TEMA 1

SEMICONDUCTORES EN
EQUILIBRIO
TERMODINMICO
 Indice

Materiales semiconductores
Estructura cristalina
Tcnicas de crecimiento de cristales
Modelo de enlaces y bandas de energa
Concentracin intrnseca
Donadores y aceptores
 Materiales semiconductores

Los materiales en estado slido se pueden

clasificar segn su conductividad en:
Aislantes: conductividad muy baja
Metales: conductividad muy alta
Semiconductores: conductividad entre metales y
aislantes Son muy sensibles a campos
aislantes.
elctricos, magnticos, iluminacin,
temperatura e introduccin de impurezas (de 1
temperatura,
gr a 1 gr por kgr de semiconductor)
Materiales Semiconductores
 Materiales Semiconductores
Semiconductores simples o elementales:
Formado por un nico material como el Si y el
Ge.
p
Semiconductores compuestos: Formados p por
varios materiales, en general 2, 3 4. Estos
materiales p
presentan ppropiedades
p elctricas y
pticas muy diferentes de las del Si. Se utilizan
para alta velocidad y en optoelectrnica.
p p
 Materiales Semiconductores
Semiconductores simples o elementales:
Formado por un nico material como el Si y el
Ge. Hasta 1950 dominaba el Ge y
posteriormente
t i t paso a ser ell Si.
Si DDebido
bid a:
Mejores propiedades a temperatura ambiente
Tiene un xido nativo de alta calidad
Es mucho ms barato que otros semiconductores
Se presenta en forma de silicatos y slices
slices. Es es
segundo material ms abundante despues del
oxgeno
Es uno de los elementos ms estudiados de la tabla
peridica
La
L ttecnologa
l dde silicio
ili i es llas ms
avanzada d d
de ttodos
d
los semiconductores
 Materiales Semiconductores
Semiconductores compuestos: Formados por varios
materiales, en general 2, 3 o 4. Estos materiales
presentan propiedades elctricas y pticas muy
diferentes de las del silicio. Se utilizan para alta
velocidad y en optoelectrnica. Ejemplos de estos
materiales son:
Semiconductores compuestos IV-IV: SiC
Semiconductores compuestos III-V: AlP, AlAs, AlSb, GaN,
GaAs InP,
GaAs, InP InAs
InAs, InSb
InSb.
Semiconductores compuestos II-VI: ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe,
CdS, CdSe, CdTe, HgS.
Semiconductores compuestos (aleaciones): ternarios AxB1-xC y
cuaternarios AxB1-x CyD1-y
Ej.: AlxGa1-xAs,
GaxIn1-x AsyP1-y
Aleaciones de semiconductores
 Estructura Cristalina
Cristal: caracterizado por tener una estructura peridica
 Estructura Cristalina

Red: conjunto de puntos que llenan el espacio

espacio. Cada punto de la
red tiene el mismo entorno.
Vectores de red: vectores que unen puntos de la red.
Base: el cristal se reproduce replicando la base en todos los puntos
de red. La base puede ser monoatmica o multiatmica.
Estructura cristalina (cristal): Combinacin red + base atmica.
Vectores primitivos: vectores que unen un punto con sus tres
vecinos ms cercanos (en 3D).
Celda unitaria: porcin pequea del cristal que al ser replicada
reproduce todo el cristal.
cristal No son necesariamente nicas
nicas.
Celda primitiva: celda unitaria ms pequea posible.
Redes de Bravais
 Redes principales
p p

Cbica simple Cbica centrada en el cuerpo Cbica centrada en las caras(fcc)

 Estructura de diamante y
blenda de zinc

Son dos redes fcc desplazadas en la diagonal. Blenda de zinc tiene una de las redes
fcc con un tipo distinto de tomos
Estructura cristalina y propiedades
 Planos cristalinos e ndices de
Miller
Los ndices de Miller se utilizan p
para definir los p
planos de un cristal
 Planos cristalinos e ndices de
Miller
Los ndices de Miller son obtenidos usando los siguientes pasos:
Encontrar los puntos que intercepta el plano para el que buscamos los ndices
sobre los ejes de coordenadas en trminos de la constante de red (a ,,)
Tomar el inverso de esos nmeros y reducirlos a los tres enteros ms pequeos
que mantienen
ti la
l misma
i relacin
l i entre
t ellos
ll (1/
(1/a,0,0)
0 0)
Incluir los ndices entre parntesis (hkl), que son los que definen el plano (1,0,0)
Planos cristalinos e ndices de Miller
Adems se usan las siguientes convenciones:
(h,k,l),
(h k l) se utiliza la barra negativa superior para indicar
que el plano corta en el eje negativo.
{{hkl},
}, se utiliza para
p planos q
p que tienen equivalencia
q
simtrica. Por ejemplo el caso {100} es equivalente a
(100),(010),(001), (100),(010) y (001), en el caso de
simetra cbica
cbica.
[hkl], utilizado para especificar las direcciones de un
ccristal.
s a Poro eje
ejemplo
p o [[100]
00] corresponde
co espo de a laaddireccin
ecc x
(perpendicular al plano (100)).
<hkl>, para un conjunto de direcciones equivalentes. Por
ejemplo
j l <100>
100 sera equivalente
i l t a <100>,<010>,<001>,
100 010 001
<100>,<010> y <001>, para el caso de simetra cbica.
Tcnicas de crecimiento de
cristales
Tcnicas de crecimiento de
cristales
 Tcnicas de crecimiento de
cristales
Czocharlski
p p gp
http://pveducation.org/pvcdrom/manufactu
ring/czochralski-silicon

