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INGENIERIA ELECTROMECANICA
INGENIERIA MECANICA
UTP
MDULO DE LABORATORIO DE
ELECTRONICA ANALOGICA I
NOTA FINAL
LIMA PERU
2015 II
__________
CURSO
ELECTRONICA ANALOGICA I
ALUMNO (A)
OLORTEGUI ROJAS
JOSE HERMINIO
CODIGO
FACULTAD
1321417
ING. MECANICA
ESCUELA
PROFESIONAL
SEMANA: 10
UTP
DIA: 03/03/2016
HORA: 21:00
PROF. TEORIA
MONTEZA ZEVALLOS
PROF. PRACTICA
MONTEZA ZEVALLOS
UTP
UTP
Determinar si el transistor se encuentra en el estado de corte, saturacin o lineal, para visualizar el estado
de amplificacin del transistor.
Estudiar el trazado de la Lnea de carga en C.C. de un amplificador Emisor comn y predecir las
condiciones de funcionamiento del amplificador
FUNDAMENTO TERICO
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia
de transferencia").
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo de circuitos electrnicos de
reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de control.
Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de hace unas dcadas. Gracias a ellos fue posible la
construccin de receptores de radio porttiles llamados comnmente "transistores", televisores que se
encendan en un par de segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a
vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban ms de 30 segundos en empezar a funcionar,
y en ningn caso podan funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenan.
Transistores Bipolares
El transistor es un dispositivo de tres terminales (como se muestra en la figura 4.1), a diferencia del diodo, que
tiene dos terminales (ste consiste en un material de tipo p y uno de tipo n), el transistor consiste en dos
materiales de tipo n separados por un material p (transistor NPN) o en dos materiales p separados por un
material n (transistor PNP).
UTP
Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando: corriente de colector = corriente de emisor = 0,
(Ic = Ie = 0). En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de
Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
UTP
Configuraciones bsicas
Son las siguientes:
Emisor comn: La entrada es por la base y la salida por el colector.
Base comn: Entrada por emisor y salida por colector.
Colector comn: Entrada por base y salida por emisor.
a)
b)
Sentidos positivos de las variables que intervienen en las curvas caractersticas de entrada en un BJT
npn en emisor comn
IB f VBE ,VCE
Como se puede ver en la figura, no hay una nica curva que relacione IB con VBE, sino que hay una familia
de curvas en funcin de VCE. De nuevo, al igual que en el caso anterior, este desdoblamiento de curvas se
debe al efecto Early.
De la misma expresin se deduce que si mantenemos VBE constante, un aumento de VCE implica un aumento
de la tensin VCB, o lo que eso mismo, estamos aplicando una mayor polarizacin inversa a la unin de
colector, lo que lleva implcito (como ya se ha descrito anteriormente) una disminucin de la anchura efectiva
de la base. Es decir, el parmetro disminuye (habr menos portadores que se recombinan en la base).
IE InE I pE
IC InC ICO
IB I pE
InE InC
ICO
ICO , de donde
deducimos que si aumenta, IB disminuye. De ah que no tengamos una nica curva de entrada,
sino que la relacin entre IB y VBE depende de la tensin VCE. Y cuando mayor sea VCE, menor
es la corriente IB.
Sentidos positivos de las variables que intervienen en las curvas caractersticas de salida en emisor
comn en un BJT npn
IC f VCE , IB
Los sentidos positivos de tensiones y corrientes son los que aparecen representados en la figura
Al igual que en el caso anterior, vamos a intentar justificar el porqu de la forma de las curvas en cada
una de las zonas de inters:
Zona activa:
Se corresponde con la zona no sombreada de las curvas, por encima de la curva
IB = 0 y para tensiones VCE superiores a 0,2 V.
En la zona activa se sigue Cumpliendo
IC IE ICO
Si tenemos en cuenta que las corrientes que aparecen representadas en las curvasson IC e IB, eliminamos
la variable IE sabiendo que
Si denominamos
Tenemos que IC no depende de la tensin VCE y depende nicamente del valor de IB. As, las curvas en la
zona activa deberan ser perfectamente horizontales. Esto sera cierto si fuera constante, pero como vimos
en el caso anterior, el parmetro depende de la tensin VCE debido al efecto Early.
correspondientes
variarn entre 9 y 499. Lo cual nos viene a demostrar que pequeas variaciones de implican grandes
cambios de
. Por ello las curvas caractersticas de salida en emisor comn, en la zona activa, estn
En el ejemplo de la figura, podemos observar como un incremento en el valor de del 0,1 % implica
un incremento en el valor de del 25 %
Es por ello que van a haber grandes diferencias para cada transistor individual dentro de las misma familia,
esto es, dos transistores idnticos (misma numeracin, del mismo fabricante, en principio, exactamente iguales)
pueden tener valores de completamente dispares.
