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A Durao (t) do evento definida como: O intervalo de tempo decorrido entre o instante
(ti) em que o valor eficaz da tenso ultrapassa determinado limite de referncia (Vref) e o instante
(tf) em que a mesma varivel volta a cruzar esse limite, expresso em segundos ou ciclos da
fundamental.
t = tf ti ( segundos ou ciclos) (6.2)
2
Comportamento da Tenso na Fase (ex: Va)
1.5 Comportamento do Valor Eficaz da Tenso (Vef)
1 Vn
Vref
0.5 Vn
TENSAO (PU) Vres
0
-0.5
-1
-1.5
t (Durao)
ti tf
-2
0.05 0.1 0.15 0.2 0.25
TEMPO (s)
Num determinado ponto de monitorao, uma VTCD caracterizada a partir da agregao dos
parmetros amplitude e durao de cada evento fase-neutro. Assim sendo, eventos fase-neutro
simultneos so primeiramente agregados compondo um mesmo evento no ponto de
monitorao (agregao de fases).
Os eventos consecutivos, em um perodo de trs minutos, no mesmo ponto, so agregados
compondo um nico evento (agregao temporal).
O afundamento ou a elevao de tenso que representa o intervalo de trs minutos o de menor
ou de maior amplitude da tenso, respectivamente.
A agregao de fases deve ser feita pelo critrio de unio das fases, ou seja, a durao do
evento definida como o intervalo de tempo decorrido entre o instante em que o primeiro dos
eventos fase-neutro transpe determinado limite e o instante em que o ltimo dos eventos fase-
neutro retorna para determinado limite.
Na figura 6.2 apresentado o mesmo evento da figura 6.1. A magnitude determinada pela
equao(6.4), assim V 68,0 % ou V 0,68 pu e durao de t 92,0 ms (5,52 ciclos).
A norma europia no faz a caracterizao e classificao de eventos de elevao de tenso.
2
Comportamento da Tenso na Fase (ex: Va)
1.5 Comportamento do Valor Eficaz da Tenso (Vrms)
1 Vn
Vref
VDip
0.5 Vn
TENSAO (PU)
Vres
0
-0.5
-1
-1.5
t (Durao)
ti tf
-2
0.05 0.1 0.15 0.2 0.25
TEMPO (s)
Figura 6.3.b. Curva ITIC para durao de sub e sobretenses. Envelope de tolerncia de tenso
tpico para sistema computacional (adaptado da norma IEEE 466).
Essa curva passou a ser uma referncia para verificao do nvel de vulnerabilidade de
equipamentos comparando-se a curva de sensibilidade do equipamento com a curva das variaes
permitidas ou observadas durante um determinado intervalo de tempo (por ex. 1 ano).
Nota-se na figura 6.3.b que, em regime, a tenso deve estar limitada a uma sobretenso de
10% e uma subtenso de 10%. Quanto menor a durao da perturbao, maior a alterao admitida,
uma vez que os elementos armazenadores de energia internos ao equipamento devem ser capazes de
absorve-la. Assim, por exemplo, a tenso pode ir a zero por um ciclo, ou ainda haver um surto de
tenso com 2 vezes o valor nominal (eficaz), desde que com durao inferior a 1ms.
Uma outra definio em termos da tenso suprida a Distoro Harmnica Total (THD) que
tem um limite de 5%. Alm disso, para alimentao trifsica, tolera-se um desbalanceamento entre
as fases de 3 a 6%. No que se refere freqncia, tem-se um desvio mximo admissvel de +0,5Hz
(em torno de 60Hz), com uma mxima taxa de variao de 1Hz/s.
120
% DA TENSAO NOMINAL (EFICAZ OU EQUIV. DE PICO)
100
40 Regio de Desligamento
20
0 -1 0 1 2 3 4
10 10 10 10 10 10
DURAAO EM CICLOS DE 60Hz
Os efeitos de uma VTCD sobre uma carga dependem fortemente do tipo de evento e do tipo de
carga.
Cargas cuja operao depende do valor eficaz da tenso so bem caracterizadas pelos valores
M&D. J as cargas eletrnicas que possuem no estgio de entrada um retificador a diodos com
filtro capacitivo (o que engloba a maior parte das cargas eletrnicas de baixa e mdia potncia), o
comportamento muito distinto.
