1.

Termodynamika powierzchni, napicie i energia powierzchniowa, rwnowagowy

ksztat krysztaw

Termodynamiczny opis powierzchni

Jeeli zmienn niezalen w rwnaniu Gibbsa:

dG=-SdT+VdP'+Qd+BdM+idni+dA+... (1), gdzie:

S-entropia, T-temperatura, V-objto, P-cinienie, Q-adunek elektryczny, -potencja

elektryczny, M-moment magnetyczny, B-indukcja magnetyczna, i - potencja chemiczny
skadnika i, ni - ilo skadnika i (mol), - napicie powierzchniowe, A - powierzchnia;

jest tylko powierzchnia, to przechodzi ono do postaci:

dG=dA

Cakow posta rwnania przedstawia wzr: G - G0 = (A-A0) (2), w ktrym jest energi
powierzchniow i ma wymiar energii na jednostk powierzchni: J m-2.

Energia powierzchniowa cia staych jest na og 10-krotnie wiksza ni energia

powierzchniowa cieczy. Wie si to z wysok temperatur topnienia substancji i energi
kohezji. Korzystajc z zalenoci midzy funkcjami termodynamicznymi, moemy
wyprowadzi inne wyraenia opisujce stan termodynamiczny obszarw midzyfazowych.
Entropi tworzenia nowe powierzchni wyraa wzr:
!
SA = -A( )A (3)
"

Indeks A oznacza, e dana funkcja odnosi si do powierzchni (obszaru midzyfazowego).

Enatlpi tworzenia powierzchni

HA = GA +TSA (4)

otrzymamy, wychodzc z rwna (2), (3) i (4), ktra wyrazi si wzorem:

!
HA = A[ - T( " )A ] (5)

lub
!
HA = A[ - T( " )A ] (6)

Rwnania (3)-(6) wyraaj relacje termodynamiczne zwizane ze zmain energii

powierzchni. Napicie powierzchniowe , powierzchnia A, gsto adunku
powierzchniowego q, potencja elektryczny i stenie powierzchniowe =ni/A s
podstawowymi parametrami okrelajcymi termodynamiczny stan ukadu midzyfazowego.

Napicie powierzchniowe - zjawisko fizyczne wystpujce na styku powierzchni cieczy z

ciaem staym, gazem lub inn ciecz, dziki ktremu powierzchnia ta zachowuje si jak
sprysta bona; wielko fizyczna" energia przypadajca na jednostk powierzchni, lub praca
potrzebna do rozcignicia powierzchni o t jednostk.
Miar napicia powierzchniowego jest praca, jak trzeba wykona, by utworzy jednostkow
powierzchni cieczy, co mona wyrazi wzorem:
!
= "
(jednostka w SI J/m2), gdzie:

- napicie powierzchniowe

W - praca potrzebna do utworzenia powierzchni S

S - pole powierzchni
#
Powyszy wzr jest rwnowany: = (jednostka w SI N/m = J/m2), gdzie:
$

F - sia napicia powierzchniowego dziaajca rwnolegle do powierzchni cieczy, dca do

zmniejszenia powierzchni cieczy

l - dugo odcinka, na ktrym dziaa sia

Napiciem powierzchniowym nazywa si si styczn do powierzchni cieczy, dziaajc na

jednostk dugoci obrzea powierzchni cieczy. W termodynamice napicie midzyfazowe
%&
definiuje wzr: = ( )P,T , gdzie G to entalpia swobodna zwana energi Gibbsa, a S to
%"
wielko powierzchni.

Napicie powierzchniowe silnie zaley od temperatury cieczy. Zmniejsza si wraz ze

wzrostem temperatury i spada do zera w temperaturze krytycznej. Naicie pow. zaley od
materiau i rodzaju powierzchni.

Zaleno od temperatury:

= 0 (1 T/Tc)n

0 - napicie powierzchniowe w T = 0K,

Tc temperatura krytyczna ( temperatura, w ktrej znika ciao stae). ,

Swobodna energia powierzchniowa jest rwna pracy, jaka potrzebna jest do utworzenia
jednostkowej powierzchni podczas rozdziau dwch znajdujcych si w rwnowadze faz w
odwracalnym procesie izotermicznym. Jednostk swobodnej energii powierzchniowej
jest mJ/m2. Warto swobodnej energii powierzchniowej otrzymywana jest na podstawie
wyznaczonych poprzez rne ciecze pomiarowe ktw zwilania.
Powierzchniow energi wewntrzn Us definiujemy jako nadmiar energii wewntrznej
ciaa staego ponad t energi, ktr dysponowaoby to ciao, gdyby nie byo powierzchni.

Definiujemy powierzchniow energi wewntrzn Us przypadajc na jednostk powierzchni

U = N Uo + A Us ,

gdzie U cakowita energia wewntrzna ciaa staego; Uo energia wewntrzna ciaa staego
przypadajca na 1 atom; A obszar powierzchni.
Wasnoci energetyczne warstw powierzchniowych

Gsto oraz energia oddziaywania zmienia si w

sposb cigy.

Grubo warstwy powierzchniowej moe by bardzo

rna, jednak w wielu przypadkach, np. krysztay
pprzewodnikw lub krysztay jonowe, moe to by
wiele warstw atomowych.

Stosuje si wiele rnych przyblie do opisu

wasnoci powierzchni, jednak najprostszym jest opis
Gibbsa

Model powierzchni Gibbsa

Model Gibbsa jednorodne wasnoci faz

objtociowych i dodatkowa gsto (masy,
energii, itp.) przypisywana powierzchni
gdy zachodzi taka potrzeba.

Mona wybra pooenie powierzchni tak,

aby znikaa powierzchniowa gsto masy
lub powierzchniowa gsto energii.

W przypadku ukady zawierajcego kilka

skadnikw mona wybra pooenie tak
aby znikaa powierzchniowa gsto
jednego ze skadnikw.

Opis standardowy znika powierzchniowa gsto masy

Energia swobodna krysztau F jest sum wkadu objtociowego i powierzchniowego:

l,s - potencja chemiczny (s,l)

fl,s - gsto energii swobodnej na jednostk objtoci faz (s,l)
 - gsto energii powierzchniowej
Energia swobodna w modelu Gibbsa jest wic rwna:

Napicie powierzchniowe - i powierzchniowa gsto energii

Powierzchniowa gsto energii

Napicie powierzchniowe sia dziaajce na jednostk dugoci obwodu powierzchni

Praca potrzebna na zwikszenie obwodu = zmiana energii powierzchni

Przypadek anizotropowy - rwnowagowy ksztat powierzchni krysztaw

W przypadku krysztaw energi powierzchniowa zaley od orientacji, tzn. zachodzi =

(,)

Wykres tej zalenoci jest to tzw. - plot - wyznaczenie na jego podstawie

rwnowagowego ksztatu krysztau nosi nazw konstrukcji (twierdzenia) Wulfa.

Rwnowagowy ksztat krysztau jest wyznaczony przez minimaln obwiedni utworzon

przez paszczyzny prostopade do linii wychodzcych ze rodka wykresu i przechodzce
przez punkty przecicia linii i tego wykresu. Std wyznaczenie rwnowagowego ksztatu
sprowadza si do wyznaczenia zalenoci (,) .
Konstrukcja Wulfa

Dana jest zaleno energii powierzchniowej od ktw (,)

Obliczamy wielko energii powierzchniowej dla kta d

W przypadku gdy E2 > (E1/cos) to realizowany bdzie przypadek 1, w przypadku

odwrotnym przypadek 2.
 Techniki i metody ultrawysokiej prni (UHV), podstawy kinetyczne, metody
otrzymywania i pomiaru UHV, technologie prniowe
(Sonien i Kamilen)

/*ciga
Jednostki:
1Pa = 1N/m2
1Torr = 133Pa
1bar = 106dyn/cm2 = 105Pa (=> 1mbar = 1hPa)

Prnia:
niska: 3,3*103 < P [Pa] <105
rednia: 10-1 < P < 3,3*103
wysoka: 10-4 < P < 10-1
b. wysoka: 10-7 < P < 10-4
ultrawysoka UHV: 10-10 < P <10-7
ekstremalna: P < 10-10
w kosmosie: P 10-18 Pa */

Techniki i metody

Ultrawysoka prnia zawiera si w zakresie od 10-11 do 10-9Pa. Osignicie tak wysokiej prni
wymaga zastosowania poczenia pomp z technologi prni (patrz: ppkt ostatni).

UHV zapewnia warunki zachowujce czyst i dobrze zdefiniowan powierzchni (definicja

UHV z wykadu), dlatego jest uywana w technikach fizyki powierzchni. Innymi sowy, w
ultrawysokiej prni czsteczki gazu nie przyczepiaj si do powierzchni (ktra chtnie wyapuje
wszystko wok, bo ma adnie wypenione wizania tylko z jednej strony, a z drugiej ta symetria
wystpujca normalnie w sieci krystalicznej zostaje zakcona), poniewa jest ich mao i zderzaj
si z ni stosunkowo rzadko. Dziki temu powierzchnia pozostaje czysta i mona j bada.
Oczywicie, po jakim czasie nawet w ultrawysokiej prni gaz zaadsorbuje si na powierzchni,
ale jest to proces wystarczajco powolny na wykonanie pomiarw (adsorpcja gazu/godzin to
tzw. parametr prni).

Podstawy kinetyczne

/* Tego nie byo na wykadzie

Zaoenia teorii kinetycznej gazw:

 - gaz jest zoony z maych atomw i/lub czsteczek
- s one w nieustannym ruchu
- energia wewntrzna gazu jest energi kinetyczn wszystkich rodzajw ruchw wszystkich jego
czsteczek

*/

Prdkoci czsteczek gazw opisuje rozkad Maxwella Boltzmanna. Gazy doskonae opisuje
rwnanie:

! = "#$ = "%& '$

Szybko adsorpcji gazu na powierzchni prbki zaley od:

- czstoci zderze (lub f)

Przy kilku zaoeniach, w temp. pokojowej, mona wyliczy, e do utrzymania niskiego pokrycia warstwy
powierzchniowej przez atomy gazu wystarcza prnia rzdu ok. 10-8Pa (ok.10-10Tr i mbar). Dlatego te
pomiary powierzchni prowadzi si w prniach co najmniej rzdu 10-9mbara (10-7Pa). Czsto zderze z
powierzchni ronie z cinieniem i gstoci czsteczek, a spada ze wzrostem czasu adsorpcji i redniej
drogi swobodnej.

- wspczynnika przylegania
Ten wspczynnik zaleny jest od stopnia pokrycia warstwy (spada z jego wzrostem, oprcz
metali), charakteru adsorpcji (fizyczna - np. wizania wodorowe lub chemiczna np. wizania
jonowe. Jej rodzaj zaley od oddziaujcego gazu i powierzchni) i temperatury.

Stopie pokrycia warstwy mona wyrazi:

!"
=
!#

gdzie: stopie pokrycia. = 1 to powierzchnia pokryta jedn monowarstw

Na liczba zaadsorbowanych atomw
N0 liczba miejsc adsorpcyjnych, N0 1015 atomw.

Metody otrzymywania i pomiaru

Podstawow, chocia niewystarczajc metod uzyskiwania prni s pompy.

Pompa idealna, to taka o maksymalnej szybkoci pompowania, przepywie jednokierunkowym

(tylko na zewntrz). Jej szybko jest ograniczona czstoci wpadania czstek do otworu.
W rzeczywistoci na proces wpyw ma dyfuzja gazu w ciele staym; z tego powodu gaz przenika
przez ciany komory prniowej, z ktrej odpompowywane jest powietrze. Jest to rdo
nacieku, ktrego nie da si wyeliminowa, problemem jest tu zwaszcza wodr. Inne rdo
nacieku, ktre jednak mona usun, to nieszczelno. Dodatkowo wystpuje desorpcja ze
ciany komory zaadsorbowanego przed wypompowywaniem gazu. Desorpcje rnych
materiaw mona odczyta z tablic. Czas ycia desorpcji mona te zmniejsza przez
wygrzewanie.

Inna wielkoci charakterystyczn jest przewodno C ukadw prniowych:

"#
=! #
$% &
gdzie: p zmiana cinienia na obu kocach rury
p1 cinienie w komorze prniowej

Efektywna szybko pompowania wyraa si wzorem:

1 1 1
= +
!"" #

Wrd pomp osigajcych prni ultrawysok wyrniamy:

- dyfuzyjne najpopularniejsze olejowe, ale niezbyt dobre ze wzgldu na pozostajce w

komorze pary oleju (strumie wsteczny). Lepsza rt, ale toksyczna. Pary oleju lub rtci pynce
z du prdkoci porywaj ze sob czsteczki gazu na skutek dyfuzji, a nastpnie oddaj cz
swojej energii kinetycznej w zderzeniach, wystrzeliwujc je w obszar o wikszym cinieniu.
Kiedy pary wracaj do pompy, s skraplane na ciankach, opadaj na dno i znowu s
podgrzewany do pary.

- turbomolekularne takie co:

 Pompa ma opatki skrcone na zmian w dwie
strony, skrcone w jedn stron si ruszaj, a w
drug nie. Skutek tej budowy jest taki e
czsteczki powietrza s wybijane tylko w jedn
stron. Te opatki, co si obracaj, robi to tak
szybko, eby prdko bya porwnywalna z
prdkoci ruchw cieplnych.

- jonowo-sorpcyjne zjonizowany gaz pada na katod z metalu, metal si rozpyla po ciankach

pompy i silnie sorbuje gazy. Wymagaj prni wstpnej, ale daj bardzo czyst prni. Np.
sublimator tytanowy.

/* Nie byo na wykadzie

- kriopompy gazy przywieraj do schodzonej gowicy. Daj dobr czysto i s efektywne, ale
po wyczeniu pompy gazy s od razu uwalniane i ich efektywno spada z czasem pompowania,
bo powierzchnia gowicy si nasyca.

*/

POMIAR

Odbywa si za pomoc prniomierzy. Rodzaje prniomierzy:

- gowica jonizacyjna BayardaAlperta takie co:

Elektrony z emitera s przyspieszane w polu elektrycznym siatki i zderzaj si z molekuami
gazu. Powstaj jony, ktre id do naadowanego przeciwnie kolektora i tworzy si prd jonowy,
przy czym im lepsza prnia, tym mniej jonw i sabszy prd. Moe zmierzy UHV.

- jonizacyjny z zimn katod (jarzeniowy) ma 2 elektrody w prni, do ktrych przyoono

bardzo wysokie napicie (1000-2000V) i zewntrzne pole magnetyczne. Miar prni jest prd
wyadowania jarzeniowego. Moe zmierzy UHV.

