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Portaria n.

439/94 de 29 de Junho
Aprova a lista dos bens e tecnologias sujeitos a licenciamento e certificao prvios. Prorroga o Despacho
Normativo n. 261/91, de 13 de Novembro

Nos termos do artigo 5. do Decreto-Lei n. 436/91, de 8 de Novembro, importa publicar a lista dos bens e
tecnologias que podem afectar os interesses estratgicos nacionais, os quais esto sujeitos a licenciamento
e certificao prvios.

Assim:
Manda o Governo, pelos Ministros da Defesa Nacional, da Administrao Interna, das Finanas, dos
Negcios Estrangeiros, da Indstria e Energia e do Comrcio e Turismo, o seguinte:

1. aprovada a lista, publicada em anexo, a que se refere o artigo 5. do Decreto-Lei n. 436/91, de 8 de


Novembro.
2. A emisso de certificados internacionais de importao, exportao e garantia de entrega dos bens e
tecnologias referidos em anexo realizada pela Direco-Geral do Comrcio, nos termos do n. 1 do artigo
6. do Decreto-Lei n. 436/91, com excepo dos captulos XIII e XIV, cuja competncia est atribuda
Direco-Geral do Armamento, nos termos do n. 2 do artigo 6. e do n. 2 do artigo 9. do Decreto-Lei n.
436/91, em conjugao com o disposto no, Decreto-Lei n. 371/80, de 11 de Setembro.
3. Com a publicao da presente lista fica revogado o Despacho Normativo n. 261/91, de 13 de Novembro.
Ministrios da Defesa Nacional, da Administrao Interna, das Finanas, dos Negcios Estrangeiros, da
Indstria e Energia e do Comrcio e Turismo.

Assinada em 7 de Junho de 1994.

O Ministro da Defesa Nacional, Joaquim Fernando Nogueira. - O Ministro da Administrao Interna, Manuel
Dias Loureiro. - Pelo Ministro das Finanas, Vasco Jorge Valdez Ferreira Matias, Secretrio de Estados dos
Assuntos Fiscais. - Pelo Ministro dos Negcios Estrangeiros, Jos Manuel de Morais Briosa e Gala,
Secretrio de Estado da Cooperao. - Pelo Ministro da Indstria e Energia, Lus Filipe Alves Monteiro,
Secretrio de Estado da Indstria. - Pelo Ministro do Comrcio e Turismo, Lus Maria Viana Palha da Silva,
Secretrio de Estado do Comrcio.

ANEXO
CAPTULO I
CATEGORIA 1
MATERIAIS AVANADOS

1. A. EQUIPAMENTOS, CONJUNTOS E COMPONENTES

1. A. 1. Componentes elaborados a partir de compostos fluorados:


a. Juntas, anis vedantes, vedantes ou bexigas para combustvel concebidos especialmente para uso
aeronutico ou espacial, constitudos por mais de 50% de qualquer dos materiais referidos nas alneas 1.C.9.
b. ou c.;
b. Polmeros e copolmeros piezoelctricos constitudos por fluoreto de vinilideno:
1. Em forma de folha ou de pelcula; e
2. Com uma espessura superior a 200 micrmetros;
c. Juntas, anis vedantes, sedes de vlvula, bexigas ou diafragmas constitudos por fluorelastmeros que
tm pelo menos um monmero de vinilter, especialmente concebidos para aplicao aeronutica, espacial
ou em msseis.
1. A. 2. Estruturas ou produtos laminados, "compsitos"
a. Que contenham uma "matriz" orgnica e obtidos a partir dos materiais referidos nas alneas 1.C 10.c., d.
ou e.; ou
b. Que contenham uma "matriz" metlica ou de carbono e obtidos a partir de:
1. "Materiais fibrosos ou filamentosos" de carbono com:
a. Mdulo especfico superior a 10,5 x 10(elevado a 6) m; e
b. Tenso de rotura traco especfica, superior a 17,7 x 10(elevado a 4) m; ou
2. Materiais referidos na alnea 1.C.10.c.;
Notas Tcnicas: 1. Mdulo especfico: o mdulo de Young expresso em pascais, equivalente a N/m2,
dividido pelo peso especfico expresso em N/m3, medido temperatura de (296(mais ou menos)2) K [(23
(mais ou menos)2)C] e a uma humidade relativa de (50(mais ou menos)5)%.
2. Tenso de rotura traco especfica: a tenso de rotura traco expressa em pascais, equivalente a
N/m2, dividida pelo peso especfico expresso em N/m3, medida temperatura de (296(mais ou menos)2) K
[(23(mais ou menos)2)C] e a uma humidade relativa de (50(mais ou menos)5)%.
1. A. 3. Produtos fabricados de polmeros no fluorados referidos na alnea 1.C.8.a., sob a forma de pelcula,
folha, banda ou fita:
a. Com uma espessura superior a 0,254 mm; ou
b. Revestidos ou laminados, com carbono, grafite, metais ou substncias magnticas.

1. B. EQUIPAMENTOS DE ENSAIO, DE CONTROLO E DE PRODUO

1. B. 1. Equipamentos para produo de fibras, pr-impregnados, pr-reforados ou materiais "compsitos"


referidos no pargrafo 1.A.2 ou 1.C.10, e componentes e acessrios especialmente concebidos para os
mesmos:
a. Mquinas para bobinar filamentos, em que os movimentos de posicionamento, de enrolamento e de
bobinagem de fibras so coordenados e programados em trs ou mais eixos, especialmente concebidas para
fabricar estruturas ou laminados "compsitos", a partir de "materiais fibrosos ou filamentosos".
b. Mquinas para colocao de fitas ou para estender cabos de filamentos, cujos movimentos de
posicionamento e de colocao das cintas, dos cabos ou das folhas, sejam coordenados e programados, em
dois ou mais eixos, especialmente concebidas para o fabrico de estruturas de "compsitos" para fuselagem
de avies ou msseis.
c. Mquinas de tecer multidireccionais e multidimensionais ou mquinas de enterlaar, incluindo kits de
modificao e adaptao, para tecer, enterlaar, ou entranar fibras para a produo de estruturas de
"compsitos", excepto maquinaria txtil no modificada para as utilizaes descritas anteriormente;
d. Equipamentos especialmente concebidos ou adaptados para a produo de fibras de reforo:
1. Equipamentos para transformar fibras polimricas (como poliacrilonitrilo, rayon breu ou policarbosilano),
em fibras de carbono ou carboneto de Silcio, incluindo equipamentos especiais para criar tenso na fibra
durante o aquecimento;
2. Equipamentos para deposio em fase vapor, por processo qumico, de elementos ou de compostos, em
substratos de filamentos aquecidos, para produzir fibras de carboneto de Silcio;
3. Equipamentos para fiao por via hmida de materiais cermicos refractrios (como o xido de Alumnio);
4. Equipamentos para converso, por tratamento trmico, de Alumnio contendo fibras com materiais
precursores em fibras de Alumina;
e. Equipamentos para produo de pr-impregnados referidos na alnea 1.C.10.e., pelo mtodo de fuso a
quente;
f. Equipamentos para inspeco no destrutiva, capaz de inspeccionar defeitos a trs dimenses, com a
utilizao de tomografia ultra-snica ou raio X e especialmente concebidos para materiais "compsitos";
1. B. 2. Sistemas e componentes especialmente concebidos para produo de ligas metlicas, ps de ligas
metlicas ou materiais ligados referidos nas alneas 1.C.2.a.2., 1.C.2.b. ou 1.C.2.c.;
1. B. 3. Ferramentas, cunhos, moldes ou acessrios, para "enformao no estado de superplasticidade" ou
"soldadura por difuso" de Titnio ou Alumnio ou suas ligas, especialmente concebidos para a produo de:
a. Estruturas para indstria aeronutica ou aeroespacial;
b. Motores aeronuticos ou aeroespaciais; ou de
c. Componentes especialmente concebidos para estas estruturas ou motores.

1. C. MATERIAIS

1. C. 1. Materiais especialmente concebidos para absorver as ondas electromagnticas, ou polmeros


intrinsecamente condutores:
a. Materiais para absoro de frequncias superiores a 2 x 10(elevado a 8) Hz e inferiores a 3 x 10(elevado a
12) Hz, com excepo dos seguintes:
Nota: Nenhuma das disposies da alnea 1.C.1.a. autoriza a excluso dos materiais magnticos que
permitam a absoro quando esto contidos na pintura.
1. Absorventes do tipo capilar, constitudos por fibras naturais ou sintticas, com carga no magntica para
permitir a absoro;
2. Absorventes sem perda magntica, cuja superfcie incidente no seja de forma plana, compreendendo
pirmides, cones, prismas e superfcies em espiral;
3. Absorventes planos:
a. Constitudos de:
Nota Tcnica: As amostras para ensaios de absoro mencionadas na alnea 1.C.1.a.3.a. devem ter a forma
de um quadrado com lado igual ou superior a 5 comprimentos de onda da frequncia central e situado no
campo afastado da fonte radiante.
1. Materiais de espuma plstica (flexveis ou no flexveis) com carga de carbono, ou de materiais orgnicos,
incluindo os ligandos que produzam um eco superior a 5% em relao ao metal, sobre uma banda de largura
superior a (mais ou menos)15% da frequncia central da energia incidente e incapazes de resistir a
temperaturas superiores a 450 K (177C); ou
2. Materiais cermicos que produzam um eco superior a 20% em relao ao metal, sobre uma banda de
largura superior a (mais ou menos)15% da frequncia central da energia incidente e incapazes de resistir a
temperaturas superior a 800 K (527C);
b. Tenso de rotura traco inferior a 7 x 10(elevado a 6) N/m2; e
c. Tenso de rotura compresso inferior a 14 x 10(elevado a 6) N/m2;
4. Absorventes planos constitudos de ferrite sinterizada, com:
a. Peso especfico superior a 4,4; e
b. Temperatura mxima de funcionamento de 548 K (275C);
1. C. 1. b. Materiais para absoro de frequncias superiores a 1,5 x 10(elevado a 14) Hz e inferiores a 3,7 x
10(elevado a 14) Hz e no transparentes luz visvel;
1. C. 1. c. Materiais polmeros intrinsecamente condutores com uma condutividade elctrica volmica
superior a 10000 S/m (Siemens por metro) ou uma resistividade superficial inferior a 100 ohms/quadrado,
base de qualquer dos seguintes polmeros:
1. Polianilina;
2. Polipirrol;
3. Politiofeno;
4. Polifenileno-vinileno; ou
5. Polietileno-vinileno;
Nota Tcnica: A condutividade elctrica volmica e a resistividade srie (superficial) so determinadas de
acordo com a norma ASTM D-257 ou normas nacionais equivalentes.
1. C. 2. Ligas metlicas, ps de ligas metlicas ou materiais ligados:
Nota: O pargrafo 1.C.2. no compreende as ligas metlicas, ps de ligas metlicas ou materiais ligados
para o revestimento de substratos.
1. C. 2. a. Ligas metlicas:
1. Ligas de nquel ou de titnio na forma de aluminetos, quer em bruto quer em semi-produtos:
a. Aluminetos de nquel que contenham, em peso, 10% ou mais de alumnio;
b. Aluminetos de titnio que contenham, em peso, 12% ou mais de alumnio;
1. C. 2. a. 2. Ligas metlicas, obtidas a partir de ps ou de partculas finas de ligas metlicas referidas na
alnea 1.C.2.b.:
a. Ligas de nquel com:
1. Tempo de vida rotura por fluncia de 10000 horas ou mais a 923 K (650C) e a uma tenso de 550 MPa;
ou
2. Resistncia fadiga oligocclica de 10000 ciclos ou mais a 823 K (550C) e a uma tenso mxima de 700
MPa;
1. C. 2. a. 2. b. Ligas de nibio com:
1. Tempo de vida rotura por fluncia de 10000 horas ou mais a 1073 K (800C) e a uma tenso de 400
MPa; ou
2. Resistncia fadiga oligocclica de 10000 ciclos ou mais a 973 K (700C) e a uma tenso mxima de 700
MPa;
1. C. 2. a. 2. c. Ligas de titnio com:
1. Tempo de vida rotura por fluncia de 10000 horas ou mais a 723 K (450C) e a uma tenso de 200 MPa;
ou
2. Resistncia fadiga oligocclica de 10000 ciclos ou mais a 723 K (450C) e a uma tenso mxima de 400
MPa;
1. C. 2. a. 2. d. Ligas de alumnio com uma tenso de rotura traco:
1. Igual ou superior a 240 MPa a 473 K (200C); ou
2. Igual ou superior a 415 MPa a 298 K (25C);
1. C. 2. a. 2. e. Ligas de magnsio com uma tenso de rotura traco igual ou superior a 345 MPa e uma
velocidade de corroso inferior a 1 mm/ano numa soluo aquosa de cloreto de sdio a 3%, medida de
acordo com a norma, ASTM-G-31 ou normas nacionais equivalentes;
1. C. 2. a. Notas Tcnicas: 1. As ligas metlicas referidas na alnea 1.C.2.a. so ligas com uma maior
percentagem em peso do metal indicado que de qualquer outro elemento.
2. O tempo de vida rotura por fluncia deve ser medido de acordo com a norma ASTM E-139 ou normas
nacionais equivalentes.
3. A resistncia fadiga oligocclica deve ser medida de acordo com a norma ASTM E-606 'Mtodo
recomendado para o ensaio de resistncia fadiga oligocclica a amplitude constante' ou normas nacionais
equivalentes. O ensaio deve ser axial, com um rcio de tenso mdia igual a 1 e um factor de concentrao
de tenses (K(ndice t)) igual a 1. O rcio de tenso mdia define-se como o quociente da diferena entre a
tenso mxima e a mnima pela tenso mxima.
1. C. 2. b. Ps ou partculas finas de ligas metlicas para os materiais referidos na alnea 1.C.2.a.:
1. Constitudos por um dos seguintes sistemas de composio:
Nota Tcnica: X representa um ou mais elementos de liga.
a. Ligas de nquel (Ni-Al-X, Ni-X-Al), qualificadas para peas ou componentes de motores de turbina, ou seja
com menos de 3 partculas no metlicas (introduzidas durante o processo de fabrico) maiores que 100
micrmetros, em 10(elevado a 9) partculas de ligas metlicas;
b. Ligas de nibio (Nb-Al-X ou Nb-X-Al, Nb-Si-X ou Nb-X-Si, Nb-Ti-X ou Nb-X-Ti);
c. Ligas de titnio (Ti-Al-X ou Ti-X-Al);
d. Ligas de alumnio (Al-Mg-X ou Al-X-Mg, Al-Zn-X ou Al-X-Zn, Al-Fe-X ou Al-X-Fe); ou
e. Ligas de magnsio (Mg-Al-X ou Mg-X-Al). e
2. Obtidas, em atmosfera controlada, por um dos processos:
a. "Atomisao em vazio";
b. "Atomisao por gs";
c. "Atomisao centrfuga";
d. "Tmpera brusca";
e. "Tmpera por rolo" e "pulverizao";
f. "Extraco em fuso" e "pulverizao"
g. "Ligao mecnica".
1. C. 2. c. Materiais ligados, na forma de palhetas, fitas ou barras delgadas, no pulverizadas, obtidos em
atmosfera controlada por "tmpera brusca", "tmpera por rolo" ou "extraco em fuso", utilizados para o
fabrico de ps ou de partculas finas de ligas metlicas referidas na alnea 1.C.2.b.;
1. C. 3. Metais magnticos, de todos os tipos e formas, que possuam qualquer das seguintes caractersticas:
a. Permeabilidade relativa inicial igual ou superior a 120000 e espessura igual ou inferior a 0,05 mm;
Nota Tcnica: A medida da permeabilidade inicial efectua-se aps recozimento completo dos materiais.
b. Ligas magnetoestrictivas com:
1. Magnetoestrico de saturao superior a 5 x 10(elevado a -4); ou
2. Factor de ligao magnetomecnico (K) superior a 0,8; ou
c. Folhas de liga amorfa com:
1. Composio que contenha, no mnimo, 75%, em peso, de ferro, cobalto ou nquel; e
2. Induo magntica de saturao (Bs) igual ou superior a 1,6 T e:
a. Espessura igual ou inferior a 0,02 mm; ou
b. Resistividade elctrica igual ou superior a 2 x 10(elevado a -4) ohm. cm;
1. C. 4. Ligas de urnio titnio ou ligas de tungstnio com "matriz" base de ferro, de nquel ou de cobre, que
possuam todas as seguintes caractersticas:
a. Massa volmica superior a 17,5 g/cm3;
b. Tenso limite de elasticidade superior a 1250 MPa;
c. Tenso de rotura traco superior a 1270 MPa; e
d. Alongamento superior a 8%;
1. C. 5. Condutores de materiais "compsitos", "supercondutores", em comprimentos superiores a 100 m ou
com massa superior a 100 gr:
1. C. 5. a. Condutores de materiais "compsitos", "supercondutores", de multifilamentos, que contenham um
ou mais filamentos de nibio-titnio:
1. Integrados numa "matriz" que no seja de cobre ou de um mistura base de cobre; ou
2. Com uma seco transversal de rea inferior a 0,28 x 10(elevado a -4) mm2 (ou 6 micrmetros de
dimetro no caso de filamentos circulares);
1. C. 5. b. Condutores de materiais "compsitos", "supercondutores", constitudos de filamento(s)
"supercondutor(es)" que no sejam de nibio-titnio, e que possuam todas as seguintes caractersticas:
1. "Temperatura crtica" a uma induo magntica nula, superior a 9,85 K (-263,31C) mas inferior a 24 K (-
249,16C)
2. Seco transversal inferior a 0,28 x 10(elevado a -4) mm2; e
3. Permaneam no estado "supercondutor" a uma temperatura de 4,2 K (-268,96C), quando expostos a um
campo magntico correspondente a uma induo magntica de 12 T;
1. C. 6. Fludos e substncias lubrificantes:
a. Fludos hidrulicos que contm como ingredientes principais um dos compostos ou substncias seguintes:
1. leos de hidrocarbonetos sintticos ou leos de hidrocarbonetos siliciosos, que apresentem todas as
caractersticas seguintes:
Nota: Para efeitos da alnea 1.C.6.a.1. os leos de hidrocarbonetos siliciosos contm exclusivamente silcio,
hidrognio e carbono.
a. Ponto de inflamao superior a 477 K (204C);
b. Ponto de escoamento inferior ou igual a 239 K (-34C);
c. ndice de viscosidade igual ou superior a 75; e
d. Estabilidade trmica a 616 K (343C); ou
2. Clorofluorcarbonetos que apresentem todas as caractersticas seguintes:
Nota: Para efeitos da alnea 1.C.6.a.2., os clorofluorcarbonetos contm exclusivamente carbono, fluor e cloro.

a. Sem ponto de inflamao;


b. Temperatura de ignio espontnea superior a 977 K (704C);
c. Ponto de escoamento inferior ou igual a 219 K (-54.C);
d. ndice de viscosidade igual ou superior a 80; e
e. Ponto de ebulio igual ou superior a 473 K (200C);
1. C. 6. b. Substncias lubrificantes que contm como ingredientes principais um dos compostos ou
substncias seguintes:
1. teres ou tio-teres de fenilenos ou de alquilfenilenos, ou suas misturas, que contenham mais de duas
funes teres ou tio-teres ou suas misturas; ou
2. Fludos de silicone fluorado com uma viscosidade cinemtica inferior a 5000 mm2/S (5000 centistokes)
medida a 298 K (25C);
1. C. 6. c. Fludos de amortecimento ou de flotao com grau de pureza superior a 99,8%, que contm
menos de 25 partculas de dimenso igual ou superior a 200 micrmetros por 100 ml e constitudos, em pelo
menos 85%, de um dos compostos ou substncias seguintes:
1. Dibromotetrafluoretano;
2. Policlorotrifluoretileno (apenas nas suas formas oleosas e cerosas); ou
3. Polibromotrifluoretileno;
1. C. 6. Nota Tcnica: Para efeitos do pargrafo 1.C.6.:
a. O ponto de inflamao determina-se pelo mtodo Cleveland em vaso aberto, descrito na norma ASTM D-
92, ou normas nacionais equivalentes;
b. O ponto de escoamento determina-se pelo mtodo descrito na norma ASTM D-97, ou normas nacionais
equivalentes;
c. O ndice de viscosidade determina-se pelo mtodo descrito na norma ASTM D-2270, ou normas nacionais
equivalentes;
d. A estabilidade trmica determina-se pelo mtodo seguinte, ou mtodos nacionais equivalentes:
Colocam-se 20 ml do fluido a ensaiar numa cmara de 46 ml de ao inoxidvel do tipo 317, que contm uma
esfera de 12,5 mm de dimetro (nominal) de cada um dos seguintes materiais: ao para ferramentas M-10,
ao 52100 e bronze naval (60% Cu, 39% Zn, 0,75% Sn). Purga-se a cmara com azoto, fecha-se
hermeticamente presso atmosfrica, e eleva-se a temperatura a 644 (mais ou menos) 6 K (371 (mais ou
menos) 6C), mantendo-se a este nvel durante 6 horas.
A amostra considera-se termicamente estvel se, no final do processo acima descrito, se verificarem todas
as condies seguintes:
1. Perda de peso de cada esfera metlica inferior a 10 mg/mm2 da superfcie da esfera;
2. Reduo da viscosidade inicial, determinada a 311 K (38C) inferior a 25%; e
3. ndice de acidez total ou ndice de alcalinidade total inferior a 0,40;
e. A temperatura de ignio espontnea determina-se pelo mtodo descrito na norma ASTM E-659 ou
normas nacionais equivalentes.
1. C. 7. Materiais cermicos de base, materiais cermicos no "compsitos", materiais "compsitos" com
"matriz" cermica e materiais precursores:
a. Materiais de base em boretos de titnio simples ou complexos, com um total de impurezas metlicas,
excluindo aditivos intencionais, inferiores a 5000 ppm, e com um tamanho mdio por partcula, igual ou
inferior a 5 micrmetros, e no mais de 10% de partculas superiores a 10 micrmetros;
b. Materiais cermicos no "compsitos" em bruto ou em semi-produtos, excepto abrasivos, compostos de
boretos de titnio com uma densidade igual ou superior a 98% do valor terico;
1. C. 7. c. Materiais "compsitos' cermicos-cermicos, com "matriz" de vidro ou de xido, reforados com
fibras de qualquer dos seguintes sistemas:
1. Si-N;
2. Si-C;
3. Si-Al-O-N; ou
4. Si-O-N;
d. Materiais "compsitos" cermicos-cermicos, com ou sem um fase metlica continua, com partculas ou
fases finamente dispersas de qualquer material fibroso ou do tipo whisker, em que carbonetos ou nitretos de
silicio, zircnio ou boro constituem a "matriz";
e. Materiais precursores (por exemplo: materiais polimeros ou metalo-orgnicos especiais) para a produo
de qualquer fase ou fases dos materiais referidos na alnea 1.C.7:
1. Polidiorganossilanos (para a produo de carboneto de silicio);
2. Polissilazanos (para a, produo de nitreto de silicio);
3. Policarbossilazanos (para a produo de cermicas compreendendo os compostos de silicio, de carbono e
de azoto);
1. C. 8. Polmeros no fluorados:
a. 1. Bismaleimidas;
2. Poliamidimidas aromticas;
3. Poliimidas aromticas:
4. Polieterimidas aromticas - com temperatura de transio vtrea (Tg) superior a 530 K (230C) medida pelo
mtodo de via hmida;
Nota: A alnea 1.C.8.a. no compreende os ps de moldagem por compresso sem fuso, nem as formas
moldadas por compresso sem fuso.
1. C. 8. b. Copolmeros de cristais lquidos termoplsticos que tenham uma temperatura de deformao
trmica superior a 523 K (250C), medida de acordo com a norma ASTMD-D-648, mtodo A, ou normas
nacionais equivalentes, com uma carga de 1,82 N/mm2 e compostos por:
1. Uma das seguintes substncias:
a. Fenileno, bifenileno ou naftaleno; ou
b. Metil, butil tercirio ou fenileno, bifenileno ou naftaleno substitudos por fenil; e
2. Um dos seguintes cidos:
a. cido tereftlico;
b. cido 6-hidroxi-2-naftico; ou
c. cido 4-hidroxibenzico;
c. Cetonas poliarileno eter:
1. Politer ter cetona (PEEK);
2. Polieter cetona cetona (PEKK);
3. Polieter cetona (PEK);
4. Polieter cetona ter cetona cetona (PEKEKK);
1. C. 8. d. Cetonas poliarileno;
e. Sulfuretos poliarileno, onde o grupo arileno constitudo de bifenileno, de trifenileno ou combinaes dos
mesmos;
f. Polibifenilenotersulfona.
1. C. 9. Compostos fluorados no tratados:
a. Copolmeros de fluoreto de vinilideno com uma estrutura cristalina beta igual ou superior a 75%, sem
estiragem;
b. Polimidas fluoradas com 30% ou mais de fluor combinado;
c. Elastmeros de fosfazeno fluorado com 30% ou mais de fluor combinado;
1. C. 10. "Materiais fibrosos ou filamentosos" que possam ser utilizados em estruturas ou produtos laminados
"compsitos" com "matriz" orgnica, metlica ou de carbono:
a. "Materiais fibrosos ou filamentosos" orgnicos (excepto polietileno) com:
1. Mdulo especfico superior a 12,7 x 10(elevado a 6) m; e
2. Tenso de rotura traco especfica superior a 23,5 x 10(elevado a 4) m;
b. "Materiais fibrosos ou filamentosos" de carbono com:
1. Mdulo especfico superior a 12,7 x 10(elevado a 6) m; e
2. Tenso de rotura traco especifica superior a 23,5 x 10(elevado a 4) m;
Nota Tcnica: As propriedades dos materiais referidos na alnea 1.C.10.b. devem ser determinadas pelos
mtodos SRM 12 a 17 recomendados na SACMA, ou por mtodos nacionais equivalentes de ensaio de
cabos de filamentos tais como o Japanese Industrial Standard JIS-R-7601, Pargrafo 6.6.2., e com base na
mdia dos lotes.
c. "Materiais fibrosos e filamentosos" inorgnicos com:
1. Mdulo especfico superior a 2,54 x 10(elevado a 6) m; e
2. Ponto de fuso, de decomposio ou de sublimao, superior a 1922 K (1649C) em atmosfera inerte;
Nota: A alnea 1.C.10.c. no compreende:
1. As fibras de alumina policristalina, multifsica e descontnua, sob a forma de fibras picadas ou de
entranado irregular, com um teor, em peso, de silica igual ou superioor a 3% e um mdulo especfico inferior
a 10 x 10(elevado a 6) m;
2. As fibras de molibdnio e de ligas de molibdnio;
3. As fibras de boro;
4. As fibras cermicas descontnuas com ponto de fuso, de decomposio ou de sublimao inferior a 2043
K (1770C), em atmosfera inerte.
1. C. 10. d. "Materiais fibrosos ou filamentosos":
1. Constitudos por um dos seguintes elementos:
a. Polieterimidas referidas na alnea 1.C.8.a.; ou
b. Substncias referidas nas alneas 1.C.8.b., c., d., e., ou f.; ou
2. Constitudos por materiais referidos na alnea 1.C.10.d.1.a. ou b. e "misturas" de outras fibras referidas nas
alneas 1.C.10.a., b. ou c.;
e. Fibras impregnadas de resina ou de breu (primpregnadas), fibras revestidas de metal ou de carbono
(prformadas) ou prformas de fibra de carbono:
1. Constitudas de "materiais fibrosos ou filamentosos" referidos nas alneas 1.C.10.a., b., ou c; ou
2. Constitudas de "materiais fibrosos ou filamentosos" orgnicos ou de carbono com as seguintes
caractersticas:
a. Tenso de rotura traco especfica superior a 17,7 x 10(elevado a 4) m;
b. Mdulo especfico superior a 10,15 x 10(elevado a 6) m;
c. No compreendidas nas alneas 1.C.10.a. ou b.; e
d. Quando impregnadas com materiais referidos no pargrafo 1.C.8. ou na alnea 1.C.9.b., ou de resinas
fenlicas, ou de resinas epxidas com uma temperatura de transio vtrea (Tg) superior a 383 K (110C).
1. C. 10. Notas Tcnicas: 1. Mdulo especfico: o mdulo de Young expresso em pascais, equivalente a
N/m2, dividido pelo peso especfico expresso em N/m3, medido temperatura de (296(mais ou menos)2) K
[(23(mais ou menos)2)C] e a uma humidade relativa de (50(mais ou menos)5)%.
2. Tenso de rotura traco especfica: a tenso de rotura traco, expressa em pascais, equivalente a
N/m2, dividido pelo peso especfico, expresso em N/m3, medida temperatura de (296(mais ou menos)2) K
[(23(mais ou menos)2)C], e a uma humidade relativa de (50(mais ou menos)5)%.

1. D. "SOFTWARE"
1. D. 1. "Software" especialmente concebido ou modificado para o "desenvolvimento", a "produo" ou a
"utilizao" dos equipamentos compreendidos na sub-Categoria 1.B.;
1. D. 2. "Software" para o "desenvolvimento" de produtos laminados ou de materiais "compsitos" com uma
"matriz" orgnica metlica ou de carbono.

1. E. TECNOLOGIA

1. E. 1. Tecnologia de acordo com a Nota Geral de Tecnologia para o "desenvolvimento" ou a "produo" dos
equipamentos ou materiais referidos nas alneas 1.A.1.b., 1.A.1.c., 1.A.2., 1.A.3., 1.B.; ou 1.C.;
1. E. 2. Outras tecnologias:
1. E. 2. a. Tecnologia para o "desenvolvimento" ou "produo" de polibenzotiazis ou de polibenzoxazois;
1. E. 2. b. Tecnologia para o "desenvolvimento" ou a "produo" de compostos de fluorelastmeros com, pelo
menos, um monmero de vinilter;
1. E. 2. c. Tecnologia para a concepo ou "produo" dos materiais de base ou dos materiais cermicos no
"compsitos seguintes:
1. E. 2. c. 1. Materiais de base que apresentem todas as caractersticas seguintes:
1. E. 2. c. 1. a. Qualquer das seguintes composies:
1. xidos de zircnio simples ou complexos e xidos complexos de silcio ou de alumnio;
2. Nitretos de boro simples (formas cristalinas cbicas);
3. Carbonetos de silcio ou de boro simples ou complexos; ou
4. Nitretos de silcio simples ou complexos;
1. E. 2. c. 1. b. Total de impurezas metlicas, excluindo aditivos intencionais, com menos de:
1. 1000 ppm para os xidos ou carbonetos simples; ou
2. 5000 ppm para compostos complexos ou nitretos simples; e
1. E. 2. c. 1. c. 1. Tamanho mdio por partcula igual ou inferior a 5 micrmetros e no mais que 10% de
partculas superiores a 10 micrmetros; ou
Nota: Para o xido de zircnio, estes limites so respectivamente de 1 e 5 micrmetros.
2. a. Placas cuja relao comprimento-espessura superior a 5;
b. Whiskers cuja relao comprimento-dimetro superior a 10, para os dimetros inferiores a 2
micrmetros; e
c. Fibras contnuas ou descontnuas com um dimetro inferior a 10 micrmetros;
1. E. 2. c. 2. Materiais cermicos no "compsitos" (excepto abrasivos) compostos por materiais referidos na
alnea, 1.E.2.C.1.;
1. E. 2. d. Tecnologia para a "produo" de fibras de poliamida aromtica;
1. E. 2. e. Tecnologia para a instalao, a manuteno ou a reparao dos materiais referidos no pargrafo
1.C.1.;
1. E. 2. f. Tecnologia para a reparao das estruturas ou produtos laminados "compsitos" referidos no
pargrafo 1.A.2., ou nas alneas 1.C.7.c. ou 1.C.7.d.

CAPTULO II
CATEGORIA 2
TRATAMENTO DE MATERIAIS

2. A. EQUIPAMENTOS CONJUNTOS E COMPONENTES

2. A. Rolamentos ou sistemas de rolamentos a seguir referidos e suas componentes:


Nota: A sub-Categoria 2.A. no compreende esferas com tolerncias especificadas pelo fabricante de acordo
com a norma ISO 3290, grau 5, ou pior.
2. A. 1. Rolamentos de esferas ou rolamentos de rolos macios (com excepo dos rolamentos de rolos
cnicos) com tolerncias indicadas pelo fabricante de acordo com especificaes ABEC 7, ABEC 7P, ABEC
7T ou norma ISO Classe 4 ou melhor (ou normas nacionais equivalentes), e que possuam uma das
seguintes caractersticas:
a. Anis, esferas ou rolos fabricados em monel ou berlio;
b. Fabricados para utilizao a temperaturas acima de 573 K (300C) quer por aplicao de materiais
especiais quer por tratamentos trmicos especiais; ou
c. Elementos lubrificantes ou modificaes dos componentes que, de acordo com as especificaes tcnicas
do fabricante, sejam especialmente concebidos para permitir o seu funcionamento a velocidades superiores
a 2.3 milhes DN;
2. A. 2. Outros rolamentos de esferas ou rolamentos de rolos macios (com excepo dos rolamentos de
rolos cnicos) com tolerncias indicadas pelo fabricante de acordo com especificaes ABEC 9, ABEC 9P ou
norma ISO classe 2 ou melhor (ou normas nacionais equivalentes);
2. A. 3. Rolamentos de rolos cnicos macios com tolerncias indicadas pelo fabricante de acordo com
especificaes ANSI/AFBMA classe 00 (polegadas) ou classe A (mtrica) ou melhor (ou normas nacionais
equivalentes) e que possuam uma das seguintes caractersticas:
a. Elementos lubrificantes ou modificaes de componentes que, de acordo com especificaes do
fabricante, sejam especialmente concebidos para permitir o seu funcionamento a velocidades superiores a
2,3 milhes DN; ou
b. Tenham sido fabricados para utilizao a temperaturas inferiores a 219 K (-54C) ou superiores a 423 K
(150C);
2. A. 4. Rolamentos deslizantes lubrificados a gs, produzidos para utilizao a temperaturas de 561 K
(288C) ou superiores e com um capacidade de carga unitria superior a 1 MPa;
2. A. 5. Sistemas de rolamentos magnticos activos;
2. A. 6. Rolamentos, com revestimento txtil, de alinhamento automtico ou rolamentos deslizantes
fabricados para utilizao a temperaturas inferiores a 219 K (-54C) ou superiores a 423 K (150C).
2. A. Notas Tcnicas: 1. DN o produto do dimetro interno do rolamento em mm pela velocidade de rotao
do rolamento em rpm.
2. As temperaturas de funcionamento so as que se obtm depois da paragem do motor de uma turbina a
gs.
(Para rolamentos de funcionamento silencioso, ver o artigo 9 da Lista de Material de Guerra).

2. B. EQUIPAMENTOS DE ENSAIO, DE CONTROLO E DE PRODUO

2. B. Nota: A sub-categoria 2.B. no compreende sistemas de medida de interfermetro, sem retomo ciclco
fechado ou aberto, contendo um "laser" para medio de erros nos movimentos do carro das mquinas-
ferramentas, mquinas de controlo dimensional ou equipamentos similares.
2. B. 1. Unidades de "comando numrico", "painis de controlo de movimento" especialmente concebidos
para aplicaes de "comando numrico" de mquinas ferramentas, e componentes especialmente
concebidos para as mesmas:
Notas Tcnicas: 1. Os eixos secundrios de contorno paralelo, por exemplo o eixo W nas mandriladoras
horizontais ou a linha central do eixo de rotao secundrio que paralelo ao eixo de rotao primrio, no
so contabilizados no nmero total de eixos de contorno.
N.B.: Os eixos de rotao no necessitam rodar 360. Um eixo de rotao pode ser accionado por um
dispositivo linear, por exemplo, um parafuso ou um sistema de pinho e cremalheira.
2. A nomenclatura dos eixos deve estar de acordo com a Norma Internacional ISO 841, Mquinas de
comando numrico - Nomenclatura dos eixos e dos movimentos.
2. B. 1. a. Unidades de "comando numrico" para mquinas ferramentas e componentes especialmente
concebidos, para os mesmos:
Nota: A alnea 2.B.1.a. no compreende as unidades de "comando numrico" seguintes:
a. Modificadas para mquinas no sujeitas a controlo e incorporadas nas mesmas; ou
b. Especialmente concebidas para mquinas no sujeitas a controlo.
2. B. 1. a. 1. Com mais do que 4 eixos que podem ser coordenados simultneamente por interpolao para
"controlo de contorno";
2. B. 1. a. 2. Com dois, trs ou quatro eixos que podem ser coordenados simultneamente por interpolao
para "controlo de contorno" e;
2. B. 1. a. 2. a. Com capacidade de modificao de dados em "processamento em tempo real", durante a
operao de maquinagem, percurso da ferramenta, velocidade de avano e dados do fuso atravs de:
1. Clculo e modificao automticos de parte dos dados do programa para maquinagem em dois ou mais
eixos atravs de ciclos de medida e acesso fonte de dados; ou
2. "Controlo adaptativo" com o processamento e medio de mais do que uma varivel fsica, atravs de um
modelo de computao (estratgia) de forma a modificar uma ou mais instrues de maquinagem para
optimizao do processo;
2. B. 1. a. 2. b. Com capacidade para receber directamente (em linha) e para processar dados de CAD
(Computer Aided Design) para preparao interna de instrues da mquina; ou
2. B. 1. a. 2. c. Com capacidade, sem modificao, de acordo com especificaes tcnicas do fabricante, de
aceitar painis adicionais que permitam aumentar para alm dos nveis referidos no pargrafo 2.B.1, o
nmero de eixos interpoladores que podem ser coordenados em simultneo para o "controlo de contorno",
mesmo que no possuam esses painis adicionais;
2. B. 1. b. "Painis de controlo de movimento" especialmente concebidos para mquinas ferramentas que
possuam uma das seguintes caractersticas:
1. Interpolao em mais do que quatro eixos;
2. Capacidade de "processamento em tempo real" descrita na alnea 2.B.1.a.2.a.; ou
3. Capacidade de receber e processar dados de CAD descrita na alnea 2.B.1.a.2.b.;
2. B. 1. c. Mquinas ferramentas, a seguir indicadas, para a remoo ou corte de metais, materiais cermicos
ou "compsitos", que, de acordo com as especificaes tcnicas do fabricante, podem ser equipadas com
dispositivos electrnicos para "controlo de contorno" simultneo em dois ou mais eixos:
2. B. 1. c. 1. Mquinas ferramentas para tornear, rectificar, fresar ou qualquer combinao entre elas, com:
a. Dois ou mais eixos que podem ser coordenados simultneamente para "controlo de contorno"; e
2. B. 1. c. 1. b. Que apresentem uma das seguintes caractersticas:
2. B. 1. c. 1. b. 1. Dois ou mais eixos de rotao de contorno;
Nota Tcnica: O eixo C das rectificadoras de coordenadas utilizado para manter a perpendicularidade da m
em relao ao plano de trabalho no considerado como eixo de rotao de contorno.
2. B. 1. c. 1. b. 2. Um ou mais "fusos basculantes" de contorno;
Nota: A alnea 2.B.1.c.1.b.2. aplica-se smente a mquinas ferramentas de rectificar ou de fresar.
2. B. 1. c. 1. b. 3. "Deslocamento axial" medido no eixo do fuso durante uma rotao deste, inferior a (melhor)
0,0006 mm TIR;
Nota: A alnea 2.B.1.c.1.b.3. aplica-se smente a mquinas ferramentas para tornear.
2. B. 1. c. 1. b. 4. "Deslocamento segundo o eixo radial" medido no eixo do fuso durante uma rotao deste,
inferior a (melhor) 0,0006 mm TIR;
2. B. 1. e. 1. b. 5. Precises de posicionamento, com todas as compensaes disponveis, inferiores
(melhores) a:
a. 0,001 em qualquer eixo de rotao; ou
b. 1. 0,004 mm ao longo de qualquer eixo linear (posicionamento global) para mquinas de rectificar;
2. 0,006 mm ao longo de qualquer eixo linear (posicionamento global) para mquinas de tornear ou fresar; ou

Nota: A alnea 2.B.1.c.1.b.5. no compreende mquinas ferramentas de fresar ou tornear com preciso de
posicionamento ao longo de um eixo, com todas as compensaes disponveis, igual ou superior (pior) a
0,005 mm.
2. B. 1. c. 1. b. 5. Nota Tcnica: A preciso de posicionamento de mquinas ferramentas de "comando
numrico" deve ser apresentada e determinada de acordo com a norma ISO/DIS 230/2, pargrafo 2.13, em
conjugao com os seguintes requisitos:
a. Condies de ensaio (pargrafo 3):
1. A mquina ferramenta e o equipamento de medida de preciso devem ser mantidos temperatura
ambiente, 12 horas antes e durante as medies.
No tempo que precede as medies os carros da mquina devem realizar ciclos contnuos, da mesma forma
como so tomadas as medidas de preciso;
2. Na exportao, a mquina deve ser equipada com todos os dispositivos de compensao (mecnica,
electrnica, ou de software).
3. A preciso do equipamento de medida deve ser pelo menos 4 vezes superior preciso prevista para a
mquina ferramenta;
4. As fontes de energia para alimentao do sistema de accionamento dos carros, devem cumprir as
seguintes condies:
a. A variao de tenso do sector no deve exceder (mais ou menos)/10% da tenso nominal;
b. A variao da frequncia no deve exceder em (mais ou menos)2 Hz a frequncia normal;
c. Cortes ou interrupo do funcionamento no so permitidos.
b. Programa de ensaio (pargrafo 4):
1. A velocidade de avano (velocidade dos carros) durante a medio deve ser a velocidade transversal
rpida;
N.B.: No caso das mquinas ferramentas que permitem obter superfcies de qualidade ptica, a velocidade
de avano deve ser igual ou inferior a 50 mm por minuto;
2. As medies devem ser efectuadas de uma forma incremental, desde um limite do eixo at ao outro, sem
retomo posio inicial para cada movimento da posio desejada;
3. Durante o ensaio de um eixo, os eixos que no foram medidos, devem permanecer a meio percurso.
c. Apresentao dos resultados dos ensaios (pargrafo 2):
Os resultados das medies devem incluir:
1. A preciso de posicionamento (a.4.a); e
2. O erro de inverso mdio (a.4.b.).
2. B. 1. c. 1. b. 6. a. Preciso de posicionamento menor (melhor) que 0,007 mm; e
b. Movimento, do carro, para todos os carros, ao receber um ordem de comando inferior a 0,5 micrmetros,
desde o repouso, at que se posicione nos limites de (mais ou menos)20% do valor ordenado;
2. B. 1. c. 1. b. 6. Nota Tcnica: Ensaio de movimento de incremento mnimo (movimento do carro a partir do
repouso):
O ensaio s efectuado se a mquina ferramenta fr equipada com uma unidade de comando cujo
incremento mnimo seja inferior (melhor) a 0,5 micrmetros.
A mquina deve ser preparada para o ensaio de acordo com a norma ISO 230/2 pargrafos 3.1, 3.2, 3.3.
O ensaio deve ser efectuado em cada eixo da mquina ferramenta da seguinte forma:
a. Deslocar o eixo duas vezes pelo menos de 50% do curso total nos dois sentidos velocidade avano
mxima, velocidade transversal rpida ou manualmente;
b. Esperar pelo menos 10 segundos;
c. Com a entrada manual de dados, introduzir o incremento mnimo programvel da unidade de comando;
d. Medir o movimento do eixo;
e. Limpar a unidade de comando atravs da anulao do dispositivo de reiniciao ou de qualquer outro sinal
de reposicionamento no painel de comando geral;
f. Repetir os passos 2 a 5, cinco vezes, duas vezes na mesma direco do eixo transversal e trs vezes na
direco oposta da transversal, num total de seis pontos de ensaio;
g. Se o movimento do eixo estiver entre 80 e 120% do valor mnimo programvel para quatro dos seis pontos
de ensaio, a mquina dever ser controlada.
Para os eixos de rotao, a medio deve ser efectuada a 200 mm do centro de rotao.
2. B. 1. c. 1. Notas: 1. A alnea 2.B.1.c.1 no compreende rectificadoras cilndricas de interior ou externas
com as seguintes caractersticas:
a. Rectificadoras que no as excntricas;
b. Limitadas a rectificao cilndrica;
c. Para execuo de peas com dimenso ou dimetro exterior mximo de 150 mm;
d. Com apenas dois eixos que possam ser simultneamente coordenados para "controlo de contorno"; e
e. Sem eixo C de contorno.
2. A alnea 2.B.1.c.1. no compreende mquinas especialmente concebidas como rectificadoras de
coordenadas com as seguintes caractersticas:
a. Eixos limitados a x, y, c e a, utilizando-se o eixo c para manter a m perpendicular ao plano de trabalho, e
estando o eixo a configurado para rectificar cames de tambor; e
b. "Deslocamento segundo o eixo radial" do fuso no inferior (no melhor) a 0,0006 mm.
2. B. 1. c. 1. Notas: 3. A alnea 2.B.1.c.1. no compreende mquinas de afiar ferramentas ou ferramentas de
corte que possuam todas as seguintes caractersticas:
a. Sejam expedidas como um sistema completo, com software especialmente desenvolvido para a produo
de ferramentas ou ferramentas de corte;
b. No possuam mais do que dois eixos de rotao que possam ser simultneamente coordenados para
"controlo de contorno";
c. "Deslocamento segundo o eixo radial" medido no eixo do fuso durante uma rotao no inferior (no
melhor) a 0,0006 mm TIR; e
d. Precises de posicionamento, com todas as compensaes disponveis, no inferiores a:
1. 0,004 mm para todo o posicionamento ao longo de qualquer eixo linear; ou
2. 0,001 em qualquer eixo de rotao.
2. B. 1. c. 2. Mquinas de electro-eroso por fio, com cinco ou mais eixos que podem ser simultneamente
coordenados para controlo de contorno";
2. B. 1. c. 3. Mquinas de electro-eroso que no as por fio com dois ou mais eixos de rotao que podem
ser simultneamente coordenados para "controlo de contorno";
2. B. 1. c. 4. Mquinas ferramentas para remover metais, materiais cermicos ou "compsitos":
a. Atravs de:
1. Jacto de gua ou outros lquidos, incluindo os que utilizam aditivos abrasivos;
2. Feixe de electres; ou
3. Feixe de "laser"; e
b. Que possuam dois ou mais eixos de rotao que:
1. Podem ser simultneamente coordenados para "controlo de contorno"; e
2. Tm uma preciso de posicionamento inferior a (melhor) 0,003;
2. B. 2. Mquinas ferramentas que no as de "comando numrico" para gerar superfcies de qualidade
ptica:
2. B. 2. a. Mquinas de tornear com ferramenta de corte de um s ponto e que possuam todas as seguintes
caractersticas:
1. Preciso de posicionamento inferior (melhor) a 0,0005 mm por 300 mm de percurso;
2. Repetibilidade de posicionamento bidireccional inferior (melhor) a 0,00025 mm por 300 mm de percurso;
3. "Deslocamento axial" e "Deslocamento segundo o eixo radial" do fuso, inferiores (melhor) a 0,0004 mm
TIR;
4. Desvio angular do movimento do carro (desvio de direco, inclinao e rotao) inferior (melhor) a dois
segundos de arco, TIR, para a totalidade do movimento; e
5. Perpendicularidade inferior (melhor) a 0,001 mm por 300 mm de movimento;
Nota Tcnica: A repetibilidade de posicionamento bidireccional (R) de um eixo o mximo valor da
repetibilidade de posicionamento para qualquer posio ao longo ou em torno do eixo, determinada nas
condies especificadas na parte 2.11 da norma ISO 230/2: 1988.
2. B. 2. b. Mquinas de talhar com volante que tenham as duas seguintes caractersticas:
1. "Deslocamento axial" e "Deslocamento segundo o eixo radial" do fuso, inferiores a (melhor) 0,0004 mm
TIR; e
2. Desvio angular do movimento do carro (desvio de direco, inclinao e rotao) inferior a (melhor) 2
segundos de arco, TIR para a totalidade do movimento;
2. B. 3. Mquinas ferramentas de "comando numrico" ou manuais especialmente concebidas para cortar,
acabar, rectificar ou afiar, engrenagens cnicas ou engrenagens de estruturas paralelas endurecidas (RC =
40 ou superior), e seus componentes, controlos e acessrios especialmente concebidos para as mesmas:
a. Engrenagens cnicas endurecidas com acabamento de qualidade superior a AGMA 13 (equivalente ISO
1328 classe 4); ou
b. Engrenagens de dentes rectos, helicoidais e helicoidais-duplos endurecidos com um dimetro de crculo
primitivo superior a 1250 mm e uma largura de dentes de 15% ou mais em relao ao dimetro do crculo
primitivo com acabamento de qualidade AGMA 14 ou superior (equivalente ISO 1328 classe 3);
2. B. 4. "Prensas isostticas" a quente, a seguir indicadas, "matrizes", moldes, componentes, acessrios e
controlos, especialmente concebidos:
a. Que possuam um ambiente trmico controlado na cavidade fechada e, que possuam uma cmara com
dimetro interno de 406 mm ou superior; e
b. Que tenham:
1. Presso mxima de trabalho superior a 207 MPa;
2. Ambiente trmico controlado, superior a 1773 K (1500C); ou
3. Capacidade de impregnao por hidrocarbonetos e de remoo dos produtos gasosos resultantes da
decomposio;
2. B. 4. Nota Tcnica: A dimenso do interior da cmara a que se obtm com a temperatura e presso de
trabalho e no inclui acessrios. Esta dimenso ser menor do que a do dimetro interior da cmara de
presso ou do dimetro interior da cmara isolada do forno, dependendo de qual das duas cmaras esto
localizadas no interior uma da outra.
2. B. 5. Equipamentos especialmente concebidos para deposio, processamento e controlo no processo de
recobrimento, revestimento e modificao de superfcies inorgnicas, a seguir indicados, para subtractos no
electrnicos, pelos processos descritos no Quadro seguinte alnea 2.E.3.d. e Notas correspondentes, e
componentes de manuteno, posicionamento, manipulao e controlo automatizados, especialmente
concebidos:
2. B. 5. a. Equipamentos com "controlo por programa residente", para deposio em fase vapor por processo
qumico (CVD) com as duas seguintes caractersticas:
1. Alterao para um dos seguintes processos:
a. Deposio em fase vapor, por processo qumico, pulsante;
b. Decomposio trmica por nucleao controlada (CNTD); ou
c. Deposio em fase vapor por processo qumico, activado ou assistido por plasma; e
2. Uma das duas seguintes caractersticas:
a. Vedantes rotativos a vcuo elevado (igual ou inferior a 0,01 Pa; ou
b. Controlo de espessura de revestimento in situ;
2. B. 5. b. Equipamentos com "controlo por programa residente" para implantao inica com corrente de 5
mA ou superior;
2. B. 5. c. Equipamentos com "controlo por programa residente", para deposio em fase vapor por processo
fsico, por feixe de electres (EB-PVD) que possuam todas as seguintes caractersticas:
1. Sistemas de potncia calculados para valores superiores a 80 KW;
2. Sistema de controlo "laser" dos nveis do banho lquido que regulam com preciso a velocidade de
consumo dos lingotes; e
3. Monitor controlador da taxa de alimentao por computador, com base no princpio da foto-luminescncia
de tomos ionizados em jacto de vapor para controlar a velocidade de deposio de um revestimento que
contm dois ou mais elementos;
2. B. 5. d. Equipamentos com "controlo por programa residente" para pulverizao por plasma com uma das
seguintes caractersticas:
1. Funcionamento em atmosfera controlada a baixas presses (igual ou inferior a 10 KPa medidos 300 mm
acima da sada do bocal da pistola) numa cmara de vcuo, com capacidade para baixar a presso at 0,01
Pa antes do processo de pulverizao; ou
2. Dispositivo de controlo de espessura do revestimento in situ;
2. B. 5. e. Equipamentos com "controlo por programa residente", para deposio por pulverizao catdica
com capacidade para uma densidade de corrente de 0,1 mA/mm2 ou superior, para uma velocidade de
deposio de 15 micrmetros/hr ou superior,
2. B. 5. f. Equipamentos com "controlo por programa residente" para deposio por arco catdico que
incorporam uma placa de electromans para controlo automtico da direco do arco no ctodo;
2. B. 5. g. Equipamentos com "controlo por programa residente" para implantao inica que permita in situ a
medio de uma das seguintes caractersticas:
1. Espessura do revestimento e controlo de velocidade de deposio no substracto; ou
2. Caractersticas pticas;
Nota: A alnea 2.B.5.g. no compreende equipamentos standard de implantao inica para ferramentas de
corte ou de maquinagem.
2. B. 6. Sistemas ou equipamentos de controlo dimensional ou de medida:
2. B. 6. a. Mquinas de controlo dimensional com controlo por computador, "comando numrico" ou "controlo
por programa residente" com as duas seguintes caractersticas:
1. Dois ou mais eixos; e
2. "Impreciso de medida" no comprimento numa dimenso, igual ou inferior (melhor) a (1,25 + L/1000)
micrmetros, testado com uma sonda cuja "preciso inferior (melhor) a 0,2 micrmetros (sendo L a medida
do comprimento em mm);
2. B. 6. b. Instrumentos de medida de deslocamento linear e angular:
2. B. 6. b. 1. Instrumentos de medida linear com uma das seguintes caractersticas:
2. B. 6. b. 1. a. Sistemas de medida do tipo no-contacto com uma "resoluo" igual ou inferior (melhor) a 0,2
micrmetros, numa gania de medidas igual ou inferior a 0,2 mm;
2. B. 6. b. 1. b. Sistemas de transformadores diferenciais de tenso linear com as duas seguintes
caractersticas:
1. "Linearidade" igual ou inferior (melhor) a 0,1% numa gama de medidas igual ou inferior a 5 mm; e
2. Variao igual ou inferior (melhor) a 0,1% por dia temperatura ambiente normal das salas de ensaio
(mais ou menos)1 K; ou
2. B. 6. b. 1. c. Sistemas de medida com as duas seguintes caractersticas:
1. Que contenham um "laser"; e
2. Capazes de manter, pelo menos 12 horas, a uma temperatura normal, com variao de (mais ou menos)1
K, e a uma presso standard:
a. Uma "resoluo" na totalidade da escala de 0,1 micrmetros ou inferior (melhor); e
b. Uma "impreciso de medida" igual ou inferior (melhor) a (0,2 + L/2000) micrmetros (sendo L a medida de
comprimento em mm);
2. B. 6. b. 2. Instrumentos de medida angular com um "desvio angular de posio" igual ou inferior (melhor) a
0,00025;
Nota: A alnea 2.B.6.b.2. no compreende instrumentos pticos, tais como autocolimadores, utilizando luz
colimada para detectar o deslocamento angular de um espelho.
2. B. 6. c. Sistemas para inspeco simultnea de dimenses lineares-angulares em superfcies semi
esfricas que tenham as duas seguintes caractersticas:
1. "Impreciso de medida" ao longo de qualquer eixo linear, igual ou inferior a (melhor) 3,5 micrmetros por 5
mm; e
2. "Desvio angular de posio" igual ou inferior (melhor) a 0,02;
2. B. 6. d. Equipamentos para medida de irregularidades de superfcie, por medio da disperso ptica
como funo do ngulo, com uma sensibilidade igual ou inferior (melhor) a 0,5 nm;
2. B. 6. Notas Tcnicas: 1. A sonda utilizada na determinao da "Impreciso de medida" de um sistema de
controlo dimensional, deve corresponder descrita na norma VDI/VDE 2617 Partes 2,3 e 4.
2. Todos os valores de medida referidos no pargrafo 2.B.6. representam desvios positivos e negativos
admissveis relativamente ao valor definido, isto , no gama total.
2. B. 6. Notas: 1. As mquinas ferramentas que podem ser utilizadas como mquinas de medio devem ser
controladas se atingirem ou excederem os critrios especificados, para essa funo da mquina ferramenta
ou da mquina de medio.
2. As mquinas descritas no pargrafo 2.B.6. devem ser controladas se ultrapassarem o limite de controlo
em qualquer ponto da sua gama de funcionamento.
2. B. 7. "Robots" a seguir indicados, suas unidades de comando e "manipuladores terminais" especialmente
concebidos:
a. Com capacidade de processamento de imagem tridimensional em tempo real ou anlise tridimensional
para gerar ou modificar "programas" ou dados numricos de "programas";
Nota: A limitao da anlise no inclui aproximao terceira dimenso por viso a um determinado ngulo,
nem a interpretao da escala para a percepo da profundidade ou textura, para as tarefas autorizadas (2
1/2 D).
b. Especialmente concebidos para obedecer s normas nacionais de segurana aplicadas a ambientes de
munies explosivos; ou
2. B. 7. c. Especialmente concebidos ou previstos para resistir para alm do limite necessrio para suportar
as radiaes ionizantes industriais normais (isto , de indstrias no nucleares);
2. B. 8. Conjuntos, unidades ou elementos especialmente concebidos para mquinas ferramentas, ou para
equipamentos referidos nos pargrafos em 2.B.6. ou 7.;
a. Conjuntos de fusos, constitudos pelo menos por eixos e suportes cujo movimento radial ("deslocamento
segundo o eixo radial") ou axial ("deslocamento axial") medidos durante uma volta completa do eixo, seja
inferior a (melhor) 0,0006 mm TIR;
b. Unidades de retomo de posio linear (por exemplo, dispositivos do tipo inductivo, escalas graduadas,
sistemas de infra-vermelho ou sistemas de "laser"); com uma "preciso" total inferior a (melhor) (800 + (600 x
L x 10(elevado a -3)) nm (sendo L o comprimento efectivo em mm);
c. Unidades de retomo de posio de rotao, por exemplo, dispositivos do tipo inductivo, escalas
graduadas, sistemas de infra-vermelho ou sistemas de "laser", com uma "preciso" inferior (melhor) a
0,00025;
d. Conjuntos deslizantes, constitudos pelo menos por um conjunto de guias, um barramento e um carro com
todas as seguintes caractersticas:
1. Desvio de direco, inclinao e rotao inferior (melhor) a 2 segundos de arco TIR (referncia: ISO/DIS
230/1) sobre todo o percurso;
2. Linearidade horizontal inferior (melhor) a 2 micrmetros por 300 mm de comprimento; e
3. Linearidade vertical inferior (melhor) a 2 micrmetros por 300 mm de comprimento;
2. B. 8. e. Elementos cortantes de ferramentas de corte, de diamante, de um s ponto, com todas as
seguintes caractersticas:
1. Fio de corte que no apresente defeitos nem rebarbas quando ampliado 400 vezes em qualquer direco;
2. Raio de corte entre 0,1 e 5 mm inclusiv; e
3. Variao do raio de corte inferior (melhor) a 0,002 mm TIR;
2. B. 9. Placas de circuitos impressos, especialmente concebidas, com componentes montados e "software",
ou "mesas rotativas inclinveis", capazes de melhorar, de acordo com especificaes tcnicas do fabricante,
as capacidades das unidades de "comando numrico", das mquinas ferramentas ou dos dispositivos de
retorno para nveis iguais ou superiores aos especificados na sub-Categoria 2.B.

2. C. MATERIAIS Nenhum

2. D. SOFTWARE

2. D. 1. "Software" especialmente concebido ou modificado para o "desenvolvimento", a "produo" ou a


utilizao dos equipamentos referidos nas sub-Categorias 2.A ou 2.B.;
2. D. 2. "Software" especfico:
a. "Software" que permita o "controlo adaptativo" e apresente as duas seguintes caractersticas:
1. Para "unidades flexveis de produo" (FMUs -flexible manufacturing units) constitudas pelo menos com
equipamento descrito nas alneas b. 1. e b.2. da definio de "unidade flexvel de produo"; e
2. Capazes de gerar ou modificar, em "tempo real de processamento", "programas" ou dados pela utilizao
de sinais obtidos simultneamente, atravs de pelo menos duas tcnicas de deteco, tais como:
a. Mquina de viso (gama ptica);
b. Imagem de infra-vermelho;
c. Imagem acstica (gama acstica);
d. Medio tctil;
e. Posicionamento de inrcia;
f. Medio da fora;
g. Medio do binrio;
Nota: A alnea 2.D.2.a. no compreende "software" que apenas permite reprogramao com equipamento de
funcionalidade idntica s "unidades flexveis de produo" que utilizam programas de peas pr-
armazenados e uma estratgia de pr armazenamento para distribuio desses programas.
2. D. 2. b. "Software" para dispositivos electrnicos, que no os descritos nas alneas 2.B.1.a. ou b., que
permite assegurar a capacidade de "comando numrico" dos equipamentos referidos no pargrafo 2.B.1.

