siempre es perjudicial, muchas
veces para que un material tenga determinadas propiedades resulta
imprescindible la presencia de determinados defectos con una cierta
densidad, esto suele hacerse de manera deliberada, se entiende por defecto
cristalino a toda irregularidad en la red que tenga una o ms de sus
dimensiones en el orden de un dimetro atmico.
La clasificacin se hace frecuentemente sobre la base de la geometra o
dimensionalidad del defecto
DEFECTOS PUNTUALES-VACANCIAS
Vacancia: consiste en la ausencia de un tomo en un sitio de la red, todos los
slidos cristalinos contienen vacancias, no es posible que exista un slido
cristalino que no tenga vacancias (termodinmica- demostrar), la
concentracin de equilibrio de este tipo de defectos est dada por la
siguiente ecuacin:
Nv = N e (Qv/kt)
N es el nmero total de sitios atmicos, Qv es la energa necesaria para la
creacin de una vacancia, para muchos metales la fraccin de vacancias
muy cerca del punto de fusin es del orden de 10-4, es decir, un sitio
atmico de cada

10.000 est vaco a T = Tf.

DEFECTOS PUNTUALES-AUTOINTERSTICIALES
Un autointersticial consiste en un tomo del mismo metal
que constituye la red cristalina pero ubicada en una posicin
intersticial, en un metal, este tipo de defecto puntual genera
distorsiones importantes en la red dado que el volumen de
un tomo metlico suele ser significativamente ms grande
que el de una posicin intersticial, en consecuencia, su
aparicin es poco probable y existe en concentraciones muy
bajas, mucho menores que la de las vacancias. (Ejemplo de
clculo de conc. de vacancias).
DEFECTOS PUNTUALES-VACANCIAS Y
AUTOINTERSTICIALES

Representacin de una vacancia y de un autointersticial

DEFECTOS PUNTUALES-IMPUREZAS-ALEACIONES
La existencia de una pieza metlica macroscpica
compuesta por un solo tipo de tomo es imposible: siempre
hay impurezas o tomos distintos a los del metal
mayoritario, algunos de ellos existirn como defectos
puntuales cristalinos, resulta muy difcil refinar metales ms
all de una pureza de 99,9999 %, en ese nivel hay entre
1022 y 1023 tomos extraos por m3 de metal, la forma
en que se comercializan casi todos los metales ms

comunes es en forma de aleaciones, en las cuales las

impurezas se introducen intencionalmente para impartir
caractersticas especficas al material, por ejemplo, la plata
925 (plata de ley) es una aleacin con 92,5 % de plata y 7,5
% de cobre. La plata pura es muy resistente a la corrosin
pero muy blanda, el cobre mejora sus propiedades
mecnicas.
La adicin de tomos extraos a un metal resulta en la
formacin de una solucin slida y/o de una nueva segunda
fase, dependiendo del tipo de impureza, de la concentracin
y de la temperatura, en este momento nos restringimos a la
formacin de soluciones slidas,
Con el mismo criterio que para las soluciones lquidas se
distingue entre soluto y solvente. Los tomos de solvente se
suelen llamar tambin tomos anfitriones
DEFECTOS-IMPUREZAS-SOLUCIONES SLIDAS
Se forma una solucin slida entre dos metales si el
agregado de los tomos del soluto no modifica la estructura
cristalina del metal solvente, una solucin slida es
homognea, la distribucin de los tomos del soluto es al
azar e igual en todo el volumen del sistema, las impurezas
como defectos puntuales aparecen de dos maneras: como
sustitucionales o como intersticiales, en el caso de las
sustitucionales, sustituyen a los tomos del solvente en los
sitios de la red como se ve en la figura.

