POLITECHNIKA RZESZOWSKA

Im. Ignacego ukaszewicza

Wydzia Elektrotechniki i Informatyki
Katedra Podstaw Elektroniki

Laboratorium elektroniki

Temat: Diody (prostownicze, Schottkyego,

LED)

Szypua ukasz

Schemat pomiarowy charakterystyk diody.

1. Kierunek przewodzenia.
Tabela pomiarowa diod w kierunku przewodzenia.
Schotkyeg
o
U
0,000829
0,029538
0,084612
0,110238
0,20523
0,23211
0,24764
0,25083
0,25123
0,25219

Led

Zenera

U
I
I
U
I
0,00264
0,0001
0,0001 0,11724
0,0001
0,05739
0,0001
0,003 0,20459
0,0001
0,10536
0,0001
0,0342 0,53263
0,0001
0,52879
0,0002
0,0975 0,77576
0,0002
0,64114
0,0002
3,7431 0,92177
0,0002
0,93315
0,0003
10,064
1,4343
0,0002
1,3452
0,0003
14,127
1,9108
0,0003
1,5479
0,0011
16,533
2,4656
0,0004
1,6478
0,0204
17,731
2,9506
0,0004
1,8403
0,5988
19,521
4,494
0,0006
1,9183
1,0123
6,0349
0,0007
1,9523
3,5122
7,7777
1
2,0532
9,5752
Charakterystyki badanych diod w kierunku przewodzenia I = f(U)
25
20
15
I [mA]

Zenera

10

Schotkyego
LED

5
0
0

U [V]

2. Napicie progowe.

Napicie progowe jest to napicie w kierunku przewodzenia, przy ktrym dioda zaczyna
przewodzi, tzn. przez dioda zaczyna pyn prd.
W laboratorium napicie progowe mona wyznaczy w bardzo prosty sposb,
wystarczy zna charakterystyk diody. Zwikszajc stopniowo napicie zasilania
obserwujemy zmiany prdu. Jeli w pewnym momencie prd diody zacz szybko rosn,
czyli dioda zaczyna przewodzi, to napicie to nazywamy napiciem progowym.
Oczywicie, jeeli manipulujemy napiciem i nie wida gwatownych zmian prdu lub
zmiany s bardzo mae to naley zmieni polaryzacje diody.
*Dioda Zenera

Zenera I=f(U)
12
10
8

I [mA]

Zenera

4
2
0
0

0.5

1.5
U [V]

*Dioda schotkyego

2.5

Schotkyego I=f(U)
25

20

15

Schotkyego

10

0
0

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

0.3

4. Relacje midzy napiciem progowym a barw diody LED

eby zmieni kolor wiecenia diody naley odpowiednio domieszkowa pprzewodnik.
Uzyskuje si dziki temu rne szerokoci bariery zaporowej. Dziki temu jestemy w stanie
doprowadzi do emisji foton o rnych barwach. Odpowiednie kombinacje domieszek
powoduje wiecenie o rnych barwach. Dla barw o krtszych dugociach fali powstaj
bariery o wikszej szerokoci pasma.
RS
I0
5. Wyznaczanie rezystancji szeregowej

wspczynnik zcza

, prdu nasycenia

Dioda LED:

LED Id=f(Ud)
100
10
1
0.8
0.1

1.2

1.4

1.6

0.01
0
Ud=0,279V

- napicie na diodzie w czci liniowej,

Id=3,5mA

- prd na diodzie w czci liniowej,

Uf=0,312V

-napicie w punkcie pracy,

If=4,12mA

- prd w punkcie pracy,

Us=0,22V

- odlego na osi x od osi y do wykresu liniowego diody

UT =25mV

-wspczynnik temperaturowy taki sam dla kadej diody

Rs

0 , 092
0 , 00412

23

wyznaczenie prdu nasycenia diody:

Is

Uf Us
If

Id
Ud
e Ut

0 , 0035
e

0,28
0 , 02 5

4,76 10 8 A

wyznaczenie wspczynnika zcza:

0, 092
U

UT ln IfIs

Dioda Schotkyego:

0,025*ln

0 , 0 04 12
4 , 761 08

0,32

1.8

2.2

Id=f(Ud)
10000
1000
100
10
1
0.05
0.1

0.1

0.15

0.2

0.25

0.3

0.01

Ud=0,279V ; Id=3,5mA ; Uf=0,312V ; If=4,12mA ; Us=0,22V ; UT =25mV

Rs

0 , 092
0 , 00412

23

wyznaczenie prdu nasycenia diody:

Is

Uf Us
If

Id
Ud
e Ut

0 , 0035
e

0,28
0 , 02 5

4,76 10 8 A

wyznaczenie wspczynnika zcza:

0, 092
U

If

UT ln Is

Dioda Zenera:

0,025*ln

0 , 0 04 12
4 , 7 61 08

0,32

0.35

0.4

dioda zenera Id=f(Ud)

100

10

1
0.45

0.5

0.55

0.6

0.65

0.7

0.75

0.8

0.85

0.9

0.95

0.1

0.01

Ud=0,279V ; Id=3,5mA ; Uf=0,312V ; If=4,12mA ; Us=0,22V ; UT =25mV

Rs

0 , 092
0 , 00412

23

wyznaczenie prdu nasycenia diody:

Is

Uf Us
If

Id
Ud
e Ut

0 , 0035
e

0,28
0 , 02 5

4,76 10 8 A

wyznaczenie wspczynnika zcza:

0, 092
U

UT ln IfIs

0,025*ln

0 , 0 04 12
4 , 761 08

0,32

6. Rezystancja statyczna i rezystancja rniczkowa:

Dioda Schottkyego

0,461
0,76
0,603
0,478

0,55
0,869
0,589

0,65
0,909

Rst1
Rst 2
Rst 2

0,111
2,75
0,04
0,266

15
0,017
0,091

6,5
0,014

rr1

rr1

rr 2

rr 2

rr 3

rr 3

U T 0,71 0,24

0,28
If
0,603

0,71 0,24
0,19
0,869
0,71 0,24

0,18
0,909

Dioda LED

1,99
135
0,0147
2

133
0,015
2,01

130
0,0154

Rst1
Rst 2
Rst 2

0,01
25
0,0004
0,01

33
0,0003
0,01

3
0,0037

rr1

rr1

rr 2

rr 2

rr 3

rr 3

U T 0,09 1,9

12
If
0,0147

0,09 1,9
11
0,015
0,09 1,9

10
0,0154

Gdyby dioda bya elementem liniowym jej rezystancja statyczna bya by rwna
rezystancji dynamicznej jednak jak widzimy to na powyszych tabelach tak nie
jest oznacza to, e dioda nie jest elementem liniowym. Jak widzimy dioda
element nie liniowy zmienia swoje wartoci rezystancji dynamicznej wraz z
wzrostem natenia prdu, ktry przez nie pynie.

7. Stan zaporowy:
Tabela pomiarowa:
LED
U

Schotkyego
U
I

-1,45

-0,0001

-13,11

-0,2
-0,51

-0,0001
-0,0001

-10,22
-8,82

-1

-0,0002

-7,01

-1,2

-0,0003

-5,09

-1,4
-1,94

-0,0003
-0,0003

-4,11
-2,14

-2,57

-0,0004

-1,21

-2,98

-0,0004

-0,31

Charakterystyki:

Zenera
U

-0,0054 0,24153
-0,0046 0,29549
-0,0042 -0,4043
-0,0038 0,50389
-0,0033 0,61242
-0,0030 0,63207
-0,0024 0,75691
-0,0021 0,80606
-0,0017 0,82059

I
-0,0006
-0,0016
-0,0144
-0,1249
-1,1906
-2,0958
-15,433
-39,048
-60

0
-1,45 -0,2 -0,51
-10

-1

-1,2 -1,4 -1,94 -2,57 -2,98

-20
I [mA]

-30

Zenera

-40

Schotkyego
LED

-50
-60
-70
U [V]

9.Schemat zastpczy w kierunku przewodzenia i zaporowym

11. Oznaczenia diod pprzewodnikowych

Obecny system oznaczania elementw pprzewodnikowych polskiej produkcji jest objty norm branow:
- BN-70/3375-15 - Elementy pprzewodnikowe. System oznaczania typw.
Oznaczenie elementu pprzewodnikowego skada si z dwch czci: literowej i numerowej. Cz literowa ma dwie litery.
Pierwsza litera okrela materia, z jakiego wykonano element:
A - materia o szerokoci pasma zabronionego 0,6-1,0 eV (np. Ge);
B - materia o szerokoci pasma zabronionego 1,0-1,3 eV (np. Si);
C - materia o szerokoci pasma zabronionego wikszej ni 1,3 eV (np. GaAs);
D - materia o szerokoci pasma zabronionego mniejszej ni 0,6 eV (np. InSb);
R - inne materiay.
Druga litera okrela rodzaj elementu pprzewodnikowego:
A - diody detekcyjne, mieszajce i szybko przeczajce;
B - diody o zmiennej pojemnoci;