Es interesante hacer notar que el dato que ofrece el fabricante de transistores es la ganancia de corriente
en continua (hFE).
IC ICO
IB ICO
Comparando las expresiones (4,3) y (4,4), podemos ver como hFE y no son exactamente lo mismo,
aunque a efectos prcticos sus valores son realmente similares (debido al pequeo valor de ICO).
Es por ello que en la prctica se habla indistintamente de hFE o sin hacer distinciones
Regin de Corte:
Queda delimitada por la curva IB = 0 que marca el lmite entre las zonas activa y de corte.
IC
Pero
1 ICO ICEO
, segn hemos visto anteriormente, puede valer hasta 499, lo cual nos indica que a pesar de tener la
entrada en circuito abierto, podemos tener una corriente entre el colector y el emisor de 500 ICO.Y si bien el
valor ICO, suele ser muy pequeo, en determinadas condiciones (altas temperaturas, transistores de germanio,
etc.) y al estar multiplicado por un factor de 500, la corriente ICEO puede tener una importancia relativa.Es por
esto que la curva de IB = 0 esta sensiblemente ms separada del eje horizontal que en el caso de las curvas
en base comn.
Regin de Saturacin:
Razonando de forma anloga a como lo hicimos en las caractersticas de salida en base comn. Vemos
como en apenas 0,2 V (para un transistor de silicio) la corriente de colector cae a 0 debido a que al estar
las dos uniones polarizadas en directa, las corrientes se anulan entre s.
iB
iC
iB
iB =corriente de base
iC =corriente de colector
iE =corriente de emisor
iE
Circuito hbrido.
i E iC i B
iC i B
iC i E
UTP
MATERIALES
Transistor BC548 (1)
Resistencia de 9.1k / 1/2W (1)
Resistencia de 100 / 1/2W (1)
Resistencia de 1k / 1/2W (2)
Condensador de 10F / 16V (2)
Condensador de 10F / 16V (1)
Condensador de 150pF (1)
APLICACIN
Aislador o Separador
(buffer)
Amplificador de RF
PRINCIPAL VENTAJA
Impedancia de entrada alta y
de salida baja
Bajo ruido
Mezclador
Baja distorsin de
intermodulacin
Troceador
Ausencia de deriva
Amplificador de baja
frecuencia
Oscilador
Capacidad pequea de
acoplamiento
Mnima variacin de
frecuencia
Pequeo tamao
USOS
Uso general, equipos de
medida receptores
Sintonizadores de FM,
equipo para comunicaciones
Receptores de FM, y TV ,
equipos para
comunicaciones
Receptores generadores de
seales
Instrumentos de medicin ,
equipos de prueba
Amplificadores de cc,
sistemas de control de
direccin
Amplificadores
operacionales, rganos
electrnicos, controlas de
tonos
Audfonos para sordera ,
transductores inductivos
Generadores de frecuencia
patrn, receptores
Integracin a gran escala,
computadoras, memorias.
ultmetro (1)
Protoboard (1)
Osciloscopio (1)
Una fuente de voltaje regulable 0-15Vcd (1)
Un generador de funciones (1)
Cables de Conexin
PROCEDIMIENTO
1.
Use el multimetro para configurar el transistor y adems obtener el o hFE. Apunte el resultado obtenido.
hFE
2.
I C 4.58
0.99 1
I B 4.59
9.1k
12V
ELECTRONICA ANALOGICA I
1k
BC548
1k
100
3.
UTP
Utilizando el multmetro, realice las siguientes mediciones: VE, VC, VB, VCE, IE, IC, IB, y anote los valores obtenidos en la
tabla 4.1.
VE(V)
VC(V)
VB(V)
VCE(V)
IE(mA)
IC(mA)
IB(mA)
0.46
4.58
1.17
6.96
-4.59
-4.58
17.7x10^-3
Al circuito de la figura 4.4 agregue los condensadores de acople a la entrada y a la salida de 10 F/16V y
otro de 150pF en paralelo con la resistencia de emisor (Ver figura 4.5).
9.1k
1k
10uF
+
Vi
12V
Vo
10uF
+
BC548
1k
Vi
1k
100
150pF
Coloque una seal senoidal de 100mV/1KHz a Vi. Coloque las puntas del osciloscopio en Vi y Vo y observe
que sucede con la salida respecto a la entrada. Realice las respectivas mediciones de las amplitudes de Vi y
Vo; con estos valores obtenga la ganancia del amplificador.
Vo 0.46
4.6
Vi
0.1
ELECTRONICA ANALOGICA I
UTP
CUESTIONARIO
ELECTRONICA ANALOGICA I
UTP
bajo determinadas condiciones podemos conseguir que la corriente del colector sea
proporcional a la corriente de la base.
ELECTRONICA ANALOGICA I
ELECTRONICA ANALOGICA I
UTP