Contenido

1. Imperfecciones cristalinas.....................................................................................2
1.1 Imperfecciones cristalinas, arreglos atmico e inico.....................................2
1.2 Estructura cristalina..........................................................................................3
1.3 Defectos Lineales.............................................................................................5
1.4 Dislocacin de cua, borde o arista.................................................................6
1.5 Dislocacin helicoidal o de tornillo...................................................................7
1.6 Defectos superficiales......................................................................................9
1.7 Importancia de los defectos...........................................................................10
1.8 Mecanismos De La Difusin...........................................................................11
1.9 Mecanismo de difusin por vacantes o sustitucional.....................................11
1.10 Mecanismo de difusin intersticial...............................................................12
Bibliografas.............................................................................................................13
1. Imperfecciones cristalinas.
La distribucin atmica en slidos cristalinos puede describirse mediante una red
espacial donde se especifican las posiciones atmicas por medio de una celdilla
unidad que se repite y que posee las propiedades del metal correspondiente.

1.1 Imperfecciones cristalinas, arreglos atmico e inico

Efectos puntuales: Son interrupciones localizadas en los arreglos atmicos e
inicos que si no fuera por ellos seran perfectos en una estructura cristalina, se
puede introducir por los movimientos de los tomos o los iones al aumentar la
energa por calentamiento, durante el proceso del material por introduccin de
impurezas o por dopado.

Impurezas: Son elementos o compuestos presentes en las materias primas o en

el procesamiento.

Dopantes: Son elementos o compuestos que se agregan en forma deliberada y

en concentraciones conocidas, en lugares especficos de la microestructura
buscando un efecto benfico sobre las propiedades y el procesamiento. Un
defecto puntual indica en general a uno o a un par de tomos o iones, en
consecuencia es distinto de los defectos extendidos como dislocaciones, lmites
de grano, etc.

Vacantes: Se producen cuando un tomo o ion en su sitio normal de la estructura

cristalina, lo cual aumenta la estabilidad termodinmica de un material cristalino.

Defectos intersticiales: Se forman cuando se inserta un tomo o un ion es

sustituido con un tipo distinto de tomo o ion, los tomos o iones sustitucionales
pueden ser mayores que los tomos o iones normales.

Otros defectos puntuales: Una intersticialidad o defecto puntual autointersticial

se crea cuando un tomo idntico a los puntos normales de la red est en una
posicin intersticial. Es ms probable encontrar estos defectos en estructuras
cristalinas que tienen bajo factor de empaquetamiento.

Defecto de Frenkel: Es un par de vacancias en el intersticio que se forman

cuando un ion salta de un punto de red normal a un sitio intersticial.

Defecto Schottky: Es un par de vacancias en un material con enlaces inicos.

Para mantener la neutralidad, deben perderse de la red tanto un catin como un
anin.

1.2 Estructura cristalina

La primera clasificacin que se puede hacer de materiales en estado slido, es en
funcin de cmo es la disposicin de los tomos o iones que lo forman. Si estos
tomos o iones se colocan ordenadamente siguiendo un modelo que se repite en
las tres direcciones del espacio, se dice que el material es cristalino. Si los tomos
o iones se disponen de un modo totalmente aleatorio, sin seguir ningn tipo de
secuencia de ordenamiento, estaramos ante un material no cristalino o amorfo.

Estructura cristalina de los materiales

Los materiales slidos se pueden clasificar de acuerdo a la regularidad con que

los tomos o iones estn ordenados uno con respecto al otro. Un material
cristalino es aquel en que los tomos se encuentran situados en un arreglo
repetitivo o peridico dentro de grandes distancias atmicas; tal como las
estructuras solidificadas, los tomos se posicionarn de una manera repetitiva
tridimensional en el cual cada tomo est enlazado al tomo vecino ms cercano.
Todos los metales, muchos cermicos y algunos polmeros forman estructuras
cristalinas bajo condiciones normales de solidificacin.
Celda Unitaria.- Es el agrupamiento ms pequeo de tomos que conserva la
geometra de la estructura cristalina, y que al apilarse en unidades repetitivas
forma un cristal con dicha estructura.

