FOTOWOLTAIKA - czyli odnawialne rd o energii

I. Czysta energia
S o ce jest niewyczerpalnym rd em czystej energii. Z bogactwa tego mo na korzysta
dzi ki modu om fotowoltaicznym. Systemy fotowoltaiczne dzia aj" niezale nie od sieci
energetycznej, gwarantuj"c sta e dostawy energii nawet w przypadku awarii sieci. S"
niezale ne od pogody, produkuj"c energi rwnie w pochmurne dni.
Energia s oneczna jest bezp atna i efektywna. Nat enie promieniowania s onecznego w
naszym kraju jest r ne w zale no'ci od regionu i waha si w granicach od 1 do 1,15
kW h/m2, co przedstawia Rys. 1.

Rys. 1 .rednia roczna energia promieniowania s onecznego w Polsce

Ka da kilowatogodzina wyprodukowana ze s o ca pozwala unikn" emisji 0,8 - 1 kg CO2.

Polska energetyka, korzystaj"c ze z w gla, mocno zanieczyszcza atmosfer . Przy produkcji
1 MW energii w ci"gu godziny powstaje 16 kg dwutlenku siarki, 12 kg tlenku w gla
i w glowodorw oraz 4 kg tlenkw azotu.
Przy obecnym bardzo wysokim poziomie zu ycia energii jej konwencjonalne rd a takie
jak ropa naftowa, w giel czy gaz zostan" wyczerpane w ci"gu nast pnych 40 lat.
II. Historia ogniwa fotowoltaicznego
A. C. Becquerel w 1839 r., zaobserwowa po raz pierwszy efekt fotowoltaiczny w obwodzie
dwch elektrod o'wietlonych (chlorkowo srebrowych) zanurzonych w elektrolicie.
W. Adams i R. Day w 1876 r., zaobserwowali to zjawisko na granicy dwch cia sta ych
(selen platyna). Pierwsze ogniwa selenowe mia y sprawno' 0,5%.
Zdecydowanie najwi kszy wp yw na rozwj ogniw s onecznych mia a metoda produkcji
kryszta w krzemu o wysokiej czysto'ci opracowana przez Czochralskiego (na prze omie lat
1940 i 1950).
Urz"dzenia pok adowe satelity Vanguard (1958) zasilane by y przez krzemowe ogniwa
s oneczne o sprawno'ci 11% - pierwsze zastosowanie takich ogniw.
Obserwacja efektu fotowoltaicznego przez D. C. Reynoldsa, w z "czu stopu metalu (Cu
monokryszta CdS), doprowadzi a do otrzymania w latach sze' dziesi"tych pierwszych
cienkowarstwowych ogniw s onecznych (Cu2S-CdS).
D. M. Chapin, S. C. Fellerand i G. L. Person dokonali kolejnego post pu, buduj"c z
u yciem monokryszta u krzemu, ogniwo o sprawno'ci ok. 6%. Praktyczne stosowanie ogniw
s onecznych by o mo liwe dopiero od pocz"tku lat 70, gdy opracowano stosunkowo tani
technologie wytwarzania kryszta w krzemu i p przewodnikw.
III. Zasada dzia ania ogniwa
Zasada dzia ania ogniwa fotowoltaicznego, opiera si na absorpcji promieniowania
'wietlnego docieraj"cego do p przewodnika. Ilo'ciowo absorpcja okre'lona jest tzw.
wsp czynnikiem absorpcji ( ) [oznacza odwrotno' grubo'ci p przewodnika, w ktrej
moc prom. Zmniejsza si e - krotnie]. Efektem absorpcji promieniowania 'wietlnego jest
generacja pary dziura elektron. Istniej"ce w z "czu p - n wbudowane pole elektryczne
rozdziela powsta e pary dziura elektron kieruj"c elektrony do obszaru typu n, a dziury do
obszaru typu p.
IV. Budowa ogniwa i mechanizm fotowoltaiczny
Komrk fotowoltaiczn" stanowi p ytka z krzemu. Powierzchnia jej zawiera r ne
domieszki tworz"c strefy N i P. Na granicy tych dwch stref powstaje pole elektryczne.
Foton padaj"c na p ytk krzemow" mo e uwolni elektron; tworz"c jednocze'nie par
elektron - dziura. Elektron uzyskawszy odpowiedni" energi mo e przemie'ci si w
kierunku "cza NP, w ktrym pole elektryczne powoduje skierowanie go do strefy N.
Pomi dzy bokami p ytki N i P powstaje napi cie. W ten sposb pod dzia aniem 'wiat a,
p ytka ta staje si generatorem pr"du elektrycznego. Gdy brak jest o'wietlenia, p ytka
stanowi element pasywny. Siatki metalowe na 'ciankach p ytki pe ni" rol elektrod
zbieraj"cych pr"d.
Ogniwo sk ada si z grubego obszaru typu p, zwanego baz" cienkiej warstwy n, zwanej
emiterem, jednowarstwowej lub wielowarstwowej pow oki przeciwodbiciowej (zarazem
pasywuj"cej) oraz kontaktw metalowych na grnej i dolnej powierzchni. Dolny kontakt
pokrywa zazwyczaj ca " powierzchni . Kontakt grny wykonywany jest w formie siatki

