UNIVERSIDAD POLITCNICA DEL VALLE DE TOLUCA

NOMBRE DEL PROGRAMA EDUCATIVO:

INGENIERA MECNICA AUTOMOTRZ.

NOMBRE DEL ASIGNATURA:

ELECTRONICA

NOMBRE DE LA PRCTICA:

Practica: COMPORTAMIENTO DE UN MOTOR CD MEDIANTE

TRANSISTOR TIP 31

NOMBRE DE LA UNIDAD DE APRENDIZAJE:

UNIDAD 4: TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

FACILITADOR:

ING. OMAR ENRIQUE ESTEVEZ ROSAS

INTEGRANTES:
N Nombre Matricula Firma
1 ZARAGOZA DE LA CRUZ ABEL 1203IMA0
73
2
3
Nmero de Duracin 2 horas
Prctica: 2
Laboratorio Electrnica
de:
Resultado Al finalizar la unidad de aprendizaje el alumno el alumno
de conocer los diferentes tipos del sistema de refrigeracin as
Aprendizaje como las principales partes de este sistema y diagnosticar las
: principales fallas en el sistema de refrigeracin.

Justificacin
: En los ltimos aos se ha incrementado el uso considerablemente de
dispositivos electrnicos en el rea de monitoreo automotriz, por
loque es de gran importancia que los alumnos comprendan los
fundamentos de los circuitos electrnicos.

Marco
Terico: El trmino efecto de campo requiere alguna explicacin. Todos
sabemos de la capacidad de un imn para atraer las limaduras de
metal hacia s mismo sin requerir un contacto real. El campo
magntico del imn envuelve las limaduras y las atrae hacia el imn
porque las lneas de flujo magntico actan hasta donde es posible
como un cortocircuito. Para el FET las cargas presentes establecen un
campo elctrico, el cual controla la ruta de conduccin del circuito de
salida sin que requiera un contacto directo entre las cantidades de
control y las controladas.
Cuando se introduce un dispositivo con muchas aplicaciones
semejantes al que se introdujo, hay una tendencia natural a comparar
algunas de la caractersticas generales de uno con las del otro:
Uno de las caractersticas ms importantes del FET es su alta
impedancia de entrada.
A un nivel de 1 M a varios cientos de megaohms excede por mucho
los niveles de resistencia de entrada tpicos de las configuraciones del
transistor BJT, lo que es una caracterstica muy importante en el
diseo de amplificadores de ca lineales. Por otra parte, el transistor
BJT es mucho ms sensible a los cambios de la seal aplicada. Dicho
de otro modo, la variacin de la corriente de entrada, en general, es
mucho mayor para los BJT que para los FET con el mismo cambio del
voltaje aplicado.
Por esta razn:
Las ganancias de voltaje de ca tpicas para amplificadores de
BJT son mucho mayores que para los FET.
En general:
Los FET son ms estables a la temperatura que los BJT, y en
general son ms pequeos que los BJT, lo que los hace
particularmente tiles en chips de circuitos integrados (CI).
Las caractersticas de construccin de algunos FET, sin embargo,
pueden hacerlos ms sensibles al manipuleo que los BJT.
En este captulo presentamos tres tipos de FET: el transistor de efecto
de campo de unin
(JFET), el transistor de efecto de campo semiconductor de xido
metlico (MOSFET), y el transistor de efecto de campo semiconductor
metlico (MESFET). La categora MOSFET se dividean ms en tipos
de empobrecimiento y enriquecimiento, que describiremos a
continuacin. El transistor MOSFET ha llegado a ser uno de los
dispositivos ms importantes utilizados en el diseo y construccin de
circuitos integrados para computadoras digitales. Su estabilidad
trmica y otras caractersticas generales hacen que sean
extremadamente populares en el diseo de circuitos de computadora.
Sin embargo, por ser un elemento discreto confinado en un
contenedor acopado, requiere un manejo cuidadoso (el cual
analizaremos en una seccin posterior). El MESFET es un desarrollo
ms reciente y aprovecha al mximo la ventaja de las caractersticas
de alta velocidad del GaAs como material semiconductor base. Aun
cuando en la actualidad es
la opcin ms cara, el tema del costo a menudo es superado por la
necesidad de mayores velocidades en diseos de radiofrecuencia y de
computadoras.
Una vez presentadas la construccin y las caractersticas del FET, en
el captulo 7 se abordarn las configuraciones de polarizacin. El
anlisis realizado en el captulo 4 utilizando transistores BJT
demostrar su utilidad en la derivacin de ecuaciones importantes y
para entender los resultados obtenidos para circuitos de FET.
Ian Munro Ross y G. C. Dacey (figura 6.2) colaboraron en las etapas
iniciales del desarrollo del transistor de efecto de campo. Observe en
particular el equipo que utilizaban en 1955 para su investigacin.
CONSTRUCCIN Y CARACTERSTICAS DE LOS JFET
Como lo mencionamos antes, el JFET es un dispositivo de tres
terminales con una terminal capaz de controlar la corriente entre las
otras dos. En nuestro anlisis del transistor BJT se emple el transistor
npn en la mayor parte de las secciones de anlisis y diseo, con una
seccin dedicada a cmo utilizar un transistor pnp. Para el transistor
JFET el dispositivo de canal n ser el dispositivo importante, con
prrafos y secciones dedicados a cmo utilizar un JFET de canal p.
La construccin bsica del JFET de canal n se muestra en la figura 6.3.
Observe que la parte principal de la estructura es el material tipo n, el
cual forma el canal entre las capas incrustadas de material p. La parte
superior del canal tipo n est conectada mediante un contacto
hmico a un material conocido como drenaje (D), en tanto que el
extremo inferior del mismo material est conectado mediante un
contacto hmico a una terminal conocida como fuente (S). Los dos
materiales tipo p estn conectados entre s y a la terminal de
compuerta (G).
En esencia, por consiguiente, el drenaje y la fuente estn conectados
a los extremos del canal tipo n y la compuerta a las dos capas de
material tipo p. Sin potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-
n en condiciones sin polarizacin. El resultado es una regin de
empobrecimiento en cada unin, como se muestra en la figura 6.3, la
cual se asemeja a la misma regin de un diodo en condiciones sin
polarizacin. Recuerde tambin que una regin de empobrecimiento
no contiene portadores libres, y por consiguiente es incapaz de
conducir.

