Circuitos Electrnicos

Integrados

Sesin n1

Dispositivos Integrados

Copyright noviembre de 2014 por TECSUP

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OBJETIVOS:

Diferenciar los tipos de circuitos lineales y

circuitos digitales.
Conocer los distintos procesos que intervienen
en la fabricacin.

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 Introduccin
Slo ha trascurrido medio siglo desde que se inici su
desarrollo (El primer circuito integrado fue desarrollado en
1959 por el ingeniero Jack S. Kilby, se trataba de un
dispositivo de germanio que integraba seis transistores en
una misma base semiconductora.
Los circuitos electrnicos integrados los encontramos casi en
todas partes en computadoras, telfonos mviles y
Controladores industriales(PLC), etc.
La informtica, las comunicaciones, la manufactura y los
sistemas de transporte, incluyendo Internet, todos dependen
de la existencia de los circuitos electrnicos integrados.

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Circuitos Electrnicos integrados

Un circuito integrado (CI), tambin conocido como chip o

microchip o encapsulado, es una pastilla pequea de
material semiconductor, de algunos milmetros cuadrados de
rea, sobre la que se fabrican circuitos electrnicos (que
contienen circuitos lineales y circuitos digitales) y que est
protegida dentro de un encapsulado de plstico o cermica. El
encapsulado posee conductores metlicos apropiados
(patillas) para hacer conexin entre el encapsulado (pastilla) y
un circuito impreso (donde se va soldar).

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Un circuito integrado lineal: se manejan seales
continuas, ejemplo: reguladores de voltaje.

Un circuito integrado digitales: se manejan seales

discretas (0s y 1s), ejemplo: Compuertas lgicas.

Aunque existen circuitos integrados (CIs) que contiene

solamente circuitos lineales o circuitos digitales, existen
varios dispositivos que contiene ambos como es el caso de
los circuitos comparadores, convertidores anlogo/digital,
circuitos temporizadores, circuitos osciladores controlados
por voltaje (VCO-Voltaje controlled oscillator).

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Integracin de circuitos integrados

La integracin de los circuitos integrados depende mucho de la

fabricacin de estos circuitos que es el proceso mediante el
cual se crean los circuitos integrados presentes hoy da en
todos los dispositivos electrnicos. Es un proceso complejo y
en el que intervienen numerosas etapas y procesado qumico,
durante las cuales los circuitos son hechos de materiales
puramente semiconductores. Para ello se emplea
mayoritariamente el silicio o el germanio, aunque tambin se
usan semiconductores compuestos para aplicaciones
especficas, como el arseniuro de galio.

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Segn el nivel de integracin y nmero de componentes los
circuitos integrados se pueden clasificar en:

SSI (Small Scale Integration) pequeo nivel: de 10 a 100

transistores.
MSI (Medium Scale Integration) medio: 101 a 1.000
transistores.
LSI (Large Scale Integration) grande: 1.001 a 10.000
transistores.
VLSI (Very Large Scale Integration) muy grande: 10.001 a
100.000 transistores.
ULSI (Ultra Large Scale Integration) ultra grande: 100.001 a
1.000.000 transistores.
GLSI (Giga Large Scale Integration) giga grande: ms de un
milln de transistores.

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 Tipos de circuitos integrados
Tenemos tres tipos de circuitos integrados:
Circuitos monolticos: Estn fabricados en un solo monocristal,
comnmente de silicio, pero tambin existen en germanio, arseniuro de
galio, silicio-germanio, etc.
Circuitos hbridos de capa fina: Similares a los circuitos monolticos,
pero, adems, contienen componentes difciles de fabricar con
tecnologa monoltica. Por ejemplo conversores A/D y conversores D/A
se fabricaron en tecnologa hbrida.
Circuitos hbridos de capa gruesa: Contienen circuitos monolticos
sin cpsula, transistores, diodos y sobre un sustrato dielctrico,
interconectados con pistas conductoras. Los resistores se depositan
por serigrafa y se ajustan hacindoles cortes con lser. Todo ello se
encapsula, en cpsulas plsticas o metlicas, dependiendo de la
disipacin de energa calrica requerida. En muchos casos se cubre el
circuito con una resina epoxi para protegerlo. En el mercado se
encuentran circuitos hbridos para aplicaciones en mdulos de radio
frecuencia (RF), fuentes de alimentacin, circuitos de encendido para
automvil, etc.
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 Tecnologa de Fabricacin

La fabricacin de integrados a gran escala sigue, en la

actualidad un procedimiento VLSI (Very Large Scale
Integration, Integracin en escala muy grande) partiendo
del Silicio como materia prima y desarrollos recientes en
tecnologas de aleacin de Silicio-Germanio (SiGe).