2
zakrywaj"cej kilka procent ca ej powierzchni. Takie rozwi"zanie technologiczne jest
kompromisem pomi dzy rezystancj" szeregow" i efektywn" powierzchni" ogniwa
umo liwiaj"c" przenikanie promieniowania do wn trza p przewodnika. Budow ogniwa
przedstawia Rys. 2.

Rys. 2 Budowa ogniwa fotowoltaicznego

Energia promieniowania elektromagnetycznego g wnie w zakresie 'wiat a
widzialnego powoduje wybijanie w p przewodnikach elektronw z pasma walencyjnego na
poziom przewodnictwa. W miejscu wybitego wi"zania sieci krystalicznej elektronu (-)
powstaje dziura (+). Dziura jest rekombinowana elektronem z s"siaduj"cego w z a sieci
krystalicznej w ktrym powstaje nowa dziura. W przewodniku typu P jest przewaga dziur,
natomiast w typu N jest przewaga elektronw. Do struktury krystalicznej materia u bazowego
np. krzemu, wprowadza si atomy o charakterze donorw (np. fosfor typ N) lub akceptorw
(np. bor typ P). Na styku tych dwch p przewodnikw tworzy si bariera zaporowa, w
wyniku pierwotnej rokombinacji ujemna w obszarze typu P i dodatnia w obszarze typu N.
Bez 'wiat a dziury w druj" na lewo i p ynie niewielki wsteczny pr"d dyfuzyjny Id.

Rys. 3 Mechanizm fotowoltaiczny:

a) mechanizm powstania dziury,

3
b) wsteczny pr"d szcz"tkowy dyfuzyjny (bez 'wiat a),
c) przep yw pr"du (o'wietlenie).
Fotony padaj"ce na z "cze PN o energii wi kszej ni szeroko' przerwy energetycznej
p przewodnika, powoduje powstanie w tym miejscu pary elektron dziura ((-) i (+)). Pole
elektryczne wok p przewodnika przesuwa no'niki r nych znakw w przeciwne strony:
dziury do obszaru P, a elektrony do obszaru N, co powoduje powstanie zewn trznego
napi cia elektrycznego na z "czu efekt fotowoltaiczny. Rozdzielone adunki s" no'nikami
nadmiarowymi o niesko czonym czasie ycia, napi cie na z "czu PN jest sta e i z "cze dzia a
jak ogniwo elektryczne. Mechanizm tego zjawiska w wyniku ktrego p ynie pr"d w
fotoogniwie przedstawia Rys. 3c.
Energi fotonu przedstawia wzr:

hv
E = hv = ( IV.1)

dla promieniowania s onecznego upraszcza si do postaci:

1,24
E= ( IV.2)

