UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE

SAN MARCOS

Facultad de Ingeniera
Electrnica, Elctrica y
Telecomunicaciones

Laboratorio de Circuitos electrnicos I

Experiencia N4
Informe Previo

Alumnos:
Sandoval prado Alex Jean Frank 15190087

Escuela:
Ingeniera de Telecomunicaciones

Profesor:
Alva Saldaa, Victor

I. INFORME PREVIO
Circuitos Electrnicos I UNMSM Informe Previo

1. Indicar y explicar cada una de las especificaciones de

funcionamiento de un transistor bipolar.

Composicin del transistor

El transistor es un dispositivo de tres terminales, a diferencia del diodo

que solo tiene dos terminales. El transistor consiste en dos terminales del
material de tipo P y uno de tipo N (transistores PNP) o dos terminales del
material de tipo N y uno de tipo P (transistores NPN), como muestra la figura
1.1.

Figura 1.1

Las tres capas o secciones diferentes se identifican como EMISOR,

BASE Y COLECTOR. El emisor, capa de tamao medio con altos niveles de
dopaje diseado para emitir portadores, electrones (NPN) o huecos (PNP), al
colector por medio de la base. La base, con una contaminacin baja al igual
que el tamao de su capa, diseada para dejar pasar los portadores que
inyecta el emisor hacia el colector. El colector, capa grande con niveles de
dopaje medios, diseada para colectar o recibir los portadores.

Operacin del transistor

Una explicacin sencilla pero efectiva de la operacin de un transistor

npn se lleva a cabo utilizando la tcnica del diagrama de barrera de potencial
de la figura 1.2. Este mtodo ilustra de manera simplificada la operacin bsica
de un transistor bipolar. Cuando la unin base emisor se polariza en directo y
la unin base colector en inverso, los electrones que dejan el material N del
emisor slo ven una barrera de potencial pequea en la unin np. Como la
barrera de potencial es pequea, muchos de los electrones tienen la suficiente
energa para llegar al tope de ella. Una vez en el tope, los electrones se
mueven fcilmente a travs del material P (base) a la unin pn (base-colector).

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Circuitos Electrnicos I UNMSM Informe Previo

Figura 1.2

Cuando se acercan a esta unin, los electrones se encuentran bajo la

influencia de la fuente de tensin positiva y se mueven con mucha rapidez
conforme descienden en la barrera de potencial. Si se reduce la polarizacin en
directa de la unin base emisor, aumenta la altura de la barrera de potencial.
A los electrones que dejan el emisor les ser ms difcil alcanzar el tope. Los
electrones que lo alcanzan son aquellos con mayor cantidad de energa, y los
que alcanzaran el colector. Por tanto, una reduccin en la polarizacin en
directo provoca que la corriente a travs del transistor se reduzca en forma
considerable. Por otra parte, al incrementar la polarizacin en directo de la
unin base emisor reduce la carrera de potencial y se permite el flujo de un
mayor nmero de electrones a travs del transistor.

El nombre de transistor bipolar se debe a que en el funcionamiento del

transistor existen dos corrientes, la de portadores mayoritarios y minoritario, ya
que se polariza en directa la entrada y en inversa la salida, este es el motivo
por el cual se llama bipolar.

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Circuitos Electrnicos I UNMSM Informe Previo

2. De los manuales, obtener los datos de los transistores

bipolares: 2N3904, AC127, 25C784, TR59 Y 2N2222.

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Circuitos Electrnicos I UNMSM Informe Previo

AC127

Material: Ge
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MXIMAS
Disipacin total del dispositivo (Pc): 0.34
Tensin colector-base (Vcb): 32
Tensin colector-emisor (Vce): 12
Tensin emisor-base (Veb): 10
Corriente del colector DC mxima (Ic): 0.5
Temperatura operativa mxima (Tj), C: 90
CARACTERSTICAS ELCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia ancho de banda (ft): 1.5
Capacitancia de salida (Cc), pF: 140
Ganancia de corriente continua (Hfe): 50

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3. Determinar el punto de operacin del circuito del

experimento.

