ENLACE ATOMICO

La estructura de los materiales se clasifica en cinco niveles:

- Macroestructura (> 1000 nm)

- Microestructura (10 1000 nm)
- Nanoestructura (1 100 nm)
- Arreglos atmicos de corto y
largo alcance
- Estructura atmica

Estructura atmica y enlaces

Propiedades.

Disposicin geomtrica de los tomos : Cristalinos y amorfos

Interacciones entre tomo y molcula.

SiO2 amorfo o vidrio SiO2 cristalino o cuarzo

Estructura atmica: Propiedades fsicas: Conductividad elctrica, propiedades

magnticas, caractersticas trmicas y elsticas.

Interacciones entre tomos y molculas: Enlace qumico

Un tomo es estable cuando su ltima capa est completa.

Va intentar buscar una configuracin en la que disponga de ocho electrones en
su ltima capa al igual que un gas noble n s 2 p 6 ( REGLA DEL OCTETO)
Para lograrlo se van a unir con otros formando molculas.
El sistema es estable cuando la energa es mnima.
La naturaleza del enlace est determinado siempre por las fuerzas
electrostticas.
 ENLACE ATOMICO

TIPOS DE ENLACE

Para lograr estabilidad:

Interacciones entre tomos y

molculas: Fuerza entre los
tomos que los mantiene unidos
en las molculas.

Cuando dos o ms tomos se

acercan lo suficiente, puede
producirse una fuerza de
atraccin entre los electrones de
los tomos individuales y el
ncleo de otro u otros tomos. de
la atraccin simultnea de uno o
ms electrones por ms de un
ncleo.

Enlaces atmicos

Existen cuatro mecanismos importantes mediante los cuales los tomos se

enlazan o unen en is materiales:

Enlaces Primarios:

Enlace metlico.
Enlace covalente.
Enlace inico.
Enlace Secundario:
Enlace de Van der Waals.
 Las propiedades
de las sustancias dependen en gran medida de la naturaleza de los
enlaces que unen sus tomos

A.- Enlace Metlico: Liberar Electrones

Los electrones se mueven libremente sin estar ligados a un ncleo; propio de

uniones entre metales.
Para formar el enlace metlico, los tomos pierden los electrones de su ltima
capa, que forman la nube electrnica, donde se empaquetan los iones positivos
resultantes.
Cada tomo de metal contribuye con sus electrones de valencia para formar
una nube electrnica negativa. Estos electrones no estn asociados con un in
particular, sino que se mueven libremente entre los iones metlicos positivos.

Enlace metlico: los tomos ceden sus Cuando se aplica voltaje a un metal,
electrones de valencia, los cuales los electrones se mueven con facilidad
forman un mar de electrones y conducen la corriente.
La mayora de los metales
pueden ser deformados
considerablemente sin
fracturas debido a que los
tomos de metal se
pueden deslizar unos
sobre los otros sin
distorsionar
completamente la
estructura de enlace
metlico

Caractersticas de los materiales con enlace metlico

A excepcin del mercurio, los metales puros son slidos a temperatura

ambiente. No obstante, sus puntos de fusin y de ebullicin son muy variables,
aunque generalmente altos.
Buenos conductores (electricidad y calor). La conductividad elctrica
disminuye con la temperatura.
Brillo caracterstico.
Dctiles y maleables (enlace metlico es no direccional)
Presentan "efecto fotoelctrico (cuando son sometidos a una radiacin de
determinada energa, emiten electrones).
Se disolver unos en otros formando disoluciones que reciben el nombre
de aleaciones. Tienen densidades altas.

B.- Enlace Covalente u homopolar: Compartir electrones.

Uniones entre no metales y propio de las molculas gaseosas; electronegatividades

prximas.

Los materiales ligados de esta forma comparten entre dos o ms de sus tomos. Por
ejemplo, un tomo de silicio, que tiene valencia 4, acepta ocho electrones en su capa
externa cuando comparte sus electrones con otros cuatro tomos vecinos, ver figura.
El fuerte enlace se debe a la atraccin que efectan los ncleos positivos sobre los
electrones compartidos. El enlace covalente es tpico de la mayora de molculas de
gas.
El silicio, con
valencia 4, se
formaran cuatro
uniones o enlaces
covalentes.

Caractersticas de los compuestos unidos por enlaces covalentes:

Poco solubles (en cualquier tipo de disolvente). Sustancias polares disuelven a

sustancias a sustancias polares y sustancias no polares disuelven a sustancias no
polares.
Duros.
Malos conductores de la electricidad y del calor
Los materiales formados por enlaces covalentes son frgiles y se comportan
como aislantes elctricos.
Muchos materiales cermicos y polmeros estn completamente o
parcialmente unidos por enlaces covalentes.

C.- Enlace Inico: Transferir electrones.

Propio de uniones entre metales y no metales; uniones de tomos con

electronegatividad y energa de ionizacin muy diferente.

Ejemplo: un elemento el sodio, con un electrn en exceso, lo perder fcilmente de

un modo que tenga llena la capa externa. Entonces tendr ms protones que
electrones y se convertir en un in positivo (catin) con una carga +. Por otra parte,
un tomo de cloro que tiene siete electrones en su capa exterior, aceptara un
electrn. Cuando lo haga, tendr un electrn ms que protones y se convertir en un
in negativo ( anin). Los iones cargados opuestos se atraen entres si produciendo la
unin inica.
 Enlace inico entre dos tomos con diferentes electronegatividades.

Caractersticas de los compuestos unidos por enlaces ionicos:

A temperatura ambiente son slidos en forma de cristales

Tienen puntos de fusin y de ebullicin altos (solido cristalino) Y bajos puntos
cuando no son slidos.
Son duros (solidos) y frgiles. Frgiles. Esto es debido a que un golpe puede
originar un desplazamiento de los planos de los iones y, al dejar enfrentados iones
de igual signo, dara lugar a una fractura en el cristal por fuerzas repulsivas
electrostticas.
Son solubles en agua (disolventes polares ) , insolubles cuando es slido como
el diamante, grafito, slice. Se disuelven en disolventes polares, porque los dipolos
de estos disolventes rodean a los iones de la red cristalina y los van "arrancando"
de la red.
En estado slido no conducen la corriente elctrica, pero si son conductores en
estado liquido.
Si lo hacen en disolucin o fundidos
Los materiales unidos inicamente se comportan como frgiles, su
conductividad elctrica es baja ya que la carga elctrica puede ser transferida por
el movimiento de iones enteros, los que no se desplazan tan fcilmente como los
electrones.
Enlace fuerte (puntos de fusin altos).
Los cristales inicos son duros, y se resisten bastante a ser rayados.

D.- Enlace Van der Waals: Compartir electrones.

Fuerzas de Van der Waals: Son de dos tipos:

Dipolo Dipolo: Se presentan entre
molculas polares producto de la
atraccin entre cargas de signo
opuesto.

Induccin: Pueden a aparecer de

forma coyuntural entre molculas no
polares al formarse dipolos
instantneos producto del
movimiento continuo de los
electrones .

Las uniones o enlaces de Van del Waals logan molculas o grupos de tomos
mediante atracciones electrostticas dbiles. Muchos plsticos, cermicos, el agua y
otras molculas estn instantneamente o permanentemente polarizadas; esto es,
algunas porciones de la molcula tienden a estar con carga positiva, mientras otras
porciones estn cargadas negativamente. La atraccin electrosttica entre las
regiones positivas de una molcula y las regiones negativas de una segunda
molcula unen dbilmente s las dos.

Enlace de Van der Waals se forma debido a la polarizacin de molculas o

grupos de tomos.
En el PVC (cloruro de polivinilo) las cadenas estn unidas por enlaces de van
der Waals, los tomos de cloro unidos a la cadena polimerice tienen carga
negativa, y los tomos de hidrogeno estn cargados positivamente. Dentro de
cada cadena la unin es covalente.

El enlace atmico, es en esencia, un proceso electrnico. Se pueden formar enlaces

fuertes (primarios) cuando los orbitales externos se trasfieren (enlace inico) o
comparten electrones entre tomos (enlace covalente). Los enlaces secundarios, ms
dbiles son el resultado de una atraccin menos fuerte entre las cargas positivas y
negativas, sin transferencia o distribucin compartida de electrones.
 COVALENTE
MOLECULA
METLICO INICO MACROMOLEC
TIPO DE SLIDO R
Na NaCl ULAR
H2O
SiO2
PARTCULAS EN RESTOS ATMICOS ANIONES Y MOLCULAS TOMOS
NODOS DE LA RED (NCLEOS+CORTEZA CATIONES O
ELECTRNICA TOMOS
INTERNA) RODEADOS INDIVIDUALE
DE UNA NUBE S (GASES
ELECTRNICA NOBLES)

FUERZAS DE UNIN ENLACE METLICO ELECTROSTTICAS FUERZAS DE ENLACE

ENTRE PARTCULAS (ORBITALES VAN DER COVALENTE
MOLECULARES WAALS Y/O
DESLOCALIZADOS) PUENTES DE
HIDRGENO

PROPIEDADES SLIDOS DE SLIDOS DUROS SLIDOS SLIDOS MUY

BLANDOS A DUROS QUEBRADIZOS BLANDOS DUROS
MALOS MALOS
CONDUCTORES DE CONDUCTORES EN CONDUCTOR MALOS
LA ELECTRICIDAD Y SLIDO, ES CONDUCTORES,
EL CALOR CONDUCTORES DE PUNTOS DE EN GENERAL
LA ELECTRICIDAD FUSIN
PUNTO DE FUSIN FUNDIDOS O EN BAJOS EN PUNTOS DE
VARIABLE, AUNQUE DISOLUCIN GENERAL: FUSIN ALTOS
ALTO EN GENERAL PUNTOS DE FUSIN UNA GRAN
ALTOS PARTE SON
LQUIDOS O
GASES EN
CONDICIONE
S NORMALES
 Propiedades fsicas y estructurales de los materiales asociados con el
tipo de enlace atmico.