-d ugo' fali wyra ona w mikrometrach

Nie wszystkie fotony maj" odpowiedni" energi do wybijania w p przewodnikach
elektronw, ktrych praca wyj'cia z pasma walencyjnego na poziom przewodnictwa katody
wynosi 2 eV. Z podstawienia tej warto'ci do rwnania (IV.2) wynika, e dokona tego mo e
promieniowanie o d ugo'ci fali mniejszej ni 0,64 m. Warunek ten spe nia tylko 30%
promieniowania s onecznego docieraj"cego do powierzchni Ziemi.
Sprawno' konwersji energii s onecznej na energi elektryczn" wyra a zale no' :

IU
= 100% ( IV.3)
EA
I,U odpowiednio nat enie pr"du i napi cie elementu fotoelektrycznego,
A powierzchnia fotoogniwa.
Sprawno' fotoogniwa mo na rwnie wyrazi wzorem:

I k U oc FF
= 100% ( IV.4)
EA
Ik pr"d zwarcia,
Uoc napi cie otwartego obwodu,
FF wsp czynnik wype nienia charakterystyki.

4
Wsp czynnik FF charakteryzuj"cy fotoogniwa jest stosunkiem pola prostok"ta
wyznaczonego przez Ik i Uoc dla pola pod charakterystyk" (Rys. 10).
Stosuje si teksturyzacj przedniej b"d obu powierzchni, (dzi ki czemu pow. nie jest
p aska-jest ukszta towana piramidalnie). Cz ' promieniowania odbijanego mo e zosta
ponownie poch oni ta, a w efekcie droga 'wiat a w p przewodniku ulega wyd u eniu-daje to
lepsze warunki absorpcji w zakresie podczerwieni. Sytuacj przedstawia Rys. 4.

Rys. 4 Teksturyzacja przedniej powierzchni ogniwa - promie odbity od powierzchni dociera ponownie do
p aszczyzny p przewodnika

Przy o'wietleniu ogniwa, koncentracja no'nikw wzrasta (przyrost no'nikw

mniejszo'ciowych jest znacznie wi kszy ni no'nikw wi kszo'ciowych).

Rys. 5 Charakterystyka pr"dowo - napi ciowa ogniwa przy o'wietleniu

Gdy ogniwo jest o'wietlone, wwczas dzia a jak generator pr"du. W zwi"zku, czym
schemat elektryczny przedstawia symbol rd a pr"dowego pod "czony rwnolegle do diody.
W zale no'ci od przedstawienia ogniwa ( rd o lub obci" enie) otrzymujemy odbicie lub
przesuni cie krzywej rwnolegle do osi pr"du.

5
Rys. 6 Rwnowa ny schemat ogniwa s onecznego odpowiadaj"cy modelowi jednodiodowemu

Rys. 7 Charakterystyka pr"dowo - napi ciowa, przy braku o'wietlenia

Napi cie progowe o warto'ci 0.5V po przekroczeniu, ktrego gwa townie zaczyna
rosn" pr"d przy polaryzacji w kierunku przewodzenia, oraz napi cie przebicia o warto'ci
ok.20V dla polaryzacji w kierunku zaporowym.

Rys. 8 Wp yw nat enia 'wiat a na napi cie ogniwa

Voc napi cie ogniwa otwartego (open circuit voltage),

Isc pr"d zwarciowy (short circuit current).

6
Rys. 9 Moc generowana przez ogniwo s oneczne w zale no'ci od punktu pracy

Dzia anie ogniwa mo na wyja'ni jako trzystopniowy proces:

Absorpcja absorberem jest materia p przewodnikowy.
Rozdzielenie (separacja) adunkw elektrony i dziury w p przewodnikach
rozdzielane s" w efekcie procesw tzw. dyfuzji oraz dryftu no'nikw adunku
elektrycznego w obszarze adunku przestrzennego z "cza n p. S" te inne
mechanizmy rozdzielania no'nikw, np. proces tunelowania elektronw przez bardzo
cienk" warstw izolatora.
Przep yw adunkw rozdzielenie adunkw prowadzi do powstania napi cia
pomi dzy dwoma obszarami ogniwa. Aby te adunki mo na by o odprowadzi
potrzebne s" kontakty (powinny charakteryzowa si nisk" warto'ci" rezystancji
kontaktu).
Podstawowe parametry komrki fotowoltaicznej okre'la jej charakterystyka pr"dowo-
napi ciowa I=f(U) w danych warunkach o'wietlenia i temperatury.
Maksymaln" moc:

Pmax = I maxU max ( IV.5)

wydzielon" na rezystancji obci" enia jako pole zaciemnionego prostok"ta przy danym
nat eniu promieniowania pokazano na Rys. 10.

Rys. 10 Charakterystyka pr"dowo napi ciowa

o'wietlonego ogniwa a-Si

7
Rys. 11 Charakterystyki komrki fotowoltaicznej przy r nym nat eniu napromieniowania
Na charakterystyce (Rys. 11) wyr niono trzy punkty:
punkt optymalnego dzia ania, ktry odpowiada mocy maksymalnej (Pmax) dostarczanej
przez komrk , pkt. ten okre'laj" warto'ci napi cia i pr"du, odpowiednio (Up i Ip),
punkt w ktrym napi cie jest rwne zeru i warto' pr"du jest maks. (pr"d zwarcia-Iz),
punkt ktry odpowiada zerowej warto'ci pr"du i maksymalnej warto'ci napi cia
(napi cie przy otwartym obwodzie Uo).
Warto' pr"du dostarczanego z komrki jest praktycznie proporcjonalna do ilo'ci fotonw
otrzymanych przez komrk , natomiast napi cie jest stosunkowo sta e.
Warto' mocy wytwarzanej jest proporcjonalna do nat enia napromieniowania. Rys. 11
wskazuje na to, e komrka fotowoltaiczna jest w stanie przetwarza energi s oneczn" nawet
przy ma ych warto'ciach o'wietlenia ( rano, wieczr, zachmurzenie).
Ze wzrostem temperatury pr"d zwarcia ro'nie, a napi cie obwodu otwartego maleje,
przedst. Rys. 12.

Rys. 12 Wp yw temperatury na przebieg charakterystyk komrki fotowoltaicznej

8
Rys. 13 Wp yw nas onecznienia na charakterystyk I(U) ogniwa a-Si
Wzrost pr"du zwarcia jest zwi"zany ze zmniejszeniem szeroko'ci pasma zabronionego
materia u p przewodnikowego, zmniejszenie napi cia obwodu otwartego wynika ze
wzrostem pr"du Id. Wskutek tego nast puje niewielkie zmniejszenie mocy maksymalnej.
Ze wzrostem temperatury charakterystyki pr"dowo napi ciowe ulegaj" zmianie, gdy
pr"d zwarciowy wzrasta (rz du 1% na 1TC) napi cie obwodu otwartego maleje (rz du 2mV
na 1TC). Moc maksymalna jest mniejsza (rz du 0,4% na 1TC). Pomiar temp. komrek mo na
zrealizowa za pomoc" sond rezystancyjnych z platyny, przyklejonych na powierzchni
frontalnej i tylnej modu w fotowoltaicznych. W celu ograniczenia wp ywu promieniowania
sondy zazwyczaj pokrywane s" ywic" epoksydow".