Las analogas rara vez son perfectas y en ocasiones pueden ser

engaosas, pero la del agua
de la figura 6.4 da una idea del control de JFET en la compuerta y de
lo apropiado de la terminologa aplicada a las terminales del
dispositivo. La fuente de la presin de agua puede ser vinculada al
voltaje aplicado del drenaje a la fuente, el cual establece un flujo de
agua (electrones) desde el grifo (fuente). La compuerta gracias a
una seal aplicada (potencial), controla el flujo de agua (carga)
dirigido hacia el drenaje. Las terminales del drenaje y la fuente se
encuentran en los extremos opuestos del canal, como se indica en la
figura 6.3 porque la terminologa corresponde al flujo de electrones.
Resistor controlado por voltaje
La regin a la izquierda del lugar geomtrico del estrangulamiento en
la figura 6.11 se conoce como regin hmica o de resistencia
controlada por voltaje. En esta regin el JFET en realidad se puede
emplear como un resistor variable (posiblemente para un sistema de
control de ganancia automtico) cuya resistencia la controla el voltaje
aplicado de la compuerta a la fuente. Observe
en la figura 6.11 que la pendiente de cada curva, y por consiguiente
la resistencia del dispositivo entre el drenaje y la fuente con VDS _ Vp,
son una funcin del voltaje aplicado VGS. A medida que VGS se
vuelve ms y ms negativo, la pendiente de cada curva se hace cada
ms horizontal, lo que corresponde a una resistencia cada vez ms
grande. La siguiente ecuacin es una buena primera aproximacin al
nivel de resistencia en funcin del voltaje aplicado VGS:
Tipo de transistores de efecto campo

Comparativa de las grficas de funcionamiento (curva de entrada o

caracterstica I-V y curva de salida) de los diferentes tipos de
transistores de efecto de campo
El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor
tipo N o uno tipo P. El drenaje y la fuente deben estar dopados de
manera contraria al canal en el caso del MOSFET de enrequecimiento,
o dopados de manera similar al canal en el caso del MOSFET de
agotamiento. Los transistores de efecto de campo tambin son
distinguidos por el mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta.
Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el mtodo
de aislamiento entre el canal y la puerta:

El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)

usa un aislante (normalmente SiO2).

El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n

El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor)

substituye la unin PN del JFET con una barrera Schottky.

En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambin

 denominado HFET (heterostructure FET), la banda de material
dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el
cuerpo del transistor.

Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)

Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo

para control de potencia. Son comnmente usados cuando el
rango de voltaje drenaje-fuente est entre los 200 a 3000V.
Aun as los Power MOSFET todava son los dispositivos ms
utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.

Los FREDFET es un FET especializado diseado para otorgar

una recuperacin ultra rpida del transistor.

Los DNAFET es un tipo especializado de FET que acta como

biosensor, usando una puerta fabricada de molculas de ADN
de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales

La caracterstica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del
silicio amorfo o del silicio policristalino.
Material, Protoboard
equipo y/o 3 resistencia de 1k
reactivos: 1 transistor tip 31
Cable para proto
Un motor cd
Desarrollo
de la
Prctica:
Resultados La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT (Bipolar
y Junction Transistor), de cuyo funcionamiento se diferencia, ya que en
observacion el FET, el voltaje aplicado entre la puerta y la fuente controla la
corriente que circula en el drenaje
es
Conclusione Un dispositivo controlado por corriente es aqul en el cual una
s y/o corriente define las condiciones de operacin, en tanto que un
recomendac dispositivo controlado por voltaje es aqul en el cual un voltaje
particular define sus condiciones de operacin.
iones
El JFET en realidad puede ser utilizado como un resistor controlado
por voltaje por su sensibilidad nica a la impedancia del drenaje a la
fuente al voltaje de la compuerta a la fuente.
Referencias
bibliogrfic Introduccin al anlisis de circuitos PEARSON 10ma edicin
as y/o
Fuentes Anlisis introductorio de circuitos Prentice Hall 8va edicin
consultadas
http://198.185.178.104/iss/spanish/physicalscience/spanelectric
ity/pages/a17.xml

Manejo y En esta prctica no se obtuvieron desechos

Disposicin
de
Desechos:
Grup Equipo: Calificaci
o: n:
IMA