Propiedades Enlace inico Enlace covalente Enlace metlico Enlace de Van

der Waals
Estructurales No direccional, Especialmente dirigido No direccional, Anlogo al
determina estructuras y numricamente determina metlico
de alta coordinacin limitado, determina estructuras de alta
estructuras de baja coordinacin y alta
coordinacin y baja densidad
densidad
Mecnicas Resistente, cristales de Resistentes y de gran Resistencia Baja resistencia,
gran dureza dureza, poca ductilidad variable, presentan cristales blandos
por lo general
plasticidad
Trmicas Medianamente alto Alto punto de fusin, Punto de fusin Bajo punto de
punto de fusin, bajo baja expansin trmica, variable, gran fusin, alto
coeficiente de molculas al estado intervalo de coeficiente de
expansin, iones al lquido temperaturas al expansin
estado lquido estado lquido
Elctricas Aisladores moderados, Aisladores en el estado Conductores por Aisladores
conduccin por slido y lquido transporte
transporte inico en el electrnico
estado lquido.

pticas y Absorcin y otras Alto ndice de Buenos reflectores Propiedades

magnticas propiedades son refraccin, absorcin de la radiacin caractersticas de
caractersticas de los totalmente diferente en visible las molculas
iones individuales soluciones y/o gases individuales

LOS METALES Y SU ESTRUCTURA CRISTALINA

 Arreglo Atmico.-
El arreglo tomo y
de los iones
desempean un
papel importante en
la determinacin de
la microestructura y
de las propiedades
de un material.

En los distintos estados de

la materia se pueden
encontrar tres clases de
arreglos atmicos:
Sin orden
Orden de
corto alcance
Orden de largo
alcance

El arreglo atmico difiere de un material a otro en forma y dimensin, dependiendo

del tamao de los tomos y del tipo de enlace entre ellos.

En el caso de los metales, cuando estos estn en estado slido, sus tomos se
alinean de manera regular en forma de mallas tridimensionales. Estas mallas pueden
ser identificadas fcilmente por sus propiedades qumicas, fsicas o por medio de los
rayos X.

Microestructura

Slidos

Orden de largo alcance (cristal): al solidificar el material, los tomos se sitan segn
un patrn tridimensional repetitivo, en el cual cada tomo est enlazado con su
vecino ms prximo ( > 100 nm).

Sin orden (amorfo): carecen de un ordenamiento atmico sistemtico y regular a

distancias atmicas relativamente grandes.
A.- Caractersticas de los metales cristalinos.

Estructura Cristalina:

En un material cristalino los tomos se sitan en una disposicin repetitiva o

peridica a lo largo de muchas distancias atmicas; es decir, existe un orden de largo
alcance talque, al solidificar el material, los tomos se sitan segn un patrn
tridimensional repetitivo. Los tomos oscilan alrededor de puntos fijos y estn en
equilibrio dinmico ms que fijo estticamente. La red alrededor de lneas
imaginarias que conecta los tomos se llama Red espacial, en tanto que la unidad
ms pequea que tiene la simetra total de cristal se llama celda unitaria, como
muestra la figura.

Estructura cristalina cbica de cara centrada:

(a) representacin de la celda unidad mediante esferas rgida
(b) celda unidad representada mediante esferas reducidas

Representacin de la red y de la celda unitaria del sistema cbico

centrado en el cuerpo

Todos los metales, muchos materiales cermicos y ciertos polmeros, poseen

estructura cristalina.
 La estructura de un material se refiere al tamao, forma y ordenamiento
atmico dentro de la red espacial.
El vidrio comn de ventana es amorfo (solido no cristalino), debido a que
carece por completo de un orden atmico.
El anlisis de una red espacial se realiza estudiando su celda unitaria, y no
toda la red.

B.-Parmetros Reticulares.-

Lo parmetros reticulares describen el tamao y la forma de la celda unitaria, y son

las orillas o bordes de la celda unitaria a, b, c y los ngulos (entre b y c), (entre a
y c), ( entre a y b), ver figura.

Celda unitaria mostrando los parmetros reticulares.

C.-Sistemas Cristalinos.

En funcin de los
parmetros de la celda
unitaria: longitudes de sus
lados y ngulos que
forman, se distinguen 7
sistemas cristalinos que
definen la forma
geomtrica de la red:

Hay catorce tipos posibles de redes espaciales (celdas unitarias), y pueden

clasificarse en siete sistemas ver tabla.

En un sistema cristalino cubico solo la longitud de un lado del cubo es necesaria para
describir completamente la celda ( los ngulos son de 90). Esta longitud medida a
temperatura ambiente es el parmetro de red ao.
Las unidades de la longitud se
expresan en nanmetros (nm) o en
angstrom (A) donde:

1 nanmetro (nm) = 10-9 m = 10-7 cm

= 10 A
1 angstrom (A) =0.1 nm = 10-10m =
10-8 cm
 Catorce tipos de redes espaciales

Estructura cristalina

Elemento

Hexagonal compacta Be, Cd, Co, Mg, Ti, Zn

Cbica compacta Ag, Al, Au, Ca, Cu, Ni, Pb, Pt
Cbica centrada en el cuerpo Ba, Cr, Fe, W, alcalinos

Cbica-primitiva Po

Estructuras cristalinas de elementos metlicos a 25C y 1atm

La mayora de los metales importantes cristalizan en los sistemas cbicos o en los

hexagonales, y solo tres tipos de redes se encuentran comnmente: CCCu o BCC
( cbica centrada en el cuerpo), CCCa o FCC ( Cubica centrada en las caras) como
aprecia en la figura y CS Cubico simple.
 a) Cbico simple ( CS) b) Cbico centrado en el c) Cbico
centrado el
cuerpo ( CCCu) o BCC las
caras (CCCa) o FCC

D.-Polimorfismo y Alotropa.-

Algunos materiales pueden tener ms de una estructura cristalina en el estado

slido, este es un fenmeno conocido como polimorfismo. Si este fenmeno es
reversible se denomina alotropa. El principal ejemplo de un metal alotrpico es el
hierro, quien a temperatura del ambiente es CCCu ( Fe ), y cuando el fierro se
calienta a 910 C su estructura cristalina cambia a CCCa y se denomina Fe- , a
1410 C vuelve a ser CCCu ( Fe-). El titanio es otro metal alotrpico y, puede
existir en dos tipos d estructura cristalina (en el estado slido), a baja temperatura
es (Ti-) y presenta una red HC ( hexagonal con empaquetamiento compacto)
( ao=2,9 A y Co = 4,67 A a 20 C) y a alta temperatura es , (Ti-), de red cbica
centrada en el cuerpo / ao = 3,31 A a 900 C). la temperatura de transicin es
igual a 882 C,ver figura.
Cambio alotrpico que presenta el
titanio.

Un material polimrfico es el carbono, que puede cristalizar en forma de diamante

(cbico de diamante) y de grafito (hexagonal).

E.- Numero de tomos por celda unitaria.-

Es el nmero de tomos que se encuentran localizados en el interior de la celda

unitaria. En la celda Cs, se tiene 8 tomos (uno en cada esquina) de los cuales 1/8
estn localizados en el interior de la celda unitaria (cada uno de los tomos es
compartido por ocho celdas unitarias adyacentes):

(Nmero de tomos / celda) = (1/8) X 8 = 1

En la CCCu, hay 1/8 de tomo en las esquinas del cubo y uno en el centro de la celda
fig.

(Nmero de tomos / celda) = ((1/8) X 8 ) + 1 = 2

En la CCCa, hay 1/8 en las esquinas y en cada una de las caras (en total 6 caras):

(Nmero de tomos / celda) = ((1/8) X 8 ) + ( (1/2)X 6) = 4

Celda Unitaria FCC- Red Espacial Celda Unitaria BCC Red Espacial
CCCa (FCC) CCCu (BCC)

F.- Radio atmico (ra) en funcin del parmetro de red (ao).-

Para determinar el ra se debe localizar en la celda unitaria a lo largo de la cual los

tomos hacen contacto continuo (ver figura). Estas son las direcciones ms
compactas. Determinando geomtricamente la longitud de la direccin relativa a los
parmetros de la red (ao), y sumando los nmeros de los radios atmicos a lo largo
de esta direccin, podemos encontrar la relacin deseada.

En la figura a, se aprecia que existe la siguiente relacin en la red CCCa: 2 ao

=ra

Y en la red CCCu la relacin es : 3 ao = 4ra

Cbico Simple ( CS) Cbico Centrado en Cubico Centrado en las

elCuerpo caras

CCCu - BCC CCCa - FCC

Radio atmico en funcin de la Red.

G.- Numero de coordinacin (NC)

Es el nmero de tomos que se encuentran en contacto con un tomo en particular,
o el nmero de tomos vecinos ms cercanos y es una medida de la eficiencia del
empaquetamiento. En la red

CCCu, si se toma tomo central se visualiza que est en contacto con 4 tomos
en la parte superior y otros 4 en la parte inferior, por lo tanto, es tocado por 8
tomos en total, por ello su NC es de 8. Cualquier tomo en la celda CCCu ser
tocado por 8 tomos. El NC en la red CS es 6 y en CCCa es de 12.

Tabla: Caractersticas de las celda CS, CCCu, CCCa

tomo Nmero Factor de

s/celd ao=f(r de empaque Ejemplo
Estructura a ta-
a) coordina s
cin miento

Cbica simple 1 ao =
6 0,52 Po
(CS) 2ra

2 Fe, Ti, W,
Cbica centrada en
ao = Mo, Nb, Ta,
el cuerpo (CCCu - 8 0,68
4ra/3 K, Na, V, Cr,
BCC)
Zr

Cbica centrada en 4 Fe, Cu, Al,

ao =
las caras (CCCa 12 0,74 Au, Ag, Pb,
4ra/2
-FCC) Ni, Pt

2 ao = 2ra Ti, Mg, Zn,

Hexagonal
c/a = 12 0,74 Be, Co, Zr,
compacta (HC)
1,633 a Cd

H.-Factor de empaquetamiento (FE).

El factor de empaquetamiento o de acomodamiento es la fraccin de espacio dentro

de la celda unitaria ocupada por los tomos, suponiendo que sean slidas. El FE se
calcula mediante la siguiente formula:
La FE en la red CCCu se determina de la siguiente manera :

(Nmero de tomos / celda)=2; volumen del tomo= (4/3)

(ra)^3

Volumen de celda = (ao) ^3= ((4ra/3) ^3

Reemplazado se calcular su factor de empaquetamiento: FE = ( (3)/8 )=0.68

Los metales, el FE de 0.74 para la estructura CCCa corresponde al acomodamiento

ms eficiente posible (mayor densidad). Las celdas CCCu tienen FE de 0.68 y las
celdas CS, un FE de 0.52.

I.-Densidad Terica ( ).

Se puede calcular la densidad terica de un metal aplicando las propiedades de la

estructura cristalina, de acuerdo a la siguiente frmula:

Conceptos importantes:

Anin: Ion con carga negativa producido cuando un tomo, por lo general no
metlico, acepta uno o ms electrones.

Catin: Ion con carga positiva producido cuando un tomo, normalmente un

metal, cede sus electrones de valencia.