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Fabricacin de un Circuito Integrado
Preparacin de la oblea
El material para los circuitos integrados modernos es el silicio
de muy alta pureza, donde adquiere la forma de un cilindro
slido de color gris acero de 10 a 30 cm de dimetro y puede
ser de 1 m a 2 m de longitud . Despus, se alisa la pieza hasta
obtener un acabado de espejo, a partir de tcnicas de
pulimento qumicas y mecnicas. Las propiedades elctricas y
mecnicas de la oblea dependen de la orientacin de los
planos cristalinos, concentracin e impurezas existentes. Para
aumentar la resistividad elctrica del semiconductor, se
necesita alterar las propiedades elctricas del silicio a partir de
un proceso conocido como dopaje. Una oblea de silicio tipo n
excesivamente impurificado (baja resistividad) sera designada
como material n+, mientras que una regin levemente
impurificada se designara n- aunque podra ser n+.

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Fabricacin de un Circuito Integrado

Oxidacin
Es el proceso qumico de reaccin del silicio con el oxgeno para
formar Dixido de Silicio (SiO2). Para acelerar dicha reaccin se
necesitan de hornos ultralimpios especiales de alta temperatura.
El Oxgeno que se utiliza en la reaccin se introduce como un
gas de alta pureza (proceso de oxidacin seca) o como vapor
(oxidacin hmeda). La Oxidacin hmeda tiene una mayor
tasa de crecimiento, aunque la oxidacin seca produce mejores
caractersticas elctricas. Su constante dielctrica es 3.9 y se le
puede utilizar para fabricar excelentes condensadores. El Dixido
de Silicio es una pelcula delgada, transparente y su superficie es
altamente reflejante. Si se ilumina con luz blanca una oblea
oxidada la interferencia constructiva y destructiva har que
ciertos colores se reflejen y con base en el color de la superficie
de la oblea se puede deducir el espesor de la capa de xido.
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Fabricacin de un Circuito Integrado

Difusin
Es el proceso mediante el cual los tomos se mueven de una
regin de alta concentracin a una de baja a travs del cristal
semiconductor. En el proceso de manufactura la difusin es un
mtodo mediante el cual se introducen tomos de impurezas en
el Silicio para cambiar su resistividad; por lo tanto, para acelerar
el proceso de difusin de impurezas se realiza a altas
temperaturas (1000 a 1200 C), esto para obtener el perfil de
dopaje deseado. Las impurezas ms comunes utilizadas como
contaminantes son el Boro (tipo p), el Fsforo (tipo n) y el
Arsnico (tipo n). Si la concentracin de la impureza es
excesivamente fuerte, la capa difundida tambin puede
utilizarse como conductor.

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Fabricacin de un Circuito Integrado

Implantacin de iones
Se utiliza para introducir tomos de impurezas en el cristal
semiconductor. Un implantador de iones produce iones del
contaminante deseado, los acelera mediante un campo
elctrico y les permite chocar contra la superficie del
semiconductor. La cantidad de iones que se implantan puede
controlarse al variar la corriente del haz (flujo de iones). Este
proceso se utiliza normalmente cuando el control preciso del
perfil del dopaje es esencial para la operacin del dispositivo.

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Fabricacin de un Circuito Integrado

Deposicin por medio de vapor qumico

Es un proceso mediante el cual gases o vapores se hacen
reaccionar qumicamente, lo cual conduce a la formacin
de slidos en un sustrato. Las propiedades de la capa de
xido que se deposita por medio de vapor qumico no son
tan buenas como las de un xido trmicamente formado,
pero es suficiente para que acte como aislante trmico. La
ventaja de una capa depositada por vapor qumico es que
el xido se deposita con rapidez y a una baja temperatura
(menos de 500C).

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Fabricacin de un Circuito Integrado

Metalizacin
Su propsito es interconectar los diversos componentes
(transistores, condensadores, etc.) para formar el circuito
integrado que se desea, implica la deposicin inicial de un
metal sobre la superficie del Silicio. El espesor de la pelcula
del metal puede ser controlado por la duracin de la
deposicin electrnica, que normalmente es de 1 a 2 minutos.