2. E. TECNOLOGIA

2. E. 1. Tecnologia, de acordo com a Nota Geral de Tecnologia, para o "desenvolvimento" dos equipamentos
ou do "software" referidos nas sub-Categorias 2.A, 2.B ou 2.D.;
2. E. 2. Tecnologia, de acordo com a Nota Geral de Tecnologia, para a "produo" dos equipamentos
referidos nas sub-Categorias 2.A. ou 2.B.;
2 E. 3. Outras tecnologias:
a. Tecnologia:
1. Para o "desenvolvimento" de grficos interactivos considerados como elementos integrados nas unidades
de "comando numrico" para a preparao ou modificao de programas de peas;
2. Para o "desenvolvimento" de geradores de instrues (por exemplo de programas de peas) para
mquinas ferramentas, a partir de dados de concepo que se encontram no interior das unidades de
"comando numrico";
3. Para o "desenvolvimento" do "software" integrado a ser incorporado nas unidades de "comando numrico"
de sistemas destinados a servir de suporte tomada de decises a nvel superior, em relao s operaes
de fabrico;
2. E. 3. b. Tecnologia dos processos industriais relativos ao trabalho de metais:
2. E. 3. b. 1. Tecnologia de concepo de ferramentas, matrizes, ou montagens especialmente concebidas
para os seguintes processos:
a. "Enformao no estado de super-plasticidade";
b. "Soldadura por difuso";
c. "Prensagem hidrulica por aco directa";
2. E. 3. b. 2. Dados tcnicos consistindo em mtodos de processo ou parametros enumerados a seguir, e
que servem para controlar:
a. A "Enformao no estado de superplasticidade" das ligas de alumnio, das ligas de titnio ou das
"superligas":
1. Preparao de superfcies;
2. Nvel de tenses;
3. Temperatura;
4. Presso;
2. E. 3. b. 2. b. A "soldadura por difuso" das "superligas" ou das ligas de titnio:
1. Preparao de superfcies;
2. Temperatura;
3. Presso;
2. E. 3. b. 2. c. A "prensagem hidrulica por aco directa" das ligas de alumnio ou das ligas de titnio:
1. Presso;
2. Durao do ciclo;
2. E. 3. b. 2. d. A "densificao isosttica a quente" das ligas de titnio, das ligas de alumnio ou das
superligas:
1. Temperatura;
2. Presso;
3. Durao do ciclo;
2. E. 3. c. Tecnologia para o "desenvolvimento" ou a "produo" de mquinas e matrizes de enformao
hidrulica para estiragem, destinadas ao fabrico de fuselagens de aeronaves;
2. E. 3. d. Tecnologia para:
- Aplicao de revestimentos inorgnicos por cobertura ou modificao de superfcie, especificados na
coluna 3 do quadro seguinte;
- Substractos no electrnicos, especificados na coluna 2 do quadro seguinte;
- Processos especificados na coluna 1 do quadro seguinte e definidos na Nota Tcnica;

2. QUADRO - MTODOS DE DEPOSIO


(ver documento original)

CAPTULO III
CATEGORIA 3
ELECTRNICA

3. A. EQUIPAMENTOS, CONJUNTOS E COMPONENTES

3. A. Notas: 1. O controlo dos equipamentos, dispositivos e componentes referidos na sub-Categoria 3.A.,


com excepo dos referidos nas alneas 3.A.1.a.3. a 10., que sejam concebidos especialmente ou que
tenham as mesmas caractersticas funcionais que outros equipamentos determinado pelo controlo destes
ltimos.
2. O controlo dos circuitos integrados referidos nas alneas 3.A.1.a.3. a 9., que sejam programados ou
concebidos de modo inaltervel para uma funo especfica, determinado pelo controlo dos outros
equipamento.
N.B.: Quando o fabricante ou a requerente da licena no puder determinar o critrio a aplicar ao controlo do
equipamento, o controlo dos circuitos integrados determinado pelo disposto nas alneas 3.A.1.a.3. a 9.
3. A. 1. Dispositivos electrnicos e componentes:
3. A. 1. a. Circuitos integrados de uso geral:
Notas: 1. O controlo de wafers (acabadas ou em bruto), em que a sua funo tenha sido determinada, ser
avaliado em funo dos parmetros da alnea 3.A.1.a.
2. Os circuitos integrados incluem os seguintes tipos:
"Circuitos integrados monolticos";
"Circuitos integrados hbridos";
"Circuitos integrados multichip";
"Circuitos integrados do tipo filme", incluindo circuitos integrados de silcio sobre safira;
"Circuitos integrados pticos".
3. A. 1. a. 1. Circuitos integrados concebidos ou previstos como reforados contra as radiaes para resistir a
uma dose total de 5 x 105 rad (Si),ou superior; (Para circuitos integrados concebidos ou previstos contra
radiao de neutres ou radiao ionizante transitria, ver a Lista de Material de Guerra.)
3. A. 1. a. 2. Circuitos integrados referidos nas alneas 3.A.1.a.3 a 10., previstos para funcionar a uma
temperatura ambiente inferior a 219 K (-54C) ou superior a 398 K (125C);
Nota: A alnea 3.A.1.a.2. no compreende circuitos integrados para automveis civis ou locomotivas dos
caminhos de ferro.
3. A. 1. a. 3. "Microcircuitos microprocessadores", "microcircuitos microcomputadores" e microcircuitos
microcontroladores, que possuam uma das seguintes caractersticas:
Notas: 1. A alnea 3.A.1.a.3. no compreende "microcircuitos microcomputadores" ou microcircuitos
microcontroladores base de silcio com um comprimento de palavra dos operandos (dados) de 8 bits ou
inferior e no abrangidos pela Nota 2 da sub-Categoria 3.A.
2. A alnea 3.A.1.a.3. inclui processadores digitais de sinal, processadores matriciais digitais e co-
processadores digitais.
3. A. 1. a. 3. a. Um barramento de dados externo com largura superior a 32 bits ou uma unidade aritmtica e
lgica com um acesso cuja largura exceda 32 bits;
b. Uma frequncia de relgio superior a 40 MHz;
c. Um barramento de dados externo com largura de 32 bits ou superior e capaz de executar 12,5 milhes de
instrues por segundo (MIPS) ou mais; ou
Nota Tcnica: Se o valor em MIPS no for especificado, dever ser utilizado o inverso do tempo mdio do
ciclo de instruo (em microsegundos).
d. Mais do que um barramento de dados ou de instrues ou porta de comunicao srie para interligao
externa num processador paralelo com uma taxa de transferncia superior a 2,4 Mbyte/s.
3. A. 1. a. 4. Circuitos integrados de armazenamento:
a. Memrias apenas de leitura, programveis e de pagamento elctrico (EEPROMs) com uma capacidade de
armazenamento:
1. Superior a 1 Mbit por embalagem; ou
2. Superior a 256 Kbits por embalagem e um tempo mximo de acesso inferior a 80 ns;
b. Memrias estticas de acesso aleatrio (SRAM) com uma capacidade de armazenamento:
1. Superior a 1 Mbit por embalagem; ou
2. Superior a 256 Kbits por embalagem e um tempo mximo de acesso inferior a 25 ns;
c. Circuitos integrados de armazenamento fabricados a partir de um semicondutor composto;
3. A. 1. a. 5. Circuitos integrados conversores:
a. Conversores analgicos-digitais com uma das seguintes caractersticas:
1. Resoluo de 8 bits ou superior, mas inferior a 12 its, com um tempo total de converso para uma
resoluo mxima inferior a 10 ns;
2. Resoluo de 12 bits com um tempo total de converso para uma resoluo mxima inferior a 200 ns; ou
3. Resoluo superior a 12 bits com um tempo total de converso para uma resoluo mxima inferior a 2
microsegundos;
3. A. 1. a. 5. b. Conversores digitais-analgicos com uma resoluo de 12 bits ou superior, e um "tempo de
estabelecimento" inferior a 10 ns;
3. A. 1. a. 6. "Circuitos integrados pticos ou electro-pticos para "processamento de sinal" com todas as
seguintes caractersticas:
a. Um ou mais dodos "laser" internos;
b. Um ou mais elementos internos detectores de luz; e
c. Guias de ondas pticas;
3. A. 1. a. 7. Field programmable gate arrays com uma das seguintes caractersticas:
a. Um nmero equivalente de portas lgicas superior a 30.000 (portas lgicas de duas entradas); ou
b. Um "tempo tpico de atraso de propagao por porta lgica elementar" inferior a 0,4 ns;
3. A. 1. a. 8. Field programmable logic arrays com uma das seguintes caractersticas:
a. Um nmero equivalente de portas lgicas superior a 5.000 (portas lgicas de duas entradas); ou
b. Uma frequncia de comutao superior a 100 MHz;
3. A. 1. a. 9. Circuitos integrados de redes neuronais;
3. A. 1. a. 10. Circuitos integrados feitos por encomenda para os quais seja desconhecida do fabricante, quer
a sua funo quer o controlo a que est submetido o equipamento onde sero utilizados, com uma das
seguintes caractersticas:
a. Mais de 144 terminais;
b. Um "tempo tpico de atraso de propagao por porta lgica elementar" inferior a 0,4 ns; ou
c. Uma frequncia de operao superior a 3 GHz;
3. A. 1. a. 11. Circuitos integrados digitais, para alm dos referidos nas alneas 3.A.1.a.3 a 10., fabricados a
partir de qualquer semicondutor composto e com uma das seguintes caractersticas:
a. Um nmero equivalente de portas lgicas superior a 300 (portas lgicas de duas entradas); ou
b. Uma frequncia de comutao superior a 1,2 GHz;
3. A. 1. b. Dispositivos de micro-ondas ou de ondas milimtricas:
3. A. 1. b. 1. Ctodos e vlvulas electrnicas de vcuo: (Para vlvulas de comutao de frequncia, ver artigo
11 da Lista de Material de Guerra).
Nota: A alnea 3.A.1.b.1. no compreende vlvulas concebidas ou previstas para operar nas Bandas de
Telecomunicaes Civis Oficiais a frequncias no superiores a 31 GHz.
3. A. 1. b. 1. a. Vlvulas de onda passante, onda pulsada ou contnua:
1. Que operam a frequncias superiores a 31 GHz;
2. Com um elemento para aquecimento do ctodo com um tempo de operao para a potncia RF prevista
inferior a 3 segundos;
3. Vlvulas de cavidades emparelhadas, ou seus derivados;
4. Vlvulas helicoidais, ou seus derivados, com uma dos seguintes caractersticas:
a. 1. "Largura de banda instantnea" de meia oitava ou mais; e
2. Produto da potncia mdia de sada especificada (expressa em KW) pela mxima frequncia de operao
(expressa em GHz) superior a 0,2;
b. 1. "Largura de banda instantnea" inferior a meia oitava; e
2. Produto da potncia mdia de sada prevista (expressa em KW) pela mxima frequncia de perao
(expressa em GHz) superior a 0,4; ou
3. "Qualificados para uso espacial";
3. A. 1. b. 1. b. Vlvulas amplificadoras de campo cruzado com um ganho superior a 17 dB;
3. A. 1. b. 1. c. Ctodos impregnados para vlvulas electrnicas, com uma as seguintes caractersticas:
1. Com um tempo de operao para a emisso prevista inferior a 3 segundos; ou
2. Que produzem uma densidade de corrente em emisso contnua, nas condies de operao previstas,
superior a 5 A/cm2;
3. A. 1. b. 2. Mdulos ou circuitos integrados de micro-ondas que contm circuitos integrados monolticos" a
operar a frequncias superiores a 3 GHz;
Nota: A alnea 3.A.1.b.2. no compreende circuitos ou mdulos para equipamentos concebidos ou previstos
para operar nas Bandas de Telecomunicaes Civis Oficiais a frequncias no superiores a 31 GHz.
3. A. 1. b. 3. Transstores de micro-ondas previstos para operar a frequncias superiores a 31 GHz;
3. A. 1. b. 4. Amplificadores de semicondutor de micro-ondas:
a. Que operam a frequncias superiores a 10,5 GHz e com uma "largura de banda instantnea" superior a
meia oitava; ou
b. Que operam a frequncias superiores a 31 GHz;
Nota: A alnea 3.A.1.b.4. no compreende os amplificadores:
1. Especialmente concebidos para aplicaes mdicas;
2. Especialmente concebidos para utilizao em "dispositivos didticos simples"; ou
3. Com uma potncia de sada no superior a 10 W e especialmente concebidos para:
a. Sistemas industriais ou civis de deteco de intruso, ou de alarme;
b. Sistemas de contagem e de controlo, industriais ou de trfego; ou
c. Sistemas para deteco de poluio do ar ou da gua.
3. A. 1. b. 5. Filtros passa-banda ou rejeita-banda sintonizveis electrnica ou magneticamente com mais de
5 ressoadores sintonizveis capazes de se sintonizar numa banda de frequncia 1,5:1 (fmax/fmin) em menos
de 10 microsegundos com uma das seguintes caractersticas:
a. Largura de banda passante superior a 0,5% da frequncia central; ou
b. Largura de banda de rejeio inferior a 0,5% da frequncia central;
3. A. 1. b. 6. Conjuntos de micro-ondas capazes de operar a frequncias superiores a 31 GHz;
3. A. 1. b. 7. Guias de onda flexveis concebidas para utilizao a frequncias superiores a 40 GHz;
3. A. 1. c. Dispositivos de ondas acsticas e componentes especialmente concebidos para os mesmos:
3. A. 1. c. 1. Dispositivos de ondas acsticas superficiais e de ondas acsticas com superfcie deslizante
(carga superficial) (i.e., dispositivos de "processamento de sinal" que utilizam ondas elsticas em materiais),
com uma das seguintes caractersticas:
Nota: A alnea 3.A.1.c.1. no compreende dispositivos especialmente concebidos para electrnica de
consumo ou diverso.
3. A. 1. c. 1. a. Frequncia portadora superior a 1 GHz; ou
3. A. 1. c. 1. b. Frequncia portadora de 1 GHz ou inferior, e com uma das seguintes caractersticas:
1. Rejeio dos lbulos laterais de frequncia superior a 55 dB;
2. Produto do tempo mximo de atraso pela largura de banda (tempo em microsegundos e largura de banda
em MHz) superior a 100; ou
3. Atraso dispersivo superior a 10 microsegundos;
3. A. 1. c. 2. Dispositivos de ondas acsticas volumtricas (i.e., dispositivos de "processamento de sinal" que
utilizam ondas elsticas) que permitam o processamento directo de sinais a frequncias superiores a 1 GHz;
3. A. 1. c. 3. Dispositivos acusto-pticos de "processamento de sinal" utilizando a interaco entre ondas
acsticas (onda volumtrica ou onda superficial) e ondas de luz que permitem o processamento directo de
sinais ou imagens, incluindo anlise espectral, correlao ou convoluo;
Nota: A alnea 3.A.1.c.3. no inclui dispositivos especialmente concebidos para equipamento civil de difuso
de televiso, video em AM e FM.
3. A. 1. d. Dispositivos ou circuitos electrnicos que contm componentes fabricados a partir de materiais
"supercondutores" especialmente concebidos para operarem a temperaturas abaixo da "temperatura crtica"
de pelo menos um dos constituintes "supercondutores", que realizam uma das seguintes funes:
3. A. 1. d. 1. Amplificao electromagntica:
a. A frequncias iguais ou inferiores a 31 GHz com uma figura de rudo inferior a 0,5 dB; ou
b. A frequncias superiores a 31 GHz;
3. A. 1. d. 2. Comutao de corrente por circuitos digitais que utilizam portas lgicas "supercondutoras" com
um produto do tempo de atraso por porta lgica (em segundos) pela dissipao de potncia por porta lgica
(em Watts) inferior a 10(elevado a -14 J); ou
3. A. 1. d. 3. Seleco de frequncias em toda a banda de frequncias qu utilizam circuitos ressonantes
com factores-Q superiores a 10.000;
3. A. 1. e. Dispositivos de alta energia:
3. A. 1. e. 1. Baterias:
Nota: A alnea 3.A.1.e.1 no compreende baterias com volumes iguais ou inferiores a 26 cm3 (ex., pilhas C
ou baterias UM-2).
3. A. 1. e. 1. a. Pilhas e baterias primrias com densidade de energia superior a 350 Wh/kg e previstas para
operar na gama de temperaturas desde menos de 243 K (-30C) a mais de 343 K (70C);
3. A. 1. e. 1. b. Pilhas e baterias recarregveis com densidade de energia superior a 150 Wh/kg aps 75
ciclos de carga/descarga a uma corrente de descarga igual a C/5 horas (sendo C a capacidade nominal em
amperes hora) quando a operar na gama de temperaturas desde menos de 253 K (-20C) a mais de 333 K
(60C);
Nota Tcnica: A densidade de energia obtida multiplicando a potncia mdia em Watts (tenso mdia em
volts vezes a corrente mdia em amperes) pela durao, em horas, da descarga a 75% da tenso em circuito
aberto e dividindo pela massa total da pilha (ou bateria) em Kg.
3. A. 1. e. 1. c. Conjuntos fotovoltaicos "qualificados para uso espacial" e reforados contra a radiao com
uma potncia especfica superior a 160 W/m2 a uma temperatura de operao de 301 K (28C) sob uma
iluminao de tungstnio a 2.800 K (2.527C), de 1 KW/m2;
3. A. 1. e. 2. Condensadores para armazenamento de alta energia:
3. A. 1. e. 2. a. Condensadores com um ritmo de repetio inferior a 10 Hz (condensadores single shot) com
todas as seguintes caractersticas:
1. Tenso mxima igual ou superior a 5 KV;
2. Densidade de energia igual ou superior a 250 J/kg; e
3. Energia total igual ou superior a 25 KJ;
3. A. 1. e. 2. b. Condensadores com um ritmo de repetio de 10 Hz ou superior (condensadores previstos
para repetio) com todas as seguintes caractersticas:
1. Tenso mxima igual ou superior a 5 KV;
2. Densidade de energia igual ou superior a 50 J/kg;
3. Energia total igual ou superior a 100 J; e
4. Vida de ciclos carga/descarga igual ou superior a 10.000;
3. A. 1. e. 3. Electromans e solenides "supercondutores" concebidos especialmente para serem carregados
ou descarregados completamente em menos de um minuto, com todas as seguintes caractersticas:
Nota: A alnea 3.A.1.e.3. no compreende electromans ou solenides "supercondutores", especialmente
concebidos para equipamento mdico de Imagem por Ressonncia Magntica (MRI).
3. A. 1. e. 3. a. Mxima energia fornecida durante a descarga dividida pela durao da descarga, superior a
500 KJ por minuto;
3. A. 1. e. 3. b. Dimetro interior do enrolamento que transporta a corrente superior a 25 mm; e
3. A. 1. e. 3. c. Previstos para uma induo magntica superior a 8 T ou uma "densidade total de corrente" no
enrolamento superior a 300 A/mm2;
3. A. 1. e. 4. Circuitos e sistemas para armazenamento de energia electromagntica que contem
componentes fabricados a partir de materiais "supercondutores" especialmente concebidos para operar a
temperaturas abaixo da "temperatura crtica" de, pelo menos, um dos constituintes "supercondutores", com
todas as seguintes caractersticas:
a. Funcionamento a frequncias de ressonncia superiores a 1 MHz;
b. Densidade de energia armazenada de 1 MJ/m3 ou superior; e
c. Tempo de descarga inferior a 1 ms;
3. A. 1. e. 5. Sistemas de descarga relmpago do tipo raios X, incluindo vlvulas, com todas as seguintes
caractersticas:
a. Potncia de pico superior a 500 MW;
b. Tenso de sada superior a 500 KV; e
c. Largura de impulso inferior a 0,2 microsegundo;
3. A. 1. f. Codificadores de posio absoluta de eixos com entrada rota tiva com uma das seguintes
caractersticas:
1. Resoluo melhor que 1 parte em 265.000 (resoluo de 18 bits) para a totalidade da escala; ou
2. Preciso melhor que (mais ou menos)2,5 segundos de arco;
3. A. 2. Equipamentos electrnicos de uso geral:
3. A. 2. a. Equipamentos de gravao, a seguir referidos, e fitas de teste especialmente concebidas para os
mesmos:
3. A. 2. a. 1. Gravadores de fita magntica de instrumentao analgica, incluindo os que permitem a
gravao de sinais digitais (ex., os que utilizam um mdulo de gravao digital de alta densidade (HDDR)),
com uma das seguintes caractersticas:
a. Largura de banda superior a 4 MHz por canal electrnico ou pista;
b. Largura de banda superior a 2 MHz por canal electrnico ou pista e com mais de 42 pistas; ou
c. Erro de deslocamento temporal (de base), medido de acordo com os documentos IRIG ou EIA aplicveis,
inferior a (mais ou menos)0,1 microsegundo;
3. A. 2. a. 2. Gravadores de vdeo digitais, de fita magntica, com uma taxa mxima de transferncia digital
superior a 180 Mbits/s, com excepo dos especialmente concebidos para gravao televisiva, conforme as
normas ou recomendaes do CCIR ou do IEC relativas a aplicaes civis de televiso;
3. A. 2. a. 3. Gravadores de instrumentao de dados digitais, de fita magntica, com uma das seguintes
caractersticas:
a. Taxa mxima de transferncia digital superior a 60 Mbits/s e que utilizam tcnicas de varrimento helicoidal;

b. Taxa mxima de transferncia digital superior a 120 Mbits/s e que utilizam tcnicas com cabeas fixas; ou
c. "Qualificados para uso espacial";
Nota: A alnea 3.A.2.a.3. no compreende gravadores analgicos de fita magntica equipados com
electrnica de converso HDDR e configurados para gravar apenas dados digitais.
3. A. 2. a. 4. Equipamentos, com uma taxa mxima de transferncia digital superior a 60 Mbits/s, concebidos
para converter gravadores de vdeo digitais de fita magntica para utilizao como gravadores de dados de
instrumentao digitais;
3. A. 2. b. "Conjuntos" "sintetizadores de frequncia" com um "tempo de comutao de frequncia" de uma
frequncia seleccionada para outra, inferior a 1 ms;
3. A. 2. c. "Analisadores de sinal":
1. Capazes de analisar frequncias superiores a 31 GHz;
2. "Analisadores de sinais dinmicos" com uma "largura de banda de tempo real" superior a 25,6 KHz, com
excepo dos que utilizam apenas filtros de largura de banda de percentagem constante (tambm
conhecidos por filtros de oitava ou fraco de oitava);
3. A. 2. d. Geradores de sinal de frequncia sintetizada que produzem frequncias de sada, com preciso e
estabilidade de curto e longo prazo controladas, derivadas ou impostas pela frequncia interna principal e
com uma das seguintes caractersticas:
1. Frequncia sintetizada mxima superior a 31 GHz;
2. "Tempo de comutao de frequncia" de uma frequncia seleccionada para outra, inferior a 1 ms; ou
3. Rudo de fase de banda lateral nica (SSB) melhor que - (126 + 20 log(ndice 10)F - 20 log(ndice 10)f)
expresso em dBc/Hz, em que F a diferena em relao frequncia de operao em Hz e f a frequncia
de operao em MHz;
3. A. 2. d. Nota: A alnea 3.A.2.d. no compreende equipamentos em que a frequncia de sada seja obtida a
partir da adio ou subtraco de duas ou mais frequncias de osciladores de quartzo, ou por uma adio ou
subtraco seguida de uma multiplicao do resultado.
3. A. 2. e. Analisadores de redes com frequncia de operao mxima superior a 31 GHz;
Nota: A alnea 3.A.2.e. no compreende "analisadores de redes com varrimento de frequncia" com uma
frequncia mxima de operao no superior a 40 GHz e que no possuam barramento de dados para
controlo remoto.
3. A. 2. f. Receptores para teste de micro-ondas com ambas as seguintes caractersticas:
1. Frequncia mxima de operao superior a 31 GHz; e
2. Capacidade de medio simultnea de amplitude e fase;
3. A. 2. g. Padres atmicos de frequncia com uma das seguintes caractersticas:
1. Estabilidade de longo prazo (envelhecimento) inferior (melhor) a 1 x 10(elevado a -11)/ms; ou
2. "Qualificados para uso espacial";
Nota: A alnea 3.A.2.g.1. no compreende padres de rubdio no "qualificados para uso espacial".
3. A. 2. h. Emuladores para microcircuitos referidos nas alneas 3.A.1.a.3. ou 3.A.1.a.9.
Nota: A alnea 3.A.2.h. no compreende emuladores concebidos para uma "famlia" com, pelo menos, um
dispositivo no referido nas alneas 3.A.1.a.3 ou 3.A.1.a.9.

3. B. EQUIPAMENTOS DE ENSAIO, DE CONTROLO E DE PRODUO

3. B. Equipamentos para fabrico ou ensaio de dispositivos ou materiais semicondutores, e componentes e


acessrios especialmente concebidos para os mesmos:
3. B. 1. Equipamentos com "controlo por programa residente" para crescimento epitaxial:
a. Capazes de produzir camadas de espessura uniforme, com preciso inferior (melhor) a (mais ou menos)
2,5% ao longo de 75 mm ou mais;
b. Reactores de deposio em fase vapor, por processo qumico organo-metlico (MOCVD) especialmente
concebidos para o crescimento cristalino de semicondutores compostos atravs de reaco qumica entre
materiais referidos nos pargrafos 3.c.3. ou 3.c.4.;
c. Equipamentos de crescimento epitaxial atravs de feixe molecular que utilizam fontes de gs;
3. B. 2. Equipamentos com "controlo por programa residente" concebidos para implantao inica, com uma
das seguintes caractersticas:
a. Tenso de acelerao superior a 200 KeV;
b. Especialmente concebidos e optimizados para operar com uma tenso de acelerao inferior a 10 KeV;
c. Capacidade de escrita directa; ou
d. Capacidade de realizar a implantao de ies de oxignio por alta energia em "substracto" de material
semicondutor aquecido;
3. B. 3. Equipamentos de eroso seca atravs de plasma anisotrpico, com "controlo por programa
residente":
a. Com operao cassete-a-cassete e fechos de carga, e com uma das seguintes caractersticas:
1. Confinamento magntico; ou
2. Ressonncia electro ciclotro (ECR);
b. Especialmente concebidos para equipamentos referidos no pargrafo 3.B.6. e com uma das seguintes
caractersticas:
1. Confinamento magntico; ou
2. Ressonncia electro ciclotro (ECR);
3. B. 4. Equipamentos de CVD de plasma enriquecido com "controlo por programa residente":
a. Com operao cassete-a-cassete e fechos de carga, e com uma das seguintes caractersticas:
1. Confinamento magntico; ou
2. Ressonncia electro ciclotro (ECR);
b. Especialmente concebidos para os equipamentos referidos no pargrafo 3.B.6. e com uma das seguintes
caractersticas:
1. Confinamento magntico; ou
2. Ressonncia electro ciclotro (ECR);
3. B. 5. Sistemas multifuncionais de feixe de ies focados com "controlo por programa residente" e
especialmente concebidos para o fabrico, reparao, anlise da disposio fsica e teste de mscaras ou de
dispositivos semicondutores, com uma das seguintes caractersticas:
a. Preciso do controlo automtico da posio relativa alvo-feixe, de 0,25 micrmetro ou melhor; ou
b. Resoluo da converso digital-analgica superior a 12 bits;
3. B. 6. Sistemas de manuseamento central de wafers para carregamento automtico de mltiplas cmaras,
com "controlo por programa residente", com ligaes para entrada e sada de wafers, ao quais se possam
ligar mais de dois exemplares de equipamentos de processamento de semicondutores, para formar um
sistema integrado, num ambiente de vcuo, para o processamento sequencial mltiplo de wafers;
Nota: O pargrafo 3.B.6. no compreende sistemas robticos de manuseamento automtico de wafers no
concebidos para operar em ambiente de vcuo.
3. B. 7. Equipamentos litogrficos com "controlo por programa residente":
3. B. 7. a. Equipamentos de alinhamento, de exposio e de repetio para o processamento de wafers que
utilizam mtodos de raios-X ou foto-pticos, com uma das seguintes caractersticas:
1. Comprimento de onda da fonte de luz inferior a 400 nm;
2. Abertura numrica superior a 0,40; ou
3. Preciso no revestimento de (mais ou menos)0,20 micrmetro (3 sigma) ou melhor;
Nota: A alnea 3.B.7.a. no compreende equipamento de repetio de alinhamento e de exposio, com
todas as seguintes caractersticas:
1. Comprimento de onda da fonte de luz de 436 nm ou superior;
2. Abertura numrica de 0,38 ou menor; e
3. Dimetro da imagem de 22 mm ou inferior.
3. B. 7. b. Equipamentos especialmente concebidos para a realizao de mscaras ou para o processamento
de dispositivos semicondutores utilizando feixes de electres, de ies ou feixes "laser" deflectidos e focados,
com uma das seguintes caractersticas:
1. Tamanho de ponto menor que 0,2 micrmetro;
2. Capazes de produzir um padro com um tamanho de trao caracterstico inferior a 1 micrmetro; ou
3. Preciso no revestimento melhor que (mais ou menos)0,20 micrmetro (3 sigma);
3. B. 8. Mscaras ou retculas:
a. Para circuitos integrados referidos no pargrafo 3.A.1.;
b. Mscaras multicamada com uma camada de deslocamento de fase;
3. B. 9. Equipamentos de teste com "controlo por programa residente", especialmente concebido para o teste
de dispositivos semicondutores e moldes no encapsulados:
3. B. 9. a. Para o teste de parmetros-S de transstores a frequncias superiores a 31 GHz;
3. B. 9. b. Para o teste de circuitos integrados, e seus "conjuntos", capazes de realizar o teste funcional
(tabela de verdade) a um ritmo de padres superiores a 40 MHz;
Nota: A alnea 3.B.9.b. no compreende equipamentos de teste especialmente concebidos para o teste de:
1. "Conjuntos" ou classes de "conjuntos" para aplicaes de consumo ou diverso;
2. Circuitos integrados, "conjuntos" ou componentes electrnicos no sujeitos a controlo.
3. B. 9. c. Para o teste de circuitos integrados de micro-ondas a frequncias superiores a 3 GHz;
Nota: A alnea 3.B.9.c. no compreende equipamentos de teste especialmente concebidos para o teste de
circuitos integrados de micro-ondas para equipamentos concebidos ou previstos para operar nas Bandas de
Telecomunicaes Civis Oficiais a frequncias no superiores a 31 GHz.
3. B. 9. d. Sistemas de feixes de electres concebidos para operar a 3 KeV ou abaixo, ou sistemas de feixe
"laser", para a sondagem sem contacto de dispositivos semicondutores alimentados, com ambas as
seguintes caractersticas:
1. Capacidade estroboscpica com apagamento de feixe ou de sactivao do detector.
2. Espectrmetro de electres para medio de tenses com uma resoluo inferior a 0,5 V.
Nota: A alnea 3.B.9.d. no compreende microscpios de varrimento electrnicos excepto quando
especialmente concebidos e dotados de instrumentos para a sondagem sem contacto de dispositivos
semicondutores alimentados.

3. C. MATERIAIS

3. C. 1. Materiais hetero-epitaxiais constitudos por um "substracto" com mltiplas camadas empilhadas


obtidas por crescimento epitaxial.
a. De silcio;
b. De germnio; ou
c. De compostos III/V de glio e ndio;
Nota Tcnica: Os compostos III/V so produtos policristalinos ou monocristalinos binrios ou complexos
constitudos por elementos dos grupos III A e V A da tabela de classificao peridica de Mendeleyev
(arsenieto de glio, arsenieto de glio-alumnio, fosforeto de ndio, etc).
3. C. 2. Resinas fotossensveis (resists) a seguir indicadas e "substractos" revestidos das referidas resinas
fotossensveis submetidas a controlo.
a. Resinas fotossensveis (resists) positivas com uma resposta espectral optimizada para utilizao inferior a
370 nm;
b. Todas as resinas fotossensveis (resists) destinadas a serem utilizadas sob o efeito de feixes electrnicos
ou inicos com uma sensibilidade igual ou superior a 0,01 Microcoulomb/mm2;
c. Todas as resinas fotossensveis (resists) destinadas a serem utilizadas sob o efeito dos raios X, com uma
sensibilidade igual ou superior a 2,5 mJ/mm2;
d. Todas as resinas fotossensveis (resists) optimizadas para tecnologias de formao de imagens de
superfcie, incluindo resinas fotossensveis siliadas.
Nota Tcnica: As tcnicas de siliao so processos que incluem a oxidao da superfcie da resina
fotossensvel para melhorar o seu comportamento na revelao quer a hmido quer a seco.
3. C. 3. Compostos organometlicos de alumnio, de glio ou de ndio, com um grau de pureza (do metal)
superior a 99,999%;
3. C. 4. Hidretos de fsforo, de arsnio ou de antimnio com um grau de pureza superior a 99,999%, mesmo
diludos em gases neutros.
Nota: A alnea 3.C.4 no compreende os hidratos com 20% molar ou mais de gases raros ou de hidrognio.

3. D. SOFTWARE

3. D. 1. "Software" especialmente concebido para o "desenvolvimento" ou "produo" dos equipamentos


referidos nas alneas 3.A.1.b. a 3.A.2.h. ou na sub-Categoria 3.B.;
3. D. 2. "Software" especialmente concebido para a "utilizao" de equipamentos com "controlo por programa
residente" referido na sub-Categoria 3.B.;
3. D. 3. "Software" de desenho assistido a computador (CAD) para dispositivos semicondutores ou circuitos
integrados, com uma das seguintes caractersticas:
a. Regras de desenho ou de verificao de circuitos;
b. Simulao de circuitos fisicamente colocados; ou
c. Simuladores do processo litogrfico para a fase de desenho.
Nota Tcnica: Um simulador do processo litogrfico um pacote de "software" utilizado na fase de desenho
para definir a sequncia de passos de litografia, eroso e deposio para a transposio de padres de
mscaras em padres topogrficos especficos em condutores, dielctricos ou material semicondutor.
Nota: O pargrafo 3.D.3. no compreende "software" especialmente concebido para a insero de
esquemas, simulao lgica, colocao e ligao dos componentes, verificao do traado ou gerao de
padro em fita;
N.B.: Bibliotecas, atributos de desenho ou dados associados ao desenho de dispositivos semicondutores ou
circuitos integrados so considerados, tecnologia

3. E. TECNOLOGIA

3. E. 1. Tecnologia conforme a Nota Geral sobre Tecnologia para o "desenvolvimento" ou "produo" de


equipamentos ou materiais referidos as sub-Categorias 3.A., 3.B. ou 3.C;
Nota: O pargrafo 3.E.1. no compreende tecnologia para o "desenvolvimento" ou "produo" de:
a. Transstores de micro-ondas para operao a frequncias inferiores a 31 GHz;
b. Circuitos integrados referidos nas alneas 3.A.1.a.3. a 11., com ambas as seguintes caractersticas:
1. Utilizao de tecnologia de um micrmetro ou superior; e
2. No incorporao de estruturas multicamada.
N.B.: Esta Nota no limita a exportao de tecnologia multicamada para dispositivos incorporando no mximo
duas camadas de metal e duas camadas de silcio policristalino.
3. E. 2. Outras tecnologias para o "desenvolvimento" ou "produo" de:
a. Dispositivos microelectrnicos de vcuo;
b. Dispositivos semicondutores de estrutura heterognea, tais omo transstores de alta mobilidade electrnica
(HEMT), transstores bipolares heterogneos (HBT), dispositivos de super redes ou de poos de potencial;
c. Dispositivos electrnicos "supercondutores".

CAPTULO IV
CATEGORIA 4
COMPUTADORES

4. Notas: 1. Os computadores, equipamento relacionado ou "software" que realizem funes de


telecomunicaes ou de "redes locais" devem ser avaliados tambm face s caractersticas de desempenho
definidas na Categoria 5 (Telecomunicaes).
N.B.: 1. As unidades de controlo que interliguem directamente barramentos ou canais de unidades centrais
de processamento, de "memria principal" ou de controladores de disco no so considerados como
equipamento de telecomunicaes descrito na Categoria 5 (Telecomunicaes).
2. Para o controlo de "software" que estabelea o encaminhamento ou comutao de pacotes de
"datagramas" ou de "seleco rpida" (i.e., seleco do caminho de pacote a pacote) ou de "software"
especialmente concebido para comutao de pacotes, ver a sub Categoria 5. D. (Telecomunicaes).
2. Os computadores, equipamento relacionado ou "software" que realizem funes criptogrficas,
criptanalticas, de segurana certificvel multinvel ou de isolamento certificvel de utilizadores, ou que
limitem a compatibilidade electro-magntica (EMC), devem ser tambem avaliados face s caractersticas de
desempenho definidas na Categoria 5 ("Segurana de Informao").

4. A. EQUIPAMENTOS, CONJUNTOS E COMPONENTES

4. A. 1. Computadores electrnicos e equipamento relacionado, "conjuntos" e componentes especialmente


concebidos para os mesmos:
a. Especialmente concebidos para possuirem uma das seguintes caractersticas:
1. Previstos para operar a uma temperatura ambiente abaixo de 228 K (-45C) ou acima de 343 K (70C); ou
Nota: Os limites de temperatura previstos na alnea 4.A.1.a.1 no se aplicam a computadores especialmente
concebidos para aplicaes em automveis civis ou locomotivas dos caminhos-de-ferro.
2. Reforados contra a radiao para exceder qualquer das seguintes especificaes:
a. Dose total 5 x 105 Rads (Si)
b. Taxa mnima da dose 5 x 108 Rads (Si)/seg; ou
c. Evento nico mnimo 1 x 10 (elevado a -7) Erro/bit/dia;
4. A. 1. a. 2. Nota: Os equipamentos concebidos ou previstos para suportarem radiao ionizante transiente
so controlados pela Lista de Material de Guerra.
4. A. 1. b. Com caractersticas ou que executem funes que excedam os limites definidos na Categoria 5
("Segurana da Informao");
4. A. 2. "Computadores hbridos", "conjuntos" e componentes especialmente concebidos para os mesmos:
a. Que contenham "computadores digitais" referidos no pargrafo 4.A.3.;
b. Que contenham conversores analgicos-digitais ou digitais-analgicos com ambas as seguintes
caractersticas:
1. 32 ou mais canais; e
2. Uma resoluo de 14 bits (mais bit de sinal) ou superior com uma taxa de converso de 200.000 ou mais
converses/s;
4. A. 3. "Computadores digitais", "conjuntos" e equipamento relacionado, e componentes especialmente
concebidos para os mesmos:
4. A. 3. Notas: 1. O pargrafo 4.A.3. inclui processadores vectoriais, processadores matriciais, processadores
lgicos, e equipamento para "realce de imagem" ou "processamento de sinal".
2. O controlo de "computadores digitais" ou equipamento relacionado descrito no pargrafo 4.A.3.
determinado pelo controlo de outro equipamento ou sistema desde que:
a. Os "computadores digitais" ou equipamento relacionado sejam essenciais operao do outro
equipamento ou sistema;
b. Os "computadores digitais" ou equipamento relacionado no sejam um "elemento principal" do outro
equipamento ou sistema; e
N.B.: 1. O controlo do equipamento de "processamento de sinal" ou "realce de imagem" descrito na alnea
4.A.3.g., especialmente concebido para outro equipamento, com funes limitadas s requeridas pelo
mesmo determinado pelo controlo deste equipamento mesmo que exceda o critrio de "elemento principal".

2. Para o controlo de "computadores digitais" ou equipamento relacionado para equipamento de


telecomunicaes, ver a Categoria 5 (Telecomunicaes).
2. c. A tecnologia para os "computadores digitais" e equipamento associado determinado pela sub-
Categoria 4.E.
3. Os "computadores digitais" ou equipamento relacionado no esto incluidos no pargrafo 4.A.3., desde
que:
a. Sejam essenciais para aplicaes mdicas;
b. O equipamento pela natureza da sua concepo ou desempenho, seja essencialmente limitado a
aplicaes mdicas;
c. O equipamento no permita "programao acessvel ao utilizador" para alm da permisso de insero do
"programa" original ou modificado fornecido pelo fabricante;
d. O "desempenho terico composto" de qualquer "computador digital" no concebido nem modificado, mas
essencial para a aplicao mdica, no exceda 20 milhes de operaes tericas por segundo (Mtops); e
e. A tecnologia para os "computadores digitais" ou equipamento relacionado seja determinada pela sub
Categoria 4.E.
4. A. 3. a. Concebidos para o reconhecimento, compreenso e interpretao combinados de imagem ou da
fala contnua (ligada),
4. A. 3. b. Concebidos ou modificados para "tolerar erros".
4. A. 3. b. Nota: Para os efeitos do disposto na alnea 4.A.3.b., os "computadores digitais" e equipamento
relacionado no so considerados como concebidos ou modificados para "tolerar erros" se utilizarem:
1. Deteco de erros ou algoritmos de correco na "memria principal";
2. A interligao de dois "computadores digitais" tal que, se a unidade central de processamento activa falha,
uma unidade central de processamento. inactiva e espelho da primeira possa prosseguir o funcionamento do
sistema;
3. A interligao de duas unidades centrais de processamento por canais de dados ou pela utilizao de
memria partilhada de modo a permitir a uma unidade central de processamento a realizao de outro
trabalho at a segunda falhar, instante em que a primeira unidade central de processamento toma conta do
processamento de modo a prosseguir o funcionamento do sistema; ou
4. A sincronizao de duas unidades centrais de processamento por "software", de modo que uma unidade
central de processamento reconhea quando a outra falhar e recupere as tarefas da unidade que falha.
4. A. 3. c. "Computadores digitais" com um "desempenho terico composto" (CPT) superior a 12,5 milhes de
operaes tericas por segundo (Mtops);
4. A. 3. d. "Conjuntos" especialmente concebidos ou modificados para aumentar o desempenho pela
agregao de "elementos de computao":
4. A. 3. d. Notas: 1. A alnea 4.A.3.d. aplica-se apenas a "conjuntos" e interligaes programveis que no
excedam os limites da alnea 4.A.3.c., quando expedidos como "conjuntos" no integrados. No se aplica a
"conjuntos" limitados por inerncia, pela natureza da sua concepo, para utilizao como equipamento
referido nas alneas 4.A.3.e. a k.
2. A alnea 4.A.3.d. no compreende "conjuntos" especialmente concebidos para um produto ou famlia de
produtos cuja configurao mxima no exceda os limites da alnea 4.A.3.c.
4. A. 3. d. 1. Concebidos para ser possvel a agregao em configurao de 16 ou mais "elementos de
computao"; ou
4. A. 3. d. 2. Com um somatrio de taxas mximas de dados em todos os canais de dados disponveis para
ligao com processadores associados superior a 40 MBytes/s;
4. A. 3. e. Unidades de disco e equipamento de armazenamento do estado slido:
1. Unidades de disco magntico, de disco ptico ou magneto-ptico com possibilidade de se apagar, com
uma "taxa mxima de transferncia de informao" superior a 25 Mbits/s;
2. Equipamentos de armazenamento do estado slido, para alm da "memria principal" (tambm conhecida
como disco do estado slido ou disco RAM), com uma "taxa mxima de transferncia de informao"
superior a 36 Mbits/s;
4. A. 3. f. Unidades de controlo de entrada/sada para utilizao no equipamento referido na alnea 4.A.3.e.;
4. A. 3. g. Equipamentos para "processamento de sinal" ou "realce de imagem" com um "desempenho terico
composto" superior a 8,5 milhes de operaes tericas por segundo (Mtops);
4. A. 3. h. Aceleradores grficos ou coprocessadores grficos excedendo uma "taxa de vectores 3-D" de
400.000 ou, se suportar apenas vectores 2-D, uma "taxa de vectores 2-D" de 600.000;
4. A. 3. h. Nota: A alnea 4.A.3.h. no se aplica a estaes de trabalho concebidas para e limitadas a:
1. Artes grficas (por ex., impresso, publicao); e
2. Visualizao de vectores bidimensionais.
4. A. 3. i. Visores ou monitores a cores com mais de 12 elementos distinguveis por mm na direco da
mxima densidade de pixel;
4. A. 3. i. Notas: 1. A alnea 4.A.3.i. no compreende visores ou monitores no especialmente concebidos
para computadores electrnicos.
2. Os visores especialmente concebidos para sistemas de Controlo de Trfego Areo (ATC) so tratados
como componentes especialmente concebidos para sistemas ATC na Categoria 6.
4. A. 3. j. Equipamentos que realizem converses analgicas-digitais ou digitais-analgicas que excedam os
limites referidos na Categoria 3, alnea .A.1.a.5.;
4. A. 3. k. Equipamentos contendo "equipamentos de interface terminal" que exceda os limites referidos na
Categoria 5, alnea A.1.b.3.;
Nota: Para os efeitos do referido na alnea 4.A.3.k., o "equipamento de interface terminal" inclui interfaces
para "redes locais", modems e outras interfaces de comunicaes. As interfaces para "redes locais" so
avaliadas como "controladores de acesso a redes".
4. A. 4. Computadores, e equipamento relacionado "conjuntos", e componentes especialmente concebido
para os mesmos:
a. "Computadores sistlicos matriciais";
b. "Computadores neuronais";
c. "Computadores pticos".

4. B. EQUIPAMENTOS DE ENSAIO, DE CONTROLO E DE PRODUO

4. B. Equipamentos para desenvolvimento e produo de equipamento de armazenamento magntico e


ptico:
4. B. 1. Equipamentos especialmente concebidos para aplicao de revestimento magntico em suportes
magnticos ou magneto-pticos no flexveis (rgidos) sob controlo;
Nota: O pargrafo 4.B.1. no compreende equipamentos de "pulverizao catdica" de uso geral.
4. B. 2. Equipamentos com "controlo por programa residente" especialmente concebidos para a
monitorizao, classificao, simulao ou teste de suportes magnticos rgidos sob controlo;
4. B. 3. Equipamentos especialmente concebidos para a produo ou alinhamento de cabeas ou conjuntos
cabea/discos para armazenamento magntico ou magneto-ptico rgido e seus componentes electro-
mecnicos ou pticos sob controlo.

4. C. MATERIAIS

C. Materiais especialmente formulados e "necessrios" fabricao de conjuntos cabea/disco para


unidades de disco rgido magntico e magneto-ptico sob controlo.

4. D. "SOFTWARE"

4. D. Nota: O controlo do "software" para o "desenvolvimento", "produo" ou "utilizaes" de equipamentos


descritos noutras Categorias tratado na Categoria apropriada. O controlo do "software" para equipamentos
descritos nesta Categoria aqui tratado.
4. D. 1. "Software" especialmente concebido ou modificado para o "desenvolvimento", "produo" ou
utilizao de equipamentos, materiais ou "software" referidos nas sub-Categorias 4.A., 4.B., 4.C. ou 4.D;
4. D. 2. "Software" especialmente concebido ou modificado para apoiar "tecnologia" referida na sub-
Categoria 4.E;
4. D. 3. "Software" especfico:
a. "Software" de validao e comprovao de "programas" que utilize tcnicas analticas e matemticas e
concebido ou modificado para "programas" com mais de 500.000 instrues no "cdigo fonte";
b. "Software" que permita a gravao automtica de "cdigos fonte" a partir de dados adquiridos online a
partir de sensores externos descritos nestas Listas;
c. "Software" de sistemas operativos, ferramentas de desenvolvimento de "software" e compiladores
especialmente concebidos para equipamentos de "processamento de mltiplos fluxos de dados", em "cdigo
fonte";
d. "Sistemas periciais" ou "software" para mquinas de inferncia de "sistemas periciais" que proporcionem:
1. Regras de dependncia temporal; e
2. Primitivas para tratar as caractersticas temporais das regras e dos acontecimentos;
e. "Software" com caractersticas, ou que realize funes, que excedam os limites da Categoria 5
("Segurana da Informao");
f. Sistemas operativos especialmente concebidos para equipamentos de "processamento em tempo real" que
garantam um "tempo latente entre interrupes globais" inferior a 30 microsegundos;

4. E. TECNOLOGIA

4. E. 1. "Tecnologia" de acordo com a Nota Geral de Tecnologia para o "desenvolvimento", a "produo" ou a


"utilizao" de equipamentos, materiais ou "software" compreendidos nas sub-Categorias 4.A, 4.B, 4.C ou
4.D;
4. E. 2. a. "Tecnologia" para o "desenvolvimento" ou "produo" de equipamentos no controlados, face ao
referido na alnea 4.A.3.h.;
4. E. 2. b. "Tecnologia" para o "desenvolvimento" ou "produo" de equipamentos concebidos para o
"processamento de mltiplos "fluxos de dados";
4. E. 2. c. Tecnologia "necessria" ao "desenvolvimento" ou "produo" de unidades de disco rgido
magntico com uma "taxa mxima de transferncia de informao" superior a 11 Mbits/s.
4. Nota Tcnica:

"DESEMPENHO TERICO COMPOSTO" (CTP)

Abreviaturas usadas nesta Nota Tcnica


CE "elemento de computao" (tipicamente uma unidade aritmtica e lgica)
FP vrgula flutuante
XP vrgula fixa
t tempo de execuo
XOR OU exclusivo
CPU unidade central de processamento
TP desempenho terico (de um nico CE)
CTP "desempenho terico composto" (mltiplos CEs)
R taxa de clculo efectivo
O tempo de execuo "t" expresso em microsegundos, e CTP expresso em Mtops (milhes de operaes
tericas por segundo).
CTP uma medida do desempenho computacional dado em milhes de operaes tericas por segundo
(Mtops). No clculo do "desempenho terico composto" de uma configurao de elementos de computao
(CEs) so necessrios os seguintes trs passos:
1. Calcular a taxa de clculo efectivo R para cada CE;
2. Aplicar a esta taxa o ajuste do comprimento da palavra, resultando um desempenho terico (TP) para
cada CE. Seleccionar o mximo resultado de TP;
3. Se existirem mais de um "elemento de computao", combinar os TPs resultando o "desempenho terico
composto" para a configurao.
Nota: Esta agregao no deve ser aplicada a computadores ligados atravs de uma "rede local" no
controlada.
A tabela seguinte mostra a maneira de calcular a taxa de clculo efectivo R para cada elemento de
computao:
(ver documento original)
Nota X: Para CEs que realizem mltiplas operaes aritmticas de um tipo especfico num nico ciclo (ex.,
duas adies por ciclo), o tempo de execuo t dado por:
t = (tempo de ciclo/nmero de operaes aritmticas por ciclo de mquina)
CEs que realizem diferentes tipos de operas aritmticas num nico ciclo de mquina sero tratados como
mltiplos CEs separados actuando simultaneamente (ex., um CE que realize uma adio e uma multiplicao
num ciclo tratado como dois CEs, o primeiro realizando uma adio num ciclo e o segundo realizando uma
multiplicao num ciclo).
Se um nico CE tiver funes escalares e funes vectoriais, utilizar o valor mais elevado.
Nota Y: Se nem a adio FP nem a multiplicao FP estiverem implantadas, mas o CE realizar a diviso FP:
R(ndice fp) = 1/(t fp diviso);
Se a diviso no estiver implementada, o fp recproco deve ser utilizado.
Se nenhuma das instrues especificadas estiver implementada, a taxa FP efectiva 0.
Nota Z: Em operaes lgicas simples, uma nica instruo realiza uma manipulao lgica nica de no
mais de dois operandos de dado comprimento.
Em operaes lgicas complexas, uma nica instruo realiza manipulaes lgicas mltiplas de modo a
produzir um ou mais resultados a partir de dois ou mais operandos.
As taxas devem ser calculadas para todos os comprimentos de operandos suportados, utilizando a instruo
de execuo mais rpida para cada comprimento de operando, baseado em:
1. Registo-para-registo. Excluir tempos de execuo extraordinariamente curtos causados por operaes
sobre um operando ou operandos predeterminados (por exemplo, multiplicao por 0 ou 1). Se nenhuma
operao registo-para-registo estiver implementada, continuar com (2).
2. A mais rpida das operaes registo-para-memria ou memria-para-registo; se estas tambm no
existirem, ento continuar com (3).
3. Memria-para-memria.
No caso acima, utilizar o tempo de execuo mais curto certificado pelo fabricante.
TP para cada comprimento de operando WL suportado
Corrigir a taxa efectiva R (ou R') atravs da correco do comprimento de palavra L do seguinte modo:
TP = R * L
onde L = (1/3 + WL/96)
Nota: O comprimento de palavra WL utilizado nestes clculos o comprimento do operando em bits. (Se
uma operao utilizar operandos de diferentes comprimentos, seleccionar o comprimento de palavra maior.)
Esta correco no se aplica a processadores lgicos especializados que no utilizem instrues XOR.
Neste caso, TP = R.
SELECCIONAR O MXIMO VALOR RESULTADO DE TP PARA:
Cada CE s XP (R(ndice xp));
Cada CE s FP (R(ndice fp));
Cada CE combinando FP e XP (R);
Cada processador lgico simples que no implemente nenhuma das operaes aritmticas especificadas; e
Cada processador lgico especial que no utilize nenhuma das operaes aritmticas ou lgicas
especificadas.
CTP para CPUs e agregados de CEs
Para uma CPU com um nico CE,
CTP = TP
(para CEs realizando operaes de vrgula fixa e flutuante
TP = max (TPfp, TPxp))
Para agregados de mltiplos CEs a operar simultaneamente:
Nota 1: Em configuraes que no permitam que todos os CEs funcionem simultaneamente, deve ser
utilizada a configurao admissvel de CEs que fornea o CTP mais elevado. O TP de cada CE que contribui
ter que ser calculado com o mximo valor teoricamente possvel antes do CTP da combinao ser obtido.
Nota 2: Um nico chip de circuito integrado ou carta para montagem pode conter mltiplos CEs.
Nota 3: Assume-se que existem operaes simultneas quando o fabricante do computador reinvidica
operao ou execuo concorrente, paralela ou simultnea no manual ou brochura do computador.
CTP = TP1 + C2 * TP2 + ... + Cn * TPn,
onde TP1 o maior de todos os TPs, e Ci um coeficiente determinado pela eficcia da interligao entre
CEs, do seguinte modo:
Para mltiplos CEs que partilhem memria:
C2 = C3 = C4 = ... = Cn = 0,75
Nota: Os CEs partilham memria se acedem a um segmento comum de memria do estado slido. Esta
memria pode incluir memria cache, memria principal, ou outra memria interna. Dispositivos de memria
perifricos como unidades de disco, unidades de fita ou discos RAM no se incluem.
Para mltiplos CEs que no partilhem memria, interligados por um ou mais canais de dados:
C(ndice 1) = (8 * Si)/(WL(ndice i) * TP(ndice i))
(i = 2, ..., n)
onde Si = soma das taxas de dad os mximas (em unidades de MByte/seg) para todos os canais de dados
ligados ao i(elevado a mo) CE ou CPU;
Nota: No se incluem canais dedicados a transferncias entre um processador individual e a sua "memria
mais imediata" ou equipamento relacionado.
WL(ndice i), o comprimento do operando para o qual TP(ndice i) foi obtido, e o factor 8 normaliza S(ndice
i) (medido em bytes por segundo) e WL (dado em bits).
Nota: Se C(ndice i) exceder 0,75, aplica-se a frmula para CE/CPU que partilhem memria enderevel
directamente (i.e., C(ndice i) no pode exceder 0,75).

CAPTULO V
CATEGORIA 5
TELECOMUNICAES E "SEGURANA DA INFORMAO"

Parte 1 - TELECOMUNICAES

5. Notas: A. O controlo dos componentes, dos "lasers", dos equipamentos de ensaio e produo, dos
materiais e "software" especialmente concebidos para sistemas e equipamentos de telecomunicaes, est
definido nesta Categoria.
B. Os "computadores digitais", os equipamentos associados ou o "software", desde que essenciais ao
funcionamento e suporte dos equipamentos de telecomunicaes descritos nesta Categoria, so
considerados como componentes especialmente concebidos, se forem modelos standard fornecidos
normalmente pelo fabricante. Isto inclui os sistemas informticos ligados aos processos de explorao,
administrao, manuteno, engenharia ou facturao.
5. A. 1. EQUIPAMENTOS, CONJUNTOS E COMPONENTES
5. A. 1. a. Qualquer tipo de equipamento de telecomunicaes que apresente alguma das seguintes
caractersticas, que realize alguma das seguintes funes ou que comporte algum dos seguintes elementos:
1. Especialmente concebidos para resistirem aos efeitos electrnicos transitrios ou ao impulso
electromagntico resultante duma exploso nuclear;
2. Especialmente preparados para resistirem aos raios gama, de neutres ou de ies;
3. Especialmente concebidos para funcionarem para alm da gama de temperaturas entre os 219 K (-54C) e
os 397 K (124C).
Nota: A alnea 5.A.1.a.3. aplica-se smente a equipamentos electrnicos.
Nota: As alneas 5.A.1.a.2. e 3. no se aplicam a equipamentos a bordo de satlites.
5. A. 1. b. Equipamentos ou sistemas de transmisso para telecomunicaes, componentes e acessrios
especialmente concebidos para os mesmos, que apresentem alguma das seguintes caractersticas, que
realizem alguma das seguintes funes ou que comportem algum dos seguintes elementos:
Nota: A designao Equipamentos de transmisso para telecomunicaes inclui os equipamentos:
a. Dos seguintes tipos ou combinaes dos mesmos:
1. Equipamento de rdio (por exemplo, emissores, receptores e emissores-receptores);
2. Equipamento terminal;
3. Equipamento de amplificao intermdia;
4. Equipamento de repetio;
5. Equipamento de regenerao;
6. Codificadores de traduo (Transcodificadores);
7. Equipamento multiplex (incluindo multiplex estatstico);
8. Moduladores/Desmoduladores (modems);
9. Equipamento Transmultiplex (Ver Rec. G701 de CCITT);
10. Equipamento digital de interligao com "controlo por programa residente";
11. "Portas" e pontes;
12. "Unidades de acesso aos suportes da informao"; e
b. Concebidos para utilizao em telecomunicaes por canal nico ou mltiplo atravs de:
1. fio (linha);
2. cabo coaxial;
3. cabo de fibras pticas; ou
4. radiaes electromagnticas.
5. A. 1. b. 1. Tcnicas digitais, incluindo o processamento digital de sinais analgicos, e concebidos para
funcionar a um nvel mximo de multiplexagem e a uma "taxa de transferncia digital" superior a 45 Mbits/s
ou a uma "taxa de transferncia digital total" superior a 90 Mbits/s;
Nota: A alnea 5.A.1.b.1. no compreende os equipamentos especialmente concebidos para integrarem e
operarem em sistemas de satlites para uso civil.
5. A. 1. b. 2. Equipamento digital de interligao com "controlo por programa residente" com uma "taxa de
transferncia digital" superior a 8,5 Mbits/s por porta;
5. A. 1. b. 3. Equipamentos que contenham:
a. Modems que utilizem uma "largura de banda de um s canal de voz" com um "dbito binrio" superior a
9600 bits/s;
b. "Controladores de comunicaes" com um output digital com "dbito binrio" superior a 64000 bits/s por
canal; ou
c. "Controladores de acesso rede" e respectivos suportes comuns com uma "taxa de transferncia digital"
superior a 33 Mbits/s;
Nota: Se um equipamento no sujeito a controlo possuir um "controlador de acesso rede", no poder ter
qualquer tipo de interface para telecomunicaes alm das descritas, mas no referidas na alnea 5.A.1.b.3.
5. A. 1. b. 4. Que empreguem um "laser" e possuam uma das seguintes caractersticas:
a. Comprimento de onda de transmisso superior a 1000 nm;
b. Utilizem tcnicas analgicas com uma largura de banda superior a 45 MHz;
c. Utilizem tcnicas de transmisso ptica coerente ou tcnicas de deteco ptica coerente (tambm
denominadas tcnicas pticas heterodinas ou homodinas);
d. Utilizem tcnicas de multiplexagem por diviso do comprimento da onda; ou
e. Que efectuem "amplificao ptica";
5. A. 1. b. 5. Equipamentos de rdio que funcionem com frequncias de entrada ou de sada superiores a:
a. 31 GHz para aplicaes ligadas s estaes terrestres de satlites;
b. 26,5 GHz para outras aplicaes;
Nota: A alnea 5.A.1.b.5.b. no compreende os equipamentos de utilizao civil em conformidade com a
distribuio das bandas de frequncia da UIT entre 26,5 e 31 GHz.
5. A. 1. b. 6. Equipamentos de rdio:
a. Que empreguem tcnicas de modulao de amplitude em quadratura (QAM) acima do nvel 4; ou
b. Que empreguem outras tcnicas de modulao digital e que possuam uma "eficincia espectral" superior a
3 bit/s/Hz;
Nota: A alnea 5.A.1.b.6.b. no compreende os equipamentos especialmente concebidos para integrar e
funcionar em sistemas de satlites para uso civil.
5. A. 1. b. 7. Equipamentos de rdio que operem na banda entre 1,5 a 87,5 MHz e que possuam qualquer
uma das seguintes caractersticas:
a. 1. Previso e seleco automticas de frequncias e "taxas de transferncia digitais totais" por canal de
modo a optimizar a emisso; e
2. Compreendam a configurao de um amplificador de potncia linear que tenha a capacidade de tratar
simultaneamente sinais mltiplos a uma potncia de sada de 1 KW ou mais, na gama de frequncias que
varia entre 1,5 e 30 MHz, ou 250 W ou mais, na gama de frequncias que varia entre 30 e 87,5 MHz, sobre
uma "largura de banda instantnea" de uma oitava ou mais e com uma taxa harmnica de sada e de
distoro melhor do que - 80 dB; ou
b. Compreendam tcnicas adaptativas que assegurem a supresso de mais de 15 dB de um sinal de
interferncia;
5. A. 1. b. 8. Equipamentos de rdio que empreguem tcnicas de "espectro expandido" ou de "mudanas de
frequncias" (saltos de frequncias) e que apresentem uma das seguintes caractersticas:
a. Cdigos de expanso programveis pelo utilizador; ou
b. Largura de banda de emisso total igual a 100 ou mais vezes a largura de banda de um qualquer canal de
informao e superior a 50 KHz;
5. A. 1. b. 9. Receptores de rdio de comando digital que tenham mais do que 1000 canais, que:
a. Explorem ou varram automaticamente uma parte do espectro electromagntico;
b. Identifiquem os sinais recebidos ou o tipo de emissor; e
c. Tenham um "tempo de comutao de frequncia" inferior a 1 ms;
5. A. 1. b. 10. Assegurem as funes de "processamento do sinal" digital atravs de:
a. Codificao vocal a taxas inferiores a 2400 bits/s;
b. Emprego de circuitos que incorporem "programao acessvel ao utilizador" dos circuitos de
"processamento de sinal" digital que exceda os limites previstos na alnea 4.A.3.g.;
5. A. 1. b. 11. Sistemas de comunicao submarina que apresentem uma das seguintes caractersticas:
a. Portadora acstica com frequncia situada fora da gama compreendida entre os 20 e 60 kHz;
b. Portadora electromagntica com frequncia inferior a 30 kHz; ou
c. Utilizao de tcnicas electrnicas de orientao do feixe;
5. A. 1. c. Equipamentos de comutao com "controlo por programa residente" e respectivos sistemas de
sinalizao que apresentem alguma das seguintes caractersticas, que realizem alguma das seguintes
funes ou que comportem algum dos seguintes elementos, e componentes e acessrios especialmente
concebidos para os mesmos:
Nota: Os multiplexers estatsticos com entrada e sada digital que assegurem a comutao so considerados
como comutadores com "controlo por programa residente".
5. A. 1. c. 1. "Sinalizao por canal comum";
Nota: Os sistemas de sinalizao nos quais o canal de sinalizao transportado no mesmo e se refere a
no mais de 32 canais multiplexados que constituem uma ligao inferior ou igual a 2,1 Mbits/s, e nos quais
a informao de sinalizao transportada num canal fixo com multiplexagem temporal sem utilizao de
mensagens identificadas (labelled) no so considerados como sistemas de "sinalizao por canal comum".
5. A. 1. c. 2. Contenham funes de "Redes Digitais com Integrao de Servios" (RDIS) e apresentem uma
das seguintes caractersticas:
a. Interfaces terminal-comutador (por exemplo, linha de assinante) com uma "taxa de transferncia digital"
superior a 192000 bits/s, no nvel mximo de multiplexagem, incluindo o canal de sinalizao associado (por
exemplo, 2B + D); ou
b. Capacidade de retransmitir directamente a um outro comutador uma mensagem de sinalizao recebida
num comutador sobre um dado canal e respeitante a um outro canal;
Nota: A alnea 5. A. c. 2. no compreende:
1. A avaliao e adopo de medidas apropriadas pelo comutador receptor;
2. O trfego de mensagens do utilizador no relacionadas com o canal D da RDIS.
5. A. 1. c. 3. Prioridade multinvel e a um nico nvel para a comutao de circuitos;
Nota: A alnea 5.A.1.c.3. no compreende a comunicao com prioridade a um nico nvel.
5. A. 1. c. 4. "Encaminhamento dinmico";
5. A. 1. c. 5. Encaminhamento (Routing) ou comutao de pacotes "datagrama";
5. A. 1. c. 6. Encaminhamento (Routing) ou comutao de pacotes de "seleco rpida";
Nota: As restrices previstas nas alneas 5.A.1.c.5. e 6. no se aplicam a redes que utilizem smente
"controladores de acesso rede" nem aos prprios "controladores de acesso rede".
5. A. 1. c. 7. Concebidos para a transferncia automtica de chamadas de rdio celulares para outros
comutadores celulares ou para ligao automtica a uma base de dados centralizada de assinantes comum
a vrios comutadores;
5. A. 1. c. 8. Comutadores de pacotes, comutadores de circuitos e encaminhadores (routers) com portas ou
linhas que excedam:
a. Um "dbito binrio" de 64000 bits/s por canal para um "controlador de comunicaes"; ou
Nota: A alnea 5.A.1.c.8.a. no compreende a multiplexagem sobre uma ligao composta de canais de
comunicao no referidos na mesma.
b. Uma "taxa de transferncia digital" de 33 Mbits/s para um "controlador de acesso rede" e meios comuns
associados;
5. A. 1. c. 9. "Comutao ptica";
5. A. 1. c. 10. Emprego de tcnicas de "Modo de Transferncia Assncrona" (MTA);
5. A. 1. c. 11. Que contenham equipamento digital de interligao com "controlo por programa residente" com
uma "taxa de transferncia digital" superior a 8,5 Mbits/s por porta;
5. A. 1. d. Controlo centralizado da rede que apresente ambas as seguintes caractersticas:
1. Recepo de dados provenientes dos ns; e
2. Processamento destes dados a fim de controlar o trfego sem necessidade de recorrer a decises do
operador, de modo a efectuar um "encaminhamento dinmico";
Nota: A alnea 5.A.1.d. no proibe o controlo do trfego como funo de previso estatstica das condies
de trfego.
5. A. 1. e. Cabos de fibras pticas para telecomunicaes, fibras pticas e componentes e acessrios
especialmente concebidos para os mesmos:
1. Cabos ou fibras pticas com um comprimento superior a 50 m que apresentem alguma das seguintes
caractersticas:
a. Concebidos para um funcionamento monomodo (single mode); ou
b. Para fibras pticas, capazes de suportar uma carga de ruptura nos ensaios de avaliao, igual ou superior
a 2 x 109 N/m2;
5. A. 1. e. 1. Nota Tcnica: O termo ensaio de avaliao designa os ensaios de produo on-line ou off-line
que apliquem dinamicamente uma carga de ruptura definida sobre uma fibra de 0,5 a 3 m de comprimento a
uma velocidade de 2 a 5 m/s, aquando da sua passagem entre cabrestantes de aproximadamente 150 mm
de dimetro. A temperatura ambiente nominal de 293 K e a humidade relativa de 40%.
N.B.: As normas nacionais equivalentes podero ser utilizadas para se efectuarem os ensaios de avaliao.
2. Componentes e acessrios especialmente concebidos para os cabos ou as fibras pticas referidas na
alnea 5.A.1.e.1., excepto os conectores utilizados com os cabos ou as fibras pticas com perdas de ligao
igual ou superior a 0,5 dB;
3. Cabos de fibras pticas e acessrios concebidos para utilizao submarina; (Para os penetradores e
conectores de paredes estanques para fibras pticas, vr a alnea 8.A.2.c.).
5. A. 1. f. Sistemas de antenas em fase que funcionem abaixo de 10,5 GHz, que contenham elementos
activos e componentes distribudos, e concebidos de modo a permitir o comando electrnico da forma e
orientao do feixe, excepto aquelas que se destinem a sistemas de aterragem com instrumentos que
satisfaam as normas da OIAC - Organizao Internacional de Aviao Civil - (sistemas de aterragem por
hiperfrequncias ou MLS).