Electrones de valencia: Los electrones en las capas no llenas se conocen

como electrones de valencia y causan, en gran medida el comportamiento
qumico de los elementos.

Valencia: Numero de los electrones en un tomo que participan en un enlace

o en las reacciones qumicas. Normalmente, la valencia es el nmero de
electrones en el nivel de energa externo.

La estructura electrnica de los tomos es relativamente estable cuando las

capas externas contienen ocho electrones o dos en el caso de la primera capa.

Electronegatividad: tendencia relativa de un tomo de aceptar un electrn

y convertirse en un anin.
Molcula polarizada: Molcula cuya estructura origina que porciones de ella
tengan una carga negativa, mientras que otras presentan carga positiva, lo
que origina la atraccin electrosttica intermolecular.

Amstrong : 1,0000 10-10 m.Se llama Angstrom, y es una unidad de medida

equivalente a la diez mil millonsima parte del metro, 0.000,000,000,1
metros, cuyo smbolo es

Nmero de Avogadro: Un tomo-gramo de cualquier elemento o una

molcula-gramo de cualquier sustancia contiene igual nmero de tomos o
molculas, respectivamente, siendo precisamente ese nmero el factor N. El
valor de N, determinado experimentalmente, es de N = 6,023 x 10 23
tomos / g * mol y es lo que se conoce como nmero de Avogadro:

Nota: Los materiales metlicos se caracterizan por tener enlaces metlicos,

los cermicos tienen enlaces inicos o covalentes o ambos, los polmeros
presentan como enlace primario enlaces covalentes y como enlace secundario
los enlaces de Van der Waals.

POSICION, DIRECCIONES Y PLANOS CRISTALOGRAFICOS

A.- POSICION CRISTALOGRAFICA

La posicin de un tomo se
describe haciendo referencia a
los ejes de la celda unitaria y a
las dimensiones de la celda. En
la Fig. se muestran las
coordenadas de algunos
tomos en la celda enunciando
las tres distancias, separadas
por comas.

Posiciones cristalogrficas

B.- DIRECCION CRISTALOGRAFICA

 Ciertas direcciones en la
celda unitaria, son de
particular importancia y son
aquellas que pasan por el
centro de los tomos
(direcciones cristalogrficas).
Los metales se deforman, por
ejemplo, en las direcciones a
lo largo de las cuales los
tomos estn en contacto
ms estrecho. Para denotar
una direccin cristalogrfica
se emplean los ndices de
Miller.

Direcciones cristalogrficas

El procedimiento para obtener los ndices de Miller para las direcciones es

como sigue:

a) Se determinan las coordenadas de dos posiciones que estn en esa direccin.

b) Se restan las coordenadas del punto delantero de las del punto trasero
para obtener el nmero de parmetros de red medidos en la direccin de cada
eje del sistema de coordenadas.
c) Se eliminan las fracciones y/o se reducen los resultados obtenidos de las
restas, a los enteros mnimos.
d) Se enuncian los nmeros entre corchetes | |. Si se obtiene un nmero
negativo, se representa con una barra sobre el nmero. La direccin
encontrada representara direcciones paralelas, como se precia en la fig.
Otra forma de especificar una direccin cristalogrfica dentro de una celda
unitaria, es trasladando una direccin paralela y cuya base empiece en el
origen.

Ciertos grupos de direcciones son equivalentes, sus ndices dependen de la

forma en que se establecieron los ejes de coordenadas. Por ejemplo, una
direccin |100| es una direccin | 010 | si redefinimos el sistema coordenado. L
Para determinar los ndices de Miller del plano A mostrado en le fig.
a) Seleccionamos el plano B, que es paralelo al plano A.
b) Las intersecciones con los ejes son: X=1 ; y= ; z=
c) Los inversos: X=1 ; y= 1/ ; z= 1/ = 0
d) El plano A (y B) es el: (100)
Los grupos de direcciones equivalentes se denominan familia de direcciones,
emplendose parntesis angulares para indicar este conjunto de
 direcciones. Por ejemplo todas las direcciones que pertenecen a la familia
110 son todas las diagonales de las caras del cubo, y son las direcciones:

__ _ _
| 110 | | 110 | | 110 | |1 1 1 |
_ _ _ _
|101 | | 10 1 | | 10 1 | |1 0 1 |
__ _ _
| 011| |01 1 | |01 1 | |01 1 |
Esta familia de direcciones, tambin se pudo haber notado como: 101,
011,
__ _ _ __
<1 1 <1 0 <0 1 1
0 , 1 , etc.,

C.- PLANOS CRISTALOGRAFICOS

De la misma forma existen planos de relativa importancia en la celda

unitaria y que se pasan por el centro de los tomos (planos cristalogrficos).
Para encontrar los ndices de Miller de un plano cristalogrfico se debe seguir
los siguientes pasos.
a) Se selecciona un plano paralelo en la celda unitaria que no pase por el
origen y que corte a los ejes.
b) Se anotan las intersecciones con los ejes coordenados.
c) Se toman los recprocos.
d) Se encierran las cifras resultantes entre parntesis ( ). De nuevo las cifras
negativas se representan con una raya sobre el nmero.

Para determinar los ndices de

Miller del plano A mostrado en le
fig.
e) Seleccionamos el plano B,
que es paralelo al plano A.
f) Las intersecciones con los
ejes son: X=1 ; y= ;
z=
g) Los inversos: X=1 ;
y= 1/ ; z= 1/ = 0
h) El plano A (y B) es el: (100)

Adems, se llaman ndices de Miller, que se suelen denotar ordinariamente por

(h,k,l). Este smbolo tambin indica la familia de planos, mientras que [h,k,l] precisa
una direccin en el cristal.
Un signo - sobre un ndice indica que la interseccin se ha verificado en el sentido
negativo del eje.

Se usan tambin los smbolos:

{h,k,l} = {i,j,k} para indicar los planos de simetra equivalentes y

<h,k,l> = <i,j,k para indicar las direcciones equivalentes.

La superficie (110)

cortes: a,a, ; cortes

fraccionarios: 1,1, ; ndices de
Miller: (1,1,0)

La superficie (111)

cortes: a,a,a ; cortes

fraccionarios: 1,1,1 ; ndices de
Miller: (1,1,1)

Las superficies consideradas

hasta ahora (100), (110) y (111)
son las llamadas superfcies de
ndice bajo de un cristal cbico
(el termino bajo hace referencia
a que los ndices son 0 o 1).
Estas superficies tienen especial
importancia, pero hay un
nmero infinito de otros planos
que pueden definirse usando los
ndices de Miller.
 Las superficies (210)

cortes: a/2, a,; cortes

fraccionarios: 1/2, 1, ; ndices
de Miller: (210)

En cada celda unitaria, los planos de una familia representan grupos de planos
equivalentes. Estos grupos de planos similares se presentan mediante llaves, o
sea { }. Los planos de la familia {100} que corresponden a las caras del cubo,
son:

(100) (010) (001)

_ _ _
(1 0 0) (0 1 0) (0 0 1 )

La familia de planos {100} se puede escribir tambin como: {010}, {001},

_ _ _
{1 0 {0 1 0 } {0 0 1 }.
0} , o
-Los ndices de Miller del plano del plano (102) indicaran que corta el eje X
en 1, que e s paralelo al eje y : y que corta al eje z en .
-En los sistemas cbicos, un plano y una direccin que tengan los mismos
ndices de Miller son perpendiculares. ( i j k ) perpendicular |i j k|
Indices de Miller: La geometra de la red espacial debe permitir que se llene
todo el espacio de tomos sin dejar huecos, caracterstica que hace que slo
existan 14 tipos de redes posibles (redes de Bravais).
Para poder identificar unvocamente un sistema de planos cristalogrficos
( diferentes planos y direcciones de un cristal) se les asigna un juego de tres
nmeros que reciben el nombre de ndices de Miller. Los ndices de un sistema
de planos se indican genricamente con las letras (h k l), para planos y
direcciones.
Los ndices de Miller son nmeros enteros, que pueden ser negativos o
positivos, y son primos entre s. El signo negativo de un ndice de Miller debe
ser colocado sobre dicho nmero
La orientacin de una superficie de un cristal plano se puede definir
considerando como el plano corta a los ejes cristalogrficos principales del
 slido. La aplicacin de un conjunto de reglas conduce a la asignacin de los
ndices de Miller (hkl); un conjunto de nmeros que cuantifican los cortes y que
slo puede usarse para identificar un plano o una superficie.

D.- DENSIDAD LINEAL (DL)

Es el nmero de tomos que cruzan una direccin particular por unidad de longitud.
Para calcular el nmero de tomos la direccin debe pasar por el centro del tomo de
lo contrario no se toma en cuenta para los clculos. Calcular en las direcciones |
010| y |101| figura.

La densidad en la direccin |010| se determina la siguiente forma.

Direcciones de celda CCCa. Cara de una celda unitaria en

una estructura CCCa

De manera similar se calcula la densidad en la direccin |110|:

DL |110| = ((( ) x 2+1) tomos )/ 2 ao )= (2 tomos/ 2 ao ) = 1.41 tomos / ao

La densidad en la direccin |110| es mayor por lo tanto es una direccin ms

compacta. En realidad esta direccin es la ms compacta del sistema CCCa. Cul es
la direccin ms compacta del sistema CCCu?

E.- DENSIDAD PLANAR (DP)

 Es un nmero de tomos que se encuentran contenidos en un plano por unidad de
rea. Para el clculo se toman en cuenta tomos que son cortados por sus centros.

Calcular la densidad de los planos (001) y (111) para el sistema CCCa. Cul de ellos
es el ms compacto?.

Para el clculo de la densidad planar en el plano (001), primero se determina el

nmero de tomos que estn al interior de dicho plano, ver figura., luego se divide
entre el rea del plano considerad:

DP (001) = ( ( X 4 +1 ) tomos ) / ao ^2 ) = 2 tomos / ao ^2

El plano (111) se aprecia en la figura. Su densidad se calcula:

Uno de los planos ms compacto

en la red CCCa ( FCC)

DP (111) = ( ( x 3 )+ (1/6 x3)) tomos / (( 3/4) ( 2 ao)^2) = 2 tomos / (3/2

ao^2

= 2.31 tomos / ao^2

Delos resultados el plano (111) presenta mayor densidad que el (001) y, es el plano
de mayor densidad o el ms compacto de la celda CCCa. En realidad las redes CCCa
presentan 4 planos compactos que pertenecen a la familia de planos {111}.

Cules son los planos ms compactos en el sistema CCCu?

