REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

Instituto Universitario Politcnico SANTIAGO MARIO

SEDE BARCELONA

Escuela: Ingeniera Electrnica. (44)

Memorias

Docente:

Alumno:

Ing. Carls Hernndez

Coa, Reinardo
C.I:26.203.291

Memoria RAM
La memoria principal o RAM (Random Access Memory, Memoria de Acceso Aleatorio) es
donde el computador guarda los datos que est utilizando en el momento presente. El
almacenamiento es considerado temporal por que los datos y programas permanecen en ella
mientras que la computadora este encendida o no sea reiniciada.
Se le llama RAM por que es posible acceder a cualquier ubicacin de ella aleatoria y
rpidamente
Fsicamente, estn constituidas por un conjunto de chips o mdulos de chips normalmente
conectados a la tarjeta madre. Los chips de memoria son rectngulos negros que suelen ir
soldados en grupos a unas plaquitas con "pines" o contactos:

La diferencia entre la RAM y otros tipos de memoria de almacenamiento, como los

disquetes o los discos duros, es que la RAM es mucho ms rpida, y que se borra al apagar
el computador, no como los Disquetes o discos duros en donde la informacin permanece
grabada.

Tipos de RAM

Hay muchos tipos de memorias DRAM, Fast Page, EDO, SDRAM, etc. Y lo que es peor,
varios nombres. Trataremos estos cuatro, que son los principales, aunque mas adelante en
este Informe encontrar prcticamente todos los dems tipos.
DRAM: Dinamic-RAM, o RAM DINAMICA, ya que es "la original", y por tanto la ms
lenta.
Usada hasta la poca del 386, su velocidad tpica es de 80 70 nanosegundos (ns), tiempo
ste que tarda en vaciarse para poder dar entrada a la siguiente serie de datos. Por ello, es
ms rpida la de 70 ns que la de 80 ns.
Fsicamente, aparece en forma de DIMMs o de SIMMs, siendo estos ltimos de 30
contactos.
Fast Page (FPM): a veces llamada DRAM (o slo "RAM"), puesto que evoluciona
directamente de ella, y se usa desde hace tanto que pocas veces se las diferencia. Algo ms
rpida, tanto por su estructura (el modo de Pgina Rpida) como por ser de 70 60 ns.
Usada hasta con los primeros Pentium, fsicamente aparece como SIMMs de 30 72
contactos (los de 72 en los Pentium y algunos 486).
EDO: o EDO-RAM, Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite
empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores estn saliendo (haciendo su
Output), lo que la hace algo ms rpida (un 5%, ms o menos).
Muy comn en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 50 ns. Se instala
sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168.
SDRAM: Sincronic-RAM. Funciona de manera sincronizada con la velocidad de la placa
(de 50 a 66 MHz), para lo que debe ser rapidsima, de unos 25 a 10 ns. Slo se presenta en
forma de DIMMs de 168 contactos; es usada en los Pentium II de menos de 350 MHz y en
los Celeron.
PC100: o SDRAM de 100 MHz. Memoria SDRAM capaz de funcionar a esos 100 MHz,
que utilizan los AMD K6-2, Pentium II a 350 MHz y computadores ms modernos;
tericamente se trata de unas especificaciones mnimas que se deben cumplir para
funcionar correctamente a dicha velocidad, aunque no todas las memorias vendidas como
"de 100 MHz" las cumplen.
PC133: o SDRAM de 133 MHz. La ms moderna (y recomendable).

ROM
La memoria ROM, (read-only memory) o memoria de slo lectura, es la memoria que se
utiliza para almacenar los programas que ponen en marcha el ordenador y realizan los
diagnsticos. La mayora de los ordenadores tienen una cantidad pequea de memoria
ROM (algunos miles de bytes).
Puesto que la memoria ROM tambin permite acceso aleatorio, si queremos ser precisos, la
memoria RAM debera llamarse memoria RAM de lectura y escritura, y la memoria ROM
memoria RAM de slo lectura.

Caracteristicas Generales (ROM)

Hace algunos aos, la ROM era una memoria para una sola escritura de datos, en la
fbrica se grababa la informacin y ya no era posible modificarla.