5. B. 1. EQUIPAMENTOS DE ENSAIO, DE CONTROLO E DE PRODUO

5. B. 1. a. Equipamentos especialmente concebidos para:


1. O desenvolvimento de equipamentos, materiais, funes ou elementos referidos nos pargrafos 5.A.1.,
5.B.1., 5.C.1., 5.D.1., ou 5.E.1., incluindo os equipamentos de medida ou de ensaio;
2. A produo de equipamentos, materiais, funes ou elementos referidos nos pargrafos 5.A.1., 5.B.1.,
5.C.1., 5.D.1. ou 5.E.1., incluindo os equipamentos de medida, de ensaio ou de reparao;
3. Utilizao de equipamentos, materiais, funes ou elementos em que as caractersticas ultrapassem os
critrios menos rigorosos de controlo aplicveis aos pargrafos 5.A.1., 5.B.1., 5.C.1., 5.D.1., ou 5.E.1.,
incluindo os equipamentos de medida, de reparao ou de ensaio;
5. B. 1. b. Outros equipamentos:
1. Equipamentos de ensaio da taxa de erro de bits (bit error rate) concebidos ou modificados para o ensaio
de equipamentos referidos na alnea 5.A.1.b.1.;
2. Simuladores, equipamentos de ensaio e analizadores de protocolos de comunicao de dados para as
funes referidas na alnea 5.A.1.b.1.
3. Simuladores autnomos de meios de transmisso de rdio/avaliadores autnomos de canal, com "controlo
por programa residente", especialmente concebidos para o ensaio dos equipamentos referidos na alnea
5.A.1.b.5.

5. C. 1. MATERIAIS

Prformas de vidro ou de qualquer outro material optimizado para o fabrico de fibras pticas referidas na
alnea 5.A.1.e.

5. D. 1. "SOFTWARE"

5. D. 1. a. "Software" especialmente concebido ou modificado para o "desenvolvimento", a "produo" ou a


"utilizao" dos equipamentos ou dos materiais referidos nos pargrafos 5.A.1., 5.B.1. ou 5.C.1.;
5. D. 1. b. "Software" especialmente concebido ou modificado para apoiar a tecnologia referida no pargrafo
5.E.1.;
5. D. 1. c. "Software" especfico:
1. "Software genrico" que no se encontre sob uma forma passvel de ser directamente executado pela
mquina (machine-executable form) especialmente concebido ou modificado para a "utilizao" de
equipamentos ou sistemas de comutao digital com "controlo por programa residente";
2. "Software", que no se encontre sob uma forma passvel de ser directamente executado pela mquina
(machine-executable form), especialmente concebido ou modificado para a "utilizao" em equipamentos ou
sistemas rdio celular digitais;
3. "Software" especialmente concebido ou modificado para fornecer uma das caractersticas, uma das
funes ou um dos elementos dos equipamentos referidos nos pargrafos 5.A.1. ou 5.B.1.;
4. "Software" que permita a recuperao do "cdigo fonte" do "software" de telecomunicaes referido na
presente Categoria;
5. "Software" especialmente concebido para o "desenvolvimento" ou "produo" de "software" referido no
pargrafo 5.D.1.;
(No que diz respeito ao "software" destinado ao "processamento de sinais" vr tambm as Categorias 4.D. e
6.D.).

5. E. 1. TECNOLOGIA

5. E. 1. a. Tecnologia, de acordo com a Nota Geral de Tecnologia, para o "desenvolvimento", a "produo" ou


a "utilizao" (com excluso da explorao) dos equipamentos, sistemas, materiais ou "software" referidos
nos pargrafos 5.A.1., 5.B.1., 5.C.1. ou 5.D.1.;
5. E. 1. b. Tecnologias especficas:
1. Tecnologia "necessria" ao "desenvolvimento" ou "produo" de equipamentos de telecomunicaes
especialmente concebidos para serem utilizados a bordo de satlites;
2. Tecnologia para o "desenvolvimento" ou "utilizao" de tcnicas de comunicao "laser" que permitam a
aquisio e o encaminhamento automticos dos sinais e a manuteno das comunicaes atravs de meios
exoatmosfricos ou submarinos;
3. Tecnologia para o tratamento e aplicao em fibras pticas, de revestimentos especialmente concebidos
para que as mesmas estejam adaptadas a utilizao submarina;
4. Tecnologia para o "desenvolvimento" ou "produo" de equipamentos que empreguem tcnicas de
"Hierarquia Digital Sncrona" (SDH) ou "Rede ptica Sncrona" (SONET);
5. Tecnologias para o "desenvolvimento" ou a "produo" de "malhas de comutao" que exceda 64000
bits/s por canal de informao, com excluso da destinada interligao digital integrada no comutador;
6. Tecnologia para o "desenvolvimento" ou "produo" do controlo centralizado de redes;
7. Tecnologia para o "desenvolvimento" ou "produo" de sistemas rdio celular digitais;
8. Tecnologia para o "desenvolvimento" ou "produo" da RDIS.
Parte 2 - "SEGURANA DA INFORMAO"
5. Nota: As condies de controlo dos equipamentos, do "software", dos sistemas, dos "conjuntos"
especficos para uma dada aplicao, dos mdulos, dos circuitos integrados, dos componentes ou funes
que asseguram a "segurana da informao" encontram-se definidas nesta Categoria mesmo que sejam
componentes ou "conjuntos" de outros equipamentos.
5. A. 2. EQUIPAMENTOS, CONJUNTOS E COMPONENTES
5. A. 2. Sistemas, equipamentos, "conjuntos" especficos para uma dada aplicao, mdulos ou circuitos
integrados que assegurem a "segurana da informao", a seguir referidos, e outros componentes
especialmente concebidos para os mesmos:
5. A. 2. a. Concebidos ou modificados para utilizar a "criptografia" com emprego de tcnicas digitais de modo
a assegurar a "segurana da informao";
5. A. 2. b. Concebidos ou modificados para efectuar funes criptoanalticas;
5. A. 2. c. Concebidos ou modificados para utilizar a "criptografia" com emprego de tcnicas analgicas de
modo a assegurar a "segurana da informao", com excluso de:
1. Equipamentos que utilizem tcnicas de mistura de bandas "fixas" que no excedam 8 bandas e nos quais
as mudanas de transposio no se efectuem mais de uma vez por segundo;
2. Equipamentos que utilizem tcnicas de mistura de bandas "fixas" que excedam 8 bandas e nos quais as
mudanas de transposio no se efectuem mais de uma vez em cada dez segundos;
3. Equipamentos que utilizem a inverso em frequncia "fixa" e nos quais as mudanas de transposio no
se efectuem mais de uma vez por segundo;
4. Equipamentos de facsimile;
5. Equipamentos de radiodifuso para audincias limitadas;
6. Equipamentos de televiso civil;
5. A. 2. d. Concebidos ou modificados para suprimir as interferncias comprometedoras para os sinais
portadores de informao;
Nota: A alnea 5.A.2.b. no compreende os equipamentos especialmente concebidos para suprimir as
interferncias por razes de sade ou segurana.
5. A. 2. e. Concebidos ou modificados para empregar tcnicas de criptografia para gerar o cdigo de
expanso para o "espectro expandido" ou o cdigo de salto para sistemas de "mudanas de frequncias";
5. A. 2. f. Concebidos ou modificados de modo a assegurar uma "segurana multinvel" ou um isolamento do
utilizador certificado ou certificvel a um nvel que ultrapasse a Classe B2 da Trusted Computer System
Evaluation Criteria (TCSEC) ou uma outra norma equivalente.
5. A. 2. g. Sistemas de cabos de telecomunicaes concebidos ou modificados atravs de meios mecnicos,
elctricos ou electrnicos para detectar intruses subreptcias.

5. B. 2. EQUIPAMENTOS DE ENSAIO, DE CONTROLO E DE PRODUO

5. B. 2. a. Equipamentos especialmente concebidos para:


1. O "desenvolvimento" dos equipamentos ou das funes referidos nos pargrafos 5.A.2., 5.B.2., 5.D.2. ou
5.E.2., incluindo os equipamentos de medida ou de ensaio;
2. A "produo" de equipamentos ou de funes referidos nos pargrafos 5.A.2., 5.B.2., 5.D.2. ou 5.E.2.,
incluindo os equipamentos de medida, de ensaio, de reparao ou de produo;
5. B. 2. b. Equipamentos de medida especialmente concebidos para avaliar e validar as funes de
"segurana da informao" referidos nos pargrafos 5.A.2. ou 5.D.2.

5. C. 2. MATERIAIS Nenhum

5. D. 2. "SOFTWARE"

5. D. 2. a. "Software" especialmente concebido ou modificado para o "desenvolvimento", "produo" ou


"utilizao" dos equipamentos ou do "software" referidos nos pargrafos 5.A.2., 5.B.2. ou 5.D.2.;
5. D. 2. b. "Software" especialmente concebido ou modificado para suporte da tecnologia referida no
pargrafo 5.E.2.;
5. D. 2. c. "Software" especfico:
1. "Software" que apresente as caractersticas ou que execute ou simule as funes dos equipamentos
referidos nos pargrafos 5.A.2. ou 5.B.2.;
2. "Software" destinado a certificar o "software" referido na alnea 5.D.2.c.1.;
3. "Software" concebido ou modificado para a proteco contra danos informticos intencionais, como por
exemplo os vrus.

5. E. 2. TECNOLOGIA

Tecnologia, de acordo com a Nota Geral de Tecnologia, para o "desenvolvimento", "produo" e "utilizao"
de equipamentos ou "software" referidos nos pargrafos 5.A.2., 5.B.2. ou 5.D.2.
Notas relativas parte 2 - Segurana da informao
1. O pargrafo 5.A.2. no compreende:
a. "Cartes personalizados com microchips" que utilizem a "criptografia" destinados a ser utilizados smente
com equipamentos ou sistemas livres nos termos das alneas 5.A.2.c.1. a 6., nos termos dos pargrafos b. a
e. da presente Nota;
b. Equipamentos que empreguem tcnicas de compresso ou codificao de dados "fixos";
c. Equipamentos de recepo para a radiodifuso, televiso com acesso reservado a assinantes ou televiso
similar reservada a um nmero limitado de telespectadores, do tipo grande pblico (consumo), sem
capacidade de encriptao digital e onde a desencriptao digital se encontra limitada s funes de vdeo,
audio e gesto;
d. Radiotelefones portteis (pessoais) ou mveis destinados a utilizao civil, por exemplo para utilizao
com sistemas de radiocomunicaes celulares comerciais civis, que contenham capacidade de encriptao,
desde que acompanhem os seus utilizadores;
e. Funes de desencriptao especialmente concebidas para permitir a execuo de "software" protegido,
com a condio de que estas funes no sejam acessveis ao utilizador.
2. A sub-Categoria 5.D.2. no compreende:
a. "Software" necessrio "utilizao" de equipamentos no sujeitos a controlo em virtude da Nota 1;
b. "Software" que fornea qualquer uma das funes dos equipamentos no sujeitos a controlo em virtude da
Nota 1.

CAPTULO VI
CATEGORIA 6
SENSORES E LASERS

6. A. EQUIPAMENTOS, CONJUNTOS E COMPONENTES

6. A. 1. ACSTICA
6. A. 1. a. Sistemas e equipamentos acsticos martimos, e componentes especialmente concebidos para os
mesmos:
6. A. 1. a. 1. Sistemas, equipamentos activos (transmissores ou transmissores e receptores), e componentes
especialmente concebidos para os mesmos:
Nota: A alnea 6.A.1.a.1. no compreende as sondas de profundidade que operem abaixo do maquinismo,
no incluindo funo de varrimento superior a (mais ou menos)10, e limitadas medio da profundidade da
gua, da distncia de objectos submersos ou enterrados, ou a procura de pesca.
6. A. 1. a. 1. a. Sistemas de vigilncia batimtricos de largo espectro para execuo de mapas topogrficos
martimos:
1. Concebidos para:
a. Obter medies, relativamente vertical, de ngulos superiores a 10; e
b. Medir profundidades abaixo da superfcie da gua superiores a 600 m; e
2. Concebidos para:
a. Incorporar feixes mltiplos, cada um dos quais inferior a 2; ou
b. Permitir preciso de dados melhor que 0,5% da profundidade da gua, atravs da mdia do espectro,
relativamente s medies individuais pertencentes ao espectro;
6. A. 1. a. 1. b. Sistemas de deteco ou de localizao de objectos com uma das seguintes caractersticas:
1. Frequncia de transmisso inferior a 10 KHz;
2. Nvel de presso do som, superior a 224 dB (1 micropascal a 1 m como referncia) para equipamentos
com frequncia de funcionamento na banda de 10 a 24 KHz inclusiv;
3. Nvel de presso do som, superior a 235 dB (1 micropascal a 1 m como referncia) para equipamentos
com frequncia de funcionamento na banda de 24 a 30 KHz;
4. Formao de feixes inferiores a 1 em qualquer dos eixos e com frequncia de funcionamento inferior a
100 KHz;
5. Concebidos para suportar em funcionamento normal, a presso de profundidades superiores a 1000 m e
dotados de transductores:
a. Com compensao dinmica da presso; ou
b. Com a utilizao de outros materiais que no o titanato-zirconato de chumbo, como elemento transductor;
ou
6. Concebidos para medir distncias a objectos, com um alcance superior a 5120 m;
6. A. 1. a. 1. c. Projectores acsticos, incluindo transdutores, dotados de elementos piezoelctricos,
magnetoestrictivos, electroestrictivos, electrodinmicos ou hidrulicos, que funcionam individualmente ou em
determinada combinao e com uma das seguintes caractersticas:
Nota: O controlo dos projectores acsticos, incluindo transdutores, especialmente concebidos para outros
equipamentos determinado pelo controlo desses equipamentos.
6. A. 1. a. 1. c. 1. Uma densidade de energia acstica radiante instantnea, superior a 0,01 mW/mm2/Hz
para equipamentos que funcionam a frequncias inferiores a 10 KHz;
2. Uma densidade de energia acstica radiante contnua, superior a 0,001 mW/mm2/Hz para equipamentos
que funcionam a frequncias inferiores a 10 KHz;
Nota Tcnica: A densidade de energia acstica obtida dividindo a energia acstica de sada pelo produto
da rea da superfcie radiante pela frequncia de funcionamento.
3. Concebidos para suportar em funcionamento normal, a presso de profundidades superiores a 1000 m; ou

4. Supresso de franjas superiores a 22 dB;


Nota: A alnea 6.A.1.a.1.c. no compreende fontes electrnicas que dirigem apenas verticalmente o som,
nem fontes mecnicas (ex., pistolas de ar ou de vapor) ou qumicas (ex., explosivas).
6. A. 1. a. 1. d. Sistemas e equipamentos acsticos, para determinar a posio de embarcaes de superfcie
ou veculos de submerso, e componentes especialmente concebidos para os mesmos:
Nota: A alnea 6.A.1.a.1.d. inclui equipamento que utiliza um "processamento de sinal" coerente entre duas
ou mais marcas e que transporta a unidade de hidrofone nas embarcaes de superfcie ou veculos de
submerso, ou com capacidade de corrigir automaticamente os erros de propagao da velocidade do som,
para clculo de um dado ponto.
1. Concebidos para funcionar numa gama superior a 1000 m com uma preciso de posicionamento inferior a
10 m rms (root mean square), quando medidos numa gama de 1000 m; ou
2. Concebidos para suportar presses de profundidades superiores a 1000 m;
6. A. 1. a. 2. Sistemas ou equipamentos passivos (receptores, que estejam ou no relacionados, em
funcionamento normal, a equipamentos activos separados) e componentes especialmente concebidos para
os mesmos:
a. Hidrofones (transdutores) com uma das seguintes caractersticas:
1. Dotados de sensores flexveis contnuos ou conjuntos de elementos discretos de sensores, com dimetro
ou comprimento inferior a 20 mm e com uma separao entre elementos inferior a 20 mm;
2. Dotados de um dos seguintes elementos sensores:
a. Fibras pticas;
b. Polmeros piezoelctricos; ou
c. Materiais cermicos piezoelctricos flexveis;
3. Sensibilidade do hidrofone melhor do que - 180 dB a qualquer profundidade e sem compensao de
acelerao;
4. Concebidos para funcionar a profundidades inferiores a 35 m, uma sensibilidade do hidrofone melhor do
que - 186 dB com compensao de acelerao;
5. Concebidos para funcionamento normal a profundidades superiores a 35 m, uma sensibilidade do
hidrofone melhor do que - 192 dB e com compensao de acelerao;
6. Concebidos para funcionamento normal a profundidades superiores a 100 m, uma sensibilidade do
hidrofone melhor do que - 204 dB; ou
7. Concebidos para funcionamento a profundidades superiores a 1000 m;
6. A. 1. a. 2. a. Nota Tcnica: A sensibilidade do hidrofone definida como sendo vinte vezes o logaritmo de
base dez do rcio da tenso de sada rms, a 1 V rms como referncia, quando o sensor do hidrofone, sem
pr-amplificador, colocado num campo acstico de onda plana, com uma presso rms de 1 micropascal.
Por exemplo, um hidrofone de - 160 dB (1 V por micropascal como referncia) consegue manter uma tenso
de sada de 10(elevado a -8) V, enquanto um com sensibilidade de - 180 dB mantm apenas uma tenso de
sada de 10(elevado a -9) V. Assim, - 160 dB melhor do que - 180 dB.
6. A. 1. a. 2. b. Conjuntos de hidrofones acsticos rebocados, com uma das seguintes caractersticas:
1. Espaamento entre grupos de hidrofones inferior a 12,5 m;
2. Espaamento entre grupos de hidrofones de 12,5 m a 25 m e concebidos ou com possibilidade de serem
modificados para funcionarem a profundidades superiores a 35 m;
Nota Tcnica: O termo possibilidade de ser modificado, referido na alnea 6.A.1.a.2.b.2. significa que existem
meios para permitir uma mudana do cabo ou interligaes, para alterar o espaamento do grupo de
hidrofones ou os limites de funcionamento de profundidade. Estes meios so: cabos sobresselentes em
quantidade superior a 10% do nmero de cabos total, blocos de ajustamento no espaamento dos grupos de
hidrofones ou dispositivos internos de limitao de profundidade que so ajustveis ou que controlam mais
do que um grupo de hidrofones.
3. Espaamento entre grupos de hidrofones igual ou superior a 25 m e concebidos para funcionar a
profundidades superiores a 100 m;
4. Dotados de sensores horizontais com uma das seguintes caractersticas:
a. Preciso superior a (mais ou menos)0,5;
b. Incorporados no cabo que contem os conjuntos e concebidos ou com possibilidade de serem modificados
para funcionar a profundidades superiores a 35 m; ou
Nota Tcnica: O termo possibilidade de serem modificados, referido na alna 6.A.1.a.2.b.4.b. significa que o
dispositivo de deteco de profundidade pode ajustar-se ou suprimir-se.
c. Montados no exterior do cabo que contem os conjuntos e dotados de um sensor capaz de funcionar com
movimentos de 360 a profundidades superiores a 35 m;
5. Dotados de elementos de reforo no metlicos ou cabos de conjuntos reforados longitudinalmente;
6. Dimetro do conjunto montado, inferior a 40 mm;
7. Sinais de grupo de hidrofones com ligaes mltiplas; ou
8. Caractersticas do hidrofone referidas na alnea 6.A.1.a.2.a.;
6. A. 1. a. 2. c. Equipamento para processamento, especialmente concebido para conjuntos de hidrofones
acsticos, rebocados, com uma das seguintes caractersticas:
1. Transformada de Fourier rpida ou outras transformadas com 1024 ou mais pontos complexos em menos
de 20 ms, sem "programao acessvel ao utilizador"; ou
2. Processamento de tempo ou frequncia e correlao, incluindo anlise espectral, filtragem digital e
formao de feixe com utilizao da Transformada de Fourier rpida ou outras transformadas ou processos
com "programao acessvel ao utilizador";
6. A. 1. b. Geofones terrestres com capacidade de converso para utilizao em sistemas equipamentos ou
componentes martimos especialmente concebidos, referidos na alnea 6.A.1.a.2.a.;
6. A. 1. c. Equipamentos de bordo com sonar de correlao de velocidade concebidos para medio da
velocidade horizontal do equipamento de transporte, relativamente ao fundo a distncias superiores a 500 m
entre este equipamento de transporte e o fundo.

6. A. 2. SENSORES PTICOS
6. A. 2. a. Detectores pticos:
Nota: A alnea 6.A.2.a. no compreende dispositivos fotoelctricos de germnio ou silcio.
6. A. 2. a. 1. Grupos de elementos nicos ou de planos focais (lineares ou bidimensionais) "qualificados para
uso espacial" e com uma das seguintes caractersticas:
a. 1. Resposta mxima, a um comprimento de onda inferior a 300 nm; e
2. Resposta inferior a 0,1% relativamente resposta mxima, a um comprimento de onda superior a 400 nm;

b. 1. Resposta mxima, numa gama de comprimentos de onda superiores a 900 mm, mas no superiores a
1.200 nm; e
2. "Constante de tempo" de resposta de 95 ns ou inferior; ou
c. Resposta mxima, numa gama de comprimentos de onda superiores a 1.200 nm, mas no superiores a
30.000 nm;
6. A. 2. a. 2. Tubos intensificadores de imagem e componentes especialmente concebidos para os mesmos:
a. Tubos intensificadores de imagem com todas as seguintes caractersticas:
1. Resposta mxima, na gama de comprimentos de onda superiores a 400 nm, mas no superiores a 1.050
nm;
2. Placa de microcanais para amplificao de imagem por electres com um passo dos furos (distncia de
centro a centro) inferior a 25 micrmetros; e
3. Que comportem:
a. Um fotoctodo S-20, S-25 ou multialcalino; ou
b. Um fotoctodo de arsenieto de glio (GaAs) ou de arsenieto de glio-ndio (GaInAs);
b. Componentes especialmente concebidos:
1. Inversores de imagem de fibra ptica;
2. Placas de microcanais com ambas as seguintes caractersticas:
a. 15.000 ou mais tubos ocos por placa; e
b. Passo dos furos (distncia de centro a centro) inferior a 25 micrmetros;
3. Fotoctodos de GaAs ou GalnAs;
6. A. 2. a. 3. Grupos de elementos de planos focais (lineares ou bidimensionais) no "qualificados para uso
espacial", com um dos conjuntos de caractersticas seguintes:
Notas: 1. A alnea 6.A.2.a.3. inclui os grupos de elementos fotocondutores e fotovoltaicos.
2. A alnea 6.A.2.a.3. no compreende grupos de elementos de planos focais de silcio, clulas
fotocondutoras encapsuladas ou detectores piroelctricos de elementos mltiplos (no mais de 16
elementos), que utilizam um dos seguintes materiais:
a. Sulfureto de chumbo;
b. Sulfato de triglicina e variantes;
c. Titanato de zircnio-lantnio-chumbo e variantes;
d. Tantalato de ltio;
e. Fluoreto de polivinilideno e variantes;
f. Niobato de estrncio-brio e variantes; ou
g. Selenieto de chumbo.
6. A. 2. a. 3. a. 1. Elementos individuais com uma resposta de pico na gama de comprimentos de onda
superiores a 900 nm, mas no superiores a 1.050 nm; e
2. "Constante de tempo" de resposta inferior a 0,5 ns;
b. 1. Elementos individuais com uma resposta mxima na gama de comprimentos de onda superiores a
1.050 nm mas no superiores a 1.200 nm;
2. "Constante de tempo" de resposta de 95 ns ou inferior; ou
c. Elementos individuais com uma resposta mxima na gama de comprimento de onda superiores a 1.200
nm mas no superiores a 30.000 nm;
6. A. 2. a. 4. Fotododos ou fototransstores de semicondutor de elemento nico ou de mltiplos elementos
sem plano focal no "qualificados para uso espacial" e com ambas as seguintes caractersticas:
a. Resposta mxima, a um comprimento de onda superior a 1.200 nm; e
b. "Constante de tempo" de resposta de 0,5 ns ou inferior;
6. A. 2. b. "Sensores de imagem multiespectrais" concebidos para aplicaes de deteco remota, com uma
das seguintes caractersticas:
1. Campo de viso instantneo (IFOV) inferior a 200 microradianos; ou
2. Previstos para operar na gama de comprimentos de onda superiores a 400 nm mas no superiores a
30.000 nm; e
a. Que fornecem dados de sada da imagem em formato digital; e
b. 1. "Qualificados para uso espacial"; ou
2. Concebidos para uso aerotransportado e que utilizam detectores que no de silcio;
6. A. 2. c. Equipamentos de imagem de viso directa que operem no espectro visvel ou infravermelho, e que
incorporem:
1. Tubos intensificadores de imagem referidos na alnea 6.A.2.a.2.; ou
2. Grupos de elementos de planos focais referidos na alnea 6.A.2.a.3;
Nota Tcnica: O termo viso directa refere-se a equipamentos de imagem, que operam no espectro visvel
ou infravermelho, que apresentam a um observador humano uma imagem visvel sem a converter num sinal
electrnico para visualizao televisiva, e que no possam gravar ou armazenar a imagem por meios
fotogrficos, electrnicos ou quaisquer outros.
Nota: A alnea 6.A.2.c. no compreende os seguintes equipamentos que incorporam outros fotoctodos que
no de GaAs ou GalnAs:
a. Sistemas de deteco e de alarme de presenas indesejveis em locais industriais ou civis, ou sistemas
de contagem ou controlo de movimento industrial ou de trfego;
b. Equipamento mdico;
c. Equipamentos industriais utilizados para inspeco, classificao ou anlise das propriedades dos
materiais;
d. Detectores de chama para fornos industriais;
e. Equipamentos especialmente concebidos para utilizao em laboratrio.
6. A. 2. d. Componentes auxiliares especiais para sensores pticos:
1. Arrefecedores criognicos "qualificados para uso espacial";
2. Arrefecedores criognicos no "qualificados para uso espacial":
a. De ciclo fechado com um Tempo mdio (observado) at falhar (MTTF), ou um Tempo mdio entre falhas
(MTBF) previsto, superior a 2.500 horas;
b. Mini arrefecedores de Joule-Thomson (JT) com autoregulao para dimetros interiores inferiores a 8 mm;

3. Fibras pticas que podem ser usar com detectores, com uma das seguintes caractersticas:
a. Fabricadas especialmente, na sua composio ou estrutura, ou modificadas por revestimento, para terem
sensibilidade acstica, trmica, inercial, electromagntica ou radiao nuclear; ou
b. Modificadas estruturalmente para terem um "comprimento de batimento" inferior a 50 mm (birefringencia
elevada).

6. A. 3. CMARAS
6. A. 3. a. Cmaras de instrumentao:
1. Cmaras de gravao cinematogrfica de alta velocidade que utilizam qualquer formato de filme desde 8
mm a 16 mm inclusiv, em que o filme avana continuamente durante todo o perodo de gravao, e que so
capazes de gravar a ritmos superiores a 13.150 imagens por segundo;
Nota: A alnea 6.A.3.a.1. no compreende cmaras cinematogrficas destinadas a fins civis normais.
2. Cmaras mecnicas de alta velocidade, em que o filme no se movimenta, e que so capazes de gravar a
ritmos superiores a 1.000.000 imagens por segundo para a altura completa da imagem do filme de 35 mm,
ou a ritmos proporcionalmente superiores para alturas de imagem menores, ou proporcionalmente inferiores
para alturas de imagem maiores;
3. Cmaras de varrimento, mecnicas ou electrnicas com velocidades de escrita superiores a 10 mm por
microsegundo;
4. Cmaras de quadros de imagem, electrnicas, com uma velocidade superior a 1.000.000 imagens por
segundo;
5. Cmaras electrnicas com as duas seguintes caractersticas:
a. Velocidade de obturador electrnico (capacidade de controlo do disparo) inferior a 1 microsegundo por
imagem completa; e
b. Tempo de leitura que permita um ritmo de imagem superior a 125 imagens completas por segundo;
6. A. 3. b. Cmaras de imagem:
Nota: A alnea 6.A.3.b. no compreende cmaras de vdeo ou de televiso concebidas para difuso de
televiso.
1. Cmaras de vdeo que incorporem sensores do estado slido, com uma das seguintes caractersticas:
a. Mais de 4 x 10(elevado a 6) "pixels activos" por elemento de superfcie sensvel para cmaras
monocromticas (preto e branco);
b. Mais de 4 x 10(elevado a 6) "pixels activos" por elemento de superfcie sensvel para cmaras a cores
incorporando trs elementos de superfcie sensvel; ou
c. Mais de 12 x 10(elevado a 6) "pixels activos" para cmaras a cores com elementos de superfcie sensvel
incorporando um elemento de superfcie sensvel;
2. Cmaras de varrimento e sistemas de cmaras de varrimento:
a. Que incorporam matrizes detectoras lineares com mais de 8.192 elementos por matriz; e
b. Que podem efectuar varrimento mecnico numa direco;
3. Cmaras que incorporam intensificadores de imagem referidos na alnea 6.A.2.a.2.a;
4. Cmaras que incorporam grupos de elementos de planos focais referidos na alnea 6.A.2.a.3;
(Para cmaras especialmente concebidas ou modificadas para utilizao submarina, ver as alneas 8.A.2.d. e
8.A.2.e.).

6. A. 4. PTICA
6. A. 4. a. Espelhos pticos (reflectores):
6. A. 4. a. 1. "Espelhos deformveis" com superfcies contnuas ou multielemento, e componentes
especialmente concebidos para os mesmos, capazes de reposicionar dinamicamente partes da superfcie do
espelho a ritmos superiores a 100 Hz;
2. Espelhos monolticos leves com uma "densidade equivalente" mdia inferior a 30 kg/m2 e um peso total
superior a 10 kg.
3. Estruturas leves de espelhos "compsitos" ou em favos com uma "densidade equivalente" mdia inferior a
30 kg/m2 e um peso total superior a 2 kg;
4. Espelhos direccionadores de feixes, com mais de 100 mm de dimetro ou de comprimento do eixo
principal e com uma largura de banda de controlo superior a 100 Hz;
6. A. 4. b. Componentes pticos de selenieto de zinco (ZnSe) ou sulfureto de zinco (ZnS) com transmisso
na gama de comprimentos de onda superiores a 3.000 nm mas no superiores a 25.000 nm e que
apresentam uma das seguintes caractersticas:
1. Volume superior a 100 cm3; ou
2. Dimetro ou comprimento do eixo principal superior a 80 mm e espessura (profundidade) superior a 20
mm;
6. A. 4. c. Componentes "qualificados para uso espacial" para sistemas pticos:
1. Tornados mais leves at menos de 20% da "densidade equivalente" comparada com uma pea macia da
mesma abertura e espessura;
2. Substractos, superfcies de substratos com revestimentos superficiais (camada nica ou multicamada,
metlicos ou dielctricos, condutores, semicondutores ou isolantes) ou de filmes protectores;
3. Segmentos ou conjuntos de espelhos concebidos para serem montados num sistema ptico com uma
abertura colectora equivalente ou maior que a de uma ptica nica de 1 metro de dimetro;
4. Fabricados a partir de materiais "compsitos" com um coe ficiente de dilatao trmica linear igual ou
inferior a 5 x 10(elevado a -6) em qualquer direco coordenada;
6. A. 4. d. Filtros pticos:
1. Para comprimentos de onda maiores que 250 nm, com revestimentos pticos multicamada e com uma das
seguintes caractersticas:
a. Larguras da banda iguais ou menores que 1 nm (Largura Completa a Meia Intensidade) (FWHI) e pico de
transmisso de 90% ou superior; ou
b. Larguras de banda iguais ou menores que 0,1 nm (FWHI) e pico de transmisso de 50% ou superior;
Nota: A alnea 6.A.4.d.1. no compreende filtros pticos com separaes de ar fixas ou filtros do tipo Lyot.
2. Para comprimentos de onda maiores que 250 nm, com todas as seguintes caractersticas:
a. Sintonizveis numa gama espectral de 500 nm ou superior;
b. Banda passante ptica instantnea de 1,25 nm ou inferior;
c. Comprimento de onda reajustvel em 0,1 ms com uma preciso de 1 nm ou melhor dentro da gama
espectral sintonizvel; e
d. Um nico pico de transmisso de 91% ou superior;
3. Interruptores pticos de opacidade (filtros) com um campo de viso de 30 ou mais amplo e um tempo de
resposta igual ou inferior a 1 ns;
6. A. 4. e. Equipamentos de controlo ptico:
1. Especialmente concebidos para manter a preciso ou a orientao da superfcie dos componentes
"qualificados para uso espacial" referidos nas alneas 6.A.4.c.1. a 3.;
2. Com larguras de banda de direccionamento, seguimento, estabilizao ou alinhamento de ressoadores
iguais ou superiores a 100 Hz e uma preciso de 10 microradianos ou inferior;
3. Cardans com uma rotao mxima de 5, uma largura de banda igual ou superior a 100 Hz, e uma das
seguintes caractersticas:
a. 1. Dimetro ou comprimento do eixo principal superior a 0,15 m, mas no superior a 1 m;
2. Capazes de efectuar aceleraes angulares superiores a 2 radianos/s2; e
3. Com erros de posicionamento angular, iguais ou inferiores a 200 microradianos; ou
b. 1. Dimetro ou comprimento do eixo principal superior a 1 m;
2. Capazes de efectuar aceleraes angulares superiores a 0,5 radianos/s2; e
3. Com erros de posicionamento angular iguais ou inferiores a 200 microradianos;
4. Especialmente concebidos para manter o alinhamento de sistemas de espelhos de matriz em fase ou de
segmentos em fase consistindo em espelhos com um dimetro de segmento ou comprimento do eixo
principal de 1 m ou superior;
6. A. 4. f Cabos de "fibras fluoradas", ou suas fibras pticas, com uma atenuao inferior a 4 dB/Km na gama
de comprimentos de onda superiores a 1.000 nm mas no superiores a 3.000 nm;

6. A. 5. LASERS
6. A. 5. "Lasers", componentes e equipamentos pticos:
Notas: 1. Os "Lasers" pulsados incluem os que trabalham no modo de onda contnua (CW) com impulsos
sobrepostos.
2. Os "Lasers" excitados por impulsos incluem os que trabalham no modo de excitao contnua com
excitao por impulsos sobrepostos,
3. O controlo dos "lasers" Raman determinado pelos parmetros dos "lasers" de bombeamento. Os
"Lasers" de bombeamento podem ser qualquer dos "lasers" descritos abaixo.
6. A. 5. a. "Lasers" de gs:
6. A. 5. a. 1. "Lasers" de excmeros com um dos conjuntos de caractersticas seguintes:
a. Comprimento de onda de sada no superior a 150 nm e:
1. Energia de sada superior a 50 mJ por impulso; ou
2. Potncia de sada mdia ou de CW superior a 1 W;
b. Comprimento de onda de sada superior a 150 nm mas no superior a 190 nm e:
1. Energia de sada superior a 1,5 J por impulso; ou
2. Potncia de sada mdia ou de CW superior a 120 W;
c. Comprimento de onda de sada superior a 190 nm mas no superior a 360 nm e:
1. Energia de sada superior a 10 J por impulso; ou
2. Potncia de sada mdia ou de CW superior a 500 W; ou
d. Comprimento de onda de sada superior a 360 nm e:
1. Energia de sada superior a 1,5 J por impulso; ou
2. Potncia de sada mdia ou de CW superior a 30 W;
6. A. 5. a. 2. "Lasers" de vapores de metal:
a. "Lasers" de cobre (Cu) com uma potncia de sada mdia ou de CW superior a 20 W;
b. "Lasers" a ouro (Au) com uma potncia de sada mdia ou de CW superior a 5 W;
c. "Lasers" de sdio (Na) com uma potncia de sada superior a 5 W;
d. "Lasers" de brio (Ba) com uma potncia de sada mdia ou de CW superior a 2 W;
6. A. 5. a. 3. "Lasers" de monxido de carbono (CO) com:
a. Energia de sada superior a 2 J por impulso e uma "potncia de pico" pulsada superior a 5 KW; ou
b. Potncia de sada mdia ou de CW superior a 5 KW;
6. A. 5. a. 4. "Lasers" de dixido de carbono (CO2) com uma das seguintes caractersticas:
a. Potncia de sada de CW superior a 10 KW;
b. Sada pulsada com uma "durao de impulso" superior a 10 microsegundos e:
1. Potncia de sada mdia superior a 10 KW; ou
2. "Potncia de pico" pulsada superior a 100 KW; ou
c. Sada pulsada com uma "durao da impulso" igual ou inferior a 10 microsegundos e:
1. Energia de impulso superior a 5 J por impulso e uma "potncia de pico" superior a 2,5 KW; ou
2. Potncia de sada mdia superior a 2,5 KW;
6. A. 5. a. 5. "Lasers qumicos":
a. "Lasers" de fluoreto de hidrognio (HF)
b. "Lasers" de fluoreto de deutrio (DF)
c. "Lasers de transferncia":
1. "Lasers" de oxignio iodo (O2-I);
2. "Lasers" de fluoreto de deutrio-dixido de carbono (DF-CO2);
6. A. 5. a. 6. "Lasers" por descarga em gs e de ies, i.e., "lasers" de ies de cripton ou ies de argon, com:
a. Energia de sada superior a 1,5 J por impulso e uma "potncia de pico" pulsada superior a 50 W; ou
b. Potncia de sada mdia ou de CW superior a 50 W;
6. A. 5. a. 7. Outros "lasers" de gs, excepto "lasers" de azoto, com um dos conjuntos de caractersticas
seguintes:
a. Comprimento de onda de sada superior a 150 nm e:
1. Energia de sada superior a 50 mJ por impulso e uma "potncia de pico" pulsada superior a 1 W; ou
2. Potncia de sada mdia ou de CW superior a 1 W;
b. Comprimento de onda de sada superior a 150 nm mas no superior a 800 nm e:
1. Energia de sada superior a 1,5 J por impulso e uma "potncia de pico" pulsada superior a 30 W; ou
2. Potncia de sada mdia ou de CW superior a 30 W;
c. Comprimento de onda de sada superior a 800 nm mas no superior a 1.400 nm e:
1. Energia de sada superior a 0,25 J por impulso e uma "potncia de pico" pulsada superior a 10 W; ou
2. Potncia de sada mdia ou de CW superior a 10 W; ou
d. Comprimento de onda de sada superior a 1.400 nm e uma potncia de sada mdia ou de CW superior a
1 W;
6. A. 5. b. "Lasers" de semicondutor:
Nota Tcnica: "Lasers" de semicondutor so vulgarmente chamados dodos "laser".
Nota: O controlo dos lasers" de semicondutor especialmente concebidos para outros equipamentos
determinado pelo controlo desses equipamentos.
6. A. 5. b. 1. "Lasers" individuais de semicondutor de modo transversal nico com uma das seguintes
caractersticas:
a. Potncia mdia de sada superior a 100 mW; ou
b. Comprimento de onda superior a 1.050 nm;
6. A. 5. b. 2. "Lasers" individuais de semicondutor de modo transversal mltiplo, ou matrizes de "lasers"
individuais de semicondutor, com:
a. Energia de sada superior a 500 microjoules por impulso e uma "potncia de pico" pulsada superior a 10
W;
b. Potncia de sada mdia ou de CW superior a 10 W; ou
c. Comprimento de onda superior a 1.050 nm;
6. A. 5. c. "Lasers" do estado slido:
6. A. 5. c. 1. "Lasers" "sintonizveis" com um dos conjuntos de caractersticas seguintes:
Nota: A alnea 6.A.5.c.1. inclui "lasers" de safira-titnio (Ti:Al2O3), YAG-tlio (Tm:YAG), YSGG-tlio
(Tm:YSGG), alexandrite (Cr:BeAl2O4) e "lasers" de centros de cor.
6. A. 5. c. 1. a. Comprimento de onda de sada inferior a 600 nm e:
1. Energia de sada superior a 50 mJ por impulso e uma "potncia de pico" pulsada superior a 1 W; ou
2. Potncia de sada potncia ou de CW superior a 1 W;
b. Comprimento de onda de sada de 600 nm ou mais, mas no superior a 1.400 nm e:
1. Energia de sada superior a 1 J por impulso e uma "potncia de pico" pulsada superior a 20 W; ou
2. Potncia de sada mdia ou de CW superior a 20 W; ou
c. Comprimento de onda de sada superior a 1.400 nm e:
1. Energia de sada superior a 50 mJ por impulso e uma "potncia de pico" pulsada superior a 1 W; ou
2. Potncia de sada mdia ou de CW superior a 1 W;
6. A. 5. c. 2. "Lasers" no "sintonizveis":
Nota: A alnea 6.A.5.c.2. inclui "lasers" do estado slido de transio atmica.
6. A. 5. c. 2. a. "Lasers" de Rubi com uma energia de sada superior a 20 J por impulso;
b. "Lasers" de vidro com impurezas (dopado) de Neodmio:
1. "Lasers de Q-comutado" com um dos conjuntos de caractersticas seguintes:
a. Energia de sada superior a 20 J mas no superior a 50 J por impulso e uma potncia de sada mdia
superior a 10 W; ou
b. Energia de sada superior a 50 J por impulso;
2. "Lasers no de Q-comutado" com um dos conjuntos de caractersticas seguintes:
a. Energia de sada superior a 50 J mas no superior a 100 J por impulso e uma potncia de sada mdia
superior a 20 W; ou
b. Energia de sada superior a 100 J por impulso;
c. "Lasers" (que no de vidro) dopados de Neodmio com um comprimento de onda de sada superior a 1.000
nm mas no superior a 1.100 nm: (Para "lasers" (que no de vidro) dopados de Neodmio com um
comprimento de onda de sada inferior a 1.000 nm ou superior a 1.100 nm, ver a alnea 6.A.5.c.2.d.)
6. A. 5. c. 2. c. 1. "Lasers de Q-comutado", de modo fixo, excitados por impulsos com uma "durao de
impulso" inferior a 1 ns e com uma das seguintes caractersticas:
a. "Potncia de pico" superior a 5 GW;
b. Potncia de sada mdia superior a 10 W; ou
c. Energia pulsada superior a 0,1 J;
6. A. 5. c. 2. c. 2. "Lasers de Q-comutado", excitados por impulsos, com uma durao de impulso igual ou
superior a 1 ns, e:
a. Sada em modo transversal nico com uma das seguintes caractersticas:
1. "Potncia de pico" superior a 100 MW;
2. Potncia de sada mdia superior a 20 W; ou
3. Energia pulsada superior a 2 J; ou
b. Sada em modo transversal mltiplo com uma das seguintes caractersticas:
1. "Potncia de pico" superior a 200 MW;
2. Potncia de sada mdia superior a 50 W; ou
3. Energia pulsada superior a 2 J;
6. A. 5. c. 2. c. 3. "Lasers no de Q-comutado", excitados por impulsos, com:
a. Sada em modo transversal nico com uma das seguintes caractersticas:
1. "Potncia de pico" superior a 500 KW; ou
2. Potncia de sada mdia superior a 150 W; ou
b. Sada em modo transversal mltiplo com uma das seguintes caractersticas:
1. "Potncia de pico" superior a 1 MW; ou
2. Potncia mdia superior a 500 W;
6. A. 5. c. 2. c. 4. "Lasers" de excitao contnua com:
a. Sada em modo transversal nico com uma das seguintes caractersticas:
1. "Potncia de pico" superior a 500 KW; ou
2. Potncia de sada mdia ou de CW superior a 150 W; ou
b. Sada em modo transversal mltiplo com uma das seguintes caractersticas:
1. "Potncia de pico" superior a 1 MW; ou
2. Potncia de sada mdia ou de CW superior a 500 W;
6. A. 5. c. 2. d. Outros "lasers" no "sintonizveis", com um dos conjuntos de caractersticas seguintes:
6. A. 5. c. 2. d. 1. Comprimento de onda inferior a 150 nm e:
a. Energia de sada superior a 50 mJ por impulso e uma "potncia de pico" pulsada superior a 1 W; ou
b. Potncia de sada mdia ou de CW superior a 1 W;
6. A. 5. c. 2. d. 2. Comprimento de onda de 150 nm ou mais, mas no superior a 800 nm e:
a. Energia de sada superior a 1,5 J por impulso e uma "potncia de pico" pulsada superior a 30 W; ou
b. Potncia de sada mdia ou de CW superior a 30 W;
6. A. 5. c. 2. d. 3. Comprimento de onda superior a 800 nm, mas inferior a 1.400 nm:
a. "Lasers de Q-comutado" com uma das seguintes caractersticas:
1. Energia de sada superior a 0,5 J por impulso e uma "potncia de pico" pulsada superior a 50 W; ou
2. Potncia de sada mdia superior a:
a. 10 W para "lasers" de modo nico;
b. 30 W para "lasers" multimodo;
b. "Lasers no de Q-comutado" com uma das seguintes caractersticas:
1. Energia de sada superior a 2 J por impulso e uma "potncia de pico" pulsada superior a 50 W; ou
2. Potncia de sada mdia ou de CW superior a 50 W; ou
6. A. 5. c. 2. d. 4. Comprimento de onda superior a 1.400 nm e:
a. Energia de sada superior a 100 mJ por impulso e uma "potncia de pico" pulsada superior a 1 W; ou
b. Potncia de sada mdia ou de CW superior a 1 W;
6. A. 5. d. "Lasers" de corantes e outros lquidos, com um dos conjuntos de caractersticas seguintes:
1. Comprimento de onda inferior a 150 nm e:
a. Energia de sada superior a 50 mJ por impulso e uma "potncia de pico" pulsada superior a 1 W; ou
b. Potncia de sada mdia ou de CW superior a 1 W;
2. Comprimento de onda de 150 nm ou mais, mas no superior a 800 nm e:
a. Energia de sada superior a 1,5 J por impulso e uma "potncia de pico" pulsada superior a 20 W;
b. Potncia de sada mdia ou de CW superior a 20 W; ou
c. Oscilador de modo longitudinal nico pulsado com uma potncia de sada mdia superior a 1 W e uma
taxa de repetio superior a 1 KHz se a "durao de impulso" for inferior a 100 ns;
3. Comprimento de onda superior a 800 nm mas no superior a 1.400 nm e:
a. Energia de sada superior a 0,5 J por impulso e uma "potncia de pico" pulsada superior a 10 W; ou
b. Potncia de sada mdia ou de CW superior a 10 W; ou
4. Comprimento de onda superior a 1.400 nm e:
a. Energia de sada superior a 100 mJ por impulso e uma "potncia de pico" pulsada superior a 1 W; ou
b. Potncia de sada mdia ou de CW superior a 1 W;
6. A. 5. e. "Lasers" de electres livres;
6. A. 5. f. Componentes:
1. Espelhos arrefecidos quer por arrefecimento activo quer por arrefecimento por tubos de calor (heat pipe);
Nota Tcnica: Arrefecimento activo uma tcnica de arrefecimento para componentes pticos que utiliza
fluidos que circulam sob a superfcie (concretamente a menos de 1 mm abaixo da superfcie ptica) dos
componentes pticos para eliminar o calor da ptica.
2. Espelhos pticos e componentes pticos e electro-pticos transmissivos ou parcialmente transmissivos
especialmente concebidos para utilizao com "lasers" sujeitos a controlo:
6. A. 5. g. Equipamentos pticos:
1. Equipamentos de medio dinmica de frentes de onda (fases) capazes de indicar pelo menos 50
posies numa frente de onda fixa, com um dos conjuntos de caractersticas seguintes:
a. Ritmos de imagem iguais ou superiores a 100 Hz e discriminao de fase de pelo menos 5% do
comprimento de onda do feixe; ou
b. Ritmos de imagem iguais ou superiores a 1.000 Hz e discriminao de fase de pelo menos 20% do
comprimento de onda do feixe;
2. Equipamentos de diagnstico de "lasers" capazes de medir erros de direccionamento angular de feixes de
sistemas "Laser de Super-Alta Potncia" (SHPL) iguais ou inferiores a 10 microradianos;
3. Equipamentos pticos, conjuntos e componentes especialmente concebidos para sistemas SHPL de
matriz em fase para a combinao coerente de feixes com uma preciso de Lambda/10 no comprimento de
onda previsto, ou 0,1 micrmetro, adoptando-se o valor menor;
6. A. 5. g. 5. Telescpios de projeco especialmente concebidos para utilizao em sistemas SHPL;
(Para elementos pticos que partilhem a mesma abertura, capazes de operar em aplicaes SHPL, ver o
artigo 23.d. da Lista de Material de Guerra).

6. A. 6. MAGNETMETROS
6. A. 6. "Magnetmetros", "gradimetros magnticos", "gradimetros magnticos intrnsecos" e sistemas de
compensao, e componentes especialmente concebidos para os mesmos:
Nota: O pargrafo 6.A.6. no compreende instrumentos especialmente concebidos para medies
biomagnticas para diagnstico mdico, a menos que contenham sensores no integrados referidos na
alnea 6.A.6.h.;
a. "Magnetmetros" que utilizam a tecnologia dos "supercondutores", de bombeamento ptico, ou de
precesso nuclear (protes/Overhauser) com um "nvel de rudo" (sensibilidade) inferior a (melhor) 0,05 nT
rms por raz quadrada de Hz;
b. "Magnetmetros" de ncleo de induo com um "nvel de rudo" (sensibilidade) inferior a (melhor):
1. 0,05 nT rms por raz quadrada de Hz a frequncias inferiores a 1 Hz;
2. 1 x 10(elevado a -3) nT rms por raz quadrada de Hz a frequncias iguais ou superiores a 1 Hz, mas no
superiores a 10 Hz; ou
3. 1 x 10(elevado a -4) nT rms por raz quadrada de Hz a frequncias superiores a 10 Hz;
c. "Magnetmetros" de fibra ptica com um "nvel de rudo" (sensibilidade) inferior a (melhor) 1 nT rms por
raz quadrada de Hz;
d. "Gradimetros magnticos" que utilizam os "magnetmetros" mltiplos referidos nas alneas 6.A.6.a., b. ou
c.;
e. "Gradimetros magnticos intrnsecos" de fibra ptica com um gradiente de "nvel de rudo" no campo
magntico (sensibilidade), inferior a (melhor) 0,3 nT/m rms por raz quadrada de Hz;
f. "Gradimetros magnticos intrnsecos", que utilizam tecnologia diferente da da fibra ptica, com um
gradiente de "nvel de rudo" no campo magntico (sensibilidade), inferior a (melhor) 0,015 nT/m rms por raz
quadrada de Hz;
g. Sistemas de compensao magntica para sensores magnticos, concebidos para funcionamento em
plataformas mveis;
h. Sensores electromagnticos "supercondutores", que contm componentes fabricados a partir de materiais
"supercondutores" com as seguintes caractersticas:
1. Concebidos para funcionar a temperaturas inferiores "temperatura crtica", de pelo menos um dos seus
constituintes "supercondutores" (incluindo os dispositivos de efeito Josephson ou dispositivos
"supercondutores" de interferncia quntica (SQUIDS));
2. Concebidos para determinarem as variaes do campo electromagntico, a frequncias iguais ou
inferiores a 1 KHz; e
3. Que tenham uma das seguintes caractersticas:
a. Que possuam filmes finos SQUIDS com dimenso mnima inferior a 2 micrmetros e com associao de
circuitos acoplados de entrada e sada;
b. Concebidos para funcionar com um campo magntico orientado a uma taxa de fluxo magntico superior a
1 x 10(elevado a 6) quantum por segundo;
c. Concebidos para funcionar, sem proteco magntica, no campo magntico da Terra; ou
d. Que possuam um coeficiente de temperatura inferior a (menor) 0,1 quantum de fluxo magntico/K;

6. A. 7. GRAVMETROS
6. A. 7. Medidores de gravidade (gravmetros) e gradimetros de gravidade:
a. Medidores de gravidade para utilizao terrestre com uma preciso esttica inferior (melhor) a 10
microgals;
6. A. 7. a. Nota: A alnea 6.A.7.a. no compreende medidores de gravidade terrestre do tipo de elemento de
quartzo (Worden).
b. Medidores de gravidade para utilizao em plataformas mveis terrestres, martimas, submersveis,
espaciais ou aeronuticas com:
1. Preciso esttica inferior (melhor) a 0,7 milligal; e
2. Preciso em servio (operacional) inferior (melhor) a 0,7 milligal, com um tempo at ao estado estacionrio
inferior a 2 minutos sob qualquer combinao de compensaes e influncias dinmicas;
c. Gradimetros de gravidade;
6. A. 8. RADARES
6. A. 8. Sistemas de radar, equipamentos e conjuntos de radar, com uma das caractersticas seguintes, e
componentes especialmente concebidos para os mesmos:
Nota: O pargrafo 6.A.8. no compreende:
a. Radares de observao secundria (SSR);
b. Radares de automvel concebidos para preveno de coliso;
c. Monitores ou visores utilizados para controlo de trfego areo (ATC) que no tenham mais de 12
elementos de resoluo por mm.
6. A. 8. a. Que funcionem a frequncias entre 40 e 230 GHz e tenham uma potncia mdia de sada superior
a 100 mW;
b. Com amplitude de banda sintonizvel superior a (mais ou menos)6,25% da frequncia de funcionamento
mdia;
Nota Tcnica: A frequncia de funcionamento mdia igual a um meio da soma da frequncia de
funcionamento especificada mais elevada com a mais baixa;
c. Que possuam capacidade para funcionar simultneamente em mais do que duas frequncias de
transporte;
d. Que possuam capacidade para funcionar em abertura sinttica (SAR), abertura sinttica inversa (ISAR) ou
em modo de radar aerotransportado de observao lateral (SLAR);
e. Que incorporem "conjuntos faseados de antenas orientveis electronicamente";
f. Que possuam capacidade de determinar a altura de alvos no cooperativos;
Nota: A alnea 6.A.8.f. no compreende:
a. Equipamentos de radar de abordagem precisa (PAR), de acordo com as normas OACI;
b. Radares metereolgicos.
g. Especialmente concebidos para funcionamento aerotransportado (em balo ou fuselagem de avio) com
capacidade de processamento de sinal Doppler para deteco de alvos mveis;
h. Dotados de um sistema de processamento de sinais de radar que utiliza:
1. Tcnicas de "espectro de radar disperso"; ou
2. Tcnicas de "mobilidade de frequncia de radar";
i. Que permitam operaes de base terrestre com "amplitude ajustvel" superior a 185 Km;
Nota: A alnea 6.A.8.1. no compreende radares de observao de zonas de pesca.
j. Radares de "laser" ou equipamentos de deteco de luz e localizao de avies pelo som (ranging)
(LIDAR), com uma das seguintes caractersticas:
1. "Qualificados para uso espacial"; ou
2. Que utilizem tcnicas de deteco heterodina ou homodina coerente e tenham uma resoluo angular
inferior a (melhor) 20 micro-radianos;
Nota: A alnea 6.A.8.j. no compreende equipamentos LIDAR, especialmente concebidos para topografia ou
observao metereolgica.
k. Dotados de sub-sistemas de processamento de sinal que utilizam "compresso pulsante", com:
1. Um rcio de "compresso pulsante" superior a 150; ou
2. Uma amplitude pulsante inferior a 200 ns; ou
1. Dotados de sub-sistemas de processamento de dados com uma das seguintes caractersticas:
1. "Seguimento automtico do alvo", com indicao para qualquer rotao da antena, da posio prevista do
alvo, para alm do momento de passagem do novo feixe de varrimento;
6. A. 8. 1. 1. Nota: A alnea 6.A.8.1.1. no compreende os meios de alarme de sistemas de controlo do
trfego areo (ATC) em caso de trajectrias incompatveis, os radares martimos e os porturios.
2. Clculo da velocidade do alvo a partir do radar primrio, com velocidades de varrimento no-peridicas
(variveis);
3. Processamento para reconhecimento automtico de modelos (seleco de caractersticas) e comparao
com as caractersticas dos dados do alvo (imagem ou forma de onda) para identificar ou classificar alvos; ou
4. Sobreposio e correlao, ou fuso dos dados do alvo a partir de dois ou mais "sensores de radar
interligados" e "geograficamente dispersos" para forar e discriminar os alvos.
Nota: A alnea 6.A.8.1.4. no compreende sistemas, equipamentos e conjuntos utilizados para controlo de
trfego martimo.

