Fundacin Universitaria de San Gil - UNISANGIL. Gualdron, Pinto.

Laboratorio 6

Laboratorio #6

Gualdron, Zanndy Brayant. Pinto, Juan Carlos.

ZanndyGualdron@unisangil.edu.co
JuanPinto@unisangil.edu.co
Fundacin Universitaria de San Gil - UNISANGIL

ResumenEn este laboratorio se realiza el diseo,

simulacin y montaje de dos circuitos con transistores de
efecto de campo metal-xido-semiconductor (MOSFET), uno
con tipo N y el otro con tipo P, con el objetivo de polarizar los
dos tipos de transistor en saturacin y obtener una determinada
corriente en el circuito.
Palabras claveMOSFET, Saturacin, corriente de
drenador.

Abstract In this laboratory is performed design,

simulation and assembly of two circuits with metal-oxidesemiconductor field effect transistor (MOSFET), one type N
and the other P type, in order to polarize the two types of
transistor in saturation and obtain a given current in the circuit.
Keywords MOSFET, Saturation, Drain current.
I. INTRODUCCIN
Los MOSFET, o simplemente MOS (Metal-Oxide
Semiconductor, Field Effect Transistor) son muy
parecidos a los FET. La diferencia entre estos
estriba en que, en los MOS, la puerta est aislada
del canal, consiguindose de esta forma que la
corriente de dicho terminal sea muy pequea,
prcticamente despreciable. Debido a este hecho,
la resistencia de entrada de este tipo de
transistores es elevadsima, del orden de 10.000
MW, lo que les convierte en componentes
ideales para amplificar seales muy dbiles.
Existen dos tipos de MOSFET en funcin de
su estructura interna: los de empobrecimiento y
los de enriquecimiento. Los primeros tienen un
gran campo de aplicacin como amplificadores
de seales dbiles en altas frecuencias o radiofrecuencia (RF), debido a su baja capacidad de
entrada. Los segundos tienen una mayor aplicacin
en circuitos digitales
y sobre todo en la
construccin de circuitos integrados, debido a su
pequeo consumo y al reducido espacio que
ocupan.
II. MARCO TEORICO
Los transistores de efecto de campo o FET se
denominan as porque durante su funcionamiento la
seal de entrada crea un campo elctrico que

controla el paso de la corriente a travs del

dispositivo. Estos transistores
tambin
se
denomina unipolares para distinguirlos de los
transistores bipolares de unin y para destacar el
hecho de que solo un tipo de portadores
electrones
o
huecos-intervienen
en
su
funcionamiento. Los
transistores
MOSFET
(metal-oxido-semiconductor), son aquellos en los
que el control de la corriente a travs del
semiconductor se realiza mediante un contacto
deparado del semiconductor por
una
capa
aislante (normalmente, xido de silicio). Este
tipo
de
transistores
se
utiliza
preferentemente en la electrnica digital. [1]
III. PROCEDIMIENTO
A. circuito 1
El circuito uno, como se observa en la figura 1,
est conformado por un MOSFET tipo n con una
resistencia RD entre Vcc (12v) y el drenador, en la
puerta encontramos un divisor de voltaje
conformado por RG1 y RG2, finalmente una
resistencia de 1K se conect entre el surtidor y la
referencia a tierra. Para este circuito se deban
calcular los valores de RG y RD de modo tal que el
transistor se encontrara siempre en el estado de
saturacin y que la corriente que circulaba a travs

Figura 1. Circuito implementado en la primera parte del

procedimiento.

de RD fuera igual a 350A.

1) Clculos
Como primer paso se procedi a calcular el valor
de la resistencia RD, a sabiendas de que la corriente
que circula por la misma de 350A, se procede a

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calcular el voltaje de polarizacin.

1
W
i DS= KN ' ( )( V GSV TH )2
2
L

de determinar el voltaje a requerir en la resistencia

R_D y con la ley de ohm hallar el valor de la
resistencia a emplear
12+ R D I D +1.854 +1 k I D=0

1
0.35= (0.769)(V GS0.9)2
2

12+0.35 R D +1.854+0.35=0

0 .35=0.3845 (V GS 1.8 V GS +0.81)

0.35=0.3845V GS2 0.69225 V GS+ 0.31151
0=0.3845V GS 20.69225 V GS+ 0.03848
V GS=1.854 [V ]
V DS =1.854 [V ]

0.35 RD =9.796
R D=28 k
2) Simulacin
Una vez definidos todos los valores de los
componentes del circuito, se realiz la simulacin
del mismo en el software Ngspice, las cuales
arrojaron los resultados mostrados a continuacin.
B.