Almacena configuraciones bsicas de la tarjeta principal ("motherboard"), tales

como la informacin del fabricante, la fecha de manufactura, el nmero de serie, el
modelo, etc.

Integra un programa denominado POST que se encarga de realizar una revisin

bsica a los componentes instalados en el equipo antes de que se visualice algo en
pantalla.

Integra otro programa llamado SETUP, que contiene una serie de mens sobre las
configuraciones avanzadas del equipo, las cules pueden ser modificados por el
usuario (forma de arranque, dar de alta discos duros, disqueteras, unidades de
CD/DVD, velocidad del microprocesador, etc.).

Para almacenar los datos que el usuario modifica, cuenta con una memoria llamada
CMOS alimentada constantemente desde una batera integrada en la tarjeta
principal.

Actualmente es posible borrarlas e incluso actualizarlas va Internet ya que integran

nueva tecnologa de modificacin de datos.

Tipos de ROM Actuales

Hace algunos aos, la ROM era una memoria para una sola escritura de datos, en la
fbrica se grababa la informacin y ya no era posible modificarla.

Almacena configuraciones bsicas de la tarjeta principal ("motherboard"), tales

como la informacin del fabricante, la fecha de manufactura, el nmero de serie, el
modelo, etc.

Integra un programa denominado POST que se encarga de realizar una revisin

bsica a los componentes instalados en el equipo antes de que se visualice algo en
pantalla.

Integra otro programa llamado SETUP, que contiene una serie de mens sobre las
configuraciones avanzadas del equipo, las cules pueden ser modificados por el

usuario (forma de arranque, dar de alta discos duros, disqueteras, unidades de

CD/DVD, velocidad del microprocesador, etc.).

Para almacenar los datos que el usuario modifica, cuenta con una memoria llamada
CMOS alimentada constantemente desde una batera integrada en la tarjeta
principal.

Actualmente es posible borrarlas e incluso actualizarlas va Internet ya que integran

nueva tecnologa de modificacin de datos.

Memoria PROM

PROM abreviatura de Programmable Read-Only Memory (Memoria de solo lectura

programable). Es una memoria usada con frecuencia en electrnica y pertenece al
tipo de memorias no voltil, es decir que cuando desaparece la tensin del circuito
los datos permanecen inalterables. En la PROM cada bit de la memoria depende del
estado de un fusible, qu es quemado por medio de una corriente que se aplica por
un programador de PROM o programador de memorias universal. La memoria
vienen de fbrica con todos los bits a nivel 1 y solo es grabable una vez, el voltaje
de programacin suele variar entre 12V y 25V segn el tipo de PROM.
La programacin de la memoria PROM siempre se hace desconectada del circuito y
la evolucin que ha tenido fsicamente a la ahora de programarla a pasado del
fundido de diodos, transistores bipolares hasta transistores de efecto de campo

Usos de las memorias PROM:

El uso que se da a esta memoria suele ser de paginador del mapa de memoria de un
microprocesador direccionando a los diferentes dispositivos de entrada salida y
memorias de datos y programa.

Generador de caracteres.

Firmware de arranque, aunque esta caracterstica esta altamente superada por las
memorias EEPROM y FLASH que tienen una mayor capacidad y son
reprogramables infinidad de veces.

En este ejemplo vemos el diagrama de configuracin elctrica de la PROM 74188

(32 x 8 bits) esta PROM tiene la salida a colector abierto a diferencia de la 74288
que es tres estados esto quiere decir que se tendr que alimentar cada salida con una
resistencia de carga a positivo Vcc.
En este ejemplo vemos el diagrama de configuracin elctrica de la PROM 74188
(32 x 8 bits) esta PROM tiene la salida a colector abierto a diferencia de la 74288
que es tres estados esto quiere decir que se tendr que alimentar cada salida con una
resistencia de carga a positivo Vcc.

Vemos que tiene un bus de datos de 8 bits y un bus de direcciones de 5 bits.

