PROBLEMAS DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

Problema 1:
Determinar los puntos de funcionamiento de los dispositivos semiconductores de los siguientes circuitos:
+12V
+12V
+12V
2K

3K
1K
100

3K

6V

=100

=100
33K

3K

2K

=100

15V

=100
6V

5V

100

(b)

(a)

(c)

(d)

Problema 2:
Determinar el punto de funcionamiento del transistor MOSFET del siguiente circuito:
+15V

10K

1K
D

ID(mA)
UGS(V)
15

30
G
S

20

10

10

10V
UDS(V)

Problema 3:
Se desea utilizar una salida de un sistema digital para gobernar un rel. Se ha dispuesto para ello del circuito
de adaptacin que se muestra en la figura. Determinar los valores de R1 y R2 que aseguran que ambos
transistores trabajan siempre en corte o saturacin sabiendo que Q1 y Q2 presentan una tensin de codo baseemisor de 0,6V y que la salida digital puede tomar cualquier tensin entre 0 y 0,4V para el 0 lgico y entre
3,8 y 5V para el 1 lgico.
+15V
Q2

2=100

R2
SMA.
DIGITAL

REL
50mA/15V

R1

1=100
Q1

Problema 4:
En el circuito de la figura el interruptor se encuentra inicialmente cerrado. Determinar de forma razonada la
evolucin de la tensin en el condensador a partir del instante de apertura del interruptor S.

S
10k

100

1F

=100

10V

VZ=8V

Problema 5:
El circuito de la figura corresponde a un cargador de bateras, se pide:
- Determinar la evolucin en el tiempo de la tensin y la corriente por la inductancia.
- Determinar la evolucin de la corriente de carga y el valor medio de la misma.
- Calcular RB de forma que el transistor trabaje en conmutacin.
Datos: el transistor trabaja en conmutacin, la corriente inicial por la bobina es nula,
L=100H, VCC=80V y VBAT=160V.
IL

BATERIA

VE

VBAT

10V

VCC
RB

=50

+
VE

10

20

30

Problema 6:
Para el circuito de la figura determinar:
1. Evolucin de UC1 e ib.
2. Evolucin de UC2 y UCE.
Nota: todos los dispositivos son ideales y C1 y C2 se encuentran inicialmente descargados.
+Ucc=15V

R=1K
Ig=100A
UC2
C2=20
C1=200n
ib
UC1
Vz=5V

=100

40 t(s)

Problema 7:
Para el circuito de la figura y considerando todos los componentes ideales determinar de forma razonada la
evolucin de la tensin en el condensador UC y en el MOSFET UDS. La bobina y el condensador se
encuentran inicialmente descargados.
UC

5 F
ID
(mA)

20
=200

10V
UD S

UG S

200

10

100

5
2V

20k
10mH

UD S

Problema 1

a
+12V

2K

+12V

+12V

2K

3K

6V

3K

2K//3K

2K

2K//3K

6V

b=100

3K

Suponiendo que el
transistor se encuentra
en saturacin:

2K

6V

3K

6V

El reparto de corrientes por el circuito resulta por tanto::

+12V

2K

6V

3mA

1mA

2mA

En resumen:
iB = 1mA
iC = 2mA
iE = 3mA
Se cumple: iC < biB

3K

2mA
3mA

6V

3K

2K

b
Unin B-E polarizada
en inversa.
Transistor en corte

3K
33K

5V

b=100

3K
33K

15V
5V

15V
uCE = 15V

uBE = -5V

c
+12V

+12V

Suponiendo que el
Zener se encuentra en
zona Zener:

1K

b=100

iE =

6V

1K

b=100

iR1

uCE = 6V

iZ

6V

iB

6V

100

El transistor tiene tensin

uCE = 6V, est en zona activa.

100

6V

iB =

6
= 60mA
100

iE
= 594 mA
b +1

i Z = i R1 - i B = 5,4mA > 0
Hiptesis correcta

iE

iC = 59,4mA

d
+12V

+12V

iE = 60 mA
100
6V
b=100

Suponiendo que
el Zener conduce:

100

6V

6V

b=100

6V

iE = 60 mA

El transistor tiene tensin

uCE = 6V, est en zona activa.

iB =

iE
= 594 mA
b +1

Se tiene entonces:
iB = iZ =594mA
iC = 59,4mA
iE = 60mA

Problema 2
+15V

10K

1K

ID(mA)
UGS(V)
15

30

D
G

20

10

10

10V

UDS(V)

Teniendo en cuenta que la impedancia de entrada del MOSFET es idealmente infinita la corriente iG es nula y el
Zener se encuentra en conduccin:
+15V

10K

Conociendo la tensin uGS se determina la curva

de la caracterstica uDS - iD del MOSFET sobre la
que se encuentra el punto de funcionamiento:

1K

5V

ID(mA)

30

G
S
10V

UGS(V)
15

uGS=10

20

10

10

5
5

UDS(V)

Suponiendo funcionamiento en zona de fuente de corriente se tiene:

+15V

uDS = 15 - 20 10 -3 10 3 = -5 < 5 V
10K

No trabaja en zona de fuente de corriente.