Una celda unitaria se caracteriza por tres vectores que definen las tres direcciones
independientes del paraleleppedo. Esto se traduce en seis parmetros de red,
que son los mdulos, a, b y c, de los tres vectores, y los ngulos , y que
forman entre s. Estos tres vectores forman una base del espacio tridimensional,
de tal manera que las coordenadas de cada uno de los puntos de la red se pueden
obtener a partir de ellos por combinacin lineal con los coeficientes enteros.

La estructura cristalina de un slido depende del tipo de enlace atmico, del

tamao de los tomos (o iones), y la carga elctrica de los iones en su caso).

Existen siete sistemas cristalinos los cuales se distinguen entre s por la longitud
de sus aristas de la celda (llamados constantes o parmetros de la celda) y los
ngulos entre los bordes de sta. Estos sistemas son: cbico, tetragonal,
ortorrmbico, rombodrica (o trigonal), hexagonal, monoclnico y triclnico.

Los diferentes sistemas cristalinos se forman por el apilamiento de capas de

tomos siguiendo un patrn particular.

Un slido cristalino la CAPA en el espacio de una estructura elemental

paralelepipdica denominada celda unitaria. En funcin de los parmetros de red,
es decir, de las longitudes de los lados o ejes del paraleleppedo elemental y de
los ngulos que forman, se distinguen siete sistemas cristalinos:
En funcin de las posibles localizaciones de los tomos en la celda unitaria se
establecen 14 estructuras cristalinas bsicas, las denominadas redes de Bravais.

1.3 Defectos Lineales.

Los defectos lineales, que son unidimensionales, se denominan tambin
dislocaciones y dan lugar a una distorsin en la red centrada alrededor de una
lnea imaginaria. Se puede entender una dislocacin como la lnea frontera que
une en el interior de un cristal los puntos atmicos con posicin anormal. En
ocasiones tambin se define como el lmite entre dos regiones una de las cuales
se ha desplazado con respecto a la otra. Estos defectos dan en metales, casi
nunca en materiales inicos y pueden generarse durante los procesos de
solidificacin del slido cristalino, como consecuencia de una deformacin plstica
o permanente del cristal, por condensacin de vacantes y por desajustes atmicos
en disoluciones slidas.

El defecto lineal suele designarse por una T invertida (), que representa el
borde de un semiplano extra de tomos. Esta configuracin conduce por s misma
a una designacin cuantitativa sencilla, el vector de Burgers, b. Este parmetro es
simplemente el vector desplazamiento necesario para cerrar un circuito realizado
por paso a paso alrededor del defecto. En el cristal perfecto, un circuito con mn
pasos atmicos se cierra en el punto inicial. En la zona de la dislocacin, el mismo
circuito no se cierra. El vector de cierre (b) representa la magnitud del defecto
estructural. Esto lo podemos ver en la siguiente figura:
Figura 1.

Definicin del vector burgers, b, en: (a) una estructura cristalina perfecta donde el
circuito de vectores se cierra en el punto de partida; (b) en una estructura cristalina
con una dislocacin de borde donde en la zona de dislocacin ese mismo circuito
no cierra y es necesario un vector adicional, b; dicho vector representa la magnitud
de la dislocacin y se observa que es perpendicular a la lnea de dislocacin, t; (c)
en una estructura cristalina con una dislocacin de tornillo o helicoidal ; de nuevo
en la zona de la dislocacin el circuito de vectores no cierra y es necesario el
vector de burgers, que de nuevo representa la magnitud de la dislocacin; se
observa que el vector burgers es perpendicular a la lnea de dislocacin, t.