Aqu vemos en encapsulado dual in line de la memoria en formato real, su tiempo de
propagacin normal de esta memoria suele ser 25 nS

EPROM

Una EPROM (erasable programmable read only memory), es una memoria borrable y
programable, o lo que es lo mismo reprogramable. Esto quiere decir que puede guardarse
informacin en la memoria, luego borrarla e introducir otra. Esto permite realizar de
manera sencilla modificaciones, ampliaciones y correcciones del contenido de la memoria.
La EPROM dispone, como cualquier memoria de un bus de direcciones y de un bus de
datos. Internamemte cada bit se almacena en una matriz de clulas de memoria. Cuando la
EPROM est activa y en modo de lectura, se produce la decodificacin de las direcciones y
el contenido de las clulas de memoria seleccionadas se entrega a la salida.
Direcciones
El bus de direcciones dispone de tantas lneas como sean necesarias para seleccionar
cada una de las posiciones de memoria. Puesto que el bus de datos normalmente tiene una
longitud de palabra de 8 bits, 1 byte, cada posicin de memoria direccionada selecciona 8
clulas de memoria a la vez. Por ejemplo una memoria de 2KB, (2048 bytes o 2048
posiciones de memoria) dispone de un bus de 11 bits, (2 elevado a 11 son 2048) y una
memoria de 32KB, 32768 bytes, tiene 15 lneas de direccin (2 elevado a 15 son 32768).
Datos
El bus de datos, normalmente de 8 bits para presentar palabras de 1 byte, presenta en las
patillas D0 a D7, el contenido de la memoria en el modo de lectura y recibe datos en el
modo de programacin. Por esta doble funcin dispone de salida triestado. En modo de
lectura las patillas de los datos entregan el contenido de la direccin seleccionada o bien,
mediante una seal de control, permanen en estado de alta impedancia. En modo
programacin las patillas de datos actan como entrada.

Programacin y borrado
Para la programacin se utiliza una tensin de programacin (Vpp) y un pulso de
programacin PGM.
El borrado se realiza mediante luz ultravioleta por lo que la EPROM se encapsula con
una ventana.
Existen EPROM que carecen de ventana de cuarzo (OTP, programable una sola vez) y
por ello no pueden borrarse. Se programan igual que las otras EPROM pero son ms
baratas, lo que resulta interesante para la produccin en serie.

Funcionamiento interno de la EPROM

La EPROM tiene tantas celdas de memoria como bits deban alnmacenarse, as una
memoria de 2KB tiene 16384 celdas de memoria (2048x8bits).
La EPROM almacena los bits en celdas formadas a partir de transistores de tipo FAMOS
(Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) un tipo de MOSFET cuya
puerta est rodeada por xido de silicio y, en consecuencia, totalmente aislada.
La cantidad de carga elctrica almacenada sobre la puerta aislada o flotante determina
que el bit de la celda contenga un 1 o un 0; las celdas cargadas son ledas como un 0,
mientras que las que no lo estn son ledas como un 1. Tal como las EPROMs salen de
fbrica, todas las celdas se encuentran descargadas, por lo cual el bit asociado es un 1; de
ah que una EPROM virgen presente el valor hexadecimal FF en todas sus direcciones.
Cuando un bit de una celda debe ser cambiado o programado de un 1 a un 0, con la
ayuda de una tensin relativamente alta (la tensin de programacin Vpp), se crea un
campo elctrico mediante el cual algunos electrones ganan suficiente energa como para
atravesar la capa que asla la puerta flotante. En la medida que estos electrones se acumulan
en la puerta flotante, esta toma una carga negativa, lo que finalmente produce que la celda
tenga un 0.
Uso prctico de las EPROM
Una vez grabada una EPROM con la informacin pertinente, por medio de un
"programador" se instala en el sistema correspondiente donde ser utilizada como
dispositivo de lectura solamente. Eventualmente, ante la necesidad de realizar alguna
modificacin en la informacin contenida o bien para ser utilizada en otra aplicacin, la
EPROM se retira del sistema, se borra mediante la exposicin a luz ultravioleta, se
programa con los nuevos datos, y se vuelve a instalar en el sistema de uso como una
memoria de lectura solamente.
La serie 2700
Un ejemplo de esta serie es la memoria 2716. La capacidad disponible viene definida por
el "16" de los dos ltimos dgitos de la referencia, y nos dice que tenemos 16.384 clulas de
memoria y por tanto 16384 bits de capacidad. Tiene un bus de datos de 8 bits en paralelo,
con lo que permite programar 2048 bytes (2 KByte).
Otros tipos importantes son las 2732, 2764, 27128, 27256 y 27512; como en el caso de la
2716, los dgitos finales despus del "27" nos dan la capacidad de estas memorias; tenemos,
pues, capacidades de 4, 8, 16, 32 y 64 KByte.
Una EPROM viene a consumir unos 100-125 mA en modo normal, y unos 20-40 mA en
modo stanby.