I.
Rys. 14 Wp yw temperatury na sprawno' r nych ogniw
Poprawienie sprawno'ci ogniwa jest mo liwe g wnie przez:
zwi kszenie wsp czynnika wype nienia charakterystyki (FF) przez bardziej
zaawansowan" technologi ,
zmniejszenie odbi przez zastosowanie pow ok antyrefleksyjnych,
zmian materia u z ktrego jest wykonane ogniwo, np. w stosunku do krzemu
amorficznego sprawno' ogniwa polikrystalicznego zwi ksza si 1,4 razy,

9
 monokrystalicznego 1,8 razy, ogniwa z arsenku galu (GaAs) 2,2 razy, ogniwa
GaAs/GaAsAl monokrystalicznego i heteroz "czowego 2,3 razy i ogniwa
AlGaAs/Si monolitycznego dwuz "czowego sprawno' wzrasta 2,85 razy,
zmniejszenie temperatury powierzchni adsorpcyjnej (wp yw temperatury na
sprawno' ogniwa przedstawiono na Rys. 14.
Zastosowanie koncentratorw promieniowania s onecznego.
Wsp czesne ogniwa s oneczne sk adaj" si z nast puj"cych warstw: metalicznego
pod o a (folia Al), p przewodnika typu N, p przewodnika typu P, metalowych elektrod
zbiorczych, drugiej warstwy krzemu i warstwy przeciwodblaskowej. Powierzchnie s"
grawerowane laserowo w celu zapewnienia odpowiedniej ich faktury. Poszczeglne warstwy
s" napylone dyfuzyjnie i trawione na przemian. Na Rys. 15 przedstawiono rozwj
konstrukcyjny ogniw s onecznych.

Rys. 15 Rozwj ogniw fotowoltaicznych

V. Nowe australijskie ogniwa s oneczne

10
 G wny problem w rozpowszechnieniu baterii s onecznych to ich cena, jednak pod
tym wzgl dem mo e okaza si prze omem wynalazek australijskich naukowcw dr. K.
Webera i prof. A. Blakersa z Australijskiego Uniwersytetu Narodowego. Technologia o
nazwie silver polega na odpowiednim wykonaniu ogniw s onecznych w postaci paskw o
szeroko'ci 1,5 mm, d ugo'ci 10cm i 0,05mm grubo'ci (powierzchnia 1,5 cm2) ze
standardowych p ytek krzemowych.

Rys. 16 Widok ogniwa Silver w przekroju

Rys. 17 Paski krzemowe u ywane do produkcji ogniwa Silver

Rys. 18 Paski krzemowe u ywane do produkcji ogniwa Silver

Paski te p niej uk ada si na szklanym pod o u, ktre po po "czeniu tworz" modu
baterii s onecznej. W du ym uproszczeniu mo na powiedzie , e ogniwa s oneczne te r ni"
si od konwencjonalnych procesem wycinania z p ytek krzemowych odpowiednich
elementw.

11
Rys. 19 Pasek krzemowy u ywany do produkcji ogniwa Silver, widok z bliska

Rys. 20 Przej'cie 'wiat a przez ogniwo Silver

Z p ytki o 'rednicy 15cm mo na wykona a 100 ogniw silver o "cznej
powierzchni 1500 cm2, gdy tymczasem w dotychczasowej technologii 140 cm2. Dzi ki temu
uzyskuje si znacznie wi ksz" powierzchni z tej samej ilo'ci materia u, a wi c znaczne
zmniejszenie potrzebnej ilo'ci p ytek krzemowych do wyprodukowania ogniwa
s onecznego, a co za tym idzie tak e jego ceny. Dalsze du e oszcz dno'ci materia u mo na
osi"gn" pozostawiaj"c odst py mi dzy poszczeglnymi ogniwami w module. .wiat o
przechodz"c przez te szczeliny ulega odbiciu od zwierciad a umieszczonego z ty u modu u i
w drodze powrotnej pada na ogniwo "sliver".
Nowa technologia na wykonanie modu u o tej samej mocy zu ywa 7-10 razy mniej
krzemu. Co wi cej produkowane w ten sposb baterie maj" wy sz" sprawno' ktra wynosi
ok. 22%, a mo na b dzie osi"gn" nawet wi ksz" dzi ki wysokiej jako'ci stosowanych
monokryszta w krzemu i wyrafinowanej obrbce. Wszystko to powoduje, e koszt zakupu
baterii zwraca si ju po 1,5 roku, a nie jak w dotychczas produkowanych po 4 latach.
Mo liwo' dwustronnego o'wietlania ogniw "sliver" stwarza mo liwo' zbierania
promieniowania s onecznego od wschodu do zachodu w sposb bardziej efektywny, co
wp ynie na wi ksz" roczn" produkcj energii od dotychczasowej konfiguracji.
Obecnie ju ruszy a produkcja tego typu ogniw s onecznych w kwietniu 2005 r.
wyprodukowano modu y o mocach 40W, w 2006 maj" by ju produkowane o mocy 100W.