Se distinguen dos tipos: mixtas y puras (donde se incluyen las dislocaciones de

cua o borde y las de tornillo o helicoidales):

Puras

1.4 Dislocacin de cua, borde o arista.

Es un defecto lineal centrado alrededor de la lnea definida por el extremo del
semiplano de tomos extra (Figura 2). Se representa por el smbolo , o te
invertida, haciendo referencia al borde del semiplano extra. En esta posicin se
dice que la dislocacin de cua es en sentido positivo o lo que es los mismo, el
plano extra se ha insertado en la parte superior del plano de corte. Para
representar la situacin opuesta, se emplea el smbolo T (dislocacin de cua
negativa).

La dislocacin de cua genera una zona de esfuerzos de compresin donde se

encuentra el semiplano extra de planos y una regin de esfuerzos de traccin
debajo de este semiplano.

En la dislocacin de cua, el vector de Burgers el perpendicular a la lnea de

dislocacin.

Figura 2
1.5 Dislocacin helicoidal o de tornillo.
Se puede formar en estructuras cristalinas perfectas por la accin de un esfuerzo
cortante o de cizalladura (tangencial) sobre una de las caras hasta el
deslizamiento parcial por un plano cortante (Figura 3). Ahora el reordenamiento
atmico que se produce alrededor de la lnea de dislocacin da lugar a una forma
de tornillo o hlice, de ah el nombre que recibe esta dislocacin. La red cristalina
pasa de ser un conjunto ordenado de planos, a presentar superficies helicoidales
cuyo eje vertical es la dislocacin (apilamiento helicoidal de planos cristalinos en
torno a la dislocacin de tornillo).

Se representa por el smbolo cuando entra en el plano del papel,

considerndose en este caso positiva. En caso contrario se denota por el smbolo
Aqu el vector de Burgers o de desplazamiento es paralelo a la lnea de

dislocacin.

Figura 3

Mixtas

Los dos tipos de dislocaciones definidas anteriormente son formas lmites. Las
dislocaciones que normalmente aparecen en los materiales reales son formas
intermedias entre estas dos extremas y reciben el nombre de dislocaciones
mixtas. En este caso, las dislocaciones tienen componentes de dislocaciones
borde y tornillo. Se muestra un ejemplo en la Figura 4. La lnea de dislocacin es
de tipo tornillo puro cuando entra en la estructura cristalina y de tipo borde puro
cuando sale de ella. En el interior de la estructura cristalina, la dislocacin pasa a
ser de tipo mixto, con componentes de borde y de tornillo.

Por tanto, el vector de Burgers de la dislocacin mixta no es ni perpendicular ni

paralelo a la lnea de dislocacin pero mantiene una orientacin fija en el espacio,
que es compatible con las definiciones previas en las formas de dislocacin de
borde y de dislocacin helicoidal.
Figura 4

Medida de las dislocaciones

Virtualmente todos los materiales contienen algunas dislocaciones que son

introducidas durante la solidificacin, la deformacin plstica, o como
consecuencia de tensiones trmicas que resultan del enfriamiento rpido. La
forma de indicar la cantidad de dislocaciones que presenta un material es
mediante la densidad de dislocaciones o longitud total de dislocaciones por unidad
de volumen, y se indica en unidades de cm/cm3 o sencillamente por n de
dislocaciones por cm-2. Para un metal sin deformar suele ser habitual una
densidad de dislocacin de 106 cm-2, duplicndose este nmero para el metal
deformado plsticamente (en torno a 1012 cm-2).

La visualizacin de las mismas se realiza por procesos de Micro-calorimetra o

Microscopa electrnica de transmisin.

Importancia de las dislocaciones

El proceso de deslizamiento de las dislocaciones es de especial importancia para

conocer el comportamiento mecnico de los metales.

En primera lugar, permite explicar el por qu el esfuerzo terico necesario para

deformar plsticamente (o permanentemente) un material, es mucho mayor que el
valor necesario observado en la prctica. En efecto, el deslizamiento provocado
por los movimientos de las dislocaciones, provoca una mayor facilidad de ruptura
de uniones atmicas lo que implica una menor fuerza requerida para la
deformacin plstica del metal. Por tanto, la presencia de dislocaciones, facilita la
deformacin plstica de un metal y cuantos ms sistemas de deslizamiento posea,
mayor facilidad presentar.