6. B. EQUIPAMENTOS DE ENSAIO DE VERIFICAO E DE PRODUO

6. B. 1. ACSTICA Nenhum
6. B. 2. SENSORES PTICOS Nenhum
6. B. 3. CMARAS Nenhum
6. B. 4. PTICA
6. B. 4. Equipamentos para medir a reflectncia absoluta com uma preciso de (mais ou menos)0,1% do
valor de reflectncia;
6. B. 5. LASERS
6. B. 5. Equipamentos especialmente concebidos ou modificados, incluindo ferramentas, matrizes, fixaes e
escalas, e outros componentes e acessrios especialmente concebidos para os mesmos:
a. Para a produo ou inspeco de:
1. Agitadores magnticos (Wigglers) para "lasers" de electres livres;
2. Injectores de fotes para "lasers" de electres livres;
b. Para o ajuste, at tolerncia requerida, do campo magntico longitudinal dos "lasers" de electres livres;
6. B. 6. MAGNETMETROS Nenhum
6. B. 7. GRAVMETROS
6. B. 7. Equipamentos para produzir, alinhar ou calibrar medidores da gravidade terrestre, com uma preciso
esttica melhor que 0,1 milligal;
6. B. 8. RADARES
6. B. 8. Sistemas de medida da seco transversal dos radares pulsantes, com amplitudes de transmisso
pulsante iguais ou inferiores a 100 ns e componentes especialmente concebidos para os mesmos.

6. C. MATERIAIS

6. C. 1. ACSTICA Nenhum
6. C. 2. SENSORES PTICOS
a. Telrio (Te) elementar com nveis de pureza iguais ou superiores a 99,9995%;
b. Monocristais de telureto de cdmio (Cd Te) ou de telureto de mercrio-cdmio (CdHgTe), qualquer que
seja o nvel de pureza, incluindo as placas epitaxiais.
Nota Tcnica: A pureza calcula-se de acordo com a norma ASTM F574-83 ou equivalentes
c. "Prformas de fibras pticas" especialmente concebidas para o fabrico das fibras de birrefringncia
elevada referidas na alnea 6. A.2.1.3
6. C. 3. CMARAS Nenhum
6. C. 4. PTICA
a. "Substractos em bruto" de selenicto de zinco (ZnSe) e sulfureto de zinco (ZnS) obtidos por deposio em
fase vapor, por processo qumico:
1. Com volume superior a 100 cm3; ou
2. Com dimetro superior a 80 mm e espessura igual ou superior a 20 mm;
b. Cristais piriformes em bruto, dos seguintes materiais electro-pticos:
1. Arseniato de potssio titanilo (KTA)
2. Selenieto de glio-prata (AgGaSe2)
3. Selenieto de tlio-arsnio (Tl3AsSe3)
c. Materiais pticos no lineares com:
1. Susceptibilidade de 3 ordem (chi 3) igual ou inferior a 1 W/m2; e
2. Tempo de resposta inferior a 1 ms
d. "Substractos em bruto" de carboneto de silcio ou de depsito berlio/berlio com dimetro ou dimenso do
eixo principal superior a 300 mm;
e. Materiais de fraca absoro ptica:
1. Compostos de fluoretos em bruto que contenham ingredientes de pureza igual ou superior a 99,999%;
Nota: A alnea 6.c.4.e.1. compreende os fluoretos de zircnio ou de alumnio e suas variantes.
2. Vidro fluoretado em bruto obtido a partir dos compostos referidos na alnea 6.c.4.e.1.
f. Vidro, incluindo a slica fundida, o vidro fosfatado, o vidro fluor-fosfatado o fluoreto de zircnio (ZrF4) e o
fluoreto de hfnio (HfF4), com as seguintes caractersticas:
1. Concentrao em io hidroxilo (OH-) inferior a 5 ppm;
2. Teor de impurezas metlicas inferior a 1 ppm; e
3. Homogeneidade (variao do ndice de refrao) inferior a 5 x 10(elevado a -6);
g. Materiais de diamante sinttico, com taxa de absoro inferior a 10(elevado a -5) para comprimentos de
onda superiores a 200 nm mas no superiores a 14000 nm;
h. "Preformas de fibras pticas" fabricadas a partir de compostos de fluoreto em bruto que contenham
ingredientes com pureza igual ou superior a 99,999% especialmente concebidos para o fabrico das "fibras
fluoradas" referidas na alnea 6. A. 4. f.
6. C. 5. LASERS
Materiais cristalinos para "lasers", em formas brutas;
a. Safiras com impurezas (dopadas) de titnio
b. Alexandrite
6. C. 6. MAGNETMETROS Nenhum
6. C. 7. GRAVMETROS Nenhum
6. C. 8. RADARES Nenhum

6 D. "SOFTWARE"
6. D. 1. "Software" especialmente concebido para o "desenvolvimento" ou a "produo" dos equipamentos
referidos nos pargrafos 6.A.4., 6.A.5., 6.A.8., 6.B.8.;
6.D.2. "Software" especialmente concebido para "utilizao" dos equipamentos referidos na alnea e
pargrafos 6.A.2.b., 6.A.8. ou 6.B.8.;
6. D. 3. Outro "software", a seguir indicado:
6. D. 3. a. Acstica
1. "Software" especialmente concebido para formao de feixes acsticos para "processamento em tempo
real" de dados acsticos, para recepo passiva com utilizao de conjuntos de hidrofones rebocados;
2. "Cdigo fonte" para o "processamento em tempo real" de dados acsticos, para recepo passiva com
utilizao de conjuntos de hidrofones rebocados;
b. Sensores pticos Nenhum
c. Cmaras Nenhum
d. ptica Nenhum
e. Lasers Nenhum
f. Magnetmetros
1. "Software" especialmente concebido para sistemas de compensao magntica, de sensores magnticos,
concebidos para funcionar em plataformas mveis;
2. "Software" especialmente concebido para deteco magntica de anomalias em plataformas mveis;
g. Gravmetros
"Software" especialmente concebido para corrigir influncias dinmicas nos medidores de gravidade ou
gradimetros de gravidade;
h. Radares
1. "Programas" de aplicao de "software" de Controlo de Trfego Areo, residentes em computadores de
uso geral, localizados em centros de Controlo de Trfego Areo com uma das caractersticas seguintes:
a. Processamento e exibio de mais de 150 "sistemas de acompanhamento" em simultneo;
b. Aceitao de dados de alvos de radar, de mais do que quatro radares primrios; ou
c. Transmisso automtica dos dados relativos aos alvos do radar primrio (se no estiverem
correlacionados com os dados do radar secundrio de observao (SSR)) a partir do centro de suporte ATC
a outro centro ATC;
2. "Software" para concepo ou "produo" de proteces plsticas para antenas de radar de avies:
a. Especialmente concebido para proteger os "conjuntos faseados de antenas orientveis electronicamente"
referidos na alnea 6.A.8.e.; ou
b. Que limitem o aumento do nvel das franjas a menos de 13 dB para frequncias iguais ou superiores a 2
GHz.

6. E. TECNOLOGIA
6. E. 1. Tecnologia de acordo com a Nota Geral sobre Tecnologia, para o "desenvolvimento" dos
equipamentos, materiais ou "software" referidos nas sub-Categorias 6.A., 6.B., 6.C. ou 6.D.;
6. E. 2. Tecnologia de acordo com a Nota Geral sobre Tecnologia, para a "produo" de equipamentos ou
materiais referidos nas sub-Categorias 6.A., 6.B. ou 6.C.;
6. E. 3. Outra tecnologia:
a. Acstica Nenhum
b. Sensores pticos Nenhum
c. Camaras Nenhum
d. ptica
1. Tecnologia de revestimento e tratamento de superfcies pticas, necessria para atingir uma uniformidade
de 99,5%, ou melhor, para revestimentos pticos de dimetro ou comprimento do eixo principal igual ou
superior a 500 mm e com uma perda total (absoro e disperso) inferior a 5 x 10(elevado a -3);
2. Tecnologia de fabricao ptica:
a. Para a produo em srie de componentes pticos a um ritmo anual superior a 10 m2 de superfcie por
fuso e com:
1. Uma rea superior a 1 m2; e
2. Uma preciso da superfcie superior a Lambda/10 rms no comprimento de onda planeado;
b. Tcnicas de tornear com ponta de diamante nica, produzindo precises de acabamento superficial
melhores que 10 nm rms em superfcies no planas superiores a 0,5 m2;
(Ver tambm a alnea 2.E.3.d.)
e. Lasers
1. Tecnologia para filtros pticos com uma largura de banda igual ou inferior a 10 nm, um campo de viso
(FOV) superior a 40 e uma resoluo superior a 0,75 pares de linhas por mm;
2. "Tecnologia" "necessria" para o "desenvolvimento", "produo" ou "utilizao" de alvos ou instrumentos
de diagnstico especialmente concebidos em instalaes para teste de "Lasers de Super Alta
Potncia" (SHPL) ou teste ou avaliao de materiais irradiados por feixes de SHPL;
f. Magnetmetros
Tecnologia "necessria" para o "desenvolvimento" ou "produo" de "magnetmetros" com dispositivos para
a indicao da direco do campo magntico da Terra ou sistemas de "magnetmetros" com dispositivos
para a indicao da direco do campo magntico da Terra, com um nvel de rudo:
1. Inferior a 0,05 nT rms por raz quadrada de Hz, a frequncias inferiores a 1 Hz; ou
2. Inferior a 1 x 10(elevado a -3) nT rms por raz quadrada de Hz, a frequncias iguais ou superiores a 1 Hz.
g. Gravmetros Nenhum
h. Radares Nenhum

CAPTULO VII
CATEGORIA 7
NAVEGAO E AVINICOS

7. A. EQUIPAMENTOS, CONJUNTOS E COMPONENTES

7. A. 1. Acelermetros concebidos para serem utilizados nos sistemas de navegao por inrcia ou sistemas
de orientao com uma das seguintes caractersticas e componentes especialmente concebidos para os
mesmos:
a. "Estabilidade" de "polarizao" inferior a (melhor que) 130 micro g em relao a um valor calibrado fixo
durante um perodo de um ano;
b. "Estabilidade" de "factor de escala" inferior a (melhor que) 130 ppm em relao a um valor calibrado fixo
durante um perodo de um ano;
c. Especificados para funcionar a nveis de acelerao superiores a 100 g;
7. A. 2. Giroscpios com uma das caractersticas seguintes e componentes especialmente concebidos para
os mesmos:
a. "Estabilidade" de "velocidade de precesso" medida num ambiente de 1 g durante um perodo de trs
meses e em relao a um valor calibrado fixo:
1. Inferior a (melhor que) 0,1 grau por hora quando o aparelho for especificado para funcionar continuamente
abaixo de 10 g; ou
2. Inferior a (melhor que) 0,5 graus por hora quando o aparelho for especificado para funcionar entre 10 a
100 g inclusiv;
b. Especificados para funcionar a nveis de acelerao superiores a 100 g;
7. A. 3. Sistemas de navegao por inrcia (a cardan e rgidos) e equipamentos por inrcia para posio,
orientao ou controlo com uma das seguintes caractersticas e componentes especialmente concebidos
para os mesmos:
a. Para "aeronaves":
1. Erro de navegao (inrcia s) de 0,8 milhas nuticas por hora (50% de probabilidade de erro circular) ou
menor (melhor) depois de um alinhamento normal.
2. No homologados para utilizao em "aeronaves civis" pelas autoridades aeronuticas civis de um pas
membro; ou
3. Especificados para funcionar a nveis de acelerao superiores a 10 g;
b. Para uso terrestre ou num "veculo espacial":
1. Erro de navegao (inrcia s) de 0,8 milhas nuticas por hora (50% de probabilidade de erro circular) ou
menor (melhor) depois de um alinhamento normal; ou
2. Especificados para funcionar a nveis de acelerao superiores a 10 g;
7. A. 4. Giro-astro bssolas e outros aparelhos que permitem determinar a posio ou orientao por meio de
seguimento automtico de corpos celestes ou satlites, com uma preciso de azimute igual ou inferior a
(melhor que) 5 segundos de arco;
7. A. 5. Equipamentos de recepo de posicionamento global por satlite (GPS) com uma das caractersticas
seguintes e componentes especialmente concebidos para os mesmos:
a. Com o emprego de codificadores/descodificadores; ou
b. Antena auto-orientvel
7. A. 6. Altmetros que operem fora da banda de 4.2 a 4.4 GHz e com uma das caractersticas seguintes:
a. "Gesto de potncia"; ou
b. Emprego da modulao por desvio de fase.
(No que se refere aos pilotos automticos para veculos submersveis, ver a categoria 8.
No que se refere aos radares, ver a categoria 6.
No que se refere aos equipamentos de navegao por inrcia para navios ou submersveis, ver o artigo 9,
pargrafo f. da Lista de Material de Guerra).

7. B. EQUIPAMENTOS DE ENSAIO, DE CONTROLO E DE PRODUO

7. B 1. Equipamentos de ensaio, calibrao ou alinhamento especialmente concebidos para os equipamentos


referidos na sub-Categoria 7.A, com excluso dos equipamentos de manuteno de nveis I ou II;
Notas Tcnicas: 1. Os termos de manuteno de nvel I designam a operao seguinte - A avaria de uma
unidade de navegao por inrcia detectada na aeronave pela indicaes da unidade de controlo e
visualizao (CDU) ou pela mensagem do estado do sub--sistema correspondente. Seguindo o manual de
utilizao do fabricante, a causa da avaria pode ser localizada ao nvel da unidade intermutvel na linha da
frente (LRU) avariada. O operador procede substituio desta unidade por outra.
2. Os termos manuteno de nvel II designam a operao seguinte - A unidade intermutvel na linha da
frente (LRU) avariada enviada oficina de manuteno (do fabricante ou do operador responsvel da
manuteno de nvel II). Na oficina a unidade avariada testada por meios apropriados para localizao do
mdulo de substituio em oficina (SRA) responsvel pela avaria. Este mdulo retirado e substitudo por
outro em estado utilizvel. O mdulo avariado (ou eventualmente a unidade intermutvel na linha da frente
(LRU) completa) ento enviada ao fabricante.
N.B.: A manuteno de nvel II no inclui a remoo de acelermetros ou de giroscpios interditos dos
mdulos de substituio em oficina (SRA).
7. B. 2. Equipamentos, especialmente concebidos para caracterizao dos espelhos para giro-laser em anel:
a. Medidores de disperso com uma preciso de medida igual ou inferior a (melhor que) 10 ppm.;
b. Medidores de perfil com uma preciso de medida igual ou inferior a (melhor que) 0,5 nm (5 angstroms);
7. B. 3. Equipamentos especialmente concebidos para a produo de equipamentos incluidos na sub-
Categoria 7.A, designadamente:
a. Estaes de ensaio para a afinao de giroscpios;
b. Estaes de equilibragem dinmica de giroscpios;
c. Estaes de ensaio para a rodagem de motores de giroscpios;
d. Estaes de esvaziamento e enchimento de giroscpios;
e. Dispositivos de centrifugao para rolamentos de giroscpios;
f. Estaes de alinhamento do eixo de acelermetros.

7. C. MATERIAIS - nenhum

7. D. "SOFTWARE"

7. D. 1. "Software" especialmente concebido ou modificado para o "desenvolvimento" ou a "produo" dos


equipamentos incluidos nas sub-categorias 7.A ou 7.B.;
7. D. 2. "Cdigo fonte" para a "utilizao" de todo o equipamento de navegao por inrcia ou sistemas de
referncia de atitude e direco (AHRS) (com excepo dos sistemas de referncia de cardan) incluindo os
equipamentos por inrcia no compreendidos nos pargrafos 7.A.3 ou 7.A.4;
Nota Tcnica: Os sistemas de referncia de atitude e direco (AHRS) diferem geralmente dos sistemas de
navegao por inrcia porque fornecem informaes de atitude e direco e habitualmente no fornecem
informaes relativas acelerao, velocidade e posio associadas aos sistemas de navegao por inrcia.

7. D. 3. Outro "Software":
a. "Software" especialmente concebido ou modificado com vista a melhorar o desempenho operacional ou
reduzir o erro de navegao dos sistemas at aos nveis especificados nos pargrafos 7.A.3. ou 7.A.4.;
b. "Cdigo fonte" para sistemas integrados hibridos com vista a melhorar o desempenho operacional ou
reduzir o erro de navegao dos sistemas at ao nvel especificado no pargrafo 7.A.3., por combinao
contnua dos dados do sistema de inrcia com um dos dados de navegao seguintes:
1. Velocidade de radar Doppler;
2. Referncias de posicionamento global por satlite (GPS); ou
3. Base de dados do terreno
c. "Cdigo fonte" para sistemas de avinicos ou de misso integrados, que combinam dados dos sensores e
o emprego de sistemas inteligentes;
d. "Cdigo fonte" para o "desenvolvimento" de:
1. Sistemas numricos de gesto de voo para optimizao da trajectria de voo;
2. Sistemas de comando integrados de propulso e de controlo de voo;
3. Sistemas de comando de voo por cabo elctrico ou por fibras pticas;
4. "Sistemas de controlo activo de voo" tolerantes a falhas ou autoreconfigurveis;
5. Equipamentos de bordo de goniometria automticos;
6. Centrais aerodinmicas que utilizem dados estticos de superficie;
7. Ecrans de varrimento do tipo head-up-display (HUD) ou ecrans tridimensionais.

7. E. TECNOLOGIA

7. E. 1. Tecnologia, no sentido da Nota geral de tecnologia, para o "desenvolvimento" dos equipamentos ou


do "software" incluidos nas sub-Categorias 7.A., 7.B. ou 7.D.;
7. E. 2. Tecnologia, no sentido da Nota geral de tecnologia, para a "produo" dos equipamentos incluidos
nas sub-Categorias 7.A. ou 7.B.;
7. E. 3. Tecnologia, no sentido da Nota geral de tecnologia, para a reparao, a reviso ou o
recondicionamento dos equipamentos incluidos nos pargrafos 7.A.1. a 7.A.4., com excluso da tecnologia
de manuteno directamente associada calibrao, remoo e substituio de mdulos intermutveis na
linha da frente (LRU) e de unidades de substituio em oficina (SRA) avariadas ou inutilizadas de "aeronaves
civis" definidas pela Manuteno de Nvel I ou Manuteno de Nvel II;
(Ver Notas tcnicas do pargrafo 7.B.1.)
7. E. 4. Outras tecnologias:
a. Tecnologia para o "desenvolvimento" ou a "produo" de:
1. Equipamentos goniomtricos automticos de bordo que operam em frequncias superiores a 5 MHz;
2. Centrais acrodinmicas que utilizem exclusivamente os dados estticos de superfcie, isto , que
dispensem os sensores aerodinmicos convencionais;
3. Ecrans de varrimento tipo HUD ou ecrans tridimensionais para "aeronaves";
4. Sistemas de navegao por inrcia ou giro-astrobssolas que contm acelermetros ou giroscpios
incluidos nos pargrafos 7.A.1 ou 7.A.2.;
b. Tecnologia de "desenvolvimento", para os "sistemas de controlo activo de voo" (incluindo comando
elctrico ou por fibras pticas):
1. Concepo de configurao para a interconexo de vrios elementos de tratamento microelctrnicos
(computadores de bordo) para obter o "tratamento em tempo real" da implementao das regras de controlo;
2. Compensao das regras de controlo para localizao dos sensores ou das cargas dinmicas da clula ou
seja a compensao do ambiente vibratrio dos sensores ou da modificao da localizao dos sensores em
relao ao centro de gravidade;
3. Gesto electrnica da redundncia dos dados ou da redundncia dos sistemas, para a deteco de falhas
a tolerncia de avarias, a localizao das avarias ou a reconfigurao;
NOTA: A alnea 7.E.4.b.3. no compreende a tecnologia da concepo da redundncia fsica.
4. Controlo de voo que permite a reconfigurao em voo dos comandos de fora e momento para o controlo
autnomo em tempo real do veculo areo;
5. Integrao de dados de controlo de voo digital, de controlo de navegao e propulso num sistema digital
de controlo de voo para optimizao da trajectria do voo, com excluso da tecnologia para o
"desenvolvimento" de sistemas de instrumentos de voo integrados exclusivamente para navegao ou
aproximao VOR, DME, ILS ou MLS;
6. Sistemas de controlo de voo digitais full authority ou sistemas multisensores de gesto de misso
compreendendo os sistemas inteligentes; (Relativamente tecnologia do controlo digital de motores full
authority (FADEC) ver alnea 9.E.3.a.10)
c. Tecnologia para o "desenvolvimento" e orgos de helicpteros:
1. Comandos de voo por cabo elctrico ou por fibras pticas de vrios eixos que combinam num s elemento
de comando duas ou mais das funes seguintes:
a. Comandos de passo geral;
b. Comando de passo cclico;
c. Comando de guinada;
2. "Sistemas anti-torque ou de controlo direccional controlados por circulao";
3. Ps do rotor de helicpteros que incorporam "superfcies aerodinmicas de geometria varivel" para
sistemas de controlo individual das ps.

CAPTULO VIII
CATEGORIA 8
MARINHA

8. A. EQUIPAMENTOS, CONJUNTOS E COMPONENTES

8. A. 1. Veculos submersveis ou navios de superfcie:


Nota: Para o controlo dos equipamentos para veculos submersveis, ver:
Para os materiais de telecomunicaes codificados, a Categoria 5 ("Segurana da informao");
- Para os sensores, a Categoria 6;
- Para o material de navegao a Categoria 7 ou 8;
- Para o material submarino a sub-Categoria 8.A
8. A. 1. a. Veculos submersveis tripulados, fixos, concebidos para funcionar em profundidades superiores a
1000 m;
8. A. 1. b. Veculos submersveis tripulados, no fixos, que apresentam uma das caractersticas seguintes:
1. Concebidos para um funcionamento autnomo e uma capacidade de elevao de:
a. 10% ou mais do seu peso no ar; e
b. 15 kN ou mais;
2. Concebidos para funcionar a profundidades superiores a 1000 m; ou
3. a. Concebidos para transportar uma tripulao de quatro pessoas ou mais;
b. Concebidos para um funcionamento autnomo durante 10 horas ou mais;
c. Com uma autonomia de 25 milhas nuticas ou superior; e
d. Com um comprimento de 21 metros ou inferior;
8. A. 1. b. Notas Tcnicas: 1. O termo funcionamento autnomo designa o funcionamento do submersvel em
imerso total, sem snorkel, com todos os sistemas em funcionamento e evoluindo velocidade mnima
qual o submersvel pode controlar em segurana a profundidade de forma dinmica utilizando unicamente os
lemes de profundidade, sem necessidade de um navio de apoio nem duma base de apoio superfcie, no
fundo ou plataformas ocenicas, e com um sistema de propulso para utilizao em imerso ou superfcie.
2. O termo autonomia designa metade da distncia mxima que o submersvel pode percorrer.
8. A. 1. c. Veculos submersveis no tripulados, fixos, concebidos para funcionar a profundidades superiores
a 1000 m e com uma das caractersticas seguintes:
1. Concebidos para auto-propulso por meio de motores ou impulsores incluidos na alnea 8.A.2.a.2.; ou
2. Dispondo de transmisso de dados por cabo de fibras pticas;
8. A. 1. d. Veculos submersveis no tripulados, no fixos, com uma das caractersticas seguintes:
1. Concebidos para determinar uma trajectria relativamente a um referencial geogrfico, sem assistncia
humana em tempo real;
2. Dispondo de transmisso de dados ou comando por via acstica; ou
3. Dispondo de transmisso de dados ou comando por cabo de fibras pticas superior a 1000 m;
8. A. 1. e. Sistemas de salvao ocenica com uma capacidade de elevao superior a 5 MN para a
recuperao de objectos situados a profundidades superiores a 250 m e dotados de um dos dois tipos de
sistemas seguintes:
1. Sistemas de posicionamento dinmico capazes de manter a posio at 20 m do ponto indicado pelo
sistema de navegao; ou
2. Sistemas integrados de navegao sobre fundos marinhos e de navegao para profundidades superiores
a 1000 m com precises de posicionamento at 10 m de um ponto predeterminado;
8. A. 1. f. Veculos de efeito de superfcie (do tipo saia completa) com uma velocidade mxima prevista, em
plena carga, superior a 30 ns com uma altura de onda significativa de 1,25 m (estado do mar de nvel 3) ou
superior, com uma presso da almofada de ar superior a 3830 Pa e uma relao de deslocamento navio
leve/navio com plena carga inferior a 0,7;
8. A. 1. g. Veculos de efeito de superfcie (do tipo quilhas laterais) com uma velocidade mxima prevista, em
plena carga, superior a 40 ns com uma altura de onda significativa de 3,25 m (estado do mar de nvel 5) ou
superior;
8. A. 1. h. Navios com sustentao por hydrofoils dotados de sistemas activos para o controlo automtico dos
sistemas de sustentao com uma velocidade mxima prevista, em plena carga, de 40 ns ou superior com
um altura de onda significativa de 3,25 m (estado do mar de nvel 5) ou superior;
8. A. 1. i. Navios com pequena rea de flutuao com:
1. Um deslocamento, em plena carga, superior a 500 toneladas, com uma velocidade mxima prevista, a
essa carga, superior a 35 ns com um altura de onda significativa de 3,25 m (estado do mar de nvel 5) ou
superior; ou
2. Um deslocamento, em plena carga, superior a 1500 toneladas com uma velocidade mxima prevista, a
essa carga, superior a 25 ns com um altura de onda significativa de 4 m (estado do mar de nvel 6) ou
superior;
Nota Tcnica: Os navios com pequena rea de flutuao so definidos da seguinte forma: a rea de
flutuao a uma determinada imerso operacional deve ser inferior a 2 x (o volume de deslocamento a essa
imerso) 2/3.
8. A. 2. Sistemas ou equipamentos:
a. Sistemas ou equipamentos especialmente concebidos ou modificados para os veculos submersveis,
concebidos para funcionar a profundidades superiores a 1000 m,:
1. Invlucros ou cascos pressurizados com um dimetro inferior mximo superior a 1,5 m;
2. Motores de propulso ou impulsores de corrente contnua;
3. Cabos de ligao e respectivas ligaes que utilizam fibras pticas e sejam reforados com elementos
sintticos;
8. A. 2. b. Sistemas especialmente concebidos ou modificados para o controlo automatizado dos movimentos
do equipamento de veculos submersveis incluidos no pargrafo 8.A.1., que utilizam informaes de
navegao e dispoem de servo controlo em closed loop com vista a:
1. Permitir ao veculo o movimento at 10 m de um ponto prdeterminado da coluna de gua;
2. Manter a posio do veculo at 10 m de um ponto prdeterminado da coluna de gua;
3. Manter a posio do veculo at 10 m, seguindo um cabo pousado ou soterrado no fundo do mar;
8. A. 2. c. Dispositivos de penetrao ou de ligao ao casco para fibras pticas:
8. A. 2. d. Sistemas visuais submarinos:
1. a. Sistemas de televiso (compreendendo uma cmara, um sistema de iluminao, equipamentos de
vigilncia e transmisso de sinais) com uma resoluo limite medida no ar superior a 500 linhas e
especialmente concebidos ou modificados para funcionar distncia com um veculo submersvel; ou
b. Cmaras de televiso submarinas com uma resoluo limite medida ao ar superior a 700 linhas;
8. A. 2. d. 1. Nota Tcnica: No domnio da televiso, a resoluo limite uma medida da resoluo horizontal,
geralmente expressa pelo nmero mximo de linhas por altura de imagem descriminada numa mira, usando
a norma 208/1960 do IEEE ou outra norma equivalente.
2. Sistemas especialmente concebidos ou modificados para funcionar distncia com um veculo submarino
com emprego de tcnicas destinadas a reduzir os efeitos da retrodifuso luminosa, incluindo os dispositivos
de tomoscopia com luz pulsada ou os sistemas "laser";
3. Cmaras de televiso para operar com fraca luminosidade especialmente concebidas ou modificadas para
a utilizao submarina contendo:
a. Tubos intensificadores de imagem incluidos na alnea 6.A.2.a.2.a.; e
b. Mais de 150000 pixels activos por elemento de superfcie sensvel;
8. A. 2. e. Aparelhos fotogrficos especialmente concebidos ou modificados para utilizao submarina com
um filme de 35 mm ou superior e com um dos elementos seguintes:
1. Impresso da pelcula com os dados fornecidos por uma fonte exterior ao aparelho;
2. Focagem automtica ou telecomandada especialmente concebida para utilizao submarina;
3. Correco automtica da distncia focal posterior; ou
4. Controlo de compensao automtico especialmente concebido para utilizao da cmara com invlucro a
profundidades superiores a 1000 m;
8. A. 2. f. Sistemas de imagem electrnica especialmente concebidos ou modificados para utilizao
submarina, capazes de armazenar digitalmente mais de 50 imagens;
8. A. 2. g. Sistemas luminosos, especialmente concebidos ou modificados para utilizao submarina:
1. Sistemas luminosos estroboscpicos capazes de assegurar uma sada de energia luminosa superior a 300
J por disparo;
2. Sistemas luminosos por arco de argon especialmente concebidos para serem utilizados a profundidades
superiores a 1000 m;
8. A. 2. h. "Robots" especialmente concebidos para utilizao submarina, comandados por computador com
programa residente, especfico, com uma das caractersticas seguintes:
1. Com um sistema de comando do "robot" que utilize informaes provenientes de sensores que medem a
fora ou o binrio aplicados a um objecto exterior, a distncia a um objecto exterior ou uma percepo tctil
de um objecto exterior pelo "robot"; ou
2. Capaz de exercer uma fora de 250 N ou superior ou um binrio de 250 Nm ou superior e que utiliza ligas
de titanio ou materiais "fibrosos ou filamentosos" "compsitos" nos seus elementos estruturais;
8. A. 2. i. Manipuladores articulados comandados distncia especialmente concebidos ou modificados para
serem utilizados com os veculos submersveis e com uma das caracterticas seguintes:
1. Com um sistema de controlo do manipulador que utiliza as informaes provenientes dos sensores que
medem o binrio ou a fora aplicada a um objecto exterior, ou uma percepo tctil de um objecto exterior;
ou
2. Controlados por tcnicas proporcionais master-slave ou por computador com programa residente,
especfico, com cinco graus de liberdade ou mais;
Nota: Apenas as funes com um controlo proporcional por retroaco posicional ou por computador com
programa residente, especfico, so consideradas para a determinao do nmero de graus de liberdade do
movimento.
8. A. 2. j. Sistemas de potncia independentes de alimentao de ar especialmente concebidos para uso
submarino:
1. Sistemas de potncia independentes de alimentao de ar para motores de ciclo Brayton, Stirling ou
Rankine, com um dos elementos seguintes:
a. Sistemas de depurao ou absoro especialmente concebidos para a eliminao de dixido de carbono,
monxido de carbono e micropartculas provenientes da reciclagem dos gases de escape do motor;
b. Sistemas especialmente concebidos para a utilizao de um gs monoatmico;
c. Dispositivos especialmente concebidos para a reduo do rudo submarino a frequncias inferiores a 10
KHz, ou dispositivos de montagem especiais para o amortecimento do choque; ou
d. Sistemas especialmente concebidos para:
1. A pressurizao dos produtos da reaco ou regenerao do combustvel;
2. O armazenamento dos produtos da reaco; e
3. Descarregar os produtos da reaco a uma presso de 100 KPa ou superior;
8. A. 2. j. 2. Sistemas de potncia independentes de alimentao de ar para motores de ciclo diesel, com
todos os elementos seguintes:
a. Sistemas de depurao ou absoro especialmente concebidos para a eliminao de dixido de carbono,
monxido de carbono e micropartculas provenientes da reciclagem dos gases de escape do motor;
b. Sistemas especialmente concebidos para a utilizao de um gs monoatmico;
c. Dispositivos especialmente concebidos para a reduo do rudo submarino a frequncias inferiores a 10
KHz, ou dispositivos de montagem especiais para o amortecimento dos choques; e
d. Sistemas de escape especialmente concebidos para no permitirem a descarga de forma contnua dos
produtos da combusto;
8. A. 2. j. 3. Sistemas de potncia independentes de alimentao de ar que utilizem clulas de combustvel
com uma potncia de sada superior a 2 kW e com um dos elementos seguintes:
a. Dispositivos especialmente concebidos para a reduo do rudo submarino a frequncias inferiores a 10
KHz, ou dispositivos de montagem especiais para o amortecimento do choque; ou
b. Sistemas especialmente concebidos para:
1. A pressurizao dos produtos da reaco ou regenerao do combustvel;
2. O armazenamento dos produtos da reaco; e
3. Descarregar os produtos da reaco a uma presso de 100 KPa ou superior;
8. A. 2. k. Saias, juntas e fingers:
1. Concebidos para presses de almofada de 3830 Pa ou superiores para funcionar com uma altura de onda
significativa de 1,25 m (estado do mar de nvel 3) ou superior e especialmente concebidos para os veculos
de efeito de superfcie (do tipo saia completa) incluidos na alnea 8.A.1.f.;
2. Concebidos para presses de almofada de 6224 Pa ou superiores, para funcionar com uma altura de onda
significativa de 3,25 m (estado do mar de nvel 5) ou superior e especialmente concebidos para veculos de
efeito de superfcie (do tipo quilhas laterais) incluidos na alnea 8.A.1.g.;
8. A. 2. 1. Ventiladores para elevao com potncia superior a 400 KW e especialmente concebidos para os
veculos de efeito de superfcie includos nas alneas 8.A.1.f. ou 8.A.1.g.;
8. A. 2. m. Hydrofoils subcavitantes ou sobrecavitantes totalmente submersos especialmente concebidos
para os navios incluidos na alnea 8.A.1.h.;
8. A. 2. n. Sistemas activos especialmente concebidos ou modificados para o controlo automtico do
movimento provocado pelo mar, para os veculos ou navios incluidos nas alneas 8.A.1.f.,g.,h. ou i.;
8. A. 2. o. 1. Hlices de propulso ou sistemas de transmisso de potncia, especialmente concebidos para
os veculos de efeito de superfcie (do tipo saia completa, ou do tipo com quilhas laterais), do tipo com
sustentao por hydrofoils ou veculos de pequena rea de flutuao incluidos nas alneas 8.A.1.f.,g.,h. ou i.:
a. Hlices sobrecavitantes, sobreventiladas, parcialmente imersas previstas para potncias superiores a 7,5
MW;
b. Sistemas de hlices contrarotativas previstos para potncias superiores a 15 MW;
c. Sistemas que utilizam tcnicas de distribuio ou de orientao para a regularizao do fluxo nas hlices;
d. Caixas redutoras ligeiras de alta capacidade (factor K superior a 300);
e. Sistemas de veios de transmisso, que incorporem componentes em materiais "compsitos" capazes de
transmitir potncias superiores a 1 MW;
8. A. 2. o. 2. Hlices de propulso, sistemas de gerao ou transmisso de potncia destinados a serem
utilizados nos navios:
a. Hlices de passo controlvel e respectivos cubos previstos para potncias superiores a 30 MW;
b. Motores de propulso elctrica com refrigerao interna lquida com uma potncia de sada superior a 2,5
MW;
c. Motores de propulso "supercondutores" ou motores de propulso elctrica de magneto permanente, com
uma potncia de sada superior a 0,1 MW;
d. Sistemas de veios de transmisso, que incorporem componentes em materiais "compsitos" capazes de
transmitir potncias superiores a 2 MW;
e. Sistemas de hlices ventiladas ou de base ventilada previstos para potncias superiores a 2,5 MW.
8. A. 2. o. 3. Sistemas de reduo do rudo destinados a serem utilizados em navios com um deslocamento
igual ou superior a 1000 toneladas:
a. Sistemas de reduo do rudo que atenuem para frequncias inferiores a 500 Hz, e que consistem
montagens acsticas compostas, destinadas ao isolamento acstico de motores diesel, de grupos
electrogneos com motor diesel, de turbinas a gs, de grupos electrogneos com turbina a gs, de motores
de propulso ou de caixas redutoras para propulso, especialmente concebidos para o isolamento do rudo
ou das vibraes e com uma massa intermdia superior a 30% do equipamento a montar;
b. Sistemas activos de reduo ou de anulao do rudo, ou chumaceiras magnticas, especialmente
concebidos para sistemas de transmisso de potncia, que incorporem sistemas de controlo electrnico,
capazes de reduzir activamente as vibraes dos equipamentos atravs da gerao de sinais anti-rudo ou
anti-vibrao dirigidos fonte;
8. A. 2. p. Sistemas de propulso por jacto de gua com uma potncia de sada superior a 2,5 MW que
utilizem tubeiras divergentes e tcnicas para o condicionamento do fluxo de forma a melhorar a eficincia da
propulso ou a reduo do rudo submarino gerado. (Para os sistemas de comunicao submarinos, ver a
Categoria 5 - (Telecomunicaes)).

8. B. EQUIPAMENTOS DE ENSAIO, DE CONTROLO E DE PRODUO

8. B. Tneis de gua com um rudo de fundo inferior a 100 dB (referncia 1 micropascal a 1 Hz) na gama de
frequncias compreendida entre 0 e 500 Hz, concebidos para medir os campos acsticos criados por um
fluxo hidrulico em torno dos modelos de sistemas de propulso.

8. C. MATERIAIS

Espuma sinttica para uso submarino com as duas caractersticas seguintes:


1. Concebida para profundidades submarinas superiores a 1000 m; e
2. Com uma massa especfica inferior a 561 Kg/m3;
Nota Tcnica: A espuma sinttica constituda por esferas de plstico ou vidro incrustadas numa matriz de
resina.

8. D. "SOFTWARE"

1. "Software" especialmente concebido ou modificado para o "desenvolvimento" ou a produo" ou a


"utilizao" dos equipamentos ou materiais incluidos nas sub-Categorias 8.A., 8.B. ou 8.C.;
2. "Software" especfico especialmente concebido ou modificado, para o "desenvolvimento", a "produo" a
reparao, a manuteno ou o recondicionamento (nova maquinao) das hlices especialmente concebidas
para a reduo do rudo submarino.

8. E. TECNOLOGIA
8. E. 1. Tecnologia, no sentido da Nota geral de tecnologia, para o "desenvolvimento" ou a "produo" dos
equipamentos ou materiais incluidos na sub-Categoria 8.A., 8.B. ou 8.C.;
2. Outras tecnologias:
a. Tecnologia para o "desenvolvimento", a "produo", a reparao a manuteno ou o recondicionamento
(nova maquinao) das hlices especialmente concebidas para a reduo do rudo submarino;
b. Tecnologia para a manuteno ou o recondicionamento dos equipamentos incluidos no pargrafo 8.A.1.
ou nas alneas 8.A.2.b, j., o. ou p.

CAPTULO IX
CATEGORIA 9
PROPULSO

9. A. EQUIPAMENTOS, CONJUNTOS E COMPONENTES

(Para os sistemas de propulso concebidos ou previstos para resistir a radiaes neutrnicas ou ionizantes
transitrias, ver a Lista de Material de Guerra)
9. A. 1. Motores aeronuticos de turbina a gs, que incorporem uma das tecnologias compreendidas na
alnea 9.E.3.a:
a. No certificados para a "aeronave civil" especfica a que se destina;
Nota: Para os fins de certificao de uma "aeronave civil", poder ser autorizada a exportao de um nmero
limitado de motores, conjuntos ou componentes certificados para utilizaes civis. Este nme limitado
definido como o mnimo necessrio (at 16, incluindo sobressalentes) para a certificao civil.
b. No certificados para utilizao civil pelas autoridades aeronuticas de um pas membro;
c. Concebidos para voar em cruzeiro a uma velocidade superior a Mach 1,2 durante mais de 30 minutos;
9. A. 2. Motores martimos de turbina a gs com uma potncia contnua standard (ISO) igual ou superior a
13795 kW e um consumo especfico de combustvel inferior a 0,243 Kg/kWh e conjuntos e componentes
especialmente concebidos para os mesmos;
9. A. 3. Conjuntos e componentes especialmente concebidos, incorporando uma das tecnologias referidas na
alnea 9.E.3.a., para os sistemas de propulso de motores de turbina a gs seguintes:
a. Referidas no pargrafo 9.A.1; ou
b. Aqueles cuja concepo ou produo sejam originrias ou dum pas visado ou de construtores
desconhecidos;
Nota: o pargrafo 9.A.3. no compreende as cmaras de combusto mltiplas funcionando a temperatura
mdia sada do queimador igual ou inferior a 1813 K (1540C).
9. A. 4. Veculos lanadores espaciais ou "veculos espaciais" (excepto as suas cargas teis); (Para saber se
os produtos includos nas cargas teis dos "veculos espaciais" esto ou no compreendidos ver as
categorias apropriadas da Lista Industrial).
9. A. 5. Sistemas de propulso de foguete de combustvel lquido que contenham um dos sistemas ou
componentes referidos no pargrafo 9.A.6;
9. A. 6. Sistemas ou componentes, especialmente concebidos para os sistemas de propulso de foguete de
combustvel lquido:
a. Refrigeradores criognicos, vasos de Dewar embarcados, condutas de calor criognicas ou sistemas
criognicos especialmente concebidos para serem utilizados nos veculos espaciais e capazes de limitar as
perdas de fluido criognico a menos de 30% por ano;
b. Reservatrios criognicos ou sistemas de refrigerao de ciclo fechado capazes de assegurar
temperaturas iguais ou inferiores a 100 K (-173C) para "aeronaves" com possibilidade de voo sustentado de
velocidades superiores a Mach 3, veculos lanadores ou "veculos espaciais";
c. Sistemas de transferncia ou armazenamento de hidrognio pastoso;
d. Turbo-bombas de alta presso (superior a 17.5 MPa.), componentes de bombas ou respectivos sistemas
associados de accionamento por turbina de gerador de gs ou por ciclo de expanso;
e. Cmaras de impulso de alta presso (superior a 10,6 MPa) e suas condutas;
f. Dispositivos de armanezamento do combustvel funcionando segundo o princpio da reteno capilar ou
expulso positiva (i.e., com membranas flexveis);
9. A. 7. Sistemas de propulso por foguete a combustvel slido apresentando uma das caractersticas
seguintes:
a. 1. Capacidade de impulso total superior a 1,1 MNs; ou
2. Impulso especfica igual ou superior a 2,4 KNs/Kg. Quando o escoamento da tubeira expandido para as
condies standard ao nvel do mar para uma presso da cmara ajustada de 7 MPa;
b. 1. Fraces da massa por estgio superiores a 88%; e
2. Carregamento total de combustvel slido superior a 86%;
c. Incluindo um dos componentes referidos no pargrafo 9.A.8.; ou
d. Sistemas de colagem e isolamento de combustvel utilizando motores de colagem directa para garantir um
forte proteco ou barreira migrao qumica entre o combustvel slido e o material da caixa de
isolamento;
9. A. 8. Componentes especialmente concebidos para os sistemas de propulso de combustvel slido:
a. Sistemas de colagem e isolamento do combustvel que utilizem camisas para garantir uma forte proteco
ou barreira migrao qumica entre o combustvel slido e o material da caixa de isolamento;
b. Carteres de motor em fibras "compsitas" com enrolamento de dimetro superior a 0,61 m ou com
rendimento estrutural (PV/W) superior a 25 Km;
Nota Tcnica: O rendimento estrutural (PV/W) o produto da presso de exploso (P) pelo volume (V) do
vaso, dividido pelo peso total (W).
c. Tubeiras com nveis de impulso que excedem 45 kN ou taxas de eroso do colo inferiores a 0,075 mm/s;
d. Tubeiras mveis ou sistemas de controlo do vector impulso por injeco secundria de fludo, capazes:
1. De um movimento omni-axial superior a (mais ou menos)5 graus;
2. De rotao de vector angular de 20 graus/s ou mais; ou
3. De acelerao de vector angular de 40 graus/s2 ou mais;
Nota Tcnica: Para os fins da alnea 9.A.7.d. e 9.A.8.a. uma ligao mecnica slida entende-se como tendo
uma fora de ligao igual ou superior fora do propulsante.
9. A. 9. Sistemas de propulso de foguetes hbridos com:
a. Uma capacidade de impulso superior a 1,1 MNs; ou
b. Nveis de impulso superiores a 220 kN em condies de descarga em vazio;
9. A. 10. Correntes ou estruturas especialmente concebidos para veculos lanadores ou seus sistemas de
propulso, fabricados a partir de materiais "compsitos" de "matriz" metlica, materiais "compsitos"
orgnicos, materiais de "matriz" cermica, ou materiais intermetlicos reforados referidos nos pargrafos
1.C.7 ou 1.C.10;
9. A. 11. Estatoreactores, estatoreactores de combusto supersnicos ou motores de ciclo combinado e
componentes especialmente concebidos para os mesmos.

9. B. EQUIPAMENTOS DE ENSAIO, DE CONTROLO E DE PRODUO

9. B. 1. Equipamentos, ferramentas e montagens especialmente concebidos para o fabrico ou medio de


ps rotoras, ps estatoras ou proteces de extremidade vasadas de turbinas a gs:
a. Equipamentos automatizados que utilizem mtodos no mecnicos para a medio da espessura das
paredes do perfil aerodinmico;
b. Ferramentas, montagens ou equipamentos de medida para furao por "laser", jacto de gua ou por
processo eletroquimico ou electro-erosivo referidos na alnea 9.E.3.c;
c. Equipamentos de solidificao dirigida ou de fundio monocristalina;
d. Ncleos ou carteres em cermica;
e. Equipamentos ou ferramentas para fabrico de ncleos em cermica;
f. Equipamentos de lixiviao de ncleos em cermica;
g. Equipamentos de preparao de moldes em cera de carteres em cermica;
h. Equipamentos de fuso ou de queima de carteres em cermica;
9. B. 2. Sistemas de controlo em linha (tempo real), instrumentos (incluindo os sensores) ou equipamentos
automatizados de aquisio e tratamento de dados, especialmente concebidos para o desenvolvimento de
motores de turbinas a gaz ou dos seus conjuntos ou componentes, incorporando tecnologias referidas na
alnea 9.E.3.a.;
9. B. 3. Equipamentos especialmente concebidos para a produo ou ensaio de vedantes de turbinas a gs
previstos para operar a velocidades perifricas superiores a 335 m/s e peas ou acessrios especialmente
concebidos para os mesmos;
9. B. 4. Ferramentas, matrizes ou montagens para a ligao no estado slido de componentes de turbinas a
gs em titnio ou em "superligas";
9. B. 5. Sistemas de controlo em linha (tempo real), instrumentos (incluindo os sensores) ou equipamentos
automatizados de aquisio e tratamento de dados, especialmente concebidos para o emprego com tneis
de vento ou os dispositivos seguintes:
a. Tneis aerodinmicos concebidos para velocidades iguais ou superiores a Mach 1,2, com excluso dos
especialmente concebidos para fins de ensaio com uma dimenso de seco de ensaio (medida
lateralmente) inferior a 250 mm;
Nota Tcnica: A dimenso da seco de medida o dimetro do crculo ou o lado do quadrado ou o
comprimento do rectngulo, medidos na parte de maiores dimenses.
b. Dispositivos para simular ambientes de escoamento a velocidades superiores a Mach 5, incluindo tneis
de choque de gs aquecido, tneis de arco de plasma, tubos de ondas de choque, tneis de gs e pistolas
de gs leve;
c. Tneis de vento ou dispositivos, excepto os bidimensionais, capazes de simular um escoamento com um
nmero de Reynolds superior a 25 x 10(elevado a 6);
9. B. 6. Equipamentos especialmente concebidos para ensaio de vibraes acsticas, capazes de produzir
nveis de presso sonora iguais ou superiores a 160 dB (referenciado a 20 micropascal), com uma potncia
de sada nominal igual ou superior a 4 kW com uma temperatura da clula de ensaio superior a 1273 K
(1000C), e seus transdutores, indicadores de constrangimento, acelermetros, termopares ou dispositivos
de aquecimento a quartzo;
9. B. 7. Equipamentos especialmente concebidos para o controlo da integridade dos motores de foguete
atravs de tcnicas de ensaio no destrutivo excepto a anlise planar por raios X ou a anlise fsico-qumica
bsica;
9. B. 8. Transdutores especialmente concebidos para medio directa do atrito na parede de um escoamento
de ensaio com uma temperatura de estagnao superior a 833 k (560C);
9. B. 9. Ferramentas especialmente concebida para a produo de componentes de rotores para motores de
turbinas obtidos por sinterizao capazes de funcionar a nveis de tenso iguais ou superiores a 60% da
tenso de rotura e a temperaturas de metal iguais ou superiores a 873 K (600C).

9. C. MATERIAIS - nenhum

9. D. "SOFTWARE"

9. D. 1. "Software" necessrio ao "desenvolvimento" dos equipamentos ou de tecnologia referidos nas sub-


Categorias 9.A ou 9.B ou do pargrafo 9.E.3.;
9. D. 2. "Software" necessrio "produo" dos equipamentos referidos nas sub-Categorias 9.A. ou 9.B.;
9. D. 3. "Software" necessrio "utilizao" dos controlos digitais full authority (FADEC) para sistemas de
propulso referidos na sub-Categoria 9.A, ou para a "utilizao" dos equipamentos referidos na sub-
Categoria 9.B;
a. "Software" dos controlos digitais para sistemas de propulso, instalaes de ensaio aeroespaciais ou
instalaes de ensaio de motores aeronuticos de ar atmosfrico;
b. "Software" tolerante a falhas utilizado em sistemas FADEC para os sistemas de propulso e respectivas
instalaes de ensaio;
9. D. 4. Outros "software";
a. "Software" especialmente concebido para os equipamentos de ensaio de vibraes que utilizem controlo
digital em tempo real com excitadores individuais (simuladores de impulso) com impulso mximo superior a
100 kN;
b. "Software" de escoamento 2D/3D viscoso, validado com os dados de ensaio obtidos em tneis de vento ou
em voo, necessrio modelizao detalhada do escoamento nos motores;
c. "Software" necessrio ao desenvolvimento ou produo de instalaes de ensaio em tempo real de
sistemas electrnicos de gesto completa dos motores e componentes compreendidos na sub-Categoria
9.A.;
d. "Software" para o ensaio de motores aeronuticos de turbina a gs ou dos seus conjuntos ou
componentes, especialmente concebidos para a aquisio a compresso e a anlise de dados em tempo
real com capacidade de retroaco incluindo os ajustamentos dinmicos aos materiais de ensaio ou s
condies de ensaio durante este;
e. "Software" especialmente concebido para o comando da solidificao dirigida ou fundio monocristalina;
f. "Software" em "cdigo fonte", "cdigo objecto" ou cdigo mquina necessrio "utilizao" de sistemas de
compensao activa para controlo de folga da extremidade das ps do rotor;
Nota: A alnea 9.D.4.f. no compreende o "software" integrado nos equipamentos livres ou necessrio s
operaes de manuteno associadas calibrao ou reparao ou afinao do sistema de folgas de
compensao activa.

9. E. TECNOLOGIA

9. E. 1. Tecnologia, no sentido da Nota geral de tecnologia, para o "desenvolvimento" dos equipamentos ou


do "software" referidos nas alneas, pargrafos ou sub-Categorias 9.A.1.c., 9.A.4. a 9.A.11., 9.B. ou 9.D.;
9. E. 2. Tecnologia, no sentido da Nota geral de tecnologia, para a "produo" dos equipamentos referidos
nas alneas, pargrafos ou sub-Categorias 9.A.1.c., 9.A.4. a 9.A.11. e 9.B.;
Nota: A tecnologia de "desenvolvimento" ou de "produo" referida na sub-Categoria 9.E., para motores de
turbina a gs, continua submetida a controlo, quando utilizada como tecnologia de "utilizao" para a
reparao, a reconstituio ou a reviso geral.
Esto excluidos do controlo os dados tcnicos, os desenhos ou a documentao, destinados s actividades
de manuteno directamente associadas calibrao, remoo ou substituio de unidades intermutveis na
linha da frente danificadas ou incapazes, incluindo a substituio total dos motores ou de mdulos de
motores.
(Para a tecnologia de reparao das estruturas, produtos laminados ou materiais sob controlo, ver a alnea
1.E.2.f.)
9. E. 3. Outras tecnologias:
a. Tecnologia, "necessria" ao "desenvolvimento" ou "produo" dos componentes ou sistemas de motores
com turbina a gs:
1. Ps mveis, ps fixas ou proteces de extremidade de ps de turbinas a gs obtidas por solidificao
dirigida, previstas para funcionar a temperaturas do gs superiores a 1593 k (1320C);
2. Ps mveis, ps fixas ou proteces de extremidade de p monocristalinas;
Nota: As tecnologias referidas nas alneas 9.E.3.a. 1. e 2. continuaro submetidas a controlo at 30 de
Novembro de 1992, a menos que a data de expirao do prazo seja alargada.
3. Cmaras de combusto mltiplas funcionando a temperaturas mdias sada do queimador superiores a
1643 k (1370C), ou cmaras de combusto incorporando as camisas de combusto termicamente
desacopladas, camisas no metlicas ou carters no metlicos;
4. Componentes fabricados a partir de materiais "compsitos" orgnicos concebidos para funcionar acima de
588 k (315C), ou a partir de materiais "compsitos" de "matriz" metlica, de materiais "compsitos" de
"matriz" cermica, intermetlicos ou intermetlicos reforados referidos nos pargrafos 1.A.2 ou 1.C.7;
5. Ps mveis, ps fixas ou proteces de extremidade de ps ou outros componentes de turbina, no
arrefecidos, concebidos para funcionar a temperaturas do gs iguais ou superiores a 1323 K (1050C);
6. Ps mveis, ps fixas ou proteces de extremidade de ps de turbina, arrefecidas, excepto as referidas
nas alneas 9.E.3.a.1. e 2., expostas a temperaturas do gs iguais ou superiores a 1643 K (1370C);
7. Ligaes p-disco por meio de ligao no estado slido;
8. Componentes de motores de turbina a gs, que utilizem a tecnologia de "soldadura por difuso" tal como
est referida na alnea 2.E.3.b.;
9. Componentes rotativos de motores de turbina a gs tolerantes a falhas que utilizem materiais obtidos por
sinterizao referidos na alnea 1.C.2.b;
10. FADEC para motores de turbina a gs e motores combinados, seus componentes, e sensores de
diagnstico conexos e componentes especialmente concebidos para os mesmos;
11. Geometria ajustvel de escoamento e sistemas de comando associados para:
a. Turbinas de gerador de gs;
b. Turbinas de ventilador ou de potncia;
c. Tubeiras propulsoras;
Notas: 1. A geometria ajustvel de escoamento e os sistemas de controlo associados no compreendem os
distribuidores de entrada, ventiladores de passo varivel, estatores variveis ou vlvulas de sangria do
compressor.
2. A alnea 9.E.3.a.11. no compreende a tecnologia de "desenvolvimento" ou de "produo" para a
geometria ajustvel de escoamento para o inversor;
12. Sistemas de controlo da folga das extremidades das ps por recurso tecnologia de compensao activa
do carter, que est limitada a uma base de dados de concepo e de desenvolvimento;
13. Apoios de almofada gasosa para conjuntos de rotores de motores de turbina a gs;
14. Ps ocas de ventiladores com corda larga sem amortecedor;
9. E. 3. b. Tecnologia "necessria" ao "desenvolvimento" ou "produo" de:
1. Modelos de tneis aerodinmicos, equipados com sensores sem intruso e providos de um meio de
transmisso dos dados provenientes dos sensores para o sistema de tratamento dos dados;
2. Ps de hlice ou turbopropulsores em materiais "compsitos" capazes de absorver mais de 2000 kW a
velocidades de voo superiores a Mach 0,55;
9. E. 3. c. Tecnologia "necessria" ao "desenvolvimento" ou "produo" de componentes de motores de
turbinas a gs que utilizem processos de furao por "laser", por jacto de gua, por processo electro-qumico
ou electro-erosivo, que permitam realizar furos com:
1. a. Uma profundidade superior a 4 vezes o seu dimetro;
b. Um dimetro inferior a 0,76 mm; e
c. Um ngulo de incidncia igual ou inferior a 25 graus; ou
a. Uma profundidade superior a 5 vezes o seu dimetro;
b. Um dimetro inferior a 0,4 mm; e
c. Um ngulo de incidncia superior a 25 graus;
Nota Tcnica: Para os fins da alnea 9.E.3.c., o ngulo de incidncia medido a partir dum plano tangente
superfcie do perfil aerodinmico no ponto definido pelo eixo de furo e pela superfcie dinmica.
9. E. 3. d. Tecnologia "necessria" ao "desenvolvimento" ou "produo" de sistemas de transmisso de
potncia de helicpteros ou de avies de rotor ou asa basculantes:
1. Capazes de funcionar sem lubrificao durante 30 minutos ou mais; ou
2. Com uma razo potncia de entrada/peso igual ou superior a 8,87 kW/kg;
9. E. 3. e. 1. Tecnologia para o "desenvolvimento" ou a "produo" de sistemas de propulso de veculos
terrestres com motor diesel alternativo que apresentem todas as caractersticas seguintes:
a. Volume paralelepipdico igual ou inferior a 1,2 m3;
b. Potncia de sada global superior a 750 kW baseada na norma CEE/80/1269 ou na norma ISO 2534 ou
suas equivalentes nacionais; e
c. Potncia volmica. superior a 700 kW/m3 de volume paralelepipdico;
9. E. 3. e. 1. Nota Tcnica: O volume paralelepipdico definido como o produto de trs dimenses
perpendiculares medidas da seguinte forma:
Comprimento: O comprimento da cambota medida entre a flange dianteira e a face do volante;
Largura: A maior das dimenses seguintes:
a. Dimenso exterior entre tampas das vlvulas;
b. Dimenso das arestas exteriores da cabea do motor;
c. Dimetro do carter do volante;
Altura: A maior das dimenses seguintes:
a. Distncia do eixo da cambota superfcie da tampa das vlvulas ou da cabea do motor mais duas vezes
o curso; ou
b. Dimetro do carter do volante.
9. E. 3. e. 2. Tecnologia "necessria" "produo" de componentes especialmente concebidos, para motores
diesel de alto rendimento:
a. Tecnologia. "necessria" "produo" de motores incluindo os componentes seguintes, com emprego de
materiais cermicos referidos no pargrafo 1.C.7.:
1. Camisas de cilindros;
2. mbolos;
3. Cabeas de motor; e
4. Um ou mais componentes (incluindo os orifcios de escape, os turbo compressores, as guias das vlvulas;
o conjunto das vlvulas ou injectores de combustvel);
b. Tecnologia "necessria" "produo" de sistemas de turbocompresso com um andar de compresso
apresentando todas as caractersticas seguintes:
1. Que funcionam a taxas de compresso de 4:1 ou superiores;
2. Caudal mssico na gama de 30 a 130 kg/mn; e
3. Superfcie de escoamento varivel no compressor ou na turbina;
c. Tecnologia "necessria" "produo" de sistemas de injeco de combustvel com uma capacidade
multicarburante especialmente concebida (por exemplo, gasleo ou gasolina de aviao) cobrindo uma gama
de viscosidade desde a do gasleo (2,5 cSt a 310,8 K (37,8C)) da gasolina de aviao (0,5 cSt a 310,8 K
(37,8C)) com as duas caractersticas seguintes:
1. Quantidade injectada que ultrapasse os 230 mm3 por injeco e por cilindro; e
2. Meios de controlo electrnicos das caractersticas do regulador de comutao especialmente concebidos
para fornecer automaticamente um binrio constante, quaisquer que sejam as propriedades do combustvel,
atravs dos sensores apropriados;
9. E. 3. e. 3. Tecnologia "necessria" ao "desenvolvimento" ou "produo" de motores diesel de alto
rendimento para a lubrificao das paredes dos cilindros, por pelcula lquida, slida ou em fase gasosa (ou
em combinao) que permitam funcionar a temperaturas superiores a 723 K (450C) medidas na parede do
cilindro na extremidade superior do curso do segmento mais alto do mbolo.
Nota Tcnica: Os termos motor diesel de alto rendimento designam um motor diesel com uma presso
efectiva mdia no freio de 1,8 MPa ou superior a uma velocidade de rotao de 2300 r.p.m. na condio da
velocidade nominal ser de 2300 r.p.m. ou superior.
9. Nota: Poder ser autorizada, a ttulo de excepo administrativa, a expedio de motores martimos de
turbina a gs referidos no pargrafo 9.A.2., para serem instalados em navios de utilizao civil, na condio
que o seu consumo especfico de combustvel ultrapasse 0,23 Kg/kWh e que a potncia contnua (ISO) seja
inferior a 20000 kW.

ESCLARECIMENTO
Entende-se que a alnea 9.E.3.e.2.b. compreende unicamente a tecnologia "necessria" para obteno de
todos os parmetros.
Entende-se que a alnea 9.E.3.e.2.c. compreende unicamente a tecnologia "necessria" para uma
capacidade multi-combustvel que apresente todos os parmetros.