Dentro de esta serie se encuentran las 27CXX, que utiliza tecnologa CMOS y consumen
menos energa.
Los niveles lgicos de entrada/salida son compatibles TTL.
El tiempo de acceso de la serie 2700, entendiendolo como el periodo comprendido entre
la carga de la direccin en el bus de direccionamiento y la disponibilidad de los datos est
comprendido entre 100 y 450 nanosegundos, siendo ms rpidas las de mayor capacidad.
Seales de control
/CE, (chip enable, activo a nivel bajo)
Esta entrada habilita o activa a la memoria. Sirve para disminuir el consumo de esta al
entrar en "modo de espera" o "standby". Suele utilizarse para la seleccin del dispositivo
junto con /OE. En el modo de espera se permite a la memoria funcionar con una tensin de
alimentacin reducida. En este modo la salida est en un estado de alta impedancia,
independientemente del estado de /OE.
/OE (output enable, activo a nivel bajo)
Esta entrada controla la salida y activa o desactiva los "drivers" de salida de la memoria.
Cuando es 0, el dato est disponible suponiendo que /CE ha estado a 0 y la direccin ha
permanecido estable durante un tiempo pequeo. Cuando es 1 coloca las salidas en estado
de alta impedancia.
Vpp (Tensin de programacin)
Esta entrada permite aplicar a las clulas de memoria una tensin relativamente alta y
que crea el campo elctrico que permite cargar la puerta flotante de los transistores FAMOS
y as grabar la EPROM.
Las tensiones de programacin varan en funcin tanto del dispositivo, como del
fabricante, as nos encontramos con tensiones de programacin de 12,5V, 13V, 21V y 25V.
IMPORTANTE: Superar la Vpp requerida por la EPROM en 1,5 o 2 voltios puede
daarla.
PGM (Programacin)
Cuando se aplica un pulso de una duracin determinada a esta entrada es cuando se hace
efectiva la grabacin de la posicin de memoria direccionada. De hecho, en la
programacin de la EPROM puede mantenerse aplicada la Vpp o tensin de programacin
y el pulso en PGM efecta la programacin.

Algunas memorias de la serie 2700 tienen asociadas a una misma patilla mas de una
seal de control, como se ver ms adelante.
En los sistemas basados en CPU en los que se utilizan varios dispositivos que comparten
un bus de datos comn, en el caso de las EPROM, se utiliza /CE como lnea de seleccin
decodificada y /OE se conectada a la lnea de lectura del bus de control

Memoria flash
La memoria flash derivada de la memoria EEPROM permite la lectura y escritura de
mltiples posiciones de memoria en la misma operacin. Gracias a ello, la tecnologa flash,
siempre mediante impulsos elctricos, permite velocidades de funcionamiento muy
superiores frente a la tecnologa EEPROM primigenia, que slo permita actuar sobre una
nica celda de memoria en cada operacin de programacin. Se trata de la tecnologa
empleada en los dispositivos denominados memoria USB.
Flash, como tipo de EEPROM que es, contiene una matriz de celdas con un transistor
evolucionado con dos puertas en cada interseccin. Tradicionalmente slo almacenan un bit
de informacin. Las nuevas memorias flash, llamadas tambin dispositivos de celdas multinivel, pueden almacenar ms de un bit por celda variando el nmero de electrones que
almacenan.
Estas memorias estn basadas en el transistor FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection
Metal Oxide Semiconductor) que es, esencialmente, un transistor NMOS con un conductor
(basado en un xido metlico) adicional localizado o entre la puerta de control (CG