En segundo lugar, el deslizamiento de las dislocaciones, confiere a un metal

ductilidad, propiedad relacionada con el mecanismo antes expuesto.

Por ltimo, se puede aumentar la resistencia de un metal, controlando el

movimiento de sus dislocaciones. Un obstculo introducido de forma voluntaria en
el metal, impedir que las dislocaciones se deslicen, a menos que se aplique
mayor fuerza de deformacin, lo que implica que el material sea ms resistente.
Las distintas formas de aumentar la resistencia de los metales y sus aleaciones,
se basan en este hecho, aumentar el nmero de dislocaciones del material e
impedir o anclar su deslizamiento.

1.6 Defectos superficiales.

Los defectos superficiales son los lmites o bordes o planos que dividen un
material en regiones, cada una de las cuales tiene la misma estructura cristalina
pero diferente orientacin.

SUPERFICIE EXTERNA

Las dimensiones exteriores del material representan superficies en las cuales la

red termina abruptamente. Los tomos de la superficie no estn enlazados al
nmero mximo de vecinos que deberan tener y por lo tanto, esos tomos tienen
mayor estado energtico que los tomos de las posiciones internas. Los enlaces
de esos tomos superficiales que no estn satisfechos dan lugar a una energa
superficial, expresada en unidades de energa por unidad de rea (J/m2 o
Erg/cm2). Adems la superficie del material puede ser rugosa, puede contener
pequeas muescas y puede ser mucho ms reactiva que el resto del material.
BORDES DE GRANO

Se puede definir como la superficie que separa los granos individuales de

diferentes orientaciones cristalogrficas en materiales poli-cristalinos.

El lmite de grano es una zona estrecha en la cual los tomos no estn

uniformemente separados, o sea que hay tomos que estn muy juntos causando
una compresin, mientras que otros estn separados causando tensin. De
cualquier forma los lmites de grano son reas de alta energa y hace de esta
regin una ms favorable para la nucleacin y el crecimiento de precipitados

MACLAS

Una macla es un tipo especial de lmite de grano en el cual los tomos de un lado
del lmite estn localizados en una posicin que es la imagen especular de los
tomos del otro lado.

1.7 Importancia de los defectos.

Los defectos que aparecen en los materiales, como una grieta, pueden ser
responsables de mltiples problemas, desde fallos en un microchip a terremotos.
Ingenieros del MIT han desarrollado un modelo que predice el lugar de origen del
defecto, sus caractersticas iniciales y cmo empieza a avanzar a travs del
material.

El modelo podra ser especialmente til en nanotecnologa, ya que, como dice

Subra Suresh, uno de los responsables de las investigaciones, a medida que los
dispositivos se hacen ms y ms pequeos, se hace ms importante entender los
fenmenos que producen los defectos en ellos. Una aparentemente minscula
dislocacin (un pequeo desorden en la configuracin de los tomos dentro del
material), o una grieta, pueden comprometer de forma drstica el rendimiento del
sistema.

Suresh y sus colegas Ju Li, Krystyn J. Van Vliet, Ting Zhu y Sidney Yip, han
logrado con su modelo un paso adelante importante hacia la comprensin del
extrao mundo de los defectos en los materiales. Descrito en la revista Nature,
proporciona una capacidad de prediccin aplicable a diferentes escalas. As,
puede ser utilizado no slo para predecir los defectos entre tomos, sino tambin
para el deslizamiento entre placas tectnicas, un fenmeno tras el cual se ocultan
los terremotos.

Los investigadores tambin han descrito como un defecto atmico como una grieta
o una dislocacin puede desarrollarse a partir de una onda. El mundo est lleno de
ondas invisibles, como las ondas snicas que viajan a travs del aire. Bajo ciertas
condiciones, sin embargo, una onda puede hacerse inestable. A partir de aqu,
puede aparecer un defecto en cuatro etapas. En primer lugar, la amplitud de la
onda crece. Poco a poco, la cresta se eleva, como ocurre con las olas que se
aproximan a la costa. En una tercera fase, la onda se hace tan pronunciada que
ya no puede describirse a nivel continuo y debe ser transferida a una descripcin
atmica. En una cuarta etapa, la onda de choque a escala atmica se ve atrapada
en el difcil territorio del paisaje energtico microscpico, resultando en un defecto.

