Diodos zener

El diodo Zener es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas, recibe
ese nombre por su inventor, el Dr. Clarence Melvin Zener. El diodo zener es la parte esencial de
los reguladores de tensin casi constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones de la
tensin de red, de la resistencia de carga y temperatura.
Son mal llamados a veces diodos de avalancha, pues presentan comportamientos similares a estos, pero los
mecanismos involucrados son diferentes.

Caractersticas
Si a un diodo Zener se le aplica una corriente elctrica de nodo al Ctodo toma las caractersticas de
un diodo rectificador bsico. Pero si se le suministra una corriente inversa, el diodo solo dejara pasar un
voltaje constante. En conclusin: el diodo Zener debe ser polarizado al revs para que adopte su
caracterstica de regulador de tensin. Su smbolo es como el de un diodo normal pero tiene 2 terminales a
los lados. Este diodo se comporta como un diodo convencional en condiciones de alta corriente, porque
cuando recibe demasiada corriente este se quema.

Dibujo de un diodo zener

Diodos schottky
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico alemn Walter H. Schottky, es
un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin
directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones
umbral (tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se refieren a ella como "knee", o sea,
de rodilla). La tensin de codo es la diferencia de potencial mnima necesaria para que el diodo acte como
conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la regin Zener, que es cuando ms bien

existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que -a pesar de estar polarizado en contra
del flujo de corriente- ste opere de igual forma como lo hara regularmente.

Funcionamiento de un diodo schottky

A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fcilmente cuando la polarizacin cambia de directa a
inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutacin puede llegar a ser muy bajo,
poniendo en peligro el dispositivo.
El diodo Schottky est constituido por una unin metal-semiconductor (barrera Schottky), en lugar de la unin
convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada por los diodos normales.
As se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador mayoritario". Esto significa que, si
el cuerpo semiconductor est dopado con impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones
mviles) desempearn un papel significativo en la operacin del diodo y no se realizar la recombinacin
aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la
operacin del dispositivo ser mucho ms rpida.

Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de
tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso
negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante aporta sus electrones ms dbiles vinculados a los tomos del
semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante ya que da algunos
de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material.

Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de
tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso
positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbiles vinculados de los tomos del
semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del
semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos.

Caractersticas de un diodo schottky

La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de muy altas frecuencias y eliminar excesos de
corriente en circuitos de alta intensidad.
A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensin umbral valor de la tensin
indirecta a partir de la cual el diodo conduce de 0,7 V, los diodos Schottky tienen una tensin umbral de
aproximadamente 0,2 V a 0,4 V emplendose, por ejemplo, como proteccin de descarga de clulas solares
con bateras de plomo cido.
La limitacin ms evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias inversas
relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero el diodo Schottky encuentra una
gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes
velocidades de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en directo permite poco gasto de energa,
otra utilizacin del diodo Schottky es en variadores de alta gama para que la corriente que vuelve desde el
motor al variador no pase por el transistor del freno y este no pierda sus facultades.

Diodos SCHOTTKY
1N5819

1Am 40Vlts. DO15

1N5822

3Am 40Vlts. DO201

SB350

3Am 50Vlts. DO41

BAT41

100mA. 100Vlts. DO35

BAT43

200mA. 30Vlts.

DO35

BAT47

350mA. 20Vlts.

DO35

BAT81

Diodo BAT81 DO35

BAT85

Diodo BAT85 DO34

Smbolo de un diodo schottky

Diodo varacter o variable

El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa su funcionamiento en el
fenmeno que hace que el ancho de la barrera de potencial en una unin PN vare en funcin de la tensin
inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera,
disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador variable controlado por
tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensin inversa mnima tiene que ser
de 1 V.
La aplicacin de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintona de TV, modulacin de frecuencia en
transmisiones de FM y radio y en los osciladores controlados por voltaje (oscilador controlado por tensin).

En tecnologa de microondas se pueden utilizar como limitadores: al aumentar la tensin en el diodo, su

capacidad vara, modificando la impedancia que presenta y des adaptando el circuito, de modo que refleja la
potencia incidente.

Unin pn
Se denomina unin P-N a la estructura fundamental de los componentes electrnicos comnmente
denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores BJT. Est formada por la unin
metalrgica de dos cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque tambin se fabrican de Germanio (Ge), de
naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales
de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algn otro metal o compuesto qumico.

Polarizacin directa de la unin p_n

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso
de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la
electricidad.
Se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la parte P de la unin P - N y la negativa a la N. En
estas condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen
hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que
empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la
zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los
huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.

Polarizacin inversa de la unin p_n

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace
aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de
la batera, tal y como se explica a continuacin:
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se
introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones
libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su
electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver
semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.

Capacidad elctrica
En electromagnetismo y electrnica, la capacitancia1 o capacidad elctrica es la propiedad que tienen los
cuerpos para mantener una carga elctrica. La capacitancia tambin es una medida de la cantidad de energa
elctrica almacenada para un potencial elctrico dado. El dispositivo ms comn que almacena energa de
esta forma es el condensador. La relacin entre la diferencia de potencial (o tensin) existente entre las placas
del condensador y la carga elctrica almacenada en ste, se describe mediante la siguiente ecuacin:

Dnde:

C: Es

la capacidad, medida en faradios (en honor al fsico experimental Michael Faraday); esta unidad es
relativamente grande y suelen utilizarse submltiplos como el microfaradio o picofaradio.

Q: Es la carga elctrica almacenada, medida en culombios;

V: Es la diferencia de potencial (o tensin), medida en voltios.
Cabe destacar que la capacidad es siempre una cantidad positiva y que depende de la geometra del
condensador considerado (de placas paralelas, cilndrico, esfrico). Otro factor del que depende es del
dielctrico que se introduzca entre las dos superficies del condensador. Cuanto mayor sea la constante
dielctrica del material no conductor introducido, mayor es la capacidad.
En la prctica, la dinmica elctrica del condensador se expresa gracias a la siguiente ecuacin diferencial,
que se obtiene derivando respecto al tiempo la ecuacin anterior.

Donde i representa la corriente elctrica, medida en amperios.

Diodo tnel
El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tnel que da
origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente, tensin.
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo
(amplificador/oscilador).
Tambin se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que descubri que una fuerte contaminacin
con impurezas poda causar un efecto de tunelizacin de los portadores de carga a lo largo de la zona de
agotamiento en la unin. Una caracterstica importante del diodo tnel es su resistencia negativa en un
determinado intervalo de voltajes de polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente
disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tnel puede funcionar como amplificador, como
oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones
que involucran microondas y que estn relativamente libres de los efectos de la radiacin.

Biestable
Un biestable (flip-flop en ingls), es un multivibrador capaz de permanecer en uno de dos estados posibles
durante un tiempo indefinido en ausencia de perturbaciones.1 Esta caracterstica es ampliamente utilizada en
electrnica digital para memorizar informacin. El paso de un estado a otro se realiza variando sus entradas.
Dependiendo del tipo de dichas entradas los biestables se dividen en:
Asncronos: slo tienen entradas de control. El ms empleado es el biestable RS.
Sncronos: adems de las entradas de control posee una entrada de sincronismo o de reloj. Si las entradas de
control dependen de la de sincronismo se denominan sncronas y en caso contrario asncronas. Por lo
general, las entradas de control asncronas prevalecen sobre las sncronas.

Smbolo de un diodo tnel