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TIRISTORES
CICLO :V
SECCIN : I
ALUMNO :
2017 -II
INTRODUCCIN.
2. FUNDAMENTO TEORICO:
El tiristor es un conmutador biestable; por tanto, es capaz de dejar
pasar plenamente o bloquear por completo el paso de la corriente sin
tener nivel intermedio alguno, aunque no son capaces de soportar
grandes sobrecargas de corriente. Este principio bsico puede
observarse tambin en el diodo Shockley.
Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado activo,
debe generarse una corriente de enganche positiva en el nodo, y
adems debe haber una pequea corriente en la compuerta capaz de
provocar una ruptura por avalancha en la unin J2 para hacer que el
dispositivo conduzca. Para que el dispositivo siga en el estado activo
se debe inducir desde el nodo una corriente de sostenimiento,
mucho menor que la de enganche, sin la cual el dispositivo dejara de
conducir.
A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de
disparo. Se puede controlar as la tensin necesaria entre nodo y
ctodo para la transicin OFF > ON, usando la corriente de puerta
adecuada (la tensin entre nodo y ctodo dependen directamente de
la tensin de puerta pero solamente para OFF -> ON). Cuanto mayor
sea la corriente suministrada al circuito de puerta IG (intensidad de
puerta), tanto menor ser la tensin nodo-ctodo necesaria para que
el tiristor conduzca.
Tambin se puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe
intensidad de puerta y la tensin nodo-ctodo es mayor que la
tensin de bloqueo.
3. EQUIPOS Y MATERIALES:
01 SCR SEMIKRON
01 Transistor ST BJT-
NPN
01 Transistor INTERNATIONAL MOSFET
RECTIFIEL
01 Transistor INTERNATIONAL IR IGBT
RECTIFIER
NOTA:
En este laboratorio trabajar con tensiones peligrosas. No
modifique ni haga ninguna otra conexin, salvo que su
profesor lo autorice. Antes de energizar, solicite la
autorizacin a su profesor.
4. PROCEDIMIENTO
Smbolo:
Fabricante: SEMIKRON
Digital.
OL
0.454 V
Operativo: Inoperativo:
Conclusiones y Observaciones:
Cable Rojo del Multmetro Cable Negro del Multmetro Valor Medido (V)
A K OL
K A OL
A G OL
G A OL
K G 0.037 V
G K 0.035 V
Marque el estado del dispositivo:
Operativo: Inoperativo:
Conclusiones
C. RECONOCIMIENTO DE TRANSISTORES
TRANSISTOR N 1
Smbolo:
Fabricante: ST
Cable Rojo del Multmetro Cable Negro del Multmetro Valor Medido (V)
C E OL
E C 0.606
C B OL
E B 0.604 V
B E OL
B C OL
Operativo: Inoperativo:
Conclusiones:
Estos transistores estn formado por una capa fina tipo p entre dos
capas n, contenidas en un mismo cristal semiconductor de germanio o
silicio, el emisor emite portadores de carga hacia el interior de la base,
en la base se gobiernan dichos portadores y en el colector se recogen
los portadores que no puede acaparar la base.
TRANSISTOR N 2
Tipo de Transistor: MOSFET
Smbolo:
Operativo: Inoperativo:
Conclusiones.
TRANSISTOR N 3
Operativo: Inoperativo:
Conclusiones.
D. PRUEBA DE TRANSISTORES
TRANSISTOR BIPOLAR
T1 Colector
T2 Base
T3 Emisor
T1
T2
T3
23. Usando el terminal rojo del multmetro, ubicarlo en el punto B del circuito y
regular el potencimetro a los valores mostrados en el cuadro siguiente, y para
cada uno de ellos con el mismo terminal rojo del multmetro colquelo en el
punto A y mida la lectura del voltaje y anote lo en el cuadro.
VOLTAJE EN B VOLTAJE EN
A
15 0.295 v
12 0.302 v
10 0.308 v
8 0.313 v
6 0.332 v
4 0.336 v
2 0.777 v
1 6.54 v
0.5 14.15 v
0 15
Esquema 1
Esquema 2
Conclusiones y Observaciones:
TRANSISTOR MOSFET
T1 Drenador
T2 Gate
T3 Surtidor
Esquema 3
26. Usando el terminal rojo del multmetro, ubicarlo en el punto B del circuito y
regular el potencimetro a los valores mostrados en el cuadro siguiente, y para
cada uno de ellos con el mismo terminal rojo del multmetro colquelo en el
punto A y mida la lectura del voltaje y anote lo en el cuadro.
VOLTAJE EN B VOLTAJE EN
A
15 0.373 v
12 0.375 v
10 0.378 v
8 0.389 v
6 0.393 v
4 0.704 v
2 15 v
1 15 v
0.5 15 v
0 15 v
27. En el cuadro anterior encierre en un recuadro las mediciones que muestren
los siguientes estados:
Conclusiones y Observaciones:
TRANSISTOR IGBT
T1 Drenador
T2 Gate
T3 Surtidor
29. Usando el terminal rojo del multmetro, ubicarlo en el punto B del circuito y
regular el potencimetro a los valores mostrados en el cuadro siguiente, y para
cada uno de ellos con el mismo terminal rojo del multmetro colquelo en el
punto A y mida la lectura del voltaje y anote lo en el cuadro.
VOLTAJE EN B VOLTAJE EN
A
15 1,168 v
30. En el cuadro anterior 12 1.285 v encierre en un
recuadro y anote las 8 1.46 v mediciones
que muestren los 10 1.707 v siguientes
estados: 6 6.465 v
4 15 v
Corte, Amplificacin y 2 15 v Saturacin
Conclusiones 1 15 v
0.5 15 v
En este artculo se analiza 0 15 v el
comportamiento elctrico y trmico de
transistores PT-IGBT conectados en paralelo utilizando un control activo de
reparto equilibrado de corriente. El estudio de la estructura interna y de las
ecuaciones que describen el funcionamiento de un transistor IGBT muestra la
capacidad de modificar el funcionamiento del transistor segn la relacin
tensin-corriente colector-emisor (VCE-ICE) variando el valor de la tensin
puerta-emisor (VGE). Finalmente se comparan los resultados de
funcionamiento de los transistores con control de reparto de corriente con los
obtenidos sin aplicar ninguna accin de control.
5. CONCLUSIONES
La corriente que activa el SCR puede ser de bajo valor, pues
con solo un pulso de corriente este quedar activo.
El voltaje que hay en el nodo cae drsticamente al momento
del encendido del SCR y queda siendo un voltaje aproximado
de 0.8 v.
Los SCR nos permiten controlar el paso de corriente a
determinadas ramas de un circuito previniendo daos y
alargando la vida til de estos.
Mientras no se aplique ninguna tensin en el GATE del scr no
se inicia la conduccin, dado que esta es la clave para que el
tiristor quede activo de forma permanente hasta que algo
externo al l rompa la conduccin.
Los scr se utilizan en aplicaciones de electrnica de potencia,
en el campo del control; debido a que el tiristor puede ser
utilizado como interruptor de tipo electrnico
6. OBSERVACIONES:
Al variar el modelo de tiristor varia la corriente de activacin de la
compuerta, por lo tanto varia el valor ptimo de Rp
El condensador puede estallar si no se coloca de la manera
adecuada