UMSS-FCYT

Investigacin- Electrnica Digital II

Electrnic
a Digital
II

NOMBRE:
CARRERA:
Da: LUNES

Ing. Electrnica

MEMORIAS

ARIEL VCTOR FLORES BALDERRAMA

ING. ELECTRNICA
Horas: 9:45 AM.

Fecha de entrega: Cbba / 2 / 12 / 2013

UMSS-FCYT
Investigacin- Electrnica Digital II

Ing. Electrnica
Memorias

I. Introduccin
La memoria es la parte de un sistema que almacena datos binarios en grandes cantidades. Las memorias
semiconductoras estn formadas por matrices de elementos de almacenamiento que pueden ser latches o
condensadores.
Son dispositivos que retienen datos informticos durante algn intervalo de tiempo. Las memorias de
computadora proporcionan una de las principales funciones de la computacin moderna, la retencin o
almacenamiento de informacin. Es uno de los componentes fundamentales de todas las computadoras
modernas que, acoplados a una unidad central de procesamiento, implementa lo fundamental del
modelo de computadora de Arquitectura de von Neumann, usado desde los aos 1940.
En la actualidad, memoria suele referirse a una forma de almacenamiento de estado slido conocido
como memoria RAM (memoria de acceso aleatorio, RAM por sus siglas en ingls
random
access memory) y otras veces se refiere a otras formas de almacenamiento
rpido pero temporal. De forma similar, se refiere a
formas de almacenamiento masivo como discos pticos y tipos
de almacenamiento magntico como discos duros y
otros tipos de almacenamiento ms lentos que las
memorias RAM, pero de naturaleza ms
permanente. Estas distinciones contemporneas
son de ayuda porque son fundamentales para la
arquitectura de computadores en general.

II. Elementos de Anlisis de las Memorias

Celda de memoria.-Circuito elctrico utilizado para almacenar un bit (0 o 1).

UMSS-FCYT
Investigacin- Electrnica Digital II

Ing. Electrnica

Palabra de memoria.-Un grupo de bits (celdas). Los tamaos de las palabras en las
computadoras modernas varan, por lo general, de 8 a 64 bits, dependiendo del tamao de la
computadora.
Byte.-Un trmino especial que se utiliza para un grupo de ocho bits.
Capacidad.- Una manera de especificar cuantos bits pueden almacenarse en un dispositivo de
memoria especifico. El nmero de palabras por lo comn es un mltiplo de 1024. Es comn
utilizar la designacin 1K para representar 1024=2^10 cuando se hace referencia a la
capacidad de memoria.
Densidad.- Cuando decimos que un dispositivo de memoria tiene una mayor densidad que otra,
queremos decir que puede almacenar ms bits en la misma rea de silicio; es ms densa.
Direccin.- Un nmero que identifique la ubicacin de una palabra en memoria.
Operacin de lectura.- A la operacin de lectura, por lo general, se le conoce como operacin
buscar (fetch), ya que se est buscando una palabra un memoria.
Operacin de escritura.- La operacin mediante la cual se coloca una nueva palabra en una
ubicacin de memoria especifica. Tambin se conoce como la operacin de almacenar.
Tiempo de acceso.- Es la cantidad de tiempo que se requiere para realizar una operacin de
lectura.
Memoria voltil.- Cualquier tipo de memoria que requiere la aplicacin de energa elctrica para
poder almacenar informacin. Si se quita la energa elctrica, se perder toda la informacin
almacenada en la memoria.
Memoria de acceso aleatorio (RAM).- En estas memorias el tiempo de acceso es igual para
cualquier direccin en memoria.
Memoria de acceso secuencial (SAM).- Un tipo de memoria en el cual el tiempo de acceso no
es constante, sino que vara dependiendo de la ubicacin de la direccin.
Memoria de lectura/escritura (RWM).- Cualquier memoria que se puede leer, o en la que se
puede escribir, con la misma facilidad.
Memoria de solo lectura (ROM).- Toda ROM es no voltil y almacenara los datos aunque se
retire la energa elctrica.
Dispositivos de memoria esttica.- Los dispositivos de memoria semiconductora en la cual los
datos se almacenaran de manera permanente, siempre y cuando se aplique energa, sin necesidad
de reescribir los datos en la memoria en forma peridica.
Dispositivos de memoria dinmica.- Dispositivos de memoria semiconductora en los cuales los
datos no se almacenaran en forma permanente, aun y cuando se le aplique energa, a menos que
se reescriban en forma peridica en la memoria. A esta ltima operacin se le conoce como
operacin de regeneracin.
Memoria principal.- Tambin se le conoce como memoria de trabajo de la computadora.
Almacena instrucciones y datos con los que la CPU est trabajando en un momento dado. Es la
de mayor velocidad en la computadora y siempre es semiconductora.
Memoria auxiliar.- Tambien se le conoce como almacenamiento masivo.