- Mc Leoda pomiar bezwzgldny poprzez odczyt wysokoci supkw rtci w rurkach

poczonej i nie poczonej z komor prniow. Rzadko uywany przez rt, ale moe suy
jako kalibracja innych prniomierzy (bo wysoko supka przy znajomoci geometrii rurki daje
info o cinieniu). Nie mierzy UHV.

- Piraniego (cieplno-przewodnociowy) odcinek drutu w prni pod napiciem. Przez prd si

nagrzewa, im wysza prnia, tym gorzej to ciepo jest odprowadzane, zwiksza si temperatura i
oporno mierzona mostkiem Wheatstonea (ktrego pozostae opory s na powietrzu). Nie
mierzy UHV.

- prniomierz ze spiral Bourdona spirala umieszczona w prni nagrzewa si jak reystor z

Piraniego. Wskutek tego odksztaca si i to odksztacenie jest miar prni. Nie mierzy UHV.

Technologie prniowe

Elementami pompy s konierze prniowe (na stykach). Wyrniamy uszczelnienia prniowe:

 - typu KF
rednice do ok. 5cm, elastomerowa uszczelka umieszczona na piercieniu centrujcym i
zaciskana klamrami.

- typu CF
dla ultrawysokiej prni (UHV). Uszczelka jest miedziana typu OFHC (beztlenowa), ciskana
konierzami z noami prniowymi. S jednorazowe.

Specjalne technologie prniowe musz by te stosowane wobec zaworw pomp. Wyrniamy

zawory:
- pytowe
- mieszkowe (czysto metalowe).

Innym systemem zapewniajcym wysok prni s NEG (Non-Evaporable Getter), czyli

porowate stopy albo proszki Al, Zr, Ti, V i Fe. Ich spieki wewntrz komory prniowej pomagaj
polepszy prni poprzez sorpcj; dziaaj podobnie jak pompy jonowo sorpcyjne.

Techniki prniowe mona podzieli na cztery typy:

1. Szorstka prnia (Rough Vacuum) Atm (100mbar) 10-2mbar

Dotyczy usuwania pcherzykw gazw z ukadu. W komorze istnieje wiele czstek gazu,
ktre oddziauj ze sob zgodnie z zasadami termodynamiki dla cieczy o duej lepkoci.
Gazy te s uwaabe za lepkiego pynicia.
2. Prnia procesowa (Process Vacuum) 10-2mbar 10-4mbar
Wiele procesw prniowych wystpuje przy cinieniu rzdu milionowych atmosfer.
Komor jest najpierw doprowadzana do wysokiej prni, a nastpnie ponownie
napeniana niektrymi gazami procesowymi. Przy tych cinieniach interakcje pomidzy
czsteczkami s jeszcze istotne, ale cechy przepywu gazw charakterystycznego dla
pynu zaczynaj mie znaczenie i na zachowanie gazw zaczynaj wpywa rwnie
zderzenia gazu ze ciankami. Kilka pomp jest zoptymalizowanych do dziaania cinienia
procesowego i poczenie pomp szorstkich (rough vacuum) i wysokiej prni
(szeregowo) jest zazwyczaj wymagane do uzyskania podanych warunkw.
3. Wysoka prnia (High Vacuum) 10-5 bar 10-9 mbar
Wysoka prnia jest zdominowana przez kolizje pomidzy czsteczkami a ciankami
komory. Gazy resztkowe wdruj w przypadkowy sposb std potrzeba zastosowania
innej pompy. Zamiast dosownie wysysa gazy z instalacji, pompa musi czeka a
czsteczki gazu do niej wpadn. Pompy wysokiej prni s wic pompami
statystycznymi".
4. Ultrawysoka prnia (Ultra-high Vacuum)
Krystalografia w dwch wymiarach, relaksacja i rekonstrukcja,
powierzchniowo czue metody dyfrakcyjne: dyfrakcja elektronw
niskoenergetycznych (LEED) i odbiciowa dyfrakcja elektronw
wysokoenergetycznych (RHEED)

Ze wstpu o krystalografii 3D:

v 7 ukadw krystalograficznych
v 14 sieci Bravais
v 32 grupy punktowe
v Grupa punktowa zbir przeksztace symetrii, w ktrych wze pozostaje
nieruchomy a sie przechodzi sama w siebie (obroty, odbicie zwierciadlane, inwersja)
v Grupy przestrzenne = sieci Bravais + grupy punktowe (230)
OZNACZ. DEFINICJA PRZYKAD
Proste [u, v, w] Wskaniki kierunkw
sieciowe prostych sieciowych w sieci
przestrzennej okrelaj trzy
liczby cakowite m, n, p
wzgldem siebie pierwsze,
ktre zapisane w nawiasach
kwadratowych stanowi
symbol prostej sieciowej
[mnp].
Kierunki <u, v, w> Kierunki, ktre mona Np. kierunki symetrycznie rwnowane dla
symetrycznie przeprowadza jeden w drugi ukadu regularnego:
rwnowane przez dziaanie elementw <100> = [100], [-100], [010],
symetrii, nazywa si
kierunkami symetrycznie
rwnowanymi.
Paszczyzny (h k l) Orientacj paszczyzny w
sieciowe przestrzeni sieciowej zapisuje
wskaniki si za pomoc
Millera tzw. wskanikw Millera.
Okrelaj one, ile razy odcinki
odcite na osiach przez
pierwsz
z rwnolegych paszczyzn,
najblisz pocztku ukadu,
Wyznaczanie (h k l)
mieszcz si w jednostkach
znale wsprzdne przecicia paszczyzny
osiowych a0, b0, c0. Wskaniki
z osiami : 2, 4, 1
Millera s zawsze liczbami
utworzy odwrotnoci tych liczb: , , 1
prostymi i wymiernymi.
znale trzy najmniejsze liczby cakowite o
tym samym stosunku: *4 = 2, *4 = 1, 1*4
=4
liczby te zapisane w nawiasie s
wskanikami paszczyzny (hkl) -(2 1 4)
 Paszczyzny {h k l} Jeeli paszczyzny nakadaj w uk. regularnym jest ich 6:
symetrycznie si wzajemnie, gdy np. {100} = (100), (010), (001),
rwnowane zastosujemy elementy (100), (010), (001)
symetrii, to mamy do
czynienia z rodzin paszczyzn
symetrycznie rwnowanych.

Krystalografia w dwch wymiarach

v pooenie kadego atomu na powierzchni mona okreli za pomoc liniowej

kombinacji dwch wektorw a i b:

! = "#! + $%&!

gdzie u i v s liczbami cakowitymi.

5 typw sieci Bravais 2D:

v 10 grup punktowych 2D

v 17 grup przestrzennych 2D

Powierzchnia
v Powierzchnia ciaa krystalicznego = kilka (~3) jego zewntrznych warstw atomowych
v Materia objtociowy = podoe

Wasnoci powierzchni:

zamana symetria translacyjna

 brakujcy ssiedzi
niewysycone wizania (dangling bonds) dua aktywno chemiczna
F
dangling bonds
poziomy energetyczne s
znaczco odsunite od
stanw objtociowych

inna struktura krystalograficzna

inna struktura elektronowa w porwnaniu do ciaa staego
Modyfikacja waciwoci elektronowych:
o Niejednorodno strukturalna rekonstrukcja, relaksacja
o Niejednorodno chemiczna segregacja, dyfuzja
F
Segregacja powierzchniowa
Przyczyn segregacji skadnikw
stopu (roztworu) jest rnica
wielkoci oddziaywa pomidzy
atomami A-B i wielkoci
oddziaywa A-A i B-B.

dua gsto defektw

adsorpcja
o w otoczeniu: np. adsorpcja z otoczenia
o w prni: atomy zaczynaj si wysyca midzy sob (proces szybszy ni reakcja
z otoczeniem)
powierzchnia ma wymiar 2,5
o 2 powierzchnia grafenu
o 1 acuchy atomowe
o 0 kropki kwantowe
Powierzchnia powstaje w wyniku przecicia
krysztau objtociowego po wybranej
paszczynie.

Rne struktury powierzchni powstae w

wyniku przecicia krysztau FCC wzdu
rnych paszczyzn.

Struktura powierzchni zaley od

paszczyzny, wzdu ktrej przecito
kryszta:
Struktury gstego upakowania

1) Regularna fcc - ABCABC 2) Heksagonalna - ABABAB

Relaksacja
W najprostszym przypadku mona by przyj, e jest to warstwa atomowa, ktra oddziela ciao
stae (ciecz) od fazy gazowej. Jest to jednak definicja zbyt uproszczona. Gdy kryszta zostanie
przecity, zmianom ulega nie tylko ostatnia warstwa atomowa, lecz rwnie warstwy lece
poniej. Warstwy te przesuwaj si do wntrza krysztau. Mwimy wtedy o tzw. relaksacji.
a) Relaksacja
poduna
(?) - normal
b) Relaksacja
poprzeczna
(?) - lateral

Proces ten jest spowodowany przez zanik czci si, ktre dziaay na atomy powierzchni, gdy
byy jeszcze we wntrzu krysztau. Ta nierwnowaga si jest odpowiedzialna za powstanie
takich zjawisk jak napicie powierzchniowe, cinienie kapilarne, czy zwikszona aktywno
chemiczna powierzchni.
Rekonstrukcja

Zjawisko relaksacji nie jest jedynym procesem, z ktrym moemy mie do czynienia. Ot,
pooenie atomw na powierzchni jest okrelone przez tzw. energi swobodn. Ukad zawsze
dy do minimalizacji tej wielkoci. W rezultacie moe okaza si, e z energetycznego punktu
widzenia jest zalecane przemieszczenie atomw po powierzchni. Taki proces nazywamy
rekonstrukcj. Mamy z nim do czynienia na powierzchni niektrych metali i prawie wszystkich
pprzewodnikw.
Powierzchnia niezrekonstruowana uoenie atomw na powierzchni = uoeniu atomw w
warstwach wewntrznych

Powierzchnia zrekonstruowana uoenie atomw na powierzchni rni si od uoenia

atomw w warstwach wewntrznych

Powierzchnia ciaa staego dy do osignicia minimum energii swobodnej. Niekiedy okazuje

si, e ukad powstay po przeciciu krysztau odwzorowujcy uoenie atomw we wntrzu
nie jest najbardziej korzystny energetycznie. Przykadem tego moe by pokazana poniej
powierzchnia krysztau krzemu (100). Tak jak to pokazano poniej w wyniku przecicia
krysztau powstaje ukad, w ktrym kady z atomw ostatniej warstwy krzemu ma dwa
niewysycone wizania (patrz (001)).
Energia ukadu ulegnie obnieniu, gdy jedno z tych wiza zostanie wysycone (utworzy si
wizanie pomidzy dwoma atomami Si). Ponisze rysunki pokazuje idealn,
niezrekonstruowan powierzchni krysztau krzemu Si(100) oraz bardziej stabiln
termodynamicznie powierzchni Si(2x1). Oznaczenie (2x1) znaczy, e odlego pomidzy
atomami na powierzchni w kierunku wektora bazowego a1 jest 2 razy wiksza ni wynosiaby
ta odlego, gdyby rekonstrukcja nie zasza podczas, gdy w kierunku a2 nic si nie zmienio -
patrz komrka elementarna powierzchni). Jest to przykad tzw. notacji Wooda.

Niezrekonstruowana powierzchnia
Si(100) (1x1)

Atomy krzemu w ostatniej warstwie

s oznaczone pomaraczowym
kolorem. Te atomy wi si tylko
z dwoma innymi atomami Si,
z ktrych kady jest ulokowany
w drugiej warstwie

Zrekonstuowana powierzchnia
Si(100)-(2x1)

Atomy krzemu w ostatniej warstwie

tworz wizania kowalencyjne
z ssiadami. W rezultacie powstaje
ukad rzdw zoonych
z kwazimoleku dwuatomowych.
Notacja Wood
Metod Wooda mona stosowa tylko wtedy,
gdy kt pomidzy wektorami b1 i b2 jest taki
sam, jak kt pomidzy wektorami a1 i a2.
Wyraenie pooenia atomw na
powierzchni skada si z trzech
etapw:
1. Znajdujemy wektory tworzce
komrk elementarn
powierzchni b1 i b2 oraz
wektory a1 i a2 powstae przez rzut
komrki elementarnej
wntrza krysztau na powierzchni
2. Jeeli wektor b1 nie jest rwnolegy
do wektora a1, to obracamy
wektory a1 i a2 o taki kt j, aby
speniony by ten warunek.
3. Obliczamy stosunek dugoci
wektorw a i b: |b1|/|a1| |b2|/|a2|
Rezultatem kocowym jest zapis:
(|b1|/|a1| x |b2|/|a2|) R j
 Podoe fcc(100)

Komrka elementarna podoa

Komrka elementarna ostatniej

warstwy

|b2| = 2 |a2| i |b1| = 2 |a1|

a wic czerwona struktura to

(2x2)

Zapis kocowy fcc(100)-(2x2)

Notacja macierzowa

Dyfrakcja elektronw niskoenergetycznych (LEED)

Mog by badane

fizyczna struktura powierzchni

struktury powierzchni monokrystalicznych
struktury molekularnych warstw zaadsorbowanych
Dwuwymiarowa sie odwrotna

wektory translacji sieci rzeczywistej a,b

wersor normalny do powierzchni n
wektory translacji sieci odwrotnej A, B

wzy sieci odwrotnej G = ha + kb

Wskaniki sieci odwrotnej h, k

Opis metody

Metoda stosowana w celu okrelenia struktury powierzchni materiaw krystalicznych technika

badawcza polegajca na bombardowaniu powierzchni skolimowan wizk elektronw o
niskiej energii (20200 eV) i obserwacji dyfrakcji elektronw na ekranie fluorescencyjnym.

W badaniu struktury krystalicznej uywa si wizki elektronw o energii od 10 do 1000 eV.

Wizka elektronw jest bardzo silnie rozpraszana przez badane ciao stae, std gboko
penetracji nie przekracza kilku lub kilkunastu staych sieciowych. Wynikiem tego jest
ograniczenie zastosowania metody LEED tylko do badania wizki odbitej. Informacje
uzyskane z eksperymentu dotycz jedynie struktury warstwy powierzchniowej materiau.

Eksperyment przeprowadza si w warunkach ultrawysokiej i czystej prni, rzdu 10-9 mbar,

niezbdnej do zachowania drogi swobodnej elektronw w caym ukadzie pomiarowym.
Odbiciowa dyfrakcja elektronw wysokoenergetycznych (RHEED)

Odbiciowa dyfrakcja wysokoenergetycznych elektronw RHEED jest eksperymentaln

technik pozwalajc na nieinwazyjne badanie powierzchni krysztaw oraz monitorowanie
wzrostu cienkich warstw w procesie epitaksji z wizki molekularnej. Technika ta umoliwia
rwnie orientacj krysztau wzdu wybranego kierunku krystalograficznego oraz
identyfikacj rekonstrukcji tworzcych si na powierzchni.

