El grafeno como sistema electrnico flexible

1.Objetivos:
-Identificar los defectos y limitaciones del grafeno DVG para mejorar sus
propiedades mecnicas.
-Encontrar mtodos para superar los defectos del grafeno para luego aplicar
en la electrnica flexible.
2.Fundamento terico.
El grafeno es un cristal donde su estructura laminar plana, est conformando
por tomos de carbono, distribuidos formados hexagonalmente mediante
enlaces C-C. El grafeno por vapor qumico (CVD) deposita defectos que
debitan las propiedades mecnicas, estas perjudiciales para la electrnica
flexible. Las aplicaciones para pantallas flexibles, pieles sensoriales robticas
y dispositivos biomdicos.
En particular, el grafeno cultivado por deposicin qumica en fase vapor
(CVD) se ha estudiado principalmente para aplicaciones prcticas, ya que
grafito prsco producido por la exfoliacin mecnica es de un tamao
limitado y difcil de fabricar. Sin embargo, el grafeno CVD pose muchos
defectos, tales como los lmites de grano superpuestos (GBs), agujeros
debilitan seriamente sus propiedades mecnicas y disminuye sus otras
propiedades fsicas sobresalientes.

Figura A: estructura del grafeno

3. resultados:

Fig 1: Defectos en el grafeno. (A) Defecto de Stone-Wale, SW (5577). (B) Mono-vacante. (C) Divacante. (D) Defecto de lnea formado por estructuras de vacantes alineadas. E) Mapeo de los
lmites de grano del grafeno CVD policristalino. (F) Falla generada por la cobertura superficial
parcial del grafeno CVD. (G) Defecto macroscpico creado durante los procesos de transferencia.

fig 2: A) Caractersticas mecnicas de los materiales: rigidez, resistencia y tenacidad. (B) Curvas de
tensin-deformacin de diferentes caractersticas mecnicas. (C) Problema de enlace dbil.

Fig4

Fig3: (A) Esquema de grafeno CVD libremente suspendido sobre un sustrato de Si con un agujero
cilndrico. (B) Imagen de microscopio ptico del grafeno monocapa suspendido con arrugas e islas
de grafeno, y imgenes de microscopio de fuerza atmica (AFM) en modo de contacto de grafeno
con arrugas e islas. (C) Ilustracin esquemtica de la configuracin de prueba de bulto. (D) Historia
de la extensin de la grieta con imgenes tpicas que muestran la evolucin de la fractura. E)
Diagrama de velocidad de propagacin de la grieta. Los cuadros del recuadro demuestran
comportamientos de detencin de grietas que surgen de diferencias del grueso.

Fig 4: Factor de intensidad de tensin (KI) frente al diagrama de velocidad de grieta (o tasa de
crecimiento, V = da / dt) para grafeno CVD en condiciones ambientales. Se resume una
comparacin de los valores medidos o calculados de tenacidad de la factura (KIc) entre el grafeno
CVD y materiales ampliamente conocidos. Los puntos de datos marcados con un cuadrado abierto
(azul) denotan (V KI) valores asociados con la detencin de la grieta. La insercin muestra una
tpica curva tri-modal de la fisuracin por corrosin por tensin.

Fig 5 (A) Imagen STM de resolucin atmica de grafeno policristalino que revela caractersticas
lineales defectuosas correspondientes a los lmites de grano. B) Imagen magnificada del lmite de
grano de inclinacin de gran angular del grafeno. El pentgono, el hexgono y el heptgono se
superponen con polgonos rojo, negro y azul, respectivamente. El GB muestra una serie de
estructuras de pentgono y heptgono alternas. C) Imagen de magnificacin baja de los granos
por campo oscuro TEM.

Fig 6 (A) grafeno CVD sobre mica despus de la oxidacin; Las lneas negras corresponden a
trincheras de grabado. (B) Imagen de resolucin atmica registrada por el modo de contacto AFM
en el grano indicado por la flecha roja. (C) Diagrama del tratamiento ultravioleta de una muestra
de grafeno / Cu. El cobre bajo el GB fue oxidado por radicales; Las lneas de cobre oxidado se
ensancharon durante la oxidacin continua, hacindose visible de este modo mediante un
microscopio ptico. (D) Las variaciones en la relacin de transicin de fase sobre el sustrato de
grafeno / PDMS durante el estiramiento del substrato grafeno / PDMS (tringulo rojo) o en
ausencia de estirado (crculo azul) e imgenes de microscopio ptico polarizado de la transicin de
fase LC.