Formas de aparicin de las impurezas en una solucin slida

La naturaleza de los tomos de soluto y solvente determina

la manera en que los primeros se disuelven en el medio, los
principales factores a tener en cuenta son los siguientes:

Diferencia en el Tamao atmico: debe ser del orden de

15%, de otra manera es muy posible que se constituya
otra fase,
Estructura cristalina: debe ser igual,
Diferencia de Electronegatividad: cuanto mayor sea esta
diferencia ms probable es que se forme un compuesto
intermetlico en lugar de una solucin slida
substitucional.
El nmero de oxidacin: si otros factores son iguales
puede influir el nmero de xidacin del metal soluto, un
metal disuelve preferentemente a otro de > nro de
oxidacin,

Ejemplo: solucin sustitucional entre Cu y Ni,

Estos dos elementos son solubles en cualquier
proporcin,
Los radios atmicos son, respectivamente, 0,128 y 0,125
nm para
Cu y Ni,
Ambos tienen estructura FCC,
Sus electronegatividades son 1,9 y 1,8,
Los nmeros de oxidacin del Cu son +1 y + 2, los del Ni:
+2 y +3.
Para soluciones slidas intersticiales, los tomos de las
impurezas ocupan los huecos o intersticios entre los tomos
del solvente, para los materiales metlicos que tienen

factores atmicos relativamente altos de empaquetamiento,

estas posiciones intersticiales son relativamente pequeas.
En consecuencia, el dimetro atmico de una impureza
intersticial debe ser sustancialmente menor que el de los
tomos del solvente, normalmente,
la
concentracin
mxima de tomos de impurezas intersticiales es bajo (
< 10% ).
Incluso los tomos de impurezas muy pequeas son
normalmente mayores que los sitios intersticiales, entonces,
su presencia suele introducir una deformacin en la red.
El carbono forma una solucin slida intersticial cuando
es agregado al hierro, la mxima concentracin de C es 2
%. El radio atmico del C es mucho menor que el del Fe
0,071 nm vs 0,124 nm.
EFECTOS LINEALES: DISLOCACIONES
Una dislocacin es un defecto lineal alrededor del cual
algunos tomos estn mal alineados.
Existen, bsicamente, tres tipos de dislocaciones: de
borde, tornillo o mixtas.
Dislocacin de borde (hemiplano de tomos que termina
en el interior del cristal):

Dislocacin de borde: es un defecto lineal que est centrado

en la lnea definida por el final del hemiplano extra de

tomos. A esa lnea se la llama lnea de la dislocacin. En

este caso es perpendicular al plano de la diapositiva.
Alrededor de la lnea de la dislocacin hay cierto grado de distorsin en la
red cristalina. La magnitud de esa distorsin decrece con la distancia.
La dislocacin de borde de la figura anterior se suele representar por el
smbolo .
Una dislocacin de borde se puede formar de manera tal que el hemiplano
extra est en la parte inferior del cristal, en ese caso se representa as:
Existe otro tipo de dislocacin, llamada tornillo o hlice (screw
dislocation, se puede imaginar que se forma por un esfuerzo
de corte que produce la distorsin que se ve en la figura la
parte frontal superior del cristal se desplaz en una
distancia atmica a la derecha con respecto a la parte
superior, la distorsin atmica asociada con una dislocacin
de este tipo es tambin lineal y se puede definir tambin un
lnea para la dislocacin, en nombre de dislocacin hlice
deriva de la forma en que los sucesivos planos cristalinos se
van ordenando alrededor de la lnea de la dislocacin.
A veces se usa el siguiente smbolo para indicar una
dislocacin de este tipo:

Muchas de las dislocaciones encontradas en los materiales cristalinos son

mixtas, es decir tienen un componente lineal y otro de hlice, en la figura
que sigue aparecen los tres tipos de dislocaciones; La distorsin en la red
que se produce lejos de las caras es mixta, con grados distintos de carcter
lineal y hlice.

La magnitud y direccin de la distorsin de la red asociada con una

dislocacin se expresa en trminos de un vector: Vector de Burgers
denotado por b. El vector de Burgers se puede apreciar en las figuras
anteriores.
Segn la naturaleza de una dislocacin es la orientacin relativa entre el
vector de Burgers y la lnea de la dislocacin: para una de borde son
perpendiculares, para una de hlice son paralelas, para una mixta ni una
cosa ni la otra.
Tambin vale comentar que aunque la direccin y naturaleza de una
dislocacin cambien en el interior de un cristal el vector de Burgers ser el

mismo en todos los puntos. Por ejemplo, en la figura donde se esquematiza

una dislocacin mixta se muestra que el vector de Burgers es el mismo en
todo el recorrido.
Para los materiales metlicos el vector de Burgers para una dislocacin
apunta en una direccin de empaquetamiento compacto y es de igual
longitud que el espaciamiento interatmico.