A figura 6.5 mostra o circuito e o decorrente comportamento da tenso de sada de um
retificador monofsico com filtro capacitivo. Note-se que a tenso CC a que interessa para o
circuito alimentado por este retificador. A figura indica um hipottico ponto de desligamento (PD)
no qual o equipamento deixaria de operar. Observe-se tambm que a resposta a uma elevao de
tenso imediata, pois o circuito sensvel ao valor de pico da tenso de entrada e no ao seu valor
eficaz.
tr
iT
e (t)
iC iR
C + R
vret (t) vc (t) vR(t)
TENSAO CA (V)
200
100
0 (a)
-100
-200
200
Vlim
150
(b)
PD PD
100 o o Vmn
50
0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35
TEMPO (s)
Figura 6.5 Circuito de retificador monofsico com filtro capacitivo e formas de onda de entrada e
sada na ocorrncia de distrbios na tenso CA.
A figura 6.6 mostra possveis distrbios em uma alimentao trifsica, supondo um
retificador com filtro capacitivo. Note-se que no caso de afundamento de tenso em uma das fases
no h efeito muito pronunciado na sada CC, alm de um aumento na ondulao da tenso, pois o
retificador passa a operar como um retificador bifsico. Quando ocorre a interrupo, a queda da
tenso depender da potncia consumida pela carga. No restabelecimento da tenso o retorno
muito rpido, assim como a sobretenso que se observa quando ocorre uma elevao de tenso em
uma das fases.
A figura 6.7 mostra duas formas de onda de tenso, ambas contm a 5 harmnica, porm
uma com fase invertida da outra. Em (a) a fase de 0 e em (b) a fase de 180. Os valores eficazes
das duas formas de onda so iguais, ou seja, qualquer afundamento de tenso que fosse igual tanto
em (a) quanto em (b) teriam o mesmo valor de magnitude, porque a evoluo do valor eficaz se d
da mesma maneira.
Porm, supondo-se que tais tenses (a) e (b) sejam aplicadas a uma carga eletrnica com um
retificador com filtro capacitivo, possvel notar que a dinmica de vC(t) do grfico (a) diferente
de vC(t) do grfico (b). Assim uma VTCD afetaria de modo diferente o equipamento eletrnico
somente pelo motivo de as componentes harmnicas terem diferena de fase.
TENSAO (V)
300
Elevao FC
200 (A)(B)(C)
100
0 (a
-100
400
vc(t)
300
200
o o Vmn
PD PD
100
0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25
Figura 6.6 Formas de onda CA e CC em retificador trifsico com filtro capacitivo frente a distrbios
na alimentao.
1.5 1.5
vc(t) COM HARMONICA vc(t) COM HARMONICA
vc(t) SEM HARMONICA vc(t) SEM HARMONICA
EVOLUO DO VALOR EFICAZ (Vef) EVOLUAO DO VALOR EFICAZ (Vef)
1 1
0.72 0.72
0.5 0.5
0.36 0.36
TENSAO (PU)
TENSAO (PU)
0 0
-0.5 -0.5
-1 -1
COM HARMONICA COM HARMONICA
SEM HARMONICA SEM HARMONICA
-1.5 -1.5
0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1 0.11 0.12 0.13 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1 0.11 0.12 0.13
TEMPO (S) TEMPO (S)
tafund tafund
Nos grficos da figura 6.7 pode-se perceber dois efeitos que no so caracterizados pelo
valor eficaz da tenso: o primeiro que o equipamento responde pelo valor vc(t) e o segundo que
a composio harmnica e suas fases podem afetar o equipamento de modo distinto. Este ltimo
torna-se relevante principalmente porque muitos afundamentos de tenso perdem a caracterstica
senoidal da tenso.
A figura 6.8 mostra a inadequao da medio por M&D para bem caracterizar os
distrbios. Ambos eventos possuem os mesmos valores definidos para magnitude e durao, como
se v na figura 6.9. No entanto, a depender da carga alimentada, o impacto da perturbao pode ser
muito distinto, uma vez que a medio do valor eficaz pode no representar adequadamente o
resultado do fenmeno sobre a carga, especialmente se for uma carga eletrnica.
50
TENSAO (V)
50
TENSAO (V)
0 0
-50 -50
-100
-100
Vresidual=50,8V
-150
-150
-200
-200 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16 0.18 0.2 0.22
0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16 0.18 0.2 0.22 TEMPO (S)
TEMPO (s) tafund
tafund
(a) (b)
Figura 6.8 Eventos de Afundamento de Tenso com mesma Magnitude e Durao
200
% da TENSAO NOMINAL (RMS ou PICO EQUIV.)