Entonces el voltaje de salida ser la suma de los voltajes de C1 y

C2.

De los manuales tenemos para el transistor 2N3904 (NPN-Si):

Por ser de Silicio: (VBE Activa)

= 0,6

Ganancia de corriente: ()

= 200

TABLA 2.

Valores(R1=56K) Ic (mA) Ib (A) Vce (v) Vbe (v) Ve (v)

Tericos 9.281 46.405 200 0,677 0.6 2.052

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del circuito equivalente hallamos Rb y Vbb

12 22
= = = 3.385
+ 56 + 22

56 22
= = = 15.795
+ 56 + 22

hallar Ib (analizando la entrada )

3.385 0.6
= = = 46.405
+ ( + ) 15.795 + (200 + 1)220

hallar Ic

= = 46.576 200 = 9.281

hallar Ve ( )

= ( + ) = (9.315)220 = 2.052

hallara VCE (Analizando la salida )

= ( + ) = 12 9.281(1000 + 220) = 0.677

TABLA 3.
Valores(R1=68K) Ic (mA) Ib (A) Vce (v.) Vbe (v.) Ve (v.)
Tericos 7.669 38.345 200 1.696 0.6 2.052

del circuito equivalente hallamos Rb y Vbb

12 22
= = = 2.933
+ 68 + 22

68 22
= = = 16.622
+ 68 + 22

hallar Ib (analizando la entrada )

2.933 0.6
= = = 38.345
+ ( + ) 16.622 + (200 + 1)220

hallar Ic

= = 38.345 200 = 7.669

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hallar Ve

= ( + ) = (7.669 + 38.345)220 = 2.052

hallara VCE (Analizando la salida )

= ( + ) = 12 9.281(1000 + 220) = 1.696

TABLA N05

Para P=100 k y =

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia equivalente:

1 = 1 + 1 1 = 56 + 100 =

Hallando los siguientes valores:

12 22
= = = 1.483
+ 156 + 22

156 22
= = = 19.281
+ 156 + 22

1.483 0.6
= = = 45.796
19.281

= = 45.796 200 = 9.159

= ( ) = 12 9.159(1000) = 2.841

Para P=250 k y =

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia equivalente:

1 = 1 + 1 1 = 56 + 250 =

Hallando los siguientes valores:

12 22
= = = 0.805
+ 306 + 22

306 22
= = = 20.524
+ 306 + 22

0.805 0.6
= = = 9.988
20.524

= = 9.988 200 = 1.998

= ( ) = 12 1.998(1000) = 10.002
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Para P=500 k y =

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia equivalente:

1 = 1 + 1 1 = 56 + 500 =

Hallando los siguientes valores:

12 22
= = = 0.457
+ 556 + 22

556 22
= = = 21.163
+ 556 + 22

0.457 0
= = = 21.594
21.163

= = 21.594 200 = 4.319

= ( ) = 12 4.319(1000) = 7.681

Para P= 1M y =

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia equivalente:

1 = 1 + 1 1 = 56 + 1000 =

Hallando los siguientes valores:

12 22
= = = 0.2449
+ 1056 + 22

1056 22
= = = 21.551
+ 1056 + 22

0.2449 0
= = = 11.364
21.551

= = 11.364 200 = 2.273

= ( ) = 12 2.273(1000) = 9.727

TABLA N 05

P1 100k 250k 500k 1M

Ic(mA) 9.159 1.998 4.319 2.273
Ib(A) 45.796 9.988 21.594 11.364
Vc 2.841 10.002 7.681 9.727

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II. Bibliografa

Teora de circuitos electrnicos Boylestad

Principios de electrnica Albert Malvino
http://www.datasheetcatalog.com/

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