Materiales piezoelctricos

N 3, 2010

Editorial

En este nuevo nmero del boletn de vigilancia sobre materiales inteligentes se trata el tema de
los materiales piezoelctricos, por su gran aplicabilidad y extensin desde su descubrimiento.

El efecto piezoelctrico describe la relacin entre una tensin mecnica y un voltaje elctrico en
slidos. Es la capacidad de ciertos materiales minerales, cermicas y algunos polmeros- para
producir una carga elctrica en respuesta a un esfuerzo mecnico aplicado. Tambin puede
observarse el efecto inverso, en el que los materiales piezoelctricos se deforman por la
aplicacin de un campo elctrico.

A continuacin se muestra esquemticamente el efecto piezoelctrico:

En el efecto piezoelctrico
directo, la compresin y la
expansin de un material genera
Sumario cargas elctricas opuestas sobre
las caras respectivas de la
Editorial 1 muestra. En el efecto
piezoelctrico inverso, la
Palabras clave 2 aplicacin de un voltaje a un
material piezoelctrico produce
Visin actual 3 una cierta deformacin.

Publicaciones 3 Este efecto es conocido desde

hace ms de un siglo y se lleva
Patentes 6 usando desde hace dcadas en
aplicaciones tan cotidianas como
Proyectos en curso 9 calentadores, cocinas, mecheros
(al pulsar el botn, lo que
Noticias 10 hacemos es deformar un material
piezoelctrico hasta el punto que
Eventos 12 genera una chispa debido a la
diferencia de potencial elctrico).

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La piezoelectricidad fue descubierta en 1880 por Jacques y Pierre Curie. Los hermanos Curie
descubrieron que cuando se aplicaba una tensin a ciertos cristales como la turmalina, el
cuarzo, el topacio y la sal Rochelle, apareca una carga elctrica, y su voltaje era proporcional a
la tensin. De los materiales mencionados, solo el cuarzo se utiliza hoy en da comercialmente.
Todos los dems cristales piezoelctricos importantes desde el punto de vista prctico se
obtienen de forma artificial.

Si bien los materiales piezoelctricos monocristalinos se siguen desarrollando, los materiales

piezoelctricos ms utilizados son los materiales cermicos policristalinos y los polmeros. Estos
materiales presentan carcter piezoelctrico despus de haber sido sometidos a una
polarizacin artificial. La cermica piezoelctrica ms empleada se denomina titanato zirconato
de plomo (PZT). Su composicin qumica es Pbx (TiZr)1-xO3. Una de las composiciones
comercialmente ms tpicas contiene aproximadamente el 47% de PbTiO3 y el 53% de PbZrO3.
El polmero piezoelctrico ms desarrollado es el poli (fluoruro de vinilideno) (PVDF).

Los materiales piezocermicos tienen la propiedad de ser rgidos y dctiles, por lo que son
buenos candidatos para emplearlos como actuadores, debido a su gran mdulo de elasticidad,
lo cual facilita el acoplamiento mecnico con la estructura. En cambio, los piezopolmeros estn
mejor preparados para actuar como sensores porque aaden una rigidez mnima a la estructura
dada su flexibilidad y adems son de fcil elaboracin. La forma ms habitual de emplearlos es
como sensores de contacto y transductores acsticos en forma de lmina delgada.

Los materiales piezoelctricos han sido embebidos en materiales compuestos en aplicaciones

como la amortiguacin de vibraciones o la deteccin de impactos (como en los airbags, donde el
material detecta la intensidad del choque y enva una seal elctrica que activa el airbag).

Un ejemplo interesante es el de los sensores piezoelctricos de distribucin constante como es

el caso de las pinturas piezoelctricas o inteligentes. Este tipo de pintura puede prepararse
utilizando polvo cermico a base de titanato zirconato de plomo como pigmento y con resina
epxica como aglomerante. La mezcla se aplica sobre una superficie y se cura y polariza a
temperatura ambiente. La pelcula de pintura resultante acta como un sensor de vibraciones y
emisiones acsticas para la superficie entera.

