Corporacin Universitaria del Meta, Electrnica II.

Laboratorio - Amplificador bjt 2n2222

Laboratorio Amplificador bjt 2n2222 / Con valores dados en clase

Ramrez Salazar Diego Armando
Perdomo Castillo Kevin Dhilley
Clavijo Pardo Jorge Isaac
Corporacin Universitaria del Meta (UNIMETA)
microamperios al orden de miliamperios.
Abstract This practice is intended to observe the
behavior of the bipolar transistor BJT as an amplifier,
designing and implementing two basic mono-phase
amplifiers (emitter and common collector), also observe their
coupling in multistage considering the conditions of smallsignal operation. Analyzes will be carried out in DC and AC
defining its operating point Q.
Index Terms Amplification, Common Collector, Common
Emitter, Small Signal, Operating Point, Transistor.

Si la intensidad de base rebasa el punto de saturacin la

intensidad de colector no puede seguirla y la seal de salida se
ve recortada. Si la intensidad de base se anula tambin lo hace
la de colector, recortando la seal de salida por el otro
extremo. Es importante pues, que la polarizacin determine el
punto de trabajo en la zona media de la recta de carga para
evitar as recortes en la seal de salida. Aun as, la amplitud
mxima de la seal de entrada quedar limitada por los puntos
de corte y saturacin, si no queremos recortes en la salida

I. INTRODUCCIN
El transistor es un nuevo componente utilizado en las prcticas
de electrnica. Este es un dispositivo semiconductor de tres
terminales y que se utiliza para una variedad de funciones de
control en los circuitos electrnicos.
Entre alguna de las funciones podemos incluir la
amplificacin, oscilacin, conmutacin y la conversin de
frecuencias. En el reporte siguiente podremos ver los
elementos de un transistor, las ventajas de la utilizacin de los
transistores electrnicos, los tipos de transistores, como
realizar un test en un transistor, aplicaciones de los transistores
y sus encapsulados o materiales que estn compuestos.

III. MATERIALES:
1 Multmetro.
1 Protoboard.
4 Resistores
1 Transistor bjt 2n2222
3 Capacitores tipo lenteja Ref. 104
1 Fuente de alimentacin.
2 Cables con puntas en caimn.
1 Osciloscopio
1 Generador de seales

IV. ANLISIS EXPERIMENTAL

II. MARCO TEORICO
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que
cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. Para ser utilizado como amplificador, el punto de
trabajo debe situarse aproximadamente en el centro de la recta
de carga debido a que si se desplaza a la zona de saturacin la
intensidad de colector se hace mxima y deja de responder a
los incrementos de intensidad de base y si se desplaza a la
zona de corte la intensidad de colector se hace cero y el
transistor no conduce. Entre el corte y la saturacin, el
transistor funciona como amplificador, ya que, a cada
intensidad de base (del orden de microamperios) corresponde
una intensidad de colector amplificada (del orden de
miliamperios). Si en la entrada del circuito provocamos
mediante una seal exterior un aumento de intensidad de base,
se produce un aumento de intensidad de colector y lo mismo si
disminuye. Las seales aplicadas a la base se ven as reflejadas
en el colector, pero amplificadas desde el orden de

Utilizados los elementos mencionados anteriormente:

1. Realice el montaje del circuito con los valores dados
en clase
2. Realice la medicin en el osciloscopio de la seal de
entrada vs la seal de salida.
V. PROCEDIMIENTO
Realice el montaje en protoboard del circuito con los
siguientes valores:
R1: 470K
R2: 47K
RC: 24k
RE: 1K
: 229
Vcc: 10V

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Vin: 50mv / 100mvpp

Frecuencia: 1khz

VI. ANALISIS Y CONCLUSIONES

Al momento de realizar el montaje se debe tener en cuenta que
el generador de onda nos permite variar la frecuencia y la
amplitud del voltaje para alimentar la entrada, pero el
osciloscopio no permite visualizar voltajes elevados de forma
correcta adems el dispositivo se satura fcil, por lo que el
generador de onda se manipula para una entrada de 0.100V.
Se puede establecer que la seal de entrada vs la seal de
salida se encuentra desfasadas 120 una de la otra.
En referencia al informe anterior que es muy similar a este, a
diferencia que este se realiz con valores de resistencias dadas
por nuestro profesor Alben Melo Vega, tenemos una seal de
salida bien amplificada con respecto a la seal de entrada.
La seal de salida queda en 2.3Vp teniendo conectada la
resistencia de carga.

Una vez montado el circuito realice las mediciones con el

osciloscopio de la seal de voltaje de entrada vs seal de
voltaje de salida:

En general logramos amplificar la seal teniendo una ganancia

de voltaje de 23.

VII. REFERENCIAS
http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=2n2222%
20datasheet
http://unicrom.com/transistor-bipolar-o-bjt-npn-pnp
http://www.monografias.com/trabajos100/transistores-bjt-yaplicaciones/transistores-bjt-y-aplicaciones.shtml

Resultados:
Vin: 100mVp
Vout: 2,3Vp