12
Rys. 21 Pasek krzemowy

Rys. 22 Modu s oneczny Silver

Wi cej informacji o tym wynalazku jak i aktualno'ci z jego wdra ania mo na
znale na stronie:
http://www.originenergy.com.au/environment/environment_subnav.php?pageid=1233 oraz
na stronach Australijskiego Uniwersytetu Narodowego:
http://solar.anu.edu.au

VI. Promieniowanie s oneczne

Promieniowanie s oneczne ma szerokie spektrum, d ugo'ci fali od 0,000 do 0,01 mm
i niesie w sobie zr nicowan" ilo' energii. Tylko cz ' tego promieniowania 0,35-0,75 m
to zakres 'wiat a widzialnego. Zr nicowane s" nie tylko d ugo'ci fali promieniowania
s onecznego od ok. 0,2 do 2,5 m, lecz tak e g sto' energii, przedstawia Rys. 23. Oko o
po owa energii promieniowania 46%, przypada na promieniowanie widzialne, reszta to
nadfiolet 7% i podczerwie 47%. Oprcz promieniowania o charakterze
elektromagnetycznym do powierzchni Ziemi okresowo dociera ze S o ca rwnie
promieniowanie korpuskularne, sk adaj"ce si w wi kszo'ci z protonw (wiatr s oneczny o
pr dko'ci ok. 107 km/s).

13
Rys. 23 Spektrum 'wiat a s onecznego
Energia s oneczna docieraj"ca do granicy atmosfery stanowi jedn" p miliardow"
cz ' energii emitowanej przez S o ce, a jej strumie ma moc ok. 1,39 kW/m2 jest to tzw.
sta a s oneczna. Na Rys. 24, przedstawiono sk adniki promieniowania s onecznego, w
zale no'ci od pory dnia i roku do powierzchni Ziemi dociera 'rednio mniej ni 50% energii,
dzieje si tak na wskutek odbicia (ok. 35%), absorpcji i rozproszenia. Nat enie
promieniowania s onecznego na powierzchni Ziemi zale y od wysoko'ci S o ca nad
horyzontem, wi" e si z grubo'ci" warstwy atmosfery, przez ktr" to promieniowanie jest
absorbowane. Dla wysoko'ci rwnej 90, 30, 20 i 12 nat enie to wynosi odpowiednio
I=900, 750, 600 i 400 W/m2.

Rys. 24 Sk adniki promieniowania s onecznego

Na Rys. 25 zobrazowano zmian nat enia promieniowania dla szeroko'ci
geograficznej 52, w dzie bezchmurny w zale no'ci od pory dnia i roku. Na osi rz dnych
podano maksymalne warto'ci energii, a pole pod krzyw" obrazuje ca kowit" ilo' energii
docieraj"c" w ci"gu dnia. Jako norm dla Polski przyjmuje si warto' napromieniowania
ca kowitego w ci"gu roku 3600 MJ/m2 10% (1000kW h/m2).

14
Rys. 25 Zmienno' nat enia promieniowania s onecznego

VII. Literatura
1. Witold M. Lewandowski, Proekologiczne rd a energii odnawialnej, WNT,
Warszawa 2002.
2. Smoli ski S awomir, Fotowoltaiczne rd a energii i ich zastosowania, Wyd.
SGGW, Warszawa 1998.
3. Zbys aw Pluta, S oneczne instalacje energetyczne, PW, W-wa 2003.
4. Strona internetowa Centrum Fotowoltaiki Politechniki Warszawskiej,
www.pv.pl

15