UMSS-FCYT
Investigacin- Electrnica Digital II

Ing. Electrnica

III. Memorias de solo lectura (ROM)

La memoria de solo lectura, conocida tambin como ROM (acrnimo en ingls de read-only
memory), es un medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y dispositivos electrnicos, que
permite slo la lectura de la informacin y no su escritura, independientemente de la presencia o no de
una fuente de energa.
Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al menos no de manera rpida o fcil.
La ROM programada por mascara (MROM) almacena su informacin al momento en que se fabrica
el circuito integrado.
A pesar de la simplicidad de la ROM, los dispositivos reprogramables son ms flexibles y econmicos,
por lo cual las antiguas mscaras ROM no se suelen encontrar en hardware producido a partir de 2007.

1. ROMs programables (PROMs)

PROM es el acrnimo en ingls de programmable read-only
memory, que significa memoria de solo lectura programable.
Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del
estado de un fusible, que puede ser quemado una sola vez. Por
esto la memoria puede ser programada una sola vez a travs de
un dispositivo especial,
un programador PROM. Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en cantidades
menores a las ROM, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todos los casos.
Los fabricantes han desarrollado PROMs con enlaces de fusible, las cuales son programables por el
usuario. Si el programa de una PROM tiene fallas, hay que desechar esa PROM. Por esa razn, a
estos dispositivos se les conoce por lo general como programables una sola vez (OTP).
Una PROM comn se encuentra con todos los bits en valor 1 como valor por defecto de las fbricas; el
quemado de cada fusible, cambia el valor del correspondiente bit a 0. La programacin se realiza
aplicando pulsos de altos voltajes que no se encuentran durante operaciones normales (12 a 21 voltios).
El trmino read-only (solo lectura) se refiere a que, a diferencia de otras memorias, los datos no pueden
ser cambiados (al menos por el usuario final).

2. ROM programable y borrable (EPROM)

UMSS-FCYT
Investigacin- Electrnica Digital II

Ing. Electrnica

Este tipo de memoria es similar a la PROM con la diferencia que la informacin se puede borrar y
volver a grabar varias veces. Su nombre proviene de la sigla en ingls Erasable Read Only Memory.
La programacin se efecta aplicando en un pin especial de la memoria una tensin entre 10 y 25
Voltios durante aproximadamente 50 ms, segn el dispositivo, al mismo tiempo se direcciona la
posicin de memoria y se pone la informacin a las entradas de datos. Este proceso puede tardar varios
minutos dependiendo de la capacidad de memoria.
La memoria EPROM, tal como las memorias vistas anteriormente se compone de
arreglo de transistores MOSFET de Canal N de compuerta aislada.

un

Cada transistor tiene una compuerta flotante de SiO 2 (sin conexin elctrica)
que en estado normal se encuentra apagado y almacena un 1 lgico. Durante la
programacin,
al
aplicar una tensin (10 a 25V) la regin de la compuerta queda cargada elctricamente, haciendo que el
transistor se encienda, almacenando de esta forma un 0 lgico. Este dato queda almacenado de forma
permanente, sin necesidad de mantener la tensin en la compuerta ya que la carga elctrica en la
compuerta puede permanecer por un perodo aproximado de 10 aos.
Por otra parte el borrado de la memoria se realiza mediante la exposicin del dispositivo a rayos
ultravioleta durante un tiempo aproximado de 10 a 30 minutos. Este tiempo depende del tipo de
fabricante y para realizar el borrado, el circuito integrado dispone de una ventana de cuarzo
transparente, la cual permite a los rayos ultravioleta llegar hasta el
material fotoconductivo presente en las compuertas aisladas y de esta
forma lograr que la carga se disipe a travs de este material apagando el
transistor, en cuyo caso todas las celdas de memoria quedan en 1 lgico.
Generalmente esta ventana de cuarzo se ubica sobre la superficie del
encapsulado y se cubre con un adhesivo para evitar la entrada de luz
ambiente que pueda borrar la informacin, debido a su componente UV.