180
160
120
110
100
90
80
60 LIMITE DE SUBTENSES
40
EVENTOS 01 E 02
20 "MAGNITUDE E DURAO"
0 -3 -2 -1 0 1 2
10 10 10 10 10 10
DURACAO (S)
O clculo do valor eficaz da tenso uma mdia quadrtica com perodo T. Em aplicaes de
instrumentao, utilizando-se tcnicas de processamento digital de sinais, o valor eficaz da tenso
pode ser definido conforme equao (6.5) [1,3,12,17].
1 N 1 2
Vef [k ] = v [ k n] (6.5)
N n =0
N nmero de amostras da janela mvel
v[k] k-sima amostra da tenso
T = N ta (6.6)
ta taxa de amostragem
A atualizao contnua das amostras no clculo do valor eficaz mostra que existe um
perodo de convergncia de N amostras que normalmente o prprio perodo da fundamental da
rede eltrica. Esse perodo de convergncia insere um erro na avaliao da durao de um evento,
como mostrado na figure 6.10. Na interrupo com durao de 1 ciclo, possvel perceber que o
valor eficaz da tenso levou 1 ciclo para atingir o valor da interrupo e aps o restabelecimento da
tenso de entrada o valor eficaz levou mais 1 ciclo para voltar ao valor da condio normal de
operao.
250
Valor Eficaz da Tenso (Vef)
200 2 CICLOS
150
100
50
TENSAO (V)
-50
-100
-150
-200 1 CICLO
-250
0.3 0.31 0.32 0.33 0.34 0.35 0.36 0.37 0.38 0.39 0.4
TEMPO (s)
Utilizando-se uma janela de meio ciclo, o problema de convergncia ainda existe, porm o
erro na avaliao de uma VTCD se reduz a ciclo, e este erro ainda seria significativo para VTCD
com valores pequenos de durao, figura 6.12.
250
Valor Eficaz da Tenso (Vef) Tenso Residual No Vai a Zero
200
150
100
50
TENSAO (V)
0
-50
-100
-150
-200
Interrupo de 1/2 Ciclo
-250
0.3 0.31 0.32 0.33 0.34 0.35 0.36 0.37 0.38 0.39 0.4
TEMPO (s)
150
100
50
TENSAO (V)
-50
-100
-150
1 CICLO
-200
-250
0.3 0.31 0.32 0.33 0.34 0.35 0.36 0.37 0.38 0.39 0.4
TEMPO (s)
Figura 6.12 Resposta do Valor Eficaz para Janela Mvel de 0,5 Ciclo.
A utilizao da janela mvel de ciclo ainda apresenta outro problema que est relacionado
assimetria de meia onda, ou seja, o semi-ciclo positivo ser diferente do semi-ciclo negativo. Na
figura 6.13 mostrada a tenso de entrada com 2 harmnica em que seu valor 20% da
fundamental. Devido assimetria de meia onda causada pela 2 harmnica, o valor eficaz da tenso
torna-se oscilante o que no ocorreria se a janela mvel aplicada fosse de 1 ciclo do perodo da
fundamental.
250
Valor Eficaz da Tenso (Vef)
200
150
100
50
TENSAO (V)
-50
-100
-150
-200
Fundamental + 2 Harmnico
-250
0.3 0.31 0.32 0.33 0.34 0.35 0.36 0.37 0.38 0.39 0.4
TEMPO (s)
Referncias
[1] Operador Nacional do Sistema Eltrico - ONS, Padres de Desempenho da Rede Bsica
Submdulo 2.2, Procedimentos de Rede, reviso 2, 2002, Brasil.
[2] ANEEL (2010), Procedimentos de Distribuio de Energia Eltrica no Sistema Eltrico
Nacional PRODIST. Mdulo 8 Qualidade da Energia Eltrica
[3] IEEE Standard 1159; IEEE Recommended Practice for Monitoring Electric Power
Quality, Institute of Electrical and Electronics Engineers, junho, 1995 e IEEE Task
Force p1159 Monitoring Electric Power Quality, Institute of Electrical and Electronics
Engineers, fevereiro, 2002.
[4] CENELEC EN 50160; Voltage Characteristics of Electricity Supplied by Public
Distribution Systems, European Committee for Electro technical Standardization, 1999.
[5] IEEE Standard 446; IEEE Recommended Practice For Emergency And Standby Power
Systems For Industrial And Commercial Applications, Institute of Electrical and
Electronics Engineers, dezembro, 1995.
[6] ITI (CBEMA) curve Application Note; Technical Committee 3 (TC3) of the Information
Technology Industry Council; Disponvel em: http://www.itic.org/technical/iticurv.pdf.
[7] SEMI F47; Specification for Semiconductor Processing Equipment Voltage Sag
Immunity, SEMI Semiconductor Equipment and Material Institute.