C - tranzystory maej mocy, maej czstotliwoci;

D - tranzystory duej mocy, maej czstotliwoci;
E - diody tunelowe;
F - tranzystory maej mocy, wielkiej czstotliwoci;
G - elementy powielajce zoone z ronych struktur;
H - czujniki Halla (sondy do pomiaru natenia pola magnetycznego);
K - generatory Halla o otwartym obwodzie magnetycznym;
L - tranzystory mocy, wielkiej czstotliwoci;
M - generatory Halla o zamknitym obwodzie magnetycznym (np. modulatory);
P - elementy czue na promieniowanie (np. fotodiody);
Q - elementy promieniujce (np. diody luminescencyjne);
R - tyrystory maej mocy;
S - tranzystory impulsowe maej mocy;
T - tyrystory mocy;
U - tranzystory impulsowe mocy;
Y - diody prostownicze;
X - diody powielajce;
Z - diody stabilizacyjne (diody Zenera).
Cz numerowa zawiera jedn liter i trzy cyfry lub dwie litery i dwie cyfry. Cz ta okrela grup oraz konkretny typ
elementu w danej grupie, zawiera informacj o przeznaczeniu i wytwrcy elementu, a w niektrych przypadkach take o
wartociach niektrych parametrw elementu. Ma ona nastpujc budow:
P + 3 cyfry - dla elementw do zastosowa powszechnego uytku;
YP + 2 cyfry - dla elementw do zastosowa profesjonalnych;
AP + 2 cyfry - dla elementw do zastosowa specjalnych.
Dla elementw profesjonalnych mona zamiast litery Y stosowa litery Z, X, W itd., a dla elementw specjalnych zamiast
litry A dalsze litery B, C, D itd. Litera P jest umownym znakiem wytwrcy (Naukowo-Produkcyjne Centrum
Pprzewodnikw) i czsto nie wystpuje w oznaczeniu.
Oznaczenia diod stabilizacyjnych, diod prostowniczych i tyrystorw zawieraj ponadto dodatkowe symbole informujce o
wartociach niektrych parametrw:
Dla diod stablizacyjnych litera (czsto poprzedzona znakiem minus) okrela tolerancje napicia stabilizacji:
A - 1%
B - 2%
C - 5%
D - 10%

E - 15%
Po tej literze nastpuj cyfry okrelajce warto znamionowego napicia stabilizacji w woltach. Liter V stosuje si zamiast
przecinka, jeeli napicie stabilizacji jest liczb uamkow. Gdy dioda ma polaryzacj odwrotn (obudowa poczona z
anod), to na kocu wystpuje litera R. Polaryzacji normalnej (obudowa poczona z katod) nie oznacza si.
Dla diod prostowniczych i tyrystorw cyfry (poprzedzone znakiem minus, odstpem lub ukonikiem) okrelaj maksymaln
warto impulsowego napicia wstecznego w woltach. Litera R oznacza rwnie polaryzacj odwrotn.
12. Gwne osignicia i rozwj technologiczny diody LED
Diody LED znajduj szerokie zastosowanie w wielu dziedzinach ycia, poczwszy od zwykego rda wiata po
skomplikowane ukady elektroniczne.
Diody LED s wysoko wydajnymi rdami wiata monochromatycznego i maj potencja technologiczny potrzebny by by
w przyszoci wysoce wydajnymi rdami wiata nawet 200lm/W. To wanie ze wzgldu na moliwoci osignicia
oszczdnoci energii elektrycznej technologia biaych diod LED jest jedn z tych najszybciej si rozwijajcych. Szacuje si,
e w przyszoci wymiana stosowanych obecnie rde wiata na diody LED pozwoli na zredukowanie iloci energii
elektrycznej wykorzystywanej w owietleniu o poow. Diody LED zdecydowanie wyrniaj si spord pozostaych rde
wiata dugoci ycia. Wymawiana jest tu czsto liczba 100 tys. godzin pracy, ktra okrela redni czas, po ktrym dioda
LED przestanie wieci.
Rne rodzaje diod znalazy zastosowanie we wszelkiego rodzaju sprztu domowego. Dioda IR stosowane s w ukadach
zdalnego sterownia, np. pilot do telewizora.
Nowe pprzewodnikowe rda wiata obejmuj rwnie pprzewodnikowe lasery emitujce wiato z obszaru
niebieskiego i nadfioletowego. To otwiera z kolei rynek nonikw informacji, nowej generacji display'w, technik
drukarskich, suchej fotografii, gstego zapisu informacji i szerokie pole zastosowa w technikach specjalnych. W
przecitnym domu czerwone i podczerwone lasery pprzewodnikowe pracuj w odtwarzaczach CD i DVD, a diody
laserowe transmituj rozmowy telefoniczne przez sie wiatowodow. Diody podczerwieni wykorzystywane s w systemach
noktowizyjnych jako latarki, poniewa noktowizor widzi tylko wiato ciepo(wiato podczerwone). Ostatnio take
stosowane w kamerach dla trybu nightshot opartego wanie na technologii noktowizyjnej. W elektronice uytecznej mona
take spotka czsto uywane diodowe wywietlacze siedmiosegmentowe, sucy to wywietlania rnych wynikw z
ukadw pomiarowych. Rewolucja LED zatacza coraz szersze krgi i wkrada si w kad dziedzin ycia. Co najwaniejsze
postp w tej technologii powoduje zmniejszenie poboru energii elektrycznej a co za tym idzie chroni nasze rodowisko.