Como se ver ms
adelante, la
deformacin
permanente
de muchos materiales cristalinos se produce por el movimiento de
dislocaciones.
Las dislocaciones se pueden observar en los materiales cristalinos mediante
microscopa electrnica.
Todos los materiales cristalinos tienen dislocaciones que se introducen
durante la solidificacin, la deformacin plstica o como consecuencia de
tensiones trmicas por enfriado rpido.

DEFECTOS INTERFACIALES

Los defectos interfaciales son fronteras que tienen dos dimensiones y

separan regiones de material con distintas estructuras cristalinas y/o
distintas orientaciones cristalinas.
Incluyen: superficies externas, bordes de grano, maclas (twin
boundaries), fallas de apilamiento(stacking faults), y fronteras entre fases
DEFECTOS INTERFACIALES-SUPERFICIES EXTERNAS
La superficie externa en la que un cristal termina es uno de los defectos de
este tipo.
Los tomos superficiales no estn unidos a igual n de vecinos que un tomo
del seno de un metal, por lo tanto, estn en un nivel de energa mayor
Las uniones de estos tomos superficiales que no estn satisfechas dan lugar
a una energa superficial. Para reducir esta energa hay una tendencia a
minimizar la superficie externa.
Ya se mencion a este defecto interfacial, es la frontera que separa dos
pequeos granos o cristales con distintas orientaciones cristalogrficas.

DEFECTOS INTERFACIALES-BORDES DE GRANO

Se lo suele representar segn la figura que sigue: en esa regin que es del
orden de varias distancias atmicas hay cierto desajuste entre las redes
cristalinas de los dos granos.
Son posibles distintos grados de desorientacin entre granos adyacentes.
Cuando la diferencia en orientacin cristalina, el ngulo , es pequeo, del
orden de unos pocos grados, se dice que se tiene un borde de grano de
ngulo bajo, esos bordes de grano se pueden describir en trminos de
arreglos de dislocaciones. Por ejemplo, si varias dislocaciones de borde se
alnean de la manera en que muestra la siguiente figura:

A ese tipo de borde de grano se lo llama tilt boundary o borde de

inclinacin cuando el ngulo de desorientacin es paralelo al borde de
grano, resulta una twist boundary que se puede describir como un arreglo
de dislocaciones hlice.

Los tomos estn unidos de manera menos regular a lo largo de un borde de

grano (pej, los ngulos de enlace son >), en consecuencia, hay una energa
interfacial asociada, la magnitud de esa energa es funcin del grado de
desorientacin.
Los bordes de grano son ms reactivos qumicamente que el material
cristalino regular (rol de la energa y las impurezas).
El tamao de grano se puede controlar, en teora, mediante tratamientos
trmicos a pesar de la existencia de esas zonas de material cristalino
parcialmente desordenado las propiedades mecnicas de un metal
policristalino son muy semejantes a las de un metal monocristalino.
El desorden parcial en la estructura no impide la accin de las fuerzas de
cohesin entre los tomos. De hecho, las densidades son muy parecidas.
Maclas o Twin Boundaries: Es un tipo especial de borde de grano en el
cual hay un plano de reflexin entre las dos regiones separadas por el

defecto, las maclas resultan de desplazamientos atmicos que se producen

por esfuerzos mecnicos o por deformaciones producto de tratamientos
trmicos.
El maclado se da en un plano cristalogrfico determinado y en una direccin
especfica. Ambos, dependen de la estructura cristalina.
Las maclas por recocido aparecen tpicamente en metales con estructura
FCC; las maclas por esfuerzo mecnico se dan en metales con estructuras
BCC y HCP.

Otros defectos Interfaciales: Fallas de apilamiento (stacking faults, bordes

entre fases (phase boundaries y paredes entre dominios ferromagnticos
(ferromagnetic domain walls).
Las fallas de apilamiento se encuentran en metales FCC cuando hay una
interrupcin en la secuencia ABCABCABC . . .de los planos con
empaquetamiento compacto.
Las fronteras entre fases existen en los materiales multifsicos.
Para los materiales ferromagnticos y los ferrimagnticos, la frontera que
separa regiones con direcciones distintas de magnetizacin se llama pared
de dominio a cada uno de los defectos interfaciales est asociada una
energa correspondiente. La magnitud de esa energa depende del tipo de
defecto y del material.
Habitualmente tendr el mayor valor para las superficies externas y el
menor para las paredes de dominios.

