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En la primera parte del experimento se determin de la ecuacin de Shockley la corriente inversa de saturacin
Io y la constante caracterstica para un semiconductor midiendo de un circuito formado por una resistencia, un
diodo (semiconductor) y una fuente alterna, la corriente necesaria I para que en el diodo se mida un voltaje
Vd[0.25,0.7]V, obteniendo que Io= 1.5453E-9 A y = 1.69. En la segunda parte del experimento se determin
Eg(brecha de energa) del semiconductor al medir la variacin del voltaje Vd con respecto a la temperatura, con
T[293, 365] K, manteniendo la corriente I fija, obteniendo que Eg=1.3286 eV. As, se pudo determinar despus
de consultar en tablas el material del cual estaba hecho el diodo, obteniendo Silicio (si).
2.000E-02
I (Amperes)
1.500E-02
1.000E-02
-6 0.65
Vd (V)
Ln (I) (A)
-8
0.6
-10
-12 0.55
-14
0.5
-16 280 300 320 340 360 380
Vd (V) Temperatura (K)
Figura 5. Se muestra la grfica de los valores de la tabla II. Figura 6. Se muestra la grfica de los valores de la tabla III.
Para la segunda parte del experimento en que se El valor de la constante oscila entre 1 y 2, como
mantuvo I=constante y se midi la variacin Vd con en la teora.
respecto a la temperatura se obtuvo la Tabla III.
El voltaje Vd disminuye linealmente al aumentar la
Como ya se dijo en la teora, para obtener la Eg temperatura del diodo.
(brecha de energa) del semiconductor se utiliza la
ecuacin (5), de la cual, despreciamos el tercer Al comparar los resultados de las constantes
trmino ya que es muy pequeo comparado con los obtenidas experimentalmente con las ya
otros dos. De la ecuacin presentada en la figura 6, establecidas en tablas, podemos decir que el
obtenemos que Eg/q=1.3286, con lo cual: material del que est hecho el diodo con que se
trabaj es Silicio (Si).
Eg=1.3286 eV.