13. Porwnanie badanych diod pprzewodnikowych

Diody germanowe spord wszystkich pozostaych diod charakteryzuj sie bardzo maym napiciem progowym. Diody te s
juz powoli wypierane z rynku, ze wzgldu na trudnoci w wytwarzaniu. Jednak znajduj on zastosowanie tam gdzie
potrzebne jest wanie niskie napicie progowe. Najbardziej cenione s jeszcze przed radiowcw, gdzie wykorzystuje si je w
detektorach. Diody Schottky'ego s diodami o rwnie niskim napiciu progowym co diody germanowe. S te o wiele
szybsze od pozostaych diod. Swoje zastosowanie znajduj w prostownikach w ukadach o duych czstotliwociach, czy
rwnie w ukadach cyfrowych, gdzie potrzebne s ukady przeczajce z du szybkoci. Najpopularniejsza grup
stanowi diody krzemowe. Ich prostota wykonania sprawia, ze s niedrogie i powszechnie uywane. Produkowane s na
duo wartoci prdw, przez co znalazy zastosowanie przede wszystkim w prostownikach. S stosowane wszdzie tam,
gdzie nie gra roli napicie progowe, jak i rwnie nie jest potrzebna wysoka szybko przeczania.
14.

Obcien
ie
R=331Oh
m
Uwe
Uwy I0
0,46 0,34
2,26 1,66
4,5 3,31
6,76

Obcienie
R=612Ohm
Uwe Uwy I0
1 0,75 0,63
1
5 3,72 3,12
5
10 7,36 6,15
10
10,9
15
9 9,22
15

9,01 6,65

20

11,24 8,27

25

13,48 9,92
11,5
15,67
3
13,1
17,86
2

30
35
40

14,6
18,1
6
19,9
3
19,5
6
20,1
9

12,2
3

20

15,2
15,3
2
15,3
9
15,4
7

25
30
35
40

dla R=331Ohm
45
40
35
30

f=Io(Uwe)

25

f=Io(Uwy)

20
15
10
5
0
0

10

12

14

16

18

20

dla R=612Ohm
45
40
35
30

f=Io(Uwe)

25

f=Io(Uwy)

20
15
10
5
0
0

10

15

20

25

16.Wnioski:

Zamierzony wiczenia zosta osignity. Wykonalimy pomiar charakterystyk

prdowo napiciowych diod stabilizacyjnych oraz przeanalizowalimy moliwo
zastosowania ich w prostych ukadach stabilizacyjnych. Sprawdzilimy
moliwoci, jakie daj w praktyce diody stabilizacyjne. Milimy okazje przekona

si, i dioda stabilizacyjna w kierunku przewodzenia zachowuje si tak jak dioda

prostownicza, natomiast w kierunku zaporowym nastpuje stabilizacja napicia
wykorzystujc zjawisko przebicia zcza. Naley rwnie pamita o zakresach
bezpiecznej pracy aby nie uszkodzi bd nie zniszczy diody.