UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS ESPE

CDIGO: SGC.DI.505
VERSIN: 1.0
DEPARTAMENTO: ELCTRICA Y ELECTRNICA FECHA ULTIMA
REVISIN: 26/10/16

CARRERA: MECATRNICA

GUA PARA LAS PRCTICAS DE LABORATORIO, TALLER O CAMPO

PERIODO ABRIL AGOSTO
ASIGNATURA: ELECTRNICA GENERAL NIVEL: V
LECTIVO: 2017
DOCENTE: ING. MAYRA ERAZO NRC: 1135 /1137 PRCTICA N: 4
LABORATORIO DONDE SE DESARROLLAR LA
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRNICOS
PRCTICA:
TEMA DE LA
BJT COMO AMPLIFICADOR
PRCTICA:
INTRODUCCIN:
Transistor BJT.

El transistor BJT (transistor de unin bipolar) est construido de tres capas semiconductoras con diferentes niveles de dopaje,
llamadas emisor (fuertemente dopada), base (levemente dopada) y colector (medianamente dopado). El trmino bipolar hace
referencia al uso tanto de huecos como de electrones libres como portadores de corriente. En funcin del tipo de capas
semiconductoras que conforman los BJT se clasifican en NPN y PNP. Internamente el BJT est conformado por dos diodos o
junturas, base emisor y base colector. El transistor BJT puede ser usado como amplificador o como circuito de conmutacin.

Las configuraciones del BJT como amplificador se clasifican en funcin de terminal que sea comn tanto para la entrada como para
la salida, es as que se puede conectar como amplificadores de base comn, colector comn y emisor comn, siendo sta ltima la
ms utilizada debido a la alta ganancia que genera a la salida. Para que un BJT opere adecuadamente como amplificador, el punto
de operacin debe ser diseado de tal manera que opere en la zona lineal, para ello se debe asegurar que las junturas estn
correctamente polarizadas con voltajes DC. La figura 1 muestra los arreglos para polarizacin tanto del BJT npn como pnp para
que opere como amplificador, la juntura base emisor (BE) se polariza en directa y la unin base colector (BC) se polariza en
inversa.

Figura 1: Polarizacin del BJT como amplificador

Para explicar el efecto amplificador se hace referencia al BJT npn. La regin del emisor tipo n que est excesivamente dopada
tiene una alta densidad de electrones de banda de conduccin libres, como se muestra en la figura 2. Considerando que la juntura
BE est polarizada en directa y que se ha alcanzado el voltaje de umbral, stos electrones libres se movilizan con facilidad entre
BE, sin embargo debido a que la base est dbilmente dopada, son escasos los electrones que logran recombinarse con los
huecos, mientras que los electrones de la base que no se recombinaron se desplazan hacia la juntura BC que est polarizada
inversamente, stos son arrastrados hacia el colector y se crea una corriente mucho mayor que la generada en la base.

Para polarizar el BJT existen configuraciones establecidas como por ejemplo, red de configuracin fija y red estabilizada en emisor.
sta ltima es una de las ms usadas ya que la resistencia colocada en emisor aporta mayor estabilidad del punto Q.
El punto de operacin Q est definido por el voltaje entre colector y emisor (VCE) y la corriente de colector (IC). El circuito de
polarizacin con estabilizacin en emisor se muestra en la figura 3, los criterios de diseo relevantes son: (1) evitar que el punto Q
est cerca de la zona de corte o saturacin y (2) seleccionar una resistencia de emisor que no genere una bajo nivel de excursin
de salida de voltaje entre los terminales de emisor y colector.
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Figura 2: Operacin del BJT npn.

Figura 3: Red de polarizacin del BJT estabilizado en emisor.