GLOSSRIO
Nota: 1. Os nmeros margem, indicam as Categorias a que as definies dizem respeito.
2. NGT significa Nota Geral de Tecnologia.
7.9. "Aeronave" - Veculo areo de asa fixa, de geometria varivel ou rotativa (helicptero), de rotor
basculante ou de asa basculante.
7.9. "Aeronave civil" - Compreende nicamente as "aeronaves" mencionadas pela sua designao prpria
nas listas de certificados de navegabilidade publicadas pelas autoridades de aviao civil, para operar em
rotas comerciais civis, domsticas e internacionais, ou destinadas a um uso legal civil, privado ou de
negcios.
5. "Amplificao ptica" - Tcnica de amplificao que, nas comunicaes pticas, introduz um ganho nos
sinais pticos que tenham sido gerados por uma fonte ptica distinta, sem converso em sinais elctricos,
isto , utilizando amplificadores pticos base de semi-condutores, ou amplificadores luminescentes de
fibras pticas.
6. "Amplitude ajustvel" - Gama de deteco especificada, do alvo de um radar.
3. "Analisadores de redes com varrimento de frequncia" - Instrumentos que efectuam a medio automtica
de parmetros de circuitos equivalentes para uma gama de frequncias. Para este fim, utilizam-se tcnicas
de medio de varrimento de frequncia, mas no ponto a ponto em ondas contnuas.
3. "Analisadores de sinal" - Aparelhos capazes de medir e visualizar as propriedades fundamentais dos
componentes de frequncia nica de sinais multifrequncia.
3. "Analisadores de sinais dinmicos" - "Analisadores de sinal" que utilizem tcnicas digitais de amostragem
e de transformao para visualizar o espectro de Fourier da forma de onda dada, incluindo as informaes
relativas amplitude e fase.
1. "Atomizao centrfuga" - Processo destinado a transformar, um vazamento ou um banho de metal fundido
em partculas de dimetro igual ou inferior a 500 micrmetros, por aco da fora centrfuga.
1. "Atomizao em vazio" - Processo destinado a transformar, em vazio, um vazamento de metal fundido em
partculas de dimetro igual ou inferior a 500 micrmetros, pela vaporizao rpida de um gaz dissolvido.
1. "Atomizao por gaz" - Processo destinado a transformar um vazamento de metal fundido em partculas
de dimetro igual ou inferior a 500 micrmetros, por meio de um fluxo gasoso a alta presso.
5. "Cartes personalizados com microchip" - Carto com microchip, que contem um microcircuito; que
satisfaz a norma ISO/CEI 7816, que foi programado pelo emissor e no pode ser modificado pelo utilizador.
3. "Circuitos integrados do tipo filme" - Conjuntos de "elementos de circuito" e de interligaes metlicas
formados por depsito de um filme fino ou espesso sobre um "substracto" isolante.
N.B. "elemento de circuito" um elemento funcional, activo ou passivo nico num circuito electrnico, como
um diodo, um transistor, uma resistncia, um condensador, etc.
3. "Circuitos integrados hbridos" - Combinaes de circuitos integrados ou de circuitos integrados que
possuem "elementos de circuito" ou "componentes discretos" ligados, que podem executar uma ou mais
funes especficas, e que reunem todas as seguintes caractersticas:
a) Integrem, pelo menos, um dispositivo no encapsulado;
b) Estejam ligados entre si atravs de mtodos tpicos de produo de circuitos integrados;
c) Sejam substitudos como uma s unidade; e
d) Normalmente, no possam ser desmontados.
N.B.: 1. "componente discreto" um "elemento de circuito", encapsulado em separado e que possui ligaes
exteriores prprias.
2. "elemento de circuito" um elemento funcional activo ou passivo nico num circuito electrnico, como um
diodo, um transistor, uma resistncia, um condensador, etc..
3. "Circuitos integrados monolticos" - Combinaes de vrios "elementos de circuito" passivos ou activos, ou
de ambos, que:
a) Sejam fabricados por processos de difuso, de implantao ou de depsito, dentro ou sobre um elemento
semi-condutor nico - isto , uma nica pastilha ou chip.
b) Se considerem associados de forma indivisvel.
c) Realizem a(s) funo(es) de um circuito.
N.B. "elemento de circuito" um elemento funcional activo ou passivo nico num circuito electrnico, como
um diodo, um transistor, uma resistncia, um condensador, etc.
3. "Circuitos integrados multichip" - Circuitos que contm pelo menos, dois "circuitos integrados monolticos"
fixados num "substracto" comum.
3. "Circuitos integrados pticos" - "circuitos integrados monolticos" ou "circuitos integrados hbridos" que
integrem um ou mais elementos concebidos para funcionarem como detectores ou emissores pticos ou para
realizarem uma ou mais funes pticas ou electro pticas.
4. "Cdigo fonte" (ou linguagem fonte) - Sistema de programao para a converso de uma expresso
adequada de um ou mais processos, numa outra forma, executvel pelo equipamento ("Cdigo objecto" ou
linguagem objecto).
3. "Cdigo objecto" (ou linguagem objecto) - Forma executvel pelo equipamento, de uma expresso
adequada de um ou mais processos ("Cdigo fonte" ou linguagem fonte) convertida por um Sistema de
programao.
2. "Comando numrico" - Comando automtico de um processo, realizado por um dispositivo que interpreta
dados numricos introduzidos medida que a operao se processa (Ref. ISO 2382).
1.6.8.9 "Compsito" - Conjunto de uma "matriz" e de uma ou vrias fases adicionais, constitudas por
partculas, aglomerantes, fibras ou combinao de qualquer delas, com vista a um ou mais fins especficos.
6. "Compresso pulsante" - Codificao e processamento de um impulso de um sinal de radar de longa
durao, num impulso de curta durao que conserva as vantagens de uma energia pulsante elevada.
6. "Comprimento de batimento" - Distncia que devem percorrer dois sinais ortogonalmente polarizados,
inicialmente em fase, para realizar uma diferena de fase de 2 (Pi) radianos.
4. "Computadores digitais" - Equipamentos que podem, sob a forma de uma ou mais variveis discretas:
a) Aceitar dados
b) Armazenar dados ou instrues em dispositivos fixos ou modificveis (por gravao)
c) Processar dados por meio de uma sequncia de instrues armazenadas modificveis
d) Assegurar a sada de dados
N.B.: As modificaes de uma sequncia de instrues armazenadas incluem a substituio de dispositivos
fixos de memria, mas no a substituio da cablagem ou das interligaes.
4. "Computadores hbridos" - Equipamentos capazes de:
a) Aceitar dados
b) Processar dados analgicos ou digitais e
c) Assegurar a sada de dados
4. "Computadores neuronais" - Dispositivos de clculo concebidos ou modificados para imitar o
comportamento de um neurnio ou conjunto de neurnios (isto , dispositivos de clculo que se distinguem
pela sua capacidade de modular os pesos e nmeros das interligaes de uma srie de componentes de
clculo, com base em dados anteriores).
4. "Computadores pticos" - Computadores concebidos ou modificados para utilizar a luz para representar os
dados, e cujos elementos lgicos de clculo se baseiam em dispositivos pticos ligados directamente.
4. "Computadores sistlicos matriciais" - Computadores onde o fluxo e a alterao dos dados so
dinmicamente controlados pelo utilizador ao nvel da porta lgica.
5. "Comutao ptica" - Encaminhamento ou comutao de sinais pticos no convertveis em sinais
elctricos.
3.4. "Conjunto" - Grupo de componentes electrnicos ("elementos de circuito", "componentes discretos",
circuitos integrados, etc.) ligados entre si para desempenhar uma ou vrias funes especficas, substituveis
conjuntamente e normalmente desmontveis:
N.B. 1. "componente discreto" um "elemento de circuito" encapsulado em separado, e que possui as suas
prprias ligaes exteriores.
2. "elemento de circuito" um elemento funcional activo ou passivo nico num circuito electrnico, como um
diodo, um transistor, uma resistncia, um condensador, etc.
6. "Conjuntos faseados de antenas orientveis electronicamente" - Antenas que formam um feixe mediante
acoplagem de fase, isto , a direco do feixe controlada por coeficientes de excitao complexos dos
elementos radiantes, e pode ser modificada em azimute, elevao ou ambos, por meio de um sinal elctrico,
tanto na emisso como na recepo.
6. "Constante de tempo" - Tempo que decorre entre a aplicao de um estmulo luminoso e o momento em
que o aumento de corrente atinge o valor de 1-1/e vezes o valor final, isto 63% desse valor.
4. "Controlador de acesso a redes" - Interface fsica com uma rede de comutao partilhada. Utiliza um
suporte comum que funciona mesma "taxa de transferncia digital" e que utiliza a arbitragem (por exemplo,
deteco de ficha e de portadora) para a transmisso. Independentemente de outros dispositivos, selecciona
os pacotes de dados ou os grupos de dados (por exemplo, IEEE 802) que lhe so dirigidos. um conjunto
que pode ser integrado em equipamentos informticos ou de telecomunicaes para assegurar o acesso s
comunicaes.
5. "Controlador de comunicaes" - Interface fsica que controla o fluxo de informao digital sncrona ou
assncrona. Trata-se de um conjunto que pode ser integrado num equipamento informtico ou de
telecomunicaes para assegurar o acesso s telecomunicaes.
2. "Controlo adaptativo" - Sistema de controlo que ajusta a resposta em funo das condies de
funcionamento (referncia ISO 2806-1980).
2. "Controlo de contorno" - Dois ou mais movimentos de "comando numrico", executados seguindo
instrues que designam a posio requerida seguinte e as velocidades de avano necessrias para essa
posio. Estas velocidades variam umas face s outras de forma a produzir o contorno pretendido (referncia
ISO/DIS 2806-1980).
2.3.5. "Controlo por programa residente" - Controlo que utiliza instrues armazenadas numa memria
electrnica, que podem ser executadas por um processador para controlar a execuo de funes pr-
determinadas.
N.B.: Um equipamento pode possuir "controlo por programa residente", quer a memria electrnica seja
interna quer seja externa.
5. "Criptografia" - Disciplina que engloba os princpios, meios e mtodos de transformao de dados, com o
fim de dissimular o seu contedo de informao, impedir a sua modificao no detectada ou impedir a sua
utilizao no autorizada. A criptografia limita-se transformao da informao utilizando um ou vrios
"parmetros secretos" (p.e. variveis criptogrficas ou a gesto de cdigo associado).
N.B.: "parmetro secreto" uma constante ou cdigo desconhecido de outras pessoas ou partilhada
unicamente no seio de um grupo.
4.5. "Datagrama" - Entidade independente que contem as informaes necessrias para o seu
encaminhamento, desde o equipamento terminal da fonte de dados at ao equipamento terminal de dados
de destino, sem qualquer relao anterior entre aqueles dois equipamentos terminais e a rede de transporte.
NGT "De domnio pblico" - Designa a "tecnologia" ou o "software" que podem ser divulgados e
posteriormente utilizados, sem qualquer restrio.
N.B.: As restries resultantes do direito de propriedade intelectual no impedem que "tecnologia" ou
"software" sejam considerados "de domnio pblico".
5. "Dbito binrio" - Dbito tal como definido na recomendao 53 - 36 da U.I.T., tendo presente que, para a
modulao no binria, os bauds e os bits por segundo no so equivalentes. Incluem-se os dgitos
utilizados nas funes de codificao, verificao e sincronizao.
N.B.: 1. Na determinao do "dbito binrio" os canais de servio e administrativos so excludos.
2. o dbito mximo unidireccional, isto , na emisso ou na recepo.
6. "Densidade equivalente" - Massa de uma ptica por unidade de superfcie projectada numa superfcie
ptica.
3. "Densidade total de corrente" - Nmero total de amperes-volta da bobina (isto , o nmero de voltas
multiplicado pela corrente mxima transportada em cada volta) dividido pela seco transversal total da
bobina (incluindo os filamentos supercondutores, a matriz metlica onde estes so incorporados, o material
de encapsulagem, os meios de refrigerao, etc).
2. "Densificao isosttica a quente" - Processo em que se sujeita a presso, num espao fechado, uma
pea fundida, a uma temperatura superior a 375 K (102C), por diversos meios (gs, lquido, partculas
slidas, etc) para produzir uma fora de igual intensidade em todas as direces com vista a reduzir ou
eliminar os vazios da pea fundida.
4. "Desempenho terico composto" - Medida da velocidade de clculo expressa em milhes de operaes
tericas por segundo (Motps) calculada utilizando a agregao dos "elementos de computao" (EC) (Ver
Nota tcnica relativa a "Desempenho terico composto" na Categoria 4).
NGT "Desenvolvimento" - Operao ligada a todas as etapas que precedem a produo em srie, como a
concepo, a investigao de concepo, anlise de concepo, conceitos de concepo, montagem e
ensaio de prottipos, planos de produo piloto, dados de concepo, processo de transformao dos dados
de concepo num produto; concepo de configurao, concepo de integrao e planos.
2. "Deslocamento axial" - Deslocamento axial do fuso, durante uma rotao deste, medido num plano
perpendicular seco transversal do fuso, num ponto prximo da circunferncia dessa seco (Referncia:
ISO 230/1-1986, pargrafo 5.63).
2. "Deslocamento segundo o eixo radial" - Deslocamento radial medido no eixo do fuso durante uma rotao
deste, num plano perpendicular ao eixo do fuso num ponto da superfcie de rotao externa ou interna a
verificar (Referncia ISO 230/1-1986, pargrafo 5.61).
2. "Desvio angular de posio" - Diferena mxima entre a posio angular e a posio angular real, medida
com grande preciso depois do porta-peas ter sido deslocado, relativamente sua posio inicial
(Referncia VDI/VDE 2617, projecto: mesas rotativas das mquinas de medir por coordenadas).
3. "Dispositivos didcticos simples" - Dispositivos concebidos para aprendizagem dos princpios cientficos
bsicos, e demonstrao da aplicao destes princpios nos estabelecimentos de ensino.
6. "Durao de impulso" - Durao de um impulso "laser" medida a nveis de Largura Completa a Meia
Intensidade (FWHI).
5. "Eficincia espectral" - Factor de mrito parametrizado que permite caracterizar a eficincia de um sistema
de transmisso que utiliza esquemas de modulao complexos como a QAM (modulao de amplitude em
quadratura), a codificao trellis, a modulao por deslocamento de fase em quadratura (QPSK), etc.
Define-se da seguinte forma:
Eficincia = ("Taxa de transferncia digital" (bits/s))/(Largura de banda espectral de 6 dB (Hz))
4. "Elemento de computao" - A mais pequena unidade de clculo que produz um resultado aritmtico ou
lgico.
4. "Elemento principal" - Elemento cujo valor de substituio representa mais de 35% do valor total do
sistema onde est integrado. O valor do elemento o preo pago pelo fabricante ou por quem efectua a
montagem. O valor total o preo de venda internacional a quem no tem qualquer ligao com o vendedor,
no local de fabrico ou de expedio.
5. "Encaminhamento dinmico" - Reencaminhamento automtico do trfego baseado na deteco e anlise
das condies presentes e reais da rede.
N.B.: No inclui as decises de encaminhamento tomadas em funo de uma informao pr-definida.
1.2. "Enformao no estado de super-plasticidade" - Processo de deformao que utiliza o calor, para metais
que se caracterizam normalmente por valores de alongamentos baixos (inferiores a 20%) no ponto de ruptura
determinado temperatura ambiente segundo ensaios clssicos de resistncia traco, para atingir,
durante o processo, alongamentos de, pelo menos, duas vezes os referidos valores.
4. "Equipamento de interface terminal" - Equipamento em que a informao entra ou sai do sistema de
telecomunicaes, por exemplo telefone, dispositivo de dados, computador ou dispositivo facsimile.
6. "Espectro de radar disperso" - Tcnica de modulao por meio da qual a energia de um canal de
comunicaes de banda relativamente estreita se expande sobre uma banda de frequncias muito mais
larga, utilizando o controlo de um cdigo aleatrio ou pseudo aleatrio.
5. "Espectro expandido" - Tcnica em que a energia de um canal de comunicaes de banda relativamente
estreita se estende sobre um espectro de energia muito mais largo.
6. "Espelhos deformveis" - Espelhos cuja superfcie ptica pode ser deformada de forma dinmica por pares
ou foras individuais.
7. "Estabilidade" - Desvio tipo (1 sigma) da variao de um determinado parmetro em relao ao seu valor
calibrado, medido em condies trmicas estveis. Esta variao expressa em funo do tempo.
1. "Extraco em fuso" - Processo destinado a "solidificar rapidamente" e a extrair uma liga em forma de tira
pela introduo de um pequeno segmento de um bloco arrefecido, em rotao, no banho de uma liga
metlica fundida.
N.B.: "Solidificar rapidamente", significa a solidificao de um material fundido, a velocidades de
arrefecimento superiores a 1000 K/s.
7. "Factor de escala" - Relao entre uma alterao sada e uma alterao entrada a medir. O "factor de
escala" geralmente avaliado como a inclinao da recta que pode ser ajustada pelo mtodo dos quadrados
mnimos aplicado aos dados de entrada-sada obtidos, fazendo variar a entrada de forma cclica no conjunto
de valores de entrada.
3. "Famlia" - Microcircuitos microprocessadores ou microcomputadores que possuem:
a) A mesma arquitectura
b) O mesmo conjunto de instrues de base
c) A mesma tecnologia de base (por exemplo unicamente NMOS ou unicamente CMOS)
6. "Fibras fluoradas" - Fibras produzidas a partir de fluoretos brutos.
5. "Fixo" - O algortmo de codificao ou de compresso diz-se "fixo" quando no pode aceitar parmetros
fornecidos do exterior (por exemplo variveis criptogrficas ou de cdigo) nem pode ser modificado pelo
utilizador.
2. "Fuso basculante" - Fuso porta-ferramentas que modifica, no decurso da operao de maquinao, a
posio angular do seu eixo de referncia em relao a qualquer outro eixo.
6. "Geograficamente dispersos" - Os sensores so considerados "geograficamente dispersos" quando esto
afastados entre si, em qualquer direco, mais de 1500 m. Os sensores mveis so sempre considerados
como "geograficamente dispersos".
7. "Gestor de potncia" - Alterao de potncia transmitida do sinal do altmetro, de forma que a potncia
recebida altitude da "aeronave" esteja sempre no nvel mnimo necessrio para determinar a altitude.
6. "Gradimetro magntico" - Instrumento concebido para detectar a variao espacial dos campos
magnticos a partir de fontes exteriores ao mesmo. O "gradimetro magntico" constitudo por um
"magnetmetro" mltiplo e equipamentos electrnicos associados que produzem uma medida do gradiante
do campo magntico (ver tambm "Gradimetro magntico intrnseco).
6. "Gradimetro magntico intrnseco" - Elemento de deteco de gradiante de campo magntico simples e
equipamentos electrnicos associados que produzem uma medida do gradiante do campo magntico.
5. "Hierarquia digital sncrona (SDH)" - Hierarquia digital que oferece um meio de gerir, de multiplexar e de ter
acesso a diversas formas de trfego digital, utilizando uma estrutura de transmisso sncrona sobre
diferentes tipos de suporte. A estrutura baseia-se no mdulo de transporte sncrono (STM) definido pelas
Recomendaes G 703, G 707, G 708, G 709 do CCITT e outras Recomendaes ainda no publicadas. O
dbito de 1 nvel da "hierarquia digital sncrona" de 155,52 Mbits/s.
2. "Impreciso de medida" - Parmetro caracterstico que indica, com uma fiabilidade de 95%, em que gama
do valor de sada se situa o valor correcto da varivel a medir. Este parmetro inclui os desvios sistemticos
no corrigidos, e os desvios aleatrios (Referncia VDI/VDE 2617).
NGT "Investigao cientfica bsica" - Trabalhos experimentais ou tericos, empreendidos principalmente
para adquirir novos conhecimentos acerca de princpios fundamentais de fenmenos ou factos observados,
que no estejam especialmente orientados para um fim ou objectivo especfico.
3. "Largura de banda de tempo real" - Designa, nos "analisadores de sinais dinmicos", a maior gama de
frequncias que o analisador pode visualizar, ou fornecer memria de massa sem causar descontinuidades
na anlise dos dados de entrada.
5. "Largura de banda de um s canal de voz" - Designa, nos equipamentos de comunicao de dados
concebidos para funcionar num s canal de frequncia vocal de 3100 Hz, a largura de banda tal como
definida na Recomendao G 151 do CCITT.
3. "Largura de banda instantnea" - Largura de banda em que a potncia de sada permanece constante ao
nvel de aproximadamente 3 dB, sem ajustamento de outros parmetros de funcionamento.
2.3.5.6.9. "Laser" - Conjunto de componentes que produzem luz coerente no espao e no tempo, amplificada
por emisso estimulada de radiao.
6. "Laser de Q-Comutado" - "Laser" em que a energia armazenada na populao de inverso ou no
ressoador ptico e, em seguida, emitida sob a forma de um impulso.
6. "Laser qumico" - "Laser" em que os agentes activos so excitados por energia produzida por reaco
qumica.
6. "Laser de super-alta potncia" - "Laser" capaz de emitir (a totalidade ou uma parte) energia de sada em
impulsos, superior a 1 kJ no espao de 50 m, ou que apresente uma potncia mdia ou em ondas contnuas
superior a 20 kW.
6. "Laser de transferncia" - "Laser" excitado por uma transferncia de energia obtida pela coliso de um
tomo ou de uma molcula que no produz efeito laser com um tomo ou uma molcula que produz tal
efeito.
1. "Ligao mecnica" - Processo de ligao resultante da unio, fractura e nova unio, de ps elementares e
de ps de ligas-me, por choque mecnico. Na ligao podem ser incorporadas partculas no metlicas por
adio de ps apropriados.
2. "Linearidade" - Caracterstica que geralmente medida em referncia no linearidade e que definida
como o desvio mximo da caracterstica real (mdia das leituras no sentido ascendente e descendente da
escala) positiva ou negativa, em relao a uma linha recta situada de forma a que se igualem e reduzam ao
mnimo os desvios mximos.
6. "Magnetmetro" - Instrumento concebido para detectar campos magnticos a partir de fontes exteriores.
constitudo por um elemento de deteco do campo magntico simples e equipamento electrnico associado
que produzem uma medida do campo magntico.
5. "Malha de comutao" - Equipamento e "software" correlacionado, que constitui a via de ligao, fsica ou
virtual, do trfego de mensagens em trnsito comutadas.
1 ."Manipuladores terminais" - Dispositivos, como as pinas, as "ferramentas activas" ou qualquer outra
ferramenta, destinadas a fixar na placa de base da extremidade do(s) brao(s) manipulador(es) de um
"robot".
N.B.: "ferramenta activa" um dispositivo destinado a aplicar pea de trabalho a fora motriz, a energia
necessria ao processo ou os sensores.
1.8. "Materiais fibrosos ou filamentosos" - So os seguintes materiais:
a) monofilamentos contnuos
b) fios e mechas contnuos
c) Fitas, telas, esteiras irregulares e entranados
d) Mantas de fibras cortadas, fibrana e fibras aglomeradas
e) Triquites monocristalinas ou policristalinas de qualquer comprimento
f) Pasta de poliamida aromtica
1.2.6.8.9. "Matriz" - Fase quase contnua que preenche o espao entre as partculas, os aglomerados ou as
fibras.
4. "Memria principal" - Memria primria de dados ou instrues para acesso rpido da unidade central de
processamento. constituda pela memria interna de um "computador digital" e qualquer ampliao
hierarquizada da mesma, como a auto-memria ou memria de extenso de acesso no sequencial.
4. "Memria mais imediata" - Parte da "memria principal" mais directamente acessvel unidade central de
processamento:
a) Para as "memrias principais" de um s nvel, a memria interna; ou
b) Para as "memrias principais" hierarquizadas :
1. A memria associada
2. O bloco de instrues
3. O bloco de dados
2. "Mesa rotativa inclinvel" - Mesa que permite pea a maquinar, rodar e inclinar-se em torno de 2 eixos
no paralelos que podem ser coordenados simultneamente por "controlo de contorno".
3. "Microcircuito microcomputador" - "Circuito integrado monoltico" ou "circuito integrado multichip" que
contem uma unidade lgica aritmtica (U.L.A) capaz de executar instrues universais a partir de uma
memria interna, com dados nesta contidos.
N.B.: A memria interna pode ser reforada por uma memria externa.
3. "Microcircuito microprocessador" - "Circuito integrado monoltico" ou "circuito integrado multichip" que
contem uma unidade lgica aritmtica (U.L.A) capaz de executar a partir de uma memria externa uma srie
de instrues universais.
N.B.: O "microcircuito microprocessador" no contem normalmente memria acessvel ao utilizador
incorporada, mas pode utilizar a memria da prpria pastilha para realizar a sua funo lgica.
1. "Misturas" - Misturas, filamento a filamento, de fibras termoplsticas e de fibras de reforo para produzir
um reforo fibroso/matriz numa forma totalmente fibrosa.
6. "Mobilidadede frequncia de radar" - Tcnica por meio da qual a frequncia de transporte de um radar
pulsante emissor modificada segundo uma sequncia pseudoalietria, entre impulsos ou grupos de
impulsos, de uma quantidade superior ou igual largura de banda pulsante.
5. "Modo de transferncia assncrona" (M.I.A) - Modo de transferncia em que as informaes esto
organizadas em blocos. assncrona no sentido em que a recorrncia dos blocos depende do dbito binrio
necessrio ou instantneo (Recomendao L 113 do CCITT).
5. "Mudana de frequncias" - Forma de "espectro expandido" em que a frequncia de emisso de um nico
canal de comunicaes modificada por progresso descontnua.
NGT "Necessrios" - Este termo, quando aplicado a "Tecnologia" designa unicamente a parte especfica
daquela que permite alcanar ou ultrapassar os nveis definidos para os parmetros, caractersticas ou
funes submetidos a controlo. Esta "tecnologia" "necessria" pode ser comum a diferentes produtos.
6. "Nvel de rudo" - Sinal elctrico dado em funo da densidade espectral de potncia. A relao entre o
"nvel de rudo" expresso em valor, pico a pico a seguinte: S(elevado a 2)pp = 8N(ndice 0)(f(ndice 2) - f
(ndice 1)) sendo Spp o valor pico a pico do sinal (por exemplo em nanotesia), N(ndice 0) a densidade
espectral de potncia (por exemplo (nT)2/Hz) e (f(ndice 2) - f(ndice 1)) a largura de banda em causa.
2. "Painis de controlo de movimento" - "Conjuntos" electrnicos especialmente concebidos para permitir a
um sistema informtico a coordenao simultnea do movimento dos eixos das mquinas ferramentas para o
"controlo de contorno".
6. "Pixel activo" - Elemento mnimo (nico) do elemento sensor de superfcie sensvel que realiza uma funo
de transferncia fotoelctrica quando exposto a uma radiao luminosa (electro-magntica).
7. "Polarizao" - Sada de um acelermetro na ausncia de acelerao.
5. "Porta" - Funo realizada por qualquer combinao de equipamento e "software", para efectuar a
converso de convenes de representao de processamento ou de comunicao das informaes
utilizadas num sistema, em convenes correspodentes mas diferentes, utilizadas num outro sistema.
6. "Potncia de pico" - Energia por impulso, em joules, dividida pela durao dos impulsos, em segundos.
2. "Preciso" - Caracterstica geralmente medida por referncia mpreciso e definida como o desvio
mximo, positivo ou negativo, de um valor indicado, em relao a uma norma ou a um valor real.
5.6. "Prformas de fibras pticas" - Barras, lingotes ou varetas de vidro, plstico e outros materiais
especialmente tratados para utilizao na produo de fibras pticas. As caractersticas da prforma
determinam os parmetros bsicos das fibras pticas resultantes.
2. "Prensagem hidrulica por aco directa" - Processo de deformao que utiliza uma bexiga flexvel cheia
de lquido que se coloca em contacto directo com a pea.
2. "Prensas isostticas" - Prensas capazes de regular a presso de uma cavidade fechada, por diversos
meios (gaz, lquido, partculas slidas, etc.) com o objectivo de criar dentro desta uma presso igual em
todas as direces, sobre uma pea ou um material.
4. "Processamento de mltiplos fluxos de dados" - Tcnica de "microprogramas" ou de arquitectura do
equipamento que permite o processamento simultneo de duas ou mais sequncias de dados, por controlo
de uma ou mais sequncias de instrues, por meio de:
a) Arquitecturas de mltiplos dados de instruo nica (SIMD) como os processadores vectoriais ou
matriciais.
b) Arquitecturas de mltiplos dados de instruo nica e instrues mltiplas (MSIMD).
c) Arquitecturas de mltiplos dados de instrues mltiplas (MIMD) incluindo as que esto ligadas.
d) Redes estruturadas de elementos de processamento, incluindo as redes sistlicas.
3.4.5. "Processamento de sinal" - Processamento de sinais exteriores, por sectores de informao, por meio
de algortmos como compresso de tempos, filtragem, extraco, seleco, correlao, convoluo ou
transformaes entre domnios (por exemplo Transformada de Fourier rpida ou Transformada de Walsh).
2.4. "Processamento em tempo real" - Processamento de dados por um sistema informtico que assegure o
nvel de servio necessrio, em funo dos recursos disponveis, com um tempo de resposta garantido,
independentemente da carga do sistema, quando estimulado por um fenmeno exterior.
NGT "Produo" - Todas as etapas da produo. com a engenharia dos produtos, fabricao, integrao,
montagem, inspeco, ensaio e controlo de qualidade.
2.4.5. "Programa" - Sequncia de instrues para levar a cabo um processo, ou para o transformar, para que
possa ser executado por um computador electrnico.
4.5.6. "Programao acessvel ao utilizador" - Capacidade do utilizador de inserir, modificar ou substituir os
"programas", por outros meios que no os seguintes:
a) Substituio da cablagem ou das interligaes ou
b) Estabelecimento de controlos de funo, incluindo a introduo de parmetros.
1. "Pulverizao" - Processo que serve para reduzir um material a partculas, por esmagamento ou triturao.

4. "Pulverizao catdica" - Processo de revestimento por recobrimento, em que os ies positivos so


acelerados por um campo elctrico e projectados sobre a superfcie de um alvo (material de revestimento). A
energia cintica desenvolvida pelo choque dos ies suficiente para que os tomos da superfcie do alvo se
libertem e se depositem sobre o substracto.
3.6. "Qualificados para uso espacial" - Qualificao dos dispositivos concebidos, fabricados e controlados
para obedecer s caractersticas elctricas, mecnicas e ambientais necessrias para o lanamento e a
colocao em rbita de satlites ou de sistemas de voo a grande altitude, que operam a altitudes iguais ou
superiores a 100 Km.
4. "Realce de imagem" - Tratamento de imagens exteriores portadoras de informao, por meio de
algortmos, como compresso de tempos, filtragem, extraco, seleco, correlao, convoluo, ou
transformaes entre domnios (por exemplo Transformada rpida de Fourier ou Transformada de Walsh).
No so includos os algortmos que apenas utilizam a transformao linear ou angular de uma imagem
simples, como a traduo, a extraco de parmetros, o registo ou a falsa colorao.
5. "Redes digitais com integrao de servios" (R.D.I.S.) - Redes digitais em que os dados provenientes de
todos os tipos de comunicaes (por exemplo voz, texto, dados, imagens fixas e mveis) so encaminhados
desde uma porta (terminal) da central comutador) por uma s linha de acesso, at ao assinante e a partir
deste.
4. "Redes locais" - Sistemas de comunicao de dados que:
a) permitem a comunicao directa entre um certo nmero de "dispositivos de dados" independentes;
b) se limitam a um local com uma rea mdia (por exemplo edifcio administrativo, fbrica, faculdade ou
armazm).
N.B.: "dispositivos de dados" so equipamentos capazes de emitir ou receber sequncias de informao sob
a forma digital.
5. "Rede ptica sncrona" (SONET) - Rede que oferece um meio de gerir, de multiplexar e de ter acesso a
diversas formas de trfego digital, utilizando uma estrutura de transmisso sncrona por fibras pticas.
A estrutura a verso norte-americana da "hierarquia digital sncrona" (SDH) e utiliza tambm o mdulo de
transporte sncrono (STM). No obstante, utiliza o sinal de transporte sncrono (STS) como mdulo de
transporte de base, com uma velocidade de 1 nvel de 51,81 Mbits/s. As normas do SONET esto a ser
integradas na da SDH.
2. "Resoluo" - O menor incremento de um dispositivo de medida; em equipamentos digitais o bit menos
significativo.
2.8. "Robot" - Mecanismo de manipulao que pode ser do tipo de trajectria contnua ou do tipo ponto por
ponto, que pode utilizar sensores e que apresenta as seguintes caractersticas:
a) Tem funes diversas
b) capaz de posicionar ou orientar materiais, peas, ferramentas ou dispositivos especiais por movimentos
variveis num espao tridimensional
c) Possui trs ou mais servo mecanismos de anel aberto ou fechado, com possibilidade de incluso de
motores passo a passo
d) dotado de "programao acessvel ao utilizador" pelo mtodo de aprendizagem ou por um computador
electrnico que pode ser uma unidade de programao lgica, isto , sem interveno mecnica
N.B.: A definio anterior no inclui:
a) Mecanismos de manipulao de controlo manual ou por teleoperador
b) Mecanismos de manipulao de sequncia fixa que constituem dispositivos mveis automatizados cujos
movimentos so programados e definidos por meios mecnicos. O programa est limitado mecnicamente
por batentes fixos. A sequncia dos movimentos e a seleco das trajectrias ou dos ngulos no so
variveis nem modificveis por meios mecnicos, electrnicos ou elctricos.
c) Mecanismos de manipulao de sequncia varivel e de controlo mecnico que constituem dispositivos
mveis automatizados cujos movimentos so programados e definidos por meios mecnicos. O programa
est limitado mecnicamente por batentes fixos, mas regulveis.
A sequncia dos movimentos e a seleco das trajectrias ou dos ngulos so variveis no domnio da
configurao programada. As variaes ou modificaes da configurao programada em um ou mais eixos
de movimento so efectuadas unicamente por operaes mecnicas.
d) Mecanismos de manipulao de sequncia varivel, sem servocontrolo constituindo dispositivos mveis
automatizados, cujos movimentos so programados e definidos por meios mecnicos. O programa varivel,
mas a sequncia s avana em funo do sinal binrio proveniente de dispositivos binrios elctricos ou de
batentes regulveis mecnicamente.
e) Enfeixadores definidos como sistemas manipuladores que funcionam em coordenadas cartesianas,
fabricados como partes integrantes de um conjunto vertical de clulas de armazenamento e concebidos para
o acesso s referidas clulas para armazenamento e recuperao.
6. "Seguimento automtico do alvo" - Tcnica que permite determinar e fornecer automaticamente como
sada um valor extrapolado da posio mais provvel do alvo, em tempo real.
4.8. "Segurana de informao" - Meios e funes que asseguram o acesso, a confidencialidade, ou a
integridade da informao ou das telecomunicaes, com excepo dos previstos para a proteco contra as
falhas. Compreende nomeadamente a "criptografia", a "cripto-anlise", a proteco contra as radiaes
comprometedoras e a segurana do computador.
N.B.: "Cripto-anlise" a anlise de um sistema criptogrfico ou das suas entradas ou sadas para obter
variveis confidenciais ou dados sensveis, incluindo texto transparente (ISO 7498-2-1988 (F), pargrafo
3.3.18).
5. "Segurana multinvel" - Categoria de sistemas que contem informao de sensibilidades diferentes, que
permitem o acesso simultneo a utilizadores com diferentes graus de autorizao e de necessidade de
conhecimentos, mas que os impedem de ter acesso informao para que no dispem de autorizao.
N.B.: A "Segurana multinvel" uma segurana informtica e no a fiabilidade informtica relacionada com a
preveno dos defeitos do equipamento ou a preveno dos erros humanos em geral.
4.5. "Seleco rpida" - Servio aplicvel s comunicaes virtuais, que permite a um equipamento terminal
de tratamento de dados aumentar a possibilidade de transmisso de dados nos "pacotes" de
estabelecimento e de finalizao da comunicao, para alm das possibilidades fundamentais de uma
comunicao virtual.
6. "Sensores de imagem multiespectrais" - Sensores capazes de efectuar a aquisio simultnea ou em srie
de dados de formao de imagens a partir de duas ou mais bandas espectrais discretas. Os sensores com
mais de 20 bandas espectrais discretas so por vezes designados por sensores de formao de imagens
hiper espectrais.
6. "Sensores de radar interligados" - Dois ou mais sensores de radar que trocam em si dados em tempo real.
5. "Sinalizao por canal comum" - Mtodo de sinalizao entre centrais nas quais um s canal transporta,
por meio de mensagens munidas de uma identificao, a informao de sinalizao relativa a vrios circuitos
ou chamadas e outra informao como a utilizada para gesto da rede.
3. "Sintetizadores de frequncia" - Qualquer tipo de fonte de frequncias ou de geradores de sinais,
independentemente da tcnica efectivamente utilizada, que forneam, a partir de uma ou mais sadas,
diversas frequncias de sada simultneas ou alternativas, controladas, derivadas ou regidas por um nmero
reduzido de frequncias padro (ou de oscilador principal).
6. "Sintonizvel" - Diz-se da capacidade de um "laser" de produzir uma energia de sada contnua em todos
os comprimentos de onda numa gama de vrias transies "laser".
Um "laser" de seleco de raio produz comprimentos de onda discretos com uma transio "laser" e no
considerado como "sintonizvel".
7. "Sistemas anti-torque ou de controlo direccional controlados por circulao" - Sistemas que utilizam ar
insuflado sobre as superfcies aerodinmicas para aumentar ou controlar as foras produzidas por estas
superfcies.
6. "Sistemas de acompanhamento" - Informao da posio de voo de um avio, processada, correlacionada
(dados relativos aos alvos de radar em relao posio do plano de voo) e actualizada, destinada aos
controladores do centro de controlo do trfego areo.
7. "Sistemas de controlo activo de voo" - Sistemas que tm por funo impedir os movimentos ou as cargas
estruturais indesejveis da "aeronave" ou do missil, processando de forma autnoma os dados de sada de
vrios sensores e fornecendo as instrues preventivas necessrias para assegurar um controlo automtico.
4. "Sistemas periciais" - Sistemas que produzem resultados por aplicao de regras a dados armazenados,
independentemente do "programa", e que possuem, pelo menos, uma das capacidades seguintes:
a) Modificao automtica do "cdigo fonte" introduzido pelo utilizador;
b) Expresso do conhecimento relacionado com uma classe de problemas, em linguagem quase natural; ou
c) Aquisio dos conhecimentos necessrios para evoluir (aprendizagem simblica)
Todas as listas "Software" - Conjunto de um ou mais "programas" ou "micro programas" fixados num suporte
de expresso tangvel.
N.B.: "microprograma" - sequncia de instrues elementares, registadas numa memria especial, cuja
execuo desencadeada pela introduo da sua instruo de referncia num registo de instrues.
5. "Software genrico" - Conjunto de instrues destinadas a um sistema de comutao com "controlo por
programa residente" comum a todos os comutadores que utilizam este tipo de Sistema de comutao.
1.2.9. "Soldadura por difuso" - Tcnica de juno molecular no estado slido de, pelo menos, dois metais
independentes para formar uma s pea, em que a resistncia do conjunto seja igual do material menos
resistente.
3. "Substracto" - Lmina de material de base com ou sem uma estrutura de interligaes, sobre ou dentro da
qual se posicionam "componentes discretos", circuitos integrados ou ambos.
N.B.: 1. "componente discreto" um elemento de circuito, encapsulado em separado e que possui ligaes
exteriores prprias.
2. "elemento de circuito" um elemento funcional activo ou passivo nico num circuito electrnico, como um
diodo, um transistor, uma resistncia, um condensador, etc..
6. "Substractos em bruto" - Compostos monolticos de dimenses adequadas para o fabrico de elementos
pticos, como espelhos ou janelas pticas.
1.3.6.8. "Supercondutores" - Materiais (metais, ligas ou compostos) que podem perder resistncia elctrica
(isto , podem apresentar condutividade elctrica infinita e transportar grandes quantidades de corrente
elctrica sem efeito Joule).
N.B. O estado "supercondutor" de um material caracterizado por uma "temperatura crtica", um campo
magntico crtico que funo da temperatura, e uma intensidade de corrente crtica que funo do campo
magntico e da temperatura.
7. "Superfcies aerodinmicas de geometria varivel" - Superfcies que utilizam alhetas de bordo de fuga ou
compensadores ou perfis de bordo de ataque ou nariz basculante articulado cuja posio pode ser
controlada em voo.
2.9. "Superligas" - Ligas base de nquel, cobalto ou ferro que apresentam resistncias superiores s da
srie AISI 300 a temperaturas superiores a 922 K (649C) em condies de ambiente e de funcionamento
extremas.
5. "Taxas de transferncia digital" - Velocidade total da informao transferida directamente em qualquer tipo
de suporte.
5. "Taxa de transferncia digital total" - Nmero de bits, incluindo os de codificao em linha, os
suplementares, etc., que passam por unidade de tempo, entre os equipamentos correspondentes num
sistema de transmisso digital.
4. "Taxa de vectores 2-D" - Nmero de vectores por segundo que inclui vectores multitrao de 10 pixels, em
rectngulo, de orientao aleatria, e valores de coordenadas X-Y inteiros ou de virgula flutuante (o valor a
considerar o mais elevado dos dois).
4. "Taxa de vectores 3-D" - Nmero de vectores por segundo que inclui vectores multitrao de 10 pixels, em
rectngulo, de orientao aleatria, e valores de coordenadas X-Y-Z inteiros ou de vrgula flutuante (o valor a
considerar o mais elevado dos dois).
4. "Taxa mxima de transferncia de informao" - De uma unidade de disco ou um dispositivo de memria
de semi-condutores: o nmero de bits de dados transferidos por segundo entre a unidade ou o dispositivo e o
seu controlador.
NGT "Tecnologia" - Informao especfica necessria para o "desenvolvimento", a "produo" ou a
"utilizao" de um produto. Esta informao pode apresentar-se na forma de "dados tcnicos" ou de
"assistncia tcnica".
A "tecnologia" sujeita a controlo est definida na Nota Geral de Tecnologia e na lista industrial.
N.B.: 1. A "assistncia tcnica" pode revestir formas diversas, tais como instrues, procedimentos prticos,
formao, conhecimentos aplicados, servio de consultores.
2. A "assistncia tcnica" pode implicar uma transferncia de "dados tcnicos".
1. "Tmpera brusca" - Processo destinado a "solidificar rapidamente" um vazamento de metal fundido que se
apoia num bloco arrefecido, para obter um produto sob a forma de escamas.
N.B.: "solidificar rapidamente" a solidificao de um metal fundido a velocidades de arrefecimento
superiores a 1000 K/s.
1. "Tmpera por rolo" - Processo destinado a "solidificar rapidamente" um vazamento de metal fundido que
se apoia num bloco arrefecido em rotao para obter um produto sob a forma de escamas, fitas ou barras.
N.B.: "solidificar rapidamente" a solidificao de um material fundido a velocidades de arrefecimento
superiores a 1000 K/s.
1. "Temperatura crtica" - A "temperatura crtica" de um material "supercondutor" especfico (por vezes
designada temperatura de transio) a temperatura qual um material perde completamente a resistncia
circulao de corrente contnua.
3.5. "Tempo de comutao de frequncia" - Tempo (isto , durao) mximo necessrio, quando se efectua
uma comutao entre duas frequncias de sada seleccionadas para que um sinal atinja:
a) Uma frequncia que no se afaste mais de 100 Hz da frequncia final; ou
b) Um nvel de sada que no se afaste mais de 1,0 dB do nvel de sada final.
3. "Tempo de estabelecimento" - Tempo requerido para que o valor de sada atinja o valor final com uma
preciso de meio bit na comutao entre 2 quaisquer nveis do conversor.
4. "Tempo latente entre interrupes globais" - Tempo necessrio para um sistema informtico reconhecer
uma interrupo devida a um fenmeno, resolver esta interrupo, e realizar uma alterao de contexto, para
uma outra tarefa residente na memria em espera pela interrupo.
3. "Tempo tpico de atraso de programao por porta lgica elementar" - Valor do atraso de programao
correspondente porta lgica elementar numa "famlia" de "microcircuitos integrados monolticos". Este valor
pode ser especificado para uma dada "famlia", quer como o tempo de atraso de programao por porta
tpica quer como o atraso de programao tpico por porta.
N.B.: O "tempo tpico de atraso de programao por porta lgica elementar" no deve ser confundido com os
atrasos de entrada/sada de um microcircuito integrado monoltico complexo.
4. "Tolerar erros" - Capacidade de um sistema informtico de, na sequncia de um mau funcionamento de
qualquer dos seus componentes ou do "software", continuar a operar, sem interveno humana, a um nvel
de servio que permita a continuidade de funcionamento, a integridade dos dados, e o restabelecimento do
funcionamento num dado tempo.
5.6. "Unidades de acesso aos suportes de informao" - Equipamento que contem uma ou vrias interfaces
de comunicao ("controlador de acesso rede", "controlador de telecomunicaes", modem ou bus de
computador) destinados a ligar o equipamento terminal a uma rede.
2. "Unidades flexveis de produo" - (por vezes tambm designadas por "sistemas flexveis de produo" ou
"clulas flexveis de produo")
Conjunto constitudo por uma combinao de, pelo menos:
a) Um "computador digital" com a sua prpria "memria principal" e material conexo; e
b) Dois ou mais dos elementos seguintes:
1. Uma mquina ferramenta referida na alnea 2.B.1.c..
2. Uma mquina de controlo dimensional referida na Categoria 2, ou outra mquina de medir de "comando
numrico" referida na mesma Categoria;
3. Um "robot" referido nas Categorias 2 ou 8 ou no artigo 17 da Lista de Material de Guerra;
4. Um equipamento de "comando numrico" referido nos pargrafos 1.B.3, 2.B.3 ou 9.B.1.;
5. Um equipamento com "controlo por programa residente" referido na alnea 3.B.1.a;
6. Um equipamento de "comando numrico" referido no pargrafo 1.B.1;
7. Um equipamento electrnico de controlo digital referido na alnea 3.A.2.c..
NGT "Utilizao" - Termo que abrange o funcionamento, a instalao (incluindo a instalao in situ), a
manuteno (verificao), a reparao. a reviso e a renovao.
7.9. "Veculo espacial" - Satlites activos e passivos e as sondas espaciais.
7. "Velocidade de precesso" - Velocidade de deriva sada do giroscpio relativamente sada procurada.
constituda por componentes aleatrios e sistemticos e exprime-se como equivalente de um
deslocamento angular entrada por unidade de tempo em relao ao espao inercial.

NOTA GERAL DE TECNOLOGIA


A exportao de "tecnologia" "necessria" ao "desenvolvimento", "produo", ou "utilizao" de produtos
incluidos na Lista Industrial est sujeita a controlo, de acordo com o previsto em cada uma das categorias
daquela Lista.
A "tecnologia" "necessria" para o "desenvolvimento" "produo" ou "utilizao", de um produto sujeito a
controlo, igualmente sujeito a controlo, mesmo que essa "tecnologia" seja aplicvel a um produto no
incluido na Lista Industrial.
No fica sujeito a controlo a "tecnologia" considerada como a mnima necessria para a instalao,
explorao, manuteno (verificao) e reparao de um produto no sujeito a controlo, ou cuja exportao
tenha sido autorizada.
N.B.: excluda a "tecnologia" de reparao referida na alnea 8.E.2.a.
A "tecnologia" "de domnio pblico" ou de "investigao cientfica bsica" no est sujeita a controlo.

NOTA GERAL DE "SOFTWARE"


O "software" referido na Lista Industrial no est sujeito a controlo, quando:
a) Est disposio do pblico, vendido directamente sem restries, em postos de venda a retalho (venda
directa, por correspondncia, ou encomenda via telefone) e concebido para ser instalado pelo utilizador
sem necessidade de assistncia tcnica importante por parte do fornecedor ou
b) considerado "de domnio pblico"
Nota: A lista industrial corresponde s categorias 1 a 9.

CAPTULO X
CATEGORIA 10
PRECURSORES DE ARMAS QUMICAS E EQUIPAMENTOS DE PRODUO

I - PRECURSORES DE ARMAS QUMICAS

1 - Tiodiglicol
2 - Oxicloreto de fsforo (Oxitricloreto de fsforo)
3 - Metilfosfonato de dimetilo
4 - Difluoreto de metilfosfonilo (Difluoreto do cido metilfosfnico)
5 - Dicloreto de metilfosfonilo (Dicloreto do cido metilfosfnico)
6 - Fosfito de dimetilo
7 - Tricloreto de fsforo
8 - Fosfito de trimetilo
9 - Cloreto de tionilo (Oxicloreto de enxofre)
10 - 3-Hidroxi-1-metilpiperidina
11 - 2-Cloroetil-N,N-Diisopropilamina
12 - 2-(N,N-Diisopropilamino) etanotiol
13 - 3-Quinuclidinol
14 - Fluoreto de potssio
15 - Cloroetanol
16 - Dimetilamina
17 - Etilfosfonato de dietilo
18 - N,N-Dimetil fosforamidato de dietilo
19 - Fosfito de dietilo
20 - Cloridrato de dimetilamina
21 - Dicloreto de etilfosfinilo (Dicloreto do cido etilfosfonoso)
22 - Dicloreto de etilfosfonilo (Dicloreto do cido etilfosfnico)
23 - Difluoreto de etilfosfonilo (Difluoreto do cido etilfosfnico)
24 - cido fluordrico (Fluoreto de hidrognio)
25 - Benzilato de metilo
26 - Dicloreto de metilfosfinilo (Dicloreto do cido metilfosfonoso)
27 - 2-(N,N-Diisopropilamino) etanol
28 - lcool pinacollico
29 - Metilfosfonito de O-etil-2-diisopropil aminoetilo
30 - Fosfito de trietilo
31 - Tricloreto de arsnio
32 - cido benzlico
33 - Metilfosfonito de dietilo
34 - Etilfosfonato de dimetilo
35 - Difluoreto de etiifosfinilo (Difluoreto do cido etilfosfonoso)
36 - Difluoreto de metilfosfinilo (Difluoreto do cido metilfosfonoso)
37 - 3-Quinuclidona,
38 - Pentacloreto de fsforo
39 - Pinacolona
40 - Cianeto de Potssio
41 - Hidrogenodifluoreto de potssio
42 - Hidrogenodifluoreto de sdio
43 - Hidrogenodifluoreto de amnio
44 - Fluoreto de sdio
45 - Cianeto de sdio
46 - 2,2',2"-Nitrilotrietanol (Trietanolamina)
47 - Pentassulfureto de difsforo
48 - Diisopropilamina
49 - 2,2'- Dietilaminoetanol (Dietiletanolamina)
50 - Sulfureto de sdio
51 - Monocloreto de enxofre
52 - Dicloreto de enxofre
53 - Cloridrato de trietanolamina
54 - Cioridrato de 2-cloroetil-N,N-Diisopropilamina

II - INSTALAES FABRIS E EQUIPAMENTOS DE PRODUO

1. RESERVATRIOS DE REACTORES
2. TANQUES E RECIPIENTES DE ARMAZENAMENTO

3. PERMUTADORES DE CALOR

4. COLUNAS DE DESTILAO (ver nota *)

5. CONDENSADORES

6. EQUIPAMENTO DE DESGAZEIFICAO (ver nota *)


Reservatrios de reactores, com ou sem agitadores, com volume total superior a 0,1 m3(100 l) e inferior a 15
m3 (15000 l); tanques e recipientes de armazenamento com volume total superior a 0,1 m3 (100 l);
permutadores de calor; colunas de destilao de dimetro superior a 0,1 m; condensadores; equipa mentos
de desgazeificao; onde todas as superfcies que esto em contacto directo com os produtos qumicos
processados ou armazenados, so feitas dos seguintes materiais:
a) nquel ou ligas com mais de 40% de niquel, em peso;
b) ligas com mais de 25% de niquel e 20% de crmio, em peso;
c) vidro; ou
d) grafite (apenas para permutadores de calor)
(nota *) incluindo colunas de enchimento

7. EQUIPAMENTO DE ENCHIMENTO
Equipamento de enchimento, operado por controlo remoto, no qual as superfcies que esto em contacto
directo com o fluido so feitas dos seguintes materiais:
a) nquel ou ligas com mais de 40% de nquel, em peso; ou
b) ligas com mais de 25% de nquel e 20% de crmio, em peso.

8. VLVULAS E TUBAGEM DE PAREDES MLTIPLAS


Vlvulas de fole, vlvulas de diafragma ou vlvulas de fecho duplo equipadas com detector de fugas, e
tubagem de paredes multiplas equipada com detector de fugas, em que todas as superficies que esto em
contacto directo com os fluidos so feitas dos seguintes materiais:
a) nquel ou ligas com mais de 40% de nquel, em peso;
b) ligas com mais de 25% de niquel e 20% de crmio, em peso;
c) fluorpolmeros incluindo PTFE (politetrafluoretileno), PVDF (polivinilideno fluorado), PFA (poliamida
fluorada)

9. BOMBAS
Bombas com fecho duplo, com motor encerrado (encapsulado), com accionamento magntico, de fole ou de
diafragma, nas quais todas as superfcies que esto em contacto directo com o fluido so feitas dos
seguintes materiais:
a) nquel ou ligas com mais de 40% de nquel, em peso;
b) ligas com mais de 25% de nquel e 20% de crmio, em peso;
c) fluorpolmeros inclundo PTFE, PVDF, PFA; ou
d) tntalo.

10. INCINERADORES
Incineradores projectados para destruir agentes e precursores de armas qumicas ou munies que os
contenham, com dispositivos especiais para eliminao dos resduos, com uma temperatura mdia da
cmara de combusto superior a 1000C, em que todas as superfcies do sistema de esgoto que esto em
contacto directo com os resduos so feitas ou revestidas dos seguintes materiais:
a) nquel ou ligas com mais de 40% de nquel, em peso;
b) ligas com mais de 25% de nquel e 20% de crmio, em peso; ou
c) cermicos.
Notas explicativas
Estes controlos no so aplicveis a equipamentos especialmente projectados para serem usados em
aplicaes civis [por exemplo, indstrias alimentares, indstria da pasta e do papel, ou tratamento de guas,
etc] e que pela natureza do seu projecto, sejam inapropriados para serem usados em armazenamento,
processamento, produo ou transporte e controlo de fluxo de agentes de armas qumicas ou de qualquer
dos produ tos qumicos incluidos na "Lista base" de precursores de armas qumicas.

III - SISTEMAS DE MONITORIZAO DE GASES TXICOS

1. DETECTORES
Sistemas de monitorizao de gases txicos:
a) Com capacidade de deteco de agentes de guerra qumica, produtos qumicos classificados como
precursores e, bem assim, fsforo, enxofre, fluor, cloro e seus compostos numa concentrao inferior a 0,3
miligramas por metro cbico de ar, susceptveis de operar em regime contnuo; ou
b) susceptiveis de detectar compostos com uma funo inibidora de colinesterase.

IV - TECNOLOGIAS ASSOCIADAS

1. TECNOLOGIAS ASSOCIADAS
A transferncia de tecnologia de processo, incluindo licenas, concebida para o fabrico de agentes de armas
qumicas ou seus precursores, e/ou para a respectiva eliminao ou para a realizao de instalaes
completas projectadas para o seu fabrico.
A transferncia de tecnologia, inclundo licenas, concebida para o fabrico dos equipamentos designados nas
seces I e II.