Red cristalina CCCu CCCa (FCC)

(BCC)

Direcciones <111 2 por cada <110 3 por cada

compactas plano plano
compacto compacto

Planos {110} 6 en total ( no {111} 4 en total ( no

compactos paralelos) paralelos)

DEFECTOS CRISTALINOS

INTRODUCCION

Los metales en realidad contienen varios defectos cristalinos, pues sus tomos no
presentan un arreglo atmico perfecto, estos defectos explican muchas de las
interesantes propiedades de los metales. La dislocacin es probablemente el ms
importante de estos defectos cuyo concepto se introdujo en 1914, muchos ingenieros
metalurgistas se rehusaban a admitir la dislocacin como algo ms que un
improbable concepto terico aun a principio aun a principio de los aos 50. Sin
embargo, con el desarrollo de la tcnica del microscopio electrnico de transmisin a
fines de dicha dcada, la evidencia experimental demostr concluyentemente que la
resistencia mecnica y la ductilidad estn controladas por los defectos llamados
dislocaciones.

En general, un metal puro contendr numerosos defectos en su estructura cristalina;

estos defectos son:

1.-Vacancias.
2.-Un tomo extrao colocado en forma intersticial.
3.-Un tomo extrao colocado en forma sustitucional.
4.- tomos de metal base colocados en forma intersticial
5.- Dislocaciones.
6.-Maclas.
7.- Limites de grano
Se pueden clasificar estos defectos como defectos puntuales, lineales y planares. Los
primeros cuatro son defectos puntuales, la dislocacin es el nico defecto lineal y los
defectos 6 y 7 son defectos planares.

Se considera brevemente el defecto 4. Un tomo de Cu intersticial en Cu puro sera

un ejemplo de este tipo de defecto. Obviamente no se esperan muchos defectos de
este tipo, ya que un tomo CU intersticial en su propia red sera un defecto
relativamente grande produciendo una deformacin severa en la red circundante.
As, a 1000 C se tendra un solo tomo intersticial por cada 10 gramos de Cu.

Con respecto a las dislocaciones, se ha determinado que es muy difcil producir un

metal con menos de 10 dislocaciones por cm2, pues estos estn aparecen durante
el proceso de solidificacin y, van aumentando segn el proceso de transformacin.

A.- DEFECTOS PUNTUALES

Estos defectos o imperfecciones pueden ser generados en el material mediante el
movimiento de los tomos al ganar energa por calentamiento; durante el
procesamiento del material; mediante la introduccin de impurezas; o
intencionalmente a travs de las aleaciones.

a) Vacancias

Es un tomo faltante en la red cristalina, siendo su nmero funcin de la

temperatura. Tomando como ejemplo el Cu el nmero de tomos por unidad de
volumen aproximadamente es de

5 X 10 sitios reticulares / cm. El nmero de vacancias por cm a 1000 C es de 5 X

10 vacancias / cm y a 22 C de 2 X 10 vacancias / cm.

b) tomos extraos intersticiales

Se forman generalmente cuando tomos de pequeos radios atmicos (H,B,C,N y O)

menores a un Amstrong, se localizan en los espacios o intersticios de la estructura
cristalina de un metal.

c) tomos extraos sustitucionales

Un tomo pequeo colocado de forma sustitucional causara contraccin en la red

cristalina y un tomo grande dilatara la red cristalina.
Defectos puntuales:
Defecto de vacancia (a)
Defecto intersticial (b)
Defecto sustitucional (c, d)

B.- DEFECTOS LINEALES

La dislocacin es el nico defecto lineal. La dislocacin es probablemente el mas

importante de todos los defectos, pues la resistencia y la ductilidad de los metales
estn controladas por estos defectos.

a) Dislocacin de borde

Una dislocacin de borde se crea en un cristal por la interseccin de un

semiplano extra de tomos.

Puede visualizarse como un semiplano extra de tomos. A la dislocacin se le

llama defecto lineal debido a que la localizacin de los puntos defectuosos
producidos en la retcula (red cristalina) por la dislocacin se ubicada a lo
largo de una lnea. Esta lnea corre a lo largo de la parte baja del medio plano
extra ver figura.

Lnea de dislocacin.-

Line saque va a lo largo de aquel borde del plano extra de tomos que termina
dentro del cristal.

Vector de deslizamiento

Al vector de deslizamiento se le llama generalmente vector de Burgers b. El

vector de Burgers es perpendicular a la lnea de dislocacin, como muestra la
figura. Vector de BURGERS b.- Expresa la magnitud y direccin de la distorsin
reticular asociada a una dislocacin. Es el vector necesario para cerrar una
trayectoria alrededor de la lnea de dislocacin y volver al punto inicial.

Dislocacin de Borde se visualiza la lnea de dislocacin y el plano de

deslizamiento

Dislocacin de borde con planos

normales.
Cambios en las posiciones atmicas que acompaan al movimiento de una
dislocacin de borde (cua) a medida que sta se mueve en respuesta a una
tensin de cizalle aplicada.

Plano de deslizamiento

El plano definido por la lnea de dislocacin y el vector de deslizamiento.

Smbolo

Cuando el plano extra de tomos esta sobre el plano deslizamiento:

El movimiento de la dislocacin Figura hace que los tomos de un lado del

plano de deslizamiento se desplacen un vector de Burgers b con relacin a
los tomos del lado opuesto del plano de deslizamiento. En la Figura se puede
apreciar que conforme que conforme la dislocacin se mueve, lo hace por el
rompimiento de enlace y no de todos los enlaces a la vez. Hay un
desplazamiento, hacia nuevos sitios reticulares de equilibrio, de los tomos
que se encuentran encima del plano de deslizamiento con respecto a los de
abajo..

Supongamos que se tiene un cristal que no contiene dislocaciones, como se

muestra en la figura, y se somete a un esfuerzo de deformacin, este esfuerzo
originaria una dislocacin la que se ira movimiento, hasta que emerja a la
superficie, originando un desplazamiento b, que seria la deformacin
plstica.
 Representacin de la analoga entre el movimiento de una oruga y el de una
dislocacin.

Si se aplican esfuerzos de corte, los tomos rompen sus enlaces en el defecto

y la dislocacin se mueve (deslizamiento), en la direccin de deslizamiento, en
el plano de deslizamiento.

b) Dislocacin de tornillo

Una dislocacin de tornillo se puede formar en un cristal perfecto aplicando

tensiones de cizalladura en las regiones del cristal perfecto que han sido
separadas por un plano cortante.
Estas tensiones de cizalladura introducen en la estructura cristalina una regin
de distorsin en forma de una rampa en espiral de tomos distorsionados.

La dislocacin de tornillo se muestra en la figura, es ms difcil de visualizar

geometricamente que al dislocacin de borde. Este tipo de dislocacin:

Vector de Burgers es paralelo a la lnea de dislocacin.

-El movimiento por deslizamiento hace que la lnea de dislocacin se mueva

en ngulos rectos con a la direccin de deslizamiento.

-No hay forma de visualizar esta dislocacin como un plano extra de tomos.

-El paso de lnea de dislocacin causa un movimiento de tomos a travs del

plano de deslizamiento por un vector b de uno con relacin a otro.

En la figura se ilustra la deformacin

Deslizamiento de una dislocacin de tornillo (afecta a la mitad de la parte

inferior y mitad

de la parte superior, permaneciendo el resto igual

Formacin de una dislocacin de tornillo

Dislocacin mixta

La lnea de dislocacin puede

presentar partes de carcter de
borde y otras de carcter de tornillo.
El desorden atmico varia a lo largo
de la curva AB
 Dislocacin de Tornillo Dislocacin Mixta.

Importancia de las dislocaciones

Es un mecanismo que explica la deformacin plstica de los metales, ya que

el esfuerzo aplicado causa el movimiento de las dislocaciones.

La presencia de dislocaciones explica porque la resistencia de los metales es

mucho mas baja que el valor calculado a partir de la unin metlica
(rompimiento de enlaces) [103 104 ms baja que la resistencia terica]

El deslizamiento proporciona ductilidad a los metales, de lo contrario stos

serian frgiles y no podran ser conformados (materiales cermicos, polmeros,
materiales inicos)

Se controlan las propiedades mecnicas de un metal o aleacin interfiriendo

el movimiento de las dislocaciones (un obstculo introducido en el cristal evita
que una dislocacin se deslice, a menos que se apliquen esfuerzos mayores,
por lo tanto aumenta la resistencia).

Importancia de los defectos puntuales

 Los defectos puntuales alteran el arreglo perfecto de los tomos circundantes,
distorsionando la red a lo largo de cientos de espaciamientos atmicos, a
partir del defecto.

Una dislocacin que se mueva a travs de las cercanas de un defecto puntual

encuentra una red en la cual los tomos no estn en sus posiciones de
equilibrio.

Esta alteracin requiere que se aplique un esfuerzo mayor para que la

dislocacin venza al defecto, incrementando as la resistencia y dureza del
material

Si la dislocacin en el punto A se mueve hacia la izquierda, ser bloqueada por

el defecto puntual. Si se mueve hacia la derecha, interacta con la red
perturbada cerca de la dislocacin, en el punto B. Si se mueve an ms hacia
la derecha, quedar bloqueada por el borde de grano.

Defectos de superficie

Son lmites o planos que separan un material en regiones, cada regin tiene la
misma estructura cristalina, pero distinta orientacin

Las dimensiones exteriores del material representan superficies en donde

termina el cristal. Cada tomo en la superficie ya no tiene el nmero adecuado
de coordinacin y se interrumpe el enlazamiento atmico

El lmite de grano, que es la superficie que separa los granos individuales, es

una zona angosta donde los tomos no tienen la distancia correcta entre s;
existen zonas de compresin y otras de traccin.
 a) Esquema que muestra el ordenamiento de los tomos en la formacin del
borde de grano. (b) Granos y lmites de grano en una muestra de acero
inoxidable.

Metal policristalino

Un mtodo para controlar las propiedades de un material es controlar el

tamao del grano, ya sea durante la solidificacin o durante el tratamiento
trmico.

En los metales, los lmites de grano se originan durante la solidificacin

cuando los cristales formados a partir de diferentes ncleos crecen
simultneamente juntndose unos con otros
 Al reducir el tamao de grano, se aumenta la resistencia del material, ya que
no permiten el deslizamiento de las dislocaciones

Un material con un tamao de grano grande tiene menor resistencia y menor

dureza.

Importancia de los defectos

En los materiales metlicos, los defectos como las dislocaciones, defectos

puntuales y lmites de grano sirven como obstculo a las dislocaciones.

