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Donde:
1 = 47 2 = 22 = 1.2 = 0.5 = 10
Anlisis en DC
Con Ce:
Cto. original
44mv
0 2.12
48.18
Sin Ce:
Cto.
40mv
0 52mv
1.3
con CE Sin CE
Vi 7 6.6
Vo 6.8 6
Av 1.02 1.1
4 Universidad Nacional De ingeniera
2) Dibujar las rectas de carga a partir de la tabla. Llenada en una sola hoja para
poder hacer comparaciones.
VCC VCE
IC
RC RE RC RE
R2=56k
Con: Icq=5.375 mA Vceq=0.34V (Punto Q2)
Se tiene IC = 7.05 - VCE/(1.7) (mA)
R2=3,3k
Con : Icq=0.2mA Vceq=11.77V (Punto Q3)
Se tiene IC = 7.05 - VCE/(1.7) (mA)
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La recta es :
IC (mA)
7.05
Q2
Q1
3.525
Q3
6 12 VCE (V)
Rc=3,3k
Con: Icq=2,806mA Vceq=0.11V (Punto Q4)
Se tiene IC = 3.157- VCE/(3.8) (mA)
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La recta es :
IC (mA)
3.157 Q4
1.57
6 12 VCE (V)
Vo max = 2.Icq.(RC//RL) = 15 V
Para cada transistor existe una regin sobre las caractersticas, la cual asegurara que los
valores nominales mximos no sean excedidos:
7.5 200
0.3 30
650
8) OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES.
Observamos que la regin de corte el calor de la corriente del colector es muy
pequea, debido a la polarizacion inversa de las uniones del transistor; as mismo
es de notar que en la regin de saturacin la polarizacion es directa, mientras en
la regin activa es directa debido a la unin emisor base y a la polarizacin
inversa en el colector.
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