Universidad Latina de Panam

Facultad de Ingeniera

Procesos de Fabricacin

Integrantes:
German N. Hernndez S. 8-915-1770
Mateo Hincapi AM569743
Sebastin Rentera

Profesor:
Erick Eloy Snchez Guerrero

Fecha:
16/08/2016

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 CONTENIDO

Introduccin ....................................................................................................................................... 3
Fabricacin de Circuitos Integrados .............................................................................................. 4
Materiales Utilizados ................................................................................................................. 4
Silicio ......................................................................................................................................... 4
MOSFET .................................................................................................................................... 4
Resistencias ............................................................................................................................ 4
Condensadores....................................................................................................................... 4
Transistor pnp lateral ............................................................................................................ 4
Resistores de base p y de base estrecha ........................................................................ 4
Pasos Generales de Fabricacin de un Circuito Integrado ....................................................... 4
Preparacin de la oblea ............................................................................................................ 4
Oxidacin ..................................................................................................................................... 5
Difusin ......................................................................................................................................... 5
Implantacin de iones ............................................................................................................... 5
Deposicin por medio de vapor qumico ............................................................................. 6
Metalizacin ................................................................................................................................. 6
Fotolitografa ............................................................................................................................... 6
Empacado..................................................................................................................................... 6
Conclusin ......................................................................................................................................... 7
Bibliografa ......................................................................................................................................... 7

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 Introduccin

La produccin de circuitos integrados requiere grandes cantidades de capital

humano y financiero y est en constante evolucin, pero unos pocos pasos
fundamentales son prominentes. Los circuitos estn construidos en obleas de silicio
puro, por lo que una clave para la produccin de circuitos integrados es la
fabricacin inicial de obleas de gran tamao en donde se puedan construir mltiples
circuitos integrados. La fotolitografa se utilizar para construir cientos de circuitos
integrados en cada oblea y luego estos circuitos se separan.

Un circuito integrado est formado por un monocristal de silicio de superficie

normalmente comprendida entre 1 y 10 mm de lado, que contiene elementos activos
y pasivos. En este captulo se describen cualitativamente los procesos empleados
en la fabricacin de tales circuitos.

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 Fabricacin de Circuitos Integrados

La fabricacin de circuitos integrados es el proceso mediante el cual se crean

circuitos integrados, presentes hoy da en todos los dispositivos electrnicos. Es un
proceso complejo y en el que intervienen numerosas etapas de fotolitografa y
procesado qumico, durante las cuales los circuitos se generan sobre una oblea
hecha de materiales puramente semiconductores. Para ello se emplea
mayoritariamente el silicio, aunque tambin se usan semiconductores compuestos
para aplicaciones especficas, como el arseniuro de galio.

Los dispositivos integrados pueden ser tanto analgicos como digitales.

Materiales Utilizados
Silicio
La fabricacin de integrados a gran escala sigue, en la actualidad un procedimiento
VLSI (Very Large Scale Integration, Integracin en escala muy grande, por sus
siglas en ingls) partiendo del Silicio como materia prima.

MOSFET
Resistencias
Condensadores
Transistor pnp lateral
Resistores de base p y de base estrecha

Pasos Generales de Fabricacin de un Circuito Integrado

Los pasos de fabricacin bsica se pueden realizar muchas veces, en diferentes

combinaciones y en diferentes condiciones de procedimiento durante un turno de
fabricacin completo.

Preparacin de la oblea
El material inicial para los circuitos integrados modernos es el silicio de muy alta
pureza, donde adquiere la forma de un cilindro slido de color gris acero de 10 a 30
cm de dimetro y puede ser de 1 m a 2 m de longitud. Este cristal se rebana para
producir obleas circulares de 400 m a 600 m de espesor, (1 m es igual a 110-
6 metros). Despus, se alisa la pieza hasta obtener un acabado de espejo, a partir

de tcnicas de pulimento qumicas y mecnicas. Las propiedades elctricas y

mecnicas de la oblea dependen de la orientacin de los planos cristalinos,

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concentracin e impurezas existentes. Para aumentar la resistividad elctrica del
semiconductor, se necesita alterar las propiedades elctricas del silicio a partir de
un proceso conocido como dopaje. Una oblea de silicio tipo n excesivamente
impurificado (baja resistividad) sera designada como material n+, mientras que una
regin levemente impurificada se designara n-. aunque podra ser n+