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Fabricacin de un Circuito Integrado
Fotolitografa
Esta tcnica es utilizada para definir la geometra de la
superficie de los diversos componentes de un circuito
integrado. Para lograr la fotolitografa, primeramente se debe
recubrir la oblea con una capa fotosensible llamada sustancia
fotoendurecible que utiliza una tcnica llamada de giro;
despus de esto se utilizar una placa fotogrfica con patrones
dibujados para exponer de forma selectiva la capa fotosensible
a la iluminacin ultravioleta. Las reas opuestas se ablandarn
y podrn ser removidas con un qumico, y de esta manera,
producir con precisin geometras de superficies muy finas. La
capa fotosensible puede utilizarse para proteger por debajo los
materiales contra el ataque qumico en hmedo o contra el
ataque qumico de iones reactivos. Este requerimiento impone
restricciones mecnicas y pticas muy crticas en el equipo de
fotolitografa.
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Fabricacin de un Circuito Integrado

Empacado
Una oblea de Silicio puede contener varios cientos de
circuitos o chips terminados, cada chip puede contener de 10
o ms transistores en un rea rectangular, tpicamente entre 1
mm y 10 mm por lado. Despus de haber probado los
circuitos elctricamente se separan unos de otros
(rebanndolos) y los buenos (pastillas) se montan en
cpsulas (soportes). Normalmente se utilizan alambres de
oro para conectar las terminales del paquete al patrn de
metalizacin en la pastilla; por ltimo, se sella el paquete con
plstico o resina epxica al vaco o en una atmsfera inerte.

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Componentes Electrnicos ms
usados en el diseo de circuitos
MOSFET
Se prefiere el MOSFET canal n al MOSFET canal p. La
movilidad de la superficie de electrones del dispositivo de canal
n es de dos a cuatro veces ms alta a la de los huecos. Este
transistor ofrece una corriente ms alta y una resistencia baja;
as como una transconductancia ms alta. Su diseo se
caracteriza por su voltaje de umbral y sus tamaos de
dispositivos, en general, los MOSFET (tipo n o p) se disean
para que tengan voltajes de umbral de magnitud similar para un
proceso particular; por lo tanto, los circuitos MOSFET son
mucho ms flexibles en su diseo.

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Componentes Electrnicos ms usados en el
diseo de circuitos
Resistencias
Las regiones de distinta difusin tienen diferente resistencia. El
pozo en general se utiliza para resistencias de valor medio,
mientras que las difusiones n+ y p+ son tiles para resistencias de
valor bajo. Cuando se disea un valor real de una resistencia se
hace a travs del cambio de la longitud y el ancho de las regiones
difundidas. Todas las resistencias difundidas estn autoaisladas
por las uniones pn polarizadas a la inversa. Sin embargo una
desventaja es que estn acompaadas por una sustancial
capacitancia parsita de unin que los hace no muy tiles en el uso
de frecuencias altas. Adems, es posible que exista una variacin
en el valor real de la resistencia cuando se aumenta el voltaje
debido a un efecto llamado JFET. Para obtener un valor ms
exacto, se recomienda que se fabrique con una capa de polisilicio
que se coloca encima del grueso campo de xido.

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Componentes Electrnicos ms usados en el
diseo de circuitos
Condensadores
Existen 2 tipos de estructura de condensador en los procesos CMOS,
condensadores MOS y de interpolietileno. La capacitancia de compuerta
MOS es bsicamente la capacitancia de compuerta a fuente de un
MOSFET, la cual depende del rea de dicha compuerta; este
condensador exhibe una gran dependencia del voltaje, para eliminar este
problema, se requiere un implante n+ adicional para formar la placa
inferior de los condensadores. Estos dos condensadores MOS estn
fsicamente en contacto con el sustrato, lo que produce una gran
capacitancia parsita en la unin pn en la placa inferior. El condensador
interpoli exhibe caractersticas casi ideales pero a expensas de incluir
una segunda capa de polisilicio en el proceso CMOS, donde los efectos
parsitos se mantienen al mnimo. Para los 2 tipos de condensadores
anteriormente indicados (interpoli y MOS), los valores de capacitancia
pueden controlarse hasta un margen de error de 1%. Esta propiedad es
extremadamente til para disear circuitos CMOS analgicos de
precisin.

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Componentes Electrnicos ms usados en el
diseo de circuitos

Transistor pnp lateral

Cuando se utilizan este tipo de dispositivos electrnico, el pozo
n sirve como regin de base n con difusiones p+ como emisor
y colector. La separacin de entre las dos difusiones determina
el ancho de la base. Como el perfil de dopaje no est
perfeccionado para las uniones base-colector, y como el ancho
de la base est limitado por la resolucin de fotolitogrfica
mnima, el desempeo de este dispositivo no es muy bueno.