CAPTULO XI
EQUIPAMENTO E MATERIAIS PARANUCLEARES DE UTILIZAO MLTIPLA E TECNOLOGIA A ELES
ASSOCIADA
CONTEDO

1. EQUIPAMENTO INDUSTRIAL

1.1 Mquinas indutoras de movimento cintico angular ("spin") e de fluxo


1.2 Unidades de "controlo numrico" para mquinas-ferramenta
1.3 Sistemas de inspeco dimensional
1.4 Fornos de induode vcuo
1.5 Prensas isostticas
1.6 Robots e extremidades mveis
1.7 Equipamento de ensaio por vibrao
1.8 Fornos-de fuso por arco, de feixes de electres e de plasma

2. MATERIAIS

2.1 Alumnio de alta resistncia


2.2 Berlio
2.3 Bismuto (de elevada pureza)
2.4 Boro (enriquecido isotopicamente em boro-10)
2.5 Clcio (de elevada pureza)
2.6 Trifluoreto de cloro
2.7 Cadinhos feitos de materiais resistentes a metais lquidos com actindeos
2.8 Materiais fibrosos e filamentares
2.9 Hfnio
2.10 Ltio (enriquecido isotopicamente em ltio-6)
2.11 Magnsio (de elevada pureza)
2.12 Ao "maraging", de alta resistncia
2.13 Rdio
2.15 Ligas de titnio
2.16 Tungstnio
2.17 Zircnio

3. EQUIPAMENTO E COMPONENTES PARA SEPARAO DE ISTOPOS DE URNIO

3.1 Clulas electrolticas para produo de flor


3.2 Equipamento do rotor e do fole
3.3 Mquinas de compensao centrfuga multiplanos
3.4 Mquinas de enrolamento de filamentos
3.5 Conversores de frequncias
3.6 Lasers, amplificadores por laser e osciladores
3.7 Espectrmetros de massa e fontes de ies para espectrmetros de massa
3.8 Instrumentos de medio da presso, resistentes corroso
3.9 Vlvulas resistentes corroso
3.10 Electromagnetes supercondutores solenoidais
3.11 Bombas de vcuo
3.12 Fornecimentos para corrente contnua de alta potncia (100 V ou mais)
3.13 Fornecimentos para corrente contnua de alta voltagem (20000 V ou mais)
3.14 Separadores electromagnticos de istopos
4. EQUIPAMENTO LIGADO S INSTALAES DE PRODUO DE GUA PESADA

(com excepo dos artigos includos na lista harmonizada Trigger List")


4.1 Contentores especializados para separao da gua
4.2 Bombas para amida de potssio/amnia lquida
4.3 Colunas de pratos para a permuta gua-cido sulfdrico
4.4 Colunas de destilao hidrogeno-criognicas
4.5 Conversores de amnia ou reactores de sntese

5. EQUIPAMENTO PARA DESENVOLVIMENTO DE SISTEMAS DE IMPLOSO

5.1 Equipamento de descarga de raios X


5.2 Disparadores de gs leve multi-estgios/disparadores de alta velocidade
5.3 Cmaras mecnicas de espelhos rotativos
5.4 Cmaras e vlvulas electrnicas de registo de linhas e de ajustamento automtico
5.5 Instrumentao especializada para experincias de hidro-dinmica

6. EXPLOSIVOS E EQUIPAMENTO AFIM

6.1 Detonadores e sistemas de exploso multipontos


6.2 Componentes electrnicos para conjuntos de disparo
6.2.1 Dispositivos de comutao
6.2.2 Capacitores
6.3 Conjuntos de disparo e pulsores equivalentes de alta corrente (para detonadores controlados)
6.4 Explosivos de alta potncia, de importncia para as armas nucleares

7. EQUIPAMENTO E COMPONENTES PARA ENSAIOS NUCLEARES

7.1 Osciloscpios
7.2 Vlvulas fotomultiplicadoras
7.3 Geradores de impulsos (de alta velocidade)

8. OUTROS

8.1 Sistemas de geradores de neutres


8.2 Equipamento geral ligado ao sector nuclear
8.2.1 Telemanipuladores
8.2.2 Janelas de proteco contra as radiaes
8.2.3 Cmaras de TV prova de radiaes
8.3 Trtio, compostos de trtio e misturas
8.4 Instalaes ou fbricas de trtio e componentes a elas destinados
8.5 Catalisadores de carbono platinado
8.6 Hlio-3
8.7 Radionucldeos alfa-emissores

APNDICE: - ESPECIFICAES PORMENORIZADAS PARA MQUINAS FERRAMENTAS

1. EQUIPAMENTO INDUSTRIAL

1.1 Mquinas indutoras de movimento cintico angular ("spin") e de fluxo, que possam:
a. De acordo com a especificao tcnica do fabricante, ser equipadas com unidades de "controlo numrico"
ou um controlo computorizado; e
b. dotadas de dois ou mais eixos que possam ser coordenados simultaneamente para "controlo de contorno",

e mandris de preciso para formao de rotores, concebidos para formar rotores cilndricos com um dimetro
interno de 75 mm a 400 mm, bem como o apoio lgico especialmente concebido para esse efeito.
Nota: O presente ponto apenas diz respeito ao controlo de mquinas indutoras de "spin" desde que estas
combinem a funo de induo de "spin" e de fluxo.
1.2 Unidades de "controlo numrico", "painis de controlo do movimento" especialmente concebidos para
aplicaes do "controlo numrico" a mquinas-ferramentas, mquinas-ferramentas "controladas
numricamente", "Apoio lgico" especialmente concebido, e tecnologia a seguir descrita.
a. Unidades de "controlo numrico" para mquinas-ferramentas, a saber:
1. Com mais de quatro eixos interpolados que podem ser coordenados simultaneamente para "controlo do
contorno", ou
2. Com dois, trs ou quatro eixos interpolados que podem ser coordenados simultaneamente para "controlo
do contorno", e satisfazendo uma ou mais das seguintes condies:
i. Serem capazes de "processar dados em tempo real", de forma a modificar o trajecto da ferramenta durante
a operao de maquinagem por clculo automtico e modificao dos dados referentes a "parte do
programa", para maquinagem em dois ou mais eixos, mediante ciclos de medio e acesso aos dados
iniciais;
ii. Serem capazes de receber directamente (em linha) e de processar dados de projecto assistido por
computador (CAD) para preparao interna de instrues de mquina; ou
iii. Serem capazes, sem modificao, de acordo com as especificaes tcnicas do fabricante, de aceitar
painis adicionais susceptveis de permitir aumentar o nmero de eixos interpolados que podem ser
coordenados simultaneamente para "controlo do contorno", acima dos nveis de controlo, mesmo que no
contenham os referidos painis adicionais.
b. "Painis de controlo do movimento" especialmente concebidos para mquinas-ferramentas, com uma ou
mais das seguintes caractersticas:
1. Fornecendo interpolao em mais de quatro eixos;
2. Serem capazes de "processamento em tempo real" descrito no ponto a.2.i.; ou
3. Serem capazes de receber e processar dados CAD tal como so descritos no ponto a.2.ii..
NOTA 1: As alneas a. e b. no incluem as unidades de "controlo numrico" nem os "painis de controlo do
movimento" se
a. Forem modificadas e incorporadas em mquinas no sujeitas a controlo; ou
b. Forem especialmente concebidas para mquinas no sujeitas a controlo.
NOTA 2: O "suporte lgico" (incluindo documentao) para unidades de "controlo numrico" autorizadas para
exportao deve ser:
a. Apenas numa forma executvel por mquina; e
b. Limitado ao mnimo necessrio para a utilizao (por exemplo, instalao, funcionamento e manuteno)
dessas unidades.
c. Mquinas-ferramentas, a seguir enumeradas, para a remoo ou corte de metais, cermicas ou materiais
compsitos, que, de acordo com as especificaes tcnicas do fabricante, possam ser equipadas com
dispositivos electrnicos para "controlo simultneo do contorno" em dois ou mais eixos:
Nota Tcnica:
1. O eixo c das rectificadoras de vaivm utilizadas para manter os rebolos em posio normal em relao s
superfcies de trabalho no considerado como eixo rotativo de contorno.
2. No so contados no nmero total de eixos de contorno os eixos de contorno paralelos secundrios, isto
, um segundo eixo rotativo cuja linha central fica paralela em relao ao eixo rotativo primrio.
3. A nomenclatura dos eixos dever estar de acordo com a norma internacional ISO 841 "Nomenclatura dos
eixos e movimentos das mquinas de controlo numrico".
4. Os eixos rotativos no tm necessariamente que rodar em 360. Um eixo rotativo pode ser accionado por
um dispositivo linear, como por exemplo uma hlice ou uma cremalheira e carreto.
(1) Mquinas-ferramentas para tornear, rectificar, fresar ou qualquer combinao destas funes que:
i. Tenham dois ou mais eixos que possam ser coordenados simultaneamente para ser incluido no contorno; e

ii. Tenham uma das caractersticas seguintes:


A. Dois ou mais eixos rotativos de contorno;
B. Um ou mais "fusos basculantes de contorno";
Nota: A alnea c. 1.ii.B. aplica-se apenas a mquinas-ferramentas destinadas a rectificao ou fresagem.
C. "Movimento de came" (deslocamento axial) numa revoluodo fuso inferior a (melhor que) 0,0006 mm de
leitura total do indicador (TIR);
Nota: A alnea c.1.ii.C. aplica-se apenas a mquinas-ferramentas para tornear.
D. "Sada imprevista" (rotao incorrecta) numa revoluo do fuso que seja inferior a (melhor que) 0,0006
TIR.
E. "Preciso de posicionamento", com todas as compensaes disponveis, inferior a (melhor que):
1. 0,001 em qualquer eixo rotativo
2. a. 0,004 mm ao longo de qualqer eixo linear (posicionamento total) para as mquinas rectificadoras
b. 0,006 mm ao longo de qualquer eixo linear (posicionamento total) para as mquinas fresadoras ou de
tornear.
Nota: A alnea c.1.ii.E.2.b. no inclui as mquinas-ferramentas fresadoras ou de tornear com uma preciso
de posicionamento ao longo de um eixo linear, com todas as compensaes disponveis, igual ou superior a
(pior que) 0,005 mm.
Notas: 1. A alnea c. no inclui as mquinas rectificadoras externas, internas e externas-internas cilndricas
que tenham todas as caractersticas que se seguem:
a. No sejam mquinas rectificadoras sem centro (tipo sapata);
b. Limitadas rectificao cilndrica;
c. Para um dimetro externo ou comprimento externo mximo da pea de trabalho de 150 mm;
d. S com dois eixos que possam ser coordenados simultaneamente para "controlo do contorno"; e
e. Sem eixo c de contorno
2. A alnea c. no controla as mquinas concebidas especificamente como rectificadoras de vaivm dotadas
de ambas as caractersticas seguintes:
a. Eixos limitados a x, y, c, e a, em que o eixo utilizado para manter os rebolos em posio normal em
relao superfcie de trabalho, e o eixo a configurado de modo a rectificar cames cilndricos, e
b. Uma "sada imprevista" do fuso no inferior a (no melhor que) 0,0006 mm.
3. A alnea c. no controla mquinas rectificadoras de ferramentas ou de fresas com todas as caractersticas
seguintes:
a. Expedidas como sistema completo juntamente com "suporte lgico" especialmente concebido para a
produo de ferramentas ou de fresas;
b. No terem mais de dois eixos rotativos que possam ser coordenados simultaneamente para "controlo do
contorno";
c. "Sada imprevista" (rotao incorrecta) numa revoluo do fuso que no seja inferior a (no melhor que)
0,0006 mm TIT; e
d. "Preciso de posicionamento", com todas as compensaes disponveis, que no seja inferior a (no
melhor que):
i. 0,004 mm ao longo de qualquer eixo linear para posicionamento total; ou
ii. 0,001 para qualquer eixo rotativo.
2. Mquinas de descarga elctrica (EDM)
i. Do tipo de alimentao por fio, com cinco ou mais eixos que possam ser coordenados simultaneamente
para "controlo do contorno";
ii. EDM sem fio, com dois ou mais eixos de contorno, e que possam ser coordenados simultaneamente para
"controlo do contorno".
3. Outras mquinas-ferramentas para remoo de metais, cermicas ou materiais compsitos:
i. Por meio de:
A. gua ou outros jactos lquidos, incluindo os que empregam aditivos abrasivos:
B. Feixes de electres ou
C. Feixes laser;
e
ii. Com dois ou mais eixos rotativos que:
A. Possam ser coordenados simultaneamente para "controlo do contorno"; e
B. Com uma "preciso de posicionamento" inferior a (melhor que) 0,003.
d) "Apoio lgico"
1. "Apoio lgico" especialmente concebido ou modificado para o "desenvolvimento", "produo" ou utilizao
de equipamento no mbito das subcategorias a., b. ou c. precedentes:
2. "Apoio lgico" especfico a saber:
i. "Apoio lgico" para permitir "controlo da adaptao" e dotado das seguintes caractersticas:
A. Para "unidades de fabrico flexvel" (FMV) que consistam pelo menos do equipamento descrito nas alneas
b.1.e b.2. da definio de"unidades de fabrico flexvel";
B. Capazes de gerar ou modificar, em "processamento em tempo real" dados de "programa parcial",
utilizando os sinais obtidos simultaneamente com, pelo menos, duas tcnicas de deteco, tais como:
1. Viso mecnica (medio ptica);
2. Formao de imagem por infra-vermelhos;
3. Formao de imagem acstica (medio acstica);
4. Medio tctil;
5. Posicionamento por inrcia;
6. Medio da fora;
7. Medio da torso.
ii. "Apoio lgico" para dispositivos electrnicos com excepo dos descritos nas alneas a. ou b., que fornea
a capacidade de "controlo numrico" do equipamento do ponto 1.2..
e. Tecnologia
1. "Tecnologia" para o "desenvolvimento" de equipamento no mbito das alneas a., b. ou c. anteriores, f. ou
g. seguintes, e ainda da alnea d.
2. "Tecnologia" para a "produo" de equipamento das alneas a., b. ou c. anteriores, f. ou g. seguintes;
3. Outra "tecnologia":
i. Para o "desenvolvimento" de grafismo interactivo como parte integrante de unidades de "controlo numrico"
para a preparao ou modificao de "programas parciais";
ii. Para o "desenvolvimento" de "apoio lgico" de integrao para incorporao em unidades de "controlo
numrico" de sistemas inteligentes para apoio avanado deciso relativa a operaes em oficina.
f. Componentes e partes para mquinas-ferramentas, da alnea c. a saber:
1. Montagens de fusos, constitudas por fusos e apoios como montagem mnima, com um movimento de eixo
radial ("sada imprevista") ou axial ("movimento de came") numa revoluo do fuso que seja inferior a (melhor
que) 0,0006 mm TIR;
2. Unidades lineares de retroaco da posio (por exemplo, dispositivos do tipo indutivo, escalas
graduadas, laser ou sistemas de infra-vermelhos) que tenham, com compensao, uma "preciso" global
melhor que 800 + (600 x L x 10(elevado a -3))mm, em que L igual ao comprimento efectivo da medio
linear em milmetros; com excepo dos sistemas de medio por interfermetro, sem retroaco de ciclo
aberto ou fechado, que contenham um laser para medio dos erros de deslizamento do cursor das
mquinas-ferramentas, mquinas de inspeco dimensional, ou equipamento semelhante;
3. Unidades rotativas de retroaco da posio (por exemplo, dispositivos de tipo indutivo, escalas
graduadas, laser ou sistemas de infra-vermelhos) que tenham, com compensao, uma "preciso" inferior a
(melhor que) 0,00025 de arco; com excepo dos sistemas de medio por interfermetro, sem retroaco
de ciclo aberto ou fechado, que contenham um laser para medir os erros de deslizamento do cursor das
mquinas-ferramentas, mquinas de inspeco dimensional ou equipamento semelhante:
4. Montagens cursor-calha, constitudas por uma montagem mnima de calhas, base e cursor, dotadas das
seguintes caractersticas:
i. Um ngulo, afastamento ou rolamento de menos de (melhor que) 2 segundos de arco TIR (Reg. ISO/DIS
230-1 em todo o trajecto);
ii. Um alinhamento recto horizontal de menos de (melhor que) 2 mm por 300 mm de comprimento; e
iii. Um alinhamento recto vertical de menos de (melhor que) 2 mm por 300 mm de comprimento, ao longo de
todo o trajecto;
5. Inseres de instrumentos, corte por diamante, de ponta nica, com todas as caractersticas seguintes:
i. Um gume sem falhas nem defeitos quando aumentado 400 vezes em qualquer direco;
ii. Um raio de corte com uma falha de arredondamento de menos de (melhor que) 0,002 mm TIR (tambm
pico a pico); e
iii. Um raio de corte entre 0,1 e 5,0 mm, inclusiv.
g. Componentes ou sub-montagens especialmente concebidos, seguidamente enumerados, capazes de
melhorar, de acordo com as especificaes do fabricante, as unidades de "controlo numrico", os painis de
movimento, as mquinas-ferramentas ou os dispositivos de retroaco de forma a coloc-los em nveis iguais
ou superiores aos abrangidos pelas alneas a., b., c., f.2. ou f.3.:
1. Painis de circuitos impressos com componentes montados e "apoio lgico" especfico;
2. "Mesas rotativas compostas".
Nota Tcnica: Definies
"Preciso" - normalmente medida em termos de impreciso,definida como o desvio mximo, positivo ou
negativo, de um valor indicado em relao a um padro aceite ou a um valor verdadeiro.
"Controlo de adaptao" - sistema que ajusta a resposta proveniente de condies detectadas durante o
funcionamento (Ref. ISO 2806-1980).
"Movimento de came" (deslocamento axial) - deslocamento axial numa revoluo do fuso principal, medido
num plano perpendicular plataforma do fuso num ponto prximo da circunferncia da plataforma do fuso
(Ref. ISO 230 Parte 1-1986, ponto 5.63).
"Mesa rotativa composta" - mesa que permite a rotao e inclinao da pea de trabalho em torno de dois
eixos no paralelos, que podem ser coordenados simultaneamente para "controlo do contorno".
"Controlo do contorno" - dois ou mais movimentos "numericamente controlados", produzidos de acordo com
instrues que especificam qual a prxima posio necessria, e quais as velocidades de corte necessrias
para essa posio. Estas velocidades de corte variam em relao uma outra de forma a produzir um
contorno desejado (Ref. ISO/DIS 2806-1980).
"Computador digital" - equipamento que, sob a forma de uma ou mais variveis discretas, pode:
a. Aceitar dados;
b. Memorizar dados ou instrues em dispositivos de memorizao fixos ou alterveis (que possam ser
escritos);
c. Processar dados atravs de uma sequncia memorizada de instrues, susceptvel de ser modificada; e
d. Permitir a produo de dados.
N.B.: As modificaes de uma sequncia memorizada de instrues incluem a substituio de dispositivos
fixos armazenados, mas no uma alterao fsica das ligaes por fios, ou das interconexes.
"Unidade de fabrico flexvel (FMU)" [tambm referida por vezes com "sistema de fabrico flexvel (FMS)" ou
"clula de fabrico flexvel (FMC)"].
Entidade que inclui uma combinao de, pelo menos:
a. Um "computador digital" incluindo a sua prpria "memria central" e o equipamento relacionado; e
b. Dois ou mais dos artigos que se seguem:
1. Uma mquina-ferramenta descrita na Seco 1.2;
2. Uma mquina de inspeco dimensional descrita na Seco 1.3.;
3. Um "robot" controlado pela Seco 1.6.;
4. Equipamento de controlo digital controlado pela Seco 3.4.
"Laser" - conjunto de componentes que produzem luz coerente que amplificada pela emisso estimulada
de radiao.
Memria central" - memria primria para dados ou instrues para acesso rpido por uma unidade de
processamento central. constituda pela memria interna de um "computador digital" e por qualquer
extenso hierrquica at ela, tal como uma memria intermediria ou uma memria alargada acessvel de
modo no sequencial.
"Microprograma" - sequncia de instrues elementares, conservadas numa memria espacial, cuja
execuo iniciada pela introduo da sua instruo de referncia num registo de instrues.
"Painel de controlo do movimento" - montagem electrnica especialmente concebida para proporcionar a
capacidade de coordenar simultaneamente o movimento dos eixos das mquinas-ferramentas para "controlo
do contorno".
"Controlo numrico" - o controlo automtico de um processo executado por um dispositivo que utiliza dados
numricos habitualmente introduzidos durante o funcionamento (Ref. ISO 2382).
"Programa parcial" - conjunto ordenado de instrues numa linguagem e num formato requeridos para que se
efectuem operaes sob controlo automtico, estando estas instrues escritas quer sob forma de um
programa-mquina num meio de entrada, quer preparadas como dados de entrada para processamento em
computador para obter um programa-mquina (Ref. ISO 2806-1980).
"Preciso de posicionamento"
Relativa a mquinas-ferramentas "controladas numericamente", deve ser determinada e apresentada de
acordo com o ponto 2.13. em conjuno com os seguintes requisitos:
a. Condies de ensaio (ISO/DIS/230/2, ponto 3):
1. Durante 12 horas antes das medies e durante as mesmas, a mquina-ferramenta e o equipamento de
medio da preciso sero guardados mesma temperatura ambiente. Durante o perodo anterior
medio, os cursores da mquina sero continuamente submetidos ao ciclo de funcionamento, de forma
idntica ao que se processar durante as medies da preciso;
2. A mquina ser equipada com os dispositivos de compensao mecnicos, electrnicos ou informticos
(apoio lgico) que venham a ser exportados com a mquina;
3. O equipamento de medio da preciso destinado s medies deve ser pelo menos quatro vezes mais
exacto que a preciso esperada na mquina-ferramenta;
4. O abastecimento de energia para o accionamento dos cursores deve obedecer aos seguintes princpios:
i. A variao de voltagem das linhas no deve ser superior a (mais ou menos) 10% da voltagem nominal de
projecto;
ii. A variao de frequncia no deve ser superior a (mais ou menos) 2 Hz da frequncia normal;
iii. No so permitidas quebras no abastecimento nem interrupes de servio.
b. Programa de ensaio (ponto 4):
1. A velocidade de corte (velocidade dos cursores) durante as medies deve ser a velocidade rpida
transversal;
N.B.: No caso das mquinas-ferramentas que geram superfcies de qualidade ptica, a taxa de corte deve
ser igual ou inferior a 50 mm por minuto;
2. As medides devem ser feitas por registo das variaes de um limite ao outro do percurso do eixo, sem
regressar posio inicial para cada movimento at posio alvo;
3. Os eixos que no estejam a ser medidos devem ser mantidos a meio percurso durante o ensaio de um
eixo.
c. Apresentao dos resultados de ensaio (ponto 2):
Os resultados das medidas devem incluir:
1. A "preciso de posicionamento" (A) e
2. O erro mdio de inverso (B).
"Programa" - sequncia de instrues para realizao de um processo, que tenha uma forma executvel por
um computador electrnico ou nela possa ser convertida.
"Processamento em tempo real" - processamento de dados por computador electrnico em resposta a um
fenmeno externo, de acordo com os requisitos de tempo impostos pelo fenmeno externo.
"Robot" - mecanismo de manipulao que pode ser de percurso contnuo ou do tipo ponto a ponto, pode usar
"sensores" e tem todas as caractersticas que se seguem:
a. Ser multifuncional;
b. Ser capaz de posicionar ou orientar material, partes, isntrumentos ou dispositivos especiais, mediante
movimentos variveis no espao tridimensional;
c. Incorporar trs ou mais servo-dispositivos de ciclo fechado ou aberto, que podem incluir motores a passo;
e
d. Ter "programabilidade acessvel ao utilizador" mediante mtodo ensino/reproduo ou por meio de um
computador electrnico que pode ser um controlador de lgica programada, isto , sem interveno
mecnica.
N.B.: A definio anterior no inclui os seguintes dispositivos:
a. Mecanismos de manipulao que s sejam controlveis manualmente ou por telecomando;
b. Mecanismos de manipulao de sequncia fixa que sejam dispositivos automatizados de movimentao, a
funcionar de acordo com movimentos programados fixados mecanicamente. O programa limitado
mecanicamente por pontos fixos de paragem, como pernes ou cames. A sequncia dos movimentos e a
seleco de percursos ou ngulos no so variveis nem modificveis por meios mecnicos, electrnicos ou
elctricos;
c. Mecanismos de manipulao de sequncia varivel mecanicamente controlados que sejam dispositivos
automatizados de movimentao, a funcionar de acordo com movimentos programados fixados
mecanicamente. O programa limitado mecanicamente por pontos fixos, mas ajustveis, de paragem, como
pernes ou cames. A sequncia dos movimentos e a selao de percursos ou ngulos so variveis dentro do
padro do programa fixado. As variaes ou modificaes do padro do programa (por exemplo, mudanas
de pernes ou trocas de cames) num ou mais eixos de movimentao s so efectuadas mediante operaes
mecnicas;
d. Mecanismos de manipulao de sequncia varivel no servo-controlados que sejam dispositivos
automatizados de movimentao, a funcionar de acordo com movimentos programados fixados
mecanicamente. O programa varivel, mas a sequncia processa-se apenas a partir de sinais binrios
provenientes de dispositivos binrios elctricos fixos ou de pontos ajustveis de paragem;
e. Guindastes de elevao definidos como sistemas de manipulao em coordenadas cartesianas,
fabricados como parte integrante de uma coluna vertical de contentores de armazenagem e concebidos para
ter acesso ao contedo desses contentores para armazenagem ou recuperao.
"Sada imprevista" (movimento incorrecto) - deslocamento radial numa revoluo do fuso principal, medido
num plano perpendicular ao eixo do fuso num ponto da superfcie externa ou interna de rotao a testar (Ref.
ISO 230 Parte 1 - 1986, ponto 5.61).
"Sensores" - detectores de um fenmeno fsico, cujo resultado (aps converso num sinal que possa ser
interpretado por um controlador) seja capaz de gerar "programas" ou de modificar instrues programadas ou
dados numricos de programas. Isto inclui "sensores" com viso mecnica, formao de imagem acstica,
sensibilidade tctil, medio da posio por inrcia, medio ptica ou acstica ou capacidades de medio
da fora ou da toro.
"Apoio lgico" - uma compilao de um ou mais "programas" ou "microprogramas" fixados em qualquer meio
tangvel de expresso.
"Fuso basculante" - um fuso de apoio de instrumentos que, durante o processo de maquinao, altera a
posio angular da sua linha central em relao a qualquer outro eixo.
"Programabilidade acessvel ao utilizador"
A facilidade de permitir ao utilizador a insero, modificao ou substituio de "programas" por outros meios
que no:
a. Uma modificao fsica das ligaes por fios ou interconexes;
b. A criao de funes incluindo a entrada de parmetros.
1.3 Mquinas, dispositivos ou sistemas de inspeco dimensional, seguidamente enumerados, e apoio lgico
especialmente concebido para esse efeito.
a. Mquinas de inspeo dimensional controladas por computador ou controladas numericamente, dotadas
das seguintes caractersticas:
1. Dois ou mais eixos; e
2. Uma "incerteza de medio" de comprimento unidimensional igual ou inferior a (melhor que) (1,25 +
L/1000) um, verificada por meio de uma sonda com uma "preciso"inferior a (melhor que) 0,2 um, (L o
comprimento medido em milmetros)
(Ref. VDI/VDE 2617, partes 1 e 2);
b. Dispositivos de medio da deslocao linear e angular seguidamente enumerados:
1. Instrumentos de medio linear dotados de uma das seguintes caractersticas:
i. Sistemas de medio de tipo sem contacto, com uma "resoluo" igual ou inferior a (melhor que) 0,2 um
numa gama de medio at 0,2 mm;
ii. Sistemas de tranformador diferencial de varivel linear (LVDT), dotados de ambas as caractersticas que
se seguem:
A. "Linearidade" igual ou inferior a (melhor que) 0,1% numa gama de medio at 5 mm; e
B. Desvio igual ou inferior a (melhor que) 0,1% por dia a uma temperatura ambiente normalizada da sala de
ensaios de (mais ou menos) 1 K; ou
iii. Sistemas de medio dotados de ambas as caractersticas que se seguem:
A. Conterem um laser; e
B. Manterem durante um mnimo de 12 horas,a uma gama de temperaturas de (mais ou menos) 1 K em
relao a uma temperatura normalizada, a uma presso normalizada:
1. Uma "resoluo" em toda a sua escala de 0,1 um ou melhor;
2. Com uma "incerteza de medio" igual ou inferior a (melhor que) (0,2 + L/2000) um (L o comprimento
medido em milmetros); excepto os sistemas de medio por interfermetro, sem retroaco de ciclo fechado
ou de ciclo aberto, contendo um laser para medir os erros devidos a desligamento das mquinas-
ferramentas, das mquinas de inspeco dimensional, ou equipamento semelhante;
2. Instrumentos de medio angular dotados de um "desvio da posio angular" igual ou inferior a (melhor
que) 0,00025;
Nota: O presente ponto b.2. no se refere ao controlo de instrumentos pticos, tais como os autocolimadores,
que utilizam a luz colimada para detectar a deslocao angular de um espelho.
c. Sistemas de inspeco simultaneamente linear-angular de estruturas hemisfricas, dotados de ambas as
caractersticas que se seguem:
1. Uma "incerteza de medio" ao longo de qualquer eixo linear igual ou inferior a (melhor que) 3,5 um por 5
mm; e
2. Um "desvio da posio angular" igual ou inferior a 0,02.
Nota: O apoio lgico especialmente concebido para os sistemas descritos na presente alnea c. inclui o apoio
lgico para medies simultneas da espessura e do contorno das paredes.
Nota Tcnica: A sonda utilizada para determinar a incerteza de medio de um sistema de inspeco
dimensional deve corresponder descrita em VDI/VDE 2617, partes 2, 3 e 4.
Nota Tcnica: Todos os parmetros dos valores de medio no presente ponto representam mais/menos,
isto , no a banda total.
"Incerteza de medio" - O parmetro caracterstico que especifica qual a faixa em torno do valor final, na
qual o valor correcto da varivel mensurvel apresenta um nvel de confiana de 95%. Inclui os desvios
sistemticos no corrigidos, o erro de inverso no corrigido, e os desvios aleatrios (Ref. VDI/VDE 2617).
"Resoluo" - A menor variao de um dispositivo de medio; nos instrumentos digitais, o menos "bit"
significante (Ref. ANSI B-89. 1.12).
"Linearidade" - (Habitualmente medida em termos de no-linearidade) o desvio mximo da caracterstica
real (mdia das leituras acima e abaixo da escala), positivo ou negativo, de forma a igualar e minimizar os
desvios mximos.
"Desvio da posio angular" - A diferena mxima entre a posio angular e a posio angular real, medida,
com grande preciso depois de o apoio da pea de trabalho na mesa de inspeco ter sido desviado da sua
posio inicial (Ref. VDI/VDE 2617. Projecto: "Mesa rotativa em mquinas de medio por coordenadas).
1.4 Fornos de induo de vcuo ou de ambiente controlado (gs inerte), capazes de funcionar a
temperaturas superiores a 850C, e dotados de bobinas de induo com um dimetro igual ou inferior a 600
mm, e fontes de fornecimento de energia especialmente concebidas para fornos de induo, com uma
alimentao igual ou superior a 5 KW.
Nota Tcnica: O presente ponto no diz respeito aos fornos concebidos para o processamento de bolachas
semicondutoras.
1.5 "Prensas isostticas" capazes de atingir uma presso mxima de funcionamento igual ou superior a 69
MPa (10000 psi) e cuja cavidade de cmara tem um dimetro interno superior a 152 mm, matrizes e moldes
especialmente concebidos, e ainda o "apoio lgico especialmente concebido" para esse efeito.
Notas Tcnicas: 1. A dimenso da cmara interna a da cmara em que se atinge a temperatura e a
presso de funcionamento, sem incluir a aparelhagem. Essa dimenso ser a menor das duas seguintes: o
dimetro interno da cmara de presso ou o dimetro interno da cmara isolada do forno, dependendo de
qual das cmaras est colocada dentro da outra.
2. "Prensas isostticas"
Equipamento capaz de pressurizar uma cavidade fechada atravs de vrios meios (gs, lquido, partculas
slidas, etc.) de forma a criar uma presso igual em todas as direces dentro da cavidade sobre uma obra
ou material.
1.6. "Robots" e "extremidades mveis" dotados de uma das seguintes caractersticas:
a. Especialmente concebidos para corresponder s normas nacionais de segurana aplicveis ao
manuseamento de grandes explosivos (por exemplo, obedecendo s condies-limite de utilizao de
instalaes elctricas para grandes explosivos); ou
b. Especialmente concebidos ou classificados como resistentes s radiaes para suportar mais de 5 x 10
(elevado a 4) grays (SI) (5 x 10 (elevado a 6) rad (SI)) sem degradao funcional;
bem como controladores especialmente concebidos e "apoio lgico especialmente concebido" para o efeito.
Notas Tcnicas: 1. "Robot"
Um mecanismo de manipulao, que pode ser do tipo de percurso contnuo ou do tipo ponto a ponto, que
pode utilizar "sensores", e dotado de todas as caractersticas que se seguem:
a. ser multifuncional;
b. Ser capaz de posicionar ou orientar material, partes deste, instrumentos ou dispositivos especiais em
movimentos variveis no espao tridimensional;
c. Incorporar trs ou mais servo-dispositivos de circuito aberto ou fechado, que podem incluir motores passo
a passo; e
d. Serem programveis de forma acessvel ao utilizador pelo mtodo exposio/reproduo ou por meio de
um computador electrnico que pode ser controlado por uma lgica programvel, isto , sem interveno
mecnica.
N.B.: A definio anterior no inclui os seguintes dispositivos:
a. Mecanismos de manipulao que s sejam controlveis manualmente ou por teleoperador;
b. Mecanismos de manipulao de sequncia fixa, que sejam dispositivos automatizados de movimentao,
funcionando de acordo com movimentos programados, fixados mecanicamente. O programa limitado
mecanicamente por pontos fixos de paragem, constitudos por pernes ou cames. A sequncia de
movimentos e a seleco dos trajectos ou ngulos no so variveis nem modificveis por meios mecnicos,
electrnicos nem elctricos;
c. Mecanismos de manipulao mecanicamente controlados de sequncia varivel, que sejam dispositivos
automatizados de movimentao, funcionando de acordo com movimentos programados, fixados
mecanicamente. O programa limitado mecanicamente por pontos fixos, mas ajustveis, de paragem,
constitudos por pernes ou cames.
A sequncia de movimentos e a seleco de trajectos ou ngulos so variveis dentro do padro fixo do
programa. As variaes ou modificaes do padro do programa (por exemplo, mudana de pernes ou troca
de cames) num ou mais eixos de movimentao s so efectuadas mediante operaes mecnicas;
d. Mecanismos de manipulao no serco-controlados, de sequncia varivel, que sejam dispositivos de
movimentao automatizados, funcionando de acordo com movimentos programados, fixados
mecanicamente. O programa varivel, mas a sequncia processa-se apenas pelo sinal binrio proveniente
de dispositivos binrios elctricos mecanicamente fixados ou de pontos ajustveis de paragem;
e. Guindastes de elevao, definidos como sistemas de manipulao em coordenadas
cartesianas,construdas como parte integral de uma estrutura vertical constituda por contentores de
armazenagem, e concebidos para ter acesso ao contedo desses contentores para efeitos de armazenagem
ou de recuperao.
2. "Extremidades mveis"
As "extremidades mveis" incluem pinas, "unidades activas de maquinagem" e quaisquer outros
instrumentos de maquinagem que estejam ligados placa de base na extremidade de um brao manipulador
de robot.
3. A definio dada na alnea a. anterior no tem por objectivo o controlo de robots especialmente
concebidos para aplicaes industriais no nucleares, como o caso das unidades de pintura de automveis
por jacto de tinta.
1.7. Equipamento de ensaio por vibrao utilizando tcnicas de controlo digital e equipamento de retroaco
("feedback") ou de ensaio em ciclo fechado, e apoio lgico para o efeito, capazes de fazer vibrar um sistema
a 10 g RMS ou mais, entre 20 Hz e 2000 HZ, transmitindo foras de 50 KN ou mais.
1.8. Fornos metalrgicos de fuso e de fundio sob vcuo e em atmosfera controlada, seguidamente
enumerados, sistema, de controlo computorizado e de monitorizao especialmente configurados, e "apoio
lgico especialmente concebido" para o efeito:
a. Fornos de fuso por arco e de fundio com capacidades electrdicas consumveis situadas entre 1000
cm3 e 20000 cm3, e capazes de funcionar a temperaturas de fuso superiores a 1700C;
b. Fornos de fuso por feixes de electres e fornos de atomizao e fuso do plasma, com uma potncia
igual ou superior a 50 KW e capazes de funcionar a temperaturas de fuso superiores a 1200C.

2. MATERIAIS

2.1. Ligas de alumnio capazes de um limite de resistncia tnsil igual ou superior a 460 MPa (0,46 x 10
(elevado a 9) N/m2) a 293 K (20C) sob a forma de tubos ou formas slidas (incluindo moldes) com um
dimetro externo superior a 75 mm.
Nota Tcnica: A frase "capazes de" inclui as ligas de alumnio antes e depois de tratamento trmico.
2.2. Berlio nas seguintes formas: metal, ligas que contenham mais de 50% de berlio em peso, compostos
que contenham berlio e produtos feitos base de berlio e produtos feitos base de berlio, com excepo
de:
a. Janelas de metal para mquinas de raios X;
b. Formas xidas em peas fabricadas ou semi-fabricadas especialmente concebidas para partes de
componentes electrnicos ou como substratos para circuitos electrnicos.
Nota Tcnica: Esta disposio aplica-se aos resduos e desperdcios que contenham berlio nas formas aqui
especificadas.
2.3. Bismuto de elevada pureza (igual ou superior a 99,99%) com um baixo teor de prata (menos de 10
partes por milho).
2.4. Boro e compostos de boro, misturas e materiais carregados nos quais o istopo boro-10 constitui mais
de 20% em peso do teor total de boro.
2.5. Clcio (de elevada pureza) que contenha simultaneamente menos de 1000 partes por milho em peso
de impurezas metlicas que no o magnsio, e menos de 10 partes por milho de boro.
2.6. Trifluoreto de cloro (CIF (ndice 3)).
2.7. Cadinhos feitos de materiais resistentes a metais lquidos com actindeos, a saber:
a. Cadinhos com um volume entre 150 ml e 8 litros e feitos ou revestidos de um dos seguintes materiais com
uma pureza igual ou superior a 98%:
i. Fluoreto de clcio (CaF(ndice 2));
ii. Zirconato de clcio (metazirconato) (Ca(ndice 2)ZrO(ndice 3));
iii. Sulfito de crio (Ce(ndice 2)S(ndice 3));
iv. xido de rbio (rbia) (Er(ndice 2)O(ndice 3));
v. xido de hfnio (hfnia) (hFO(ndice 2));
vi. xido de magnsio (MgO);
vii. Liga de nibio-titnico-tungstnio nitrificado (aproximadamente 50% de Nb, 30% de Ti, 20% de W);
viii. xido de trio (tria) (Y(ndice 2)O(ndice 3));
ix. xido de zircnio (zircnia) (ZrO(ndice 2)).
b. Cadinhos com um volume de 50 ml a 2 litros e feitos ou revestidos de tntalo, com um grau de pureza
igual ou superior a 99,9%;
c. Cadinhos com um volume de 50 ml a 2 litros e feitos ou revestidos de tntalo, (com um grau de pureza
igual ou superior a 98%), recobertos de carboneto, nitreto ou boreto de tntalo (ou combinaes dos
mesmos).
2.8. a. Materiais "fibrosos e filamentares" base de carbono ou aramida, com um "mdulo especfico" igual
ou superior a 12,7 x 10(elevado a 6) m ou uma "resistncia tnsil especfica" igual ou superior a 23,5 x 10
(elevado a 4) m;
b. Materiais "fibrosos e filamentares", com um mdulo especfico igual ou superior a 3,18 x 10(elevado a 6) m
e uma "resistncia tnsil especfica" igual ou superior a 7,62 x 10(elevado a 4) m;
c. Estruturas compsitas sob a forma de tubos com um dimetro interno de 75 mm a 400 mm, feitas de
materiais "fibrosos e filamentares" controlados nas alneas a. e b. anteriores.
Nota Tcnica:
a. A expresso "materiais fibrosos e filamentares" inclui monofilamentos contnuos, fios contnuos e fitas;
b. "Mdulo especfico" o mdulo de Young em N/m2, dividido pelo peso especfico em N/m3, quando
medido a uma temperatura de 23 (mais ou menos) 2C e a uma humidade relativa de 50 (mais ou menos)
5%;
c. "Resistncia tnsil especfica" o limite de resistncia tnsil em N/m3, dividido pelo peso especfico em
N/m3, quando medido a uma temperatura de 23 (mais ou menos) 2C e a uma humidade relativa de 50 (mais
ou menos) 5%.
2.9. Hfnio nas seguintes formas: metal, ligas e compostos de hfnio que contenham mais de 60% de hfnio
em peso, e produtos feitos com estes materiais.
2.10. Ltio (isotopicamente enriquecido em ltio-6), a saber:
a. Materiais hbridos de metal, ou ligas, contendo ltio enriquecido no istopo 6 ((elevado a 6)Li) at atingir
uma concentrao superior existente na natureza (7,5% numa base percentual para o tomo);
b. Quaisquer outros materiais que contenham ltio enriquecido no istopo 6 (incluindo compostos, misturas e
concentrados), com excepo do (elevado a 6)Li incorporado em dosmetros termo/um/nescentes.
2.11. Magnsio (de elevada pureza) que contenha simultaneamente menos de 200 partes por milho em
peso de impurezas metlicas que no o clcio e menos de 10 partes por milho de boro.
2.12. Ao Maraging capaz de um limite de resistncia tnsil igual ou superior a 2050 MPa (2,050 x 10
(elevado a 9) N/m2) a 293 K (20C), com excepo das formas em que nenhuma das dimenses lineares
exceda 75 mm.
Nota Tcnica: A expresso "capaz de" inclui o ao Maraging antes e depois do tratamento tcnico.
2.13. Rdio-226, com excepo do rdio contido na aparelhagem mdica.
2.15. Ligas de titnio capazes de um limite de resistncia tnsil igual ou superior a 900 MPa (0,9 x 10
(elevado a 9) N/m2) a 239 K (20C) sob a forma de tubos ou formas slidas (incluindo mdulos) com um
dimetro externo superior a 75 mm.
Nota Tcnica: A expresso "capazes de" inclui as ligas de titnio antes e depois do tratamento trmico.
2.16. Tungstnio nas seguintes formas: partes feitas de tungstnio, carboneto de tungstnio ou ligas de
tungstnio (com uma percentagem de tungstnio superior a 90%), com uma massa superior a 20 Kg e uma
simetria cilndrica tubular (incluindo segmentos de cilindro) cujo dimetro interno seja superior a 100 mm mas
inferior a 300 mm, com excepo das partes especificamente concebidas para utilizao como pesos ou
colimadores de raios gama.
2.17. Zircnio nas seguintes formas: metal, ligas que contenham mais de 50% de zircnio em peso, e
compostos em que a razo entre o teor de hfnio e o teor de zircnio seja inferior a 1 para 500 partes em
peso, e produtos feitos na sua totalidade com estes materiais: com excepo do zircnio na forma de lminas
com uma espessura que no exceda 0,10 mm.
Nota Tcnica: Esta disposio no se aplica aos resduos e desperdcios contendo zircnio tal como aqui
definido.

3. EQUIPAMENTO E COMPONENTES PARA SEPARAO DE ISTOPOS DE URNIO

3.1. Clulas electrolticas para produo de flor com uma capacidade de produo de mais de 250 g de flor
por hora.
3.2. Equipamento de fabrico e montagem de rotores, e mandris e matrizes para a formao de foles, a saber:

a. Equipamento de montagem de rotores, destinado a montar seces tubulares de rotores de centrifugao


gasosa, deflectores e cpsulas. Este equipamento exige mandris de preciso, braadeiras e mquinas de
acoplamento bloqueado forado a quente;
b. Equipamento de endireitamento de rotores para o alinhamento de seces tubulares de rotores de
centrifugao gasosa a um eixo comum. (Nota: normalmente, este equipamento consistir de sondas para
medies de preciso ligadas a um computador que controla em seguida a aco, por exemplo, dos pistes
pneumticos utilizados para o alinhamento de seces tubulares de rotores).
c. Mandris e matrizes de produo de foles, destinados produo de foles com uma s convoluo (foles
feitos de ligas de alumnio de elevada resistncia, de ao Maraging, ou de materiais filamentares de elevada
resistncia). Os foles tm as seguintes dimenses:
1. 75 mm a 400 mm de dimetro interno;
2. Comprimento igual ou superior a 12,7 mm; e
3. profundidade da convoluo nica superior a 2 mm.
3.3. Mquinas centrfugas de compensao multiplanos, fixas ou portteis, horizontais ou verticais, a saber:
a. Mquinas centrfugas de compensao multiplanos concebidas para equilibrar rotores flexveis com um
comprimento igual ou superior a 600 mm, e dotadas das seguintes caractersticas:
1. Uma trajectria peridica ou dimetro de suporte igual ou superior a 75 mm;
2. Uma capacitncia de massa compreendida entre 0,9 e 23 Kg; e
3. Serem capazes de equilibrar uma velocidade de revoluo superior a 5000 rpm;
b. Mquinas de compensao multiplanos, concebidas para equilibrar componentes cilndricos perfurados de
rotores, dotadas das seguintes caractersticas:
1. Um dimetro de suporte igual ou superior a 75 mm;
2. Uma capacitncia de massa compreendida entre 0,9 e 23 Kg;
3. Serem capazes de equilibrar um desiquilbrio residual de 0,010 Kg.mm/kg por plano, ou melhor; e
4. Serem do tipo de transmisso por correia; e apoio lgico especialmente concebido para o efeito.
3.4. Mquinas de enrolamento de filamentos, nas quais os movimentos para o posicionamento, bobinagem e
enrolamento das fibras so coordenados e programados em dois ou mais eixos, especialmente concebidos
para o fabrico de estruturas compsitas ou laminados de materiais fibrosos e filamentares, e capazes de
fazer o enrolamento de rotores cilndricos com um dimetro igual ou superior a 600 mm; controlos de
coordenao e de programao para esse efeito; mandris de preciso; e apoio lgico especialmente
concebido para o efeito.
3.5. Modificadores de frequncias (tambm conhecidos como conversores ou inversores), ou geradores,
dotados das seguintes caractersticas:
a. Uma produo multifsica capaz de fornecer uma potncia igual ou superior a 40 W;
b. Serem capazes de funcionar na gama de frequncias de 600 a 2000 Hz;
c. Distoro harmnica total inferior a 10%; e
d. Controlo de frequncia melhor que 0,1%.
com excepo dos modificadores de frequncias especialmente concebidos ou preparados para abastecer
"estatores de motor" (a seguir definidos) e dotados das caractersticas das alneas b. e d. anteriores, a par de
uma distoro harmnica total inferior a 2% e de uma eficincia superior a 80%.
Definio
"Estatores de motor" estatores de forma anular, especialmente concebidos para motores de histerese AC (ou
de resistncia magntica) multifsicos de alta velocidade, destinados a funcionamento sincronizado no vcuo
na gama de frequncias de 600 a 2000 Hz e na gama de potncia de 50 a 1000 VA. Os estatores so
constitudos por enrolamentos multifsicos sobre um ncleo de ferro laminado de baixa perda formado por
camadas finas com uma espessura tpica igual ou inferior a 2,0 mm.
3.6. Lasers, amplificadores laser e osciladores, a saber:
a. Lasers de vapor de cobre, com uma potncia mdia de sada igual ou superior a 40 W, funcionando a
comprimentos de onda de 500 nm a 600 nm;
b. Lasers de ies de rgon com uma potncia mdia de sada igual ou superior a 40 W, funcionando a
comprimentos de onda de 400 nmm a 515 nm;
c. Lasers revestidos de neodmio (no de vidro), a saber:
1. Com um comprimento de onda de sada entre 1000 nm e 1100 nm, accionados por impulsos e de
impulsos gigantes, com uma durao de impulso igual ou superior a 1 ns, dotado de uma das seguintes
caractersticas:
a. Uma produo unimodal transversal com uma potncia mdia de sada superior a 40 W,
b. Uma produo multimodal transversal com uma potncia mdia de sada superior a 50 W;
2. Funcionando a um comprimento de onda entre 1000 nm e 1100 nm e incorporando uma duplicao de
frequncias de forma a dar um comprimento de onda de sada entre 500 nm e 550 nm, com uma potncia
mdia na frequncia duplicada (novo comprimento de onda) superior a 40 W;
d. Osciladores corantes unimodais por impulsos regulveis capazes de uma produo mdia de energia
superior a 1 W, de taxa de repetio superior a 1 KHz, de impulso inferior a 100 ns, com um comprimento de
onda compreendido entre 300 nm e 800 nm;
e. Amplificadores e osciladores de laser corante por impulsos regulveis, com excepo dos osciladores
unimodais, com uma produo mdia de energia superior a 30 W, taxa de repetio superior a 1 KHz,
amplitude de impulso inferior a 100 ns, comprimento de onda compreendido entre 300 nm e 800 nm;
f. Lasers de alexandrite com uma amplitude de banda igual ou inferior a 0,005 nm, uma taxa de repetio
superior a 125 Hz, e uma produo mdia de energia superior a 30 W, funcionando a comprimentos de onda
compreendidos entre 720 nm e 800 nm;
g. Lasers de dixido de carbono por impulsos, com uma taxa de repetio superior a 250 Hz, uma produo
mdia de energia superior a 500 W, e um impulso de menos de 200 ns, funcionando a comprimentos de
onda de 9000 nm e 11000 nm;
N.B.: Esta especificao no tem por objectivo os lasers industriais de CO(ndice 2) de alta potncia
(tipicamente 1 a 5 KW) utilizados em aplicaes como o corte e a soldagem, uma vez que estes lasers so
de onda contnua ou impulsionados com uma amplitude de impulso superior a 200 ns.
h. Lasers de excmeros impulsionados (XeF, XeCI, KrF) com uma taxa de repetio superior a 250 Hz e uma
produo mdia de energia superior a 500 W, funcionando a comprimentos de onda compreendidos entre
240 e 360 nm;
i. Comutadores Raman de para-hidrognio concebidos para funcionar a um comprimento de onda de sada
de 16 um e a uma taxa de repetio superior a 250 Hz.
Nota Tcnica: As mquinas-ferramentas, instrumentos de medio e tecnologia associada, dotados de
potencial para utilizao na indstria nuclear esto includos nos pontos 1.2 e 1.3 do presente Captulo.
3.7. Espectmetros de massa capazes de medir ies com 230 unidades de massa atmica ou mais e com
uma resoluo melhor que 2 partes em 230, e fontes de ies para esse efeito, a saber:
a. Espectmetros de massa por plasma acoplado indutivamente (ICP/MS);
b. Espectmetros de massa por descarga luminosa (GDMS);
c. Espectmetros de massa por ionizao trmica (TIMS);
d. Espectmetros de massa por bombardeamento de electres, com uma cmara de fonte construda ou
revestida ou folheada com materiais resistentes ao UF(ndice 6);
e. Espectmetros de massa por feixes moleculares, com as seguintes caractersticas:
1. ter uma cmara de fonte construida ou revestida ou folheada com ao inoxidvel ou molibdeno, e ter um
sistema de captura de frio capaz de arrefecimento at temperaturas iguais ou inferiores a 193 K (- 80C); ou
2. ter uma cmara de fonte construda ou revestida ou folheada com materiais resistentes ao UF(ndice 6); ou

f. Espectmetros de massa equipados com uma fonte de ies por microfluorao, concebidos para utilizao
com actindeos ou fluoretos de actindeos; com excepo de espectmetros de massa magnticos ou
quadripolares especialmente concebidos ou preparados, capazes de tomar amostras "em linha" de materiais
de alimentao, produtos ou resduos provenientes de fluxos de gs de UF(ndice 6), e dotados das
seguintes caractersticas:
1. Resoluo por unidade de massa superior a 320;
2. Fontes de ies construidas ou revestidas com nicromo ou monel ou com banho de nquel;
3. Fontes de ionizao por bombardeamento de electres;
4. Dotados de um sistema colector adequado anlise isotpica;
3.8. Instrumentos capazes de medir presses at 13 KPa (2 psi, 100 torr) com uma preciso superior a 1%
(escala total), com elementos sensveis presso e resistentes corroso construdos em nquel, ligas de
nquel, bronze fosforado, ao inoxidvel, alumnio ou ligas de alumnio.
3.9. Vlvulas de dimetro igual ou superior a 5 mm, com um fecho do fole totalmente feito, ou revestido, de
alumnio, liga de alumnio, nquel ou uma liga que contenha 60% ou mais de nquel, accionadas manul ou
automaticamente.
3.10. Electromagnetes supercondutores solenoidais com as seguintes caractersticas:
a. Capazes de criar campos magnticos de mais de 2 teslas (20 Kilogauss);
b. Com uma relao L/D (comprimento dividido pelo dimetro interno) superior a 2;
c. Com um dimetro interno superior a 300 mm; e
d. Com uma uniformidade de campo magntico melhor que 1% sobre os 50% centrais do volume interno.
3.11. Bombas de vcuo cuja entrada til tenha uma dimenso igual ou superior a 38 cm, com uma
velocidade de bombagem igual ou superior a 15000 litros/segundo, e capazes de produzir um limite de vcuo
melhor que 10(elevado a -4) Torr (0,76 x 10(elevado a -4) mbar).
Nota Tcnica: O limite de vcuo determinado entrada da bomba, com a entrada da bomba bloqueada.
3.12. Fornecimentos para corrente contnua de alta potncia capazes de produzir continuamente, ao longo
de um perodo de 8 horas, uma voltagem igual ou superior a 100 V, com uma produo de corrente igual ou
superior a 500 amps e com uma regulao da corrente ou voltagem melhor que 0,1%.
3.13. Fornecimentos para corrente contnua de alta voltagem capazes de produzir continuamente, ao longo
de um perodo de 8 horas, uma voltagem igual ou superior a 20000 V, com uma produo de corrente igual
ou superior a 1 amp e com uma regulao da corrente ou voltagem melhor que 0,1%.
3.14. Separadores electromagnticos de istopos, concebidos ou equipados com fontes inicas nicas ou
mltiplas capazes de fornecer uma corrente total de feixe inico igual ou superior a 50 mA.
Notas: 1. O presente ponto inclui o controlo dos separadores capazes de enriquecimento de istopos
estveis, bem como os destinados ao urnio. Um separador capaz de separar istopos de chumbo com uma
diferena de uma unidade de massa inerentemente capaz de enriquecer os istopos de urnio com uma
diferena de massa de trs unidades.
2. O presente ponto inclui separadores com as fontes de ies e os colectores no interior do campo
magntico, e as configuraes em que os mesmos so exteriores ao campo magntico.
3. Uma fonte nica de ies de 50-mA produzir menos de 3 g de HEU separado por ano a partir do material
de alimentao de abundncia natural.

4. EQUIPAMENTO LIGADO S INSTALAES DE PRODUO DE GUA PESADA

4.1. Contentores especializados para utilizao na separao de gua pesada da gua natural, e feitos de
malha de bronze fosforado ou de cobre (ambos quimicamente tratados de forma a melhorar a sua
humectabilidade) e concebidos para utilizao em torres de destilao no vcuo.
4.2. Bombas de circulao de solues de catalisador diludo ou concentrado de amido de potssio em
amnia lquida (KNH(ndice 2)/HN(ndice 3), com as seguintes caractersticas:
a. Estanques (isto isoladas hermeticamente);
b. Para solues de amido de potssio concentrado (1% ou mais), presso de funcionamento de 1,5-60 MPa
[15-600 atmosferas (atm)]; para solues de amido de potssio diludo (menos de 1%), presso de
funcionamento de 20-60 MPa (200-600 atm); e
c. Uma capacidade superior a 8,5 m3/h.
4.3. Colunas de pratos de permuta gua cido-sulfdrico, feitas de ao fino de carbono (como o ASTM A516),
com um dimetro igual ou superior a 1,8 m para funcionar a uma presso nominal de 2 MPa (300 psi), com
excepo das colunas especialmente preparadas ou concebidas para a produo de gua pesada. Os
contactores internos das colunas so pratos segmentados com um dimetro eficaz assemblado igual ou
superior a 1,8 m, como os pratos perfurados, pratos de vlvula, pratos de formao de bolha e pratos
"Turbogrid", concebidos para facilitar o contacto contra-corrente e feitos de materiais resistentes corroso
por misturas de cido sulfdrico/gua, tais como o ao inoxidvel 304 L ou 316.
4.4. Colunas de destilao hidrogeno-criognicas adequadas para as seguintes aplicaes:
a. Concebidas para funcionar a temperaturas internas iguais ou inferiores a -238C (35 K);
b. Concebidas para funcionar a uma presso interna de 0,5 a 5 MPa (5 a 50 atmosferas);
c. Construdas com aos inoxidveis de granulao fina, da srie 300, com baixo teor de enxofre, ou com
materiais criognicos equivalentes e compatveis com o H(ndice 2); e
d. Com dimetros internos iguais ou superiores a 1 m e comprimentos eficazes iguais ou superiores a 5 m.
4.5. Conversores de sntese de amnia, unidades de sntese de amnia nas quais o gs de sntese
(nitrognio e hidrognio) extrado de uma coluna de permuta amnia/hidrognio de alta presso e a amnia
sintetizada reintroduzida na mesma coluna.

5. EQUIPAMENTO PARA DESENVOLVIMENTO DE SISTEMAS DE IMPLOSO

5.1. Geradores de descarga de raios X ou aceleradores electrnicos por impulsos com uma energia mxima
igual ou superior a 500 KeV, a seguir enumerados, com excepo dos aceleradores que so partes
integrantes de dispositivos concebidos para outros fins que no as radiaes por feixes de electres ou por
raios X (microscopia electrnica, por exemplo), e dos concebidos para fins mdicos:
a. Com uma energia electrnica mxima do acelerador igual ou superior a 500 KeV mas inferior a 25 Mev, e
com um coeficiente de mrito (K) igual ou superior a 0,25, sendo K definido como:
K - 1,7 x 10(elevado a 3) V(elevado a 2,65)Q
em que V a energia electrnica mxima em milhes de elctron-volts e Q a carga acelerada total em
coulombs se a durao de impulso de feixe do acelerador for igual ou inferior a 1 us; se a durao de impulso
de feixe do acelerador for superior a 1 us, Q a carga mxima acelerada em 1 us [Q igual integral de i
em relao a t sobre o menor dos dois valores seguintes: 1 us ou a durao temporal do impulso de feixe (Q
= S. idt), sendo i a corrente do feixe em amperes e t o tempo em segundos]. ou
b. Com uma energia electrnica mxima do acelerador igual ou superior a 25 MeV e uma potncia mxima
superior a 50 MW. [Potncia mxima = (potncial mximo em volts) X (corrente mxima do feixe em
amperes)].
Nota Tcnica: Durao temporal do impulso do feixe - Em mquinas baseadas em cavidades de acelerao
por micro-ondas, a durao temporal do impulso de feixe o menor dos dois valores que se seguem: 1 us ou
a durao do grupo de feixes resultantes de um impulso modulador por micro-ondas.
Corrente mxima do feixe - Em mquinas baseadas em cavidades de acelerao por micro-ondas, a corrente
mxima do feixe a corrente mdia no tempo de durao de um grupo de feixes.
5.2. Disparadores de gs leve multi-estgios ou outros sistemas de disparo de alta velocidade (sistemas de
bobina, electromagnticos, electrotrmicos, ou outros sistemas avanados) capazes de acelerar projcteis a
velocidade igual ou superior a 2 Km por segundo.
5.3. Cmaras mecnicas de espelhos rotativos
Cmaras mecnicas de ajustamento automtico da imagem, com taxas de registo superiores a 225000
imagens por segundo; cmaras de registo de linhas, com velocidades de registo superiores a 0,5 mm por
micro-segundo; e partes das mesmas, incluindo elementos electrnicos de sincronizao e assemblagens de
rotor especialmente concebidas (constitudas por turbinas, espelhos e apoios).
5.4. Cmaras e vlvulas electrnicas de registo de linhas e de ajustamento automtico, a saber:
a. Cmaras electrnicas de ajustamento automtico capazes de um tempo de resoluo igual ou inferior a 50
ns e vlvulas electrnicas de ajustamento automtico para o mesmo fim;
b. Cmaras electrnicas (ou com obturador electrnico) de ajustamento automtico capazes de um tempo de
exposio da imagem igual ou inferior a 50 ns;
c. Vlvulas electrnicas de ajustamento automtico e dispositivos de visualizao no estado slido para
utilizao com as cmaras controladas na alnea b. anterior, seguidamente enumerados:
1. Vlvulas electrnicas de intensificao da imagem focada na proximidade, com o fotoctodo depositado
numa pelcula transparente de revestimento condutor, de forma a diminuir a resistncia laminar fotocatdica;
2. Vlvulas electrnicas vidicon de comando por tela intensificadora de silcio (SIT), nas quais um sistema
rpido permite conduzir os fotoelectres provenientes do fotoctodo antes de estes entrarem em contacto
com a placa SIT;
3. Obturadores electro-pticos com clula de Kerr ou de Pockels;
4. Outras vlvulas electrnicas de ajustamento automtico e dispositivos de visualizao no estado slido,
dotados de um tempo de conduo das imagens rpidas inferior a 50 ns, especialmente concebidos para
cmaras controladas ao abrigo do ponto b. anterior.
5.5. Instrumentao especializada para experincias de hidrodinmica, a saber:
a. Interfermetros de velocidade para medio de velocidades superiores a 1 Km por segundo durante
intervalos de tempo inferiores a 10 us (VISAR, interfermetros de laser Doppler. DLI, etc.);
b. Indicadores de manganina para presses a 100 Kilobars; ou
c. Transdutores de presso em quartzo para presses superiores a 100 Kilobars.

6. EXPLOSIVOS E EQUIPAMENTO AFIM

6.1. Detonadores e sistemas de exploso multipontos (detonadores de fio explosivo, disparadores, etc.)
a. Detonadores explosivos accionados electricamente, a saber:
1. ponte de exploso (EB);
2. detonador de fio explosivo (EBW);
3. disparador e
4. explosivos de folha fina (EFI).
b. Dispositivos que utilizem detonadores simples ou mltiplos, concebidos para dar incio quase
simultaneamente a uma superfcie explosiva (maior que 5000 mm2) a partir de um nico sinal de disparo
(com um tempo de distribuio sobre a superfcie de menos de 2,5 us).
Esclarecimento: Todos os detonadores relevantes para o presente ponto utilizam um pequeno condutor
elctrico (ponte, fio explosivo ou folha fina) que se vaporiza explosivamente quando percorrido por um
impulso elctrico rpido, de alta corrente. Nos tipos sem disparador, o condutor explosivo d incio a uma
detonao qumica num material de contacto altamente explosivo com o PETN (pentaeritritoltetranitrato). Nos
detonadores com disparador, a vaporizao explosiva do condutor elctrico faz mover um "gatilho" ou
"disparador" atravs de uma abertura, e o impacto do disparador sobre um explosivo d incio a uma
detonao qumica. O disparador accionado em alguns modelos por fora magntica. A expresso
"detonador de explosivos de folha fina" pode referir-se tanto a um detonador EB como a um detonador com
disparador. Alm disso, o termo "iniciador" por vezes utilizado em lugar de "detonador". Os detonadores
que utilizam apenas explosivos primrios, como a azida de chumbo, no esto sujeitos a controlo.
6.2. Componentes electrnicos para conjuntos de disparo (dispositivos de comutao e capacitores de
descarga de impulsos).
6.2.1. Dispositivos de comutao
a. Vlvulas electrnicas de ctodo frio (incluindo vlvulas Krytron de gs e vlvulas Sprytron de vcuo),
cheias ou no de gs, funcionando de modo semelhante a um espintermetro, contendo trs ou mais
elctrodos, e com todas as caractersticas seguintes:
1. Tenso nominal mxima andica igual ou superior a 2500 V;
2. Corrente nominal mxima andica igual ou superior a 100 A;
3. Tempo de retardamento andico igual ou inferior a 10 us, e
b. Espintermetros accionados por gatilho, com um tempo de retardamento andico igual ou inferior a 15 us
e avaliados para uma corrente mxima igual ou superior a 500 A;
c. Mdulos ou conjuntos com uma funo de comutao rpida, dotados das seguintes caractersticas:
1. Tenso nominal mxima andica superior a 2000 V;
2. Corrente nominal mxima andica igual ou superior a 500 A; e
3. Tempo de ligao igual ou inferior a 1 us.
6.2.2. Capacitores com as seguintes caractersticas:
a. Tenso nominal superior a 1,4 KV, armazenamento de energia superior a 10 J, capacitncia superior a 0,5
uF e inductncia em srie inferior a 50 nH; ou
b. Tenso nominal superior a 750 V. capacitncia superior a 0,25 uF, e inductncia em srie inferior a 10 nH.
6.3. Conjuntos de disparo e geradores de impulsos equivalentes para alta corrente (para detonadores), a
saber:
a. Conjuntos de disparo para detonadores explosivos concebidos para accionar os detonadores controlados
mltiplos abrangidos pelo ponto 6.1.;
b. Geradores de impulsos (pulsores) elctricos modulares concebidos para utilizao porttil, mvel ou rgida
(incluindo accionadores de lmpadas, xnon), dotados das seguintes caractersticas:
1. Capazes de fornecer a sua energia em menos de 15 us;
2. Com uma produo de energia superior a 100 A;
3. Com um tempo de sada inferior a 10 us para cargas interiores a 40 ohms. (Tempo de sada definido
como o intervalo de tempo que decorre entre uma amplitude de corrente de 10% at 90% ao fazer passar
uma carga resistiva);
4. Estarem contidos em ambiente livre de poeiras;
5. Nenhuma das suas dimenses ser superior a 25,4 cm;
6. Pesarem menos de 25 Kg; e
7. Especificados para utilizao a uma ampla gama de temperaturas (-50C a 100C), ou especificados para
utilizao aeroespacial.
6.4. Explosivos de alta potncia ou substncias ou misturas que contenham mais de 2% de qualquer das
seguintes substncias:
a. Ciclotetrametilenotetranitramina ((HMX);
b. Ciclotrimetilenotrinitramina (RDX);
c. Triaminotrinitrobenzeno (TATB);
d. Qualquer explosivo com uma densidade cristalina superior a 1,8 g/cm3 e com uma velocidade de
detonao superior a 8000 m/s; ou
e. Hexanitrostilbeno (HNS).

7. QUIPAMENTO E COMPONENTES PARA ENSAIOS NUCLEARES

7.1. Osciloscpios e registadores de corrente transitria, e componentes especialmente concebidos, a saber:


unidades intercambiveis, amplificadores externos, pr-amplificadores, dispositivos de colheita de amostras,
e vlvulas de raios catdicos para osciloscpios analgicos.
a. Osciloscpios analgicos no modulares dotados de uma "largura de banda" igual ou superior a 1 GHz;
b. Sistemas de osciloscpios analgicos modulares dotados de uma das seguintes caractersticas:
i. Uma unidade central com uma "largura de banda" igual ou superior a 1 GHz;
ii. Mdulos intercambiveis com uma "largura de banda" individual igual ou superior a 4 GHz;
c. Osciloscpios analgicos de colheita de amostras para a anlise de fenmenos recorrentes com uma
"largura de banda" efectiva superior a 4 GHz;
d. Osciloscpios digitais e registadores de corrente transitria, utilizando tcnicas de converso analgico-
digital, capazes de armazenar impulsos transitrios mediante a colheita sequencial de impulsos nicos de
entrada a intervalos sucessivos inferiores a 1 ns (superiores a 1 giga-amostra por segundo), digitalizando at
uma resoluo igual ou superior a 8 bits e armazenamento 256 ou mais amostras.
Nota Tcnica: Por "largura de banda" entende-se a banda de frequncias na qual a deflexo na vlvula de
raios catdicos no desce abaixo de 70,7% da obtida no ponto mximo, medida com uma voltagem de
entrada constante para o amplificador do osciloscpio.
7.2 Vlvulas fotomultiplicadoras com uma rea fotocatdica superior a 20 cm2, dotadas de um tempo de
sada do impulso andico inferior a 1 ns.
7.3. Geradores de impulsos de alta velocidade, com voltagens de sada superiores a 6 V para uma carga
resistiva inferior a 55-ohm, e com tempos de transio dos impulsos inferiores a 500 ps (definidos como o
intervalo de tempo entre a obteno de uma amplitude de voltagem de 10% e de 90%).