OBJETIVOS:
Disear un circuito de polarizacin del BJT en configuracin emisor comn que opere en el centro de la zona lineal.
Verificar el comportamiento del BJT como circuito amplificador.
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EQUIPOS Y MATERIALES:
Fuente de corriente continua.
Multmetro.
Transistores BJT npn y pnp.
Resistencias.
INSTRUCCIONES:
Utilice el mandil.
Tenga a mano el trabajo preparatorio y elementos necesarios para el desarrollo de la prctica.
Coloque las maletas en la parte posterior del laboratorio a fin de mantener despejada en rea de trabajo.
Verifique la disponibilidad y funcionalidad de los equipos a usar en la prctica.
Notifique al docente de forma inmediata en caso de detectar fallo en los instrumentos de medida.
ACTIVIDADES POR DESARROLLAR:
A. Trabajo preparatorio:
a) Investigue el procedimiento para determinar el estado del transistor BJT usando multmetro.

b) Selecciones un transistor BJT npn disponible en el mercado y descargue la hoja de especificaciones tcnicas,
resalte las caractersticas relevantes (considerando que ser usado como amplificador en configuracin de
emisor comn), con las caractersticas seleccionada, realice una tabla que contenga la siguiente estructura:
Caracterstica Qu representa y por qu la Valor o rango de valores
considera relevante? (a temperatura ambiente)

NOTA: Anexe la hoja de especificaciones descargada.

c) Con el BJT seleccionado en el apartado anterior, disee un circuito de polarizacin con configuracin emisor
comn y estabilizado en emisor, cuyo punto de operacin Q debe ubicarse en la mitad de la recta de carga
(No olvide graficar la recta de carga base de su diseo y sobre la misma colocar Q terico), luego realice los
clculos necesarios y complete la informacin de la siguiente tabla:
Parmetro Valor calculado
IB
IC
IE
VCE
VE
VC
VB
NOTA: La tabla es vlida siempre y cuando incluya las ecuaciones y clculos realizados.

d) Simule en Proteus el circuito diseado en el apartado anterior y complete la informacin de la siguiente tabla:
Parmetro Valor simulado
IB
IC
IE
VCE
VE
VC
VB
NOTAS:
Grafique nuevamente la recta de carga y ubique Q obtenido en la simulacin, coincide con el Q terico
(justifique la respuesta).
La tabla es vlida siempre y cuando incluya las capturas del circuito de de cada parmetro simulado.
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e) Repita los apartados b, c y d usando un transistor pnp.

B. Procedimiento de la prctica:
1. Verifique el estado de los dos transistores BJT que se usar en la prctica.
Es correcto: Si o No y por qu?
JUSTIFICACIN:
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______________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________

2. Arme el circuito diseado en el apartado (c) del trabajo preparatorio y mida los parmetros de la siguiente tabla:
Parmetro Valor medido
IB
IC
IE
VCE
VE
VC
VB
NOTAS:
Grafique nuevamente la recta de carga y ubique Q obtenido con las medidas, coincide con el Q terico
(justifique la respuesta).

3. Arme el circuito diseado en el apartado (e) del trabajo preparatorio y mida los parmetros de la siguiente tabla:
Parmetro Valor medido
IB
IC
IE
VCE
VE
VC
VB
NOTAS:
Grafique nuevamente la recta de carga y ubique Q obtenido con las medidas, coincide con el Q terico
(justifique la respuesta).

RESULTADOS OBTENIDOS:
Elabore un informe de la prctica en el formato indicado por el docente en dnde se evidencie un anlisis comparativo de los
valores calculadas y simuladas con respecto a los medidos de los circuitos implementados en la prctica y genere las respectivas
conclusiones.

CONCLUSIONES:
El estudiante analiza y verifica la operacin de los transistores BJT npn y pnp como amplificador.

RECOMENDACIONES:
Verificar el funcionamiento de los equipos de medida y cables de conexin del laboratorio.
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Verificar el buen estado de los elementos que se usar en la prctica.

Verificar que los circuitos propuestos para la prctica estn armados correctamente.
Leer detenidamente ste documento antes de presentarse a la prctica.

REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS Y DE LA WEB:

TEORA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRNICOS, BOYLESTAD & NASHELSKY, dcima edicin, 2009,
PEARSON-PRENTICE HALL.
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS, FLOYD THOMAS L, octava edicin, 2007, PEARSON EDUCACIN

FIRMAS

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Nombre: Ing. Mayra Erazo Nombre: Ing. Marcelo Silva Nombre: Ing. Mayra Erazo

DOCENTE COORDINADOR DE REA DE JEFE DE LABORATORIO

CONOCIMIENTO