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Aplicaciones de un cascada o multietapa

Aplicaciones de un amplificadr de 2 transistores?


Hay mchas...

.Preamplificadr de Audio

Proyecto 2: preamplificador con 2 transistores.

Con este tipo de preamplificadores podemos obtener una buena relacin entre la
ganancia y el ruido.
Podemos utilizar estos valores como base para buscar valores ideales para
nuestros requerimientos.

El circuito se auto-compensa y tiene ajuste de ganancia, hay que buscar los valores para
la mejor relacin de ganancia contra el menor ruido posible, en el diagrama est en azul.

Q1 y Q2 puede ser C945 o similar, Q1 mejor si es un transistor de bajo ruido, como los
nombrados en el preamplificador anterior.
R1 es una resistencia de 1000 ohmios (1K), en muchos casos no es necesaria.
C1 es un capacitor de 1 microfaradio, de 10 voltios en adelante.
R2 es de 150K, generalmnte no bajo de 100K ni subo de 330K.
R3 es de 150, cuando se busca mayor ganancia puede bajarse hasta 22.
R4 es de 100K, en algunos preamplificadores con bajo voltaje he utilizado hasta 33K
R5 es de 1000 ohmios (1K), al bajar el valor baja la polarizacin, bajando el voltaje en la
salida.
Su valor ptimo es cuando en las salida (colector de C2) el voltaje es algo menor que la
mitad de la alimentacin. R6 es 10K, si vamos a utilizar menor voltaje se debe bajar su
valor.
R7 es de 470 ohmios, es para filtrar la corriente de alimentacin y as evitar ruidos.
C2 capacitor de 100 microFaradios, si no hay notas bajas puede ser menor, 10 voltios o
ms.
C3 es de 10 microFaradios, de 10 voltios o mayor.
C4 capacitor de 100 microFaradios o ms, el voltaje superior a la alimentacin.
C5 puede ser de 100 picoFaradios o mayor, ayuda a reducir ruidos y altas frecuencias, en
muchos casos no es indispensable.
C6 es de 100picoFaradios, es para evitar ruidos, si para micrfonos puede ser mayor.
R8 realimenta el circuito negativamente, entre menos valor reduce la ganancia pero
aumenta la estabilidad y mejora l arelacin seal ruido. Cuando se utilizan transistores de
uso general puede ser 220K, con transistores de alta ganancia se puede aumentar hasta
470K.

Existen preamplificadores de 2 o 3 transistores en circuitos integrados, cada vez menos


comunes como el ECG1021

.Amplificadr de audio.

.Amplificadr de RF.
.Amplificadr de seales digitales.
.Amplificadr de voltaje.
.Amplificadr de corriente.
.Activacin de lmparas, rel,motores, etc.
.Adaptadr de impedancia.
.Adaptadr d nivel

1. Objetivos
2. Marco terico
3. Desarrollo
4. Conclusin

AV=1, AV=-10, AV=-10, AV=1

OBJETIVOS
OBJETIVO GENERAL:
Conocer el funcionamiento general del circuito y observar su funcionamiento a la salida del mismo.
OBJETIVOS ESPECFICOS:
? Armar correctamente el circuito.
? Verificar el funcionamiento del circuito.
? Medir con el osciloscopio la seal obtenida a la salida del circuito.

MARCO TERICO
AMPLIFICADOR DE CASCADA. DEFINICION
Un amplificador en cascada es un amplificador construido a partir de una serie de amplificadores, donde cada
amplificador enva su salida a la entrada del amplificador al lado de una cadena.
FUNCIONAMIENTO
Una conexin entre etapas de amplificador es la conexin en cascada. Bsicamente una conexin en cascada
es aquella en la cual la salida de una etapa se conecta a la entrada de la segunda etapa.
APLICACION
La conexin en cascada proporciona una multiplicacin de la ganancia en cada una de las etapas para tener
una mayor ganancia en total.
Osciloscopio
Un osciloscopio es un instrumento de medicin electrnico para la representacin grfica
de seales elctricas que pueden variar en el tiempo. Es muy usado en electrnica de seal, frecuentemente
junto a un analizador de espectro. Presenta los valores de las seales elctricas en forma de coordenadas en
una pantalla, en la que normalmente el eje X (horizontal) representa tiempos y el eje Y (vertical) representa
tensiones.

Generador de Funciones
Un Generador de Funciones es un aparato electrnico que produce ondas senoidales, cuadradas y
triangulares, adems de crear seales TTL. Sus aplicaciones incluyen pruebas y calibracin de sistemas de
audio, ultrasnicos y servo.

JFET
Puesto que hay una tensin positiva entre el drain y el surtidor, los electrones fluirn desde el surtidor al drain
(o viceversa segn la configuracin del mismo), aunque hay que notar que tambin fluye una corriente
despreciable entre el surtidor (o drain) y la puerta, ya que el diodo formado por la unin canal puerta, esta
polarizado inversamente.
En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos fluyen hacia la terminal
negativa de la batera y los electrones del material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma. Lo
anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta VDS aumenta una
regin con empobrecimiento de cargas libres.
Transistor de unin bipolar

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo
electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el
paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene
lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y
son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su
impedancia de entrada bastante baja.
Tipos de Transistor de Unin Bipolar
NPN

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los
portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de
los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la
movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de
operacin.
PNP

El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas
mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP,
debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material
dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al
terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa.

DESARROLLO
ESPECIFICACIONES.

ESQUEMA

CALCULOS ETAPA 1 JFET

CALCULOS EN ESTATICA
CALCULOS EN DINAMICA

SIMULACION INDEPENDIENTE DE LA PRIMERA ETAPA


ETAPA 2 BJT
CALCULOS EN DINAMICA

SIMULACION INDEPENDIENTE DE LA ETAPA 2

ETAPA 3 BJT
CALCULOS EN DINAMICA
SIMULACION INDEPENDIENTE DE LA ETAPA 3

ETAPA 4 BJT
SIMULACION INDEPENDIENTE DE LA ETAPA 4

SIMULACION DEL CIRCUITO CASCADA 4 ETAPAS


CONCLUSION
En esta prctica se pudo comprobar ganancia deseado al ingresar 50Mv obteniendo una salida de 5V, los
cuales resultado bien ya que se obtuvo una ganancia bien aproximada a lo esperado
RECOMENDACION
? Conectar de forma correcta los elementos del circuito para as evitar daos materiales.
? Comprobar que el JFET y el BJT estn conectados de acuerdo a sus especificaciones.

Autor:
Diego Dominguez
Miguel Cajas
LABORATORIO DE ELECTRONICA ANALOGICA II
DOCENTE ING. LUIS ABAD

Leer ms: http://www.monografias.com/trabajos91/amplificador-4-etapas/amplificador-4-


etapas.shtml#ixzz4jwcssl19

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