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II. OBJETIVO
En la regin de baja frecuencia del amplificador de una sola etapa BJT o FET,
las combinaciones R-C formadas por los capacitores de la red CC, CE y Cs y
por los parmetros resistivos de la red determinan las frecuencias de corte.
De hecho, es posible establecer una red R-C para cada elemento capacitivo
y determinar la frecuencia a la que el voltaje de salida caer a 0.707 de su
valor mximo. Una vez que se determinan las frecuencias de corte
ocasionadas por cada capacitor, stas pueden compararse para establecer
la que determinar la frecuencia inferior de
corte para el sistema.
VCC
12V
R1 R3
56k 1.5k
C
Ci 22F R5
R9
Q 10k
1k 22F 2N2222A
R6
XFG1 220
R2
12k
R4
Ce
0.47k
47F
R 1 R 2 12 x 56
Rbb= = =9.882 k
R1+ R 2 12+56
R2 12
Vbb=Vcc =12 =2.118 V
R 1+ R 2 12+56
Ic
Hallando Icq Vbb=IbRbb+Vbe+ IeRe Vbb= Rbb+Vbe+ ( Ic+ Ib )
Ic Ic
Vbb=
Rbb+Vbe+ Ic+( )
(VbbVbe) 100(2.1180.7)
Icq= = =1.782 mA
Rbb+ (1+ ) 9.882+0.69(1+100)
Ic
Vb=Vbe+ IeRe Vb=Vbe+ Ic+ ( )=0.7+ 0.69 x 1.782 x 1.01=1.942V
Hallando Vceq
Ic
Vcc=IcRc+Vce + Ic+( )
[ ( )]
Vceq=VccIc Rc+ 1+
1
[
=121.782 1.5+ 0.69 1+
1
100 (
=8.085V )]
Vt 25 mV
hie=hfe =100 =1.403 k
Icq 1.782mA
Ganancia de Voltaje (Av):
Vo Vo ib
Av = =
Vi ib Vi
Proceso:
Vo
1. Vo=hfeib(Rc / RL) =hfe(Rc / RL)
ib
ib ( Ri / Rbb )
2. =
Vi Ri [ ( Ri / Rbb )+ hie+ 1(1+hfe) ]
Para Ci
'
R b =Rbb/( hie+ (1+hfe))=8.676 k
hie
hib= =0.01 k
1+ hfe
R b'
V ( Rbb ) =Vi '
=ie ( hib+ )
R b + Ri+Ci
'
Ai=
ie
ii
=
( RiR b
'
R b + Ri+Ci )( 1
hib + )
=(
Ri/ Rb '
hib +
)(
S+
S
'
1
)
( R b + Ri ) Ci
1 1
Wci= '
fci= =1.74 Hz
( R b + Ri ) Ci 2 ( R b' + Ri ) Ci
Para Co
Rc IL hfe Rc
IL=hfeib =
1 ib 1
Rc + RL+ Rc+ RL+
SCo SCo
1 1
Wco= fco= =0.629 Hz
( Rc+ RL ) Co 2 ( Rc + RL ) Co
Para Ce
Rbb
)( )
+hib+ 1
RbbIi 1+ hfe
ie=
( Rbb
1+hfe
+ hib+ 1 Rbb
1+hfe
+hib+ 1+
2
SRe 2+1
1
S+
ie Rbb 2 Ce
Ai= =
ii Rbb
1+ hfe ( (
+ hib+ 1 S+
1
)
Rbb
)
2/
Rbb
1+ hfe
+hib + 1
Ce
( )
1 Wce
Wce = fce= =73 .138 Hz
Rbb 2
2/
( Rbb
1+hfe
+ hib+ 1 ) Ce
1 ORC
2 Transistores: 2N2222
1 Generador de Seales A.F
Multmetro
Tablero de proyectos
1 Fuente DC
Resistencia: 56k, 12k, 0.22k, 1.5k, 0.47k, 10k (min: 1/4 W)
Conectores
Condensadores: 0.1uf, 0.01uf, 4.7uf, 0.47uf, 22uf (min:16 V)
VI. PROCEDIMIENTO
Ci 22F R5
R9
Q 10k
1k 22F 2N2222A
R6
XFG1 220
R2
12k
R4
Ce
0.47k
47F
I CQ =2 mA
Salida: 1872mV
A V =3.4
En decibelios:
A V =10.6689
4. Llenar la siguiente tabla, note que el punto de corte inferior
F(Hz) 5 10 15 20 25 30 40 50
Ci=22
uF Vo(m
789 1092 1404 1560 1638 1716 1872 1872
Ce=47 V)
uF
Av 3.13 5.96 8.14 9.055 9,48 9.88 10.63 10.63
VCC
12V
R1 R3
56k 1.5k
C
Ci 22F R5
R9
Q 10k
1k 22F 2N2222A
XFG1
R2
R6
12k
220
R4
Ce
0.47k
47F
Wci: 1.74 Hz
Wco: 0.629 Hz
Wce: 73.138 Hz
f Av
5 3.13
10 5.96
15 8.14
20 9.055
25 9.48
30 9.88
40 10.63
50 10.63
Se puede observar que para una seal de entrada mxima sin distorsin en
la salida se obtiene una ganancia mxima a partir de 40Hz
aproximadamente. La curva