Es posible controlar la resistencia de un material metlico controlando la

cantidad y el tipo de imperfeccin

Endurecimiento por deformacin

Endurecimiento por solucin slida

Endurecimiento por tamao de grano

C.- DEFORMACION PLASTICA EN LOS METALES

a).- Introduccin

Se tiene una barra metlica de seccin circular y es sometida a dos cargas

opuestas en direccin longitudinal, el metal segn sea el valor de la carga

Sufrir deformacin (alargamiento) elstica o plstica. La deformacin elstica

es aquella que no es permanente una vez retirada la carga o esfuerzo que la
produjo, es decir mientras acta la carga ( traccin) el metal se larga,
aumentando su longitud, una vez cesado el esfuerzo que la produjo tal
deformacin del metal recobrara sus dimensiones originales (se comportara
como elstico). Esto se puede apreciaren la fig. en donde para valores de
esfuerzo iguales o menores que el esfuerzo elstico, el metal sufrir
deformacin elstica.

Cuando un metal es deformado elsticamente sus tomos se desplazan de

sus posiciones de equilibrio y una vez retirado el esfuerzo, la fuerza de enlace
entre sus tomos har que regresen a sus posiciones de equilibrio. Si el metal
es sometido a un esfuerzo plsticamente, es decir, un esfuerzo mayor al
esfuerzo de limite elstico, quedara alargado. En este caso sus tomos se
movern desde su posicin original de equilibrio hacia nuevas posiciones de
equilibrio finales permanentes.

Este desplazamiento de tomos del metal que sucede durante la deformacin

plstica ocurre principalmente por un mecanismo que se denomina
deslizamiento.

b).- Sistemas de Deslizamiento.-

El mecanismo de deslizamiento es el movimiento paralelo de dos regiones

cristalinas adyacentes, una con respecto a la otra, a travs de algn plano
denominado de deslizamiento ( o planos). Se ha determinado
experimentalmente los planos y direcciones a travs del cual ocurre el
deslizamiento (deformacin plstica), y por lo general son los planos y
direcciones ms compactas.

El deslizamiento en los sistemas CCCa se produce sobre los planos {111}, que
son los ms compactos y en las direcciones <110 que a su vez son las ms
compactas, haciendo un total de doce (12) sistemas de deslizamiento. La
familia {111} presenta 4 planos que no son paralelos y, cada plano contiene
tres direcciones compactas, lo que hace que existan 12 sistemas. En la figura
se muestran tres sistemas de deslizamiento: (111) |101|; (111)|011| y (111)|
110|.

En los sistemas CCCu los planos y las direcciones ms compactas pertenecen

a la familia {110} <111, en total 6 planos compactos que no son paralelos y
cada plano contiene 2 direcciones compactas o direcciones a travs del cual se
producir el deslizamiento, haciendo un total de 12 sistemas de deslizamiento.

En la figura se muestran dos sistemas e deslizamiento: (1 1 0) |111| y (1 1 0)|

111|.

El aluminio y sus aleaciones son tpicamente dctiles debido al alto nmero de

sistemas de deslizamiento (12). El magnesio y sus aleaciones son tpicamente
frgiles ( se fracturan con poca deformacin plstica) debido a que presentan
menor nmero de sistemas de deslizamiento (3).
Principales sistemas de deslizamiento.

Nota:
 Sistema de deslizamiento

Es la combinacin de un plano compacto y una direccin compacta, que se

encuentra sobre el plano, a travs del cual se produce el deslizamiento. El
deslizamiento es causado por un esfuerzo de corte que es producido en el
sistema de deslizamiento debido a una fuerza externa (normalmente de
traccin o compresin).

- Las direcciones de deslizamiento siempre son en la direccin de

empaquetamiento ms compacto.

- Generalmente el deslizamiento ocurre sobre la mayora de los planos

compactos.

c) Esfuerzo Cortante Resuelto ( r)

El cristal CCCa es sometido a un esfuerzo de tensin , el deslizamiento ocurrir

en los planos {111}. El esfuerzo que origina el deslizamiento ( la deformacin
plstica) es un esfuerzo cortante a lo largo de una de las direcciones de
deslizamiento y no un esfuerzo de traccin o compresin en una direccin
compacta.

Por lo tanto se debe calcular el esfuerzo cortante (r) que origina el esfuerzo
de tensin externo ( F/Ao) en un sistema de deslizamiento de la familia
{111} con sus tres direcciones ms compactas. La direccin |101| hace un
ngulo con la direccin del esfuerzo () y el plano compacto tiene un rea A
cuya normal hace un ngulo con la direccin del esfuerzo.
a) Monocristal puesto en tensin

b) Geometra para determinar el esfuerzo cortante resuelto.

La fuerza F descompuesta en la direccin | 01| es F | 01| = F cos y la

relacin que existe entre el rea Ao del monocristal y el rea A del plano de
deslizamiento es : Ao = A cos ()

Por tanto el esfuerzo cortante resuelto r que produce F en el sistema de

deslizamiento formado por el plano (111) y la direccin | 01| es:
Donde al producto cos () cos () se le conoce como factor de Schmid (FS).

El esfuerzo cortante resuelto es el esfuerzo (r) es el esfuerzo de traccin

aplicado (=F/A) o de compresin multiplicado por su Factor de Schmid (FS).

Anteriormente se mencion, que en un metal, para valores menores o iguales

al lmite elstico (E) el metal sufrir solo deformacin elstica y para valores
mayores el metal se deformara plsticamente. Por lo tanto, existe un valor de
esfuerzo cortante resuelto (r) a partir del cual ocurrir deslizamiento en un
determinado sistema de deslizamiento, a ese esfuerzo necesario para originar
al deslizamiento se le denomina esfuerzo cortante critico resuelto ( ECCR) . Es
decir, que cuando un esfuerzo externo produzca un r cuya magnitud sea
igual o mayor al ECCR el metal sufrir deformacin plstica por deslizamiento.

Valores de ECCCR, determinado experimentalmente, para varios metales.

 -El deslizamiento se produce primero sobre el sistema de deslizamiento que
presenta el mayor esfuerzo de corte a lo largo de su direccin de
deslizamiento ( mayor r), es decir sobre aquel sistema que tenga el ms alto
factor Schmid ( FS).

- El mximo FS es y ocurre para ngulos y de 45; es decir para: cos

(45) x cos (45).

- Si la direccin del esfuerzo o es perpendicular o paralelo a la direccin de

deslizamiento, el esfuerzo aplicado no producir deslizamiento en esa
direccin.

-De manera similar, si la direccin del esfuerzo o es perpendicular o paralelo

al plano de deslizamiento, el esfuerzo o aplicado no producir deslizamiento
en ese plano de deslizamiento, pues en ambos casos no originara esfuerzos de
corte.

d) Esfuerzo Cortante Terico de los metales ( m)

Cuando un metal real ( con defectos ) es deformado plsticamente, el
deslizamiento se produce con relativa facilidad por el movimiento de
dislocaciones, como muestra le Fig. hay que tener en cuenta que conforme
progrese la deformacin se irn produciendo nuevas dislocaciones.

El esfuerzo cortante es aquel necesario para producir deslizamiento en un

metal sin defectos (ideal) considerando que al aplicar un esfuerzo externo no
provocara dislocaciones. Por lo tanto para generar deslizamiento se tendr que
romper simultneamente los enlaces entre sus tomos y no uno a uno como
sucede cuando un metal presenta dislocaciones ( caso real).

Deslizamiento producido por el movimiento de una dislocacin de borde.

En la fig. se muestra como se produce la deformacin plstica por la paricin y

movimiento de las dislocaciones. En este caso en la figura (i) no se aprecia
dislocaciones, esta se genera como consecuencia de aplicarle un esfuerzo de
corte, figura (ii), y es lo que ocurrir en el caso real. La dislocacin comienza a
moverse, como se aprecia en las figuras del (iii) al (vi). El movimiento de la
dislocacin se realiza conforme se va rompiendo enlace por enlace, y no todos
simultneamente como ocurrir si el metal fuese ideal; es decir, sin defectos y
que el esfuerzo aplicado no producir dislocaciones.
Es posible determinar aproximadamente el esfuerzo cortante terico de un
metal conociendo su mdulo de corte (G) empleando un modelo muy
simplificado. Cuando un tomo se encuentra en su sitio de equilibrio, est en
una posicin de energa mnima. Si el tomo se desplaza fuera de su sitio de
equilibrio, se incrementa su energa; por tanto, la variacin de energa
potencial de un tomo en una red se puede representar como se muestra en la
figura a. La fuerza necesaria para mover los tomos es la derivada de la curva
de la energa, F = dE / dx, obtenindose la curva de la fuerza. Si se aplica un
esfuerzo cortante a los cuatro tomos de la figura b, la variacin del esfuerzo
cortante requerido para desplazar los tomos superiores con respecto a los
inferiores debe seguir una curva similar a la curva de fuerza.

Fuerza para el desplazamiento relativo de tomos en un cristal.

Suponiendo que la variacin es tal como se muestra en la figura b inferior,

cuando el esfuerzo cortante alcanza un valor igual o mayor que m los tomos
que se encuentran encima del plano de deslizamiento podrn moverse a sus
nuevos sitios de equilibrio. Frenkel en 1926 supuso que el esfuerzo cortante es
una funcin senoidal de la siguiente forma:

Si = m sen ( (2 X) / b) .(1)

Para valores de desplazamientos suficientemente pequeos, sen ((2 X) / b)

= (2 X) / b
 De acuerdo a la figura b., la deformacin cortante es = x/a. A valores
suficientemente pequeos de desplazamiento es vlida la ley de Hooke:

Si = G = G ( X / a) .(2)

de (1) y (2), se tiene:

si m = (G/ (2))( b/a).(3)

Entonces para producir deslizamiento en un determinado sistema de

deslizamiento, en un metal BCC o FCC (a=b) que no contiene defectos (ideal),
considerando que al aplicar un esfuerzo externo no provocara dislocaciones:

Si r = m

o cos cos = ( G / 2)
La tabla muestra algunos valores calculados a partir de la ecuacin (3)
asumiendo que a=b ( red cubica), y el mdulo de corte (G) determinado en la
direccin ms compacta. El ECCR es un valor que se puede determinar por
mtodos prcticos, y es evidente que estos valores medidos son ms bajos
que los valores tericos. La pregunta de por qu los metales (reales) presentan
resistencias mucho ms bajas que sus resistencias tericas ha sido resuelta
con la prediccin y observacin de las dislocaciones. Sin embargo, el problema
de cmo se podra disear un metal para alcanzar su resistencia terica por el
control de las dislocaciones sigue siendo un reto y un desafo para los
metalrgicos.