Zona flotante
http://pveducation.org/pvcdrom/manufacturin
g/float-zone-silicon
Modelo de Enlaces de Si
 Modelo de bandas de energa
g

Hidrgeno Silicio
tomo aislado (niveles energticos discretos).
discretos)
m0 q 4 13.6
Hidrgeno: E H 2 2 2 2 eV
8 0 h n n
Cristal con N tomos de Si la energa depende de la distancia entre tomos:
Se generan 8N estados posibles divididos en dos bandas de 4N estados cada una
 Portadores de carga
g

Electrones en la banda de conduccin

Huecos en la banda de valencia
 DIAGRAMAS DE ENERGA
MOMENTO

Energa de un electrn libre:

p2
E=
2m0
Diagramas de E-k
 Diagramas de E-k
BANDA DE VALENCIA:
En todos los casos el mximo aparece en k = 0
La BV en cada uno de los materiales se subdivide en tres subbandas
subbandas. Dos de
ellas estn degeneradas en k = 0 (tienen la misma energa), mientras que la
3 tiene menor energa. (en el Si las degeneradas son indistinguibles). La
banda degenerada con menor curvatura sobre k = 0 se llama banda de
huecos ppesados, y la de mayor
y curvatura se llama banda de huecos ligeros.
g
La otra recibe el nombre de split-off
Cerca de k = 0 la curvatura de las subbandas es esencialmente
independiente de la orientacin

BANDA DE CONDUCCIN:
Las caractersticas principales de la BC del Ge, Si y GaAs son similares.
Estn formadas por varias subbandas. El mnimo absoluto se encuentra en el
centro o a travs de una de las direcciones de alta simetra.
simetra La posicin del
mnimo vara de material a material
En el Ge el mnimo aparece en el contorno de la zona de direccin (1 1 1).
En el Si, el mnimo aparece en la direccin (1 0 0)
El G
GaAs
A titiene su mnimo
i en ell centro
t ded lla zona, jjusto
t encima
i d
dell mximo
i d
de
la BV. Aqu se puede ver la diferencia entre Gap directo/indirecto. Esta
propiedad tendr gran importancia, por ejemplo, en las propiedades pticas
del material
 Semiconductores de
gap directo e indirecto
Dinmica de portadores. Masa efectiva
Dinmica de portadores. Masa efectiva
Portadores de carga
g

Cristal unidimensional infinito

 Portadores de carga
g
Si introducimos una diferencia de
potencial a travs del cristal, una corriente
fluir a travs del mismo y hacia el circuito
externo:
La cuarta banda no tiene e-: no contribuye
al proceso de transporte de carga
La 1 banda est totalmente llena:
Tampoco contribuye a los procesos de
t
transporte
t de
d carga.
Slo las bandas parcialmente ocupadas
pueden desarrollar un transporte de carga
por el cristal. Bajo
p j condiciones de
equilibrio, la distribucin de carga en las
bandas parcialmente llenas es simtrica
respecto al centro y no fluye corriente.
Bajo
j la influencia de un campo p aplicado,
p ,
se rompe la simetra y hay contribucin de
corriente entre la 2 y 3 bandas:
 METALES, SEMICONDUCTORES Y AISLANTES

Metal Semiconductor Aislante

 Semiconductor intrnseco y semiconductor extrnseco
Semiconductor intrnseco: material semiconductor extremadamente
puro, sin ningn tipo de aadido o cantidades insignificantes (sin
dopantes). Sus propiedades son inherentes al propio material. En este
tipo de material el nmero de huecos es siempre igual al nmero de
electrones, n = p = ni
Semiconductor extrnseco: material semiconductor al que se le ha
aadido algn tipo de material dopante que altera su estructura y sus
propiedades En general
propiedades. general, en este tipo de materiales
materiales, el nmero de
huecos no tiene por que ser igual al nmero de electrones.
Dopantes: tomos de impureza especficos que se aaden a los
semiconductores de forma controlada, para incrementar las
concentraciones de electrones o de huecos
Donador: tomo de impureza que incrementa la concentracin de electrones;
dopante tipo N. Normalmente son tomos de la columna V de la tabla peridica
Aceptor: tomo de impureza que incrementa la concentracin de huecos;
dopante tipo P. Normalmente son tomos de la columna III.
 Distribucin de estados y portadores
en un semiconductor intrnseco