Palabras clave

Las palabras clave utilizadas para la elaboracin de este boletn han sido:

Piezoelectric Piezoelctrico

Piezoelectricity Piezoelectricidad

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Visin Actual
Publicaciones

Para ver la evolucin que ha tenido el estudio de los materiales piezoelctricos en los ltimos
aos, se han seleccionado los datos correspondientes a la publicacin de artculos y
publicaciones de conferencias entre el ao 1980 y 2009. Para la realizacin de las bsquedas se
ha utilizado la base de datos de la Web of Knowledge.

A continuacin se presenta un grfico con los resultados obtenidos.

Fuente: Elaboracin propia, con datos de la Web of Knowledge

Como resultado de la bsqueda se han obtenido un total de 40.000 artculos.

Podemos observar que aunque este tipo de materiales fueron descubiertos en el ao 1880, cien
aos despus aun no haban tenido un gran desarrollo. Es en el ao 1991 cuando se observa un
incremento en el estudio de estos materiales, tal y como ocurre tambin en otros materiales
inteligentes como los materiales con memoria de forma.

Haciendo una bsqueda desde el ao 2005 hasta la actualidad, para obtener datos ms
recientes y las ltimas investigaciones realizadas en este mbito, se han obtenido un total de
19.662 publicaciones, siendo las instituciones que poseen un mayor nmero de publicaciones
las que se detallan a continuacin:

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POSICIN INSTITUCIN N ARTCULOS

1 CHINESE ACAD SCI 465
2 PENN STATE UNIV 348
3 TSINGHUA UNIV 345
4 HONG KONG POLYTECH UNIV 272
5 HARBIN INST TECHNOL 253
6 INDIAN INST TECHNOL 223
7 TOKYO INST TECHNOL 198
8 NANYANG TECHNOL UNIV 192
9 NATL TAIWAN UNIV 192
10 GEORGIA INST TECHNOL 181
11 TOHOKU UNIV 164
12 NATL CHENG KUNG UNIV 160
13 NATL INST ADV IND SCI & TECHNOL 151
14 RUSSIAN ACAD SCI 147

15 ZHEJIANG UNIV 139

16 UNIV TOKYO 138

17 SHANGHAI JIAO TONG UNIV 135
18 UNIV NEBRASKA 129
19 HUAZHONG UNIV SCI & TECHNOL 126
20 HUNAN UNIV 121
21 NATL UNIV SINGAPORE 117
22 CNRS 116
23 CSIC 115
24 SEOUL NATL UNIV 115
25 SICHUAN UNIV 114

Como se puede observar, en los primeros puestos se encuentran instituciones Chinas, a

excepcin de la Penn State University de Estados Unidos que ocupa el segundo puesto.

De estas veinticinco instituciones solo una tiene nacionalidad espaola, el CSIC, que se
encuentra en el puesto 23.

Para analizar ms profundamente cules son los pases que ms estn investigando desde el
ao 2005 en este campo se ha realizado el siguiente grfico, que corresponde al porcentaje de
publicaciones por pases:

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Fuente: elaboracin propia, con datos de la Web of Knowledge

Segn los datos obtenidos, Estados Unidos es el pas que en los ltimos 5 aos est publicando
e investigando ms en este tema, seguido de China y Japn, Espaa representara casi el 2%
mundial.

Por ltimo, en el apartado de artculos, cabe destacar aquellos de ms relevancia. Para

determinarlo se ha establecido el criterio de importancia mediante el nmero de citaciones
producidas en otros documentos. De esta manera, se ha conseguido la lista de los siguientes
cinco artculos:

Ttulo Autor Fuente Vol. N Pg. Fecha pub.

A comprehensive review of ZnO Ozgur U, Alivov Journal of applied 98 4 Ago 2005

materials and devices YI, Liu C, et al. physics

Revival of the magnetoelectric Fiebig M Journal of physics 38 8 R123- Abr 2006

effect d-applied physics R152

Multiferroic and magnetoelectric Eerenstein W, Nature 442 7104 759- Ago 2006
materials Mathur ND, 765
Scott JF

Piezoelectric nanogenerators Wang ZL, Song Science 312 5771 242- Abr 2006
based on zinc oxide nanowire JH 246
arrays

Direct-current nanogenerator Wang XD, Song Science 316 5821 102- Abr 2007
driven by ultrasonic waves JH, Liu J, et al. 105