Fig 7: basado en el proceso de curacin de defectos. (A) Diagrama que representa los efectos
previstos por el tratamiento de ALD en CVD grafeno. Para el Al2O3 ALD, se utilizaron los
precursores de trimetilaluminio (TMA, Al2 (CH3) 6) y H2O. (B) imagen de microscopio electrnico
de transmisin de campo oscuro (TEM) del grafeno CVD tratado con 4 ciclos de Al2O3 y la
correspondiente cartografa elemental de Al (TEMP) de TEM-EDX (espectroscopia de dispersin de
energa dispersiva). (C) Relacin de resistencia a la lmina elctrica del grafeno antes y despus del
tratamiento con ALD. Debido a que la nucleacin y el crecimiento de Al2O3 en el grafeno durante
ALD son altamente dependientes de la reaccin de las especies superficiales con los precursores de
fase gaseosa usados (TMA y H2O), las reacciones superficiales continan hasta que la superficie
inicial de grafeno se convierte completamente a la superficie aislante de Al2O3 . Como se puede
observar por el fuerte aumento en la resistencia de la hoja, no fue hasta 100 ciclos de ALD que
Al2O3 cubri toda la superficie del grafeno.

Fig 8: A) Ilustraciones de SLG y DLG sobre PET. B) Cambios normalizados en la resistencia elctrica
de SLG, DLG y TLG con una deformacin de traccin aplicada (SLG: grafeno de una capa, DLG:
grafeno de doble capa y TLG: grafeno de triple capa).

Fig 9: (A) Transistor basado en grafeno estirable en la superficie de un globo de caucho.

(B) Iluminacin de estado slido OLED flexible habilitada con electrodos de grafeno
apilados multicapa. (C) Dispositivos conformables basados en grafeno fabricados en la
superficie de una piel animal. Adaptado de Refs. [53 - 55].
(Figura 9c) [55]. Estos resultados confirman que el grafeno podra utilizarse para fabricar
una amplia gama de dispositivos electrnicos flexibles y porttiles. Sin embargo, la
estirabilidad (5%) en los dispositivos basados en grafeno reportados sigue siendo
insuficiente. Por lo tanto, se debe desarrollar una variedad de mtodos para minimizar la
densidad de defectos del grafeno y para curar los defectos creados para expandir su rango
de estiramiento.

4. Discusiones.
Los defectos SW son causados por la rotacin de enlaces C-C, lo que permite
a los polgonos de carbono cambiar entre pentgonos, hexgonos y
heptagones. Por lo tanto, durante la formacin de los defectos SW, no se
eliminan ni aaden tomos. Los defectos son simplemente creados por la

reconstruccin del enrejado de grafeno. Por ejemplo, cuatro Hexgonos se

pueden transformar en dos pares pentagon-heptagon (dos pares de 5-7
defectos o defectos SW (5577)) girando el enlace C-C 908, como se muestra
en la Fig. 1a. Otra forma simple de defecto es la vacancia, un tomo que falta
en el enrejado de grafeno (Fig. 1b yc).
Despus de preparar membranas de fractura del grafeno en presencia de
defectos o flamas es de importancia primordial en lugar de explorar el
mdulo elstico y la resistencia, que estn relacionados con la deformacin
uniforme o la ruptura de los enlaces de carbono. Debido a la extrema
dificultad en la preparacin de muestras de grafeno para la observacin de
los factores de fractura, los estudios experimentales pertinentes han sido
complejos. El grafeno suspendido sobre sustratos perforados (Figuras 3a y
3b), las membranas se montaron en un aparato de prueba de protuberancias
equipado con una cmara sincronizada de alta velocidad (Figura 3c). A
medida que la diferencia de presin (DP, en condiciones ambiente) aumenta
gradualmente, la grieta en el grafeno CVD crece de una manera discontinua y
complicada (Fig. 3d).
Cuando los materiales a granel tales como metales estn expuestos a
ambientes corrosivos y sometidos a tensin de traccin, el material a
menudo experimenta fallos repentinos e inesperados. Las grietas pueden
iniciarse y propagarse muy por debajo del SIF crtico (KIc). Este fallo, que
acompaa al crecimiento de la grieta, se conoce como craqueo por corrosin
por tensin (SCC). SCC tpicamente muestra un comportamiento
tridimensional en el diagrama, que muestra la relacin entre el SIF (K) y la
velocidad de grieta (V) . Sorprendentemente, el grafeno CVD experimenta
SCC bajo condiciones ambientales (Fig. 4). Este resultado significa que,
aunque su tenacidad a la fractura es comparable al diamante, puede
someterse a un fallo temprano una vez que est bajo la influencia combinada
de tensin de traccin y un ambiente corrosivo. Como se ha mencionado
anteriormente, los enlaces colgantes inducidos por la formacin de puntos,
lneas, GB y flujos macroscpicos permiten seguramente las reacciones entre
enlaces de carbono y molculas, como H2O, H2, CO2, NH3, O2, entre otros.
El STM se ha aplicado para observar los defectos de puntos y lneas en el
grafeno. Este mtodo puede proporcionar imgenes muy claras de resolucin