3. PROM programmable y borrable electricamente (EEPROM)

UMSS-FCYT
Investigacin- Electrnica Digital II

Ing. Electrnica

La memoria EEPROM es programable y borrable elctricamente y su nombre proviene de la sigla

en ingls Electrical Erasable Programmable Read Only Memory. Actualmente estas memorias se
construyen con transistores de tecnologa MOS (Metal Oxide Slice) y MNOS (Metal Nitride-Oxide
Silicn).
Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdas EPROM y la diferencia bsica se
encuentra en la capa aislante alrededor de cada compuesta flotante, la cual es ms delgada y no es
fotosensible.
La programacin de estas memorias es similar a la programacin de la EPROM, la cual se realiza por
aplicacin de una tensin de 21 Voltios a la compuerta aislada MOSFET de cada transistor, dejando de
esta forma una carga elctrica, que es suficiente para encender los transistores y almacenar la
informacin. Por otro lado, el borrado de la memoria se efecta aplicando tensiones negativas sobre las
compuertas para liberar la carga elctrica almacenada en ellas.
Esta memoria tiene algunas ventajas con respecto a la Memoria EPROM, de las cuales se pueden
enumerar las siguientes:

Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma individual.

Para borrar la informacin no se requiere luz ultravioleta.

Se pueden reescribir aproximadamente unas 1000 veces sin que se observen problemas para
almacenar la informacin.
El tiempo de almacenamiento de la informacin es similar al de las EPROM, es decir aproximadamente
10 aos.
4. Memoria FLASH
Derivada de la memoria EEPROM permite la lectura y escritura de mltiples posiciones de
memoria en la misma operacin. Gracias a ello, la tecnologa flash, siempre mediante impulsos
elctricos, permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnologa EEPROM
primigenia, que slo permita actuar sobre una nica celda de memoria en cada operacin de
programacin. Se trata de la tecnologa empleada en los dispositivos denominados memoria USB.
Las celdas de memoria se encuentran constituidas por un transistor MOS de puerta apilada, el cual se
forma con una puerta de control y una puerta aislada, tal como se indica en la
figura. La
compuerta aislada almacena carga elctrica cuando se aplica una tensin lo
suficientemente alta en la puerta de control. De la misma manera que la
memoria EPROM, cuando hay carga elctrica en la compuerta aislada, se
almacena un 0, de lo contrario se almacena un 1.
Las operaciones bsicas de una memoria Flash son la programacin, la lectura y
borrado.

UMSS-FCYT
Investigacin- Electrnica Digital II

Ing. Electrnica

Como ya se mencion, la programacin se efecta con la aplicacin de una tensin (generalmente de

12V o 12.75 V) a cada una de las compuertas de control, correspondiente a las celdas en las que se
desean almacenar 0s. Para almacenar 1s no es necesario aplicar tensin a las compuertas debido a que
el estado por defecto de las celdas de memoria es 1.
La lectura se efecta aplicando una tensin positiva a la compuerta de control de la
memoria, en cuyo caso el estado lgico almacenado se deduce con base en el
estado del transistor:

Si hay un 1 almacenado, la tensin aplicada ser lo suficiente

encender el transistor y hacer circular corriente del drenador hacia la

Si hay un 0 almacenado, la tensin aplicada no encender el transistor debido a

carga elctrica almacenada en la compuerta aislada.

celda
de
cambio de
para
fuente.
que

la

Para determinar si el dato almacenado en la celda es un 1

un 0, se detecta la corriente circulando por el transistor en el momento
que se aplica la tensin en la compuerta de control.
El borrado consiste en la liberacin de las cargas elctricas almacenadas
las compuertas aisladas de los transistores. Este proceso consiste en la
de una tensin lo suficientemente negativa que desplaza las cargas
en la figura.