W dowiadczeniu RHEED wizka elektronw jest ogniskowana przy pomocy soczewki

magnetycznej oraz przyspieszana napiciem 18 kV. Cewki ustawione wzdu toru elektronw
pozwalaj nakierowa wizk na powierzchni badanego krysztau pod niewielkim ktem, nie
wikszym ni 5o.

Budowa dyfraktometru

Rysunek przedstawia schemat dyfraktometru RHEED. Z prawej strony widoczne jest dziao
elektronowe zoone z wolframowej katody, z ktrej elektrony emitowane s na skutek
termoemisji, cylindra Wehnelta oraz anody. Anoda jest uziemiona, natomiast katoda znajduje
si na ujemnym potencjale rzdu 18 kV przyspieszajcym elektrony. Wizka elektronw trafia
w obszar cewki korekcyjnej, a nastpnie na platynow przeson z otworem o rednicy 0,59
mm, ktra zmniejsza jej rozbieno. Cewki magnetyczne odchylaj wizk w kierunkach
prostopadym i rwnolegym do paszczyzny krysztau.
Uformowana wizka elektronw pada na badan prbk, a po odbiciu od niej trafia w ekran
pokryty substancj fluorescencyjn. Obraz dyfrakcyjny powstajcy na ekranie jest rejestrowany
przy pomocy kamery CCD.

Dua energia elektronw oraz niewielki kt padania wizki sprawiaj, e technika RHEED jest
wraliwa na zjawiska zachodzce na powierzchni badanych substancji.

Badanie chropowatoci

RHEED posiada bardzo du czuo na chropowato powierzchni (100-1000 )

Duga droga elektronw pozwala uzyska obrazy maych powierzchni podobnych do dyfrakcji
na duej prbce.

Wysoka czuo RHEED-u na chropowato moe by wykorzystana do badania

chropowatoci w czasie wzrostu cienkich warstw.
Spektroskopia elektronowa (ang. Electron Spectroscopy) jedna z podgrup spektroskopii,
wykorzystujca zjawiska na poziomie oddziaywa elektron - prbka. Suy gwnie do
poznawania i badania struktury elektronowej, wiza chemicznych oraz skadu chemicznego
materiaw.
Spektroskopia fotoelektronowa Wykorzystuje wysokoenergetyczne fotony o energii, rzdu 35
eV posiadajce energi pozwalajc usuwa elektrony z powok walencyjnych. Bada si
energi wybitych elektronw. Wykorzystuje zjawisko fotoelektryczne pod wpywem
promieniowania rentgenowskiego (XPS/ESCA), nadfioletowego (UPS), synchrotronowego.
hv = E K + E B (n) EK energia kinetyczna wybitego elektronu
EB energia wizania elektronw na n-tej powoce
Analizuje elektrony wyrzucone z materiau prbki pod wpywem jej nawietlania
monoenergetycznym mikkim promieniowaniem X (<8keV). Energia kinetyczna
fotoelektronw pozwala na identyfikacj pierwiastkw prbki i analiz ich wizania
(XPS/ESCA), okrelenie energetycznego zakresu pasm (UPS). Natenie fotoelektronw
pozwala na okrelenie koncentracji pierwiastkw i analiz udziau rnych wiza
(XPS/ESCA), okrelenie zapenienia i struktury pasm (UPS).

1. rdo promieniowania:
a. XPS: lampa rentgenowska
b. UPS: lampa helowa, neonowa, wodorowa
c. Promieniowanie synchrotronowe
2. Analizator hemisferyczny energii kinetycznej elektronw, zapewnia dobr zdolno
rozdzielcz rzdu kilkudziesiciu meV i lepsz
3. Detektor/ powielacz elektronw (dynodowy, channelotron (kanaowy), channelplate)
 4. Ukad wysokiej prni- <10-5 aby unikn rozprosze fotoelektronw, ale <10-9 aby
nie zanieczyszcza powierzchni
5. Dziao niskoenergetycznych elektronw przeciwdziaa elektrostatycznemu
adowaniu prbek izolujcych
6. Dziao jonw- czyszczenie powierzchni prbki, co umoliwia analiz skadu
chemicznego poprzez cieranie kolejnych powok prbki i analiz gbiej
pooonych warstw

XPS:

Materiay przewodzce i nadprzewodzce

Metoda niedestrukcyjna
Wykrywa wszystkie pierwiastki bez H i He
Czuo detekcji pierwiastkw od 0.01% do 0.5%
Analiza stanu chemicznego, take ilociowa i w funkcji gbokoci
Informacja z warstwy powierzchniowej: 0.5nm<d<7.5nm
Moliwe wyznaczanie map rozmieszczenia pierwiastkw z rozdzielczoci ~10m
Powierzchniowa czuo XPS jest zwizana z gbokoci prbkowania d: =3
elektronw
Wizka jonw padajca na prbk odsania kolejne warstwy prbki pooone coraz
gbiej

Widmo XPS skada si z linii spektralnych, ktre pozwalaj na okrelenie skadu

chemicznego prbki i linii ta.

UPS:

Informacje o energiach wizania elektronw z orbitali walencyjnych

Ograniczone do maych, prostych czstek
Mniejsza gboko prbkowania ni w XPS
Lepsza zdolno rozdzielcza ni w XPS
Widma stanowi odcisk palca czsteczki i mog w caoci posuy do ich
identyfikacji
Umoliwia wykrycie i okrelenie typw wiza, rozrnienie konformacji i form
czsteczek, detekcj rodnikw i nietrwaych struktur przejciowych
UPS w ostatnich latach zdobywa znw popularno z powodu coraz lepszej
dostpnoci synchrotronowych rde wiata, ktre dostarczaj szerokiego spektrum
monochromatycznego promieniowania.
Spektroskopia elektronw Augera:
a) Zasada dziaania:
Caa metoda bazuje na efekcie Augera, czyli zjawisku emisji elektronw przez atom,
zachodzce dziki energii uwolnionej na skutek wypeniania luk w niskich powokach
elektronowych przez elektrony z wyszych powok. Luki te mog powstawa na skutek
wychwytu elektronu z wewntrznej powoki przez jdro..

Elektron emitowany przez atom podczas tego procesu nosi nazw elektronu Augera. Pochodzi
on z powoki walencyjnej lub zblionej do niej. Energia elektronu Augera jest cile
okrelona i zaley tylko od energii powok, midzy ktrymi przechodzi elektron opadajcy na
nisz powok

Eelektronu=E1-E2-E3
Proces Augera jest charakteryzowany przez zesp trzech liter, odpowiadajcymi
poszczeglnym powokom i podpowokom biorcym udzia w procesie Augera.

Regua Costner-Kroning:
Najefektywniejsze s przejcia, w ktrych bior udzia dwa elektrony znajdujce si na tej
samej powoce, np. KLL lub LMM.

Sygna Augera mierzy si na dwa sposoby:

Metoda cakowa Mierzymy sygn elektronw Augera w funkcji elektronw
pierwotnych, Energi Augera okrela pooenie piku
Metoda rniczkowa Mierzymy pochodn energii sygnau elektronw Augera w
funkcji sygnau elektronw pierwotnych, energi Augera okrela pooenie minimum

b) Sposoby obrazowania:
Obrazowanie powierzchniowe:
 obrazowanie przestrzenne wizka jonowa zdziera zewntrzne warstwy

c) Zalety:
Moliwo rejestracji wszystkich pierwiastkw z wyjtkiem wodoru i helu.
Prosta interpretacja wynikw (baza widm wzorcowych i widma od indywidualnych
pierwiastkw nie nachodz na siebie).
Moliwo przeprowadzania dwu i trjwymiarowej analizy.
Modularna budowa spektrometru moliwo czenia z innymi technikami
badawczymi.
Czuo ~0.01 monowarstwy.
Promieniowanie synchrotronowe
Promieniowanie synchrotronowe jest promieniowaniem elektromagnetycznym rozchodzi
si w postaci fal. Obejmuje ono wan cz widma elektromagnetycznego: od podczerwieni
(IR), poprzez ultrafiolet (UV), ultrafiolet prniowy (VUV), a do zakresu rentgenowskiego.
Promieniowanie synchrotronowe jest oczywicie widzialne w pewnym zakresie dugoci fal.
Widmowe waciwoci promieniowania synchrotronowego s charakteryzowane jego energi
(mierzon w elektronowoltach) lub rwnowartociowo jego czstotliwoci, wzgldnie
dugoci fali. Im krtsza jest dugo fali, tym wiksza energia promieniowania.

Promieniowanie synchrotronowe powstaje wwczas, gdy lekko naadowane czstki prawie

z prdkoci wiata, zostaj wychylone przez magnes. Do najwaniejszych zalet
promieniowania synchrotronowego nale:
- silne zogniskowanie;
- spolaryzowanie;
- dokadna wyliczalno;
- pulsacyjny charakter;
- wysoka intensywno;
- duy zakres energetyczny

Uwalnianie elektronw odbywa si podobnie jak w lampie telewizyjnej (rys. 1). W wysokiej
prni z arzcej si katody uwalniane s elektrony, a nastpnie przyspieszane przez napicie
anodowe rzdu 100 keV. Drugi stopie przyspieszenia zapewnia mikrotron, wyposaony w
akcelerator linearny wysokiej czstotliwoci. W polu magnetycznym mikrotronu elektrony
uzyskuj energi 50 milionw elektronowoltw (50 MeV). Czstki przemieszczaj si
nastpnie do komory prniowej synchrotronu. Jest to zamknity profil, w postaci piercienia,
o obwodzie 96 m i przekroju 4 x 8 cm. Elektrony utrzymywane s na orbicie wewntrz rury
prniowej przy pomocy silnych magnesw i dziki zmiennym polom rezonatora wnkowego
przyspieszane a do uzyskania energii kocowej o wartoci 1,7 GeV. Aby mimo takiego
wzrostu energii elektrony utrzymyway si na swojej orbicie, pole magnetyczne zwiksza si
synchronicznie w stosunku do energii. Dziesi razy na sekund miliardy elektronw s
przyspieszane a do uzyskania energii kocowej. Nastpnie przy pomocy kanau
transferowego s one przekazywane do piercienia akumulacyjnego.
Promieniowanie synchrotronowe jest stosowane w wielu dziedzinach, od biologii, poprzez
radiometri, fizyk atomow, fizyk ciaa staego, fizyk powierzchni, chemi, systemy
magnetyczne, mikroskopi rentgenowsk, badania materiaowo-strukturalne, a do litografii
i mikrotechnologii [2].
Mikroskopy ze skanujc sond, skaningowa mikroskopia i spektroskopia tunelowa (STM),
mikroskopia si atomowych (AFM), mikroskopia siy magnetycznej (MFM)

SPM (ang. Scanning Probe Microscope; mikroskop ze skanujc sond) oglna nazwa caej rodziny
mikroskopw, ktrych zasada dziaania polega na:

1. skanowaniu, czyli przemiataniu pola widzenia mikroskopu liniami, kada linia jest nastpnie mierzona
punkt po punkcie obraz tworzony na podstawie tych pojedynczych punktw pomiarowych
2. wybr punktu pomiarowego nastpuje poprzez poruszanie nad prbk sondy (prbnika) zasadniczy
pomiar okrelonej waciwoci badanej prbki jest dokonywany za pomoc tej sondy.

Skanowanie z reguy realizowane jest za pomoc tzw. skanera lub skanerw piezoelektrycznych
skonstruowanych najczciej w ten sposb, e prbka moe porusza si wzgldem gowicy mikroskopu z
sond (lub gowica wzgldem prbki) w 3 wymiarach. Poruszanie poziome zapewnia wybr kolejnych linii
obrazu (wsprzdna y) oraz skanowanie linii (kolejne punkty wsprzdna x). Skaner pionowy z reguy o
wikszej rozdzielczoci zapewnia uzyskiwanie zmiany pionowego pooenia sondy wzgldem prbki
(wsprzdna z).

Mikroskopy skanujce:

1. Efekt tunelowania (STM). Stay prd, staa wysoko.

2. Oddziaywania si atomowych(AFM). W kontakcie, bez kontaktu.
3. Oddziaywania magnetyczne (MFM) Amplituda, czstotliwo, zmiana fazy.
4. Oddziaywania lepkociowe (LFM)
5. Siy elektrostatyczne (EFM). Amplituda, czstotliwo, zmiana fazy.
6. Potencja powierzchniowy (SPM). Amplituda, czstotliwo, zmiana fazy.
7. Oddziaywania chemiczne (STS).

Skaningowa mikroskopia tunelowa (STM)

Skaningowy mikroskop tunelowy naley do rodziny mikroskopw SPM (mikroskopia ze skanujc sond ang.
Scanning Probe Microscopy). Umoliwia on pomiary z rozdzielczoci atomow, przy wykorzystaniu efektu
tunelowego, w ktrym elektrony przepywaj pomidzy dwoma przewodnikami (ostrze skanujce i prbka)
przez warstw izolatora (prnia).
Mikroskop STM zosta wynaleziony przez Gerda Binniga i Heinricha Rohrera w 1982 roku w laboratorium
badawczym IBM w Zurychu. Skonstruowanie takiego urzdzenia wynikao z potrzeby bada bardzo cienkich,
nanometrowych warstw ronych materiaw. Uczeni za swj rewolucyjny wynalazek zostali uhonorowani
Nagrod Nobla w dziedzinie fizyki w 1986 roku. Od czasu wynalezienia, STM zapocztkowa bardzo
intensywny rozwoj caej gazi fizyki, opartej na mikroskopii SPM.