Densidad de estados
Funcin de Fermi
Distribucin de portadores en equilibrio
gC ( E ) f ( E ) distribucin de e en la banda de conduccin; E EC
Etop
t

n
EC
gC ( E ) f ( E )dE

gV ( E )[1 f ( E )] distribucin de h en la banda de valencia; E EV

Ev

p
Emin
g v ( E )(1 f ( E ))dE
 CONCENTRACIN INTRNSECA DE
PORTADORES

Densidad de estados sistemas en 3D, 2D y 1D

32 12
2mdos E
g3D ( E )

2 3

g3D
g1D
mdos
g2 D ( E )
g2D 2

2m1dos2
g1D ( E )
E

Densidad
D de estados
id d d t d sistemas
i t en 3D
me* m*p
3/ 2 3/ 2
2( E EC ) 2( EV E )
gC ( E ) ; E EC gV ( E ) ; E EV
2 3 2 3
 Funcin de Fermi

EF energa de Fermi
1
fF D (E) donde K cte de Boltzman 8.62105 eV / K
E EF T temperatura en Kelvin
1 exp
KT
Funcin de Fermi. Aproximaciones
p
EF energa de Fermi
5
1 K cte de Boltzman 8.6210 eV / K
fF D (E) donde
E EF T temperatura en Kelvin
1 exp
KT KT 0.0258eV (T 300 K )

f ( E ) 1 ; E EF
T=0
f ( E ) 0 ; E EF
f ( E ) 1 e ( E EF ) KT ; E E 3KT
F

T>0 f ( E ) 1/ 2 ; E EF
( E EF )
f ( E ) e KT
; E EF 3KT
Aproximacin de Boltzmann
E EF
f M B ( E ) exp
KT
 Distribucin de portadores en equilibrio para un
semiconductor intrnseco

gC ( E ) f ( E ) distribucion de e en la banda de conduccin; E EC

gV ( E )[1 f ( E )] distribucion de h en la banda de valencia; E EV
Clculo de concentracin en equilibrio
Clculo de concentracin en equilibrio
 Clculo de concentracin en equilibrio

Semiconductor no degeneradoAprox. Boltzmann EC 3KT EF EV 3KT

3KT Ec

Ef

3KT Ev
 Nivel de Fermi intrnseco

EF EC
n N C exp
kT
EV EF
p NV exp
kT
S iintrnseco,
Sc. t n p y EF EFi
EC EV KT NV
EFi ln
2 2 NC
EC EV 3 mh*
KT ln *
2 4 me
Clculo de concentracin en
equilibrio
 Ley de accin de masas

n n p
2
i

Es vlida para cualquier semiconductor en equilibrio no degenerado

ACEPTORES Y DONADORES
ACEPTORES Y DONADORES
ACEPTORES Y DONADORES
Ionizacin p
parcial de impurezas
p
Energa de ionizacin usando el modelo del tomo de hidrgeno:
0 mn
E D EH
S m0
 Concentracin de n y p
Hiptesis:
Condiciones de equilibrio
No degeneracin (Aprox. Boltzman)
Dopado uniforme
Ionizacin total de las impurezas
p dopantes
p
n p ni2
p n ND NA 0

ni2
n N D N A 0 ni2 n 2 n N D N A 0 n 2 n N D N A ni2 0
n
1

N D N A N D N A 2 2

n ni
2

2 2
1

N N D N A N D 2 2

p A ni
2

2 2
 Concentracin de n y p. Casos especiales
Semiconductor intrnseco:
Si N A N D 0 n p ni
Si ni N D N A n p ni

S i
Semiconductor
d t titipo N
n N D
N D N A
ni2
N D ni p N
D

Semiconductor tipo
p P
p NA
N A N D
ni2
N A ni n N
A

Semiconductor compensado Si N A N D
n p ni
 Nivel de Fermi Extrnseco
n ni expEF Ei KT n expEF Ei KT
exp2EF Ei KT

p ni exp Ei EF KT p expEi EF KT

n 1 n n
l
ln EF Ei EF Ei KT ln
l E F Ei KT ln
l
ni KT ni ni
p 1 p p
l
ln Ei EF Ei EF KT ln
l EF Ei KT ln
l
ni KT ni ni

Resultado
N D N A ND
EF Ei KT ln , tipo N
N D ni ni
N A N D NA
E F Ei KT ln , tipo P
N A ni ni
 Nivel de Fermi Extrnseco.
Dependencia con el dopado
Dependencia
p con la temperatura
p
Dependencia con la temperatura nivel de Fermi
Semiconductores degenerados
g