en
aplicacin
como se indica

5. Memoria Micro SD
SD proviene de las siglas ("Secure Digital") seguridad digital, debido
que cuenta con un cifrado de seguridad en el Hardware para proteccin
de datos, algo que se utiliza muy poco por el usuario final. Es una
pequea tarjeta de memoria basada en tecnologa flash - NAND arriba
descrita, la cual est diseada para ser colocada como soporte de
memoria en pequeos dispositivos electrnicos modernos tales como
cmaras fotogrficas digitales, reproductores MP4, telfonos
celulares, etc., los cuales cuentan con una ranura especfica para ello.
Es sucesora de la memoria MMC, pero an son compatibles. Es de los
formatos ms utilizados junto con Memory Stick de Sony.
Compite actualmente contra otras tecnologas como tarjetas xD de
Fuji, Compact Flash y Memory Stick de Sony.

6. CD-ROM
Un CD-ROM (siglas del ingls Compact Disc - Read Only Memory) es un prensado disco
compacto que contiene los datos de acceso, pero sin permisos de escritura, un equipo de
almacenamiento y reproduccin de msica, el CD-ROM estndar fue establecido

UMSS-FCYT
Investigacin- Electrnica Digital II

Ing. Electrnica

en 1985 por Sony y Philips. Pertenece a un conjunto de libros de

colores conocido como Rainbow Books que contiene las
especificaciones tcnicas para todos los formatos de discos
compactos.
La Unidad de CD-ROM debe considerarse obligatoria en cualquier
computador que se ensamble o se construya actualmente, porque la
del software se distribuye en CD-ROM. Algunas de estas unidades
leen CD-ROM y graban sobre los discos compactos de una sola
grabada (CD-RW). Estas unidades se llaman quemadores, ya que
funcionan con un lser que "quema" la superficie del disco para grabar
la informacin.

mayora

7. DVD-ROM
Un DVD-ROM o "DVD-Memoria de Solo Lectura" (del ingls DVDRead Only Memory), es un DVD que pertenece al tipo de soportes WORM,
es decir, al igual que un CD-ROM ha sido grabado una nica vez (mtodo de
grabacin por plasmado) y puede ser ledo o reproducido muchas veces.
Es un disco con la capacidad de ser utilizado para leer o reproducir datos o
informacin (audio, imgenes, video, texto, etc), es decir, puede contener
diferentes tipos de contenido como pelculas cinematogrficas, videojuegos,
datos, msica, etc.
Es un disco con capacidad de almacenar 4,7 Gb segn los fabricantes en base decimal, y
aproximadamente 4,377 Gb reales en base binaria o Gb de datos en una cara del disco; un aumento de
ms de 7 veces con respecto a los CD-R y CD-RW.
8. Disco Duro o Disco Rigido
En informtica, un disco duro o disco rgido (en ingls Hard Disk
Drive, HDD) es un dispositivo de almacenamiento de datos no voltil
que emplea un sistema de grabacin magntica para almacenar datos
digitales. Se compone de uno o ms platos o discos rgidos, unidos por
un mismo eje que gira a gran velocidad dentro de una caja metlica
sellada. Sobre cada plato, y en cada una de sus caras, se sita un cabezal
de lectura/escritura que flota sobre una delgada lmina de aire generada
por la rotacin de los discos.
IV. Memorias RAM SEMICONDUTORAS

UMSS-FCYT
Investigacin- Electrnica Digital II

Ing. Electrnica

RAM : Siglas de Random Access Memory, un tipo de memoria a la que se puede acceder de forma
aleatoria; esto es, se puede acceder a cualquier byte de la memoria sin pasar por los bytes precedentes.
RAM es el tipo ms comn de memoria en las computadoras y en otros dispositivos, tales como las
impresoras.
Hay dos tipos bsicos de RAM:

DRAM (Dynamic RAM), RAM dinmica

SRAM (Static RAM), RAM esttica

UMSS-FCYT
Investigacin- Electrnica Digital II

Ing. Electrnica

Los dos tipos difieren en la tecnologa que usan para almacenar los datos. La RAM dinmica necesita
ser refrescada cientos de veces por segundo, mientras que la RAM esttica no necesita ser refrescada
tan frecuentemente, lo que la hace ms rpida, pero tambin ms cara que la RAM dinmica. Ambos
tipos son voltiles, lo que significa que pueden perder su contenido cuando se desconecta la
alimentacin.
En el lenguaje comn, el trmino RAM es sinnimo de memoria principal, la memoria disponible para
programas. En contraste, ROM (Read Only Memory) se refiere a la memoria especial generalmente
usada para almacenar programas que realizan tareas de arranque de la mquina y de diagnsticos. La
mayora de los computadores personales tienen una pequea cantidad de ROM (algunos Kbytes). De
hecho, ambos tipos de memoria ( ROM y RAM )permiten acceso aleatorio. Sin embargo, para ser
precisos, hay que referirse a la memoria RAM como memoria de lectura y escritura, y a la memoria
ROM como memoria de solo lectura.
Se habla de RAM como memoria voltil, mientras que ROM es memoria no-voltil.

10

UMSS-FCYT
Investigacin- Electrnica Digital II

Ing. Electrnica

La mayora de los computadores personales contienen una pequea cantidad de ROM que almacena
programas crticos tales como aquellos que permiten arrancar la mquina (BIOS CMOS). Adems, las
ROMs son usadas de forma generalizada en calculadoras y dispositivos perifricos tales como
impresoras laser, cuyas 'fonts' estan almacenadas en ROMs.
Tipos de memoria RAM
1. VRAM :
Siglas de Vdeo RAM, una memoria de propsito especial usada por los adaptadores de vdeo. A
diferencia de la convencional memoria RAM, la VRAM puede ser accedida por dos diferentes
dispositivos de forma simultnea. Esto permite que un monitor pueda acceder a la VRAM para las
actualizaciones de la pantalla al mismo tiempo que un procesador grfico suministra nuevos datos.
VRAM permite mejores rendimientos grficos aunque es ms cara que la una RAM normal.
2. SIMM :
Siglas de Single In line Memory Module, un tipo de encapsulado consistente en una pequea placa
de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un zcalo SIMM en la placa
madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son ms fciles de instalar que los antiguos chips de
memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar de bits.
El primer formato que se hizo popular en los computadores personales tena 3.5" de largo y usaba
un conector de 32 pins. Un formato ms largo de 4.25", que usa 72 contactos y puede almacenar
hasta 64 megabytes de RAM es actualmente el ms frecuente.
Un PC usa tanto memoria de nueve bits (ocho bits y un bit de paridad, en 9 chips de memoria RAM
dinmica) como memoria de ocho bits sin paridad. En el primer caso los ocho primeros son para
datos y el noveno es para el chequeo de paridad.
3. DIMM :
Siglas de Dual In line Memory Module, un tipo de encapsulado, consistente en una pequea placa
de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un zcalo DIMM en la placa
madre y usa generalmente un conector de 168 contactos.

11

UMSS-FCYT
Investigacin- Electrnica Digital II

Ing. Electrnica

4. RAM Disk :
Se refiere a la RAM que ha sido configurada para simular un disco duro. Se puede acceder a los
ficheros de un RAM disk de la misma forma en la que se acceden a los de un disco duro. Sin
embargo, los RAM disk son aproximadamente miles de veces ms rpidos que los discos duros, y
son particularmente tiles para aplicaciones que precisan de frecuentes accesos a disco.
Dado que estn constituidos por RAM normal. los RAM disk pierden su contenido una vez que la
computadora es apagada. Para usar los RAM Disk se precisa copiar los ficheros desde un disco duro
real al inicio de la sesin y copiarlos de nuevo al disco duro antes de apagar la mquina. Observe
que en el caso de fallo de alimentacin elctrica, se perdern los datos que huviera en el RAM disk.
El sistema operativo DOS permite convertir la memoria extendida en un RAM Disk por medio del
comando VDISK, siglas de Virtual DISK, otro nombre de los RAM Disks.
5. Memoria Cach RAM Cach :
Un cach es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tanto un rea
reservada de la memoria principal como un dispositivo de almacenamiento de alta velocidad
independiente. Hay dos tipos de cach frecuentemente usados en las computadoras personales:
memoria cach y cach de disco. Una memoria cach, llamada tambien a veces almacenamiento
cach RAM cach, es una parte de memoria RAM esttica de alta velocidad (SRAM) ms que la
lenta y barata RAM dinmica (DRAM) usada como memoria principal. La memoria cach es
efectiva dado que los programas acceden una y otra vez a los mismos datos o instrucciones.
Guardando esta informacin en SRAM, la computadora evita acceder a la lenta DRAM.
Cuando un dato es encontrado en el cach, se dice que se ha producido un impacto (hit), siendo un
cach juzgado por su tasa de impactos (hit rate). Los sistemas de memoria cach usan una
tecnologa conocida por cach inteligente en el cual el sistema puede reconocer cierto tipo de datos
usados frecuentemente. Las estrategias para determinar qu informacin debe de ser puesta en el
cach constituyen uno de los problemas ms interesantes en la ciencia de las computadoras. Algunas
12