8. OUTROS

8.1. Sistemas geradores de neutres, incluindo vlvulas concebidas para funcionar sem um sistema, de
vcuo externo, e utilizando a acelerao electro-esttica para induzir uma reaco nuclear ttrio-deutrio.
8.2. Equipamento ligado ao manuseamento e processamento de material nuclear e aos reactores nucleares,
a saber:
8.2.1. Telemanipuladores que fornecem a translaco mecnica das aces executadas pelo operador
humano por meios elctricos, hidrulicos ou mecnicos, transmitindo-as a um brao operacional e
aparelhagem terminal que podem ser utilizados para executar aces distncia em operaes de
separao radioqumica e em "clulas quentes". Os manipuladores tm capacidade de penetrar na parede da
clula a uma profundidade igual ou superior a 0,6 m ou, em alternativa, passar sobre o topo da parede de
uma clula com uma espessura igual ou superior a 0,6 m;
8.2.2. Janelas de elevada densidade (vidro com chumbo, ou outro) de proteco contra as radiaes com um
lado maior que 0,3 m e com uma densidade superior a 3 g/cm3 e uma espessura igual ou superior a 100
mm, e caixilhos especialmente concebidos para elas;
8.2.3. Cmaras de TV prova de radiaes, especialmente concebidas ou projectadas como resistentes s
radiaes para suportar mais de 5 x 10(elevado a 4) grays (Si) (5 x 10(elevado a 6)) rad (Si)) sem
degradao operacional, e lentes especialmente concebidas para utilizao nessas cmaras.
8.3. Trtio, compostos de trtio e misturas contendo trtio, nas quais a razo entre o trtio e o hidrognio em
tomos superior a 1 parte em 1000, com excepo de um produto ou dispositivo que no contenha mais de
40 Cl de trtio em qualquer forma qumica ou fsica.
8.4. Instalaes ou fbricas de produo, recuperao, extraco, concentrao ou manuseamento de trtio,
e equipamento, a saber:
a. Unidades de refrigerao do hidrognio ou hlio capazes de arrefecimento at -250C (23K) ou
temperaturas inferiores, com uma capacidade de remoo do calor superior a 150 walts, ou
b. Sistemas de armazenagem e purificao de istopos de hidrognio, utilizando materiais hbridos de metal
como meio de armazenagem ou de purificao.
8.5. Catalisadores platinados especialmente concebidos ou preparados para promover a reaco permuta de
istopos de hidrognio entre o hidrognio e a gua para recuperao do trtio presente na gua pesada ou
para a produo de gua pesada.
8.6. Hlio sob qualquer forma isotopicamente enriquecida no istopo hlio-3, misturado ou no com outros
materiais ou contido em qualquer equipamento ou dispositivo, com excepo dos produtos ou dispositivos
que contenham menos de 1 g de hlio-3.
8.7. Radionucldeos alfa-emissores e equipamento que contenha esses radionucldeos, a saber:
Todos os radionucldeos alfa-emissores com um tempo de semi-vida alfa igual ou superior a 10 dias mas
inferior a 200 anos, incluindo os compostos e misturas que contenham esses radionucldeos, com uma
actividade alfa total igual ou superior a 1 curie por quilograma (37 GBq/Kg), com excepo dos dispositivos
que contenham menos de 100 milicuries (3,7 GBq) de activiade alfa por dispositivo.
Definies
Por "tecnologia" entendem-se as informaes especficas necessrias para o "desenvolvimento", "produo"
ou "utilizao" de qualquer artigo contido no Captulo. Estas informaes podem tomar a forma de "dados
tcnicos" ou de "assistncia tcnica".
Por "informao cientfica de base" entende-se o trabalho experimental ou terico realizado principalmente
com o objectivo de adquirir novos conhecimentos sobre os princpios fundamentais de fenmenos e factos
observveis, e no dirigido prioritariamente para um fim ou objectivo prtico especfico.
O "desenvolvimento" diz respeito a todas as fases anteriores "produo, a saber:
- projecto
- investigao do projecto
- anlise do projecto
- conceitos do projecto
- montagem e ensaio de prottipos
- esquemas-piloto de produo
- dados do projecto
- processo de transformao dos dados do projecto num produto
- projecto de configurao
- projecto de integrao
- formatao.
A expresso "do domnio pblico" - "Do domnio pblico", tal como aqui aplicada, representa a tecnologia
que foi colocada disposio sem restries quanto sua subsequente divulgao (as restries relativas a
direitos de autor no impedem que a tecnologia seja do domnio pblico).
Por "produo" entendem-se todas as fases da produo, a saber:
- construo
- engenharia da produo
- fabrico
- integrao
- montagem
- inspeco
- ensaio
- verificao da qualidade
A expresso "Apoio lgico especialmente concebido" representa os "sistemas mnimos de operao"
"sistemas de diagnstico", "sistemas de manuteno" e o "apoio lgico para aplicaes" que necessrio
executar em determinados equipamentos para que estes desempenhem a funo para que foram
concebidos. Para que seja possvel que outros equipamentos, incompatveis, desempenhem a mesma
funo, necessria:
a. a modificao deste "apoio lgico" ou
b. a adio de "programas".
A "assistncia tcnica" - "Assistncia tcnica" pode assumir formas como: instruo, treino, formao,
mtodos de trabalho, servios de consultadoria.
Nota: A "assistncia tcnica" pode incluir a transferncia de "dados tcnicos".
Os "dados tcnicos" - "Dados tcnicos" podem assumir formas como esquemas, planos, diagramas,
modelos, frmulas, projectos de engenharia e especificaes, manuais e instrues escritos ou gravados em
disquete, fita magntica, memria ROM.
Por "utilizao" entende-se a operao, instalao (incluindo a instalao na central), manuteno
(verificao), reparao, reviso e renovao.

CAPTULO XII
MATERIAIS, INSTALAES, EQUIPAMENTOS, SUPORTE LGICO E TECNOLOGIAS NUCLEARES
CONTEDO

A. MATERIAIS NUCLEARES

A10 "Urnio natural", "urnio empobrecido" e trio.


A20 "Materiais cindveis especiais" e "outros materiais cindveis".
A30 Materiais para fontes trmicas nucleares.
A40 Deutrio, gua pesada, parafinas pesadas e outros compostos de deutrio, misturas e solues que
contenham deutrio.
A50 Grafite de qualidade nuclear.
A60 P de nquel e metal de nquel poroso.
A70 Outros compostos ou ps especialmente preparados para o fabrico de barreiras de difuso gasosa.
B. INSTALAES, EQUIPAMENTOS E SUPORTE LGICO NUCLEARES

B10 Fbricas de separao de istopos de "urnio natural" e "urnio empobrecido", "materiais cindveis
especiais" e "outros materiais cindveis", e ainda equipamento e componentes especialmente concebidos ou
preparados para esse efeito.
B20 Sistemas auxiliares, equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para
fbricas de enriquecimento por centrifugao gasosa ou por difuso gasosa.
B30 Instalaes de produo de hexafluoreto de urnio (UF(ndice 6)), e equipamento e componentes
especialmente concebidos ou preparados para esse efeito.
B40 Instalaes de produo de gua pesada, deutrio ou compostos de deutrio, e equipamento e
componentes especialmente concebidos ou preparados para esse efeito.
B50 Reactores nucleares, equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para
utilizao em combinao com um reactor nuclear.
B60 Instalaes especialmente concebidas para o fabrico de elementos de combustvel para reactores
nucleares, e equipamento especialmente concebido para esse efeito.
B70 Instalaes de reprocessamento de elementos de combustvel irradiado de reactores nucleares, e
equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para esse efeito.
B80 Equipamento de produo de energia, ou de propulso, especialmente concebido para utilizao em
reactores nucleares militares, espaciais, navais ou mveis.
B90 Equipamento especialmente concebido ou preparado para a separao de istopos de ltio.
B100 Equipamento para reactores nucleares: simuladores e equipamento de ensaio mediante ultrassons ou
correntes parasitas.
B110 Suporte lgico especialmente concebido ou modificado para o desenvolvimento, produo ou utilizao
de equipamento ou materiais controlados no mbito do presente Captulo.

MATERIAIS NUCLEARES

A10 "Urnio natural" ou "urnio empobrecido" ou trio sob a forma de metal, liga, composto qumico ou
concentrado e qualquer outro material que contenha um ou mais dos elementos anteriores, excepto:
a) Quantidades para expedio, de peso igual ou inferior a quatro gramas de "urnio natural" ou "urnio
empobrecido", quando contidas num componente sensor em instrumentos;
b) "Urnio empobrecido" especialmente fabricado para as seguintes aplicaes civis no nucleares:
1) Blingagem
2) Embalagem
3) Lastro
4) Contra-peso.
Para efeitos do presente ponto:
1. "Urnio natural" significa o urnio que contm as misturas de istopos que ocorrem na natureza.
2. "Urnio empobrecido" significa o urnio empobrecido no istopo 235 em comparao com o que ocorre na
natureza.
A20 "Materiais cindveis especiais" e "outros materiais cindveis", excepto:
Quantidades para expedio de peso igual ou inferior a quatro "gramas efectivos", quando contidas num
componente sensor em instrumentos.
Para efeitos do presente ponto:
1. "Material cindvel especial" significa o plutnio-239, o urnio enriquecido nos istopos 235 ou 233, e
qualquer material que contenha os elementos anteriores.
2. "Urnio enriquecido nos istopos 235 ou 233" significa o urnio que contenha os istopos 235 ou 233, ou
ambos, numa quantidade tal que a relao de abundncia entre a soma destes istopos e o istopo 238 seja
superior relao de abundncia entre o istopo 235 e o istopo 238 que ocorre na natureza (relao
isotpica: 0,72 por cento).
3. "Outros materiais cindveis" significa o amercio 242m, o crio-245 e -247, o califrnio-249 e -251, istopos
de plutnio com excepo do -239, todos eles "previamente separados", e qualquer material que contenha os
elementos anteriores.
4. "Grama efectivo" de "material cindvel especial" ou "outro material cindvel" define-se da seguinte forma:
a) Para os istopos de plutnio e o urnio-233, o peso isotpico em gramas;
b) Para o urnio enriquecido em um por cento ou mais no istopo U-235, o peso elementar em gramas,
multiplicado pelo quadrado do seu enriquecimento expresso com fraco decimal do peso;
c) Para o urnio enriquecido em menos de um por cento no istopo U-235, o peso elementar em gramas,
multiplicado por 0,0001;
d) Para o amercio-242 m, o crio-245 e -247, e o califrnio -249 e -251, o peso isotpico em gramas,
multiplicado por 10.
5. O termo "previamento separado" significa a aplicao de qualquer processo que tenha por objectivo
aumentar a concentrao do istopo controlado.
A30 Materiais para fontes trmicas nucleares, a saber:
a. Plutnio sob qualquer forma, com um teor do istopo plutnio-238 de mais de 50%, excepto:
Quantidades para expedio, de peso igual ou inferior a trs gramas, quando contidas num componente
sensor em instrumentos.
b. Neptnio-237 "previamente separado", sob qualquer forma, excepto:
Quantidades para expedio com um teor de neptnio-237 igual ou inferior a um grama.
Para efeitos do presente ponto:
O termo "previamente separado" significa a aplicao de qualquer processo que tenha por objectivo
aumentar a concentrao do istopo controlado.
A40 Deutrio, gua pesada, parafinas pesadas e outros compostos de deutrio, e misturas e solues que
contenham deutrio, em que a relao isotpica entre o deutrio e o hidrognio exceda 1:5000.
A50 Grafite, de qualidade nuclear, com um grau de pureza inferior a 5 partes por milho de equivalente de
boro e com uma densidade superior a 1,5 g/cm3.
A60 P de nquel e metal de nquel poroso, a saber:
a. P com teor de pureza de nquel igual ou superior a 99,9% e com tamanho mdio das partculas inferior a
10 micrmetros quando medidas pela norma ASTM B 330, e com um elevado grau de uniformidade no
tamanho das partculas.
b. Metal de nquel poroso proveniente de materiais controlados pela alnea a. anterior, com excepo das
folhas de nquel poroso que no excedam 930 cm2, destinadas a utilizao em pilhas para aplicaes civis.
A70 Outros compostos ou ps especialmente preparados, resistentes corroso pelo UF(ndice 6) (por
exemplo, xido de alumnio ou polmeros de hidrocarbonetos totalmente fluorados), para fabrico de barreiras
de difuso gasosa, com uma pureza igual ou superior a 99,9% e um tamanho mdio das partculas inferior a
10 micrmetros quando medidas pela norma ASTM B 330 e com um grau elevado de uniformidade no
tamanho das partculas.
INSTALAES, EQUIPAMENTO E SUPORTE LGICO NUCLEARES
B10 Fbricas de separao de istopos de "urnio natural" e "urnio empobrecido", "materiais cindveis
especiais" e "outros materiais cindveis", e ainda equipamento e componentes especialmente concebidos ou
preparados para esse efeito, a saber:
a. Instalaes especialmente concebidas para a separao de istopos de "urnio natural" e "urnio
empobrecido", "materiais cindveis especiais" e "outros materiais cindveis", seguidamente enumerados:
1. Fbricas de separao por difuso gasosa;
2. Fbricas de separao por centrifugao a gs;
3. Fbricas de separao aerodinmica;
4. Fbricas de separao por permuta qumica;
5. Fbricas de separao por permuta inica;
6. Fbricas de separao isotpica por "laser" de vapor atmico;
7. Fbricas de separao isotpica por "laser" de gs molecular;
8. Fbricas de separao do plasma;
9. Fbricas de separao electromagntica.
b. Equipamento e componentes, seguidamente enumerados, especialmente concebidos ou preparados para:

1. Processo de separao por difuso gasosa:


a. Vlvulas totalmente feitas ou revestidas com alumnio, ligas de alumnio, nquel ou uma liga que contenha
60% ou mais de nquel, de dimetro igual ou superior a 40 mm, com empanques de fole;
b. Ventiladores e compressores (do tipo turbo, centrfugo e de circulao axial) totalmente feitos ou
revestidos com materiais resistentes ao UF(ndice 6) (por exemplo, alumnio, ligas de alumnio, nquel ou
uma liga que contenha 60% ou mais de nquel), com uma capacidade igual ou superior a 1000 litros por
minuto, e vedantesa eles destinados, concebidos para permitir uma taxa de entrada de gases tampo inferior
a 1000 cm3/min.;
c. Barreiras de difuso gasosa feitas de materiais porosos, polimricos ou cermicos, resistentes corroso
pelo UF(ndice 6), com uma dimenso de poro inferior a 1000 angstroms, uma espessura igual ou inferior a 5
mm e, no caso das formas tubulares, um dimetro igual ou inferior a 25 mm;
d. Cmaras de difuso gasosa;
e. Permutadores de calor feitos de alumnio, cobre nquel ou ligas que contenham mais de 60% de nquel, ou
combinaes destes metais sob a forma de tubos revestidos, concebidos para funcionar a uma presso sub-
atmosfrica, com uma taxa de perda que limite o aumento de presso para menos de 10 pascal (0,1 milibar)
por hora sob uma diferena de presso de 10(elevado a 5) pascal (1 bar).
2. Processo de separao por centrifugao a gasosa:
a. Centrfugas gasosas;
b. Conjuntos completos com rotor;
c. Cilindros de tubos de rotor com uma espessura igual ou inferior a 12 mm, um dimetro de 75 mm a 400
mm, feitos de materiais com uma relao elevada resistncia-densidade, descritos na Nota.
d. Apoios de suspenso magntica constitudos por um magnete anular suspenso no interior de uma caixa
onde existe um meio de amorteciemnto. O magnete liga-se a um polo ou a um segundo magnete fixado na
cpsula superior do rotor;
e. Apoios especialmente preparados, constitudos por conjunto pivot-copo montada num amortecedor;
f. Anis ou foles com uma espessura de paredes igual ou inferior a 3 mm e um dimetro de 75 mm a 400
mm, concebidos para dar apoio localizado a um tubo de rotor ou para reunir vrios desses tubos, feitos de
materiais com uma relao elevada resistncia-densidade descritos na Nota;
g. ...com um dimetro de 75 mm a 400 mm, concebidos para serem montados no interior de um tubo de
rotor, feitos de materiais com uma relao elevada resistncia-densidade descritos na Nota;
h. Tampas superior e inferior, com um dimetro de 75 mm a 400 mm, concebidas para se adaptarem s
extremidades do tubo do rotor, feitas de materiais com uma relao elevada resistncia densidade descritos
na Nota;
Nota: Os materiais com uma relao elevada resistncia densidade utilizados para a construo dos
componentes rotativos de centrifugao so os seguintes:
a) Ao Maraging dotado de uma resistncia mxima traco igual ou superior a 2,05 x 10(elevado a 9)
pascal;
b) Ligas de alumnio dotadas de uma resitncia mxima traco igual ou superior a 0,46 x 10(elevado a 9)
pascal;
c) Materiais fibrosos ou filamentares com um mdulo especfico igual ou superior a 3,18 x 10(elevado a 6)m e
uma resistncia especfica traco superior a 7,62 x 10(elevado a 4)m.
i. Bombas moleculares constitudas por cilindros providos de sulcos helicoidais fresados ou alongados e de
furos fresados internamente;
j. Estatores de motor, em forma de anel, para motores multifsicos de histerese AC (ou resistncia
magntica), destinados a funcionamento sincronizado no vcuo na gama de frequncias de 600 a 2000 Hz e
a uma potncia de 50 a 1000 Volt-Amps;
k. Modificadores de frequncia (conversores ou inversores) especialmente concebidos ou preparados para a
alimentao de estatores de motor para enriquecimento por centrifugao gasosa, dotados de todas as
caractersticas que se seguem, e componentes especialmente concebidos para esse efeito:
a. Frequncia elctrica multifsica de sada de 600 a 2000 Hz;
b. Controlo de frequncia melhor que 0,1%;
c. Distoro harmnica inferior a 2%; e
d Eficincia superior a 80%.
3. Processo de separao aerodinmica:
a. Bocais de separao constitudos por canais curvos em forma de fenda, com um raio de curvatura inferior
a 1 mm (o interior do bocal provido de uma lmina que separa o fluxo de gs que passa pelo bocal em
duas correntes);
b. Tubos, cilindrcos ou cnicos, activados pelo fluxo de entrada tangencial, especialmente concebidos para a
separao de istopos de urnio;
c. Compressores a hlio para o UF(ndice 6)-hidrognio totalmente feitos ou revestidos com alumnio, ligas
de alumnio, nquel ou uma liga que contenha 60% ou mais de nquel, incluindo as vedantes do compressor;
d. Caixas de elementos de separao aerodinmica, especialmente concebidos para conter tubos de vrtice
ou bocais de separao;
e. Permutadores de calor feitos de alumnio, cobre, nquel ou uma liga que contenha mais de 60% de nquel,
ou combinaes destes metais na forma de tubos revestidos, concebidos para funcionar a presses iguais ou
inferiores a 6 x 10(elevado a 5) pascal (6 bar).
4. Processo de separao por permuta qumica:
a. Contactores centrfugos de permuta rpida lquido-lquido ou colunas pulsantes de permuta rpida lquido-
lquido feitas de materiais revestidos de compostos fluorocarbonados;
b. Clulas de reduo electroqumica concebidas para reduzir o urnio de um estado de valncia para outro.
5. Processo de separao por permuta inica, incluindo resinas de permuta inica de reaco rpida; resinas
peliculares, reticuladas, nas quais os grupos de permuta qumica activos se limitam a um revestimento na
superfcie de uma partcula ou fibra inerte.
6. Processo de separao isotpica por laser de vapor atmico:
a. Disparadores de feixes electrnicos de alta potncia, sendo a potncia total superior a 50 KW e
disparadores de feixes electrnicos por faixas ou varrimento, com uma potncia fornecida superior a 2,5
KW/cm para utilizao em sistemas de vaporizao do urnio;
b. Cadinho em forma de bacia e equipamento de refrigerao para urnio fundido;
c. Sistemas de recolha de produtos e materiais residuais, feitos ou revestidos de materiais resistentes ao
calor e corroso do vapor do urnio, tais como a grafite revestida com trio.
7. Processo de separao isotpica por laser de gs molecular:
a. Bocais de expanso supersnica concebidos para gs portador de UF(ndice 6);
b. Colectores de filtrao de produtos com fluoreto de urnio (UF(ndice 5));
c. Equipamento para fluorao do UF(ndice 5) em UF(ndice 6);
d. Compressores de gs portador de UF(ndice 6) totalmente feitos ou revestidos com alumnio, ligas de
alumnio, nquel ou uma liga que contenha 60% ou mais de nquel, incluindo os vedantes dos compressores.
8. Processo de separao do plasma:
a. Colectores de produtos e materiais residuais, feitos ou revestidos com materiais resistentes ao calor e
corroso do vapor de urnio, tais como a grafite revestida com trio;
b. Bobinas de excitao inica por rdio-frequncia, para frequncias superiores a 100 KHz, capazes de
suportar potncias superiores a 40 KW.
B20 Sistemas auxiliares, equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para
fbricas de enriquecimento por centrifugao gasosa ou por difuso gasosa, seguidamente enumerados,
feitos ou revestidos com materiais resistentes ao UF(ndice 6):
a. Autoclaves de alimentao, utilizados para a passagem do UF(ndice 6) para a difuso gasosa ou
cascatas de centrifugao, capazes de funcionar a presses iguais ou inferiores a 300 Kpascal;
b. Dessublimadores ou sistemas de captura a frio, utilizados para remover o UF(ndice 6) provenientes da
difuso gasosa ou das cascatas de centrifugao, capazes de funcionar a presses iguais ou inferiores a 300
Kpascal;
c. Estaes de "produtos" e "materiais residuais" utilizadas para a captura e transferncia do UF(ndice 6)
para contentores;
d. Estaes de liquefaco, onde o UF(ndice 6) proveniente da difuso gasosa ou das cascatas de
centrifugao sujeito a compresso e arrefecimento formando UF(ndice 6) lquido, capaz de funcionar a
presses iguais ou inferiores a 300 Kpascal;
e. Sistemas de tubagens e sistemas de colectores especialmente concebidos para o manuseamento do UF
(ndice 6) no interior da difuso gasosa ou das cascatas de centrifugao;
f. Distribuidores de vcuo, colectores de vcuo e bombas de vcuo, especialmente concebidos, com uma
capacidade de suco igual ou superior a 5 m3/minuto;
g. Espectmetros de massa UF(ndice 6)/fontes de ies especialmente concebidos ou preparados para
colher amostras "em contnuo" de materiais de alimentao, produtos ou descargas provenientes dos fluxos
de gs UF(ndice 6) e dotados das seguintes caractersticas:
a. Resoluo por unidade de massa superior a 320;
b. Fontes de ies construdas ou revestidas com nquel-crmio ou monel ou folheadas a nquel; e
c. Fontes de ionizao por bombardeamento electrnico.
B30 Instalaes de produo de hexafluoreto de urnio (UF(ndice 6)) e equipamento e componentes
especialmente concebidos ou preparados para esse efeito, a saber:
a. Instalaes para a produo de UF(ndice 6);
b. Equipamento e componentes, a seguir enumerados, especialmente concebidos ou preparados para a
produo de UF(ndice 6):
1. Reactores de fluorao e hidrofluorao em hlice e leito fluidizado, e torres de chama;
2. Equipamento de destilao para a purificao do UF(ndice 6).
B40 Instalaes de produo de gua pesada, deutrio ou compostos de deutrio, e equipamento e
componentes especialmente concebidos ou preparados para esse efeito, a seguir enumerados:
a. Instalaes de produo de gua pesada, deutrio ou compostos de deutrio, a saber:
1. Instalaes de permuta cido sulfdrico-gua;
2. Instalaes de permuta amonaco-hidrognio;
3. Instalaes de destilao de hidrognio.
b. Equipamento e componentes, a seguir enumerados, concebidos para:
1. Processo de permuta cido sulfdrico-gua:
a. Colunas de permuta com pratos;
b. Compressores de gs para cido sulfdrico.
2. Processo de permuta amonaco-hidrognio:
a. Colunas de permuta amonaco-hidrognio a alta presso;
b. Contactores de andares de alta eficincia;
c. Bombas de recirculao de andares submergveis;
d. Fraccionadores de amonaco, concebidos para presses superiores a 3 MPa (30 bar).
3. Processo de destilao do hidrognio:
a. Colunas de destilao criognica do hidrognio e caixas de frio concebidas para funcionamento a menos
de 35 K;
b. Turbo-expansores ou conjuntos turbo-expansor-compressor concebidos para funcionamento a menos de
35 K.
4. Processo de concentrao da gua pesada at ao nvel requerido pelo reactor (99,75% de xido de
deutrio):
a. Colunas de destilao da gua contendo invlucros especialmente concebidos;
b. Colunas de destilao de amonaco contendo invlucros especialmente concebidos;
c. Queimadores catalticos para a converso de deutrio totalmente enriquecido em gua pesada;
d. Analisadores de absoro de infra-vermelhos, capazes de analisar a relao hidrognio-deutrio "em
contnuo" quando as concentraes de deutrio forem iguais ou superiores a 90%.
B50 Reactores nucleares, isto , reactores capazes de funcionar mantendo uma reaco de ciso em cadeia
controlada e auto-sustentada, e equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para
utilizao em combinao com o reactor nuclear, incluindo:
a. Vasos de presso, isto , cubas metlicas como unidades completas ou como partes integrantes da sua
construo, especialmente concebidas ou preparadas para a conteno do ncleo de um reactor nuclear e
capazes de suportar a presso em funcionamento do fludo refrigerante primrio, incluindo a placa superior
da cuba de presso de reactor;
b. Equipamento para o manuseamento de elementos do combustvel, incluindo mquinas de carga e
descarga do combustvel do reactor;
c. Barras de controlo, isto , barras especialmente concebidas ou preparadas para o controlo da taxa de
reaco num reactor nuclear, incluindo a parte de absoro de neutres e o apoio das respectivas estruturas
de suspenso, bem como os tubos de guia das barras de controlo;
d. Dispositivos electrnicos para controlo dos nveis de energia em reactores nucleares, incluindo
mecanismos de comando das barras de controlo do reactor e instrumentos de deteco e medio para
determinar os nveis de fluxo dos neutres;
e. Tubos de presso, isto , tubos especialmente concebidos ou preparados para conter os elementos do
combustvel e o fludo refrigerante primrio num reactor nuclear a presses de funcionamento superiores a
50 atmosferas;
f. Tubos ou conjuntos de tubos, feitos de zircnio metal ou de liga de zircnio, em que a relao
hfniozircnio inferior a 1:500 em peso, especialmente concebidos ou preparados para utilizao num
reactor nuclear;
g. Bombas de refrigerao, isto , bombas especialmente concebidas ou preparadas para fazer circular o
fludo refrigerante primrio dos reactores nucleares;
h. Componentes internos especialmente concebidos ou preparados para o funcionamento do reactor nuclear,
incluindo as estruturas de apoio do ncleo, a blindagem trmica, deflectores, as placas superiores do ncleo
e as placas do difusor;
i. Permutadores de calor.
B60 Instalaes especialmente concebidas para o fabrico de elementos de combustvel de reactores
nucleares, e equipamento especialmente concebido para esse efeito.
Nota: Uma instalao de fabricao de elementos de combustvel de reactores nucleares inclui equipamento
que:
a) Entra normalmente em contacto directo, ou processa directamente, ou controla o fluxo de produo de
materiais nucleares;
b) Confina hermeticamente os materiais nucleares no interior da blindagem;
c) Verifica a integridade da bainha ou do seu confinamento; e
d) Verifica o tratamento final do combustvel slido.
B70 Instalaes de reprocessamento de elementos de combustvel irradiados de reactores nucleares, e
equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para esse efeito, incluindo:
a. Mquinas para cortar ou rasgar elementos de combustvel, isto , equipamento telecomandado destinado
a cortar, talhar ou rasgar elementos de combustvel, feixes ou varas;
b. Tanques de dissoluo, isto , tanques criticalmente seguros (por exemplo, tanques de pequeno dimetro,
anulares ou de pequena altura), especialmente concebidos ou preparados para a dissoluo do combustvel
irradiado do reactor nuclear, capazes de suportar lquidos quentes e altamente corrosivos, e que possam ser
alimentados e mantidos por controlo remoto;
c. Extractores de solventes em contracorrente e equipamento de processamento por permuta inica,
especialmente concebidos ou preparados para utilizao numa instalao de reprocessamento de "urnio
natural" irradiado, de "urnio empobrecido" ou de "materiais cindveis especiais" e de "outros materiais
cindveis";
d. Instrumentao de controlo de processos, especialmente concebida ou preparada para a monitorizao ou
o controlo do reprocessamento de urnio natural, "urnio empobrecido" ou de "materiais cindveis especiais"
e "outros materiais cindveis irradiados";
e. Recipientes de reteno ou de armazenagem, especialmente concebidos de forma a serem criticalmente
seguros e resistentes aos efeitos corrosivos do cido ntrico.
Os tanques criticalmente seguros podem ter as seguintes caractersticas:
1. Paredes ou estruturas internas com um equivalente de boro de pelo menos dois por cento; ou
2. Um dimetro mximo de 175 mm (7 in.) para os recipientes cilindrcos; ou
3. E uma largura mxima de 75 mm (3 in.) no caso dos tanques de pouca altura ou anulares;
f. Sistemas completos especialmente concebidos ou preparados para a converso de nitrato de plutnio em
xido de plutnio;
g. Sistemas completos especialmente concebidos ou preparados para a produo de plutnio metal.
B80 Equipamento de produo de energia, ou equipamento de propulso, especialmente concebido para
utilizao com reactores nucleares militares, espaciais, navais ou mveis.
Nota: Este ponto no se aplica ao equipamento convencional de produo de energia que, embora
concebido para ser utilizado numa determinada central nuclear, pode em princpio ser utilizada em conjuno
com sistemas convencionais.
B90 Equipamento, a seguir enumerado, especialmente concebido ou preparado para a separao de
istopos de ltio:
a. Colunas de enchimento para a permuta lquido-lquido, especialmente concebidas para amlgamas de
ltio;
b. Bombas de amlgama;
c. Clulas de electrlise de amlgamas;
d. Evaporadores para soluo concentrada de hidrxido de ltio.
B100 Equipamento para reactores nucleares:
a. Simuladores especialmente concebidos para reactores nucleares;
b. Equipamento de ensaio ultrassnico ou electromagntico especialmente concebido para reactores
nucleares.
B110 Apoio lgico especialmente concebido ou modificado para o desenvolvimento, produo ou utilizao
de equipamento ou materiais controlados no mbito do presente Captulo.
Para efeitos da presente nota:
Por "tecnologia" entendem-se todas as informaes especficas necessrias para o "desenvolvimento",
"produo" ou "utilizao" de qualquer artigo contido no Captulo. Estas informaes assumem a forma de
"dados tcnicos" ou de "assistncia tcnica".
Por "investigao cientfica de base" entende-se o trabalho experimental ou terico realizado principalmente
com o objectivo de adquirir novos conhecimentos sobre os princpios fundamentais de fenmenos e factos
observveis, e no dirigido prioritariamente para um fim ou objectivo prtico especfico.
Por "desenvolvimento" entendem-se todas as fases anteriores "produo", a saber: projecto, investigao
do projecto, anlise do projecto, conceitos do projecto, montagem e ensaio de prottipos, esquemas-piloto de
produo, dados do projecto, processo de transformao dos dados do projecto num produto, projecto de
configurao, projecto de integrao, planos de execuo.
A expresso "do domnio pblico", tal como aqui aplicada, representa a tecnologia que foi colocada
disposio sem restries quanto sua subsequente divulgao (as restries relativas a direitos de autor
no impedem que a "tecnologia" seja "do domnio pblico").
Por "produo" entendem-se todas as fases de produo tais como: construo, engenharia da produo,
fabrico, integrao, (montagem), inspeco, ensaio, garantia de qualidade.
A "assistncia tcnica" pode assumir formas como: instruo, treino, formao, mtodos de trabalho, servios
de consultoria.
Nota: A "assistncia tcnica" pode incluir a transferncia de "dados tcnicos".
Os "dados tcnicos" podem assumir formas como esquemas, planos, diagramas, modelos, frmulas,
projectos de engenharia e especificaes manuais e instrues escritos ou gravados em disquete, fita
magntica, memria ROM. "Por utilizao" entende-se a operao, instalao (incluindo instalao na
central), manuteno (verificao), reparao, reviso e renovao.
Definies
Por "tecnologia" entendem-se as informaes especficas necessrias para o "desenvolvimento", "produo"
ou "utilizao" de qualquer artigo contido no Captulo. Estas informaes podem tomar a forma de "dados
tcnicos" ou de "assistncia tcnica".
Por "informao cientfica de base" entende-se o trabalho experimental ou terico realizado principalmente
com o objectivo de adquirir novos conhecimentos sobre os princpios fundamentais de fenmenos e factos
observveis, e no dirigido prioritariamente para um fim ou objectivo prtico especfico.
O "desenvolvimento" diz respeito a todas as fases anteriores "produo", a saber:
- Projecto
- Investigao do projecto
- Anlise do projecto
- Conceitos do projecto
- Montagem e ensaio de prottipos
- Esquemas-piloto de produo
- Dados do projecto
- Processo de transformao dos dados do projecto num produto
- Projecto de configurao
- Projecto de integrao
- Formatao.
A expresso "do domnio pblico" - "Do domnio pblico", tal como aqui aplicada, representa a tecnologia
que foi colocada disposio sem restries quanto sua subsequente divulgao (as restries relativas a
direitos de autor no impedem que a tecnologia seja do domnio pblico).
Por "produo" entendem-se todas as fases de produo, a saber:
- Construo
- Engenharia da produo
- Fabrico
- Integrao
- Montagem (montagem)
- Inspeco
- Ensaio
- Verificao da qualidade.
A expresso "apoio lgico especialmente concebido" representa os "sistemas mnimos de operao",
"sistemas de diagnstico", "sistemas de manuteno" e o "apoio lgico para aplicaes" que necessrio
executar em determinados equipamentos para que estes desempenhem a funo para que foram
concebidos. Para que seja possvel que outros equipamentos, incompatveis, desempenhem a mesma
funo, necessria:
a. a modificao deste "apoio lgico" ou
b. a adio de "programas".
A "assistncia tcnica" - "Assistncia tcnica" pode assumir formas como: instruo, treino, formao,
mtodos de trabalho, servios de consultoria.
Nota: A "assistncia tcnica" pode incluir a transferncia de "dados tcnicos".
Os "dados tcnicos" - "Dados tcnicos" podem assumir formas como esquemas, planos, diagramas,
modelos, frmulas, projectos de engenharia e especificaes, manuais e instrues escritos ou gravados em
disquete, fita magntica, memria ROM.
Por "utilizao" entende-se a operao, instalao (incluindo a instalao na central), manuteno
(verificao), reparao, reviso e renovao.

CAPTULO XIII
EQUIPAMENTOS E TECNOLOGIA DE MSSEIS

INTRODUO

a. Este Captulo integra duas categorias de Itens, que abrangem equipamento e "tecnologia". Os Itens da
Categoria I, os quais se incluem na sua totalidade nos Itens 1 e 2 deste Captulo, so os de maior
sensibilidade. Se um Item da Categoria I est incorporado num sistema, esse sistema ser tambm
considerado da Categoria I, excepto quando o Item incorporado no possa ser separado, retirado ou
reproduzido.
Os Itens da Categoria II so aqueles que neste Captulo no constam na Categoria I.
b. A transferncia de "tecnologia" directamente associada com qualquer dos Itens deste Captulo estar
sujeita ao mesmo grau de exame e de controlo que o prprio equipamento, no grau em que a legislao
nacional o permita. A autorizao de exportao de qualquer Item deste Captulo tambm autoriza a
exportao ao mesmo utilizador final da tecnologia mnima exigida para a instalao, operao, manuteno
e reparao do Item.

DEFINIES

Para os fins do presente ANEXO TCNICO aplicam-se as seguintes definies:


a. "Desenvolvimento" relaciona-se com todas as fases anteriores "produo" tais como:
- a concepo
- os estudos de concepo
- as anlises de concepo
- a metodologia de concepo
- a montagem e os ensaios de prottipos
- os esquemas-piloto de produo
- os elementos de base ("data") para a concepo
- o processo de transformao do conceito ao produto
- a gesto da configurao
- os mtodos de integrao
- os ante-projectos
b. Um "microcircuito" definido como um dispositivo no qual um nmero passivo e/ou activo de elementos
so considerados como associados de forma indivisvel numa ou dentro de uma estrutura contnua, de forma
a assegurar a funo de um circuito.
c. A "Produo" abrange todas as fases de fabricao tais como:
- a engenharia de produo
- o fabrico
- a integrao
- a montagem
- a inspeco
- os ensaios
- a garantia da qualidade
d. "Equipamento de produo" engloba ferramentas, gabaris, montagens, mandris, moldes, matrizes,
aparelhagens, mecanismos de alinhamento, equipamentos de ensaio, as outras mquinas e os seus
componentes, limitados a todos os que foram especialmente concebidos ou modificados para o
"desenvolvimento" ou para uma ou mais fases da "produo".
e. "Meios de produo" engloba os equipamentos e o respectivo suporte lgico ("software"), especialmente
concebidos para esse fim, integrados em instalaes para "desenvolvimento" ou para uma ou mais fases de
produo.
f. "Resistente s radiaes" ("radiation hardened") significa que o componente ou equipamento foi concebido
ou avaliado para suportar nveis de radiao que atingem ou excedem um total de radiao de 5 x 10
(elevado a 5) rads (Si).
g. "Tecnologia" significa a informao especfica que necessria para o "desenvolvimento", a "produo" ou
a "utilizao" de um produto.
A informao pode assumir a forma de "dados tcnicos" ou "assistncia tcnica".
1. A "assistncia tcnica" pode assumir a forma de:
- formao
- transferncia de conhecimentos especficos
- treino
- transferncia de saber fazer ("know how") relativo produo
- servios de consultadoria
2. "Dados tcnicos" podem assumir a forma de:
- projectos
- planos
- diagramas
- modelos
- frmulas
- esquemas e especificaes de engenharia
- manuais e instrues escritas ou gravadas noutros suportes tais como:
- disco
- banda magntica
- memria ROM
Nota: A definio de "tecnologia" no inclui tecnologia "do domnio pblico" ou mesmo da "investigao
fundamental".
a. "Do domnio pblico", como empregue neste ANEXO, significa tecnologia que foi posta disposio sem
restries sobre a sua difuso futura (as restries de direitos de propriedade - "copyright" - no excluem a
tecnologia "do domnio pblico".
b. "Investigao fundamental" significa o trabalho experimental ou terico efectuado principalmente para
adquirir novos conhecimentos sobre os princpios fundamentais dos fenmenos e factos observveis, que
so primariamente orientados para uma finalidade ou aplicao especfica.
h. A "utilizao" significa:
- a operao
- a instalao (inclui instalao no local)
- a manuteno
- a reparao
- a reviso
- a remodelao

TERMINOLOGIA

Os termos abaixo mencionados devem, no presente texto, ser entendidos de acordo com as seguintes
definies:
a. "Especialmente concebido" descreve equipamento, peas, componentes ou suporte lgico ("software")
que, como resultado do "desenvolvimento" possuem propriedades nicas que as destinam a utilizaes
predeterminados. Por exemplo, uma pea de equipamento que foi "especialmente concebida" para ser usada
num mssel s ser considerada se no tiver qualquer outra funo ou utilizao. Do mesmo modo, uma
pea de equipamento que "especialmente concebida" para produzir um certo tipo de componentes s ser
assim considerada se no estiver apta a produzir outro tipo de componentes.
b. "Concebido ou modificado" descreve os equipamentos, peas, componentes ou suporte lgico ("software")
que, como resultado do seu "desenvolvimento" ou modificao, possuem propriedades especficas que as
tornam adaptveis para uma aplicao especfica. Os equipamentos, peas, componentes ou suporte lgico
("software") "concebido ou modificado" podem ser utilizados em outras aplicaes. Por exemplo, uma bomba
revestida a titnio, concebida para um mssil pode ser utilizada com fluidos corrosivos que no sejam os
propelantes.
c. "Utilizvel em" ou "apto para" descreve equipamentos, peas, componentes ou suporte lgico ("software")
que se adaptam a uma utilizao especfica. No h necessidade do equipamento, peas, componentes ou
suporte lgico ("software") serem configurados, modificados ou especificados para a aplicao particular. Por
exemplo, qualquer circuito de memria de especificao militar "estaria apto" para operar num sistema de
guiamento.

CAPTULO XIII
EQUIPAMENTO E TECNOLOGIA DE MSSEIS

ITEM 1 - CATEGORIA I
Os sistemas foguetes completos (inclui os msseis balsticos, os veculos de lanamento espacial e os
foguetes-sonda) e os veculos areos no pilotados (inclui os msseis de cruzeiro, os alvos no rebocados -
"target-drones" - e os engenhos de reconhecimento no tripulados - "reconnaissance drones") aptos para
transportar uma carga til de pelo menos 500 Kg a uma distncia da ordem de 300 Km, assim como os
meios de produo especialmente concebidos para estes sistemas.
Nota: A expresso "veculo areo no pilotado" ser entendida neste Captulo como qualquer veculo de voo
no balstico, movimentando-se na atmosfera, guiado e/ou pilotado, sem a interveno de pessoal a bordo.

ITEM 2 - CATEGORIA I

Subsistemas completos utilizveis nos sistemas do Item 1, como segue, assim como os "meios e
equipamentos de produo" especialmente concebidos para o efeito:
a. Os andares de foguete;
b. Os veculos de reentrada e os equipamentos correspondentes especialmente concebidos ou modificados,
como segue, excepto para os concebidos para as cargas teis no militares e que constam na Nota 1:
1. Blindagens trmicas e os seus componentes fabricados em materiais cermicos ou ablativos;
2. Dissipadores de calor e os seus componentes fabricados em materiais ligeiros e de elevada capacidade
trmica;
3. Equipamentos electrnicos especialmente concebidos para os veculos de reentrada;
c. Motores-foguete a propulsante slido ou lquido tendo uma capacidade total de impulso de 1,1 x 10
(elevado a 6) N-seg (2,5 x 10(elevado a 5) lb-seg) ou superior;
d. Sub-conjuntos de guiamento que conferem uma preciso de alcance da ordem de 3,33% ou superior (ex:
CIP de 10 Km ou menos a uma distncia de 300 Km); excepto os concebidos para os msseis com um
alcance inferior a 300 Km e para os avies pilotados, e que constam na Nota 1;
e. Os subsistemas de controlo do vector impulso, excepto os que foram concebidos para sistemas de foguete
cujo alcance/carga no excedam os definidos no Item 1;
f. Os mecanismos de segurana, de armamento, de detonao e de disparo da ogiva, excepto os que
constam na Nota 1 e que so concebidos para os sistemas no includos no Item 1.
Notas: 1. As excepes s alneas b., d., e. e f. podem ser consideradas como CATEGORIA II se o
subsistema for exportado com as garantias sobre a sua utilizao final e nos limites de quantidade
compatveis com as utilizaes finais acima mencionadas.
2. CIP (crculo de igual probabilidade) uma medida de preciso definida como o raio de crculo centrado no
alvo, para uma dada distncia, no qual 50% das cargas teis fazem impacto.
3. Um "subconjunto de guiamento" integra o processo de medio e de clculo da velocidade e da posio
de um veculo (ex: que asseguram a funo navegao) como o de clculo e emisso de ordens para os
sistemas de comando do veculo em voo, por forma a corrigir a sua trajectria.
4. Os mtodos utilizados para atingir o controlo do vector impulso que so abrangidos pela alnea e. incluem:
a. Tubeira de escape flexvel;
b. Injeco de fluido ou de gs secundrio;
c. Tubeira de escape ou motor orientvel;
d. Deflexo do fluxo dos gases de escape (palhetas ou sondas);
e. Compensadores de impulso flexveis.

ITEM 3 - CATEGORIA II

Componentes e equipamentos de propulso utilizados nos sistemas do Item 1, como segue, assim como os
"meios de produo" e "equipamento de produo" especialmente concebidos:
a. Os turbo-reactores e turbo-propulsores ligeiros (inclui motores turbo-compostos), pequenos e de pouco
consumo;
b. Os estato-reactores subsnicos e supersnicos, pulsoreactores, motores de ciclos combinados, incluindo
dispositivos de regulao da combusto e os seus componentes especialmente concebidos;
c. O crter de motores-foguete, os seus "revestimentos interiores", os "isoladores" e os injectores;
d. Os dispositivos de andares, os mecanismos de separao de andares e os dispositivos entre-andares;
e. Os sistemas de controlo de propulsantes lquidos e viosos (inclui oxidantes) e os seus componentes
especialmente concebidos para funcionar em ambientes de vibrao de 10 g (RMS) eficazes entre 20 Hz e
2.000 Hz;
f. Os motores-foguete hbridos e os seus componentes especialmente concebidos.
Notas: 1. Os "equipamentos de produo" que constam na epgrafe deste Item incluem as mquinas de
formao de fluxos, os seus componentes e os seus suportes lgicos ("software") especialmente concebidos,
que:
a. De acordo com as especificaes tcnicas do fabricante, podem ser equipadas com unidades de controlo
numrico ou de controlo informatizado, mesmo quando no foram equipadas com estas unidades de
comando no acto do fornecimento, e
b. Cujos movimentos podem ser controlados simultaneamente segundo 3 ou mais eixos para o comando do
contorno.
Nota Tcnica: As mquinas que combinam as funes de "formao de turbilhes de fluxo" tm neste Item a
funo de "formao de fluxo".
2. Os motores que constam do Item 3 a. podem ser exportados como fazendo parte de um avio pilotado ou
em quantidades compatveis com a manuteno de aeronaves pilotadas.
3. No Item 3 c., o "revestimento interior", adaptado ligao entre o propulsante slido e o crter exterior ou
o revestimento isolador num polmero lquido, por exemplo os polmeros HTPB carregados de partculas de
carbono ou de outros polmeros, adicionados de agentes secativos e destinados a serem aplicados por
pulverizao ou por aparafusamento no interior dos invlucros.
4. No Item 3 c. "isolador" refere-se aos componentes dos motores-foguete, como o crter, a entrada dos
injectores, os revestimentos do crter, inclui o lenol de borracha vulcanizada ou semi-vulcanizada em pea
contendo material isolador ou refractrio. Pode tambm estar incorporado como dispositivo de alvio de
tenses.
5. As nicas servo-vlvulas e bombas abrangidas na alnea e. do Item 3, so as seguintes:
a. As servo-vlvulas concebidas para os dbitos de 24 litros por minuto (400 cm3/segundo) ou superior, a
uma presso de 7,000 Kpa (1.000 psi) ou superior, e cujo tempo de resposta do accionador inferior a 100
ms;
b. As bombas para os propulsantes lquidos cuja velocidade de rotao de 8,000 RPM ou superior, com
presses de descarga igual a/ou superior a 7.000 Kpa (1.000 psi).
6. Os sistemas e componentes do Item 3 c. podem ser exportados como parte de um satlite.

ITEM 4 - CATEGORIA II

Propulsantes e produtos qumicos utilizados na propulso, como segue:


a. Substncias propulsivas:
1. Hidrazina com uma concentrao superior a 70% e seus derivados incluindo monometilidrazina (MMH);
2. Dimetilidrazina dissimtrica (UDMH);
3. Perclorato de amnio;
4. P esfrico de alumnio de granulometria inferior a 500 x 10(elevado a -6)m (500 microns) e com um teor
de alumnio de 97% ou superior;
5. Carburantes metlicos de granulometria inferior a 500 x 10(elevado a -6)m (500 microns), quer sejam
esfricas, atomizadas, esferoidais, em flocos ou modo e contendo 97% ou mais de um dos seguintes
elementos: zircnio, berlio, boro, magnsio, zinco e respectivas ligas, Misch metal;
6. Nitroaminas ciclotetrametileno-tetranitramina (HMX), ciclotetrametileno-trinitramina (RDX);
7. Percloratos, cloratos ou cromatos, misturados com metais em p ou com outros componentes de
carburantes a alta energia propulsiva;
8. Carboranos, decaboranos, pentaboranos e derivados destes;
9. Os oxidantes lquidos, como segue:
a. Trixido de azoto (N(ndice 2)O(ndice 3));
b. Dixido de azoto (NO(ndice 2))/tetraxido de azoto (N(ndice 2)O(ndice 4));
c. Pentxido de azoto (N(ndice 2)O(ndice 5));
d. Acido ntrico de vermelho fmico inibido (IRFNA);
e. Os compostos constitudos de fluor e por um ou mais halogneos diferentes de oxignio ou azoto.
b. Substncias na base de polmeros:
1. Polibutadeno terminado por carbxidos (CTPB);
2. Polibutadeno terminado por hidrxidos (HTPB);
3. Polmero cido glicdilo (GAP);
4. Polibutadeno cido acrlico (PBAA);
5. Polibutadeno acrilonitrilo (PBAN).
c. Propulsores compsitos incluindo os propulsantes de cola moldada e propulsantes com ligaes nitradas.
d. Outros propulsantes a alta densidade de energia, tais como a pasta de boro, e libertando uma densidade
de energia igual ou superior a 40 x 10(elevado a 6) joules/Kg ou superior.
e. Outros agentes e aditivos utilizveis na propulso:
1. Agentes de ligao como segue:
a. xido tris (1-(2-metil) aziridinil) fosfina (MAPO);
b. Trimesoil -1(2-etil) aziridina (HX-868; BITA);
c. "Tepanol" (HX-878), produto de reaco de tetraetilenepentamina, acrilonitrila e glicidol;
d. "Tepan" (HX-879), produto de reaco de tetraetilenepentamina, e acrilonitrilo;
e. Amidos azirideno polifuncionais com estrutura de isoftlico, trimesico, isocinaurico ou trimetiladipico e
tendo tambm um grupo a 2-metil ou 2-etil aziridina (HX-752, HX-874 e HX-877);
2. Agentes secativos e catalizadores como segue:
a. Trifenil bismuto (TPB);
b. Isoforono deisocianato (IPDI);
3. Agentes de combusto como segue:
a. Catoceno;
b. Butaceno;
c. Outros derivados do ferroceno.
4. Esteres nitrados e plastificantes nitrados como segue:
a. Dinitrato de trietileno glicol (TEGDN);
b. Trinitrato de trimetiloletano (TMETN);
c. 1,2,4 trinitrato de butanotriol (BTTN);
d. Dinitrato de dietileno glicol (DEGDN)
5. Estabilizantes como segue:
a. 2-nitrodifenilamina (NDPA);
b. N-metil-P-nitroanilina (MNA).

ITEM 5 - CATEGORIA II

Tecnologia de produo ou "equipamentos de produo" (inclui os seus componentes especialmente


concebidos) para:
a. A produo, a manuteno ou os ensaios de qualificao dos propulsantes ou de elementos constituintes
de propulsantes descritos no Item 4.
b. A produo, a manuteno, o misturar, a polimerizao, a moldagem, a prensagem, a maquinao, a
extruso ou os ensaios de qualificao dos propulsantes slidos ou de elementos constituintes de
propulsantes descritos no Item 4.
Notas: 1. Os misturadores de caudal contnuo ou de caudal descontnuo abrangidos por b. acima, podendo
misturar em vcuo a uma presso compreendida entre 0 e 13,326 KPa (100 mm de mercrio) com uma
possibilidade de controlo de temperatura da cmara misturadora, so os seguintes:
Os misturadores de caudal descontnuo com:
a. Uma capacidade volumtricatotal de 110 dm3 ou superior; e
b. Pelo menos um brao para misturar/amassar cujo eixo est deslocado relativamente ao centro.
Os misturadores de caudal contnuo como:
a. Dois braos misturadores ou mais; e
b. A possibilidade de abertura da cmara misturadora para a atmosfera.
2. Os equipamentos seguintes esto abrangidos pela alnea b. acima:
a. Equipamentos para a produo de ps metlicos sob a forma atomizada ou esferoidal num ambiente
controlado;
b. Moinhos de energia fluida para triturar ou moer perclorato de amnio, RDX ou octognio (HMX).

ITEM 6 - CATEGORIA II

Equipamento, "dados tcnicos" e procedimentos para a produo de materiais compsitos utilizveis nos
sistemas que constam no Item 1, e os componentes, acessrios e suporte lgico ("software") especialmente
concebidos:
a. Mquinas de bobinar filamentos cujos movimentos de posicionamento, enrolamento e bobinagem das
fibras esto coordenados e programados segundo trs ou mais eixos, concebidas para fabricar estruturas
compsitas ou laminados a partir de materiais fibrosos ou filamentosos e para comandar a coordenao e
programao;
b. Mquinas para a colocao de banda magntica cujos movimentos de posicionamento e colocao de
banda magntica e de folhas esto coordenados e programados segundo dois ou mais eixos, concebidos
para a realizao de estruturas compsitas para clulas de veculos areos e de msseis;
c. Mquinas de entrelaar, incluindo adaptadores e os conjuntos de modificaes para tecer, entrelaar,
entranar as fibras, concebidas para o fabrico de estruturas compsitas, excepto as mquinas de txteis que
no foram modificadas tendo em vista as utilizaes finais acima indicadas;
d. Equipamento concebido ou adaptado para o fabrico de materiais fibrosos ou filamentosos, como segue:
1. Equipamentos para a transformao de fibras polmeras (tal como poliacrilonitrilo, rayon ou
policarbosilano) incluindo o dispositivo especial para a sua tenso durante o aquecimento;
2. Equipamentos para depsito, sob a forma gasosa, de elementos ou de compostos em substratos
filamentosos aquecidos; e
3. Equipamentos para a extruso por via hmida de cermicas refractrias (tais com o xido de alumnio).
e. Equipamentos concebidos ou adaptados para o tratamento da superfcie das fibras ou para a produo de
pr-impregnados e preformados.
f. "Dados tcnicos" (inclui as condies de processamento) e procedimentos para a regulao da
temperatura, da presso ou da atmosfera nos autoclaves ou hidroclaves, quando estes so utilizados para o
fabrico de compsitos ou de compsitos parcialmente fabricados.
Notas: 1. Os exemplos de componentes e acessrios para as mquinas que constam neste Item so:
moldes, mandris, matrizes, aparelhagens e ferramentas para a compresso, polimerizao, moldagens,
fritagem ou colagem de estruturas compsitas, laminados e os processos de fabrico.
2. Os equipamentos abrangidos pelo Item 6 e. incluem mas no esto limitados a rolos, extensores, material
de revestimento, material de corte e cunhos.
ITEM 7 - CATEGORIA II

Equipamentos e tecnologias de depsito e de densificao por depsito, como segue:


a. "Tecnologia" para a produo de materiais em derivados pirolticos feitos em moldes, mandris ou qualquer
outro substrato a partir de precursores gasosos que se decompem entre 1300 e 2900C, e sob presses de
130 Pa (1 mm Hg) a 20 KPa (150 mm Hg), inclui a tecnologia de composio de gases precursores, os
dbitos, e os processos de controlo das sequncias e dos parmetros;
b. Os injectores especialmente concebidos para os processos acima mencionados;
c. Os controlos dos equipamentos e processos e respectivos suportes lgicos ("software") concebidos ou
modificados para a densificao e a pirlise das peas compsitas da tabueira de escape dos foguetes e do
nariz dos veculos de reentrada.
Notas: 1. Os equipamentos que constam na alnea c. anterior so prensas isostticas que possuem as
seguintes caractersticas:
a. Presso mxima de 69 MPa (10.000 psi) ou superior;
b. Concebida para atingir e manter um ambiente trmico controlado de 600C ou superior; e
c. Possuindo uma cavidade na cmara com um dimetro interior de 254 mm (10 polegadas) ou superior;
2. Os equipamentos que constam na alnea c. so fornos para o depsito qumico em fase de vapor,
concebidos ou modificados para a densificao de compsitos de carbono-carbono.

ITEM 8 - CATEGORIA II

Materiais de estrutura utilizveis nos sistemas do Item 1, como segue:


a. Estruturas compsitas laminadas, os produtos manufacturados derivados, incluem pr-impregnados de
fibra de resina e preformados de fibra com revestimento metlico, especialmente concebidos para serem
utilizados nos sistemas que constam no Item 1 e nos subsistemas que constam no Item 2, feitos com uma
matriz orgnica ou com uma matriz metlica, utilizando reforos fibrosos ou filamentosos possuindo uma
resistncia traco superior a 7,62 x 10(elevado a 4) m e um mdulo de elasticidade superior a 3,18 x 10
(elevado a 6) m;
b. Materiais que foram submetidos a vrios ciclos de densificao (ex: carbono-carbono), concebidos para os
sistemas foguetes;
c. Grafites recristalizadas de gro fino (com uma densidade de pelo menos 1,72 g/cc medidos a 15C),
piroltico, ou grafites reforadas de fibras utilizadas para a tubeira de escape dos foguetes e para o nariz dos
veculos de reentrada;
d. Materiais cermicos compsitos possuindo uma constante dielctrica inferior a 6 para as frequncias
compreendidas entre 100 Hz e 10.000 MHz, para uso nas coberturas ("radomes") dos msseis e nos
compsitos cermicos reforados a carboneto de silicone no oxidados, utilizveis para o nariz das ogivas;
e. Tungstnio, molibdnio e ligas destes metais em forma de partculas uniformes esfricas ou atomizadas de
dimetro inferior ou igual a 500 x 10(elevado a 6) m (500 microns) e com um grau de pureza de 97% ou
superior para o fabrico de componentes de motores foguete tais como: blindagens trmicas, bases dos
injectores, gargantas dos injectores e superfcies de controlo do vector de potncia;
f. Aos martensilticos (aos normalmente caracterizados por um elevado teor de nquel, por um baixo teor de
carbono para alm do uso de elementos de substituio para produzir endurecimento por envelhecimento)
possuindo uma Resistncia Mxima Traco de 1,5 x 10(elevado a 9) Pa ou superior, medida a 20C.
Nota: Os aos martensilticos cobertos pela alnea f. acima, so estritamente limitados aos existentes sob a
forma de folha, placa ou tubagem com uma espessura inferior ou igual a 5,0 mm (0,2 polegadas).

ITEM 9 - CATEGORIA II

Sistemas, equipamento de orientao e de navegao, mecanismos e respectivos equipamentos de


produo e de ensaio, como segue, os seus componentes e suporte lgico ("software") especialmente
concebidos:
a. Sistemas dos mecanismos de voo integrados que incluem estabilizadores giroscpios ou pilotos
automticos e respectivos suportes lgicos ("software") de integrao, concebidos ou modificados para
serem utilizados nos sistemas do Item 1;
b. Giro-astro bssolas e outros aparelhos que permitem determinar a posio ou a orientao atravs da
localizao automtica de corpos celestes ou de satlites;
c. Acelermetros com um limiar de 0,05 g ou inferior, ou um erro de linearidade entre 0,25% da escala
mxima, ou as duas caractersticas, concebidas para os sistemas de navegao a inrcia ou para os
sistemas de guiamento de todos os tipos:
d. Todos os tipos de giroscpios utilizados nos sistemas do Item 1, com uma razo de deriva de estabilidade
inferior a 0,5 grau (1 sigma ou rms) por hora num ambiente de 1 g;
e. Acelermetro com sada permanente ou giroscpios de qualquer tipo quando estes so especificados para
funcionar a nveis de acelerao superiores a 100 g;
f Equipamentos a inrcia ou outros, que utilizem os acelermetros descritos nos pargrafos c. e e. acima ou
giroscpios descritos nos pargrafos d. e e. acima, e sistemas que incluam tais equipamentos e suporte
lgico ("software") de integrao especialmente concebido para esse fim;
g. Equipamento de ensaio, de calibragem, de alinhamento especialmente concebido, e "equipamento de
produo" para os materiais acima mencionados, incluindo os seguintes:
1. Para os equipamentos "giro-laser" os seguintes equipamentos utilizados para caracterizar os espelhos,
com um limiar de preciso igual ou superior ao mencionado:
a. Difusmetro: 10 ppm;
b. Reflectmetro: 50 ppm;
c. Perfilmetro: 50 angstroms.
2. Para os outros equipamentos a inrcia:
a. Aparelho de controlo de mdulo de IMU (unidade de medida de inrcia);
b. Aparelho de controlo de plataforma de IMU;
c. Dispositivo Estvel de Manipulao de Elemento de IMU;
d. Dispositivo de Equilbrio de Plataforma de IMU;
e. Posto de Ensaio para a Regulao dos Giroscpios;
f. Posto de Equilbrio Dinmico dos Giroscpios;
g. Posto para a Rodagem e Controlo dos Motores de ensaio dos Giroscpios;
h. Posto de Evacuao e de Enchimento dos Giroscpios;
i. Dispositivo de Centrifugao para Suportes de Giroscpios;
j. Posto de Alinhamento do Eixo do Acelermetro;
l. Posto de Ensaio de Acelermetro.
Notas: 1. Os Itens que constam de a. a f. podem ser exportados se forem destinados a um avio pilotado, a
um satlite ou se forem em quantidades compatveis com a manuteno de avies pilotados.
2. Na alnea d.:
a. A razo de deriva definida como sendo a percentagem do desvio de sada relativamente sada
desejada. o resultado de componentes sistemticas e aleatrias e expresso em deslocao angular por
unidade de tempo com referncia ao espao inercial.
b. A estabilidade definida como um desvio padro (1 sigma) da variao de um parmetro determinado, a
partir do seu valor calibrado, medido em condies de temperatura estveis. Isto poder ser expresso como
uma funo do tempo.