Zasada dziaania
Ostrze mikroskopu STM (zwykle jest to kryszta wolframu) jest uformowane w ksztacie stoka, na kocu
ktorego znajduje si pojedynczy atom. Odlego ostrza od powierzchni jest rzdu kilku angstremow,
natomiast przyoone napicie kilku woltow. Dziki temu, pomimo bariery w postaci izolatora (powietrze
lub pronia), elektrony s w stanie tunelowa pomidzy ostrzem a powierzchni w wyniku emisji polowej.
Prd tunelowy jest zwykle rzdu 0,1-10 nA. Bardzo wysoka zdolno rozdzielcza w kierunku pionowym (na
osi z ukadu wsporzdnych) uzyskiwana jest z powodu wykadniczej zalenoci pomidzy nateniem prdu
tunelowego a odlegoci ostrzeprobka. Zaleno ta opisana jest wzorem:

gdzie k jest sta, z jest odlegoci pomidzy kocowk (atomem) ostrza a probk, natomiast jest prac
wyjcia elektronu z powierzchni. Z kolei wysok zdolno rozdzielcz w kierunkach poziomych (w
paszczynie x,y) uzyskuje si poprzez zastosowanie ostrych ostrzy skanujcych, ktore s wytwarzane w
specjalnym procesie technologicznym w taki sposob, e zakoczone s pojedynczym atomem. Pomiar polega
na skanowaniu wybranej probki z jednoczesnym utrzymywaniem natenia prdu tunelowego na staym
poziomie I0 = const. Gdy mierzony prd tunelowy zaczyna roni si od tej wartoci, wowczas mechanizm
piezoelektryczny przesuwa ostrze skanujce do pozycji, w ktorej I(z) = I0. Dane dotyczce ruchu ostrza
przetwarzane s przez komputer tworzona jest mapa lokalnych zmian gstoci elektronowej probki.
Przyoona rnica potencjaw U rzedu 1-3 Vpowoduje powstanie rnicy w poziomach Fermiego ostrza i
prbki, dostarczajac tym samym wolnych stanw po stronie ostrza ( przy zaoeniu, e ma ono wyszy
potencja wzgledem prbki).Tak mae napiecie nie jest wystarczajace do tego by elektron pokona
przyciaganie jonw metalu i oderwa sie od ostrza, ale dzieki temu, e prbka jest w niewielkiej odlegosci od
ostrza elektron przeskakuje przez zabroniony obszar (bariere potencjau) do badanej prbki w wyniku
kwantowego zjawiska tunelowego, dlatego te nazywamy go pradem tunelowym.

Tryby pracy
STM moe by tak zbudowany aby mg pracowac w dwch trybach: przy staej wysokosci i przy staym
prdzie. W trybie staej wysokosci ostrze przemieszcza sie w paszczyznie poziomej, na staej wysokosci. Prad
tunelowy zmienia sie wraz z topografia badanej prbki i lokalnych wasnosci elektronowych. Prad tunelowy
zmierzony w kadym punkcie nad powierzchnia prbki tworzy zbir danych na podstawie ktrych powstaje
topograficzny obraz badanego materiau.

W trybie staego prdu wykorzystuje sie tu ujemne sprzeenie zwrotne zapewniajace staa wartosc pradu
tunelowego. Uzyskuje sie to poprzez dopasowanie poo_enia skanera nad kadym punktem pomiarowym, np. :
kiedy system wykryje wzrost prdu tunelowego to zmienia napiecie doprowadzane do piezoelektrycznego
skanera tak by zwiekszyc jego odlegosc i przywrcic ustalona wartosc pradu . W tym przypadku to pionowe
przemieszczenia skanera dostarczaja danych do tworzenia obrazu.

Zastosowanie
Z uwagi na to, e w mikroskopie STM badany jest prd tunelowy, gwnymi materiaami uywanymi do
bada s przewodniki. Istnieje moliwo badania izolatorow, jednake mog to by co najwyej warstwy
monoatomowe, ktore urosy na krysztale metalicznym. Badanie zalenoci prdu tunelowego od napicia
ostrze-probka, pozwala uzyska informacje na temat lokalnej gstoci stanow elektronowych. Oprocz badania
struktury elektronowej powierzchni, STM moe suy rownie do modyfikacji powierzchni na poziomie
pojedynczych atomow. Gdy do igy mikroskopu przyoy wiksze napicie ni podczas skanowania, moliwe
staje si oderwanie pojedynczych atomow zaadsorbowanych na powierzchni.Pomimo wielu zalet jakie
posiada technika STM, ma ona rownie ograniczenia, zwizane gownie z interpretacj uzyskiwanych
obrazow. Mapy te s rezultatem konwolucji obrazu topograficznego oraz lokalnej gstoci stanow
elektronowych, i w pewnych przypadkach mog by trudne w analizie. Z tego powodu czsto stosuje si
poczenie techniki STM oraz innych rodzajow mikroskopii skanujcego prbnika.
Mikroskop si atomowych (ang. Atomic Force Microscope) zwany jest rwnie mikroskopem bliskich
oddziaywa. Matoda ta pozwala na obrazowanie powierzchni w trzech wymiarach z rozdzielczoci sigajc
pojedynczych nanometrw oraz interaktywn manipulacj i ingerencj w struktur prbki na poziomie
pojedynczych moleku.
Mikroskopia si atomowych ma zastosowanie w rnorodnych badaniach struktury geometrycznej i stanu
fizycznego powierzchni oraz wielu materiaw, w tym rwnie tworzyw. Jest to nowa metoda badawcza, gdy
pierwszy mikroskop tego typu skonstruowano w 1986 r. Mikroskop si atomowych jest pewn odmian
skonstruowanego w 1982 r. skaningowego mikroskopu tunelowego (ang. Scanning Probe Microscopy STM),
Ze wzgldu na istniejce podobiestwa, zarwno w konstrukcji obu mikroskopw, jak te w sposobie
prowadzenia bada, uywa si czsto do ich okrelenia wsplnej nazwy: mikroskopia ze skanujc sond (ang.
Scanning Probe Microscopy SPM). Akronim AFM jest uywany powszechnie jako nazwa mikroskopu si
atomowych oraz jako nazwa metody bada prowadzonych za pomoc tego mikroskopu. Podstawow rnic
midzy tymi metodami s wielkoci fizyczne bdce przedmiotem bada. W przypadku metody STM jest ni
natenie prdu tunelowego, przepywajcego midzy badan prbk a ostrzem sondy pomiarowej
mikroskopu. Jednym z ogranicze metody STM jest to, e moe by ona stosowana jedynie do bada
materiaw przewodzcych prd elektryczny. Z kolei w metodzie AFM jest mierzone ugicie dwigni, na
ktrej znajduje si ostrze pomiarowe. Obrazuje to si wystpujc midzy tym ostrzem a atomami
tworzcymi powierzchni badanej prbki i jest miar odlegoci midzy nimi. Z tego wzgldu, metod AFM
mona stosowa zarwno w badaniach powierzchni materiaw przewodzcych prd elektryczny, jak te
w badaniach materiaw nieprzewodzcych tego prdu.
Metoda AFM umoliwia tworzenie obrazw i pomiary badanych powierzchni z bardzo du rozdzielczoci,
wzgldem wszystkich trzech osi. Dlatego bardzo szybko znalaza powszechne zastosowanie w wielu
dziedzinach nauki (fizyka, chemia, biologia, medycyna) i techniki (nanotechnologie, elektronika, inynieria
materiaowa).
Badania za pomoc AFM mona prowadzi w prni, w powietrzu i atmosferze rnych gazw oraz
w cieczach. Wyniki pomiarw s przeksztacane za pomoc komputera w obraz badanej powierzchni
z ilociowym opisem tworzcych j elementw geometrycznych. Uzyskuje si obrazy 10 8-krotnie
powikszone, z rozdzielczoci teoretyczn wzgldem osi x, y dochodzc do 0,1 nm, a wzgldem osi z nawet
do 0,01 nm. Rozdzielczo rzeczywista jest na og mniejsza i zaley gwnie od rodzaju badanego
materiau, stanu jego powierzchni oraz od warunkw przeprowadzania bada. Szczegln zalet tej metody
jest to, e nie trzeba specjalnie przygotowywa prbek do bada, oraz e podczas bada nie nastpuje
niszczenie prbek.

Sposoby dziaania AFM

Podstaw dziaania mikroskopii si atomowych s oddziaywania pomidzy atomami powierzchni

a atomami sondy. W skad tych oddziaywa wchodz siy coulombowskie i van der Waalsa. Powoduj one
przyciganie si atomw na wikszych odlegociach i odpychanie na niewielkich (rys poniej)
Mikroskop ten moe dziaa w kilku trybach, m.in. w trybie kontaktowym i semikontaktowym.

Pierwszym moliwym trybem dziaania AFM jest tryb kontaktowy, w ktrym ostrze AFM odgrywa rol
profilometru badajcego topografi powierzchni. Sposb dziaania AFM w tym trybie, zwany te ukadem
bezporedniego kontaktu ostrza pomiarowego z badan prbk (ang. contact mode CM), charakteryzuje
si tym, e ostrze ma bezporedni kontakt z atomami prbki badanej, gdy jego odlego od tych atomw
jest mniejsza ni 0,1 nm. W tym zakresie odlegoci, midzy ostrzem pomiarowym a badan prbk, dziaa
sia odpychania. Rami dwigni jest wygite wwczas w kierunku przeciwnym do prbki. Na-cisk ostrza na
powierzchni wynosi od 107 N do 1011 N, co powoduje, e obszar kontaktu pomidzy ostrzem
a powierzchni prbki jest ekstremalnie may. Wykorzystywane s krtko zasigowe siy oddziaywania
midzyatomowego. Pomidzy atomami na czubku ostrza a atomami prbki zachodz bezpored-nie
interakcje ich sfer elektro-nowych, a dziaajce na ostrze siy odpychajce powoduj ugicie dwigni.
Badania prowadzone w tym ukadzie mog by rdem cennych informacji o innych wielkociach
fizycznych, charakteryzujcych badan prbk w skali atomowej, takich jak tarcie, odksztacenia spryste
i plastyczne, oddziaywania adhezyjne. W przypadku materiaw mikkich (polimery, tkanki organiczne),
podczas skanowania prbki si oddziaywania ostrze pomiarowe prbka naley ogranicza do jak
najmniejszej wartoci tak, aby zapobiega niszczeniu prbki.

Drugi sposb dziaania AFM jest zwizany z badaniami w obszarze si przycigania dalekiego zasigu
i zwany jest trybem bezkontaktowym (ang. non contact mode NCM). W ukadzie NCM odlego ostrze
pomiarowe badana prbka wynosi 10-100 nm i dlatego w przeciwiestwie do ukadw CM, midzy
ostrzem a atomami prbki wystpuj siy przycigania. Rami dwigni jest wygite wwczas w kierunku
prbki. W ukadzie NCM na ostrze mog dziaa takie siy jak: magnetyczne, elektrostatyczne lub
przycigajce van der Waalsa oraz kapilarne. Do bada ksztatu powierzchni wykorzystuje si najczciej
oddziaywania Van der Waalsa. W tej metodzie obrazowania nie mierzy si statycznego ugicia dwigni, ale
wprawia si dwigni w drgania o cz-stoci zblionej do jej czsto-ci rezonansowej za pomoc
piezoelementu. Reakcj na si dziaajc na dwigni jest zmiana amplitudy i czstoci drga, co jest
informacj pozwalajc uzyska obraz. Pewnym ograniczeniem w ukadzie NCM jest to, e siy van der
Waalsa s znacznie sabsze od si odpychania i z tego wzgldu ich detekcja jest trudniejsza. Dziaaj one
rwnie na stosunkowo maej odlegoci, a warstwa zanieczyszcze zaadsorbowanych na powierzchni
prbki badanej znacznie tumi ich oddziaywanie na ostrze pomiarowe.

Prbujc wyeliminowa wady ukadw CM i NCM zaczto stosowa techniki dynamiczne. Polegaj one na
wprowadzeniu ostrza pomiarowego wraz z dwigni w drgania wielkiej czstotliwoci. Wwczas
oddziaywania midzy ostrzem pomiarowym a prbk powoduj zmiany amplitudy, czstotliwoci lub fazy
tych drga. Zmiany te s rejestrowane w ukadzie sprzenia zwrotnego i na ich podstawie jest generowany
obraz powierzchni prbki badanej. Generowanie drga dwigni odbywa si najczciej za pomoc maego
elementu piezoelektrycznego, poczonego z t dwigni i polaryzowanego napiciem zmiennym
o regulowanej czstotliwoci i amplitudzie.
Jedn z najbardziej znanych technik dynamicznych jest metoda lekkiego dotykania prbki czyli tryb
semikon-taktowy (ang. tapping mode TM). Polega ona na wprowadzeniu dwigni w drgania
o czstotliwoci zblionej do czstotliwoci drga rezonan-sowych, zwykle wynosz one 50-500 kHz.
Drgajce ostrze pomiarowe wraz z dwigni jest przesuwane w kierunku powierzchni badanej prbki tak,
aby j sporadycznie i lekko dotyka. W wyniku okresowego kontaktu ostrza pomiarowego z prbk
nastpuje dyssypacja energii kinetycznej tego ostrza, co powoduje zmniejszenie amplitudy drga. Zmiany te
s rejestrowane w ukadzie sprzenia zwrotnego, gdzie jest dobierana automatycznie taka czstotliwo
drga, aby si oddziaywania midzy ostrzem pomiarowym a badan prbk utrzymywa na najniszym
moliwym poziomie. Podczas skanowania prbki ostrze pomiarowe przechodzc nad wierzchokami
nierwnoci, ma mniej wolnej przestrzeni i tym samym amplituda jego drga maleje. I odwrotnie: gdy
ostrze pomiarowe przechodzi nad wgbieniami powierzchni badanej prbki amplituda jego drga wzrasta.
Ukad tak oddziauje na wzajemne pooenie prbki i ostrza pomiarowego, aby zachowa podczas bada
sta si dziaajc midzy prbk a ostrzem. Badania metod TM umoliwiaj uniknicie uszkodze
powierzchni prbki. Tym samym jest eliminowane istotne rdo bdw oceny jej stanu. Ze wzgldu na
wielk czstotliwo drga ostrza pomiarowego, s rwnie eliminowane wpywy siy tarcia i adhezji.
Dalsz zalet metody TM jest dua stabilno i liniowo sygnaw pomiarowych, co zapewnia
powtarzalno wynikw bada. Badania te mog by rwnie prowadzone w cieczach.

Rozdzielczo mikroskopu AFM: Ostrze, system sprz-enia zwrotnego, wpyw otoczenia.