UMSS-FCYT
Investigacin- Electrnica Digital II

Ing. Electrnica

memorias cach estn construidas en la arquitectura de los microprocesadores. Por ejemplo, el

procesador Pentium II tiene una cach L2 de 512 Kbytes.
El cach de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria cach, pero en lugar de usar
SRAM de alta velocidad, usa la convencional memoria principal. Los datos ms recientes del disco
duro a los que se ha accedido (as como los sectores adyacentes) se almacenan en un buffer de
memoria. Cuando el programa necesita acceder a datos del disco, lo primero que comprueba es la
cach del disco para ver si los datos ya estn ah. La cach de disco puede mejorar drsticamente el
rendimiento de las aplicaciones, dado que acceder a un byte de datos en RAM puede ser miles de
veces ms rpido que acceder a un byte del disco duro.
6. SRAM
Siglas de Static Random Access Memory, es un tipo de memoria que es ms rpida y fiable que la
ms comn DRAM (Dynamic RAM). El trmino esttica viene derivado del hecho que necesita ser
refrescada menos veces que la RAM dinmica.
Los chips de RAM esttica tienen tiempos de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos, mientras
que las RAM dinmicas estn por encima de 30, y las memorias bipolares y ECL se encuentran por
debajo de 10 nanosegundos.
Un bit de RAM esttica se construye con un --- como circuito flip-flop que permite que la corriente
fluya de un lado a otro basndose en cul de los dos transistores es activado. Las RAM estticas no
precisan de circuiteria de refresco como sucede con las RAMs dinmicas, pero precisan ms espacio
y usan ms energa. La SRAM, debido a su alta velocidad, es usada como memoria cach.
7. DRAM
Siglas de Dynamic RAM, un tipo de memoria de gran capacidad pero que precisa ser
constantemente refrescada (re-energizada) o perdera su contenido. Generalmente usa un transistor y
un condensador para representar un bit Los condensadores debe de ser energizados cientos de veces
por segundo para mantener las cargas. A diferencia de los chips firmware (ROMs, PROMs, etc.) las
dos principales variaciones de RAM (dinmica y esttica) pierden su contenido cuando se
desconectan de la alimentacin. Contrasta con la RAM esttica.
Algunas veces en los anuncios de memorias, la RAM dinmica se indica errneamente como un tipo
de encapsulado; por ejemplo "se venden DRAMs, SIMMs y SIPs", cuando deberia decirse "DIPs,
SIMMs y SIPs" los tres tipos de encapsulado tpicos para almacenar chips de RAM dinmica.
Tambien algunas veces el trmino RAM (Random Access Memory) es utilizado para referirse a la
DRAM y distinguirla de la RAM esttica (SRAM) que es ms rpida y ms estable que la RAM
dinmica, pero que requiere ms energa y es ms cara
13

UMSS-FCYT
Investigacin- Electrnica Digital II

Ing. Electrnica

8. SDRAM
Siglas de Synchronous DRAM, DRAM sncrona, un tipo de memoria RAM dinmica que es casi un
20% ms rpida que la RAM EDO. SDRAM entrelaza dos o ms matrices de memoria interna de tal
forma que mientras que se est accediendo a una matriz, la siguiente se est preparando para el
acceso. SDRAM-II es tecnologa SDRAM ms rpida esperada para 1998. Tambin conocido como
DDR DRAM o DDR SDRAM (Double Data Rate DRAM o SDRAM), permite leer y escribir datos
a dos veces la velocidad bs.