Oxidacin
Se refiere al proceso qumico de reaccin del silicio con el oxgeno para formar
Dixido de Silicio (SiO2). Para acelerar dicha reaccin se necesitan de hornos
ultralimpios especiales de alta temperatura. El Oxgeno que se utiliza en la reaccin
se introduce como un gas de alta pureza (proceso de oxidacin seca) o como
vapor (oxidacin hmeda). La Oxidacin hmeda tiene una mayor tasa de
crecimiento, aunque la oxidacin seca produce mejores caractersticas elctricas.
Su constante dielctrica es 3.9 y se le puede utilizar para fabricar excelentes
condensadores. El Dixido de Silicio es una pelcula delgada, transparente y su
superficie es altamente reflejante. Si se ilumina con luz blanca una oblea oxidada la
interferencia constructiva y destructiva har que ciertos colores se reflejen y con
base en el color de la superficie de la oblea se puede deducir el espesor de la capa
de xido.

Difusin
Es el proceso mediante el cual los tomos se mueven de una regin de alta
concentracin a una de baja a travs del cristal semiconductor. En el proceso de
manufactura la difusin es un mtodo mediante el cual se introducen tomos de
impurezas en el Silicio para cambiar su resistividad; por lo tanto, para acelerar el
proceso de difusin de impurezas se realiza a altas temperaturas (1000 a 1200 C),
esto para obtener el perfil de dopaje deseado. Las impurezas ms comunes
utilizadas como contaminantes son el Boro (tipo p), el Fsforo (tipo n) y el Arsnico
(tipo n). Si la concentracin de la impureza es excesivamente fuerte, la capa
difundida tambin puede utilizarse como conductor.

Implantacin de iones
Es otro mtodo que se utiliza para introducir tomos de impurezas en el cristal
semiconductor. Un implantador de iones produce iones del contaminante deseado,
los acelera mediante un campo elctrico y les permite chocar contra la superficie
del semiconductor. La cantidad de iones que se implantan puede controlarse al
variar la corriente del haz (flujo de iones). Este proceso se utiliza normalmente
cuando el control preciso del perfil del dopaje es esencial para la operacin del
dispositivo.

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Deposicin por medio de vapor qumico
Es un proceso mediante el cual gases o vapores se hacen reaccionar
qumicamente, lo cual conduce a la formacin de slidos en un sustrato. Las
propiedades de la capa de xido que se deposita por medio de vapor qumico no
son tan buenas como las de un xido trmicamente formado, pero es suficiente para
que acte como aislante trmico. La ventaja de una capa depositada por vapor
qumico es que el xido se deposita con rapidez y a una baja temperatura (menos
de 500C).

Metalizacin
Su propsito es interconectar los diversos componentes (transistores,
condensadores, etc.) para formar el circuito integrado que se desea, implica la
deposicin inicial de un metal sobre la superficie del Silicio. El espesor de la pelcula
del metal puede ser controlado por la duracin de la deposicin electrnica, que
normalmente es de 1 a 2 minutos.

Fotolitografa
Esta tcnica es utilizada para definir la geometra de la superficie de los diversos
componentes de un circuito integrado. Para lograr la fotolitografa, primeramente,
se debe recubrir la oblea con una capa fotosensible llamada sustancia
fotoendurecible que utiliza una tcnica llamada de giro; despus de esto se
utilizar una placa fotogrfica con patrones dibujados para exponer de forma
selectiva la capa fotosensible a la iluminacin ultravioleta. Las reas opuestas se
ablandarn y podrn ser removidas con un qumico, y de esta manera, producir con
precisin geometras de superficies muy finas. La capa fotosensible puede utilizarse
para proteger por debajo los materiales contra el ataque qumico en hmedo o
contra el ataque qumico de iones reactivos. Este requerimiento impone
restricciones mecnicas y pticas muy crticas en el equipo de fotolitografa.

Empacado
Una oblea de Silicio puede contener varios cientos de circuitos o chips terminados,
cada chip puede contener de 10 o ms transistores en un rea rectangular,
tpicamente entre 1 mm y 10 mm por lado. Despus de haber probado los circuitos
elctricamente se separan unos de otros (rebanndolos) y los buenos (pastillas)
se montan en cpsulas (soportes). Normalmente se utilizan alambres de oro para
conectar las terminales del paquete al patrn de metalizacin en la pastilla; por
ltimo, se sella el paquete con plstico o resina epxica al vaco o en una atmsfera
inerte.

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Conclusin

Bibliografa