Control Gate) y los terminales fuente/drenador contenidos en otra puerta (FG Floating
Gate) o alrededor de la FG conteniendo los electrones que almacenan la informacin

Memorias de flash tipo NOR

En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG (Floating
Gate), modifican (prcticamente anulan) el campo elctrico que generara CG (control
Gate) en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda est a 1 a 0, el
campo elctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un
determinado voltaje en CG, la corriente elctrica fluye o no en funcin del voltaje
almacenado en la celda. La presencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un
1 un 0, reproduciendo as el dato almacenado. En los dispositivos de celda multi-nivel, se
detecta la intensidad de la corriente para controlar el nmero de electrones almacenados en
FG e interpretarlos adecuadamente.
Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite el paso
de la corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero, entonces se coloca en CG un
voltaje alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo elctrico que genera. Este
proceso se llama hot-electrn injection. Para borrar (poner a 1, el estado natural del
transistor) el contenido de una celda, expulsar estos electrones, se emplea la tcnica de
Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso de tunelado mecnico cuntico. Esto es, aplicar
un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a los electrones, convirtiendo al
transistor en una pistola de electrones que permite, abriendo el terminal sumidero, que los
electrones abandonen el mismo. Este proceso es el que provoca el deterioro de las celdas, al
aplicar sobre un conductor tan delgado un voltaje tan alto.
Es necesario destacar que las memorias flash estn subdivididas en bloques (en ocasiones
llamados sectores) y por lo tanto, para el borrado, se limpian bloques enteros para agilizar
el proceso, ya que es la parte ms lenta del proceso. Por esta razn, las memorias flash son
mucho ms rpidas que las EEPROM convencionales, ya que borran byte a byte. No
obstante, para reescribir un dato es necesario limpiar el bloque primero para despus
reescribir su contenido.

Memoria Flash Tipo NAND

Las memorias flash basadas en puertas lgicas NAND funcionan de forma ligeramente
diferente: usan un tnel de inyeccin para la escritura y para el borrado un tnel de
soltado. Las memorias basadas en NAND tienen, adems de la evidente base en otro tipo
de puertas, un costo bastante inferior, unas diez veces de ms resistencia a las operaciones
pero slo permiten acceso secuencial (ms orientado a dispositivos de almacenamiento
masivo), frente a las memorias flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso
aleatorio. Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansin de este tipo
de memoria, ya que el mecanismo de borrado es ms sencillo (aunque tambin se borre por
bloques) lo que ha proporcionado una base ms rentable para la creacin de dispositivos de
tipo tarjeta de memoria. Las populares memorias USB o tambin llamadas Pendrives,
utilizan memorias flash de tipo NAND.

Comparacin de memorias flash tipo NOR y NAND

Para comparar estos tipos de memoria se consideran los diferentes aspectos de las
memorias tradicionalmente valorados.

La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante mayor en las

memorias NAND.

El costo de NOR es mucho mayor.

El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a bloques para su modificacin.

En la escritura de NOR podemos llegar a modificar un solo bit. Esto destaca con la
limitada reprogramacin de las NAND que deben modificar bloques o palabras
completas.

La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50-100 ns) frente a NAND (10 s
de la bsqueda de la pgina + 50 ns por byte).

La velocidad de escritura para NOR es de 5 s por byte frente a 200 s por pgina
en NAND.

La velocidad de borrado para NOR es de 1ms por bloque de 64 KB frente a los 2ms
por bloque de 16 KB en NAND.

La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta, es

relativamente inmune a la corrupcin de datos y tampoco tiene bloques errneos
frente a la escasa fiabilidad de los sistemas NAND que requieren correccin de
datos y existe la posibilidad de que queden bloques marcados como errneos e
inservibles.

En resumen, los sistemas basados en NAND son ms baratos pero carecen de una fiabilidad
que los haga eficientes, lo que demuestra la necesidad imperiosa de un buen sistema de
ficheros. Dependiendo de qu sea lo que se busque, merecer la pena decantarse por uno u
otro tipo.