9. FPM
Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseo ms comn de chips de RAM
dinmica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna.
Antes del modo paginado, era ledo pulsando la fila y la columna de las lneas seleccionadas. Con el
modo pgina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila,
dando como resultado un rpido acceso. La memoria en modo paginado tambin es llamada
memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El trmino "fast" fu
aadido cuando los ms nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds e incluso ms.
10. EDO
Siglas de Extended Data Output, un tipo de chip de RAM dinmica que mejora el rendimiento del
modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto de Fast Page, puede ser
substituida por chips de modo Fast Page.
Sin embargo, si el controlador de memoria no est diseado para los ms rpidos chips EDO, el
rendimiento ser el mismo que en el modo Fast Page.
EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el
prximo ciclo.
BEDO (Burst EDO) es un tipo ms rpido de EDO que mejora la velocidad usando un contador de
direccin para las siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que solapa las operaciones.
11. PB SRAM
Siglas de Pipeline Burst SRAM. Se llama 'pipeline' a una categora de tcnicas que proporcionan un
proceso simultneo, o en paralelo dentro de la computadora, y se refiere a las operaciones de
solapamiento moviendo datos o instrucciones en una 'tuberia' conceptual con todas las fases del
'pipe' procesando simultneamente. Por ejemplo, mientras una instruccin se est ejecutndo, la
14

UMSS-FCYT
Investigacin- Electrnica Digital II

Ing. Electrnica

computadora est decodificando la siguiente instruccin. En procesadores vectoriales, pueden

procesarse simultneamente varios pasos de operaciones de coma flotante
La PB SRAM trabaja de esta forma y se mueve en velocidades de entre 4 y 8 nanosegundos.
12. DDRSDRAM
La SDRAM de doble velocidad de transferencia de datos ofrece una mejora en comparacin con la
SDRAM. Para poder agilizar la operacin de la SDRAM mientras se opera con base en un reloj de
sistema sncrono, esta tecnologa transfiere datos en los flancos positivo y negativo del reloj del
sistema, duplicando con efectividad la velocidad potencial de la transferencia de datos.
13. SLDRAM
La DRAM de enlace sncrono es una mejora evolutiva en comparacin con la DDRSRAM. Puede
operar a velocidades de bus de hasta 200 MHz y aplica pulsos de reloj a los datos en forma sncrona,
en los flancos positivo y negativo del reloj del sistema. Un consorcio de varios fabricantes de
DRAM lo est desarrollando como un estndar abierto. Si se desarrollan conjuntos de chips que
puedan aprovechar estos dispositivos de memoria y suficientes diseadores de sistemas adoptan esta
tecnologa, es muy probable que se convierta en una forma muy utilizada de DRAM.
14. DRDRAM
La DRAM Rambus directa es un dispositivo propietario, fabricado y comercializado por Rambus,
Inc. Utiliza un nuevo enfoque revolucionario de la arquitectura del sistema de DRAM, con un
control ms intenso, integrado en el dispositivo de memoria. Esta tecnologa an se encuentra
luchando con los dems estndares para encontrar su nicho en el mercado.

Fuentes:
-Tocci Ronald J.: Sistemas Digitales Principios y Aplicaciones Prentice Hall. Cap12- Dispositivos de Memoria pg.785.
-Thomas L.Floyd.: Fundamentos de Sistemas Digitales 2000 Prentice Hall. Cap12- Memorias pg.737.
-Pgina de Internet , SEI (SEI Management B.V.), 1998, www.SEI.org

V. Conclusiones

La investigacin dio como resultado que el campo de los dispositivos de memoria va

creciendo y cambiando dinmicamente.

Uno de los dispositivos de memoria ms populares en la actualidad son las memorias

Flash, que son la base otras memorias como la MicroSD.
15

UMSS-FCYT
Investigacin- Electrnica Digital II

Ing. Electrnica

Es importante conocer el origen de los dispositivos de memoria a partir de la memoria

ROM puesto que esta sienta las bases para la comprensin de las memorias
evolucionadas y las que se vienen en el futuro.

AVFB.-

16