1K

D
20mA

10V

uGS=10

Suponiendo funcionamiento en zona resistiva se tiene:

+15V

10K

La tensin uDS se calcula mediante:

1K

uDS = 15

D
-3

rDS=5/2010 = 250W
10V

uGS=10

250
= 3 < 5V
250 + 1000

Problema 3
+15V
Q2

Con nivel lgico alto ambos

transistores debern de estar en
saturacin. Con nivel bajo ambos
estarn en corte.

b2=100

R2
SMA.
DIGITAL

REL
50mA/15V

R1

b1=100
Q1

Funcionamiento a nivel bajo:

Q1

R1
00,4

Observando el transistor Q1 vemos que la

tensin de entrada es insuficiente para hacerlo
conducir.

b1=100
uBE=0,6

Con el transistor Q1 en corte, Q2 no tiene corriente de base por lo que tambin se encuentra en corte.
Funcionamiento a nivel alto:
+15V
Para que Q2 est saturado se debe cumplir:

uBE=0,6
b2=100
iB2

iC < b i B

iB =

iC2=50mA

R2

R2 < b 2
uCE1=0

15 - uBE
R2

15 - uBE
= 28,8k
iC 2

Tomamos: R2 = 27k

Para conseguir que el transistor Q1 se encuentre tambin en saturacin:

R1
3,85

Q1

iB2

iC < b i B

b1=100
uBE=0,6

iB2 =

La situacin ms desfavorable se tiene

para la tensin de entrada de 3,8V

15 - 0,6
= 533 mA
27 10 3

R1 < b 1

3,8 - 0,6
= 600k
iB2

Tomamos: R1 = 560k

Problema 4
Este circuito corresponde a la situacin inicial antes
de la apertura de S.

S
100W

10k

10V

1 mF

b=100

El condensador se encuentra conectado a la fuente

de 10V, por lo que sta es la tensin inicial a
considerar.

VZ=8V

Una vez abierto el interruptor el circuito resultante se puede representar como:

100W
10k

b=100

10V

La corriente de base es de 10/10000 = 1mA

1 mF

Siendo la tensin inicial en el condensador superior a

los 8V que soporta el Zener ste estar inicialmente en
conduccin.

VZ=8V

Por otra parte, al ser la tensin colector emisor mayor que cero, el transistor se encuentra inicialmente en zona
activa, por lo que el circuito equivalente inicial visto por el condensador es:
100W

100W

biB
100mA

1 mF

uC

8V

-2V

1 mF

uC
Thevenin

Con este circuito equivalente la evolucin de la tensin en el condensador se obtiene mediante la expresin:
-t

uC

uC (t ) = uC (t )+ [uC (t = 0 )- uC (t )] e R C

10

-t

uC (t ) = -2 + 12 e 10010

-6

-2

Para que este circuito equivalente sea vlido es necesario que se cumplan las siguientes condiciones:
- La tensin colector-emisor debe ser mayor que cero para que el transistor se mantenga en zona activa.
- Debe circular corriente inversa por el Zener. Para que esto se cumpla la tensin uC debe ser mayor de 8V.
Obviamente, es esta segunda condicin la que se dejar de cumplir en primer lugar:

t a = -100 10 -6 Ln

10
= 18,2ms
12

Para t > 18,2ms el Zener deja de conducir y el circuito equivalente de descarga del condensador pasa a ser:
Tomando t = t -18,2ms se tiene:
biB
100mA

uC

1 mF

t'

1
iC dt = 8 - 100 10 3 t '
C 0

uC (t ') = uC (t ' = 0 )+

uC

En este punto el transistor

se sale de zona activa

10
8

8 - 10

010 3
t

t=0

Cuando la tensin en el condensador se anula, el transistor sale de zona activa y entra en zona de saturacin.
El tiempo que tarda se calcula:

t 'b =

8
= 80 ms
100 10 3

uC

Equivalente final

10
8

uC

18,2

98,2

t (ms)

1 mF

Problema 5
IL

BATERIA

El transistor va a trabajar en conmutacin, es decir

alternando entre corte y saturacin.