Comparacin de m y ECCR

Mdulo de ECCR ( m )
Corte
Metal (MPa) (MPa)
( GPa)

Ag 24 408 0,37 3 884

Al 25 028 0,79 3 983

Cu 40 749 0,49 6 485

Fe - 69 000 27,6 10 981

Mg 16 479 0,39 2 622

e) Resistencia y deslizamiento
 Los metales en casi todas las aplicaciones se utilizan en forma policristalina
( estn conformados por gran cantidad de granos), a nivel industrial los
metales monocristalinos ( metal compuesto por un solo grano) son muy
raramente empleados, pues no son tan fciles de fabricar, siendo su costo
relativamente alto. El tamao de grano es los metales policristalinos varia de
0,025 a 0, 150 mm. Un metal policristalino estar, conformado por muchos
granos (cristales) los cuales presentaran diferentes orientaciones cristalinas,
como se aprecia en la figura. Cada grano presentara el arreglo atmico
correspondiente al metal CCCu ( hierro , molibdeno, etc.), CCCa ( aluminio,
cobre, etc.) y, contendr nmeros de los defectos mencionados anteriormente
como: vacancias, tomos extraos en su red, dislocaciones de borde o de
tornillo, etc.

Cuando tal metal policristalino sufre

deformacion plstica ( permanente)
el camino a lo largo del cual se
produce el deslizamiento a travs
del metal es extremadamente
complejo en comparacin con la
deformacin de un monocristal. En
ausencia de deslizamiento en los
lmites de grano, el cual
generalmente solo se produce a
altas temperaturas, los granos
permanecen unidos a travs de sus
lmites de grano. Esto significa que
un grano individual se debe
deformar para absorber la
deformacin de cada uno de los
vecinos. Existen 12 sistemas de
deslizamiento en cristales CCCa de
la forma {111}<110 y 12 en las de
CCCu {110} <111 y tres sistemas
de deslizamiento de la forma
{0001}<1120 en cristales HC.

Metal policristalino

Los experimentos han demostrado que, aun a deformaciones muy bajas, cada
grano se deforma claramente en varios sistemas de deslizamiento. El
deslizamiento probablemente se inicia sobre aquel sistema de deslizamiento
de un grano dado que tiene el mas alto factor de Schmid (FS), pero luego es
 requerido en otros sistemas de deslizamiento dentro de ese grano con objeto
de acomodar la deformacin en granos vecinos.

Existen filamentos muy finos denominados Whiskers, que son monocristales

casi perfectos, estos presentan valores de resistencia parecidas a las tericas.
Se cree que las dislocaciones, en esos monocristales, estn orientadas, con
relacin al esfuerzo aplicado, de tal forma que no producen deslizamiento.

f) Endurecimiento por deformacin.-

Conforme se aplica un esfuerzo por encima del lmite elstico, se dar el

deslizamiento, lo que producir mayor nmero de dislocaciones y su
movimiento. Al presentarse ms y ms deslizamientos, las dislocaciones
interactan, se amontonan y se forma un nudo de dislocaciones. Esto hace
que cada vez sea ms difcil el deslizamiento, en donde para producir mayor
deformacin, se necesita mayor esfuerzo.

Hay que recordar que el deslizamiento requiere de movimiento de planos

tomos y de movimiento de dislocaciones. Como se producen cada vez mayor
nmero de dislocaciones, estas se estorbaran mutuamente formando nudos de
dislocaciones. El efecto neto es que se hace ms difcil cualquier deslizamiento
adicional.

Si se analiza la curva - , se aprecia que para producir mayor deformacin es

necesario incrementar el esfuerzo hasta alcanzar el mximo, donde el esfuerzo
caeal continuar la deformacin. La cada de carga, se debe a que en ese punto
se inicia la estriccin o formacin del cuello, significando que el rea
transversal va disminuyendo y es por eso que se origina un descenso en los
valores de carga. Realmente Lo que ocurre es que para producir mayor
deformacin siempre se necesita un mayor esfuerzo y esto se conoce como :
endurecimiento por deformacin.

Existe una dependencia entre la densidad de las dislocaciones y la resistencia

mecnica, como se visualiza en la figura. Anteriormente se mencion que es
muy difcil producir un metal con menos de 10 dislocaciones por cm2.
Cuando un metal real es deformado plsticamente, la deformacin producir
nuevas dislocaciones, aumentando la densidad de dislocaciones, y con ello su
resistencia mecnica y su dureza. Esto se explica debido a que aparecen
dislocaciones en diferentes direcciones, estas estorbaran entre si al
trasladarse, trabndose, siendo necesario aumentar el esfuerzo para
destrabarlas, por ello la resistencia del metal aumenta. En un metal toda
deformacin plstica ( deformacin en frio) producir un endurecimiento por
deformacin, es decir que aumentara su dureza y su resistencia mecnica,
como se muestra.
Variacin de la resistencia mecnica con el
nmero de dislocaciones.

Efecto de la deformacin en frio sobre las propiedades mecnicas en los

metales.
 DIFUSION Y SOLIDIFICACION EN LOS METALES

Es una forma de transporte de masa. Migracin de tomos a travs de la red

cristalina. Mecanismo por el cual la materia se transporta a travs de la materia. El
movimiento de los tomos es necesario para muchos de los tratamientos llevados a
cabo sobre los materiales. La difusin se da en gases, lquidos y slidos.

Tratamiento trmico de metales

Manufactura de cermicos
Solidificacin de los metales
Fabricacin de celdas solares, etc.

A temperatura suficiente, los tomos y

molculas pueden tener bastante
movilidad tanto en lquidos como en
slidos. Si s observa caer una gota de
tinta en un vaso de agua e ir
extendindose hasta que toda el agua
se haya coloreado por igual, es una
demostracin sencilla de la difusin.

Este movimiento a escala atmica es bastante rpido en lquidos y relativamente

fcil de visualizar. Es ms difcil visualizar la difusin en los slidos rgidos. No
obstante, tambin se produce la difusin es el estado slido. Una diferencia bsica
entre la difusin en estado lquido y la difusin en estado slido es la baja velocidad
de difusin en los slidos.
 La difusin es el movimiento de tomos de
la figura, generalmente extraos, a travs
de un material, siendo una forma de
transporte de masa. Losa tomos se
mueven de manera ordenada, tendiendo a
eliminar las diferencias de concentracin y
producir una composicin homognea en
el material. En los materiales en estado
slido el elemento que se difunde
generalmente lo hace desde la superficie
hacia el interior.

Difusin de tomos de cobre y

nquel.-Si se une una lmina de nquel
con una de cobre, los tomos de nquel se
difundirn gradualmente dentro del cobre
y los de cobre emigraran al nquel.
Nuevamente, si se espera lo suficiente, los
tomos de nquel y de cobre se
distribuirn uniformente en todo el metal y

En el caso de difusin a travs de un metal en estado slido, para que el proceso se

realice una velocidad relativamente alta la temperatura debe ser adecuada, pues a
temperatura ambiente la velocidad de difusin es muy baja.

1.- Mecanismos de difusin.-

a) Difusin por vacancias.- Implica la
sustitucin de tomos, un tomo deja
su lugar en la red cristalina para
ocupar una vacancia creando un
nuevo sitio vaco en su posicin
normal en la red). Conforme contina
la difusin, se presenta un reflujo de
tomos y vacancias. En las figuras (A)
y (B).

b) Difusin intersticial.- En la difusin

intersticial, un tomo se mueve de un
intersticio a otro, como se muestra en
la figura (B). los tomos extraos que
se difunden de manera intersticial
tiene radios atmicos menores que 1
Amstrong ( carbono, nitrgeno, boro,
hidrogeno y oxigeno). Este no
requiere de vacantes para llevarse a
cabo. En ocasiones un tomo
sustitucional deja su lugar en la red
normal y s e traslada a un intersticio
muy reducido. Este mecanismo de
difusin intersticial desajustada figura
(C) es poco comn, debido a que el
tomo no se ajusta o acomoda
fcilmente en el intersticio que es
ms pequeo.

Mecanismos de
difusin en los materiales

c) Difusin cclica.- Los tomos se mueven tambin mediante un mecanismo de

intercambio simple o por un mecanismo cclico (desplazamiento circular) figura (D).
No obstante, las vacantes y los mecanismos intersticiales originan la difusin en la
mayora de los casos.
d) Autodifusin.- En los materiales
puros, los tomos se mueven o saltan de
una posicin a otra en la red (se detecta
mediante trazadores radioactivos). La
autodifusin ocurre de manera continua
en todos los materiales. No se aprecia su
efecto sobre el comportamiento del
material

Difusin intersticial.-
La energa de activacin y el mecanismo de difusin:
La energa de activacin es usualmente menor en tomos que difunden a travs de
estructuras cristalinas abiertas, en comparacin con tomos que difunden en
estructuras cristalinas compactas.
La energa de activacin es menor para la difusin de tomos en los materiales que
tienen bajas temperaturas de fusin
La energa de activacin es menor para tomos sustitucionales pequeos
comparados con tomos de mayor tamao.

2.- Primera Ley de Fick.- La primera ley de Fick indica que el flujo de tomos (la
difusin de los tomos) a travs de un slido, es proporcional al gradiente de
concentracin volumtrico.

La velocidad a la cual los tomos se

difunden en un material se mide por la
densidad de flujo (J), la cual se define
como el nmero de tomos que pasa a
travs de un plano de rea unitaria por
unidad de tiempo.

Donde J es el flujo de tomos o la velocidad a la cual cruzan los tomos una rea
unitaria, es decir, tomos por segundo/cm2, o segundo /m2.

Donde

J = Flujo de tomos de carbono, nitrgeno, boro, etc. (tomos / (cm2 s)

D = Es el coeficiente de difusin o difusividad ( cm2 /s).
C = Es la concentracin ( % en peso de C o tomos de C, etc).
dC = gradiente de concentracin volumetrico ( %C / cm3 , tomos /cm3 , etc. )
x = es la distancia desde la superficie hacia el interior. Distancia que recorren los
atomos que se difunden desde la superficie del metal solido ( m, cm mm)
De la primera ley de Finck se concluye que mientras exista un gradiente de
concentracin (dC) en un metal se producir un flujo de tomos (difusin). La
velocidad del proceso de difusin aumentara cuando lo haga el coeficiente de
difusin (D) o el gradiente de concentracin. El flujo ser alto cuando el gradiente de
concentracin es alto, y decrecer gradualmente conforme se reduce el gradiente.

La difusin por la superficie de un metal se producir a mayor velocidad que la que

ocurre a travs del lmite de grano, debido a que la superficie es menos compacta. A
su vez la velocidad de difusin travs de los lmites de grano es mayor que la que
produce al interior del grano.