Conociendo ya estos valores, se realiz el clculo

de los valores de RG1 y RG2, primero calculando la
relacin de las resistencias del divisor de voltaje y
por ltimo.
12 R G1
1.854=
RG 1+ R G 2
1.854 RG 1 +1.854 RG 2 =12 RG 1

Figura 2. Valores arrojados por la simulacin de voltaje en

los diferentes nodos del circuito.

1.854 RG 2=10.146 RG 1
5.4725=

RG 2
RG 1

Asumiendo un valor de

RG 1

de 330 se hall

RG 2 .
(5.4725)(330)=R G 2
RG 2=1806
Al conocer el valor de la resistencia en el surtidor
que es de 1k y la corriente, realizamos la malla a fin

Circuito 2
Para este segundo circuito se implement un
MOSFET tipo P (CD4007) con una resistencia RD
entre referencia tierra y el drenador, en la puerta
encontramos un divisor de voltaje conformado por
RG1 y RG2, una resistencia de 2K se conect
entre el surtidor y la referencia de voltaje (12v), por
ltimo el cuerpo del transistor se conect a una
fuente de voltaje de 12 voltios. Para este circuito se
deban calcular los valores de RG y R D de modo tal
que el transistor se encontrara siempre en el estado
de saturacin y que la corriente que circulaba a
travs de RD fuera igual a 700A, tal como se
muestra en la figura 3.

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Figura 2. Circuito implementado en la segunda parte del

procedimiento.
1) Clculos
Como primer paso se procedi a calcular el valor
de la resistencia RD, a sabiendas de que la corriente
que circula por la misma de 700A, se procede a
calcular el voltaje de polarizacin.

1
W
i SD= KN ' ( )(V SGV TH )2
2
L
1
0.7= (0.69984)(V GS 0.9)2
2
2

0.7=0.34992(V GS 1.8 V GS +0.81)

0.7=0.34992V GS2 0.65253 V GS+ 0.60842
0=0.38992V GS20.65253V GS 0.09158
V SG =1.712[V ]
V SD =1.712[V ]
Usando ley de ohm para calcular el valor de
RD

V R + 3.11212=0
V R =8.888 [ V ]

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R D=

8.888[V ]
=12.7 k
0.7[mA ]

RG 2=1 k

Al igual que en el circuito de la parte

inmediatamente anterior de esta prctica, se realiz
el clculo de los valores de RG1 y RG2, primero
calculando la relacin de las resistencias del divisor
de voltaje y por ltimo.
1.712[V ]=

12 RG 2
R G 1 + RG 2

2) Simulacin
Una vez definidos todos los valores de los
componentes del circuito, se realiz la simulacin
del mismo en el software Ngspice, las cuales
arrojaron los resultados mostrados a continuacin.
IV. CONCLUSIONES

1.712 RG 1+1.712 RG 2=12 RG 2

1.712 RG 1=10.288 R G 2

R
6= G 1
RG 2

Asumiendo un valor de
RG 2 .
(6)(170 )=RG 2

RG 1

de 170 se hall

El
amplificador
operacional
de
transconductancia permite modificar y controlar
su ganancia mediante la corriente I ABC que se
ingresa por la Bias Imput.
El voltaje Offset es un nivel DC que adquiere la
seal de salida, el cual es factible de modificar e
incluso se puede eliminar.
El factor de modulacin en el tercer
procedimiento corresponde a la amplitud de la
seal modulada, es decir, la amplitud por
encima de la portadora, siendo as, que cuanto
menos modulada este una seal, ms cercana a
la portadora es la amplitud.
V.

REFERENCIAS

[1] R. Margaret. (2005, Sep). What is transconductance?

disponible en http://whatis.techtarget.com/definition/
transconductance
[2] ADEL SEDRA, K. S. Anlisis de circuitos
microelectrnicos. Kenneth Smith. Mc Graw Hill. Quinta
edicin. (2006)
[3] BEHZARD RAZAVI. Fundamentals of microelectronics.
John Wiley & Sons. Second edition. Pp. (2014)

Figura 2. Valores arrojados por la simulacin de voltaje en

los diferentes nodos del circuito.