atmica de varios defectos en el grafeno (Figura 5a). Sin embargo, la imagen

de resolucin atmica de los defectos es perturbada por un sustrato, lo cual
es una desventaja de esta tcnica de sonda de superficie para la comprensin
fundamental de las propiedades fsicas de los defectos. Huang et al. Pero Kim
et al. Con xito mape directamente las imgenes de grano y GBs de hojas de
grafeno policristalino en la escala de varios micrmetros utilizando difraccin
de electrones en microscopa electrnica de transmisin de barrido (STEM) y
de imgenes de campo oscuro en TEM (Fig. 5b yc). El mtodo revel que los
granos tienen muchas orientaciones de cristal diferentes, y los GBs estn
compuestos de formas complejas.
Para resolver tales inconvenientes, se han demostrado recientemente
mtodos alternativos. Nemes-Incze et al. Inform de un enfoque para
observar el GBs en el grafeno por AFM despus de la oxidacin selectiva de
los defectos. La oxidacin puede aumentar el contraste entre el grano y el GB
porque la velocidad de reaccin con la humedad de los tomos en GBs es
relativamente ms rpida que los tomos estables en los granos. (Fig. 6a y b)
Este mtodo puede analizar de forma rpida y sencilla los defectos y la
distribucin del tamao de grano en el grafeno. De manera similar, la
oxidacin selectiva de la lmina de cobre subyacente a travs de GB de
grafeno funcionalizado con radicales hace que el volumen de cobre se
expanda de tal manera que los GB se pueden distinguir pticamente (figura
6c).
En general, la reduccin de la densidad de la semilla de nucleacin en un
catalizador de metal y / o la alineacin de la orientacin de las semillas en la
etapa inicial del crecimiento de CVD son procesos cruciales para el
crecimiento de grafeno con una baja densidad de defectos para satisfacer los
requisitos de los dispositivos electrnicos basados en grafeno. Se ha
informado que un mtodo de pre-recocido para conseguir granos gruesos y
una superficie lisa de lminas de Cu, evitando que el cobre se evapore de la
superficie de lmina durante la etapa de crecimiento y mantenga una capa
de Cu2O sobre la superficie de lmina de Cu suprima la densidad de
nucleacin para crecer Grandes, de cristal nico grafeno. Recientemente, Lee
et al. Inform de un mtodo prometedor para crecer a escala de obleas de
grafeno monocristalino en obleas de Si utilizando un semiconductor Ge como

un catalizador . Las semillas de nucleacin mltiple en la etapa inicial estaban

unidireccionalmente alineadas por la simetra anisotrpica doble de la
superficie Ge (1 1 0). Multi- granos con una orientacin uniforme se
fusionaron finalmente para formar un solo grano sin defectos de lnea similar
a un GB.
La Figura 8a muestra ilustraciones de grafeno de una y doble capa transferido
a sustratos de poli (tereftalato de etileno) (PET). Cuando la deformacin por
traccin se aplic al grafeno de una sola capa, la resistencia elctrica del
grafeno aument rpidamente slo a una velocidad de 0,6% debido a que las
grietas presentes podran propagarse a este pequeo (Figura 8b). Por el
contrario, el grafeno de doble y triple capa sufri una mayor deformacin
debido a que la capa inferior de grafeno transmiti la deformacin a la capa
superior de grafeno con una gran prdida, dando lugar a deslizamiento entre
capas y consecuentemente condujo a una densidad de fisura diferente entre
las capas inferior y superior. Adems, la capa superior cubra los defectos de
la capa inferior y proporcionaba una trayectoria de corriente elctrica,
mientras que la capa inferior ayudaba a la capa superior a mostrar sus
propiedades intrnsecas actuando como un protector contra los efectos
negativos del sustrato de PET, tales como rugosidad superficial y Molculas
qumicas presentes. Una menor densidad de fisuras, una trayectoria de
corriente adicional y un efecto de cribado del grafeno de doble capa pueden
expandir el rango de tensin de traccin disponible.
Estos resultados confirman que el grafeno podra utilizarse para fabricar una
amplia gama de dispositivos electrnicos flexibles y porttiles. Sin embargo,
la estirabilidad ($ 5%) en los dispositivos basados en grafeno reportados
sigue siendo insuficiente.
5. Conclusiones.
- Se identific y describi los defectos del grafeno CVD durante las etapas de
manipulacin a escala micro y nano escala .
-Se introdujo enfoques recientes para superar las propiedades limitadas,
mediante la curacin de los defectos mediante tratamiento en fase vapor y
apilamiento del grafeno en forma de multicapa.
6. Bibliografa.

a.
https://books.google.com.pe/books?id=IWMZBAAAQBAJ&pg=PA5&dq=gra
feno&hl=es&sa=X&ved=0ahUKEwiyq4HskNLQAhUJPCYKHao_AvAQ6AEISDA
J#v=onepage&q=grafeno&f=false
b. http://www.mundodelgrafeno.com/2013/01/modos-de-obtencion.html