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A continuacin se detallan algunos de los libros ms recientes dedicados a los materiales

piezoelctricos:

Ttulo Autor Editor Ao edicin

Piezoelectric Actuators: Control Seung-bok Choi; Young- CRC Pr I Llc 2010

Applications of Smart Materials min Han

Piezoelectricity Heywang, Walter; Lubitz, Springer 2008

Karl; Wersing, Wolfram

Piezoelectric transducers and applications Arnau Vives, Antonio Springer 2008

Patentes

La primera aplicacin que se obtuvo a partir de un material piezoelctrico, tuvo lugar durante la
Primera Guerra Mundial. En 1917, P. Langevin y otros compaeros empezaron a perfeccionar
los detectores ultrasnicos submarinos. Este hecho estimul una intensa actividad en el
desarrollo de todo tipo de dispositivos piezoelctricos. No obstante, los materiales disponibles en
esa poca a menudo limitaban el rendimiento de los dispositivos y su explotacin comercial.

Durante la Segunda Guerra Mundial, en Estados Unidos, Japn y la Unin Sovitica, grupos de
trabajo aislados dedicados a investigar la mejora de los materiales condensadores, descubrieron
que ciertos materiales cermicos (preparados por sinterizado de polvos de xido metlico)
mostraban constantes dielctricas hasta 100 veces mayores que los cristales comunes.
Adems, esta misma clase de materiales (llamados ferroelctricos) fueron producidos de forma
que mejoraron sus propiedades piezoelctricas. El descubrimiento de la facilidad de fabricacin
de las cermicas piezoelctricas con caractersticas de rendimiento asombrosas, provocaron el
resurgimiento de la investigacin y el desarrollo de los dispositivos piezoelctricos.

El desarrollo de los materiales y dispositivos piezoelctricos se extendi por todo el mundo, pero
fue claramente dominado por los grupos industriales de los EE.UU, que se aseguraron el
liderazgo mediante el registro de patentes muy fuertes.

Cabe sealar que durante este resurgimiento, especialmente en los EE.UU., el desarrollo de
materiales y dispositivos se llev a cabo bajo una poltica de elevado secretismo.

En contraste con el secreto poltico practicado entre los fabricantes de Estados Unidos, varias
compaas y universidades japonesas formaron en 1951 una asociacin llamada Barium
Titanate Application Research Committe. Esta asociacin estableci un precedente de
organizacin para superar con xito no slo desafos tcnicos y obstculos de fabricacin, sino
tambin la definicin de nuevas reas de negocio para este tipo de materiales.

A partir de 1965, las empresas japonesas comenzaron a obtener los primeros beneficios del
constante trabajo de desarrollo de nuevos materiales y aplicaciones iniciado en 1951.

Desde una perspectiva internacional, Japn pas a liderar este campo, desarrollando nuevo
conocimiento, nuevas aplicaciones, nuevos procesos y nuevas reas de negocio.

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El xito comercial de los esfuerzos japoneses atrajo la atencin de la industria en muchas otras
naciones y estimul un nuevo esfuerzo para desarrollar con xito productos piezocermicos.
Este hecho se demuestra con el gran aumento del nmero de patentes registradas en las
ltimas dcadas, tal y como se muestra en el grfico de evolucin. Otra evidencia de la gran
actividad que se desarrolla alrededor de los materiales y dispositivos piezoelctricos es el gran
nmero de artculos publicados en los ltimos aos. Pases como China, Rusia o la India han
experimentado un elevado crecimiento en cuanto a publicaciones en los ltimos aos.

A juzgar por el incremento de la actividad mundial, y por los xitos hallados en el ltimo cuarto
del siglo XX y la primera dcada del siglo XXI, la bsqueda de nuevas oportunidades an est
en proceso.

A continuacin se muestra la evolucin producida durante las ltimas dos dcadas en la

publicacin de patentes. La estrategia de bsqueda utilizada para la realizacin de este apartado
ha sido mediante la palabra clave "piezoelectric*".