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Componentes Electrnicos ms usados en el
diseo de circuitos

Resistores de base p y de base estrecha

La difusin en la base p se puede utilizar para formar un
resistor de base p directo. Como la regin de la base es, por
lo general, de un nivel de dopaje relativamente bajo y con una
profundidad de unin moderada, es adecuada para resistores
de valor medio. Si se requiere un resistor de valor grande, se
puede utilizar el de base estrecha; ya que exhiben malos
coeficientes de tolerancia y temperatura pero una
coincidencia relativamente buena.

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 Limitaciones de los circuitos integrados

Disipacin de potencia
Como sabemos los circuitos elctricos disipan potencia. Cuando el nmero de
componentes integrados en un volumen dado crece, las exigencias en cuanto a
disipacin de esta potencia, tambin crecen, calentando el sustrato y degradando
el comportamiento del dispositivo. Adems, en muchos casos es un sistema de
realimentacin positiva, de modo que cuanto mayor sea la temperatura, ms
corriente conducen, fenmeno que se suele llamar "embalamiento trmico" y,
que si no se evita, llega a destruir el dispositivo. Los amplificadores de audio y los
reguladores de tensin son proclives a este fenmeno, por lo que suelen
incorporar protecciones trmicas.
Los circuitos de potencia, evidentemente, son los que ms energa deben disipar.
Para ello su cpsula contiene partes metlicas, en contacto con la parte inferior
del chip, que sirven de conducto trmico para transferir el calor del chip al
disipador o al ambiente. La reduccin de resistividad trmica de este conducto,
as como de las nuevas cpsulas de compuestos de silicona, permiten mayores
disipaciones con cpsulas ms pequeas.

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Limitaciones de los circuitos integrados

Capacidades y autoinducciones parsitas

Este efecto se refiere principalmente a las conexiones
elctricas entre el chip, la cpsula y el circuito donde va
montada, limitando su frecuencia de funcionamiento. Con
pastillas ms pequeas se reduce la capacidad y la
autoinduccin de ellas. En los circuitos digitales excitadores
de buses, generadores de reloj, etc, es importante mantener
la impedancia de las lneas y, todava ms, en los circuitos
de radio y de microondas.

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 Limitaciones de los circuitos integrados

Lmites en los componentes

Los componentes disponibles para integrar tienen ciertas
limitaciones, que difieren de sus contrapartidas discretas.
Resistores. Son indeseables por necesitar una gran cantidad
de superficie. Por ello slo se usan valores reducidos y en
tecnologas MOS se eliminan casi totalmente.
Condensadores. Slo son posibles valores muy reducidos y
a costa de mucha superficie. Como ejemplo, en el
amplificador operacional A741, el condensador de
estabilizacin viene a ocupar un cuarto del chip.
Inductores. Se usan comnmente en circuitos de
radiofrecuencia, siendo hbridos muchas veces. En general
no se integran.

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Limitaciones de los circuitos integrados

Densidad de integracin

Durante el proceso de fabricacin de los circuitos integrados

se van acumulando los defectos, de modo que cierto nmero
de componentes del circuito final no funcionan correctamente.
Cuando el chip integra un nmero mayor de componentes,
estos componentes defectuosos disminuyen la proporcin de
chips funcionales. Es por ello que en circuitos de memorias,
por ejemplo, donde existen millones de transistores, se
fabrican ms de los necesarios, de manera que se puede
variar la interconexin final para obtener la organizacin
especificada.

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 Diferencias fundamentales entre
dispositivos integrados lineales y digitales

Lineales Digitales
Trabajan con seales continuas(mA, Trabajan con seales discretas(0s y
A, mV, V). 1s lgicos).
Menor nmero de componentes que Mayor nmero de componentes que
intervienen en su fabricacin. intervienen en su fabricacin.
Son ms robustos pues soportan Son menos robustos generalmente
mayor corriente trabajan con miliamperios.

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 REFERENCIA BIBLIOGRAFICAS

Boylestad, Robert L. (2003). Electrnica: Teora de

circuitos. Mxico D.F. : Prentice Hall
(621.381/B78/2003.)
Savant, C.J. (1992) Diseo electrnico: Circuitos y
sistemas. Wilmington: Addison Wesley (621.381C/S25).
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 Enlaces web

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http://www.unicrom.com/Tut_transistor_bipolar.asp
http://www.comunidadelectronicos.com/proyectos/fuente5.htm
http://www.hispazone.com/conttuto.asp?IdTutorial=98
http://www.hispavila.com/3ds/lecciones/lecc3part2.htm

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