Mikroskopia si atomowych (AFM) jest podobnie jak skaningowa mikroskopia tunelowa STM (ang.
Scanning Tunneling Mi-croscopy), powszechnie znana ze swej znakomitej rozdzielczoci skanowania.
Wysokorozdzielcze mapowanie topografii powierzchni prbek, jest cigle podstawow i najbardziej
popularn metod wykorzystania mikroskopu AFM. wiadczy o tym niezbicie liczba prac naukowych
publi-kowanych co roku na wiecie. Pomimo tego, e mikrosko-pia si atomowych oferuje moliwo
obrazowania z atomow rozdzielczoci wielu uytkownikw pracuje w o wiele niszych zakresach
powiksze rzdu kilku, kil-kunastu mikrometrw. Atomow skal obrazowania stosunkowo atwo daje
si uzyska dla kierunku skanowania w osi pionowej (o Z). Uzyskanie jednak takiej samej rozdzielczoci
w kierunkach poziomych X i Y nie jest ju takie proste i wymaga sporego dowiadczenia oraz odpowiedniej
klasy sprztu. Rozdzielczo jak uzyskuje mikroskop AFM zaley od kilku czynnikw, s wrd nich
midzy innymi promie krzywizny ostrza skanujcego oraz dokadno i precyzja ukadu skanowania,
w ktrego skad wchodz: wysokiej precyzji ukad pozycjonowania (zwykle opary na piezoelementach),
elektroniczny kontroler oraz wysokiej czuoci ukad detekcji pooenia ostrza skanujcego (zwykle jest to
ukad optyczny). Wbrew powszechnej opinii, zdolno rozdzielcza mikroskopu si atomowych wcale nie
zaley w najwikszym stopniu od promienia krzywizny (ostroci) ostrza skanujcego, ale od warunkw
otoczenia, w jakich wykonywany jest pomiar oraz od poziomu szumu w ukadzie skanujcym (zwaszcza
w ukadzie ptli sprzenia zwrotnego). Moliwo uzyskania obrazu struktury atomowej powierzchni,
w bardzo duym stopniu zaley od tego co w danym momencie j pokrywa (zwykle je to cienka warstwa
wody kondensujca z powietrza), dlatego te tego typu obrazy najatwiej jest uzyska w wysokiej prni.
Podsumowujc: Mikroskop AFM jest narzdziem, ktre umoliwia bezporedni, precyzyjnie
kontrolowany, kontakt z badanym materiaem. Co prawda bezporedni kontakt z materiaem nie jest niczym
unikalnym
w technice obrazowania, bo ju kilka dekad temu profilometry oferoway tak moliwo. Rnica ley
jednak w sile interakcji prbka ostrze, w przypadku AFM jest ona zdecydowanie mniejsza ni
w przypadku profilometru, w zasadzie to jest ona zdecydowanie mniejsza od kadej innej techniki
obrazowania, w ktrej czujnik styka si z badan prbk. To wanie dziki moliwoci precyzyjnych
pomiarw i kontroli siy interakcji ostrza z prbk, mikroskop AFM zapewnia skanowanie struktur
powierzchni materiaw z rozdzielczoci rzdu pojedynczych nanometrw w bardzo szerokim zakresie ich
twardoci (od bardzo twardych materiaw kompozytowych po niezwy-kle mikkie prbki biologiczne).
Czuo mikroskopu AFM pozwala take na tzw. nano-manipulacj i nanolitografi tzn. re-aranacj
struktury molekularnej prbki. Ponadto zapewnia moliwo pomiaru si midzyatomowych
i wewntrzatomowych.
Zalety:
- wysoka rozdzielczo (nanometrowa)
- wysoka czuo
- elsatyczny dobr prbek
-atwo przygotowania prbek
-rne rodowiska pracy
-niska inwazyjno pomiarw
-mapowanie waciowci: mechanicznych, chemicznych, elektrycznych, magnetcyznych
 Mikroskopia si magnetycznych (ang. magnetic force microscopy - MFM) uywana jest do
obrazowania rozkadu si magnetycznych na powierzchni prbki, dziki czemu mona obserwowa
magnetyczne waciwoci powierzchni (rysunek poniej). W tej technice ostrze mikroskopu pokryte jest
cienk bon ferromagnetyczn, a podczas eksperymentu mierzone s zmiany w czstotliwoci
rezonansowej dwigni, indukowane przez oddziaywanie magnetyczne midzy prbk a ostrzem. Do
pomiarw z wysok czuoci stosuje si dwigni oscylujc. Ostrze jest czue na gradient siy Fz / z ,
ktry powoduje zmian czstoci drga dwigni. Metoda kazuje oddziaywanie magnetyczne pomidzy
sond a prbka. Siy magnetyczne maj znaczenie w eksperymencie jedynie wwczas, gdy zarwno ostrze
jak i powierzchnia maj wasnoci magnetyczne, przykadowo, gdy s ferromagnetykami. Siy
magnetyczne mierzone s na odlegociach rzdu 0.2 0.5 nm. Do pomiarw tych wymagana jest rwnie
bardzo niska temperatura, w celu zredukowania szumu termicznego (ewentualnie w temperaturze pokojowej
w bardzo wysokiej prni). Oddziaywania magnetyczne s oddziaywaniami dalekozasigowymi, dlatego
metoda ta charakteryzuje si nisk rozdzielczoci. Dziki tej metodzie na podstawie oddziaywa
prbka-sonda moemy uzyska obraz powierzchni prbki magnetycznej. Jest ona uywana do badania
struktur domen magnetycznych powierzchni gowic i nonikw magnetycznych.

Rys.2.3. Schemat dziaania MFM. Prbka jest namagnesowana w paszczynie, co powoduje powstawanie
pola rozproszenia nad prbk pionowo w gr (strzaki A) i w d (strzaki B). Ostrze jest namagnesowane
w d, a zatem bdzie odpychane w punktach A i przycigane w punktach B.
Powierzchnie o wasnociach magnetycznych s interesujce midzy innymi przez ich potencjalne
zastosowania techniczne. W tym kontekcie wymieni tu mona pamici masowe dla przemysu
komputerowego i mikroelektroniki.
Du zalet tej metody jest to, e prbki nie musz by przewodzce. Pomiar moe by wykonywany te w
obecnoci zmiennych zewntrznych pl magnetycznych. Jest nieniszczcy dla struktury krystalicznej i
powierzchni prbki. Take badanie si magnetycznych sprawia, e redukuje si wpyw zanieczyszcze
powierzchniowych na pomiar, poniewa siy magnetyczne dalekiego zasigu s niewraliwe na nie.
Rwnie mona bada prbki magnetyczne pokryte cienkimi warstwami niemagnetycznymi, co nie ma
wpywu na wyniki. Najnisze wykrywalne nateenia pola wynosz ok 10A/m, a wartoci mierzonych si
wynosz ok 10- 14 N. Co wicej metoda ta moe by czona z innymi metodami skaningowymi jak np.
STM. Gwnym ograniczeniem tej metody jest to, e otrzymywany obraz powierzchni zaley w duej
mierze od rodzaju sondy i jej pokrycia magnetycznego. Pola magnetyczne sondy i prbki mog na siebie na
wzajem wpywa i zmienia namagnesowanie, co z kolei moze prowadzi do wystpienia nieliniowych
oddziaywa. Wane jest te, aby zredukowa wpyw szumw elektromagentcyzcnych, wibracji, przepywu
powietrza a take unika adowania si prbki, czyli gromadzenia adunku na jej powierzchni. Ma to
ogromny wpyw na wielko oddziaywa sonda- prbka.
ADSORPCJA

Adsorpcja to proces zachodzcy na powierzchni cia skondensowanych, polegajcy na zmianie

stenia substancji na granicy pomidzy dwoma fazami gazow i ciek (gaz-roztwr), ciek i
sta (roztwr-ciao stae), sta i gazow (ciao stae-gaz) oraz pomidzy nie mieszajcymi si
cieczami (ciecz-ciecz). Stenie substancji w obszarze midzyfazowym jest inne ni w gbi
fazy.

Rys. 1 Schemat procesu adsorpcji

Adsorpcja ma charakter powierzchniowy, co odrnia j od adsorpcji polegajcej na

pochanianiu w caej objtoci. Czsto procesy adsorpcji i absorpcji wystpuj rwnoczenie i
mwimy wtedy o sorpcji.

Adsorbenty struktura i waciwoci

Do grupy absorbentw zaliczamy ciaa stae, porowate, o silnie rozwinitej powierzchni,
nierozpuszczalne w wodzie i rozpuszczalnikach organicznych.
Adsorbenty charakteryzuj si bardzo rn porowatoci, a pory (kapilary) mog rni si
zarwno rozmiarami jak i ksztatem.
 Rys.2 I - Ziarno adsorbentu z widocznymi porami ,II-rne ksztaty porw

W wielu przypadkach najwaniejszym kryterium pozwalajcym na ocen porowatoci

adsorbentw jest nie ksztat, ale rednica porw (kapilar). Przyjmuje si cylindryczny ksztat
porw, ktrych rednice mieszcz si w granicach 2-200 nm. Porowaty charakter adsorbentw
powoduje, e maj one bardzo silnie rozwinit powierzchni. Miar rozwinicia jest
powierzchni waciwa adsorbentu odpowiadajca powierzchni (w m2), jak posiada 1g
adsorbentu.
Struktura powierzchni adsorbentw
Pomidzy czsteczkami znajdujcymi si w kadym ze stanw skupienia dziaaj siy Van der
Waalsa. Siy te ujawniaj si dopiero wwczas, gdy czsteczki znajduj si w odlegoci kilku
nanometrw od siebie. W gbi ciaa skondensowanego siy te s zrwnowaone, poniewa na
czsteczki dziaaj takie same siy ze wszystkich stron; w przypadku warstwy powierzchniowej,
atomy lece na powierzchni s silniej przycigane przez wewntrze warstwy adsorbentu ni
przez atomy lub czsteczki znajdujce si w fazie ciekej lub gazowej. Wypadkowe tych si s
skierowane prostopadle do paszczyzny powierzchni granicznej: ciao stae- gaz lub ciao stae
ciecz, natomiast rwnowaga tych si zostaje czciowo przywrcona dziki adsorpcji
czsteczek na powierzchni ciaa staego.
Du rol w procesie adsorpcji odgrywaj centra adsorpcji na powierzchni adsorbentu.
Centrami adsorpcji s najczciej grupy funkcyjne wystpujce na powierzchni adsorbentw.
Oddziaywania adsorbent-adsorbat
W wyniki adsorpcji na powierzchni adsorbentu nastpuje zagszczenie substancji
adsorbowanej, czyli adsorbatu Zagszczenie to jest wynikiem silnego oddziaywania midzy
centrami adsorpcji wystpujcymi na powierzchni adsorbentu, a czsteczkami adsorbatu w
fazie gazowej lub ciekej. Oddziaywania te s oddziaywaniami Van der Waalsa i
energetycznie s znacznie sabsze ni wizania chemiczne. Energia oddziaywania adsorbent-
adsorbat zaley zarwno od charakteru powierzchni adsorbentu, jak i budowy strukturalnej
czsteczek adsorbatu.
Czsteczki lub atomy mog gromadzi si na powierzchni na dwa sposoby:
Adsorpcja fizyczna (fizysorpcja)
Pomidzy adsorbatem i adsorbentem zachodz oddziaywania van der Waalsa ( w wyniku si
dyspersyjnych lub oddziaywa dipolowym. Siy van der Waalsa s sabymi oddziaywaniami,
ale o dugim zasigu. Energia uwalniana w trakcje adsorpcji fizycznej jest tego samego rzdu
co entalpia kondensacji i zwykle nie przekracza 40-50 kJ/mol. Jest na og procesem
odwracalnym i przebiegajcym stosunkowo szybko. Na powierzchni adsorbentu moe powsta
wicej ni jedna warstwa zaadsorbowanych czsteczek.
Adsorpcja chemiczna (chemisorpcja)
Atomy lub czsteczki cz si z powierzchni tworzc wizania chemiczne (najczciej
kowalencyjne). Entalpia chemisorpcji jest o rzd wielkoci wysza od entalpii fizysorpcji i
wynosi ok. 200 kJ/mol. Zaadsorbowana czsteczka na powierzchni moe ulec rozpadowi w
wyniku oddziaywania niewysycanych walencyjnie atomw powierzchniowych. Rozpad ten
(fragmentacja) jest jedn z przyczyn katalitycznego oddziaywania powierzchni cia staych w
wyniku reakcji chemicznych. Chemisorpcja jest z reguy procesem egzotermicznym.
Wystpuje TYLKO JEDNA warstwa zaadsorbowanych czsteczek.
Adsorpcja fizyczna Adsorpcja chemiczna
brak bariery energetycznej (nie wymaga moe wystpowa bariera energetyczna
aktywacji) wymaga aktywacji
proces szybki rnorodna kinetyka procesu
oddziaywania van der Waalsa (<0,4 eV) powstawanie wiza jonowych / metalicznych/
kowalencyjnych >0,4 eV
zawsze atomowa lub czsteczkowa moe by dysocjatywna
proces odwracalny czsto nieodwracalna
moe powsta wielowarstwa ograniczona do monowarstwy
ciepo adsorpcji mniejsze ni 40 kJ/mol ciepo adsorpcji wiksze ni 80 kJ/mol
adsorbatu adsorbatu
absorpcja fizyczna zachodzi gwnie w niskich zachodzi w wysokich temperaturach
temperaturach ( w wyszych desorpcja) szeroki zakres T powierzchni
T powierzchni < T kondensacji wraliwa na symetri powierzchni
niewraliwa na symetri powierzchni

Izoterma adsorpcji Langmuira

Model adsorpcji prowadzcy do wytworzenia jednej monowarstwy. Zaoenia:
- powierzchnia staych adsorbentw posiada szczeglnie aktywne miejsca zwane centrami
aktywnymi, ktrymi mog by okrelane cianki mikrokrystalitw, defekty sieciowe. lub
granice faz w przypadku adsorbentw zoonych
- proces adsorpcji zachodzi w centrach aktywnych
- kade centrum moe zaadsorbowa tylko jedn czstk, czyli adsorbent pokrywa si warstw
monomolekularn
- czstki zaadsorbowane na centrach adsorpcji nie oddziauj wzajemnie na siebie
- proces ma charakter dynamicznej rwnowagi midzy adsorpcj i desorpcj
- szybko adsorpcji jest proporcjonalna do cinienia gazu i uamka nieobsadzonej powierzchni,
natomiast szybko desorpcji jest proporcjonalna do uamka powierzchni pokrytej adsorbatem.
Rwnanie na ilo zaadsorbowanej substancji na jednostkow mas adsorbentu:

a m bp
a= [mol/g], gdzie:
1 + bp

am maksymalna liczba moli substancji, ktra moe zosta zaadsorbowana na jednostk masy
adsorbentu
p cinienie
b wspczynnik adsorpcji
Izoterma adsorpcji Langmuira dobrze opisuje przypadki chemisorpcji, natomiast na og
zawodzi w przypadki adsorpcji fizycznej.
a) b)

Rys. 3. Adsorpcja wg teorii Langmuira, powierzchnia pokryta monowarstw adsorbatu: a)

schemat b) izoterma adsorpcji
Odcinek OR dla maych cinie bp jest duo mniejsze od jednoci i wwczas a=bp (w
mianowniku).
Odcinek RU w miar wzrostu cinienia p ilo adsorbowanej substancji na powierzchni
wzrasta coraz wolniej i w kocu przestaje rosn. Ustala si rwnowaga adsorpcyjna i dalszy
wzrost cinienia nie powoduje zmiany iloci zaadsorbowanej substancji.
7. Epitaksjalny wzrost warstw i nanostruktur, podstawy eksperymentalne epitaksji wizek
molekularnych (MBE), wzrost w warunkach rwnowagi termodynamicznej, kapilarna
teoria nukleacji i kinetyka wzrostu, struktura warstwy granicznej.