DEFECTOS DE VOLUMEN
Los metales pueden tener otro tipo de defectos, por ejemplo los de volumen.
Incluyen, poros, grietas, inclusiones de material extrao y otras fases.
Aparecen normalmente durante las etapas de procesamiento y fabricacin.
Ms adelante se discutirn las consecuencias de la presencia de estos
defectos.
VIBRACIONES ATMICAS
Cada tomo vibra alrededor de su posicin de equilibrio en el slido, en este
sentido se puede considerar como un defecto
Para cada temperatura hay una distribucin de energas para los tomos
alrededor de una energa media.
Al aumentar la T aumenta la energa media y por lo tanto tambin la
poblacin de tomos con energas mayores, a Tamb la frecuencia de
vibracin tpica est en el orden de
1013 s-1, mientras que su amplitud es del orden de 10-12 m.
Muchas propiedades y procesos son influidos por estas vibraciones, por
ejemplo: la fusin.
MICROSCOPIA PARA ESTUDIAR MATERIALES
METLICOS
En algunos metales los granos tienen dimensiones macroscpicas, en
muchos, tienen dimensiones microscpicas, del orden de micrones
(micrmetros) y para estudiarlos se requiere de algn microscopio.
El tamao y la forma de los granos de un metal son dos aspectos de su
microestructura.
Usualmente se utilizan microscopios pticos, Electrnicos y de Barrido de
sonda en el campo de la Microscopa:
Estos instrumentos sirven para estudiar la microestructura de cualquier tipo
de material.
MICROSCOPIA PTICA

Se utiliza un microscopio con luz del visible para estudiar la microestructura

Para materiales opacos a esa radiacin slo es posible observar la superficie
y, por lo tanto, se trabaja en el modo de reflexin.
Los contrastes en la imagen resultan de las diferencias en reflectividad de
las distintas regiones de la superficie.
A este tipo de estudios se los llama metalogrficos.
Lo normal es realizar una cuidadosa preparacin de la superficie antes de
realizar el estudio: pulido y etching.

MICROSCOPIA ELECTRNICA
El lmite superior para la magnificacin con un microscopio ptico es de
2000 aumentos.
En consecuencia, los elementos estructurales que son muy pequeos no
pueden verse con un microscopio ptico.
Bajo esas circunstancias debe usarse un microscopio electrnico.
La imagen se forma usando haces de electrones en lugar de luz.
Usando la dualidad onda partcula podemos entender que un haz de
electrones se comporta como un haz de radiacin con una longitud de onda
particular, que es funcin de su velocidad (v-1).

Mediante voltajes elevados se pueden conseguir haces de electrones con

longitudes de onda del orden de 0,003 nm (3 pm).
Las altas magnificaciones y los elevados poderes de resolucin son
consecuencia de las pequeas longitudes de onda de esos haces de
electrones.
El haz de electrones se enfoca y la imagen se forma mediante lentes
magnticas de manera semejante a la de un microscopio ptico. Es posible
trabajar tanto en modo reflexin como en modo de transmisin.
Microscopas Electrnica de Transmisin (TEM)

La imagen se forma por un haz de electrones que atrviesa la muestra.

Se pueden ver as detalles de la microestructura interna, los contrastes en la
imagen se producen por diferencias en la dispersin o difraccin del haz
producida por los defectos o aspectos de la microestructura.
Como los materiales slidos absorben fuertemente a los electrones, la
muestra debe ser muy delgada. Se pueden alcanzar aumentos de hasta 106.
Microscopas Electrnica de Barrido (SEM)
En esta tcnica la superficie de la muestra se barre o se escanea con un haz
de electrones y se detectan los electrones reflejados (backscattered).
Se puede observar as la morfologa de la superficie incluyendo algunos
defectos.
La superficie puede o no estar pulida o atacada (etched) pero debe ser
conductora de la corriente elctrica. Si no tiene esa propiedad se la recubre
con una pelcula metlica fina. Se alcanzan aumentos de hasta 50 000 x.
En los ltimos 20-25 aos han aparecido una serie de microscopas llamadas
Microscopa de barrido de Sonda (Scanning Probe Microscopy)
Estos microscopios no utilizan ni luz ni electrones pero permiten obtener
informacin topogrfica en escala atmica.
Algunos de estos microscopios pueden operar en distintos ambientes (aire,
vaco)
Emplean una sonda que termina en una punta delgada que se desplaza a una
distancia muy corta de la superficie de la muestra, la sonda sufre
desplazamientos perpendiculares a la sup. De la muestra en respuesta a la
interaccin que va experimentando.
En respuesta a esos estmulos el microscopio obtiene una imagen
tridimensional de la superficie de la muestra.
Ejemplos de este tipo de microscopios son AFM y STM.
DEFECTOS EN ESTRUCTURAS CRISTALINAS:
Estructuras que rompen la invariancia traslacional del slido cristalino:
Clasificacin segn su dimensin:

Puntuales: Vacantes, Impurezas, Intersticios, nerga de formacin, difusin.

Lineales: Dislocaciones. Tipos. Interacciones. Formacin. Superficiales:
Paredes de grano, la superficie del cristal.
Influencia en: Propiedades Mecnicas, Trmicas, Electromagnticas, etc....
Defectos puntuales
Sea Ev la energa necesaria para sacar un tomo del cristal. La probabilidad
(a temperatura T) de que en un determinado sitio haya una vacante es:
P(Ev) exp ( - Ev /kBT) (Boltzman)
Si tenemos N tomos el nmero de vacantes en equilibrio n es:
Si n << N, n/N = exp ( - Ev /kBT) . P.e. Ev = 1 eV, T= 1000K n/N = e12= 10 -5.
Energa de un defecto puntual (Ev):
Punto de vista elstico: un defecto o una impureza produce una deformacin
en el cristal lo que supone un incremento de la energa elstica. La
deformacin se calcula a partir de la ecuacin de equilibrio:

( )( R) 2 R 0 .
Considerando un defecto con simetra esfrica: R= ur(r) r y con las
condiciones de contorno ur(a) = y ur()= 0 se encuentra (problemas):

Difusin: Cmo se mueven los defectos e impurezas en un cristal? (o

cualquier otro objeto aleatoriamente). Caminata aleatoria (Random walk):

Tomemos la probabilidad de saltar a un lado o a otro es .

Cul es la probabilidad de que en N saltos (o tiempo t= N donde
) haya avanzado m sitios o x = ma ?

Defectos bidimensionales
Son defectos asociados a la estructura y organizacin de los planos
reticulares. Principalmente estn constituidos por las dislocaciones, los
defectos de apilamiento (stacking faults), los planos de simetra (twins) y los
defectos de deslizamiento.
Las dislocaciones son defectos asociados a la presencia de planos reticulares
anmalos en el cristal, tanto por su ubicacin como por su orientacin. En la
Fig.1.9 se representan las dislocaciones de tornillo, de borde y de acoplo. En
el primer caso se ha producido un desplazamiento progresivo de parte del
cristal. En el segundo un nuevo plano cristalino se ha insertado a partir de
una determinada posicin. Las dislocaciones de acoplo se producen en

heteroestructuras cuando se realiza la unin de dos materiales diferentes en

los que, obviamente, los parmetros reticulares no coinciden.
Su principal fuente de formacin es la tensin termomecnica del cristal
durante el crecimiento. Pero tambin pueden producirse por acumulacin de
defectos puntuales. Cuando la temperatura es elevada, la energa del cristal
puede desplazar los tomos del mismo en el entrono de la dislocacin. Esto
genera el movimiento de las mismas y/o la modificacin de su tamao y
estructura.
Hoy es posible encontrar cristales "libres" de dislocaciones (<500
dislocaciones/ cm2), tanto en cristales crecidos por el mtodo Czochralski
(Cz) como por el mtodo de fusin de zonas (FZ), que veremos ms
adelante ( 11.3).
Tambin existen, asociados a planos reticulares, defectos de apilamiento
(stacking faults). En la Fig. 1.10a se muestra un corte (1,1,0) de capas
apiladas en la direccin <1,1,1> . Hay seis (tres dobles) capas atmicas de
diferente configuracin; luego, el cristal se repite. En una regin localizada
del cristal existe un error de apilamiento cuando desaparece un plano
atmico de una doble cara junto con el adyacente de otra (por ejemplo los
planos marcados con Aa, Bb o Cc), como se ve en la Figura 1.10b: Se
genera una doble capa que es diferente de las otras del cristal. Ntese que
una dislocacin correspondera a la inclusin de una capa doble del tipo Ab.