ITEM 10 - CATEGORIA II

Sistemas de controlo de voo e "tecnologia", a seguir indicados, concebidos ou modificados para os sistemas
do Item 1, assim como os equipamentos de ensaio, de calibragem e de alinhamento especialmente
concebidos:
a. Sistemas hidrulicos de controlo de voo, mecnico, electro-ptico ou electro-mecnico (inclui sistemas de
controlo de voo por meios elctricos);
b. Equipamento de controlo de atitude;
c. Tecnologia de concepo para a integrao da fuselagem dos veculos areos, do sistema de propulso e
das superfcies de sustentao e controlo de uma aeronave, para optimizar as caractersticas aerodinmicas
e todos os regimes de voo de um veculo areo no pilotado;
d. Tecnologia de concepo para a integrao dos comandos de voo, de guiamento e das informaes de
propulso de um sistema de gesto de voo, tendo em vista a optimizao da trajectria de um sistema
foguete.
Nota: Os Itens a. e b. podem ser exportados se se destinarem a um avio pilotado ou a um satlite, ou se
forem em quantidades compatveis com a manuteno de avies pilotados.

ITEM 11 - CATEGORIA II

Os avinicos, a "tecnologia" e os componentes, como segue, concebidos ou modificados para serem


utilizados nos sistemas do Item 1, e respectivo suporte lgico ("software") especialmente concebidos:
a. Sistemas radar e "laser-radar", incluindo os altmetros;
b. Sensores passivos para determinar azimutes de fontes electromagnticas especficas (equipamento
goniomtrico) ou das caractersticas do terreno;
c. Sistemas de Posicionamento Global (GPS) ou receptores de satlites similares:
1. Capazes de fornecer informao de navegao sob as seguintes condies operacionais:
a. A velocidades superiores a 515 m/s; e
b. A altitudes superiores a 18 Km;
2. Concebidos ou modificados para uso em veculos areos no pilotados abrangidos pelo Item 1.
d. Conjuntos e componentes electrnicos especialmente concebidos para utilizao militar e funcionando a
temperaturas superiores a 125C;
e. Tecnologia de proteco de avinicos e de subsistemas elctricos contra o impulso electromagntico
(EMP) e os efeitos de interferncia elecromagntica (EMI) provenientes de fontes exteriores, como segue:
1. Tecnologia de concepo dos sistemas de proteco;
2. Tecnologia de concepo da configurao dos circuitos e subsistemas elctricos resistentes (hardened);
3. Determinao dos critrios de resistncia (hardening) referentes s tecnologias acima descritas.
Notas: 1. Os equipamentos do Item 11 podem ser exportados se forem destinados a um avio pilotado ou
satlite ou se forem em quantidades compatveis com a manuteno de um avio pilotado.
2. Exemplos de equipamento includo neste Item:
a. Equipamentos de cartografia do relevo;
b. Equipamentos de cartografia e de correlao das imagens (digitais ou analgicos);
c. Equipamentos de navegao por radar Doppler;
d. Equipamentos de interferometria passiva;
e. Sensores de imagens (activas e passivas).
3. No pargrafo a., os sistemas "radar-laser" incluem as tcnicas especializadas de transmisso, varrimento,
recepo e tcnicas de processamento de sinais para a utilizao dos "lasers" para fins de telemetria,
goniometria e identificao dos alvos atravs das caractersticas de localizao, velocidade radial e eco de
reflexo de superfcies.

ITEM 12 - CATEGORIA II

Equipamentos de lanamento, instalaes e suporte lgico ("software") para os sistemas do Item 1 como
segue:
a. Aparelhos e dispositivos concebidos ou modificados para a manuteno, o controlo, a operao e o
lanamento dos sistemas do Item 1;
b. Veculos concebidos ou modificados para o transporte, a manuteno, o controlo, a operao e o
lanamento dos sistemas do Item 1;
c. Gravmetros, gradimetros de gravidade e os seus componentes especialmente, concebidos, concebidos
ou modificados para uma utilizao aero-transportada ou martima e com uma preciso esttica ou
operacional de 7 x 10(elevado a -6) m/s(elevado a 2) (0,7 milligal) ou superior, com um tempo de
estabilizao igual ou inferior a 2 minutos;
d. Equipamentos de telemedida e de telecomando utilizveis para os veculos areos no pilotados ou para
os sistemas foguete;
e. Sistemas de rastreio de preciso:
1. Sistemas de rastreio que utilizam um descodificador instalado no sistema foguete ou no veculo areo no
pilotado, em combinao quer com referncias terrestres ou aerotransportadas, quer com os sistemas de
navegao por satlite, para fornecer as informaes, em tempo real, sobre a posio em voo e a
velocidade;
2. Radares de campo de tiro incluindo um sistema de rastreio ptico/infravermelho, e o respectivo suporte
lgico ("software"), especialmente concebidos, possuindo o conjunto das seguintes caractersticas:
a. Uma resoluo angular superior a 3 milli-radianos;
b. Um alcance de 30 Km ou superior com uma resoluo de alcance superior a 10 metros (RMS);
c. Uma resoluo de velocidade superior a 3 metros por segundo.
3. Suporte lgico ("software") que processa, aps o voo, as informaes registadas durante o voo, permitindo
reconstituir a trajectria de voo.

ITEM 13 - CATEGORIA II

Computadores analgicos, computadores digitais ou analisadores diferenciais digitais concebidos ou


modificados para serem utilizados nos sistemas do Item 1, tendo uma das seguintes caractersticas:
a. Previstos para funcionarem de modo contnuo a temperaturas compreendidas entre - 45C e +55C, ou
b. Concebidos segundo critrios de robustez ou "resistente s radiaes".
Nota: Os equipamentos do Item 13 podem ser exportados se se destinarem a um avio pilotado ou satlite
ou se forem em quantidades compatveis com a manuteno de um avio pilotado.

ITEM 14 - CATEGORIA II

Conversores analgico-digitais utilizveis nos sistemas do Item 1, tendo uma das seguintes caractersticas:
a. Concebidos para satisfazer as especificaes militares de robustez aplicveis aos equipamentos; ou,
b. Concebidos ou modificados para uso militar, sendo de um dos seguintes tipos:
1. "Microcircuitos" de converso analgico-digital "resistente s radiaes" ou com todas as seguintes
caractersticas:
a. Resoluo de 8 bits ou superior;
b. Qualificado para funcionar a temperaturas que vo de - 54C a +125C; e
c. Fechado hermeticamente.
2. Painis de circuitos impressos ou mdulo para conversores analgico-digitais do tipo alimentao
elctrica, com as seguintes caractersticas:
a. Resoluo de 8 bits ou superior;
b. Qualificado para funcionar a temperaturas que vo de - 45C a + 55C; e
c. Incorporando os "microcircuitos" definidos em (1) acima.
ITEM 15 - CATEGORIA II

Equipamentos e instalaes de ensaios para os sistemas dos Item 1 e Item 2, como segue, e respectivo
suporte lgico ("software") especialmente concebidos:
a. Equipamento de ensaio s vibraes utilizando tcnicas de controlo digital e equipamento de retro-
alimentao ou circuito fechado, apto para assegurar a vibrao de um sistema a 10 g RMS ou superior entre
20 Hz e 2.000 Hz e de comunicar foras de 50 KN (11.250 lbs) ou superior;
b. Tneis-aerodinmicos para velocidades de Mach 0,9 ou superior;
c. Bancos de ensaio aptos a aceitar foguetes a propulsante slido ou lquido ou motores de foguetes com um
impulso superior a 90 KN (20.000 lbs) e aptos para medir simultneamente as trs componentes axiais da
potncia;
d. Cmaras com condies relativas ao ambiente e cmaras anecoides e respectivos equipamentos
especficos capazes de simular as seguintes condies de voo:
1. Altitude de 15000 metros ou superior; ou
2. Temperaturas de pelo menos - 50C a 125C; e ou
3. Ambientes de vibrao de 10 g (RMS) ou superior entre 20 Hz e 2.000 Hz comunicando foras de 5 KN ou
superior, para cmaras com condies relativas ao ambiente; ou
4. Ambiente acstico a um nvel de presso do som de 140 dB ou superior (referente a 2 x 10(elevado a -5)
N por metro quadrado) ou com um nvel de sada de potncia de 4 Kilowatts ou superior para as cmaras
anecoides.
e. Equipamento radiogrfico capaz de libertar radiao electromagntica produzida por "Bremsstrahlung"
proveniente da acelerao de electres de 2 MeV ou superior, ou utilizando foras radioactivas de 1 MeV ou
superior, excepo dos concebidos para fins mdicos.
Nota: O termo "controlodigital" diz respeito aos equipamentos cujas funes so parcial ou totalmente
controladas automaticamente por sinais elctricos memorizados e digitalmente codificados.

ITEM 16 - CATEGORIA II

Suporte lgico ("software") especialmente concebido ou suporte lgico ("software") especialmente concebido
para computadores hbridos (analgicos e digitais), para modelao, simulao ou concepo de integrao
dos sistemas que constam nos Item 1 e Item 2.
Nota: A modelao inclui em particular a anlise aerodinmica e termodinmica dos sistemas.

ITEM 17 - CATEGORIA II

Materiais, dispositivos e suporte lgico ("software") especialmente concebidos para a reduo da


reflectividade radar e da assinatura ultravioleta, infravermelha e acstica, tecnologia de invisibilidade
("stealth") para aplicaes utilizveis nos sistemas do Item 1 ou do Item II, por exemplo:
a. Materiais de estrutura e de revestimento especialmente concebidos para reduzir a reflectividade radar;
b. Revestimentos, incluindo as pinturas, especialmente concebidos para reduzir ou adaptar a reflectividade
ou a emissividade no mbito das micro-ondas, e no espectro infravermelho ou ultravioleta, excepo dos
especialmente utilizados para o controlo trmico dos satlites;
c. Suporte lgico ("software") especialmente concebido a bases de dados para a anlise da reduo da
assinatura;
d. Sistemas de medida da superfcie equivalente radar especialmente concebidos.

ITEM 18 - CATEGORIA II

Dispositivos concebidos para a proteco dos sistemas foguete e dos veculos areos no pilotados contra
os efeitos das armas nucleares (ex: impulso electromagntico (IEM), raios-x, efeitos combinados de sopro ou
trmico), utilizados para os sistemas do Item 1, como segue:
a. Detectores e "Microcircuitos" "resistentes s radiaes".
b. Cpulas de proteco radar (radomes) concebidas para resistirem a um choque trmico combinado
superior a 100 cal/cm2 acompanhado de um valor mximo de sobrepresso superior a 50 KPa (0,5 Kg/cm2).
Nota: Um detector definido como um dispositivo mecnico, elctrico, ptico ou qumico que identifica e
memoriza automaticamente ou regista impulsos tais como uma mudana da presso ou da temperatura do
ambiente, um sinal elctrico ou electromagntico ou radiaes provenientes de um material radioactivo.

ITEM 19 - CATEGORIA II

Sistemas de foguete completos (incluindo sistemas de msseis balsticos, veculos de lanamento espaciais e
foguetes sonda) e veculos areos no pilotados (incluindo sistemas de msseis cruzeiro, alvos no
rebocados - "target drones" - e engenhos de reconhecimento no tripulados - "reconnaissance drones" -, no
indicados no Item 1, capazes de um alcance mximo igual ou superior a 300 Km.
ITEM 20 - CATEGORIA II

Subsistemas completos, como a seguir indicados, utilizveis nos sistemas do Item 19, mas no nos sistemas
do Item 1, bem como os especialmente concebidos como "meios de produo" e "equipamento de
produo":
a. Andares individualizados dos foguetes;
b. Motores de propulso slida ou lquida tendo uma capacidade total de impulso de 8,41 x 10(elevado a 5)
N.sec (1,91 x 10(elevado a 5)lb.sec) ou superior, mas inferior a 1.1 x 10(elevado a 6)N.sec (2,5 x 10(elevado
a 5)lb.sec).

CAPTULO XIV
MATERIAL DE GUERRA

ITEM N. 1

Armas ligeiras, armas automticas, como segue, acessrios e seus componentes especialmente concebidos:

a. Espingardas no automticas ou carabinas de cano estriado de calibre igual ou superior a 6,5 mm;
b. Pistolas de calibre superior a 7,65 mm;
c. Pistolas at calibre 7,65 mm, inclusive, cujo cano exceda 10 cm;
d. Pistolas at calibre 6,35 mm, inclusive, cujo cano exceda 8 cm;
e. Revlveres de calibre no superior a 7,65 mm (0.32") cujo cano exceda 10 cm;
f. Revlveres de calibre superior a 9 mm, inclusive;
g. Revlveres de calibre no superior a 9 mm (0.38") cujo cano exceda 5 cm;
h. Armas de alma lisa especialmente concebidas para fins militares;
i. Armas utilizando munies sem caixa de cartucho;
j. Silenciadores, miras especiais, carregadores e tapa-chamas destinados s armas includas nas alneas
anteriores.
Exceptuam-se:
1. Mosquetes, espingardas e carabinas anteriores a 1938;
2. Reprodues de mosquetes, espingardas e carabinas antigas anteriores a 1890;
3. Revlveres, pistolas e metralhadoras antigas anteriores a 1890 e suas reprodues;
4. Espingardas no automticas ou carabinas de calibre superior a 6,5 mm quando destinadas caa grossa
ou tiro de preciso.
Nota Tcnica: As armas de alma lisa especialmente concebidas para uso militar, como especificado na alnea
f., so aquelas que:
a. So testadas a presses acima dos 1.300 bars;
b. Operam normalmente e em segurana a presses acima dos 1.000 bars; e
c. Podem utilizar munies com comprimento superior a 76,2 mm (ex. cartucho magnum calibre 12
comercial).

ITEM N. 2

Armas ou armamento de grande calibre, lana-fumos, lana-gases, lana-chamas e acessrios, como segue,
e seus componentes especialmente concebidos:
a. Peas, obuses, canhes, morteiros, armas anti-carro, lanadores de projcteis, lana-chamas militares,
canhes sem recuo, e seus dispositivos de reduo de assinaturas.
Nota: A presente alnea contempla os injectores, os dispositivos de medida, os reservatrios de
armazenagem e outros componentes especialmente concebidos para utilizao com cargas propulsoras
lquidas para todo o material constante da presente alnea.
b. Lanadores ou geradores de fumos militares, gs e artifcios pirotcnicos.
Nota: A presente alnea no inclui pistolas de sinais do tipo "Very light".

ITEM N. 3

Munies e componentes especialmente concebidos para as armas includos nos Itens 1, 2 ou 26.
Notas: 1. Por componentes especialmente concebidos entende-se os que incluem:
a. Fabricos plsticos ou metlicos tais como escorvas, cpsulas de balas, elos de cartuchos, fitas
carregadoras rotativas e componentes metlicos de munies;
b. Dispositivos de armar e segurana, espoletas, sensores, ligadores e arame de tropear;
c. Fontes de alimentao;
d. Caixas combustveis para cargas;
e. Sub-munies incluindo dispositivos de bombas e munies mltiplas, projcteis com guiamento terminal,
excepto sub-munies utilizando um nico ncleo de chumbo.
2. Este item no inclui munies fechadas sem projctil (tipo blank-star) e munies inertes com a cmara
perfurada.

ITEM N. 4

Bombas, torpedos, foguetes, msseis e acessrios, como segue, e seus componentes especialmente
concebidos para utilizao militar:
a. Bombas, torpedos, granadas (incluindo granadas de fumo), potes de fumo, foguetes, minas, msseis,
cargas de profundidade, cargas, dispositivos e conjuntos de demolio, "produtos pirotcnicos militares",
cartuchos e simuladores;
Nota: A presente alnea inclui:
1. Geradores de fumo, bombas incendirias e dispositivos explosivos;
2. Tubeiras de escape de foguetes e extremidades de ogivas de veculos de reentrada.
b. Equipamento especialmente concebido para manuseamento, controlo, activao, alimentao de potncia
de sada operacional funcionando uma s vez, lanamento, colocao, levantamento, desactivao, engodo,
empastelamento, rebentamento ou deteco dos Itens abrangidos pela alnea anterior.
Nota: A presente alnea inclui:
1. Os equipamentos mveis para liquefaco de gs capazes de produzir 1.000 Kg ou mais de gs sobre a
forma lquida, por dia;
2. Os cabos elctricos condutores flutuantes capazes de servir para dragagem de minas magnticas.

ITEM N. 5

Sistemas de direco de tiro e equipamento de alerta e aviso afim, como segue, especialmente concebidos
para uso militar e seus componentes e acessrios especialmente concebidos:
a. Visores de bombas, computadores de bombardeamento, aparelhos de pontaria e sistemas de combate de
armas instalados a bordo;
b. Sistemas de aquisio, identificao, telemetria de alcance, observao e seguimento de alvos,
equipamentos de deteco, reconhecimento ou identificao e sensores.

ITEM N. 6

Veculos e materiais afins especialmente concebidos ou modificados para uso militar, e seus componentes,
como segue:
Nota Tcnica: Para as finalidades deste Item, o termo "especialmente modificado para uso militar", significa
uma alterao estrutural, elctrica ou mecnica, o que implica uma substituio de pelo menos um
componente especialmente concebido para uso militar, ou a adio de pelo menos um tal componente.
a. Carros de combate e canhes auto-propulsionados;
b. Veculos blindados e armados ou veculos preparados com suporte de armas;
c. Combios blindados;
d. Meias-lagartas;
e. Veculos de recuperao;
f. Veculos transportadores, tractores e reboques especialmente concebidos para artilharia rebocada ou para
o transporte de munies ou sistemas de armas e materiais relacionados com manipulao de cargas;
g. Veculos anfbios e de travessia de guas profundas;
h. Oficinas mveis de reparao especialmente concebidas para utilizao militar;
i. Todo o tipo de outros veculos especialmente concebidos ou modificados para utilizao militar.
Notas: 1. Componentes especialmente concebidos para equipamento abrangido neste Item, incluem:
a. Pneumticos especialmente concebidos para serem prova de bala ou para funcionarem quando vazios,
excepto modelos para a agricultura, tractores para jardins e implementos agrcolas;
b. Motores e sistemas de transmisso de energia para a propulso dos veculos enumerados nas alneas a. a
j., especialmente concebidos ou modificados para uso militar, incluindo componentes especialmente
concebidos;
c. Sistemas de controlo de presso de enchimento de pneus de dentro de um veculo em movimento,
especialmente concebidos ou modificados para uso militar;
d. Suspenses de elevada flecha especialmente concebidas para uso militar.
2. Carros de combate, transportadores anfbios de carga, tractores de alta velocidade, transportadores de
artilharia pesada, veculos especializados para colocao de pontes e abastecedores de grande capacidade.

ITEM N. 7

Agentes txicos, "gs lacrimogneo", equipamento relacionado, componentes, materiais e tecnologia


seguintes:
a. Agentes biolgicos, agentes qumicos ou materiais radioactivos adaptados para a guerra, de modo a
causar baixas em homens ou animais ou a perda de colheitas, ou de modo a degradar o material ou o
ambiente e agentes de guerra qumica (agente Q);
b. Percursores binrios de agente Q, como segue:
1. DF: difluoreto de metilfosfonoilo (CAS 676-99-3);
2. QL: metilfosfonito de o-etilo e de diisopropilaminoetilo (CAS 37836-11-8);
c. "Gases lacrimogneos" e "agentes anti-motim" incluindo:
1. Cianeto de bromobenzilo (CR);
2. Ortoclorobezilidenemalononitrilo(Ortoclorobenzalmalononitrilo) (CS);
3. Cloreto de fenilacilo (W-cloroacetofenona) (CN)
d. Equipamento especialmente concebido ou modificado e destinado disseminao dos produtos ou
agentes referidos em a. e os seus componentes especialmente concebidos;
e. Equipamento especialmente concebido ou modificado para a defesa contra os produtos ou agentes
referidos em a. e os seus componentes especialmente concebidos;
f. Equipamento especialmente concebido ou modificado para a deteco e identificao dos produtos e
agentes compreendidos em a. e seus componentes especialmente concebidos;
g. "Biopolmeros" especialmente concebidos ou modificados para a deteco e identificao de agentes de
guerra qumica (Q) referidos em a. e a cultura de clulas especficas usadas na sua produo;
h. "Biocatalisadores" para a descontaminao e degradao de agentes (Q) e seus sistemas biolgicos tais
como:
1. "Biocatalisadores" especialmente concebidos para a descontaminao e degradao de agentes (Q)
referidos em a., resultantes duma seleco laboratorial controlada ou da manipulao gentica de sistemas
biolgicos;
2. Sistemas biolgicos seguintes: "vectores de expresso", vrus ou cultura de clulas., contendo a
informao gentica especfica para a produo de "biocatalisadores" contidos em h.1;
i. A seguinte tecnologia:
1. Tecnologia para o desenvolvimento, fabrico e uso de agentes txicos, equipamento relacionado e
componentes referidos de a. a e.;
2. Tecnologia para o desenvolvimento, fabrico e uso de "biopolmeros" e culturas de clulas especficas
referidas em g.;
3. Tecnologia prpria para a incorporao de "biocatalisadores", abrangidos por h.1., em meios militares de
propagao ou em material militar;
Notas: 1. A alnea a. do presente Item inclui os agentes Q seguintes:
a. O-Alquilo (igual ou menor que C(ndice 10), incluindo cicloalquilo) alquilo (metilo, etilo, n-propilo ou
isopropilo), fosfonofluorhidato de o-alquilo tais como: Sarina (GB): metilofosfonofluoridato de o-isopropilo
(CAS 107-44-8) e Soman (GD): metilofosdonofluoridato de o-pinacolilo (CAS 96-64-0);
b. N,N-Dialquilo (metil, etil, n-propil ou isopropil) fosforamidacianidato de o-alquilo (igual ou menor que C
(ndice 10), incluindo cicloalquilos) tais como: Tabum (GA): N,N-dimetilfosforamidacinodato de o-etilo (CAS
77-81-6);
c. Alquilo (metil, etil, n-propil ou isopropil)-fosfonotiolato de o-alquilo (H ou C(ndice 10) ou mais, incluindo
cicloalquilos) e de S-2-dialquilo (metil, etil, n-propil ou isopropil)-aminoetil e seus sais alquilados e protonados
tais como: VX: metil fosfonotiolato de o-etilo e de S-2-diisopropilaminoetilo (CAS 50782-69-9);
d. Mostardas de enxofre, tais como:
Sulfureto de 2-cloroetilo e de cloronieztilo (CAS 2625-76-5);
Sulfureto de bis (2-cloroetilo) (CAS 506-60-2);
Bis (2-cloroetilo) metano (CAS 63869-13-6);
1,2-bis (2-cloroetiltio) etano (CAS 3563-36-8);
1,3-bis (2-Cloroetiltio)-n-propano (CAS 63905-10-2;
1,4-bis (2-cloroetiltio)-n-butano;
1,5-bis (2-cloroetiltio)-n-pentano;
xido de bis (2-cloroetiltiometil);
xido de bis (2-cloroetiltioetil) (CAS 63918-89-8);
e. Lewisites, tais como:
2-clorovinildiclorosina (CAS 541-25-3);
bis (2-clorovinil) cloroarsina (CAS 40334-69-8);
tris (2-clorovinil) arsina (CAS 40334-70-1);
f. Mostardas de azoto, tais como:
HN1: bis (2-cloroetil) etilamina (CAS 538-07-8);
HN2: bis (2-cloroetil) metilamina (CAS 51-75-2);
HN3: tris (2-cloroetil) amina (CAS 555-77-1);
g. Benzilato (BZ) de 3-quinuclidiol (CAS 6581-06-02);
2. A alnea e. inclui unidades com ar condicionado, especialmente concebidas ou modificadas para filtrao
nuclear, biolgica e qumica.
3. Alnea a. no abrange:
a. Cloreto de cianognio;
b. Acido ciandrico;
c. Cloro;
d. Cloreto de carbonilo (fosgnio);
e. Difosgnio (trimetilcloroformiato);
f. Bromoacetato de etilo;
g. Brometo de xililo;
h. Brometo de benzilo;
i. Iodeto de benzilo;
j. Bromoacetona;
k. Brometo de cianognio;
l. Bromometiletilcetona;
m. Cloroacetona;
n. Iodoacetato de etilo;
o. Iodoacetona;
p. Cloropicrina
4. As alneas e. e f. no abrangem:
a. Dosmetros para controlo da radiao em pessoas;
b. Mscaras para proteco contra riscos industriais especficos, tais como fumos ou ps nas operaes de
extraco de minrios, em pedreiras e em fbricas de produtos qumicos ou
c. Mscaras de gs para uso civil.
5. A tecnologia, a cultura de clulas e os sistemas biolgicos referidos na alnea g. e as alneas h.2. e i.3.
constituem matria exclusiva destas alneas e no abrangem a tecnologia, as clulas ou os sistemas
biolgicos destinados a utilizao civil, tais como no mbito agrcola, farmacutico, mdico, veterinrio,
ambiental e na indstria alimentar.

ITEM N. 8

Explosivos e combustveis militares, a seguir indicados, e seus "aditivos", "precursores" e oxidantes lquidos:
a. "Altos Explosivos Militares";
b. "Propulsores Militares";
c. "Pirotcnicos Militares";
d. Combustveis Militares, slidos ou lquidos, altamente enrgicos, incluindo combustveis para avies,
especialmente concebidos para fins militares;
e. Oxidantes lquidos, constitudos por ou contendo cido ntrico fumante inibido (IRFNA) ou difluoreto de
oxignio.
Notas: 1. Explosivos e combustveis militares so substncias e misturas que contm quaisquer dos
elementos referidos na alnea a. abaixo ou tm caractersticas referidas na alnea b. abaixo:
a. Contm um dos seguintes elementos:
1. P esfrico de alumnio com partculas de dimetro de 60 microns ou menos, e fabricados com materiais
que contenham 99% de alumnio ou mais;
2. Combustveis metlicos de partculas com dimetros menores que 60 microns quer esfricos, atomizados,
esferoidais, em flocos ou pulverizados, produzidos de materiais que contenham 99% ou mais de quaisquer
dos seguintes elementos: zircnio, boro, magnsio e ligas destes: berlio, p fino de ferro com dimetro
mdio de partcula de 3 microns ou menos produzidos por reduo do xido de ferro com hidrognio;
combustveis de boro ou carboneto de boro de uma pureza de 85% ou mais e de uma dimenso particular
mdia igual ou inferior a 60 microns;
N.B.: Os explosivos e combustveis militares que contm os metais ou ligas referidos nas alneas a.1. e a.2.
esto includas, quer os metais ou ligas estejam ou no misturados com alumnio, magnsio, zircnio ou
berlio.
3. Percloratos, cloratos e cromatos compostos de ps metlicos ou outros componentes combustveis,
altamente energticos;
4. Nitroguanidina (NG);
5. Compostos de fluor e um ou mais dos seguintes elementos: outros halogneos, oxignio, nitrognio;
6. Carboranos: decaborano, pentaborano e derivados;
7. Ciclotetrametilenotinotetranitramina(HMX); Octa-hidro-1, 3, 5, 7-Tetranitro-1, 3, 5, 7,-Tetrazina; 1, 3, 5, 7,
Tetranitro-1, 3, 5, 7-Tetraza-Ciclooctano (octogene);
8. Hexanitrostibeno (HNG);
9. Diaminotrinitrobenzeno (DATB);
10. Triaminotrinitrobenzeno (TATB)0;
11. Nitrato de Triaminoguanidina (TAGN);
12. Subhidreto de titnio de estequiometria TiH 0,65-1.68;
13. Dinitroglicoluril(DNGU, DINGU);Tetranitroglicoluril (TNGU, SORGUIL);
14. Tetranitrobenzotriazolbenzotriazol (TACOT);
15. Diaminohexanitrobifenil (DIPAM);
16. Picrilaminodinitropiridina (PYX);
17. 3-nitro-1, 2, 4 triazol- 5-ona (NTO ou ONTA);
18. Hidrazina com concentraes de 70% ou mais; nitrato de hidrazina, perclorato de hidrazina, dimetil
hidrazina assimtrica, monometil hidrazina, dimetil hidrazina simtrica;
19. Perclorato de Amnio;
20. Ciclotrimetilenotrinitramina (RDX), ciclonite, T4; hexahidro-1, 3, 5-trinitro-1, 3, 5-triazina, 1, 3, 5-trinitro-1,
3, 5-triaza-ciclohexano, (hexogene);
21. Nitrato de Hidroxilamnio (HAN). Perclorato de hidroxilamnio (HAP);
22. Perclorato de 2-(5-cianotetrazolato) penta-amina cobalto (III), (ou PC);
23. Perclorato de cis-bis (5-nitrotetrazolato) penta-amina cobalto (III), ou PCBN);
24. 7-amino-4,6-dinitrobenzofurazano-1-xido(ADNBF) amino dinitrobenzofuroxano;
25. 5, 7-diamino-4, 6-dinitrobenzofurazano-1-xido, (CL-14); diamino dinitrobenzofuroxano;
26. 2, 4, 6-trinitro-2, 4, 6-triaza-ciclo-hexanona (K-6 ou ceto-RDX);
27. 2, 4, 6, 8-tetranitro-2, 4, 6, 8-tetraazabiciclo (3, 3, 0)-octanona-3 (tetranitrosemiglicoril, K-55 ou cet-biciclo
HMX);
28. 1, 1, 3-trinitroazetidina (TNAZ);
29. 1,4,5,8-tetranitro-1,4,5,8-tetraazadecalina (TNAD);
30. Hexanitrohexaazaisowurtzitano (CL-20) ou HNIW; e clatratos de CL-20;
31. Polinitrocubanos possuindo mais de quatro grupos-nitro;
32. Dinitroamida de amnio (ADN ou SR12);
b. Contem as seguintes caractersticas:
1. Qualquer explosivo com uma velocidade de detonao excedendo 8.700 m/s ou uma presso de
detonao excedendo 340 Kilobares:
2. Outros explosivos secundrios, orgnicos no listados nesta Nota produzindo presses de detonao de
250 Kilobares ou mais, os quais permanecem estveis a temperaturas iguais ou superiores a 523 K (250C)
por perodos iguais ou superiores a 5 minutos;
3. Qualquer outro propulsor slido da classe 1.1 UN no listado nesta Nota com um impulso especfico
terico (sob condies "standard") de mais de 250 seg. para no metalizados ou mais que 270 seg. para
composies aluminizadas;
4. Qualquer propulsor slido da classe 1.3 UN com um impulso especfico terico de mais de 230 seg. para
os no halogenizados, 250 seg. para no metalizados e 266 seg. para composies metalizadas;
5. Qualquer outro propulsor de canho no listado nesta Nota, tendo uma fora constante de mais de 1.200
KJ/Kg;
6. Qualquer outro explosivo, propulsor ou pirotcnico no includo nesta Nota, que possa manter uma
velocidade de combusto estvel de mais de 38 mm/seg. sob condies "standard" de 68,9 Bars de presso
e 294 K (21C);
7. Elastomeros modificados de propulsores vazados de base dupla (EMCBD) com extensibilidade e tenso
mxima de mais do que 5% a 233 K (-40C).
2. "Aditivos", incluindo os seguintes:
a. Polmero de Glicidilazida (GAP) e seus derivados;
b. Policianodifluoroaminoetilenoxido (PCDE);
c. Trinitrato de butanotriol (BTTN);
d. Bis-2-fluor-2,2-dinitroetlformal (FEFO);
e. Nitriloxido de butadieno (BNO);
f. Catoceno, N-butil-ferroceno e outros derivados de ferroceno;
g. Bis, (2,2-dinitropropil) formal e acetal;
h. 3-nitraza-1,5 pentano diisocianato;
i. Monomeros energticos, plastizantes e polmeros contendo grupos nitro, azido, nitrato, nitraza ou
difluoromino;
j. 1, 2, 3-Tris 1,2-bis (difluoroamino) etoxi propano, Tris vinoxi-propano (TVOPA);
k. Bis-azidametiloxetano e seus polmeros;
l. Nitratometilmetiloxetano ou poly (3-Nitratometil, 3-metil oxetano) (Poly-NIMMO) (NMMO);
m. Azidametilmetiloxetano (AMMO);
n. Polinitro-ortocarbonatos
o. Tetraetileno pentamina acrilonitrilo (TEPAN) cianoetil poliamina com glicidol e seus sais;
p. Tetraetileno pentamina acrilonitriloglicidol (TEPANOL); cianoetil poliamina com glicidol e seus sas;
q. Amidas de aziridina polivalentes com estruturas de reforo isoftlicas, trimsicas (BITA ou butileno ou
imina trimesamida isocianrico) ou trimetiladipicos e substituies de 2-metil ou 2-etil no anel de aziridina;
r. Salicilato bsico de cobre, salicilato de chumbo;
s. Beta resorcilato de chumbo;
t. Estanato de chumbo, maleato de chumbo, citrato de chumbo;
u. xido de fosfina tri-1-(2-metil) aziridinil (MAPO), xido de fsfina bis (2 metil aziridinil) 2 (2-
hidroxipropanoxi) propilamino (Bobba 8 e outros derivados do MAPO);
v. xido de fosfina bis (2 metil aziridinil) metilamino (Metil BAPO);
w. Agentes de ligao organo-metlicos, a saber:
1. Neopentil (diallyle) oxi, tri (dioctil) fosfato titanato tambm designado por titnio IV 2.2 (bis 2-propenolato-
metil) butanolato ou tris (dioctil) (fosfato-0) ou LICA 12;
2. Titnio IV (2-propenolato-1 metil, N-propanolatometil) butanolato-1, tambm designado por tris (dioctil)
pirofosfato ou KR3538;
3. Titnio IV (2-propenolato-1) metil, N-propanolatometil) butanolato-1, tambm designado por tris (dioctil)
fosfato ou KR3512.
x. FPF-1 poly-2,2, 3,3, 4,4-hexafluorpentano-1,5-diol formal;
y. FPF-3poly-2,4,4,5,5,6,6-heptafluor-2-tri-fluormetil-3-oxaheptano-1, 7-diol formal;
z. Poliglicidilnitrato ou poli (Nitratometil oxirano) (Poly-Glyn) (PGN);
aa. Polibutadieno com um grupo hidrxi terminal (PBHT) tendo uma funcionalidade hidroxi menor que 2,16,
um valor hidroxi menor que 0,77 meq/g e uma viscosidade a 30C menor que 47 poise;
bb. Quelatos de chumbo e de cobre a partir do cido resorclio ou saliclico;
cc. Trifenil bismuto (TPB);
dd. Bis-2-hidroxietilglicolamida (BHEGA);
ee. xido frrico superfino (hematite-Fe(ndice 2)O (ndice 3)) tendo uma superfcie especfica de mais de
250 ml/g e uma dimenso particular mdia igual ou inferior a 0.003 micrometros;
ff. N-metil-P-nitroanilina.
3. Os combustveis de avies referidos na alnea d. do presente Item so os produtos finais e no os seus
constituintes.
4. A alnea d. do presente Item inclu os materiais militares contendo gelificantes para combustveis
hidrocarbonados especialmente formulados para o emprego nos lana-chamas ou em munies incendirias,
tais como estearatos ou palmatos metlicos (igualmente chamados Octol) e gelificantes M1, M2, M3.
5. "Percursores", incluindo os seguintes:
a. Nitrato de Guanidina;
b. 1, 2, 4 Trihidroxibutano (1, 2, 4-butanotriol);
c. 1, 3, 5 Triclorobenzeno;
d. Bis-clorometiloxetano (BCMO)
e. Poliepiclorohidrina com a funo lcool de baixo peso molecular (inferior a 10.000), poliepiclorohidrina diol
e triol;
f. Propilenoimida, 2-metilaziridina;
g. 1,3,5,7 tetraacetil-1,3,5,7-tetraaza ciclo-octano (TAT);
h. Sais de tris-butil-dinitroazitidina;
i. Hexabenzilhexaazaisowurtzitano (HBIW);
j. Tetraacetildibenzilhexaazaisowurtzitano (TAIW);
k. 1,4,5,8 tetraazadecalina.
6. Este Item no inclui aqueles "precursores" que so produtos qumicos industriais largamente disponveis
nos mercados internacionais e que no esto includos em qualquer lista Internacional.
7. Este Item no inclui as seguintes substncias, quando no compostas ou misturadas com outros
explosivos militares ou ps metlicos:
a. Picrato de Amnio;
b. Plvora negra;
c. Hexanitrodifenilamina;
d. Difluoroamina (HNF2);
e. Nitroamido;
f. Nitrato de potssio;
g. Tetranitronaftaleno;
h. Trinitroanisol;
i. Trinitronaftaleno;
j. Trinitroxileno;
k. cido ntrico fumante no-inibido e no enriquecido;
l. Trinitrofnilmetilnitramina (Tetril);
m. Acetileno;
n. Propano;
o. Oxignio lquido;
p. Perxido de hidrognio com concentraes menores que 85%;
q. Mistura metlica;
r. N-pirrolidinona, 1-metil-2 pirrolidinona;
s. Dioctilmaleato;
t. Etilhexilacrilato;
u. Trietil-alumnio (TEA), trimetil-alumnio (TMA) e outros metais pirofricos alquilos e arilos de ltio, sdio,
magnsio, zinco e boro;
v. Nitrocelulose;
w. Nitroglicerina (ou gliceroltrinitrato, trini-troglicerina) (NG);
x. 2,4,6-Trinitrotolueno (TNT);
y. Dinitrato de etilenodiamina (EDDN);
z. Tetranitrato de pentaerotritol (PETN);
aa. Azida de chumbo, estifnato de chumbo normal e bsico e explosivos primrios ou composies primrias
contendo azidas ou com plexos de azida;
bb. Dinitrato de trietilenoglicol (TEGDN);
cc. 2,4,6-Trinitroresorcinol (cido estitinico);
dd. Dietildifenil ureia, dimetil difenil ureia, metiletildifenil ureia (centralites);
ee. N.N.-Difenilureia (difenilureia assimtrica);
ff. Metil-N,N-difenilureia (metil assimtrica difenilureia);
gg. Etil-N,N-fifenilureia (etil assimtrica difenilureia);
hh. 2-Nitrodifenilamina (2-NDPA);
ii. 4-Nitrodifenilamina (4-NDPA);
jj. 2,2-Dinitropropanol:
kk. Triflureto de cloro.

ITEM N. 9

Navios de guerra, equipamento naval especializado e acessrios, como segue, e seus componentes
especialmente concebidos:
a. Navios combatentes ou navios (de superfcie ou submarinos) especialmente concebidos ou modificados
para tarefas defensivas ou ofensivas, modificados ou no para fins no militares, independentemente do seu
estado actual de reparao ou operao, que disponham ou no de sistemas de lanamento de armas ou
blindagem, bem como cascos ou partes de cascos para tais navios;
b. Motores, como segue:
1. Motores diesel especialmente concebidos para submarinos que possuam, em simultneo, as seguintes
caractersticas:
a. Potncia igual ou superior a 1.12 MW (1.500 CV); e
b. Velocidade de rotao igual ou superior a 700 r.p.m..
2. Motores elctricos especialmente concebidos para submarinos que possuam, em simultneo, as seguintes
caractersticas:
a. Potncia superior a 0.75 MW (1.000 CV);
b. Inverso rpida;
c. Refrigerao lquida; e
d. Em circuito fechado.
3. Motores diesel no magnticos especialmente concebidos para fins militares com uma potncia igual ou
superior a 37,3 KW (50 CV) e cuja massa de material no magntico exceda 75% do total da sua massa.
c. Dispositivos de deteco submarina e respectivos equipamentos de controlo especialmente concebidos
para fins militares;
d. Redes de proteco contra submarinos e contra torpedos;
e. Indicadores de rumo e equipamentos de navegao, especialmente concebidos para utilizao militar;
f. Passagens de casco e ligaes especialmente concebidos para fins militares que permitam a interaco
com equipamentos externos ao navio;
Nota: Este Item inclui: Ligaes para cabos simples, mltiplos, coaxiais ou guias de ondas; passagens de
casco para navios que sejam estanques e que mantenham essa caracterstica a profundidades superiores a
100 metros; e ligaes de fibras pticas e passagens de casco pticas especialmente concebidas para a
transmisso de raios "Laser", independentemente da profundidade.
Este Item no inclui: Veios propulsores e passagens de casco para veios de superfcies de controlo
hidrodinmico.
g. Chumaceiras silenciosas especialmente concebidas para fins militares, bem como os equipamentos que
contenham essas chumaceiras.

ITEM N. 10

Avies e helicpteros, veculos areos no pilotados, motores aeronuticos e equipamento de avies ou


helicpteros, componentes e equipamentos associado, especialmente concebidos ou modificados para fins
militares, como seguem:
a. Avies e helicpteros de combate e seus componentes especialmente concebidos;
b. Outros avies e helicpteros especialmente concebidos ou modificados para fins militares incluindo os de
reconhecimento militar, ataque, instruo militar, transporte e lanamento por pra-quedas de tropas ou
material militar, apoio logstico, e seus componentes especialmente concebidos;
c. Motores aeronuticos especialmente concebidos ou modificados para fins militares, e seus componentes
especialmente concebidos;
d. Veculos areos no pilotados, incluindo veculos areos de controlo remoto (RPV's), e veculos
autnomos, progamveis, especialmente concebidos ou modificados para fins militares e os seus
lanadores, equipamento de apoio no solo e equipamento associado para o comando e controlo;
e. Equipamento aerotransportado, incluindo equipamento de reabastecimento areo, especialmente
concebido para uso em avies e helicpteros includos nas alneas a. ou b. ou para motores aeronuticos
includos na alnea c., e seus componentes especialmente concebidos;
f. Reabastecimento a presso, equipamentos de reabastecimento a presso, equipamento especialmente
concebido para facilitar as operaes em reas restritas e equipamento de apoio no solo, especialmente
concebido para avies e helicpteros includos nas alneas a. ou b. ou para motores aeronuticos includos
na alnea c.;
g. Equipamento de respirao com presso positiva e fatos parcialmente pressurizados para uso em avies e
helicpteros, fatos anti-g, capacetes de voo e mscaras de oxignio, conversores de oxignio lquido usados
em avies, helicpteros e msseis, catapultas e equipamento actuados por cartucho usados para a sada de
emergncia do pessoal de avies e helicpteros.
h. Pra-quedas utilizados para pessoal em combate, lanamento de cargas e desacelerao de aeronaves,
tais como:
1. Pra-quedas para:
a. Lanamento de preciso, de rangers;
b. Lanamento de pra-quedistas;
2. Pra-quedas de carga;
3. Pra-quedas planadores (pra-quedas de desacelerao, pra-quedas estabilizadores para controlo da
estabilizao e comportamento de corpos em queda, por exemplo, cpsulas de recuperao, assentos de
ejeco, bombas);
4. Pra-quedas estabilizadores para serem usados em sistemas de cadeiras de ejeco, para regulao da
sequncia do desenvolvimento e abertura do pra-quedas de emergncia.
5. Pra-quedas de recuperao para msseis guiados, veculos no tripulados e espaciais.
6. Pra-quedas de aproximao e paraquedas de desacelarao da aterragem.
7. Outros pra-quedas militares.
i. Sistemas de pilotagem automtica, para cargas em pra-quedas; equipamento especialmente concebido
ou adaptado para fins militares, para saltos a qualquer altitude com abertura controlada, incluindo
equipamento de oxignio.
Notas: 1. A alnea b. do presente Item no inclui os avies e helicpteros, concebidos ou modificados para
fins militares, que tenham sido certificados para utilizao civil pelos servios de aviao civil de um pas
membro e cujos equipamentos estejam conformes com as normas internacionais, nem os seus componentes
especialmente concebidos.
2. A alnea c. do presente Item no inclui:
a. Os motores aeronuticos concebidos ou modificados para fins militares que tenham sido certificados pelos
servios da aviao civil, nem os seus componentes especialmente concebidos.
b. Os motores alternativos e seus componentes especialmente concebidos.
3. Nos termos das alneas b. e c. do presente Item, que dizem respeito aos componentes especialmente
concebidos e aos materiais afins para avies, helicpteros ou motores aeronuticos no militares
modificados para fins militares, apenas so abrangidos os componentes militares e os materiais militares
afins necessrios modificao para fins militares.

ITEM N. 11

Equipamento electrnico, no includo no presente Captulo, especialmente concebido para uso militar e
seus componentes especialmente concebidos.
Nota: Este Item inclui:
a. Equipamentos de empastelamento e de contra-empastelamento, incluindo aparelhos de contra-medidas
electrnicas (ECM) e de contra-contra-medidas electrnicas (ECCM), (i.e. mecanismos concebidos para
introduzir sinais estranhos ou errneos nos receptores dos radares ou de equipamentos de comunicaes ou
de outro modo atrasar a recepo, operao ou eficcia dos receptores electrnicos do adversrio, incluindo
os seus equipamentos de contra-medidas);
b. Vlvulas com agilidade de frequncia;
c. Sistemas electrnicos ou equipamentos concebidos quer para aces de vigilncia e registo/anlise do
espectro electromagntico para fins de segurana, informaes militares ou para contrariar essas mesmas
aces;
d. Equipamentos de contra-medidas submarinas, incluindo empastelamento acstico e magntico e engodos,
concebidos para introduzir sinais estranhos ou errneos nos receptores dos sonares;
e. Equipamentos de segurana para processamento de dados, equipamentos de segurana de dados e
equipamentos de segurana para transmisso e sinalizao por linha, usando processos de cifra;
f. Equipamentos de identificao, autenticao e introduo de chaves, bem como equipamentos de gesto e
distribuio de chaves.

ITEM N. 13

Equipamento e construes blindadas ou de proteco, como segue:


a. Chapa blindada;
b. Combinaes e construes de materiais metlicos e no metlicos destinados especialmente a
proporcionar proteco balstica aos sistemas militares;
c. Capacetes militares;
d. Coletes anti-bala, fatos de proteco anti-bala e seus componentes especialmente concebidos.
Notas: 1. A alnea b. inclui combinaes de materiais metlicos e no metlicos especialmente concebidos
para formar blindagem explosiva reactiva ou para a construo de abrigos militares.
2. A alnea c. no abrange capacetes de ao convencional, no equipados, modificados ou concebidos para
aceitar qualquer tipo de acessrios.

ITEM N. 14

Equipamento especializado para treino militar ou para simulao de cenrios militares, componentes e
acessrios especialmente concebidos.
Notas: 1. O termo "equipamento especializado para treino militar" inclui simuladores de ataque, simuladores
de voo operacional, simuladores de alvos radar, geradores de alvo radar, equipamento de treino de tiro,
simuladores de guerra anti-submarina, simuladores de voo (incluindo centrfugas para treino de
pilotos/astronautas), simuladores de radar, simuladores de voo por instrumentos, simuladores de navegao,
simuladores de lanamento de msseis, equipamento para servir de alvo, veculos autnomos programveis
("drones"), simuladores de armamento, simuladores de aeronaves no pilotadas e unidades de treino mveis.

2. Este Item inclui sistemas sintticos de gerao de imagem (SIG) e sistemas de ambiente interactivo para
simuladores quando especialmente concebidos ou modificados para fins militares.

ITEM N. 15

Equipamento de imagem ou de contramedidas, como segue, especialmente concebido para fins militares e
seus componentes e acessrios especialmente concebidos:
a. Equipamento de gravao e tratamento de imagem;
b. Mquinas fotogrficas, material fotogrfico e material de revelao de filmes;
c. Equipamento intensificador de imagem;
d. Equipamento de imagem por infravermelhos ou trmico;
e. Equipamentos detectores de imagem radar;
f. Equipamentos de contramedidas ou de contramedidas para os equipamentos includos nas alneas a. a e..
Nota: O presente Item no inclui os tubos intensificadores de imagem da primeira gerao (veja-se categoria
6.A. 2. a 2. e 6-A. 2.b. do Captulo VI - Sensores e lasers, Categoria 6 - Lista Industrial).
Notas: 1. O termo "componentes especialmente concebidos" inclui o que se segue, quando concebidos para
uso militar:
a. Tubos de converso de imagem por infravermelhos;
b. Tubos intensificadores de imagem (excepto os pertencentes primeira gerao;
c. Placas de microcanais;
d. Tubos de Cmara TV para fraca luminosidade;
e. Conjunto de detectores (incluindo os sistemas electrnicos de interconexo ou de leitura);
f. Tubos de Cmara TV de efeito piroelctrico;
g. Sistemas de arrefecimento usados em sistemas de imagem;
h. Obturadores electrnicos, do tipo fotocrmico ou electro-ptico, tendo uma velocidade de obturao
inferior a 100 microns/seg., excepto os obturadores que constituam o elemento essencial de uma cmara de
alta velocidade;
i. Inversores de imagem de fibras pticas;
j. Fotoctodos, de semi-condutores compostos.
2. O Sub-tem f. do presente Item inclui o equipamento concebido para afectar o funcionamento ou a eficcia
dos sistemas militares de imagem ou reduzir os efeitos dessa afectao.

ITEM N. 16

Produtos forjados, fundidos e semi-acabados essencialmente concebidos para os produtos includos nos
Itens 1, 2, 3, 4, 6, 10, 23 ou 26 do presente Captulo.

ITEM N. 17

Equipamento e materiais diversos e bibliotecas, como se segue, e seus componentes especialmente


concebido,:
a. Aparelhagem de mergulho e natao submarina, seguintes:
1. Aparelhos de respirao em circuito fechado ou semi-fechado;
2. Componentes especialmente concebidos para adaptao a fins militares de dispositivo de respirao em
circuito aberto;
3. Artigos exclusivamente concebidos para uso militar que contenham aparelhagem destinada a mergulho e
natao submarina.
b. Materiais de construo especialmente concebidos para fins militares;
c. Acessrios, revestimentos e tratamentos para a supresso de assinaturas, especialmente concebidos para
fins militares;
d. Equipamento de engenharia de campanha, especialmente concebido para a zona de combate;
e. "Robots", controladores de "robot" e terminais de "robot" tendo qualquer das seguintes caractersticas:
1. Especialmente concebidos para as aplicaes militares;
2. Incorporando meios de proteco de circuitos hidrulicos contra perfuraes externas causadas por
fragmentos balsticos (por exemplo, incorporando circuitos auto-vedantes) e destinados utilizao de fluidos
hidrulicos com pontos de inflamao superiores a 839 K (556C);
3. Podendo funcionar a altitudes superiores a 30.000 m, ou
4. Especialmente concebidos ou calculados para operar num ambiente sujeito a impulsos electromagnticos
(EMP).
f. Bibliotecas (bases de dados tcnicos paramtricos) especialmente concebidas para uso militar com os
equipamentos includos no presente Captulo.
Nota Tcnica: Para efeitos do presente Item, o termo "biblioteca" (base de dados tcnicos paramtricos)
significa o conjunto de informaes tcnicas de carcter militar, cuja consulta permite aumentar as
caractersticas ("performances") dos equipamentos ou sistemas militares.

ITEM N. 18

Equipamento e tecnologia para a "produo" dos produtos referidos neste Captulo, como segue:
a. Equipamento especialmente concebido ou modificado para "produo" de produtos includos neste
Captulo e respectivos componentes;
b. Instalaes especialmente concebidas para teste ambiental e respectivo equipamento de certificao,
qualificao ou ensaio de produtos includos neste Captulo;
c. Tecnologia especfica de "produo", mesmo no caso do equipamento que usa tal tecnologia no estar
sujeito a controlo;
d. Tecnologia especfica para a concepo de instalaes completas de produo, montagem de
componentes para nessas instalaes, operao, manuteno e reparao de tais instalaes,
independentemente do facto dos componentes no estarem sujeitos a controlo.
Notas: 1. As alneas a. e b. incluem os seguintes equipamentos:
a. Aparelhos de nitrao do tipo contnuo;
b. Equipamentos ou dispositivos de teste centrfugo tendo qualquer das seguintes caractersticas:
1. Accionados por um motor ou motores tendo uma potncia nominal superior a 298 Kw (400 hp);
2. Com possibilidade de transportar uma carga de 113 Kg ou superior; ou
3. Com possibilidade de exercer uma acelerao centrfuga de 8 G's ou mais sobre uma carga de 91 Kg ou
superior;
c. Prensas de desidratao;
d. Prensas de extruso especialmente concebidas ou modificadas para a extruso de explosivos militares;
e. Mquinas de corte para o dimensionamento dos propulsores extrusados;
f. Tambores lisos de dimetro igual ou superior a 1,85 m e tendo capacidade superior a 227 Kg do produto;
g. Misturadores para propulsores slidos;
h. Moinhos a energia de fluidos para moer ou triturar os ingredientes dos explosivos militares;
i. Produtos para obter simultaneamente a esfericidade e a uniformidade prprias do p metlico referido na
Nota 1.a.1. do Item n. 8 do presente Captulo;
j. Conversores de corrente de conveco para a converso das substncias referidas na Nota 1. a 6. do Item
n. 8 do presente Captulo.
2. a. Os termos "produtos constantes desta lista", incluem:
1. Produtos no includos no presente Captulo com concentraes inferiores s especificadas, como se
segue:
a. Hidrazina (ver nota 1.a.18 do Item 8)
b. "Altos explosivos militares" (ver Item n. 8);
2. Produtos no sujeitos a controlo se forem de limites inferiores aos limites tcnicos, isto : materiais
"supercondutivos" no abrangidos pela categoria 1.C.5 do Captulo V - electromagnticos "supercondutivos"
no abrangidos pela categoria 3.A.1 e 3 do Captulo III - Equipamento elctrico "supercondutivo" excludo
pelo Item n. 20 b.
3. Os combustveis metlicos e os oxidantes que se depositam sob a forma de lminas a partir da fase de
vapor (ver nota 1.a.2. do Item n. 8 do presente Captulo);
b. Os termos "produtos constantes deste Captulo", excluem:
1. Pistolas de sinais ou do tipo "Very Light" (ver Item 2 b);
2. Substncias excludas pela Nota 2 do Item 7;
3. Aparelhos pessoais de medida de radiaes e mscaras para proteco contra acidentes industriais
especficos (ver Nota 4 do Item 7);
4. Acetileno, propano, oxignio lquido, difluoramina (HNF2), cido ntrico fumigado e nitrato de potssio em
p (ver Nota 7 do Item 8);
5. Motores aeronuticos excludos do Item 10;
6. Capacetes de ao convencionais, no equipados, modificados ou produzidos para aceitar qualquer tipo de
dispositivo acessrio (ver Nota 2 do Item 13);
7. Equipamento constitudo por maquinaria industrial no abrangido tais como: maquinaria para
revestimentos no especificados e equipamento para fundio de plsticos;
8. Mosquetes, espingardas e carabinas anteriores a 1938, as imitaes de mosquetes, espingardas e
carabinas anteriores a 1890, os revlveres, pistolas e metralhadoras anteriores a 1890 e suas imitaes. (A
presente alnea no autoriza a exportao de tecnologias ou equipamentos de produo de armas ligeiras
recentes mesmo se usado para o fabrico de reprodues de armas ligeiras antigas).
3. O sub-item d. no inclui tecnologia para fins civis, tais como agricultura, farmcia, medicina, veterinria e
ambiente, e na indstria alimentar (ver Nota 5 do Item 7).

ITEM N. 20

Equipamentos criognicos e "supercondutivos" e seus acessrios e componentes especialmente concebidos,


como se segue:
a. Equipamentos especialmente concebidos ou configurados para ser instalado num veculo para aplicaes
militares terrestres, martimas, aeronuticas ou espaciais, capazes de operar em movimento e de produzir ou
manter temperaturas inferiores a 130 K (- 170C);
Nota: A presente alnea inclui os sistemas mveis contendo ou utilizando acessrios ou componentes
fabricados a partir de materiais no metlicos ou no condutores de electricidade, tais como os materiais
plsticos ou os materiais impregnados de resinas epxidas.
b. Equipamentos elctricos "supercondutivos" (mquinas rotativas e transformadores) especialmente
concebidos ou configurados para serem instalados num veculo para aplicaes militares terrestres,
martimas, aeronuticas ou espaciais e capazes de operar em movimento, com excepo dos geradores
homopolares hbridos de corrente contnua, possuindo rotores metlicos normais de polo-nico que rodam
num campo magntico produzido por bobinas super-condutoras, desde que essas bobinas constituam o
nico componente super-condutor do gerador.

ITEM N. 23

Sistemas de armas de energia dirigida, equipamento de contramedidas, ou materiais afins e modelos de


ensaio, como segue, e seus componentes especialmente concebidos:
a. Sistemas "laser" concebidos para destruio e abortamento dum alvo;
b. Sistemas de feixes de partculas capazes de destruio e abortamento dum alvo;
c. Sistemas de rdio-frequncia (RF) de alta potncia capazes de destruio e abortamento dum alvo;
d. Equipamento especialmente concebido para a deteco ou identificao de sistemas abrangidos nas
alneas a., b. e c. anteriores ou para defesa contra estes sistemas;
e. Modelos de ensaio fsico e resultados de ensaio, relacionados com os sistemas, equipamentos e
componentes abrangidos pelo presente Item.
Notas: 1. As armas de energia dirigida abrangidas por este Item incluem os sistemas cujas possibilidades
derivam da aplicao controlada de:
a. "Lasers" de onda contnua ou pulsada com potncia de destruio equivalente s munies convencionais;

b. Aceleradores de partculas que projectem feixes carregados ou neutros com poder destruidor;
c. Transmissores de micro-ondas de feixe pulsado de alta potncia, produtores de campos suficientemente
intensos para desactivar circuitos electrnicos existentes no alvo distante.
2. O presente Item inclui os equipamentos seguintes, quando especialmente concebidos para os sistemas de
armas de energia dirigida:
a. Equipamentos de gerao de potncia primria, armazenamento de energia, comutao,
acondicionamento de potncia e distribuio de combustvel;
b. Sistemas de aquisio e seguimento de alvos;
c. Sistemas capazes de estimar danos, destruio ou abortamento do alvo;
d. Equipamentos de alinhamento, propagao e pontaria de feixes;
e. Equipamento de feixe de varrimento rpido para operaes contra alvos mltiplos;
f. Equipamentos pticos adaptativos e dispositivos de conjugao de fase;
g. Injectores de corrente para feixes de ies de hidrognio negativos;
h. Aceleradores "qualificados para fins espaciais";
i. Equipamento de focagem de feixes de ies negativos;
j. Equipamento para controlo e orientao de um feixe de ies de alta energia;
k. Folhas metlicas "qualificadas para fins espaciais" para neutralizao dos feixes de istopos negativos de
hidrognio.

ITEM N. 24
Suporte lgico ("software"), como se segue:
a. Suporte lgico ("software") especialmente concebido ou modificado para o "desenvolvimento", "produo"
ou utilizao de equipamento ou materiais includos neste Captulo.
b. Suporte lgico ("software") especfico como segue:
1. Suporte lgico ("software") especialmente concebido para:
a. Modelao, simulao ou avaliao de sistemas de armas militares;
b. O desenvolvimento, o acompanhamento, a manuteno e a actualizao do suporte lgico ("software")
integrado nos sistemas de armas militares;
c. A modelao ou a simulao de cenrios de operaes militares no includos no Item 14 do presente
Captulo;
d. Aplicao nas reas de Comando, Comunicaes, Controlo e Informao (C(ndice 3)I);
2. Suporte lgico ("software") para determinar os efeitos das armas de guerra convencionais, nucleares,
qumicas ou biolgicas.

ITEM N. 26

Sistemas de armas de energia cintica, equipamento associado e componentes, especialmente concebidos:


a Sistema de armas de energia cintica especialmente concebidas para a destruio ou abortamento dum
alvo;
b. Instalaes especialmente concebidas para ensaio e avaliao, e modelos de ensaio incluindo os
instrumentos de diagnstico e os alvos, para o ensaio dinmico de projcteis e sistemas de energia cintica.
(Para sistemas de armas utilizando munies de pequeno calibre ou empregando somente propulso
qumica e suas munies, ver Itens 1. 2. 3. e 4.).
Notas: 1. Este Item inclui os seguintes equipamentos quando especialmente concebidos para os sistemas de
armas de energia cintica:
a. Lanadores de propulso capazes de acelerar massas maiores que 0,1 gramas para velocidades acima de
1,6 Km/s, em modo de tiro simples ou rpido;
b. Equipamentos de gerao de potncia primria, de blindagem elctrica, de armazenamento de energia, de
gesto trmica, de condicionamento de potncia, de comutao e distribuio de combustvel; interligaes
elctricas ente a alimentao em energia, o canho e as outras funes de comando elctrico da torre.
c. Sub-sistemas de aquisio e de seguimento do alvo, de conduta de tiro e de avaliao de danos.
d. Sub-sistemas cujo fim seja alinhar, guiar ou redireccionar (acelerao lateral) a propulso dos projcteis.
2. Este Item abrange sistemas que usem qualquer dos seguintes mtodos de propulso:
a. Electro-magntico;
b. Electro-trmico;
c. Plasma;
d. Gs de luz; ou
e. Qumico (quando usado em combinao com qualquer dos mtodos acima).
3. O presente Item no contempla tecnologia de induo magntica para propulso contnua usada em
equipamento de transporte civil.

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