Epitaksjalny wzrost warstw i nanostruktur

Epitaksja - kontrolowany wzrost monokrystalicznej warstwy, o orientacji okrelonej orientacj

monokrystalicznego podoa.

Homoepitaksja -> na podou ronie ten sam materia

Heteroepitaksja -> na podou ronie inny materia (inny ni podoe),
np. wzrost warstwy metalicznej na krysztale szafiru

Dlaczego prowadzi si epitaksjalny wzrost warst zamiast, np. doprowadzi do krystalizacji

poprzez wygrzewanie ?

Odp.: W technologii pprzewodnikowej stosuje si elementy wykonane m.in z arsenku galu

(rne waciwoci fizyko-chemiczne, metal + pmetal). Gdybymy chcieli wykona warstw
GaAs drog wygrzewania, to nastpioby zaburzenie stechiometrii - atomy galu przechodziyby
do gry i ostatecznie utworzyyby metaliczn warstw powierzchniow. W ten sposb
materia utraciby swoje waciwoci pprzewodnikowe. Zatem do wytwarzania takich warst
konieczne jest zastosowanie sztucznej metody jak jest epitaksja.

podstawy eksperymentalne epitaksji wizek molekularnych (MBE)

Epitaksja z wizek molekularnych (MBE,

z ang. molecular beam epitaxy)
technika epitaksji polegajca na
osadzaniu cienkich warstw
pprzewodnikowych z wizek
molekularnych w ultrawysokiej prni
(p 107 Pa).
Komrki efuzyjne (Knudsena) (rys. poniej) s to oddzielne czci urzdzenia do epitaksji
skadajce si przede wszystkim z: tygla, cewki indukcyjnej (grzejnika), systemu chodzcego.
Pierwiastki w stanie staym (wysoka czysto ~99,9999%) znajduj si w komrkach
efuzyjnych. Podczas procesu s podgrzewane do temperatury ich sublimacji. Utworzona w ten
sposb wizka molekularna jest wyprowadzana z komrki i skierowana w stron podoa.
Komrki Knudsena mog by zamykane lub otwierane dowoln ilo razy i w rnych
przedziaach czasu. Pozwala to na tworzenie zwizkw o dowolnej stechiometrii lub
precyzyjnym domieszkowaniu.

Efuzja = transport materiau w prni

Czynniki wpywajce na typ wzrostu warstwy epitaksjalnej:

relacje midzy energiami powierzchniowymi, adsorbatu , podoa i interfejsu

brak rwnowagi termodynamicznej podoe-adsorbat-otoczenie gazowe w czasie
nanoszenia warstwy
zarodkowanie, koalescencja i dyfuzja powierzchniowa
dopasowanie epitaksjalne podoa i adsorbatu (odlegoci midzyatomowe +symetria)
efekty interfejsowe (dyfuzja wzajemna, reakcje chemiczne, naprenia)

Za czynnik najwaniejszy, tzw. 0 uznaje si czynnik energii powierzchniowej.

Typy wzrostu warstw:

Wzrost warstwowy - kada warstwa materiau pojawiasi gdy poprzednia warstwa jest
zapeniona (ten typ wzrostu prawie nie waciwie nie wystpuje) - efekt hydrofilowy -
dominuje Epowierzniowa podoa
Wzrost wyspowy - od samego pocztku obserwuje sie wzrost trjwymiarowych struktur -
efekt hydrofobowy - dominuje Epowierzniowa adsorbatu
 Wzrost warstwowo-wyspowy (mieszany) - najpierwsz tworz si warstwy, potem wyspy
Wzrost zwizany z dyfuzj lub reakcj chemiczn na granicy adsorbat-podoe

Wzrost w warunkach rwnowagi termodynamicznej

int - ta warto jest raczej niewiadoma, nigdy nie jestemy jej pewni, do szacowania typu
wzrostu wykorzystuje si tylko ads i pod.
Im wiksza energia powierzchniowa podoa tym wisza zwilalno.
Nie ma reguy mwicej, ktry typ wzrostu (warstwowy czy wyspowy) jest lepszy. W zalenoci
od przeznaczenia materiau bdziemy dy do uzyskania danego typu wzrostu. Np. chcc
wytworzy warstw platynow, ktra bdzie penia rol katalizatora bdziemy chcieli aby
wzrost by wyspowy, bo wtedy uzyskamy warstw o wikszej powierzchni (wiksza
powierzchnia -> lepsze waciwoci katalityczne).

Wzrost w nierwnowadze termodynamicznej

Warunek zwilania uzupeniony o zmian entalpii na jednostk powierzchni towarzysz cy przej

ciu swobodnej czstki z fazy gazowej do fazy staej, jeli przejcie odbywa si w warunkach
nierwnowagowych. Jeli przejcie odbywa si w przesyceniu (p > p0):

Znak okrela typ wzrostu warstwy.

Kinetyka wzrostu

1. adsorpcja/dyfuzja
2. zarodkowanie
3. wzrost

Atom docierajccy do powierzchni moe ulec adsorpcji lub desorpcji. Rwnowaga pomidzy
tymi dwoma procesami zaley od temperatury. Desorpcja dominuje w wyszych
temperaturach, a adsorpcja w niszych. Zaadsorbowany atom wcale nie musi pozosta w tym
samym pooeniu, jest on powiem zdolny do dyfuzji powierzchniowej.
 bariera na dyfuzj < energi adsorpcji

Czasami bariera energetyczna dla wicej ni jednego atomu jest wci nisza od energi
adsorpcji. Wtedy atomu zczaj si, tworzc tzw. Zarodki - dopiero takie struktury s stabilne
na powierzchni (nie ulegaj dyfuzji). Zarodki cz si ze sob (koalescencja), tworzc cig
warstw powierzchniow.

kapilarna teoria nukleacji

Energia swobodna Gibbsa (entalpia swobodna) zarodka jest sum dwch czynnikw ujemnego
i dodatniego. Ujemny czynnik reprezentuje energi sprzyjajc czeniu si atomu z klastrem
(czeniu temu towarzyszy spadek energii swobodnej Gibbsa), a dodatni czynnik opisuje jak
niekorzystne jest to czenie ze wzgldu na wzrost swobodnej energii powierzchniowej Gibbsa:

r- promie zarodka,
|GV| - zmiana energii swobodnej Gibbsa litego
materiau na jednostk objtoci
- energia powierzchniowa na jednostk
powierzchni

Ze wzgldu na ujemny i dodatni czynnik krzywa

energii swobodnej Gibbsa ma charakterystyczne
maksimum w promieniu r*. Energia Gibbsa
odpowiadajca temu r krytycznemu nazywana jest
energi aktywacji G*.

r* - promie najmniejszego stabilnego zarodka

Dla klastrw atomw o promieniu mniejszym od r* wzrost jest niekorzystny.
Promie wikszy od r* sprzyja wzrostowi.
Struktura warstwy granicznej

Bariera Ehrlicha-Schwbela - kinetyczny czynnik ograniczenia wzrostu warstwy

Jest to rodzaj bariery energetycznej, ktra tworzy si na krawdzi tarasu powierzchni

wielowarstwowej. Jeeli:

Ediff - energia niezbdna do pokonania bariery dyfuzyjnej

EB - energia aktywacji potrzebna do pokonania bariery potencjau na krawdzi tarasu

To barier Ehrlicha-Schwbela definujemy jako:

EE-S = EB - Ediff

O rozmieszczeniu atomw na powierzchni bdzie decydowa take typ nukleacji (homogeniczny

lub heterogeniczny). W pierwszym typie nukleacja zachodzi jednorodnie na caej powierzchni,
inaczej jest w przypadku nukleacji heterogenicznej.
Struktura warstwy granicznej zalee bdzie take od temperatury:
Struktura elektronowa i stany powierzchniowe, waciwoci elektronowe w modelu
jellium oraz w jedno- i trjwymiarowym modelu swobodnych i prawie swobodnych
elektronw, struktura elektronowa powierzchni i nanostruktur pprzewodnikowych

Model Sommerfelda elektrony w pudle

Metody pasmowe - LDA
n(r ) -> E[n(r )] -> Zjawiska, waciowoci
-> ->

1. Model jellium
n+(z)= n dla z 00 dla z>0

Model zawierajcy gaz elektronw zanurzony w staym dodatnim adunku ta kompensujcym

adunek gazu elektronw nazywa si modelem jellium.W modelu jellium funkcje falowe
elektronw s falami paskimi natomiast funkcja falowa pozytronu jest staa. Model jellium
mona praktycznie odnosi tylko do metali alkalicznych w ktrych elektrony przewodnictwa
s elektronami typu s.
W zasadzie ten termin odnosi si do modeli rozwaajcych gaz elektronowyoddziaujcy z
jednorodnym tem dodatniego adunku, ktre w przypadku paskiej powierzchni metalicznej
zanika skokowo na paszczynie zwanej krawdzi jellium (Jellium edge) ograniczajcej
pprzestrze o niezerowej gstoci dodatniego adunku. W literaturze elektrochemicznej
termin jellium uywa si rwnie w stosunku do modeli modyfikujcych obraz jednorodnego
ta adunku przez wprowadzenie pseudopotencjaw.

Oscylacje Friedela o dugoci:

 2. Stany powierzchniowe to lokalne poziomy energetyczne lece na powierzchni, a
energetycznie w przerwie wzbronionej.
Obsadzeniu stanw powierzchniowych przez elektrony lub dziury towarzyszy
powstanie powierzchniowej warstwy adunku objtociowego, a wic i bariery potencjau.
Powierzchniowa bariera potencjau Vs wyraa spadek potencjau elektrostatycznego midzy
powierzchni a objtoci pprzewodnika. Potencja powierzchniowy Vs jest miar
zakrzywienia pasm energetycznych przy powierzchni, ktre musi wystpowa, aby suma
gstoci adunku zlokalizowanego w stanach powierzchniowych i indukowanego przez niego
we wntrzu pprzewodnika (przypowierzchniowego adunku przestrzennego) bya rwna
zeru.
Pochodzenie stanw powierzchniowych:
od elektronw zlokalizowanych przy powierzchni
defektw
atomw domieszek

Zerwanie periodycznego potencjau krysztau na jego powierzchni (J.Tamm-1932) prowadzi

do innych warunkw brzegowych ni w przypadku nieskoczonego krysztau.
Powstaj stany powierzchniowe od zlokalizowanych elektronw

Jednowymiarowa teoria pasmowa - metale

Model prawie swobodnych elektronw dla 1D acucha atomw
zaniedbywanie oddziaywa elektron-elektron
LDA (przyblienie lokalnej gstoci stanw)
potencja pochodzi tylko od rdzeniw jonowych
gruba bariera powierzchniowa
 Warunek periodycznoci wymusza istnienie przerwy wzbronionej

3. Przewodnictwo elektryczne metali

Model Drudego (model elektronow swobodnych)
W modelu prawie swobodnych elektronw w zerowym przyblieniu zakada si, e
elektrony w krysztale s elektronami swobodnymi, nie zwizanymi z adnym konkretnym
atomem , za periodyczny potencja jonw ( wszystkich) moe by traktowany jako
zaburzenie. Elektron jest wic przede wszystkim elektronem swobodnym , ktrego ruch jest
zaburzony przez atomy sieci.

Aby otrzyma zaleno prdu pyncego przez przewodnik od przyoonego napicia rozwamy
materia , w ktrym mamy N swobodnych nonikw prdu w jednostce objtoci. Zamy dalej
,e elektrony zderzaj si ze sob oraz z fononami i defektami sieci, oraz e redni czas pomidzy
dwoma zderzeniami wynosi t . Pod wpywem zewntrznego pola elektrycznego o nateniu e
elektrony ulegaj przyspieszeniu i w czasie pomidzy kolejnymi zderzeniami uzyskuj dodatkow
prdko w kierunku pola u u , zwan prdkoci unoszenia. Odpowiednie rwnanie ruchu
elektronw przyjmuje posta

m
u u = ee
t

gdzie e jest adunkiem a m mas elektronu. Zgodnie ze znan definicj gsto prdu daje si
obliczy ze wzoru:

e 2 Nt
j = eNu u = e = Neme
m

et
gdzie wielko m = nazywana jest ruchliwoci elektronw. Ostatecznie otrzymuje si
m
nastpujcy wzr na przewodnictwo elektryczne metalu :
 j e 2t
s= = N = Nem
e m

Jeli wemie si pod uwag kwantowy model gazu elektronw swobodnych to zauwaymy
od razu, e nie wszystkie elektrony mog bra udzia w przewodnictwie. W szczeglnoci do
przewodnictwa nie mog przyczynia si elektrony znajdujce si w stanach o energiach
mniejszych ni energia Fermiego. Faktycznie w przewodnictwie bior udzia tylko
elektrony o energii rwnej energii Fermiego, tylko one bowiem mog zmieni swoj energi
przechodzc do wyszych nie obsadzonych stanw energetycznych. Elektrony o energiach
mniejszych ni energia Fermiego nie ulegaj przyspieszeniu pod wpywem zewntrznego
pola elektrycznego poniewa stany o wyszych energiach, do ktrych powinny przej po
uzyskaniu dodatkowej prdkoci unoszenia s ju obsadzone. Kwantowy model gazu
elektronw swobodnych Fermiegio daje tak sam zaleno przewodnictwa od gstoci
elektronw w metalu jak klasyczny model Drudego.

Kwantowy model przewodnictwa elektrycznego

Aby otrzyma odpowiednie wyraenie na przewodnictwo elektronowe w modelu
kwantowym rozwamy przewodnik o staym przekroju S, przedstawiony na Rysunku VII-5

N(k-dkx)

N(k-dkx)-N(k)

S N(k)

u xt u xt

Gsto prdu bdzie rwna iloci elektronw przechodzcych przez powierzchnie S.