VBAT

La tensin VE toma dos valores: 0 y 10V.

Durante los intervalos en que VE es de 0V el
transistor permanecer en corte. Cuando VE sea de
10V el valor de RB deber ser tal que asegure el
funcionamiento en saturacin.

VCC
RB

b=50

+
VE

Durante los 10 primeros microsegundos VE es de 10V, por lo que el transistor estar saturado:
iL

La carga de la bobina se produce a tensin fija:

VBAT
uL=VCC

VCC

L
VCC+VBAT

80V

VCC = L

di L (t )
dt

i L (t ) = i L (t = 0 )+

uCE = 0

1
VCC dt = 800 10 3 t
L 0

Representando grficamente esta evolucin:

iL

Pasados 10ms la corriente de base desaparece y el transistor pasa a

zona de corte, por lo que el circuito equivalente se convierte en:

8A

10ms
iL

VBAT
uL=-VBAT

160V

VCC

En el instante en que se produce el corte del transistor la corriente

por la bobina es de 8A. Esta corriente no puede interrumpirse de
forma brusca, por lo que hace entrar al diodo en conduccin.

80V

iL

VCC+VBAT

Por comodidad cambiamos la base de tiempos a: t = t -10 ms

- VBAT

di (t ')
=L L
dt '

t'

1
i L (t ') = i L (t ' = 0 )+ - VBAT dt ' = 8 - 1,6 10 6 t '
L0

Representando la evolucin de iL obtenida hasta el momento:

iL
6

8-1,610 t

8A

t = 0

Durante esta fase, la corriente de la bobina tambin circula a travs

del diodo, por lo que no puede hacerse negativa.
El circuito equivalente cambiar cuando la corriente se anule
(o bien cuando t = 10 ms y comience un nuevo periodo de VE).
El tiempo que tarda en anularse la corriente es:

ta

Por lo que al pasar 5ms el circuito equivalente pasa a ser:

t 'a =

8
= 5 ms
1,6 10 6

Una vez anulada la corriente por la bobina, la tensin uL tambin

se hace cero.

iL= 0
VBAT
uL= 0

VCC

uL = L

VBAT

di L
=0
dt

VCC

La evolucin en el tiempo de la corriente y la tensin por la bobina son por tanto:

iL
8A

10

uL

15

t (ms)

20

80
15
10

t (ms)

20

-160
La corriente por la batera es la misma que atraviesa el diodo:

iBAT
El valor medio de esta seal se calcula:
8A

iBAT
10

15

20

t (ms)

1
1
5 10 -6 8
= i BAT (t ) dt =

= 1A
T 0
20 10 -6
2

El clculo de la resistencia de base necesaria para que el transistor trabaje en conmutacin se hace sabiendo
que la corriente mxima de colector es de 8A.

iC
8A

biB
iB =

iC< biB
uCE

VE
RB

RB <

VE b 10 50
=
= 62,5W
iC
8

Problema 6
UCC =15V

1k
100mA
20mF
200n

Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo con uBE =0.
Por otra parte, al estar el condensador de 200n inicialmente descargado el
Zener no conduce para t = 0.

b=100
5V

El equivalente de carga inicial del condensador C1 corresponde por tanto al siguiente circuito:
La evolucin de la tensin uC1 en este circuito viene determinada por la
expresin.

100mA

1
uC1 (t ) = uC1 (0 )+
i b dt =500 t
C1 0

200n

uC1

ib

Cuando la tensin en el condensador alcanza 5V entra a conducir el Zener.

Esto ocurre en el instante: ta = 10ms.

Para t > 10ms el circuito equivalente visto por C1 pasa a ser:

100mA
200n i =0
b
100mA

Al entrar el Zener en conduccin la tensin uC1 queda fijada en 5V por lo que la

corriente ib se anula:

uC1

5V

i b = C1

duC1
=0
dt

La evolucin de la corriente de base ib y de la tensin uC1 corresponden a:

ib

uC1

100mA

5V

10ms

10ms

Una vez conocida la forma de onda de la corriente de base se puede determinar la evolucin de la tensin del
condensador C2.

UCC =15V

En el instante inicial la corriente de base es de 100mA. El transistor puede

por tanto encontrarse en saturacin o en zona activa.
Suponiendo que se encuentra inicialmente en zona activa:

1k
100mA

uC2

20mF

200n

ib

b=100

uCE = 15 - 10 3 10 10 -3 - uC 2

i c = b i b = 10 mA

uCE (t = 0 ) = 15 - 10 3 10 10 -3 = 5 > 0
Hiptesis correcta.