Se han obtenido un total de 116.694 patentes publicadas desde el ao 1980 hasta la fecha
actual. El siguiente grfico muestra dicha evolucin:

Fuente: elaboracin propia, con datos de la Web of Knowledge

Este grfico muestra una tendencia positiva a lo largo de las ltimas dcadas tal y como ya se
ha comentado anteriormente.

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A continuacin se muestra el ranking de los pases en que estas patentes tienen efecto:

POSICIN PAS NPATENTES

1 JAPN 52824
2 ESTADOS UNIDOS 21373
3 SOLICITUD EUROPEA (EP) 11615
4 CHINA 7278
5 SOLICITUD PCT 6669
6 COREA DEL SUR 4610
7 ALEMANIA 2700
8 CANAD 1764
9 GRAN BRETAA 1671
10 FRANCIA 1129
11 UNIN SOVITICA 896
12 RUSIA 877
13 ESPAA 706
14 TAIWAN 616
15 AUSTRALIA 498

A continuacin se detallan los solicitantes ms prolficos en cuanto a registro de patentes, desde

el ao 2006 hasta la fecha actual:

POSICIN SOLICITANTE N PATENTES

1 SEIKO EPSON CORP 2438
2 MURATA MANUFACTURING CO 1002
3 EPSON TOYOCOM CORP 824
4 BROTHER IND LTD 674
5 KYOCERA CORP 637
MATSUSHITA ELECTRIC IND CO
6 619
LTD
7 SAMSUNG ELECTRONICS 615
8 BOSH GMBH ROBERT 611
9 NGK INSULATORS LTD 539
10 CANON KK 494
11 FUJI PHOTO FILM CO LTD 487
12 TDK CORP 392
13 SIEMENS AG 370
14 FUJITSU LTD 355
15 DENSO CORP 351
16 KYOCERA KINSEKI CORP 320
17 NIHON DEMPA KOGYO CO 278

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18 PANASONIC CORP 254

19 FUJI XEROX CO LTD 221
20 NEC TOKIN CORP 212
SHARAPOV VALERII
21 202
MYKHAILOVYCH
22 SONY CORP 183
23 TOSHIBA CORP 180
24 DELPHI TECH INC 159
25 EPCOS AG 122
Como se puede comprobar la mayora de empresas que figuran en este listado son japonesas.

A continuacin se ha realizado un listado de las ltimas patentes publicadas relacionadas con el

tema:

NPUBLICACIN SOLICITANTE PAS CONTENIDO TCNICO

ORGEN

KR20100096225 NOKIA CORP FINLANDIA Dispositivo con un lente y un elemento

piezoelctrico configurado para doblarse en
respuesta a la aplicacin de un voltage.

KR20100097112 KONICA MINOLTA JAPN Actuador piezoelctrico, dispositivo de guia,

OPTO INC dispositivo de posicionamiento y mdulo lser.

KR100984159 KYUNGWON COREA Mtodo de fabricacin de un sensor

FERRITE IND CO piezoelctrico con froma de bola.
LTD

Proyectos en curso

High temperature sensors

El objetivo del proyecto es investigar el efecto del dopaje en cermicas en fase Antivillius con
propiedades ferroelctricas, piezoelctricas, dielctricas, punto Curie, conductividad elctrica,
envejecimiento.

Fecha inicio / fecha final: 09-10-2009 / 08-10-2010

Entidad financiadora: Comisin Europea. FP7.

Coordinacin: Queen Mary and Westfield College, University of London

http://www.qmul.ac.uk

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New micro-robotic systems featuring piezoelectric adaptive microstructures for

sensing and actuating, with associated embedded control
El proyecto se enfoca en una de las aplicaciones ms prometedoras de los sistemas adaptativos
piezoelctricos: sistemas microrobticos y microensamblajes para componentes micromtricos.

Fecha inicio / fecha final: 03-07-2008 / 02-07-2010

Entidad financiadora / Programa: Comisin Europea. FP7.