Podobnie jak w przypadku transportu ciepa ilo ta bdzie rwna rnicy pomidzy iloci
elektronw przechodzcych w jednostce czasu z lewej na praw i prawej na lew.
Wzr okrelajcy przewodnictwo metali

e 2t ( E F )
j
s= = N
e m

oraz ruchliwo elektronw

e 2t ( E F )
m=
m
Granice zastosowania modelu gazu elektronw swobodnych.
Porwnujc model gazu Fermiego z realnymi elektronami w metalu zauwaamy, e
gwne uproszczenie teorii polega na zaniedbaniu potencjau krystalicznego. Jak wiadomo
konsekwencj istnienia periodycznego potencjau krystalicznego jest istnienie w przestrzeni
pdw struktury periodycznej zwanej sieci odwrotn. Jeli rozwaa si dynamik czstek
pojawia si konieczno uwzgldnienia istnienia pierwszej strefy Brillouina i faktu, e nie
moe istnie czstka, ktrej fala materii ma wektor falowy wikszy ni promie tej strefy.
Koncentrujc si na elektronach w metalu, widzimy e jeli wektor Fermiego jest may w
porwnaniu rozmiarami strefy Brillouina to istnienie granicy strefy nie wpywa w aden
sposb na dynamik elektronw, jeli za wektor Fermiego jest porwnywalny lub wikszy
od promienia strefy wwczas teoria gazu elektronw Fermiego moe by nieprawdziwa.
Naley wwczas uwzgldni istnienie struktury periodycznej krysztau Przypomnijmy,
wektor Fermiego jest dany przez:
n
K F = [3p 2 ]1 / 3 (VII-45)
V

gdzie n jest iloci elektronw walencyjnych w metalu a V jego objtoci . Zakadajc, e

mamy jeden elektron na jeden atom i jeden atom na jedn komrk elementarn, oraz e staa sieci
n 1 1
rwna si a otrzymamy: = 3 i K F = [3p 2 ]1 / 3 . Promie pierwszej strefy Brillouina jest w
V a a
p
tym przypadku rwny G = . Jak wida obie te wielkoci s porwnywalne.
a
 4. Pprzewodniki to materiay nalece do kategorii poredniej. Ich przerwa
energetyczna jest zazwyczaj niewielka (typowe wartoci w temperaturze 300 K: 1,12 eV dla
krzemu, 1,42 dla arsenku galu, 2,3 eV dla tellurku cynku), a ich przewodnictwo elektryczne
mona kontrolowa poprzez domieszkowanie. Gdy elektron zostanie wzbudzony do pasma
przewodnictwa, pozostawia po sobie luk w pamie walencyjnym, ktr mog zaj inne
elektrony z tego pasma. Aby uproci opis kolektywnego ruchu elektronw w pamie
walencyjnym wprowadzamy pojcie dziury, czyli dodatnio naadowanej kwaziczstki.
Poziomy energetyczne dziur tworz pasma, ktrych ukad jest zaleny od struktury
krystalicznej danego materiau. Powstawanie par elektron-dziura w wyniku absorpcji
promieniowania oraz pniejsza rekombinacja tych par odpowiada za wiele z waciwoci
optycznych p- przewodnikw. W tym kontekcie wan struktur s rwnie ekscytony,
czyli kulombowsko zwizane stany elektronu i dziury, wykazujce pewne analogie do atomu
wodoru.
Pprzewodniki pmagnetyczne (ang. Diluted Magnetic Semiconductors - DMS) s
grup materiaw wykazujcych zarwno wasnoci pprzewodnikowe, jak i magnetyczne.
Bazuj one zazwyczaj na krysztaach pprzewodnikowych typu III-V, II-VI lub IV-VI,
ktrych podstawowe wasnoci s przebadane. Kryszta taki modyfikuje si, wprowadzajc
jony magnetyczne takie jak Mn2+, Co2+ czy Fe3+. Zastpuj one w sposb losowy kationy
bazowej sieci krystalicznej. Typowymi przykadami DMS s zatem (Ga,Mn)As, (Cd,Mn)Te
czy te (Pb,Eu)Te. Korelacje ferromagnetyczne s w tych materiaach przenoszone przez
dziury, dziki czemu moliwa jest kontrola wasnoci magnetycznych poprzez przykadanie
pola elektrycznego i zmian koncentracji swobodnych nonikw. Specyficzne wasnoci
pprzewodnikw pmagnetycznych ujawniaj si podczas pomiarw magnetooptycznych, w
ktrych obserwuje si zjawiska takie jak gigantyczny efekt Zeemana (znaczne rozszczepienie
linii ekscytonowych) czy gigantyczny efekt Faradaya (obrt paszczyzny polaryzacji wiata
propagujcego si w materiale wzdu pola magnetycznego). Efekty te wynikaj z
wystpowania oddziaywania wymiennego pomidzy swobodnymi nonikami w
pprzewodniku (elektronami i dziurami) a jonami magnetycznymi.
Nowe interesujce wasnoci pprzewodnikw moemy uzyska nie tylko
domieszkujc je jonami magnetycznymi, ale take tworzc z nich struktury o szczeglnych
rozmiarach przestrzennych. Dugo fali de Brogliea w krysztale jest rzdu pojedynczych
nanometrw, co mona wykorzysta podczas modelowania potencjau, w ktrym poruszaj si
swobodne noniki. Jeeli naoymy ograniczenie przestrzenne na ruch elektronu, to otrzymamy
struktur o jakociowo innych waciwociach ni ma je kryszta objtociowy - powstan
dyskretne stany zwizane. Takie ograniczenie moemy naoy w jednym, dwch lub we
wszystkich trzech wymiarach, otrzymujc w ten sposb odpowiednio: studnie kwantowe
(ukady dwuwymiarowe), nanodruty (ukady jednowymiarowe) i kropki kwantowe (ukady
punktowe). W niniejszej pracy skoncentruj si na pierwszej i trzeciej z wymienionych
struktur. Kwantyzacj poziomw energetycznych swobodnych nonikw moemy uzyska
tworzc struktur zbudowan z materiaw rnicych si szerokoci przerwy energetycznej.
Gdy pomidzy warstwami materiau o szerszej przerwie energetycznej umiecimy cienk
(zazwyczaj 1-20 nm gruboci) warstw materiau o wszej przerwie energetycznej, wwczas
w pasmach walencyjnym i przewodnictwa mog utworzy si studnie potencjau. Bd w nich
wystpowa dyskretne poziomy energetyczne, odpowiednio elektronowe dla pasma
przewodnictwa i dziurowe dla pasma walencyjnego. Dodatkowo, ze wzgldu na rn mas
efektywn dziur lekkich i cikich, obsadzaj one oddzielne ukady poziomw
energetycznych. Dziki wykorzystaniu nowoczesnych technik wzrostu krysztaw,
umoliwiajcych kontrol skadu i gruboci struktury z dokadnoci do jednej warstwy
atomowej, mona uzyska ostre granice midzy materiaami. W rezultacie struktura moe by
z dobrym przyblieniem opisana jako jednowymiarowa prostoktna studnia kwantowa.
 Omo wienie pojc
Namagnesowanie nasycenia wystpujce w niektrych magnetycznych materiaach, jest
stanem w ktrym wzrost przyoonego zewntrznego pola magnetycznego H nie moe
zwikszy namagnesowania materiau (wzrostu indukcji magnetycznej). Nasycenie jest
charakterystyczne dla materiaw ferromagnetycznych i ferrimagnetycznych takich jak
elazo, nikiel, kobalt i ich stopy. Ferromagnetyk w tym stanie ma wszystkie domeny
magnetyczne ustawione rwnolegle do kierunku zewntrznego pola. [1]

Ferromagnetyzm jest podstawowym mechanizmem w ktrym materia wykazuje wasne,

spontaniczne namagnesowanie. W fizyce rozrnianych jest kilka rnych typw
magnetyzmu. Ferromagnetyzm (wliczajc ferrimagnetyzm) jest najsilniejszym typem: jest
jedynym, ktry wytwarza na tyle mocne siy, aby mona byo je odczu i jest typowym
zjawiskiem magnetyzmu w magnesach spotykanych w codziennym yciu. Przykadem mog
by magnesy lodwkowe uywane do przyczepiania notatek na ich drzwiach. Tylko
nieliczne substancje s ferromagnetykami, takie jak: elazo, nikiel, kobalt i ich stopy. [2]

Koercja magnetyczna to warto zewntrznego pola magnetycznego jakie trzeba by

przyoy do ferromagnetyka, eby zmniejszy jego pozostao magnetyczn do zera. Dziki
temu mona podzieli ferromagnetyki na magnetycznie twarde (o do duej wartoci koercji
powyej 10 000 A/m), magnetycznie ptwarde, ktre przyjmuj wartoci porednie oraz
magnetycznie mikkie o wartociach poniej 1000 A/m. [3]

Histereza magnetyczna kiedy zewntrzne pole zostaje przyoone do ferromagnetycznego

materiau, dipole atomowe wyrwnywaj si z nim. Nawet kiedy pole zostaje usunite, cz
tych dipol zostanie w takim samym stanie. Materia zosta namagnetyzowany i pozostanie taki
przez nieokrelony czas. Aby odwrci taki proces potrzebne jest ciepo lub magnetyczne
pole ustawione w odwrotnym kierunku. Histereza postrzegana jest jako problem, poniewa jej
pole jest proporcjonalne do strat energii podczas jednego cyklu przemagnesowania. Materiay
wykazujce histerez wykorzystywane s czsto do zapisu informacji w twardych dyskach,
dyskietkach, tamach magnetycznych, czy kartach kredytowych.[4]

Remanencja tak nazywana jest warto indukcji magnetycznej pozostaa po usuniciu

zewntrznego pola magnetycznego, ktry magnesowa dany materia ferromagnetyczny. Jest
jednym z gwnych parametrw charakteryzujcych magnesy trwae. [5]

Magnetyczna warstwa martwa (Magnetic dead layer) mog si tworzy podczas

procesw osadzania rzdu kilku pojedynczych warstw z powodu dyfuzji interfejsu ktry
powoduje spadek magnetycznego momentu elektrody ferromagnetyka. Ich formacja i grubo
zale od temperatury, ferromagnetycznej warstwy i warstw uytych do produkcji interfejsu z
ferromagnetyczn warstw. [6]

Magnetoopr/magnetorezystancja tor ruchu elektronw moe zosta odchylony poprzez

pole magnetyczne, co spowoduje e w drucie bdzie ono przeszkadzao elektronom, ktre
odbija si bd od brzegw zamiast doj prosto do celu. Przez to ich ruch zostanie
spowolniony i wytworz mniejszy prd, co znowu odpowiada zwikszeniu oporu. Efekt ten
powoduje, powoduje, e materia po umieszczeniu w polu magnetycznym zmienia swj opr,
ktry nazywa si magnetooporem. Wan rol odgrywa tu rozpraszanie spinowe, ktre
zwizane jest z oddziaywaniem elektronw z momentami magnetycznymi atomw.
Gdy pole zostanie przyoone dochodzi do zwikszenia ich uporzdkowania, a wic
powoduje to zmniejszenie rozproszenia spinowego, co prowadzi do zmniejszenia wartoci
oporu elektrycznego. [7]

Magnetyzm
Rodzaje magnetooporu
Anisotropowy Magnetoopr (AMR ang. Anisotropy Magnetoresistance)
Opr elektryczny krysztau jest anizotropowy, zaley od kierunku prdu wzgldem
namagnesowania M. Opr jest mniejszy w momencie gdy kierunek prdu elektrycznego jest
prostopady do wektora M, a wikszy w przypadku ich rwnolegoci. Warto dla tego
efektu wyliczana jest ze zmiany wartoci efektu przez jego warto pocztkow, gdzie
typowe dla tego efektu wychodziy w pojedynczych procentach. Obecnie ok 50% w
zwizkach uranu w odpowiednich temperaturach.
Na rysunku 1 (pominite zostay inne rda rozpraszania) pokazano jak wyglda
rnica przy rozpraszaniu przewodzcych elektronw w przypadku rwnolegego
namagnesowania do prdu (a) oraz prostopadego (b).
Przecitnie poowa elektronw o spinie w gr, w wersji (b) napotyka bdzie
znacznie mniejszy opr ni te ze spinem w d. W wersji (a) wszystkie spiny bd napotyka
rednio na ten sam opr. Obie wersje mona pokaza jako poczenie rwnolege rezystorw.
[10]

Rysunek 1. Model dwuprdowy rozpraszania elektronw o przeciwnych spinach w prbce

namagnesowanej: a) rwnolegle do wektora gstoci prdu; b) prostopadle. Po prawej
Rysunek 1 pozwala na wysunicie wniosku,
stronie modeleisieci
rezystywno waciwa jest mniejsza ni
rezystorw.[10]
.

Pasmo 3d w metalach przejciowych nie jest cakowicie zapenione, a gsto stanw jest
dua. Dziki temu istnieje znaczne prawdopodobiestwo rozpraszania elektronw z pasma 4s
do pasma 3d. Pasmo 3d jest rozszczepione na dwa podpasma o spinach rwnolegych
(wikszociowych, skierowanych w gr) i antyrwnolegych (mniejszociowych,
skierowanych w d) do kierunku magnetyzacji. W wyniku rozszczepienia pasma 3d gstoci
stanw na poziomie Fermiego DFs rne dla elektronw ze spinem w gr i w d. W
konsekwencji prawdopodobiestwo rozpraszania elektronw 4s do stanu 3d jest rwnie
rne dla elektronw ze spinem skierowanym w gr i spinem skierowanym w d. Mona
wykaza, e prawdopodobiestwo rozpraszania s d jest wiksze w przypadku elektronw
poruszajcych si wzdu kierunku namagnesowania. Dlatego, II > , gdzie II oznacza opr
waciwy dla prdu pyncego zgodnie z kierunkiem namagnesowania, a opr waciwy
dla kierunku prdu prostopadego do kierunku namagnesowania.