5V

El circuito equivalente inicial de carga del condensador C2 resulta por tanto:

UCC =15V

La evolucin de la tensin uC2 para este circuito se calcula mediante la siguiente

expresin:
t

1
uC (t ) = uC (t = 0 )+
iC dt = 500 t
C 2 0

1k

uC2

20mF

La tensin colector - emisor en el transistor se puede determinar a partir de la

expresin anterior:

uCE (t ) = 15 - 10 - uC (t ) = 5 - 500 t

uCE

10mA

Este circuito equivalente dejar de ser vlido si el transistor alcanza la zona de

saturacin o si la corriente de base cambia. Verificamos cul de estos dos cambios
sucede primero.

El tiempo que tardara el transistor en alcanzar la zona de saturacin se calcula mediante:

0 = 5 - 500 t a

t a = 10 ms

Que coincide exactamente con el tiempo en el que la corriente de base se anula, por lo que ambos cambios se
producen de forma simultnea y el equivalente para t>10 ms resulta:
UCC =15V

1k

uC2

20mF

Cuando la corriente de base se interrumpe el transistor entra en corte y el

condensador C2 deja de cargarse..

uC2
5V

uCE

uCE

10ms

10ms

10V

5V

Problema 7
Por la puerta del transistor MOSFET no circula corriente, por lo que el funcionamiento del transistor bipolar se
puede analizar de forma independiente del resto del circuito.
De este modo, la corriente de base resulta:

iE

iB =

b=200

10V

10
= 500 m A
20000

La corriente inicial por la bobina es nula, por lo que el estado

inicial del transistor bipolar es saturacin.

iB
iC
20k
iC

t=0

10mH

uCE

El circuito equivalente que determina la evolucin de la corriente por la bobina en los primeros instantes es por
tanto:.
Este equivalente da lugar a una evolucin lineal de la corriente por la bobina:

iE
10V

uL = L

iB
20k

i L (t ) = i L (0 )+

1
uL dt = 1000 t
L 0

Durante el intervalo en que es vlido este circuito equivalente, la tensin UGS

del MOSFET es: UGS=UL=10V

uL
iC

di L
dt

10mH

Este circuito equivalente deja de ser vlido cuando el transistor sale de saturacin:.

iC < b i B

t < 100 ms

1000 t < 200 500 10 -6

Para t > 100 ms.el transistor bipolar entra en zona activa y el equivalente visto por la bobina pasa a ser:
iE
Al quedar fijada la corriente por la bobina la tensin UL se anula:
uCE

100mA

10V

uL = L

iB
20k

uL

di L
dt

uL = 0

Para este equivalente la tensin UCE queda fijada en 10V, por lo que el
transistor permanece en zona activa de forma indefinida.

iL=iC
La forma de onda de la tensin de puerta del MOSFET resulta por tanto:

uGS
10V

100ms

Partiendo de este dato se determina la evolucin del estado del transistor MOSFET. El circuito equivalente visto
por el condensador es el siguiente:

5 mF

uC
20W

Para t < 100ms la tensin UGS es de 10V. Durante este intervalo, la

relacin entre iD y UDS est marcada por la curva siguiente:
10V

iD

iD

200mA

uGS

uDS

2V

Suponiendo, por ejemplo, que el MOSFET se encuentra inicialmente en zona de fuente de corriente se tiene:

U DS = 10 - UC - 20 i D

5 mF

uC

U DS (t = 0 ) = 10 - 20 200 10 -3 = 4V

20W

10V
iD

Inicialmente la tensin UDS es mayor que 2 por lo que la suposicin de

funcionamiento como fuente de corriente para t=0 es vlida.:

uDS

200mA

Para este circuito equivalente la tensin en el condensador y en el MOSFET se calculan:

t
duC
1
uC (t ) = uC (t = 0 )+ i D dt = 40000 t
dt
C0
uDS (t ) = 6 - 40000 t

iD = C

Hay dos motivos que pueden hacer que el circuito equivalente de carga del condensador cambie:
1.- El MOSFET entra en zona resistiva
2.- Pasan 100 ms y la tensin uGS deja de ser 10V
Es necesario verificar cul de los cambios se produce primero.

2 = 6 - 40000 t a

t a = 100 ms

Ambos cambios se producen simultneamente. El circuito equivalente final es por tanto:

5 mF

uC

Al tomar uGS el valor 0 la corriente de carga del condensador se anula y

ste mantiene su tensin.

20W

10V
iD

uDS
Las evoluciones de uDS y uC desde el instante t = 0 son por tanto:

uC

uDS
6V

4V
2V

100ms

100ms