Coordinacin: Universite de Franche-Comte

http://www.univ-fcomte.fr

Noticias

Carreteras que generan energa

Septiembre 2010

En Israel, ingenieros del centro tecnolgico Innowattech han creado un nuevo tipo de material
para carreteras, basado en unos cristales piezoelctricos, para aprovechar la energa cintica
del paso de los vehculos. El material puede extenderse por todo tipo de superficies de trnsito
con un grosor muy fino. Sus responsables calculan que puede generar unos 400 kW por
kilmetro.
http://www.ptcarretera.es/carreteras_que_generan_energia.html

Desarrollan una tecnologa para cargar el mvil solo con la energa del cuerpo
humano
Marzo 2009

Cientficos del Instituto de Tecnologa de Georgia, encabezados por el profesor Zhong Li Wang,
han logrado captar la energa del entorno convirtiendo en electricidad vibraciones de baja
frecuencia como los movimientos del cuerpo, del latido del corazn o del viento.

Para ello utilizan nanocables piezoelctricos de xido de zinc cuyo dimetro es una
vigsimoquinta parte del de un cabello humano.

Segn Wang, la ventaja de esta tecnologa es que los nanocables pueden fijarse con facilidad a
muchos tipos de superficies, por lo que los nanogeneradores funcionan igualmente en el aire o
en un medio lquido si su envoltorio es el adecuado.

Tambin pueden colocarse sobre metales, polmeros, la ropa e incluso en tiendas de campaa.

Los nanogeneradores tendrn mltiples aplicaciones en los campos de la defensa, el

medioambiente, la biomedicina y la electrnica en general, aadi Wang.

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De momento, el principal desafo es aumentar su voltaje. Segn el profesor, una vez puedan
aumentar su voltaje de 0,5 a 1 voltios habr importantes aplicaciones en muchos campos.

El cientfico dijo que espera que de aqu a cinco aos se pueda utilizar este sistema para hacer
funcionar un reproductor mp3, un pequeo ordenador porttil o un telfono mvil.
http://www.madrimasd.org/informacionIDI/noticias/noticia.asp?id=38767

Nuevas tcnicas en ciruga odontolgica

Julio 2009

La atrofia sea severa con la consiguiente neumatizacin progresiva del seno maxilar puede
hacer difcil la insercin de implantes dentales en ciertos pacientes. En este grupo de pacientes
anatmicamente comprometidos, la colocacin de los implantes dentales en una posicin ideal
puede verse dificultada por una altura, una anchura y una calidad no adecuada del hueso
maxilar.

La osteotoma Le Fort I con interposicin de injerto seo se ha demostrado como un concepto

excelente para la rehabilitacin dental de pacientes que precisan tcnicas de ciruga
preprotsica avanzada.

El grupo de investigacin de Mario Muoz Guerra, del Hospital Universitario La Princesa (UAM),
ha ideado una tcnica novedosa que incide en el aspecto trascendente de la preservacin de la
integridad del seno maxilar y de la mucosa del suelo de las fosas nasales, realizando una
modificacin de los procedimientos previamente descritos e incidiendo en la utilidad del
dispositivo piezoelctrico (aparato que gracias a oscilaciones ultrasnicas tridimensionales
controladas permite un corte selectivo y muy preciso, cortando exclusivamente tejido seo y
evitando el tejido blando) y de los rascadores de hueso.

La tcnica, publicada en Journal of Oral and Maxillofacial Surgery, se realiza en un solo tiempo
quirrgico e incluye la colocacin simultnea de los bloques de hueso y de los implantes de
titanio. Las ventajas fundamentales de esta modificacin incluyen: 1/ Proporciona una ganancia
adecuada de la cantidad de hueso maxilar. 2/ Permite la colocacin de implantes dentales en la
posicin ms apropiada. 3/ Mejora la discrepancia entre maxilar y mandbula tpica del paciente
con atrofia sea. 4/ Minimiza la incidencia de complicaciones infecciosas secundarias a la
movilizacin de estructuras en el seno maxilar y en las fosas nasales.
http://www.uam.es/ss/Satellite/es/1234886344485/1242648450432/notcientifica/notCientific/1242
648450432.htm

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Eventos

Existe una conferencia que presenta las ltimas novedades en el campo de los materiales
piezoelctricos.

EVENTO LOCALIZACIN FECHA

PIEZO 2011: Electroceramics for End Sestriere, Piedmont, Italia 28-02-2011 /

Users VI 02-03-2011

Entidades que colaboran en la elaboracin del Boletn:

Fundacin OPTI

ASCAMM

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