Por lo tanto:

D volumen< D lmite de grano < D superficie

3.-Segunda Ley de Fick.- En un acero a mayor contenido en carbono mayor

dureza. Por ejemplo un elemento de mquina de acero de bajo contenido de carbono,
presentara baja dureza (ser blando), como lo es un acero AISI 1020 (0,2 % C). Si se
desea que tenga una superficie resistente al desgaste, para aumentar su dureza se
deber incrementar el contenido de carbono en su superficie, hasta una determinada
profundidad (x) mediante un proceso de difusin. A este proceso s ele llama
carbonizacin o cementacin y, se llamara nitruracin cuando el elemento que se
difunde es el nitrgeno con el que s e obtienen resultados parecidos.

El proceso de cementacin consiste en colocar la pieza en un horno que posee una

atmosfera rica en carbono, por un determinado periodo de tiempo, a una
determinada temperatura para que el proceso se realice con una determinada
rapidez.

Representacion de la difusion del carbono en un solido semiinfinito.

En un proceso de difusin de este tipo, del carbono en el acero, es necesario saber la

cantidad de carbono C (x,t) que se ha difundido a una determinada profundidad z,
a partir de la superficie de la pieza, durante el tiempo t en que se encontraba el
elemento de maquina en el horno. Para ello se emplea la solucin de la segunda ley
de Fick.
Cs C x , t x
erf
En los procesos donde se cumple que:Cs Co 2 Dt

Donde:
CS : concentracin superficial del elemento del gas que difunde en la superficie,
contenido de carbono en % en peso de superficie del acero, valor constante el en
proceso difusin cambia si cambia la temperatura..
Co : concentracin inicial uniforme del elemento en el slido, contenido e
carbono de acero.
 Cx : concentracin del elemento a la distancia x de la superficie en el tiempo t
x : distancia desde la superficie contenido carbono distancia x de la superficie en
un tiempo t.( incognita)
D : coeficiente de difusin
t : tiempo
El contenido de carbono en la superficie del acero sea constante.
El coeficiente de difusin para una temperatura dada no vare con la concentracin.
El contenido de carbono de la placa antes del proceso sea homognea .

La funcin Ferr es conocida como funcin error y s e tabula en la tabla 6.1, puede
apreciarse que es algo similar como calcular una funcin seno o coseno con ayuda de
tablas.
Los grficos muestran gradientes de C en
barras de acero 1022 carburizados a 918
C en un gas con 20% de CO.
El coeficiente de difusin depende de la temperatura, para un mismo proceso, si
cambia la temperatura el coeficiente tambin cambiara de acuerdo con la siguiente
formula ( se determin empricamente): Q
D D0 exp
RT

Dnde:
R : constante del gas ideal (1.987 cal/mol K)
T : temperatura absoluta (K).
Do :constante para un sistema de difusin dado.
D : Coeficiente de difusin depende de: Tipo de mecanismo de difusin; intersticial
(C en Fe) o sustitucional (Cu el Al), temperatura, Estructura cristalina del disolvente;
C en Fe BCC o FCC (factor de empaquetamiento 0,68 o 0,74), tipo de defectos
cristalinos (bordes de grano, vacancias), concentracin de las especies que difunden.

Q : energa de activacin (cal/mol) energa de activacin es la cantidad de energa

necesaria para mover un tomo a travs de la red cristalina, valor que no cambia
durante un proceso. Si cambia la temperatura y hay un cambio en estructura
cristalina, entonces el valor de Q tambin lo har.

4.- Energa de activacin para la difusin Q:

Un tomo que se difunde debe moverse entre los tomos circundantes para ocupar
su nueva posicin.
 El tomo debe atravesar una barrera de energa potencial que requiere una energa
de activacin Q. El calor proporciona al tomo la energa para vencer esta barrera.

Normalmente se necesita menos energa para forzar un tomo intersticial a que

pase entre los tomos circundantes; en consecuencia, la energa de activacin es
menor en la difusin intersticial que en la difusin por vacancias . una baja energa
de activacin revela una difusin fcil.

Los tomos son forzados o deformados

al pasar entre otros tomos durante la
difusin. Se requiere de una energa de
activacin para este proceso.

Una pequea energa de activacin Q incrementa el coeficiente de difusin y la

densidad de flujo, puesto que se necesita menos energa trmica para superar la
barrera de energa de activacin, que es menor. La difusin intersticial, con baja
energa de activacin, ocurre normalmente ms rpidamente que la difusin por
vacantes o por tomos sustitucionales.

Por tanto se tiene:

Q volumen Q lmite de grano Q superficie

Cuanto se incrementa la temperatura del material, el coeficiente de difusin y la

densidad de flujo de tomos tambin se incrementa. A temperaturas mayores, la
energa trmica proporcionada a los tomos que se difunden les permite superar la
barrera de energa de activacin y poder desplazarse ms fcilmente a otros sitios de
la red. Por esta razn los tratamientos trmicos de los metales y el procesamiento de
los cermicos se realizan a temperaturas elevadas, donde los tomos se mueven
rpidamente para concluir las reacciones o alcanzar las condiciones de equilibrio.
Difusin en defectos cristalinos

-A travs de vacancias o intersticios

-Dislocaciones
-Bordes de grano
-Superficies libres.

El movimiento de tomos por los defectos cristalinos es mucho ms rpida que por el
volumen
En algunos casos, la contribucin del flujo de tomos a travs de los defectos
cristalinos es insignificante (la seccin transversal de las reas es muy pequea
comparada con el interior del material)
Difusin en borde de grano

Ocurre a una velocidad mayor que la difusin a travs del volumen

Como la difusividad a lo largo del borde de grano es mucho mayor que en volumen,
el difundente penetra mucho ms profundamente por el borde que por cualquier otra
regin. Se genera entonces un gradiente de concentracin en la direccin
perpendicular al borde por lo que el material comienza a filtrarse hacia el interior de
los cristales adyacentes.

Difusin y el procesamiento de los materiales:

Los procesos a base de difusin son muy importantes cuando se utilizan o procesan
materiales a temperaturas elevadas.
-Crecimiento de grano
-Soldadura por difusin
-Sinterizacin.
Crecimiento de grano.- El crecimiento de grano ocurrir cuando los tomos se
difundan a travs del borde de grano de un grano a otro

Soldadura por difusin: mtodo para unir materiales, pasos en la soldadura por
difusin (a) unin del material a soldar (b) aplicacin de presin para deformar la
superficie (c) difusin en bordes de grano (d) la eliminacin de huecos requiere
difusin volumtrica.

Sinterizacin: es un tratamiento a alta temperatura, que hace que pequeas

partculas se unan y se reduzca el volumen del espacio de los poros entre ellas
(componentes cermicos, metalurgia de polvos, materiales compuestos)

Los tomos difunden hacia los

puntos de contacto, creando
puentes y reduciendo el tamao de
los poros.
SOLIDIFICACION

Describir la influencia del tamao de granos sobre las propiedades de los materiales
Analizar la influencia de los defectos
Conocer los procesos y reacciones basados en la transferencia de masa
Dentro del mismo slido
Desde un lquido, gas u otro slido
Casi todos los metales y aleaciones, en cierto momento de su procesamiento, se
encuentran en estado lquido, el cual se enfra a una temperatura inferior a la de
solidificacin. El material puede ser usado tal como se solidifica, o procesarse
posteriormente mediante trabajo mecnico ( por laminacin, extrusin, trefilado, etc)
o tratarse trmicamente ( mediante recocido, normalizado). Las estructuras
producidas durante la solidificacin afectan las propiedades mecnicas y
caractersticas finales. En los metales puros y en als aleaciones, el tamao de grano
y la forma pueden controlarse por medio de la solidificacin.

Por lo tanto , la transformacin de fase liquida a

solida es quiz la ms importante de las
transformaciones de fase que se estudian, ya
que casi todos los metales debe sufrir esta
transformacin antes de convertirse en objetos
tiles.
Las propiedades mecnicas tambin pueden ser controladas por la adicin de tomos
sustituciones e intersticiales (adicin de elementos de aleacin), los cuales
interfieren con el movimiento o deslizamiento de als dislocaciones. Estos defectos
puntuales originan el endurecimiento ( un aumento en resistencia mecnica y
dureza) del material por solucin slida. Sin embargo, los defectos puntuales
cambian tambin la composicin qumica del material e influyen en el
comportamiento de la solidificacin.

Finalmente, al adicin de elementos de aleacin puede causar se formen dos o ms

fases en la microestructura. El lmite entre las fases es una superficie en la cual el
ordenamiento atmico no es perfecto, por lo que el lmite interfiere con el
movimiento de las dislocaciones.

1.- Solidificacin de los metales.-

Esencialmente, todas las transformaciones de fase, y particularmente la solidificacin

ocurre en dos etapas:
a).- Formacin de ncleos o nucleacin.- Formacin de ncleos/semillas (partculas
slidas) estables
en el fundido.
b).- Crecimiento de ncleos.- Hasta la formacin de cristales y la formacin de una
estructura granular

a).- Nucleacin.-La nucleacin ocurre cuando una pequea partcula solida se forma
dentro del lquido. El crecimiento del solido ocurre cuando los tomos del lquido se
unen al solido diminuto hasta que se acabe el lquido. Se espera que un material
solidifique cuando el lquido se enfri por debajo de la temperatura de solidificacin
del mismo (Ts). Muchos metales pueden enfriarse por debajo del punto de
solidificacin una cantidad T sin que ocurra solidificacin. A esto se le llama sobre
enfriamiento.

El por qu un metal puro no inicia su solidificacin en Ts se debe a la existencia de

una energa libre asociada con la formacin de la superficie del ncleo, esta energa
superficial actuara como barrera para la formacin de ncleos pequeos.

Los metales puros a la temperatura de solidificacin, la energa desprendida es

insuficiente para que se puedan formar ncleos estables debido a la barrera de
energa superficial de los ncleos del slido. Por lo que el metal liquido se sobre
enfriar invariablemente por debajo de la temperatura de solidificacin antes de que
ocurra la nucleacin (TN)la temperatura subir rpidamente debido al calor latente
desprendido durante la solidificacin. Sin embargo esta elevacin en la temperatura
se detiene cuando alcanza la temperatura de solidificacin ( Ts).

La figura muestra la variacin del tamao del radio de los ncleos cuando la
temperatura es menor Ts, a mayor sobreenfriamiento ( mayor a T) mayor ser el
tamao de los ncleos que se estn formando en el metal lquido, siendo estables
cuando alcancen o superen el tamao del radio crtico. La figura b, muestra como es
la variacin del radio critico ( rc) con la temperatura, s e puede apreciar que a mayor
sobreenfriamiento el tamao rc disminuye.
Fig. a.- Variacin del radio de los ncleos, Fig. b.- Variacin del radio critico ( rc)
que se estn formando, con la temperatura con la temperatura.