El modelo no ha sido pensado de un da para otro. Est basado en muchos aos

de teora y experimentos realizados por muchas personas. Los cientficos,
adems, disponen de herramientas de computacin y experimentales que antes
no existan.

1.8 Mecanismos De La Difusin

La mayor parte de los procesos y reacciones ms importantes del tratamiento de
materiales se basa en la transferencia de masa, bien dentro de un determinado
solido (Generalmente a nivel macroscpico), o bien desde un lquido, gas u otro
slido. Esta transferencia va acompaada inseparablemente por la difusin, un
fenmeno de transporte por movimiento atmico.

Existen dos mecanismos principales de difusin en los tomos en una estructura

cristalina: (1) mecanismo de vacantes o sustitucional, y (2) el mecanismo
intersticial.

1.9 Mecanismo de difusin por vacantes o sustitucional

Los tomos pueden moverse en las redes cristalinas desde una posicin a otra si
hay presente suficiente energa de activacin, proporcionada sta por la vibracin
trmica de los tomos, y si hay vacantes u otros defectos cristalinos en la
estructura para que ellos los ocupen. Las vacantes en los metales son defectos en
equilibrio, y por ello algunos estn siempre presentes para facilitar que tenga lugar
la difusin sustitucional de los tomos. Segn va aumentando la temperatura del
metal se producirn ms vacantes y habr ms energa trmica disponible, por
tanto, el grado de difusin es mayor a temperaturas ms altas.

La energa de activacin para la difusin propia es igual a la suma de la energa

de activacin necesaria para formar la vacante y la energa de activacin
necesaria para moverla.

La siguiente tabla presenta la relacin de algunas energas de activacin para el

auto difusin en metales puros.

Tabla 1

Se pude observar que a medida que incrementa el punto de fusin del material. La
energa de activacin tambin aumenta. Esto se da porque los metales con
temperatura de fusin ms alta tienden a mayores energas de enlace entre sus
tomos. La difusin tambin puede darse por el mecanismo de vacantes en
soluciones slidas. La diferencia entre los tamaos de los tomos y las energas
de enlace entre ellos son factores que afectan la velocidad de difusin.

1.10 Mecanismo de difusin intersticial

La difusin intersticial de los tomos en redes cristalinas tiene lugar cuando los
tomos se trasladan de un intersticio a otro contiguo al primero sin desplazar
permanentemente a ninguno de los tomos de la matriz de la red cristalina. Para
que el mecanismo intersticial sea efectivo, el tamao de los tomos que se difunde
debe ser relativamente pequeo comparado con el de los tomos de la matriz. Los
tomos pequeos como los de hidrgeno, carbono, oxgeno y nitrgeno, pueden
difundirse intersticialmente en algunas redes cristalinas metlicas. Por ejemplo, el
carbono puede difundirse intersticialmente en hierro alfa BCC y hierro gamma
FCC. En la difusin intersticial de carbono en hierro, los tomos de carbono deben
pasar entre los tomos de la matriz de hierro.
Bibliografas.
Ciencia e ingeniera de los materiales, Jos Antonio Pero-Sanz Elorz,
Quinta Edicin.
Introduccin a la ciencia de materiales para ingenieros, James F.
Shackelford, 6ta Edicin.
Ciencia de materiales para ingenieros, William D. Callister Jr, Editorial
Reverte.
http://www.ita.mx/reticulas/mecanica-2010-228/Programas/FGOIMEC-2010-
228IngenieriadeMaterialesMetalicos.pdf
Materiales de ingeniera y sus aplicaciones, Flin, Richard A. Trojan Paul K,
Ultima Edicin.