Rysunek 2. Skadowa namagnesowania w kierunku pola magnetycznego cienkiej warstwy ferromagnetycznej z

anizotropi jednoosiow w paszczynie warstwy mierzona dla pola magnetycznego skierowanego zgodnie z osi
atw: (a) i prostopadle do osi atwej (b)

Najwaniejsze z tych zastosowa to:

separacja galwaniczna w ukadzie pracujcym jako transformator prdu staego,
przetwornik mocy pracujcy jako mnonik prdw,
transformowanie, dodawanie lub mnoenie dwch sygnaw prdowych,
bezstykowy pomiar prdu.
Najwaniejszym zastosowaniem cienkich warstw ferromagnetycznych wykazujcych AMR s
gowice odczytu informacji, ktre zastpiy wczeniej stosowane gowice indukcyjne. W
stosunku do tradycyjnych gowic indukcyjnych gowice magnetorezystancyjne posiadaj
szereg zalet:
niezaleno sygnau od szybkoci przesuwu rda pola magnetycznego,
wiksz czuo, co pozwala na ich zastosowanie w dyskach o wikszej gstoci
zapisu.
Wad gowic magnetorezystancyjnych, w porwnaniu z gowicami indukcyjnymi jest to, e
nie mog one jednoczenie peni roli gowicy zapisujcej. Czujniki magnetorezystancyjne s
stosowane take do pomiaru wielkoci mechanicznych, do ktrych nale:
przesunicie liniowe oraz okrelanie pooenia,
kt i prdko obrotowa,
 cinienie,
drgania i przyspieszenie,
moment obrotowy,
ksztat.
Cienkowarstwowe czujniki magnetorezystancyjne wykorzystuje si take do bada
materiaowych, pozwalaj one na badanie nieniszczce materiaw ferromagnetycznych.
Czujniki AMR dziki licznym zastosowaniom w informatyce, automatyce i miernictwie
utoroway drog do zastosowa innych, odkrytych pniej efektw magnetooporowych
charakteryzujcych si wyszymi wartociami R/R lub wyszymi czuociami polowymi
tego efektu (znacznymi zmianami magnetooporu w jednostkowym polu magnetycznym).

Gigantyczny Magnetoopr (GMR ang. Giant Magnetoresistance)

Efekt obserwowany jest, gdy przy zmianie konfiguracji namagnesowania dwch warstw
ferromagnetykw dochodzi do zmiany oporu elektrycznego. Warstwy te uoone s
odpowiednio: ferromagnetyk/nieferromagnetyk/ferromagnetyk. Nazw otrzyma ze
wzgldu i jego wartoci mogy by nawet o rzd wielkoci wiksze ni AMR.
Dla konfiguracji rwnolegej opr ma do nisk warto jednak dla konfiguracji
antyrwnolegej znacznie wzrasta. Mechanizm przewodzenia elektrycznego, w wypadku gdy
temperatury s mniejsze ni temperatura Curie, zaleny jest od orientacji spinowej
elektronw.
Modelem dwuprdowym mona opisa ten sposb przewodnictwa. Przewodnictwa tak jak i
rednie drogi swobodne s inne dla elektronw o spinie w gr oraz tych o spinie w d.
Midzy warstwami dochodzi do rozpraszania elektronw przewodnictwa, a grubo
subwarstw jest mniejsza ni rednia droga swobodna elektronw. Na rysunku 2
przedstawiono schematycznie mechanizm rozpraszania elektronw w przypadku
uporzdkowania ferro i antyferromagnetycznego, na tle rzeczywistej krzywej wzgldnej
zmiany magnetorezystancji.[10]
W zalenoci od konfiguracji, prawdopodobiestwo rozpraszania elektronw o spinach w
gr i w d jest rne. Przy konfiguracji antyrwnolegej dla obu rodzajw elektronw
prawdopodobiestwo te jest takie samo (std wysoka rezystancja), jednak dla rwnolegej
wiksze prawdopodobiestwo maj elektrony o spinie w d, co prowadzi do cakowitej
rezystancji ukadu znacznie niszej.

Rysunek 3. Model przewodnictwa oraz wzgldna zmiana rezystancji w funkcji pola magnetycznego.
Czuo magnetorezystancyjn prbki mona definiowa jako stosunek rezystancji !=
(!" # !$ )/!$ %(&'*+,-.'%&%0*-12.3+14) do pola Hs:
!" # !$
= & 100'
!$ %$
! - rezystancja prbki bez pola magnetycznego
! - rezystancja prbki w polu nasycajcym Hs

Inn metod obliczenia czuoci elementu magnetorezystancyjnego jest obliczenie stosunku

magnetooporu !do szerokoci powkowej krzywej magnetorezystancji:
"# $ "%
! = ( 100)
"% &'#
Tunelowy Magnetoopr (TMR ang. Tunneling Magnetoresistance)*
Efekt TMR zwizany jest cile z magnetycznym zczem tunelowym (MTJ), wic, aby
dobrze opisa ten efekt w tym podrozdziale zostanie przyblione samo zcze.
MTJ jest to ukad cienkich warstw, gdzie przekadka niemagnetyczna, a dokadnie izolator
przedziela dwie warstwy ferromagnetyka (free tzw woln oraz pinnedczyli umocowan).

Sama warstwa izolatora jest wystarczajco cienka, aby elektrony spokojnie mogy j
tunelowa, w momencie przyoenia napicia midzy obiema warstwami. Prd tunelowy
bardzo zaley od zewntrznego pola magnetycznego, co wie si z konfiguracj caego
ukadu (rwnoleg bd antyrwnoleg).
Dla stanu rwnolegego elektrony o spinie wikszociowym, ktry jest skierowany w gr,
tuneluj do drugiej elektrody przez izolator do jej nieobsadzonych stanw wikszociowych.
Podobnie w przypadku elektronw o spinie mniejszociowym skierowanym w d,
przechodz one do nieobsadzonych stanw mniejszociowych.
Przy stanie antyrwnolegym, dochodzi do zmiany spinw mniejszociowych z
wikszociowymi, co powoduje, e elektrony o spinie mniejszociowym skierowanym w d
staj si elektronami o spinie mniejszociowymi skierowanym w gr, a te o spinie
wikszociowym skierowanym w gr staj si wikszociowymi skierowanymi w d.
Wan uwag jest to, i przy wyszych temperaturach oraz wzrocie napicia warto TMR
znaczco spada.
 Rysunek 4. Schematyczne przedstawienie tunelowania elektronw w
magnetycznym zczu tunelowym w przypadku rwnolegej (a) i antyrwnolegej
(b)orientacji namagnesowania elektrod ferromagnetycznych, w oparciu o funkcj
gstoci stanw ferromagnetyka.[10]
*Dodatkowo

Zastosowanie GMR
Magnetyczne sensory typu zawr spinowy (Spin-velve sensors)
Jednym z podstawowych zastosowa materiaw z GMR s magnetyczne pola sensorowe
czyli w dyskach twardych, czy biosensorach jako detektory oscylacji w MEMS-ach. Typowy
sensor GMR skada si z:
1. Podoe krzemowe
2. Warstwa wica
3. Wykrywajca warstwa (non-fixed)
4. Nie magnetyczna warstwa
5. Warstwa mocujca
 6. Warstwa Antyferromagnetyczna (przypita)
7. Wartwa ochronna
Warstwa wica najczciej zbudowana jest z tantalu, a typowo nie magnetyczne materiay
to mied. Wartstwa wykrywajca stopy kobaltu lub NiFe. FeMn lub NiMn dla
antyferromagnetycznych warstw. Warstwa mocujca z takich materiaw jak kobalt.

W twardych dyskach informacja jest kodowana przy uyciu domen magnetycznych, i ich
kierunek magnetyzacji jest zwizany z logicznymi poziomami 0 i 1. S dwi moliwe metody
zapisywania: poduna i prostopada.
W metodzie podunej magnetyzacja uoona jest pdostopdale do powierzchni. Obszar
przejciowy formowany jest midzy domenami w ktrych pole magnetyczne uchodzi z
materiau. Jeli ten obszar jest ulokowany na styku dwch pnocno-biegunowych domen to
pole jest skierowane na zewntrz jeli z dwch poudniowo-biegunowych do rodka. Do
odczytania kierunku pola magnetycznego powyej obszarw przejciowych, kierunek
magnetyzacji jest zamocowana prostopadle do powierzchni w antyferromagnetycznych
warstwach i rwnolegle do powierzchni w warstwach wykrywajych. Zmiana kierunkw w
zewntznym polu magnetycznym odchyla namagnesowanie w warstwie wykrywania. Gdy
pole ma tendencj do wyrwnania namagnesowania w warstwach wykrywania i mocujych,
rezystancja elektryczna czujnika spada i odwrotnie.

Magnetyczna pami RAM

Kolejne wykorzystanie znajduje spintronika w magnetycznych pamiciach RAM. Na
pocztku efekt AMR, aby mg osign odpowiedni gsto tablicy komrki musiay zosta
poczone seriami co spowodowao podzia sygnau. Zcza MTJ dostarczaj duy sygna
oraz opr pozwala na atwe dostosowanie do obwodu, rwnie termicznie i magnetycznie
stabilne.
Komrka MRAM oparta na bazie SV-MTJ posiada dwa stany: wysoko- i nisko-
rezystancyjny. Niski stan reprezentuje w tym przypadku 0, a wysoki stan 1. Zmiana stanu
informacji czyli zapisywanie informacji nastpuje przez zmian kierunku namagnesowania
warstwy swobodnej za pomoc prdw, ktre to przepywaj w umieszczonych nad oraz pod
SV-MTJ liniach. Z drugiej strony odczyt stanu komrki dokonywany jest poprzez
przepuszczenie prdu przez zcze, a nastpnie porwnanie rezystancji zcza z wartoci
referencyjn. Pami MRAM skonstruowana za pomoc SV-MTJ pozwala na trwao,
zbliony czas odczytu u zapisu komrek do SRAM (Static Random Access Memory),
porwnywalne rozmiary komrek do DRAM (Dynamic Random Access Memory ) oraz
pami FLASH (FLASH memory), nieograniczon ilo cykli zapisu oraz odporno na
promieniowanie radiacyjne.
Rysunek 1. Akurat ten rysunek jest dla TMR ale nie ma duej rnicy.

Tabela 2. Porwnanie pamici MRAM z roku 2014 [13]

Minimalna wielko Wytrzymao Opnienie Opnienie

Technologia
komrki ( F 2 ) (cykle) czytania (ns) pisania (ns)
SRAM 150 2 2
16
STT-MRAM 20 10 5 5-30
pSTT-MRAM 3 3
TAS-MRAM 1012 30 30
NAND 4 104 104 10 6
NOR 10 105 15 103
FeRAM 22 1012 40 65
ReRAM 30 105 100 100
PCM 4 1012 12 100

Inne zastosowania
Magnetyczny izolatory do transmisji sygnau bezstykowych dwch izolowanych
elektrycznie czci obwodw elektrycznych zostay zademonstrowane ju w 1997 jako
alternatywa dla optycznych izolatorw. Mostek Wheatstone-a dla czterech identycznych
urzdze GMR jest niewraliwy na jednorodne pole magnetyczne i reaguje tylko wtedy,
gdy kierunki pola s antyrwnolege w ssiednich ramion mostka. Moe by uywane
jako jako prostownik z liniow charakterystyk czstotliwociow
 Metody badania nanostruktur
Magnetometr wibracyjny - (ang. Vibrating Sample Magnetometer (VSM)) urzdzenie
pomiarowe suce do badania waciwoci magnetycznych danych substancji. Zasada
dziaania oparta jest o zjawisko indukcji magnetycznej. Magnetometr mierzy
namagnesowanie prbki, ktra drga w jednorodnym zewntrznym polu magnetycznym.

Zmienny w czasie strumie magnetyczny, wytwarzany przez wibrujc prbk powoduje

indukowanie si siy elektromotorycznej, proporcjonalnej do momentu magnetycznego prbki
oraz do parametrw charakteryzujcych jej ruch (amplituda i czstotliwo drga). W
oglnoci warto indukowanego napicia w cewkach odbiorczych mona zapisa w postaci
rwnania:
= !2"#$%&'(2")*+
gdzie:
f czstotliwo drga prbki,
A amplituda drga prbki
t czas
M namagnesowanie prbki
C staa

Rysunek 5 "apacz" prbki oraz mechanizm detekcji.

Czuo magnetometru wibracyjnego jest na poziomie 10-5 - 10-6emu [3].

Zastosowanie SQUID (superconducting quantum interference device) pozwala zwikszy
czuo o rzd wielkoci. Przewanie prbka drga z czstotliwoci kilki-kilkudziesiciu
hercw. Amplituda drga jest na poziomie kilku-kilkudziesiciu milimetrw. Do wprawienie
prbki w ruch uywa si rnych rozwiza. Element wykonawczym (aktuatorem) moe by:
Piezoelement
Silnik elektryczny (obrotowy lub liniowy)
Gonik (w starszych konstrukcjach)
Do wytworzenie zewntrznego pola magnetycznego wykorzystuj si cewki indukcyjne (pole
ok 1.5T) lub elektromagnesy nadprzewodzce (pole do 14T).

Megnetometr efektu Kerr-a opisuje zmiany odbitego wiata od namagnetyzowanej

powierzchni. Uywany do badania struktury magnetyzacji w materiaah.
wiato ktre odbite jest od namagnetyzowanej powierzchni moe ulec zmianie w polaryzacji
i odbitym nateniu. Efekt ten jest podobny do efektu Faradaya opisujcego zmiany wiata
transmitowanego poprzez magnetyczny materia, z tym e efekt Kerra opisuje zmiany wiata
odbitego od magnetycznej powierzchni. Oba efekty s rezultatem z elementw nie
diagonalnych dielektrycznego tensora. Te nie diagonalne elementy daj magnetyczno-
optycznemu materiaowi anizotropow przenikalno, ktra to jest rna dla rnych
kierunkw. Oddziaywuje ona na prdko wiata w materiale:
1
! =
"#$
gdzie ! jest prdkoci wiata w materiale, " jest przenikalnoci i #$przenikalnoci
magnetyczn i to powoduje zmiany w zalenoci od orientacji. To powoduje fluktuacje w
fazie spolaryzowanego wiata padajcego.

Rysunek 6 Optyczny eksperyment do zaobserwowania efektu Kerr-a.

Mona kategoryzowa jeszcze dalej w zalenoci od kierunku wektora magnetyzacji w

stosunku do powierzchni odbijajcej i w paszczynie padania.
Odsyam do angielskiej strony:
https://en.wikipedia.org/wiki/Magneto-optic_Kerr_effect#Geometries

Te wczeniejsze podane byy jako gwne ale pono mona jeszcze takimi jak:

Mikroskop si magnetycznych (ang. MFM Magnetic Force Microscope) mikroskop, w

ktrym ostrze pokryte cienk warstw ferromagnetyka wibruje
z czstotliwoci blisk rezonansowej, poruszajc si blisko badanej powierzchni. Poprzez
modulacj czstoci z jak wibruje dwignia, mikroskop rejestruje namagnesowanie badanej
powierzchni. Zmiany te s indukowane przez zaleno pola magnetycznego od odlegoci
ostrze prbka. Jest on uywany do badania struktur domen magnetycznych powierzchni
gowic i nonikw magnetycznych, np. dyskw twardych.

Transmisyjny mikroskop elektronowy (TEM, z ang. transmission electron microscope)

rejestrowane s elektrony przechodzce przez prbk. Prbk w takim mikroskopie musi by
cienka pytka o gruboci rzdu setek nanometrw. Przygotowanie takiej prbki jest trudne i
znacznie ogranicza zastosowania mikroskopu.