La nucleacin ocurre solo cuando un nmero suficiente de tomos se agrupa

espontneamente para producir un slido con un radio mayor o igual que al radio
critico Rc, entonces cuando el radio de los ncleos que se estn formando es igual o
mayor al radio critico sern estables, dando inicio a la solidificacin y esto ocurre en
la figura c, a una temperatura Tn ( Temperatura de nucleacin). A un
sobreenfriameinto mayor a Tn siempre ocurrir que : r n rc.

Figura c.- Los ncleos

son estables cuando el
radio del ncleo ( rn)
alcanza el tamao del
radio critico (rc).

a).- Nucleacin homognea.- En el caso de nucleacin homognea (metal puro ideal),

se en la fase liquida inicial no hay ncleos, esta tendr que sobreenfriarse
significativamente para que ocurra la nucleacin.
b).- Nucleacin heterognea.- A excepcin de los experimentos de laboratorio, la
nucleacin homognea rara vez ocurre en los metales lquidos. En lugar de ello, las
impurezas que estn en contacto con el lquido, ya sea suspendida en el o en las
paredes del recipiente, proporcionan una superficie en donde se puede formar el
slido. Ahora se obtiene un radio de curvatura mayor que el radio crtico con muy
poca superficie total entre el slido y el lquido. Solo unos cuantos tomos se
necesitan reunir para producir una partcula solida con el radio requerido, y en
consecuencia se necesita menor subenfriamiento para lograr el tamao crtico. La
nucleacin en la superficie de las impurezas es conocida como nucleacin
heterognea. Todos los metales y aleaciones de uso en ingeniera se nuclean
heterogneamente durante la solidificacin.

Algunas veces se introducen intencionalmente impurezas en el lquido. Tales

prcticas son llamadas refinamiento del grano o inoculacin. Por ejemplo se aade
una combinacin de 0.02% a 0.05% de titanio y 0.01% a 0.03% de boro a muchas
aleaciones liquidas de aluminio, formndose las partculas de boruro de titanio y
sirviendo como puntos eficaces y consecuentemente afinar el tamao de grano
( obtener un metal de grano fino) para as mejorar las propiedades mecnicas.

b).- Crecimiento.-

Una vez que se ha formado el ncleo slido y es estable, el crecimiento ocurre

cuando los tomos se asocian a la superficie slida. En los metales puros, el
crecimiento depende de la forma en que se extrae el calor del sistema solido-liquido.
Se debe liberar dos tipos de calor: el calor especfico del lquido y el calor latente de
fusin. El calor especfico es el calor requerido para cambiar en un grado la
temperatura de una masa unitaria de material. El calor especifico debe eliminarse
primero, usualmente por conduccin hacia el molde, hasta que el lquido se enfra a
la temperatura de solidificacin. El calor latente de fusin, que representa la energa
generada cuando la estructura liquida en desorden se transforma en una estructura
cristalina ms estable, debe de eliminarse de la interfase solido-liquido antes de que
se complete la solidificacin.
A medida que contina el enfriamiento, se solidifican losa tomos, los que se agregan
a los ncleos ya formados o constituyen nuevos ncleos. Cada ncleo atrae nuevos
tomos el lquido, los que se van ordenando con arreglo a la red especial del metal y
van creciendo en las tres direcciones preferentes, que por lo general son ejes
cristalogrficos.

En resumen cuando los ncleos (que estn en el lquido) alcancen el tamao el radio
critico ( rN= rc) son estables dando comienzo a la nucleacin (Fig. )a la temperatura
de nucleacin ( TN), luego le sigue el crecimiento de los ncleos pudindose formar
nuevos ncleos (Fig. b), el crecimiento de cada ncleo continua en las tres
direcciones con una estructura caracterstica con la apariencia de rbol, llamada
dendrita ( Fig. c).

Por ultimo disminuye la cantidad de lquido y la separaciones entre las ramas de las
dendritas se llenaran y el crecimiento de la dendrita lo obstruir mutuamente el de
los vecinos. Esto da lugar a una forma externa muy irregular. Los cristales
encontrados en todos los metales comerciales comnmente se llaman granos, debido
a esta variacin de la forma externa- El rea lo largo del cual estn unidos los
cristales se conoce como lmite de grano o frontera de grano (Fig. d).

2.- Curvas de enfriamiento.-

El estudio realizado hasta aqu puede resumirse analizando una curva de

enfriamiento, que indica cmo cambia la temperatura del metal con el tiempo ver
figura. El metal lquido se vierte en un molde a la temperatura de vaciado. La
diferencia entre esta temperatura y la temperatura de solidificacin es el
sobrecalentamiento. El metal lquido se enfra cuando el calor especfico del lquido
es liberado por el molde: la pendiente de la curva de enfriamiento antes de que
inicie la solidificacin es la velocidad de enfriamiento.
Si el metal liquido estn presentes ncleos heterogneos efectivos, la solidificacin
se inicia a la temperatura de cambio al estado slido (Ts), como muestra la figura a.
se produce una estabilizacin trmica, o meseta, debido a la generacin de calor
latente de fusin. El calor latente d efusin mantiene al lquido remanente a la
temperatura de solidificacin hasta que toso el lquido se ha solidificado y no puede
generarse ms calor.

Si se desarrolla sobreenfriameinto debido s la escasa nucleacin (como ocurre en un

metal puro), la curva cae por debajo e la temperatura de solidificacin, como se
muestra en la figura b. Despus de que finalmente nuclea el slido a TN, empieza el
crecimiento. Sin embargo, el calor latente es adsorbido por el lquido sobre enfriado,
elevando de nuevo su temperatura hasta la solidificacin. Este fenmeno es
conocido como auto calentamiento ( sobrecalentamiento). Despus de que se eleva
la temperatura del lquido restante hasta la temperatura de solidificacin, ocurre una
estabilizacin trmica hasta que la solidificacin se concluye.

Curvas de enfriamiento: a) Metal con impurezas o ncleos artificiales y B).- Metal

puro

3.- Macroestructura

Como resultado del proceso de solidificacin. Se desarrolla una macroestructura que

puede contar hasta de tres zonas como se muestra en la figura.
a).- Zona de nucleacin ( zona de enfriamiento rpido).- El metal lquido que est en
contacto con la pared del molde es el primero en enfriarse a una temperatura igual o
menor que la solidificacin. La pared del molde proporciona tambin muchas
superficies en las que puede ocurrir la nucleacin heterognea. Por esto,
innumerables granos orientados aleatoriamente empiezan a nuclearse y a crecer en
toda la pared del molde, formando la zona de nucleacin constituido por granos
quiaxiales pequeos como muestra la figura.

b).- Zona columnar .- Contienen

granos alargados orientados en una
direccin cristalogrfica particular.
Conforme el molde del material libera
calor de la fundicin (metal liquido),
los granos en la zona fra empiezan a
crecer en la direccin opuesta al flujo
de calor, o de las reas ms fras a las
ms calientes de la fundicin,
perpendiculares a las paredes del
molde. Los granos crecen ms
rpidamente en ciertas direcciones
cristalogrficas. En los metales con
una estructura cristalina cubica, los
granos en la zona fra que tienen una
direccin (100) perpendicular entre si,
proporcionando a la zona columnar
propiedades anisotropcas (las
propiedades dependen de la direccin
en la que se midan).

c).- Zona equiaxial.- A menudo se forma una zona equiaxial en el centro de la

fundicin, como se aprecia en las figuras. La zona contiene granos nuevos orientados
aleatoriamente, originados a menudo por una baja temperatura de vaciado,
elementos de aleacin, o agentes inoculantes o refinadores de grano. Tales granos
son relativamente redondos o equiaxiales, con una orientacin aleatoria e impiden el
crecimiento de los granos columnares. La formacin de la zona equiaxial ocasionada
que tal porcin de la fundicin presente un comportamiento isotrpico ( las
propiedades son independientes de la direccin).

4.- Tamao de grano.-

Cuando se forman muchos ncleos, el metal tendr una estructura de grano fino
(grano pequeo), por el contrario, si el nmero de ncleos formados es pequeo, el
metal tendr una estructura de grano grueso (grano grande). De todos los factor que
influyen en la velocidad de nucleacin, y por tanto, en el tamao de grano, la
velocidad de enfriamiento es considerada la ms importante.

Un enfriamiento rpido, provoca la formacin de gran nmero de ncleos y

estructuras de grano fino, mientras que un enfriamiento lento produce pocos
ncleos, los cuales posteriormente crecen solidificando todo el lquido que pueda
aumentar el nmero de ncleos, originando una estructura de grano grueso.

Los factores que contribuyen a aumentar la velocidad de nucleacin facilitando la

obtencin de estructuras de grano fino son:

-La presencia de partculas slidas insolubles, ncleos artificiales.

-La agitacin del metal fundido (liquido) durante el proceso de solidificacin, lo que
hace que los cristales (las dendritas) se dividan antes de alcanzar un tamao
excesivamente grande.

-Empleando moldes de metal.

En trminos generales los materiales de grano fino presentan mayor tenacidad,

mayor dureza y resistencia a la traccin que los materiales de grano grueso.

5.- Tiempo de solidificacin.-

La velocidad a la cual crece el slido depende de la velocidad o rapidez de

enfriamiento o de extraccin del calor. Una velocidad de enfriamiento alta produce
una rpida solidificacin o tiempos cortos de solidificacin. El tiempo requerido para
que solidifique una fundicin simple puede calcularse utilizando la regla de
Chvorinov.

Si
Donde :
ts = tiempo de solidificacin total.
V= volumen de la fundicin.
As=rea de la superficie de la pieza fundida que est en contacto con el molde.
B= es la constante del molde, la misma que depende de las propiedades y
temperaturas iniciales tanto del metal como del molde.
Casi siempre, un tiempo de solidificacin ms corto produce un tamao de grano
ms fino y una fundicin ms resistente.

6.- Distribucin de impurezas (segregacin).-

Existe una tendencia de las impurezas disueltas (tomos extraos) a permanecer en

aquella porcin de metal que solidifica al final, lo cual tiene como consecuencia las
variaciones en composicin qumica que siempre aparecen en las aleaciones
metlicas (segregacin), como muestra la figura.

Cuando existe una variacin en composicin qumica en los granos desde el centro
hacia afuera se le llama segregacin transcristalina. Si las impurezas se segregan en
los lmites de grano se le denomina intercristalina o interdendritica.