Figura 1.9.- Dislocaciones de tornillo (a), de borde (b) y de acoplo (c)

Figura 1.10.- Defectos de apilamiento intrnseco (Intrinsic stacking faults)

Este defecto de apilamiento se conoce como intrnseco (ISF). A veces,
aparece un planoextra en un proceso inverso al anterior. Entonces el
defecto y el plano se conocen como extrnsecos (ESF).
Los "twins" o planos de simetra (tambin, planos de composicin) se
generan por el cambio de orientacin del cristal a partir de ellos. En la Fig.
1.11 se muestra esquemticamente esta situacin, que puede producirse por
un simple desplazamiento de los tomos del cristal, en la que puede verse
que parte del cristal resulta simtrico con relacin al anterior.
Finalmente y por la semejanza en lo que estamos exponiendo debemos
mencionar los defectos de deslizamiento, que se representan en la Fig. 1.12.
En el caso ideal, una parte del cristal desliza sobre otra a lo largo del plano
de deslizamiento y no aparecen otros defectos. Pero con bastante frecuencia
no toda una parte desliza, sino solo una fraccin de ella, lo que produce
tensiones y finalmente dislocaciones y otros defectos.

Figura 1.11.- Panos de simetra (twins)

Figura 1.12.- Deslizamientos

A veces aparecen microdefectos que pueden considerarse como lazos de
dislocaciones de tamao muy pequeo (entre 500 y 3mm). Aparecen
generalmente en la superficie de la oblea. Su naturaleza no est muy clara,
pero pudieran estar asociados a precipitados de asociaciones heterogneas
de tomos intersticiales de semiconductor y carbono u oxgeno. O tambin
de otras impurezas

Defectos superficiales:
Los defectos cambian, en mayor o menor medida, las propiedades del cristal
y su importancia en los aspectos electrnicos de los semiconductores es
diferente. Los defectos asociados a las impurezas son necesarios e
imprescindibles cuando pueden ser controlados, porque son defectos que
generalmente demuestran una actividad elctrica, capturando o emitiendo
electrones. Es decir son capaces de aparecer como centros cargados en el
cristal. Este comportamiento tambin est asociado a algunos defectos
puntuales extrnsecos como las lagunas. En cambio otros defectos no
exhiben actividad elctrica. Pero todos, de una manera u otra interfieren en
el proceso de la conduccin elctrica y en algunos casos en la tecnologa de
fabricacin de dispositivos y circuitos, variando la cintica del proceso y

disminuyendo su rendimiento. De ah el inters de controlar la calidad del

material.
Defectos de apilamiento: en estructuras compactas fcc (ABCABC...) hcp
(ABAB....)
Se producen fallos en las secuencias p.e. ABCABCBABC..
Fronteras de grano: en policristales, separan zonas cristalinas con distinta
orientacin. Las de ngulo pequeo se pueden ver como redes de
dislocaciones.

Superficies Cristalinas: la superficie libre no tiene la misma estructura que

dentro del slido. Al cambio de estructura se llama reconstruccin.

Superficie (100) de un cristal FCC. Los puntos blancos estn por debajo de
los puntos negros.

Terrazas.
Fractura:
Frgil: se produce al final de la zona elstica.
Dctil: se produce al final de la deformacin plstica.
Frgil: se produce por la propagacin de pequeas grietas que se ya estn
dentro del cristal. La forma y las condiciones para la propagacin no son
conocidas.
Criterio de Griffiths: determina el tamao crtico para que una grieta se
propague y rompa el cristal.

cmo se propaga el frente de la fractura?

(1)
Bibliografa
1. Valverde, Andrs. Scrid. [En lnea] [Citado el: 27 de Mayo de 2015.]
http://www.buenastareas.com/ensayos/Defectos-Puntuales-EnMateriales/757410.html.
2. UTP. sitio virtual de la UTP. [En lnea] [Citado el: 26 de Mayo de 2015.]
http://www.utp.edu.co/~publio17/temas_pdf/defectos_cristales.pdf.